Nociones Teóricas de Compatibilidad Electromagnética: Francisco Luis Mesa Ledesma

Nociones tericas de
Compatibilidad
Electromagntica
FRANCISCO LUIS MESA LEDESMA
1
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LIABILITY, WHETHER IN CONTRACT, STRICT LIABILITY, OR TORT (INCLUDING NEGLIGENCE OR OTHERWISE) ARISING IN ANY WAY OUT OF THE USE OF THIS WORK, EVEN IF ADVISED
OF THE POSSIBILITY OF SUCH DAMAGE.
END OF TERMS AND CONDITIONS
FLML Apuntes de CEM
ndice general
1. Introduccin 6
1.1. Conceptos y deniciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.2. Notas histricas y ejemplos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.3. Esquema de CEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.4. Tipos de Interferencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.5. Espectro de frecuencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.6. Panormica de la CEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2. Fuentes de Interferencia Electromagntica 13
2.1. Imperfecciones en componentes pasivos . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.1.1. Resistencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.1.2. Condensadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.1.3. Bobinas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.1.4. Transformadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.1.5. Conductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.1.6. Cables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.2. Emisiones electromagnticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.3. Transitorios y Conmutaciones en Circuitos . . . . . . . . . . . . . . . 27
3. Acoplamiento de Interferencias 29
3.1. Acoplamientos por conduccin (impedancia comn). Bucles de masa 30
2
NDICE GENERAL 3
3.2. Acoplamiento capacitivo o elctrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.3. Acoplamiento inductivo o magntico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
3.4. Acoplamiento electromagntico o por radiacin electromagntica . . 35
4. Soluciones a las Interferencias Electromagnticas 37
4.1. Blindajes o Pantallas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
4.1.1. Efectividad de los blindajes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
4.1.2. Efecto de las aperturas en los blindajes . . . . . . . . . . . . . 43
4.1.3. Blindaje para cables apantallados . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
4.2. Masas y Tierras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
4.2.1. Deniciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
4.2.2. Masa en seales de alta y baja frecuencia . . . . . . . . . . . . 48
4.2.3. Conexin a masa de los cables blindados . . . . . . . . . . . . 50
4.3. Aislamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.3.1. Transformadores de aislamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.3.2. Optoacopladores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
4.4. Filtrado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
4.4.1. Caractersticas de los ltros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
4.4.2. Tipos de ltro elementales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
5. Aplicacin a un sistema informtico 58
5.1. Red de Alimentacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
5.2. Conexiones Entrada/Salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
A. Obtencin de la matriz de transferencia para un par de conductores 63
. Bibliografa 65
FLML Apuntes de CEM
Prefacio
La presente coleccin de notas sobre Compatibilidad Electromagntica preten-
de ser una ayuda al estudiante en la asignatura cuatrimestral Compatibilidad Electro-
magntica de Ingeniera Tcnica Industrial (especialidad Electrnica) de la Escuela
Universitaria Politcnica de la Universidad de Sevilla. Aunque estas notas han si-
do inspiradas por diversas fuentes, cualquier defecto o error slo es atribuible al
autor de estos apuntes. Es importante resaltar que estas notas no pueden ni deben
sustituir a otros textos ms elaborados sobre la materia.
El propsito principal de la materia aqu presentada es dotar al alumno de algu-
nos de los fundamentos fsicos elementales en los que se basa el amplio abanico de
temas acogidos bajo la denominacin genrica de Compatibilidad Electromagnti-
ca. Aquellas nociones de Electromagnetismo y Teora de circuitos que sean nece-
sarias para la compresin de los anteriores fundamentos fsicos sern brevemente
descritas en los apartados correspondientes, aunque frecuentemente esta descrip-
cin debera complementarse con la consulta de textos especcos.
FRANCISCO L. MESA LEDESMA
Sevilla, septiembre de 2000
4
NDICE GENERAL 5
FLML Apuntes de CEM
Tema 1
Introduccin
Es un hecho conocido que actualmente vivimos inmersos en un ambiente elec-
tromagntico provocado tanto por la radiacin voluntariamente emitida por diver-
sos equipos como emisoras de radio, televisiones, radares, etc, como por la radia-
cin no intencionada de otros equipos (mquinas elctricas, computadores, lneas
de alimentacin...). Todas estas radiaciones provocan un acoplamiento de energa
con cualquier sistema susceptible de captarlas, pudiendo provocar fallos en el nor-
mal funcionamiento de ste. Es, por tanto, primordial estudiar en primer lugar cua-
les son las fuentes de las posibles interferencias electromagnticas (IEM) junto con
los mecanismos de acoplamiento de stas para poder posteriormente encontrar las
mejores soluciones a los problemas derivados de la transferencia de energa elec-
tromagntica indeseada.
Dada la amplitud del estudio anteriormente planteado, su realizacin requiere
un conocimiento mnimo de las leyes del Electromagnetismo (desde la Electrost-
tica y Magnetosttica hasta las leyes que rigen la propagacin de ondas, tanto en
el espacio libre como guiadas) y un conocimiento ms amplio de sus aplicaciones
simplicadas en los modelos de circuitos. Desde este punto de vista, la presente
materia puede verse como una aplicacin muy extendida de todos los conceptos
involucrados que se han estudiado anteriormente. Es importante tambin destacar
que en esta asignatura se mostrarn los problemas reales que presentan los equipos
debido a que en su diseo se han usado modelos tericos simplicados. Por consi-
guiente, llevaremos a cabo una aproximacin realista a los fenmenos electromagn-
ticos tal como se usan en la tecnologa actual.
6
1.1. Conceptos y deniciones 7
1.1. Conceptos y deniciones
Se conoce con el nombre de perturbacin electromagntica a cualquier fenme-
no que pueda degradar el funcionamiento de un dispositivo, equipo o sistema. La
naturaleza de esta perturbacin electromagntica puede ser la de un ruido electro-
magntico, una seal indeseada o un cambio en el propio medio de propagacin.
Una interferencia electromagntica (IEM) es la degradacin en el funciona-
miento de un dispositivo, equipo o sistema causado por una perturbacin electro-
magntica. Aunque en la literatura sobre el tema se usan a veces indistintamente la
denominacin de interferencia electromagntica y de ruido electromagntico, aqu
se reservar la denominacin de ruido al ruido trmico, blanco, etc...
La compatibilidad electromagntica (CEM) es la aptitud de un dispositivo,
equipo o sistema para funcionar satisfactoriamente en su ambiente electromagnti-
co, sin introducir perturbaciones intolerables en ese ambiente o en otros dispositi-
vos/equipos/sistemas y soportar las producidas por otros dispositivos/equipos/sis-
temas. Usualmente, la compatibilidad electromagntica est regulada por normas
que rigen cules son los requisitos que deben cumplir los equipos. Tambin se agru-
pa bajo el ttulo de compatibilidad electromagntica al estudio de la problemtica
general de la generacin, propagacin, inuencia sobre otros dispositivos/equi-
pos/sistemas y medidas de correccin de interferencias electromagnticas.
El trmino susceptibilidad electromagntica (SEM) y su opuesto inmunidad
electromagntica se emplean para indicar la mayor o menor propensin de un dis-
positivo/equipo/sistema a ser afectado por las interferencias electromagnticas, en
otras palabras, el nivel de susceptibilidad de un equipo es la propiedad que tiene
ste para funcionar correctamente en un ambiente de interferencia.
1.2. Notas histricas y ejemplos
Puede armarse que las interferencias procedentes del ambiente electromag-
ntico empezaron a tomarse en consideracin a partir de la segunda dcada del
siglo XX, con la expansin de las emisiones de radio y su consiguiente interferencia
mutua. No obstante, no fue hasta la Segunda Guerra Mundial cuando creci con-
siderablemente el inters por controlar y regular las interferencias de radio, dando
lugar a una serie de normativas que fueron la base para posteriores regulaciones
civiles, aunque en un primer momento stas iban ms dirigidas a estandarizar los
mtodos de medidas de las interferencias emitidas por la radio, televisin, lneas
FLML Apuntes de CEM
1.2. Notas histricas y ejemplos 8
de distribucin de potencia elctrica, electrodomsticos, vehculos de motor e ins-
trumentos mdicos, cientcos o industriales. Dado el avance espectacular llevado
a cabo en los ltimos veinticinco aos en el campo de los computadores digitales
y en las tecnologas de la informacin, instrumentacin, telecomunicaciones y de
semiconductores, provocando el uso extendido de la energa electromagntica co-
mo base de funcionamiento y transmisin de informacin, el estudio de la CEM se
ha convertido en un asunto de mxima relevancia. Ello es debido en parte a que
los recientes equipos electrnicos basados en semiconductores presentan un alta
susceptibilidad electromagntica ya que cada vez trabajan con niveles de potencia
ms bajos y su densidad de integracin va creciendo.
Por otra parte, debe considerarse el importante problema tcnico y comercial
que surge cuando las interferencias electromagnticas perturban cualquier equipo
electrnico, incapacitndolo para su normal funcionamiento y con riesgo para la
seguridad de instalaciones y personas en caso de fallos graves. El problema tcnico
surge porque una vez que se ha completado el diseo del equipo resulta muy difcil
protegerlo contra las interferencias (o evitar que las produzca). El problema comer-
cial se plantea porque las protecciones a posteriori son muy costosas, incrementado
el precio nal del producto y creando una mala imagen debido a los fallos y falta de
abilidad. Como ilustracin de esto ltimo, puede considerarse el ejemplo de las
alarmas electrnicas que, debido a un no conveniente diseo de partida, sonaban
de forma aleatoria a causa de las interferencias electromagnticas. La proliferacin
de irregularidades en el funcionamiento de este equipo gener una incredulidad
extendida que da considerablemente la imagen del producto.
Otros ejemplos donde se ha puesto de maniesto la necesidad de la CEM son
Lneas de distribucin de potencia elctrica. Estas lneas pueden captar in-
terferencias de rayos y tormentas as como transportar transitorios debidos a
conmutaciones que pueden afectar seriamente la operacin de computadores
y otros equipos.
Conmutaciones y rels. Las descargas elctricas asociadas con las aperturas
y cierres de rels son una causa importante de IEM.
Equipos de telefona. Estos equipos son susceptibles a las interferencias pro-
ducidas por estaciones de radio y televisin, radares, plantas industriales, etc.
Radioastronoma. Dado el nivel tan bajo de la seal que se intenta captar, los
equipos usados en Radioastronoma son susceptibles a los pulsos de los relo-
jes digitales de los dispositivos, fuentes de alimentacin, radio, televisin...
FLML Apuntes de CEM
1.3. Esquema de CEM 9
Efectos biolgicos. Especialmente con respecto a la incidencia que puede te-
ner sobre el cuerpo humano la exposicin a campos electromagnticos.
Navegacin area. En mltiples casos se han detectado errores en los equipos
de navegacin debido al uso de aparatos electrnicos convencionales (orde-
nadores porttiles, telfonos mviles, videoconsolas, etc)
Equipos militares. Especialmente en misiles y sistemas guiados, la CEMocu-
pa un lugar fundamental. Tambin se han aportado datos sobre fallos en ve-
hculos espaciales debido a problemas de CEM.
Seguridad en las comunicaciones. Las posibles emisiones electromagnticas
no intencionadas en los equipos diseados a tal n ponen en evidente peligro
la seguridad.
1.3. Esquema de CEM
Para facilitar el estudio de la CEM, el anlisis de cualquier problema se divide
(ver Fig. 1.1) en las siguientes partes:
Origen, fuente o generador de las interferencias.
Medios de propagacin o caminos de acoplamiento de las interferencias.
Receptores afectados por las interferencias.
GENERADORES
DE
INTERFERENCIAS
RECEPTORES
DE
INTERFERENCIAS
CAMINOS
DE
ACOPLAMIENTO
FIGURA 1.1: Partes principales de todo fenmeno de interferencia electromagntica.
Por tanto, para que las IEM constituyan un problema debe existir al mismo tiempo
un generador de perturbaciones, un receptor afectado por ellas y un camino de
acoplo. Los medios por las cuales se pueden acoplar las interferencias son
por conduccin y por impedancia comn
por radiacin electromagntica, magntica (acoplamiento inductivo) o elc-
trica (acoplamiento capacitivo).
FLML Apuntes de CEM
1.3. Esquema de CEM 10
Una posible clasicacin de los emisores y receptores de EMI se muestra en la
Fig. 1.2.
COUMNICACIONES
ELECTRNICAS
ENERGA
ELECTRICA
HERRAMIENTAS
Y
MAQUINAS
SISTEMAS
DE
ENCENDIDO
INDUSTRIALES
Y DE
CONSUMO
TERRESTRES EXTRATERRESTRES
RADIODIFUSION
cONM. DE RELS
NAVEGACIN
RADAR
COMUNICACION
DISTRIBUCIN
