BIPOLARNI TRANZISTOR S IZOLIRANOM UPRAVLJAKOM ELEKTRODOM IGBT

(insulated gate bipolar transistor)

Ako poznajete MOSFET, poznajete i IGBT. Jedina je razlika u tome to je na n+-sloj dodan p+-sloj, sada se n+-sloj naziva razdvojni sloj.

kanalno podruje

driftno podruje, razdvojni sloj, injektirajui sloj

Odmah se uoava da IGBT ima beznaajna zaporna svojstva, jer je probojni napon n+-p+ prijelaza ne vei od 50 V. p+-podruje injektira upljine u n-podruje i time smanjuje pad napona u stanju voenja.

Ovo je simbol n-kanalnog IGBT-a. Strjelica je na strani odvoda, usmjerena je prema kanalnom podruju. Ukazuje da je u stanju voenja p+-podruje injektirajue podruje, tj. da injektira upljine prema kanalu. Zato je IGBT poznat i pod nazivom COMFET (conductivity-modulated field effect transistor).

Meni se vie dopada ovaj simbol:

On pokazuje da se tokom struje upravlja poljem, a da u toku struje sudjeluju i elektroni i upljine.
Ostali nazivi za IGBT su: IGT (insulated gate transistor), bipolarni MOS tranzistor, GEMFET (od General Electric).

IGBT ujedinjuje dobra svojstva bipolarnog tranzistora i MOSFET-a.

Jo o strukturi

Struktura ima parazitni tiristor. Ovaj tiristor ne smije uklopiti, u protivnom IGBT bi izgubio isklopna svojstva. Kratki spoj kanalnog podruja i uvodnog n+-podruja sprijeava uklapanje parazitnog tiristora.

 Razdvojni n+-sloj nije bitan za rad IGBT-a. Neki IGBT-ovi ga nemaju (NPT-IGBT, non-punch-through (pan) IGBT; simetrini IGBT), a neki imaju (PT-IGBT, punch-through IGBT; asimetrini IGBT). No, razdvojni n+-sloj omoguuje ue n-podruje (smanjuje pad napona u stanju voenja) time to onemoguuje irenje zone prostornog naboja prema n+podruju.

V-I karakteristike (izlazne karakteristike)

Ako nema razdvojnog sloja n+-sloja, probojni napon u blokirnom smjeru u naelu je jednak probojnom naponu u zapornom smjeru.

ID-VGS karakteristika (prijenosna karakteristika)

Prijenosna karakteristika jednaka je onoj u MOSFET-a. Kod veih struja je linearna. Ako je napon VGS manji od napona praga, IGBT je u stanju blokiranja. Maksimalni doputeni VGS obino ograniuje maksimalna doputena struja ID.

Stanje blokiranja (VGS < VGS(th))

Blokirni napon preuzima p-n prijelaz. Kod PT-IGBT-a n podruje je oko dva puta ue nego kod NPT-IGBT-a.

Stanje voenja (VGS > VGS(th))

p+-podruje injektira upljine. U driftnom n-podruju upljine se kreu i driftom i difuzijom. Kroz kanal (inverzioni sloj) tee struja elektrona.

Osnovni diskretni model IGBT-a

VJ1

Ovaj model prikazuje IGBT kao Darlingtonov spoj pnp+ tranzistora i MOSFET-a. Bipolarni tranzistor je glavni tranzistor, a MOSFET upravljaki.

p p+

U poreenju s konvencionalnim Darlingtonom, upravljaki MOSFET vodi vei dio struje. On time sprijeava uklapanje parazitnog tiristora. Pad napona u stanju voenja, na temelju nadomjesne sheme, iznosi:

VDS (on) VJ 1 Vdrift I D Rkanal

Pad napona na p+n+ prijelazu J1 iznosi 0,7 1,0 V. Pad napona u npodruju Vdrift odgovara padu napona u sredinjem podruju uinske diode, i priblino je konstantan. Mnogo je manji nego kod MOSFET-a. Razlog je poveanje vodljivosti driftnog podruja. Pad napona u kanalu usporediv je s padom napona u kanalu MOSFET-a.

Sprijeavanje uklapanja parazitnog tranzistora

Lateralni tok upljina propusno polarizira pn+ prijelaz (J3) i izaziva uklapanje parazitnog tiristora. Lateralni tok upljina u kanalnom ppodruju je izrazit, jer upljine privlai negativni naboj u kanalu. Najvea propusna polarizacija pn+ prijelaza je na mjestu gdje inverzioni sloj dotie n+-podruje.

Parazitni tranzistor npn+ uklapa, potee struja baze p+np, oba parazitna tranzistora uklope, stvori se pozitivna povratna veza i parazitni tiristor sastavljen od ova dva komplementarna parazitna tranzistora uklopi. Prema tome postoji kritina struja MOSFET-a kod koje MOSFET gubi svojstvo upravljivosti.

Ls mora biti to je mogue manji. Osim toga, kanalno podruje treba jako dopirati (postaje p+-podruje) i proiriti (dublja difuzija). Sve ove mjere smanjuju otpor sloja ispod n+-podruja. No, dio kanalnog podruja u kojem nastaje kanal mora ostati slabije dopiran.

Prema tome, rjeenje je:

Opisani proces uklapanja parazitnog tiristora je statiki proces. Deava se kada statika struja prekorai kritinu vrijednost. Spomenimo samo to da je u dinamikim uvjetima (kada IGBT isklapa) kritina vrijednost struje manja.

Sklopne karakteristike Uklapanje IGBT-a, u veem dijelu vremena uklapanja, odreuje MOSFET-ni dio IGBT-a. Zato je nadomjesni krug IGBT-a jednak nadomjesnom krugu MOSFET-a.

Prema tome, tijekom uklapanja, valni oblici IGBT-a kvalitativno se podudaraju s valnim oblicima MOSFET-a.

Model za analizu uklapanja i isklapanja MOSFET-a u silaznom pretvarau

Uklapanje

Opadanje napona vDS odvija se u dva intervala tfv1 i tfv2. Tijekom prvog intervala MOSFET-ni dio IGBT-a prolazi kroz aktivno podruje, kapacitet Cgd = Cgd1. Tijekom drugog intervala MOSFET-ni dio IGBT-a prolazi kroz otporno podruje, kapacitet Cgd = Cgd2 > Cgd1.

Tijekom drugog intervala treba uzeti u obzir i prolazak p+np tranzistora u podruje zasienja. On usporuje opadanje blokirnog napona. Interval tfv2 zavrava kada ovaj tranzistor doe u podruje zasienja.

Isklapanje

Vrijeme kanjenja isklapanja td(off) i vrijeme porasta blokirnog napona trv odreuje MOSFET-ni dio IGBT-a. Pad struje tijekom tfi1 odreuje MOSFET-ni dio IGBT-a. Rep struje iD tijekom tfi2 potjee od uskladitenog naboja (upljina) u n-podruju (driftno podruje). Jedan dio uskladitenog naboja se rekombinira, a drugi dio otjee repom struje iD. Due vrijeme ivota nosilaca naboja (povoljno zbog pada napona) poveava rep struje (nepovoljno zbog gubitaka).