You are on page 1of 46

CHNG I: GII THIU

1.Gii thiu chung


Trong h thng thng tin quang, b thu quang l mt trong cc thit b quan trng
nht. Ti b thu quang, sng tn hiu quang t pha pht i ti c bin i thnh tn
hiu in, ri c khuch i v hi phc tr li thnh tn hiu cng dng nh u vo
thit b quang.
Tn hiu quang c bin i thnh tn hiu in ti b bin i quang- in(O/E).
B bin i quang in thng l mt b tch sng photodiode. y l mt b tch sng
theo lut bnh phng v n bin i cng sut quang thu c trc tip thnh dng in
(dng photon) ti u ra ca n. Thnh phn thc hin tch sng trong b bin i quang
in c th l photodiode PIN hoc photodiode thc APD(Avalanche Photodiode). Tn
hiu quang t pha pht i vo si quang s b suy hao dn v b mo tng ln theo di
c li truyn dn do tc ng ca tn x, hp th v tn sc trong si dn quang. V vy,
b thu quang phi hot ng trong iu kin gp nhiu yu t tc ng. Vic thit k thit
b thu quang s kh khn v phc tp hn rt nhiu so vi thit k b pht quang. B thu
phi m bo thu c tn hiu rt yu, b mo v tch c cc thnh phn nhiu kh
ln so vi tn hiu t b pht quang. Trong cc b thu quang s thc t tn hiu in yu
thu c ti u ra b tch sng s c khuch i, cn bng ti cc b khuch i i
din v b cn bng tng ng. Cui cng, tn hiu s c hi phc ti mch quyt
nh.
Tht vy b thu quang l mt thit b quan trng nht trong cc h thng truyn
dn quang. Cht lng ca cc h thng thng tin quang ph thuc ch yu vo b thu
quang. Mt b thu quang tt s m bo cht lng ca h thng truyn dn, c bit l
cc h thng c tc truyn dn bit cao. c mt tuyn truyn dn di c tc bit
ln, b thu quang phi tha mn cc yu cu chnh sau y:
-C t s tn hiu trn nhiu SNR ln v nhy thu cao.
-Hot ng c trong iu kin tn hiu c bng tn ln.
Hin nay cc b thu quang c thit k vi cng ngh cao ang c s dng rt
ph bin trong cc mng truyn dn quang. V vy c c h thng truyn dn quang
cht lng th yu cu c b thu quang cht lng l cn thit, trong bi bo co ny
nhm thc hin s trnh by nhng iu c bn v b thu quang.



2. Nguyn l bin i tn hiu quang thnh tn hiu in
Nguyn l chung: Cc linh kin thu quang c nhim v n nhn bc x quang
(hay nng lng photon) v chuyn thnh tn hiu in. Gm hai nhm:
-Nhm 1: nng lng c bin i thnh nhit sau bin i thnh in.
-Nhm 2: bin i trc tip t nng lng photon sang in, c gi l cc linh
kin tch sng quang.
Linh kin tch sng quang chia lm hai loi: hiu ng quang ngoi (external
photoelectric effect) v hiu ng quang ni (internal photoelectric effect).
- Hiu ng quang ngoi: cc in t c phng thch ra khi b mt kim loi khi
hp th NL t lung photon ti.
- Hiu ng quang ni: l qu trnh to ra cc ht mang in t do (in t v l
trng) t cc mi ni bn dn bng vic hp th cc photon ti. V d: mi ni P-N,
photodiode PIN v photodiode thc l APD.
Linh kin tch sng quang hot ng da trn mi ni P-N phn cc ngc.
M hnh vt l ca mt photodiode: S lng cc ht mang in c to ra ph
thuc vo nng lng ca photon ti. Nn quy lut bin thin ca Iph do cng sng
quyt nh

Hnh 1:M hnh vt l ca mt photodiode

CHNG II: CC LINH KIN TCH SNG QUANG
2.1. B tch sng photodiode PIN
B tch sng quang c s dng thng dng nht l b tch sng quang s dng
photodiode PIN. Mt photodiode PIN thng c cu trc gm cc vng P v N c
cch nhau bi vng I.

(a) (b)

(c)
Hnh 2: (a) Mch in v s vng nng lng ca photodiode PIN.
(b) Hnh dng thc t ca diode PIN.
(c) K hiu ca diode thu quang.
thit b hot ng phi cp mt in p ngc cho n. Trong ch hot ng
bnh thng, thin p ngc ln c t ngang thit b cho vng bn trong bo
m hon ton tri c cc ht mang. Hnh 1 m t cu trc v biu nng lng n
gin ca photodiode PIN. Do cu trc c bn bn trong ca n, lp I nm gia c tr
khng cao v hu ht cc in p t vo phn ngang ca n, kt qu l c mt trng
in ln nm trong lp I. Khi c mt photon i ti m mang mt nng lng ln
hn(hoc ) bng vi nng lng vng cm ca vt liu bn dn dng ch to
photodiode, photon ny c th b ra nng lng ca n v kch hot mt in t t vng
ha tr sang vng dn. Qa trnh ny s pht ra cc cp in t - l trng t do, cc cp
ny ch yu c pht ra trong vng tri v c gi l cc ht mang photo hoc cc
in t photo.

S pht sng c hp th trong vt liu tng ng vi hm m sau y:
P(x)=Pin(1-

) (1)
y

() h s hp th ti bc sng , Pin l mc cng sut ti photodiode v


Px l cng sut quang hp th ti c li x.
H s hp th ph thuc vo mt vi vt liu bn dn thng c s dng
ch to photodioede. Bc sng ct pha trn
c
m ti bng 0 c gi l bc sng
ct, t vt liu c th c s dng cho b tch sng ch khi <
c
. Bc sng trn
c xc nh t nng lng di cm E
g
c din gii bng n v in-Von (eV) v
c

c tnh bng micrometer (m) th ta c:

c
=

(2)
y c l vn tc nh sng, h l hng s Planck. Bc sng ct ca Si vo khong
1,06m v ca Ge vo khong 1,6m. i vi bc sng di hn, nng lng photon
khng kch thch in t t vng ha tr sang vng dn. i vi bc sng ngn
hn, p ng photo s ct xung v th m cc gi tr
s
ti bc sng ngn hn l rt ln.
Trong trng hp ny cc photon c hp th rt gn vi b mt ca b tch sng, ni
m thi gian ti hp ca cc cp in t -l trng l rt ngn.
Nu nh trong vng tri c rng w, cng sut tng c hp th c li w s l:
P(w)=Pin (1-

) (3)
Khi tnh n s phn x

ti li vo b mt photodiode dng photo ban u

c
t s hp th cng sut cng thc (3) c vit nh sau:

Pin (1-

) (1-

) (4)
Trong e l in tch in t, h l nng lng photon, h=6.625x

J.s l
hng s Planck v l tn s ca sng nh sng.
Khi ni n cc tham s ca photodiode, c hai tham s rt quan trng phi k
n. Th nht, mi mt photodiode c hiu sut lng t ca n. Hiu sut lng t l
t s gia cc cp in t-l trng c pht ra v s photon mang nng lng h i ti
v c vit nh sau:
=


=


(5)
y

l dng photon c gi tr trung bnh, dng ny c pht ra t cng sut


quang trung bnh

trong photodiode. Khi c 100 photon n photodiode c th to ra


t 45 n 95 cp in t-l trng. Vy th ta c th ni rng photodiode c hiu sut
lng t t 45% n 95%. c c hiu sut lng t cao, vng tri phi dy
hu ht cc photon i ti c hp th trong vng ny.
Tham s th hai l h s chuyn i dng photo R (hay cn gi l p ng R).
c tinh ca photodiode thng c c trng bi p ng R ny v c vit l:
R=

(6)
Tham s ny rt hay c s dng n v n c trng cho dng photo pht ra trn mt
n v cng sut quang.
C hiu sut lng t v p ng R u ph thuc vo di cm vt liu, bc
sng cng tc, dy ca vng P,N v I ca photodiode. Khi thit b c vng tri dy
hiu sut lng t s cao. Tuy nhin, vng tri cng dy th cc ht mang photo c
pht ra cng phi cn thi gian tri di hn ngang qua tip gip phn cc ngc. V thi
gian tri ca ht mang xc nh tc p ng ca photodiode nn cn phi dung ha
gia hiu sut lng t v tc p ng. i vi cc bn dn c vng cm gin tip
nh Si v Ge, rng vng tri w nm trong khong 2050m m bo hiu sut hp
l. Bng tn ca cc photodiode nh vy b gii hn do thi gian chuyn dch tng i
lu. i vi cc photodiode c ch to t cc vt liu c di cm trc tip nh vt liu
ghp InGaAs, rng vng tri c th nh ti 35m, v v th m rng bng c
ci thin.
Hiu sut lng t ca photodiode thng l c lp vi mc cng sut vo b
tch sng ti nng lng photon cho. Vy th p ng l mt hm tuyn tnh ca cng
sut quang. iu c ngha l dng photon

s t l trc tip vi cng sut quang


i vo photodiode, vy th p ng R l hng s ti bc sng c gi tr h cho. Cui
cng, p ng R l mt hm ca bc sng v vt liu photodiode. Tuy nhin, hiu sut
lng t khng l mt hng s mi bc sng, v n thay i theo nng lng
photon. Hnh 4.2..th hin p ng v hiu sut lng t nh l mt hm ca bc
sng i vi cc photodiode c cu trc t cc vt liu khc nhau.


Hnh 3: Hiu sut lng t v p ng l cc hm s ca bc sng vi cc vt liu
photodiode khc nhau
c tnh ca photodiode PIN c th c ci thin ng k bng cch s dng loi
cu trc d th kp. Tng t nh cu trc ca laser LD bn dn, lp I gia c kp
gia cc lp cht bn dn khc nhau P v N vi di cm c chn sao cho nh sng
ch c hp th ch trong lp I. Cu trc photodiode kiu ny thng c s dng
InGaAs l lp gia v InP lm lp P v N bao quanh. Lp InGaAs gia s hp th
mnh bc sng vng 1,31,6m. Mt trc thng c ph bng lp cch in ph
hp lm gim phn x ti mc nh nht. Hiu sut lng t hu ht l t c gn
nh 100% t InGaAs vi dy 45m. Cc photodiode s dng InGaAs l hon ton
ph hp cho cc b thu quang thc t trong cc h thng thng tin quang. Bng 1 lit k
cc c tnh hot ng ca ba loi photodiode PIN tiu biu
Bng 1: Cc c tnh ca photodiode PIN tiu biu
Tham s (k hiu) n v Si Ge InGaAs
Bc sng m 0,4-1,1 0,8-1,8 1-1,7
p ng R A/W 0,4-1,6 0,5-8,7 0,6-0,9
Hiu sut lng t % 79-90 50-55 60-70
Dng ti

A 1-10 50-500 1-20


Thi gian ln

s 0,5-1 0,1-0,5 0,05-0,5


Bng tn B GHz 0,3-0,6 0,5-3 1-5
Thin p

V 50-100 6-10 5-6



Photodiode PIN cng c pht trin cng vi cng ngh tin tin. T 1990 ti
nay, cc hng pht trin cc photodiode PIN tc cao c kh nng hot ng ti tc
trn 10Gbit/s. Nm 1995, cc photodiode PIN ra mt vi bng tn 110 GHz. Mt
vi k thut c nghin cu ci thin hiu sut ca cc photodiode tc cao.
Hp cng hng Fabry-Perot (FP) c to xung quanh cu trc PIN lm tng hiu
sut lng t. Photodiode hin nay c th t c hiu sut lng t gn 100% l nh
vic to thnh cng mt gng trong hc FP bng bin php to di phn x Bragg trong
lp AlGaAs/AlAs. Cu trc ny c th cho php to c cc photodiode vi bng tn rt
cao trn 100GHz m vn c hiu sut lng t cao.
Mt cch khc to photodiode tc cao l s dng mt ng dn sng quang
ghp cnh tn hiu quang. Tri vi laser bn dn ng dn sng ny c th c l rng
h tr cc mode ngang nhm ci thin hiu sut ghp. Hiu sut lng t y c th
t 100% ngay c khi c lp hp th cc mng v bng tn c th t ti 110GHz bng
cch to m phng cu trc ng dn sng mushroom-meza. c tnh ca cc
photodiode cn c th c ci thin hn na bng cch to cu trc in cc nhm h
tr cho cc sng in lan truyn vi tr khng ph hp trnh phn x. Cc photodiode
nh vy c gi l cc photodiode sng chy. Cc photodiode l GaAs da trn cu trc
ny c th c bng tn trn 170GHz v hiu sut lng t t trn 50% khi m ng dn
zng rng 1m v tr khng c tnh l 50(Ohm).
2.2. Mt s hnh nh mch thu quang s dng photodiode PIN