TRANSMISIN
CONVERSIN
GENERADORES
ELECTRODOMSTICOS
SIST. PIEZOELCTRICOS
MQUINAS DE OFICINA
MQUINAS INDUSTRIALES
TRANSPORTES
MOTORES DE
EXPLOSIN
VEHICULOS
SOLDADURAS
POR ARCO
RADIADORES
ELECTRICOS
DE CALOR
HORNOS
CALENTAM. POR
INDUCCIN
COMPUTADORES
INSTRUMENTOS
MDICOS
TUBOS
FLUORESCENTES
DESCARGAS
ELECTROST.
RAYOS
RELMPAGOS
SOL
RUIDO GALCTICO
RAYOS CSMICOS
RADIO ESTRELLAS
ARTIFICIALES
ARTIFICIALES
NATURALES
NATURALES
GENERADORES
DE
EMI
POR IMPEDANCIA COMUN
POR CONDUCCION
POR RADIACION ELECTROMAGNETICA
INDUCTIVO (CAMPOS MAGNETICOS)
CAPACITIVO (CAMPOS ELECTRICOS)
ACOPLAMIENTOS
RECEPTORES
DE
EMI
RECEPTORES
DE
COMUNICACIONES
AMPLIFICADORES
INDUSTRIALES
Y DE
CONSUMO
HOMBRE
PLANTAS
ANIMALES
RADAR
COMUNICACIONES
NAVEGACION
RADIODIFUSION
RECEPTORES TV/RADIO
FRECUENCIA
INTERMEDIA
VIDEO
AUDIO
CONTROLES
INSTRUMENTOS BIOMEDICOS
AUDIO/HI-FI
MEGAFONIA
TELEFONOS
SENSORES
MONITORES
COMPUTADORES
TELECONTROL
FIGURA 1.2: Diagrama general de generadores y receptores de IEM.
Siguiendo el esquema mostrado en la Fig. 1.1, las posibles soluciones de las IEM
son
eliminarlas en la fuente
insensibilizar al receptor, o
FLML Apuntes de CEM
1.4. Tipos de Interferencia 11
disminuir la energa transmitida a travs del canal de acoplamiento.
1.4. Tipos de Interferencia
En funcin de los diferentes caminos de acoplamiento, se puede realizar la si-
guiente clasicacin de las interferencias:
Interferencias conducidas: cuando el medio de propagacin es un conductor
elctrico que une la fuente de interferencias con el receptor (cables de alimen-
tacin o seal, pantallas o chasis metlicos, etc).
Interferencias radiadas: cuando la propagacin se realiza mediante el campo
electromagntico de radiacin, esto es, cuando:
distancia de propagacin > longitud de onda /2.
Interferencias acopladas: cuando la transferencia de energa se realiza bsica-
mente a travs de un campo elctrico o magntico. Podra considerarse como
un caso particular de las interferencias radiadas cuando tengamos que
distancia de propagacin < longitud de onda /2.
Dentro de esta clase de interferencias acopladas se pueden distinguir los dos
siguientes tipos:
Capacitivas: acoplamiento a travs del campo elctrico.
Inductivas: acoplamiento a travs del campo magntico.
1.5. Espectro de frecuencias
Dado el espectacular incremento de las demandas del espectro de frecuencias
y al hecho de que el espectro prctico es nito, los problemas de CEM son funda-
mentales en este punto. Bsicamente, el crecimiento de las demandas del espectro
electromagntico viene motivado por el desarrollo de las tecnologas de las comu-
nicaciones, especialmente en lo que se reere a los sistemas de transmisin de datos
usados en la interconexin de ordenadores y al creciente uso de sistemas de comu-
nicacin personal tales como los telfonos mviles.
En consecuencia, todas estas demandas de servicios de telecomunicaciones se
traducen en una creciente necesidad de aumentar los canales de comunicacin con
el tiempo. Las tendencias actuales para solucionar este problema son
FLML Apuntes de CEM
1.6. Panormica de la CEM 12
Compresin de la informacin: mediante una cuidada seleccin de los bits
de informacin imprescindible que elimine aquellos redundantes. Esto per-
mitira reducir los requerimientos de ancho de banda total para transmitir la
informacin.
Nuevos esquemas de modulacin, especialmente los esquemas de modula-
cin digital en los que la informacin optimizada puede ser empaquetada en
un predeterminado ancho de banda.
Distribucin ecaz de los canales del espectro de frecuencia, que permita un
menor espaciado entre distintos usuarios. Para ello, es imprescindible el uso
de osciladores muy estables con muy buena relacin seal/ruido.
Nuevos sistemas de arquitectura de comunicaciones y organizacin que po-
sibiliten por ejemplo la reutilizacin de canales de frecuencia cuando stos no
estn en uso (aplicables a la telefona mvil).
1.6. Panormica de la CEM
Apesar de la importancia fundamental que ha adquirido la CEMen los ltimos
tiempos, los mtodos y soluciones de esta disciplina todava no han alcanzado una
madurez suciente. Una posible causa de este hecho es el carcter tan multidisci-
plinar que conlleva esta materia, dado que requiere tanto buenos conocimientos
tericos como tecnolgicos y de instrumentacin y medida.
Existe por tanto una verdadera necesidad de futuras investigaciones para po-
der caracterizar ecazmente las interferencias, las tcnicas de medida y las posibles
soluciones. Es importante considerar la importancia de esta investigacin ya que,
como ya se ha mencionado anteriormente, la aplicacin de remedios a posteriori
son muy costosos y hasta cierto punto acientcos. Tambin considerarse que ac-
tualmente existe toda una sociedad internacional dentro del IEEE dedicada a estos
asuntos.
FLML Apuntes de CEM
Tema 2
Fuentes de Interferencia
Electromagntica
Segn se ha visto en el tema anterior, los orgenes de la IEM parten de la exis-
tencia de emisores o fuentes. En el cuadro de la Fig. 1.2 se clasicaron algunas de
estas fuentes que a continuacin se describirn con ms detalle.
2.1. Imperfecciones en componentes pasivos
El origen de las interferencias en los componentes pasivos surge de su carcter
no ideal puesto que un componente diseado con unas supuestas caractersticas no
slo presenta un comportamiento distinto al de su modelo terico sino que a veces
incluso opuesto, siendo esto una causa muy importante de problemas. Como es sa-
bido, la caracterizacin electromagntica de los componentes pasivos se basa en su
modelo circuital. Este modelo prev que en estos componentes existe una relacin
simple entre las variables circuitales tensin e intensidad, de modo que el proceso
electromagntico a frecuencias bajas puede considerarse que sucede en un punto
determinado del espacio (modelo de parmetros concentrados) o bien de forma dis-
tribuida para altas frecuencias (modelo de parmetros distribuidos). Usualmente,
el carcter no ideal del modelo de parmetros concentrados para un componen-
te pasivo se pone de maniesto a alta frecuencia donde dicho componente puede
ser modelado mediante un circuito equivalente de parmetros concentrados. Este
circuito presentar un comportamiento similar al que se obtiene al medir la impe-
dancia del componente original.
13
2.1. Imperfecciones en componentes pasivos 14
2.1.1. Resistencia
La resistencia elctrica de un material o componente se dene como la parte
real del cociente (complejo) entre los fasores tensin e intensidad. Determina la
parte de la energa elctrica que se convierte en energa trmica en dicho material
o componente.
Cuando se incorpora el hecho de que este componente presentar tambin fen-
menos capacitivos e inductivos, el modelo habitual para una resistencia de valor R
se muestra en la Fig. 2.1, en la que los valores de la capacidad varan entre 0,1 0,8
pF y los de la inductancia desde 15 700 nH.
L
R
C
FIGURA 2.1: Modelo equivalente para una resistencia de composicin de carbn.
El valor de la impedancia de este elemento viene dado por
Z =
R
1 +
2
R
2
C
2
+ j
L R
2
C +
2
R
2
C
2
L
1 +
2
R
2
C
2
, (2.1)
donde puede observarse que la resistencia del mismo (su parte real) no slo no
coincide con el valor R sino que presenta una dependencia en frecuencia, de tal
modo que disminuye su valor a medida que aumenta la frecuencia.
2.1.2. Condensadores
El modelo habitual para representar el comportamiento en alta frecuencia de
un condensador de capacidad C se muestra en la Fig. 2.2, donde R
s
representa la
resistencia de los terminales y los contactos, R
p
la resistencia de fugas del dielctrico
y L la inductancia de los terminales y placas del condensador. En el caso habitual
en que R
p
R
s
, la impedancia del modelo anterior viene dada por
Z R
s
j
1
2
LC
C
donde puede verse la existencia de una frecuencia de resonancia para = 1/
LC
que marca adems dos zonas distintas de comportamiento: para frecuencias me-
FLML Apuntes de CEM
L
R
p
R
s
C
FIGURA 2.2: Modelo equivalente de un condensador.
nores que la de resonancia, el modelo predice un comportamiento capacitivo y para
frecuencias superiores, un comportamiento inductivo.
2.1.3. Bobinas
La inductancia de un circuito es la relacin entre la fuerza electromotriz indu-
cida en l por una corriente variable y el ritmo de variacin de dicha corriente. Los
elementos diseados para que presenten primordialmente un comportamiento in-
ductivo consisten en un conductor arrollado de tal forma que se incremente el ujo
magntico que atraviesa el elemento. Evidentemente, este arrollamiento presentar
tambin una resistencia y un efecto capacitivo debido a la induccin electrosttica
mutua de los conductores que forman el arrollamiento. Los modelos que represen-
tan el comportamiento de una bobina real se muestran en la Fig. 2.3, donde R
h
y R
g
L
L
R
R
R
h
R
g
C
C
(a) (b)
FIGURA 2.3: Modelos equivalentes para una bobina con: (a) ncleo de aire y (b) ncleo magntico.
en la Fig. 2.3(b) dan cuenta de las prdidas por histresis y las prdidas por corrien-
te de Foucault en el ncleo magntico. Para el modelo de la Fig. 2.3(a), el valor de
la impedancia puede escribirse para valores pequeos de R y C como
Z
R
(1
2
LC)
2
+ j
L
1
2
LC
, (2.2)
donde puede observarse la presencia de una frecuencia de resonancia y que este
elemento presenta un carcter capacitivo para frecuencias mayores que la de reso-
FLML Apuntes de CEM
nancia. Anlogas conclusiones se obtendran con el modelo de la Fig. 2.3(b).
2.1.4. Transformadores
Un transformador consiste en dos bobinados acoplados inductivamente. De to-
dos los elementos pasivos, ste es el que presenta mayores repercusiones negativas.
Tanto el modelo ideal como el circuito equivalente de un transformador se mues-
tran en la Fig. 2.4. Para el caso ideal representado en la Fig. 2.4(a), la relacin entre
FIGURA 2.4: (a) Smbolo para una trasformador ideal; (b) Circuito equivalente para una transforma-
dor real.
las tensiones de ambos bobinados viene dada por
V
2
V
1
=
N
2
N
1
.
En la Fig. 2.4(b), C
p
y C
s
representan las capacidades respectivas del primario y
del secundario; C
ps
la capacidad entre primario y secundario; R
1
es la resistencia
del primario y R
2
del secundario; L
1
y L
2
son las inductancias de dispersin del
primario y del secundario; R
n
es la resistencia de prdidas del ncleo y L
ca
es la
inductancia del primario en circuito abierto.
Los efectos no ideales que genera el transformador son, entre otros,
Transitorios de conexin y desconexin.
Calentamiento de los enrollamientos con la consiguiente aparicin de gra-
dientes de temperatura que pueden afectar otros componentes.
Flujo magntico no abarcado por el ncleo (representado por L
1
y L
2
) y que
es susceptible de interferir con otros circuitos.
Acoplo entre primario y secundario a travs de C
ps
de tensiones en modo
comn.
FLML Apuntes de CEM
2.1.5. Conductores
Los conductores son los componentes de interconexin metlicos entre los dis-
tintos elementos del circuito. Junto con los contactos son los elementos ms abun-
dantes en un circuito electrnico. Idealmente, estos conductores presentan una im-
pedancia nula pero en la prctica presentan tanto una resistencia como una reac-
tancia.
Para corriente continua y debido a la presencia de cierta conductividad, , en el
metal, el conductor presenta una resistencia dada por
R
cc
=
l
S
, (2.3)
donde l es la longitud del conductor y S su seccin. Para corrientes alternas y debi-
do al efecto pelicular, la resistencia aumenta (dado que disminuye la seccin efec-
tiva de conduccin) y adems aparece una inductancia que, aunque suele despre-
ciarse, puede llegar a tener una reactancia inductiva incluso superior al valor de la
resistencia a bajas frecuencias (ver expresin 4.12).
2.1.6. Cables
Denomina al conjunto de conductores que interconectan subsistemas o siste-
mas complejos. Los cables presentan, por tanto, las propiedades de efecto pelicular
e inductancia de los conductores que los forman, pero adems se deben conside-
rar fenmenos relacionados con el aislamiento entre conductores y los efectos de
diafona, es decir, el comportamiento como lnea de transmisin.
Con respecto al aislamiento, ste se usa para evitar cortocircuitos y asegurar
un comportamiento correcto cuando se agrupan varios conductores en un haz. Las
propiedades del material de aislamiento deben ser por tanto las de un buen aislan-
te.
Lnea de transmisin
En cuanto al efecto de lnea de transmisin, ste surge porque a altas frecuen-
cias, esto es, cuando
c
f
distancias involucradas en el cable ,
el sistema de conductores puede verse como un sistema de gua para el campo elec-
tromagntico que existe entre ellos. En este caso, el campo viaja por el exterior de
FLML Apuntes de CEM
los conductores debido al efecto pelicular y, por consiguiente, entre los conductores
se producen efectos capacitivos e inductivos distribuidos a lo largo de todo el cable.
El circuito equivalente del cable implica entonces un sistema de resistencias, con-
densadores y bobinas por unidad de longitud. Para el caso simplicado de un cable
con dos conductores, su modelo se muestra en la Fig. 2.5. Aplicando las leyes de
(b)
L
R
G C
i(z)
i(z+dz)
v(z) v(z+dz)
(a)
FIGURA 2.5: Circuito equivalente para un sistema de dos conductores.
Kirchhoff para tensiones e intensidades, se obtiene el siguiente par de ecuaciones
acopladas para las magnitudes tensin, v(z, t), e intensidad, i(z, t):
Ri + L
i
t
=
v
z
Gv + C
v
t
=
i
z
. (2.4)
En el caso particular de que tanto R como G sean despreciables obtendremos la
siguiente ecuacin de ondas para ambas magnitudes:
_

