1.

uygulamada kullanilan bazi tanimlar1

Genel olarak yapay kaynak kullanan jeofizik yntemlerde faz ve/veya alan siddetinin genlik degisimi gzlemlenir. Iletken ortamda ilerleyen EM dalganin bilesenleri arasinda faz kaymasi (phase shift) grlr. Iletken yapinin varligi ayni zamanda ikincil alanlarin kaynagidir. zet olarak ikincil alanlarin ve faz kaymasinin gzlemlenmesi yeraltinda iletken yapilarin varligina isaret edecektir.

1.1. Faz kaymasi

Bir elektrik devresinde

Ls sargi

rs dire

I(w)

Faz degeri F=atan(wLs/rs) Bagintisi ile tanimlanir. Devrenin empedansinda sargi (bobin) sanal bilesen olarak etkirken zdiren r gerel bilesen olarak katki koyar. EM alanin fazida sanal bilesenin gerel bilesene oranindan eld e edilir. ? = atan(sanal (H) /gerel(H)) Birincil ve ikincil alanlar arasi faz farkliligi veya faz kaymasi kullanilarak gsterilebilir. Faz kaymasi baginti olarak, ?r = ?p ?s = (p/2 + ) bagintisi ile verilir. Fazdaki 90o gecikme fizik kanunu (induction coupling) geregi, ise iletken yapiyi tanimlayan elektriki degistirgenlerden (indktans, L ve zdire, ?) kaynaklanir.
1

yney diyagramlari

Bu ders notuna http://jeofizik.comu.edu.tr/ adresinden ulasabilirsiniz

Eger yapi cok iyi bir iletken ise (? ? 0) ve ? p/2 Bu durumda ikincil alanin fazi birincil alanin fazindan 180o geridedir. Eger yapi kt bir iletken ise (?? ) ve ? 0 Bu durumda gecikme 90 o olarak gereklesir.

Hr Hs

/2

Hs cos

Hs

Indklenen Voltaj

Hs sin

Sekil 3.2 H p ve Hs in birlesiminden olusan H r ve alanlar arasindaki faz kaymasin i gsteren yney diyagrami Sonu olarak Hs ve Hp arasindaki faz farki 90o ila 180o arasinda olusacaktir. Hs in Hp ynndeki bileseni, Hs sin, gerel (real), veya in-phase olarak adlandirilir. Hs in Hp ye dik bileseni, Hs cos , ise sanal (imaginary), out-ofphase veya quadrature bilesen olarak tanimlanir.

Hp

1.2. Eliptik kutuplanma

Birincil ve ikincil alanlar

Hp =A sin wt

ve

Hs = B sin (wt - /2 + ) = B cos(wt - )

bagintilar ile tanimlanabilir. Burada A ve B verici alici ve iletkenin geometrisine bagli katsayilardir. cos(wt - )=cos wt sin + sin wt cos ve = (1- Hp 2 /A2 ) cos + Hp sin /A = Hs /B buradanda Eliptik olarak kutuplanan Hr iin kutuplanma elipsi denklemi

Hp 2 /(A2 cos2 ) + Hs2 /(B2 cos2 ) - (2 Hp Hs sin )/(AB cos2 ) =1 Basit yazilimla Lz2 + 2 Mxz + Nx2 =0

Sekil 3.3 Kutuplanma elipsi Eger iletken ok iyi ise elips dogrusal izgi haline dnsr ( = /2 ). Bazi EM yntemlerde kutuplanma elipsinin degistirgenleri azimut, egim, byk ve kk eksenler arastirilir. Kutuplanma elipsi herhangi bir dzlemde olabilir ve degistirgenler bir arastirma bobininin esitli ynlerde ve egimde konumlandirilmasi yardimi ile belirlenebilir.