Hnh 4: Mch thu quang s dng photodiode PIN
2.3. Photodiode thc APD
Tt c cc b tch sng lun i hi mt dng ti thiu no hot ng mt
cch tin cy. Dng ny c chuyn thnh cng sut ti thiu thng qua quan h
P
in
=I
p
/R. V vy cc b tch sng c p ng R ln l cn thit v chng yu cu mt
cng sut quang nh hn l . Chng ta bit rng photodiode PIN c hn ch l do tham
s R v gi tr ln nht l R = e/hv khi hiu sut lng t = 1. Cc photodiode thc APD
c gi tr R ln hn nhiu so vi photodiode PIN v c thit k cho ra s khuch
i dng bn trong. Sauk hi bin i cc photon thnh cc in t photo, n khuch i
ngay dng photo bn trong n trc khi dng ny i vo mch khuch i tip sau v
iu ny lm tng mc tn hiu, dn ti nhy thu c tng ln ng k. thu c
hiu ng nhn bn trong, cc ht mang quang s c tng dn nng lng ti mc
ln ion ha cc in t xung quanh do va chm vi chng. Cc in t xung quanh
c y t vng ha tr ti vng dn, ri to ra cc cp in t - l trng mi sn sng
dn in. Cc ht mang mi c to ra ny s tip tc c gia tc nh in trng cao
v li c th pht ra cc cp in t - l trng mi khc. Hin tng ny gi l hiu ng
thc. Qu trinh thc dn ti lm tng dng in t photo. i vi photodiode Si, ngng
trng in cn thit thu c s nhn l mc 10
5
V/cm.
Cu trc thng dng ca mt photodiode APD c th m t nh hnh 4. N c
cu to gm c vt liu loi p in tr sut cao t lm lp epitaxi nn p
+
. Sau ngi
ta khuch tn hoc cy lp n
+
. Hai vng cch nhau bi mt vng trng in thp v mt
vng trng in cao. i vi Si, cht kch tp vng ny thng l Bo hoc photpho.
Cu trc nh vy thng c gi l cu trc cn xuyn p
+
ipn
+
. Lp I c bn l lp vt
liu t dn c pha tp mt cht P.


Hnh 4: S phn b trng in v cu trc APD cn xuyn Silic v hnh nh trong thc
t ca diode APD.
V hot ng APD c th hiu nh sau: Khi c mt thin p phn cc ngc nh
t vo APD, hu ht cc in th ri ngay trn tip gip pn
+
. Vng tri s m rng theo
s tng ca thin p cho ti mt gi tr in p no m trng in nh ti tip gip
pn
+
vo khong 5 n 10% di trng in cn thit gy ra hiu ng thc. Ti thi
im ny, vng tri ch cn xuyn ti vng t dn.
T phn tch trn ta thy r rng rng cc photodiode thc khuch i ti ch
dng photo tn hiu ban u trc khi i vo mch u vo ca b khuch i in. V
dng photo c nhn trc khi nhiu nhit pht sinh mch in, cho nn n lm tng
nhy thu. qu trnh nhn ht mang c xy ra ng lc, cc ht mang pht ra
dng photo phi i qua vng ni c in trng rt cao. Di vng in trng cao ny,
mt in t c gia tc c th nng lng pht ra cc cp in t - l trng mi.
iu ny c ngha rng n ion ha cc in t bao quanh trong vng ha tr do va chm
vi chng. C ch nhn ht mang nh vy c goi l s ion ha do va chm. Cc ht
mang mi c to ra cng c th gia tc bng trng in cao, khi thu c nng
lng, chng c th to ra tip qu trnh ion ha va chm. Nh vy kt qu thc ca qu
trnh ion ha do va chm ch n thun mt in t ban u c pht thng qua qu
trnh hp th photon s to ra nhiu in t v l trng th cp.
Cu trc ca APD trong hnh 4 l mt cu trc cn xuyn RAPD (Reach-through
APD) tiu biu c nhiu tri rt nh. Trong APD, s trung bnh cc cp in t - l trng
c pht ra trong mt n v di di chuyn c gi l h s ion ha. Nhn chung
hu ht cc vt liu u th hin s khc nhau v h s ion ha in t v h s ion ha
l trng . c tnh b tch sng quang c xc nh bi t s K
A
= /. Gi tr s ca
v s ph thuc vo vt liu cht bn dn v trng in m n gia tc cho cc in t
v l trng. Trong thc t, ch c Silic l c s khc nhau ng k gia cc h s ion ha
in t v l trng.
H s nhn M cho tt c cc ht mang c pht ra trong photodiode APD c
cho l:
M =

(7)
Trong I
M
l gi tr trung bnh ca dng tng u ra c nhn v I
P
l dng
photo ban u cha c nhn. Trong thc t v khng phi mi cp ht mang c pht
ra trong photodiode u cng c nhn cho nn c ch nhn thc l mt qu trnh thng
k. V vy gi tr M c xc nh s phi din gii bng mt gi tr trung bnh.
S tng ch dng i vi cc bc sng khc nhau s ph thuc vo in p phn
cc, v d loi RAPD Silic c c tnh phn p dng ph thuc vo in p phn cc nh
hnh 5. S ph thuc ca tng ch vo bc sng kch thch l thuc tnh ca qu trnh
thc do cc in t v l trng gy ra khi hu ht nh sng c hp th trong vng pn
+

gip vi b mt b tch sng. iu ny cn c lu c bit i vi cc bc sng
ngn v y phn ln cng sut quang c hp th gn vi b mt hn l cc bc
sng di. V Si, h s ion ha i vi cc l trng l nh hn i vi cc in t cho
nn s tng ch dng tng b gim i cc bc sng ngn.
Do c s khuch i dng, p ng APD c tng bng h s nhn M v c
vit nh sau:
R
APD
=

= RM (8)
y R cng c th gi l p ng thun nht. Bng tn ni ti ca APD ph
thuc vo h s nhn M. iu ny c th c din gii bng vic ch rng, thi gian
chuyn dch T
t
i vi APD khng di nhng thc t li tng ng k bi l n gin l
do c s pht ra v la chn cc cp in t - l trng th cp m n sinh ra mt thi gian
ph. S khuch i ca APD s gim ti tn s cao l do s tng v thi gian chuyn dch
lm gii hn bng tn.


Hnh 5: Khuch i dng ca RAPD silic vi cc bc sng khc nhau
Nhn chung, Silic c s khc nhau ng k gia h s ion ha in t v l trng.
V h s ion ha i vi l trng l nh hn i vi in t trong vt liu ny nn khuch
i dng tng l b gim ti bc sng ngn. Bng sau so snh cc c tnh hot ng ca
photodiode thc loi Si, Ge v InGaAs.
Bng 2: Cc c tnh ca photodiode thc APD ph bin
Tham s n v Si Ge InGaAs
Bc sng
p ng
H s nhn
H s k
Dng ti
Thi gian ln
Bng tn
Thin p
m
A/W
_
_
nA
ns
GHz
V
0,4 1,1
80 130
100 500
0,02 0,05
0,1 1
0,1 2
0,2 1,0
200 - 250
0,8 1,8
3 30
50 200
0,7 1,0
50 500
0,5 0,8
0,4 0,7
20 - 40
1,0 1,7
5 20
10 40
0,5 0,7
1 5
0,1 0,5
1 3
20 - 30

Trong bng 2, v k
A
i vi silic l rt nh hn 1, nn cc photodiode thc Silic
c s dng cho ra cc c tnh tt hn. Cc photodiode ny rt thng dng cho cc
h thng thng tin quang bc sng 0,85m ti tc bit ~ 100Mbit/s. i vi cc h
thng hot ng trong vng bc sng t 1,3 n 1,6m, cc photodiode thc APD loi
Ge v InGaAs nn c s dng v cc vt liu ny hp th nh sang trong vng bc
sng di. Cc photodiode thc loi InGaAs c ci tin c thit k ph hp. Loi
photodiode thc tiu biu l loi s dng cu trc d th vi lp InP cho vng khuch i.
V cng hp th v vng nhn l cch nhau, cu trc ny c gi l SAM (Separate
Absorpion and Multiplication region). Trong cu trc ny c s chnh lch nhau kh ln
v vng cm gia InP c E
g
= 1,35 v InGaAs c E
g
= 0,75. Do bc nhy vng ha tr
vo khong 0,4 cho nn cc l trng pht ra trong vng InGaAs b mc li ti tip gip d
th v chng b chm ng k trc khi tin ti vng khuch i. Photodiode thc APD
nh vy s c p ng cc l chm v bng tn tng i hp. gii quyt vn ny,
cu trc SAM photodiode thc c gii quyt bng cch s dng thm mt lp khc t
gia cc lp hp th v nhn; n c vng cm l trung gian gia cc vng cm ca lp
InP v InGaAs. Lp ny c lm bng hn hp bn vt liu InGaAs cng nh vt liu
la-de bn dn. Cu trc ny c gi l SAGM (Separate Absorpion Grading and
Multiplication region). N c tch bng tn khuch i l: MB
e
= 70 GHz vi M = 12.
Cu trc APD thnh cng nht cho loi InGaAs l s dng cu trc siu li i
vi vng nhn. Trong cu trc ny, vng nhn dy 231nm gm c 11 chu k ging lng
t loi InAlGaAs dy 9nm, c cch nhau bi cc lp chn dy 12nm. Lp m loi InP
cch vng hp th InGaAs bng vng nhn siu li. APD loi ny cho bng tn 15 GHz
vi h s nhn M = 10. Photodiode kiu ny c th p ng cho cc h thng thng tin
quang hot ng ti tc bit ti 30 Gbit/s.
2.4. Thng s c bn ca linh kin tch sng quang
2.4.1. Thi gian p ng
Thi gian p ng l mt yu t quan trng ca b tch sng quang xc nh
kh nng lm vic ca b thu quang vi cc tc khc nhau ca h thng truyn dn.
Thi gian p ng ca photodiode cng vi mch in u ra ca n ph thuc ch yu
vo 3 yu t sau: thi gian chuyn dch ca cc ht mang photo trong vng tri, thi gian
khuch tn ca cc ht mang photo c pht ra bn ngoi vng tri, hng s thi gian
RC ca photodiode v cc mch in c lin quan ca n.
Cc tham s c lin quan ca photodiode l h s hp thu, rng vng tri, cc
in dung tip gip photodiode v ng v, in dung b khch i in, in tr ti b
tch sng, in tr u vo b khuch i, in tr ni tip ca photodiode. Trong cc b
tch sng thc t, in tr ni tip thng rt nh v c th b qua khi so vi in tr ti
v in tr u vo ca b khuch i.
Trc ht ta xem xt thi gian dch chuyn ca cc ht mang photo trong vng tri.
Thi gian chuyn dch ca cc ht mang photo s lm hn ch tc p ng ca
photodiode. N l thi gian cn thit vi cc ht mang photo i ngang qua vng tri. Nu
gi thi gian chuyn dch l T
t
, vn tc tri ht mang l V
d
, rng vng tri l w th ta
c:
T =

(9)
Trong thc t, trng in trong vng tri nhn chung l ln cc ht mang
t c vn tc gii hn tn x ca chng. i vi Si, tc ln nht ca cc ht in
t l 8,4x10
6
cm/s v ca l trng l 4,4x10
6
cm/s khi cng trng mc
2x10
4
V/cm. Photodiode Silic tc cao c rng vng tri l 10m nn c gii hn
thi gian p ng vo khong 0,1ns.
Qu trnh khuch tn l chm so vi s tri ca cc ht mang trong vng trng
in cao. V vy c c photodiode tc cao, cc ht mang photo cn phi c
pht ra vng tri hoc gn vi vng ny cho thi gian khuch tn l t hn hoc bng
vi thi gian tri ht mang. nh hng ca thi gian khuch tn di c th c xem xt
thng qua thi gian p ng ca photodiode. Thi gian p ng photodiode c m t
bng thi gian ln v xung ca u ra b tch sng khi b tch sng tip nhn mt xung
tn hiu quang ti u vo. Trong hnh 3, gi thi gian ln T
r
thng c tnh bt u t
10% n 90% ca sn trc ca xung u ra, thi gian xung T
f
c xc nh t im
90% n 10% ca sn sau ca xung u ra. cc photodiode ngho hon ton, thi
gian ln T
r
v thi gian xung T
f
l gn nh nhau. Tuy nhin chng c th khc nhau
cc mc in p thp, ni m photodiode khng hon ton ngho, v sau thi gian thu
nhn, photon mi bt u tham gia vo thi gian ln.

