Efecto Gunn

El efecto de Diodo fue descubierto por John B. Gunn en 1963, este efecto se solo se da en materiales tipo N, este efecto no depende del voltaje ni la corriente. (Cyril Hilsum)

Este efecto es un instrumento eficaz en la generacin de oscilaciones en el orden de las microondas.

Al aplicar un Voltaje sobre el GaSa se genera una Resistencia que sea mayor a los 3.3V/cm

Son usados para conseguir osciladores en el rango de frecuencias de 10GHz hasta los THz. No es afectado por campos magnticos.

Al adicionar mayor energa los electrones disminuyen su velocidad al chocar con una gran banda de energa, y su corriente disminuye; esto se contrarresta al aumentar la tencin en la placa y de nuevo surge el flujo de electrones. Resistencia negativa.

0 Coaxial: 5 65GHz

15GHz, 1MHz/C 0 Gua de Onda: 35GHz, 1MHz/C (N.E) 35GHz, 200KHz/C (E)
0 Planares: (ODR)

Potencia, cavidad.

Frecuencia,

Estabilidad, Material de la