Cours

Laboratoire 1
Diodes et applications
Universit Mohammed V, Facult des Sciences, Rabat
Premire partie
Rappel de cours
La diode est un lment actif comportant deux lectrodes dsignes gnralement par
anode et cathode. La diode 1` rsulte de la jonction de deux lments semi-conducteurs
gnralement en silicium (cf. g. 1). Lun des lments a subit un dopage type 1, lautre un
dopage type `. A cause des proprits particulires des semi-conducteurs, la circulation
du courant travers la jonction ne peut seectuer que dans le sens 1 `.
Fig.1 : Constitution et symbole dune diode jonction 1`.
1 Courbe caractristique
En examinant en dtail la relation courant-tension dune jonction polarise, on constate
que le courant obit la tension applique selon la loi exponentielle suivante :
1
D
= 1
s
exp(
\
D
:\
T
) 1
(1)
le courant 1
s
est appel courant inverse de saturation. Cest la valeur asymptotique du
courant traversant la jonction en polarisation inverse.
\
T
est la tension thermodynamique qui vaut \
T
=
KT
q
26:\ 25
C ( = 1. 6
10
19
C. 1 = 1. 23 10
23
J,
1).
: est le coecient dmission. Il dpend du matriau, voisin de 1 dans les jonctions de
transistors au silicium et dans les diodes au germanium, et compris entre 1 et 2 dans les
diodes au silicium.
La caractristique courant-tension (1) peut tre approxime convenablement par la rela-
tion 1
D
1
s
exp(
V
D
nV
T
) dans le cas o la tension \
D
excde 100:.
La diode est dite polarise en direct lorsque la tension \
D
est positive. Dans ce cas, la
croissance exponentielle du courant est fortement marque par la tension de seuil \
D0
(cf.
g.2). Pour la jonction au silicium, la tension seuil \
D0
stablit environ entre 0.6\ et
0.7\ .
Pour une tension applique \
D
< 0, la diode est polarise en inverse. Le courant traversant
la diode de la cathode vers lanode est extrmement faible et crot rapidement avec la
temprature ; il vaut 1
s
. On considre que la diode est bloque.
Pr. A. MAAOUNI Travaux pratiques dlectronique SMP5 2
Fig.2 : Caractristique relle de la jonction PN
B Diode
Lorsque la tension inverse [\
D
[ angmente jusqu atteindre une tension [\
BR
[ dite de
claquage, le courant augmente rapidement dans la diode entranant sa destruction.
B Diode Zener
Le courant 1
D
est ngligeable tant que [\
D
[ < [\
BR
[ = [\
Z
[ (tension Zener). Au-del,
le courant 1
D
crot trs rapidement et \
D
= \
z
. Pour viter la destruction de la diode
zener, le constructeur spcie le courant maximal. [\
Z
[ varie selon le type de la diode
entre quelques volts et plusieurs dizaines de volts.
2 Modle lectrique quivalent la diode en direct
2.1 Modles statiques
Pour tudier les structures lectroniques on est conduit dans un but de simplication
linariser la fonction 1
D
= ,(\
D
) en direct. En fonction du problme traiter direntes
hypothses peuvent tre envisages :
Fig.3 : Modles de la diode en direct
Diode idale
Si \
D
< 0, le courant 1
D
= 0.
Si 1
D
0. la tension \
D
= 0.
La diode est quivalente un interrupteur :
dsigne lanode et 1 la cathode.
Diode parfaite
Si \
D
< \
D0
, le courant 1
D
= 0.
Si 1
D
0. la tension \
D
= \
D0
.
La diode est quivalente soit un circuit ouvert, soit une source de tension parfaite de
f..m \
D0
:
Diode relle
Si \
D
< \
D0
, le courant 1
D
= 0.
Si 1
D
0. la tension \
D
= \
D0
+ 1
D
1
A!K
.
La diode est quivalente soit un circuit ouvert, soit une source de tension de f..m \
D0
et de rsistance interne 1
D
:
2.2 Rsistance dynamique et modle dynamique
Dans quelques applications, on cherche dterminer le comportement en AC du circuit
diodes autour dun point de fonctionnement. On a donc une superposition dun signal
DC et dun signal AC de faible amplitude.
Fig.3 : Excitation AC de la diode de faible amplitude autour
du point de fonctionnement Q
Le signal instantan appliqu la diode est :
D
= \
DQ
+
d
|{z}
Composante AC
Le courant dans la diode correspondant scrit :
i
D
1
s
exp(

