GENEL BLG: Gne pillerinin almasnn daha iyi anlalabilmesi iin baz temel teorik bilgilerin hatrlanmasnda fayda

vardr. l-FOTON ENERJS: bir fotonun enerjisi E = h.f ile verilir. Formlde; h = 6,625.1034

j.s olmak zere plank

sabiti, (f) de frekanstr. (f = c / k hznn dalga boyuna oran.) gne veya herhangi bir k kaynamdan yaylan snlar, her biri (h.f) kadar enerji tayan fotonlarn tekil ettii enerji akmdr. Foton aks, k demetine birim yzeyden, birim zamanda geen fotun says olarak tanmlanr. 2-MADDENN YAPISI VE YARI LETKENL Bilindii gibi madde, pozitif ykl ok ar bir ekirdekle, onun etrafnda belirli yrngelerle dolanan elektronlardan meydana gelmitir. Bu ykler, d tesiri yoksa birbirini dengeler elektronlar, yrngelerinin bulunduu yarapa orantl olarak potansiyel ve kinetik enerji tarlar. En d yk yrngede maksimum 2, sonrakinde 8 ve 3.'de 18 elektron bulunabilir. Elektronlar, ard arda gelen ve her biri belli sayda elektron bulunduran enerji bandlarn da bulunurlar. Dardan enerji alan bir elektron bir st seviyedeki banda kabilir. Daha dk banda geen elektronda dar enerji yayar. Son tabaka elektronlarna valans elektronlar denir ve cisimlerin kimyasal bileik yapmalarn temin eder. Son tabakas dolmam bir atomun, bir baka cisme ait komu atomdan elektron kapmaya yatknl vardr. i tabaka elektronlar ise ekirdee ok sk baldrlar. Termik enerji verilirse, elektronun yrngesi etrafnda titreimi artrr. Genellile atomlarda, ilk tabak hari, her yrnge iki alt guruptan oluur ve bunlardan altta olan iki elektronla doludur. Elektron, yrngesini muhafaza ettii mddete ne enerji yayar, nede absorblar. Bir elektron uyarmla, atom terk edecek enerji kazanp ayrlabilir. Atom (+) iyon ekline geer. zoleli Atomda (gazlarda) Elektronlar; belirli bir enerji bandn igal ederler. Bir kristalin atomlar, kristal iinde muntazam diziler halinde yer alrlar. Atomlar, birbirlerine ok yakndrlar ve elektronlar, birbirine yakn enerjileri temsil eden enerji bandlar zerinde bulunurlar.

rnein; bir germanyum atomunda, tek bir atom ele alnrsa atom temel haldedir. Mutlak O scaklkta, elektron minimum enerji seviyesine sahiptir.

Germanyum kristalinde ise, mutlak O scaklkta, temel seviyenin yerini balans banda alr. Bundan sonra, hibir elektronun bulunmad yasak blge ve sonra da yksek enerjili iletkenlik band bulunur. Bu scaklkta Ge kristalinde iletkenlik bandnda hibir elektron bulunmaz, yani kristal ideal bir yaltkandr.

Ge kristallerinin iletkenlik kazanabilmesi iin, iletkenlik seviyesine elektron temin edilmektedir. Bunu iin gerekli enerji 0,7 ev civarndadr. Fotoelektrik olay iin Eg, kristalin sourabilecei minimum enerjisini gsterir. Buna karn, bir metalik kristalde yasak band yoktur, iletkenlii temin edecek, iletkenlik bandnda ok sayda elektron bulunur. Elmas iin E=7 ev'luk enerji ile elektron yasak band geilebilir. Bunu iin malzemeye byk elektrik voltaj uygulanmas gerekir. Bu ise malzemeyi tahrip eder.

