Semikonduktor

Definisi I: Bahan yang memiliki nilai hambatan jenis () antara konduktor dan isolator yakni sebesar 10-6 s.d. 104 ohm.m Perbandingan hambatan jenis konduktor, semikonduktor, dan isolator:
Bahan Tembaga Silikon pd 300oK Gelas Hambatan Jenis Sifat (ohm.m) Konduktor 1,7 x 10-8 2,3 x 103 7,0 x 106 Semikonduktor Isolator

Tiga buah bahan yakni tembaga, silikon, dan gelas masing-masing memiliki panjang 1 m, dan diameter 1mm, jika pada kedua ujung bahan tersebut terpasang tegangan 10V, tentukan besarnya arus yang lewat masing-masing bahan tersebut! Jawab: Hitung dulu R dengan rumus:

l R= A

A = r
V I= R

D r= 2

Selanjutnya dihitung I untuk masing-masing bahan dengan rumus:

i=0,46 x 10 3 A Tembaga i= 3,41 x 10 -9 A Silikon i=1,12 x 10 -12 A Gelas

Perhatikan! Arus yang mengalir pada bahan-bahan tersebut dari yang terbesar adalah pada konduktor (tembaga), semikonduktor (silikon), dan isolator (gelas)

10V

Semikonduktor
Definisi II: Bahan yang memiliki pita terlarang (forbidden band) atau energy gap (EG) yang relatif kecil kira-kira sebesar 1 eV
Elektron bebas Pita Konduksi Pita Konduksi

EG 1eV

Pita Terlarang Hole

EG 6eV

Pita Valensi KONDUKTOR

Pita Valensi ISOLATOR

SEMIKONDUKTOR

Bahan-bahan Semikonduktor
TRIVALENT: logam-logam yang memiliki atomatom dengan jumlah elektron terluar 3 buah seperti Boron (B), Gallium (Ga), dan Indium (In) TETRAVALENT: logam-logam yang memiliki atom-atom dengan jumlah elektron terluar 4 buah seperti Silikon (Si) dan Germanium (Ge) PENTAVALENT: logam-logam yang memiliki atom-atom dengan jumlah elektron terluar 5 buah seperti Fosfor (P), Arsenikum (As), dan Antimon (Sb)

Bahan-bahan Semikonduktor
Bahan yang paling banyak digunakan adalah Si dan Ge Jumlah elektron Si 14 buah Jumlah elektron Ge 32 buah Jumlah elektron valensi (elektron terluar) Si maupun Ge `masing-masing 4 buah Jenis ikatan kovalen

Jenis Semikonduktor: Intrinsik

Semikonduktor Intrinsik Merupakan semikonduktor murni dan tidak cacat , contoh Silikon Murni
+4 Si Si +4 Si Si Si +4 +4 +4 +4 +4

Elektron Valensi

+4

+4

Ikatan Kovalen

Visualisasi 3-dimensi

Visualisasi 2-dimensi

Struktur kristal Si: pengulangan secara teratur satuan sel 3 dimensi berbentuk tetrahedral

Semikonduktor intrinsik pada suhu yang sangat rendah:

Semua elektron berada pada ikatan kovalen Tak ada elektron bebas atau tak ada pembawa muatan sehingga bersifat sebagai isolator

Semikonduktor intrinsik pada suhu kamar:

Agitasi termal menyebabkan beberapa elektron valensi keluar dari ikatan kovalen menjadi elektron bebas sebagai pembawa muatan negatif Munculnya elektron bebas diikuti dengan terbentuknya hole (lubang) sebagai pembawa muatan positif, peristiwanya disebut pembangkitan (generation) Jika dipasang beda potensial, terjadi aliran arus (sebagai konduktor dengan konduktansi rendah)

Elektron Bebas
+4 +4 +4
+4 +4 +4

Hole
+4 +4 +4
+4 +4 +4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Pita Konduksi
EG 1,2eV

Elektron Bebas

Pita Terlarang Pita Valensi

EG 1,1eV

Hole

Si pada OoK

Si pada 300oK

Sifat bahan Silikon dan Germanium (milman, 1986)

Sifat
Nomor atom Berat atom Kerapatan, gr/cm3 Konstanta dielektrik Atom/cm3 Jurang tenaga (EG) pada 0oK, eV Jurang tenaga (EG) pada 300oK, eV Konsentrasi Intrinsik (300oK), ni, cm-3 intrinsik pada 300oK, ohm.cm Mobilitas elektron pada 300oK (n), cm2/V.s. Mobilitas elektron pada 300oK (p), cm2/V.s.

Si
14 28,1 2,33 12 5,0 x 1022 1,21 1,1 1,5 x 1010 230.000 1.300 500

Ge
32 72,6 5,32 16 4,4 x 1022 0,785 0,72 2,5 x 1013 45 3.800 1.800

Pembawa Muatan Pada Semikonduktor Intrinsik

Semikonduktor Intrinsik Semikonduktor Intrinsik

Generation
+4

Medan Listrik Terpasang, E

+4 +4 +4

+4

+4

h1
+4

e1
+4 +4

e2 h2
+4 +4

e1

e2 en

+4

+4

h0

+4

+4

+4

en

+4

+4

Recombination Keadaan Terdahulu Keadaan Kemudian

Jenis Semikonduktor: Ekstrinsik

Semikonduktor ekstrinsik: semikonduktor yang memperoleh pengotoran atau penyuntikan (doping) oleh atom asing

Semikonduktor Tipe-N

Pengotoran oleh atom pentavalent spt P, As, Sb Atom pengotornya disebut atom donor Pembawa muatan: elektron

Semikonduktor Ekstrinsik

Semikonduktor Tipe-P

Pengotoran oleh atom trivalent spt B, Ga, In Atom pengotornya disebut atom akseptor Pembawa muatan: hole

Jenis Semikonduktor: Ekstrinsik

Tujuan doping: meningkatkan konduktivitas semikonduktor, dan memperoleh semikonduktor dengan hanya satu pembawa muatan (elektron atau hole) saja Perbandingan doping: Atom dopant : atom murni=1:106 s.d. 108 Dopant adalah atom pengotor. Atom-atom dopant pada semikonduktor tipe-N adalah atom-atom pentavalent dan dinamakan atom donor, sedangkan pada semikonduktor time-P trivalent dan dinamakan atom akseptor.