D
:\
T
)
= 1
s
exp(
\
DQ
:\
T
)
| {z }
I
DQ
exp(

d
:\
T
)
1
DQ
(1 +

d
:\
T
).

d
:\
T
1
| {z }
Faible signal
Il sensuit que :
i
d
= i
D
1
DQ
1
DQ
:\
T
|{z}
1=r
d
d
o :
d
est la rsistance dynamique de la diode dnie par : :
d
=
nV
T
I
DQ
.
En polarisation directe, la diode est quivalente en dynamique au circuit suivant :
Fig.4 : Schma quivalent en polarisation directe
petits signaux de la diode
3 Modle de la diode zener
Dans le sens direct, cette diode se comporte comme une diode normale, dans le sens
inverse la diode zener est quivalente une source de tension de f..m \
z
et de rsistance
interne :
z
(cf. g.5) :
Fig.5 : Modle, symbole et caractristique de la diode zener.
4 Applications des diodes
4.1 Redressement
Les redresseurs sont des circuits qui permettent de transformer lalternatif en DC. On
distingue deux types de redresseurs : mono alternance et bi alternances. Le principe est
dcrit dans la gure suivante :
Fig.6 : Chane de conversion AC-DC
On suppose dans ce qui va suivre que les diodes sont caractrises par une rsistance directe
1
D
nulle.
4.1.1 Redressement monoalternance
Soit le montage suivant :
Fig.7 : Redresseur simple alternance
La tension
i
est sinusodale :
i
= \
m
sin(.t) de frquence , =
!
2
=
1
T
. 1 est la priode
du signal.
Si i 0. la diode idale est un court-circuit. La loi des mailles scrit :
i
\
D0
=
a
=
1i 0. Donc, si :
i
\
D0
.
o
=
i
\
D0
.
Si
AK
=
A

K
< 0 la diode idale est un circuit ouvert,
A
= \
i
.
K
= \
D0
.
o
= 0.
Donc, si :
i
< \
D0
.
o
= 0
Fig.8 : Caractristique de transfert et volution de la tension de sortie
o
.
4.2 Redressement bi-alternances
Fig.9 : Redresseur bi-alternances pont.
En remplaant les diodes (supposes ici identiques) par leurs modles quivalents, on peut
redssiner le schma du redresseur double alternance ainsi :
Fig.10 : Schma quivalent
Fig.11 : a) Schma quivalent du pont pour lalternance +, b) celui pour lalternance -.
Si
i
2\
D0
, les diodes idales 1
1i
et 1
3i
sont quivalentes des courts-circuits, la tension
de sortie vaut donc :
o
=
i
2\
D0
.
Si
i
< 2\
D0
, les diodes idales 1
2i
et 1
4i
sont quivalentes des courts-circuits, la
tension de sortie vaut donc :
o
=
i
+ 2\
D0
.
4.3 Composante DC, valeur ecace et facteur de forme du si-
gnal priodique
Soit :(t) un signal priodique de priode 1. Par dnition :
o
DC
= o
moy
=
1
1
Z
T
:(t)dt
o
eff
=
s
1
1
Z
T
:
2
(t)dt
Facteur de forme :
1 =
o
eff
o
moy
Pour le signal redress monoalternance (cas o \
D0
= 0) :
\
o;DC
=
\
m
:
\
o;eff
=
\
m
_
2
1 =
:
2
signal dentre
i
= \
m
sin(
2:
1
t)
Pour le signal redress bi-alternances (cas o \
D0
= 0) :
\
o;DC
=
2\
m
:
\
o;eff
=
\
m
_
2
1 =
:
2
_
2
Dans le cas o \
m
2\
D0
. la composante \
o;DC
vaut :
2(V
m
2V
D0
)
4.4 Filtrage
Le circuit de ltrage le plus simple consiste mettre un condensateur en parallle avec le
redresseur (voir gure 12).
Fig.12 : Redressement et ltrage
La loi des noeuds au noeud de potentiel
o
entrane :
i
D
=

