ULUDA NVERSTES MHENDSLK-MMARLIK FAKLTES ELEKTRONK MHENDSL

YKSEK FREKANS OSLATRLER

030610062-Zafer ALIKAN

BURSA 2010

Zafer ALIKAN

1.GR Osilatrler, elektronikte eitli amalar iin gerekli olan fonksiyonel iaretlerin elde edilmesinde kullanlmaktadr. Fonksiyonel iaretler sins, kare, gen, testere dii, rampa olabilmektedir. Osilasyon ilemi sonsuz tekrar eden bir dngden meydana gelmektedir. Dolaysyla dardan herhangi bir mdahale edilmedii takdirde dng sonlanmaz ve istenen genlikte, frekansta ve fonksiyonda iaret elde edilir. Bu dev almasnda ncelikle osilasyonun nasl elde edildiine daha sonrasnda ise yksek frekans elde etmede kullanlan osilatrler hakknda genel bilgiler verilecektir. 2.OSLASYON Bir elektronik devrede en basit anlamda osilasyon salamak iin tank devreleri kullanlmaktadr. Tank devresi paralel olarak balanm bobin ve kondansatrden olumaktadr. alma prensibi ise u ekildedir: Kondansatr ncelikle belli bir DC gerilimle arj edilir. Daha sonra bobin ile paralel balanr. Kondansatr zerinde biriktirdii yk bobin zerinden boaltmaya balar. Bobin zerinde ise kondansatr gerilimine bal olarak bir akm akmaya balar. Bu akm bobin zerinde bir manyetik alan meydana getirir. Kondansatrn biriktirdii yk tkenince bu sefer bobin zerindeki manyetik alan kondansatr oluturduu bir ters akmla arj etmeye balar. Bu ilem bu ekilde sreklilik gsterdiinde osilasyon ilemi meydana gelir(bkz. ekil-2.1). Fakat bu ilem bu haliyle sonsuz kez kendini tekrar edemez. nk bobin zerinde oluan diren yznden belli bir tekrardan sonra snmler olumaya balar ve iaret yok olur(bkz. ekil-2.2). Srekli bir osilasyon ancak iaretin kuvvetlendirilip belli bir miktarnn geri beslenmesiyle oluturulur. Geri besleme pozitif olmaldr. Pozitif geri besleme yaplmasnn nedeni geri beslenen iaret ile asl iaret arasnda faz fark oluturmamaktr. Bylece de iaretin snmlemesi engellenmi olur.

ekil-2.1

ekil-2.2

http://cygm.meb.gov.tr/modulerprogramlar/kursprogramlari/bilisim/moduller/osilator.pdf,s.9,ET:20.05.2010 http://cygm.meb.gov.tr/modulerprogramlar/kursprogramlari/bilisim/moduller/osilator.pdf,s.9,ET:20.05.2010

Zafer ALIKAN

3.YKSEK FREKANS OSLATRLER Yksek frekans spekturumu 3-30 Mhz frekans bandn kullanmaktadr. Dolaysyla bu aralkta bir sinyal retmek iin yksek frekans osilatrlerine ihtiya duyulur. Yksek frekanslarda osilasyon salamak iin eitli osilatr devreleri mevcuttur. imdi bunlar inceleyelim: 3.1.LC OSLATRLER LC osilatrler, 100 kHz ve zeri frekanslar iin uygundur. LC osilatrleri genellikle yksek frekanslar retmek iin kullanldndan genellikle BJT ve FET gibi elemanlar kuvvetlendirici katnda tercih edilir.3 LC osilatrleri paralel olarak balanm kondansatr ve bobinden oluan ve osilasyonu salayan bir tank devresine sahiptirler. Bir tank devresi ideal artlarda(tm direnler sfr iken) tek bana osilatr oluturmak iin yeterlidir. Fakat zellikle bobinde meydana gelen direnten dolay belli bir sre sonra snmler olumaya balar. Dolaysyla osilasyon katndan alnacak olan bir geri besleme iareti, bir kuvvetlendiriciye ynlendirilip burada kuvvetlendirildikten sonra tekrar osilasyon katna verilirse oluacak olan snmlerin nne geilmi olunur ve bylece sreklilik arz eden bir iaret elde edilmi olur. Osilatr devreleri dardan hibir mdahale olmadan almaya balarlar 4. Dolaysyla ilk osilasyona balama annda yeterli kararllkta bir iaret elde edilemez. LC osilatrleri rezonans frekansnda alan bir osilatrdr. Rezonans, kondansatrn kapasitans ve bobinin endktansnn toplamnn sfr olmas annda oluur. Bu durumda, (3.1) (3.2) (3.1) ve (3.2) denklemlerinde w=2ftir. (3.1) ve(3.2) denklemlerinin toplam sfra eitlenirse buradan elde edilecek olan frekans rezonans frekans olacaktr. (3.3) (3.3) denkleminden w ekilirse ve w yerine w=2f yazlrsa,
3

