OLED Organic Light-Emitting DiodeRoger Bresoli Obach; Ferran Casbas Pinto

Quart de Llicenciatura en qumica; Institut Qumic de Sarri, Via Augusta 392 00XXX Barcelona rogerbresolio@iqs.edu ; ferrancasbasp@iqs.edu
27 de maig de 2012

ABSTRACT

Revisi dels principals tipus dOLED, incloent-hi una breu introducci del fenomen quntic, una breu descripci de cadascuna de les capes necessries dun OLED, fent especial mfasi a les molcules amfitriones i emissors. Finalment tamb sincorpora una breu descripci dels usos ms importants dels OLED.

Els composts orgnics shan utilitzat en la fabricaci de productes electroluminescents grcies a que presenten interacci llum-matria. La principal ra es deguda a que un gran percentatge de molcules orgniques tenen elevades efectivitats quntiques de fluorescncia en la regi de lespectre visible incloent-hi la regi blava-. Els OLED sn dodes orgnics emissors de llum. Les sigles en angls sn Organic Light-Emitting Diode. Els LED sn dodes que transformen energia elctrica a llum

visible. Fonamentalment s perqu la corrent que els travessa genera electrons en estats excitats que posteriorment es relaxen per una via radiativa. La longitud dona daquesta radiaci ser funci de com sha dissenyat el mdul. Sha de tenir en compte que els dodes convencionals emeten en linfraroig. Els LED inorgnics sn idonis per dispositius ptics dalta qualitat ja que tenen unes propietats foto-ptiques millors, per en canvi s molt difcil integrar-los en

matrius amb un preu raonable. En canvi els orgnics tot i tenir en general pitjors propietats, permeten una fcil integraci en matrius de gran extensi a un preu raonable. Els primers intents de OLED es remunten a fa uns 45 anys i posteriorment -20 anys desprs- es varen comenar a desenvolupar els OLED basats en polmers. Els primers OLED [1] estaven formats per una bicapa orgnica situada entre un node i un ctode. Saconseguia una certa eficincia per no suficient a la necessria per illuminaci i aparells electrnics. Per aconseguir-la es necessiten varies capes, de les quals normalment estan composades per varis composts. Les propietats ptiques dels semiconductors orgnics estan determinades per excitons fortament enllaats. Per fenmens quntics de lespn nicament un 25% dels excitons poden donar lloc a lemissi de llum. Sexplica degut que lestat fonamental de la majoria de molcules orgniques estan formades per parells delectrons per tant la seva multiplicitat dspin s 1. La injecci aleatria delectrons estadsticament resulta un 25% dels excitons amb spins oposats del electr i del forat. Aquests excitons singlet es recombinen internament per alliberar fotons de una certa longitud dona per tornar a lestat fonamental sense violar les regles de conservaci de lspin. En el 75% - excitons triplet- restant la recombinaci radiativa esta prohibida per les regles de conservaci de lspin, per tant resulten no radiatius. En els OLED basats en molcules orgniques fosforescents (SMOLED) incorporen un i metllic que esta complexat amb varis lligands orgnics per afavorir la presencia de bandes de transferncia de carrega metalllligand. Aix permet violar les regles de selecci de lspin, ja que els estats excitats mantenen certes caracterstiques metlliques, donant lloc a eficincies quntiques internes prximes al 100%. La eficincia quntica interna dels OLED basats en polimers (PLED) s menor que la dels SMOLED. Aix es degut a que els polimrics tenen energies baixes triplet i per tant sn menys aptes per el seu s com dispositius fosforescents. Actualment sintenta millorar aquesta eficincia quntica amb una matriu de poli(vinilcarbazol) (PVK) dispersant-hi pigments emissors fosforescents amb grups transportadors de carrega.