o
1
+ C
d
o
dt
Lorsque la diode est passante, le condensateur se charge et
o
=
i
\
D0
. A linstatnt t
1
.
la diode se bloque et le condensateur se dcharge avec une constante de temps t = 1C :
o
(t) = (\
m
\
D
0
) exp(
t t
1
t
)
A linstant t
1
+1 1 o t = 1
4
1
3
dsigne le temps de conduction de la diode, la
tension aux bornes du condensateur vaut :
o
(t
1
+ 1 t) = (\
m
\
D
0
) exp(
1 t
t
)
(\
m
\
D
0
) exp(
1
t
). t 1
(\
m
\
D
0
)(1
1
t
)
Lamplitude
r
des ondulations vaut donc :
r
= (\
m
\
D0
) (\
m
\
D
0
)(1
1
t
)
= (\
m
\
D0
)
1
t
Dans le cas dun dtecteur de pic base dun redresseur bi-alternances, lamplitude des
ondulations est donne par :
r
= (\
m
\
D0
)
1
2t
4.5 Rgulateur de tension
Fig.13 : Rgulateur de tension
Le circuit maintient la tension au niveau de la charge 1 constante (elle vaut \
z
) :
lorsque la charge varie : stabilisation aval
lorsque la tension dalimentation varie : stabilisation amont
1 variable tension l = Ctc
le courant de charge 1
L
varie, sil augmente, le courant 1
z
dans la diode diminue puisque
1 =
UV
z
R
s
= 1
z
+1
L
= ctc. Pour la charge, le stabilisateur se comporte comme une source
de tension constante.
l variable
A un accroissement l en entre correspond un accroissement l
R
de la tension de
sortie (au niveau de la charge) :
l
R
:
z
1
s
l
Deuxime partie
Manipulation
5 Diode
5.1 Relev de la caractristique de la diode loscilloscope
Fig.14a : Schma pour le relev de la caractristique de la diode
1. Raliser le montage de la gure 14a et relever la caractristique de la diode. Dduire
la tension seuil \
D0
et identier le type de diode : Ge ou Si.
2. Expliquer le rle de la rsistance 1.
Fig.14b : Oscillogramme de la caractristique de la diode
Note :
Aucune sortie du gnrateur B.F. nest relie la masse M de loscilloscope. On dit
que le gnrateur B.F. travaille en sortie ottante.
Mettre le bouton base de temps en position lissajous( X via Y)
5.2 Redressements monoalternance et double alternances
3. Raliser le montage suivant :
Fig.15a : redressement monoalternance et ltrage
Fig. 15b : Oscillogrammes pour a) C = 0. b) C = 1j1, c) C = 2. 2j1, d)
C = 10j1.
et relever les oscillogrammes (g.15b, a), b), c) et d)), explications.
4. Dterminer la valeur crte, la valeur moyenne et la valeur ecace pour la forme
donde correspondante C = 0.
5. Dterminer lamplitude des ondulations
r
. Comparer ce rsultat avec la valeur
thorique pour les deux cas : C = 1j1. C = 2. 2j1.
6. Reprendre les questions 3
, 4
et 5
pour le circuit suivant :

