Về giải Nobel vật lí năm 2007

Viện Hàn lâm Khoa học Hoàng gia Thụy Điển đã quyết định trao giải Nobel
Vật lí năm 2007 cho

Albert Fert Peter Grünberg

Công dân Pháp. Sinh năm 1938, ở
Carcassonne. Tiến sĩ năm 1970 tại
trường Université Paris-Sud, Orsay,
Pháp. Giáo sư trường Université Paris-
Sud, Orsay, Pháp, từ năm 1976. Giám
đốc khoa học của Unité mixte de
physique CNRS/Thales, Orsay, Pháp,
từ năm 1995.
Tiểu sử về ông có tại
www2.cnrs.fr/en/338.htm
Công dân Đức. Sinh năm 1939, ở
Pilsen. Tiến sĩ năm 1969 tại
Technische Universität Darmstadt,
Đức. Giáo sư viện Institut für
Festkörperforschung,
Forschungszentrum Jülich, Đức, từ
năm 1992.
Tiểu sử về ông có tại
www.fz-juelich.de/portal/gruenberg_e

“CHO VIỆC KHÁM PHÁ RA HIỆN TƯỢNG TỪ TRỞ KHỔNG LỒ”

Giải thưởng là tấm SEK 10 triệu [Thụy Điển] được chia đều cho hai người.

Giải thưởng Nobel vật lí năm nay được trao cho Albert Fert và Peter
Grünberg cho khám phá của họ ra hiện tượng từ trở khổng lồ. Những ứng dụng của
hiện tượng này đã cách mạng hóa công nghệ truy xuất dữ liệu từ các ổ đĩa cứng.
Khám phá đó cũng đóng một vai trò quan trọng trong những bộ cảm biến từ đa
dạng cũng như cho việc phát triển một thế hệ điện tử mới. Lợi ích của từ trở khổng
lồ có thể xem là một trong những ứng dụng chủ yếu đầu tiên của công nghệ nano.
Các đầu đọc tốt hơn cho những dụng cụ bỏ túi
Các linh kiện điện tử liên tục được thu nhỏ đã trở thành một vấn đề tất yếu
trong thế giới IT ngày nay. Nhu cầu thường niên với thị trường máy vi tính ngày
càng mạnh hơn và nhẹ hơn là điều chúng ta bắt đầu cho là hiển nhiên. Nhất là các ỗ
đĩa cứng đã thu nhỏ lại – chiếc hộp kềnh càng dưới bàn làm việc của bạn sẽ sớm trở
thành lịch sử khi cùng lượng dữ liệu đó có thể dễ dàng lưu trữ trong một laptop

© hiepkhachquay Trang 1/21

mảnh mai. Và với một máy hát nhạc trong túi của mỗi người và mọi người, người ta
sẽ ngừng nghĩ xem có bao nhiêu bài hát mà ổ đĩa cứng nhỏ xíu của nó thật sự chứa
được. Gần đây, dung lượng lưu trữ cực đại của các đĩa cứng cho công dụng trong
nhà đã vọt lên tới một terabyte (một nghìn tỉ byte).

Biểu đồ cho thấy tốc độ đang gia tốc của việc mini hóa có thể cho một cảm
giác sai lầm về tính đơn giản – như thể sự phát triển này tuân theo một quy luật tự
nhiên. Trên thực tế, cuộc cách mạng IT đang diễn ra phụ thuộc vào sự tác động qua
lại phức tạp giữa tiến bộ khoa học cơ bản và sự chuyển hướng công nghệ. Đây đúng
là cái mà giải Nobel Vật lí năm 2007 đề cập tới.
Máy tính xách tay, máy hát nhạc, và các cỗ máy tìm kiếm mạnh, tất cả đều
cần đến ỗ đĩa cứng trong đó thông tin được nhồi nhét rất chen chúc. Thông tin trên
một đĩa cứng được lưu trữ dưới dạng các vùng bị từ hóa khác nhau. Một hướng từ
hóa nhất định tương ứng với giá trị 0 nhị phân, và hướng kia tương ứng với giá trị 1
nhị phân. Để truy xuất thông tin, một đầu đọc sẽ quét qua đĩa cứng và ghi nhận các
trường từ hóa khác nhau. Khi ổ đĩa cứng trở nên nhỏ hơn, mỗi vùng từ tính cũng
phải thu nhỏ lại. Điều này có nghĩa là từ trường của từng bit trở nên yếu hơn và khó
đọc hơn. Do đó, một ổ đĩa cứng nhồi nhét chật hơn đòi hỏi một kĩ thuật đọc nhạy
hơn.
Trở lại cuối thập niên 1990, một công nghệ hoàn toàn mới đã trở thành chuẩn
trong các đầu đọc của ổ đĩa cứng. Điều này có tầm quan trọng quyết định đối với
khuynh hướng đang gia tốc của việc thu nhỏ ổ đĩa cứng mà chúng ta thấy trong vài
năm vừa qua. Công nghệ đọc ngày nay dựa trên một hiệu ứng vật lí mà hai nhà đoạt
giải thưởng Nobel Vật lí của năm nay lần đầu tiên quan sát thấy hầu như gần 20
năm về trước. Người Pháp Albert Fert và người Đức Peter Grünberg, đồng thời và

© hiepkhachquay Trang 2/21

độc lập với nhau, phát hiện ra cái gọi là Từ trở khổng lồ, GMR. Nhờ khám phá này
mà hai người họ bây giờ cùng chia sẻ giải thưởng Nobel Vật lí học.
Từ huân tước Kelvin đến công nghệ nano
Ban đầu, người ta sử dụng cuộn cảm trong các đầu đọc, khai thác thực tế là
một từ trường biến thiên cảm ứng một dòng điện chạy qua một cuộn dây điện. Mặc
dù công nghệ này không có khả năng giữ nhịp độ phát triển cùng với nhu cầu thu
nhỏ ổ đĩa cứng, nhưng các cuộn cảm vẫn được sử dụng cho việc ghi thông tin lên
đĩa. Tuy nhiên, đối với chức năng đọc, thì từ trở sớm tỏ ra thích hợp hơn
Từ lâu người ta đã biết rằng điện trở của các chất, ví dụ như sắt, có thể bị ảnh
hưởng bởi từ trường. Năm 1857, nhà vật lí người Anh Kelvin đã công bố một bài
báo chỉ ra rằng điện trở giảm dọc theo các đường từ hóa khi thiết đặt một từ trường
lên một vật dẫn từ tính. Nếu như từ trường được đặt qua vật dẫn thì điện trở tăng lên
để thay thế. Từ trở (bất đẳng hướng) (MR) này là tổ tiên trực tiếp cho từ trở khổng
lồ với tư cách là một công nghệ trong các đầu đọc. GMR được đưa vào sử dụng khi
một công nghệ nhạy hơn đã trở nên cần thiết.
Một điều kiện tiên quyết cho khám phá ra hiệu ứng GMR được mang lại bởi
những khả năng mới tạo ra các lớp kim loại mịn ở kích thước nano mét bắt đầu phát
triển trong thập niên 1970. Một nano mét chỉ là một phần tỉ của một mét, và công
nghệ nano quan tâm tới các lớp chỉ gồm vài lớp nguyên tử. Đi sâu vào ở cấp độ
nguyên tử, vật chất hành xử khác đi và do đó các cấu trúc kích thước nano mét sẽ
thường biểu hiện những tính chất vật chất hoàn toàn mới lạ. Điều này đúng không
chỉ cho tính chất từ và sự dẫn điện, mà còn cho các tính chất như cường độ và các
đại lượng hóa học và quang học của vật chất. Theo cách hiểu này, công nghệ GMR
có lẽ cũng được xem là một trong những ứng dụng quan trọng đầu tiên của công
nghệ nano ngày nay rất phổ biến trong rất nhiều lĩnh vực khác nhau.
Điện trở và sự từ hóa
Trong vật dẫn kim loại, dòng điện được chuyển tải dưới dạng các electron có
thể di chuyển tự do qua khối chất đó. Dòng điện được dẫn do chuyển động của các
electron theo một hướng nhất định, đường đi của electron càng thẳng thì độ dẫn của
chất đó càng lớn. Điện trở là do các electron bị lệch khỏi đường đi thẳng của chúng
khi chúng tán xạ lên những chỗ sai hỏng hay tạp chất trong chất đó. Các electron
càng bị tán xạ thì điện trở càng cao.

