Zapiski s predavanj pri predmetu

SENZORJI

FERI Maribor univerzitetni program, 3. letnik

Osnove delovanja senzorjev in pripadajoa merilna vezja



Dr. Denis onlagi, izredni profesor

2. Osnove delovanja senzorjev in pripadajoa merilna vezja
V nadaljevanju bomo spoznali nekatere osnovne fizikalne principe za pretvorbo neelektrinih veliin v elektrine ter osnovna merilna in prilagoditvena vezja.
To poglavje bo osnova za razumevanje ostalih poglavjih v katerih si bomo ogledali uporabo razlinih fizikalnih principov za izvedbo posameznih senzorjev in
merilnih pretvornikov.
2.1 Ohmaska merilna tipala
2.1.1 Princip delovanja
Upornost vodnika tipala lahko opiemo kot
R
l
A
l
A
= =

(1)
pri tem je l dolina vodnika/tipala, A preni presek ter specifina upornost in specifina prevodnost.
e elimo zgraditi uporovno merilno tipalo lahko na upornost vplivamo na dva naina:
- z mehanino spremembo fizinih dimenzij elementa, to je s spremembo doline l in/ali preseka A ali fizine konfiguracije elementa
- s spremembo prevodnosti oziroma specifine upornosti
Ohmask merilna tipal so obiajno zgrajen iz trnih snovi (kovin in polprevodnikov). Nekatere izvedbe temeljijo tudi na uporabi tekoin za merilni medij.
Posebno podroje senzorike, ki ga pa ne bomo obravnavali in temelji na meritvah prevodnosti pa so kemijski in bio-kemijski senzorji.


2.1.2 Primeri uporabe
Senzorji na osnovi spremembe fizinih dimenzij oz. konfiguracije:
Poznamo razline izvedbe uporovnih merilnih tipal, ki temeljijo na mehaninih spremembah dimenzij. V to skupino sodijo npr. kovinski merilni trakovi s
katerimi merimo raztezke objektov, npr. v industriji, gradbenitvu, itd. Dopustne mehanske deformacije tovrstnih elementov niso velike (obiajno precej pod
1%), saj bi drugae trajno spremenili (pokodovali) senzorski element. Zaradi tega, so majhne tudi relativne spremembe upornost, kar narekuje uporabo
ustreznih prilagoditvenih vezij.
Zelo razirjene so tudi razline oblike merilnih tipal, ti slonijo na spremembi konfiguracije uporovnega elementa. Najznailneji primeri so npr. merilni
potenciometri in diskretni stikalni elementi, kot so npr. konna stikala. Za tovrsten senzorje oz elemente je znailno, da dosegajo velike relativne spremembe
upornosti, zato je prilagoditev enostavna.
Senzorji na osnovi spremembe upornosti (prevodnosti):
Sprememba prevodnosti (oz. upornosti) je lahko posledica kvantno-mehanskih ali elektro-kemijskih procesov. Tako poznamo celo vrst fizikalnih in keminih
pojavov, s pomojo katerih lahko izvrimo meritve oz. pretvorbo iz neelektrinih v elektrine veliine.
Znailni primeri senzorjev na osnovi kvantno-mehanskih pojavov so npr.: uporovni termometri (kovinski, polprevodniki), magneto-uporovni senzorji,
polprevodniki merilni trakovi, foto-upori in foto-detektorji, itd.
Znailni primeri senzorjev, ki temeljijo na elektrokemijskih pojavih so npr. uporovni merilnik vlanosti, pH-metri, nekateri kemijski senzorji (npr. roni
merilnik krvnega sladkorja), itd.
Slika 1 predstavlja nekatere primer in simbole uporovnih merilnih tipal ter nakazujejo monosti njihove uporabe.


Slika 1: Simboli nekaterih uporovnih merilnih tipal:
a premino ali vrtljivo uporovno merilno tipalo;
b kovinski ali polprevodniki merilni trak;
c uporonvni termometer pozistor PTC upor s pozitivnim
temperaturnim koeficientom;
d - uporovni termometer termistor NTC upor z negativnim
temperaturnim koeficientom
e - Fotoupor
f - Fotodioda
g - sklopni element (diskretni)

2.1.3 Temperaturni vpliv posebne problem uporovnih merilnih tipal
Pri uporovnih tipalih moramo biti posebej pozorni na temperaturno odvisnost. Spremembo upornosti zaradi npr. raztezka (ali kaknega drugega vpliva vplivne
veliine) namre ne moremo loiti od spremembe upornosti zaradi temperature. Temperaturni vplivi so tako zelo izraeni v primerih tipal, kjer je sprememba
upornosti zaradi vplivne veliine majhna, ali pa pri polprevodnikih merilnih tipalih kjer je sprememba upornosti zaradi spremembe temperature zelo velika.
Specifina upornost je za kovine priblino premo sorazmerna s temperaturno in jo v splonem lahko opiemo z izrazom:

R R o 0 = + 1 20
b g
0 20 20
kjer je: R
20
- upornosti pri 0 = 20 C,
o
20
temperaturni kolinik in
0 - temperatura.
o
20
znaa za baker npr. 4.3x10^-3 K^-1. e segrejmo bakreni vodnik za 100 C se mu upornost povea skoraj za 50%! 0-100 C je tipino delovno
temperaturno obmoje za industrijske merilne pretvornike.
Razmere so e slabe v primeru polprevodnikih merilnih tipal, kjer naraa prevodnost eksponentno z absolutno temperaturo.
V veliki veini primerov je zato potrebno uporovna merilna tipala zgraditi tako, da kompenziramo temperaturne vplive. V mnogih primerih lahko to doseemo
z pravilno fizino vgradnjo tipal in ustreznimi merilnimi vezji, kar si bomo ogledali na kratko v nadaljevanju.
2.1.4 Merilna vezja z uporovnimi merilnimi tipali
Analogna uporovna merilna tipal sreamo v razlinih konfiguracijah:
- napetostni delilniki
- mostina merilna vezja
- ohmska merilna tipala

2.1.4.1 NAPETOSTNI DELILNIKI IN PRIPADAJOA MERILNA VEZJA
Napetostni delilnik je uporovni element s tremi prikljuki. Skupna upornost R1 + R2 (slika 2) je vseskozi stalna, pod vplivom zunanje veliine pa se spreminja
razmerje upornosti R1/R2. Najznailneji in najpogosteji primer napetostnega delilnika je potenciometer.
Napetostnemu delilniku (slika 2) dovajamo napajalno napetost U
0
na sponki med katerima je upornost konstantna. Napetost merimo med tretjo sponko in eno
od sponk, na katere smo prikljuili napajalno napetost. V primeru linearnega potenciometra je izhodna napetost tako premo sorazmerna z odmikom (oziroma)
poloajem drsnika (tretje prikljune sponke) - slika 2.
R R


Slika 2: Obremenjeni delilnik napetosti s skupno upornostjo R
0
prikljueno na napajalno napetost U
0
in bremensko upornost R
3
:

Neobremenjen napetostni delilnik
Za neobremenjen napetostni delilnik ( ) velja R
3
=
U
U
R
R
x
2
0
2
0
= =
U
(1)
Karakteristika R
2
je pri tem linearna (slika 2c) .
2
~
Tipalo, ki je konfigurirano kot napetostni delilnik torej ni obutljivo na spremembe temperature, saj se sorazmerno s temperaturo spreminjata obe upornosti,
njun kvocient pa je vseskozi enak.

Karakteristika obremenjenega napetostnega delilnika
V primeru, da prikljuimo na delilnik breme R
3
velja:
U
U
R R R R
23
2 3 2 3
=
+
+
/
/
b g
b g
R R
2 3
+ b g /
R R R R R
0 1 2 3 2 3
+
(2)
Pri linearnem napetostnem delilniku z upornostjo R
0
in napajalno napetostjo U
0
(slika 2) se poloaj drsnika x spreminja v podroju x = 0 ... 1. elimo doloiti
razmerje napetosti U
23
/U
0
v odvisnosti od x v primeru obremenjenega delilnika.
e delimo izraz (2) z R
3
dobimo:
U
U
R
R R R
23
0
2
1 2 3
1
=
+ + b g
R x R R x
2 0 1
1 = = . in b g
R
2
. (3)
Napetost U
23
sedaj ni premo sorazmerna z upornostjo R
2
. Z upotevanjem razmerja: R
0
sledi:
U
U x x R R
0 0 3
1+
x
23
2
=
c h
(4)
Za lajo obravnavo uvedemo faktor obremenitve c
R
R
=
3
0
in dobimo:
( )
23
2 2
x cx
0
1 /
U
U c x x c
= =
x x + +
. (5)
Primer nelinearne karakteristike je na sliki 2c.
Tipali in breme se ponavadi nahajata fizino na razlinih mestih in s tem na razlinih temperaturah. Tipalo in breme sta obiajno narejena iz razlinih
materialov, zato izkazujta razlino temperaturno odvisnost. Faktor c in s tem izhodna napetost sta zato temperaturno odvisna. Obremenjen delilnik zato ni
imun na temperaturne vplive.

Relativni pogreek napetosti zaradi obremenitve
Relativni pogreek napetosti zaradi obremenitve lahko izrazimo kot:
F
U U cx
x
x x
ur
= = =

23 2
2
3 2
2
.
R
3
>>

U U c x x c x x + +
0 0

Majhen relativni pogreek napetosti in s tem tudi linearizacijo karakteristike napetostnega delilnika, doseemo s tem, da zagotovimo R
0
(oziroma I
3
<<
I
0
kar pomeni C
0
R
3
100 > I
0
100 > ) F
u
< 0 15%. ,
R
i
R
R
=
3
).
V praksi pogosto zagotovimo, da je R
0
(oziroma I
3
kar zagotavlja S tem omejimo tudi temperaturne vplive to te mere,
ko postanejo zamerljivi.

2.1.4.2 MERILNI MOSTII IN PRIPADAJOA MERILNA VEZJA
Mostina vezja uporabljamo tedaj, kadar je sprememba upornosti merilnega tipal pod vplivom merjene veliine majhna.
Zaradi poenostavitve izrauna vezij vpeljemo naslednje predpostavke oziroma priblike:
- Vir napajalne napetosti na sliki 3 ima zanemarljivo majhno upornost ~ 0
R R
5 1
>> ...
in konstantno napetostjo U
0
.
- Diagonalna upornost R
5
je zelo velika R
v
.


Slika 3: Uporovno mostino vezje
U0 - vir napetosti z
Ri - notranjo upornostjo;
R1 ... R4 - mostine upornosti;
R5 - mostina diagonalna upornost.

Izraun diagonalne napetosti U
5
Izraun bomo opravili za mostiek s slike 3, pri tem bomo vpeljali doloene priblike.
Za diagonalno napetost U
5
velja:
U
5
= U
1
- U
3
.
Oba neobremenjena delilnika napetosti imata delne napetosti:
U U
R
R R
U U
R
R R
1 0
1
1 2
0
3
3 4
=
+
=
+
in
3
.
Tako je diagonalna napetost

U U
R R R R
1 2 3 4
=
+

+
R R
5 0
1 3
1 4 2 3 1 2 3
. . ali / /
. (6)
V nadaljevanju si bomo ogledali dve metodi, ki jih uporabljamo pri mostinih vezjih:
- nielno metodo in
- odklonsko metodo
NIELNA METODA
Bistvo nielne metode je v tem, da se nastavimo znane upore (to je obiajno ena veja merilnega mostia) tako, da je diagonalna napetost enaka ni, nato pa iz
vrednost znanih uporov sklepamo na upornost merilnega tipala.
Ta metoda je danes redka in je bila v uporabi predvsem v odboju pred iznajdbo integriranih ojaevalnikov. Tu in tam jo sreamo e danes.
Mostiek bo uravnoveen (U
5
= 0), kadar velja

4
R R R R R R R R = =
. (7)

Poznamo ve nainov za uravnoveanje mostia:
Merilni mostiek z dodatnimi upori
Da doseemo laje in bolj tono uravnoveanje mostia (zlasti ko so spremembe upornosti merilnega tipala majhne), vkljuimo v vezje dodatna upora R
E3
in
R
E4
zaporedno z nastavitvenim uporom R (potenciometrom), kot kae slika 4.

Slika 4

e je drsni upor (potenciometer) linearen in e tejemo poloaj drsnika x od njegovega srednjega poloaja, dobimo za mostine upornosti naslednja izraza
R R R
x
3 3
1
2
= +
+
(8)
E
R R R
x
4 4
1
2
= +

E
d R in
. (9)
Merilno podroje za upor R
1
se tako nahaja v mejah me
1min
R
1max
. Za spodnji poloaj drsnika (poloaj ob R
E4
), dobimo x = + 1 in maksimalno
vrednost R1 znaa:
R R
1 m
R R
R
ax
E
E
=
+
2
3
4
(10)
Za zgornji poloaj drsnika (poloaj ob R
E3
), dobimo z x = -1 in minimalna vrednost R
1
znaa: R R R R
R R
R
1 mi
E
=
3
R R
n
E
+
2
4
. (11)
Opisana nielna metoda z ronim nastavljanjem je uporabna le za statine meritve.
Samonastavljivi (avtomatski) merilni mostiek
Nastavitev mostia, pa je mono dosei tudi na avtomatski nain.
Na primer, diagonalna napetost U
5
je prikljuena na ojaevalnik (z visokim ojaanjem), ojaevalnik pa poganja motor, ki nastavlja poloaj potenciometra -
slika 5. V bistvu gre za kompenzacijsko metodo. Diagonalna napetost tako preko ojaevalnika krmili motor M, tako dolgo dokler s premikom upora R ni
doseeno ravnoteje U
5
= 0 (motor se ustavi). Odklon upora R ustreza spremembi merilnega upora. Danes tovrstnega sistema ne najdemo ve v praktini rabi.
Z razvojem digitalnih potenciometrov, npr. tak znailen low-cost primer je AD5160 slika 6, je mona realizacija samonastvljivega mostia na uinkovit in
cenen nain. Znailna loljivost dananjih digitalnih potenciometrov je 256 bitov, lahko pa priakujem da se bodo v kratkem pojavili na trgu tudi ceneni
potenciometri z vijo loljivostjo.


Slika 5: Samonastavljivi mosti

Slika 6: Digitalni potenciometer AD5160
ODKLONSKA METODA
Pri odklonski metodi uporabljamo mostino vezje, kjer merimo analogno napetost z izhodnim instrumentom I, kot kae slika 7. Pri tem ne spreminjamo
vrednosti uporov mostia z izjemo zaetne kalibracije oziroma zaetnega uravnoveanja.
Odklonska metoda je najpogosteje uporabljana metod za merjenja majhni sprememb upornosti merilnih tipal. Obiajno uporabljamo ve tipal, katerim se pod
vplivom vplivne veliine spremeni upornost na enak nain (npr. povea) ali nasproten nain (npr. enemu tipalu povea drugem zmanja). Z pravilno uporaba
ve tipal lahko doseemo tudi dobro temperaturno kompenzacijo.
V odvisnosti od razpololjive konfiguracijo tipal in predznaka spremembe upornosti posameznih tipal, lahko sestavimo razline konfiguracije merilnih
mostiev:
- etrtinski
- polovini
- dvoetrtinski in
- polni mosti.
Izhodna napetost, statina karakteristika in temperaturna odvisnost merilnega pretvornika so tako odvisne od konfiguracije mostia oziroma tevila
uporabljenih merilnih tipal.

Zaetna kalibracija
Pri odklonski metodi pripeljemo mosti pred meritvijo (npr. v procesu kalibracije pretvornika) na nielno vrednost. To storimo z nastavitvijo uporov R
1
... R
4
.
V primeru kadar to ni mogoe, mostiek opremimo z nastavitvenima uporoma R
a
in R
c
slika 7. e potrebujemo relativno nastavitveno podroje na primer v
velikostnem razredu 1 % izberemo R R > 25 pri emer je R = R
c 3
= R
4
. Za linearno nastavitev mora biti R
a
<< R
c
. Dodatni upori lahko vplivajo na
obutljivost mostia, e so povezovalni vodniki dolgi, pa lahko vnaajo tudi dodatne motnje.

