Professional Documents
Culture Documents
2
altndaki potansiyel kutusu
1
dekinden daha botur. Bu durum
1
den
2
elektrotuna yk
transferi ilemini salar. Bylece t
1
<t<t
3
de
1
elektrotu zerindeki voltaj azalrken, yk
2
elektrotu altndaki blgeye doru azalmaya devam eder. t=t
3
zamannda yk tamamen
2
elektrotu altnda birikmi olur ve bylece pikselin 1/3lk ksmndaki tanma tamamlanm olur.
Daha sonra faz yrtme pulslar ile birlikte yk
2
den
3
e tanr ve ayn ilem btn matris
boyunca devam eder.
35
ekil-4: CCD Dedektrlerde Yk Transferi lemi /10/.
b. CCD Dedektr Matrislerinin Farkl Organizasyonlar
CCD dedektr matrisleri grntleme ve k niteleri iin farkl tipte mantksal
organizasyonlar kullanrlar. ereve Transfer (T) CCD dedektr dizinleri, sadece dedektr
elemanlarndan oluan grntleme alanlarna sahiptirler. Bu tip dizinler kendi iinde, Alan T
CCD ler ve Tam T CCD eklinde ayrlabilirler. Alan T CCDlerde dedektr dizini hem
grntleme blgesi hem de biriktirme alann kapsarken, Tam T CCDlerde ise dizinler
yalnzca alglayc elemanlar ierirler. Dier bir tip organizasyon olduka karmak yapya sahip
Aralkl Transfer (AT) dedektr dizinleridir. ATlerdeki bu karmaklk dizinlerin grnt
kn yapabilmek iin alglama zellii olmayan dedektrler kullanmasdr.
c. CCD Dedektr Dizinlerinin Geometrik Karakteristikleri
CCD dedektr dizinlerinden beklenen geometrik performans byk nem tamaktadr.
Dedektr eleman aralnn homojenlii ve dedektr yzeyinin dzgnl, elde edilebilecek
geometrik dorulua etken balca faktrlerdir. Fakat imalatlar dedektr elemanlarnn yzey
dzgnl veya aralk homojenlii hakknda herhangi bir zel bilgi salamamaktadrlar.
(1) Dedektr Elemanlarnn Geometrisi
CCD dedektr dizinleri bir alt silikon tabakas zerine katmanlar serisinin biriktirilmesi
sonucu retilir. Her katman belirli amaca yneliktir, rnein ya yaltkan olarak ya da elektrotlar
Faz
potansiyelleri
1
3
t
5
t
0
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
0
t
1
Bir Piksel Zaman
Bir Piksel
Elektrotlar
1 2 3
Transfer Dorultusu
Dedektr
Yk
Transfer
Zaman
t
0
t
1
t
2
t
3
Faz Yrtme
Pulslar
3
36
serisi olarak grev yaparlar. Bu ylm katmanlarn geometrisi, silikon tabanl elektronik
devrelerin imalatnda yaygn olarak kullanlan fotolitorafi ilemi ile kontrol edilir. Bu ilemde,
ayn kartografik almalardaki renk ayrmnda olduu gibi maskeler kullanlmaktadr. Kullanlan
maskeler sonu rnden olduka byk boyutta hazrlanrlar ve sonra optik ve fotorafik
kltme ilemleri kullanlarak doru boyuta getirilirler. Yksek performansl devrelerin
retiminde yaygn olarak kullanlan fotolitografik aralardan biri, kademeli tekrar sistemidir. Bu
sistemin l birimi, baslabilen en kk karakter boyutu olarak adlandrlan tasarm deeridir.
1970li yllarn balarnda, tipik tasarm deeri olarak 6-8m kullanlrken bugnn optik tekrar
sistemleri 0.2mye ulaan mikrometre-alt tasarm deerlerine sahiptirler. Ancak, zellikle
byk CCD dedektr dizinleri iin hala tasarm deerleri 1.2 ila 2m arasnda deimektedir /9/.
Kademeli tekrar sisteminin genel kapasitesi stun hatalarna, ayar dzeneinin presizyonuna ve
para admcsnn sralama presizyonuna baldr. Tasarm deerinin, stun ve sralama
hatalarnn kabul edilebilir dzeyde olmas ve ayar dzenei presizyonunun 0.1m iinde
kalmas durumunda 0.5mlik tasarm deerine ulat grlmektedir /7/. Dier nemli bir
parametre olan dedektr elemanlar aral, yaplan laboratuvar lmeleriyle kontrol edilmi ve
45.54m dedektr aral iin imalatnn verdii deerden en fazla 0.2m sapld
grlmtr /5/.
