CUARTA EDICION CIRCUITOS GELECTRONICOS Adel S. Sedra Universidad de Toronto Kenneth C. Smith Universidad de Toronto y Hong Kong Universidad de Ciencia y Tecnologia Traduccié Eduard Grycuk Jorge Humberto Romo Muftoz Revisién técnica: Eduardo Ramirez Grycuk OXFORD UNIVERSITY PRESSOXFORD Antonio Caso 142, San Rats, Delegacion Coauhtémoe, CB. 06470, México, D.E “Tel: 8592 4277, Fax: $705 3738, e-mail: oxford@oupmes. com.mx ‘Oxford Uniiesicy Presses un departamento de la Universidad de Oxford. Promueve el objetivo dela Universidad reativo ala exelencia en la investigacin, erudicién ' edueacin mediante publieaciones en todo ef mundo en Oxford Mésieo ‘Atenas. Auckhnd Bangkok Buenos Aires Caleta CCarscas Chensai Ciudad del Cabo Dares-Salsam Delhi Extambul Florencis ‘Hong Kong Karchi, Kuala Lumpur Madrid Melbourne Mumbai Nairobi Nueva York Paris Sanealé de Bogots Santiago de Chile S$0 Paulo Singapur Tsipe! Tokio. Toronto’ Vareovs, (Cos compan afiiadas en Berlin Toadan (Oxford es una mates registrada de Oxford Univenty Press en el Reino Unide y otros pales Publicado en México por Oxford Univerty Prese México, S.A. de CV. Divsiba Univers ‘Area Ingenta Spor edit: Jorge Alberto Ruiz Gonaslez “Eiicion: Lis Gandalupe Aguilar Iirte Produciin: Antonio Figueredo Hurtsdo ‘CIRCUITOS MICROELECTRONICOS “Todos los derechos reservados © 1999, respect a esta edcia en espaol por Oxford University Pres Mesico, S.A. de CV. [Ninguina parte de esta poblicieion puede reproduce, almacenarse ch un sistera de recupersci6n ‘ eransmiie, ch ninguna forma mi por ningin med, sn Is acorizaciOn preva y por escrito de Oxford University Pre Ménico, S.A. de CV. Ls connulas reativasa la rproduccion éeben envatse al Departamento de Petmisos y Derechos de Oxlund University Press Mesico, S.A. de CV, 1 0 oF 7 0 1 0 0 Tempe 4.8 Variacion de una sel digital binara en particular en el tempo.8 26 INTRODUCCION A LA ELECTRONICA Si utilizamos NV digitos binarios (bits) para representar cada muestra de la seiial analégica, ‘entonces el valor de la muestra digitalizada se puede expresar como D= b(2? + 5,2! + BDH + by a3) donde by, by. Dy, denotan los N bits y tienen valores de 0 0 1. Aqui el bit bs es el minimo bit significativo (LSB) y el by, €s el maximo bit significative (MSB). Convencionalmente, este mimero binario se escribe como bu.ibu-2 + - - bo. Observamos que esta tepresentacién cuantifica la muestra analégica en uno de 2" niveles, Obviamente, cuanto mayor sea el nimero de bits (es decir, cuanto mayor sea N), més se aproxima la palabra digital D a la magnitud de la muestra analégica. Esto es, al aumentar el nimero de bits se reduce el error de ewantificacién aumenta la resolucién de la conversiGn de anal6gica @ digital. Esta mejoria se obtiene, en ‘cualquier caso, a costa de la implementacién de circuitos més costoses y mas complejos. No es nuestra finalidad aqui ir mas al forido en este tema; s6lo deseamos que el lector valore la naturaleza de sefiales anal6gicas y digitales, pero es oportuno introducir un elemento de ircuitos muy importante en sistemas electrénicos modemnos: el convertidor de analégico a ital (A/D o ADC), que se muestra en forma de bloques en la figura 1.9. En su entrada, el ADC acepta las muestras de una sefial analdgica y por cada muestra de entrada proporciona La correspondiente representacién digital de N bits (segin la ecuacién 1.3) en sus N terminales de salida, De esta forma, aun cuando el voltaje en la entrada pueda ser, por ejemplo, de 6.51 V, en cada una de las terminales de salida (por ejemplo la /-ésima), el voltaje seria bajo (0 V) o alto (8 V), si se supone que 6, es 0 1, respectivamente. Estudiaremos el ADC y su circuito dual de convertidor de digital 2 analégico (D/A 0 DAC) en el capitulo 10. J—o 4 ae Enna * Convenidor, . JF" | saa grama a biogues del convertidor analgia "AD 5 coy. | Sal analdgio a digital (ADC). be ‘Una vez quella seal se encuentre en forma digital, se puede procesar usando circuitos digitale, Por supuesto que los circuitos digitales también manejan sefiales que no tienen un origen anal6gico, ‘como son las sefiles que representan las diversas instrucciones de una computadora digital. ‘Como los circuitos dgitales manejan exclusivamente seiales binarias, su disefio esmas sencillo «que los analégicos. Ademds, se pueden disefiar sistemas digitales que utlizan relativamente poces Clases diferentes de bloques de circuitos digitales, aun cuando suele hacerse necesario un gran ‘iimero (cientos de mils, incluso millones) de cada uno de estos bloques. Asi el diseio de creuitos digitales posee su propio conjunto de desafios para el diseiador, pero proporciona implementacio- nes confiables y econdmicas de una gran variedad de funciones de procesamiento de sefiales, algunas de las cuales no-son’posibles con circuitos anal6gicos. En muestros dias, cada vez més funciones de procesamiento de sefales se realizan en forma digital. A nuestro alrededor abundan ejemplos: desde el reloj dighal y fa calculadora hasta sistemas digitales de audio y, en un futuro cercano, television digital. Ademas, algunos sistemas analégicos con muchos afos de servicio, como los sistemas de comunicacién telefénica, son digitales casi por completo. Y no debemos ‘olvidar al més importante de todos los sistemas digitales: la computadora digital.Ejerc 27 1.4 AMPLIFICADORES 9 Los elementos bésicos de sistemas digitales son circuits Iogicos y cireuitos de memoria y a ambos los estudiaremos en este libro, comenzando en la seccién 1.7 con el cireuito digital mas ‘fundamental de todas: el inversorlogico digital. ‘Una observacién final: aun cuando el procesamiento digital de sefiales lo invade todo en la ‘ctualidad, atin quedan muchas funciones de procesamiento que se llevan a cabo mejor mediante Circuitos analégicos. En realidad, muchos sistemas electrénicos contienen piezas tanto anal6gi- cas como digitales. Se concluye que un buen ingeniero en electronica debe conocer el disefo tanto de circuitos analégicos como digitales. Esta es la finalidad de este libro. 4.4 Considere una palabra digital de bits D= 5 bby by (véase la ecuacién 1.3) utlizada para representa una sefial analégica v, que varia entre 0 Vy +15 V. (#) Dé D correspondiente a y,=0°V, 1 V,2Vy 1S V. (©) :Qué cambio env, ocasiona un cambio de 0.81 en: by (i) bis i) bay (W) by? (©)Sivg=5,2 V, cqué espera el lector que sea D? {Cuil es el error resultante en representacién? Resp. (a) 0000, 00 01, 010, 1111; ) +1 V,+2V,48V, +8 Vs (@)—4% 1.4 AMPLIFICADORES En esta seccién introduciremos una funcién fundamental de procesamiento de sefal, que se utiliza en alguna forma en casi todo sistema electrénico, esto es, la amplificacién de una sefal Amplificacin de una sefial ‘Desde un punto de vista conceptual, el trabajo més sencillo de procesamiento de seialeses el dela amplificacién de una sefal. La nevesidad de amplificacién resulta porque los transductores ‘Producen sefiales que se dice son “débiles”, es decir, del orden de microvolts (:V) o mlivots (mV) ¥ poseen poca energia. Estas sediales son demasiado pequetias para un procesamiento confiable y 1 procesamiento es mucho més fécil si la magnitud de la sefial se hace mas grande. El bloque funcional que logra esta tarea ese! amplificador de sefiaes. Es oportuno en este momento estudiar la necesidad de linealidad en amplificadores. Cuando se ‘amplifica una sf, debe tenersecuidad para que la informacién contenida en Ia seial no sea cambiada Y¥ no se introduzea ninguna informacién nueva. Por lo tanto, cuando la sefial que se muestra en la ‘figura 1.2 se alimente en un amplificador, deseamos que la sefal de salida de! amplificador sea una ‘éplica exacta dela de in entrada, excepto, por supuesto, que tiene una magnitud mayor. En otras palabras, los “aivenes” de la onda de salida deben ser idénticos alos de la onda de entrada. Cualquier cambio en Ja forma de onda se considera una distorsidn y es, obviamente,indeseable. ‘Un amplificador que conserva los detalles de la onda de la sefial esté caracterizado por la relacién walt) = Av(t) a4)28 10. INTRODUCCION A LA ELECTRONICA donde wy up son las seftales de entrada y salida, respectivamente, y 4 es una constante que representa la magnitud de amplificacién, conocida como ganancia de amplificador. La ecuacién (1.4) es una relacién lineal, por lo que el amplificador descrito por ella es un amplifieador lineal. Debe ser facil ver que si la relacién entre v. y v, contiene potencias més clevadas de u,, entonces la onda de v, ya no sera idéntica a la de, Se dice entonces que el amplificador exhibe distorsién no lineal, Los amplificadores estudiados hasta aqui estan destinados basicamente a operar con sefales de entrada muy pequefias. Su propésito es hacer mas grande la magnitud de la seal y, por lo tanto, ‘estan considerados como amplificadores de voltaje. Ei preamplificador del sistema de sonido estéreo de nuestros hogares es un ejemplo de un amplificador de voltae, pero por lo general hace ‘més que s6lo amplificar la sefial; en particular, ejecuta alguna forma de conformacién del espectro de frecuencias de la sefial de entrada, pero este tema esté fuera de nuestras necesidades en este ‘momento. Por ahora deseamos mencionar otro tipo de amplificador, esto es, el amplificador de potencia, Estos amplificadores pueden dar s6lo una pequefia cantidad de ganancia de voltaje pero una considerable ganancia en corriente. Por lo tanto, mientras que absorben muy poca potencia de la fuente de sefal de entrada a la que estén conectados, que es con frecuencia un preamplificador, centregan grandes cantidades de potencia a su carga. Un ejemplo se encuentra en el amplificador de potencia de un sistema estéreo domeéstico, cuya finalidad es dar suficiente potencia para excitar el altavoz. Aqui debemos observar que el altavoz es el transductor de salida del sistema estéreo; cconvierte la sefialeléctrica de salida del sistema en una sefial acistica. Una apreciacién posterior de la necesidad de linealidad se puede tener al reflejar en el amplificador de potencia. Un amplificador lineal de potencia hace que los pasos suaves y fuertes de miisica se reproduzcan sin distorsién. Simbolo de un circuito amplificador Es obvio que el amplificador de sefales es una red de dos puertos; su funciGn esté convenientemente representada por el simbolo de circuito de la figura 1.10(a). Este simbolo claramente distingue los puertos de entrada y salida e indica la direccién del flujo de sefal. Por lo tanto, en diagramas subsecuentes no serd necesario marcar los dos puertos como “entrada” y “salida”. En términos ge- nerales hemos mostrado que el amplificador tiene dos terminales de entrada y son distntos de los dos terminales de salida. Una situacién més comin se ilustra en la figura 1.10(b), donde existe un terminal comin entre los puertos de entrada y salida del amplificador. Este terminal comim se utiliza como punto de referencia y se llama tierra del cireuito, Entrada > Salida Entrada Li Salida @ ©) 1.40 (a) Simbolo de circuito para amplificador. (b) Un amplificador con terminal comin (tierra) entre los puertos de entrada y sada,29 spapatsion 1.4 AMPLIFICADORES 11 Ganancia de voltaje ‘Un amplificador lineal acepta una seal de entrada uy proporciona a lasalida, en los terminales de una resistencia R; de carga (véase la figura 1.11(a)), una sefial de salida u.