Slika 7: Odklonska metoda

etrtinski mostiek
Pri etertinskem mostiu (quarter - bridge circuit) se pod vplivom merjene veliine spreminja le ena upornost v mostiu. Ostali trije upori so konstantni.
V nadaljevanju bomo izraunalni diagonalno napetost U
5
etrtinskega mostia, ki je predstavljen na sliki 8, brez upotevanja nastavitvenih uporov.
Predpostavimo, da se pri merjenju zaradi sprememb merjene fizikalne veliine spremeni merilni upor na vrednost R
1
. To povzroi spremembo
napetost na uporu R
R R
1
'
= + A
R R
1 1
'
= + A
1
iz U
1
na U
1
'
. Mosti tako ve ni uravnoveen, zato dobimo na diagonalno napetosti U
5
, ki je razlina od 0.
e privzamemo
R
1

velja
U U
R
R
5 0
3
3 4
=
+
R R
R R R R
1 1
1 1 2
+
+ +

F I
K
J
A
A H
G
(12)
oziroma
U U
R R R R R R
5 0
1 1 1 2 3 4
1
=
+ + +
R R R
R
1 1 1
3
1+

L
N
M
M
O
Q
P
(13)
P
A
A
/
/
b g
b g
z uvedbo oznake A A = R R
1 1
/ .:
U U
5 0
1 2 3 4
=
R
R R
R
R R
1
3
1
1
+
+ +

+
L
N
M
M
O
Q
P
P
A
A
b g
b g
. (14)
e predpostavimo, da izhajamo iz uravnoveenega simetrinega mostia in velja za upore R
1
= R
2
= R
3
= R
4
= R ter R
1
' = R + AR, potem lahko zapiemo
diagonalno napetost v obliki:
U U U
R
R R
5 0 0
1
2 4 2
=
R R
R R R
R
R R
U
R R
R R
0
2
+
+ +

+
F
H
G
I
K
J
=
+
+

F
H
G
I
K
J
=
+
A
A
A
A
A
(15)
A
e domnevamo, da so spremembe upornosti majhne AR R << , dobimo kot priblino reitev za mostino diagonalno napetost:

U
R
R
U
5 0
1
4
~ . .
A
. (16)
V primeru da se merilna upornost R
1
zmanja (torej R A ), dobimo negativno vrednost diagonalne napetosti. R R
1
'
=
U f
5
=
'
d i
Velike spremembe merilne upornosti R
1
imajo za posledico nelinearno karakteristiko R
1
, ki je prikazana na sliki B - 6b.

Slika 8: etrtinski mosti in statina karakteristika
Polovini mostiek
Pri polovinim mostiu povzroi merjena fizikalna veliine simetrino spremembo dveh uporov (slika 9). Pri tem se upornost prvega upora povea za AR,
upornost drugega pa zmanja za AR. Tako se na primer spremeni R
1
na vrednost R R R
'
= + A in R
1 2 2
na vrednost R R R
'
. = A Enako bi se lahko spreminjale
upornosti R
3
in R
4
, R
1
in R
3
ali R
2
in R
4
.
V nadaljevanju bomo izraunali diagonalno napetost U
5
polovinega mostika (half - bridge circuit) predstavljenega na sliki 9. Predpostavimo, da je mostiek
pred zaetkom meritve uravnoveen in simetrien in da velja R
1
= R
2
= R
3
= R
4
= R.

Slika 9: Polovini mosti in statina karakteristika
Za diagonalno napetost velja:
U U U U
R
R R
R
R R
5 1 3 0
1
1 2
3
3 4
= =
+

+
F I
H
G
K
J
'
'
' '
R R
1
'
= + R R
2
'
=
. (17)
e upotevamo R
1
= R
2
= R
3
= R
4
= R , R A in R. A dobimo:

U U
R R R R R
U
R R
U
0 0.
2 2 2 2
=
+ +

H
G
R R R R R R
5 0
1 1 + F I
K
J
=
+

H
G
F I
K
J
=
A A
A A A
.

(18)
Diagonalna napetost U
5
se pri poljubno velikih nasprotno se spreminjajoih upornostih spreminja linearno z R
1
' (slika B-7b), obutljivost pa je dvakrat
veja kakor v primeru etrinskega mostia.
e je temperaturni vpliv na oba senzorja enak, bo imela sprememba upornosti obeh uporov enak predznak (npr. R +AR) in temperaturni vpliv bo
popolnoma kompenziran.

Dvoetrtinski mostiek
Dvoetrtinski mosti je podoben polovinemu mostiu, le da se upornosti spreminjata simetrino in z enakim predznakom. Vplivna veliina hkrati povea (ali
zmanja) upornosti dveh uporov v merilnem mostiu za enak iznos. Upori, ki se spreminjajo se morajo nahajati na diagonalah mostia (diametralna
postavitev), torej mone so kombinacije R
2
in R
3
ter R
1
in R
4
.
Sedaj elimo izraunati diagonalno napetost U
5
predpostavimo, da velja R
1
= R
2
= R
3
= R
4
= R (slika 10) in R
1
' = R + AR in R
4
na R
4
' = R+ AR (mona je
tudi kombinacija z R
2
in R
3
). Za diagonalno napetost lahko zapiemo:
U U U U
R
R R
R
R R
5 1 3 0
1
1 2
3
3 4
= =
+

+
F I
H
G
K
J
'
'
' '
. (19)
oziroma
U U
R R R R R R
U
R R
5 0 0
2
=
R R R R +
+ +

+ +
F
H
G
I
K
J
=
+
A
A A
A
. (20)
A

e domnevamo, da je AR << R dobimo za majhne AR

U
R
R
U
5 0
1
2
~ . .
A
. (21)
Diagonalna napetost U
5
se spreminja pri pozitivnih in negativnih vrednostih priblino premo sorazmerno s spremembo upornosti AR.


Slika 10: Dvoetrtinksi mosti
e je vpliv temperature na oba upora enak (tj. npr. obema uporoma se povea upornost pri porastu temperature), bo temperaturni vpliv podvojen.
Polni mostiek
Pri polnem mostiku (full-bridge circuit), se v parih simetrino spreminjajo vsi tirje upori slika 11. Tako se na primer lahko spreminjajo: R
1
na R
1
' = R +
AR; R
2
na R
2
' = R - AR; R
3
na R
3
' = R - AR in R
4
na R
4
' = R + AR.

Slika 11: Polni mosti
Diagonalno napetost lahko zapiemo v obliki (privzamemo da velja R
1
' = R + AR; R
2
' = R - AR; R
3
' = R - AR; R
4
' = R + AR ter R
1
= R
2
= R
3
= R
4
= R):
U U
R
R R
R
R R
U
R R
R R R R
R R
R R R R R
5 0
1
1 2
3
3 4
0
=
+

+
F
H
G
I
K
J
=
+
+ +


+ + +
F
H
G
I
K
J =
'
' '
'
' '
A
A A
A
A A

=
+ +
= U
R R R R
R
R
R
U
0 0
2
A A A
. (22)
Rezultat nam pove, da je diagonalna napetost U
5
(pri enakih vrednostih upornosti) polnega mostia dvakrat tako velika kot diagonalna napetost polovinega
in tirikrat tako velika kot diagonalna napetost etrtinskega mostia ter da se spreminja linearno s spremembo AR ne glede na velikost AR.
Za poln mostiek, ki ni simetrien izraunamo napetost U
5
za majhne spremembe AR
n
mostinih uporov R
n
ob domnevi da je R
1
= R
2
; R
3
= R
4
, po naslednji
enabi:
U
U
R R R R R R R R
2 2 2 2
1 1
R R R R R R R R
5
0
1
1
4
4
2
2
3
3
1
1
4
4
2
2
3
3
4 8
~ +
F
H
G
I
K
J

F
H
G
I
K
J
+
F
H
G
I
K
J

F
H
G
I
K
J

F
H
G
I
K
J
N
M
M
Q
P
P
.
L O
A A A A A A A A

(23)
Spremembe upornosti AR
n
/ R
n
moramo vnesti v zadnjo enabo z ustreznim (pozitivnim ali negativnim) predznakom.
e je temperaturni vpliv na vse upre enak, pride do popolne kompenzacije temperaturnih vplivov.

Meritev mostine napetosti
Meritev mostine napetosti ni povsem trivialna, kot se morda zdi na prvi pogled. Spremembe upornosti merilnih tipal so obiajno majhne, kar ima za
posledico majhne mostine napetosti (znailno nekaj 10mV). Ojaanje majhnih napetosti ni sicer ni posebnega, teava pa je v tem, da je ta napetost v
mostinem vezju superponirana na velik enosmerni signal.
e imamo na voljo npr. polni mosti z enakimi upori R, ki ga napajamo z napetostjo 10V, diagonalna napetost pa se spreminja za nekaj 10 mV, bo npr.
napetost v prvi veji mostia 5V-10mV v drugi veji pa 5V+10mV. Z odtetjem teh dveh napetosti pridemo, do elene diagonalne napetosti, ki je v tem primeru
20 mV. Prav tu pride do praktine teave: potrebujem zelo dober diferencialni len oziroma ojaevalnik. Mostini ojaevalnik mora imeti torej visoko
diferenno ojaanje, pri tem pa mora biti sofazno ojaanje zelo majhno (v idealnem primeru ni), saj je sofazni signal (v naem primeru 5 V) precej veji od
koristne diference. Razmerju med sofaznim in diferennim ojaanjem pravimo tudi sofazni rejekcijski faktor (ali common mode rejection ratio -
CMMR).
Dodatno si elimo, da sta oba vhoda ojaevalnika simetrina, tj. da imata enake vhode upornosti in da so te upornosti im veje. Neenakomerna in/ali znatna
obremenitev merilnega mostia namre povzroi dodatne pogreke.
Osrednja zahteva za mostini ojaevalnik je torej visok CMMR, simetrina vhoda in visoka vhodna upornost. Preprosta vezja z enim operacijskim
ojaevalnikom ne morejo izpolniti teh pogojev. Zato uporabljamo danes bolj kompleksna vezaja, ki jih pod poznamo pod skupnim imenom kot
instrumentacijski ojaevalnik. Instrumentacijski ojaevalnik sestavljajo trije do tirje operacijski ojaevalniki v posebni konfiguraciji, kritini upori v vezju
pa so nastavljeni z laserskim odparevanjem. Takne ojaevalnike dobimo v integrirani obliki (npr. serija INA od Burr Brown-a) in so zelo pomembno in
koristno orodje v senzoriki.

2.1.5 Ohmska merilna tipali z veliko spremembo upornosti in pripadajoa merilna vezja
Pri nekaterih ohmskih merilnih tipalih je sprememba upornosti velika, npr. NTC upor. V taknih primerih uporaba mostinih vezij ni smiselna, saj je odziv
mostinega vezaja v splonem nelinearen za velike spremembe upornosti R (oziroma potrebujemo najmanj dva tipala, pri katerih se upornost spreminja
simetrino, tj. enemu poveuje drugemu zmanjuje, kar pogosto ni mono dosei v praksi).
V teh primerih se pogosto zatekamo k klasinim metoda za merjenje upornosti oz prevodnosti. Natejmo najbolj pogosto uporabljane konfiguracije.

2.1.5.1 TOKOVNA MERILNA METODA
V merilnem vezju na sliki 12, lahko pri toku I zapiemo za napajalno napetost:
I. U R R R R
0
2 = + +
M A J L
+ b g

Slika 12: Meritve upornosti po tokovni metodi zaradi daljinskega prenosa merilnih poti s (premikov).
a - osnovno vezje z upornostmi: merilnega tipala - R
M
, izhodnega instrumenta - R
A
, umerjalnega upora - R
J
in signalnega voda - R
L
;
b - karakteristika I = f (R
M
) za R
M
= 100 ohma; U
0
= 1 V;
R
V
= R
A
+ R
J
+ 2 R
L
= 50 ohma

Tako dobimo za upornost merilnega tipala:
R
U
I
R R R
J M A
= + +
0
2 b g
R R R R
V A J L
konst.
L
. (24)
Za U
0
= konst. in + = dobimo za merilnik premik s (oziroma spremembo upornosti): = +
( ) / s
M
~ ~ 1 R I
Statina karakteristika je torej hiperbolina - slika B-9b.
Obutljivost je tako podana z:
S
I
R
R
M
konst. = =
A
A
(25)
in se spreminja.
Upornosti dovodov lahko vplivajo na izmerjeno vrednost. Pri relativno velikih spremembah merilnega upora R R
M
A
M
je motilni vpliv signalnih dovodov
zaradi spremembe upornosti AR R
L
obiajno majhen. Za majhne spremembe upornosti merilnih uporov
L
AR R
M M
<< je metoda neprimerna, saj so relativne
spremembe toka majhne. Poleg tega postanejo pri majhnih spremembah upornosti vplivi upornosti signalnih dovodov AR R
L
pomembni, kar omejuje
uporabnost postopka.
L

2.1.5.2 MERITVE UPORNOSTI Z OPERACIJSKIM OJAEVALNIKOV
Za merilno vezje, ki ga kae slika 13 lahko izraunamo merilno upornost R
x
povezano s signalnimi vodniki z upornostjo R
L
, po naslednjem izrazu:
R R U
R
U
x L
ref
+ = 2
3
ref
. (26)

Slika B-13: Merilno vezje z operacijskim ojaevalnikom za meritve upornosti R
x

a) meritve s konstantnim virom napetosti U
ref
b) meritve s konstantnim virom toka I
0

Referenno napetost U
ref
dobimo iz vira konstantne napetosti in ima najpogosteje vrednost 1 V-2.5V.
Najmanje uporovne merilne vrednosti R
x min
so omejene z izhodnim tokom I
| max
operacijskega ojaevalnika. Najveje merilne vrednosti upora R
x max
pa so
omejene z maksimalno dopustno upornostjo povratne vezave in s tem z vhodnim tokom operacijskega ojaevalnika (poznamo operacijske ojaevalnike, ki
imajo vhodne upornosti ve 10GO) ter vhodnimi pogreki operacijkega ojaevalnika. Upornosti signalnih dovodov R
L
in njihove spremembe so zajete v
merilnem rezultatu.
V uporovnem merilnem vezju, ki ga napajamo s konstantnim tokovnim virom (slika 13b) dobimo zaradi konstantnega toka na merilnem uporu R
x
+ 2R
L
, toku
proporcionalen padec napetosti U
x
, ki ga s pomojo operacijskega ojaevalnika merimo in kaemo. Merilna vezja z operacijskimi ojaevalniki uporabljamo na
primer za merjenja upornosti z digitalnimi multimetri.

2.1.5.3 FREKVENNA PRETVORBA
Merilno tipalo veemo v oscilatorsko vezje. To so lahko RC (redkeje v RL) ali U/f pretvorniki. Sprememba upornosti merilnega tipala ima za posledico
spremembo frekvence oscilatorja. Na ta nain dobimo analogni frekvenni signal, ki ga obiajno vodimo na elektronski tevec, oziroma izhodni instrument I.
Ugodna lastnost analognega frekvennega signala je v veliki imunosti na motnje iz okolice. Frekvenana pretvorba je zato primerna za industrijska okolja, ki
so mono onesnaena za EM umi. Frekvenni format je tudi kompatibilen z digitalnimi napravam, saj ne potrebujemo AD pretvorbe.
Na voljo imam vrsto integriranih u/f pretvornikov in RC oscilatorjev. Znailni primer U/f pretvornika je npr. AD654 slika 14 in RC oscilatorja TLC555
slika 15.