Fig.16a : Redressement bialternances et ltrage
Fig. 16b : Oscillogrammes pour a) C = 0. b) C = 1j1, c) C = 2. 2j1, d)
C = 10j1.
6 Diode Zener
6.1 Relev de caractristique
7. Raliser le montage de la gure suivante et relever la caractristique inverse de la
diode Zener. Dterminer partir du graphique, la tension Zener \
Z
et la rsistance
:
z
.
Fig.16a : Relev de la caractristique inverse de la diode Zener
Fig. 16b : Trac de la caractristique inverse de la diode Zener
6.2 Stabilisation en tension
8. Raliser le montage de la gure 13 pour 1
s
= 470. Relever la caractristique de
transfert l = ,(l
R
) pour 1 = 1/.
9. Relever et tracer 1
L
= ,(l
R
) pour l = 20\ .
10. Conclure
Fig.17a : Caractristique de Transfert l
R
= ,(l)
Fig.17b : Caractristique 1
L
= ,(l
R
)
Laboratoires 2 et 3 :
Etage amplicateur transistors
Premire partie
Rappel de cours
1 Transistor bipolaire
Le transistor est constitu de deux jonctions, places en srie, trs proches lune de lautre
et de polarits opposes. On distingue le transistor NPN et le transistor PNP dont voici
les symboles et les conventions :
Fig.1 : Convention et symboles
Avec les convenstions de la Fig.1 :
1. Pour le transistor `1`
Les courants collecteur i
C
, emetteur i
E
, et base i
B
sont positifs.
Les tensions
BE
et
CE
sont positives.
2. Pour le transistor 1`1
Les courants collecteur i
C
, emetteur i
E
, et base i
B
sont positifs.
Les tensions
EB
et
EC
sont positives.
Le transistor `1` est constitu dune jonction `1 (Collecteur-Base) et dune jonction
1` (Base-Emetteur). Suivant le mode de polarisation de ces deux jonctions (bloque =
inverse ou passante = directe), quatre modes de fonctionnement du transistor peuvent
apparatre :
Jonction collecteur-base Jonction base-metteur Mode de fonctionnement
Inverse Direte Normal
Bloque Bloque Bloqu
Directe Directe Satur
Directe Inverse Inverse
En mode normal, le transistor ajuste le courant collecteur de sorte quil soit une version
amplie du courant base avec une constante damplication , :
i
c
= ,i
b
. i
e
= i
c
+ i
b
= (, + 1)i
b
Le modle du transistor dans cette rgion est reprsent la gure 2 :
Fig.2 : Modle simpli du transistor NPN
1
s
10:
Si on injecte un signal de faible amplitude
BE
au niveau de la base autour du point
de fonctionnement Q(1
BQ
, \
BEQ
), on aura en entre et en sortie des grandeurs de faibles
amplitudes i
B
, i
C
et
CE
:
Fig.3 : Application dun signal de faible amplitude autour du point
de fonctionnement Q caractris par \
BEQ
. 1
BQ
. 1
CQ
et \
CEQ
Le courant base comporte une composante DC et une composante de faible amplitude :
i
B
= 1
BQ
+ i
B
(2)
1
S
,
exp(\
BEQ
,\
T
)
| {z }
I
BQ
(1 +
1
\
T

BE
)
= 1
BQ
+
1
BQ
\
T

BE
= 1
BQ
+
1
CQ
,\
T
|{z}
1=r
BE
i
B
=
1
CQ
,\
T
|{z}
1=r
BE
:
est la rsistance dentre du transistor mont en metteur commun. A temprature

ambiante, on peut crire :
:

38.46,
1
CQ
() (3)
De mme, le courant collecteur peut tre mis sous la forme :
i
C
= 1
CQ
+ i
C
(4)
1
CQ
(1 +
1
\
T