Hnh 6: p ng photodiode cho xung quang u vo

t c hiu sut lng t cao, rng vng tri phi ln hn 1/, sao cho
hu ht nh sng c hp th. p ng i vi xung u vo hnh ch nht ca
photodiode in dung thp c w >> 1/. Thi gian ln v xung ca photodiode theo
xung u vo hon ton tt. Nu in dung photodiode ln hn, thi gian p ng s b
hn ch bi hng s thi gian RC ca in tr ti R
L
v in dung photodiode. Nu vng
tri qu hp, bt k mt ht mang no c to ra trong vt liu khng ngho s phi
khuch tn tr li vng tri trc khi chng c thu nhn. Nh vy, thit b c cc vng
tri rt mng s c hng phn ra thnh cc thnh phn p ng chm v p ng nhanh.
Thnh phn p ng nhanh thi gian ln s ng vi cc ht mang c pht trong vng
tri, nhng tri li thnh phn chm xut hin do s khuch tn cc ht mang c to ra
trong c ly L
n
bt u t cnh ca vng tri. cui xung quang, cc ht mang trong
vng tri c thu nhn rt nhanh, iu ny to ra thnh phn p ng nhanh trong thi
gian xung. S khuch tn cc ht mang trong c ly L
n
ca cnh vng tri xut hin
nh mt ui xung xung chm. Cng nh vy, nu w qu mng in dung tip gip s
tr ln qu mc. in dung tip gip C
j
c cho l:
C
j
=

(10)
Trong , l hng s in mi ca vt liu bn dn, bng
0
k
s
trong k
s
l hng
s cch in bn dn,
0
= 8,8542 x 10
-12
F/m l hng s in mi khng gian t do v A
l din tch vng khuch tn.
S vt qu mc ny s lm tng hng s thi gian RC gii hn thi gian p ng
b tch sng. Vi dy vng hp th nm trong khong gia 1/ v 2/ th s dung ha
c p ng tn s cao vi hiu sut lng t cao. Nu R
T
l tng ca cc in tr u
vo ti v b khuch i, C
T
l tng cc in dung photodiode v b khuch i, th b
tch sng c th c coi l b lc thng thp RC vi bng thng l:
B
e
=


(11)
2.4.2. Dng photo vng tri
Khi tho lun v b tch sng quang, photodiode phi thu tn hiu quang rt yu
bin i n thnh tn hiu hiu in. Tn hiu quang i vo thit b thng qua lp p v to
ra cc cp in t - l trng v n c hp th trong vt liu bn dn. Cc cp in t -
l trng y m c pht trong vng tri hoc trong di khuch tn ca n, s c
phn cch bi mi trng in p ngc, t dn n dng in chy trong mch ngoi
v c s tri ht mang ngang qua vng tri.
V cc ht mang in tch chy qua vt liu, mt s cc cp in t - l trng s ti
hp v ri bin mt. Trung bnh th cc ht mang in tch s chuyn ng vi mt c ly
l L
n
i vi cc in t v L
p
i vi cc l trng. C ly ny c gi l di khuch
tn. Thi gian hon thnh s ti hp gia in t v l trng gi l tui th ca ht
mang v c k hiu tng ng bng
n
v
p
. Cc tui th v di khch tn c mi
quan h nh sau:
L
n
= v L
p
= ( 12)
y D
n
v D
p
tng ng l cc h s khuch tn in t v l trng, c th
nguyn l cm
2
/s. cc iu kin trng thi bn vng, mt dng tng J
tot
chy qua
vng tri l:
J
tot
= J
dr
+ J
di
(13)
Trong J
dr
l mt dng tri sinh ra t cc ht mang bn trong vng tri, v
J
di
l mt dng khuch tn t cc ht mang c to ra t bn ngoi vng tri trong
khi bn dn v khuch tn vo tip gip phn cc ngc. V lp p ca b mt
photodiode p-i-n thng l rt mng, dng khch tn c xc nh ch yu t s khuch
tn l trng t vng n. Cui cng, G.Keiser a ra c kt qu:
J
tot
= e
0
(


)

+ ep
n0

(14)
y, P
n0
l mt trng cn bng. S hng c lin quan P
n0
thng l nh
dng photo c pht ra t l vi dng photon
0
.
2.5. Vt liu ch to linh kin tch sng quang
Trong cu trc photodiode ta bit v h s hp th
s
v p ng R ca thit b.
H s hp th
s
ca cc vt liu bn dn thay i ln theo bc sng nh c ch ra
hnh 6. p ng ca b tch sng c xc nh ch yu bi cu trc b tch sng v loi
vt liu c s dng. Trong cc photodiode thc t, vt liu c nng lng di cm hi
t hn nng lng ca photon ti bc sng di nht m ta quan tm c th cho ra c
p ng tt nht v hiu sut lng t cao nht. Ngoi vic m bo c c hiu sut v
p ng tt, cu trc nh vy cng gi c dng ti ca photodiode thp.
Trong vng ph t 800nm n 900nm, mt s cc vt liu khc nhau nh Si, Ge,
GaAs c th c s dng lm photodiode. Tuy nhin, Si l vt liu ph hp nht v
c dung cho nhiu loi thit b tch sng quang. Vt liu Si c tp m thp nht, nh
vy n cho ra c nhy thu ca b thu cao. Hn th na, cng ngh pht trin vt
liu ny t mc cao.
bc sng di hn, t trn 1100nm n 1700nm, s dng vt liu Si l khng
ph hp. p ng ca n qu thp ch to photodiode, cc photon trong cc bc
sng di nayfkhoong c nng lng kch thch mt in t ngang qua c di cm
1,17eV ca vt liu. Trong vng ny, mt s cc vt liu c s dng trin khai cc
b tch sng quang nh Ge, InP, InGaAsP, InGaAs, GaAlSb v GaAb. i vi cc
photodiode p-i-n v APD hot ng bc sng di, InGaAs l vt liu ph hp nht v
n c th hp th nh sng vi bc sng di ti 1650nm. Ge cng l vt liu dung cho
b tch sng bc sng di. H s hp th ca n ln ti 10
4
cm
-1
trn vng bc sng
t 1100nm n 1550nm. Vi cc c tnh ny, vt liu Ge c th c s dng lm
photodiode l tng cho cc h thng thng tin quang bc sng di. Nhng Ge cng
c mt s nhc im. V di cm ca Ge hp hn Si, dng ti khi l cao hn, iu ny
lm hn ch tng ch trong photodiode thc APD. Hn na, Ge li c h s nhiu tri cao
trong hiu ng nhn thc do t l h s ion ha ht mang ch l 2.


Hnh 7: H s hp th nh sng l mt hm ca bc sng
Mt s cc vt liu khc l cc hp kim bn dn III-V cng c s dng cho bc
sng di, v cc di cm ca cc hp kim nh vy ph thuc vo cu trc phn t ca
chng, cnh hp th c th c la chn bng cch thay i cc tp trung phn t ca
cc nguyn t thnh phn ca hp kim. Cc vt liu ny c th to ra c photodiode c
tc p ng nhanh, hiu sut lng t cao v dng ti thp.
2.6. Nhiu trong b tch sng quang
T s tn hiu trn nhiu SNR l tham s rt quan trng trong b tch sng quang.
N xc nh cht lng b thu quang tng t v l yu t ch yu quyt nh nhy
thu ca b thu quang s. Sau khi lan truyn dc theo si quang, mc cng sut tn hiu
quang thng l rt yu ti b thu quang. Tn hiu quang b suy hao trong khi lan truyn
dc theo si quang. Si quang cng di th tn hiu cng b suy hao nhiu. V vy trong
cc h thng thng tin quang, cc b tch sng quang c yu cu l phi tch c tn
hiu quang rt yu. c c mt b thu quang tt, b tch sng quang v cc mch
in khuch i sau n phi c kt hp ti u cho ra t s tn hiu trn nhiu SNR
cao. iu c ngha l:
-B tch sng quang cn c hiu sut lng t cao pht ra cng sut tn hiu
ln.
-Nhiu ca b tch sng quang v b khuch i in phi cng thp cng tt.

2.6.1. Cc ngun nhiu trong b tch sng quang
2.6.1.1. Cc ngun nhiu ca b tch sng PI N
Cc ngun nhiu trong b tch sng quang bao gm :
- Nhiu b tch sng sinh ra t bn cht thng k ca qu trnh bin i photon
thnh in t
- Nhiu nhit c lin quan n cc b khuch i in trong b thu.
Trong cc b tch sng quang thc t, hiu sut lng t ca photodiode thng
t ti gi tr ln nht ca n. V th, cc dng nhiu l cc yu t chnh xc nh t
s tn hiu trn nhiu SNR hoc cng sut quang ti thiu c th c tch. c
c t s tn hiu trn nhiu ca b tch sng quang trong cc h thng thng tin
quang, ta s xem xt dng photo v cc loi nhiu khc nhau v cc quan h tng tc
ca cc tham s ny.