Slika 14: U/f pretvornik AD654



Slika 15: RC oscilator z TLC 555
Delovanje vezja na sliki 15 je sledee: Kondenzator C
T
se polni preko upora R
A
in R
B
, tako dolgo dokler napetost ne dosee zgornje praga (2/3 pogonske
napetosti). Nato se sproi tranzistor (DISCH), ki povzroi praznjenje kondenzatorja. Tranzistor ostane sproen tako dolgo dokler napetost ne dosee (1/3
pogonske napetosti). Nato se celoten cikel ponovi. Frekvenco lahko zapiemo kot:



INDUKTIVNA TIPALA
Za induktivnost tuljavice z N navoji, permeabilnostjo , presekom A in dolino magnetnega kroga l, lahko zapiemo izraz:

L N
A
=
2 0
l

r
(27)
Induktivnost lahko spreminjamo s spremembo:
- preseka A,
- doline magnetnega kroga l ali
- relativne permeabilnosti (na primer pri tipalih sile).
Permeabilnost praznega prostora
0
je naravna konstanta.
Induktivna tipala so zelo razirjena v industrijski praksi, saj imajo vrsto dobrih lastnosti: ponujajo iroko temperaturno obmoje delovanja, temperaturni vpliv
je obiajno majhen, dosegamo lahko spotljivo loljivost in tonost, so cenovno zanimivi elementi, itd.
Od slabosti navedimo relativno velike dimenzije, povratne vplive, potrebo po izmeninih napajalnih napetostih ali tokovih in v mnogih primerih dalje
odzivne as (odvisno do izvedbe).
2.1.6 Izvedbe, ki temeljijo neposredno na spremembi induktivnosti
2.1.6.1 PREPROSTA MERILNA DUILKA
Preprosta merilna duilka je prikazana na sliki 16. S spremembo zrane l
0
se spremeni induktivnost duilke. e v magnetnem krogu enostavne duilke
upotevamo le dolino magnetne poti v zrani rei l
0
in zanemarimo pot v eleznem jedru, potem za izraun induktivnosti duilke velja izraz L N A l ~
2
/ .
Pri spremembi zrane ree iz l
0 0
l l
0 0
' = A
0
na l
0
dobimo spremembo induktivnost

L N
A
L L ' =

=
2
0

A
A
l l
0 0
L ~ / 1
0
. (28)
Odvisnost je torej hiperbolina l . Za majhne premike Al
0
lahko predpostavimo linearno obmoje delovanja. Znailna induktivnost preprostih merilnih
duilk je med 5 in 0,5 mH. Uporabljamo jih kot brezstina tipala premikov (poti). Preprosto duilko uporabljamo tudi kot indikator konnega poloaja
(konno stikalo).

Slika 16: Preprosta merilna duilka
Merilno duilko lahko izvedemo tudi v obliki z vzdolnim jedrom, kot kae slika 17. Karakteristika takne duilke je skoraj linearna.

Slika 17: Merilna duilka z vzdolnim jedrom
2.1.6.2 DIFERENCIALNA DUILKA
Diferencialno duilko s prenim jedrom kae slika 18a, duilko z vzdolnim (vlenim) jedrom pa slika 18b.
Diferencialne duilke veemo v mostina vezja. Kadar se jedro nahaja v sredinem poloaju je induktivnost obeh jeder tulajvic enaka, zato je diagonalno
napetost U
5
= 0. Pri premiku jedra v smeri osi pride do poruitve simetrije, zato pride do spremembe napetost U
5
.
Pri diferencialni tuljavici z vzdolnim jedrom, dosee napetost s premikom neko maksimalno vrednost, pri nadaljnjem potegu jedra pa napetost upada in spet
dosee vrednost ni. V uporabnem podroju imamo opravka z priblino linearnim potekom karakteristike U f s = b g.
5
a
N
Diferencialne duilke s prenim jedrom imajo so obiajno zgrajene za manje premike. Nazivna obmoja diferencialnih duilk s prenim so obiajno v
velikostnem razredu m ... 1 mm. = 20
Diferencialne duilke z vzdolnim jedrom so obiajno zgrajene za merjenja vejih premikov. Nazivno delovno obmoje je obiajno med . a
N
mm = 1 500 ... b g
N
Diferencialne tuljavice uporabljamo kot merilna tipala premikov. Diferencialne tuljavice z ukrivljenim jedrom pa uporabljamo kot tipala kronih premikov za
nazivne kote do o s 90

.

a) b)
Slika 18: Diferencialne merilne duilke

2.1.7 Transformatorska merilna metoda - Linearni diferencialni transformator
Osnovno izvedbo diferencialnega transformatorja ali LDVT (Linear differential variable transformer) kae slika 19. Primarno navitje napajamo z napajalno
napetostjo z nosilno frekvenco U
1
. V vsaki tuljavici se inducira napetost, amplituda napetosti pa je odvisna od poloaja jedra. Tuljavici poveemo tako, da se
inducirani izmenini napetosti U
2
in U
2
' "
odtejeta. Izhodna napetost transformatorja je zato ni, kadar je jedro sredini, ob premiku jedra iz sredia se na
izhodu pojavi napetost, ki je sorazmerna z odmikom. Smer premika (levo ali desno) lahko doloimo iz fazne razlike med vzbujalnim in merilnim signalom,
oziroma s posebnim demodulacijskim vezjem, kot ga kae slika 20.

Slika 19: Diferencialni transformator kot induktivno merilno tipalo
a) vezje
b) izvedba
c) karakteristika s premina pot; U
1
in U
2
- primarna in sekundarna napetost

Slika 20: Signali pri diferencialnem transformatorju
Sekundarno napetost merilnega tipala U U
2 2
=
'
U
2
"
pripeljemo na vhod prilagoditvenega vezja. Primarna in sekundarna navitja tuljavic so lahko postavljena
eno zraven drugega ali navita eno preko drugega in jih lahko v vezju zamenjajo.
Ob primernem dimenzioniranju jedra in primarne induktivnosti imajo diferencialni transformatorji zanemarljivo majhne povratne vplive na premino elezno
jedro. Kot tipala premikov jih lahko uporabljamo z relativno enostavnimi prilagoditvenimi vezji.
Diferencialni transformatorji so dobavljivi za merjenja kotov zasukov slika 21.

Slika 21: Diferencialni transformator za merjenja kotov zasukov
Diferencialni transformatorji so zelo dobri merilnik majhnih premikov, dobavljivi so za zelo raznolika nazivna delovna obmoja premikov, znailno od 0.1
mm pa do nekaj 10 cm z loljivostjo, ki je lahko pod 1 m. Slika 22 kae nekaj praktinih izvedb.
Dobra lastnost diferencialnih transformatorjev je v zelo irokem temperaturnem delovnem obmoju (priblino od -200C do +500C), monosti
obratovanja pod zelo visokimi tlaki (do 200 barov) in neobutljivosti na vplive iz okolja (npr. radioaktivno sevanje).

Slika 22: Praktina izvedba linearnega diferencialnega transformatorja.

Slika 22a: Praktina izvedba linearnega diferencialnega transformatorja in delovno obmoje.

2.1.7.1 SINHRONI JAVLJALNIK
Sinhroni javljalnik zasuka (Synchro) je rotacijski sistem kot to kae slika 23. Lahko ga opazujemo tudi kot vrtljiva transformatorja z vrtljivim rotorjem na
katerem se nahaja enofazno navitje, ter najpogosteje tremi navitji na statorju.


Slika 23: Sinhroni javljalnik kot induktivni daljinski dajalnik
O - oddajnik (generator)
S - sprejemnik (motor)
U
N
- napajalna napetost
o
0
, o
S
- kota zasuka rotorja
Z vzbujalno napetostjo U
N
= (24 ... 50) V in frekvenco f
N
= (50 ... 400) Hz napajamo preko drsnih obroev rotorska navitja oddajnika O in elektrino enakega
sprejemnika S. Vzbujalna napetost poene v rotorskih navitjih sinusna vzbujalna toka I
N
, ki ustvarita izmenino magnetno polje v statorjih.
V statorskih navitjih se tako inducirajo sinusne napetosti. Amplituda teh napetosti je odvisna od poloaja rotorja, oziroma od sin o njegovega kota zasuka.
Pri enakih rotorskih kotih
0
=
s
na oddajniku O in sprejemniku S imamo opravka z ravnotenim stanjem statorskih napetosti, saj so napetosti, ki se
inducirajo v obeh statorjih povsem enake.
oR R oR R
Pri zasuku oddajnega rotorja se ravnovesje podre in skozi rotorska navitja steejo izravnali tokovi. To povzroi premik rotorja sprejemnika tako da se ponovno
vzpostavi ravnovesje. Rotor sprejemnika (ali rotorji sprejemnika katerih je lahko ve) tako sledi rotorju oddajnika (princip je zelo podoben sinhronemu
trifazenmu motorju).
Kotni poloaj oddajnega rotorja se lahko spreminja tudi za ve kot 360. Absolutni pogreek sistema je v velikostne razredu o
F
= 0,1.
Sinhroni javljalniki imajo obiajno moi P = (10 ... 50) W in vrtilni moment M = (0,01 ... 0,1) Nm.
Uporabljamo jih za daljinska merjenja in daljinske prenose kotov zasuka o s 360 oziroma za pridobivanja vrtilnih momentov ali kot krmilne dajalnike.
Podrobno se bomo povrnili k obravnavi sinhra in njegovega blinje sorodnika resolverja v poglavju o meritvah kotov zasukov.

2.1.8 Merilna vezja z induktivnimi tipali
Z merjenja z induktivnimi tipali uporabljamo izmenino napajalno napetost. Frekvenca napajalne napetosti je odvisna od izvedbe tipala. Tipala z
elenim jedrom obiajno ne dopuajo visokih frekvenc, zaradi pojava vrtinnih tokov in s tem povezanih izgub. Izgube namre povzrojo, da dobi
naa impedanca Z poleg induktivnega znaaja e ohmsko komponento, ta pa je temperaturno in frekvenno odvisna ter povzroa parazitni zamik
faze, kar vodi v potrebo po bolj kompleksnih vezjih in kalibraciji.
Nije napajalen frekvence pa pomenijo omejitev v odzivnih asih, saj je pri veini analognih induktivnih tipalih informacija o merjeni veliini sorazmerna
z amplitudo elektrinih signalov. Amplitude pa na splono ne moremo zanesljivo doloiti v asu, ki je kraji od ene periode, kar pomeni, da v primeru napajanj
s 50 Hz vzbujalnim signalom ne moremo zanesljivo doloiti amplitudi v asu, ki je kraji od 20ms. Zato si mnogi proizvajalci trudijo izdelati takna tipala
(uporaba feritnih jeder), ki dopuajo uporabo im vijih frekvenc ob minimalnem pojavu izgub. Znailna frekvenca za induktivna tipala je tako med 50 Hz in
nekaj 10KHz.

2.1.8.1 IZMENINI MERILNI MOSTIEK Z INDUKTIVNO DIFERENCIALNO TULJAVICO
V izmeninem merilnem mostiku, ki ga kae slika 24 domnevamo konstantno napajalno napetost U
0
= konst., notranjo upornost napajalnega napetostnega
vira
R
i
= 0 in diagonalno upornost . elimo doloiti diagonalno napetost U R
5
=
5
.

Slika 24: Merilni mostiek z induktivno diferencialno tuljavico
a) merilni mostiek s tuljavicama Z
1
in Z
2
ter R in C vejama za uravnoveenje
b) idealizirani LLRR - mostiek

Pred zaetkom meritve postavimo jedro merilnega tipala Z
12
v sredie tuljavice in mostiek na sliki 24a uravnovesimo ob pomoi ohmske R in kapacitivne C
veje po iznosu in faznem poloaju, tako da je U
5
= 0.
V asu meritve se spremenijo impedance merilnega tipala Z
1
in Z
2
in sicer z nasprotnim predznakom, tako da dobi na primer Z
1
vrednost Z
1
' = Z
1
+ A Z
1
in
Z
2
vrednost Z
2
' = Z
2
- A Z .
2
Zaradi poenostavitve izraunov bomo neidealne duilke Z = R + eL nadomestili s priblinimi idealnimi duilkami Z jX h L ~ =
L
e , ki smo jih predstavili na
sliki 24:
U
j L
j L j L
U
L
L L
U
1
1
1 2
0
1
1 2
'
'
' '
'
' '
=
+
=
+
e
e e
0
. (29)
Privzamemo L
1
' = L + AL in L
2
' = L - AL ter R
3
= R
4
= R, sledi:
U
L L
L L L L
U
L L
L
U
0 0
2
=
+
+ +
=
A
A A
A
(30)
+
1
'
U
R
U
R
U
3
3
3 4
0 0
2
1
2
=
+
= =
R R R
U
0
(31)

U
L L L 1 1
L
U
L
U
5 0 0
2 2 2
=
+

H
F
G
I
K
A
(32)
J
A
=
VEZJA Z OSCILATORJEM
Duilke lahko na uinkovit nain veemo v razlina oscilatorska vezaj (npr. RL ali LC). Ob spremembi induktivnosti pride do spremembe frekvence
oscilatorja, kar se odrazi v spremembe frekvence, kar izmerimo z ustreznim tevcem slika 25.
RL vezja so zgrajena na zelo podoben nain kakor RC vezja (prejnje poglavje).

Slika 25: Merjenje premika z oscilatorskim vezjem
2.2 KAPACITIVNA TIPALA
Za kapacitivnost ploatega kondenzatorja z relativno dielektrino konstanto c, povrino elektrod A in razdaljo med elektrodami d, lahko zapiemo:

C
A A
= = c c c .
d d
r 0
(33)
Dielektrina konstanta praznega prostora znaa c
0
= 0,88542 . 10
-12
F/cm. Kapacitivna tipal temeljijo na spremembi geometrije (A, d) ali na spremembi
dielektrinosti:

Spremembo geometrije (A,d) uporabljamo najpogosteje za merjenja premikov in drugih veliin, ki jih lahko pretvorimo v (majhen) premik (npr. tlakov -
upogib membrane pri membranskih merilnikih tlaka, mikrofonih), itd.
Kadar uporabljamo kapacitivne senzorje za merjenje premikov je konstrukcija senzorja je odvisna od ciljne aplikacije:
- Kadar ne potrebujemo visoke loljivosti senzor konstruiramo tako, da deluje vplivna veliina na povrino elektrod A.
- Kadar potrebujemo veliko loljivost konstruiramo senzor tako, da vplivamo na razdaljo d.

Spremembo c
r
pogosto uporabljamo za merjenja nivoja, vlanosti, itd.
Kapacitivni senzorji zasedajo pomembno mesto v senzoriki zaradi:
- preprostosti izvedbe senzorskega elementa
- omogoajo doseganje zelo dobrih dinaminih lastnosti (hiter odziv)
- omogoajo doseganje odlinega razmerja signal um in s tem zelo visoke loljivosti (loljivost lahko sega v nanometersko podroje)
- lahko delujejo v zmernem temperaturnem podroju in omogoajo cenovno uinkovito izvedbo
- minimalen povratni vpliv (elektrostatine sile, ki se pojavijo med ploami kondenzatorja so obiajno zanemarljive)
Slabosti:
- obutljivost na nagib, zamik in premajhne dimenzije tare
Na sliki 26 so predstavljene osnovne vrste izvedb kapacitivnih merilnih tipal ter pripadajoe karakteristike.

Slika 26: Kapacitivna merilna tipala (zgoraj je izvedba, spodaj pa karakteristika) C - kapacitivnost; U
5
- napetost merilnega mostia;
a) in b) - enostavni in diferencialni kondenzator s premikom plo Al (sprememba povrine A ali relativne dielektrine konstante c);
e) - vrtljivi kondenzator z zasukom o (sprememba povrine A), lahko izveden tudi kot diferencialni - vrtljivi kondenzator.
2.2.1 Enostavni ploati kondenzator
Enostavni ploati kondenzator je najbolj razirjena izvedba kapacitivnega tipala. Poznamo vrsto izvedb, od preprostih detektorjev konnega poloaja do
dovrenih izvedb z nanometersko loljivostjo.
Osnovna razliica je prikazana na sliki 26a, kjer pride do spremembe kapacitivnost zaradi spremembe razdalje med ploami kondenzatorja. Obiajno je ena
izmed plo kondenzatorja kar prevodni merilni objekt (tara).
Kapacitivnost C = c A/d se ob premiku ene izmed plo za Ad spremeni na C' = c A/(d + Ad), velja:
A
'
A A d
C C C
d d d d d d
c c c A | |
A = = =
|
+ A + A
\ .
. (34)
Relativna nelinearna sprememba kapacitivnosti je torej:
A A C
A
A
A
A
A C d d d d
=
+ + + 1 1 /
d d d
= =
/
. (35)
z obutljivostjo (ki ni stalna):
S
C
d
d
konst. = =
A
A
(36)
V majhnem podroju sprememb Ad << d lahko karakteristiko lineariziramo
AC A
C
d
(37)
d
~
obravnavamo kot (priblino) linearno.
Primer taknega senzorja kae slika 27.

Slika 27: Kapacitivni senzor premika (MTI instruments).
V primeru enostavnega kondenzatorja merimo pogosto namesto kapacitivnosti C impedanco Z=1/(jeC). Tedaj je sprememba Z premo sorazmerna s
spremembo d:

1 1
'
( ) ( )
d
Z
A A
A
j A
j j
d d d
c c
ec
e e
= =
+ A
(38)
Za izboljanje linearnosti enostavnega kondenzatorja z impedannim merilnikom v mnogih primerih dodamo tipalu dodaten element za homogenizacijo
elektrinega polja, ki mu pravimo tudi varovalo (guard). Nehomogenost polja namre povzroa nelinearnosti tudi kadar merimo impedance, saj predpostavlja
enaba (33) idealen ploat kondenzator s homogenim poljem. Varovalo je obiajno dodaten obro (kondenzator), ki obdaja senzorsko ploo. Obro
napajamo sinhrono s senzorsko ploo (posebno vezje skrbi, da je potencial varovala vseskozi enak potencialu senzorja) in na ta nain doseemo, da je polje
merilnega kondenzatorja praktino homogoeno, kar ima za posledico linearizacijo karakteristike slika 28.