BE
)
i
C
= ,
1
CQ
,\
T
|{z}
1=r
BE
= ,i
B
=
38:46I
CQ
z}|{
1
CQ
\
T
|{z}
g
m
==r
BE
q
m
transconductance du transistor.
Compte tenu des relations (2) et (4), on peut reprsenter le transistor, vis vis des signaux
de faibles amplitudes (petits signaux
1
), par le schma quivalent de la gure suivante :
Fig.4 : Schma simpli du transistor pour les petits signaux
Les paramtres /
ije
dsignent les paramtres hybrides du transistor mont en metteur
commun. /
12e
est trs faible de lordre de 10
4
(ngligeable). La rsistance de sortie j est
souvent nglige.
2 Transistor FET
Le transistor FET est un transistor eet de champ dont la grille nest pas isole. Il
est constitu dun barreau semi-conducteur gnralement au silicium, du type N ou P
faiblement dop (canal) plac entre deux couches de semi-conducteur de dopage oppos
et relies entre elles pour former llectrode que lon nomme la grille. Les extrmits du
canal forment deux autres lectrodes nommes le drain et la source. La gure 5 rsume
les principales caractristiques du FET.
Le modle basse frquence du JFET est reprsent la gure 6. La transconductance q
m
du transistor est donne par la relation suivante, value au point de repos Q (1
D
. \
GS
) :
q
m
= 2
1
DSS
\
p
1
\
GS
\
p
(5)
q
m
varie de 0.1 10:,\ . 1
DS
est la rsistance de sortie du transistor mont en source
commune.
1
Dans toute la suite, on remplacera v
XY
par v
xy
et i
XY
par i
xy
:
Exemple : v
GS
v
gs
, i
B
i
b
Fig.5 : Symboles et caractristiques du JFET
Fig. 6 : Modle petits signaux du JFET
3 Prparation
Transistor Bipolaire
On considre le montage amplicateur metteur commun (EC) de la gure 6 :
Fig. 6 : Montage Amplicateur EC
1
1
= 10/. 1
2
= 2. 2/. 1
C
= 820, 1
E
= 330. C
1
= 10j1. C
2
= 100j1, C
E
=
470j1, 1
u
= 1/, \
CC
= 20\.
Le schma reprsentatif de cet tage amplicateur en AC est celui dssin ci-aprs (Fig.
7) :
Fig.7 : Montage amplicateur EC en AC
Les capacits C
i;i=1;2
sont des capacits de couplage (ils servent pour lisolement des
tages amplicateurs de point de vue statique). C
E
est la capacit de dcouplage qui sert
liminer leet de la rsistance 1
E
en rgime petits signaux. En statique, 1
E
est utilise
pour la stabilit du point de fonctionnement vis vis des drives thermiques.
Note : On negligera leet de j dans la suite.
1. On suppose que , = 100. \
BEQ
= 0.7\ . Etablir le schma en statique de lam-
plicateur de la gure 6 et dterminer la valeur de 1
CQ
. En dduire la valeur de
/
11e
.
2. Dterminer les expressions des lments du montage amplicateur quivalent
ltage EC dans la bande passante
2
(cf. g.8) (rsistance dentre 1
i
, rsistance
de sortie 1
o
, gain en tension vide
vo
) :
Fig.8 : Schma quivalent de lamplicateur
Dterminer lexpression du gain
v
en tension avec charge 1
u
. En dduire lexpres-
sion du gain en courant
i
. Donner les valeurs numriques de ces grandeurs.
3. Etablir le schma en dynamqiue de lamplicateur de la gure 6 sans C
E
(C
E
dbran-
che) et dterminer son impdance dentre 1
is
, de sortie 1
os
, son gain en tension
vs
avec charge et son gain en courant
is
. Donner les valeurs numriques de ces
grandeurs. Conclure.
Transistor JFET
On considre le montage amplicateur un seul tage de la gure 9 :
Fig.9 : Amplicateur Source-commune
On suppose que le transistor est caractris par une tension de pincement \
p
= 5.5\ et
un courant 1
DSS
= 18.5:.
2
Dans la bande passante de lamplicateur, les capacits de couplage et de dcouplage sont des court-
circuits
On donne :
1
1
= 100/. 1
2
= 200/. 1
D
= 2.2/. 1
S
= 10/. C
1
= 10j1. C
2
= 10j1.
C
3
= 100j1, \
DD
= 20\.
4. Etablir le schma en statique et dterminer le point de fonctionnement Q (\
GSQ
.
\
DSQ
. 1
DQ
).
5. Calculer la valeur de la transconductance q
m
du transistor et tablir le schma
petits signaux de lamplicateur (on ngligera leet de la rsistance :
ds
entre drain
et source).
6. Dterminer lexpression de :
la rsistance dentre 1
i
=
e
,i
e
la rsistance de sortie 1
o
gain en tension vide
vo
gain en tension
v
(avec charge 1
u
)
gain en courant
i
gain en puissance
p
=
i
v
Donner ensuite les valeurs numriques correspondantes.
4 Manipulation
Amplicateur EC
Gain en tension, impdances dentre et de sortie
Raliser le montage suivant (cf. Fig.10) :
Fig.10 : Cicruit de polarisation de lampli-EC
1. Mesurer 1
BQ
et 1
CQ
et dduire , et /
11e
.
2. Raliser le montage de lampli-EC suivant :
Fig.11 : Amplicateur EC
1
1
= 10/. 1
2
= 2. 2/. 1
C
= 820, 1
E
= 330. C
1
= 10j1. C
2
= 100j1, C
E
=
470j1, 1
u
= 1/, \
CC
= 20\.
On xe la frquence , = 1/H.. Remplir le tableau suivant :
1
C
() 220 470 820
avec C
E
sans C
E
avec C
E
sans C
E
avec C
E
sans C
E
avec C
E
et 1
u
v;exp
=
v
s;cc
v
e;cc
v;th
Pour 1
C
= 820
e;cc
et
s;cc
dsignent les tensions crte-crte lentre et la sortie de lamplicateur. On
