I.

TRANSISTOR BIPOLAR
Merupakan salah satu jenis dari transistor. Ini adalah peranti tiga-saluran yang terbuat

dari bahan semikonduktor terkotori. Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan baik elektron maupun lubang elektron, berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan salah satu pembawa. Walaupun sebagian kecil dari arus transistor adalah pembawa mayoritas, hampir semua arus transistor adalah dikarenakan pembawa minoritas, sehingga BJT diklasifikasikan sebagai peranti pembawa-minoritas.

NPN BJT dengan pertemuan EB dipanjar maju dan pertemuan BC dipanjar mundur

Pembiasan Transistor Bipolar antara lain: Bias Forward Forward Bias Reverse Reverse Bias Forward Reverse

Cara Kerja Transistor Bipolar, Menggunakan dua polaritas pembawa muatan elektron dan lubang untuk membawa arus listrik. Transistor NPN dapat dianggap sebagai dua diode adu punggung tunggal anode. Pada penggunaan biasa, pertemuan p-n emitor-basis dipanjar maju dan pertemuan basis-kolektor dipanjar mundur. Dalam transistor NPN, sebagai contoh, jika tegangan positif dikenakan pada pertemuan basis-emitor, keseimbangan di antara pembawa terbangkitkan kalor dan medan listrik
1

menolak pada daerah pemiskinan menjadi tidak seimbang, memungkinkan elektron terusik kalor untuk masuk ke daerah basis. Elektron tersebut mengembara (atau menyebar) melalui basis dari daerah konsentrasi tinggi dekat emitor menuju konsentrasi rendah dekat kolektor. Elektron pada basis dinamakan pembawa minoritas karena basis dikotori menjadi tipe-p yang menjadikan lubang sebagai pembawa mayoritas pada basis. Daerah basis pada transistor harus dibuat tipis, sehingga pembawa tersebut dapat menyebar melewatinya dengan lebih cepat daripada umur pembawa minoritas semikonduktor untuk mengurangi bagian pembawa yang bergabung kembali sebelum mencapai pertemuan kolektor-basis. Untuk memastikannya, ketebalan basis dibuat jauh lebih rendah dari panjang penyebaran dari elektron. Pertemuan kolektor-basis dipanjar terbalik, jadi sedikit sekali injeksi elektron yang terjadi dari kolektor ke basis, tetapi elektron yang menyebar melalui basis menuju kolektor disapu menuju kolektor oleh medan pada pertemuan kolektorbasis.

II.

TRANSISTOR FET
Field Effect Transistor (FET) mengontrol arus antara dua titik tapi tidak begitu berbeda

dari transistor bipolar. FET beroperasi dengan efek medan listrik pada aliran elektron melalui satu jenis bahan semikonduktor. Sehingga FET kadang-kadang disebut transistor unipolar. Juga, tidak seperti semikonduktor bipolar yang dapat diatur dalam berbagai konfigurasi untuk menyediakan dioda, transistor, perangkat fotolistrik. perangkat sensitif suhu dan sebagainya, efek medan biasanya hanya digunakan untuk membuat transistor, meskipun FETs juga tersedia sebagai dioda untuk tujuan khusus, untuk digunakan sebagai sumber arus konstan.

Arus bergerak dalam FET dalam saluran, dari koneksi sumber ke sambungan saluran. Sebuah gerbang terminal menghasilkan medan listrik yang mengontrol arus . Saluran ini terbuat dari kedua jenis N-atau P-jenis bahan semikonduktor, sebuah FET ditentukan baik sebagai Nchannel atau P-channel pada perangkat. Mayoritas pembawa mengalir dari sumber ke drain. O)In P-channel devices, the flow of holes requires that VDS < 0.>Dalam perangkat N-channel, elektron mengalir sehingga potensi al drain harus lebih tinggi dari Sumber (VDS> O) Dalam perangkat P-channel, aliran lubang mensyaratkan bahwa VDS <0. Polaritas medan listrik yang mengontrol arus dalam saluran ditentukan oleh pembawa mayoritas saluran, biasanya positif untuk P-channel FET dan negatif untuk N-channel FET.

Perangkat FET dibangun pada substrat yang diolah dari bahan semikonduktor. Saluran ini terbentuk di dalam substrat dan memiliki polaritas yang berlawanan (P-channel FET memiliki N-jenis substrat). Fets kebanyakan dibangun dengan silikon. Untuk untuk mencapai gain-bandwidth yang lebih tinggi, bahan lainnya telah digunakan. Arsenat Gallium (GaAs) memiliki mobilitas elektron dan kecepatan pergeseran yang jauh lebih tinggi dari silikon doped standar, Amplifier dirancang dengan perangkat GaAs FET memiliki respon frekuensi yang lebih tinggi dan faktor kebisingan yang lebih rendah di VHF dan UHF dari yang dibuat dengan standar FETs.

III.

Penguat Common Base (grounded-base)

Penguat Common Base adalah penguat yang kaki basis transistor di groundkan, lalu

input di masukkan ke emitor dan output diambil pada kaki kolektor. Penguat Common Base mempunyai karakter sebagai penguat tegangan.

Penguat Common Base

Penguat Common base mempunyai karakter sebagai berikut :

Adanya isolasi yang tinggi dari output ke input sehingga meminimalkan efek umpan balik.

Mempunyai impedansi input yang relatif tinggi sehingga cocok untuk penguat sinyal kecil (pre amplifier).

Sering dipakai pada penguat frekuensi tinggi pada jalur VHF dan UHF. Bisa juga dipakai sebagai buffer atau penyangga.
3

IV.

Penguat Common Emitor

Penguat Common Emitor adalah penguat yang kaki emitor transistor di groundkan, lalu

input di masukkan ke basis dan output diambil pada kaki kolektor. Penguat Common Emitor juga mempunyai karakter sebagai penguat tegangan.

Penguat Common Emitor Penguat Common Emitor mempunyai karakteristik sebagai berikut :

Sinyal outputnya berbalik fasa 180 derajat terhadap sinyal input. Sangat mungkin terjadi osilasi karena adanya umpan balik positif, sehingga sering dipasang umpan balik negatif untuk mencegahnya.

Sering dipakai pada penguat frekuensi rendah (terutama pada sinyal audio). Mempunyai stabilitas penguatan yang rendah karena bergantung pada kestabilan suhu dan bias transistor.

V.

Penguat Common Collector

Penguat Common Collector adalah penguat yang kaki kolektor transistor di groundkan,

lalu input di masukkan ke basis dan output diambil pada kaki emitor. Penguat Common Collector juga mempunyai karakter sebagai penguat arus .

Penguat Common Collector Penguat Common Collector mempunyai karakteristik sebagai berikut :

Sinyal outputnya sefasa dengan sinyal input (jadi tidak membalik fasa seperti Common Emitor)

Mempunyai penguatan tegangan sama dengan 1. Mempunyai penguatan arus samadengan HFE transistor. Cocok dipakai untuk penguat penyangga (buffer) karena mempunyai impedansi input tinggi dan mempunyai impedansi output yang rendah.