Slika 28: Varovalni obro
Znailne praktine izvedbe enostavnih kondenzatorjev kae slika 29. V praksi lahko dosee enostavni kondenzator izjemno loljivost (tja do nekaj nm).




Slika 29: Primeri enostavnih kondenzatorjev z varovanjem proizvajalca LION Precision ter pripadajajoe delavno obmoje in loljivost. Loljivost lahko
dosee vsega nekaj nm!
Enostaven ploati kondenzator uporabljamo pogosto tudi kot detektor konnega poloaja (konno stikalo). Znailna praktina izvedba je na sliki 30 in
vsebuje poleg senzorja tudi vsa potrebna prilagoditvena vezja. Tovrstni senzorji so preprosti in ceneni.

Slika 30: Kapacitivno konno stikalo: Premer 18mm, max. doseg 20mm, napajalna napetost 10-30V, NPN izhod
Enostavni kondenzator je mono uporabiti tudi za merjenje poloaja dielektrinih objektov. Dilektrino taro vstavimo v tem primeru med senzor in prevodno
taro slika 31. V kolikor se sedaj spremeni poloaj, gostota ali debelina dielektrine tare, se bo to odrazilo na spremembi kapacitvnosti

Slika 31: Uporaba dielektrine tare
V primeru, kadar nimamo na voljo referenne prevodne podlage (kovinske tare), lahko s pomojo kapacitivnih tipal zaznavamo in merimo prisotnost
dielektrine tare tudi tako, da izrabimo ohije senzorja, kot drugo elektrodo. Silnice polja se tako zakljuijo med senzorjem in ohijem pri tem pa delno
prekajo taro. S spremembo razdalje tare se tako ponovno spremeni kapacitivnost merilnega kondenzatorja - slika 32.

Slika 32: Uporaba enostavnega kondenzatorja za merjenje poloaja dielektrine tare
2.2.2 Diferencialni kondenzator
Diferencialni kondenzator ima linearno karakteristiko, kadar ga uporabimo v izmeninem mostiu. Pogosto ga sreamo kot tipalo v merilnih pretvornikih za
nizke in diferencialne tlake slika 26b.
2.2.3 Kondenzator s spremenljivo povrino elektrod
Konfiguracijo z vzdolnim premikom elektrod najpogosteje sreujemo v obliki valjnega kondenzatorje kot to kae slika 26b.
Karakteristika podana z izrazom AC/C = (l + Al)/l je premo sorazmerna z Al. Pri kronih premikih uporabljamo vrtljive kondenzatorje za merjenja kotov, kot
kae slika 26e. Pri tem, lahko ob uporabi primernih oblik vrtljive ploe doseemo poljubni (linearno ali nelinearno) karakteristiko, ki ustreza izrazu C
= C
0
+ f(o), ( pri tem je o kot zasuka).
Koment ar [ VM1] :
2.2.4 Ploati in valjni kondenzator s spremenljivo viino in poloajem dielektrika
Kot primer obravnavajmo spremembo kapacitivnosti C ploatih in valjnih kondenzatorjev na sliki 33. Tovrstne kondenzatorje uporabljamo za merjenja
nivoja (slika 33), ki se odrazi kot sprememba viine snovi x v kondenzatorju ali za merjenja premikov.

Slika 33: Ploati (a) in valjni (b) kondenzator s spremenljivo viino dielektrika x
Celotna kapacitivnost je C = C
0
+ C
1
pri emer je C
0
kapacitivnost dela kondenzatorja v katerem se nahaja zrak (z c
0
). Kapacitivnost C
1
je kapacitivnost dela
kondenzatorja, ki je napolnjen z merjeno snovjo (z c
1
= c
r2
. c
r
). Kapacitivnost posode bomo izraunali za ploati kondenzator (slika 33a) in za valjni
kondenzator (slika 33b) v odvisnosti od nivoja snovi x:
PLOATI KONDENZATOR VALJNI KONDENZATOR
C
b h x
d
0
0
=
c b g

C
r r
h x
0
0
2 1
2
=
tc
ln /
b g
C
bx
d
1
0
=
c c
r1
C
r r
x
1
0
2 1
2
=
tc c
M
ln /

C C
c
C
d
h x x
bh
d
x
C C x
= + =
= + =
= +
0 1
0
1
c
c c
c
ob
r1
ob
r1
PRAZNO
d
'
.
b g
b g
b g

C C
r r
C C
=
= +
= +
0 1
2 1
2
2 2
C
r r
h x x
h
r r
x
x
= + =
=
0
2 1
0
2 1
1
tc
tc
ln
PRAZ
c
tc
c
ln /
/ ln /
.
r1
R
r1
NO
b g
b g
b g

Karakteristika tovrstnih kondenzatorjev, kot kae slika 26d, je za obe izvedbi linearna.

2.2.5 Merilna vezja kapacitivnih merilnih tipal
2.2.5.1 MERILNA VEZJA NA OSNOVI MERJENJA IMPEDANCE
Meritev impedance je zelo prikladen nain za merjenje kapacitivnosti, zlasti enostavnih merilnih kondenzatorjev. Pri enostavnem merilnem kondenzatorju je
kapacitivnost C obratno sorazmerna z razmikom med ploami d, kar pomeni, da je impedanca Z=(1/jeC) premo sorazmerna z merjeno veliino.
Po impedannem postopku lahko merimo statine in dinamine merilne veliine, saj so zaradi obiajno majhnih kapacitivnosti, napajalne frekvence visoke
(tipino 1MHz), kar omogoa doseganje dobrih dinaminih lastnosti merilnega vezaj oziroma pretvornika. Zelo pogosto uporabljamo meritve impedance v
konfiguraciji z napetostnim delilnikom ali izmeninim merilnim mostikom, (e posebej, kadar imamo opravka z diferencialnim kondenzatorjem).
Primer mostia je na sliki 34. Merilni mostiek napajamo z izmenino napetostjo z nosilno frekvenco U
0
.

Slika 34: Diferencialni kondenzator C
1, 2
v odklonskem CCRR - merilnem mostiu
Izraunajmo diagonalno napetost U
5
za CCRR - mostiek, ki je prikazan na sliki 34.
Predpostavimo, da pred meritvijo merilni mosti uravnovesimo C
1
= C
2
= C in R
3
= R
v
= R. V med meritvijo se zaradi prenega premika srednje elektrode
spremenijo razdalje plo, na primer d
1
na d
1
' = d - Ad in s tem kapacitivnost polmostia: C
1
na C
1
' = C + AC in C
2
na C
2
' = C - AC.
Za napetostjo velja U U
R
R R
U
3 0
0
2
= in =
+
U
j C
j C
1
1 2
1
1 1
1
=
+
e
e e
' '
j C
U
C C
C C C C
U
1
0 0
1 1
=
+
+
+

'
A
A A

Za diagonalno napetost velja U U
5 1
=
'
U
3

U
C C
C
U
C
C
U
5 0 0
2
1
2
1
2
=
F I A A

H
G
K
J
= .
Mostina izhodna napetost U
5
je sorazmerna z vplivno veliino. Opraviti imamo torej z amplitudno moduliranim merilnim signalom, ki ga moramo e
ustrezno demodulirati (usmeriti).
Kot smo e omenile, napajamo vezje z napetostmi s im vijo nosilno frenvenco (tj. f
nf
= (0,5 ... 4) MHz), saj so kapacitivnosti tipal obiajno zelo majhne
(pogosto vsega nekaj pF). Uporaba visokih frekvence je nujna, saj postanejo na ta nain impedance x
c
= 1/eC ustrezno velike in lae merljive.
Danes sreamo na triu celo serijo merilnikov impedance, ki so namenjeni kapacitivnim tipalom. Znailen primer proizvajalca LION Precision je na sliki
35.

Slika 35: Industrijski merilnik impedance namenjen za uporabo s kapacitivnimi tipali
2.2.5.2 OSCILATORSKA MERILNA VEZJA
V oscilatorskih merilnih vezjih veemo merilno tipalo s kapactivnostjo C v oscilatorsko vezje, pri katerem je frekvenca odvisna od kapactivnosti. V ta namen
uporabljamo RC ali LC oscilatorje (na primer slika 36 in 37, kaeta Hartley-jev in Colpits-ov LC oscilator).
Izhodna napetost RC ali RL oscilatorja ima konstantno amplitudo, frekvenca pa se spreminja s spremembo kapacitivnosti. Frekvenco lahko pretvorimo
neposredno v digitalno obliko (glej meritve) na razline naine s pomojo digitalnih tevcev ali pa v analogno obliko s pomojo f/U pretvornikov.
Pogosto uporabljamo za meritve kapacitivnosti tudi razline monstabilne multivibratorje. irina izhodneg pulza je tako doloena z RC konstanto (C je merjena
kapacitivnost). e monostabilni multivbrator proimo s konstantno frekvenco dobimo tako pulznoirinsko moduliran izhod (PWM), ki ga z lahko prevedemo
v analogni signal (potrebno je dodati le nizkopasovni filter) ali pa v digitalno obliko (uporabimo digitalne tevce z ustrezno logiko).


Slika 36: Colpits-ov oscilator

Slika 37: Hartley-jev oscilator


Slika 38: Monostabilni multivibrator zgrajen z TLC555 (trajanje izhodnega pulza je T=1.1RC)

2.3 AKTIVNA ELEKTRODINAMINA IN MAGNETNA TIPALA
2.3.1 ELEKTRODINAMINA TIPALA
Pri aktivnih elektro-dinaminih tipalih izrabljamo indukcijski zakon. V primeru, da se giblje vodnik z dolino l v magnetnem polju z gostoto B in s hitrostjo v
se na sponkah vodnika inducira napetost u:
u lBv = .
V primeru, da se nahaja navitje v asovno spremenljivem magnetnem polju B se v zanki inducira napetost u, ki je doloena z :
dt u N d = | /
u ~

Pri tem je | magnetni pretok (|=B A; A presek zanke).
V primeru, da so veliine N, l in B konstantne je povezava med napetostjo u in hitrostjo v pri translatornem (dolinskem), ter med napetostjo u in kotno
hitrostjo e pri rotacijskem gibanju linearna. Indukcija je zato zelo primeren princip za merjenje hitrosti (translatornih in kronih) ter izdelavo
pospekometrov in vibrometrov.
2.3.1.1 IZVEDBA PRI TRANSLACIJSKEM GIBANJU
Slika 38 kae princip izvedbe elektrodinaminega (generatorskega) merilnega tipala za merjenje translatorne hitrosti v pri dolinskem gibanju. Hitrost
premikanja je proporcionalna z inducirano napetostjo
v.


Slika 38: Elektrodinamino merilno tipalo
a) s premino tuljavico S
b

b) s preminim trajnim magnetom M
b

Slika 38 kae dve najpogosteje uporabljani izvedbi.

2.3.1.2 IZVEDBA PRI ROTACIJSKEM GIBANJU
Primer generatorja izmenine napetosti prikazani na sliki 39a. Senzorsko navitje je navito na statorju, rotirajoo ploo pa sestavljajo trajnimi magneti
(brez drsnih obroev). Napetostna karakteristika u f = je linearna (slika B.28c). e b g

Slika 39: Elektrini generator za meritve tevila vrtljajev n, oziroma kotne hitrosti e
a) generator izmenine napetosti s polariziranim rotorjem N - S
b) generator enosmerne napetosti pri vzbujanju s trajnim magnetom N S
c) napetostna karakteristika

Enosmerni generatorji s komutatorjem iz vzbujanjem s permanentnimi magneti (slika 38b) dajejo napetosti s polariteto, ki je odvisna od smeri vrtenja.
Vendar generatorska napetost ni povsem konstantna pri konstantni kotni hitrosti e, temve vsebuje doloeno valovitost zaradi esar se pri diferenciranju
napetosti pojavijo velike motnje.
Unipolarni generatorji dajejo teoretino idealno enosmerno napetost, vendar le nekaj mV.
Enosmerne generatorje uporabljamo v merilnih in krmilnih napravah kot tipala vrtilne hitrosti.

2.4 SENZORJI NA OSNOVI HALLOVEGA POJAVA
Hallov pojav omogoa merjenje in zaznavanje magnetnega polja.
2.5 Hallov pojav
Fizikalni pojav je odkril leta 1879 E.H.Hall. Pojav temelji na vplivu med gibljivimi nosilci naboja v prevodniku in zunanjim magnetnim poljem. V primeru
kovin so nosilci elektroni.
Kadar se elektron giblje skozi magnetno polje nanj deluje sila, ki je pravokotna na smer polja. Silo na elektron lahko zapiemo kot:

F qv = B
pri tem je q elementarni naboj q=1.6x10
-19
C, v je hitrost elektrona in B gostota magnetnega polja. Velikost in smer sile bo tako odvisna tako do amplitude
polja B, kakor tudi od orientacije vektorjev B in v.
Hallov pojav razloimo na slede nain:
Oglejmo is tanko kovinsko ploo kvadratne oblike, ki se nahaja v magnetnem polju B, tako da so silnice polja pravokotne na ploo. Ploa naj ima tiri
kontakte, na vsakem robu po enega. Na kontakta, ki se nahajata no ojem robu kvadra priklopimo napajalno napetost tako, da skozi ploi stee konstanten tok
I. Razmere so ponazorjene na sliki 39.

Slika 39: Hallov pojav


Na elektroni, ki se gibljejo vzdol ploe deluje zaradi zunanjega polja sila F. To povzroi premik elektronov proti desnemu robu ploe, zato postane desna
stran ploe bolj negativna kakor leva stran. Magnetno polje in tok skozi ploo tako povzroi elektrini potencial na robovih ploe. Imenujmo ga
transverzalni Hallow potencial V
H
ali kar Hallova napetost. Predznak in velikost potenciala sta odvisna od obeh veliin tako toka, kakor tudi od magnetnega
polja. Pri dani temperaturi lahko zapiemo :
V h I B
H
= sino
Pri tem je o kot med vektorjem magneten poljske jakosti in Hallove ploe, I je tok skozi ploo, B gostota magnetnega polja, in h koeficient obutljivosti, ki
je odvisen od snovi iz katere je ploa, njene geometrije (aktivne povrine) in temperature. Koeficient h je v splonem sorazmeren s Hallovim koeficientom H.
Z kovine velja, da je Hallov koeficient podan z:

H
Ncq
=
1


pri tem je c hitrost svetlobe N je tevilo prstih elektronov na enoto prostornine in q elementarni naboj.

V splonem so lahko nosilici naboja tudi pozitivni (npr. vrzeli v polprevodnikih). V taknem primeru zavzame izhodna napetost nasproten predznak.
Hallov senzor ima obiajno tiri prikljuke. Prikljuka preko katerih vsilimo pogonski tok imenujemo nadzorna prikljuka, upornost med njim pa imenujemo
nadzorna upornost Ri (slika 40). Prikljuka na katerih merimo Hallovo napetost imenujemo diferencialna izhodna prikljuka, upornost med tem
prikljukoma pa imenujemo diferencialna izhodna upornost. Nadomestno vezje je podano na sliki 40. Znailne vrednosti za obe upornosti so med 1 in 10
KO. Hallowe elemente izdelujemo obiajno iz polprevodnikih materialov (Si, GE, GaAs, itd.).









Slika 40: Nadomestno vezeje Hallovega elemnta
Hallove senzorje sreamo v razlinih izvedbah. Pogosto so integrirani skupaj z ojaevalnikom, kar poenostavi njihovo uporabo. Sreamo jih bodisi kot
linearne oziroma zvezne senzorje ali pa kot stikala in so namenjeni za zaznavanje prisotnosti oziroma odsotnosti magnetnega polja.
Linearne senzorje sreamo npr. v merilnikih pomika, stikala pa kot dajalnike konne pozicije, merilnike tevila vrtljajev itd.