SARAN,Murat; Osilatrler;Blm3; http://w3.balikesir.edu.tr/~msaran/OSILATORLER.pdf;s.3(Eriim Tarihi:20.05.2010) 4 http://cygm.meb.gov.tr/modulerprogramlar/kursprogramlari/bilisim/moduller/osilator.pdf,s15,ET:20.05.2010

Zafer ALIKAN

(3.4) rnein 10 Mhzlik bir iaret elde etmek iin devrede kullanlacak kapasite ve endktans deerlerini saptayalm: Burada devrede kullanacamz bobin ya da kondansatrden herhangi birisinin deeri ncelikle seilir. Daha sonra seilen deere ve istenen frekansa bal olarak dier elemann deeri saptanr. Biz burada bobin iin 1000 H deeri seersek (3.4) denklemini kullanarak kapasite deerini u ekilde elde ederiz: (3.5) Bu L ve C deerlerini kullanarak bir paralel LC devresi oluturduumuzda snml bir sins iareti(bkz. ekil-2.2) elde edilir. Tam anlamyla osilasyon iin eitli osilatr devreleri mevcuttur. Burada hesaplanan L ve C deerlerine bal olarak her bir devrede oluan osilasyonlar gsterelim. 3.1.1.Collpits Osilatr

Kuvvetlendirme IKI n Gerilimleme

Geri Besleme

ekil3.1.1

Zafer ALIKAN

ekil3.1.1de Colpitts osilatrne ait devre emas verilmitir. Devrede k olarak gsterilen ksm LC tank devresidir. Ve burada C1 ve C2 kondansatrleri seri olarak balanmlardr. Dolaysyla iki kapasitenin edeeri olarak hesaplanr. L

bobini ise 1mH deerinde alndndan rezonans frekans daha ncede belirtildii gibi 10 Mhz olarak hesaplanr. Aada WorkBench ile yaplan simlasyona ait sonular verilmitir.

10Mhz

ekil3.1.2

ekil3.1.2den grlecei zere sins Collpits osilatr ile sins iareti elde edilmitir. Burada sinyalin frekans yaklak olarak 10 Mhz mertebelerindedir. Frekans deerini deitirmek iin k olarak belirtilen ksmda C1,C2 ve L deerleri, genlik deerini deitirmek iin ise ya besleme kaynann deerini ya da R1 ve R2 direnlerinin deerleri deitirilmelidir. 3.1.2.Hartley Osilatr Hartley Osilatrnn tank devresinde bir nceki devredeki tank devresinden farkl olarak kondansatr yerine bobin, bobin yerine de kondansatr kullanlmtr. Bu devrede frekans belirlemesi L1 ve L2 bobinleri ve C kondansatr tarafndan yaplmaktadr. Bobinler seri balandklarndan toplama bobin deeri LT=L1+L2 eklindedir. Buradan da rezonans frekans olarak hesaplanr. ekil3.2de Hartley Osilatrne ait devre emas