Hnh 8: M hnh n gin ca mt b thu tch sng quang
Kho st mt mu b thu quang s dng tch sng photodiode p-i-n n gin nh
trn. y R
s
l mt in tr ni tip c gi tr rt nh, C
d
l in dung tng, n gm
in dung ghp ni v in dung ng v thit b, R
L
l in tr ti ca b tch sng,
thng thng R
L
>> R
s
.
Trong b thu quang, cc mch khuch i in ng vai tr rt quan trng. n
gin, c th c b khuch i chnh sau b tin khuch i. B tin khuch i cng l
mt b khuch i quan trng nht trong b thu v n trc tip tham gia vo t s tn hiu
trn nhiu SNR.trong hnh trn,

tng ng l in dung v in tr u vo ca
mch khuch i in pha dau b tch sng quang.
Khi c mt cng sut quang c iu ch P(t) i vo photodiode ,dng photo
c pht ra tng ng vi tn hiu quang c vit nh sau:
i(t) = RP(t) =

(t) (15)
Dng photon ny bao gm dng mt chiu

l dng photon trung bnh c c t cng
sut tn hiu quang , v dng tn hiu

(t) c lin quan ti nhiu lng t (hay cn gi l


nhiu bn) c dng tn hiu trung bnh bnh phng <


> = <


>. Quan h

=R

s vn cn c duy tr nu nh l

nh l mt dng trung bnh. Tuy nhin,niu


in c sinh ra t s bin ng dng lm nh hng ti c tnh b thu. thu c
t l tn hiu trn nhiu SNR ca b thu quang, vic xem xt cc dng nhiu khc nhau l
mt vn quan trng xc nh xem SNR l cao hay thp.
Trong b tch sng quang , cc nhiu c bn l :
- nhiu lng t
- nhiu dng ti
- nhiu dng r b mt.
a. Nhiu lng t

Nhiu lng t pht sinh do bn cht thng k ca qu trnh tch sng v tnh la
chn ca cc in t photo khi c tn hiu quang i ti b tch sng quang. Nhiu
lng t bt ngun t s khng chc chn v thi gian n ca cc in t hoc
cc photon ti b tch sng. Tnh thng k ny c th hin theo mt qu trnh
poisson.i vs b tch sng p-i-n, s bin i nhiu lng t trong bng tn hiu
dng Be ( hoc cn gi l bng tn in ) l gi tr bnh phng trung bnh ca
dng nhiu lng t c cho bi:

= <

> =2e

(16)
y gi tr ny t l vi gi tr bnh phng ca dng photo

.
b. Nhiu dng ti
Nhiu dng ti c pht ra t vt liu khi photodiode. Nhiu dng ti
photodiode l dng lun lun xut hin ngay c khi khng c nh sng chiu ti
photodiode.dng ti ny chy qua mch thin p ca thit b. v n c pht t vt liu
khi cho nn n tng theo cc in t v (hoc ) l trng c pht theo nhit trong tip
gip pn cua photodiode. V n cng c gi l dng ti khi

.s bin i nhiu ca
dng ny c vit nh sau:

= <

> =2e

(17)
y

l dng ti khi ban u ca b tch sng.


c. Nhiu dng r
Dng r b mt photodiode

cng l dng ti b mt, hoc cho n gin th


gi l dng r .Dng ny ph thuc vo s khim khuyt, in tch b mt,mc sch ca
b mt v in p nh thin.bin i nhiu ca dng r nh sau.:

= <

> =2e

(18)
y

l dng r ban u . lm gim dng r ,cch tt nht l s dng cu


trc mc ring bo v ,iu ny s lm r cc dng r cho in t ti.
d. Nhiu nhit
Mt ngun nhiu na m n cng tc ng vo b thu quang l dng nhiu
nhit

. nhiu nhit ny c 1 nh hng ng k ti t s tn hiu trn nhiu ca b thu


quang.Ta gi thit tr khng u vo ca mch khuch i in b thu l ln hn nhiu
so vi in tr ti dn ti nhiu nhit ca n l nh hn nhiu nhiu nhit t in tr ti


. n c ngha rng dng nhiu nhit c pht t in tr ti b tch sng chnh .bin
i nhiu nhit c cho nh sau:

= <

> =(4

(19)
Trong ,

l bng s Boltzman,

1,38(24).10
-23
J/K = 8,617(15).10
-
5
eV/K, T l nhit tuyt i (Kelvin) .k hiu

l h s nhiu c khuch i , n
th hin mt h s m nhiu nhit tng do s dng cc in tr khc nhau trong
mch tin khuch i v khuch i chnh .
cng sut nhiu tng c xc nh da trn cc thnh phn nhiu nu:

=<

> =2e

) + (4

(20)
2.6.1.2 Cc ngun nhiu ca b tch sng APD
i vi b tch sng APD , cc photodiode thc thc hin khuch i bn trong
dng tn hiu bn trong bng h s nhn M trc khi tn hiu i ti mch khuch i i
din pha sau. y l nguyn nhn ca s tng ca t s tn hiu trn nhim trong b thu
quang APD . nhn chung,cc b thu quang photodiode thc ra cho t s tn hiu da trn
nhiu cao hn so vi SNR b thu p-i-n vi cng 1 cng sut quang u vo .vi mc
cng sut quang ti l

,dng ban u

c vit nh sau:

= RM

(21)
y

l p ng ca photodiode thc, n c nhn ln M so vi


photodiode p-i-n.v th dng tn hiu trung bnh bnh phng <

> c vit cho APD l


:
<

> = <

(t)>

(22)
Vy th t s tn hiu trn nhiu hy vng s tng thm h s

nu nh cc nhiu
b thu khng b nh hng t c ch khuch i bn trong ca photo diode APD
Nhng ng tic l nhiu ca b thu photodiode thc cng tng v t s tn hiu
trn nhiu ca b thu li b gim i.
Da vo vic xem xt cc b tch sng i-p-n trn ,ta c th tm thy cc thnh
phn nhiu ca b tch sng quang APD. Nhiu lng t hoc nhiu bn v nhiu dng
ti s tng

ln.iu ny c th tm thy trong nhiu sch v ti liu .Cn ch rng


qu trnh nhn thc l mt qu trnh hiu ng khi.dng r b mt

khng b nh hng
t khuch i thc . Nhiu nhit cng khng chu nh hng t hiu ng thc v n c
ngun gc pht sinh t cc thnh phn in khng c lin quan ti photodiode thc. y
khng ging nh trng hp ca nhiu lng t. Do ta c th vit nhiu tng ca b
tch sng APD nh sau

= <

> = 2e

+ 2e

+ (4

(23)
y

l t s nhiu tri ca APD ,n c lin quan ti bn cht ngu nhin


ca qu trnh thc . Qua nghin cu ngi ta tm c:

M + (1-

)(2-1/M) (24)
T cc kt qu thc nghim ,

c coi l xp x bng :

(25)

Hnh 9: S ph thuc ca h s nhiu tri vo M ca APD
Tham s x l phn t gam, v gi tr ca n bng 0,3 i vi photodiode thc silic,
bng 0,7 i vi InGaAs, v bng 1 i vi Gemanium( 0=<x=<1) .Hnh trn th hin s
ph thuc ca h s nhiu tri FA vo khuch i M
2.6.2. T s tn hiu trn nhiu
T dng tn hiu v cc dng nhiu c xc nh nh trn,t s tn hiu trn
nhiu SNR ( hay cn gi l t s tn hiu trn nhiu in eSNR) ca b thu photodiode
c xc nh l :
SNR =


=

(26)
y s dng mt thc t rng s bin i cng sut in nh l bnh phng
ca dng in . Vy th t l SNR cho b thu photodiode p-i-n c vit l :
SN

(27)
Trong gii hn nhiu nhit,

l nh hn nhiu

, v vy t s tn
hiu trn nhiu cho b thu photodiode p-i-n thu c tr thnh:
SN

(28)
Cn trong gii hn nhiu lng t,

l ln hn nhiu

,lc ny ta
c:
SN

(29)
Trong cc b thu quang thc t s dng b tch sng p-i-n ,nhiu tri chnh l
nhiu nhit

. V b tch sng c in tr ti tch sng, n sinh ra dng nhiu nhit kh


ln. Trong nhiu b thu quang , dng nhiu nhit hiu dng ln gp khong 20 ln dng
nhiu nhit lng t hiu dng, v khong 100 ln dng ti hiu dng .
Nhiu dng ti

v dng r b mt

cn c th kt hp li v gi chung l nhiu
dng ti.V vy ta c th gi thay th

bi (

) trong mt s cc trng hp tin


cho vic xem xt cc ngun nhiu chung ca b thu.
Trong qu trnh thit k b thu,nu khng lm cn thn , cc phn t tch cc ca mch
khuch i c th to ra dng nhiu khuch i

.
Tng t, ta c th vit t s tn hiu trn nhiu cho b thu quang photodiode
thc ADP nh sau:

(30)
c gii thiu phn trn cho photodiode p-i-n ,dng ti

c kt hp t

nn

= 2e (

, ta vit cho b thu quang ADP nh sau:

= 2e

(R

(31)
Trong gii hn nhiu nhit,

l nh hn nhiu

, v vy t s tn
hiu trn nhiu cho b thu photodiode thc APD thu c tr thnh:
SN

(32)
V hy vng c ci thin

so vi b th photodiode p-i-n. Ngc li trong gii


hn nhiu lng t ,

l nh hn nhiu

, lc ny ta c:
SN


(33)
V t s tn hiu trn nhiu SNR b gim i vi h s nhiu tri

so vi b thu
photodiode p-i-n


CHNG III: B THU QUANG
3.1. B thu quang
3.1.1. Cu hnh b thu quang

Hnh 10 : cu hnh ca b thu quang s tiu biu
B thu quang trong h thng thng tin quang bao gm b tch sng quang, b
khuch i in v mch x l tn hiu. Cc thnh phn thit b ny trong b thu c cc
chc nng tng ng l bin i nng lng quang yu i vo photodiode thnh tn hiu
in v ri khuch i tn hiu ny ti mc ln n c th c x l bng cc mch
in theo sau. Nh bit,Phn khuch i in ca b thu quang c th bao gm mch
tin khuch i in v mch khuch i chnh,ta s xt b thu vi cu hnh ny. V v
hu ht cc h thng truyn dn quang s dng dng iu ch s (digital), nn ta s tp
trung phn tch b thu quang s.
Cu hnh tiu biu ca b thu quang s dng photodiode c th hin hnh trn .
Cc thnh phn ca b thu ny thng c sp xp theo trnh t 3 nhm : phn trc b
thu ( front-end),knh tuyn tnh v phn hi phc tn hiu s.
Trong phn trn ,ta gii thiu v b tch sng vi cc thnh phn nhiu ca n
t c t s tn hiu trn nhiu. Tuy nhin, t s tn hiu trn nhiu in ti b tch
sng quang ch nh gi cht lng ca tn hiu thu c c p ng c tiu
chun ca h thng hay khng, nh trong trng hp truyn dn tng t c bn cho
thng tin ting ni v video. Nhng i vi cc h thng truyn dn s, t s tn hiu trn
nhiu in t bn thn n khng l mt hnh nh mang ngha c gi tr. iu ny c th
c ch ra bng vic xem xt nguyn l c bn ca tch sng s. Trong b thu quang s,
cc mo v nhiu tn hiu khc nhau s khng th trnh khi trong qu trnh thu v c th
dn ti li trong vic thuyn chuyn tn hiu thu c. Dng c ly ra t b tch sng
thng l rt yu v b nh hng bt li do cc nhiu ngu nhin c lin quan ti qu
trnh tch sng quang.
thit k b thu quang, vic xc nh cc c tnh ca n da trn cc m hnh ton
hc v cc trng thi b thu khc nhau l mt vic lm cn thit. Cc m hnh ny phi
tnh ti cc thnh phn mo v nhiu, v chng cn c ch ra cho ngi thit k cc
thnh phn no l c th la chn b thu p ng c cc chun mc c tnh mong
mun. Tiu chun c ngha nht xc nh c tnh ca h thng thng tin s l xc
sut xut hin li trung bnh. Trong khi , tiu chun trung thc thng c c trng
di dng t s tn hiu nh trn nhiu hiu dng trong h thng tng t

Hnh 11: S b thu quang s
Cu hnh ca b thu quang s di dng gin c m t trong hnh trn.
y b thu quang bao gm :
- B tch sng quang.
- B khuch i in
- Mch cn bng v mch quyt nh.
Gi thit l photodiode PIN c s dng trong b thu ny. B tch sng
photodiode c hiu sut lng t , in dung

