6. Annealing(calire) -> proces termic de calire a unui material in urma caruia atomii se rearanjeaza.

-> se face deoarece se modifica intregul comportament electric al at. retelei datorita atomilor de impuritati care sunt asezati interstitial(in golurile retelei si nu in noduri). -> Scop: refacerea retelei cristaline( at. se reintorc din golurile retelei in noduri) si activarea impuritatilor(pentru modificarea rezistivitatii) -> tehnica: se incalzeste repede numai stratul superficial fie cu un laser de putere mare fie cu becuri cu incandescenta.

7. S se schieze calitativ pe acelai grafic curbele C(VG) ideal, de nalt frecven pentru un capacitor MOS cu substrat n i substrat p. Acelai lucru se va repeta pentru curbele reale.

9. A. Schiai i justificai la scar dublu logaritmic dependena mobilitii de temperatur. B. Cum depinde mobilitatea de volum de concentraia de impuriti? C. Valori tipice ale mobilitatii de volum. D. Cum depinde de orientarea cristalografic mobilitatea de volum i mobilitatea de suprafa? A-C:

Cele 2 componente ale mobilitatii depind de temp astfel:

Mobilitatea de suprafata este viteza de deplasare a purtatorilor la suprafata plachetei. Aici numarul de cicniri este mai mare decat in volum, deci mob la supraf este mai mica decat cea in volum Mobilitatea in volum scade cu cresterea concentratiei de impuritati, datorita cresterii probabilitatii de ciocnire intre acestea.

9 D. Cum depinde de orientarea cristalografic mobilitatea de volum i mobilitatea de suprafa?

Mobilitatea de volum este o proprietate izotropa care si nu depinde de orientarea cristalografica Parametrii de material izotropi in volum devin anizotropi la suprafata si astfel mobilitatea de suprafata depinde de orientarea cristalografica

10. Enumerai tipurile de sarcini si proprietile lor caracteristice pentru sistemul Si/SiO2.

a. x = sarcina din starile de suprafata Qss b. + = sarcina fixa de la suprafata Si/SiO2 Qsf c. Na+ = sarcini mobile in oxid d. - = trape induse de radiatie

a. La suprafata periodicitatea existenta in volum dispare si apar nivele discrete de energie Pp ca avem un sg nivel discret rezultat:

densitatea de stari se descrie in cm^-2 eV^-1 si este minima in cazul oxidarii in O2 uscat

b.Qsf

Se observa ca independent de tipul de substrat caracteristica se deplaseaza la stanga (la p la inversie, la n la acumulare) Sarcina Qsf e localizata in SiO2 la 100 A de interfata cu Si. Nu depinde de tipul substratului sau grosimea SiO2 c. Sarcina mobila in oxid

d. Efectele date de radiatie Radiatiile produc deteriorariale oxidului si substratului -> se creaza sarcini in oxid si se va modifica V_T, deci tranzistorul devine incontrolabil

12. Ce este coeficientul de segregaie? Cum depinde valoarea acestui coeficient de parametrii tehnologici? 5BTM2 Curs 7.12 Presupun un aliaj binar AB. Trecerea de la aliajul (A+B) in st solida la (A+B) in st lichida se face pe un interv de timp. Cele 2

elem sunt total miscibile atat in faza solida cat si in cea lichida.

Ta, Tb - temperaturi de topire Fie A siliciul si B impuritatea:

La o T data(alpha) concentratia de B in A este mai mica in solid decat in lichid. Definim coef de segregatie ca fiind rap dintre conc de imp in solid si conc de imp in lichid la o temp data

k este idependent de temperatura

13. Procesul de purificare zonar este eficient dac valoarea coeficientului de segregaie, k, este: (a) k > 1 (b) k = 1 (c) k < 1 Justificati raspuns corect: C

Purificarea zonala a aparut deoarece Si topit e un material f reactiv cu materialele din care sunt facute creuzetele. S-a apelat la topirea zonala:

In vid se evapora P si As, ramane B. Purificarea se obtine dupa cam 10 treceri. Eficienta pt B care are k=0,8. Rezultatul purificarii este un strat p de sute de ohm*cm

16. Ce este i de ce este necesar conservarea reliefului suprafeei plachetei n procesul de cretere epitaxial?

Dupa cresterea epitaxiala ar trebui sa avem un cross section ca in fig (a), dar se observa ca din cauza mastilor dezaliniate ca stratul epitaxial are marginile deplasate, ca in fig (b). De aceea se apeleaza la metoda de conservare a relefului care consta in taierea plachetei cu o inclinare de 5-7 grade fata de directia cristalografica

1. Ce este ciclul de via? Ciclul de viata reprezinta modul in care diversele tehnologii sunt dezvoltate si interesul care se da acestora in decursul timpului. Numrul de componente produse n timp.