(2) CCD Matrislerinin Yzey Dzgnl
CCD dedektr dizininin dzgnl hem silikon altlnn genel biimi hem de onun
yzeyinin yaps bakmndan gznne alnmas gereken bir sorundur. lk CCD dizinleri dk
znrle daha nemlisi kk formata sahiptiler. O nedenle yzey dzgnl olduka kk
bir sorundu. Zamanla, artan dizin znrl, format boyutunda art meydana getirdi. Buna
ramen gnmzde genelde CCD imalatlarnn byk ounluu yzey dzgnl deerlerini
vermemektedirler. Bunun sebebi, ounluunun yksek geometrik hassassiyet gerektirmeyen
almalarda kullanlmasdr. Dedektr dizin yzeyinin dz olmay ve yk transferinde
kullanlan elektrotlarn yaps yzey przllne yol amaktadr. Yzey przll elektron
mikroskobu ile llm ve 0.5m dzeyinde olduu bulunmutur /6/. Elektrotlarn ve
yaltkanlarn birka katmannn ylm da 1m dzeyinde ek bir yzey deiimi
oluturmaktadr.
d. CCD Dedektr Dizinlerinin Radyometrik Karakteristikleri
Dizinin radyometrik karakterini deitiren etkiler, bunlardan doan sistematik ve srekli olan
parazit sinyallerdir. Bunlar ya CCD dedektr dizininin fabrikasyonundaki kusurlardan ya da CCD
teknolojisindeki eksiklerden kaynaklanr. En nemli etkiler; koyu akm, fluluk, leke, kapanlar ve
kusurlar olarak verilebilir. Btn bu etkiler grnt kalitesinde azalmaya sebep olur ve sadece
CCD kamerasnn radyometrik kalibrasyonu ile giderilebilir.
(1) Koyu Akm
Herhangi bir yar iletkenin snmas sonucu doan ek yk koyu akm olarak adlandrlr.
CCDlerde, koyu akm dedektr dizini zerine den radyasyona kar cevap olarak doan
37
elektronik yklerden ayrlamaz. Bunun sonucu grnt zerinde farkl ve yanl bir gri deeri
olumasna sebep olur. Koyu akm, CCD kamerasnn iletme scaklna kuvvetli ekilde
baldr. Scakln 5 ila 10C azaltlmas koyu akmn 2 kat daha az meydana gelmesine sebep
olur. 3 ila 5m dalga boylar blgesinde kullanlan orta kzltesi CCD kameralar daha nce de
belirtildii gibi, ilerinde soutucu sistemler bulundururlar ve bylece dedektr dizininin
radyometrik duyarln ve dinamik araln arttrmak iin iletim scakln 77Cye
drrler.
(2) Fluluk
Bir dedektr eleman veya dedektr elemanlar grubu zerine olduka fazla radyasyon
dtnde, potansiyel kutularn yk kapasiteleri alm olur. Bu durumda fazla yk komu
elemanlar zerine taar. Fluluk; CCD dedektr dizinlerinden tamamen giderilemezken anti-fluluk
kanallarnn eklenmesi ile bu problem gnmz CCD lerinde ilk CCD lere oranla olduka
azaltlmtr. CCDlerde fluluu azaltmak iin iki eit anti-fluluk yaps eklenmitir. Dey anti-
fluluk yaplar zel derin yaynm ile ekstra yk silikon altln iine eken bir sistem kullanr.
Yatay anti-fluluk yntemi, ek elektrotlar ve kanal duraklar yardmyle fazlalk yk ortadan
kaldrrlar. Yatay anti-fluluk kanallar AT CCDlerde transfer elektrotlarna yakn, T CCDlerde
ise kanal duraklarna paralel olarak yerletirilmilerdir.
(3) Leke
Leke, youn radyasyon kaynann stun ynndeki parlakl etkilemesi olarak
tanmlanabilir. Lekenin ekli btn dedektr tiplerinde ayn olurken, fiziksel kayna farkl CCD
tiplerinde farkl olabilir. T CCDlerde leke, ykn grntleme alanndan biriktirme alanna
transferi srasnda ortaya kan artm sonucu oluur. Bu nedenle leke, T CCDlerde transfer iin
gereken zaman azaltmak suretiyle byk lde giderilir. Fakat AT CCDlerde ise leke, yk
transferi srasnda radyasyonun ieri girmesiyle oluur.