.in tr

l in tr ti, v it l
dng nhiu nhit pht ra t in tr ti trong b tch sng. Trong khi b khuch
i c in tr

v in dung

ti u vo v 2 thnh phn ny c kt hp
thnh tr khng u vo do s mc sun.
Trong cu hnh b thu quang ny, c 2 im ng ch l dng nhiu u vo
ia(t) do nhiu nhit ca in tr u vo b khuch i

sinh ra, v ngun in p


nhiu ea(t) th hin nhiu nhit ca knh b khuch i.Hai ngun nhiu ny c coi l
thng k Gaussian , ph phng v khng tng quan .
- Mch cn bng theo sau b khuch i in .Mch ny thng l b lc sharp- tn
s tuyn tnh,v c dng gim cc nh hng ca mo tn hiu v giao thoa
gia cc k t ISI.
- Mch quyt nh sau mch cn bng hi phc tn hiu v cho ra chui tn
hiu s.Tn hiu clock( ng h) phi c da vo u vo quyt nh xc
nhcc thi gian ly mu.
Nh vy, thit k b thu quang ta xem xt 3 thnh phn chnh cu trc nn thit b
nh sau.
Front- end (phn trc b thu quang)
Front end ca b thu quang gm mt photodiode v b tin khuch i( pre-
amplifier) in. Photodiode bin i lung bit nh sng thnh tn hiu in thay i theo
thi gian. B tin khuch i in c vai tr khuch i tn hiu in cho qu trnh x l
tip theo.
Vic thit k b front end i hi s tng xng gia tc bit v nhy thu. Kh
nng ca b thu quang c p ng c cho cc h thng thng tin quang c tc bit
cao v c li xa hay khng ph thuc phn ln vo vic thit k Front end thu. Khi s
dng in tr ti

c gi tr ln, in p u vo mch tin khuch i c th tng v


khi ta c b front end tr khng cao. Gi tr

ln c th gim nhiu nhit v do


tng c nhy thu. Nu nh khng qu quan tm ti nhy thu,ta c th gim


tng bng tn h thng,v khi ta c b front end tr khng thp.
Knh tuyn tnh
Knh tuyn tnh trong b thu quang bao gm b khuch i chnh v mch cn
bng. B khuch i chnh thng l b khuch i c khuch i cao.Mch cn bng
ngay sau b khuch i thng l b lc sharp tn s tuyn tnh. N c s dng
gim nh hng ca mo v ISI tn hiu. Trong mt s cc trng hp, mch cn bng c
th c s dng ch chiu chnh p ng tn s in ca b tch sng quang v b
khuch i. B khuch i ca b khuch i s c iu khin mt cch t ng
gii hn in p u ra trung bnh ti mc c nh bt k cng sut quang trung bnh n
b thu ln th no. B lc thng thp s to xung in p.
tnh ton vi cc xung ch nht c gi n t pha pht, c th m t nh
sau. Nu P(t) l cng sut quang thu c trn b tch sng th chui xung s nh phn
trn b tch sng c th biu din bng biu thc :
P(t)=

(34)
y

l tham s bin th hin digit tn hiu th n, n c th ly gi tr 1


v 0,

l chu k bt , v

l dng xung b thu m l dng cho mi t . Nu ta gi


thit xung u vo photodiode khng m ,h(t) c chun ha c vng bng 1 th:

(35)
Dng u ra rung bnh t photodiode ti thi im t c th vit nh sau:
<i(t)>=

P(t)= R

(36)
Vi R l p ng ca photodiode , khi s dng APD th thay bng

.
Dng ny c khuch i v c lc cho ra in p trung bnh ti u ra
ca mch cn bng c cho bi tch chp ca dng vi p ng xung b khuch i.
in p ny c vit:
<

(t)>=ARP(t)*

(37)
y A l khuch i ca b khuch i ,

l p ng xung ca mch thin


p,

l p ng xung mch cn bng, v * l k hiu tch chp.da vo hnh trn,

c cho bi dng chuyn i Fourier ngc ca hm truyn t mch thin p

v c vit nh sau:

(f)

df (38)
y F l k hiu thut ton dng chuyn i Fourier. Hm truyn t dng thin
p

n gin l in khng ca t hp mc song song ca

c
vit l:

(f)=

(39)
y:

v C=


in p trung bnh u ra mchj cn bng c vit nh sau:
<

(40)
y:

(t)=AR

(41)
L dng ca xung c khuch a v lc c lp. Dng chuyn i Fourier ca
biu thc trn c th c vit nh sau:

=AR

(42)
y

l hm chuyn i ca dng xung thu c

l hm
truyn t ca b cn bng.
Khi phc tn hiu
Phn khi phc tn hiu s ca b thu quang bao gm mch quyt nh v mch
hi phc ng h. Mch quyt nh so snh tn hiu ra t knh tuyn tnh vi mc
ngng ti cc thi im ly mu c xc nh bi mch hi phc ng h v quyt
nh xem tn hiu c tng ng vi bit 1 hoc bit 0 hay khng. Thi im ly mu
tt nht s ng vi v tr m trong s khc nhau v mc tn hiu gia cc bit 1 v
0 l ln nht.iu ny c t c xc nh bng vic xp chng cc chui xung in
di 2-3 bt trong chm bit trn nh vi nhau. Thi im ly mu tt nht tng ng vi
m mt ln nht. V nhiu tn ti mi b thu , cho nn s lun lun c mt xc sut
nht nh m bit c th c nhn dng mt cch khng chnh xc ti mch quyt nh.
Tuy nhin b thu quang s c th c gi tr t s li bit rt nh l do mch quyt nh
thng c thit k hot ng theo cch nh vy.
3.1.2. Cc ngun li trong b thu quang
Nhn chung , vic thit k b thu quang l phc tp hn nhiu so vi thit k b
pht quang v b thu phi tch sng cc tn hiu yu v b mo dng,ri quyt nh xem
tn hiu s loi no c pht ti t pha pht. Qu trnh tch sng trong b tch sng
quang ca b thu phi chu nh hng t cc nhiu khc nhau v cc tc ng khc c
lin quan ti tch sng tn hiu trong thit b. Cc ngun nhiu khng mong mun ny
xut pht t nhiu yu t. Cc ngun nhiu c th n t ngoi h thng nh nhiu kh
quyn ,v nhiu ca thit b no ,hoc c t bn trong bn thn h thng. chng ta s
xem xt nhiu bn trong ca h thng . Nhiu ny c pht ra t nhng s khng n
nh t pht ca dng in hoc in p trong mch in.
Nh bit,nhiu lng t(nhiu bn ) v nhiu nhit l hai nhiu tri trong b
thu quang.Tc n ngu nhin ca cc photon l nguyn nhn sinh ra nhiu lng t
trong b tch sng quang. Nhiu ny lun ph thuc vo mc tn hiu,vy th n rt quan
trng cho b thu s dng photodiode p-i-n thng c cc mc u vo quang ln .c
bit khi s dng b tch sng APD ,nhiu lng t cn tng ln bn cht thng k ca
qu trnh nhn thc, v mc tn hiu c th tng ln theo h s nhn M. Nhiu nhit sinh
ra t in tr ti ca b tch sng v cc mch in khuch i trong b thu quang. Loi
nhiu ny s l tri khi b tch sng photodiode p-i-n c t s tn hiu trn nhiu thp.V
nhiu nhit l nhiu c bn cht Gausian,chng c th c hn ch nh vic p dng cc
gii php k thut chun
Dng photo ban u c pht t photodiode l mt qu trnh Poisson bin i
theo thi gian c t s n ngu nhin ca cc photon ti b tch sng.khi c mt cng
sut tn hiu quang P(t) ti b tch sng quang, s trung bnh cc cp in t -l trng
<N> c pht trong thi gian c cho nh sau:
<N>=

dt=

(43)
y l hiu sut lng t, hv l nng lng photon , v E l nng lng thu
c trong khong thi gian . Trong b thu quang thc t , s cc cp in t l trng
thc s m c pht ra s dao ng quanh s trung bnh theo phn b Poisson .V th xc
sut

m m cp in t -l trng c pht ra trong khong s l:

(44)
Trn thc t , khng th d bo chnh xc c bao nhiu cp in t-l trng l
c pht ra t mt cng sut quang cho i n Photodiode. l ngun gc ca
nhiu lng t. Mt ngun nhiu khc pht sinh t s dn xung trong si quang ,v loi
nhiu ny c gi l nhiu giao thoa k t ISI . Mi mt xung tn hiu thng c c
trng mt khe thi gian nht nh,khi xung ny c pht i,hu ht nng lng ca
xung c th i ti b thu quang trong khe thi gian tng ng. V cc xung b dn tri
trong qu trnh lan truyn dc theo si,mt phn nng lng c pht s dn dn sang
cc khe thi gian ln cn.S c mt ca nng lng ny khe thi igna ln cn s lm
cho tn hiu giao thoa ,v y l giao thoa gia cc k t.
3.2. NHY THU CA B THU QUANG
3.2.1. Gii thiu v nhy thu quang
nhy ca b thu quang l yu t quan trng nht nh gi kh nng v cht
lng ca h thng thng tin si quang. nhy cao th hin mt kh nng thu c
mc cng sut quang rt thp. nhy thu cao cho php thit k c cc h thng
thng tin tc cao v c ly xa. nhy ca b thu quang b tc ng trc tip t t s
tn hiu trn nhiu(SNR) cu b tch sng quang. T s tn hiu trn nhiu cng cao th
b thu quang cng c nhy cao hn. Trong b thu quang , nhy thu cao hn c
ngha l mc cng sut thu c cng nh i vi cng mt ch tiu cht lng truyn
dn. i vi cc h thng thng tin s, bn thn eSNR ca b tch sng khng l mt
hnh nh c gi tr. iu ny c th ch ra bng vic phn tch nguyn l c bn ca b
tch sng s.
Trong thng tin truyn dn cc tn hiu quang c to ra bi cc k hiu nh
im v khong trng, c truyn ti bng nh sng iu ch. Cc k t ny thng
c gi l 1 v 0 tng ng. i vi cc c tnh ca h thng truyn dn quang
digital, nhy ca b thu quang s lun lun b dng buc bi t s li bit BER.
nhy cn phi c th hin bi mt cng sut pht quang c th thu c cng nh cng
tt m vn m bo c t s li bit cho. Cc gi tr BER khc nhau l ty thuc vo
c yu cu v cht lng ca tng h thng truyn dn. Hu ht cc tiu chun v li bit
cho nhy thu quang ca cc h thng truyn dn c ITU-T a ra.

Hnh 12: S th hin ca giao din h thng truyn dn quang
Trong hnh ny, im S l im tham chiu trn si quang ngay sau b ni
quang pha pht C
TX
, v im R l im tham chiu trn si quang ngay trc b ni
quang pha thu C
RX
. Cc tham s quang c dc trng cho b pht ti im S, cho b
thu ti im R. Cho lung quang gia hai im S v R t cu hnh ny. Cc tham s xc
nh c lin quan ti mc tiu thit k on truyn dn quang ca t s li bit BER. Cc
BER u c xc nh khng xu hn trong di t 1x10
-6
n 1x10
-12
cho cc h thng
thng tin quang.
Cc nh ngha v nhy v nhy ca b thu quang c xc nh nh sau:
nhy thu c xc nh l gi tr cng sut thu c trung bnh nh nht c th chp
nhn c ti im R t c t s li bit BER bng 1x10
-6
n 1x10
-9
cho cc h
thng PDH, v 1x10
-10
cho cc h thng SDH ti STM-1, STM-4 v STM-16 m khng
c khuc i quang. nhy thu c xc nh ti im giao din lung chnh R cho cc
h thng n knh quang v R
n
cho cc h thng nhiu knh quang t c
BER=1x10
-12
cho cc h thng c khuch i quang v SDH ti STM-64.
Trong nh ngha ny, nhy thu c tnh ti n b cng sut gy ra do s dng
b pht cc iu kin hot ng chun vi cc gi tr trong trng hp xu nht v t s
phn bit, cc thi gian xung ln v xung suy hao phn hi quang ti im S, s xung
quang ca b ni quang pha thu v sai s tnh ton . nhy thu khng bao gm nhng
mt mt v cng sut lin quan ti tn sc, jitter, hoc cc phn x t cc lung quang.
Cc nh hng ny c xc nh ring r trong s phn cp s thit thi lung quang
ln nht. D phng tiu biu gia thi im bt u v kt thc ca tui th cho b thu
hot ng nhit danh nh, tng ng trng hp xu nht mong mun l t 2 n
4 dB.
Nh vy b thu quang c xc nh l mc cng sut quang trung bnh thu c
nh nht c th chp nhn c ti im tham chiu trn si quang ngay trc b n
quang pha thu m vn duy tr uc mt t l li bit BER nh trc.
3.2.2. nhy thu v t s li bit ca b thu quang
3.2.2.1. T s li bit trong b thu quang
B thu quang trong h thng thng tin quang s iu bin cng - tch sng
trc tip IM-DD gm c mt b tch sng quang, b khuch i in, mch cn bng, v
mch quyt nh. Khi i ti u vo photodiode, tn hiu quang c bin i thnh tn
hiu in tng ng. V tn hiu in sau khi tch sng l rt yu, n c khuch i ti
mch tin khuch i v ri c lc qua mng cn bng. Sau tn hiu in ny c
so snh vi mc ngng ti mch quyt nh thu c xung mong mun(bit
1hoc0) trong khe thi gian ca n. Trong trng hp l tng , khi 1 c thu,
tn hiu u ra V
out
(t) phi cao hn in p ngng, v khi 0 c thu th c ngha rng
tn hiu u ra phi thp hn in p ngng. Tuy nhin, trong b thu quang thc t, cc
nhiu khc nhau v s giao thoa t cc xung ln cn th gy ra s trch khi gi tr
trung bnh ca V
out
(t), v xy ra li trong h thng.
xc nh c t s li xy ra, ta c th s dng cch tip cn chung bng
cch chia s cc xung li xy ra N
c
, trn tng s cc xung N
t
trong khong thi gian xc
nh t. N c gi l t s li bit BER v vit nh sau:
BER