2. explicai ce nseamn "technology driver"?

Technology driver reprezinta inventia tehnologica datorita careia se dezvolta o anumita industrie. In cazul microelectronicii, aparitia memoriilor RAM (Random Access Memory) si dezvoltarea acestora au fost motivul investitiei in cercetare si descoperirii a noi metode de procese tehnologice.

3. explicai ce este o camer alb? Cum se caracterizeaz gradul de desprfuire? O camera alba este o camera special amenajata pentru procesele tehnologice. Aceasta trebuie sa respecte un anumit standard legat de curatenie, adica de numarul de particule pe metru cub. Gradul de desprafuire de caracterizeaza prin CLASA. Aceasta poate fi: Clasa 100: mai putin de 100 de particule de diametru mai mare sau egal cu 0.5/ft3 Clasa 10, diametrul mai mic decat 0.35/ft3 Clasa 1 diametrul mai mic decat 0.35/ft3

4. ce este clivarea? Care este planul cristalografic de clivare n siliciu i n GaAs? De ce sunt diferite? Clivarea reprezinta procesul de rupere a unui cristal. Planul de clivare a Si este [111] deoarece acestea sunt cele mai departate. In acest plan placheta se rupe drept. Pentru GaAs este [110].

5. ce proprieti particulare are planul [111] n siliciu? Care sunt efectele acestor proprieti asupra proceselor tehnologice i asupra structurilor de dispozitiv? Planul [111] I siliciu are: Aria proiectiei celulei elementare de
2 2 a 2

Numarul de atomi din arie de 2 3 legaturi disponibile 2.05e14 atomi / cm2 11.8e14 legaturi disponibile / m2 Datorita legaturilor numeroase de pe acest plan, procesele sunt mai lente.

6. descriei i justificai procesul de fabricaie CMOS twin-tub prezentat n figura din pagina 3. Twin-tub rezolva problemele date de latch-up(conexiunea intre well-uri e usor de controlat). Daca nu folosim twin-tuburi ajustarea tens de prag se face simultan pt Vtn si Vtp. Cu ajutorul ac process putem ajusta cele 2 Vt-uri independent. La un inversor presupunand Vth = |Vtp| tens de alim trebuie sa fie de min 3Vt. De asemenea prin proc twintub scapam de o masca si 2 proc fotolitografice. Normal Vth = -0.1V si Vtp = -1.6V. Se face implantare in canal si deplasam simultan ambele Vturi: Vtn = 0.7V Vtp = -0.8V.

a) Se creste epitaxial un str p foarte slab dopat.(Vepi)

Se face o implantare puternica de As(n+) => el n TUB ion implantat. b)

->Inplant de p Se face o inplantare de B(p-TUB). Ca masca se foloseste un oxid gros crescut prin metoda LOCOS. Se face un process termic de annealing. Are loc o redistribuire si suprafata se planarizeaza.

->twin tub drive in Se face o autoaliniere a celor 2 tuburi. Prin diferentele dintre concentratii ajustez conc de e din substrat. Cele 2 TUBuri sunt aliniate si avem posibilitatea de avea Vt mai bun. d)

->non selective p+ source/drain implant. Se face o corodare. Se implanteaza poliSI. Se implanteaza B(p+) in ambele zone

e)

selective n+ sourece / drain implant usig fotoresist mask Se depunde o masca de fotorezist Se face un implant de As in zona pTUB Grila de polisiliciu este aliniata Se face annealing si are loc o redistribuire f)

7. ce efect are creterea concentraiei de impuriti asupra limii benzii interzise? Precizai ordinul de mrime pentru siliciu. Cresterea concentratiei de impuritati duce la o usoara ingustare a latimii benzii interzise. La dopaj mare, ingustarea poate fi de 200meV

8. Ce este un semiconductor compensat? Comparai caracteristicile sale cu acelea ale unui semiconductor care are aceeai concentraie net de impuriti. Ce importan prezint semiconductorul compensat pentru realizarea dispozitivelor semiconductoare i a circuitelor integrate? Un semiconductor compensat este un semiconductor care are si impuritati donoare si acceptoare. Efectul acestora se neutralizeaza (compenseaza). Astfel putem face impurificari multiple (de exemplu intrun substrat p putem face un n-well, apoi in n-well zone p etc.) Nu putem impurifica de oricate ori (nr. De impuritati tinzand spre nr. De at. De Si, 10^22/cm2)

9. explicai de ce primele circuite integrate MOS au fost realizate folosind tranzistoare cu canal p Deoarece tranzistorul natural n este cu canal initial (la VG=0 e on) iar cel p e cu canal inuds. Tranzistorul cu canal p poate fi facut cu canal initial prin implantare de B.