(4) Kapanlar
Kapanlar, yk transfer ileminin etkinliinin azaltlmasna sebep olan kusurlu devreler olarak
ortaya kar. Bunlar yk paketlerinden transfer edilmekte olan ykleri yakalar ve onlar kapan
iindeki yk dengeye geldiinde yavaa brakr. Kapanlar, fabrikasyon ilemi sonucu oluan
tasarm bozukluklar, materyal eksikliklerinden meydana gelir. Bunlar fabrikasyon ilemi ve
materyallerin kalitesini arttrmak suretiyle azaltlabilir. Dier bir yol, kapanlar srekli ykle dolu
tutmaktr. Ama bu teknik dedektr dizininin dinamik araln azaltma dezavantajn tar.
(5) Kusurlar
CCD dedektr dizinleriyle elde edilen grnt zerindeki kusurlar ska silikon materyalin
yapsndaki bozukluklardan veya fabrikasyon ilemi srasnda oluan hatalardan meydana gelir.
Kusurlar; nokta, alan ve stun veya satr bozukluu eklinde karakterize edilir. Bunlar srasyla
tek bir dedektr eleman, dedektr elemanlar grubu veya bir stun veya satr olarak etki yapar.
38
Nokta ve alan kusurlar ounlukla elektrotlar veya elektrot ve silikon altlk arasndaki koyu
akm kaynaklarndan doar. Yksek koyu akma sahip dedektr elemanlar beyaz nokta veya
alanlar retir. Alan kusurlar girdapl dzende ve beyaz bulutlar halinde ortaya kar. AT
CCDlerdeki stun kusurlar genellikle kanal duraklarnn fabrikasyonundaki eksikliklerden
oluur. Satr bozukluklu dedektrler genelde imalatlar tarafndan kusur dzeltme devrelerinin
eklenmesiyle azaltlr.
4. PYASADA MEVCUT CCD KAMERALAR
Daha ncede belirtildii gibi, kzltesi CCD kameralar son yllarda askeri uygulamalardan,
ok ynl sivil kullanma gemilerdir. zellikle tbbi ve belli endstriyel kullanmlar gibi yersel
uygulamalarda 1980li yllardan beri bu kameralardan yararlanlmaktadr. Yazar tarafndan
bilinen ve piyasada mevcut kzltesi CCD kameralarn performans karakteristikleri izelge-3de
verilmitir. Bu zellikler, kameralar reten firmalar tarafndan yaynlanan brorlerden elde
edilmitir. izelgeden grlebilecei gibi, kameralar arasndaki ana farkllklar, kameralarn
kulland dedektr tipi ve znrlnden meydana gelmektedir.
5. SONU
Kzltesi grntleyiciler ncelikle askeri uygulamalarda kullanlmak zere
gelitirilmilerdir. Gnmzde kzltesi CCD kameralar, belirli hava ve uzay uygulamalarnda
kullanlmaya balamasna ramen en iyi kullanlabilecei alan yersel fotogrametri
uygulamalardr. Bu tr kameralarla yaplan uygulamalarda, rnein endstri alannda, elde
edilen grntler baka hibir yolla elde edilemeyecek bilgileri salamaktadr. Ancak; bunlarn
fotogrametrik uygulamalarda kullanmlar, dk znrlkleri nedeniyle snrl dzeyde
kalmtr. Bu durumda bile, askeri personelden tp uzmanlarna kadar ok geni kullanc
spektrumu tarafndan yararlanlabilecek kzltesi grntlerden, belirli miktarda metrik ve
topografik bilgi karmak mmkndr. Elektromanyetik spektrumun grnr blgesi ile
karlatrnca ana eksiklik znrlktr. Gnmzde piyasada mevcut olan kzltesi CCD
kameralar, ok yksek znrlk isteyen fotogrametrik lmeler iin uygun olmayan
maksimum 512*512 piksel gibi dk bir znrle sahiptirler. Bunlarn znrlndeki
art, teknoloji tarafndan retilebilecek dedektr dizin boyutundaki arta baldr. Kzltesi
radyasyona duyarl byk boyutlu CCD dizinlerinin mevcudiyeti grntlerle elde edilebilecek
znrln ve geometrik doruluun artn salayacaktr. Byk boyutlu dizin gelitirimi ise
ancak dizinin radyometrik kalibrasyonu ile belirlenebilecek ok sayda l ve kusurlu pikselin
oluumuna sebep olabilecektir. Ayrca, bu kameralar grnr blgedeki karlklar ile
kyaslannca video kt sistemi, yk transfer ve veri-k mekanizmas gibi kullanlan elektronik
ve fiziksel yaplarn ounun benzer olduu grlr. Temel farkllk, bu sistemlerde kullanlan
materyallerdir. Bunun sebebi, kzltesi kameralarn altrld dalga boyunun grnr
blgeninkine gre yaklak 10 kat byk olmasdr.