verilmitir. Bu devrede en nemli durum k direkt olarak LC osilatrnden alnmam ve

Zafer ALIKAN

ka bir yksek geiren filtre ilave edilmitir. Bunun sebebi ise dk frekanslarda oluabilecek harmoniklerin ka yansmasn engellemektir. WorkBench ortamnda 10 Mhzlik bir iaret elde etmek iin hesaplanan kondansatr ve bobin deerleri istenen sonucu tam olarak vermediinden rnek olmas asndan dipnotta belirtilen kaynaktan ekil3.1.3teki devre aynen alnmtr.

ekil3.1.3 5 ekil3.1.3teki devrenin kts Workbenchte yaplan simlasyonla aadaki gibi elde edilmitir.

ekil3.1.4
5

http://cygm.meb.gov.tr/modulerprogramlar/kursprogramlari/bilisim/moduller/osilator.pdf,2008,s.12(Eriim Tarihi:20.05.2010)

Zafer ALIKAN

3.2.KRSTALL OSLATRLER Kristalli osilatrler, kristalin devrede geri besleme eleman olarak kullanlmasyla yksek kararllkl iaret elde etmek iin kullanlrlar. Kristal piezoelektrik bir yapya sahiptir ve zerine bir gerilim uygulandnda mekanik titreimler retmeye balar. En byk titreimini ise doal frekansnda elde eder.6 Kristaller, seri ve paralel rezonans devreleri eklinde devreye adapte edilir. Rezonans devresinde ise genellikle bir kondansatrle beraber kullanlr. Yksek kararlkl iaretler elde edilmesi isteniyorsa kullanlan kondansatrlerin deerleri byk seilir. zellikle mikro ilemci iin gerekli saat darbelerinin retimi iin paralel bir rezonans devresinde kondansatr deerleri reticiler tarafndan genellikle 22pf ve 33pf olarak nerilmektedir. Kondansatrn burada en nemli grevi oluabilecek kaymalar engellemek ve bir nevi iarete ince ayar yapmaktr. Kristalli osilatr devreleri 20 Mhz civarnda osilasyon salarlar.6 Daha yksek mertebelerde osilatr elde edilmek istenirse ek birtakm devrelerin kullanlmas gerekmektedir. nk kristal kullanarak 20 Mhzden daha yksek seviyede frekans elde etmek iin kristalin daha kk boyutlara indirgenmesi gerekir.6 Bu da kristalin krlganln arttrdndan tercih edilmez. Aada kristale ait paralel ve seri rezonans devreleri verilmitir.

ekil3.2.17

SARAN,Murat; Osilatrler;Blm3; http://w3.balikesir.edu.tr/~msaran/OSILATORLER.pdf;s.8(Eriim Tarihi:20.05.2010)

7

SARAN,Murat; Osilatrler;Blm3; http://w3.balikesir.edu.tr/~msaran/OSILATORLER.pdf;s.9(Eriim Tarihi:20.05.2010)

Zafer ALIKAN

Kristalli osilatr kullanlarak gereklenmi devre modellerini incelersek: 3.2.1.Kristalli Miller Devresi Bu devrede FETin giriine kristalli rezonans devresi yerletirilmitir. Kristalin rettii iaretler ile FET iletime ve tkamaya girer ayrca FETin drain(aka) ucundaki L1C1 ayarl rezanatr kristalin frekansna ayarlanarak FETin akacndan kaynana(source) doru akacak akm ile kta greceimiz kararl bir osilasyonu oluturacaktr. Aada bu devreye ait ekil verilmitir.