Semikonduktor Tipe-N
Elektron Bebas
+4 +4 +4 Pita Konduksi EC ED EV Pita Valensi +4 +4 +4

+4

+5

+4

EG

Tingkat energi donor 0,05eV

As

Elektron bebas sebagian besar terjadi karena doping, dan sebagian kecil lainnya bersama hole karena generation akibat agitasi termal. Elektron bebas menjadi pembawa muatan mayoritas dan hole sebagai pembawa muatan minoritas.

Semikonduktor Tipe-P
Hole
+4 +4 +4 Pita Konduksi EC +4 +3 +4 EG
Tingkat energi akseptor 0,05eV

In
Pita Valensi +4 +4 +4

EA EV

Hole sebagian besar terjadi karena doping, dan sebagian kecil lainnya bersama elektron bebas karena generation akibat agitasi termal. Hole menjadi pembawa muatan mayoritas dan elektron bebas sebagai pembawa muatan minoritas.

Piranti Semikonduktor
Beberapa piranti semikonduktor: diode pertemuan pn, transistor, termistor, SCR (silicon controlled rectifier), IC (Integrated Circuit)

Diode Pertemuan PN
Suatu pertemuan pn adalah kristal tunggal semikonduktor yang pada satu sisinya mendapat penyuntikan atom akseptor dan pada sisi yang lain mendapat penyuntikan atom donor Pertemuan pn merupakan blok bangunan dasar (basic building block) bagi piranti semikonduktor Diode pertemuan pn: pertemuan pn yang pada kedua sisinya dilekatkan logam (metalurgical bond) sehingga terdapat dua ujung logam yang merupakan terminal atau elektrode, yakni anode pada sisi p dan katode pada sisi n.

Pertemuan PN
Atomatom Akseptor Atomatom Donor

Doping

Kristal Tunggal Semikonduktor

Doping

Hasilnya:
Type-P Type-N

Diode Pertemuan PN
Kawat PERTEMUAN PN Type-P Type-N Logam Hasilnya: Pembungkus Logam Kawat

Anode

Katode

Simbol:

Pertemuan PN Terbuka
Bidang Pertemuan Ion Akseptor Ion Donor Hole + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + Jenis n Elektron

Jenis p

Lapisan Pengosongn

Atom-atom yang mengandung hole dapat digambarkan sebagai ion-ion negatif karena kekurangan elektron, dan atom-atom yang kelebihan elektron sebagai ion positif Ion-ion akseptor adalah ion-ion negatif dan ion-ion donor adalah ion-ion positif.

Pertemuan PN Terbuka
Lapisan Pengosongan:
Saat p dan n dipertemukan, terjadi difusi elektron ke arah p dan difusi hole ke arah n, menimbulkan arus difusi ke kanan Terjadi recombination (penggabungan) di sekitar bidang pertemuan sehingga elektron dan hole lenyap Di sekitar bidang pertemuan tak terdapat pembawa muatan, disebut daerah pengosongan (depletion region)

Tegangan Penghalang:
Lenyapnya elektron meninggalkan ion donor (+), dan lenyapnya hole meninggalkan ion akseptor (-) Adanya ion positif dan negatif menyebabkan adanya medan listrik sehingga ada tegangan, disebut tegangan kontak atau tegangan penghalang (barrier potensial), menimbulkan arus drift ke kiri Karena pertemuan pn ini terbuka, maka ada kesetimbangan antara arus drift dengan arus difusi

Pertemuan pn dengan prasikap maju (forward bias):

VD Anode Jenis P + + + + Jenis N Katode

Lapisan Pengosongn

Adanya VD menyebabkan arus difusi lebih besar dari arus drift Jika potensial penghalang sebelum diberi VD adalah Vo, maka potensial penghalang turun menjadi Vo-VD, daerah pengosongan menjadi sempit Pembawa mayoritas punya energi yang cukup untuk melewati potensial penghalang Hole dari sisi p (pembawa mayoritas) dapat melewati daerah pengosongan menjadi pembawa minoritas di sisi n Elektron dari sisi n (pembawa mayoritas) dapat melewati daerah pengosongan menjadi pembawa minoritas di sisi p Jumlah arus dari elektron dan hole merupakan arus total yang lewat diode

Pertemuan pn dengan prasikap mundur (reverse bias):

VD Anode Jenis P + + + + + + + + + + + + Jenis N Katode

Lapisan Pengosongn

Hole pada sisi p bergerak ke kiri, elektron pada sisi n bergerak ke kanan, daerah pengosongan melebar, potensial penghalang menjadi Vo+VD, tidak ada arus lewat bidang pertemuan Karena daerah pengosongan pada dasarnya merupakan semikonduktor intrinsik, agitasi termal dapat menyebabkan terjadinya generation sehingga muncul pasangan elektron dan hole pada daerah ini Pengaruh medan listrik yang terpasang terhadap adanya elektron dan hole di daerah pengosongan menyebabkan terjadinya arus yang arahnya dari katode ke anode dan disebut arus balik saturasi yang besarnya 10-8 sampai dengan 10-14 A.