Preglej datasheete (stikalo, linearni element)! xxx


2.6 PIEZOELEKTRINA TIPALA
2.6.1 Piezoelektrini pojav
Piezoelektrini pojav je tvorba elektrinega naboja, ki nastane kadar izpostavimo nekatere snovi z urejeno notranjo strukturo mehanskim napetostim oziroma
deformacijam. Pojav je prisoten v mnogih naravnih kristalih, kot je na primer kremen (Si0
2
) in v mnogih umetno narejenih snoveh, kot so razline keramike in
nekateri polimeri. Beseda piezo izvira iz grke besede piezen, ki pomeni pritisniti. Piezo pojav v kremenu so odkrili bratje Curie leta 1880 vendar pa piezo
pojava niso koristno izrabili vse do leta 1917, koga je francoz Langevin prvi uporabil za zaznavanje zvoka v vodi. Njegov delo se je nato nadaljevalo v
izdelavo prvih sonarjev.

Slika 41: Kristal kremena
Poenostavljen a zgovoren model piezoelektrinega pojava je podal Meisner leta 1927. Oglejmo si poenostavljen model kristala kremena. Kremenov kristal
sestavlja vijanica ki jo tvorijo atomi silicija in kisika. Tako so po en atom silicija in dve atomoma kisika zviti v vijanico, kot kae slika 41. Kremenov kristal
je lahko odrezan vzdol lastnih osi x, y ali z. Slika 42 ponazarja pogled na kristal vzdol z osi. V osnovni celici kristala se tako nahajajo trije atomi silicija in
est atomov kisika. Kisikovi atomi so tako zdrueni po parih. Silicijev atom je tirivalenten, zato odda tiri elektrone. Kisikov atom je dvovalenten in tako
sprejme po dva elektrona. Tako je kristal navzven elektrino neutralen, ko je odsotna deformacija.

Slika 42: Kremen
V primeru, da kristal izpostavimo sili, ki deluje v x smeri se prvotna ravnovesna heksagonal porazdelitev atomov podre. Slika 42b in c ponazarja razmere, ko
pod vplivom zunanje sile stisnemo kristal tako, da se atomi v kristalu prerazporedijo. Zaradi zunanje sile tako pride do notranje prerazporeditve naboja.
Silicijevi atomi, ki so oddal elektrone in imajo preseek pozitivnega naboja se tako znajdejo na eni strani strukture, kisikovi atomi, ki so sprejeli elektrone pa
na drugi strani strukture. Kristal zato navzven ni ve elektrino nevtralen. Razlika potencialov se pojavi vzdol y osi - slika 42b. e kristal raztegnemo
(namesto, da ga stisnemo) vzdol x-osi (slika 42c) pride do obratne prerazporeditve naboja z nasprotnim predznakom. S tem preprostim modeloma smo
pokazali, da lahko kristalna snov tvori elektrini naboj pod vplivom zunanjih mehanskih deformacij.

Slika 43: Piezo tipalo

Da lahko pridobimo in koristno uporabimo elektrini naboj, ki ga tvori kristala, je potrebno kristal prekriti z kovinskimi elektrodami. Te se morajo nahajati na
nasprotnih straneh reza (slika 43). Posledica tega je, da je piezoelektrino tipalo vselej oblika kondenzatorja. Dielektrik se v taknem kondenzatorju se
obnaa kot generator elektrinega naboja, elektrode pa kot ploe kondenzatorja. Zato dobimo ob deformaciji na senzorju napetost U=q/C (pri tem je q
generiran naboj, C pa kapacitivnost tipala).
Piezoelektrini pojav je reverzibilen. To pomeni, da se bo s prikljuitvijo zunanje napetosti kristal deformiral.
2.6.2 Piezoelektrini materiali
Kot smo videli v prejnjem poglavju, mora biti notranja struktura snovi urejena, da lahko pride to piezo pojava. Tako izkazuje piezoelektrini pojav veliko
tevilo naravnih in umetnih kristalov. Od 32 kristalografskih razredov jih je enaindvajset ne-centrosimetrinih in pri desetih opazimo piezoelektrini pojav.
Delo z naravnimi ali umetnimi kristali pa je zahtevno, dimenzije, oblika in obutljivost tovrstnih elementov pa so omejene.
Zato danes sta na voljo dve skupini piezoelektrinih materialov, ki prekaajo naravne material po zmogljivostih in drugih lastnostih:
- Pizoelektrine keramike (veinoma so to tako imenovane PZT kermike)
- PVDF (poseben polimerni materil, ki izkazuje pizoelektrine lastnosti)
Spodnja tabela podaja kratko primerjavo nekaterih najpomembnejih lastnosti.

2.6.3 Proizvodnja piezo keramike
Proces proizvodnje se prine z nadzorovanim drobljenjem oziroma mletjem osnovnih sestavin. Osnovne sestavine piezo keramik so zelo isti kovinski oksidi
(svinev oksid, cirkonijev oksid, titanov oksid, itd.). Sledi temeljito meanje osnovnih sestavin v naprej doloenih razmerjih. Z uravnavanjem razmer
osnovnih sestavin dobimo razline elektromehanske in termine lastnosti konnega produkta.
Sledi proces, ki mu pravimo kalciniranje (apnenje), pri katerem segrejemo prakasto zmes na priblino 75% temperature sintranja. Pri tej temperaturi prinejo
sestavine v prakasti obliki reagirajo in tako dobijo kemijsko sestavo enako konnemu produktu. Sledi ponovno mletje v mlinu s kroglami. Prahu dodamo
(organske) vezivne materiale, ki omogoijo oblikovanje materiala v eleno fizino obliko. Oblikovanje poteka na razline naine npr. s preanjem. Oblikovane
surovce nato segrejmo na caa. 750C in na ta nain odparimo (zgorimo) vezivni material. Sledi proces sintranja v katerem izpostavimo surovce v naprej
doloenemu temperaturnemu profilu (temperature v tem procesu znaajo tipino 1250 do 1350 C). V procesu sintranja dokonno poteejo vse kemine
reakcije Sledi faza hlajenja v kateri pride do kristalizacije (kristalizacijo ponovno nadzorujemo s pravilnim profilom ohlajanja). Celoten proces lahko traja
tudi do 24 ur. Surovci se med procesom obiajno skrijo, tudi do 15%. Keramine surovce nato obdelamo z bruenjem rezanje itd. tako, da doseemo elene
konne tolerance.

Sledi nanos elektrod. Najbolj pogosto uporabljamo plamenski nanos srebra, kemijski nanos, kjer s posebnim kemijskim nanosom naloimo kovino na eleno
povrino ter vakumskim nanos (izpostavitev objekta kovinskim hlapom v vakuumu).
Keramika je torej polikristalni material. Posamezni kristali, ki se tvorijo v keramiki, se tako obnaajo kot dipoli. V materialih, kot so kremen, se gradniki
kristala sami po sebi naravnani vzdol osi. V piezo keramikah temu ni tako in orientacije diplov (kristalov) so nakljune, zato takna keramika sama po sebi ne
izkazuje piezo pojavov. Da taken material pridobi piezo lastnosti, ga je potrebno polarizirati, tj. usmeriti posamezne dipole v isto smer. V ta namen
uporabljamo razline tehnike polarizacije. Najbolj pogosta je tako imenovana termina polarizacija.
Termina polarizacija poteka tako:
1. surovec segrejmo, najprej nekoliko pod nato pa nad Kirijevo temperaturo (obiajno v oljni kopeli).
2. Survec nato izpostavimo zelo monemu elektrinemu polju. To povzroi, da se dipoli poravnajo v naprej doloeni smeri (poravnava ni popolna)
3. survec nato ohladimo, medtem, ko vzdrujem zunanje elektrino polje
4. po ohladitvi odstranimo zunanje polje in polarizacija ostane trajna (dipole zmrznemo), e material ne segrejmo ez Kirijevo temperaturo.

2.6.4 Uporaba in specifikacije piezoelementov
Zaradi anizotropine narave PZT keramike so piezo uinki odvisni od smeri delovanja sil. Napetost (ali deformacija) piezoelektrinega elementa je tako
odvisna od smeri v kateri deluje sila (deformacija) glede na os polarizacije in pa postavitve elektrod glede na os polarizacije elementa.
Zato je za oznaevanje in podajanje lastnosti piezo elektrinih elementov uveljavljen v praksi naslednji koordinatni sistem:
- Standardna oznaitev osi je 1,2,3 (kar ustreza x,y,z koordinatnemu sistemu).
- Pri tem je os 3 doloena s procesom polarizacije, torej os 3 je zmeraj vzporedna z prvotnim polarizacijskim poljem. Prav lastnosti vzdol te osi so
najbolj pomembne za delovanje PZT naprav.

Slika 45: Osi
Lastnosti piezo keraminih elementov lahko nato opiemo s pomojo naslednjih parametrov:
- d
ij
[m/V] Razteznostni koeficienti: doloa raztezek v odvisnosti od jakosti polja oz. polje v odvisnosti od amplitude raztezka
- g
ij
[Vm/N] podaja povezavo med poljem in obremenitvijo (mehansko napetostjo)
- k
ij
Sklopni koeficient podaja razmerje oz uinkovitost pretvorbe mehanske energije v elektrino in obratno
Koeficienta d in g sta med seboj povezan preko izraza (brez dokaza):
d
31
=g
31
c
33

d
33
=g
33
c
33

c je pri tem dielektrina konstanta PZT keramike in je zelo velika ter znaa tipino med 1000 in 3500!
Nekaj primerov:
d
33
in g
33
opisujeta primer, kadar se merilno ali pogonsko elektrino polje nahaja v isti smeri kot polarizacija (torej elektrode so pravokotne na smer
polarizacije elementa), enako pa velja tudi za deformacijo (deformacija kae v smeri polarizacije)
dR
31
R in gR
31
R veljata kadar se merilno ali pogonsko elektrino polje nahaja v isti smeri kot polarizacija (torej elektrode so pravokotne na smer polarizacije
elementa), deformacija pa je pravokotna na smer polarizacije.
Raztezek vzdol smeri, v kateri je bila izvedena polarizacija bo v primeru, ko je v enaki smeri usmerjeno tudi zunanje polje, enak:
Ay/y=d*E= d
33
*E
Ay= d
33
*U
Raztezek vzdol smeri, ki je pravokotna na smer polarizacije bo v primeru, ko je v smeri polarizacije usmerjeno zunanje polje enak:
Ax/x= d
31
E
Ax/x= d
31
V/y

Tipine vrednosti:
Trdne keramike:
d
33
=220 10^-12 m/V
d
31
=-100 10^-12 m/V

Mehke keramike:
d
33
=600 10^-12 m/V
d
31
=-270 10^-12 m/V

Primer praktinega izrauna:
Predpostvimo, da imam na voljo PZT ploico z dimenizjami (1 cm) x (1 cm) in debelino 1 mm. Zanima nas kakno napetost bomo dobili med sponkama
ploice, e jo obremenimo s silo 1N. Elektrode os seveda naneene na zgornji in spodnji strani ploice, polarizacija v taknem primeru, pa kae pravilom v
smeri pravokotno na ploico.
Za izraun napetosti torej potrebujem parameter g in sicer g33 (deformacija bo v smeri polrizacija in tudi elektrino polje, ki ga bomo zaznali preko elektrod
bo usmerjeno v smeri polarizacije). g
33
moramo torej pomnoiti z mehansko napetostjo, (sila/povrina) in tako dobimo jakost elektrinega polja. Da dobimo e
napetost med ploami moramo pomnoiti dobljeno polje e z debelino ploice:

F
33
U g d
A
=

pri tem je F sila, a povrina ploice in d debeljina ploice. Za obremnitev z 1N in g
33
=22 10^-3 Vm/N dobimo:
3
2
1
22 10 1 0.22
1
Vm N
U mm V
N cm

= =
Kapacitivnost PZT elementa je relativno velika
2
12
1cm

2500 8.86 10 2.2

1
r
A C
C nF
d Vm m
cc = = =
m

To pomeni, da bo element generiral kar nekaj naboja, kar je ugodno s stalia povezovalnih kablov. Kapacitivnost krajega in ustreznega kabla je lahko tako
precej manja od kapacitivnosti tipla (napetost ne bo bistveno odvisna od kabla, kar bi bila v primeru majhne kapacitivnosti tipala).

2.6.5 Druge pomembne lastnosti PZT keramik
2.6.5.1 PZT MATERIAL
PZT keramike so najbolj razirjene keramike za izdelavo piezoelektrinih elementov. Proizvajalci ponujajo razline vrste kermik, ki omogoajo doseganje
razlinih lastnosti. V grobem lahko PZT mermike razdelimo v dve veliki skupini:
a) Trde PZT keramike
Trde PZT keramike lahko prenesejo relativno mono elektrino vzbujanje (velike vrednosti polja E) in znatne mehanske obremenitve. Zato so te
keramike primerne za izdelavo visokonapetostnih in monostnih piezoelektrinih generatorjev in aktuatorjev. Znailen primeri uporabe trdnih PZT
keramik so: sonarji (potreba po generiranju monih akustinih impulzov), ultrazvonih istilniki ter druge monostne akustine aplikacije. Za trdne
keramike je znailno, da imajo majhne mehanine in dielektrine izgube.
b) Mehke PZT keramike
Mehke keramike so obutljiveje vendar pa imajo veje mehanske in dielektrine izgube in so zato bolj podvrene procesu lastnega segrevanja, ki
lahko vodi ob nepravilni rabi do unienja elementa. Mehke keramike zato sreujemo pogosto v pasivnih senzorjih in aktuatorskih aplikacijah, kjer
ni potrebno tvoriti velikih mehanskih oz. akustinih moi.
2.6.5.2 TEMPERTURNO OBMOJE IN TEMPERTURNI VPLIV
Parametri piezokeramik so temperaturno odvisni. Temperaturna odvisnost je pogojena s sestavo in postopkom izdelave materiala. Odvisnost je lahko relativno
pomembna, eprav se jo da z ustrezno sestavo keramike omejiti (sicer na raun nekaterih drugih lastnosti).
Sliki 46 in 47 ponazarjata odvisnost koeficienta g31 in d31 za razline proizvajalce proizvajalca Morgan Matroc. Iz grafov je lepo razvidno, da lahko
temperaturna odvisnost, zlasti nekaterih keramik, precejnja in jo je zato potrebno upotevati pri izdelavi merilnega sistema.

Slika 46: Temperaturna odvisnost PZT keramik za g31

Slika 47: Temperaturna odvisnost PZT keramikza d31
Maksimalna obratovalna temperatura piezo-keramik je doloena s Courijevo temperaturo. e preseemo Courijevo temperaturo, pride to trajne depolarizacije
in PZT element trajno izgubi piezo lastnosti. Courijev temperatura za PZT keramike je obiajno med 200 in 600 C, v resnici pa morajo biti obratovalne
temperature precej nije od Courijeve. Do depolarizacije lahko pride namre e pri obutno nijih temperaturah, kadar je PZT element izpostavljen monim
(mehanskim ali elektrinim) obremenitvam. Maksimalna obratovalna temperatura je tako pogosto doloena z maksimalno obremenitvijo.
2.6.5.3 NAPETOSTNO OBMOJE
Piezo keramike lahko depolarizira mono elektrino polje, ki je usmerjeno nasproti prvotni polarizaciji. Zato je pomembno, da vemo kakna je bila
dejanska smer prvotne polarizacje, saj je najveja dovoljena napetost obiajno odvisna od predznaka (npr. na nek aktuator lahko pripeljemo najvejo napetost
+100 V in najmanj 30V).
Najveje dopustno elektrino polje je odvisno od PZT materiala, asu v katerem je element izpostavljen polju in delovne temperature. Tipine obratovalne
poljske jakosti se nahajajo med 500 do 1000 V/mm za trajni reim obratovanja.
Posebej pozorni moramo tudi pri uporabi izmeninega napajanja, ki lahko povzroi enake teave znotraj periode, ki ima predznak nasproten prvotni
polarizaciji.
2.6.5.4 OMEJITVE MEHANSKIH OBREMENITEV
Tudi visoka mehanska obremenitev lahko depolarizira PZT keramiko. Dovoljen obremenitev je odvisna od izbire materala, trajanja obremenitve in
temperature.
Meja najveje obremenitve je vija za kratko trajajoe dinamine obremenitve.
Poleg neposredne mehanske preobremenitve lahko PZT keramiko preobremenimo tudi z nepravilnim vzbujanje. To se lahko zgodi v bliini resonanne
frekvence elektromehanskega sistema, saj so lahko dielektrine in mehanske izgube tam precejnje, kar lahko povzroi pregretje in odpoved elementa.