() que es una réplica amplificada de v(/). La ganancia de voltaje del amplificador esté definida por Ganancia de voltae (4,) = 22 as) En la figura 1.11(b) se muestra la curva caracteristica de un amplificador lineal. i ala entrada de este amplificador aplicamos un voltaje senoidal de amplitud V, obtenemos a la salida un senoide de amplitud 4,¥. © ) Fig. 1.11. (a) Amplifcador de voltae alimentado con una seal v())y conectado a una resistencia de carga Ry (b) Curva caracterstca de ranserencia de un amplifcador lineal de voltaje con ganancia de voltae 4 Ganancia de potencia y ganancia de corriente ‘Un amplificador aumenta la potencia de sefal, caracteristica importante que distingue a un ampli- ficador de un transformador. En el caso de un transformador, aun cuando el voltaje entregado ala carga podria ser mayor que el voltae que se alimenta en el lado de entrada (el primario), la potencia entregada 2 la carga (desde el secundario del transformador) es menor o igual que la potencia alimentada por la fuente de sefial. Por otra parte, un amplificador proporciona a la carga una potencia mayor que la obtenida desde la fuente de sefial, es decir, los amplificadores tienen ganancia de potencia. La ganancia de potencia del amplificador de la figura 1.11(a) esté definida como ppotencia en la carga (P,) Ganancia de potencia (A,) a fe akan PD a6) volo an12 30 INTRODUCCION A LA ELECTRONICA donde jes la corriente que el amplificador entrega a Ia carga (R,), fo = UolRi,€ fy €s la corriente ‘que el amplificador toma de la fuente de sefial. La ganancia de corriente del amplificador esta definida como Ganancia de corriente (4) (8) De las ecuaciones (1.5) a (1.8) observamos que as) Para expresar la ganancia en decibeles Las ganancias de amplificador definidas antes son razones entre cantidades de dimensiones semejantes. Por lo tanto, estardn expresadas ya sea como nimeros sin dimensiones o bien, para ‘mayor énfasis, como V/V para la ganancia de voltaje, A/A para la ganancia de corriente y W/W para la ganancia de potencia, De manera opcional, por varias razones, algunas de elas histércas, algunos ingenieros eleetrénicos expresan la ganancia de un amplificador con una medida logart- ‘mica. En particular, la ganancia de voltaje 4, se puede expresar como Ganancia de voltaje en decibeles™= 20 logld| 4B yy la ganancia de corriente 4, se puede expresar como Ganancia de corriente en decibeles=20log|4| dB ‘Como la potencia est relacionada al cuadrado del voltaje (0 comiente), a ganancia de potencia 4, se puede expresar en decibeles como sigue: Ganancia de potencia en decibeles=10 log 4, 4B Los valores absolutos de las ganancias de voltae y coriente se utilizan porque en algunos casos A, 0A, pueden ser nimeros negatives. Una ganancia negativa 4, simplemente significa que hay ‘una diferencia de fase de 180° entre las sefiales de entrada y saida; no implica que el amplificador esté atenuando la seal. Por otra parte, un amplificador cuya ganancia de voltae sea, par ejemplo, de ~20 dB esté en realidad atenuando la sefal de entrada en un factor de 10 (esto €s, 4,011 V/V) Fuentes de alimentacién de un amplificador Como la potercia entregada a la carga es mayor que la tomada desde la fuente de sefal, surge la ‘pregunta sobre la fuente de esta potencia adicional. La respuesta se encuentra al observar que los, amplificadores necesitan fuentes de alimentacién de cd para su operacién. Estas fuentes de ed alimentan potencia adicional entregada ala carga, al igual que cualquier otra potencia que pudiera ser disipada en el circuito interno de! amplificador (esta potencia se convierte en calor) Ena figura 1.11(@) no hemos mostrado explicitamente estas fuentes de cd. En a figura 1.12(@) se muestra un amplificador que requiere dos fuentes decd una positiva de valor M; y una negativa de valor V2. El amplificador tiene dos terminales, marcadas V* y V°, para cconexién a las fuentes de cd, Para que el amplificador funcione, la terminal marcada como V* tiene ‘que estar conectada al lado positivo de una fuente de ed cuyo voltaje sea V; y cuyo lado negativo ‘esté conectado @ la tierra del circuito. Del mismo modo, el terminal marcado como tiene que31 1.4 AMPLIFICADORES 13 @ © Fig: 4.12 Amplificador que necesita dos fuentes de ed (indicados como baterias) para su operacién. ‘estar conectado al lado negativo de una fuente de ed cuyo voltaje sea V2 y cuyo lado positivo estéco- nectado a la tierra del circuito. Ahora sila corriente tomada de la fuente positva se denota como 1. y ta de la fuente negativa es /; (véase la figura 1.12(a)), entonces la potencia de cd entregada al amplificador es Pea=Vilh + Val Silapotencia disipada ene! circuito del amplificador se denota como Papa laecuacién de balance 4e Fotenicia para el amplificador se puede escribir como donde P; es la potencia tomada dela fuente de sefiales y Pes la potencia entregad a la carga. Como Japotencia tomada dela fuente de sefales suele ser pequetia a eficiencia del amplificador se define como (1.10) Laeficiencia de potencia es un parimetro importante de operacién para amplificadores que manejan ‘grandes cantidades de potencia. Estos amplificadores, que reciben el nombre de amplificadores de ‘Potencia, se wilizan, por ejemplo, como amplificadores de salida de sistemas de audio. Para simplificar diagramas de circitos adoptaremos la convencién que se ilustra en la figura 1.12(b). Aqui, el terminal V” se muestra conectado a una flecha que apunta hacia arriba y el terminal ¥- a uma flecha que apunta hacia abajo. El voltaje correspondiente se indica junto a cada flecha. Obsérvese que en muchos casos no mostramos explicitamente las conexiones del amplificador a las fuentes de potencia de od. Finalmente, observamos que algunos amplificadores necesitan sélo una fuente de potencia. EJEMPLO 1.4 ‘Considere un amplificador que opera desde fuentes de potencia de +10 V, Se alimenta con un volaje semoidal que tiene 1 V pico y entrega una salida de voltaje senoidal de 9 V pico a una carga de 1 kO. El amplificador toma una corriente de 9.5 mA de cada una de sus dos fuentes de potencia. Se2 14 INTRODUCCION ALA ELECTRONICA ‘encuentra que la corriente de entrada del amplificador es senoidal con 0.1 mA pico. Encuentre la ‘ganancia de volte, la ganancia de corriente, la ganancia de potencia, la potencia tomada de las fuentes deed, la potencia disipada en el amplificador y laeficiencia del amplificador. Gomer An? 9VN A,= 20 log 9 ~ 19.1 4B ov 0.AIA 4,= 20 log 90= 39.1 4B 99 PL=Vadla.= fe 2.= 40.5 mW BE Pere ho oe Pe 40s. PF 0.05 810 WW 0.05 mw 0 log 810 = 29.1 4B Pu=10x9.5+10x9.5= 190 mW Pasatn™ Pea Py Py = 190 + 0.05 - 40.5 49.6 mW Py top = FX 100= 21.3% Del ejemplo anterior observamos que el amplificador convierte parte de la potencia de ed que toma de las fuentes de potencia en potencia de sefial que entrega a la carga. Saturacién de un amplificador En témminos practicos, la curva caracteristica de transferencia del amplificador permanece lineal en s6lo un intervalo limitado de voltajes de entrada y salida. Para un amplificador operado desde dos fuentes de potencia, el voltaje de salida no puede exceder de un limite positive especificado y no ‘puede disminuir por debajo de un limite negative especificado, La curva caracteristica de transfe-33 1.4 AMPLIFICADORES 15 rencia resultante se muestra en la figura 1.13, con los niveles de saturacién positivo y negativo R. Un amplificador ideal de voltae esaquel con R,= oe. En este caso ideal, tanto la ganancia de corriente como la ganancia de potencia se hacen infinitas. La ganancia total de voltaje (v/v, se puede encontrar al combinar las ecuaciones (1-12) y (1.13) ve RR oe RARRAR Hiay situaciones en las que uno estéinteresado no en ganancia de volaje, sino sdlo en una ganancia significativa de potencia. Por ejemplo, la sefal de la fuente puede tener un voltaje considerable pero también una resistencia de fuente que es mucho mayor que la resistencia de carga. Conectar directamente Ja fuente a la carga resultaria en una atenuacién considerable de la sefal. En un caso como éste, se requiere tm amplificador con una elevada resistencia de entrada (mucho mayor que la resistencia de la fuente) y una baja resistencia desalide (mucho menor que la resistencia de carga), pero con una modesta sganancia de voltae (incluso ganancia nitaria). Este tipo de amplificadores se conoce como amplifica- dor separador. Varias veces encontraremos amplificadores separadores en este libro. EJEMPLO 1.3 En la figura 1.18 se describe un amplificador compuesto de una cascada de tres etapas. El amplificador estéalimentado por una fuente de sefales con una resistencia de fuente de 100 ky centrega su salida a una resistencia de carga de 100 . La primera etapa tiene una resistencia de entrada relativamente alte y un modesto factor de ganancia de 10. La segunda etapa tiene un mas clevado factor de ganancia pero una menor resistencia de entrada. Finalmente, la tltima etapa, o de salida, tiene una ganancia unitaria pero una baja resistencia de salida, Deseamos evaluarla genancia total de volta, es decir v/v, la ganancia de corriente y la ganancia de potencia, Rome La fraccién de sefial dela fuente que aparece en losterminales de entrada del amplificador se obtiene usando la regla del divisor de voltae en la entrada, como sigue: ta ___-1Mo uy 1MQ+ 100K 909INTRODUCCION ALA ELECTRONICA, ‘ef La ganancia de voltaje de la primera etapa se obtiene considerando que la resistencia de entrada xsi de a segunda etapa es la carga de la primera etapa, es decir, 1005 100 KQ+ 1k iat Del mismo modo, la ganancia de voltaje de la segunda etapa se obtiene considerando la resistencia de entrada de la tercera etapa como la carga de la segunda etapa, 22 = 199 Wk = 90.9 VV As Ua 1OkQ+1kQ Finalmente, la ganancia de voltaje de la etapa de salida es como sigue: a dont 1009 se =a, 1000+100 .909 VV La ganancia total de las tres etapas en cascada se puede encontrar ahora a partir de A,S = Aad = 818 VV 0 sea 58.3 6B Para hallar la ganancia de voltaje de la fuente a la carga multiplicamos 4, por el factor que ‘representa Ia pérdida de ganancia en la entrada, esto es, & = 818 x 0.909 = 743.6 VIV 0 sea 57.4 4B. La ganancia de corriente se encuentra como sigue: i fein WOOD 7 TMQ 08 x A, = 8.18 x 10° AVA 0 sea 138.3 6B.a 1.8. MODELOS DE CIRCUITOS PARAAMPLIFICADORES 23, La ganancia de potencia se encuentra a partir de = AA,= 818 x 8.18 x 10° = 66.9 x 10° WW 0 sea 98.3 4B. Nétese que AAaB) = 3 (A{4B) + A(4B)] Ejercicios 1.8 Se cuenta con un transductor caracterizado por un voltaje de 1 V rms y una resistencia de 1 MO para activar una carga de 10 2. Sise conecta directamente, eudles niveles de voltae y potencia esultan en la carga? Siun ampliicador separador de ganancia unitaria (esto es, 4-y= 1), con una resistencia de entrada de 1 MA y una resistencia de salids de 100, seinterpone entre Ia fuente y la carga cules serin los niveles de voltae y potencia de salida? Para el nuevo sureplo, halle la ganancia de voltaje de la fuente a la cargay la ganancia de potencia (ambas expresadas en decibeles), Resp. 10 ,V ms; 10° 025, 25 mW;12 4B; 44 dB 1.9 Sea encontrado que el voltaje de salida de un amplificador de voltaje disminuye 20% cuando se conecta una resistencia de carga de 1 KO {Cul es el valor dela resistencia de salida del amplificador? Resp. 2500 1.10 Se utiliza un amplificador con una ganancia de voltaje de +40 dB, una resistencia de entrada de 10 KO y una resistencia de salida de 1 kA para alimentar una carga de 1 KO. {Cuil ¢s el valor de 4,.? Encuentre el valor de la sgmancia de potencia en dB. Resp. 100 V/V; 44 4B Otros tipos de amplificadores En el disefio de un sistema clectrénico, la sefal de interés, ya sea en la entrada del sistema, ‘como etapa intermedia ola salida, puede ser un voltae o una corriente. Por ejemplo, algunos trans- Resp. -30 V/V; 90A/A; 36.1 4B 4.44 Bncuentre la resistencia de entrada entre los terminalesB y G del circuito que se ilustra en Ia figura E1.14. sat c Fig. £1.14 El voltae u; es un voltae de prueba con la resistencia de entrada Ra definida como Ra = vil Resp. Ryre+(8+DR 4.6 RESPUESTA EN FRECUENCIA DE AMPLIFICADORES De la seccién 1.2 sabemos que la sefal de entrada a un amplificador sienipre se puede expresar como la suma de sefiales senoidales. Se concluye que una caracterizacién importante de un amplificador es en términos de su respuesta a senoides de entrada de frecuencias diferentes. Tal caracterizacién de la operacién de un amplificador se conoce como respuesta en frecuencia, Medicién de la respuesta en frecuencia de un amplificador Introduciremos el tema de la respuesta en frecuencia de un amplificador al mostrar la forma en que sta se puede medi. En la figura 1.20 se describe un amplificedor lineal de voltaje alimentado en panei eioiaecs 7 ‘puesta en frecuencia de un ampli a= vier) ee vpsater 6) Retr lna Ala Seams de . ‘prueba w la ganancia del ampli - Pocceoecee nitud (V/V) y fase @.a7 1.6 RESPUESTAEN FRECUENCIADE AMPLIFICADORES 29 swentrada con una sefial de onda senoidal de amplitud Vy frecuencia w. Como se indica en la figura, 1a sefial medida en la salida del amplificador es senoidal con exactamente la misma frecuencia Este es un punto importante que se debe observar: siempre que una sefal de onda senoidal sea aplicada a un circuito linea, la salida resultante es senoidal con la misma frecuencia que la de la ‘entrada, En realidad, la onda senoidal es Ia ‘nica seial que no cambia de forma a medida que pasa por un circuito