Yariletkenlerde, yasak band gemek iin( l ev) yeterlidir. Oda scaklnda kristal atomlarndan birka tanesinin atomlar, iletkenlik bandna geer ve iletkenlii salar. Geride brakt bolua da baka bir elektron gelir oda" iletkenlie katlm olur. Bir kristal, ortak elektronla birbirine bal atomlarn dzgn olarak yerleimi ile meydana gelmitir. yonik badan farkl olan bu birlemeye kovalet ba denir. Valans elektronlar, kovalet iinde, bir atomdakinden daha dk enerji seviyesindedir. Kristali bozmak iin,bu enerji fark kadar enerji gerekir. Bu kristalin kararlln gsterir. a) N TP YARI LETKEN: letkenlik tipini deitirmek iin Si ve Ge iine, periyodik cetvelin 3 ve 5. grup elementleri ilave edilir. Bunlar bo valans elektronu bulundururlar ergimi halde bulunan germenyum'a arsenik ilave edilirse, her arsenik atomu, bir Ge atomu yerin alacak ve 4 elektronuyla kovalet ba tekil edilecek, 5 valans elektronu serbest kalp iletkenlii temin edecektir. letkenlik (-) ykle ile temin edildii iin N tipi yan iletken ismini alr. Bu elektronlar, oda scaklnda, iletkenlik bandna ular. b) P TP YARI LETKEN: Egimi germanyumu 3. gurupta 3 valans elektronu bulunduran elemanlar ilave edilerek yaplar, (indium, galyum...), katlama srasnda indium atomlar kristal rg iinde germanyum atomunun yerini alr. Kovalet ba iin 3 elektron mevcuttur ve komu atomdan bir elektron koparak ba oluturur. Komu atomda bir boluk olumutur. Bu ise elektron hareketine sebep olur. Bir yan iletkenin kullanla bilme maksimum scakl, aktivasyon enerjisi ile artar. Kullanlabilme maksimum frekans, yk tayclarn hareketi ile artar. FOTOVOLTAK PL: ekil 1de grld gibi, foton absorblanmas ile yk tayclar ounlukta olduklar blgelere srklenirler kavaktan Is akm geer ve N (-), P (+) yklenmi olur. Is akm, kavan ileri ynde kutuplamasna ve kavak potansiyel duvarnn alalmasna sebep olur. D devre ak ise ( akm yoksa) P den N ye akm geer ve kavak potansiyel duvar tekrar ykselir; P blgesi (-), N blgesi (+) yklenir. Sonra tekrar foton absorblanarak olay devam eder. Bu durumda Is = I olur.

ekil 1.

D devreden akm geerse Is = I - IL olacak ekilde darya elektrik enerjisi alnr.ekil 2'de bu pilin elektrik edeer devresi grlmektedir. En yksek foton enerjisi yeil k iin h.f = 2,5 ev civarndadr. P-N kavandaki temas potansiyeli, elektronlar daha yksek potansiyele karan batarya rol oynamaktadr. P-N kavann dorultucu olarak kullanlmas halinde durum tersinirdir. Bu durumda akmn yn P den N ye dorudur ve dardan uygulanan potansiyel fark elektronlarn temas potansiyeline ters ynde tesir eder.

ekil 2.

GNE PLLERNN ETLER Bakr-bakroksit ve gm yariletkenleri ile yaplan gne pilleri, selenyum pilleri ve silisyum gne pilleri en ok kullanlanlardr.

a) SELENYUM GNE PLLER: Saf selenyum, alkali metallerle veya klor, iyod gibi halojenlerle kartrlarak p tipi yan iletkenler oluturulur. Bunlar zerine iyi iletken yada yan iletken ve yan iletken yan geirgen bir gm tabaka birka mikron kalnlnda kaplanarak P -N kava oluturulur. ekille 3 de bir selenyum gne pilinin yaps grlmektedir. Bu pillerin 50 derecenin zerinde kullanlmamalar tavsiye olunur. b) SLSYUM GNE PLLER: Uzay aratrmalarnda kullanlan pillerin ou bir trdendir. Silisyum SiOa halindeki kumdan elde edilir. Kk bir kristal znm, eritilmi potaya daldrlr. Belli hzda belli hzda dndrlrken potadan karlrken soumas temin edilir ve kristalin bytlmesi ile gne pili elde edilir. Eriyik iine p tipi yariletkenlik malzemeleri katlr. P tipi kristaller dilimler halinde kesilir. Scaklk kontrol edilen P 2O5 'li difuzyon frnda N tipi yan iletkenle l0-4 10-5 m derinlie kadar difzyon temin edilecek P-N kava oluturulur. Silisyum pilleri germanyumla yaplan pillere gre daha byk ak devre direnci salar. Buna kar silisyumlu pillerin spektral cevab daha azdr ve kzltesi nlara kadar uzanmaz. Akkor k kayna kullanlmas halinde, Ge ularndaki gerilim kk olmasna ramen daha byk akm salar. Gne nlan iin ise silisyum pil daha uygundur. Gne pilleri, pahal olduklar iin ulalmas g yerlerde kullanlmaktadr. Metalik iletkenlerin normal scaklktaki zdirenleri 1.6.10-6 - 150.l0-6 ohm.cm aralnda deitii halde iyi bir yaltkann z direnci l012- l018 ohm.cm arasnda deimelidir. zdirenleri 10"3-107 ohm.cm arasnda olan elemanlar da yan iletkenlerdir yan iletkenlerdir. Yariletkenlerin zdirenleri ok dk scaklkta yaltkanlarnkine yalandr. Metallerin aksine, yariletkenler scak ortamda, soukta olduklarndan daha iletkendirler. Baka bir deile yariletkenlerin z direnleri scaklk artka azalr ve deiim katsays metallerinkinden 10 katta daha byktr. Gne pillerinin almalar ile ilgili teoriyi ksaca u ekilde zetleyebiliriz. Metallerde atom says kadar serbest elektron iletkenlii temin eder. Yaltkan kristallerde ise elektronlar dk enerjili valans bandnda bulunur. Bunlar iletken hale getirmek iin elektron bulunmayan yasak enerji bandlarn geecek ekilde elektronlarna enerji verilmelidir. Bu enerji 5- 9 ev civarndadr.

