INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR ZACATECAS NORTE
DIVISIÓN DE INGENIERIA ELECTROMECANICA
Electrónica De Potencia.
Tarea 1.- Tipos de Tiristores.
Responsable: Edad Carrera Semestre Nº Control
Fernando Zúñiga Arteaga. 22 Electromecánica 9 15010045
Asesor:
M.I. Anuar Badillo Olvera
Docente del Departamento de Ingeniería Electromecánica
Río Grande, Zacatecas. Septiembre, 2019.
Tiristor
El tiristor es uno de los tipos más importantes de los dispositivos
semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan de forma
extensa en los circuitos electrónicos de potencia. Se opera como
conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un
estado conductor para muchas aplicaciones se puede suponer que los
tiristores son interruptores o conmutadores ideales.
Es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructuras
pnpn con tres uniones pn. Tiene tres terminales ánodo, cátodo y
compuerta en la figura 1-1 se muestra el símbolo del transistor y una
sección recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusión.
Cuando el voltaje del ánodo se hace positivo con respecto al
cátodo las uniones J1y J3 tiene polarización directa o positiva. La unión
J2 tiene polarización inversa, y solo fluirá una pequeña corriente de
fuga del ánodo al cátodo. Esto se llama “bloqueo directo” o estado
inactivo ID. Si el voltaje ánodo y cátodo V AK se incrementa lo suficiente
La unión J2 polarizada inversamente entrara en ruptura, la cual se
conoce como “ruptura de avalancha” y el voltaje se llama “ruptura
directa” VBO. Dado que j1 y j3 ya tienen polarización directa, lo cual
provocara una gran corriente directa de ánodo, entonces se dice que
el transistor está en “estado de conducción o activado”.
Figura 1-1. Símbolo del Transistor y tres
uniones pn.
Los tiristores se pueden dividir en once tipos:
1. Tiristor conmutado forzado.
2. Tiristor conmutado por línea.
3. Tiristor de abertura de compuerta (GTO).
4. Tiristor de conducción inversa (RCT).
5. Resistor de inducción estática (SITH).
6. Tiristor de abertura de compuerta asistida. (GATT).
7. Rectificador foto activado controlado de silicio (LASCR).
8. Tiristor abierto por MOS (MTO).
9. Tiristor abierto por emisor (ETO).
10. Tiristor conmutado por compuerta integrada (IGCT).
11. Tiristores controlados por MOS (MCT).
Una vez que los tiristores están en modo conducción, el circuito
de la compuerta no tiene control y el tiristor continúa conduciendo.
Cuando un tiristor está en modo conducción, la caída de voltaje directo
es muy pequeña, en forma característica de 0.5 a 2V. un tiristor que
conduce se puede apagar haciendo que el potencial del ánodo sea
igual o menor que el potencial del cátodo.
Los tiristores conmutados por línea se apagan (desactivan o
bloquean) debido a la naturaleza senoidal del voltaje de entrada. Se
consiguen con capacidades hasta 6000V, 4500 A. el tiempo de
abertura de los tiristores de alta velocidad y bloqueo inverso ha
mejorado bastante y es posible tener de 10 a 20 ms en un tiristor para
3000 V y 3600 A. El tiempo de apertura es el intervalo de tiempo entre
que la corriente principal baja a cero después de una interrupción
externa del circuito del voltaje principal, y el instante cuando el tiristor
es capaz de sostener un voltaje principal de respaldo especificado sin
encenderse.
los tiristores de conmutación forzada se apagan con un circuito
adicional llamado circuito de conmutación.
Los RCT tienen conmutación de alta velocidad en especial para
aplicaciones de transición, se puede considerar que es un tiristor con
diodo inversor en paralelo, estos diodos se consiguen hasta para 4000
V, 2000 A (y 800 A en conducción inversa) con un tiempo de
conmutación de 40ms.
Los GATT tienen conmutación de alta velocidad en especial para
aplicaciones de transición, se consiguen hasta para 6000 V, 1500 A
con una rapidez de conmutación de 8ms.
Los LASCR se consiguen hasta para 1200 V, 400 A, con una rapidez
de conmutación de 200 a 400ms, son adecuados para sistemas de
potencia de alto voltaje, en especial los de corriente directa de alto
voltaje.
Los GTO es un tiristor de auto abertura se enciende (se activan o
desbloquean) aplicando un pulso positivo corto a las compuertas, y se
apaga por la aplicación de pulso negativo corto a las compuertas no
requiere circuito de conmutación. Son muy atractivos para la
conmutación forzada de convertidores, y se consiguen hasta para
6000 V y 600A la figura 1-2 muestra diversas configuraciones de GTO.
Figura 1-2 tiristores de apagado por
compuerta GTO.
Los SITH es un tiristor de auto abertura se enciende (se activan o
desbloquean) aplicando un pulso positivo corto a las compuertas, y se
apaga por la aplicación de pulso negativo corto a las compuertas no
requiere circuito de conmutación. Pueden alcanzar 1200 V y 300 A se
aplican en convertidores de potencia intermedia y frecuencia de varios
cientos de Kilohertz.
Los MTO es una combinación del transistor GTO y un MOSFET que
juntos superan las limitaciones de capacidad de apertura del GTO. Su
escritura es parecida a la de un GTO también conserva las ventajas de
alto voltaje (10 Kv) y alta corriente (hasta 4000 A) los tiristores MTO se
pueden usar en aplicaciones de gran potencia que van desde 1 hasta
20 MVA.
Los ETO es un hibrido de MOS Y GTO que combita tanto las ventajas
del GTO como del MOSFET, tienen dos compuertas una normal para
la apertura y la otra con una serie de MOSFET, se ha demostrado que
tiene una capacidad de corriente de hasta 4 KA y de voltaje de hasta 6
KV.
Los IGCT se integra un tiristor conmutado por compuerta (GCT) con
un activador de compuerta de tarjeta de circuito impreso, el GCT es un
GTO con conmutación permanente con un pulso de corriente de
compuerta muy rápido y grande tan grande como la capacidad total de
corriente que toma la corriente del cátodo en el ánodo en
aproximadamente 1ms. En forma parecida a un GTO, el IGCT se
enciende aplicando su compuerta la corriente de cerrado, se apaga
por medio de una tarjea de circuito activador de compuerta, de varias
capas que pueden suministrar un pulso de abertura de subida rápida
(es decir, una corriente de 4KA/ms con solo 20 V entre compuerta y
cátodo).
Los MCT se pueden encender con un pulso pequeño de voltaje
negativo a la compuerta MOS (con respecto a su anodo), y se puede
apagar con un pequeño pulso de voltaje positivo. Es como un GTO,
excepto que la ganancia de abertura es muy alta. Los MCT se
consiguen hasta 4500 V y 250 A.