(45)

T s li bit BER ph thuc vo t s tn hiu trn nhiu SNR(hay eSNR). Nh
vy, vi BER = 2x10
-6
s tng ng vi trung bnh c 2 li xy ra trong mt triu bit.
xc nh BER ti b thu, s phn b xc sut tn hiu ti u ra ca mch cn bng l rt
quan trng v rng iu s quyt nh xem 1 hay l 0 c gi i t pha pht.
Hnh 4.13 m t c ch tn hiu dao ng bt thng bi mt mch quyt nh , n ly
mu ti hng s quyt nh t
d
c xc nh thng qua s phc hi ng h. Gi tr ly
mu I s dao ng t bit sang bit xung quanh gi tr trung bnh <i
0
> hoc <i
i
> ty thuc
v bit tng ng l 0 hoc 1 trong trm bit.
Mch quyt nh s so snh gi tr ly mu vi gi tr ngng I
D
v gi n l bit
0 nu I<I
D
l bit 1 nu I>I
D
. Li xy ra nu I>I
D
i vi bit 0 do nhiu b thu sinh
ra, v li cng s xy ra vi bit 1 nu nh I<I
D
. c hai ngun nhiu c th dc gp li
bi xc sut li gi l t s li bit BER v c xc nh nh sau:
BER=p(0)P(1/0)+p(1)P(0/1) (46)
y P(1/0) th hin mt xc sut c iu kin i vi mch quyt nh in pht
hin nhm k t 1 khi 0 c pht t pht ti, v P(0/1) biu th xc sut c iu
kin i vi mch quyt nh in pht hin nhm k t 0 khi 1 c gi ti. cc s
hng P(0) v P(1) biu th xc sut rng 0 v 1 l c pht tng n. Truyn dn
0 v 1 c coi l ngang nhau tc l P(0) ~ P(1)~0.5; khi ta c th vit t biu
thc sau:
BER=(P(1/0)+P(0/1))/2 (47)
Hin ti c vi phng php xp x khc nhau c p dng tnh ton c
tnh ca b thu quang bit nh phn. Phng php n gin nht l da trn tnh xp x
Gaussian. Trong phng php ny uc gi thit rng, khi c mt chui cc xung quang
c bit, in p u ra mch cn bng V
out
(t) l bin ngu nhin Gaussian. V th
tnh ton xc sut li, ta ch cn bit s chnh lch tiu chun v trun bnh ca in p tn
hiu u ra mch cn bng.

Hnh 13: Tn hiu dao ng c pht ra ti b thu
V mt xc sut Gaussian ca cc bit 1 v 0
Qus trnh tch phn l tng ng tnh n cc in t photon c pht ra
trong chu k bit. Bng cch gi thit rng cc phn b xc sut cu lng m in t
photo n cho cc bit 1 v 0 tng ng l P
n
(1) v P
n
(0); v rng mc quyt nh l I
D
,
ta c:
1
0
(1/ 0) (0)
(0 / 1) (1)
n
n Id
Id
n
n
P P
P P

=
=
=



Hnh 4.13 ch ra (P1/0) v P(0/1) ph thuc nh th no vo hm mt xc sut
p(I) ca gi tr c ly mu I. Dng hm s p(I) s ty thuc vo tnh thng k ca
ngun nhiu i vi cc bin ng dng. V dng ti I
D
cng pht ra nhiu lng t, nn
s ng gp ca n c ly t vic thay th dng photodiode l mt qu trnh Poisson
bin i theo thi gian xut pht t s n ngu nhin ca cc photon ti b tch sng.
Trong thc t th tnh thng k Poisson ny c th xp x bng thng k Gaussion. Mt
khc dng nhiu nhit i
T
cng c m t bng thng k Gaussion. Vi nhng l do ,
ta c bin i nhiu ca nhiu lng t tng c th c vit l:
2
2 ( )
x p d e
e I I B o = + (48)

V bin i nhiu nhit nh sau


2
4
B e
x n
L
k TB
F
R
o = (49)

V tng ca hai bin ngu nhin Gaussian cng l mt bin i ngu nhin
Gaussian, cho nn gi tr c ly mu I c mt hm mt xc sut Gaussian vi bin
i
2 2 2
x s T
o o o = +

Trong vic phn tch ny, nu <i
0
>

v<i
1
> l cc dng trung bnh. I
D
l mc quyt
nh, th cc xc sut li c iu kin P(1/0) v P(0/1) c xc nh nh sau:

2
0 0
2
0 0 0
(1 ) 1 1
(1/ 0) exp er
2 2 2 2
D
D
I
i I i
P dI fc
o o o

( ( < > < >


= =
( (
H

}
(50)
2
0 0
2
1 1 1
(1 ) 1 1
(0 / 1) exp er
2 2 2 2
D
I
D
i i I
P dI fc
o o o

( ( < > < >


= =
( (
H

}
(51)

Thay hai biu thc trn vo biu thc BER=(P(1/0)+P(0/1))/2 ta c:
( )
0 0
0 1
1 1
ER er er
4 4 2 2
D D
D
I i i I
B I fc fc
o o
( (
< > < >
= +
( (

(52)


Nh vy, t biu thc trn ta thy BER ph thuc vo mc quyt nh I
D
, v ta
vit cc tham s:
(53)

0 1
1 0
1 0

D D
I i i I
Q v Q
o o
( ( < > < >
= =
( (

Trong thc t I
D
c ti u gim ti mc nh nht BER. Gi tr nh nht
c uc khi I
D
c chn sao cho Q
1
=Q
0
=Q. v vy, ta thu c mc quyt nh I
D
nh
sau:

(54)

H s Q tng ng c ly t hai phng trnh trn c th vit nh sau:
1 0
2 2
1 0
i i
Q
o o
< > < >
=
+



Khi
1 0
o o =
, I
D
=(<i
1
>+<I
2
>)/2 ta c t s li bit BER l:
1
ER er ( )
2 2
Q
B fc =
(55)
y p dng hm erfc(x)=1-erf(x) l hm li ph, trong erf(x) l hm li. Hm
erf(x) c vit di dng chui nh sau:
2 1
0
2 ( 1)
er ( )
!(2 1)
n
n
n
f x x
n n

+
=

=
+ H

(56)

Khi thay th biu thc t s li bit BER vo biu thc hm erf(x) , BER c vit li nh
sau:
2 2
1
1 2 1
ER exp 2
2 2 ( 1)!(2 1) 2 2 2
n
Q Q Q
B
Q n n Q

=
(
| | | | H
= +
( | |
+ = H H
\ . \ .


hay

2
1
ER exp
2 2
Q
B
Q
| |
~
|
H
\ .
(58)
1 0 0 1
1 0
D
i i
I
o o
o o
< > + < >
=
+
Hnh 4.14 l kt qu tnh ton m phng ng cng BER nh l mt hm s ca
h s Q c xc nh t cng thc (3) v biu thc xp x (4).
(4-60) l rt chnh xc khi Q>3. T ng cong ta thy BER s c ci thin khi
Q tng v tr nn nh hn 10
-12
khi Q>7. nhy thu ng vi cng sut quang trn bnh
i vi Q=6 s c BER = 10
-9
.
3.2.2.2. nhy thu ca b thu quang
Quan h gia t s li bit BER v nhy thu quang c tho lun phn
trn. nhy thu l gi tr cng sut quang trung bnh thu c nh nht c th chp
nhn c vi BER cho. Vy biu thc (4-60) c th c p dng tnh ton cng
sut quang ti thiu m b thu quang cn hot ng tin cy vi mt t s li bit c gi
tr xc lp. Khi tnh ton nhy thu, cng sut quang n photodiode l mt yu t quan
trng. V th h s Q nn c quan h vi cng sut quang n b tch sng.
B thu quang Photodiode p-i-n
Xt trong trng hp b thu quang photodiode p-i-n vi gi thit rng bit 0
khng mang cng sut quang sao cho P
0
=0, vy th <i
0
>=0. Nu gi <P
rec
> l cng
sut quang trung bnh c thu th l gi tr trung bnh ca c bit 1 v 0 v c th
vit nh l:

(59)
Trong khi cng sut P
1
ti cc bit 1 c lin quan ti <i
1
> trong b tch sng
quang p-i-n nh sau:

(vi P
0
= 0) (60)
T cc cng thc (4- 49) v (4 - 50), cc bin i nhiu RMS l
1
v
0
bao gm
cc thnh phn ca c nhiu lng t v nhiu nhit, nn c th vit nh sau:



v
0
=
r
(61)
B qua thnh phn dng ti, cc bin i nhiu c th vit:

(62)

(63)
Bng cch s dng cc biu thc (4 - 65) xc nh h s Q n biu thc (4 - 63),
h s Q c cho nh sau:

(64)
din gii iu ny, vi mt gi tr BER xc nh, ta c th tm c tham s Q
bng cch s dng biu thc (4 - 60) v biu thc (4 - 66) s tm c nhy thu <P
rec
>
ca b thu quagng. Bng cch gii phng trnh ny vi h s Q cho, nhy thu ca
b quang photodiode p-i-n l:

(65)
Trong biu thc (4 -67), nhy thu <P
rec
> ph thuc vo cc tham s b thu khc
nhau. Vy, i vi b thu quang p- I n th nhiu nhit
T
thng tri v khi <P
rec
> c
tht c vit dng n gin nh sau:

(66)
Nhn vo biu thc (4 - 65) thy rng
T
ph thuc khng ch vo cc tham s nh
l R
L
v F
n
m cn ph thuc vo c tc bit thng qua bng tn in B
e
ca b thu
quang. Nhn chung B
e
= B/2, vi B l tc bit. V vy, <P
rec
> tng theo B1/2 trong gii
hn nhiu nhit v nhy thu s gim khi tc bit tng.
nhy thu ca b thu quang photodiode thc APD
nhy ca b thu quang photodiode thc APD xem xt tng t nh b thu
quang photodiode p-i-n. Xem xt cc trng hp cc bit 0 l khng mang cng sut
quang cho P
0
= 0, vy th <i
0
>=0. Cc cng thc (4 -61) v (4 -62) c p dng
tnh nhy thu ca b quang photodiode thc. Trong biu thc (4 -62) ta thay R
APD
=
MT th ta s c cng sut ti cc bt 1 c lin quan ti i
1
trong b thu quang APD
nh sau:

(V P
0
=0) (67)
B qua thnh phn dng ti, cc bin i nhiu trong b thu photodiode thc c
th c vit t cc biu thc ( 4 - 64) v (4 - 65) nh sau:

(68)

(69)
Bng cch s dng cng thc (4 - 56) xc nh tham s Q v biu thc (4 - 63)
cho b thu photodiode thc, tham s Q c vit nh l:

(70)
Vi gi tr BER cho, ta c th xc nh tham s Q da vo cng thc (4 - 56)
v nhy thu <P
rec
>
APD
i vi b thu photodiode thc APD s c xc nh t cng
thc (4 - 72) l:

) (71)
V th cho nn nhy ca b thu quang APD c ci thin t cng thc (4 -
73) khi so vi b thu photodiode p-i-n trong cng thc (4 - 68) vi nhiu nhit tri. Nu
nh nhiu nhit lun lun tri, cng sut thu c nh nht <P
rec
>
APD
s gim i bng h
s M v coi nh nhy thu cng c ci thin cng h s M. Nhiu lng t cng
tng ng k trong b thu APD. V th cng thc (4- 73) nn c s dng cho c hai
thnh phn nhiu lng t v nhiu nhit.
Cng t cng thc (4 - 73) thy rng <P
rec
>
APD
b thu photodiode thc s tng
tuyn tnh vi tc bit B (B
e
= B/2), ngc vi <P
rec
>
p-i-n
trong b thu photodiode p-i-n
ch tng vi B
1/2
trong gii hn nhiu nhit m trng hp ny thng l tri. V th,
nhy ca b thu ADP b gim nhanh hn tc bit B tng. S gim ny l c tnh chung
cho cc b gii hn nhiu lng t. Ngoi ra, c ch khuch i ca photodiode thc rt
nhy cm vi nhit v cc h s on ha in t v l trng ph thuc vo nhit . c
tnh ny l c bit ti cc in p thin p cao. S thay i nh v nhit c th gy ra s
bin ng ln cho khuch i trong APD.
3.3. Cc tham s c nh hng ti nhy thu quang
3.3.3.1. Gii hn lng t trong tch sng quang
Trong cc c tnh ca b thu quang, hiu sut lng t l mt tham s rt quan
trng. Tham s ny thng c cn nhc c c t s tn hiu trn nhiu SNR cao
hn. B tch sng quang l tng l mt b tch sng c hiu sut lng t bng 1 v
khng c dng ti. iu khng nh rng b tch sng quang ny c hiu sut lng
t bng 100% v khng c cp in t - l trng no c pht ra khi khng c mc
cng sut quang i ti photodiode. Vi iu kin cho ny, hon ton c th tm ra
cng sut quang thu c nh nht c yu cu i vi c tnh t s li bit xc nh
trong h thng truyn dn quang. Trong trng hp ny, cng sut quang thu c nh
nht c gi l gii hn lng t.
i vi b tch sng l tng,
0
=0 v nhiu lng t trit tiu khi khng c
cng sut quang i ti v nh vy ngng quyt nh c th c thit lp hon ton gn
vi tn hiu mc 0. Vi mi cng sut quang l tng nh th, cc bit 1 c th c
nhn bit m khng c li, nh vy th ngay c mt photon cng c tch ra. Mt li
xut hin khi c mt bit sai, dn ti ngay cho c i vi mt cp in t - l trng. Vi s
cc photon v in t nh nh vy, thng k nhiu lng t khng th c ly sp x
bng cc phn b Gaussian. Trong trng hp ny, nn s dng tnh thng k Poisson,
vi biu thc (4 -43) trong phn ngun li, nu nh N
p
l s trung bnh cc photon trong
tng bit 1, xc sut pht ra m cp in t - l trng c cho bi phn b Piosson l:

(72)
Vi cng thc ny, t s li bit BER c th c tnh ton bng cch s dng cc
cng thc (4 - 46) v (4 -74). Xc sut P(1/0) m 1 c nhn bit khi 0 c thu l
bng 0,v khng c cp in t - l trng c pht khi N
p
=0. Xc sut P(0/1) thu c
bng cc thit lp m=0 trong phng trnh (4 - 74), v 0 c quyt nhtrong trng
hp ngay c 1 c thu. V vy P(0/1) = exp(-N
p
) v BER c cho bng dng din
gii n gin sau:

(

(73)
Vi BER <

, Np phi vt qu 20 photon trong mt bit. V yu cu ny l mt kt


qu trc tip ca s thay i lng t c lien quan n nh sng i n ; n c xem
nh l gii hn lng t . iu ny c ngha rng mi mt bit 1 phi cha ng t
nht 20 photon tch c vi BER <

. S photon ny c bin i thnh cng


sut quang bng cch s dng

hvB. Kt qu l nhy thu c xc nh nh l


<

> = (

)/2=

/2 c cho bi biu thc:


<

> =

= <

>.hvB
y <

> th hin nhy thu di dng s photon trung bnh chi mi mt bit, v lien
quan ti

bng quan h <

> =

/2 khi cc bit 0 khng mang nng lng.


3.3.3.2. T s phn bit
Nhn chung hu ht cc thit b pht quang thng pht ra mt lng cng sut
no ngay c khi trng thi cng sut ng. Trong thit b pht quang s dng laser
bn dn , cng sut ng (ngt)

s ph thuc vo dng thin p

v dng ngng


. khi

nh hn

, cng sut quang vn cn pht trong thi gian truyn cc bit 0 l


do bc x t pht. Cng sut

thng nh hn nhiu cng sut

trng thi m. Trong


trng hp no , cng sut

c th ln ng k so vi cng sut

de c phn p
ch va vt qua (rt gn) mc ngng. V vy, t s phn bit c xc nh bi :

(74)
i vi b thu quang photodiode p-i-n ta c <

> = R

v <

> = R

. S dng
<

> =

(75)
Tham s Q c th c vit nh sau
Q = (

(76)
Thng thng v ph thuc vo <

> do c s ph thuc vo thnh phn nhiu


lng t vo tn hiu quang thu c. Tuy nhin c hai u c th xp x vi nhiu nhit.
Khi nhy thu c th c cho nh sau:
<

> ext =

(77)
Trong biu thc ny, <

> tng khi

0. S mt mt cng sut c xc nh nh
sau vi n v decibel (dB):

(78)
Trong

nhy thu khi khng tnh ti nh hng ca t s phn bit, n


c xc nh ti cng thc (4-68) trn. Hnh 4.15 l kt qu tnh ton m phng
nhy thu quang ca b thu 10Gbit/s ph thuc vo t s phn bit. Khi t s phn bit
ln ti 20dB th hu nh khng nh hng ti nhy c gi tr bng -20,6 dBm ti
BER =

. Nhng t s phn bit gim di 10dB th nhy thu b gim ng k


v lm xung cp h thng. Nh vy mt mt cng sut tng khi

gim. n b 1dB
xy ra vi

= 8,33 v tng ti 6dB cho

= 1,67. Trong thc t, cc laser c


phn p di mc ngng,

tiu biu k trn 20 v n b cng sut tng ng


(<0,4) l khng ng k. Khi t s phn bit ln th nhy thu s khng b xung cp.

Hnh 14: nhy thu ca b thu quang 10Gbit/s ph thuc vo t s phn bit
Ngoi t s phn bit nh va xem xt, nhy thu cn ph thuc vo mt s
tham s khc nh nhiu cng RIN v jitter thi gian. Nhn chung, khi tc bit cng
cao th nh hng ca cc tham s ny ti thit b thu cng nhiu. Chng lm gim
nhy thu quang dn ti h thng b xung cp
3.4. Cu trc mch b thu quang
Nh xem xt cu trc ca b thu quang trn, sau photodiode th mch tin
khuch i l quan trng nht. B tin khuch i kt hp vi photodiode s cho ta front-
end quyt nh phn ln nhy my thu quang. V th trong phn ny ta i vo phn
tch cc mch tin khuch i v cng ngh tch hp n trong b thu quang.
Cc mch tin khuch i thng c thit k sao cho c t s tn hiu trn
nhiuln nht vi mc nhiu bn thn l nh nht. Cc c tnh chnh khi nhn dng
mch tin khuch i l:
-Nhiu do bn thn mch tin khuch i pht ra phi c gi mc cng thp
cng tt. Nhiu tin khuch i thng m ch ti nhiu nhit.
-Loi thit b linh kin tch cc c s dng trong mch tin khuch i chng
hn nh cc tranzito lng cc, JFET, MOSTFET v MESFET.
-Bng tn v h s khuch i.
Cc mch tin khuch i trong cc b thu ca h thng thng tin si quang c th
c phn lm 3 loi. l tr khng thp v loi tr khng cao v h dn ngc.
Mch tin khuch i c tr khng thp l loi c cu trc t phc tp nht, nhng khng
th thit k b tin khuch i ti u c. y front-end gm photodiode hot ng
vi mt b khuch i c tr khng thp (c th 50 ). Thin p hoc p tr ti

hay
cn gi

c dng phi hp vi tr khng b khuch i. Mc d cc b khuch


i tr khng thp c th cho b thu quang hot ng bng tn ln hn, nhng n
khng cho ra c mt b thu quang c nhy thu cao, bi v ch c in p tn hiu
nh c th i qua uc tr khng u vo b khuch i v in tr

. iu ny hn
ch c ly truyn.

Hnh 15: Mch tng ng ca thit k b thu h dn ngc
Cc mch tin khuch i tr khng cao nh th hin hnh 4.11 cho php
gim uc nhiu ti mc rt nh. t c iu ny, ngi ta lm gim in dung u
vo thng qua vic la chn cc thnh phn thit b c in dung thp, tn s cao bng
cch la chn b tch song vi cc dng ti nh v nh vo vic lm gim nhiu nhit
do cc in tr thin p gy ra. Nhiu nhit c th c gim khi s dng cc b khuch
i tr khng cao (nh tranzitor lung cc hoc FET) kt hp vi in tr thin p b
tch sng (in tr ti) ln

. V tr khng cao sinh ra hng s thi gian RC u vo ln


cho nn bng tn font-end nh hn bng tn tn hiu. Nh vy tn hiu u vo b tch
phn v cn phi thc hin cc k thut cn bng hiu chnh b cho n.
Mch tin khuch i h dn ngc c thit k ch yu khc phc nhng hn
ch ca mch tin khuch i tr khng cao. Cu trc ca mch ny s dng b khuch
i tr khng cao, nhiu nh, c in tr hi tip m

vi dng nhiu nhit tung


ung

(t) mc phn dng u vo nh ch ra hnh 5.16. Machh khuch i c u vo


mc ni tip vi ngun nhiu in p

(t), nhiu dng mc phn dng tung ng

(t),
v tr khng u vo c cho bi t hp mc song song

.
3.4.1. Cc mch tin khuch i FET tr khng cao
Trong thit k cc b thu quang , c th c cc tranzitor hiu ng trng FET
(Field Effect Transistor) khc nhau. i vi h thng thng tin quang c tc Gbit/s,
cc b thu quang y thng s dng cc mch tin khuch i G MESFET. i vi
cc tc thp hn th cc mch MOSFET hoc JFET silic thung c s dng ph
bin. Mch in ca b tin khuch i FET n gin c ch ra hnh 4.17. Cc FET
in hnh thung c in tr u vo

rt ln, ph bin ti hn

.