visualisera ces signaux loscilloscope et on veillera ce que lamplicateur fonctionne
dans la zone linaire. Il peut tre ncessaire dintroduire un diviseur de tension (dun
rapport de 10%), si le niveau minimum du GBF est trop grand.
3. Quelles mthodes de mesures faut-il choisir pour mesurer les impdances de sortie
et dentre ? Quelles prcautions faut-il prendre ?
4. Mesurer les impdances dentre et de sortie de lamplicateur pour 1
C
= 820
avec et sans C
E
.
Frquences de coupures
On prend C
E
= 470j1. C
1
= 10j1.
5. Rappeler les mthodes de mesures des frquences de coupures ?
6. Par un relev de lvolution du gain en tension en fonction de la frquence, d-
terminer les frquences basse ,
cb
et haute ,
ch
de lamplicateur. Dduire sa bande
passante.
7. Etablir lexpression thorique de la frquence basse de lamplicateur et comparer
sa valeur celle obtenue par mesure.
4.1 Amplicateur Source commune
8. Raliser le montage de la gure 12a :
9. Faites varier la tension \
DD
entre 0\ et 15\ tout en mesurant la tension aux bornes
de la rsistance 1
D
. Dduire la valeur de 1
DSS.
10. Raliser le montage de la g. 12b et mesurer la tension de pincement \
p
.
11. Raliser la montage amplicateur source commune de la gure 13 :
Fig.13 : Amplicateur source commune
12. Mesurer laide du multimtre \
GSQ
. 1
DQ
(coordonnes du point de fonctionnement)
13. Calculer la valeur de la transconductance q
m
.
14. Remplir le tableau suivant :
, = 1/H.
v;exp
=
v
s;cc
v
e;cc
avec C
S
sans C
s
avec C
s
et 1
L
= 1/
Comparer avec les rsultats thoriques. Conclure.
s;cc
et
e;cc
dsignent respectivement les tensions crte crte des signaux sur canal
1 et 2.
15. Mesurer les impdances dentre 1
i
et de sortie 1
o
de lamplicateur (Rsistance
1
s
d cconj| cc).
16. Dterminer les frquences de coupures haute ,
h
et basse ,
b
dans le cas o 1
L
= ,
avec/sans C
s
.
4.2 Amplicateur drain commun
17. Raliser le montage de la gure 14 :
Fig.14 : Amplicateur drain commun
18. Relever laide du multimtre \
GSQ
et 1
DQ
et en dduire la valeur de q
m
.
19. Remplir le tableau suivant :
, = 1/H.
v;exp
=
v
s;cc
v
e;cc
R
L
= 220 R
L
= 470 1
L
= 100
Comparer avec les rsultats thoriques. Conclure.
20. Mesurer les impdances dentre 1
i
et de sortie 1
o
de lamplicateur.
21. Dterminer les frquences de coupures haute ,
h
et basse ,
b
dans le cas o 1
L
= .
Laboratoire 4 :
Amplicateur raction
Premire partie
Rappel de cours
1 Notion de raction
La raction consiste chantillonner le signal de sortie de lamplicateur par un rseau
appropri et rinjecter cet chantillon lentre vias une chane (ou rseau) de raction
(ou de retour). A lentre un sommateur (comparateur) ou mlangeur combine le signal
de raction avec le signal de source externe. La raction consiste donc faire tendre les
caractristiques dun amplicateur rel vers celles dun amplicateur idal.
La topologie dun amplicateur de base une boucle est reprsente la gure 15.
Fig.15 : Amplicateur raction
Le raccordement de raction la sortie dun amplicateur de base fournit un chantillon
de la tension de sortie (cf. g.16a) ou du courant de sortie(cf. g.16b) :
Fig.16 : a) chantillonneur de tension, b) chantillonneur de courant
La gure 17 reprsente les deux dispositifs trs communs de comparaison ou sommation
des signaux dentre et de raction. Le circuit de la gure 17a compare la tension
s
et
le signal
f
de raction. La gure 17b dcrit le raccordement shunt de comparaison du
courant i
s
avec le courant i
f
de raction.
Fig.17 : Types de comparateurs lentre
2 Montages fondamentaux de circuits raction
Il existe quatre types damplicateurs de base, chacun approche les caractristiques dune
source idale dpendante. Comme il fallait sy attendre, il existe quatre topologies dam-
plicateurs raction une boucle. La gure 18 donne la structure de chacune delles.
Fig.18 : Types damplicateurs raction une seule boucle
2.1 Amplicateur idal raction
Considrons la reprsentation de lamplicateur raction de la gure 19. Lamplicateur
de base de gain est raccord selon lune des quatre topologies de raction (cf. g. 18).
Le signal dentre r
s
, le signal de sortie r
o
, le signal de raction r
f
et le signal direntiel
r
i
reprsentent chacun un courant ou une tension.
Fig. 19 : Modle damplicateur idal raction
Le signal r
i
est le signal lentre de lamplicateur . est le gain de lamplicateur
sans raction; il est souvent appel gain en boucle ouverte et reprsent par
OL
. , est la
transmission inverse de la chane de raction. Elle est souvent relle, mais, en gnral cest
une fonction de la frquence (A ne pas confondre avec le gain en courant en court-circuit
dun mmeteur commun).
On a :
r
i
= r
s
r
f
r
f
= ,r
o
r
o
= r
i
La combinaison des quations ci-dessus nous permet dcrire :
F
=
r
o
r
s
=