lineal. Observemos, sin embargo, que la senoide de la salida tendra en general amplitud diferente y estaré desfasada en relacién con la entrada. La razén entre la amplitud de la senoide de saida (V,)y la amplitud de la senoide de entrada (V).2s la magnitud de Ia ganancia del amplificador (0 transmisi6n) ala frecuencia de prueba w. Del mismo modo, el éngulo ¢ es la fase de la transmisin del amplificador a la frecuericia de prueba «. Si denotamos la transmisién del amplificador, o funcién de transferencia, como se le conove comtinmente, por T{w), entonces LMu)=4 Larespuesta del amplificador a una senoide de frecuencia w esté descrita completamente por |7()} y ZT{u). Ahora, para obtener la respuesta completa en frecuencia del amplificador simplemente cambiamos a frecuencia del senoide de entrada y medimos el nuevo valor para Tly 2T-Elresultado final seré una tabla y/o gréfica de magnitud de ganancia[[7(u)]} contra frecuencia, y una tabla y/o grifica de angulo de fase [Z7(w)] contra frecuencia. Estas dos grificas juntas constituyen la respuesta en frecuencia del amplificedor; la primera se conoce como respuesta en magnitud 0 ‘amplitud, y la segunda es la respuesta en fase. Ancho de banda de amplificador Enla figura 1.21 se muestra la respuesta en magnitud de un amplificador. Se indica que la ganancia cs casi constante sobre una amplia gama de frecuencia, aproximadamente entre w1 ¥ ws. Las sefales ccuyas frecuencias estén debajo de wo ariba de w» experimentan menor ganancia, con la ganancia disminuyendo a medida que nos alejamos de wi y w;- La banda de frecuencias sobre la que Ja ganancia del amplificadores casi constante, amenos de cierto mimero de decibeles (porlo general 3 4B), se lama ancho de banda de amplificador. Normalmente cl amplificador esta disefiado de ‘modo que su ancho de banda coincida con el spectro de las sefales que es necesario amplificar. Si 20 log 17a) Fig. 4.21 Respuesta tipica en smagnitud de un amplifcador. 7() sla funcién de transferencia del amplifcador, esto es, larazén en- tre le salida ¥(w) y Ia entrada VW).30. INTRODUCCION A LA ELECTRONICA reno fuera el caso, el amplificadordistorsionariael especiro de frecuencias dea sefial de entrada, con diferentes componentes de la sell de entrada amplificados en diferentes cantidades. Evaluacién de la respuesta en frecuen de amplificadores Lineas antes ya destiibimos el método que se utiliza para medir la respuesta en frecuencia de un amplificador. Ahora vemos brevemente el método para obtener en forma analitca una expresién para halla la respuesta en frecuencia. Lo que estamos a'punto de decir es s6lo un repaso de este imporante tema, cuyo detllado estudio se inicia en el capitulo 7 Para evaluar la respuesta en frecuencia de un amplificador tenemos que analizar el modelo de circuito equivalente ‘del amplificador, tomando en cuenta todos los componentes reactivos.’ El anilisis de circuito prosigue en la forma acostumbrada pero con las inductanciasy capacitancias representadas por sus reactancias. Una inductancia L tiene una reactancia o impedancia jw, y una capacitancia C tiene una reactancia 0 impedancis"I/juvC, o bien, lo que es equivalente, una suscep- tancia oadmitancia rC. De esta forma, en un anlisisenel dominio dela frecuencia hablamos de impedancias y/o admitancias. El resultado del andlsis es lafuncin de ransferencia del amplifica- dor Mw), Vw) donde V(w)y V(w) denotan las sefales de entrada y salida respectivamente, Tw) es generalmente ‘una funeién compleja cuya magnitud|7(.)] da la magnitud de transmisién ola respuesta en magnitud del amplificador. a fase de 7(.) dala respuesta en fase del amplificador. Enel andlisis de un circuito para determinar su respuesta en frecuencia, las manipulaciones al- sgebraicas se pueden simplificar de manera considerable usando a variable compleja de frecuencia s.En términos de s, la impedancia de una inductancia L es sL y la de una capacitancia C es 1/5C. ‘Al susttuir los elementos reactivos con sus impedancias y realizando andlisis de circuit esténdar, obtenemos la funcién de transferencia 7(s) como Ves) TOE TG) Subsecuentemente, sustituimos s por jw para determinar la funcién de transferencia de red para frecuencias fisicas, T(jw). Nétese que T(jw) es la misma funcién que antes lamamos Tw); la j adicional se incluye para resaltar que 7(ju) se obtiene de 7(s) al sustinuirs por jw. Redes de una constante de tiempo Al analizar circuitos amplificadores para determinar su respuesta en frecuencia, es de gran ayuda elconocimiento de las caracteristcas de respuesta en frecuencia deredes de una constante de tiempo (STC). Una red STC es aquella compuesta de un componente reactivo (inductancia 0 capacitancia) 3 Nétese qu en ls modelos considerados en sesions anteriores noseincluyeroncomponentesreactves: Estes fueron modelo smpliicadosy no se pueden usar solos para predevt a respuesta en fecuenca del ampiieadr En esta etapa estamos usando «simplemente como abreviatura por Ju. No pedimas wn eonocimiento detalido de os concepts el panos sino hasta leapt 749 4.6. RESPUESTAEN FRECUENCIADE AMPLIFICADORES 31 7 c aa a Fig. 1.22 Dos ejemplos de re- v caK Ow RZ Vo GesSTC:(a)omnred depaso bajo Sy @yuna red de pas at. @ © yuna resistencia (o que se puede reducir a estos elementos). En la figura 1.22'se muestran ejemplos. Una red STC formada por una inductancia L y una resistencia 2 tiene una constante de tiempo LIR. La constante de tiempo 7 de una red STC compuesta de una capacitancia C y una resistencia Resté dada por r= CR. Enel apéndice F se presenta un estudio de redes STC y sus respuestas a entradas senoidales, de escalén y de pulsos. El conocimiento de este material seré necesario en varios puntos en todo este libro, por lo que estimulamos al lector para que consulte el apéndice citado. En este punto necesitamos, en particular, los resultados de respuesta en frecuencia; de hecho, analizaremos ‘brevemente este importante tema ahora. ‘La mayor parte de redes STC se pueden clasificar en dos categorias:* de paso bajo (LP) ¥y de paso alto (HP), donde cada una de estas categorias muestra respuesta de sefal distintiva- ‘mente diferentes. Por ejemplo, la red STC que se muestra en la figura 1.22(a) es una del tipo de paso bajo, y Ia de la figura 1.22(b) es del tipo de paso alto. Para ver el razonamiento que hay detrés de esta clasificacién, observemos que la funcién de transferencia de cada uno de estos dos circuitos se puede expresar como una razén de divisor de voltaje, con el divisor compuesto de un resistor y un condensador. Ahora, recordando la forma en que la impedancia de un condensador varia con la frecuencia (Z = 1/juwC) es fécil ver que la transmisiOn del ircuito de la figura 1.22(a) disminuiré con la frecuencia y se aproxima a cero a medida que & se aproxima al e. Por lo tanto, el circuito de la figura 1.22(a) actia como un filtro de paso bajo; deja pasar entradas de onda senoidal de baja frecuencia con poca o ninguna atenuacién (@w= 0, la transmisién es la unidad) y atentia ondas senoidales de entrada de alta frecuencia, El cireuito de le figura 1.22(b) hace lo opuesto; su transmisién es unitaria awe y disminuye conforme se reduce w, llegado a 0 cuando w = 0. Este ultimo circuito, por lo tanto, funciona como filtro de paso alto. La tabla 1.2 contiene un resumen de los resultados de respuesta en frecuencia para redes STC de ambos tipos. Igualmente, en las figuras 1,23 y 1.24 aparecen dibujos de las respuestas en ‘magnitud y fase. Estos diagramas de respuesta en frecuencia se conocen como graficas de Bode y Ja frecuencia de 3 dB (us) tambien se conoce como frecuencia de fase o frecuencia de ruptura. El lector debe conocer a fondo esta informacién y consultar el apéndice F si es necesario aclarar algunos puntos. 7 Una excepeion importante es a red STC pasado estuiada ene capi 1 * Un flue es un eircuto que deja pase sealesen una bands especifeadn de frecuencia (lito pasabanda)y deiene ‘catena randemente (tra) sefles en ota banda de frecuencia (bands atenuads), Los filvosse estudiarénenel cpio II.50 32, INTRODUCCION A LA ELECTRONICA Tabla 1.2 RESPUESTA EN FRECUENCIA DE REDES STC Paso bajo (LP) Paso alto (HP) Funcién de tansferencia x Ke Ts) T? Glo ro Funcin de wansferencia A - (pre Gene Se) TH Sm] Respuesta en magaitud a A be Ais lag} Vis oe) Respuesta en fase man" (ulus) tan" (wy) i) ‘Transmisign a K ° &=0 (ed) ‘Transmision a ° K Frecuencia a3 4B up Ur, r= Constante de tiempo T=CROLR Grificas de Bode eaFig 123 enFig. 124 20 tog [7422 (any i ° —t 6 &B/ocave LY 20 4B/déeada Ztescala 0 logariimica) @ Stescala © logartmica) Fig. 4.23. (a) Respuesta en magnitod y (b) en fase de redes STC del tipo de paso bajo.51 1.6 RESPUESTAEN FRECUENCIADE AMPLIFICADORES 33 aio [729 ca 10] +20 “S Seva ie 0 Nogarumica) o Fig. 1.24. (a) Respuesta en magnitudy (b) en fase de res STC del tipo de paso alto EJEMPLO 1.5 En [a figura 1.25 se muestra un amplificador de voltaje que tiene una resistencia de entrada R, una ccapacitancia de entrada C,, un factor de ganancia yy una resistencia de salida R,. El amplificador ‘esté alimentado por una fuente de volte V, que tiene una resistencia de fuente R, y una carga de ©. resistencia R estd conectada a la salida. (@ Obtenga una expresién para halla la ganancia de voltaje del amplificador, JV, como fancién de la frecuencia. A partir de esto, encuentre expresiones para hallar la ganancia de ced la frecuencia de 3 dB. R R y y Fig. 1.25 Circuito para el ejemplo 1.5.52 34. INTRODUCCION ALA ELECTRONICA (©) Calcule los valores de la ganancia de ed, la frecuencia de 3 dB y la frecuencia a la que la unidad) para el caso en que R, = 20 kQ, R, 0 pF, w= 144 V/V, Re= 200 Dy R.=1kO2. (©) Eneuentre va(¢) para cada una de las siguientes entradas: 1 sen 1071, V sen 10°, V ‘1 sen 10°;V 1 sen 1081, V Eee (@) Alutlizaria regia del divisor de voltae podemos expresar Ven témins de V, como sigue: vey, donde Z; es la impedancia de entrada del amplificador. Como Z, esti compuesta de dos elementos en paralelo,obviamente que es més fécil trabajar en téminos de ¥,= 1/2, 1 nav, TRY, ji 1+ R(Q/R) +sC] Por lo tanto, ue 1 VY,” T#(RIRV# SCR, sta expresi se puede poner en a forma estndar para una red STC de paso bajo (véase Ia linea superior de laabla 1.2) al exraer [1+ (RJ/R)] del denominador, de esta manera tenemos yo 4 1 To" THR) TSCA. RY] ! Enel lado de salida del amplificador podemos escribir Esta ecuacién se puede combinar con la ecuacién (1.24) para obtener la funcién de ‘wansferencia del amplificador como 1 1 1 ¥, MT + (RR) 1+ (RIR) 1+ SCURRMR, + R)) Observamos que sélo el dltimo factor de esta expresién es nuevo (comparada con la cexpresién obtenida en la tltima seccién). Este factor es un resultado de la capacitancia de entrada C, siendo la constante de entrada RR RR = C(RUIR) (1.28) (1.26)aR 2 — i aa se ) © 53 1.6 RESPUESTAEN FRECUENCIADE AMPLIFICADORES 35 Podriamas haber obtenido este resultado por inspeccién: de la figura 1.25 vemos que el Circuito de entrada es una red STC y que su constante de tiempo se puede encontrar alreducir V, cero, con el resultado de que la resistencia vista por C, es R,en paralelo con R,, De la ecuacién (1.25), se encuentra que la ganancia de cd es er a AES RETO) vy) 1a frecuencia iy 3 dB se puede enconirara partir de 14 OS CARR) Ce Como la respuesta en frecuencia de este amplificador es del tipo STC de paso bajo, las ‘dficas de Bode para la magnitud y fase de ganancia tomarén la forma que se muestra en la figura 1.23, donde K esté dada por a ecuacién (1.27) y ws esté dada por la ecuacién (1.28). Al sustitur los valores numéricos dados en la ecuacién (1.27) resulta K-14 . 100 viv T+ (20/100) 1 + (20071000) Asi, el amplificador tiene una ganancia de ed de 40 dB. Al sustituir los valores numéricos en Ia ecuacién (1.28) se obtiene la frecuencia de 3 dB -———__|___ © 60 pF x (20 KQW/100 KO} 1 - BOTOX OX TONDO TOOy TO” 1 Faas Por lo tanto, x = 159.2 kHz (Como la ganancia cae a razén de ~20 dB/década, al comenzar en w (véase la figura 1.23a) Ja ganancia llegaré a 0 dB en dos décadas; por lo tanto tenemos. Frecuencia de ganancia unitaria = 10" rad/s, 0 sea 15.92 MHz Para halla v.