Điện trở trong vật dẫn tăng lên khi các electron tán xạ lên những chỗ khiếm khuyết làm cho chuyển
động có hướng của chúng bị gây trở ngại.

© hiepkhachquay Trang 3/21

 Trong vật liệu từ tính, sự tán xạ của các electron bị ảnh hưởng bởi hướng từ
hóa. Mối liên hệ rất mạnh giữa sự từ hóa và điện trở mà người ta tìm thấy trong hiện
tượng từ trở khổng lồ phát sinh do chuyển động quay nội tại của electron gây ra một
moment từ - tính chất cơ lượng tử đó được gọi là spin – hướng theo một trong hai
chiều ngược nhau. Trong vật liệu từ tính, đa số các spin định hướng cùng chiều
nhau (song song). Tuy nhiên, một số lượng spin ít hơn luôn luôn hướng theo chiều
ngược lại, đối song với sự từ hóa chung. Sự thiếu cân bằng này phát sinh không chỉ
với sự từ hóa như thế, mà còn với thực tế là các electron có spin khác nhau bị tán xạ
ở mức độ lớn hơn hay nhỏ hơn trên các chỗ khiếm khuyết và tạp chất, và nhất là ở
mặt tiếp giáp giữa các chất. Các tính chất vật liệu sẽ xác định loại electron nào bị
tán xạ nhiều nhất.

Trong vật dẫn từ tính, hướng của spin của đa số electron song song với hướng từ hóa (màu đỏ).
Thiểu số electron có spin hướng ngược lại (màu trắng). Trong hình minh họa này, các electron có
spin đối song bị tán xạ nhiều hơn.
Từ trở khổng lồ - GMR
Thí dụ về loại hệ đơn giản nhất trong đó từ trở khổng lồ có thể phát sinh
được mô tả như sau: Hệ gồm một lớp kim loại phi từ tính kẹp giữa hai lớp kim loại
từ tính, xem hình bên dưới. Bên trong chất từ tính, và nhất là ở mặt tiếp giáp giữa
chất từ tính và chất phi từ tính, các electron có spin khác nhau bị tán xạ khác nhau
(1). Ở đây chúng ta sẽ xét trường hợp trong đó các electron tán xạ nhiều hơn nếu
như spin của chúng là đối song với hướng từ hóa chung. Điều này ngụ ý rằng điện
trở đối với những electron này sẽ lớn hơn so với những electron có spin song song
với hướng từ hóa. Sau đó, khi các electron đi vào chất từ tính, chúng sẽ tán xạ ở
mức độ như nhau, phụ thuộc vào hướng spin của chúng (2). Ở mặt tiếp giáp thứ hai
và bên trong lớp chất từ tính sau cùng, các electron có spin đối song lại một lần nữa
bị tán xạ nhiều hơn so với các electron có spin song song (3).
Trong trường hợp khi cả hai lớp từ tính bị từ hóa theo hướng như nhau, thì
đa số electron sẽ có spin song song và di chuyển dễ dàng qua cấu trúc đó. Điện trở
toàn phần do đó sẽ thấp (trường hợp A trong hình bên dưới). Tuy nhiên, nếu hướng
từ hóa của hai lớp là ngược nhau, tất cả các electron sẽ ở trạng thái có spin đối son g
ở một trong hai lớp. Điều này có nghĩa là không electron nào có thể di chuyển dễ
dàng qua hệ và điện trở toàn phần vì thế sẽ cao (trường hợp B). Bây giờ, hãy tưởng

© hiepkhachquay Trang 4/21

tượng sử dụng cấu trúc này trong đầu đọc quét ổ đĩa cứng: Sự từ hóa của lớp (1) bị
giữ chặt chẽ, còn sự từ hóa của lớp (3) thì tự do di chuyển và vì thế có thể bị ảnh
hưởng bởi các từ trường biến thiên trên đĩa cứng. Sự từ hóa của hai lớp từ tính trong
đầu đọc khi đó sẽ lần lượt song song và đối song với lớp kia. Điều này sẽ dẫn tới sự
biến thiên điện trở, và dòng điện đi qua đầu đọc. Nếu dòng điện là tín hiệu đang đi
ra khỏi đầu đọc, thì dòng điện cao có thể biểu thị bit 1 nhị phân, còn dòng điện thấp
có thể biểu thị bit 0.

Nếu hướng từ hóa trong lớp từ tính là ngược

Nếu hướng từ hóa là như nhau trong cả hai lớp nhau, thì tất cả electron sẽ có spin đối song
từ tính, thì các electron có spin song song (màu trong một trong hai lớp và do đó sẽ tán xạ rất
đỏ) thì các electron có thể đi qua toàn bộ hệ mà nhiều. Kết quả là điện trở toàn phần lớn.
không bị tán xạ đến mức độ lớn nào. Điện trở
toàn phần của hệ do đó sẽ nhỏ.
GMR nhanh chóng trở thành chuẩn
Vào giữa thập niên 1980, các nhà khoa học trong lĩnh vực từ học đã thấy rõ
những khả năng mới mà các lớp kích thước nano mét mang lại. Albert Fert và đồng
sự của ông đã tạo ra chừng 30 lớp xen kẽ sắt và chromium – mỗi lớp chỉ gồm vài
lớp nguyên tử. Để đi đến thành công, họ buộc phải làm việc với gần như chân
không, và lần lượt sử dụng các chất khí áp suất rất thấp của sắt và chromium. Trong
một cơ cấu như thế, các nguyên tử sẽ dần dần gắn chúng lên bề mặt theo lớp và lớp
này chồng lên lớp kia. Theo cách tương tự, nhóm của Peter Grünberg đã tạo ra một
hệ có phần đơn giản hơn gồm chỉ hai hay ba lớp sắt với một lớp chromium kẹp ở
giữa.
Một phần do ông sử dụng nhiều lớp hơn, Fert ghi được từ trở lớn hơn
Grünberg. Nhóm người Pháp thấy sự biến thiên của điện trở phụ thuộc sự từ hóa lên
tới 50%, còn nhóm người Đức thấy độ chênh lệch nhiều nhất là 10%. Tuy nhiên,
hiệu ứng cơ bản và cơ sở vật lí trong cả hai trường hợp là giống nhau. Cả hai nhóm
đều nhận thức rõ họ đã quan sát được một hiện tượng hoàn toàn mới. Với từ trở
truyền thống, không ai ghi nhận được hơn 1% hay ngần ấy độ biến thiên của điện
trở. Albert Fert là người đã đặt ra khái niệm thực tế từ trở khổng lồ để mô tả hiệu
ứng mới, và trong bài báo đầu tiên của ông về chủ đề đó, ông đã chỉ ra rằng khám
phá đó có thể đưa đến những ứng dụng quan trọng. Peter Grünberg cũng nhận ra