Primer uporabe in izraun izhodne napetosti/deformacij glej podatkovni list Morgan Matroc

2.6.6 Posebne izvedbe piezoelementov: skladi, Bimorfi
TM
in Unimorfi
TM

e elimo meriti veje premike z PZT elementi je to teavno, saj je dopustna deformacija keramike majhna (obiajno pod m). To velja toliko bolj, kadar
elimo PZT elemente uporabiti, kot aktuatorje.
Premiki in deformacije piezo elementov, zlasti pri nijih napetosti, so majhni. Na primer maksimalna sprememba dimenzije obiajnega piezo-elemnta je pri
napetosti nekaj 10V obiajno v obmoju nekaj stotink to nekaj desetink m. Da doseemo bistveno veje deformacije pri nijih napetostih je mono v
nekaterih primerih uporabiti posebno konstrukcijo elementov. Tako poznamo tri razline oblike taknih elementov:
- Unimorph-i
TM

- Bimorph-i
TM

- Skladi
Unimorph in Bimorph sta komercialni imeni podjetja Morgan-Matroc, vendar lahko sreamo podobne elemente tudi pri drugih proizvajalcih z podobnimi
imeni, ki se obiajno konajo na morf.
Unimorf je prikazan na sliki 48. Sestavljen je iz zelo tanke plasti piezo-kermike, ki je pritrjena na medeninasto ploico z nekoliko vejim premerom, kot PZT
keramika. Ko pripelejmo na PZT ploico napetost se ta deformira, kar povzroi upogib elementa, kot kae slika 49.

Slika 48: Unimorph

Slika 49: Deformacija Unimorpha
Unimorphe uporabljamo predvsem kot akustine generatorje, ki lahko doseejo spotljive akustine moi (sreamo jih npr. v aplikacijah od ronih urami do
zelo glasnih alarmov). Uporabni so tudi za nekatere dinamien meritve majhnih premikov.
Drugi primer so Bimorphi. Dve tanki PZT ploici sta povezni med seboj, kot kae slika 50. Delovanje je zelo podobno bimetelnemu traku. Raztezek obeh
keramik je pod vplivom napetosti razlien, kar povzroi upogib elementa. Bimorphe uporabljamo pogosto kot senzorje vejih premikov ali kot aktuatorje, kjer
si elimo pridobiti velik premik elementa.

Slika 50: Bimorph
Skladi (stacks) so elementi, kjer so posamezni PZT pretvorniki zloeni v sklad, tako da so mehansko med seboj povezani zaporedno, elektrino pa vzporedno,
kot kae slika 51. Na ta nain dobimo velike raztezke pri nijih napetostih. Slika 52 kae tipine izvedbe skladov z pripadajoimi karakteristikami. Znailni
raztezki tako dosegajo tudi do 100 in ve m pri napajalnih napetostih okoli 100V.


Slika 51: Sklad

Slika 52: Praktine izvedbe skladovpodjetja Piezomehanick GmbH
2.6.7 PVDF
Leta 1969 je H Kawai odkril mono piezo elektrinost v PVDF (polivinildien flurid) PVDF je polkristalni polimer z priblino 50% kristalnostjo. Zanj je
znailna lamelna strukture, ki se mea z amorfnimi obmoji. PVDF je proen in mehansko obstojen material. PVDF nima ne izkazuje veje obutljivosti, kot
PZT. Njegova pomembna lastnost, pa je da, se ne depolalizira tudi ob prisotnosti izmeninih polij z veliko amplitudo.To omogoa da dosegamo bistveno veje
raztezke kot v primeru PZT, saj ga lahko nanesemo v tankih plasteh in uporabimo mona elektrina polja.
Menda je PVDF zelo razirjen za izdelavo podmornikih sonarjev.

2.6.8 Merilna vezja
Nastali naboj Q napolni nadomestno kapacitivnost C (sestavljeno iz kapacitivnosti merilnega tipala, kapacitivnosti merilnega kabla in kapacitivnosti vhoda
ojaevalnika) na napetost (slika 53):
U
Q
. =
C

Slika 53: Realno vezje merilnega tipala: (Rs-upornost senzorja, Cs-kapacitivnost senzorja, C-kapacitivnost kabla, Ca- kapacitivnost ojaevalnika in Ra-
upornost ojaevalnika)
Glede na to, da je ustvarjen naboj obiajno majhen, pogosta pa elimo zaznavati poasne spremembe, moramo prepreiti odtekanje naboja s kondenzatorja.
Zato uporabljamo posebna prilagoditvena vezja:
- Ojaevalnik (s FET in MOSFET tranzistorji) z zelo veliko vhodno upornostjo in zelo majhnimi vhodnimi kapacitivnostmi R >
13
C 10 O s 20pF
R
, ali
- integracijske ojaevalnike kot ojaevalnike naboja z vhodno upornostjo O. 10
14
~
Za izdelavo vhodnih stopenj imamo na razpolago mnoge sodobne operacijske ojaevalnike ter integrirane izvedbe integratorjev.
Pomemben dejavnik, ki je odvisen od asovne konstante je tako asovna konstanta. Napetost merilnega signala upada po eksponencialni funkciji s asovno
konstanto t = RC, ki jo doloata vzporedno vezana nadomestna kapacitivnost C in vhodna upornost merilnega ojaevalnika R. Pogosto je problem v sami PZT
keramiki, ki najbolji dielektrik (prevodnost ni neskonna), kar pomni da bo naboj s tipal s asom odtekel.

Slika 54: Znailni odziv PZT tipal zaradi odtekanja naboja

Oglejmo si primere:
Merilni ojaevalnik z MOS-FET-om na vhodu
Vzporedno vezje sestavljeno iz vhodne nadomestne kapacitivnosti od na primer
C = 100 pF (kapacitivnost merilnega tipala C
M
= 1 pF, kabla C
K
= 75 pF/m in kapacitivnosti vhoda merilnega ojaevalnika R = 10
14
O, daje asovno
konstanto
14 10 4
t = = = RC 10 10 10 V/ A As / V s . .
t = 10 10
5 6
...
d i
s,

Integracijski ojaevalnik kot ojaevalnik naboja
S sodobnimi operacijskimi ojaevalniki doseemo zelo dolge asovne konstante, tja do kar ustreza asu od okoli (1 ... 10) dni .
Primer integriranega integratorja je npr. IVC102 proizvajalca BURR-BROWN.

2.6.9 B.5.3. Podroje merilne frekvence
Piezoelektrina merilna tipala so primerna so primerna le dinamine ali kvazistatine meritve. Podroje merilnih frekvenc se tako giblje v obmoju okoli
f Hz. =

10 10
5 5
...
M
Zaradi odtekanja naboja je spodnja frekvenna meja mejo tako priblino

u
2
f
RC
1
.
t
=

pri tem je R celotna upornost in C celotna kapacitivnost z vezja na sliki 54. Za povsem statine meritve piezoelektrina tipala zato niso uporabna.
Zgornja mejna frekvenca je najpogosteje doloena z lastno mehansko frekvenco, ki je pogojena z samim elementnm in izvedbo tipala. V bliini resonance
namre postanejo odmiki in s tem napetosti nesorazmerne dejanskim razmerami. Dejansko uporabno podroje je tako omejeno med neko minimalno in
maksimalno frekvenco, kot ponazarja slika 55.

Slika 55: Dinamini odziv pizoelektrinega tipala

Piezoelektrina merilna tipala imajo veliko obutljivost, najvejo relativno loljivost med mehanino-elektrinimi tipali od , najmanje merilne
premike
Q
q
=

10
6
s ~ m f
M
Hz. =10
5
ter visoke merilne frekvence od Uporabljamo jih kot tipala za meritve pospekov a, sil F, tlakov p ter kot mikrofone in hidrofone
ter v drugih dinaminih aplikacijah.

2.7 Piroelektrini pojav
Piroelektrine snovi so snovi, ki lahko tvorijo elektrini naboj v primeru da skozi njih tee toplotni tok. Piroelektrini pojav je zelo podoben piezo pojavu.
Podobno kakor piezo elektrine snovi uporabljamo piroelektrine snovi v obliki tankih filmov (rezin) ki so prevleene s tanko prevodno plastjo (elektrodami),
preko katerih zbiramo ustvarjen naboj. Piroelektrini detektor je v bistvu kondenzator, ki se nabije, kadar tee skozi njega toplotni tok. Pizoelektrini
pretvornik je aktiven senzor in ne potrebuje nobenega zunanjega napajanja. Piroelektrini pretvorniki tako tvorijo naboj kadar pride do SPREMEMBE
temperature. Ker je sleherna sprememba temperature povezana s toplotnim tokom, so piezo-uporovni pretvorniki , ki v resnici zaznavajo toplotni tok in ne
toplote ali spremembe temperature. Pogosto mu pravimo tudi (termo)dinamini senzor.


Slika 56: Dinamini odziv pizoelektrinega tipala
Od 32 kristalografskih razredov jih je enaindvajset ne-centrosimetrinih in pri desetih opazimo piroelektrini pojav. Vsi omenjeni kristali, ki izkazujejo
piroelektrini pojav izkzujejo tudi pizoelektrine lastnosti (tj. tvorijo naboj v primeru mehanine defrmacije).
Piroelektrini pojav so opazili prvi v kristalu turmalina v devetnajstem stoletju, eprav obstajajo doloeni dokazi, da so pirelektrine lastnpsti poznali e Stari
grki pred 23 stoletji. Po letu 1915 je bila uspeno izdelana cela vrst kristalov in keramik, ki izkazuje piroelektrine lastnosti npr: KDP (KH
2
PO
4
),
ADP(NH
4
H
2
PO
4
), BaTiO3 in kompoziti PbTO
3
ter PbZrO
3
(slednja sta bolj znana pod imenom PZT in ju pogosto uporabljamo za izdelavo piezo
pretvornikov). Posebno pomebni so plastini piezoelektrini materiali (PVF in PVDF), ki izkazujejo znaten piroelektrien pojav.
Piroelektrini pojav je posledica dveh dejavnikov:
- PRIMARNI PIROELEKTRINI POJAV. Piroelektrino snov si lahko predstavljamo kot veliko mnoico majhnih elektrinih diplov, ki jih v procesu
proizvodnje orientiramo v doloeni smeri kristala. Kristal je navzven neutralen saj se tako porazdelijo prosti nosilci naboja v kristalu. Od vplivom
spremembe temperature pride do spremembe orientacije dipolov ali pa do spremembe njihovih dimenzij, zaradi esar se na robu kristala tvori naboj, t.j.
naboj se na novo prerazporediti.
- SEKUNDARNI PIROELEKTRINI POAV. Ta pojav lahko opiemo v smislu pizoelektrinega pojav. Pod vplivom temperaturne razlike pride do
mehanske deformacije kristala, ki povzroi nastanek klasinega pizoelektrinega pojava.

Piroelektrine senzorje najpogosteje uporabljamo kot senzorje infrardeega sevanja z zelo dolgimi valovnimi dolinami (senzorje terminega sevanja).
Obiajno je ena elektroda prevleena s snovjo, ki dobro absorbira valovanje. Tako ob prisotnosti infrardeega valovanja pride do segrevanje ene strani kristala,
kar povzroi nastanek napetosti.
Elektrino nadomestno shemo pizoelektrinega senzorja ponazarja slika 57.


Slika 57: Nadomestna shema
Piroelektrien pojav lahko opiemo z naslednjim izrazom:

AQ=P
Q
AAT

Pri tem je P piroelektrini koeficient in je temperaturno odvisen, AT razlika temperature in A povrina kristala. Znailna odvisnost piroelektrinega
koeficienta od temperature je prikazana na sliki 58.

Slika 58: Odziv pizo-elektrinega tipalav odvisnosti od temperature
Piroelektrini koeficient mono naraste v bliini Curijeve temperature (pri Curijevi temperaturi se kristal nepovratno depolarizira in izgubi piroelektrine
lastnosti). Krivulje nam povedo, da obutljivost naraa z temperaturo, vendar na raun nelinearnosti.
V zadnjem asu je bila razvita cela vrsta sodobnih snovi in kristalov, kot so posebni polimerni filmi (komercialna imena SOLEF, KYNAR) ter tankoslojni
nanosi (depozicija) piroelektrinih snovi (npr PbTiO
3
), ki ima visoko Curevo temperaturo, visok piroelektrini koeficient in kratek odzivni as.






Slika 59: Dinamini odziv pizoelektrinega tipala
Slika 59 kae asovni diagram odziva piroelektrinega senzorja pri vzbujanju s stopnino funkcijo. Naboj dosee najvejo vrednost v zelo kratkem asu nato
pa eksponentno upada s asovno konstanto t
T
. Konstanta je doloena s produktom senzorjeve termine kapacitete C in termine upornosti R, ki doloata
termine izgube s senzorskega elementa v okolico:
t
T
CR cAhR = =
pri tem je c specifina toplota elementa. Termina upornost R je doloena s skupnimi izgubami toplote v okolico (konvekcija, toplotno prevajanje, termino
sevanje) za kraji odzivni as je nujna im manja debelina h.
Za nizkofrekvenen aplikacije si elimo senzor z velikim t
T
, za hitre aplikacije pa mora biti t
T
im manji, zato pogosto piroelektrini element opremimo s
hladilnikom.
Izhodna napetost senzorja obiajno nikoli ne upade povsem na ni, saj imamo obiajno na eni strani senzorja taro (npr. opazovan objekt), ki to stran greje,
druga stran pa je izpostavljena npr. hladnejemu okolju. Skozi senzor zato tudi po daljem asu tee nek doloen toplotni tok, ki je razlien od ni, kar tvori
naboj. Elektrini tok, ki ga generira piroelektrini senzor ima enako obliko kakor termini tok skozi snov. Podrobna meritev pokae, da dokler tee konstanten
toplotni tok skozi piroelektrini element le ta tvori napetost na prikljunih sponkah. Amplituda napetosti pa je sorazmerna z jakostjo toplotnega toka.
Tok , ki tee skozi pirelektrini element tako opiemo z enabo:
i p
dQ
dt
p
d Q
dt
= +
1 2
2
2


pri tem sta p
1
in p
2
konstanti.

Tako pridemo do naslednjih zakljukov:
- Izhod senzorja je ni e ni nobenega toplotnega toka skozi senzor
- Izhod s senzorja je stalen, e skozi senzor tee stalen toplotni tok
- Izhod senzorja je proporcionalen prvemu odvodu toplotnega toka, e le ta ni stalen

2.7.1 Primer uporabe: Detektor gibanja
Slika 60-63 kae znailno uporabo piro-elektrinih detektorjev za zaznavanje gibanja segretih objektov. Slike so zgovorne same po sebi.

Slika 60: PIR325 je low cost piroelektrini detektor z dvema elementoma, ki sta vezana v nasprotni smeri

Slika 61: Osnovna shema z PIR325

Slika 62: Frenelova lea

Slika 63: Delovanje sistema
2.8 Foto-detektorji
V poglavju se bomo seznanili s fotodetektorji, ki se uporabljajo v senzorskih sistemih in optinih komunikacijah.
Detektor je eden izmed pomembnejih gradnikov optinega komunikacijskega oziroma senzorskega sistema ter kljuno vpliva na lastnosti sistema. Naloga
fotodetektorja je pretvorba sprejetega optinega signala v elektrini signal. Zahteve za dober detektor so:
1. Velika obutljivost pri delovni valovni dolini.
2. Linearnost.
3. Visok kvantni izkoristek.
4. Kratek odzivni as oz. velika pasovna irina.
5. Minimalno razmerje signal/um.
6. Stabilnost.
7. Majhne fizine izmere.
8. Nizke obratovalne napetosti.
9. Zanesljivost.
10. Nizka cena.

2.8.1 Elektromagnetni spekter



sevanje frekvenca (Hz) Valovna dolina (m) Valovna dolina
gamma-arki >10
20
<10
-12
<1 pm
X-arki 10
20
-10
17
10
-12
-10
-9
1pm-1nm
UV 10
17
-7.5x10
14
10
-9
-4.0x10
-7
1nm-400 nm
Vidana svetloba 7.5x10
14
-4.0x10
14
4.0x10
-7
-7.5x10
-7
400 nm-750 nm
blinje-IR 4.0x10
14
-1.2x10
14
7.5x10
-7
-2.5x10
-6
750 nm-2.5 m
IR 1.2x10
14
-1.2x10
13
2.5x10
-6
-2.5x10
-5
2.5 m-25 m
Mikrovalovi 1.2x10
13
-3x10
11
2.5x10
-5
-10
-3
25 m-1 mm
Radiovalovi 3x10
11
< >10
-3
>1 mm

V nadaljevanju bomo obravnavali senzorje elektromagnetnega valovanja za obmoje ultra-vijolinega, vidnega, blinjega infra rdeega in IR infra rdeega
obmoja.