Sha de diferenciar leficincia quntica interna (IQE) de leficincia quntica externa (EQE). Sent la primera definida com el nombre de fotons generats en la capa de emissi per electro injectat. Sent la segona definida com el numero total de fotons que sescapen del dispositiu per electr injectat. Degut a la dispersi dels ndexs de refracci -entre les diferents capes orgniques, el substrat vitri i laire- una part de la llum emesa es veu atrapada en les capes anteriors degut a una reflexi total interna. Basant-nos en el model clssic dptica de raigs, leficincia mxima dextracci de llum sestima que s aproximadament un 20%. Existeixen dos mtodes per millorar la EQE. Sent el primer introduir centres de reflexi difusa en el substrat vitri, per tal dafavorir lextracci de llum. El segon mtode consisteix en utilitzar varis elements ptics com cristalls fotnics, processos de mesa formation i arrays de microlents al igual que optimitzar la geometria. Per a minimitzar el voltatge de funcionament del OLED es aconsellable afegir un dopant de transferncia de carrega per augmentar la densitat de portadors en la capa orgnica. Aix pot tant augmentar la conductivitat de les capes orgniques com establir dipols en les interfcies entre capes que faciliten la injecci de carrega. Sha aconseguit dispositius lluminosos funcionant a un voltatge lleugerament superior al voltatge de bandgap de la molcula emissora.
[2]

s possible obtenir emissi amb diferents colors incloent-hi el blanc per combinaci demissors de color basic en una mateixa capa. Una altra estratgia s la conversi parcial cap a longituds dona majors a partir dun emissor al blau utilitzant capes fluorescents o fosforescents sobre el substrat. Lesquema de capes dun OLED sobserva a la figura 1.

Figura 1. Esquema de les diferents capes dun OLED.

1. Chamorro Posada, P; Martin Gil, J; Martin Ramos, P Fundamentos de la tecnologia OLED, 1st ed.; Chamorro Posada, P, Ed.; Universidad de Valladolid: Madrid, Spain, 2008; Vol. 1, Chapter 1-5. 2. Glenn P. Gray, Phosphorescent organic light emitting devices; 1st ed.; Chamorro Posada, P, Ed.;University of California, 2008; Chapter 17.

node[2]. El material per lnode es usualment un substrat de vidre o plstic transparent recobert amb ITO. LITO s una soluci solida dxid dindi (III) amb dixid destany, tpicament 90% In2O3 i 10% SnO2 per pes. LITO s un semiconductor tipus n altament degenerat amb una elevada conductivitat a part que s transparent en el rang del visible. LITO s pot substituir per polmers orgnics conductors que siguin transparents sent el ms usat el poli(3,4etilendioxitiof) (PEDOT). Els principals requeriments sn que han de posseir una elevada conductivitat, transparncia i una funci de treball elevada per permetre la injecci delectrons a forats duna forma eficient. Per a millorar la injecci de cargues safegeix una capa dinterconnexi entre lnode i la capa de transport de forats (HTL). Aquesta capa ha de presentar una bona adherncia a lnode i ha de suavitzar la superfcie. Els materials ms freqents sn complexes de metallporfirines especialment els complex de Zn(II)-, polimersfluorocarbonats, polmers conductors o cids de Lewis(especialment FeCl3 i SbCl5). Ctode[2]. En el cas del ctode les restriccions son menors degut a que no s necessita transparncia. En general els materials per el ctode sn metalls purs especialment Mg, Ca, Ba Al- o aliatges metllics. Els principals requeriments s que han de posseir una elevada conductivitat, funci de treball baixa (amb els problemes que comporta ja que els materials amb una funci de treball baixa sn extraordinriament reactius) i facilitar la formaci de pellcules per aconseguir un bon contacte amb la capa orgnica adjacent. En el cas que es necessits el SMOLED totalment transparent sutilitzaria lITO igualment. Degut a la relativament elevada mobilitat dels forats en comparaci a la mobilitat dels electrons en la interfcie safegeix una capa de fluorurs alcalins especialment LiF o CsF-, acetats de alcalins, polimers orgnics surfactants o BCP dopat amb Li/Cs. Lamfitri[1] ha de tenir una bona conducci electrnica i que els nivells energtics HOMO-LUMO siguin apropiats LUMO del amfitri ms energtic i HOMO del amfitri menys energtic que lemissor. Aquests materials amfitrions es poden classificar en diferents tipus. Amfitrions transportadors delectrons sn apropiats per acollir emissors que presenten una naturalesa de transportador de forats. Els principals amfitrions sobserven a la figura 2.

