1

VIII PREDAVANJE
TRANZISTORI SA EFEKTOM
POLJA (FET)
2
TRANZISTORI SA EFEKTOM POLJA (FET)-
unipolarni tranzistori
Dva osnovna tipa:
MOSFET (Metal-oxid-semiconductor
field-efect transistor)-najee u upotrebi.
J FET (junction field-efect transistor)
spojni FET;
MOSFET se realizira tehnoloki
jednostavnijim postupkom nego JFET.
MOSFET tranzistori se proizvode sa
kanalom p tipa, ili sa kanalom n tipa, te
za poveavajui ili za smanjujui nain
rada (ukupno etiri tipa tranzistora).
3
P- kanalni MOS (PMOS): prvi koji su
uspjeno ugraeni u krugove visokog
stepena integracije (LSI).
Prvi mikroprocesorski ipovi su koristili
PMOS tehnologiju.
Bolje performanse su kasnije postignute
uvoenjem u komercijalnu upotrebu N-
kanalnih MOS (NMOS) tranzistora, kako
poveavajueg, tako i smanjujueg tipa.
4
Karakteristike MOS kondenzatora
Sredinji dio MOSFET-a je struktura MOS
kondenzatora, prikazana na slici:






Tanki izolacioni sloj ispod vrata, koji je obino
silicium dioksid, razdvaja metalna vrata od
silicijumske podloge ili tijela (body), koje
predstavlja drugu elektrodu kondenzatora.
Karakteristike ovog visoko kvalitetnog izolatora
predstavljaju jedan od osnovnih razloga, to je
silicijum danas osnovni poluvodiki materijal.

5
Poluvodi koji formira donju elektrodu kondenzatora ima
sopstveni otpor i ogranien broj elektrona i upljina.
Pod dejstvom vanjskog napona naboj u puluvodikom
materijalu moe biti
pomjeren.
a) Oblast akumulacije










Veliki negativni naboj na metalnoj elektrodi je uravnoteen
upljinama, koje su privuene uz prelaz silicijum-silicijum
dioksid, direktno ispod vrata (tanki sloj-list naboja)

+
-
6
b) Osiromaena oblast
Napon na vratima je lagano povean i pozitivan (u odnosu
na podlogu).
upljine suodbijene (odgurnute) od povrine i njihova
gustoa blizu povrine je smanjena u odnosu na gustou
odreenu nivoom dopiranja podloge (smanjenje ili
siromaenje)
Pozitivan naboj na vratima
je uravnoteen negativnim
nabojem joniziranih akceptorskih
atoma u osiromaenoj oblasti.
irina osiromaene oblasti w
d
:
od dijela mikrona do vie
desetina mikrona u zavisnosti
od dovedenog napona i nivoa
dopiranja materijala.

Oblast ispod metalne elektrode je osiromaena na potpuno
isti nain kao i osiromaena oblast pn spoja kristalne diode.
-
+
7
c) Inverzna oblast
Napon na vratima se dalje poveava, elektroni
bivaju privueni prema povrini.
Pri nekom naponu V
TN
povrina mijenja polaritet od
izvornog p-tipa u n-tip: dobija se inverzna oblast
ispod vrata.
Pozitivan naboj na
vratima je kompenziran
sa negativnim nabojem
u inverznom sloju i
nabojem negativnih jona
(akceptora) u osiromaenoj oblasti.
Napon na vratima, pri kome se uspostavlja
inverzni povrinski sloj (znaajan parametar)
naziva se napon praga (threshold voltage - V
TN
).
-
+
8
Struktura n kanalnog MOS (NMOS) tranzistora
Centralna oblast MOSFET-a je
MOS kondenzator, i upravljaka
elektroda MOS-a se naziva
vrata (gate - G). Sa obje
strane MOS kondenzatora,
nalaze se dvije visoko
dopirane oblasti n-tipa (n+),
nazvane izvor (source -S)
i odvod (drain - D), formirane
u p-tipu materijala, koji je
etvrta elektroda NMOSFET-a:
prikljuak podloge (prikljuak tijela).
Cijeli MOSFET je realiziran u podlozi (substrate) p tipa.





9
Nain spajanja NMOSFET-a na izvore napona;
struje MOSFET-a
struja odvoda - i
D
,
struja izvora - i
S
,
struja vrata - i
G
,
struja podloge - i
B
.
napon vrata-izvor :V
GS

napon odvod-izvor: V
DS
(V
S
).
Ovi naponi su uvijek vei ili jednaki nula.
Oblasti izvora i odvoda sa materijalom podloge
formiraju pn spojeve koji trebaju biti uvijek
inverzno polarizirani.
Podruje poluvodia izmeu izvora i odvoda a
direktno ispod vrata naziva se kanal (channal
region) FET-a.
|I
G
+I
S
|I
B

10
Kvalitativno ponaanje NMOSFET tranzistora
V
TN
je napon poreenja kod NMOSFET-a.
a) Ako je napon V
GS
mnogo manji od V
TN,
, izmeu izvora i
odvoda postoji np-pn spoj i samo vrlo mala struja moe
potei izmeu dva prikljuka.
11
b) Ako je napon V
GS
blizu vrijednost V
TN
, ali ipak manji od
njega, ispod vrata (a izmeu izvora i odvoda) stvara se
osiromaena oblast.
Osiromaena oblast ne sadri dovoljan broj slobodnih
nosilaca naboja tako da struja ne moe proi izmeu izvora
i odvoda.
12
c) Ako je napon V
GS
>V
TN
, elektroni su privueni uz
povrinu podloge, formirajui inverzni sloj (n tipa), u
odnosu na podlogu, spajajui n+podruje izvora sa n+
podrujem odvoda. Ova veza izmeu izvora i odvoda ima
karakter otpora.










Ako se sada izmeu odvoda i izvora dovede pozitivan
napon (V
DS
>0), pod dejstvom elektrinog polja, dolazi do
kretanja elektrona kroz kanal i toka struje izmeu odvoda i
izvora.

13
Struja u NMOS tranzistoru, uvijek ulazi u prikljuak
odvoda, tee kroz kanal i izlazi kroz prikljuak izvora.
Prikljuak vrata je izoliran od ovog kanala, nema
istosmjerne struje kroz vrata i i
G
=0.








Poto su pn spojevi (izvor i odvod prema podlozi) uvijek
inverzno polarizirani, kroz njih tee samo inverzna struja,
koja je obino mala u odnosu na struju kanala i
DS
i
zanemaruje se. Zbog toga se usvaja da je i
B
=0.
|I
G

|I
B

14
Da bi dolo do provoenja struje, oito je
da kanal mora biti uspostavljen
(induciran) naponom vrata.

Napon vrata poveava (enhances)
vodljivost kanala i za ovaj tip MOSFET-a se
kae da je poveavajueg tipa
(enhancement- mode device).

15
Izlazne karakteristike NMOSFET tranzistora:
Ovisnost izlazne struje (struja odvod- izvor) NMOSFETa
za razliite iznose napona odvod-izvor i napona vrata
(parametar).

16
a) Linearna oblast izlaznih karakteristika (u
DS
mali)


Struje i
G
i i
B
su jednake nuli tako da struja koja ulazi u
odvod mora biti jednaka struji koja naputa izvor.
i
S
= i
D
= i
DS
Izraz za struju izmeu odvoda i izvora e biti izveden
razmatrajui protok naboja u kanalu.
Ukupan naboj (koji ine elektroni) po jedinici duine kanala
(jedinini naboj) je :


- kapacitet po jedinici povrine (odreen debljinom
sloja oksida)

ox
-permeabilnost sloja oksida (za silicijum dioksid :

ox
= 3,9 8,85410
-14
F/cm)
T
ox
-debljina sloja oksida (cm)
W irina kanala (cm).
( ) | |
( ) /
ox ox TN
Q x WC u V C cm
' ''
=
ox
C
' '
2
/
ox ox ox
ox
ox ox
C S
C F cm
S T S T
S W L
c c
(
'' ( = = =
(


= -
17
Napon u
ox
predstavlja napon na sloju oksida i funkcija je
mjesta du kanala:
u(x) je napon u taki sa koordinatom x du kanala, u
odnosu na izvor.
Napon u
ox
mora biti vei od napona V
TN
, da bi postojao
inverzni sloj (jer e Q biti nula ako to nije sluaj).
Na mjestu na kanalu uz sami izvor je i on se
smanjuje na vrijednost na kraju kanala uz
odvod.
) (x u u u
GS ox
=
DS GS ox
u u u =
GS ox
u u =
( )
( )
ox ox TN
Q x WC u V ' '' =
x
0
x
u
0x
i
DS
T
0x

W
18
Struja elektrona (drift) na bilo kojem mjestu du
kanala je data priozvodom naboja po jedinici
duine i brzine elektrona ( v
x
):
Brzina elektrona kroz kanal je odreena
pokretljivou (mobilnou) elektrona i elektrinim
poljem u kanalu.



Kombinirajui jednainu (*) i jednainu za u
ox

slijedi :

) ( ) ( ) ( x v x Q x i
x
'
=
| | | |
(*)
) (
) ( ) (
dx
x du
E uz
E V u C W x i
x
x n TN ox ox
=

' '
=
| | ) ( ) ) ( ( ) ( x du V x u u C W dx x i
TN GS ox n

' '
=
) (x u u u
GS ox
=
19
Poto je poznat napon koji se dovodi na izvode (izvor i
odvod), to je u
x
(0)=0 i u
x
(L)=u
DS
.
Struja kroz kanal mora biti jednaka struji i
DS
kroz svaki
popreni presjek du kanala, pa vrijedi da je i(x) = -i
DS
.
Zato jednainu za struju treba integrirati u granicama duine
kanala:






Iznos je fiksan za datu tehnologiju i predstavlja
konstantu:
tkz. parametri strmine:
| |
(**) )
2
(
) ( ) ) ( ( ) (
0 0
DS
DS
TN GS
ox n
DS
DS
U
TN GS ox n
L
u
u
V u
L
W C
i
x du V x u u C W dx x i

' '
=

' '
=
} }

ox n
C
' '

L
W
K K i C K
n n ox n n
'
=
' '
=
'

20
Jednaina (**) se moe napisati:




i predstavlja klasini izraz za struju izmeu odvoda i izvora
NMOS tranzistora, kada su odvod i izvor spojeni preko
otpora kanala.
Ovaj spoj e postojati sve dok je napon na sloju oksida
vei od napona praga u svakoj taki du kanala:


to je uoljivo iz jednaine:
DS
DS
TN GS n DS
DS
DS
TN GS n DS
u
u
V u K i
u
u
V u
L
W
K i
)
2
(
(*) )
2
(
=

'
=
L x za V x u u
TN GS
s s > 0 ) (
| |
} }

' '
=
DS
U
TN GS ox n
L
x du V x u u C W dx x i
0 0
) ( ) ) ( ( ) (
) (x u u u
GS ox
=
21
Obzirom da je u(L)= u
DS
, uvjet za protok struje kroz
MOSFET se moe preformulirati kao:


I-u karakteristike u linearnoj oblasti mogu se
nacrtati na osnovu jednaine (*):


Za male vrijednosti napona u
DS
kada

vrijedi :
|u
DS
<< (u
GS
V
TN
)|.
izraz za struju odvoda se moe napisati u
reduciranom obliku kao:


gdje je i
DS
direktno proporcionalno naponu u
DS.



DS TN GS
u V u >
L x za V x u u
TN GS
s s > 0 ) (
(*) )
2
(
DS
DS
TN GS n DS
u
u
V u
L
W
K i
'
=
DS TN GS
L
ox n
DS
u V u
C W
i ) (
' '
=

22
Familija krivih je linearna u blizini koordinatnog poetka;
Definira se otpor MOSFET-a za to podruje, nazvan otpor
u voenju (on-resistance - R
on
), (taka ONna dijagramu) i
koji predstavlja odnos u
DS
i i
DS
:









Kada je MOSFET polariziran da radi u linearnoj oblasti, on se
koristi kao naponom (v
GS
) upravljani otpor.










) (
1
TN GS n
DS
DS
on
V u
L
W
K
i
u
R

'
= =
23
ZADATAK: Izraunati R
on
za NMOSFET za: V
TN
=1 V,
V
GS
=2V i 5V ako je Kn=250A/V
2







to je napon V
GS
vei, to je manja otpornost R
on
.
O =

=
O =

=

'
= =

K R
K
V u
L
W
K
i
u
R
on
TN GS n
DS
DS
on
1
) 1 5 ( 10 250
1
4
) 1 2 ( 10 250
1
) (
1
6
2
6
1
24
b) Oblast zasienja izlaznih karakteristika
Linearni reim rada MOSFET-a e trajati sve dok izmeu
izvora i odvoda postoji vodljivi kanal.
Kada je napon odvoda povean na vrijednost :
u
DS
= (u
GS
V
TN
) kanal se na mjestu odvoda prekida:







Sa daljnim porastom iznosa u
DS
, kanal isezava i prije
mjesta na kome je formiran odvod (iri se osiromaena
oblast u inverznoj polarizaciji odvoda)
Kanal je zgnjeen (pinched off) i nije vie u kontaktu sa
odvodom i napon na njemu ne ovisi od napona u
DS


0
0
( )
0
2
ox GS
oL GS DS
DS GS TN
oL GS GS TN TN
oL L TN
L TN TN TN
L GS TN
u u u x
u u u
za
u u V
u u u V V
u V V V
V V V V V
V V V
=
=
=
= + =
= =
= = =
>
25
Dio kanala izmeu take gnjeenja i odvoda je bez
elektrona.
U podruju ispod praznog kanala, nalazi se osiromaena
oblast, u kojoj egzistiraju negativni akceptorski joni.
Elektroni, koji dostignu taku gnjeenja ulaze u
osiromaenu oblast izmeu zavretka kanala i odvoda, i
pod dejstvom elektrinog polja u osiromaenoj oblasti,
kreu se prema odvodu.
26
Kada je kanal uao u stanje gnjeenja, pad napona na
invertovanom kanalu (u kome postoje elektroni) ostaje
konstantan, jer kanal nije vie u kontaktu sa odvodom.
Zato je i struja odvoda konstantna i MOSFET radi u oblasti
zasienja njegovih karakteristika (saturatin region;.
pinch-off region).
Struja odvoda [uz u
DS
= (u
GS
V
TN
)] je:




Ovo je klasina kvadratna jednaina za struju izmeu
odvoda i izvora u zasienom n kanalnom MOSFET-u.
Struja odvoda zavisi od kvadrata napona (u
GS
V
TN
) , ali je
nezavisna od napona odvod-izvod.


) ( ) (
2
2
TN GS DS TN GS n DS
V u u za V u
L
W
K i >
'
=
(*) )
2
(
DS
DS
TN GS n DS
u
u
V u
L
W
K i ' =
27
Vrijednost napona izmeu odvoda i izvora za koju tranzistor
ulazi u zasienje, zove se napon zasienja ili napon
gnjeenja ( pinch-off voltage ) i oznaen je kao u
DSAT
, a
njegova vrijednost je:
u
DSAT
= (u
GS
V
TN
)
Kada se napon odvoda poveava u oblasti zasienja, krive u
oblasti zasienja postaju ravne linije.
28
c) Oblast koenja izlaznih karakteristika
Za vrijednosti napona (u
GS
V
TN
) tranzistor je
zakoen (cut off), poto kanal ne postoji a oba
pn-spoja su inverzno polarizirana (dva pn spoja
vezana u opoziciju); struja odvoda jednaka je nuli.
Na dijagramu je oznakom OFF, naznaena taka
kada je (u
GS
=V
TN
), tj. kada je tranzistor zakoen.
29
Modulacija duine kanala
U oblasti zasienja i-u krive imaju mali pozitivan
rast.
Struja odvoda se lagano poveava, kako se
poveava napon u
DS
, kao posljedica fenomena
nazvanog modulacija duine kanala (channel-
lenght modulation).

30

Kanal je prekinut u taki gnjeenja prije nego to
je dostigao odvod. Tako je stvarna duina kanala
data relacijom
L=L
max
-AL .

Za u
DS
>u
DSAT
, duina osiromaene regije kanala
postaje vea i stvarna duina kanala se smanjuje.
Vrijednost L u nazivniku jednaine



neznatno zavisi od napona u
DS
(smanjuje se sa
poveanjem u
DS
), i struja odvoda se poveava,
kako se poveava napon u
DS
.

2
) (
2
TN GS n DS
V u
L
W
K i
'
=
31
Jednaina (*) se moe iskustveno modificirati,
tako da se uzme u obzir ova zavisnost od
napona odvoda (smatrajui da je L= const):

Parametar je nazvan parametar modulacije
duine kanala. Vrijednost zavisi od duine L
kanala i njene tipine vrijednosti su u opsegu:
(0,001 V
-1
0,1 V
-1
)
ZADATAK: Izraunati struju odvoda za NMOSFET, koji radi
sa V
GS
=5V, V
DS
=10V, ako je V
TN
=1 V, Kn=1mA/V
2
i =0,02.
Oblast zasienja:V
DS
> (V
GS
- V
TN
)

mA i
u V u
L
W
K i
DS
DS TN GS n DS
6 , 9 2 , 1
2
16
) 10 02 , 0 1 ( ) 1 5 (
2
1
) 1 ( ) (
2
2
2
= = + =
+
'
=
) 1 ( ) (
2
2
DS TN GS n DS
u V u
L
W
K i +
'
=