半 導 體 元 件 製 程

作者：蘇漢儒

1
 半導體元件製程技術

➠ 半導體元件製程技術大約分為兩
大類：
1. 雙載子 ( Bipolar ) 半導體元件。
2. 金屬氧化膜半導體元件
( Metal oxide semiconductor ) 。

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 半導體元件製程技術
➠ 1. 雙載子半導體元件：
雙載子之名稱是由於元件內部
流動的載子，在導通的狀態為
電洞 ( Hole ) 及電子 ( Electron )
兩種，因而取其名。

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 半導體元件製程技術
➠ 2. 金屬氧化膜半導體元件：
金屬氧化膜半導體元件之名
稱是由於元件之結構，係藉
由金屬層與氧化膜層及半導
體通道形成一只電容器之等
效電路，因而取其名。

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 半導體元件製程技術
➠ 1. 雙載子半導體元件之製程：
典型雙載子 半導體元件 ( 包括
積體電路 ) 之製程大約須要七
道以上之光罩 ( Mask ) 才能完
成製程，其製程如下述。

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 半導體元件製程技術
➠ 雙載子半導體元件之製程：
第一道光罩：
(1) 稱為底層 ( Buried layer ) 它
係使用高摻雜濃度之 N 型
材料製成，它位於動態元件
之底部。

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 半導體元件製程技術
➠ 雙載子半導體元件之製程：
第一道光罩：
(2) 稱為磊晶層 ( Epitaxy layer )
在底層之上面，生長一層低
摻雜濃度之 N 型材料，當作
組成積體電路 全部的 NPN
電晶體的集極 。

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 半導體元件製程技術
➠ 雙載子半導體元件之製程：
第二道光罩：
稱為絕緣層 ( Isolation layer ) ，
使用擴散法，製作一層高摻雜
濃度之 P 型材料，其目的為使
積體電路各個元件互相絕緣 。

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 半導體元件製程技術
➠ 雙載子半導體元件之製程：
第三道光罩：
稱為基極層 ( Base layer ) ，它係
使用擴散法，製作一層低摻雜濃
度之 P 型材料，組成積體電路 全
部的 NPN 電晶體的基極和電阻
器元件。

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 半導體元件製程技術
➠ 雙載子半導體元件之製程：
第四道光罩：
稱為射極層 ( Emitter layer ) ，它
係使用擴散法，製作一層高摻雜
濃度之 N 型材料，組成積體電路
全部的 NPN 電晶體的射極。

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 半導體元件製程技術
➠ 雙載子半導體元件之製程：
第五道光罩：
稱為連接層 ( Contact layer ) ，它
係使用蝕刻法，將組成積體電路
之全部的元件的接觸點打開。

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 半導體元件製程技術
➠ 雙載子半導體元件之製程：
第六道光罩：
稱為金屬導線連接層 ( Metallization
layer ) ，它係使用沉積法或擴散法
製作一層鋁金屬，將積體電路 的
全部元件的接觸點互相連接，組
合成完整的電路。

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 半導體元件製程技術
➠ 雙載子半導體元件之製程：
第七道光罩：稱為防刮保護層
( Scratch protection layer ) ，它係
使用沉積法在晶片表面沉積一層
二氧化矽，其目的為防止刮傷晶
片表面或其它化學污染 。

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 雙載子半導體元件之符號
Collector Collector
NPN 集極 PNP 集極

Base Base
基極 基極

Emitter Emitter
射極 射極
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雙載子半導體元件之結構圖
集極 基極 射極

NPN 電 晶 體 晶 粒 頂 視 圖
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 雙載子半導體元件之結構圖
集極 基極 射極

二 P + P
氧 型 P n
型
化 基 基
矽 材 n 磊晶層
材
n+ 底層
NPN 電 晶 體 晶 粒 側 視 圖
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 雙載子半導體元件之結構圖
基極 集極 射極

PNP 電 晶 體 晶 粒 橫 式 結 構 頂 視 圖
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 雙載子半導體元件之結構圖
基極 集極 射極

二 P P
P P P
氧 型 型
化 基 n 磊晶層 基
矽 材 材
n+ 底層
PNP 電 晶 體 晶 粒 橫 式 結 構 側 視 圖
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 雙載子半導體元件之結構圖
集極 基極 射極

PNP 電 晶 體 晶 粒 垂 直 式 結 構 頂 視 圖
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 雙載子半導體元件之結構圖
二 集極 基極 射極
氧
化
矽 P
P P
型 型
基 基
n 磊晶層
材 材