2
z
2
LC

2
t
2
_
_
v(z, t)
i(z, t)
_
= 0 . (2.5)
Esta ecuacin predice que, en rgimen armnico a la frecuencia , las magnitudes
fasoriales V(z) e I(z) pueden escribirse como
V(z) = V
+
e
jz
+ V
e
jz
(2.6)
I(z) =

L
_
V
+
e
jz
V
e
jz
_
(2.7)
con
=
LC (2.8)
y
Z
0
=
L
=
_
L
C
. (2.9)
Las ecuaciones anteriores ponen de maniesto que la solucin general en la lnea de
transmisin es la combinacin de una onda viajando hacia la derecha y otra hacia
la izquierda fruto de las posibles reexiones tanto en la carga como en la fuente.
FLML Apuntes de CEM
Diafona
Adems del anterior efecto de mltiples reexiones en la lnea de transmisin,
cuando sta tiene ms de dos conductores se da tambin un fenmeno de acopla-
miento de energa entre ellos. Este efecto, denominado diafona, provoca que las
tensiones o intensidades con las que se excita cualquiera de los conductores del
sistema multiconductor afecte al comportamiento de los dems (esto es, existe un
acoplamiento de energa electromagntica entre ellos) debido a la existencia de ca-
pacidades e inductancias mutuas. Para analizar este efecto, se considerar una lnea
de n + 1 conductores sin prdidas (uno es considerado el conductor de retorno o
masa comn) en un medio homogneo cuyo modelo se muestra en la Fig. 2.6. En
FIGURA 2.6: Representacin del circuito equivalente de un sistema multiconductor sin prdidas in-
merso en un medio homogneo.
este caso, las ecuaciones de la lnea de transmisin en forma fasorial para los vec-
tores
V =
_
_
V
1
(z)
V
2
(z)
.
.
.
V
n
(z)
_
_
, I =
_
_
I
1
(z)
I
2
(z)
.
.
.
I
n
(z)
_
_
pueden expresarse como
V
z
= j[L]I (2.10)
I
z
= j[C]V (2.11)
donde [C] y [L] representan respectivamente las matrices capacidad e inductancia
por unidad de longitud del sistema multiconductor.
Para encontrar el acoplamiento entre conductores cuando alguno de ellos es
FLML Apuntes de CEM
excitado, se partir de la siguiente ecuacin:
_
V(l)
I(l)
_
=
_
_
cos(l)[1] j
sin l
[L]
j
sin l
[C] cos(l)[1]
_
_
_
V(0)
I(0)
_
(2.12)
(siendo [1] la matriz unidad (22) ), que se forma combinando las soluciones de las
ecuaciones (2.10) y (2.11), esto es, a partir de expresiones similares a (2.6) y (2.7) pero
expresadas ahora en forma vectorial en el Apndice se muestra la obtencin de
esta ecuacin para un par de conductores. Al invertir la expresin (2.12) obtenemos
_
V(0)
I(0)
_
=
_
_
cos(l)[1] j
sin l
[L]
j
sin l
[C] cos(l)[1]
_
_
_
V(l)
I(l)
_
. (2.13)
Si se considera ahora que una fuente de voltaje V
i0
e impedancia interna R
i0
se
conecta a una lnea genrica i en z = 0 y adems esta misma lnea es terminada con
una impedancia R
il
en z = l, se obtendrn las siguientes relaciones:
V
i
(0) = V
i0
R
i0
I
i
(0) (2.14)
V
i
(l) = R
li
I
i
(l) (2.15)
i = 1, . . . , N ,
que expresadas en forma matricial pueden escribirse como
V(0) = V
0
[R
0
]I(0) (2.16)
V(l) = [R
l
]I(l) , (2.17)
donde [R
a
] representa una matriz diagonal cuyos elementos son las respectivas R
ai
.
Sustituyendo en (2.16) los valores de V(0) e I(0) de (2.13) obtenemos
cos lV(l) + j
sin l
[L]I(l) = V
0
j
sin l
[R
0
][C]V(l) cos l[R
0
]I(l) . (2.18)
Al introducir ahora el valor de V(l) dado por la expresin (2.17) llegamos a que
cos l[R
l
]I(l) + j
sin l
[L]I(l) = V
0
j
sin l
[R
0
][C][R
l
]I(l) cos l[R
0
]I(l)
(2.19)
y reagrupando trminos
_
cos l([R
l
] + [R
0
]) + j
sin l
l
([R
0
][C][R
l
]l + [L]l)
_
I(l) = V
0
, (2.20)
FLML Apuntes de CEM
que puede reescribirse como
_
cos l[U] + j
sin l
l
[]
_
I(l) = ([R
l
] + [R
0
])
1
V
0
, (2.21)
siendo la matriz
[] = ([R
l
] + [R
0
])
1
([R
0
][C][R
l
] + [L]) l (2.22)
la denominada matriz de constantes de tiempo de la lnea dado que sus dimensiones
son segundos. Finalmente se llega a que
I(l) =
_
cos l + j
sin l
l
[]
_
1
([R
l
] + [R
0
])
1
V
0
, (2.23)
expresin que permite calcular el acoplamiento entre conductores en funcin de las
excitaciones de cada uno de ellos.
Como aplicacin de la teora anteriormente expuesta, se considerar una lnea
de tres conductores como la mostrada en la Fig. 2.7.
V
s
R
02
R
01
R
l1
R
l2
I ( )
2
l
I ( )
1
l
Conductor de Referencia
FIGURA 2.7: Lnea de tres conductores con uno de ellos excitado.
Para este caso (2.23) puede escribirse como
_
I
1
(l)
I
2
(l)
_
=
_
cos l
_
1 0
0 1
_
+ j
sin l
l
_

11

12
21

22
__
1
_
R
01
+R
l1
0
0 R
02
+R
l2
_
1
_
V
01
V
02
_
(2.24)
siendo
_

11

12
21
22
_
= l
_
R
01
+ R
l1
0
0 R
02
+ R
l2
_
1
__
R
01
0
0 R
02
_ _
C
11
C
12
C
21
C
22
_ _
R
l1
0
0 R
l2
_
+
_
L
11
L
12
L
21
L
22
__
(2.25)
FLML Apuntes de CEM
Si tal como se muestra en la Fig. 2.7, V
02
= 0 y V
01
= V
s
, teniendo en cuenta que
_
R
01
+ R
l1
0
0 R
02
+ R
l2
_
1
_
V
01
V
02
_
=
_
1
0
_
V
s
R
01
+ R
l1
, (2.26)
obtendremos nalmente que la seal acoplada en el segundo conductor (sin que
ste sea directamente excitado por ningn generador) viene dada por
I
2
(l) =
j
sin l
l

21
cos
2
l + j
sin l cos l
l
(
11
+ 12)
2
sin
2
l
(l)
2
(
11
22
12
21
)
V
s
R
01
+ R
l1
.
(2.27)
Para cables cortos, esto es l 1 (o lo que es lo mismo: l /2), la expresin
anterior puede simplicarse como
I
2
(l) =
j
21
1 + j(
11
+
12
)
2
(
11
22
12
21
)

V
s
R
01
+ R
l1
. (2.28)
Puede comprobarse que el acoplo no slo depende de la frecuencia y de la longi-
tud de la lnea sino que tambin est relacionado con la geometra del sistema de
conductores y las impedancias de la carga y la fuente.
Como ejemplo de aplicacin analizaremos la lnea mostrada en la Fig. 2.8, esto
es, dos microtiras conductoras prximas como las que aparecen en los buses de da-
FIGURA 2.8: Doble microtira acoplada cuyas dimensiones son: h=1 mm.; w=2 mm.; s=1 mm.;
r
= 2,5.
tos de los computadores cuando la primera microtira es excitada por un potencial
V
s
= 1 mV. y las resistencias de carga y las asociadas a la fuente se han tomado
de 50. Un clculo aparte de las las matrices capacidad e induccin por unidad de
longitud de esta lnea nos dice que
[C] =
_
1,1185 10
10
4,7313 10
10
4,7312 10
10
1,1185 10
10
_
F/m
FLML Apuntes de CEM
][L] =
_
2,3556 10
7
1,2841 10
7
1,2841 10
7
2,3556 10
7
_
H/m ,
La dependencia del mdulo de la corriente inducida en la segunda microtira al
variar la frecuencia de operacin y longitud de las tiras se muestra en la Fig. 2.9.
Frecuencia (Hz)
10
7
10
8
10
9
I
2
(
A
m
p
)
0.0e+0
5.0e-8
1.0e-7
1.5e-7
2.0e-7
2.5e-7
l=50 cm
l=10 cm
Longitud (m)
10
-2
10
-1
10
0
I
2
(
A
m
p
)
0.0e+0
5.0e-8
1.0e-7
1.5e-7
2.0e-7
2.5e-7
100 MHz
10 MHz
FIGURA 2.9: Dependencia del mdulo de la corriente inducida en la segunda microtira respecto a la
frecuencia y a la longitud de las tiras.
En estas guras puede verse que la dependencia no es una funcin sencilla de la
frecuencia y/o la longitud, mostrando las curvas correspondientes mximos y m-
nimos. La existencia de mximos para determinadas circunstancias pone de mani-
esto cmo el efecto de diafona entre conductores puede constituir una importante
fuente de interferencia electromagntica.
FLML Apuntes de CEM
2.2. Emisiones electromagnticas 24
2.2. Emisiones electromagnticas
Debemos recordar en primer lugar que las fuentes de la radiacin electromag-
ntica son las corrientes variables en el tiempo. Para estimar los campos radiados,
sus fuentes suelen modelarse mediante dipolos elctricos y/o magnticos en los
que se supone que circula una corriente armnica I(t) = I
0
cos t (ver Fig. 2.10).
FIGURA 2.10: (a) Dipolo elctrico; (b) Dipolo magntico.
Los campos producidos por el dipolo elctrico constan de tres componentes
E
, E
r
y H
cuyas expresiones vienen dadas por