10. schiati i explicai secvena tehnologic de oxidare localizat (LOCOS). Ce este "ciocul de pasre" i de ce apare? Ce limitri introduce existena ciocului de pasre? LOCOS (LOCally Oxidised Sillicon) este metoda prin care izolarea componentelor de pe chip se face prin oxidarea siliciului pana la o grosime de chiar 10 ori mai mare fata de grosimea oxidului din alte zone. Zona care trebuie protejata se mascheaza cu un strat de Si3N4 (azotat de siliciu ??) care este impermeabil la oxigen si apa. Depunearea se face prin metode chimice (CVD Chemical Vapour Deposition) de amestec NH3 + SiH2Cl2. Datorita consumui de siliciu din substrat relieful se distorsioneaza, oxidul devenind de doua ori mai gros decat siliciul din substrat. Asadar pentru 1 de oxid, 0.45 sunt consumati din substrat. Peste aceste straturi se depune un strat de aluminiu (de ce??) care reduce fiabilitatea datorita dificultatii de difuzie termica (chipul se incalzeste mai repede) si datorita efectului de electromigratie (electronii lovesc atomii de Al si ii deplaseaza). Aici mai urmeaza cate ceva dar nu inteleg mare lucru din curs.

Izoloarea de tip LOCOS nu permite miniaturizare pana la nivel VLSI.

Dezavantajul metodei LOCOS este ca la suprafata, concentratia scade foarte mult astfel apar canale parazite.

11. Ce este efectul de latch-up n circuitele CMOS? Care sunt cile de reducere a incidenei acestui efect? Efectul de latch-up consta in aparitia unor tranzistoare bipolare parasite intre dupa tranzistoare MOS alaturate de pe aceeasi placheta. Caile de rezolvare sunt: Adaugarea de inele (ce-s alea??) pentru a scurt-circuita baza si emitorul tranzistorului parazit Cat mai multe contacte la substrat (substrat echipotential) Izolarea cu transee

Sarcinile capturate la interfatata sunt localizate la sinteza Si SiO2 introduc energetic in banda intarziata a Si, respective Qit in C/cm2 12 prezentai comparativ metoda de msurare a rezistivitii cu patru sonde i van der Pauw. 4 sonde: 2 pentru sursa de curent si 2 pt. Un voltmetru. daca s1=s2=s3 => =2s*(V/I) conductor semiinfinit probleme: daca s e prea mare (caderea de tensiune importanta e in jurul contactului) -> 3mm e suficient cat trebuie sa fie proba ca sa fie semiinfinita?

pt. un lingou de raza a, s/a < 0.1 (atunci erorile sunt de cateva procente) pt. o placheta cu latura l, depinde cate laturi sunt de lungime finita. pt. l/s > 5, erori mici. Factor de corectie F(l/s): =F(l/s)2s*(V/I) - pt. Strat subtire R/patrat=4.53V/I

-erori constructive: date de marimea fizica a sondelor Van der Pauw

pentru structuri de tip placa cu contur arbitrar 4 probe dispuse arbitrar se injecteaza curent prin 1 si 2 si se citeste pe 3 si 4 tensiunea si apoi identic cu alte perechi daca sunt cele 2 R masurate sunt egale, atunci f=1 R/patrat = ro/w = (pi/ln2)R

13 in figur este prezentat layout-ul unor transistoare MOS realizate ntr-un proces CMOS n-well; substratul este de tip p. Pentru fiecare transistor: va specifica i se va justifica tipul tranzistorului b.Se vor completa numele straturilor (layers) c.Se va desena seciunea vertical (geometria vertical)
a.Se

corespunztoare zonei indicate prin linia punctat. Linia orizontal de sub fiecare figur corespunde suprafeei siliciului. X. PFL (proc fotolitografic) - detaliati o difuzie Este un preces paralel (20s - 1min), litografie prin mijloace optice

Etape: Pe o pelicula de Si se creste un strat de SiO2. Peste suprafata de SiO2 se depunde fotorezist (PR)

(fotorezist pozitiv) Stratul de fotorezist este iluminat cu lumina UV. Fotorezistul se corodeaza si se creeaza o fereastra

