FET=FIELD EFFECT TRANSISTOR A vezrelt ram soha nem halad t a PN tmeneten.

A FET vezrlshez rendkvl kicsi ram szksges (n*nA), gyakorlatilag 0 (gyors vezrlshez ram is kell). COLLECTOR = D RAIN =nyel EMITTER = S OURCE =forrs BASE = G ATE =kapu IG =Insulated Gate (elszigetelt kapu) MIS=Metal Insulator Semoconductor (fm szigetel flvezet) MOS=Metal Oxid Semoconductor (fm oxid flvezet) JFET (Zrrteges)

A JFET: egy "n" tpus kristlyt kt "p" tpus zna fog kzre. A klnbz tpus znkat fel lehet cserlni. Az "n" tpus kristly kt vgpontjra az S s a D kivezetsek csatlakoznak, s a "p" znk egy G kivezetssel rendelkeznek. AZ elrendezsekre kapcsolt tpfeszltsgek hatsra a "pn-np" hatrokon n. zrrteg alakul ki, melyben a tltshordozk nem tartzkodhatnak, gy a S-D irny tltshordoz-ramls csak a semleges csatornn keresztl valsulhat meg. Ha a G-S kztti Ugs feszltsg negatvabb vlik, akkor a zrrtegek kiszlesednek, s a csatorna beszkl, miltal ellenllsa nvekszik, azaz az Ugs-sel a csatornn foly Id ramot vezrelni tudjuk. A vezrlskor vezrlram gyakorlatilag nem folyik, csupn a feszltsg vltozik, emiatt a vezrls teljestmnyt nem ignyel. Az Ugs feszltsg nem lehe pozitv, mivel ilynekor a zrrtegek nem alakulnak ki s a fenti mkds nem jhet ltre. A zrrteges FET-eket elterjedten alkalmazzk analg integrlt ramkrkben s diszkrt erst kapcsolsokban, kihasznlva a rendkvl nagy bemeneti-ellenlls adta elnyket. MOSFET (Szigetelt kapzelektrds)

Mivel az "n" s "p" rtegeket felcserlhetjk, mert mkdsk csak minimlisan tr el, ezrt csak az egyiket targyaljuk. Nvekmnyes MOSFET

Egy "p" tpus hordozn (n. szubsztrton) kt "n" tpus 'zseb' van kialaktva, melyek az Shez illetve a D-hez csatlakoznak.Az egsz egyttest egy oxid (SiO2) szigetel vlasztja el a Ghez csatlakoz fmlemeztl (Al). A "p" s "n" szerepe itt is felcserlhet. A szubszttot nha kln kivezetik, nha az S-sel eleve sszektik. Az S s D kztt mindaddig nem folyik ram, mg a G, S-hez kpest pozitv feszltsget nem kap. A pozitv Gate-feszltsg a szubsztrtban elektromos ert hoz ltre, minek kvetkeztben tmegeloszls alakul ki. Az elektronok, a pozitv G vonzsa kvetkeztben, a szigetel mentn az S s D zsebek kztti trrszben feldsulnak s egy "n" tpus vezet csatornt kpeznek. A csatorna vezetkpessge, s ezzel a Source-Drain kztti Id ram az Ugs kztti feszltsggel vezrelhet. A vezrls teljestmnyt nem ignyel. Egy bizonyos Ugs alatt a csatorna nem jn ltre, ez a feszltsg a kszbfeszltsg (Up pinch-off). Kirtses MOSFET

Hasonl a mkdse a nvekmnyes MOSFET-hez, mert a gyrts sorn az S s D szigetek kz enyhe "n" szennyezettsg flvezett integrlnak. Ilyenkor Ugs=0 esetn mr ltezik bizonyos mrtk "n" tpus csatorna,gy S s D kztt mr ram is folyhat, s az Up lezr feszltsg balra toldik a negatv tartomnyba.

nvezet FETek: JFET, Kirtses MOSFET (UGS=0 esetn van ID) nzr FETek: nvekmnyes MOSFET (UGS=0 esetn nincs ID)