() necesitamos determinar la magnitud y fase de ganancia a 10°, 10°, 10°y 10*rad/s, Esto puede hacerse ya sea utilizando aproximadamente las grificas de Bode de la figura 1.23, o utilizando exactamente la expresién para la funcién de transferencia del amplificador, 100 1 jus36 54 INTROQUCCION A LA ELECTRONICA Haremos ambas cosas: @ Paraw= 107 rad/s, que es (wy/10"), las grficas de Bode de la figura 1.23 sugieren que |Z] = K=100y o= 0°. La expresién de la fnci6n de transferencia da |7|~ 100 y @= ~tan“' 10“ = 0°. Porlo tanto, (= 10 sen 10%, V 0? radis, que es (wy/10%. las gréficas de Bode de la figura 1.23 sugieren que [7] 100 y 6 =~5.7°, La expresién de la funcin de transferencia da |7| = 99.5 y d= 5.7°, Por lo tanto, wll Gi) Para 2K tan 0. 9.95 sen(10*r - 5.79), V (ii) Para = 10 rads = ue [Z| = 100A = 70.7 VI 0 sea37 dB y 6=—45*. Por lo tanto, ‘ud{t) = 7.07 sen(10°r - 45°), V iv) Para w= 10" rad/s, que es (100 ur), las gréficas de Bode sugieren que [7] = | y 6 =-90°. La expresién para la funcién de transferencia da [T= 1y ¢=-tan" 100=-89.4°, Por lo tanto vad) = 0.1 sen( 10" ~ 89.4%), V Clasificacién de amplificadores con base en respuesta en frecuencia Los amplificadores se pueden clasificar con base en la forma de su curva de respuesta en ‘magnitud. En la figura 1.26 se muestran curvas tipicas de respuesta en frecuencia para varios tipos de amplificadores. En la figura 1.26(a) la ganancia permanece constante en una amplia gama de fre- ‘cueneias pero cae a frecuencias bajasy alts. ate es un tipo comin de respuesta en frecuencia que se encuentra en amplificadores de audio. ‘Como veremos en el capitulo 7, las capacitancias internas en el dispositivo (un transistor) producen una caida de ganancia a alta frecuencias, como ocurrié con C; en el circuto del ejemplo 1.5. Por otra parte, la pérdida de ganancia a bajas frecuencias suele ser ocasionada por condensa- dores de acoplamiento que se utlizan para conectar una etapa amplificadora con otra, como se indica en la figura 1.27. Esta prictica se adopta por lo general para simplificar el proceso de disefio de las diferentes etapas. Los condensadores de acoplamiento suelen escogerse bastante grandes (@esde una fraccién de microfarad hasta varias decenas de microfarads) para que su reactancia (mpedancia) sea pequetia a las frecuencias de interés, No obstante, a frecuencias suficientemen- te baja, laeactancia de unicondensador de acoplamiento se hard tan grande que ocasiona que parte de la sefial que debe acoplarse aparezca como caida de voltaje en los terminales del condensador de acoplamiento, por lo que esa parte no llega a la etapa subsiguiente. Los condensadores de acopla~ miento producen de este modo una pérdida de ganancia a bajas frecuencias y ocasionan que la ‘ganancia sea cero a cd. Hay muchas aplicaciones en las que es importante que el amplificador mantenga su sganancia a bajas frecuencias hasta cd. Ademés, la tecnologia de circuitos integrados monoliticos1.6 RESPUESTAEN FRECUENCIADE AMPLIFICADORES 37 IT (@B) 17) (@B) @ : o 171 8) T ! 1 1 i 1 ‘Frecuencia central ° © Fig. 1.26 Respuesta en frecuencia para (a) un amplificadoracoplado cepacitivamente, (b)un amplificador de acoplamiento directo y (¢) un amplificador sintonizado o pasabanda. (IC) no permite la fabricacién de condensadores de acoplamiento grandes. Entonces, los amplificadores de IC se disefian en general como amplificadores acoplados directamente 0 de ed (al contrario de los amplificadores capacitivamente acoplados o de ea). En la figura 1:26(b) se muestra la respuesta en frecuencia de un amplificador de ed. Esta respuesta en frecuencia caracteriza lo que se conoce como un amplificador de paso bajo. Aun cuando no es muy apropiado, el término de paso bajo también se utiliza para referirse al amplificador cuya respuesta se muestra en la figura.1.26(a). Dos etapas amplificadoras aN ‘Condensador / de acoplamiento Fig. 1.27 Uso de un condensa56 38 INTRODUCCION ALA ELECTRONICA En diversas aplicaciones, como es el caso del diseflo de receptores de radio y de TV. surge la necesidad de un amplificador cuya respuesta en frecuencia sea de alrededor de cierta frecuencia (lamada frecuencia central) y caiga en ambos lados de esta frecuencia, como se muestra en Ia figura 1.26(c). Los amplificadores que tienen esta respuesta se llaman amplificadores sintoni- 2ados, amplificadores pasabanda o filtros pasabanda. Un amplificador sintonizado forma el ‘corazén de Ia etapa de sintonia de tin receptor de comunicaciones; al ajustar su frecuencia central ‘para que coincida con la frecuencia de un canal de comunicaciones deseado, la sefial de este canal ‘en particular se puede recibir mientras que otros canales son atenuados o filtrados. Ejercicios 4.15. Considere un amplificador de voltaje que tiene una respuesta en frecuencia del tipo STC de paso bajo, con una ganancia de ed de 60 dB y una frecuencia de 3 dB de 1000 Hz. Encuentre la ganancia en dB a f= 10 Hz, 10 kHz, 100 kil y 1 Miz Resp. 60 dB; 40 dB, 204B; 0 4B k 'D1.16 Considere un amplificador dé transconductancia que tenga el modelo que se muestra en la tabla 1.1 con R= S4KQ, R, = 50 kO y Gy = 10 mAVV. Si la carga del amplificador consiste en una resistencia R, en paralelo con una ‘capacitanciaC,, convénzase el lector de que la funcién de transferencia de volte realizada, V/V, es del tipo de STC {de paso bajo. ;Cual es el minimo valor que puede tener R, al tiempo que se obtiene una ganancia de cd de por lo menos 40 dB? Con este valor de R, conectado, encuentre el méximo valor que C, puede tener cuando se obtenga un ancho de banda de 3 dB de por lo menos 100 kHz Resp. 12.5k0; 1592 pF 1.17 Considere la situaci6nilustrada en a figura 1.27. Seala resistencia de salida de! primer amplificador de voltsje de 1 KO, y la resistencia de entrada del segundo amplificador de voltje (incluyendo el resistor conocido) sea de ‘9k. BI circuto equivalente resultante se muestra en la figura EI.17, donde V, y R, son el voliaje de salida y la resistencia de salida del primer amplificador, C es un condensador de acoplamiento, y R, es a resistencia de entrada vy Fig. 1.17 4el segundo amplifcador. Convénzaseel lector de que V3/V, es una funcién STC de paso alto. ;Cual es elminimo valor de C que asvgure que la frecuencia de 3 4B no es mas alta de 100 Hz? Resp. 0.16 ue57 1.7 ELINVERSOR LOGICO DIGITAL 39 1.7 ELINVERSOR LOGICO DIGITAL Elinversorlégico¢s el elemento ms basico en disefio de circuitos digitaes; juega un papel paralelo al del amplificador en circuitos analégicos. En esta seccién damos una introducciGn al inversor logico, Funcién del inversor Como su nombre lo indica, el inversor logico invierte el valor logico de la sefial de éntrada. Asi, Para una entrada logica 0 la salida serd una lgica 1, y viceversa. En téminos de niveles de voltae, cconsidere el inversor que se muestra en forma de bloques en la figura 1.28: cuzndo ves bajo (cerca de 0 V), la salida uo seré alta (cercana a Voo),y viceversa. Fig. 1.28 Inversor logico que ‘opera de una fuente de c4 oo. La caracteristica de transferencia de voltaje (VTC) Para cuantificar la operacién del inversor, utilizamos su caracteristica de transferencia de voltaje (VTC, como suele abreviarse). Primero pedimos al lector que consulte el amplificador considerado en el ejemplo 1.2, euya caracteristica de transferencia aparece en la figura 1.15. Observe que la caracteristica de transferencia indica que este amplificador inversor se puede usér como inversor légico. Especificamente, sila entrada es alta (v, > 0.690 V), vo serd bajo a 0.3 V. Por otra parte, si la entrada es baja (cercana a 0 V), la salida sera alta (cercana a 10 V).. Ast, para utilizar este amplificador como inversor légico, utilizamos sus regiones extremas de ‘operacién. Esto es exactamente lo opuesto a su uso como amplificador de sefales, en donde se polarizaria en la parte media de la caracteristica de transferencia y la sefial se conserva suficientemente pequefia para restringir la operacién a un segmento corto, casi lineal, de la ‘curva de transferencia. Aplicaciones digitales, por otra parte, hacen uso de Ia no linealidad integra exhibida por la VIC. Con estas observaciones presentes, mostramos en la figura 1.29 una posible VTC de un inversor logico. Para mayor sencillez, utilizamos tres lineas rectas para aproximar la VTC, que es por lo general una curva no lineal como la de la figura 1.15. Observemos que el nivel alto de salida, denotado como Vow, no depende del valor exacto de vs mientras uno exceda el valor marcado como Vis cuando 1, excede de Vi, la salida disminuye y el inversor entra‘en su regién de operacién como amplificador, también llamada regién de transiciOn. Se concluye que V7, un parimetro importante de la VIC inversora: es el valor mésimo que u puede tener cuando es interpretado por el inversor como representando una légica 0.40 58 INTRODUCCION A LA ELECTRONICA % Fig. 1.28 Curva caracteristica de tansfereacia de voltae (VTC) de un inversor. La VIC se aproxima por ‘wes segmentos derecta, Notense los cuatro parametos dela VIC: Vow, Vou Vixy Vy suuso par determinar los margenes de ruido NMy y NM, Andlogamente, observamos que el bajo nivel de salida, denotado por Vou, no depende del valor exacto de vy mientras v-no caiga debajo de Vy. Entonces, Vw es un parkmetro importante de la VTC inversora: es el valor minimo que 1y puede tener cuando es interpretado por el inversor como representando una légica 1. Margenes de ruido La insensibilidad de la salida del inversor al valor exacto de u, dentro de regiones permitidas es una gran ventaja que los circutos digitales tienen sobre los circuitos anal6gicos. Para cuantificar esta propiedad de insensibilidad, consideremos la situacién que ocurre con frecuencia en un sistema digital donde un inversor (o compuerta logica basada en el circuito inversor) excita a otro inversor similar. Si la salida del inversor excitador es alta en Voy, vemos que tenemos un “mangen de seguridad” igual ala diferencia entre Voy'y Vi (véase la figura 1.29). En otras palabras, sipor alguna raz6n se superpone una sefial perturbadora (llamada “ruido eléctrico” o simplemente ruido) en la salida del inversor excitador, el inversor excitado no seria “molestado” mientras este ruido no disminuya el voltaje en su entrada por debajo de Vn. Asi, podemos decir que el inversor tiene un margen de ruido para entrada alta, NMy, de NMy = Vou~ Vin (1.29) ‘Anélogamente, sila salida del inversorexcitador es baja en Vou €linversor excitado daré una salida alta si el ruido deforma el nivel de Vo, en su entrada, elevandolo a casi V. Por lo tanto, podemos decir que el inversor exhibe un margen de ruido para entrada baja, NM,, de NM. = Vi~ Vou (1.30) En resumen, cuatro parimetros, Yo, Vou, Vin Vu, definen Ia VTC de un inversor y determinan sus mérgenes de ruido, que a su vez miden la capacidad del inversor para tolerar varaciones en los59 1.7 ELINVERSOR LOGICO DIGITAL “41 niveles de sefial de entrada. A este respecto, observemos que los cambios en el nivel de sefal de entrada dentro de margenes de ruido son rechazados por el inversor. Asiino se permite que el ruido se propague mas en el sistema. De manera opcional, podemos considerar que los inversores resta- Blecen los niveles de setal a valores, estindar (Vox y Vou) aun cuando se presenten niveles distorsionados de sefial (dentro de margenes de ruido). La VTC ideal Surge naturalmente la pregunta en cuanto'a qué constituye una VIC ideal para un inversor. La respuesta sigue directa del andlisis precedente: una VTC ideal es aquella que maximiza los mérgenes de ruido y los distribuye por igual entre las regiones de entrada baja y alta. Una de estas VTC se muestra en la figura 1.30, para un inversor operado desde una fuente de ed Vo. Observemos que el nivel alto de salida Voy esta a su méximo valor posible de Yoo, y el nivel bajo de salida esté a su minimo valor posible de 0 V. Observemos también que los voltajes de umbral Vi y Viv estén igualados y colocados hacia la mitad del voltaje de la fuente de alimen- tacién (Vpp/2). De esta forma, el ancho de la regién de transicién entre ias regiones alta y baja de salida se ha reducido a cero. La regién de transicién, aunque obviamente es muy importante para aplicaciones en amplificadores, no tiene ningtin valor en circuitos digitales. La VTC ideal ‘exhibe una aguda transicién al voltaje de umbral Voo/2 siendo infinita la ganancia en la regién de transicién. Los margenes de ruido son ahora iguales: NMy=NM, = Voo2 (aan ‘Veremos en el capitulo 5 que los circuitos inversores disefiados usando tecnologia complemen- taria de semiconductor de 6xido metilico (CMOS) se acercan mucho a la realizacién de la VIC ideal Yoh Vou = Yoo Vou= 0 