© hiepkhachquay Trang 5/21

tiềm năng công nghệ của hiện tượng và đã đăng kí bằng phát minh cùng lúc khi ông
viết công bố khoa học đầu tiên.
Tuy nhiên, để công nghệ mới được thương mại hóa, người ta cần phải tìm
quy trình công nghiệp để chế tạo các lớp. Phương pháp do Fert và Grünberg sử
dụng gọi là phương pháp mọc ghép) có tính chất phòng thí nghiệm và đắt tiền, thích
hợp dùng cho phòng nghiên cứu hơn là cho quy trình công nghiệp ở quy mô lớn. Vì
lí do này, nên đúng là một bước tiến quan trọng khi Stuart Parkin, một người Anh
đang làm việc ở Mĩ, chứng minh được là có thể thu được hiệu ứng giống như vậy
bằng một công nghệ đơn giản hơn nhiều gọi là thổi phù. Hiệu ứng GMR thật ra tỏ ra
không phụ thuộc các lớp rất hoàn hảo. Điều này có nghĩa là các hệ GMR bây giờ có
thể sản xuất ở quy mô công nghiệp. Quy trình công nghiệp cùng với độ nhạy lớn
của các đầu GMR, thu được trong công nghệ mới, trở thành tiêu chuẩn trong các ổ
đĩa cứng rất mau chóng sau đó đầu đọc GMR thương mại đầu tiên đã được sản xuất
vào năm 1997.
Công nghệ điện tử mới – công nghệ spin
GMR không chỉ là một bước đột phá cho việc đọc thông tin đóng gói rất chặt
từ ổ đĩa cứng (và cho những bộ cảm biến từ trong các ứng dụng khác). Điều cũng
hấp dẫn tương đương là công nghệ này được xem là bước đầu tiên trong việc phát
triển một loại điện tử hoàn toàn mới, được đặt tên là công nghệ spin. Đó là việc sử
dụng spin của electron, không chỉ có điện tích của nó như trong điện tử truyền
thống, mang đặc trưng của công nghệ spin. Một điều kiện tiên quyết chung của
công nghệ spin được mang lại bởi các kích thước nhỏ do công nghệ nano tạo ra.
Hướng của spin của electron chỉ có thể duy trì trên những khoảng cách rất ngắn;
trong những lớp dày hơn, hướng của spin sẽ thay đổi trước khi có thời gian khai
thác các tính chất riêng biệt của các electron có spin khác nhau (ví như có điện trở
cao hơn hay thấp hơn).
Theo sau GMR, một hệ tương tự đã được xây dựng sử dụng chất cách điện,
thay cho kim loại phi từ tính, kẹp giữa hai lớp kim loại từ tính. Không có dòng điện
nào có thể truyền qua lớp cách điện, nhưng nếu lớp đó đủ mỏng, các electron có thể
lẻn qua, bằng một hiệu ứng cơ lượng tử gọi là hiệu ứng đường hầm. Vì thế, hệ mới
này có tên là TMR, Từ trở chui hầm. Với TMR, một sự chênh lệch còn lớn hơn ở
điện trở có thể được tạo ra bằng các từ trường rất yếu, và thế hệ mới nhất của các
đầu đọc sử dụng công nghệ này.
Hướng tới bộ nhớ lớn
Cho đến nay, một ứng dụng khác của công nghệ spin, đã bắt đầu xuất hiện, là
bộ nhớ vận hành từ tính gọi là MRAM. Để bổ sung cho ổ đĩa cứng, trong đó thông
tin được lưu trữ lâu dài, máy vi tính cần một bộ nhớ vận hành nhanh hơn. Bộ nhớ
này thường gọi là RAM, bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên. Ở trong RAM của nó, máy vi
tính lưu trữ mọi thông tin mà nó cần có thể xử lí thông tin trong khi nó đang vận
hành. Trở ngại của các bộ nhớ vận hành chuẩn sử dụng hiện nay là chúng không thể
lưu trữ thông tin lâu dài được. Khi đoạn văn bản này được đánh máy, nó chỉ lưu trữ
trong RAM của máy tính. Nếu mất nguồn hay ai đó tắt máy mà không lưu lại, thì
văn bản sẽ mất. Chỉ bằng thao tác nhấn nút “Save”, văn bản sẽ được lưu trữ an toàn
trên ổ đĩa cứng.

© hiepkhachquay Trang 6/21

 Ưu điểm của MRAM là nó có thể sử dụng TMR để đọc lẫn ghi thông tin và
do đó tạo ra một bộ nhớ máy tính từ tính nhanh và dễ truy xuất. Vì vậy, MRAM có
thể được sử dụng làm bộ nhớ vận hành, trái với ổ đĩa cứng chậm hơn, nhưng nó
cũng sẽ là bộ nhớ vĩnh cửu, nó không phụ thuộc vào nguồn điện. Điều này có nghĩa
là MRAM có thể phát triển thành một bộ nhớ lớn sẽ thay thế cả RAM truyền thống
và ổ đĩa cứng. Tính nén của một hệ như thế có thể tỏ ra đặc biệt hữu dụng trong các
hệ thống máy tính đóng gói nhỏ - trong mọi thứ từ bếp lò trong nhà bếp cho tới xe
hơi.
Việc khám phá ra hiệu ứng GMR đã mở ra cánh cửa đi vào một lĩnh vực
công nghệ hoàn toàn mới, trong đó cả điện tích của electron và spin của nó đều
được khai thác. Công nghệ nano đang nổi lên một lần nữa lại là điều kiện tiên quyết
cho khám phá ra GMR: công nghệ spin đang ở vào thời kì chuyển mình của nó dẫn
đến sự phát triển nhanh chóng của công nghệ nano. Lĩnh vực nghiên cứu này là một
ví dụ cực kì rõ ràng về cách thức khoa học cơ bản và công nghệ mới nương nhờ vào
nhau và củng cố lẫn nhau.

© hiepkhachquay Trang 7/21

 KHÁM PHÁ RA HIỆN TƯỢNG TỪ TRỞ KHỔNG LỒ
1. Giới thiệu
Hiện tượng gọi là từ trở (MR) là sự biến thiên của điện trở của một vật dẫn
khi đặt nó trong một từ trường ngoài. Đối với các chất sắt từ như sắt, cobalt và
nickel, tính chất này cũng sẽ phụ thuộc vào hướng của trường ngoài so với hướng
của dòng điện đi qua chất. Đúng 150 năm trước, W. Thosom (ngài Kelvin) đã đo
được hành trạng của điện trở của sắt và nickel trong sự có mặt của từ trường. Ông
viết “Tôi thấy sắt, khi chịu một lực từ, đòi hỏi sự tăng điện trở để dẫn điện dọc, và
sự giảm điện trở để dẫn điện ngang, theo các đường từ hóa”. Sự chênh lệch điện
trở này giữa trường hợp song song và vuông góc gọi là từ trở dị hướng (AMR).
Ngày nay, người ta biết rằng tính chất này phát sinh từ sự ghép đôi spin quỹ đạo
electron. Nói chung, hiệu ứng từ trở rất nhỏ, lớn nhất chỉ vào bậc vài phần trăm.
Hiệu ứng MR có tầm quan trọng công nghệ rất lớn, nhất là khi đề cập tới các
đầu đọc dùng cho ổ đĩa từ và các bộ cảm biến từ trường. Chất liệu được dùng nhiều
nhất là hợp kim giữa sắt và nickel, Fe20Ni80 (hợp kim pecmalci). Tuy nhiên, nói
chung, không hề có sự cải tiến lớn đáng kể nào về hiệu suất của các vật liệu từ trở
kể từ công trình nghiên cứu của Kelvin. Sự nhất trí chung hồi thập niên 1980 là
không thể nào cải thiện đáng kể hiệu suất của các bộ cảm biến từ trên cơ sở từ trở.
Do đó, thật là một sự ngạc nhiên lớn khi vào năm 1988, hai nhóm nghiên cứu
độc lập đã phát hiện ra các chất biểu hiện từ trở rất lớn, ngày nay gọi là từ trở
khổng lồ (GMR). Vì thế, các chất này còn được gọi là đa lớp từ, trong đó các lớp
kim loại sắt từ và phi từ tính xếp chồng lên nhau (hình 1). Chiều rộng của từng lớp
có kích thước nano mét – tức là chỉ dày một vài lớp nguyên tử. Trong các thí
nghiệm ban đầu đưa đến khám phá ra GMR, một nhóm, do Peter Grünberg đứng
đầu, đã sử dụng một hệ ba lớp Fe/Cr/Fe, còn nhóm kia, do Albert Fert đứng đầu, sử
dụng đa lớp dạng (Fe/Cr)n, trong đó n lên tới cỡ 60.

Hình 1. Hình minh họa đa lớp từ. Các lớp sắt

dày nano mét (màu xanh) cách nhau những lớp
dày nano mét của một kim loại thứ hai (ví dụ
chromium hay đồng). Hình trên minh họa lớp
ba Fe/Cr/Fe do nhóm của Grünberg sử dụng, và
hình dưới là đa lớp (FeCr)n, với n lên tới 60, do
nhóm của Fert sử dụng.