Figura 2. Amfitrions transportadors delectrons

Histricament, el primer amfitri daquest tipus utilitzat es Alq3 i la seva diferncia entre HOMO (-5,7 eV) i LUMO (-3,0 eV) el fa apropiat per emissors en el verd i vermell. El BAlq s el (bis(2-metil-8-quinolat)-4-fenilfenolat de alumini (III)). La seva diferncia entre HOMO (-5,9 eV) i LUMO (-3.0 eV) el fa apropiat per emissors en el vermell. El TPBI s el (1,3,5-tris(N-fenilbencimidizol-2il)benz). La seva diferncia entre HOMO (-6,4 eV) i LUMO (-2,7 eV) el fa apropiat per emissors en el blau. Un semblant s el TAZ1 (3-fenil-4-(1-naftil)-5-fenil1,2,4-triazol) t un bandgap semblant al anterior per amb una millor eficincia quntica. Amfitrions transportadors de forats sn adequats per emissors en que el transport delectrons es dominant. Els principals amfitrions transportadors de forats sobserven en la figura 3.

Figura 3. Amfitrions transportadors de forats

bandgaps es poden atribuir al allament dels grups fenils pels toms de Si que impedeix la conjugaci directa entre els diferents anells aromtics. Els principals arilsilans utilitzats es troben a la figura 4. El principal problema s lelevada agregaci molecular que presenten.

Figura 4. Amfitrions de la familia darilsilans

El CBP (4,4-bis(9-carbozolil)-bifenil) s un emissor triplet. El seu nivell denergia triplet s de 2,67 eV i t caracterstiques de transportador bipolar. Aquestes caracterstiques li permeten ser un bon amfitri per emissors en el verd, groc i vermell. Modificacions del CBP com el 4,4-bis(9-carbozolil)2,2dimetil-bifenil (CDBP), en el qual s dimetilla la unitat bifenil. Aix comporta un canvi en la geometria ja que no pot ser coplanar. Conseqentment genera un desplaament hipsocrmic apreciable en lestat triplet de 2,67 eV a 3,0 eV. Aquest desplaament permet ser amfitri per emissors en el cian i en el blanc. Tamb sutilitzen altres derivat del carbazol, com s el N,N-dicarbozil-3,5-benz (mCP). Aquest amfitri t propietats dinjecci i transport de carrega semblant al CBP, per t una major bandgap i una energia de triplet de 3,0 eV. Aix li permet ser amfitri per emissors en el cian. El repte per aconseguir un elevada transferncia de energia s sintetitzar un amfitri delevada energia triplet. Els compostos anteriors basats en derivats de carbazol permeten energies triplet lmit de 3 eV. Aquesta energia esta propera al bandgap dels emissors en el blau/indi, per tant sha daconseguir molcules amb energies triplet superiors. Una altra dificultat s linjecci de cargues des de les molcules transportadores que normalment presenten lHOMO poc energtic i el LUMO molt energtic. Per salvar aquestes limitacions, sutilitza una molcula amfitriona amb un bandgap gran i delevada energia triplet. Els arilsilans sn molcules adequades per aquestes aplicacions, ja que presenten un bandgap de 5,0-6,0 eV i energies triplet superiors a 3,0 eV. Aquests elevats Sha sintetitzat una molcula hibrida entre el mCP i la famlia de arilsilans 3,5-bis-(9-carbozolil)tetrafenilsil (SimCP) que posseeix propietats intermdies entre ambdues famlies per disminueix lagregaci molecular. Lemisor [1] o material fotoactiu en molt casos s una mescla de dos o ms molcules i consta dalmenys un material emissor electroluminescent i un material amfitri transportador de carrega. Aquest material por ser fluorescent emissi a partir destats excitats singlet- o fosforescent emissi a partir destats excitats triplet. El fonament dels processos electrnics en el material fotoactiu sesquematitza amb el diagrama de Jablonski [2] (veure Figura 5).