Birbiriyle kovalent ba tekil ederek balanm yaltkan kristal atomlarn iine 3 veya 3. grup elementlerden katlrsa baz kristal atomlarnn yerini bu elementler alacaktr. 5. grupla oluan yapdan, katk elemanlarnn 4 elektronu, yaltkan kristal atomunun 4 elektronunu mterek kullanarak, d devresini tamamlayp kovalent ba oluturacak ve bir elektronu akta kalp iletkenlie katlacaktr. Yan iletken N tipidir. Ve elektronun iletkenlik bandna gemesi iin gerekli enerji bir ev civarndadr. Kristalleme 3. grup elemanlar ile yaplrsa elementin 3 elektronu yaltkan kristal atomunkilerle mterek ba kuracak ve yakn komu atomdan bir elektron kapp 4. bann tamamlarken orada bir elektron boluu brakacaktr. Buda P tipi yan iletkendir ve iletkenlik iin l .2-1.5 ev enerji gerektirir. GNE PL EDEER EMASI Bilindii gibi, gne pili bir yariletken dzenektir. ounluk yk tayclar elektronlardan oluan N tipi ile ounluk yk tayclar oyuklardan oluan P tipi yan iletken yan yana getirilir. Ik enerjisi bu birleme noktasna drlrse d devreden bir akn geebilmektedir (ekil 6.34).

ekil 3. Gne Pili P-N yariletken kavanda, elektronlar P tipi blgeye geerek birleme yzeyine yak blgelerde boluk yk taycdaki elektron eksiklini tamamlayp (-) iyonlar olutururken N tipi blgede de (+) iyon duvar oluacaktr. D tesir olmazsa bu enerji duvar akmn gemesini nleyecektir. Isn demeti bu blgeye derse, yk tayc elektronlar ok az oranlarda olduundan, muhtemelen bir valans elektronuna enerjisini brakacak ve onun P tipi blgeye doru itecektir d devre akm ise P den N ye doru olacaktr.

Bir gne pilinde N tipi blgede elektron reten bir elektro motor kuvveti dnlemez. ekil 4de fiziksel edeer devre grlmektedir. Devre elemanlar bir elektro motor kuvvet, bir i diyot bir ii diren eklinde sembolize edilebilir.

ekil 4. Gne pili edeer elektrik emas Gne pilleri, belli gnelenme artlarnda birim alan bana belirli bir akm ve voltaj retirler. stenen bir enerji iin birok pili seri ve paralel olarak balamak gerekir. Bylece gne panelleri oluturulur. ekil 6,36 da e deer emas verilen gne pilinde d devre akm iddeti ve ularndaki gerilim llebilir. Ayarlanabilir bir d direnle, gerilim ve akm ak devreden ksa devreye kadar deitirilerek ekil 5deki gerilim ak iddeti erileri elde edilebilir. Bir cm2 lk pil gnelenme alam iin snn iddeti 0,5-1 kw/m2 arasnda deiirken, optimum alma noktalan ve sabit yk erisi bu ekilde gsterilmitir. lmler 27C scaklkta yaplm olup scaklk artka gerilim der. Akm iddeti gne nm younluu ve pil snm alanyla orantl olarak deiir. Scakln voltaja tesiri 0,022 w/C orannda olmaldr.

ekil 5. 34 wattlk bir gne piline akm-gerilim erilen

GNE PLLER Gne pilleri evre dostu ve tkenmez enerji kayna gneten, insan mr boyunca elektrik retirler. Trkiye ylda ortalama 2600 saat gnelenme zamanyla gne enerjisinden ekonomik olarak yararlanla bilinen bir lkedir. Bu sonsuz enerji kaynam AES size SIEMENS SOLAR'n 25 yl garantili rnleriyle sunuyor. Gne hari herhangi bir yakta veya ebeke balantsna gerek kalmadan elektrik retebilirler. Kullanlan yakt her yerde ve bedava bulmak olasdr. Bakm gerektirmezler. Gne pilleri gl rzgarlara, dolu frtnalarna, scaklk deiimlerine dayankldrlar. 2400 N/m2 gibi ok yksek basnlara dayanacak ekilde dizayn edilmilerdir. Gne pilleriyle her yerde elektrik retebilirsiniz. retim yeri / kullanm yeri arasnda uzun kablolar ve balant elemanlar olmad iin kayplardan kanlm olur. Modler bir sistem olduu iin gerektiinde, yeni modller eklenerek g k arttrlabilir. Gne pillerinden alnan elektrik enerjisi, gnesiz gnlerde ve gece koullarnda kullanlabilmesi iin aklerde depolanr. Aklerde an arj ve dearj olmamas iin sisteme arj reglatr eklenmektedir. Eer sistem knda, alternatif akm kullanlmak isteniyorsa, sisteme eklenecek bir inverter sayesinde, DC akm ACye dntrlebilir. Haberlemeden Aydnlatmaya Bir gne pili sistemi dizayn etmek iin sistemin kurulaca blge ve retilmek istenen enerji miktarnn bilinmesi gerekir. Sistem, arzu edilen zel koullar da gz nne alnarak istenen koullarda (Aklerin balom gerektiren veya gerektirmeyen tipte olmas, pillerin yerletirilmesi istenen yer, vs.) dizayn edilebilir.. Gne pillerinin kullanm alanlarnn banda aydnlatma ve haberleme gelmektedir. Yerleim merkezlerine uzak yerlerdeki GSM vericilerinin ve radyo istasyonlarnn enerjilerini karlamak iin ideal zmdr. Sizi ebeke bamllndan, jeneratrlerin bakm ve iletme masraflarndan kurtarr.

Katlanabilir Gne Pili Siemens Solar M10F SIEMENS SOLAR MI OF kompakt bir antada hafif, esnek, kolay kurulabilir 5 gne modlnden olumaktadr, MI OF, 12 ve 24 voltluk ak desteine gre dizayn edilmitir. Ak arazide kullanlabilen MI OF yedek ak tama ihtiyacn ortadan kaldrmaktadr. Bu modl saatte 10W retir. M1 OF zellikleri Dual voltaj kolay Sessiz ve evre dostu ak balants Yksek g younluu Kompakt tasarm Dk maliyet (Katlanabilir, hafif) Salam gvenli yap Kentlere Gre Siemens Solar Gne Pilleri Adetleri Antalya Manisa Ankara Elaz stanbul Bolu Samsun Gaziantep

kW/gnlk ihtiya 3 5 7.5 10 3 5 7.5 10 3 5 7.5 10 3 5 7.5 10 3 5 7.5 Siemens Solar SP75 Gne pili 16 2644 552236 506618 304555 203452 702440 60 76 2542 60 8228 45 6685 Ak 120Ah'lk 16 39 521626 395216 263952 Gne Pilleri Elektrik Kullanm emalar Kk DC lm istasyonlar, ve bireysel kullanmlarda ..... Evler ve endstriyel kullanmlarda ....................... Enerji depolamakszn direkt beslemek iin (su pompalama) Elektrik ebekesi ile balant Enerji depolamaya gerek yoktur ........ Hem A/C hemde D/C yklerinde kullanlr .......... Byk DC Basit DC 20 3045 65 162639 521626 41 132131 2639 521626 395216 263952

AC/DC Hybird lave