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TEMA 7:
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TECNICAS DE DEPOSICION QUIMICA
EN FASE VAPOR (CVD)
CONTENIDO:
8. RESUMEN Y CONCLUSIONES
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1.- ASPECTOS GENERALES
• Características:
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1.- ASPECTOS GENERALES (Cont’n)
a) Mecánicas:
Resistencia al desgaste C(diamante y cuasi-diamante)
BN, B4C, SiC, AIN, Si3N4
TiN, TiC, TiB2,
CrSi2, MoSi2, Mo2C,
Al2O3, ZrO2, BeO
b) Eléctricas y magnéticas:
Ferro- y piezoeléctricos BaTiO3, PbTiO3, LiNbO3
c) Opticas:
Absorción selectiva BaF2/ZnS, CeO2, CdS, SnO2
d) Electrónicas
Semiconductores Si, GaAs, GaP, CdS
Aislantes SiO2, Si3N4
Conductoras Al, Cu, Au, W, SiTi2,
SiCo2, SiCr, SiTa2
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1.- ASPECTOS GENERALES (Cont’n)
Tabla II
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2. ASPECTOS BASICOS DE LAS REACCIONES DE CVD
Activación gases:
- térmica
- plasma
- fotones
Gases reacción
Substrato Recubrimiento
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2. ASPECTOS BASICOS DE LAS REACCIONES DE CVD (Cont’n)
Tabla II
TIPOS REACCIONES
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3. CINÉTICA DE LAS REACCIONES DE CVD:
(a) Transporte
hacia el sustrato
(f) Transporte al
Flujo gas
exterior
(c)
• Etapas de la reacción:
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3. CINÉTICA DE LAS REACCIONES DE CVD (cont’n):
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3. CINÉTICA DE LAS REACCIONES DE CVD (cont’n):
Difusión
log vdep P1
Control de
superficie
P2
P3
P1 < P2 < P3
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4. CLASIFICACION DE LAS TÉCNICAS DE CVD
TIPO DE DENOMINACIÓN
EQUIPO UTILIZADO
ACTIVACIÓN (*)
Calentamiento por resistencia,
TERMICA inducción de RF, radiación IR, CVD ó LPCVD
etc.
PLASMA Descarga eléctrica en cc o ca
PACVD
(+ calor) (RF, microondas, etc.)
FOTONES
(+ calor) Láser, lámpara de Hg, etc. LCVD
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4. CLASIFICACION DE LAS TÉCNICAS DE CVD (Cont’n)
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4. CLASIFICACION DE LAS TÉCNICAS DE CVD (Cont’n)
Tabla III
Presión, P 1 1000
Difusividad, D 1000 1
Recubrimiento conforme ?
• Modelo:
Perfil de
Veloc., v velocidades
x = (μd/ρv)1/2
(μ = viscosidad
d gases)
Capa límite, x
Muestras
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4. CLASIFICACIÓN DE LAS TÉCNICAS DE CVD (Cont’n)
Plasma
RF
Gases de Átomos o
reacción moléculas neutras
Iones positivos
Vacío Electrones
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4. CLASIFICACION DE LAS TÉCNICAS DE CVD (Cont’n)
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4. CLASIFICACION DE LAS TÉCNICAS DE CVD (Cont’n)
Gases
reacción
Ventanas
Reacción de
fotólisis
Láser
Reacción de Porta-substratos
pirólisis
Vacío
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5. EQUIPOS DE CVD PARA LA PRODUCCION
Control
presión
Filtro
Control flujo Manómetro Muestras partículas
Reactor
Horno
SiH4
NH3
Válvula
N2 mariposa
Válvula
H2
Control T electro-
Rotámetro neumática
N2 Bomba
(purga) Roots
Aliment. horno
Válvulas Flujómetros
todo/nada Bomba
rotatoria
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Sistema de LPCVD para la deposición de capas delgadas
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6. ALGUNAS VARIANTES DE LA TÉCNICA DE CVD
• Las técnicas de CVD son ampliamente utilizadas en la obtención de una
gran variedad de compuestos en capa delgada. En muchos casos es
preciso introducir variaciones en la técnicas convencionales para
conseguir capas con una estructura específica. Entre estas variantes
se encuentran las denominadas como:
− Epitaxia de capas atómicas (Atomic Layer Epitaxy o ALE)
− CVD de organometálicos (Metal organic CVD o MOCVD)
− CVD de lecho fluidizado (Fluidised Bed CVD o FBCVD)
H2S ZnCl2
ZnS
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• Se trata de una reacción en superficie en condiciones casi ideales (no
hay reacción en fase gas, por lo que el depósito puede crecerse en
condicione de epitaxia. Sin embargo, muy a menudo las capas
resultantes son cristalinas o amorfas.
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• Según se muestra en la figura, la muestra se encuentra suspendida en
el interior de un reactor vertical que contiene un lecho de partículas
que pueden se inertes a los gases de reacción (Al2O3, en el ejemplo) o
participar en la reacción para dar un depósito del mismo material. En la
parte inferior del reactor existe una placa porosa que permite el paso
de la mezcla de gases de reacción al interior distribuyéndose de forma
homogénea.
• La transferencia de calor a través de las partículas del lecho permite
que el sistema alcance rápidamente la temperatura de equilibrio, con lo
se pueden obtener recubrimientos muy uniformes, y con espesores
elevados
• La técnica es muy versátil, y puede ser utilizada para la obtención de
un gran número de recubrimientos. La técnica ha sido también
utilizada para el recubrimiento de polvos.
Salida gases
Lecho fluidizado
(partículas de Al)
Horno
Sistema
lavado
gases
Sustrato
Sistema
lavado Placa
porosa
Ar
HCl
H2
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7. EJEMPLO DE DEPOSICIÓN DE MEDIANTE LA
TÉCNICA DE CVD: CAPAS DE SIO2
PROPIEDADES APLICACIONES
• Métodos de deposición:
4 PH3 + 5 O2 → 2 P2O5 + 6 H2
Adición de
dopante
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6. EJEMPLO DE DEPOSICIÓN DE MEDIANTE LA TÉCNICA DE CVD: CAPAS DE SIO2
Tabla IV
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7. RESUMEN Y CONCLUSIONES
• Características positivas:
• Limitaciones:
− Factibilidad de la reacción
− Cinética de reacción compleja
− Formación de subproductos, reacción homogénea (polvo)
− Daño por radiación (PECVD, láser)
− Manejo de gases peligrosos:
− ¿Substitución por fuentes líquidas ?
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BIBLIOGRAFÍA
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