Figura 5. Diagrama de Jablonski de la molcula emissora i la molcula amfitriona.

Figura 6. Emisors en el verd

Quan sexcita una molcula amfitriona a partir del seu estat fonamental per energia elctrica, pot alliberar directament lenergia mitjanant una recombinaci radiativa/ no radiativa per en presncia de la molcula emissora apropiada li transfereix la carga. Aquesta transferncia t lloc mitjanant processos de Frster, de Dexter o de transferncia radiativa denergia. Aquesta transferncia de carrega pot ser completa o parcial. Lemissor excitat interessa que es relaxi amb una via radiativa i en funci de la longitud dona daquesta emissi saconsegueixen els diferents colors. Perqu el sistema amfitri-emisor funcioni shan de considerar diferents factors com la seva compatibilitat, lagregaci de molcules, els seus nivells energtics corresponents i lalineaci dorbitals. Els emissors requereixen una srie de propietats bsiques. Han de presentar una elevada fluorescncia; un bon ajust amb els nivells energtics de lHOMO i LUMO del amfitri; nivells denergia triplet menor que lamfitri i que aquests processos de transferncia denergia siguin rpids. En la majoria de SMOLED sutilitza com a emissor principal un quelat metllic que es dopa amb altres emissors per millorar la seva efectivitat quntica o variar el color emes. Emisors en el verd, en els quals es poden distingir diferents famlies. Les principals sn els colorants de cumarina, quinacridones, ind[1,2,3-cd]perilens, compostos dediaminoantrac i quelats metllics. Els principals emissors en el verd sobserven a la figura 6.

La famlia dels ind-peril tenen una elevada vida til (superior a 3400 hores a 70C) respecte a les altres famlies. Per aix sutilitzen com a dopant per allargar la vida til del OLED. Aquests quelats metllics sn normalment complexes amb alumini, sent dus majoritari el Alq3 que emet un color verd saturat. Si es substitueix lalumini per el bor tamb sha demostrat ser viables com emissors en el verd. Emissors en el vermell, en els quals es poden distingir diferents famlies. Les principals sn compostos derivats del pir, poliacens com la tetrafenilporfirina- i quelats metllics. Els principals emissors en el vermell sobserven a la figura 7.

Figura 8. Emisors en el blau Figura 7. Emisors en el vermell

Aquests quelats metllics poden ser complexes deuropi. Aquests complexes presenten bandes demissi molt estretes i amb elevades eficincies degut a la participaci dexcitons singlets com triplets, sent el ms utilitzat el Eu(Tmpehn)(TTA)3. Tamb poden ser bases de Schiff amb complexes de zenc. Presenten eficincies ms elevades per bandes demissi tamb amb major amplada. El complex ms utilitzat s el (BDPMB-Zn). Emissors en el blau. El principal problema s que no existeixen quelats metllics amb eficincies quntiques elevades. El Beq2 es capa demetre al blau per amb un eficincia baixa. Complexes derivats daquest shan sintetitzat per amb eficincies similars. Alternatives als quelats metllics sobserven a la Figura 8.

Els primers compostos sn derivats del distirilaril (DSA). Aquesta famlia presenta emissi en el rang de longituds dona de 460 - 470nm. El que presenta una major efectivitat quntica s el (DPVBI) amb una emissi principal a 468nm i emissions secundaries a 445 i 510 nm. Una altra famlia sn els derivats del antrac que presenten eficincies quntiques. Sent els ms utilitzats el peril i el seu derivat TBP que tenen una excellent estabilitat i emeten bandes molt estretes. Shan provat tamb utilitzar altres compostos heterocclics com els que contenen derivats del pirazol presentant eficincies quntiques del 3,5%. Una altra famlia sn els espiroderivats que destaquen per la capacitat de millorar la procesabilitat i morfologia de les pellcules mantenint les propietats fotoelectrniques semblants. Tamb presenten voltatges de funcionament baixos. El ms utilitzat s el 2,7-bis[2-(4tert-butilfenil)pirimidina-5-il]-9,9-espirobifluor (TBPSF). Lultima famlia sn cromfors organosilans que presenten excellents propietats de transport de carga degut a la interacci dels orbitals 3d del silici amb els lligands. Els ms comuns sn els derivats del tetrafenilsilans com el Ph3Si(PhTPAOXD) o el 2PSP. Cal destacar que el SMOLEDs basats amb 2PSP han