ekil3.2.28 3.2.2.Mikro lemcili Osilatr Gnmzde bir ok alanda kullanlmakta olan mikro ilemciler ile kare dalga reten osilatr ok basit birka komutla gereklenebilmektedir. Mikroilemci kendi saat darbelerini retmek iin dardan balanan kristali kullanr. Kristal ilemciye paralel bal iki adet kondansatrle balanr. Bu ekilde yksek kararl iaret elde edilir. dev kapsamnda PROTEUS zerinde gereklenen bu almada mikro ilemci olarak piyasada ok sk kullanlan PIC16F84 seilmitir. Kristal 20 Mhzlik frekansa sahiptir. lemci kristalden ald 20 Mhzlik iareti kendi ierisinde 4e bler ve dolaysyla 5 Mhzlik bir iareti kendi ilemleri iin kullanr. lemci, kristal ve kondansatrlerden oluan devre ekil3.2.3te verilmitir. Devre kurulduktan sonra yazlm ksmnda ise ok basit kodlarla 10 Mhzlik iaret elde edilmeye allmtr. Fakat simlasyonda tam olarak 10 Mhzlik iaret gzlenememitir. Bunun sebebi ise simlasyonun gerekletii anda bilgisayar ilemcisi,
8

http://cygm.meb.gov.tr/modulerprogramlar/kursprogramlari/bilisim/moduller/osilator.pdf,2008,s.21(Eriim Tarihi:20.05.2010)

Zafer ALIKAN

zerinde birok program altndan yeteri dzeyde simlasyon iin saat iareti retmemesidir. Yazlan program ekte verilmitir.

C1
33pF

U1 X1
CRYSTAL 16 15 4 OSC1/CLKIN OSC2/CLKOUT MCLR RA0 RA1 RA2 RA3 RA4/T0CKI RB0/INT RB1 RB2 RB3 RB4 RB5 RB6 RB7 PIC16F84A 17 18 1 2 3 6 7 8 9 10 11 12 13 A B C D

C2
33pF

ekil3.2.3 retilen kare dalga aada verilmitir.

ekil3.2.4

Zafer ALIKAN

3.2.3.Tranzistrl Kristal Osilatr Devresi Tranzistrl kristal osilatr devresinde kristal geri besleme eleman olarak kullanlmtr. Kristal, rezonans frekansnda dk bir diren gsterir bu da geri beslenen iaretin kaypsz olarak girie aktarlmas anlamna gelmektedir.9 Aada bu prensipte oluturulmu devre verilmitir.

ekil3.2.4 9 Bu devrede R1 ve R2 direnleri ngerilimleme, kristal ve C1 geri besleme, RFC yk direnci, RE sl kararllk direnci, CE ,DC by-pass kondansatrdr. CE kondansatr ayrca DC gerilimin direkt topraa ulamasn salayarak, tranzistrde sadece AC iaretin kuvvetlendirilmesini salar. SONU Yksek frekansl iaretler elde etmek iin eitli osilatrler kullanlmaktadr. Yukarda bahsedilen osilatrler bu tipten osilatrlerden sadece birkadr. Ghzler mertebelerinde osilatrler elde etmek iin yukarda bahsedilen kristalli osilatrler eitli oklama yntemleriyle oklanabilir10. Dikkat edilmesi gereken nokta elde edilen iaretin kararl ve dzgn olmasdr. Dolaysyla bu tip bir osilatr tasarlarken kullanlacak olan filtreler, anahtarlama elemanlar iaretin dzgnl asndan byk nem tamaktadr.

http://cygm.meb.gov.tr/modulerprogramlar/kursprogramlari/bilisim/moduller/osilator.pdf,2008,s.21(Eriim Tarihi:20.05.2010) 10 Payne Tom, Wessendorf Kurt, Oscillator Design Techniques Allow High Frequency Applications Of Inverted Mesa Rezanators, http://www.sss-mag.com/pdf/saosc.pdf,s.6,ET:20.05.2010

Zafer ALIKAN

10

EK TRISB=0 START: HIGH PORTB.0 PAUSEUS 1/10 LOW PORTB.0 PAUSEUS 1/10 GOTO START END ;10 Mhz'lik iaret