1 + ,
f
est appel gain en boucle ferm. Si [
F
[ < [[ la raction est dite ngative ( contre-
raction).
2.2 Impdances des amplicateurs contre-raction
2.2.1 Rsistance dentre
La rinjection de tension en entre augmente limpdance dentre quelque soit le
raccordement en sortie
Dmo.
i
=
s
f
=
s
,r
o
=
s
,
i
i
=

s
1 + ,
La rsistance dentre vaut :
1
if
=

s
1
=

i
1
(1 + ,) = 1
i
(1 + ,) 1
i
La rinjection de courant en entre diminue limpdance dentre indpendamment
du raccordement en sortie
Dmo.
i
i
= i
s
i
f
= i
s
,r
o
= i
s
,i
i
i
i
=
i
s
1 + ,
La rsistance dentre 1
if
vaut :
1
if
=
\
i
s
=
1
i
i
i
i
s
=
1
i
1 + ,
2.2.2 Rsistance de sortie
Le prlvement de tension en sortie dun amplicateur raction ngative diminue
la rsistance de sortie et ceci indpendamment du raccordement en entre.
Dmo.
1
of
=

o;co
i
o;cc
o;co
est la tension de sortie en circuit ouvert et i
o;cc
est le courant de sortie en court-
circuit.
o;co
= r
i
= (r
s
,
o;co
)
o;co
=
r
s
1 + ,
i
o;cc
=
r
i
1
o
=
r
s
1
o
. r
i
= r
s
(r
f
= 0. car
o
= 0)
La rsistance de sortie 1
of
vaut :
1
of
=
Ax
s
1+A
Ax
s
R
0
=
1
o
1 + ,
< 1
o
Le prlvement de courant en sortie dun amplicateur raction ngative augmente
la rsistance de sortie et ceci indpendamment du raccordement en entre.
Dmo.
o;co
= r
i
1
o
= r
s
(r
i
= r
s
car i
o
= 0)
i
o;cc
= r
i
= (r
s
r
f
) = (r
s
,(i
o;cc
)) i
o;cc
=
r
s
1 + ,
1
of
=