Clivarea. Planul cristalografic de clivare in Si si Ga-As

- Clivarea este ruperea sau spargerea unui cristal dupa un anumit plan cristalografic unde legaturile dintre atomi sun cele mai slabe; - Planul cristalografic de civare al Si (111) ,iar al GaAs (110); - Pe langa legaturile covalente pe care le intalnim si la Si, GaAs legaturi ionice, legaturi de atractie coulombiana; - La Si planele (111) sunt cele mai indepartate (a/3), iar la (100) planele sunt separate diferit chiar daca distant dintre ele este a;

Technology driver

- Technology driver este un produs sau process ce constituie un varf de dezvoltare tehnologica si care avanseaza dezvoltarea unor noi generatii de echipamente sau tehnici de productie; - In anii 1970 1985 s-au dezvoltat memoriile DRAM; - La procesoarele complexe apare problema manipularii din cauza cresterii numarului de terminale. Astazi un processor are peste 1000 de terminale si nu pot fi toate cu iesire laterala. Problema este cauzata de putere si de numarul de terminale( necapsulare Dual Inline Package).

- Acum 25 de ani, prin intermediul regulii lui Rent se stabileste numarul de terminale in functie de numarul de tranzistoare sic el de porti: Nr terminale= A*(nr total de tranzistoare)B; A,B constant determinate de cea mai buna potrivire; - Technology driver stabileste modul de incapsulare Ball Grid Array ce asigura o dispersie termica mai buna; Camera alba. Gradul de desprafuire

- Camera alba este un mediu, folosit de obicei in productie sau cercetare stiintifica, a carei atmosfera este riguros controlata din punct de vedere al contaminarii cu praf. - Gradul de desprafuire se exprima prin numarul de particule/feet3, la odimensiune specificata a particulei; - Cu ajutorul filtrelor High Efficient Particulate Air, aerul se pompeaza si se recircula, iar ventilatia se face astfel incat curgerea aerului sa fie laminara. - Clasificare: clasa 100 (<100particule de >0.5m/ft 3) clasa 10 (<10particule de >0.35m/ft 3) clasa 1 (<1particule de >0.35m/ft 3)

Proprietatiile particulare ale planului (111) ale Si si efectele acestora asupra proceselor tehnologice si structurilor de dispotiv

- Aria proiectiei celului elementare este 2/2*a2 . Numarul de atomi din aceasta arie este de 2, iar numarul de legaturi disponibile este de 3. Atomi/cm2 = 7.85*1014; Legaturi disponibile/cm2 =11.8*1014; - Numarul maxim de legaturi disponibile/cm2 se afla in planul (111) atunci cand vor avea loc procese de tip anizotrope, procesul cel mai lent va avea loc pe planul (111) - In cursul procesului de crestere a cristalului se pun in evidenta fetele planului de corodare (111). Pe alt plan corodarea merge mai repede; - Planul (111) are numarul maxim de legaturi disponibile, deci vteza minima a unei reactii e pe (111); - Cand se creste un cristal, (111) creste cel mai incet; - Oxidarea termica se face cel mai incet pe (111); - Spargerea cristalului are loc pe (111); - Implantarea de ioni se face dupa (111). Twin tub

- Twin tub rezolva problemaele date de latch-up, conexiunea intre Well-uri este usore de contralat. - Cu ajutorul procesului CMOS Twin tub, ajustarea Vtn si Vtp se face indepent. Metode de izolare utilizate in CI

1. Izolarea cu jonctiuni polarizate invers: - Fiecare component se pune intr- o insula izolata astfel incat intre component sa nu existe comunicare directa;

- Contactele se fac cu aluminiu; - Dezavantajele metodei constau in aria consumata din cauza izolarii si faptul ca nu se poate scala.

2. Locally Oxidized Silicon LOCO 3. Etapele implementarii metodei:

3. Izolarea dielectrica 4. Trench isolation (izolarea cu transee de mica adancime) - Se face prin saparea unor santuri, corodare in plasma; - Peretii acestor santuri se oxideaza; - Se fac depuneri de polisiliciu pentru a umple santurile;

5. Side Wall Mark Isolation 6. Silicon On Isolation 7. SiMOX Cresterea exponential a complexitatii circuitelor VLSI. Imaginea tehnologica a cresterii complexitatii

Complexitatea se defineste ca numaru de component in rapor cu cip. dN/dt~N rata de crestere e determinate de acumularea anterioara. Rata de dezvoltare la 1.5 ani, respective la fiecare 5 ani.