PNP 電 晶 體 晶 粒 垂 直 式 結 構 側 視 圖
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 雙載子半導體元件之應用
➠ NPN 電晶體廣泛應用於放大器
電路及開關電路，它的電流增
益稱為 hFE 或  ，為集極電流
與基極電流 的比值。晶粒尺寸
大小決定工作電流的大小，呈
正比關係。

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 雙載子半導體元件之應用
➠ 典型最小的 NPN 電晶體晶粒其
工作電流約 1 ma 至 10 ma ，電
流增益約 50 至 500 。
➠ 摻雜雜質元素的深度決定 NPN
電晶體接合面逆向崩潰電壓的
高低。

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 雙載子半導體元件之應用
➠ 典型的 PNP 電晶體其晶粒結構
區分為橫式與垂直式結構。
橫式結構 的 PNP 電晶體其電流
增益比垂直式結構 的 PNP 電晶
體小。

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 半導體元件製程技術
➠ 雙載子二極體元件之製程分類
：
1. 射極 / 基極 二極體。
2. 基極 / 集極 二極體。
3. 磊晶 – 絕緣 二極體。

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 半導體元件製程技術
➠ 二極體元件之符號：
陽極
Anode  陰極
Cathode

➠ 稽納二極體元件之符號：
陽極
Anode  陰極
Cathode

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 半導體元件製程技術
➠ 1. 射極 / 基極 二極體：
將 NPN 電晶體晶粒的基極與集
極短路，剩下射極與基極的接
合面形成一只二極體，其逆向
崩潰電壓約 6 至 10 伏特，經常
被當作稽納二極體應用。

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 雙載子半導體元件之結構圖
基極 射極

射極 / 基極 二 極 體 晶 粒 頂 視 圖
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 雙載子半導體元件之結構圖
基極 射極

二 P + P
氧 型 P n
型
化 基 基
矽 材 n 磊晶層
材
n+ 底層
射極 / 基極 二 極 體 晶 粒 側 視 圖
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 半導體元件製程技術
➠ 2. 基極 / 集極 二極體：
將 NPN 電晶體晶粒的射極閒置
剩下集極與基極的接合面形成
一只二極體，集極 當作陰極，
基極當作陽極，其逆向崩潰電
壓約 15 至 50 伏特。

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 雙載子半導體元件之結構圖
集極 基極

基極 / 集極 二 極 體 晶 粒 頂 視 圖
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 雙載子半導體元件之結構圖
集極 基極

二 P
氧 型 P+ P
型
化 基
n 磊晶層 基
矽 材 材
n + 底層
基極 / 集極 二 極 體 晶 粒 側 視 圖
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 半導體元件製程技術
➠ 3. 磊晶 – 絕緣 二極體 ：
此二極體存在積體電路中之元
件與元件之間，它係由晶片基
材與 N 型磊晶層組成之背對背
二極體 ( Back to back diode ) 其
作用為使元件之間互相絕緣。

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 半導體元件製程技術
磊晶 – 絕緣 二極體等效電
路符號

 
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 雙載子半導體元件之結構圖

n 磊晶層 P n 磊晶層

晶 – 絕緣 二 極 體 晶 粒 側 視

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 半導體元件製程技術
➠ 積體電路電阻器元件之分類：
1. 基極電阻器 ( Base resistor ) 。
2. 基極嵌入式電阻器
( Pinched - base resistor ) 。
3. 射極電阻器 ( Emitter resistor ) 。
4. 磊晶電阻器 ( Epitaxial resistor ) 。
5. 磊晶嵌入式電阻器 。

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 半導體元件製程技術
➠ 1. 基極電阻器：
基極電阻器 是在擴散的 P 型基極
的兩端用金屬層引出作為積體電
路電阻器。基極薄膜電阻 阻抗範
圍自 100 Ω /  至 500 Ω /  ，基
極電阻器 阻值範圍自 50 Ω 至 50
KΩ 。

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半導體元件製程技術
基 極 電 阻 器 晶 粒 頂 視 圖

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 半導體元件製程技術
基 極 電 阻 器 接 線 端
二
氧
化 P P P
矽 型 型
基 n 磊晶層 基
材 材
n + 底層
基 極 電 阻 器 晶 粒 側 視 圖
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 半導體元件製程技術
➠ 2. 基極嵌入式電阻器：
使用擴散法，在基極的中心嵌
入射極。典型基極嵌入式薄膜
電阻 阻抗範圍自 2K Ω /  至 10K
Ω /  ，基極嵌入式電阻器阻值
範圍自 10 KΩ 至 500 KΩ 。