1.3. Karsilikli Indkleme

Kk yari apli sarimlardan olusan Tx ve Rx bobinlerini gz nne alalim. Her iki bobini birbirinden uzakta sabit konumda tutalim. Rx zerinde indklenen voltaj Tx bobinindeki akimin degisiminin zamana orani ile bagintili olacaktir. Bu orantiyi saglayan sabit karsilikli indkleme (mutual inductance), M olarak adlandirilir. Sinusoidal olarak degisen Tx akimi IT eiwt ise Rx zerinde indklenen voltaj (Faraday kanunu) E = - MT R (IT eiwt ) /t bagintisi ile verilir. Tx ve Rx sabit konumda olduklarinda alici ve vericiler iin yazilan bagintilar yer degistirebilir. MTR= MRT

Bu zellik Helmholtzun karsilikli yer degistirma kanunu (Helmholtz law of reciprocity) olarak adlandirilir. Bu iliski yalniz iki bobin arasindaki ortam tekdze (uniform) oldugu zaman geerlidir. Diger bir deyisle yeraltinda herhangi bir iletken ktlenin / yapinin bulunmadigi hallerde geerlidir. Tx Rx arasindaki kalan blgede bir iletkenin olmasi durumunda M in nasil etkilendigi Sekil 3.4 de gsterilmistir. Bu durumda Tx Rx ve C zerinde voltaj dolayisi ilede akim indkler. C de indklenen voltaj, iletkeni ikinci bir verici gibi alistirir. Bu anda Rx te llen, birincil ve ikincil alanlarin bilesimidir. llen bu alanin fazi ve genligi devreyi olusturan elemanlar arasindaki karsilikli indktans (MT R , MTC ve MCR ) baglidir. Rx zerindaki toplam voltaj, E nin degeri Ep (MT R in fonksiyonu olan birincil alan) ve Es (MT C ve MCR in fonksiyonu olan ikincil alan) nin toplamindan olusur. Yeraltinda iletken olmamasi halinde MT C = MCR =0 olacagindan Es =0 dir. Es 0 oldugu hallerde Rx te ollen toplam alanda degisim gzlemlenir. Bu degisim ayni zamanda MT C ve MCR deki degisimin varliginada isaret edecektir. Rx te gzlemlenen karsilikli indkleme katsayilarindaki degisim EM BELIRTI lerini olusturur. (Not: MT R , MTC ve MCR bobin ve iletkenden olusan dzenegin toplam empedansini olusturan ayri ayri paralardir). Buraya kadar yapilan tanimlamalardan anlasilacagi gibi yntemin arazide uygulanmasinda karsilikli indklemeyi degistiren herhangi bir etken EM belirti olarak algilanir. Bu etkenlere rnek alici verici bobinleri arasindaki ynlenme veya uzaklik hatalari sayilabilir. Yeraltindaki iletkenlerin belirlenebilmesi buradan gelecek katkinin llen toplam degerden (alici verici arasi karsilikli etkilesme + EM anomaly) ayrilabilmesine baglidir. l sirasinda alici verici arasi uzaklik ve ynleme sabit tutulup buradan gelecek katki sabit olarak elde edilirse iletkenin yeri belirlenebilir. Bu kural tasinabilir alici verici bobin dzenegi kullanan ve faz iliskisi ile alan siddeti len EM yntemleri iin nemlidir.

Tx

MT

Rx Ep + Es

IT eiwt
Yeryz

L MT Ic e
i(wt+ )

M CR

Sekil 3.4 karsilikli etkilesme

Iletken, C

Alici verici arasindaki aki baglantisi Sekil 2.2 verilmistir

Ikincil Alan

Brincil Alan

Tx 1. Durum

Rx

Ikincil Alan

N Brincil Alan

2.Durum

Sekil 3.5 Dsey de ayni eksenli (1) ve yatayda ayni dzlemde (2) iki halkanin etkilesimi.

Iki elektrik devresinin etkilesmesinde ikincil alan birincil alana karsi hareket eder.Bunun olusumu iin Durum 1 de verilen Sekilde Rx ten geen akim Tx ten geene karsi ynde olmalidir ve M pozitiftir. Dur um 2 de ise akim her iki bobinden de ayni ynde geer ve M negatiftir.