E
=
Il
3
4
0
_
1
j(r)
+
1
(r)
2
+
1
j(r)
3
_
sin (2.29)
E
r
=
Il
3
2
0
_
1
(r)
2
+
1
j(r)
3
_
cos (2.30)
H
=
Il
2
4
_
1
j(r)
+
1
(r)
2
_
sin , (2.31)
si se verica que l r, l y que l sea lo sucientemente pequea como para que
la corriente no vare a lo largo de l. Slo los trminos que presentan una dependen-
cia del tipo 1/r en las expresiones anteriores son llamados campos de radiacin; los
trminos restantes representan el campo cercano y el inductivo.
Anlogamente los campos de un pequeo lazo de rea innitesimal S y que
transporta una corriente I(t) (ver Fig. 2.10b) tiene tres componentes H
, H
r
y E
FLML Apuntes de CEM

dadas por
H
=
IS
3
4
_
1
(r)
+
1
j(r)
2
+
1
(r)
3
_
sin (2.32)
H
r
=
IS
3
2
_
1
j(r)
2
+
1
(r)
3
_
cos (2.33)
E
=
IS
4
4
0
_
1
(r)
+
1
j(r)
2
_
sin , (2.34)
supuesto que el dimetro del lazo sea pequeo en comparacin con r y , y que I
no vare a lo largo del lazo.
Las expresiones anteriores servirn tambin para calcular los efectos de fuen-
tes extensas admitiendo que stas puedan simularse como una superposicin de
pequeos dipolos. Por otra parte, estas expresiones tambin podrn usarse para
calcular los campos producidos por corrientes no senoidales, en cuyo caso debern
aplicarse las conocidas tcnicas del anlisis de Fourier.
Los aparatos elctricos, electromecnicos o electrnicos emiten usualmente ener-
ga electromagntica en el curso de sus operaciones normales. Las emisiones emiti-
das por estos equipos pueden dividirse en las dos siguientes categoras:
1. Seales emitidas intencionadamente
Estas seales son las emitidas por equipos tales como radar, equipos de comu-
nicacin, emisoras de radio y TV, equipos de navegacin, etc. Estas emisiones
pueden interferir con otros equipos, especialmente cuando no se ha llevado a
cabo una buena planicacin del espectro de frecuencias.
2. Seales emitidas inintencionadamente
Dentro de este tipo de seales se pueden distinguir varias fuentes
Emisiones indeseadas que se dan en el curso de la operacin normal
de los equipos emisores sealados anteriormente. Un ejemplo de esto
puede ser cuando estos equipos emiten con un ancho de banda mayor
que el previsto.
Los procesos de modulacin/demodulacin son inherentemente gene-
radores de ruido dado que requieren el uso de dispositivos activos no
lineales que dan lugar a la emisin de subarmnicos de la frecuencia de
la seal tratada.
Generacin de arcos o corrientes transitorias producidos en muchos
dispositivos durante su conexin o desconexin, por ejemplo en
FLML Apuntes de CEM
puesta en marcha de motores de automvil,
dispositivos controlados por termostatos,
electrodomsticos.
Descargas atmosfricas. Se calcula que estas descargas producen del 50
al 70 % de los fallos de suministro en instalaciones de media y alta ten-
sin. Para estimar su efecto se modela el rayo como una columna vertical
de corriente, de modo que su efecto ser el de una sucesin de dipolos
elctricos cuyos campos vienen dados por las expresiones (2.29)(2.31).
La emisin producida por los rayos es captada por los cables en forma de
un pulso de tensin y ste es transmitido a todos los equipos conectados
a esta lnea.
Descargas electrostticas. Cuando se produce una acumulacin de car-
ga en algn cuerpo, la carga depositada en ste busca el camino de me-
nor resistencia para descargarse a tierra. Este proceso de descarga da
lugar a unas corrientes rpidamente cambiantes que provocan desde
pequeas perturbaciones hasta serios shocks a equipos y personas. Las
causas de la acumulacin de carga pueden ser muy diversas aunque al-
gunas de las ms usuales son:
cuando dos materiales de diferente constante dielctrica se frotan,
al calentar un material por efecto termoelectrnico,
por contacto con un cuerpo cargado.
Uno de los ejemplos ms elocuentes de la descarga electrosttica se da
cuando una persona con calzado aislante camina por una alfombra sint-
tica. Al caminar, por frotamiento, se va recogiendo carga de la alfombra,
pudiendo llegar a existir una diferencia de tensin entre la persona que
camina y tierra de 15 kV. La carga acumulada puede descargarse, por
ejemplo, cuando esta persona se aproxima a algn objeto metlico tal
como la cerradura de una puerta o bien la carcasa de un equipo electr-
nico. Una descarga de varios microculombios realizada en tiempos del
orden de los microsegundos puede originar corrientes que afecten seria-
mente a las personas o los equipos. El modelado de los efectos de esta
descarga se realiza a travs de los campos de un dipolo elctrico situado
en las cercanas de un plano conductor innito (para su clculo se usara
la tcnica de imgenes).
Pulso electromagntico. Este pulso se origina en una explosin nuclear
debido al choque de los rayos X y/o emitidos con los materiales de
los equipos. Este choque provoca una emisin incontrolada de electro-
nes, creando el movimiento repentino de todos estos electrones un pulso
FLML Apuntes de CEM
2.3. Transitorios y Conmutaciones en Circuitos 27
electromagntico de considerable magnitud (se estima que es equivalen-
te al producido por el efecto combinado de cientos de rayos). Tambin
puede originarse este pulso por la interaccin de la radiacin generada
en la explosin con las molculas del aire, supuesto que en ste se den
inhomogeneidades.
2.3. Transitorios y Conmutaciones en Circuitos
Una de las principales fuentes de interferencia en los equipos electrnicos son
los fenmenos transitorios y conmutaciones que tienen lugar en circuitos prximos.
El origen de estos fenmenos proviene de
transitorios en contactos de rels, contactores e interruptores electromecni-
cos en general,
transitorios en conmutadores estticos (aquellos construidos usando semi-
conductores o vlvulas de gas, se denominan estticos al no presentar partes
mviles).
Para el estudio de dichos transitorios se puede usar el modelo general mostrado
en la Fig. 2.11, donde V
g
es la tensin equivalente Thvenin de la fuente, R
1
, L
1
representan la impedancia de la fuente, R
2
, R
3
, L
2
el circuito equivalente de la carga,
R
s
la resistencia de contacto y C
1
, C
2
las capacidades parsitas o de carga.
FIGURA 2.11: Circuito bsico para el estudio de transitorios de apertura y cierre.
El anlisis del anterior circuito predice las formas mostradas en la Fig. 2.12 para
transitorios de cierre, donde pueden observarse la presencia de oscilaciones de alta
frecuencia y de picos de corriente.
Otros fenmenos de transitorios en circuitos se deben a
Rebotes mecnicos: consecuencia del choque elstico entre contactos, produ-
ciendo mltiples cierres y aperturas consecutivas.
FLML Apuntes de CEM
2.3. Transitorios y Conmutaciones en Circuitos 28
t
t
real
ideal
V
R
g
real
i
F
FIGURA 2.12: Corrientes de cierre en (a): circuitos de corriente continua y (b) circuitos de corriente
alterna.
Arcos de apertura: descargas en el aire como consecuencia del intento de in-
terrupcin brusca de la corriente en circuitos inductivos.
No linealidades en circuitos: fruto de no linealidades tanto en los componen-
tes activos como en las uniones de contacto, contactos metlicos disimilares o
uniones con corrosin.
FLML Apuntes de CEM
Tema 3
Acoplamiento de Interferencias
Se producir un acoplamiento entre dos circuitos siempre que exista algn ca-
mino por el que uno de ellos pueda ceder energa al otro. Los mecanismos bsicos
por los que se producen los acoplos se reproducen en la Fig. 3.1, donde la fuente de
ruido Aradia y conduce interferencias. Un dispositivo sensible B capta la radiacin
F G
D
J
A B
C
E
H
FIGURA 3.1: Caminos de Acoplamiento.
directa y el dispositivo C acopla la radiacin por medio de un equipo intermedio
H. Los dispositivos D y E reciben las interferencias via los cables de alimentacin
mientras que F y G muestran un acoplamiento inductivo a travs de los cables ad-
yacentes en J. Finalmente los dispositivos D,F y Gson interferidos via acoplamiento
capacitivo entre los cables.
Los caminos de acoplamiento ms usuales implican situaciones en las cuales
ambos circuitos comparten una impedancia, o bien
29
3.1. Acoplamientos por conduccin (impedancia comn). Bucles de masa 30
un circuito est sometido a la accin de una campo elctrico/magntico/elec-
tromagntico creado por otro.
3.1. Acoplamientos por conduccin (impedancia comn).
Bucles de masa
Este tipo de acoplamiento suele producirse por la presencia de impedancias
comunes resistivas (resistencia de los conductores) o por una combinacin de stas
con las impedancias reactivas parsitas inducidas por efectos elctricos/magnticos.
En general se produce porque la corriente que circula por una malla del circuito
produce una tensin en una segunda malla. Algunos ejemplos donde se pone de
maniesto este efecto a travs de los retornos de masa se presentan a continuacin
Dos circuitos supuestamente independientes, tal como muestra la Fig. 3.2(a),
pueden acoplarse a travs de una puesta a masa no ideal. El hecho de que
V
2
V
1
Z
1
Z
2
V
1
V
2
Z
1
Z
2
V
1
V
2
Z
1
Z
2
(a)
(b)
(c)
FIGURA 3.2: (a) Circuitos originales independientes"; (b) Identicacin del bucle de masa; (c) Circui-
to resultante con dos mallas.
el cable comn de masa y retorno presente una resistencia ver Fig. 3.2(b)
hace que exista una transferencia de energa entre los circuitos tal como se
hace ms evidente en la Fig. 3.2(c).
Cuando se usa la misma fuente de alimentacin para distintas cargas, tal co-
mo se muestra en la Fig. 3.3(a), puede producirse un acoplamiento entre las
tres mallas representadas en la Fig. 3.3(b) a travs de las resistencias de los
cables dado que la tensin que afecta a cada una de las cargas depende de las
intensidades del resto del sistema. Una posible y sencilla solucin para evitar
el acoplo en este caso, sera la disposicin mostrada en la Fig. 3.3(c), donde se
observa que la tensin que afecta a cada carga es la misma.
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3.2. Acoplamiento capacitivo o elctrico 31
F
u
e
n
t
e
A
l
i
m
e
n
t
a
c
i
n
F
u
e
n
t
e
A
l
i
m
e
n
t
a
c
i
n
F
u
e
n
t
e
A
l
i
m
e
n
t
a
c
i
n
(a)
(b)
(c)
FIGURA 3.3: (a) Circuito original"; (b) Identicacin de los bucles de masa; (c) Posible solucin para
evitar los acoplos.
En la Fig. 3.4 se muestra cmo un procedimiento incorrecto de puesta a tierra
V
FIGURA 3.4: Perturbaciones creadas por la existencia de bucles de tierra.
de los equipos, cuando entre distintos puntos de toma de tierra se desarro-
llen diferencias de potencial, da lugar a la formacin de bucles de tierra que
inducen la aparicin de corrientes en modo comn.
3.2. Acoplamiento capacitivo o elctrico
Cualquier sistema de conductores elctricos cargados, tal como los que se mues-
tran en la Fig. 3.5(a), presenta un fenmeno de induccin electrosttica mutua. Las
variaciones de carga de un conductor cualquiera modican la distribucin de cam-
po elctrico del sistema, lo cual, a su vez origina una modicacin en las distribu-
ciones de carga de los dems conductores. Este hecho se modela mediante capa-
cidades parsitas ver Fig. 3.5(b). Por ejemplo, dos conductores de dimetro 0.5
FLML Apuntes de CEM
V
1
V
1
Z
1
Z
1
Z
2
Z
2
R
2
R
2
C
12
(b)
(a)
FIGURA 3.5: (a) Par de conductores prximos. (b) Modelo circuital equivalente donde aparece la ca-
pacidad parsita C
12
.
mm, separados 5 cm en el aire presentan una capacidad parsita de aproximada-
mente 9.3 pF/m.
Para mostrar el efecto del acoplo capacitivo, considrese la situacin mostrada
en la Fig. 3.6, donde una perturbacin U que se produce en el circuito L2 afecta a la
i
2
i
1
U
s
U
G
U
R
G
R
L
FIGURA 3.6: Acoplamiento capacitivo en el circuito L1 de una perturbacin U que se produce en el
circuito L2 prximo.
tensin U
s
del circuito L1. Teniendo en cuenta que
U =U
C0
+
1
C
_
i
1
dt + U
s
(3.1)
U
G
=R
G
i
2
+ U
s
(3.2)
U
s
=R
L
(i
1
+ i
2
) (3.3)
y que en el instante inicial
U
C0
=
R
L
R
L
+ R
G
U
G
,
la situacin de la Fig. 3.6 puede modelarse para t > 0 (sin considerar la tensin
U
C0
) mediante el circuito que se muestra en la Fig. 3.7, y por tanto
U = R
p
i +
q
C
= R
p
dq
dt
+
q
C
. (3.4)
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U
C
R
G
R
L
i
q
U
s
FIGURA 3.7: Circuito equivalente de la situacin mostrada en la Fig.3.6.
Al resolver la siguiente ecuacin diferencial para q(t):
dq
dt
+
1
R
p
C
q =
U
R
, (3.5)
imponiendo como condiciones que q(0) = 0 se llega a que
U
s
(t) = U
G
R
L
R
L
+ R
G
+ Ue
t/(R
p
C)
(3.6)
con R
p
= R
L
R
G
/(R
L
+ R
G
), tal como se pone de maniesto grcamente en la
Fig. 3.8.
U
s
U
t
FIGURA 3.8: Tensin a la salida donde aparece superpuesto un impulso de altura U.
Otro ejemplo del efecto de las capacidades parsitas se da en el caso de un cir-
cuito de amplicacin aislado encerrado en una caja metlica, tal como el dibujado
en la Fig. 3.9(a). Si el esquema de esta gura se dibuja en la forma de la Fig. 3.9(b), se
observa que se ha formado un bucle de realimentacin que puede afectar signica-
tivamente al comportamiento del circuito. Este bucle de realimentacin se cortara
si se uniese el conductor de potencial cero con la carcasa. Por consiguiente, como
norma genrica, la carcasa metlica debera estar conectada al conductor de refe-
rencia de potencial cero de los circuitos contenidos en el interior de dicha carcasa.
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3.3. Acoplamiento inductivo o magntico 34
FIGURA 3.9: (a) Capacidades parsitas que aparecen en un circuito amplicador encerrado dentro de
un chasis metlico. (b) Las capacidades parsitas formando un esquema de realimentacin.
3.3. Acoplamiento inductivo o magntico
Las variaciones de corriente en un conductor modican las distribuciones de
campo magntico y, a su vez, stas originan fuerzas electromotrices inducidas en
todos los dems circuitos. Este fenmeno se hace explcito en la situacin mostrada
en la Fig. 3.10, donde
R
G
L
U
G
U
s
M
i
1
i
2
FIGURA 3.10: Esquema del acoplamiento inductivo.
U
G
=(R
G
+ R
L
)i
1
+ L
di
1
dt
+ M
di
2
dt
(3.7)
U
s
=R
L
i
1
. (3.8)
La ecuacin que rige la evolucin de U
s
es, por tanto,
dU
s
dt
+
R
G
+ R
L
L
U
s
=
MR
L
L
di
2
dt
+ U
G
R
L
, (3.9)
cuya solucin, tal como se representa en la Fig. 3.11, viene dada por
U
s
(t) = U
G
R
L
R
L
+ R
G
M
L
R
L
I
2
e
R
G
+R
L
L
t
. (3.10)
Las posibles soluciones para minimizar los efectos inductivos requeriran la reduc-
cin de
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3.4. Acoplamiento electromagntico o por radiacin electromagntica 35
U
s
t
FIGURA 3.11: A la salida aparece superpuesto un impulso de tensin.
el ujo magntico que atraviesa el circuito, por ejemplo mediante el apanta-
llamiento magntico que proporcionara una proteccin ferromagntica,
rea del circuito. Debe tomarse como norma general que los circuitos presen-
ten el menor rea posible a los campos magnticos, para ello
conductor y su retorno deben estar muy prximos entre s (trenzado de
cables, cables coaxiales, ...),
debe tenerse en cuenta los elementos de capacidad distribuida junto con
su bucle de circulacin de corriente, especialmente si stos estn en las
proximidades de transformadores, bobinas, motores, etc.
3.4. Acoplamiento electromagntico o por radiacin electro-
magntica
En las proximidades de las fuentes que los generan, los campos estn determi-
nados por las caractersticas de dichas fuentes emisoras y dan lugar a los anterior-
mente estudiados acoplamientos capacitivo e inductivo. Lejos de las fuentes que
los producen, las caractersticas de los campos ya no estn inuidas por la forma
de las fuentes sino que dependen bsicamente del medio donde se propagan y se
habla entonces de radiacin de energa electromagntica. En esta situacin (esto
es, para distancias sucientemente lejanas), las fuentes se comportan, en primera
aproximacin, como dipolos elctricos/magnticos y sus campos responden a las
expresiones de (2.29)(2.34) que implican potencias del tipo 1/r.
Tal como se ha dicho anteriormente, la zona que marca los campos lejanos y
cercanos viene determinada por la longitud de onda asociada a la frecuencia y ta-
mao de la fuente emisora. En la tabla siguiente se proporcionan algunos valores
de las distancias aproximadas de transicin entre las zonas de campo cercano y
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3.4. Acoplamiento electromagntico o por radiacin electromagntica 36
lejano para distintas frecuencias:
FRECUENCIA 1/6 LONGITUD DE ONDA
100 kHZ 500 m
1 MHz 50 m
10 MHz 5 m
100 MHz 50 cm
1 GHz 5 cm
Dada la multitud de posibles fuentes de radiacin (ver Seccin 2.2) y que cual-
quier elemento que puede radiar tambin se comporta como un receptor, este tipo
de acoplamiento es muy comn a menos que los equipos se blinden adecuada-
mente. Debe tenerse en cuenta que la radiacin electromagntica tambin puede
ser guiada por elementos que no se disearon para este n. Esto ocurre, por ejem-
plo, en las canaletas metlicas de soporte de los cables, que pueden comportarse
como guas de ondas y en su caso introducir interferencias por radiacin en otros
equipos.
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Tema 4
Soluciones a las Interferencias
Electromagnticas
En este tema se presentarn una serie de soluciones a los problemas que se han
ido describiendo anteriormente. Debe tenerse en cuenta que las posibles soluciones
siempre sern muy dependientes de la situacin concreta que se afronte. Por tanto,
las soluciones genricas que se describirn en este tema debern tomarse slo a
ttulo orientativo.
4.1. Blindajes o Pantallas
Dado que una gran parte de las interferencias se producen por acoplamiento
de campos elctricos, magnticos o electromagnticos, un mtodo para evitar los
posibles acoplos sera la utilizacin de blindajes o pantallas metlicas. Se denomina
blindaje a la supercie metlica situada entre dos regiones del espacio con el n
de atenuar la propagacin del campo electromagntico, evitando tanto su entrada
como su salida.
El estudio de la propagacin del campo electromagntico a travs de diferentes
medios maniesta que una de las magnitudes ms relevantes en esta propagacin
es lo que se conoce como impedancia de onda, Z. En general, supuesto que un
campo se propaga, por ejemplo, segn la direccin z, y que se forma el siguiente
triedro ortonormal { u, v, z}, se puede denir esta impedancia como
Z =
E
u
H
v
=
E
v
H
u
, (4.1)
esto es, como el cociente de una componente, E
u
, del campo elctrico transversal
37
4.1. Blindajes o Pantallas 38
a la direccin de propagacin y la correspondiente componente, H
v
, del campo
magntico transversal que sea perpendicular a la anterior (el signo en (4.1) se es-
coge de modo que Re(Z)>0). Puede entenderse el papel tan destacado que juega
la impedancia de onda si se tiene en cuenta que la continuidad requerida para el
campo electromagntico en las discontinuidades entre dos medios slo afecta a sus
componentes transversales.
Tal como se mencion en el apartado 3.4, dado que el campo electromagntico
cercano est determinado por las caractersticas de la fuente, igualmente el valor
de la impedancia de onda en esta regin depender de dichas fuentes. No obstante,
para el campo lejano y supuesta una propagacin en el espacio libre, el valor de la
impedancia viene dado por
Z
0