© hiepkhachquay Trang 8/21

 Trên hình 2, các phép đo của nhóm Grünberg được biểu diễn (bên trái) cùng
với các phép đo của nhóm Fert (bên phải). Trục y và trục x tương ứng biểu diễn cho
sự biến thiên điện trở và từ trường ngoài. Các thí nghiệm cho thấy từ trở âm lớn
nhất đối với ba lớp cũng như nhiều lớp. Các hệ phía bên phải, gồm những lớp lớn
xếp chồng, biểu hiện sự giảm điện trở gần như 50% khi đặt trong từ trường. Hiệu
ứng xảy ra nhỏ hơn đối với hệ phía bên trái, không chỉ vì hệ đó đơn thuần là một
lớp ba mà còn vì thí nghiệm do Grünberg chỉ đạo tiến hành ở nhiệt độ phòng, trong
khi thí nghiệm mà Fert và các cộng sự báo cáo được thực hiện ở nhiệt độ rất thấp
(4,2 K).

Hình 2. Hình bên trái: Các phép đo từ trở (nhiệt độ phòng) đối với hệ ba lớp Fe/Cr/Fe.
Nằm xa phía bên phải cũng như phía bên trái, sự từ hóa của hai lớp sắt đều song song với
từ trường ngoài. Ở vùng chính giữa, sự từ hóa của hai lớp sắt là đối song. Thí nghiệm
cũng biểu hiện một hành vi hết sức ngộ nghĩnh (sự chênh lệch 1 và 4 (2 và 3)) điển hình
cho các phép đo từ hóa.
Hình bên phải: Các phép đo từ hóa (4,2 K) đối với hệ nhiều lớp (Fe/Cr)n. Tiến ra ngoài
phía bên phải (> HS, trong đó HS là trường bão hòa) cũng như tiến ra phía bên trái (< -
HS), sự từ hóa của tất cả các lớp sắt là song song với từ trường ngoài. Trong vùng trường
thấp, mỗi lớp sắt thứ hai bị từ hóa đối song với từ trường ngoài.
10 kG = 1 Tesla
Grünberg cũng báo cáo các phép đo từ trở nhiệt độ thấp cho một hệ có ba lớp
sắt phân cách nhau bởi hai lớp chromium và thấy điện trở giảm 10%.
Không những Fert và Grünberg đo được sự tăng mạnh từ trở, mà họ còn
nhận ra những quan sát này là một hiện tượng mới, trong đó nguyên nhân của từ trở
là một loại mới hoàn toàn. Tựa đề bài báo gốc của nhóm Fert đã gọi hiệu ứng quan
sát được là “Từ trở khổng lồ”. Grünberg cũng lập tức nhận ra những khả năng mới
cho ứng dụng công nghệ và đã đăng kí phát minh khám phá đó. Trong phút chốc,
lĩnh vực nghiên cứu từ tính màng mỏng đã hoàn toàn chuyển hướng thành điện tử từ
học.
Việc khám phá ra từ trở khổng lồ lập tức mở ra cánh cửa vào thế giới của
những khả năng khoa học và công nghệ mới phong phú, bao gồm một sức ảnh
hưởng khủng khiếp đến khúc xạ thuật lưu trữ dữ liệu và cảm biến từ. Hàng nghìn
nhà khoa học trên khắp thế giới ngày nay đang nghiên cứu hiện tượng điện tử từ
học và các hệ quả của chúng. Câu chuyện hiệu ứng GMR là một bằng chứng rất tốt
cho thấy làm thế nào mà một khám phá khoa học hoàn toàn không mong đợi trước
có thể đem lại những công nghệ và sản phẩm thương mại hoàn toàn mới.

© hiepkhachquay Trang 9/21

2. Cơ sở khoa học
A. Các kim loại sắt từ
Trong số các kim loại chuyển tiếp d (Sc…Cu, Y…Ag, Lu…Au, tức là các
nguyên tố chuyển tiếp 3d, 4d và 5d), các kim loại 3d sắt, cobalt và nickel được biết
là các chất sắt từ. Trong họ lanthan (các nguyên tố 4f, La-Lu), gadolinium cũng là
một chất sắt từ. Nguồn gốc của từ tính trong các kim loại này nằm ở hành trạng của
các electron 3d và 4d tương ứng. Trong phần sau chủ yếu chỉ nói tới cơ chế từ ở các
nguyên tố 3d.
Trong nguyên tử tự do, các mức năng lượng nguyên tử 3d và 4s của các
nguyên tố chuyển tiếp 3d dành cho các electron hóa trị. Ở trạng thái kim loại tính,
các mức 3d và 4s này mở rộng thành các dải năng lượng. Vì các orbital 4s trải rộng
trong không gian hơn nên sẽ có một lớp chồng lấn đáng kể giữa các orbital 4s lên
các nguyên tử lân cận, và do đó dải 4s tương ứng trải ra trên vùng năng lượng rộng
hơn (15 – 20 eV). Trái lại, các orbital 3d kém trải rộng trong không gian hơn nhiều.
Do đó, bề rộng năng lượng của dải năng lượng 3d tương ứng tương đối hẹp (4–7
eV). Trên thực tế, không thể nào phân biệt rõ ràng giữa các orbital 3d và 4s vì
chúng sẽ lai hóa mạnh lên nhau bên trong chất rắn. Tuy nhiên, để cho đơn giản, ở
đây sẽ sử dụng bức tranh hai dải này và các electron 3d sẽ được xem là kim loại
tính – tức là chúng là các electron linh động và có thể mang dòng điện chạy qua hệ,
mặc dù chúng vẫn kém linh động hơn nhiều so với các electron 4s.
Một khái niệm có nhiều ứng dụng trong lí thuyết chất rắn là mật độ electron
của các trạng thái (DOS), n(E), biểu diễn số electron trong hệ có năng lượng trong
khoảng (E, E + dE). Theo nguyên lí loại trừ đối với các fermion (trong trường hợp
này là các electron), một electron chỉ có thể chiếm giữ một trạng thái nhất định.Tuy
nhiên, mỗi trạng thái là thoái hóa đối với spin và do đó vừa chứa một electron có
spin up và chứa một electron có spin down. Ở trạng thái cơ bản, mọi mức năng
lượng thấp nhất đều được các electron lấp đầy và mức năng lượng chiếm giữ cao
nhất được gọi là năng lượng Fermi, EF. Trên hình 3 (trái), mật độ của các trạng thái
minh họa dạng giản đồ cho một kim loại 3d phi từ tính, đôi khi còn gọi là chất thuận
từ, trong đó số electron có spin up nhiều bằng số electron có spin down, tức là
không có sự từ hóa toàn phần. Cái gọi là độ phân cực spin, P,
[P = (N↑ - N↓)/(N↑ + N↓), trong đó N↑ (N↓) = số electron có spin up (down)] ở đây
bằng không.
Đối với chất sắt từ, N↑ nhiều hơn N↓, nên có một độ phân cực spin toàn phần,
P > 0. Để so sánh năng lượng ứng với trạng thái sắt từ với năng lượng ứng với trạng
thái thuận từ, người ta có thể bắt đầu với trạng thái thuận từ và cho phép một sự
thiếu cân bằng nhỏ ở số lượng electron có spin up và spin down. Sự di chuyển các
electron spin down từ dải spin down vào dải spin up đưa đến sự trao đổi năng lượng
nhiều hơn trong hệ, điều có nghĩa là làm giảm năng lượng toàn phần (có lợi). Mặt
khác, một quá trình như thế đòi hỏi sự di chuyển electron từ các mức spin down
dưới năng lượng Fermi ban đầu sang các mức spin up thích hợp nằm ngay trên năng
lượng Fermi ban đầu. Điều này tất yếu sẽ dẫn tới một sự thất thoát của năng lượng
dải, “động năng” và như thế là làm tăng năng lượng toàn phần (có hại). Như thế, có
một sự cạnh tranh giữa hai hiệu ứng ngược nhau. Điều này có thể được trình bày
như cái gọi là tiêu chuẩn Stoner cho từ học, được mang tên như thế khi

© hiepkhachquay Trang 10/21

I N(EF) > 1
thì hệ sẽ là sắt từ. Ở đây I gọi là thông số trao đổi Stoner và N(EF) là mật độ của các
trạng thái ở năng lượng Fermi. Thông số Stoner có một giá trị xác định cho từng
nguyên tố, còn N(EF) phụ thuộc nhiều hơn vào sự sắp xếp không gian tương đối lẫn
nhau của các nguyên tử (giống như cấu trúc tinh thể). Hơn nữa, và quan trọng nhất,
N(EF) có khuynh hướng cao đối với những hệ có các dải năng lượng hẹp như trong
trường hợp đối với các nguyên tố chuyển tiếp 3d nặng hơn (Fe, Co và Ni). Đây là
lời giải thích cho tính sắt từ ở các kim loại chuyển tiếp d.

