OSNOVI RAUNARSKE TEHNIKE 1

ELEKTRONSKE OSNOVE RAUNARA

7

Memorije i registri

U okviru CPU nalaze se

Primarne memorije RAM i ROM tipa Registri
R E N O Disk O REN N V
NV

Sekundarne memorije (za uvanje velike koliine podataka) nalaze se izvan CPU

Memory

R E N O

N V

Registri
Registar

je element koji slui za uvanje proizvoljnog binarnog broja ograniene duine

Za binarni broj od n cifara potrebno je n memorijskih elija Binarni broj u registru je sadraj registra

Primena registara Veza izmeu blokova sa razliitim brzinama Pri realizovanju aritmetikih operacija Pretvaranje serijskog u paralelni kod i obrnuto...

Registri

Upis i itanje sadraja registra

Paralelno Serijski

PARALELNI ULAZ

PARALELNI IZLAZ PARALELNI ULAZ SERIJSKI IZLAZ SERIJSKI ULAZ PARALELNI IZLAZ SERIJSKI ULAZ SERIJSKI IZLAZ

Svi registri u CPU dele se na:

Registre opte namene Registre specijalne namene

Registri

Registri opte namene ( R0 - RN ) Registre specijalne namene:

Akumulatori (accumulator)

Privremeno uvanje podataka razliite namene

uvaju rezultate operacija sa binarnim brojevima

Meuregistri (buffers)
Pomoni registri za prihvatanje podataka iz akumulatora, sa magistrale, iz memorije, za uvanje memorijske adrese...

Registar stanja (status register, SR) ili registar uslova (condition code register, CCR)
Niz nezavisnih FF-ova (zastavica, flag) za prikazivanje razliitih stanja nastalih tokom obrade podataka

Adresni registri ( address registers )

uvaju adrese memorijskih lokacija u kojima se nalaze podaci ili instrukcije (broja instrukcija)

Memorije
Veliki broj registara povezanih u celinu ini memoriju Memorije slue za smetanje binarnih podataka i programskih instrukcija Kapacitet memorije je broj adresabilnih lokacija na kojima mogu da se uvaju podaci
1MB=220 =1,048,576 lokacija 1GB=230 =1,073,700,000 lokacija

RAM ALU ROM

Clock

Control Unit

Memorije
Pristup

memoriji (memory access) je itanje ili upis podataka

to je krae vreme pristupa memorija je bra

Prema

vremenu pristupa razlikuju se :

Sekvencijalne memorije ( magnetne trake, CCD, ... ) Memorije sa direktnim pristupom ( RAM, ROM )

Memorije
Organizacija
REDNI BROJ VRSTE

memorije:
REDNI BROJ VRSTE

PODATAK

PODATAK

REDNI BROJ VRSTE

PODATAK

00 01 02 03

00 01 02 03

00 01 02 03

FD FE FF STRANICA 00

FD FE FF STRANICA 01

FD FE FF STRANICA FF

8. Memorije
Adresa lokacije podatka prikazana u obliku rednog broja vrste je fizika adresa podatka Podacima i adresama mogu da se dodele simbolika imena Svaki raunarski sistem ima razne vrste memorijskih ureaja

FIZIKA ADRESA 0000 0001 0002 0003

PODATAK

00FE 00FF 0100

01FE 01FF 0200

FFFE FFFF

GLAVNA MEMORIJA RAUNARA

Memorije
REGISTRI U CPU (REGISTERS) SKRIVENA MEMORIJA (CACHE STORAGE) OPERATIVNA (GLAVNA, PRIMARNA) MEMORIJA (PRIMARY STORAGE) PROIRENA MEMORIJA (EXTENDED STORAGE) SKRIVENI DISK (CACHE DISK) STALNO AKTIVNE SEKUNDARNE MEMORIJE (ON-LINE SECONDARY STORAGE) POVREMENO AKTIVNE SEKUNDARNE MEMORIJE (OFF-LINE SECONDARY STORAGE)

Memorije

Operativna memorija je RAM (random access) tipa

Podaci u toku rada mogu da se upisuju u memoriju i da se itaju iz nje sa proizvoljnih adresa Poluprovodnika RAM memorija gubi sadraj po iskljuenju napajanja

SRAM (statiki RAM) su nedestruktivne

Zadravaju svoj sadraj i posle itanja Realizuju se pomou FF-ova

DRAM (dinamiki RAM) su destruktivne

Posle itanja se gubi podatak
podatak sadraj

posle itanja mora da se ponovo upie

Realizuju se kao kapacitivnost MOS tranzistora

memorije mora povremeno da se osveava

Memorije

Tipovi DRAM memorije:

SDRAM (Synchronous DRAM)
Takt

memorijskih ipova i CPU-a su uzajamno sinhronisani

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)

Podaci

se prenose duplo veom brzinom u odnosu na SDRAM, jer je pristup na uzlaznoj i silaznoj ivici takta na veim uestanostima takta od DDR SDRAM-a

DDR2 SDRAM
Radi

Memorije
Opta

blok-ema memorije sa dekoderom adrese i registrima

MEMORIJSKI ADRESNI REGISTAR (MAR)

DEKODER ADRESE

MEMORIJA M

MEMORIJSKI MEUREGISTAR (MBR)

Memorije
Dvodimenzionalna organizacija memorije Od n adresnih bita iz adresnog registra dobija se 2n adresnih linija sa dekodera adrese
SELEKTOVANJE MEMORIJSKE REI MEMORIJSKI ELEMENT MEMORIJSKI ELEMENT MEMORIJSKI ELEMENT

MEMORIJSKI ADRESNI REGISTAR (MAR)

DEKODER ADRESE

MEMORIJSKI ELEMENT

MEMORIJSKI ELEMENT

MEMORIJSKI ELEMENT

1 od 2n n - bita
MEMORIJSKI ELEMENT MEMORIJSKI ELEMENT MEMORIJSKI ELEMENT

ULAZ

IZLAZ

ULAZ IZLAZ

ULAZ IZLAZ UPIS

Memorije

Trodimenzionalna organizacija memorije

Adrese ine 2 dimenzije, a duina rei treu
RAVNI MEMORIJE

DEKODER REDA Y

2n-1

22 21

Y Z

DEKODER KOLONE X
X

20

Jedna ravan trodimenzionalne memorije

POLOVINA ADRESNOG REGISTRA ZA ADRESIRANJE REDA
SELEKCIJA REDA

Memorije

X - ADRESIRANJE DRUGIH RAVNI

DEKODER REDA Y

VOD ZA PODATKE
SELEKCIJA KOLONE

DEKODER KOLONE X

POLOVINA ADRESNOG REGISTRA ZA ADRESIRANJE KOLONE

UPISIVANJE

Y - ADRESIRANJE DRUGIH RAVNI

Memorije
STEK

memorija

Sastoji se od niza registara koji su sloeni jedan na drugi Podaci mogu da se upisuju ili itaju samo po nekom definisanom redu Moe da bude realizovana kao:
Softverski

stek Hardverski stek

Memorije
Hardverski

realizovan stek

Za upis ili itanje dostupan je samo registar koji se nalazi na vrhu (Last In First Out) Podatak se fiziki pomera pri upisu i itanju
W
VRH STEKA

X
VRH STEKA

X Y Z

VRH STEKA

W X Y Z

Y Z

POETNO STANJE

STAVLJANJE PODATKA W NA STEK

UZIMANJE PODATKA X SA STEKA

Memorije
Softverski

realizovan stek

Menja se adresa koja odgovara vrhu steka Podaci u toku itanja i upisa ne menjaju mesto
P O K A Z I A V D A R E S E A K T I V N E D

D E K O D E R

X+2 VRH STEKA X+1

A B C POETNO STANJE

X X-1 X-2

D E K O D E R

VRH STEKA

X+2

D A B C

X+1 X X-1 X-2

STAVLJANJE PODATKA D NA STEK

Memorije

Memorije ROM (read only) tipa

Neizbrisive (non - volatile) Nedestruktivne (non - destructive) Koriste se za uvanje stalnih programa

ROM
Sadraj je upisan u toku izrade ipa Isplativo za koliinu preko 1000 komada Vreme pristupa 500 - 850ns

PROM
Korisnik moe da programira samo jednom pomou ureaja za programiranje Konfiguracija sa bipolarnim poljem dioda ili sa bipolarnim tranzistorima ima Programiranje impulsima koji tope pregorljive metalizovane veze u PN-spoju (u polju dioda) ili vezu B-E (u tranzistoru) Vreme pristupa < 100ns

Memorije

EPROM
Moe da se programira i brie vie puta Brie se UV zracima (RPROM se brie elektrino) Izrauju se primenom MOS tehnologije Kapacitet reda 64, 128, 256, 512KB Vreme pristupa reda 150 - 1200ns

EEPROM
Mogue je itanje i upis Operacija upisa je reda ms Kapacitet nekoliko desetina KB Operacije itanja su reda s