aconseguit les majors eficincies quntiques actuals i estan un 10% de leficincia lmit terica. Emissors fosforescents. Els principals emissors fosforescents sobserven en la figura 9. Entre aquests emissors els que presenten una major eficincia sn els complexes organometllics de iridi. El temps de vida de lestat triplet en aquests complexes s un interval curt normalment de 1-100 s. El color ems es pot variar modificant els lligands. El principal problema s lagregaci en estat slid. Aix comporta una reducci de leficincia quntica. Per evitar aquest fet shan de diluir amb lamfitri.

afectada principalment per dos elements estructurals -els efectes dels substituents i el grau de conjugaci al llarg del esquelet- i un efecte intermolecular -lagregaci de cadenes de polmer en estat slid que t un efecte batocrmic. Els principals polmers emissors sobserven en la figura 10.

Figura 10. Principals polimers emisors

Figura 9. Emisors fosforescents

El PPV no substitut es un emissor en el verd-grogs amb mxims demissi a 520 i 551 nm. Linserci de grups alcoxi condueix a un desplaament al vermell en lemissi, tal que el derivat 2-metoxi s un emissor groc (=550nm) o el 2,5-dialcoxi s un emissor ataronjat ( =650nm). A diferencia dels grups alcoxi els grups alquil, aril o silil no presenten efecte batocrmic. La mida i la posici dels substituents tamb afecta al empaquetament de la cadena polimrica i conseqentment la eficincia lumnica. Cadenes laterals ms pesades redueixen leficincia del decament no radiatiu, per tant augmenten leficincia radiativa. Un procediment til per controlar el color demissi dun polmer conjugat s controlar la longitud de conjugaci del cromfor. Saconsegueix per introducci de monmers que alteren la conjugaci o monmers que impedeixin la conjugaci. Mitjanant aquest procediment saconsegueix desplaaments hipsocrmics aconseguint emissors en el blau. Existeixen varies rutes sinttiques dels PAV com la ruta de Wessling-Zimmerman, polimetitzaci per mettesis per ruptura danell, policondensaci de Gilch, policondensaci de Knoevenagel, polimeritazaci de acoblament de Heck o la condensaci de Wittig-Horner Una alternativa als PAV sn els poliarilen-etilens (PAE) que sn ms rgids que els PAVs i mostren una major tendncia a lagregaci. Aix fa que tinguin un marcat desplaament batocrmic. Els seus mtodes sinttics sn lacoblament de Sonogashira que involucra

Emissors polimrics (PLED) [1] sn especialment interesants ja que poden ser estampats (patterned) fcilment sobre grans superfcies i sobre qualsevol tipus de substrat. Tamb sn capaos demetre en tot el rang de lespectre. Aquests polmers semiconductors han estat sintetitzats amb diferents estructures moleculars i posseeixen diferents valors de bandgap. La funcionalitzaci de les cadenes laterals normalment amb alcoxi i alquils es pot utilitzar per desplaar el color de la llum emesa. Els poliarrilenvinilens PAV representen el grup ms mpliament estudiat de polmers electroluminescents. El polmer de partida es el poli(para-fenilenvinilen) (PPV). El color de lemissi i leficincia dels PAV es veu