a, Y= Vin= Fig. 1.30 La VIC de un inversor idea 60 INTRODUGCION A LA ELECTRONICA Estructuracién de un inversor Los inversores se estructuran por medio de transistores (capitulos 4 y 5) que operan como {nterruptores controlados por volta. En a figura 1.31 se muestra la mds sencilla estructuractén de un inversor. El interruptor esté.controlado por el voltaje de entrada del inversor v: cuando v, es ‘bajo, el interruptor se abre y vo = Vo puesto que no cireula corriente por R. Cuando vy es ata, el interruptor estard cerrado y, si suponemos un interruptor ideal, uo = 0. V0 vy, 7 R ¢ $ Ren _ | "0 1 y byjo ato Yoo is + @ OO) © Fig. 1.31 (a) Implementacidn mas sencilla de un inversor lgico que utiliza un interrupter controlado por voltae; (b)cieuito equivalente cuando vy es bajo; y (e cicuito equivalente cuando v, es alto. Nétese que se supone que el interuptorcierra cuando vy €s alto, Los interruptores de transistores, sin embargo, como veremos en los capitulos 4 y 5, no son perfectos. Aun cuando sus resistencias de no conduccién (epagado) son muy altas y ai un interrup- tor abierto se aproxima cercanamente aun circuito abierto, el interruptor en conduccién (encendido) tiene una resistencia de cierre finite 0 “de conduccidn”, Ra. Ademds, algunos interruptores (por ejemplo, los que se estructuran usando transistores bipolares, capitulo 4), ademas de Re, exhiben tun voltaje de desnivel Vasa, El resultado es que cuando v, es alta, el inversor tiene el circuito cequivalente que se muestra en la figura 1.31(c), del que se puede encontrar Voy. Hay implementaciones més elaboradas del inversor logico, y mostramos dos de éstas en las figuras 1.32(a)y 1.33(a). El cireuito de la figura 1.32(a) utiliza un par de interruptores complemen tarios, el de “conexién” (PU) conecta el nodo de salida a Voo, y el de “desconexidn” (PD) conecta el nodo de salida a terra. Cuando v; es bajo e interruptor PU se cierray el PD se abre, resultando ene circuito equivalente de la figura 1.32(b). Observemos que. en este caso, Ry de PU conecta la salida a Yop, estableciendo asi Vow = Voo- También observemos que no circula corriente y, por lo tanto, no se disipa potencia en el circuito, A continuacién, si vr se eleva al nivel légico 1, el PU se abre en tanto que el PD se ciera, resultando en el circuito equivalente de la figura 1.32(¢). Aqu, ‘Ru, del interruptor PD conecta la salida atiera, estableciendo asi Vo, = 0. De nueva cuenta, aqui tampoco circula corrientey no se disipa potencia. La supetioridad de esta implementacién sobre la ue usa un solo interruptor de desconexién y un resistor (conocido como resistor de conexién) debe61 1.7 ELINVERSOR LOGICO DIGITAL 43 Yoo o\Pu wR 5 Ty ato © » © Fig. 1.32 Implementacién més elaborada del inversor ldgico que utiliza dos interruptorescomplementa- ros, Esta es la base del inversor CMOS que se estudia en la seccién 5.9. ser obvia. Este circuto constituye la base del inversor CMOS que estudiaremos en la seccidn 5.9. Notese que no hemos inchuido voltajes de desnivel en los circuitos equivalentes porqise los interruptores MOS no exhiben un voltaje de desnivel (capitulo 5). Finalmente, consideremos la implementacién del inversor de la figura 1.33. Aqui se utiliza un interruptor de doble tro para dirigr la corriente constante Jes en uno de dos resistores conectados a la fuente positiva Vcc. El lector debe demostrar que si una vy alta resulta en el interuptor que se conecta a Re,, entonces se realiza una funcién de inversién légica en uo. Nétese que el votaje de salidaes independiente de aresistencia del interruptor. Este circuitolégico de direccidn de corriente 1 modo de corriente s la base de los mas répidos circuits logicos digtales que existen,llamados de ldgica acoplada a emisor (ECL), introducidos en el capitulo 6 y estudiados en detalie en et capitulo 14, : *Vee 4.33 Oraimplementacién le inversor que utiliza un inte- rruptor de doble tro para dirigit la corriente constante Jee a Rey (cuando ves alto) 0 Rey (cuando 1s bajo). Esta es la base de fa lgica acoplada a emisor (ECL) estudiada en los capialos 6 y 14 ts +962 44 INTRODUCCION A LA ELECTRONICA Disipacion de potencia Se implementan sistemas digitales mediante el uso de nimeros muy grandes de compuertas logicas, Por ‘espacio y otras consideraciones econémicas, es descable implementa el sistema con tan pocos chips (CC) de circuitosintegrados como sea posible. Se concluye que debemos empaquetar tantas compueras 1égicas como sea posible en un chip de IC. En la actualidad se pueden fabricar 100 000 compuertas, ‘més, en un solo chip de IC en lo que se conoce como integracién a escala muy grande (VLSD) Para ‘conservarlapotencia disipada ene chip en limites aceptables impuestos por consideracionestérmices), la disipacién de potencia por compuerta debe conservarse al minimo. De hecho, una muy importante ‘medida del fincionamiento del inversor ldgico es la potencia que disipa, Es obvio que el sencllo inversor de la figura 1.31 no disipa potencia cuando v, es bajo y el interruptor esté abierto, pero, en el otro estado, la disipacién de potencia es aproximadamente Viol y puede ser considerable. Esta disipacién de potencia se presenta incluso si el inversor no exté conmutando y por ello se conoce como disipacién estitica de potencia. Elinversor dela figura 1.32 no muestra disipacin estdtica de potencia, que es una ventaja detinitiva, pero, desafortunada- ‘mente, surge otra componente de disipacién de potencia cuando existe capacitancia entre el nodo de salida del inversory tierra, Este es casi siempre el caso, porque los dispositives que implementan Jos interruptores tienen capacitancias interas, los alambres que conectan la salida del inversor a otros cireuitos tienen capacitancias y, por supuesto, hay la capacitancia de entrada de cualquier circuito que el inversor excite. Ahora, como el inversor pasa de un estado a oro, debe circular co- rriente por el(los) interruptor(es) para cargar (y descargar) la capacitancia de carga. Estas corrientes dan lugar adisipaciGn de potencia en los interuptores, lamada potencia dimémica. Enel capitulo 5 esudiaremos disipacién de potencia dindmica en el inversor CMOS, y demostraremos que un inversor conmutado @ una frecuencia de fHz exhibe una disipacién de potencia dindmica de Perini = SCV b50 1.32) donde C es la capacitancia entre el nodo de salida y tierra, y Vi. es el voltaje de fuente de alimentacién, Este resultado se aplica (aproximadamente) a todos los circuitos inversores. Retardo de propagacién Puesto que el comportamiento dindmico de amplificadores se especifica en términos de su respuesta en frecuencia, el de inversores se caracteriza en términos del retardo entre conmutacién de v, (de bajo aaltoo viceversa) y el cambio correspondiente que aparezca ala salida. Esteretardo, lamado tiempo de propagacién, surge por dos razones: los transistores que estructuran los interruptores exhiben tiempos de conmutacién finitos (diferentes de cero), y le capacitancia que esta inevitable- mente presente entre l nodo de salida del inversor y tierra necesita cargarse (o descargarse, segiin sea el caso) antes de que la salida legue a su nivel requerido de Voy 0 Vou. Analizaremos los tiempos de conmutacién del inversor en capitulos subsiguientes. Este estudio depende del profundo conocimiento de la respuesta en tiempo de circuitos de una constante de tiempo (STC); en el apéndice F se presenta un repaso de este tema. Para nuestros propésitos aqui, recordemos al lector la ecuacién clave para determinar la respuesta a una funcién escalén: CConsidera una entrada de funcién de escalén aplicada a una red STC de tipo de paso bajo o de paso alto, y hgase que la ed tenga una constante de tiempo r. La salida en cualquier tempo esta dada por WO= Yo- (Wa- Yodo (1.33) donde ¥. es el valor final, es decir, el valor hacia el que se dirige la respuesta, y Yo es el valor de la respuesta inmediatamente después de / = 0. Esta ecuacién expresa que la salida en cualquier63 1.7 ELINVERSOR LOGICO DIGITAL 45 ‘tiempo fs igual ala diferencia entre el valor final ¥.y un intervalo cuyo valor inicial es Y-— Yor 1y que se contrae exponencialmente. EJEMPLO 1.6 Considere el inversor de la figura 1.31(a) con un condensador C= 10 pF conectado entre la salida y tierra Sean Vop = 5V, R= 1 KO, Rey= 100 Vagus = 0.1 V. Sia 1= 0, v €5 bajo y se desprecia eltiempo de respuesta del interuptor, esto es, suponiendo que se abre inmediatamente, encventre el tiempo para que la salida legue 4 (Voy + Vo.) El tiempo a este punto de 50% en Id onda de salida etd definido como retardo de propagacién bajo a alto, fry. Sore Primero determinamos Vo, que es el voltaje a la salida antes de r= Ja figura 1.31(b), encontramos ). Del cireuito equivalente de 4 Yoo Vom om RR 3-01 i ‘A continuacién, cuando se abre el interuptor en = 0 el circuito toma la forma que se muestra en la ‘figura 1.34(a). Como el voltae en los erminales del condensador no puede cambiar instanténeamente, | 5 Vou Re =01+ xo. 055V Yo yo ® Fig. 1.34 Ejemplo 1.6: (a) El cireuito inversor después de que el interruptor se abre (es decir, para > 0+ (b) Ondas de vy tio. Se supone que el interruptor opera instantineamente. vse eleva exponencialmente, comenzando en Vor y dirigiéndose hacia Voy,46 INTRODUCCION A LA ELECTRONICA en = 0+ la salida todavia seré 0.55 V. Entonces el condensador se carga por medio de R,y vo Se eleva exponencialmente hacia Vo. La onda de salida sera como se muestra en la figura 1.34(b),y su ecuacién se puede obtener al sustituir en la ecuacion (1.33) vo(-e)=5 Vy ud0+)= 0.55 V. Entonces vt) = 5-=(5 ~ 0.55)" donde r= CR. Para hallar tn, sutituimos volts) = Von Vor) 72 2(5+055) El resultado es trun = 0.69.7 0.69 RC 0.69 x 10° x 10" =69ns CConctuimés esta seccién mostrando en la figura 1.35 la definicién formal del tiempo de propagacién de un inversor. Como se ilustra, se aplica un pulso de entrada con tiempos de elevacién y caida fnitos (Giferentes de cero). El puso invertido a la salida exhibe tiempos finits de elevaciny cada (marcados ome fry trans donde el subindice T denota transicién, LH denota bajo alto y HL denota alt a bajo). ‘También hay un tiempo de respuesta entre las formas de entrada y sali. La forma acostumbrada para specifica el tempo de propagacién es tomar el promedio del tiempo de propagacin de alto a bajo, ‘rm ¥ €l tiempo de propagacion de bajo a ato, fnuy. Como se indica, estos tiempos se miden entre los You 40. + Vou) ' slonbe 4(You + You) You Fig. 1.36 Definiciones de tiempos de propagacion y tempos de transcién del inversor logic.65 RESUMEN 47 puntos de 50% de las formas de onda de entrada y sada. También nétese que los tiempos de transicién esti especificados usando los puntos de 10% y 90% de la excursion de salida (Voy — Vo.) Ejercicios 41.48 Para el inversorde a figura 1.31, sea Yoo" $V, R™ 12, Ree 00:2, Pete =O.1V, Vr 8 Vy Y= 12. Encuentre Vow; Vou, NMy y NM,. También encuentre el promedio de dsipacién estéica de potencia suponiendo que el inversor pasa la mitad del tiempo en cada uno de sus dos estado. Resp. 5V;0.55 V;3.8 V;0.25V; 11.1 mw 1.19. Halle la potencia dinémica dsipada en un inversor operado desde una fuente de alimentacin de 5 V. El inversor tiene una carga de capacitancia de 2 pF y se conmuta a 50 MHz Resp. 2.5mW Resumen ‘Una fuente de sefaleseléctricas e puede representa yasea ‘nla forma de Thévenin (una fuente de votjeen serie con una ‘mpedancia de fuente) o en la forma de Norton (una fuente de corrente en paralelo cor una impedancia de fuente) ‘B _ La sefial de onda senoidal esta completamente caracteri- za por su valor pico (0 valor rms que e el picoN2), su frecuencia (ven also fen Has r= 2af'y f= IT, donde T sel periodo en segundos) yu fsecon respec aun ierpo svbirari de referencia. 1B Una sefial puede estar representada ya sea por su forma 4e onda contra tiempo, o como la suma de senoides. Esta ‘ima representacign se conoce como especiro de frecuen- cias de la seal BE Las sefales analbgicas tienen magnitudes que pueden tomar cualquier valor. Los ciruitos eleczénicos que proce- san sefiales anal6gicas se laman circuitos analdgicos. Hacer ‘nuestro de la magnitud de una sefal analégica en instantes discretos de tiempo, y representar cada muestra de sefal ‘mediante un nimero, resulta en una seal digital Las sefiales 1 ms, el capacitor se descarga através de R con la constante de tiempo relativamente larga de 10 ms. El ejemplo anterior sugiere una importante aplicacién de los integradores, por ejemplo su uso para ‘generar ondas triangulares en respuesta a entradas de onda cuadrada. Esta aplicacién se explora en el ejercicio 2.6. Los integradores tienen muchas otras aplicaciones, incluido su uso en el disefio de filtros (capitulo 11). 