o;co
i
o;cc
= 1
o
(1 + ,) 1
o
2.3 Avantages de la contre raction
Les avantages de la contre raction sont :
la stabilit du gain
lamlioration des impdances dentre et de sortie
la diminution de la distortion non linaire
llargissement de la bande passante
2.4 Rgles pour lidentication de lamplicateur sans raction
Lapplication des rgles ci-dessous donne la conguration de lamplicateur de base sans
raction mais tenant compte de leet des charges du rseau ,.
Dtermination du circuit dentre
a. Dans le cas dun raccordement shunt en sortie, annuler
o
.
b. Dans le cas dun raccordement srie, annuler i
o
.
Dtermination du circuit de sortie
c. Dans le cas dune comparaison de courant, annuler
i
, autrement dit, court-circuiter
le noeud dentre de manire que rien du courant de raction nentre dans lentre
de lamplicateur.
d. Dans le cas de comparaison srie ( de tension), annuler i
i
; autrement dit, ouvrir la
boucle dentre de manire que rien de la tension de raction natteigne lentre de
lamplicateur.
Exercice prparatoire
On considre lamplicateur contre raction de la gure ci-dessous (g. 20).
Fig. 20 : Amplicateur raction
1. Identier la topologie de lamplicateur contre raction.
2. En appliquant les rgles ci-dessus, identier lamplicateur sans raction et tablir
son schma en dynamique.
3. Dterminer le gain
oL
en boucle ouverte de lamplicateur.
4. Dterminer la rsistance de sortie 1
o
et la rsistance dentre 1
i
de lamplicateur
sans raction.
5. Dterminer la transmission de la chane de retour.
6. Dterminer les rsistances dentre 1
if
et de sortie 1
of
de lamplicateur raction.
On donne : \
p
= 4.5. 1
DSS
= 16:. , = 50 (Caractristique du transistor npn),
\
BE
= 0.7\ . On suppose une temprature ambiante.
3 Manipulation
1. Raliser le montage de la gure 21 :
Fig. 21 : Amplicateurs en cascades
2. Complter le tableau suivant :
1
L
=
s;cc

o;cc

v0
=
v
o;cc
v
s;cc
1
i
1
o
1
L
= 1/
s;cc

o;cc

v
=
v
o;cc
v
s;cc
1
L
est une charge mettre en parallle avec 1
f
.
v0
est le gain vide et
v
est le
gain de lamplicateur avec charge 1
L
= 1/.
s;cc
et
o;cc
dsignent repectivement
la tension dentre crte-crte et la tension de sortie crte-crte.
3. On dsigne par
o1
la tension de sortie du premier tage amplicateur. Dterminer
le gain
v1
du premier tage et le gain
v2
du second tage pour 1
L
= . (Il sagit
ici des gains en tension)
4. A partir de la relation entre les gains en tension
v0
et
v
, dterminer la valeur de
la rsistance de sortie 1
o
( comparer ce rsultat celui mesur en 2
).
5. Dterminer les frquences de coupures haute (,
h
) et basse (,
b
).
6. Adopter les valeurs de \
p
(tension de pincement), de 1
DSS
, de , obtenues pour les
laboratoires 2 et 3. Mesurer 1
CQ
(courant collecteur), \
GSQ
, 1
DQ
(courant drain)
puis en dduire /
11e
= :
et q
m
.
7. Dterminer, partir du modle petits signaux de lamplicateur, les valeurs tho-
riques du gain en tension vide
v0
, de la rsistance dentre 1
i
et de la rsistance
de sortie 1
o
. Comparer vos rsultats ceux de la question 2.
8. Raliser le montage raction de la gure 22 :
Fig.22 : Amplicateur raction
9. Mesurer \
GSQ
. 1
DQ
. 1
CQ
et en dduire les valeurs de q
m
et de :
.
10. Complter le tableau suivant :
1
L
=
s;cc

o;cc

v0
=
v
o;cc
v
s;cc
1
i
1
o
1
L
= 1/
s;cc

o;cc

v
=
v
o;cc
v
s;cc
Comparer ces rsultats ceux de la question 2. Conclure.
11. Dterminer les frquences de coupures haute (,
h
) et basse (,
b
) et comparer les
valeurs obtenues avec celles de la question 5
.

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Laboratoire 1

pour le circuit suivant :

est la rsistance dentre du transistor mont en metteur commun. A temprature

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