2.8.2 Vrste fotodetektorjev
Za zaznavanje optinega sevanja (fotonov) lahko uporabljamo zunanji oziroma notranji fotoelektrini pojav. Detektorji, ki temeljijo na zunanjem
fotoelektrinem pojavu (fotopomnoevalka, vakuumska fotodioda, ...), izpolnjujejo zahteve po hitrosti, obutljivosti, umnosti, vendar so preveliki, predragi in
zahtevajo visoke delovne napetosti. Uporabljamo jih le v posebnih primerih. Detektorji, ki izkoriajo notranji fotoelektrini pojav (polprevodnika fotodioda,
...), izpolnjujejo veino zahtev za dober detektor in se najpogosteje uporabljajo (zlasti v senzoriki in sistemih optinih komunikacij). Narejeni so iz
polprevodnikov, kot so silicij, germanij in elementov III. in IV. skupine periodinega sistema.
Notranji fotoelektrini pojav se lahko pojavi tako pri polprevodnikih brez primesi in pri polprevodnikih s primesmi. Pri absorbciji v polprevodniku povzroi
foton nastanek para elektrona in vrzeli.
2.8.3 Zunanji fotoelektrini pojav
Pri zunanjem fotoelektrinem pojavu svetloba iz kovine izbija elektrone. Foton se pri tem absorbira, energijo hv pa prevzame elektron, ki izstopi iz kovine.
Prosti elektroni znotraj kovine, so na kovino vezani z elektrinim poljem. Da lahko elektron zapusti kovino, mora premagati izstopno delo A
i
. Energija
izstopnega elektrona E
e
je tako doloena z razliko energije vpadnega fotona in izstopnega dela (Einsteinova fotoelektrina enaba):

E h
e i
A = v

Elektron, ki ga izbije foton imenujemo tudi fotoelektron.
Energijski diagram je prikazan na sliki 64 in ponazarja elektron ujet v potencialni jami konne globine. Ugotovimo lahko, da je A
i
razlika energij med
Fermijevim in vakumskim nivojem. Elektron lahko pobegne iz kovine, ko je energija fotona veja ali enaka izstopnemu delu.


Slika 64: Diagram prikazuje energijski diagram zunanjega fotoelektrinega pojava
2.8.4 Kovinski fotodetektorji
2.8.4.1 VAKUMSKA FOTODIODA
V vakumski fotodiodi je fotoemisivna povrina (fotokatoda) nameena znotraj vakumske cevi skupaj z dodatno elektrodo (anodo), ki je glede na katodo
pozitivno nabita (glej sliko 65).


Slika 65: Shematski prikaz fotoelektrine celice.Anoda privlai zaradi svetlobe sproene fotokatodne elektrone, kar povzroi nastanek toka v zunanjem
tokokrogu. Posledica je napetost na uporu R.
Ko je fotokatoda osvetljena in je energija fotonov valovanja veja od izstopnega dela, se bodo pod vplivom enosmernega elektrinega polja izbiti elektroni
gibali proti pozitivno nabiti anodi. Kadar je zaporna napetost dovolj velika, bodo vsi izbiti elektroni prispeli do anode. Stekel bo tok, ki je sorazmeren z
gostoto svetlobnega toka vpadne svetlobe.
Izhodni signal iz vakumske fotodiode je potrebno dodatno ojaiti, kljub temu pa jih uporabljamo pri doloanju izhodne moi pulznih laserjev. Za dosego
dodatnega notranjega ojaenja lahko vakumsko fotodiodo napolnimo s plinom (npr. argon) pod izredno nizkim tlakom. Fotoelektroni iz katode bodo na poti
do anode zadeli v plinske atome ter jih pri zadostni energiji ionizirali in povzroili nastanek novih elektronov. Doseemo lahko priblino desetkratno ojaenje.
2.8.4.2 FOTOPOMNOEVALKA
Fotopomnoevalke uporabljamo za zaznavanje ultravijoline in vidne svetlobe in svetlobe blinjega infrardeega podroja. So zelo obutljive, saj imajo
visoko tokovno ojaenje in nizko razmerje signala in uma. Zaradi velikosti, potrebe po visokih napajalnih napetostih ter relativno visoke cene, jih ponavadi
uporabljamo predvsem tam, kjer je potrebno zaznati neznatno koliino fotonov (posamezne fotone).
V fotopomnoevalki so fotoelektroni pospeeni proti mnoici elektrod, ki jih imenujemo dinode. Dinode so glede na katodo razporejene tako, da ima vsaka
naslednja viji potencial. Ko elektron zadene dinodo, povzroi nastanek mnogih sekundarnih elektronov, ki jih enosmerno elektrino polje pospei proti
naslednji dinodi. S tem se nadaljuje pomnoevalni proces. Tipina potencialna razlika med sosednjima dinodama je 100V. Ko za vsak vpadni elektron na
dinodi nastane v povpreju o sekundarnih elektronov in imamo N dinod, je faktor ojaenja med katodo in anodo doloen z izrazom:

G
N
= o

Dosegamo lahko znatne ojaitve (npr. o=5 in N=9 dobimo ojaenje 2*10
6
). Shematski prikaz fotopomnoevalke je na sliki 66.


Slika 66: Shematski prikaz fotopomnoevalke

Za fotopomnoevalko je najpomemhbneji parameter notranja kvantna uinkovitost q
i
, ki predstavlja verjetnost, da bo foton izbil elektron.

q
i
=
stevilo fotoelektronov
stevilo vpadlih fotonov


Slika 66a: Primer fotopomnoevalke
2.8.5 Notranji fotoelektrini pojav
2.8.5.1 ZAPORNO POLARIZIRAN PN-SPOJ
Na kratko povzemimo ugotovitve iz poglavij o polprevodnikih, kjer ste podrobno obravnavali zaporno polariziran pn-spoj.
Pri zaporno polariziranem pn-polprevodniku, se potencialna razlika med p in n podrojem povea. Prosti elektroni, ki se nahajajo v n plasti, in proste vrzeli, ki
se nahajajo v p plasti, ne morejo premagati potencialne beriere, zato skozi pn-spoj ne tee tok. . V podroju, kjer se stikata p in n-tip polprevodnika se
rekombinirajo prosti nosilci naboja, zato v tem podroju ni prostih nosilcev naboja (zaporno obmoje-slika 67). Ker je upornost zapornega podroja velika,
upornost podroja, ki vsebuja proste nosilce naboja pa majhna, se celoten padec napetosti pojavi na zapornem podroju. Jakost elektrinega polja znotraj
zapornega podroja je zaradi tega velika.


Slika 67: Delovanje p-n-fotodiode: (a) fotogeneracija para elektrona in vrzeli za polprevodnik brez primesi; (b) struktura zaporno polariziranega p-n-spoja,
ki prikazuje prenos nosilcev naboja in nastanek zapornega podroja; (c) energijski diagram zaporno polariziranega p-n-spoja in proces fotogeneracije.

2.8.5.2 VPAD FOTONOV NA ZAPORNO PLAST
Oglejmo si razmere, ko zaporno polariziran pn-spoj osvetlimo s svetlobo (slika 67). Kadar vpade na zaporno plast foton z energijo, ki je veja, kot je energija
ree polprevodnika (hv>AE=E
r
), bo le-ta povzroil prehod elektrona iz valennega v prevodni pas in s tem nastanek para elektrona in vrzeli (slika 67).
Elektron se bo pod vplivom elektrine poljske jakosti v zaporni plasti gibal v smeri proti n-plasti, vrzel pa v smeri p-plasti. Proces lahko razloimo tudi s
stalia energijskega diagrama. Nastali elektron obiajno nima dovolj energije, da bi prestopil potencialno bariero in preel v p-plast (enako velja za vrzel in n-
plast). V zaporni plasti generirani fotoelektroni torej odtekajo v n-plast, fotogenerirane vzeli pa v p-plast. V n-plasti zunaj zapornega podroja se zato pojavi
preseek negativnih nosilcev naboja (n-plast se negativno nabije), v p-plasti zunaj zapornega podroja pa se pojavi preseek pozitivnih nosilcev naboja (p-
plast se pozitivno nabije). Ker je prikljuena napetost na diodo ves as konstantna, preseni naboj odtee preko vira zunanje napetosti. Skozi diodo prine tei
elektrini tok, ki je sorazmeren z gostoto svetlobnega toka, ki vpada na zaporno podroje.
2.8.5.3 VPAD FOTONOV IZVEN ZAPORNE PLASTI
e pride do tvorbe para elektrona in vrzeli znotraj p ali n-plasti, taken par ne obstaja dolgo, saj je eden od tvorjenih nosilcev manjinski nosilec naboja.
Preseni manjinski nosilec lahko preivi le relativno kratek ivljenjski as, nato pa se rekombinira z enim od veinskih nosilcev naboja. Fotoustvarjeni nosilci
naboja se znotraj p in n-plasti ne pospeijo, saj je zavoljo nizke upornosti p oziroma n-plasti elektrina poljska jakost praktino ni. Ker je hitrost ustvarjenih
fotonosilcev izredno majhna, ivljenski as pa kratek, ustvarjeni nosilci naboja niso sposobni prekati plasti diode. V n ali p-plasti ustvarjeni fotonosilci, se
torej rekombinirajo znotraj iste plasti in ne prispevajo k toku skozi diodo.
Fotoni, ki vpadajo izven zaporne plasti so torej nekoristni, saj ne povzroijo poveanje toka skozi diodo. irina zapornega podroja je tako kjuen dejavnik, saj
doloa obmoje diode, ki se odziva na svetlobo.
Veliko zaporno podroje ima tudi slabo lastnost. Z naraanjem dimenzij zapornega podroja se povea tudi as, ki ga potrebujejo nosilci naboja, da preidejo
zaporno plast (s tem se poslaba frekvenna karakteristika fotodiode). Za pn-spoj je tako potrebno poiskati kompromis med velikostjo zapornega podroja
(velikost aktivnega podroja) in hitrostjo odziva.
2.8.5.4 ABSORPCIJA
Proces tvorbe parov elektrona in vrzeli v fotodiodi je odvisen od absorpcijskega koeficienta o
0
polprevodnikega materiala. Za doloeno valovno dolino (pri
polprevodniku brez primesi) je fototok I
p
, ki ga povzroi vpadna svetloba moi P
0
doloen z:

I
p
=
b g Pe R
h
d

0
0
1
1 b g
v
o exp

Pri tem je e naboj elektrona, R Fresnelov odbojni koeficient mejne plasti polprevodnika in zraka in d irina absorbcijskega podroja. Absorpcijski koeficient
polprevodnika je mono odvisen od valovne doline vpadne svetlobe. Absorpcijske krivulje za nekatere pogosteje uporabljene materiale prikazuje slika 68.


Slika 68: Absorpcijske krivulje za nekatere pogosteje polprevodnike materiale (silicij, germanij, galijev arzenid, indij galijev arzenid, indij galij arzen
fosfat)
2.8.5.5 KVANTNA UINKOVITOST DETEKTORJEV
Kvantna uinkovitost q je definirana kot razmerje med tevilom elektronov, ki jih generira fotodetektor in tevilom na detektorju absorbiranih vpadnih
fotonov:
q =
tvorjeni pari elektrona in vrzeli
vpadni fotoni

Oziroma
r
q =
r
e
p
kjer je r
p
tevilo vpadlih fotonov na sekundo in r
e
odgovarjajoe tevilo tvorjenih elektronov na sekundo.
Eden izmed glavnih dejavnikov, ki doloajo kvantno uinkovitost detektorjev, je absorpcijski koeficient materiala detektorja. Kvantna uinkovitost je manj kot
1 in je odvisna od absorpcije, saj se vsi vpadli fotoni ne absorbirajo in s tem ne ustvarijo parov elektrona in vrzeli. Kvantno uinkovitost pogosto izraamo v
procentih (npr. 75% pomeni 75 parov elektronov in vrzeli na 100 vpadlih fotonov). Glede na absorbcijsko krivuljo je kvantna uinkovitost odvisna od valovne
doline svetlobe.
2.8.5.6 ODZIVNOST
Pogosto za doloanje zmogljivosti fotodetektorja uporabljamo odzivnost O, saj izraz za kvantno uinkovitost ne zajema energije fotonov. Odzivnost je
definirana kot:
O
I
P
AW
p
=

0
1

kjer je I
p
izhodni fototok v amperih in P
0
vpadna optina mo v watih. Odzivnost je pomemben parameter, saj podaja prenosno karakteristiko detektorja
(fototok na enoto vpadne optine moi).
Enabo za odzivnost lahko dopolnimo tako, da bo vkljuevala izraz za kvantno uinkovitost. Energija fotona je podana z E=hv. Iz tega lahko dele vpadnih
fotonov zapiemo odvisno od vpadne optine moi in energije fotona kot:
P
r
h
p
=
0
v

tevilo tvorjenih parov elektrona in vrzeli je zaradi tega podano kot:
r r
e p
= q
Iz prejnjih dveh izrazov dobimo:
P
r
h
e
=
q

v
0
Iz tega je izhodni fototok podan kot:
Pe
h
p
=
q
I
v
0
kjer je e naboj elektrona. Glede na definicijo odzivnosti lahko sedaj odzivnost zapiemo kot:
O
h
=
e q

v
Za odvisnost frekvence vpadlih fotonov v od valovne doline in svetlobne hitrosti c v praznem prostoru uporabimo izraz

v

=
c

in iz izraza lahko doloimo konni izraz za odzivnost kot:
O
e
hc
=
q

Ugotovimo lahko, da je pri dani valovni dolini odzivnost sorazmerna s kvantno uinkovitostjo.
2.8.5.7 MEJNA VALOVNA DOLINA
Polprevodnik ni sposoben absorbirati fotonov, kadar je energija ree E
r
veja od energije fotona. Pogoj zapiemo v obliki:
hc
E
r

>
oziroma


s
hc
E
r

Pogoj doloa najvejo valovno dolino, ki jo detektor e lahko zazna in ji pravimo mejna valovna dolina. Ponavadi jo oznaimo z

c
r
hc
E
=
in za Si (slika 69 - realna fotodioda) znaa okoli 1100nm, Ge pa 1850nm za InGaAs pa 1650nm.
Odzivnost realnega detektorja torej doloata tako valovna doloin kakor tudi energijska rea, ki podaja najvejo dopustno valovno dolino, za kater je e
uporaben detektor.
Idealna in tipina odzivna karakteristika za silicijev detektor sta prikazani na sliki 69.


Slika 69: Odzivnost glede na valovno dolino za idealno in realno silicijevo fotodiodo

2.8.6 Polprevodnike fotodiode brez notranje ojaitve
Polprevodnike fotodiode brez notranje ojaitve generirajo za vsak absorbiran foton najve en par elektrona in vrzeli. Mehanizem smo omenili e v prejnjih
podpoglavjih, v nadaljevanju pa bomo pojav preuiti nekoliko podrobneje.
2.8.6.1 PN-FOTODIODA
Slika 70 prikazuje zaporno polarizirano pn-fotodiodo z zapornim in difuzijskim podrojem. Zaporno podroje sestavljajo nemobilni pozitivno nabiti donorski
atomi v n-tipu polprevodnika in nemobilni negativno nabiti akceptorski atomi v p-tipu polprevodnika.