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 半導體元件製程技術
基 極 嵌 入 式 電 阻 器 晶 粒 頂 視 圖

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 半導體元件製程技術
基 極 嵌 入 式 電 阻 器 接 線
二
氧 P n P P
化 型 型
矽 基 n 磊晶層 基
材 材
n + 底層
基 極 嵌 入 式 電 阻 器 晶 粒 側 視 圖
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 半導體元件製程技術
➠ 3. 射極電阻器：
射極電阻器 是在擴散的 N 型射極
的兩端用金屬層引出作為積體電
路電阻器 ( 其中一端與射極、基
極同時接觸 ) 。典型薄膜電阻阻抗
範圍自 4 Ω /  至 10 Ω /  ，射極
電阻器 阻值範圍自 5 Ω 至 100 Ω 。

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半導體元件製程技術
射 極 電 阻 器 晶 粒 頂 視 圖

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 半導體元件製程技術
射 極 電 阻 器 接 線 端
二
氧
化 P P n P
矽 型 型
基 n 磊晶層 基
材 材
n + 底層
射 極 電 阻 器 晶 粒 側 視 圖
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 半導體元件製程技術
➠4. 磊晶電阻器：
磊晶電阻器是磊晶矽的兩端經由
n+ 作接觸連接，作為積體電路電
阻器。典型磊晶薄膜電阻 阻抗範
圍自 400 Ω /  至 2KΩ /  ，磊晶
電阻器阻值範圍自 1 K Ω 至 50KΩ 。

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 半導體元件製程技術
磊 晶 電 阻 器 晶 粒 頂 視 圖

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 半導體元件製程技術
磊 晶 電 阻 器 接 線 端
二
氧
化 P P
矽 型 型
基 基
材 n 磊晶層 材

磊 晶 電 阻 器 晶 粒 側 視 圖
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 半導體元件製程技術
➠ 5. 磊晶嵌入式電阻器：
磊晶嵌入式電阻器與磊晶電阻
器之結構相似，其差異是在電
阻器 的中心嵌入 P 型基極，目
的為減少電阻器的電流路徑，
提高電阻器的電阻值。

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 半導體元件製程技術
磊晶嵌入式電阻器晶粒頂視圖

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 半導體元件製程技術
磊晶嵌入式電阻器接線端
二
氧
P P
化
型 型
矽
基 基
材 n 磊晶層 材

磊 晶 嵌 入 式 電 阻 器 晶 粒 側 視 圖
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 半導體元件製程技術

➠ 積體電路電容器元件之分類：
1. 介質電容器
( Dielectric capacitors) 。
2. 接合面電容器
( Junction capacitors) 。
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 半導體元件製程技術

➠ 1. 介質電容器：
一層氧化膜 覆蓋在一層 n+ 材
料之上，另一層金屬覆蓋在氧
化膜之上，形成一只以氧化膜
為介質的電容器。

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 半導體元件製程技術
介 質 電 容 器 晶 粒 頂 視 圖

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 半導體元件製程技術
鋁
二
氧
化 P n+ P
矽 型 型
基 基
材 n 磊晶層 材

介 質 電 容 器 晶 粒 側 視 圖
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 半導體元件製程技術

➠ 2. 接合面電容器：
PN 接合面施加低逆向偏壓，其
等效電路如同一只電容器 ，電
容量跟隨逆向偏壓的工作點改
變。

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 半導體元件製程技術
接 合 面 電 容 器 晶 粒 頂 視 圖

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 半導體元件製程技術
接合面電容器接線端
二
氧
化 P P n P
矽 型 型
基 基
材 n 磊晶層 材

接 合 面 電 容 器 晶 粒 側 視 圖
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 半導體元件製程技術

➠ 2. 金屬氧化膜半導體元件之製程：
典型金屬氧化膜 半導體元件
( 包括積體電路 ) 之製程大約須
要十道以上之光罩 ( Mask ) 才能

完成製程，其製程步驟如下述。

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 半導體元件製程技術

➠ 金屬氧化膜半導體元件之製程：
( 步驟一 ) ：
源極 ( Source ) 與排極 ( drain )
它係使用擴散法以 N 型或 P 型
材料製成，其結構與電阻器 相似。