TEEKKR : Bu yaynn hazrlanmasnda gsterdigi katk ve verdii fikirlerden dolay yazar,
blm alma arkada Yrd.Do.Dr. Hakan Akine teekkrlerini sunmaktadr.
39
izelge-3: Orta Kzltesi Blgede alan CCD Kameralarn Teknik zellikleri
Model
Agema 550 Agema 510 Amber AE-4128 Amber AE-4256 Amber
Radiance
Hadland Photonics
PRISM
Mitsubishi
IR-300
Mitsubishi
IR-M500
Dedektr InSb 160 elemanl
lineer dizin
InSb InSb InSb PtSi
PtSi
PtSi
Piksel znrl 320 x 240 Bir alan iin
160 izgi
128 * 128 256 * 256 256*256 320*244 256*256 512*512
Piksel boyutu(m) 50 - 43 * 43 38 * 38 35 - - -
Soutma sistemi Stirling devirli Termoelektrik
(Peltier etkili)
Sv nitrojen Sv nitrojen Sv nitrojen Stirling devirli Stirling devirli Stirling devirli
alma scakl -15 to 50
0
C -20 to 55
0
C 0 to 40
0
C 0
to 40
0
C 0
to 50
0
C -10
to 55
0
C -10
to 50
0
C -10
to 50
0
C
Spektral duyarlk 3.6 to 5m 3 to 5m 1 to 5.5m 1 to 5.5m 3-5m 3-5m 3-5m 3-5m
Video kts PAL, NTSC PAL, NTSC PAL, NTSC PAL, NTSC PAL, NTSC PAL, NTSC PAL, NTSC PAL, NTSC
Mercekler 10
0
x 7.5
0
/1.5m
20
0
x 15
0
/ 0.5m
40
0
x 30
0
/ 0.3m
18
0
x9
0
/ 0.7m - - 11
0
/ 1.5m - - -
Scaklk hassasiyeti 0.1
0
C at 30
0
C 0.1
0
C at 30
0
C <20mK 10mK 0.025
0
C 0.1
0
C 0.2
0
C(27
0
C) 0.15
0
C(27
0
C)
zellikler
41
KAYNAKLAR
/1/ Amin, A.M., : Geometrical Analysis and Rectification of Thermal Infared Video
Frame Scanner Imagery and Its Potential Applications to
Topographic Mapping, Ph. D Thesis, University of Glasgow, 1986
/2/ Beyer, H., : Geometric and Radiometric Analysis of a CCD Camera Based on
Photogrammetric Close-Range System, Dissertation, ETH-Zurich,
1992
/3/ Burnay, S.G., :
Williams, T.L.,
Jones, G.H.,
Applications of Thermal Imaging, Adam Hilger, London, 1988
/4/ Byksalih, G., :
Geometric and Radiometric Calibration of Video Infrared Imagers
for Photogrammetric Applications, Ph. D Thesis, University of
Glasgow, November 1997
/5/ Curry, S., :
Baumrind, S.,
Anderson, J.M.,
Calibration of an Array Camera, Photogrammetric Engineering and
Remote Sensing, 52/5, 1986
/6/ Lee, T.H, :
Tredwell, T.J.,
Burkey, B.C.,
A 360000-Pixel Charge Coupled Image Sensor for Imaging
Photographic Negative, IEEE Transactions on Electron Devices,
Ed-32/8, 1985
/7/ Pol, V., :
Bennewitz, J.H.,
Jewel, T.E.,
Peters, D.W.,
Excimer Laser Based Lithography : A Deep Ultraviolet Waper
Stepper for VSLI Processing, Optical Engineering, 26/4, 1987
/8/ Rosenberg, P., :
Information Theory and Electronic Photogrammetry,
Photogrammetric Engineering, 21/4, 1955
/9/ Seitz, P., :
Vietze, O.,
Spirig, T.,
From Pixels to Answers Recent Developments and Trends in
Electronic Imaging, International Archives of Photogrammetry and
Remote Sensing, 30/5W1, 1995
/10/ Shortis, M.R., :
Beyer, H.,
Sensor Technology for Dijital Photogrammetry and Machine
Vision. In : K.B.Atkinson (ed), Close Range Photogrammetry and
Machine Vision, Whittles Publishing, 1996