un poliacoblament dun arildi i un dihaloar o mettesis dalquins. Una altra alternativa sn els poliarilens sent els principals representants els polifenilens (PPP) i els politiofens, especialment el poli(3-alquiltiof) (P3AT). Els PPP sn despecial importncia com a emissors en el blau. Els P3AT sn generalment emissors al vermell. Els polmers que contenen heterocicles amb nitrogen sn dinters degut a bones propietats de transport de crrega. Existeixen 3 mtodes sinttics que sn lacoblament oxidatiu amb FeCl3, lacoblament reductius amb Ni(COD)2 (acoblament de Yamamoto) i acoblaments creuats catalitzats amb metalls de transici sent la ms important la condensaci de Suzuki i de Heck. Lutilitzaci de copolmers permet ajustar les propietats grcies a la incorporaci dunitats que comporten a una reducci del bandgap. Mentrestant el transport de carga pot ser controlat per lincorporaci dunitats de transportadors de carrega tant sigui en la cadena principal com en les laterals. Les tcniques de deposici de polmers per lots (batch) tant basades en estat lquid com vapor estan lluny daconseguir els requisits de grans superfcies i baix cost unitari. Una alternativa al sistema anterior sn sistemes de deposici avanades sobretot la deposici orgnica per fase vapor (OVPD). Aquesta tcnica utilitza un gas portador a temperatura elevada per transportar els materials de partida. Aquests materials es transporten duna camara a temperatura elevada fins al substrat. Susa un muntatge en forma de dutxa per millorar la uniformitat sobre rees extenses. Els requisits daquests mtode sn que es necessiten buits del ordre de militorrs, per sobt un major rendiment del monmer.

Aquest s com a dispositius denllumenat es deu al seu elevat rendiment en comparaci amb els seus competidors la bombeta i el fluorescent. A ms a ms, presenten una llarga vida til i molt poca fragilitat Lavantatge que presenten els OLED respecte els LED es que permeten una major flexibilitat, conseqentment es poden aplicar a aparells ms prims com els televisors de plasma. Una altre avantatge s que sn ms econmics degut al s de substrats de plstic. Els avantatges daquest dispositius aplicats a pantalles de televisi o mbils sn una major lluentor, contrast i angle de visi. Tamb saconsegueix una major gamma cromtica respecte a les actuals pantalles de LCD. A ms, aquests pxels es poden deixar demetre llum en un rang de temps petit, generant una coloraci negra. Conseqentment t un menor consum energtic. El negre actualment es genera a partir daltres colors, ja que en la tecnologia LCD els pxels no poden deixar demetre en un rang petit de temps Swager [1] va trobar una aplicaci al PPEs com a sensors a partir de lidea de molecular wire aproach. El fonament daquesta tcnica es basa en que el PPE sn molcules amb una elevada fluorescncia en dissoluci. Aquesta fluorescncia disminueix amb la presncia de certs dopants. Sexplica perqu lexistncia de qualsevol enlla amb el dopant redueix lenergia de lestat excitat del polmer. El mecanisme de reacci es basa en que el polmer rep una excitaci per part de una font lumnica. Lexcitaci es deslocalitza per la cadena polimrica fins que troba un enlla deficient amb energia. Aquest enlla afavoreix el decament.

Figura 11. PPE sensor

A continuaci sexposaran les principals aplicacions dels OLED [3]. Els OLED son uns dispositius que han anat substituint els LEDs en algunes aplicacions. A mesura que es desenvolupa aquesta tecnologia simplementen en ms aplicacions. Els LEDs sn dispositius que normalment susen per un senyal binari com per exemple la indicaci dun estat (encs/apagat). Tamb susen com a dispositius de generaci de llum en una gran quantitat daparells com calculadores, bicicletes, televisor, agendes electrniques, llanternes...
3. Chamorro Posada, P; Martin Gil, J; Martin Ramos, PDIODOS ORGNICOS EMISORES DE LUZ (OLED) PARA ILUMINACIN DE ESTADO SLIDO, 1st ed.; Chamorro Posada, P, Ed.; Universidad de Valladolid: Madrid, Spain, 2007.