2.4.3 El op amp diferenciador Intercambiar la ubicacién del capacitor y el resistor del circuito integrador resulta en el circuito de Ja figura 2.14(a), que ejecuta la funcién matemética de diferenciacién. Para ver cémo sale esto, ‘hagamos que la entrada sea una funcién variable en el tiempo u(t) y observemos que la tierra virtual cen el terminal de inversién de entrada del op amp ocasiona que 1) aparezca en efecto en los terminales del capacitor C. Asi, lacorriente que circula por C seré C(du/a), y esta corriente circula por el resistor R de retroalimentacién y proporciona a la salida del op amp un voltaje uct), crf 26) v0 La funcién de transferencia en el dominio de la frecuencia del circuito diferenciador se puede encontrar al sustituir,en la ecuacion (2.2), Z;(s) = UsCy Z,(s) = R para obtener en7 2.4 OTRAS APLICACIONES DE LACONFIGURACION INVERSORA 79. ee G th i: a(t) 2 wpity= ~cVtt ult) + dt ‘ vei -sce ov = = @ Ye Fak +6 eBlociava ° «(esclaogarioica) 7a “RR () 2.4 (a) Un diferenciador.(b) Respuesta en frecuencia de un diferenciador con una constante de tiempo CR ‘que para frecuencias fisicas s = jw produce Voie) Fees 70) De esta forma, la funcién de tansferencia tiene magnitud Y, wR (2.70) 7, y fase o=-90° (2.70) La gréfica de Bode de la respuesta en megnitud se puede hallar de la ecuacién (2.7b) si se observa ‘que para un aumento de una octava en w, la magnitud se duplica (aumenta en 6 dB), Por lo tanto, Ia gréfica es simplemente una recta de pendiente +6 dB/octava (0, lo que es equivalente, +20 dB/dé- cada) que corta la recta de 0 dB (donde [7/7 = 1) en w= 1/CR, donde CR es la constante de tiempo del diferenciador [véase la figura 2.14(b)]98 80 AMPLIFICADORES OPERACIONALES Se puede consderar la respuesta en frecuencia del diferenciadr como lade un filto STC de paso alto conuna frecuencia de corte en el infinite (consltela Sigua 1.24), Finalmente, debernos (Sbservar que la natualeca misma de un cicuitodifeencadorocasiona que sea un “amplificador {eruido” Eso se debe l pico inrodcido ala slida cada vez que haya un cambio abrupto env); teste cambio podra ser una imerferencia “captada™. Por eta razin y debido a que sufren de problemas de estabilida (capitulo 8), los cieutos difeenciadores generalmente se evitan en ta pritica. Cuando se utiliza el circuit de la figura 2.143), po lo comin es necesario conectar una pequeia resistencia en serie con el capacitor, Esta modiicaién desaforunadamente, converte al cireuito en un difereciadorno idea 2.4.4 El sumador ponderado ‘Como aplicacién final de la configuracién inversora, considere el circuito que se muestra en la figura 2.15. Aqui tenemos una resistencia Ren la rayectoria de retroalimentacién negativa (como antes), pero tenemos varias efiales de entrada v, vs... , Un cada una aplicada a un correspondiente resistor Ry, Rj, ..., Ry Conectados al terminal de inversion del op amp. De nuestro andisis precedente, el op amp tendré una terra virtual que aparece en su terminal de entrada negativa. La __ ley de Ohm nos dice entonces que las corrientes i, ,... iy estin dadas por u » Leth OTR R “Todas estas corrientes se suman para producir la corriente i, es decir 7 iSite ti, (2.8) serd forzada a circular por R;(ya que no entra corriente en los terminales de entrada de un op amp deal). El voltae de salida vo estaré determinado ahora por otra aplicacién de la ley de Ohm vo=0~ iRy= IR, Entonces R & -[Pot fark ) es) Esto es, el voltaje de salida es una suma ponderada de las seiiales de entrada vj, v,..., U,. Este cireuito, por lo tanto, se Ilama sumador ponderado. Nétese que cada coeficiente sumador puede Fig. 218 Un sumador ponde-99 2.8 LACONFIGURACION NO INVERSORA 81 ser independientemente adaptado al ajustar el correspondiente resistor “de alimentacion’ (R, @R.) Esta refinada propiedad, que en mucho simplifica el ajuste del circuito.es una consecuencia directa de la tierra virtual que existe en el terminal de inversion del op amp. Como pronto verde lector, las tierras virtuales son muy “précticas”” ‘Yahemos visto que los op amps se pueden utilizar para multiplicar una sefial por una constante, integrarla, diferenciarla y sumar varias sefiales con valores prescritos. Todas éstas son operaciones ‘matemiticas, de donde se deriva el nombre de amplificador operacional. De hecho, los circuitos citados son elementos funcionales necesarios para realizar célculos analégicos. Por esta razén el op ‘amp ha sido el elemento bésico de computadoras analdgicas. Los op amps, ademés, pueden hacer ‘mucho mas que s6lo operaciones matematicas necesarias en célculos analogicos. En este cpitulo veremos esta versatilidad. con otras aplicaciones presentadas en capitulos posteriores, Ejercicios 2.6 Considere unaonda cuadrad simética de 20 Vpicoapico, 0 promedio.y2ms deperiodo aplicada aun integrator |) Mille Encuentre el valor de Ia eoastante de tempo CR tal que la onda triangular la slida tenga una amplitud de 20-V pico a pico Resp. 0.5 ms 2.7 Mediante el uso de un op amp ideal, disefe un integrador inversor con una resistencia de entrada de 10 kO.y tuna constante de tiempo de integracién de 10” s.,Cual es a magnitud de ganancia y éngulo de fase de este circuito a Oradis ya rad/s? ,Cudl es la frecuencia ala que la magnitud de ganancia es unitaria? Resp. R=10k0,C=0.1 uF; au=10rad/s:|¥%/¥|= 100 VIVy 6= #90% aw: 1 rad/s: |Y/¥|= 1000 VIV y = +90°; 1000 rad’s| 02.8 Disefe un diferenciador que tenga una constane de tiempo de 10% sy una capacitanca de entrada de 0.01 uF {Cui es In magnitad de ganancia y fase de este cireuto a 10 rads, y a 10° rads? Para Linitar Ia ganancia de alta | frecuencia del eicuito dierenciador de 100, se agrega un resistor serie con el capacitor. Encuentte el valor necesario, det resistor 01 uF; R= 1 MO; a lovwy 02.9 Disee un circuito op amp inversor para formar le suma ponderada Up de dos entradas vy vs. Se requiere que vo" ~(u) + Sts). Escoja valores para Rs, Re y Ryde modo que para un voltaje méximo de salida de 10 V la coriente en el resistor de retoalimentacin no exceda de 1 mA. Resp. Una opcién posible: Ry = 10 KO, Ry=2 ky Ry = 10k. 2.5 LA CONFIGURACION NO INVERSORA La segunda configuracién a circuito cerrado que estudiaremos se muestra en la figura 2.16. Ahi la sefial de entrada vy se aplica directamente al terminal positivo de entrada del op amp, en tanto que tun terminal de R, se conecta a tierra.100 82 AMPLIFICADORES OPERACIONALES Fig. 2.16 La configuracién no La ganancia a circuito cerrado J anlisis del circuito no inversor para determinar su ganancia a circuito cerrado (vo/) se iustra en a figura 2.17, Si se supone que e! op amp es ideal con ganancia infinita, existe un cortocircuito virtual entre sus dos terminales de entrada. De ahi que la seial de diferencia de entrada sea = 22 uous para d= Deesta forma, el volijeen el terminal deinversin de entrada seré igual al del terminal no inversor de entrada, que es el volte aplicado v, La cortiente que circula por R; puede entonces determi- narse como 1//R,, Debido ala infinitaimpedancia de entrada del op amp, esta corriente circulard por ‘Ra, como se muestra en Ia figura 2.17. Ahora el voltae de salida se puede determinar a partir de n+(z) R que produce eaisd 2.10) Se puede obtener més conocimiento en Ia operacién de 1a configuracién no inversora si se considera lo siguiente: el divisor de voltaje de la trayectoria de retroalimentacién negativa &iook101 25 LACONFIGURACION NO INVERSORA $3 ocasiona que una fraccién del voltaje de salida aparezca en el terminal inversor de entrada del op amp; esto es, Entonces la ganancia infnita del op amp y el resultante cortocircuito virtual entre los dos terminales de entrada del op amp obligan a este voltaje a ser igual al aplicado en el terminal positive de entrada; centonces, vol Je (aR aque produce ls expesin de ganancia dada ena ecuacién (2.10) Modelo de circuito equivalente La ganancia de la confguracién no inversora es positvay de aqui el nombre de no inversora. La impedancia de entrada de este amplificador de circuito cerrado 'es idealmente infinita, ya que no circulacorriente en! terminal positive de entadadel op amp. La salida de amplificadorno inversor ‘se toma en los terminales de la fuente ideal de voltaje 4 (v, — 1) (véase el circuito equivalente de opamp dela figure 23), de este modo la resistencia de slid dela configuracién no inversora es cero. Al reunir estas propiedades llegamos al modelo de cireuito equivalente de a configuracion, ‘no inversora de amplificador, ilustrada en la figura 2.18. Este modelo se obtiene bajo la suposi- cin de que el op amp e ideal Efecto de ganancia finita a circuito abierto de un'op amp ‘Como lo hemos hecho para la configuracién inversora, ahora consideramos el efecto de la ganancia finita 4 de circuito abierto de un op amp en la ganancia de la configuracién no inversora. Si se supone que el op amp es ideal excepto por tener una ganancia 4 finita a circyito abierto, se puede demostrar que la ganancia a circuit cerrado del circuito amplificadot no inversor de la figura 2.16 estd dada por Ga Mee EE RR “uy 1+(RYR) arr CObservemos que el denominador es idéntico al del caso de Ia configuracién inversora. Eso no es coincidencia es el resultado del hecho de que las configuraciones inversora y no inversoa tienen (2.11) Fig. 2.18 Modelo de cireito ‘equivalente de la configuracién de amplifcador no inversor dela figura 2.16 (si se supone que el ‘op amp es idea! i102 84. AMPLIFICADORES OPERACIONALES el mismo circuito de retroalimentacién. Estudiaremos el tema de retroalimentacién en el capitulo 8. Los numeradores son diferentes, pero el numerador dala ganancia ideal o nominal acircuito cerrado yen in cain in, 71 + pa cgmcoon neon) Fide. cbservamos (con seguridad) que la expresién de ganancia en la ecuacién (2.11) se reduce al valor ideal para A = =. De hecho, se aproxima al valor ideal para ak spire 12) ‘Esta es la misma condicién que en la configuracién inversora, excepto que aqui la cantidad del lado derecho es la ganancia nominal a circuito cerrado. El seguidor de voltaje La propiedad de alta impedancia de entrada es una caracteristica muy conveniente de la configura- cién no inversora. Hace posible el uso de este circuito como amplificador separador pare conectar ‘una fuente con una alta impedancia a una carga de baja impedancia. Hemos estudiado la necesidad de amplificadores separadores en el capitulo 1. En muchas aplicaciones el amplficador separador no es nevesario para dar alguna ganancia de voltaje, sino que mds bien se utiliza principalmente ‘como transformador de impedancia o amplificador de potencia. Entales casospodemoshacer R, = 0 y Ry =o para obtener el amplificador de ganancia unitaria que se muestra en la figura 2.19(a). Es ‘comin que este circuito reciba el nombre de seguidor de voltaje, ya que la salida “sigue” a la entrada. En el caso ideal, Uo= Us Ru =" ¥ Ryu = 0. ‘Como la configuracién no inversora tiene una ganancia mayor o igual ala unidad, segin sea le seleceién de Ry/R,, algunos prefieren llamarla “seguidor con ganancia”. oe 4 Ors @ ) Fig. 249 (a) El separador de ganancia unitaria o amplifcador seguidor, y (b) su modelo de circuito cequivalente. Ejercicios 2.10 Usiliceel principio de superposicién para hallar el voltae de sald del circuito que se muestra en la figura E2.10. Resp. uo 6u+4uy103 26 EJEMPLOS DE CIRCUITOS CON OPAMP. 85 Fig. £2.10 2.114. Si ene circuto dela figura E2.10 el resistor de 1 KO se desconecta de terra y se comecta a una tecera fuente e sefial vy, utlice superposicién para determinar vp en términos de vy, 12 y vs. Resp. v= 6u,+4.- 915 12.12. Disede un amplificador no inversor con una ganancia de 2. Al méximo voltaje de salida de 10 Va coriente ‘nel divisor de voltaje debe ser de 10 uA. Resp. 2 = 0.5 MO 2.43 (a) Demuestre que si el op amp del circuto de la figura 2.16 tiene una ganancia fnita A de circuto abierto, cenionces la ganancia a cicuito cerrado esta dada por ia ecuacién (2.11) (b) Para Ry = 1 kOy Ry = 9 KO encuentre la desviaciéa de voltae de la ganancia a circuito cerrado desde el valor ideal de (1 + Ry) paralos casos 4 = 10°, 10¢ ¥y 10°. En cada caso halle el volte entre los dos terminales de entrada del op amp suponiendo que v= 1 V. Resp. 1%, 0.1%, -0.01%; v2 ~ vj = 9.9 mV, 1 mV, 0.1 mV 2.6 EJEMPLOS DE CIRCUITOS CON OP AMP. Ahora que hemos estudiado las dos configuraciones mas comunes a circuito cerrado de op amps, presentamos varios ejemplos. Nuestro objetivo es doble: primero, hacer posible que el lector adquiera experiencia en el analisis de circuitos que contengan op amps; segundo, presentar al lector algunas de las muchas interesantes y estimulantes aplicaciones de op amps. EJEMPLO 2.5 Un voltimetro analégico simple En|a figura2.20 se muestra un citcuito de un voltimetroanalégico de muy ata resistencia de entrada ‘que utiliza un medidor de poco costo y bobina mévil. Como se advierte, el medidor de bobina m6vil esté conectado en la trayectoria de retoalimentacién negativa del op amp. El voltimetro mide el voltaje v aplicado entre e! terminal positive de entrada del op amp y tierra. Suponga que la bobina -mévil produce desviacién a plena escala cuando la corriente que pasa por ella es de 100 uA; ddeseamos haar el valor de R tal que se obtenga lectura a plena escala cuando v sea +10 V.86 AMPLIFICADORES OPERACIONALES ines 2.20. Un vottimeto analé- co con alta resistencia de entr aa al 72 f ai e+ Soren La corriente en el medidor de bobina mévil es wR debido al cortocircuito virtual en la entrada de! ‘op amp y la infinita impedancia de entrada del op amp. Entonces tenemos que seleccionar R tal que 10/R = 100 1A. Asi, R= 100 kA. ‘Nétese que el voltimetro resultante produciré lecturas directamente proporcionales al valor de ‘v, cualquiera que sea el valor de la resistencia interna de! medidor de bobina mévil, lo cual es una propiedad muy conveniente, EJEMPLO 2.6 Un amplificador de diferencia (o amplificador diferencial) "Necesitamos hallar una expresién para encontrar el vltaje de salida up en términos de los voltajes de entrada v, y v para el circuto de la figura 2.21. Re Ri Fig. 2.21 Un amplificador de diferencia Roma Hay varias formas de resolver este problema; quiz4 la mas sencilla consiste en usar el principio de ‘superposicién. Obviamente que aqui se puede utilizar la superposicién, puesto que la red es lineal.gangs eS ea cnet 105 2.6 EJEMPLOS DE CIRCUITOS CON OP AMP. 87 Para aplicar superposicin, primero reducimos vs a cero, es decir, conectamos a tierra el terminal al que v2 se aplica, y luego hallamos el correspondiente voltae de salida, que se deberd por entero av, Denotamos este voltaje de salida por v,. Su valor se puede hallar del circuto de la figura 2.22(a), que reconocemos como de configuracién inversora. La existencia de Ry y Ri no afecta la cexpresin de ganancia, ya que no circula corriente por ninguna de estas resistencias. Por lo tanto, A continuacién reducimos u; a cero y evaluamos el correspondiente voltaje dé salida vn EI circuito ahora tomara la forma que, se muestra en la figure 2.22(b), que reconocemos como @ () Fig. 2.22 Aplicacin de superposicin al andlsis del cireuito de ta figura 2.21. configuracién no inversora con un divisor de volte adicional, formado por Rs y Re, conectados en Jos terminales de la entrada v;. El voltae de salida Ugg esta, por lo tanto, dado por 7 R_(,.® vn ORR (TTR, El principio de superposicién nos dice que el voltaje de salida ug es igual a la suma de vo, y ‘Uor- De esta forma tenemos L+RIR, ut TRY 13) Esto completa el andlisis del circuito de la figura 2.21, pero, debido a la importancia préctica de este circuito, continuaremos con él mas adelante. Preguntaremos: cual es la condicién en Ja que este circuito funcionara como amplificador de diferencia? En otras palabras, deseamos hacer que el circuito responda (produzca una salida) en proporcién a la sefal de diferencia t — us y rechazar sefales de modo comin (es deci, que produzca salida cero cuando v= vs ). La respuesta se puede obtener de la expresin que hemos derivado (ecuacién 2.13). Sea v, = va y especifiquese106 88 AMPLIFICADORES OPERACIONALES (que vo=0.Es fcil ver que este proceso Ilevaala condicién Ry/R, = RVR. Al sustiniren la ecuaci (2.13) resulta el voltaje de salida _& vom Faw) ‘que es claramente el del amplificador de diferencia con ganancia de RR, Luego nos preguntamos acerca de la resistencia de entrada vista entre los dos terminales de entrada. El circuito se dibuja de nuevo en la figura 223 con la condicién R/R, = Rd/R, impuesta. De hecho, para simplificar las cosas y por otras consideraciones précticas, hemos hecho Rj = R= Ry, Deseamos evaluar la resistencia diferencial de entrada R,, definida como R Fig. 2.23 Buisqueda de laresis- tencia de entrada del amplificador de diferencia. Conocireuito virtual ‘Como los dos terminales de entrada del op amp se rastrean entre si en potencial, podemos escribir ‘una ecuacién de circuito y obtener = Rit OF RG Por lo tanto Ra = 2R,. Nétese que si se requiere que el amplificador tenga una ganancia diferencial ‘grande, entonces R,, por necesidad, serérelativamente pequetia y la resistencia de entrada sera de ‘modo correspondiente también pequetia, una desventaja de este circuito. Los amplificadores de diferencia encuentran aplicacién en muchos campos de trabajo, princi- palmente en el.disefio de sistemas de instrumentacién. Como ejemplo, considere el caso de un transductor que produce entre sus dos terminales de salida una sefal relativamente pequedia, digamos de 1 mV. Sin embargo, entre cada uno de los dos alambres (que van del transductor al sistema de instrumentacién) y tierra puede haber una interferencia captada muy grande, por ejemplo de 1 V. El amplificador que se hace necesario, conocido como amplificador de instrumentacién, debe rechazar esta gran sefial de interferencia, que es comiin a los dos alambres (una sefal de modo comin) y amplificar la pequefa sefial de diferencia (0 diferencial). Esta situacién se ilustra en la figura 2.24, donde vox denota la sefial en modo comin y v, denota la sefal diferencil107 2.6 EJEMPLOS DE CIRCUITOS CON OP AMP. 89 Fig. 2.24 Representacin de los ‘componentes de modo comin y di- ferencial dea seBal de entrada aun amplificador de diferencia. Nétese ue v4 = vem Yel Y v= Ye ul. EJEMPLO 2.7 Un amplificador de instrumentacién El amplificador de diferencia estudiado en el ejemplo anterior no es enteramente satisfactorio como amplificador de instrumentacién. Sus principales desventajas son su baja resistencia de ‘entrada y que su ganancia no se puede hacer variar con facilidad, En la figura 2.25(a) se muestra un circuito amplificador de instrumentacién muy superior. Analice el lector el circuito para de- terminar vo como funcién de vs y vs, y determine la ganancia diferencial. Sugiera una forma de hacer variable la ganancia. También encuentre la resistencia de entrada. Diseiie el circuito para obtener una ganancia que se pueda hacer variar entre 2 y 1000 utilizando un resistor variable de 100 k® (potencidmetro). Stree El circuto esté formado por dos etapas: la primera por los op amps Ary Azy susresistores asociados, y la segunda por el op amp A; junto con sus cuatro resistores asociados, Reconocemos la segunda etapa como la del amplificador de diferencia estudiado en el ejemplo 2.6. El andlisis del circuito, si se suponen op amps ideales, es sencillo, como se ilustra en la figura 2.25(b). El punto clave es ue los cortocircuitos virtuales en las entradas de los op amps Ary Azhacen que los voltajes de entrada ta y v, aparezcan en los terminales de Ry. Asi, el voltaje de entrada diferencial (vj - 1) aparece a través de Ri y ocasiona que la corriente f= (v ~ uJ Ri circule por R, y los dos resistores marcados como R,. Esta corriente, a su vez, produce una diferencia de voltaje entre los terminales de salida de 4, y 42 dada por 01 Yeon (ev @14) El amplificador de diferencia formado alrededor del op amp 4; capta la diferencia de voltaje (vo, ~ vox) y produce un voltaje proporcional de salida vo, R vo™ ~F (Uo vo.) (2s)109 26 EJEMPLOS DE CIRCUITOS CON OP AMP 91 ‘Al combinar las ecuaciones (2.14) y (2.15) resulta =. 28 ee Te iC Blow De esta forma, el amplificador de instrumentacién tiene una ganancia de voltaje diferencial de 4 Re) oe a Facilmente se puede demostrar que una Sefial de entrada de modo comin ti, (aplicedo a ambos terminales de entrada; véase la figura 2.24) se propaga en la primera etapa resultando en Uoi = von = ‘ve (Suponiendo que por ahora hemos hecho vj 0). Deesta forma, si el amplificador de diferencia de la segunda etapa esta debidamente balanceada, produciré un voltaje cero de salida en respuesta ‘4 Yow, 10 que indica que la ganancia en modo comiin del amplificador de instrumentacién tiene el ‘valor ideal de cero. De la expresién de ganancia diferencial de la ecuacién (2.16) observamos que el valor de ganancia puede variar si se hace variar el resistor individual R; cualquier otro arreglo implica hacer variar dos resistores simulténeamente, ‘Como los dos op amps dela etapa de entrada estin conectados en la configuraciénno inversora, Ja impedancia de entrada vista por cada uno de los voltajes Uy v, es (idealmente) infnita. Esta es ‘una Ventaja importante de esta configuracién del amplificador de instrumentacién. Llevernos ahora muestra atencién al problema de disefio’en particular. Suele ser preferible ‘obtener toda Ia ganancia necesaria en la primera etapa, dejando la segunda etapa para realizar la tarea de tomar la diferencia entre las salidas de la primera etapa y asi rechazar la sefial de modo ‘comiin. En otras palabras, la segunda etapa se disefia generalmente para una ganancia de uno. Si se adopta este método, seleccionamos todos los resistores de la segunda etapa iguales a un valor pricticamente conveniente, por ejemplo 10k. El problema entonces se reduce a disefiar la primera ‘etapa para obtener una ganancia ajustable entre 2 1000 Si se implementa R, como lacombinacién en serie de un resistor fijo Ryry el resistor variable R, obtenida mediante el uso del potenciémetro de 100 kA (véase la figura 2.25c), se puede escribir 1 RR, 28 1000 Por lo tanto, 1000 y 1+ _, Ry+ 100K Estas dos ecuaciones dan Riy= 100.2 Q y R = 50.050 kO. Se pueden seleccionar otros valores racticos; por ejemplo, R= 100.2y R= 49.9 KO (ambos valores existen como resistores esténdar de pelicula metilica y 1% de tolerancia; véase el apéndice H) resulta en una ganancia que cubre aproximadamente el limite necesario.110 92 AMPLIFICADORES OPERACIONALES Ejercicios 5 2.44 Encuentre valores para las resistencias del cicuito de la figura 2.21 tales que el circuito se comporte como un “amplificador de diferencia con una resistencia de entrada de 20 kOy una ganancia de 100. Resp. R= R,= 10kQ: R= R= 1M0 2.18 Parael circuto que se muestra en Ia figura E215, obtenga una expresi6n para la funcién de transferencia VV, Encuentre expresiones para halla la magnitud y fase de la respuesta. Nota: Este circuito funciona como divisor de fase. Tambiéa se conoce como filtro pasatodo de primer orden. Fig. £2.15 ay Resp. Voi¥,=(s~VCRV(s* UCR) YoIF| = 15 = 180°~2 tan" (UCR) 2.46 Considere el citcuto de amplificador de diferencia de la figura 2.21. Sustituya R: y R, con dos capacitores iguales C, y haga R, = R, = R. Utlice superposicién para demostrar que el circuito se convierte en integrador con V, =Wa~ViVsCR 2.7 EFECTO DE GANANCIA FINITA A CIRCUITO ABIERTO Y ANCHO DE BANDA EN EL FUNCIONAMIENTO DE UN CIRCUITO ‘Ya antes definimos el op amp ideal y presentamos varias aplicaciones de circuites de op amps. El anlisis de estos circuitos supuso que los op amaps eran ideales. Aun cuando en muchas aplicaciones ésta no es una mala suposicién, un disefiador de circuitos tiene que estar familiarizado con las caractersticas de op amps précticosy los efectos de ests caracteristicas en a operacisn de circaitos con op amps. Sélo entonces estaré el disefiador en aptitud de utilizar los op amps inteligentemente, en especial si la aplicacién a mano no es sencilla. Las propiedades no ideales de op amps, por supuesto,limitan el campo de operacién de los circuitos analizados en los ejemplos anteriores. En el resto de este capitulo consideramos algunas de las importantes propiedades no ideales del op amp. Hacemos esto tratando un pardmetro a la vez, comenzando en esta seccién com el caso mis serio de op amp no ideal, que es su ganancia finite y ancho de banda.1 2.7 EFECTO DE GANANCIAFINITA A CIRCUITO ABIERTO Y ANCHO DE BANDA 93 1A} (6B) 20 4B, década 6 dB/octava a a t { he f Fig. 2.26 Ganancia a circuito abierto de un op amp tipico de uso generale internamente compensado. 1" 7H) La gananciaciferencial a circuitoabirto de un op amp noes infin, sino que ms bien es finitay disminaye con la frecuencia. En la figura 2.26 se muestra una grifica para dl, con los ntimeros ipicos dels op amps de so més general (comolos opamp tipo 741, que e puede adquirir de muchos fabricantes de semiconductores y cuyo circuito interno se estudia en el capitulo 10). "Nétese que aun cuando la ganancia es bastante alta a cy bajs recuencins comienza a caer a frecuencias més bien bajas (10 Hz en nuestro ejemplo). La atenuacién uniforme de ganancia a 720 dB/década que se mesa cs tpica para op amps internamente compensados. Esas son ‘nidades que tienen una red (poro general un solo capacitor) includo ene mismo chip de IC cuya funcion es producir a gnancia del op amp para tener larexpuesta de paso bajo yuna contante de ‘tiempo que se muestra. Este proceso de modificar la ganancia a circuito abierto se denomina campensacion de freeuencia,y supropésito es asegurarquelos creutes con op amps sean estables (opuestos a os osciatris). El tema de establidad de creuitos de op amps, o, més generalmente, de ampliicadores de reroalimentacin, se estudiar ene capil & Por analoga ala respuesta de circuits STC de paso bajo (véae la seecién 1.6 y, para mas dalle, el apéndice F),la ganancia As) de un op amp internamente compensado se pede expresat como As 49" a 17) que para frecuencias fisicas, s = jw, se convierte en 4 AG) T+ fala, @.18)12 94 AMPLIFICADORES OPERACIONALES donde 4, denota la ganancia de cd y wes la frecuencia a 3 dB (o frecuencia “de ruptura”). Para el ejemplo que se muestra en la figura 2.26, 4y = 10° y wy = 2x x rad/s. Para frecuencias w > ws (diez veces 0 mas alta), la ecuacién (2.18) se puede aproximar por As AU) = 8 (29) de la que se puede ver que la ganancia [4| llega a la unidad (0 dB) a una frecuencia denotada por wy dada por . w= Aes (2.20) Al sustituiren la ecuacién (2.19) resulta Ais) = 21 ja onde w se denomina ancho de banda de ganancia unitaria."El ancho de banda de ganancia Uunitaria f= w;/2r suele especificarse en las hojas de datos de op amps. También nétese que para (o> wy la ganancia a circuito abierto en la ecuacién (2.17) se convierte en. Aw =o 2.22) ‘Asi, el op amp se comporta como integrador con constante de tiempo 7= I/u, Esto se correlacio- nna con la respuesta en frecuencia de ~6 dB/octava indicada en la figura 2.26. La magnitud de ganancia se puede obtener a partir de la ecuacién (2.21) como wt of Entonces, si se conoce (10* Hz en nuestro ejemplo), se puede fécilmente estimar la magnitud de Ja ganancia del op amp a tna frecuencia fdada. En cuanto ala importancia practica, observemos que la dispersién de produccién en el valor de «entre op amps del mismo tiempo es mucho menor que el observado para do y ws. Por esta razén, wi (0 f= ws/2m) se prefiere como pardmetro de especificacién, Finalmente, debe mencionarse que un op amp que tenga esta atenuacién de sganancia de ~6 dBloctava se dice que tiene un modelo de “un polo”. Del mismo modo, como este polo individual domina la respuesta en frecuencia del amplificador, se llama polo dominante. En el capitulo 7 trataremos con mayor detalle polos y ceros. [Au = (2.23) Respuesta en frecuencia de amplificadores de circuito cerrado ‘A continuacién consideramos el efecto de ganancia limitada de op amps y ancho de banda limitada, en las funciones de transferencia a circuito cerrado de las dos configuraciones basicas: el circuito inversor de la figura 2.4 y el circuito no inversor de la figura 2.16. La ganancia a circuito cerrado * Debido qu use producto dela ganancia 4s de ed ye ancho de banda uy a 3. dB, se le conoce también como producto del ancho de bande de gonancia (GB),13 2.7 EFECTO DE GANANCIAFINITAA CIRCUITO ABIERTO Y ANCHO DE BANDA 95 del amplificadorinvesor, ise sypone ganancia A finita a cireito abierto de un op amp, se obtuvo nla seccién 23 y se dio en la ecuacién (2.1), que aqui repetimos como =RIR, FO T+ RR VA 224) Al sustituir por A de la ecuacin (2.17) resulta 4) (2.25) wtie® Bh (2.26) = 1+ ON+ RR) ‘que es de la misma forma que para una red de una conistante de tiempo (STC) de paso bajo (véase. 1a tabla 1.2, pégina 32). Entonces, el amplificador inversor tiene una respuesta STC de paso bajo con una ganancia de ed de magnitud igual a R/R,. La ganancia « circuito aberto se atenia una ‘pendiehte uniforme de ~20 dB/década con una frecuencia de corte (frecuencia a 3 dB) dada por oe TERIR 227) ‘Anélogamente, un andlisis del amplificador no inversor de la figura 2.16, si se supone una ganancia A finita a circuito abierto, produce una funcién de transferencia a circuito cerrado de ¥, L+RYR Vi" +0 + RIRYA G28) Al sustituir por A de la ecuacién (2.17) y hacer Ia aproximacién dy >> 1+ Ry/R, resulta en Yai) A+ RR, Vi “7, on+ RR) Entonces, el amplificador no inversor tiene una respuesta STC de pase bajo con una ganancia de ed de (1+ Ry/R,)y una frecuencia a3 4B dada también por la ecuacién (2.27) (2.29) EJEMPLO 2.8 CConsidere un op amp conj; =1 MHz. Encuente la frecuencia a3 dB de amificadoresa circuito cerrado ‘con ganancias nominales de +1000, +100, +10, +1, ~1, ~10, ~100 y ~1000. Trace la respuesta en rmagnitud de frecuencia para los amplificadores con ganancias a circuito cerrado de +10 y —10. SOLUCION ‘Mediante la ecuacién (2.27) obtenemos loé resultados dados en la tabla de la pégina siguiente.4 196° AMPLIFICADORES OPERACIONALES Ganancia a Re Gireuito cerrado. Ry fous = Alt + RRA) +1000 999 1 kit +100 9 10 Kitz 0 9 100 ka a ° MB A 1 0.5 Miz 10 10 90.9 Kei ~io0 100 9.9 kite 1000 1000 m1 ke Enla figura 2.27 se muestra la respuesta en frecuencia para el amplificador cuya ganancia nominal de od es +10, y en la figura 2.28 se muestra la respuesta en frecuencia para el caso de ~10. Se deduce ‘una observacién interesante dela tabla anterior: e! amplificador inversor de ganancia unitara tiene una frecuencia de 3 dB de f/2 en comparacién con para el amplificador no inversor de ganancia unitaria. (ae) il 10] 1 p70 pe 100) 1 7 che) Fig. 2.27 Respuesta en frecuencia de un ampificador con gaancia nominal de +10 VI. |#| em Fig. 2.28 Respuesta en frecuencia de un amplificador con ganancia nominal de ~V/V.15 2.8 OPERACION DE OP AMPS AGRAN SENAL 97 Enel ejemplo 2.8 se ilustra claramente la relacién entre ganancia y ancho de banda: para un op amp dado, cuanto menor sea la ganancia necesaria a circuito cerrado, mayor seré el ancho de banda alcanzado. De hecho, la configuracién no inversora exhibe un producto de ganaricia constante y ancho de banda igual a f;del op amp. En el capitulo 8 se da una interpretacién de estos resultados. en términos de la teoria de retroalimentacién: Ejercicios 2.47 Unop amp internamente compensado tiene una ganancia decd acireuito abierto de 10° V/V y una ganancia de 2. cireuito abierto de 40 4B a 10 Kifz. Estime su frecuencia a3 dB, su frecuencia de ganancia utara, su producto dde gamancia y ancho de banda y su ganancia esperada a I KEiz. Resp. 1 Hz; 1 MHz; 1 MHz; 6048, 2.18 Considere un op amp que tiene una ganancia de 106 4B a cd y una respuesta en frecuencia de un polo con f 2’ MHz Encuentre la magnitud de ganancia af= 1 k¥tz, 10 kHz y 100 KH. Resp. 2000 V/V; 200 V/V; 20 V/V | 249 Sielopamp del ejericio 2.18 se tliza para seer un amplifcndor no invertor con ganancia decd nomial “86100, eacuense a esuencia de 3 dB dela guancia acct cena. Resp. 20kHz 2.8 OPERACION DE OP AMPS A GRAN SENAL En esta seccién estudiamos las imitaciones de la operacién de circuitos con op amps cuando estan presentes grandes sefiales de salida. Saturacion de salida De manera similar a otros amplificadores, los op amps operanlinealmente en un interval limitado de voltajes de salida. Especificamente la salida de un op amp se satura en la forma que se muestra enla figura 1.13 con L. y L_ano més de entre 1 y 3 volts de las fuentes de alimentacién positiva y ‘negativa, respectivamente. Entonces, un op amp que opere de fuentes de +15 V se satura cuando e! voltae de salida llegue a unos +13 V ena direccién positiva y ~13 V en la direccién negativa. Para este op amp se dice que el voltaje nominal de salida es +13 V. Para evitar que se recorten los picos de la onda de salida, y 1a resultante distorsién de la onda, la sefial de entrada debe mantenerse correspondientemente pequefia. Ejercicio 2.20 Et volte nominal de salida de um op amp dado es +10 V. Siel op amp se utiliza para disefiar un amplificador ‘0 inversor'con una ganancia de 200, jcuél es la maxima entrada de onda senoidal que se puede manejar sin recortar ® tasalida? Resp. 0.1 Vpico apico116 98 AMPLIFICADORES OPERACIONALES Rapidez de respuesta (Oto fendmeno que puede ocasionar distorsién no lineal cuando estén presentes grandes seiales de salidaes el de la limitacién de la rapidez de salida. Esto st refiere al hecho de que hay una rapidez especifica maxima de cambio posible a la salida de un op amp real Este méximo se conoce como rapide: de respuesta (SR) del op amp y esta definido como deo sr= P| 230) y por lo general se especifica en la hoja de datos del op amp en unidades de V/s. Se deduce que sila sefal de entrada aplicada a un circuito con op amp es tal que demanda una respuesta de salida que sea mis répida que el valor especificado de SR, el op amp no satisface este requisito y su salida cambia a la méxima rapidez posible, que es igual a su SR. Como ejemplo, considere un op ‘amp conectado a la configuracién de seguidor de voltaje de ganancia unitaria que se muestra en la figura 2.29(a), y sea la sefial de entrada un voltaje en escalln que se presenta en la figura 2.29(b). “t -—— v —l o woh = Pendiente = SR} v s s & a 0 7 = = © @ toh Pendiente = w,V = SR y ae Yo 0 7 @ Fig. 2.29. (a) Seguidor de ganancia unitaria, (b) Onda de escalon de entrada, (c) Onda de salida que se leva linealmente, obtenida cuando el amplificador ests limitado por la rapidez de respuesta. (€) Onda de salida que se eleva exponencialmente. obtenida cuando V es suficientemente pequetio para que la ppendienteinicial (i, sea menor o igual 2 SR.117 28 OPERACION DE OP AMPS AGRAN SENAL 99 La salida del op amp no podré elevarse instanténeamente al valor ideal V sino que, mas bien, la salida serd la rampa ideal de pendiente igual a SR, mostrada en la figura 2.29(c). Se dice entonces ue el amplificador varia répidamente y su salida estélimitada por la rapidez.de respuesta Para comprender el origen del fendmeno de rapidez de respuesta es necesario conocer acerca el circuito interno del op amp, lo que haremos en el capitulo 10. Por ahora, sin embargo, es suficiente saber sobre el fendmeno y observar que es distinto del ancho de banda fnito del op amp que limita la respuesta en frecuencia de amplificadores de circuito cerrado, estudiado en la seccién anterior. El ancho de banda limitado es un fenémeno lineal y no resulta en un cambio en la forma de un senoide de entrada, es decir, no conduce a distorsin no lineal. La limitacién de rapidez de respuesta, por otra parte, puede ocasionar distorsién no lineal a una sefial senoidal de entrada cuando su frecuencia y amplirud sean tales que la correspondiente salida ideal necesite que uo cambie a luna mayor rapidez que la rapidez de respuesta (SR). Este es el origen de otra especificacién relacionada con op amps, que es su ancho de banda a plena potencia, que se explica posteriormente. ‘Antes de dejar el ejemplo de lafigura'2.29 sefalaremos que si el voltaje V’de escalon de entrada es Suficientemente pequefo, la salida puede ser la rampa que se eleva exponencialmente y que se muestra cena figura 2.29(d), Se espearia esta salida del seguidor sia tnicalimitacin desu operacién dinémica ‘es el ancho de banda fnito del op amp. Especificamente, la funcién de transferencia del seguidor se ‘puede halla si se sustituye Rj = o> y R:= 0 en la ecuacién (2.29) para obtener ved Vi T¥shu, e231) i aque es una respuesta STC de paso bajo con una constante de tiempo 1/u,. Su respuesta en escalén, por lo tanto, seria (véase apéndice F) dl) = WL =e) (2.32) La pendiente inicial de esta funcién que se eleva exponencialmente es (uj). Entonces, mientras V sea suficientemente pequetio de modo que u;V’S SR, la salida serd como se ve en la figura 2.29(4). 2.21 Un op amp, que tiene una rapidez de respuesta de 1V/usy un ancho de banda de ganancia unitria de 1 MHz, © conecta en la configuraci de seguidor de ganancia unitara, