RAST KRISTALA Kontrola procesa rasta kristala

Kontrola granice faza Kontrola raspodele dopanata Procesni parametri: Brzina rasta Temperaturni gradijent Poetna koncentracija dopanta u rastopu

Oblik granine povrine tokom rasta kristala

U relnim sistemima uvek je potrebno neko konano pothlaenje da bi proces ovravanja zapoeo:
T = 2 T0 rL

T- potrebno pothlaenje da bi zapoeo proces ovravanja, - povrinski napon, L - latentna toplota

u realnim sistemima je reda

T= 0.2T0

Ukoliko je temperatura granine povrine nia od ravnotene i dolazi do ovravanja, latentna toplota koja se oslobaa, smanjuje postojee pothlaenje koje dovodi do ovravanja, usporava i na kraju zaustavlja proces ovravanja ukoliko se ne bi odvodila. Znai, da bi se nastavio proces napredovanja granine povrine, tj. ovravanja, treba odvoditi osloboenu latentnu toplotu. Pri tome se moe rei da brzina odvoenja izdvojene latentne toplote kontrolie brzinu napredovanja granine povrine, dok pravac odvoenja latentne toplote definie oblik granine povrine

Odvoenje latentne toplote u pravcu kristala

T

B TENA FAZA

G ukoliko se podhlaenje koje je dovoljno za ovravanje obezbeuje odvoenjem latentne toplote u pravcu kristala, granina povrina se kree uniformno i tei da bude ravna.

Odvoenje latentne toplote u pravcu tene faze

VRSTA FAZA TENA FAZA

B A

Raspodela a) temperature rastvorljive komponente; b) koncentracije uz graninu povrinu

CS C0 T
L ik

Temperatura

C0k0

v id

us

C0/k0
S ol id us

CB(%)

k0 <1

CS k0 = CL

Segregacija rastvorljive komponente na graninoj povrini i rezultujua smanjenja pothlaenja oblastima granine povrine A i B

elijski rast

. Segregacija rastvorljivih komponenti u predelu oko ispupenja

kriterijum konstitucionalnog pothlaenja

RPC G L DL k 0 = m(1 k 0 ) C 0

DL koeficijent difuzije u tenoj fazi, k0 ravnoteni koeficijent raspodele, Co poetna koncentracija komponente u rastopu , m nagib likvidus linije na odgovarajuem ravnotenom dijagramu ,GL temperaturni koeficijent u tenoj fazi

Dendritni rast

RCD =

RPC k0

RCD = 2 RPC
GL C = A 0 k0 RCD

Zavisnost oblika granine povrine od uslova rasta

Koncentracija rastvorljive komponente uz graninu povrinu

CLi Tena faza

Koncentracija

C0

vrsta faza

CSi

Rastojanje

Raspodela rastvorljivih komponenti tokom rasta kristala

Ravnoteni koeficijent raspodele-k0

k0 = CS CL

Koeficijent raspodele granine povrine (tzv. povrinski)-ki: CSi ki = CLi Efektivni koeficijent raspodele-ke:
C Si ke = CL

Zavisnost efektivnog koeficijenta raspodele od uslova rasta vrste faze (tzv. BPS-kriterijum)
ke = k0 k0 + (1 k0 ) e

R DL

R- brzina rasta, DL- koeficijent difuzije rastvorljive komponente u rastopu, granini difuzioni sloj

Pregled metoda rasta kristala iz rastopa

Metode rasta iz suda Bridgman Czochralski Zonalno topljenje Metode rasta bez suda Metoda lebdee zone Verneuil metoda

Metoda Bridgman:
Poetna ara je potpuno istopljena u sudu u kojem e se i

odvijati rast kristala. Prolazom suda kroz pe odreenog temperaturnog profila dolazi do ovravanja - rasta kristala sa jednog kraja na drugi

a) Horizontalna;

b) Vertikalna konfiguracija

Prednosti:

jednostavnost i mogunost varijacija. lako je kontrolisati napon pare isparljivih komponenti; mogue je izvesti rast u vakuumiranom i zatopljenom kontejneru. lako se dobija eljni oblik i veliina kristala . rast se moe izvesti uz relativno dobro stabiliziran temperaturni gradijent koji ujedno stabilie konvektivno meanje i segregaciju.

Ogranienja:

pri rastu kristala koji se ire tokom kristalizacije, dolazi do stvaranja greaka u kristalu. nemogue je predvideti ni dobiti eljenu orijentaciju kristala.

Czochralski metoda

Celokupna ara istopljena u posudi. Klica kristala sputa se vertikalnim nosaem (sa mogunou rotacije) do povrine rastopa i trenutka dodira, a zatim se ostavlja da se postigne termika ravnotea. Temperatura rastopa se tako podeava da se deo klice kristala topi, a zatim se temperatura sporo sniava dok klica ne pone da kristalie. Tada poinje lagano izvlaenje klice. Prenik kristala se kontrolie podeavanjem brzine izvlaenja, brzine rotacije i kontrolom temperature rastopa.

Czochralski metoda
PREDNOSTI

Iako se koristi sud za rast kristala, nema kontakta granine povrine tenovrsto sa sudom- mogunost rasta kristala sa poveanjem zapremine, kao to su poluprovodnici Mogue je dobiti kristale dobrog kvaliteta (bez dislokacija),velikog prenika i uz velike brzine rasta. ova metoda je pogodna za odgovarajue dopiranje i kontrolu hemijskog sastava komponenata. omoguena je i dobra kontrola atmosfere tokom rasta kristala.

OGRANIENJA

Ogranienje ove metode je u oteanom rastu kristala sa komponentama koje imaju visok napon pare na temperaturi topljenja. Potrebno je stalno odravanje pritiska, to komplikuje konfiguraciju sistema. Pored toga, ova metoda nije dovoljno adaptirana za kontinuirani rast. Takoe se javlja problem izbora posuda za rastop i mogunosti kontaminacije rastopa.

LEC - metoda (liquid encapsulation) -metoda tene inkapsulacije

Ovo je naroito vano kod rasta iz rastopa elemenata III-V grupe periodnog sistema (poluprovodnike komponente) sa isparljivim komponentama. Iznad rastopa se nanosi sloj tenog B2O3 (inkapsulacija) koji spreava odlazak isparljivih komponenti. Na ovaj nain je mogue ouvati konstantan sastav tokom rasta i dobar kvalitet kristala.

Zonalno topljenje

Istopljena zona konane debljine (koja je dosta manja od duine kristala) kree se sa jednog kraja are na drugi. Ova metoda se esto koristi za preiavanje materijala, a jo bolji efekat se postie viestrukim prolazom zona kroz aru. Takoe se moe vriti kontrola ugraivanja rastvorljivih komponenti.

Zonalno topljenje-vie zona

Metoda lebdee zone

Metoda lebdee zone

U vertikalnoj konfiguraciji izbegava upotrebu suda dok je samo jedan deo (zona ) istopljen i odrava se na osnovu povrinskog napona. Pogodna je za materijale sa visokim povrinskim naponom rastopa i malom gustinom. Iskoriena je prednost zonalnog topljenja - preiavanje i kontrola ugraivanja rastvorljivih komponenti, a izbegnuta je kontaminacija rastopa sudom. Ogranienje ove metode je da se ne moe koristiti za materijale sa niskim povrinskim naponom i za one sa isparljivim komponentama. Ova metoda takoe ima vie modifikacijatopljenje zone laserom, korienje klice, itd.

Metoda Verneuil
Iz dozera prah materijala koji ovrava pada kroz plamen i istopljen stie na povrinu kristala koji raste Kako kristal raste, on se sputa nanie srazmerno brzini pristizanja rastopa. Rotacija kristala slui za homogenizaciju.