Hình 3. Bên trái là giản đồ biểu diễn cấu trúc dải năng lượng của một kim loại chuyển tiếp d. Mật
độ N(E) của các trạng thái được biểu diễn tách rời đối với các electron spin up và down và trong
đó sự tách rời đơn giản hóa được thực hiện giữa các dải năng lượng 3d và 4s. Đối với trạng thái
phi từ tính, các dải năng lượng này giống nhau đối với cả hai loại spin. Mọi mức năng lượng dưới
năng lượng Fermi đều chiếm giữ các trạng thái (màu cam và màu lam). Các vùng tô màu (cam +
lam) tương ứng với tổng số electron hóa trị trong kim loại trên. Phía bên phải tương ứng là hình
minh họa cho một trạng thái sắt từ, với độ phân cực spin được chọn có hướng quay lên (N↑ > N↓,
diện tích vùng màu lam > diện tích vùng màu cam). Sự phân cực này được chỉ rõ bằng mũi tên
màu lam dày ở phía dưới hình bên phải.
Tình huống đối với sự phân cực spin sắt từ được minh họa ở phía bên phải
hình 3 (với hướng được chọn là hướng lên). Sự dịch chỗ theo phương đứng giữa các
mật độ spin up và spin down của các trạng thái minh họa cho năng lượng trao đổi
phân tách giữa các dải năng lượng spin up và spin down, phù hợp với các kim loại
Fe, Co và Ni. Đặc biệt, mật độ của các trạng thái ở năng lượng Fermi N(EF) bây giờ
có thể rất khác đối với hai dải spin. Điều này cũng có nghĩa là đối với chất sắt từ,
đặc trưng của trạng thái ở năng lượng Fermi hơi khác nhau đối với các electron spin
up và spin down. Đây là một quan sát quan trọng liên quan đến hiệu ứng GMR. Bức
tranh các dải năng lượng 3d này (phía bên phải hình 3) đối với các kim loại sắt từ
thường được gọi là mô hình thủy động, cũng còn gọi là mô hình Stoner-Wohlfarth.
Một tính chất quan trọng của các chất sắt từ là ở nhiệt độ cao từ tính của
chúng không còn. Hiện tượng này xảy ra ở một nhiệt độ cố định, gọi là nhiệt độ
Curie, TC. Đối với các hệ hiện nay (Fe, Co và Ni), các nhiệt độ tới hạn này cao hơn
nhiệt độ phòng nhiều và có thể không cần chú ý tới.
B. Điện trở
Dòng điện gồm các electron đi qua một hệ kim loại tính sẽ luôn luôn chiu
một điện trở R. (Ngoại trừ cái gọi là các chất siêu dẫn trong đó dưới một nhiệt độ

© hiepkhachquay Trang 11/21

nhất định, dòng điện có thể chạy qua mà không bị cản trở). Có một số lí giải cho
hiện tượng này. Trong tinh thể, các nguyên tử sẽ luôn luôn dao động (phonon) xung
quanh vị trí cân bằng của chúng, vì thế mà bị lệch khỏi các vị trí mạng hoàn hảo, và
các electron dẫn có thể bị tán xạ bởi những sự lệch này (tương tác electron –
phonon). Các nhân tố khác ảnh hưởng tới điện trở của kim loại là sự tán xạ của
electron chống lại sự không tinh khiết và khiếm khuyết trong tinh thể. Chỉ có những
electron tham gia vào quá trình dẫn điện là ở (hay rất gần) mức năng lượng Fermi.
Đối với các kim loại thuận từ, không có sự chênh lệch giữa số electron spin up và
spin down, và chúng góp phần như nhau vào việc gây ra điện trở.
Ngay vào năm 1936, ngài Nevil Mott đã xem xét sự dẫn điện của các nguyên
tố chuyển tiếp d. Ông cho rằng sự dẫn điện chủ yếu xác định bởi các electron 4s dễ
dàng linh động do vùng năng lượng rộng của các dải có được từ trạng thái 4s. Tuy
nhiên, trong quá trình tán xạ, các electron s có thể tán xạ vào nhiều trạng thái d có
sẵn ở mức Fermi. Do đó, chúng chịu sự tán xạ mạnh gây ra điện trở lớn. Mặt khác,
đối với Cu, nguyên tố nằm sau Ni trong bảng tuần hoàn hóa học, mọi trạng thái 3d
đều ở dưới mức Fermi và vì thế không sẵn sàng cho quá trình tán xạ. Điều này giải
thích độ dẫn cao một cách đặc biệt của Cu.
Vào những năm 1960 và 1970, Fert cùng với Campbell nghiên cứu ở mức độ
hết sức chi tiết sự dẫn điện của các chất sắt từ 3d. Họ tiến hành nghiên cứu ở quy
mô rộng sự biến thiên điện trở suất xảy ra khi những tập hợp thấp của các nguyên tố
hợp kim, như Cr và các kim loại chuyển tiếp khác, được đặt làm tâm tán xạ vào ví
dụ Fe và Ni. Từ những nghiên cứu này, họ có thể xác nhận ở một chất sắt từ như sắt,
có hai loại hạt mang điện, một loại gồm các electron spin up và loại kia gồm các
electron spin down. Vì mật độ của các trạng thái ở bề mặt Fermi hơi khác nhau đối
với hai trạng thái spin mà nó tuân theo nên có một sự chênh lệch đáng kể ở điện trở
đối với các electron spin up và các electron spin down. Cũng có thể có các nguyên
nhân gây ra điện trở từ quá trình tán xạ trong đó các spin bị đảo chiều. Chẳng hạn
hiện tượng này có thể do sự tán xạ chống lại các trạng thái spin hay từ sự ghép đôi
quỹ đạo spin. Tuy nhiên, các hiệu này là nhỏ và ở đây sẽ không chú ý tới. Như vậy,
bức tranh đang xuất hiện là dòng điện trong một chất sắt từ giống như sắt, cobalt và
nickel gồm các hạt mang spin up và spin down, chúng chịu sự cản trở hơi khác nhau.
C. Sự lớn lên của siêu mạng
Từ đầu thập niên 1970, sự phát triển trong vật lí học, hóa học và khoa học
vật liệu đã đưa đến những kĩ thuật thực nghiệm mới cho phép các nhà khoa học chế
tạo ra những vật liệu hoàn toàn mới lạ. Sử dụng cái gọi là sự tăng trưởng mọc ghép,
người ta có thể bắt đầu tạo ra các vật liệu nhân tạo gồm lớp nguyên tử này chồng
lên lớp nguyên tử trước. Những kĩ thuật được nêu ra vào lúc này ví dụ có thổi phù,
cắt laser, mọc ghép chùm phân tử và lắng hơi hóa học. Phương pháp mọc ghép
chùm phân tử đã được sử dụng hồi cuối thập niên 1960 để chế tạo các chất liệu bán
dẫn mỏng và cuối thập niên 1970 thì các lớp kim loại dày cỡ nano mét đã được chế
tạo. Kĩ thuật này ban đầu áp dụng cho các kim loại phi từ tính, nhưng sau đó cũng
áp dụng cho các chất kim loại sắt từ. Cùng lúc ấy, một số kĩ thuật đặc trưng cũng đã
được cải tiến lớn, ví dụ như khai thác hiệu ứng Kerr từ-quang (MOKE) và sự tán xạ
ánh sáng từ các sóng spin. Sử dụng các phương pháp này, người ta có thể nuôi
nhiều lớp kim loại,ví dụ như sắt, và nghiên cứu tính chất từ của chúng.