La longitud dona de fluorescncia es funci dels substituents que presenti la cadena original. Saconsegueix desplaaments en aquesta longitud dona intercanviant el grup aril ter per altres funcionalitats com un ester o una cadena insaturada ramificada.

Conseqentment es poden utilitzat com a fonts lumniques dun determinat color, per exemple la dissenyada per Heitz que emet a 557nm (Figura 12).

minim de 3m. Aquest films emeten entre longituds dona de 496 nm a 474 nm en funci del gruix del film. Aquests compostos posseeixen una elevada relaci dicroica. La relaci dicroica es defineix com la relaci entre la emissi que tenen en la direcci perpendicular respecte a la direcci parallela. Aquesta relaci s major de 70, aix suposa un augment comparat amb la relaci de 10 habitual en polmers. Una altra de les utilitats ms singulars sn els FOLED , (OLED flexibles). Estan fabricats sobre substrats plstics o fulles metlliques molt flexibles. Aix fa que siguin lleugers i tinguin una llarga vida til. Susen en telefonia mbil com a substituents de les pantalles LCD degut a la seva major resistncia (veure Figura 14). Un altre s s en roba intelligent. s un tipus de roba que t associat un GPS, un telfon mbil o un chip de ordinador. Les claus del xit dels FOLEDS son:
[3]

Figura 12. PPE substitut amb ster

Permeten obtenir dispositius amb un gruix petit. A part degut a la seva naturalesa polimrica posseeixen una densitat menor respecte als seus anlegs inorgnics. Un altre exemple es el sintetitzat per Pang que era m-pPPE que emetia a 454 nm (Figura 13). La presncia de la substituci en para trenca la linealitat del polmer. Aquest polmer t una menor estabilitat de lestat excitat i per tant un decament ms energtic. Lalta durabilitat, sn menys frgils i ms resistents a limpacte que els materials actuals de les pantalles dels dispositius electrnics. Aix s interessant ja que la major causa de devoluci daquest instruments s la ruptura de les pantalles. La flexibilitat daquest compostos permet que aquestes pantalles puguin resistir elevats esforos de torsi. Conseqentment aix comporta la possibilitat dun gran nombre de conformacions diferents. Un baix cost de producci degut a que es pot utilitzar tcniques de roll-to-roll per la seva fabricaci.

Figura 13. PPE substitut amb ter

Figura 14. Figura de un FOLED

Apart daquestes estructures shan sintetitzat copolmers alternant el PPE amb altres monmers com antrac, piridina o tiof. El copolmer amb antrac emet a 590 nm -taronja. El copolmer amb piridina emet a 480 nm blau. El principal problema daquests polmers es que sn inestables a temperatura ambient i nomes es podien utilitzat en aplicacions criogniques. Weder va aconseguir dispersar lemissor dialcoxi-PPE amb cadenes laterals detilhexil o doctil en polietil dalt pes molecular. Per conformaci daquest polmer es pot format uns films molt prims que aguanten temperatures fins els 110C. Actualment sha aconseguit un gruix

En la actualitat la majoria de OLED estan fets sobre aquestes superfcies. A mitjans dels 90 el Dr. Stephen R. Forrest va fer un disseny de OLED molt innovador el stacked OLED o SOLED [3]. Sn dispositius que usen una arquitectura de pxels innovadora. En les actuals pantalles de LCD els pxels estan distributs en un mateix pla, en canvi, en els SOLED hi ha una srie de pxels que estan distributs en 3D. Aquesta estructura permet triplicar la resoluci i sobserva a la figura 15.
Figura 16. Equema TOLED

Figura 15. Equema SOLED

Un altre avan de la tecnologia del OLED sn els TOLED [3]. Es tracta de OLEDs transparents. Es tracta de OLED que quan estan apagats presenten una transparncia de un 85-70%. Aquesta tecnologia ha despertat linters de moltes empreses, sobretot en el camp militar i en la realitat virtual. Lavantatge dels TOLED s que usen un ctode incolor. Per tant la llum es pot veure el ambdues direccions. Veure figura 16.