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 半導體元件製程技術

➠ 金屬氧化膜半導體元件之製程：
( 步驟二 ) ：
氧化膜閘極 ( Gate oxidation )
它係使用生長法 製作 一層薄的
氧化膜，其作用為控制通道的
電荷 流動。

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 半導體元件製程技術

➠ 金屬氧化膜半導體元件之製程：
( 步驟三 ) ：
製作接觸層 ( Contact ) ，使用蝕
刻法，製作元件之間互相連接
的位置。

Page 61
 半導體元件製程技術
➠ 金屬氧化膜半導體元件之製程：
( 步驟四 ) ：
製作金屬層 ( Metallization ) ，使
用沉積法製作一層鋁金屬，將
積體電路的全部元件的接觸點
互相連接，組合成完整的電路。

Page 62
 半導體元件製程技術
➠ 金屬氧化膜半導體元件之製程：
( 步驟 五 ) ：防刮保護層
( Scratch protection layer ) ，它係
使用沉積法在晶片表面沉積一層
二氧化矽，其目的為防止刮傷晶
片表面或其它化學污染 。

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 金屬氧化膜半導體元件之符
號
Drain Drain
P 型通道 N 型通道
排極 排極
MOSFET MOSFET
Gate Gate
閘極 閘極

Source Source
源極 源極
Page 64
金屬氧化膜半導體元件之結構
圖
P 型 通 道 MOSFET
源極 排極
閘
極

Page 65
 金屬氧化膜半導體元件之結構
圖
P 型 MOSFET 通 道 電 荷 導 通 狀 態
Source Gate Drain
源極 閘極 排極
-+ -+ -+ -+ -+ -+ -+ -+ 鋁
二 -+ +- +- +- -+ -+ -+ -+
+ + + + + + + + + +
氧 P P
化
矽 N 型 基材
Page 66
 金屬氧化膜半導體元件之結構
圖
P 型 MOSFET 通 道 電 荷 截 止 狀 態
Source Gate Drain
源極 閘極 排極
+ + + + + + + +
-+ +- +- +- -+ -+ -+ -+ 鋁
二 - -- -- -- -- -- -- --
+ +
氧 P P
化
矽 N 型 基材
Page 67
金屬氧化膜半導體元件之結構
圖
N 型 通 道 MOSFET
源極 排極
閘
極

Page 68
 金屬氧化膜半導體元件之結構
圖
N 型 MOSFET 通 道 電 荷 導 通 狀 態
Source Gate Drain
源極 閘極 排極
+ + + + + + + +
+- +- + - +- -+ -+ -+ -+ 鋁
二
+ -- -- -- -- -- -- -- -- +
氧 N N
化
矽 P 型 基材
Page 69
 金屬氧化膜半導體元件之結構
圖
N 型 MOSFET 通 道 電 荷 截 止 狀 態
Source Gate Drain
源極 閘極 排極
-+ +- +- +- -+ -+ -+ -+ 鋁
二 --------
+ + + + + + + + +
+
氧 N + + + + +
N
化
矽 P 型 基材
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 金屬氧化膜半導體元件之應
用

➠ 典型的金屬氧化膜元件之分類：
1. 放大器與開關電路。
2. 源極與排極電阻器
( Source / drain resistor ) 。
3. 電容器 ( Capacitor ) 。

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 金屬氧化膜半導體元件之應
用
➠ 放大器與開關電路：

R2 C2
out
C1
in
R1

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 金屬氧化膜半導體元件之應
用
➠ 源極與排極電阻器：
典型金屬氧化膜源極與排極之
薄膜電阻阻抗範圍自 50 Ω / 
至 200 Ω /  ，金屬氧化膜源極
與排極之電阻器阻值範圍自 50
 至 10KΩ 。

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金屬氧化膜半導體元件之結構
圖

金屬氧化膜電阻器之接線端
Page 74
 金屬氧化膜半導體元件之結構
圖
金屬氧化膜電阻器之接線端
鋁

N P
二氧
化矽
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 金屬氧化膜半導體元件之應
用
➠ 金屬氧化膜電容器 ( Capacitor ) ：
一層氧化膜 覆蓋在一層 P 型材
料之上，另一層金屬覆蓋在氧
化膜之上，形成一只以氧化膜
為介質的金屬氧化膜電容器。

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金屬氧化膜半導體元件之結構
圖
金屬氧化膜電容器之接線端

Page 77
金屬氧化膜半導體元件之結構
圖
金屬氧化膜電容器之接線端
鋁

N P
二氧
化矽
Page 78
E-mail ： henzusu@ms57.hinet.net

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