© hiepkhachquay Trang 12/21

 Để tạo ra những vật liệu xác định, việc chọn chất để nuôi kim loại trên đó có
tầm quan trọng to lớn. Các chất được sử dụng phổ biến là silicon, silicon dioxide,
magnesium oxide và nhôm oxide. Để thu được nhiều lớp kim loại có chất lượng,
điều quan trọng là các thông số mạng cho các lớp kim loại khác nhau phải phù hợp
với nhau (hình 4) và thật thuận lợi nếu như hai kim loại hình thành nhiều lớp có
cùng cấu trúc tinh thể. Đây là trường hợp đối với chromium và sắt, trong đó cả hai
kim loại đều sắp xếp theo cấu trúc tinh thể bcc (lập phương tâm khối) và ngoài ra
chúng còn có khoảng cách mạng rất giống nhau. Điều này thật quan trọng cho các
nghiên cứu mà nhờ đó giải Nobel Vật lí năm nay đã được trao cho nhóm của Fert và
Grünberg. Ngoài ra, cũng cực kì quan trọng là ngày nay người ta có thể nuôi nhiều
lớp trong đó khoảng cách không gian giữa các lớp từ tính vào bậc nano mét. Để
biểu hiện hiệu ứng GMR, quãng đường tự do trung bình đối với các electron dẫn
phải lớn hơn nhiều khoảng cách giữa các lớp sao cho các electron có thể truyền qua
các lớp từ tính và mang lại hiệu ứng GMR. Không có những kĩ thuật nuôi cấy thực
nghiệm mới, thì yêu cầu này không thể nào được thỏa mãn và hiệu ứng GMR sẽ
vẫn không được biết tới. Trong mối tương quan này, phải nhắc lại rằng, trong vài
công bố khoa học trước công trình của Fert và Grünberg, đã có những báo cáo quan
sát về hiệu ứng từ trở thật (vài cỡ vài phần trăm). Nhưng không có ai trong số họ
ghi nhận đó là một hiệu ứng mới.
D. Sự ghép giữa các lớp

Người ta đã biết từ lâu rằng những sự mất trật tự như các khiếm khuyết và
tạp chất trong những hệ kim loại trở nên được che chắn bởi các electron dẫn xung
quanh. Sự mất trật tự gây ra sự phân hủy các dao động mật độ electron là hàm của
khoảng cách tính từ tâm nhiễu (còn gọi là dao động Friedel). Tương tự, một nguyên
tử tạp chất từ tính ở lớp kim loại bao xung quanh gây ra sự phân cực spin cảm ứng
của mật độ electron. Với khoảng cách tăng lên tính từ tạp chất từ tính, sẽ có một dao
động về dấu của sự phân cực và sự mất trật tự cũng sẽ giảm độ lớn theo khoảng
cách. Hệ quả là moment từ một tạp chất thứ hai đặt tương đối gần với tạp chất thứ
nhất sẽ trở nên sắp thẳng hàng song song hoặc đối song với moment từ của tạp chất
thứ nhất và tùy thuộc vào dấu của sự phân cực cảm ứng ở khoảng cách đặc biệt đó.
Sự ghép đôi này (ghép trao đổi) giữa các moment từ (biểu diễn dạng giản đồ trên
hình 5) nổi tiếng với các kim loại đất hiếm trong đó mỗi nguyên tử có một moment
từ có nguồn gốc từ cấu hình điện tử liên kết rất chặt chẽ (và khu biệt) nằm sâu bên
trong nguyên tử đó. Thực tế thì tính chất từ của các kim loại lanthanide nặng hơn có
nguyên nhân từ tương tác này.

Như đã đề cập, gadolinium là một chất sắt từ, trong đó moment từ có nguyên
nhân từ các electron 4s khu biệt trên từng nguyên tử có cấu hình 4f 7. Nghĩa là, tất
cả các moment từ 4f đều hướng cùng chiều nhau và bao quanh những moment này
có 3 electron dẫn trên nguyên tử trung chuyển tương tác giữa các moment từ 4f.
Năm 1986, Majkrzak công bố nghiên cứu về một siêu mạng của Gd/Y/Gd, trong đó
họ công bố một moment từ đối song sắp thẳng hàng giữa các lớp Gd đối với trường
hợp 10 lớp đơn của Y. Điều này có thể hiểu từ chỗ là lớp Gd sắt từ cảm ứng một sự
phân cực spin dao động nằm trong kim loại Y phi từ tính bình thường và lớp Gd thứ
hai nằm ở khoảng cách mà liên kết phản sắt từ có ưu thế hơn. Trên thực tế, cùng lúc
ấy, Grünberg phát hiện một sự ghép đôi phản sắt từ giữa các lớp sắt đối với trường

© hiepkhachquay Trang 13/21

hợp 3 lớp Fe/Cr/Fe. Điều này có thể giải thích tương tự như trường hợp Gd/Y/Gd.
Tuy nhiên, cần nhận xét rằng, trong cả hai trường hợp, nhờ hình học, có những
đóng góp quan trọng cho sự ghép đôi trao đổi giữa các lớp từ sự giao thoa lượng tử
của các sóng electron phản xạ ở các lớp từ tính. Tuy nhiên, trong ngữ cảnh hiện tại,
có thể đủ kết luận rằng vai trò quan trọng của các electron của các lớp phi từ tính là
ở chỗ chúng cung cấp cơ chế ghép đôi giữa các lớp từ tính.

Hình 4. Hình minh họa một siêu mạng. Về cơ bản là tương tự như hình 1, nhưng bây giờ với độ
phân giải nguyên tử. Từ hình này, thật hiển nhiên là mạng ghép đôi không tương xứng giữa hai
chất cần phải nhỏ để có thể nuôi nhiều lớp với bề mặt chung có chất lượng.

Hình 5. Giản đồ minh họa cách hành xử của độ ghép trao đổi là một hàm của khoảng cách.

Bước tiếp theo là khảo sát sự phụ thuộc của độ ghép đôi vào chiều dày của
các lớp phi từ tính trung gian. Một vài nhóm nghiên cứu đã nhận ra sự thay đổi dấu
theo độ tăng chiều dày lớp phi từ tính, sự phụ thuộc của nó vào chất liệu phi từ tính
và cũng như sự phụ thuộc của nó vào chính chất liệu của lớp từ tính do Parkin chế
tạo. Thật ra, ở đây ông đã tận dụng hiệu ứng GMR làm công cụ nghiên cứu sự phụ
thuộc này. Với phương pháp này, người ta có thể tạo ra một số lượng lớn mẫu dưới
những điều kiện có thể so sánh được. Công trình nghiên cứu rộng rãi này thật quan

© hiepkhachquay Trang 14/21

trọng cho sự phát triển hơn nữa của hiệu ứng GMR thành một dụng cụ vận hành
được.

3. Từ trở khổng lồ

Điện trở của một dụng cụ GMR có thể hiểu từ hình ảnh có phần đơn giản hóa
sau đây. Hình 6 là giản đồ cấu hình từ cho nhiều lớp FM/NM/FM (sắt từ/phi từ
tính/sắt từ) được chế tạo với mật độ electron trạng thái tương ứng cho hai mặt sắt từ
(FM). Khi có mặt từ trường (ở phía trên), hai lớp FM tách nhau ra sao cho chúng có
hướng từ hóa ngược nhau. Khi có mặt từ trường, sự từ hóa của hai lớp FM sẽ song
song nhau (ở phía dưới). Bây giờ gửi một dòng điện qua hệ trong cả hai cấu hình.
Như vừa đề cập ở phần trên, dòng điện đi qua lớp FM gồm có hai loại – một dòng
spin up và một dòng spin down – và điện trở đối với hai dòng này sẽ khác nhau. Khi
một electron rời lớp sắt thứ nhất và đi vào kim loại phi từ tính, sẽ có những quá
trình tán xạ nữa gây ra thêm điện trở. Vì các hạt spin up và spin down có mật độ
trạng thái khác nhau ở mức Fermi (hay đúng hơn, chúng phát sinh từ các mức năng
lượng có đặc trưng khác nhau), điện trở không chỉ có trong lớp FM, mà còn phát
sinh từ lớp tiếp giáp FM/NM sẽ khác nhau đối với hai spin. Bên trong lớp NM, các
spin và down chịu cùng một điện trở như nhau, nhưng nói chung điện trở này thấp
so với điện trở trong các lớp FM các ranh giới FM/NM và ở đây có thể bỏ qua.