Slika 70: p-n fotodioda z izpraznjenim in difuzijskim podrojem
irina zapornega podroja je odvisna od koncentracije dopiranja in zaporne polarizacije (e je manje dopiranje, je ire zaporno podroje). Mehanizem tvorbe
fotoelektronov v zaporni plasti smo opisali e v prejnjem poglavju. Natanna analiza pokae, da se nosilci naboja, ki prispevajo k toku skozi diodo tvorijo
tudi v ozkem obmoju ob zaporni plasti.
Oglejmo si razmere, kadar foton vpade v neposredno okolico zaporne plasti. Elektrino polje ima v okolici zapornega podroja minimalno vrednost, ki
povzroi gibanje fotogeneriranega elektrona proti n-plasti in vrzeli proti p-plasti.
Oglejmo si vrzel, ki se generira v n-plasti. ibko polje v okolici zaporne plasti prine premikati vrzel proti zaporni plasti. e je as, ki ga potrebuje vrzel, da
dosee zaporno plast kraji od ivljenjskega asa vrzeli, se vrzel v n-plasti ne rekombinira, ampak vstopi v zaporno obmoje z monim poljem. Pod vplivom
monega polja v zaporni plasti se prenese v p-plast in tako prispevala k skupnemu toku skozi diodo.
Fotoobutljivo podroje je sestavljeno iz zapornega podroja in njegove neposredne okolice. Velikost neposredne okolice je doloena z ivljenjskim asom
elektronov oziroma vrzeli. Iz teorije polrevodnikov vemo, da dimenzije tovrstnega podroja ustrezajo difuzijski razdalji. Podroje, ki prispeva k fototoku in ni
del zapornega obmoja imenujemo tudi difuzijsko podroje.
Med nosilci, ki se generirajo v zapornem in difuzijskem podroju, obstaja bistvena razlika. Nosilce, ki jih fotoni generirajo v zapornem podroju, polje v
zapornem podroju mono pospei. Zato je odziv diode hiter. Nasprotno velja za nosilce, ki se generirajo v difuzijskem podroju, saj povpreni nosilec, ki se
generira v difuzijskem podroju, preivi v tem podroju ivljenjski as in ele nato preka zaporno plast. V difuzijskem podroju generirani nosilci povzroajo
zakasnitev odziva diode v velikostnem razredu ivljenjskega asa nosilca naboja. e elimo zagotoviti hiter odziv diode, moramo dosei im veje zaporno
podroje. Takrat bodo nosilci naboja generirani v zapornem podroju, prevladovali nad nosilci naboja iz difuzijskega podroja. To doseemo s poveanjem
zaporne napetosti oziroma z vgradnjo dodatne plasti istega polprevodnika (i-plasti), ki mono raziri podroje brez prostih nosilcev naboja. Znailen odziv
obiajne pn-diode na svetloben pulz kae slika 71.


Slika 71: Odziv p-n fotodioda na vzbujanje s svetlobnim pulzom
Izhodne karakteristike za zaporno polarizirano pn-fotodiodo so prikazane na sliki 72.

Slika 72: Izhodne karakteristike p-n fotodiode
2.8.6.2 PIN-FOTODIODA
V predhodnem poglavju smo ugotovili, da je za hiter odziv polprevodnega detektorja potrebno iroko zaporno podroje. Dodaten problem predstavlja
absorpcija svetlobe z daljo valovno dolino, saj so dimenzije zapornega podroja v obiajni pn-fotodiodi manje kot valovna dolina svetlobe, ki jo elimo
zaznavati. Takrat se v zaporni plasti absorbira le manji dele vpadnega svetlobnega toka in odzivnost diode je nizka.
Zaporno plast v obiajni pn-fotodiodi lahko poveamo tako, da jo mono zaporno polariziramo, vendar pa je maksimalna zaporna polarizacija omejena s
prebojno napetostjo diode. Visoke zaporne napetosti oteujejo in zapletejo izdelavo podpornih vezij, ki jih potrebujemo za delovanje detektorja.
Zaporno podroje lahko mono razirimo, e med p in n-plast vgradimo plast iz istega (nedopiranega) polprevodnika (i-plast
1
)
Zgradbo pin-fotodiode prikazuje slika 73. Vmesna plast nima prostih nosilcev naboja (velika upornost), zato se na njej pojavi celoten padec napetosti.
Elektrine sile znotraj vmesne plasti so zelo velike. Ker je vmesna i-plast zelo iroka, je verjetnost, da se na njej absorbira foton v primerjavi s p oziroma n-
plastjo zelo velika. Vpliv izven zapornega podroja fotogeneriranih parov elektrona in vrzeli je pri pin-fotodiodi zanemarljiv. Opisani nain delovanja
omogoa pin-fotodiodi, da je v primerjavi s pn-fotodiodo hitreja in uinkoviteja.

1
Intrinsic


Slika 73: PIN-fotodioda
Tokovno napetostna karakteristika za silicijevo pin-fotodiodo z odzivnostjo 0.5AW
-1
prikazuje slika 74. Ko je fotodioda zaporno polarizirana, deluje v tako
imenovanem fotoprevodnem nainu. Kadar zaporna polarizacija ni prisotna, povzroi svetloba nastanek pozitivne napetosti in govorimo o fotonapetostnem
nainu delovanja, ki je osnova za delovanje fotocelic. Detektorji, ki jih uporabljamo v komunikacijskih in senzorskih aplikacijah, delujejo zmeraj v
fotoprevodnem nainu. S poveevanjem zaporne polarizacije poveujemo elektrino poljsko jakost v i-podroju. Fotogenerirani nosilci naboja se z
naraanjem elektrine poljske jakosti moneje pospeijo in hitreje preidejo zaporno podroje. Odzivni as se zaradi tega kraja, pasovna irina pa poveuje.


Slika 74: Tokovno napetostna karakteristika za silicijevo pin-fotodiodo

2.8.7 Polprevodnike fotodiode z notranjim ojaenjem
2.8.7.1 PLAZOVNA FOTODIODA (APD
2
)
Plazovna fotodioda je polprevodniki detektor z notranjim ojaenjem, kar izbolja odzivnost glede na pn in pin-fotodiodo. Po nainu delovanja je plazovna
dioda podobna fotopomnoevalki, vendar ne more dosei tako velikih ojaenj (najve nekaj stokratna ojaenja).
Tokovno ojaenje v plazovni fotodiodi poteka na slede nain: foton, ki je absorbiran v zapornem podroju, ustvari par elektrona in vrzeli. Elektrino polje v
izpraznjenem podroju nato nosilce naboja mono pospei (poveanje kinetine energije). Ko se tako pospeeni nosilci naboja zaletijo v nevtralne atome,
ustvarijo pri tem nove pare elektrona in vrzeli. Proces se nato ponavlja. Tako en sam foton tvori mnoico parov elektronov in vrzeli. Pojav imenujemo
plazovni pojav.


2
Angl. Avalanche Photo Diode

Slika 75: Plazovna fotodioda
Mono pospeevanje in s tem velike kinetine energije dosegamo z visokimi zapornimi napetostmi (mnogokrat ve sto voltov). Ojaenje M naraa z
napetostjo, obiajno pa ga doloimo eksperimentalno. Ojaenje je temperaturno odvisno in s poveevanjem temperature upada, saj se razdalja med
posameznimi trki zmanja. Mnogi nosilci naboja zaradi tega ne doseejo hitrosti, ki je potrebna za nastanek sekundarnih nosilcev. Tok, ki ga generira plazovna
fotodioda z ojaenjem M, je podan z:
M eP M e P
i
h hc
= =
q q

v
kjer je q kvantna uinkovitost, e naboj elektrona, M plazovno ojaenje in P optina mo vpadnega svetlobnega valovanja.
Plazovne fotodiode so v svoji sestavi zelo podobne pin-fotodiodi (slika 75). Plasti p
+
in n
+
sta mono dopirani podroji z majhno upornostjo in z mahnim
padcem napetosti. Veina svetlobe se absorbira v vmesnem i-podroju, ki je skoraj brez primesi. Kot kae slika 75, se nastali fotoelektroni premikajo proti p-
plasti, ki je zaradi mone zaporne polarizacije brez nosilcev naboja. Veji del padca napetosti se pojavi na meji med p in n
+
plastjo. Polje v tem predelu je zato
zelo mono, elektroni, ki vstopijo v to podroje, se mono pospeijo in pri tem sproijo plazovni pojav. Vrzeli, ki se ustvarijo v i podroju, se pod vplivom
polja premikajo proti p
+
elektrodi in ne sodelujejo v pomnoevalnem procesu.
Plazovne fotodiode imajo linearno karakteristiko v obmoju od nekaj nanowatov do nekaj mikrowatov optine moi. Plazovno fotodiodo uporabljamo, kadar
imamo opravka z ibkimi optinimi signali, saj je bistveno bolj umna
3
kakor pin-dioda.
Za konec podajmo e primerjalno tabelo za pin in plazovno fotodiodo z orientacijskimi vrednostmi pomembnih parametrov.

Tabela: Primerjava p-i-n in plazovne fotodiode
Material Strukt. Odz. ) (nm) Odziv. Tem. tok Ojaa.
Silicij PIN 0.5 300-1100 0.5 1 1
Germani PIN 0.1 500-1800 0.7 200 1
InGaAs PIN 0.3 900-1700 0.6 10 1
Silicij Plaz. fd 0.5 400-1000 75 15 150
Germani Plaz. fd 1 1000-1600 35 700 50
InGaAs Plaz. fd 0.25 1000-1700 12 100 20


3
Vzrok za umnost je pomnoevalni proces, ker lahko isti foton pri plazovnem pojavu sproi razlino tevilo elektronov.
2.8.8 Ostali polprevodniki detektorji
2.8.8.1 SCHOTTKYJEVA DIODA
Kot prikazuje slika 76a, je pri Schottkyjevi diodi na silicijevo podlago n-tipa nanesena tanka plast kovine (ponavadi zlata). Energijski diagram strukture je
viden na sliki 76b. Ugotovimo lahko, da se enako kot pri pn-diodi znotraj zapornega podroja pod vplivom fotona ustvari par elektrona in vrzeli, ki se nato
zaradi notranjega elektrinega polja loita, kar povzroi tok skozi diodo. Osrednja prednost Schottkyjeve diode je, da uporablja izredno tanke kovinske plasti,
ki dobro prepuajo modro in blinjo ultravijolino valovanje. Obutljivost v tem podroju se zaradi tega izredno izbolja.


Slika 76: (a) osnovna struktura Schottkyjeve fotodiode; (b) med kovino in polprevodnikom se ustvari potencialna razlika |-E
2.8.8.2 FOTOTRANZISTOR
Podobno kot v plazovni diodi se tudi v fototranzistorju tok preko pn-spoja notranje ojai. Sestava je enaka kot pri klasinem tranzistorju, pri tem pa je baza
izpostavljena vpadnemu sevanju. Slika 77b kae npn-spoj za InGaAsP/InP heterostrukturni fototranzistor. Uporaba heterostrukture zagotavlja nizko
kapacitivnost spojev emitorja in baze ter kolektorja in baze in prepreuje absorbcijo valovanja v podrojih izven baze. Energijska rea baze fototranzistorja je
mnogo manja kot energijska rea emitorja in kolektorja, zato se valovanje ne absorbira v podroju emitorja oziroma kolektorja ampak na bazi
fototranzistorja.
Kot prikazuje slika 77b, je fototranzistor sestavljen iz n-tipa kolektorja, p-tipa baze in irokega n-podroja emitorja. Svetlobno valovanje, ki vpada na
fototranzistor, brez duenja preide emitorski pas in se absorbira na bazi. Sekundarni fototok med emitorjem in kolektorjem dobimo kot posledico premika
vrzeli v bazo. Ker sta emitor in kolektor nizko dopirana, je tokovno ojaenje tranzistorja veliko.


Slika 77: (a) simbolina predstavitev n-p-n fototranzistorja; (b) prerez n-p-n heterospojne strukture fototranzistorja

Optino ojaenje G
0
fototranzistorja podaja sledea priblina formula:

G
I I h I
0
~ =
I
P
h
e
P e
C
B
C c
0
0
= = q| q q
v
q
v


jer je q kvantna uinkovitost fotodiode baze in kolektorja, I
C
tok kolektorja, I
B
tok skozi bazo zaradi vpadne svetlobe in P
0
vpadna optina mo. | je faktor
ojaenja tranzistorja, e je naboj elektrona in hv energija fotona. Ojaenje fototranzistorja dosega v obmoju valovnih dolin med 0.9 in 1.3m vrednost 100.
ektron iz valennega v prevodni pas, e je energijska rea manja od energije fotona:
h E
r
k
2.8.8.3 FOTOPREVODNI DETEKTOR
V uvodu smo ugotovili, da preide pri absorbciji fotona el

v >
Elektron, ki se znajde v prevodnem pasu, povzroi poveanje prevodnosti polprevodnika. Pojav imenujemo fotoprevodnost in je osnovni mehanizem
fotoprevodnih detektorjev. Fotoprevo or je zelo preprost fotodetektor. dni detekt

Slika 78: Struktura fotoprevodnega detektorja
Med prevodnimi elektrodami se nahaja polprevodnik n-tipa. Zaradi zmanjanja upornosti in poveanja absorbcijske povrine sta elektrodi izvedeni na poseben
nain, kot prikazuje slika 78.
Fotogenerirani nosilci naboja poveajo prevodnost polprevodnika in s tem tok v zunanjem tokokrogu. Predpostavimo, da se celotno vpadno valovanje
absorbira na n-plasti fotoprevodnega detektorja. tevilo na sekundo generiranih parov elektronov in vrzeli je enako qI
0
WL/hv, pri tem je q kvantna
uinkovitost, I
0
gostota svetlobnega toka vpadnega valovanja ter W, L in D dimenzije detektorja. Povpreno tevilo na enoto prostornine v enoti asa
generiranih nosilcev je tako:
I
r
WL
h WLD
g
=
q

v
0
oziroma
r
I
h D
g
=
q
v
0

Vpadno svetlobno valovanje torej povzroi poveanje koncentracije prostih nosilcev nad ravnovesno (termino) koncentracijo. Vzbujeni nosilci v prevodnem
pasu ne morejo obstajati v nedogled, ampak se sproti rekombinirajo. tevilo rekombinacij v enoti asa na enoto volumna je definirano z:

r
r r
= =
n p A A
t t

V ravnovesnih razmerah mora biti izraz enaka (ravnovesje se vzspostavi, ko je tevilo fotogeneriranih nosilcev enako tevilu rekombiniranih nosilcev).
r r =
Enabo zapiemo v obliki
a
g
A A n p r
r
= = t
Prevodnost o polprevodnega ma ot: teriala zapiemo k
o = + ne pe
Zaradi vpadne svetlobe se prevodnost povea za Ao

A
e v
A A o t = + = + ne pe r e
e v r e v


Kadar je detektor pr valovanje fotoinducirani tok Ai:
b g
ikljuen na napetost U, povzroa vpadno svetlobno

A A i
WD
=
L
U o

Dobimo

Ai
WD
L
r e
r e v
= + t b gU

Tako lahko definiramo nov parameter fotoprevodno ojaenje G kot razmerje med tevilom elektronov, ki prehajajo skozi detektor, in tevilom fotogeneriranih
parov elektronov in vrzeli:

G
i
e r WD
g
=
A
L
1

Iz prejnjih enab dobimo
G
V
L
r e
=
v
+ t b g

2
S pomojo enabe lahko tako doloimo povezavo spremembe toka na detektorju in gostote vpadnega svetlobnega toka na detektor.
2.9 Detekcija daljih valovnih dolin
Detekcija daljih valovnih dolin (valovnih dolin pod 2 m) postane teavnjea zaradi naslednjih vzrokov:
- Posamezni fotoni prenaajo manj energije zato je potrebno izbrati polprevodniki material z majhno energijsko reo.
- Zasedenost prevodnega pasu je doloena s irino energijske ree in temperaturo. e je energijska rea majhna in absolutna temperature pa visoka se bo
v prevodnem pasu nahajao e znatno tevilo elektronov, v prevodnem pa znatno tevilo vrzeli. To povzroa poveanje uma (temnega toka), ki ga
lahko reujemo le tako, da detektor hladimo. Detektorji za dalje valovne doline so zato nemalokrat hlajeni s tekoim duikom.
- Izbira in primernost polprevodnikih materialov z majhno energijsko reo je omejena, postopki za izdelavo tovrstnih polprevodnikov pa niso tako
dognani, ko npr. za Si.
- Za obmoje srednjega IR podroja tako uporabljamo veino fotodiode iz posebnih polprevodnikih materialov (npr. InSb), ki jih obiajno hladimo
- Za obmoje srednjega in daljnega IR podroja tako uporabljamo veino foto-upore iz posebnih polprevodnikih materialov (npr. HgCdTe, ), ki jih
hladimo. Polprevodniki z ustrezno majhnimi energijskimi reami pogosto ne omogoajo izdelavo dovolj kvalitetnega pn spoja.
Znailen primer, ki je uporaben v obmoju valovnih dolin do 2 m je InSb, slika 79 kae primer taknega senzorja.


Slika 79: Primer odzivnosti InSb senzorjev(pn spoj)


Slika 80: Priemer odzivnost HgCdTe senzrjev

Slika 81: Primer PbS

Slika 82: Pregled nekaterih materialov in obmoje uporabe