Solubilitatea Solida Maxima SSM - Solubilitatea Solida Maxima este concentratia maxima de impuritati care poate fi introdusa intr-un substrat (1022 - 1023).

Aliajul eutectic Aliajul eutectic este o combinative de metale care are o temperature de topire mai mica decat temperaturile de topire ale maetalelor constituent. Termenul eutectic definete un aliaj sau un amestec, a crui temperatur de topire este mai mic dect temperatura de topire a oricrui dintre elementele constitutive. Epitaxia cu fascicul molecular Este o metod de cretere epitaxial implicnd interacia chimic a unuia sau mai multor fascicule atomice sau moleculare cu suprafaa unui substrat monocristalin nclzit. A fost inventat la sfritul anilor 1960, la Bell Telephone Laboratories, de J.R.Arthur i Alfred Y. Cho. - Metoda consta in a proiecta molecule la suprafata substratului. - Epitaxia cu fascicul molecular se produce n vid nalt sau n ultranalt (). Cea mai important caracteristic a tehnicii este rata foarte mic de cretere (ntre 1 i pe minut). Cu ct viteza de

cretere avut n vedere este mai mic, cu att vidul disponibil trebuie s fie mai naintat, pentru a evita impurificarea cu elemente nedorite a materialului depus. Pa810300nm - n tehnicile MBE cu surs solid, elemente (de exemplu galiu i arseniu) n stare ultra-pur sunt nclzite n celule de efuzie separate pn la temperaturi de sublimare. - Prin reglajul celulelor de vaporizare se creeaza un jet de molecule in directia substratului putand realize un jet de molecule, strat cu strat structure complexe precum super retelele. Electromigrarea - Apare in cazul tehnicii de oxidare LOCOS, cand in primele incercari se face oxidarea pe Si. Apare o diferenta de nivel intre zona oxidata. Aceasta diferenta de nivel intre zona oxidata sic ea neoxidat, aceasta fiind pusa in evident la metalizarea cu Al. - Densitatea care trece treapta este de doua ori mai mare, iar locul respective se incalzeste; aparand fenomwnul de electromigrare. Daca traseul functioneaza la densitati spectrale mari, dupa o functionare indelungata, aluminiul migreaza spre alte zone. Metalizare cu Al spiking

- Metalizarea cu Al s-a folosit pana acum 5-7 ani ca ulterior sa fie schimbata in detrimental Cu deaoarece RCu>RAl/2. Dar Cu nu se poate depune Al. - Dezavantajele metalizarii cu Al constau in electromigrare si frecventa relativ mare.

- Cu cat jonctiunea e mai superficiala cu atat pericolul de scurtcircuit e mai mare. Intre straturile de metal apar pluguri (distantare).

Tranzistorul lateral pnp - Extinde performantele tranzistorului npn; - Emitorul si colectorul se formeaza in aceeasi difuzie cu difuzia de baza a npn-ului. - Etapele procesului tehnologic de realizare a unui transistor pnp: Se porneste de la o placheta de tip p in care prin intermediul litografiei se deschide fereastra de difuzie; Se difuzeaza stratul ingropat de tip n+ pentru reducerea rezistentei serie de colector; Se realizeaza o crestere epitaxiala de tip n; Se difuzeaza emitorul si colectorul; colectorul are forma unui inel de tip p care inconjoara emitorul; Se realizeaza contactul cu baza in afara inelului ce formeaza colectorul, conexiune la stratul epitaxial (de tip n); - Liniile de camp care corespund traseului purtatorilor de sarcina se inched in plan orizontal , adica paralele cu suprafata dispozitivului. Actiunea de transistor are loc lateral de unde si denumirea structurii, baza fiind realizata in stratul epitaxial. - Caracteristicile tranzistorului pnp laterale. Datorita grosimii mari a bazei frecventa de taiere este de valoare scazuta.

Castigul in current este mai mic decat la tranzistoarele npn din urmatoarele motive: / purtatorii minoritari sunt injectati din baza nu numai lateral, ci si in jos, astfel ca unii dintre ei sunt colectati de substrat care actioneaza drept colector pentru tranzistorul pnp vertical; /emitorul nu este la fel de puternic dopat ca cel al tranzistoarelor npn asa incat eficienta de injectie este mai scazuta / gosimea mai mare a bazei conduce la o eficientade injective mai scazuta a emitorului cat si la un factor de transport de valoare coborata / doparea mai slaba a regiunii bazei determina scaderea castigului de current la nivele mari de injective.