Hình 6. Giản đồ minh họa cấu trúc điện tử của một hệ ba lớp với hai lớp sắt từ (màu xanh lá nhạt)
ở hai mặt, cách nhau bởi một lớp phi từ tính (màu xám). Hình trên là cho trường hợp không có từ
trường ngoài (H = 0), tức là khi hai lớp từ tính có sự từ hóa ngược nhau (được chỉ rõ bằng mũi tên
dày màu lam và màu cam ở phía trên hình trên cùng). Hình dưới là cho trường hợp khi một từ
trường ngoài (H ≠ 0) buộc hai sự từ hóa song song nhau (hai mũi tên màu lam dày ở phía dưới của
hình dưới cùng. Độ lớn của bốn sự từ hóa là như nhau.

© hiepkhachquay Trang 15/21

 Khi các electron đi vào lớp sắt thứ hai, chúng sẽ một lần nữa chị sự tán xạ
phụ thuộc spin tại ranh giới NM/FM. Cuối cùng, các electron spin up và spin down
đi qua lớp sắt thứ hai với cùng điện trở như trong lớp sắt thứ nhất, tất nhiên chúng
vẫn sẽ khác nhau đối với hai spin. Nhằm đơn giản hóa, điện trở đối với các electron
spin up (down) đi qua lớp FM và tán xạ tại ranh giới với lớp NM sẽ được gọi là R↑ -
(R↓). Như vậy, khi hai lớp có sự phân cực spin (sự từ hóa) song song nhau, tức là
khi có mặt từ trường ngoài (H), điện trở đối với kênh spin up là 2 R↑ và đối với
kênh spin down là 2 R↓. Phép cộng bình thường các điện trở đối với cấu hình mạch
song song cho điện trở toàn phần, RH, như sau, khi có mặt từ trường ngoài:
RH = 2 R↑R↓/( R↑ + R↓).

Hình 7. Hệ vật lí giống như trong hình 6. Các lớp từ bây giờ được biểu diễn bởi các điện trở R↑ và
R↓. Hình cho thấy rất rõ ràng rằng điện trở toàn phần đối với hai trường hợp là khác nhau, tức là
có hiệu ứng từ trở. Trong trường hợp R↑ >> R↓, trên thực tế nó chỉ là khả năng thấp nhất trong số
bốn khả năng sẽ cho phép dòng điện đi qua. Trong hình dưới, với sự từ hóa song song, điện trở đối
với các electron spin up (spin down) sẽ là R↑ (R↓) trong cả hai lớp từ tính. Trong hình trên, với sự
từ hóa đối song, các electron spin up (spin down) sẽ có điện trở R↑ (R↓) trong lớp từ tính thứ nhất
phía bên trái. Trong lớp từ tính thứ hai, điện trở đối với electron spin up (spin down) sẽ là R↓ (R↑),
vì môi trường từ hóa ở đây ở đây trở nên ngược toàn bộ so với lớp thứ nhất.

Trong trường hợp không có từ trường ngoài (H), cấu hình đối với hai lớp từ
tính là đối song (phần trên hình 7). Trong trường hợp này, sự tán xạ trước tiên ở
phần bên trái của hệ nhiều lớp là giống hệt như trước đó đối với phần dưới của hình.

© hiepkhachquay Trang 16/21

Tuy nhiên, khi một electron sin up đi vào lớp FM thứ hai, tự nó sẽ ở vào tình thế lộn
ngược lại hoàn toàn, trong đó các điều kiện bây giờ là giống hệt như đối với
electron spin down ở lớp FM ban đầu. Như vậy, hạt spin up bây giờ sẽ chịu một
điện trở toàn phần R↑ + R↓. Hạt spin down sẽ bị tác động theo kiểu tương tự (nhưng
ngược lại) và điện trở của nó sẽ là R↓ + R↑. Điện trở toàn phần đến lúc này sẽ là
R0 = (1/2)(R↑ + R↓). Như vậy, sự chênh lệch điện trở giữa hai trường hợp (có hoặc
không có từ trường) sẽ là

∆R = RH – R0 = - (1/2) (R↑ - R↓)2/ (R↑ + R↓).

Như vậy, sự chênh lệch giữa R↑ và R↓ càng lớn thì từ trở âm càng lớn. Biểu
thức này cho thấy rõ ràng hiệu ứng từ trở phát sinh từ sự khác biệt hành vi điện trở
của các electron spin up và down.

4. Bán kim loại

Vì có từ trở đối với sự dẫn điện, nên rõ ràng hành vi của các electron ở mặt
Fermi (xác định bởi năng lượng Fermi) có tính hấp dẫn nhất. Mật độ phân cực spin
của các trạng thái (DOS) ở năng lượng Fermi càng lớn, N↑(EF) càng lệch xa khỏi
N↓(EF), thì người ta càng trông đợi hiệu quả mạnh mẽ hơn của hiệu ứng từ điện tử.
Ở khía cạnh này, một họ kim loại rất lí thú gồm cái gọi là các bán kim loại, một
khái niệm và de Groot và các cộng sự nêu ra. Một tính chất như thế sau đó đã được
Schwarz tiên đoán bằng lí thuyết cho CrO2 vào năm 1986. Tên gọi bán kim loại
phát sinh từ đặc điểm nổi bật là dải spin down là kim loại, còn dải spin up là chất
cách điện. Điều này được chỉ ra bằng giản đồ trên hình 8, và thật rõ ràng là có 100%
sự phân cực spin ở mức Fermi. Tiên đoán lí thuyết cho CrO2 sau này được xác nhận
bằng thực nghiệm.

Hình 8. Giản đồ minh họa mật độ trạng thái của CrO2 phi từ tính (trái) và sắt từ (phải). Như có thể
thấy ngay với trường hợp sắt từ (phải), các electron spin down (màu cam) nằm trong dải kim loại,
còn các electron spin up (màu lam) biểu hiện cấu trúc điện tử tương tự như chất cách điện. Sự
phân cực spin toàn phần được chỉ ra bằng mũi tên dày màu xanh.

© hiepkhachquay Trang 17/21

 Trên hình 9, chúng tôi biểu diễn hai DOS (spin up và spin down) cho trạng
thái sắt từ. Đối với ba lớp, trong đó hai lớp bán kim loại sắt từ với một lớp kim loại
phi từ tính ở giữa chúng, thật rất dễ dàng hiểu rõ cơ chế gây ra hiệu ứng GMR. Khi
sự từ hóa của hai bán kim loại là song song, sẽ có một dòng điện hình thành chủ yếu
bởi riêng các electron spin down. Tuy nhiên, đối với sự từ hóa đối song, kênh spin
down sẽ bị chặn hoàn toàn sự dẫn điện. Vì thế, một từ trường có khả năng chuyển
giữa hai cấu hình này sẽ gây ra một sự biến thiên lớn ở điện trở, tức là sẽ biểu hiện
một hành vi từ trở mạnh. Từ trở tăng cường đối với bán kim loại CrO2 đã được
Hwang và Cheong xác nhận bằng thực nghiệm.

Hình 9. Minh họa hiệu ứng từ trở đối với bán kim loại. Hai lớp bán kim loại sắt từ (màu xanh nhạt)
cách nhau bởi một lớp kim loại phi từ tính (màu xám). Khi không có mặt từ trường ngoài (H = 0),
hai lớp sắt từ có sự phân cực spin đối song (các mũi tên dày màu lam và màu cam ở phía trên). Khi
có mặt trường ngoài (H ≠ 0), hai lớp sắt từ có sự phân cực spin song song (hai mũi tên dày màu
lam ở hình bên dưới). Như có thể nhận ra ngay, sẽ không có dòng điện nào cho trường hợp hình
trên. Đối với trường hợp hình dưới, sẽ chỉ có dòng spin down.

5. Từ trở chui hầm

Một biến thể khác của nhiều lớp trong ngữ cảnh bây giờ là nuôi các chất xếp
thành lớp với sự xen kẽ giữa các lớp kim loại và cách điện. Ở đây, lớp cách điện sẽ
là những lớp chỉ dày vài nguyên tử sao cho có một khả năng lớn cho các electron có
thể chui hầm cơ lượng tử qua hàng rào cách điện (hình 10). Theo kiểu này, dòng
điện có thể đi qua nhiều lớp. Công bố đầu tiên về một hệ như thế đã được thực hiện
bởi Julliere. Công trình này được thực hiện đối với một tiếp giáp ba lớp có cấu trúc
như sau: Fe/Ge vô định hình/Co. Các thí nghiệm được tiến hành ở nhiệt độ thấp và
báo cáo cho biết hiệu ứng xảy ra khoảng 14%.

© hiepkhachquay Trang 18/21

 Hình 10. Minh họa cho từ trở chui hầm (TMR). Hai lớp sắt từ cách nhau
bởi một lớp cách điện (i = dòng electron).

Nghiên cứu tiếp theo thuộc loại này được thực hiện bởi Maekawa và Gäfvert.
Họ nghiên cứu các tiếp giáp thuộc loại Ni/ NiO/ FM, trong đó FM là kí hiệu tắt cho
Fe, Co hay Ni. Từ trở mà họ tìm được vào cỡ vài phần trăm, một lần nữa lại ở nhiệt
độ thấp. Hai công bố này về cơ bản vẫn bị bỏ qua suốt một thời gian dài. Thật vậy,
chỉ sau khám phá của Fert và Grünberg, thì sự chú ý mới lại tập trung vào những
loại hệ này. Đột phá đến vào năm 1995 khi hai nhóm nghiên cứu báo cáo sự tiến bộ
đáng kể. Theo đó, Moodera và nhóm của ông đã đo các lớp chui hầm CoFe / Al2O3
/Co (hay NiFe) và nhận thấy điện trở biến thiên 27% ở 4,2 K và 12% ở nhiệt độ
phòng. Tương tự, Miyazaki Tesuka sử dụng tiếp giáp Fe / Al2O3 / Fe và nhận thấy
điện trở biến thiên tương ứng 30% và 18% ở 4,2 K và nhiệt độ phòng. Ngày nay,
phổ biến hơn, người ta tìm thấy sự biến thiên cỡ 50% ở nhiệt độ phòng. Giá trị này
thật sự cao hơn sự biến thiên điện trở tìm thấy ở các chất GMR “chuẩn”. Gần đây,
các hàng rào Fe/MgO/Fe đã biểu hiện giá trị TMR đôi khi vượt quá 200%.

Do hiệu suất tốt hơn của các lớp tiếp giáp chui hầm từ tính, người ta trông
đợi chúng trở thành chất được chọn khi tiến tới những ứng dụng kĩ thuật. Việc sử
dụng chúng cùng với các bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên từ tính ổn định (MRAM) có
sức hấp dẫn lớn và các hệ MRAM dựa trên TMR đã có mặt trên thị trường. Người
ta trông đợi công nghệ trên nền tảng TMR sẽ trở nên thống trị các bộ cảm biến
GMR. Tuy nhiên, việc khám phá ra hiệu ứng GMR đã đặt nền tảng cho công nghệ
TMR.

6. Từ trở khổng lồ

Việc khám phá ra hiệu ứng GMR đối với nhiều lớp từ tính đã gây ra sự hứng
thú ngày càng tăng trong việc tìm kiếm những hiệu ứng liên quan giữa các khối chất

© hiepkhachquay Trang 19/21

liệu. Từ đó, von Helmolt và nhóm nghiên cứu của ông tìm thấy hiệu ứng từ trở còn
lớn hơn GMR ở các chất manganese perovskite nhất định. Những chất này đôi khi
còn được gọi là hệ hóa trị ổn định. Jin và các cộng sự cũng tìm thấy những hiệu ứng
này, trong đó điện trở biến thiên trong từ trường ngoài đặt vào có thể cao hơn GMR
vài bậc độ lớn. Vì thế, hiệu ứng quan sát thấy trở nên nổi tiếng là hiện tượng từ trở
khổng lồ (CMR). Những hệ lạ thường này biểu hiện nhiều tính chất hiếm có rất
phong phú, trong đó sự tương quan electron giữ vai trò rất trọng yếu. Tuy nhiên,
không chắc chắn chúng sẽ trở nên có sức hấp dẫn về mặt công nghệ, chủ yếu vì từ
trường yêu cầu rất cao.

7. Những phát triển mới đây

Ở đây, chúng ta sẽ chỉ đề cập đến một vài trong số rất nhiều lĩnh vực nghiên
cứu khác nhau miêu tả khuynh hướng gần đây hơn về các chất spin và ứng dụng của
chúng. Một lĩnh vực như thế, chẳng hạn, là chất bán dẫn từ tính, trong đó nhóm của
Ohno đã chứng minh tiềm năng của những chất như thế, sử dụng chất bán dẫn
(Ge, Mn) As.

Một lĩnh vực khác là bơm spin. Ở đây sẽ nhắc tới nghiên cứu ban đầu do
Johnson thực hiện về các hệ kim loại. Bơm spin từ một chất sắt từ kim loại vào một
chất bán dẫn đã được Zhu và Hanbicki thực hiện thành công, sử dụng Fe và GaAs.

Bơm spin từ một chất bán dẫn từ tính sang một chất bán dẫn phi từ tính được
trình bày bởi Ohno và bởi Fiederling. Câu hỏi các electron bị phân cực spin có thể
truyền đi bao xa trong một chất đồng thời vẫn giữ được sự phân cực spin của chúng
có tầm quan trọng to lớn và là công trình nghiên cứu đầy hứa hẹn đã được báo cáo
bởi Awshalom và các đồng sự của ông.

Xu hướng nghiên cứu rất mạnh hiện nay đang hướng tới sự chuyển mạch từ
tính bằng dòng spin. Hứng thú này bắt đầu từ hai bài báo lí thuyết, trong đó chỉ ra
rằng một dòng spin đi qua một đa lớp từ tính có thể dẫn tới sự từ hóa đảo ngược.
Tiên đoán này sớm được xác nhận bằng thực nghiệm. Việc nhận thức dòng điện
cảm ứng các chuyển động giếng domain hình thành nên cơ sở cho một “Bộ nhớ
Đường đua” từ tính

8. Nhận xét kết luận

Khám phá bởi Albert Fert và Peter Grünberg về từ trở khổng lồ (GMR) rất
nhanh chóng được cộng đồng khoa học công nhận. Nghiên cứu từ học trở nên phù
hợp với nhiều triển vọng khoa học và công nghệ mới đa dạng. GMR là một thí dụ
tuyệt vời cho thấy một khám phá khoa học cơ bản bất ngờ có thể nhanh chóng mang
lại những công nghệ mới và sản phẩm thương mại như thế nào. Việc khám phá ra
GMR đã mở ra cánh cửa tiến vào một nền khoa học mới, đó là từ điện tử học (hay
công nghệ spin), trong đó hai tính chất cơ bản của electron, được đặt tên là điện tích
và spin của nó, được khai thác đồng thời. Công nghệ nano đang xuất hiện là điều
kiện tiên quyết cho khám phá ra GMR, ngày nay từ điện tử học đang ở trong giai
đoạn chuyển mình của nó với tư cách là một động lực cho những ứng dụng mới của
công nghệ nano. Trong lĩnh vực này, những thách thức khoa học và công nghệ gay

© hiepkhachquay Trang 20/21

gắt và đầy hào hứng trở thành sự tiến bộ ngày càng mạnh mẽ và hòa quyện vào
nhau.
hiepkhachquay dịch
theo nobelprize.org
An Minh, 15/10/2007, 17:43:31

Tài liệu download tại http://www.thuvienvatly.com

© hiepkhachquay Trang 21/21