_
0
= 120 . (4.2)
Estos hechos se representan grcamente en la Fig. 4.1, donde se muestra que la
fuente bsica de campo elctrico es una antena vertical, lo que corresponde a una
alta impedancia y una corriente baja , y la fuente bsica de campo magntico un
bucle de corriente, que corresponde a baja impedancia y corriente alta.
FIGURA 4.1: Concepto grco de las intensidades de campo en funcin del tipo de fuente de campo
radiado y de la distancia.
Dado que el blindaje se consigue interponiendo una lmina metlica, se con-
siderar el caso de una onda plana polarizada en la direccin x, de frecuencia
y propagndose en la direccin z con una constante de propagacin k, cuyo fasor
asociado viene dado por
E = E
0
e
jkz
x , (4.3)
FLML Apuntes de CEM
y que incide normalmente sobre una lmina de un material conductor, tal como se
muestra en la Fig. 4.2.
FIGURA 4.2: Incidencia normal de una onda plana sobre un medio conductor.
Para encontrar el valor de la constante de propagacin en el metal, se conside-
rar que dado que en ste usualmente
,
las ecuaciones de Maxwell que rigen los campos fasoriales pueden aproximarse por
E = jH (4.4)
H = E . (4.5)
Al combinar ambas ecuaciones se obtiene que
_
2
+ k
2
_
_
E
H
_
= 0 (4.6)
con k
2
= j y por tanto
k =
_
2
(1 j) . (4.7)
El campo en el metal puede entonces expresarse como
E
x
= E
0
e
jkz
= E
0
e
z/
e
jz/
, (4.8)
lo que nos da un campo que se propaga en la direccin z con una constante de fase,
=
1
, (4.9)
y que se atena en esta misma direccin con una constante de atenuacin
=
1
=
_
2
(4.10)
FLML Apuntes de CEM
( puede tomarse como una medida de la distancia hasta la cual penetra el campo).
Teniendo ahora en cuenta la forma del campo elctrico dada por (4.3), (4.4) pue-
de escribirse como jk z E = jH, o lo que es igual
k
E
x
= H
y
, (4.11)
y, por consiguiente, la impedancia de onda en el metal viene dada por
Z =
E
x
H
y
=

k
=

_
2
(1 j)
=
_
2
(1 + j) (4.12)
4.1.1. Efectividad de los blindajes
Para estudiar la transmisin y reexin de la onda plana que incide en el metal
(ver Fig. 4.2), teniendo en cuenta que los subndices I, R, T hacen referencia respec-
tivamente a incidente, reejado y transmitido, se tiene que
E
I
= E
0
e
jk
0
z
H
I
=
E
0
Z
e
jk
0
z
E
R
= RE
0
e
jk
0
z
H
R
= R
E
0
Z
e
jk
0
z
E
T
= TE
0
e
jkz
H
R
= T
E
0
Z
e
jkz
(4.13)
donde k
0
=
0
es la constante de propagacin en el espacio libre, k la cons-
tante de propagacin compleja en el metal dada por la expresin (4.7), y Z
0
y Z las
impedancias de onda en el espacio libre y en el metal respectivamente. Al aplicar
las condiciones de continuidad en la interfase z = 0 se encuentra que
1 + R = T (4.14)
1
Z
0
R
Z
0
=
T
Z
(4.15)
y consiguientemente
R =
Z Z
0
Z + Z
0
(4.16)
T =
2Z
Z + Z
0
. (4.17)
Del anlisis anterior se deduce que existen los dos siguientes mecanismos bsi-
cos para el apantallamiento:
FLML Apuntes de CEM
Absorcin: debido a la atenuacin de los campos en el metal.
Reexin: debido al cambio de impedancia en la interfase airemetal.
La efectividad del apantallamiento, SE(dB), de una barrera conductora de espesor
t se dene como
SE(dB) = 20 log
10
Potencia antes de la barrera
Potencia despus de la barrera
(4.18)
y puede expresarse como la suma de las prdidas por reexin,
R
(dB), ms las
prdidas por absorcin,
A
(dB), ms las prdidas debidas a las reexiones internas,
IR
(dB):
SE(dB) =
R
+
A
+
IR
Las prdidas debidas a reexiones internas son usualmente ms pequeas que las
restantes y por ese motivo no se tratarn. Los otros trminos se analizan a conti-
nuacin:
Prdidas por absorcin
Supuesto que P
0
es el valor de la potencia electromagntica justo en la inter-
fase, z = 0, el valor de la potencia a una distancia z = t vendr dado por
P(t) = P
0
e
2t
y por tanto
A
(dB) = 20 log e
2t
= 0,0868t (dB)
= 1,314
_
r
f t (dB) , (4.19)
donde
r
es la permeabilidad relativa del material,
r
es la conductividad del
material relativa a la del cobre, f es la frecuencia expresada en MHz y t el
espesor de la barrera expresado en centmetros. Obsrvese que las prdidas
aumentan al crecer el espesor de la barrera y tambin con la frecuencia de
operacin.
Prdidas por reexin
Si se tiene en cuenta que el parmetro de transmisin, T
t
, de la barrera con-
ductora de espesor t debe tener en cuenta las dos transmisiones que ocurren
en cada una de sus interfases, esto es,
T
AM
=
2Z
Z + Z
0
T
MA
=
2Z
0
Z + Z
0
FLML Apuntes de CEM
segn la expresin (4.17), siendo T
AM
el coeciente de transmisin aire
metal y T
MA
el coeciente de transmisin metal aire, se tendr que
T
t
= T
AM
T
MA
=
4
(1 + )
2
,
siendo = Z/Z
0
.
El coeciente de prdidas por reexin se dene como
R
(dB) = 20 log
1
|T
t
|
= 20 log
4||
|1 + |
2
que al sustituir los valores de la impedancia dados por (4.2) y (4.12) puede
reescribirse como
R
(dB) = 168,2 10 log
_
r
f
r
_
(
r
,
r
y f signican lo mismo que en la expresin (4.19) ). La expresin an-
terior muestra que las prdidas por reexin disminuyen con la frecuencia y
aumentan cuando la conductividad del material crece.
Dado que a menudo, la fuente de interferencias est situada en las proximi-
dades de los equipos que se desean apantallar, se estudiar a continuacin
el caso de campos cercanos en el espacio libre. Para stos, se pueden denir
igualmente unas impedancias de onda, distinguiendo entre
Campo predominantemente elctrico
Z
E
=
Z
0
0
2r
Z
0
(4.20)
(
0
es la longitud de onda en el espacio libre) y por tanto las prdidas
por reexin se pueden expresar como
E
(dB) 20 log
Z
E
4Z
= 322 10 log
_
r
r
2
f
3
r
_
. (4.21)
Campo predominantemente magntico
Z
H
=
Z
0
2r
0
Z
0
, (4.22)
siendo las correspondientes prdidas por reexin
H
(dB) 20 log
Z
H
4Z
= 15 10 log
_

r
r
2
r
f
_
. (4.23)
FLML Apuntes de CEM
FIGURA 4.3: Prdidas por reexin para una pantalla de cobre (
r
= 1,
r
= 1).
Los valores de las prdidas por reexin para distintos casos se representan
en la Fig. 4.3, donde puede verse la dependencia de estas prdidas con res-
pecto a la frecuencia y para distintas distancias de la fuente a la pantalla. Se
observa que a frecuencias no muy altas, la efectividad del cobre para ree-
jar campos magnticos no es tan buena como la que presenta para campos
elctricos.
Del anlisis anterior con respecto a la efectividad del apantallamiento se puede
concluir que una pantalla de cobre sera efectiva para ondas planas y campos elc-
tricos pero que para blindar campos magnticos a baja frecuencia, sera ms con-
veniente usar materiales con una permeabilidad muy alta (por ejemplo, hierro) de
manera que aumenten considerablemente las prdidas por absorcin. Por tanto,
dependiendo de la situacin concreta que se est tratando, debe adoptarse el tipo
de blindaje que ms convenga. De cualquier manera, los blindajes siempre deben
tener una buena conexin a masa.
4.1.2. Efecto de las aperturas en los blindajes
En general, los blindajes no pueden ser totalmente hermticos sino que en stos
aparecen frecuentemente aperturas para satisfacer las necesidades de ventilacin,
requisitos mecnicos, pantallas, etc. Obviamente, todas estas aperturas disminui-
rn la efectividad del blindaje dado que el campo penetra por ellas por efecto de
difraccin.
En general se puede sealar que
FLML Apuntes de CEM
La prdida de efectividad del blindaje debido a las aperturas depende bsi-
camente de la forma, tamao y localizacin de stas y no tanto de las caracte-
rsticas del material.
Si el tamao de las aperturas se aproxima a la longitud de onda del campo
incidente, la efectividad se reduce considerablemente puesto que los efectos
de difraccin aumentan signicativamente.
Un nmero elevado de pequeas aperturas es ms efectivo que una sola ra-
nura con la misma supercie total. Esto puede entenderse cualitativamente
observando las corrientes inducidas en el metal en las situaciones mostradas
en la Fig. 4.4.
FIGURA 4.4: (a) Posible forma de las corrientes inducidas en la pantalla completa. (b) Deformacin
de las corrientes por efecto de una gran apertura. (c) Deformacin de las corrientes debido a un gran
numero de pequeas aperturas.
Si los posibles agujeros en el blindaje se disponen en forma de gua de ondas
(ver Fig. 4.5), se puede hacer uso de la existencia de frecuencias de corte en
FIGURA 4.5: Seccin de un agujero en forma de gua de ondas.
estas guas y por tanto ofrecer muy buena efectividad incluso para campos
de alta frecuencia.
FLML Apuntes de CEM
4.1.3. Blindaje para cables apantallados
El blindaje en un cable se lleva a cabo principalmente para
prevenir la emisin de ondas electromagnticas desde el cable,
proteger a los conductores de la seal de IEM externa.
La eleccin del blindaje para el cable depende de la situacin concreta que se pre-
sente, aunque hay que tener en cuenta que los cables para transmisin de datos,
debido al gran ancho de banda de la seal de transportan, deben ser, por norma
general, blindados. De este modo se evitarn los acoplos por radiacin aunque el
blindaje debe hacerse de manera que la propia impedancia del cable se mantenga
en unos niveles aceptables.
En general, la medida de la efectividad del blindaje en los cables no puede rea-
lizarse a partir de la relacin dada en la expresin (4.18) (puesto que medir la po-
tencia en el interior de un cable no es tarea fcil). Por este motivo, la efectividad del
blindaje de los cables se cuantica mediante el valor de la impedancia de transfe-
rencia, Z
t
, que relaciona la corriente, I
s
, que uye por la supercie del blindaje con
el voltaje longitudinal inducido por unidad de longitud. Este impedancia puede
expresarse como
Z
t
= Z
r
+ jL
t
+ (1 + j)L
s
,
cuyas contribuciones son
Z
r
: componente de difusin debida a la conductividad nita del cable.
L
t
: inductancia de acoplo que da cuenta tanto del acoplo magntico a travs
de las aperturas del blindaje como de la inductancia del sistema de conduc-
tores.
(1 + j)L
s
: Impedancia pelicular ver expresin (4.12) resultante de la pe-
netracin del campo magntico en el blindaje.
Los tipos ms usuales de blindaje se presentan en la Fig. 4.6. Con respecto a este
blindaje, se pueden hacer las siguientes consideraciones:
Es conveniente usar un conductor externo para blindar a los dos conductores
que llevan la seal.
En los cables usados para transmisin de seales, es muy efectivo el trenzado
para reducir los voltajes inducidos por el campo magntico.
FLML Apuntes de CEM
4.2. Masas y Tierras 46
FIGURA 4.6: (a) Cable apantallado con blindaje trenzado. (b) Cable apantallado con blindaje espiral.
(c) Cable apantallado con blindaje laminado recto en forma de tubo. (d) Cable apantallado con blinda-
je laminado en forma de espiral. (e) Cable apantallado con blindaje combinado laminado y trenzado.
(f) Cable apantallado con blindaje combinado lmina/trenza/lmina.
El par trenzado presenta muchas prdidas por encima de 1 MHz y los efectos
capacitivos son importantes.
A alta frecuencia, el coaxial es una buena solucin ya que se comporta como
un triaxial debido a que, por efecto pelicular, la seal de retorno slo viaja
por la supercie interna del conductor exterior. La posible corriente de inter-
ferencia viajar por la supercie externa, siendo el efecto de sta muy redu-
cido. Adems, la impedancia del coaxial es muy uniforme y presenta pocas
prdidas.
Cuando se necesitan apantallamientos ms efectivos, se puede usar un coa-
xial con un tercer (o cuarto) conductor de blindaje, con lo cual, adems, se
puede conseguir conectar la masa y la tierra a los distintos blindajes.
4.2. Masas y Tierras
Tal como se ha mencionado en la seccin (3.1), una gran cantidad de los pro-
blemas de interferencia electromagntica en los equipos electrnicos proviene de
los sistemas de conexin a masa y/o tierra. No obstante, estos trminos a veces se
confunden aunque signican cosas distintas.
4.2.1. Deniciones
Masa o terminal comn de un circuito es el conductor de referencia de poten-
cial cero con respecto al cual se reeren el resto de potenciales del circuito, y que
coincide con el nivel cero de potencial de la alimentacin. Fsicamente, adems,
FLML Apuntes de CEM
es el conductor por donde suelen realizarse los retornos de las seales activas del
circuito.
El trmino tierra hace referencia al potencial de la tierra fsica. La puesta a tierra
trata de establecer un camino hacia un sumidero de baja (idealmente cero) impe-
dancia para las corrientes indeseadas. Puede ocurrir que un sistema aislado por
(ver Fig. 4.7)
contacto accidental con otro conductor ajeno al sistema,
resistencia de fuga en algn componente tericamente aislado,
descarga electrosttica,
se site a potenciales elevados y potencialmente peligrosos con respecto a la tierra
fsica.
G
Derivac.
Tensin de la carcasa
con respecto a tierra
Potencial desconocido
(carga esttica,
descarga atmosfrica...)
Receptor
FIGURA 4.7: Una instalacin elctrica aislada de tierra puede producir potenciales peligrosos.
Por consiguiente, la puesta a tierra trata de conseguir:
que no existan diferencias de potencial peligrosas en el conjunto de instala-
ciones, edicios y supercie prxima al terreno;
el paso a tierra de las corrientes de defecto o de las procedentes de las descar-
gas estticas o atmosfricas.
Al conectar a tierra los circuitos se establece una relacin hmica directa entre los
conductores y la tierra, dando esto lugar a la aparicin de posibles caminos de
transferencia de energa entre distintos componentes. Las tomas de tierra de los
equipos se realizan a travs de masas metlicas con un buen contacto permanente
con el terreno, sin fusibles, y con la mnima resistencia de contactos posible. Para
este n suelen emplearse los pilares metlicos de los edicios, una red de conduc-
tores metlicos subterrneos, y si esto no existe, se deben implantar electrodos ex-
presamente con este n. Usualmente, se conectan a tierra las carcasas metlicas de
FLML Apuntes de CEM
los equipos y la red de distribucin de la energa aunque tambin se conecta cual-
quier componente que se quiera proteger de descargas electrostticas o de picos de
tensin.
4.2.2. Masa en seales de alta y baja frecuencia
La necesidad de establecer un potencial de referencia en los sistemas impone la
existencia de lneas de masa cuya impedancia no nula provoca un gran nmero de
perturbaciones en los circuitos electrnicos. Es de fundamental importancia, por
tanto, minimizar tanto la resistencia como la inductancia de los conductores de
masa.
Existen diversas maneras de establecer la masa de un sistema:
Masa centralizada con conexin en serie.
El sistema mostrado en la Fig. 4.8 es el ms sencillo y barato, sin embargo, pre-
Circuito 3
Circuito 2 Circuito 1
I
3
I
2
I
1
FIGURA 4.8: Mtodo de conexin de las masas en serie.
senta problemas de acoplamiento por la existencia de impedancias comunes
en todas las lneas de masa. Este sistema es recomendable en aquellos equi-
pos que trabajen a baja frecuencia y cuando los circuitos combinados trabajen
con similares niveles de energa.
Masa centralizada con conexin en paralelo.
La Fig. 4.9 muestra cmo este sistema elimina la existencia de impedancias
comunes en las lneas de masa. En esta situacin, cada circuito est someti-
do nicamente a las perturbaciones que l mismo genera aunque para ello
requiere un sistema ms costoso y complejo de cableado. Se comporta muy
bien a baja frecuencia y no es muy recomendable a alta frecuencia debido a
que la mayor longitud de los cables es ms susceptible a los acoplos inducti-
vos (e incluso capacitivos).
FLML Apuntes de CEM
Circuito 3
I
3
I
2
I
1
FIGURA 4.9: Mtodo de conexin de las masas en paralelo.
Masa distribuida.
Este sistema consiste en un plano de masa grande con varios circuitos conec-
tados a l mediante pistas muy cortas, tal como se representa en la Fig. 4.10.
Circuito 3
I
3
I
2
I
1
FIGURA 4.10: Masa distribuida.
Este sistema es especialmente recomendable a alta frecuencia cuando las di-
mensiones del sistema de masa son grandes comparadas con la longitud de
onda de operacin. En este caso existiran diferente potenciales en distintos
puntos del sistema de interconexin que necesitaran ser puestos a masa en
mltiples puntos.
Masas hbridas:
Este sistema se utiliza cuando se necesita un comportamiento diferente a dis-
tintas frecuencias. En la Fig. 4.11 se necesita que un computador y sus peri-
fricos sean conectados a masa con respecto al sistema de alimentacin para
protegerlos frente a variaciones aleatorias de la tensin. Dado que los cables
de masa generalmente transportan muchas interferencias, se colocan unos in-
ductores en los cables de masa (ver Fig. 4.11) para aislar las altas frecuencias y
al mismo tiempo permitir un masa segura para las corrientes de alimentacin.
FLML Apuntes de CEM
Fuente de
alimentacin
CPU
Pantalla y
teclado
Lnea
comn de
masa
FIGURA 4.11: Sistema de masa hbrido.
4.2.3. Conexin a masa de los cables blindados
Desde el punto de vista del acoplamiento magntico o inductivo, as como de la
radiacin electromagntica, es conveniente reducir el rea de los bucles de corriente
dado que estos bucles generan campos electromagnticos ver expresiones (2.32)
(2.34) y son susceptibles a la induccin electromagntica. En una disposicin co-
mo la que se presenta en la Fig. 4.12, dado que el camino de retorno a travs del
V
R
i
FIGURA 4.12: El bucle de circulacin de corriente no est denido.
sistema de masas no est denido al depender de factores tales como la frecuencia,
la existencia de otras corrientes en las masas, etc, el rea del bucle puede ser gran-
de y sus efectos imprevisibles. El uso de un coaxial reducira considerablemente el
rea del bucle. No obstante, debido a la existencia de dos puntos de masa, tal como
se muestra en la Fig. 4.12, se forma un nuevo bucle no denido que depende de
la relacin de impedancias entre el cable blindado y el circuito exterior. Esto es, la
corriente retornara por el camino de menor impedancia, de modo que a alta fre-
cuencia seguira el blindaje del coaxial (que presente menor inductancia) y a baja
frecuencia (cuando la inductancia no es importante), el bucle de retorno se reali-
za a travs de los conductores de masa. A baja frecuencia, por tanto, el coaxial no
proporcionara un buen blindaje magntico aunque s un blindaje elctrico efectivo.
FLML Apuntes de CEM
4.3. Aislamiento 51
La situacin anterior podra solucionarse si se desconecta la masa de uno de
los puntos del blindaje (ver Fig. 4.13), puesto que en este caso el bucle de corriente
R
i
V
FIGURA 4.13: Sistema con un nico punto de masa.
siempre retornara por el blindaje.
4.3. Aislamiento
Consiste en la interrupcin de la continuidad hmica en algn punto del siste-
ma. Las razones bsicas para ello son:
Impedir que exista un camino de retorno para las corrientes de interferencia
interrumpiendo los posibles bucles de masa. Recurdese que posibles fuen-
tes de interferencia pueden crear considerables diferencias de potencial entre
distintas tomas de tierra.
Evitar los problemas derivados del hecho de que muchos dispositivos elec-
trnicos no soportan tensiones en modo comn mayores que 10 o 15 voltios.
Para ello, habra que separar elctricamente los puntos de referencia de entra-
da/salida del sistema, de modo que las tensiones en modo comn generadas
en algn punto no se transmitan a los dispositivos sensibles a ellas.
4.3.1. Transformadores de aislamiento
Una solucin para mantener la proteccin respecto a descargas elctricas de los
equipos y evitar al mismo tiempo las interferencias a travs de los bucles de ma-
sa entre distintos componentes consiste en la colocacin de un transformador (por
induccin magntica) entre la entrada y la salida del sistema. Si las seales son de
lenta variacin, el acoplamiento se realiza mediante la modulacin de una portado-
ra de mayor frecuencia que posteriormente se debe demodular. Para contrarrestar
FLML Apuntes de CEM
4.3. Aislamiento 52
el efecto debido a la presencia de una capacidad parsita entre el bobinado prima-
rio y secundario (ver seccin 2.1.4), se suele colocar un blindaje electrosttico entre
ambas bobinas. La mayor limitacin de este transformador como aislador consiste
en su ancho de banda efectivo de slo 20 kHz debido a que los materiales magnti-
cos slo presentan un comportamiento lineal adecuado en esta banda.
4.3.2. Optoacopladores
Los mtodos pticos para aislar seales se han mostrado muy efectivos para re-
ducir los niveles de interferencia electromagntica. El principio de funcionamiento
del optoacoplador mostrado en la Fig. 4.14 consiste en la modulacin de la intensi-
R
L
Fotodiodo
I
s
LED
I
s
V
LED
(a)
(b)
FIGURA 4.14: Aislamiento ptico LED/fotodector.
dad de la luz emitida por un diodo electroluminiscente (LED) a partir de la seal
que se desee acoplar. La demodulacin se efecta mediante un fotodiodo o foto-
transistor. Los posibles problemas provienen de
no son aplicables a seales de bajas frecuencias,
la no linealidad intrnseca del emisor, aunque puede ser en parte corregida
mediante circuitos de compensacin, es menor que en el caso de un transfor-
mador,
cuando se usan para seales digitales, presentan resistencias en los estados
ON y OFF que distan mucho de ser ideales.
Debido a que el guiado de seales pticas por las bras pticas no implica radiacin
y al mismo tiempo es muy insensible a las interferencias electromagnticas exter-
nas, los optoacopladores son muy recomendables para conectar computadores y
dispositivos de control que deban usarse en ambientes donde se requiera una gran
FLML Apuntes de CEM
4.4. Filtrado 53
compatibilidad electromagntica o haya mucho nivel de ruido (fbricas, hospita-
les, aviones, etc). Por otra parte, los optoacopladores presentan un menor tamao
y peso que sus equivalentes en transformadores de aislamiento.
4.4. Filtrado
El objetivo de los ltros es la eliminacin, o por lo menos la atenuacin hasta
niveles admisibles, de las perturbaciones conducidas y evitar al mismo tiempo la
propagacin de las componentes de alta frecuencia por radiacin de los cables o
pistas. Esta solucin debera aplicarse lo ms prxima posible a su origen y slo en
ltima instancia en los sistemas afectados.
4.4.1. Caractersticas de los ltros
El uso de los ltros en los sistemas de comunicacin est muy extendido, pe-
ro en el diseo de aquellos dirigidos al rechazo de interferencias debe tenerse en
cuenta que
Deben ser efectivos para rechazar interferencias tanto en modo comn como
diferencial.
Si se disea un ltro de caractersticas generales, es muy posible que ste
no funcione adecuadamente en muchas situaciones especcas. Ello se debe
a que usualmente, las caractersticas de la fuente y de la carga no son muy
conocidas a altas frecuencias e incluso pueden variar con el tiempo.
En el ltro se debe distinguir entre las seales parsitas y las tiles.
Las alinealidades de sus componentes hacen que este tipo de ltros se mues-
tre muy sensible.
La descripcin de las caractersticas de los ltros se hace relacionando las magnitu-
des de entrada y salida mediante funciones de transferencia (ver Fig. 4.15):
_
V
2
I
2
_
=
_
a
11
a
12
a
21
a
22
_ _
V
1
I
1
_
. (4.24)
No obstante, la mayor parte de las veces, los ltros se describen mediante lo que
FLML Apuntes de CEM
4.4. Filtrado 54
V
g
Z
g
Z
c
V
2
I
2
V
1
I
1
[A ]
ij
FIGURA 4.15: Cuadripolo equivalente para el estudio de la funcin de transferencia de un ltro.
se conoce como prdidas por insercin, IL, denidas como
IL(dB) = 10 log
P() sin ltro
P() con ltro
. (4.25)
Generalmente, ambas potencias se miden en las mismas condiciones de fuente y
carga, por lo que las prdidas por insercin tambin se pueden denir como
IL(dB) = 20 log
V() sin ltro
V() con ltro
= log
I() sin ltro
I() con ltro
, (4.26)
o bien en funcin de los parmetros de la funcin de transferencia,
IL(dB) = 20 log
a
12
+ a
11
Z
c
+ a
22
Z
g
+ a
21
Z
g
Z
c
Z
g
+ Z
c
. (4.27)
En la expresin anterior se pone de maniesto que las prdidas por insercin no
slo dependen de las caractersticas propias del ltro sino tambin de las de la carga
y fuente. Por tanto, las prdidas por insercin de los ltros se suelen dar referidas
a unas determinadas condiciones de carga y fuente que deben explicitarse.
Dependiendo del rango en frecuencia que ser suprimido, los ltros para EMC
pueden clasicarse en
Filtros Paso Bajo para lneas de potencia: pasa 5060 Hz y no radiofrecuencias.
Filtros Paso Bajo para lneas de telfono: pasa 04 KHz y no altas frecuencias.
Filtros pasa Alto para lneas de datos: pasan altas frecuencias y se atenan las
bajas.
Filtros de Comunicacin Paso Banda: pasa nicamente cierta banda de radiofre-
cuencia.
Filtros Rechazo de Banda: se atena una cierta banda de radiofrecuencia.
FLML Apuntes de CEM
4.4. Filtrado 55
4.4.2. Tipos de ltro elementales
Condensador en paralelo:
Este ltro paso bajo, mostrado en la Fig. 4.16, puede presentar un comporta-
C
P
r
d
i
d
a
s

p
o
r

I
n
s
e
r
c
i
n

(
d
B
)
log f
20 dB/dcada
FIGURA 4.16: Filtro Condensador y su respuesta en frecuencia. funcin de transferencia de un ltro.
miento inesperado a alta frecuencia debido a los efectos inductivos del con-
densador (ver seccin 2.1.2). En este caso se darn fenmenos de resonancia
y el ltro presentar una reactancia capacitiva por debajo de la frecuencia de
resonancia y una inductiva por encima.
Inductor en serie:
El ltro mostrado en la Fig. 4.17 es otro ejemplo de ltro pasivo paso ba-
jo. Anlogamente al caso anterior, este ltro presentar un comportamiento
P
r
d
i
d
a
s

p
o
r

I
n
s
e
r
c
i
n

(
d
B
)
log f
20 dB/dcada
L
FIGURA 4.17: Filtro Inductor y su respuesta en frecuencia. funcin de transferencia de un ltro.
inductivo por debajo de su frecuencia de resonancia y uno capacitivo por en-
cima.
El ltro capacitivo es ms efectivo para impedancias de fuente/carga muy altas y
el inductivo para las bajas. Ambos ltros presentan pendientes suaves en la ban-
da de rechazo (20 dB/dcada) y no son muy tiles para situaciones en las que se
presenten alta impedancia en la fuente y baja en la carga (o viceversa).
Filtros LC:
Los ltros LC representados en la Fig. 4.18 proporcionan un mejor ltrado en
FLML Apuntes de CEM
4.4. Filtrado 56
P
r
d
i
d
a
s

p
o
r

I
n
s
e
r
c
i
n

(
d
B
)
log f
40 dB/dcada
L
L
C
C
(a) (b)
(c)
FIGURA 4.18: (a) Filtro para baja impedancia de fuente y alta de carga; (b) Filtro para alta impedancia
de fuente y baja de carga; (c) Prdidas por insercin para idnticas terminaciones de impedancia en
fuente y carga.
alta frecuencia que los anteriormente vistos y son tiles para distintas situa-
ciones de impedancia en fuente y carga.
Filtros en y en T:
El ltro en de la Fig. 4.19(a) se muestra muy efectivo para altas impedan-
P
r
d
i
d
a
s

p
o
r

I
n
s
e
r
c
i
n

(
d
B
)
log f
60 dB/dcada
L
L L
C C
C
(a) (b)
(c)
FIGURA 4.19: (a) Filtro en ; (b) Filtro en T; (c) Prdidas por insercin para idnticas terminaciones de
impedancia en fuente y carga.
cias aunque no suele ser muy adecuado para tratar interferencias transitorias.
Por el contrario, el ltro en T de la Fig. 4.19(b) presenta las caractersticas com-
plementarias.
Filtros de lnea con prdidas:
En algunas ocasiones, los ltros de elementos reactivos producen altos volta-
jes de interferencia en los terminales de salida debido a alta desadaptacin de
impedancias que se produce entre el ltro y la carga. En estas situaciones, son
muy convenientes los ltros disipativos que hacen uso de las propiedades de
FLML Apuntes de CEM
4.4. Filtrado 57
ciertos materiales magnticos (por ejemplo, ferritas que presentan prdidas)
y actan como absorbentes de seales de alta frecuencia.
Otros ltros:
Cambiando cada inductor por un condensador y viceversa, se consigue que
las caractersticas de los ltros mostrados anteriormente sean las opuestas. De
este modo se pueden construir, por ejemplo,
Filtro paso alto: ver Fig. 4.20
P
r
d
i
d
a
s

p
o
r

I
n
s
e
r
c
i
n

(
d
B
)
log f
60 dB/dcada
(a)
(b)
FIGURA 4.20: (a) Filtro Paso Alto (b) Prdidas por insercin para idnticas terminaciones de impe-
dancia en fuente y carga.
Filtro Paso de Banda: ver Fig. 4.21
P
r
d
i
d
a
s

p
o
r

I
n
s
e
r
c
i
n

(
d
B
)
log f
60 dB/dcada
(a)
(b)
FIGURA 4.21: (a) Filtro Paso Banda (b) Prdidas por insercin para idnticas terminaciones de impe-
dancia en fuente y carga.
Filtro Rechazo de Banda: ver Fig. 4.22
P
r
d
i
d
a
s

p
o
r

I
n
s
e
r
c
i
n

(
d
B
)
log f
60 dB/dcada
(a)
(b)
FIGURA 4.22: (a) Filtro Rechazo de Banda (b) Prdidas por insercin para idnticas terminaciones de
impedancia en fuente y carga.
FLML Apuntes de CEM
Tema 5
Aplicacin a un sistema
informtico
Como un ejemplo prctico de actuacin, en este tema aplicaremos todos los
contenidos expuestos anteriormente a la compatibilidad electromagntica de un
sistema informtico. En esencia, muchas de las precauciones y actuaciones que se
han de tomar con respecto a un sistema informtico no se diferencian de lo que
habra que hacer con otros sistemas electromagnticos. No obstante, se describirn
aquellos mtodos que aseguren que un sistema informtico sea compatible electro-
magnticamente.
5.1. Red de Alimentacin
Las exigencias impuestas por norma a los equipos informticos requieren que
los lmites de susceptibilidad de stos con respecto a
Campos elctricos sean de 1 V/m desde 150 kHz a 25 MHz y 10 V/m desde
25 MHz a 10 GHz.
Campos magnticos creados por corrientes de 20 A a 50 Hz transportados
por cables alrededor de las carcasas, teclados, etc.
Descargas electrostticas con diferencias de potencial de 7500 V.
Transitorios de baja energa (1000 V, 50 ns) no deben provocar errores de
software y transitorios de alta energa (1500 V, 1.2/50 s) no deben provocar
errores de hardware ni averas.
58
5.1. Red de Alimentacin 59
A pesar de que la mayora de los fabricantes prueban sus productos para valores
ms altos que los descritos anteriormente, es conveniente tener en cuenta una serie
de consideraciones con el n de atenuar en lo mximo el posible efecto de las inter-
ferencias electromagnticas relacionadas con la red de alimentacin. Entre ellas, se
pueden destacar con referencia a la Fig. 5.1(a)
FIGURA 5.1: Instalacin general de un computador o red local de computadores personales
1. Paneles antiestticos para el suelo.
2. Malla de referencia de tierra.
3. Conexin de las carcasas metlicas a la malla de referencia de tierra a travs
FLML Apuntes de CEM
5.2. Conexiones Entrada/Salida 60
de mallas gruesas de cobre y con buenas soldaduras.
4. Las tuberas circundantes deben estar igualmente conectadas a tierra a travs
de la malla de tierra de referencia.
5. Uso de un transformador de aislamiento y diodos supresores de transitorios
para proteger la entrada de alimentacin de red.
6. Los empalmes deben situarse en una caja metlica conectada a tierra.
7. La instalacin de toma de tierra del edicio debe ser sucientemente buena.
8. Es conveniente instalar una lnea especca para el computador central o el
conjunto de PC.
9. La conexin de los perifricos del sistema debe realizarse a la misma regleta
de toma de corriente.
10. Si la red de suministro no fuera del todo estable y se previera la posibilidad de
continuas faltas de tensin, es muy aconsejable la instalacin de un sistema
de alimentacin ininterumpida (SAI o UPS) dispuesto despus del transfor-
mador de aislamiento.
Con respecto a la Fig. 5.1(b) debe considerarse lo siguiente en el caso de necesitar
conectar el computador o la red local de PC a lneas de datos provenientes del
exterior del edicio:
1. Proteccin primaria (descargadores de gas, varistores) en la entrada del edi-
cio.
2. Cables apantallados.
3. Proteccin secundaria en la misma habitacin del computador.
5.2. Conexiones Entrada/Salida
Se ha comprobado que la radiacin captada o emitida por los bucles formados
por cables y la diafona entre ellos representa ms del 50 % de los problemas de
acoplo de interferencias. En principio, la solucin ms idnea sera el uso de bras
pticas ya que stas
no radian ni captan interferencias electromagnticas (IEM),
FLML Apuntes de CEM
son inmunes a las corrientes de IEM de los planos de masa y a los rayos,
no presentan diafona ni problemas de sobretensiones,
no son afectadas por descargas electrostticas,
son ms pequeas y ligeras que su equivalente en cable.
No obstante, si no se puede adoptar esta medida es conveniente seguir las siguien-
tes recomendaciones generales:
1. Trenzar los conductores de seal en forma de pares trenzados, con objeto de
minimizar el rea posible a los acoplamientos inductivos.
2. Apantallar los cables para evitar el acoplamiento capacitivo, conectando las
pantallas al punto general de masa.
3. Usar en los extremos de las lneas de transmisin las impedancias de termi-
nacin oportunas para evitar reexiones y problemas de transmisin.
4. Usar cuentas de ferrita para reducir el acoplamiento de IEM debido a los
grandes bucles de masa formados en las conexiones de cables a equipos.
Con respecto al cableado interno de los equipos, se pueden formular las siguientes
recomendaciones:
No mezclar nunca conductores de alimentacin o de control con los posibles
conductores de potencia.
Cablear directamente de punto a punto para evitar las capacidades parsitas.
El conexionado entre diferentes partes del equipo debe ser lo ms corto y con
la mayor seccin posible.
Eliminar los bucles de corriente, o minimizar sus reas.
Filtrar todos los cables que atraviesen zonas de IEM, sea con ltros RC, LC o
con cuentas de ferrita.
Trenzar y apantallar todos los cables generadores de IEM.
Los cruces de cableado entre una lnea con interferencia y otra susceptible
deben hacerse, en lo posible, perpendiculares.
FLML Apuntes de CEM
El equipo debe presentar un buen blindaje metlico conectado a una buena
toma de tierra.
Dentro del equipo debe separarse mediante blindajes adecuados la parte de
potencia de las restantes.
FLML Apuntes de CEM
Apndice A
Obtencin de la matriz de
transferencia para un par de
conductores
Considrese la lnea de transmisin mostrada en la Fig. 1.1 donde las magnitu-
z=0 z=l
V(0)
V( ) l
I( ) l I(0)
FIGURA 1.1: Lnea de transmisin de dos conductores
des fasoriales V(z) e I(z) vienen dadas por
V(z) = V
+
e
jz
+ V
e
jz
(A.1)
I(z) =

L
_
V
+
e
jz
V
e
jz
_
. (A.2)
Dado que se quiere relacionar
_
V(l)
I(l)
_
=
_
A
11
A
12
A
21
A
22
_ _
V(0)
I(0)
_
,
cada uno de los elementos de la matriz [A] podr calcularse como
63
64
A
11
=
V(l)
V(0)
I(0)=0
I(0) =

L
(V
+
V
) = 0 V
+
= V
V(0) = 2V
+
V(l) = V
+
e
jl
+ V
+
e
jl
= 2V
+
cos l = V(0) cos l
luego
A
11
= cos l . (A.3)
A
22
=
I(l)
I(0)
V(0)=0
V(0) = (V
+
+ V
) = 0 V
+
= V
I(0) =

L
2V
+
I(l) =

L
V
+
(e
jl
+ e
jl
) =
b
L
2V
+
cos l = I(0) cos l
luego
A
22
= cos l . (A.4)
A
12
=
V(l)
I(0)
V(0)=0
V
+
= V
I(0) =

L
2V
+
2V
+
=
L
I(0)
V(l) = V
+
(e
jl
e
jl
) = 2jV
+
sin l = j
L
I(0) sin l
luego
A
12
= j
L
sin l . (A.5)
A
21
=
I(l)
V(0)
I(0)=0
V
+
= V
V(0) = 2V
+
I(l) =

L
V
+
(e
jl
e
jl
) = j

L
2V
+
sin l
luego
A
21
= j
C
sin l , (A.6)
dado que
L
=

2
LC
L
=
C
.
FLML Apuntes de CEM
Bibliografa
[1] J. Balcells, F. Daura, R. Esparza, R. Palls, Interferencias Electromagnticas
en Sistemas Electrnicos, Marcombo, Boixareu Editores, Serie: Mundo Electrni-
co, Barcelona, 1992
[2] V. Prasad Kodali, Engineering Electromagnetic Compatibility: Principles,
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[3] B. Keiser, Principles of Electromagnetic Compatibility, Ed. Artech House, Third
Edition, 1987.
[4] C. R. Paul, Computation of Crosstalk in Multiconductor Transmission Line",
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1988.
[6] J. L. Sebastin, Fundamentos de Compatibilidad Electromagntica, Edit.
Addisson-Wesley, Madrid 1999.
65

Nociones Teóricas de Compatibilidad Electromagnética: Francisco Luis Mesa Ledesma

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