Hnh 16: Mch tin khuch i tr khng cao n gin s dng FET
Cc ngun nhiu c bn l nhiu nhit lin quan vi in dn knh FET, nhiu
nhit t ti hoc in tr hi tip v nhiu tng ln t dng r. Ngun nhiu th t l
nhiu FET 1/f . N khng c trong qu trnh phn tch trn v n ch tham gia vo
nhi u tng th tc bit rt thp. V in tr u vo ca b khuch i l rt ln
nn mt ph dng u vo

uc vit l:

+ 2e

2e

(79)
y dng

l dng r cng ca FET. Trong FET, nhiu nhit ca in tr


knh dn c c trng bi h dn

. Mt ph nhiu in p c vit nh sau:

(80)
Vi l h s nhiu knh FET, n l hng s bng s tnh ton cho nhiu nhit
v nhiu t cng FET cng vi s tung quan hai loi nhiu ny. c tnh nhiu nhit W
ti u ra ca b cn bng c cho nh sau:
W =

+ (

(81)
y

l bng thng. Mt s gi tr in hnh ca cc tham s i vi GaAs


MESFET, Si MOSFET, v Si JFET c cho bng $.3. y

tung ng l
in dung cng ngun v cng thot. i vi FET tiu biu v photodiode loi tt, ta c
th hi vng c cc gi tr C=

=10pF. Tn s gc nhiu 1/f l

c
xc nh l tn s m ti nhiu 1/f lm nhiu FET tri ln ti cc tn s thp, v c ph
cng sut 1/f tr thnh ngang bng vi nhiu knh tn s cao c din t bi h s .

Bng 3: Cc gi tr tham s khc nhau ca GaAs MESFET, Si MOSFET, v Si JFET


gim uc nhiu trong cc mch tr khng cao, nn chn in tr thin p c
gi tr ln nht. Lc ny tn hiu ra b tch song quang b tch phn do in tr u vo
b khuch i. Trong trng hp ny, ta c b li bng cch vi phn ti mch cn bng.
V th, gii php tip cn tch phn vi phn c coi l k thut thit k b khuch i
tr khng cao. N cho ra b thu c nhiu thp nhng cng lm cho di ng thp.
3.4.2. Cc b khuch i tranzistor lng cc tr khng cao
Mch in ca b khuch i transistor c emitor u t c m t nh hnh
4.18. in tr u vo ca transistor lng cc c tnh bi cng thc:

(82)
Vi dng

l dng thin p c bn. i vi b khuch i transistor lng cc,


in tr u vo

c cho bi mt t hp mc song song cc in tr thin p

v in tr u vo transistor

. Khi thit k mch c nhiu thp,

c
chn ln hn nhiu

sao cho

. iu ny ngc vi b khuch i FET,


ngi thit k s chnh

i vi b khuch i transistor.

Hnh 17: B khuch i tr khng cao s dng transistor lng cc
Mt ph (tnh bng

/Hz) ca ngun dng nhiu u vo do nhiu lng t


ca dng c bn c vit nh sau:

=2

(83)
Chiu cao ph (tnh bng

/Hz) ca ngun in p nhiu c vit l:

(84)

y h dn

c lin quan ti nhiu do bn cht ca dng collector

bng
biu thc sau:

(85)
Trong trng hp ny biu thc trn c dng trong ng thc cui cng
din gii

di dng khuch i dng in =

v in tr u vo

. Th
cng thc vo nhau ta c biu thc:
W =

[(

] (86)
Nu in tr thin p b tch song quang

ln hn nhiu in tr b khuch i

, th t cng thc trn s c R

v c th vit c:
W =

+ (87)
Ging nhau trng hp trn vi b khuch i FET tr khng cao, ti in khng
b tch sng quang s tch phn tn hiu u ra b tch sng. b cho trng hp ny
th cng phi vi phn tn hiu b tch phn ny ti mch lc cn bng.
3.4.3. B khuch i h dn ngc
Cc mch khuch i tr khng cao xt trn tuy c tp m thp, nhng li c
cc hn ch l phi tin hnh cn bng hiu chnh khi ng dng bng rng, v n cng
b gii hn v di ng. Mt thit k khc l b khuch i h dn ngc nh hnh 4.16.
V c bn y l mt b khuch i tr khng cao, c h s khuch i ln, vi mch hi
tip c cp ti u vo thng qua in tr R
f
. Thit k ny thu c nhiu thp v di
ng ln.
so snh gia mch c hi tip v khng hi tip, gi thit rng c hai cng c
b chuyn i H
out
(f)/H
p
(f). i vi b khuch i h dn ngc, c tnh nhiu nhit
W
TZ
ti u ra mch cn bng c c bng cch tnh nh sau. Trc ht ta c:
R
L
=

(88)
L t hp mc song song R
L
v R
f
. V:
W
TZ
=

(89)
y t cng thc (4 38) s c:

(90)
Thc t in tr hi tip R
f
ln hn in tr u vo b khuch i R
a
rt nhiu. Do
vy, R R v t (4 92) ta c:
W
TZ
= W
HZ
+

(91)
y W
TZ
l c tnh nhiu b khuch i tr khng cao c c t biu thc (81)
i vi thit k c FET hoc t biu thc (87) i vi thit k c tranzito lng cc.
Nhiu nhit ca b khuch i h dn ngc c v nh tng nhiu u ra ca b
khuch i khng c hi tip vi nhiu nhit c lien quan n in tr hi tip. Trong
thc t, vic nh gi nhiu c chiu hng phc tp bi v R
f
c nh hng ti p ng
tn s ca b khuch i.
V bng tn, ta c th so snh nh sau. Xut pht t biu thc (37), hm chuyn
i ca b khuch i khng c hi tip l:
H (f) =

(92)
Vi R v C c cho t cc phng trnh (38) v A l tng ch c lp tn s ca
b khuch i. T y thu c bng tn (4RC)
-1
. i vi b khuch i h dn ngc,
hm chuyn i H
TZ
(f) c vit nh sau:
H
TZ
=

(93)
V thu c bng tn:
B
TZ
=

(94)
Tc l gp A ln bng tn thit k tr khng cao. iu ny to nn vic cn bng
n gin hn b khuch i c hi tip. T qu trnh xt trn, ta c th thy rng b
khuch i h dn ngc c cc u im sau:
- C di ng ln so vi b khuch i tr khng cao.
- Khng cn hoc t phi tin hnh cn bng hiu chnh do c s kt hp ca R
in
v
in tr hi tip R
f
. iu ny c ngha rng hng s thi gian ca b tch sng
cng nh.
- in tr u ra nh, lm cho b khuch i t b tch ly nhiu, xuyn m, nhiu
in t trng.
- c tnh chuyn i ca b khuch i thc s l h dn ngc, c in tr hi
tip. Cho nn b khuch i h dn ngc rt d iu khin v c tnh n nh.
- Mc d b khuch i h dn ngc t nhy hn b khuch i tr khng cao (v
W
TZ
> W
HZ
), s khc bit ny thng vo khong t 2 n 3 dB vi hu ht cc
thit k bng rng thc tin.

3.4.4. c tnh b thu quang c mch tch hp
Thi gian gn y, yu cu xy dng cc tuyn thng tin quang tc nhiu Gbit/s
i hi cc thit b thu phi c nhy cao v nhiu rt thp nhm p ng cho cc tc
cao ny. V th, cng ngh mch tch hp c t ra cho cc thit b thu quang, loi
tr photodiode th tt c cc thnh phn thit b nh ch ra trong hnh (15) u l cc
thnh phn in chun. Cc thnh phn ny u c th d dng c t hp trn cng
mt chip bng cch s dng cng ngh mch t hp IC c pht trin cho cc thit b
vi mch. Gn y, nhng c gng ng k hng trng tm vo vic pht trin cc
thit b thu quang n khi nhm t hp ton b cc phn t bao gm c b tch sng
quang trn cng mt chip nh vic p dng cng ngh OEIC (OptoElectronic Integrated-
Circuit). Vic t hp ton b thit b nh vy l tng i d vi b thu quang GaAs, v
cng ngh pha sau OEIC da trn GaAs l hon ton tin tin. i vi cc h thng
thng tin quang hot ng trong vng bc sng 1,3 n 1,6m th cn phi c cc b
thu OEIC da trn InP. V cng ngh IC i vi GaAs thnh thc hn nhiu i vi
InP cho nn i khi ngi ta thc hin p dng cho b thu vi cng ngh InGaAs. Cng
ngh ny gi l cng ngh OEIC flip-chip, trong cc thnh phn in c t hp trn
chip GaAs, ngc li photodiode c lm trn nh ca chip InP. Ri sau hai chip
c ghp ni vi nhau bng cch t nh chip InP ln trn chip GaAs. Tnh tin tin ca
cng ngh ny l photodiode v cc thnh phn in ca b thu c th c lm ti u
mt cch c lp trong khi vn gi c tnh cht k sinh.
Cng ngh IC da trn InP c pht trin ng k trong nhng nm 1990
to ra cc b thu OEIC trn nn InGaAs. Mt cch tip cn cng ngh khc l vic t hp
photodiode p-i-n vi FET hoc cc tranzito c linh ng in t cao HEMT (High-
Electronic-Mobility Transistor) gip vi trn nn InP. Nm 1993, b thu HEMT c ch
to vi nhy thu cao ti tc 10Gbit/s. Hin ti loi b thu ny cho ra bng tn cao
ti 22 GHz, v c th s dng cho b thu ca h thng 20 Gbit/s. Gn y, c mt
cng ngh khc s dng tranzito lng cc tip gip d th HBT (Heterojunction-Bipolar
Transistor) ch to photodiode p-i-n trong bn than cu trc HBT vi cu hnh cc
gp chung. Cc tranzito nh vy c gi l tranzito quang d th. Nm 1995, b thu
OEIC s dng cng ngh HBT t c bng tn 16 GHz m li c khuch i cao.
Cc b thu ny c th p ng tc 20 Gbit/s cho cc h thng 1550 nm. Mt cng
ngh na cho vic ch to b thu OEIC trn nn InP l t hp photodiode kim loi bn
dn kim loi MSM (Metal-Semiconductor-Metal) vi HEMT. B thu kiu ny cho
ra bng tn 15 GHz vo nm 1995, v sau nng ln 18,5 GHz do s dng mch
khuch i h dn ngc.
Nhn chung, trong vic thit k t hp thit b thu quang, front-end ca b thu
quang l mt b phn kh thit k nht, c bit trong h thng truyn dn quang tc
cao v c ly di, v nhy ca cc h thng ny thng b gii hn t c tnh ca mch
front-end i hi mt s hi ha gia tc bit v nhy thu. Front-end b thu thng
c phn cp thnh Hybrid IC HIC, Microwave Monolithic IC MMIC v Optoeletronic
IC OEIC bng cch l c b tch sng quang v tin khuch i c kt hp vi nhau.
i vi cc h thng thng tin si quang nhiu Gbit/s HIC c th c s dng. Tuy
nhin cc c tnh mu thun ca tng phn t th ng tch cc ring r c s vi hiu
chnh t nhy cao nht ca n. y cng l im yu v hn ch i vi cc phn
t k sinh. V vy hin nay cc thit k MMIC hoc OEIC l thch hp cho h thng tin
cy.
Tng t nh thit b pht quang, vic ng v hp cho thit b thu quang cng rt
quan trng. Vic ghp si quang vo photodiode cng rt c lu tm, c bit i vi
b thu dng cho h thng c tc bit cao, v ti u si quang pha thu ch c mt lng
rt nh cng sut tn hiu quang i vo b tch sng. Vn phn x quang t b thu
quang ngc li v si truyn dn cng cn c quan tm v iu ny c th gy nh
hng n c tnh h thng, v tt nht l lm sao gim c phn x ny cng nh
cng tt. Trong thc t, u si quang thng c ct c vt vi mt gc no
gim s phn hi quang. i vi h thng c tc bit cao ti 10 Gbit/s tr ln, ngi ta
phi p dng mt s k thut ng hp b thu quang cho thit b c th hot ng tin
cy. Chng hn nh thc hin ghp si quang c u ct nghing kt hp vi cc vi thu
knh ngay trn mt photodiode ngay trong lc ch to. Nhn chung, nhng gii php ng
v hp cho b thu quang s gip cho vic nng cao nng lc v tin cy ca thit b.




http://www.slideboom.com/presentations

You might also like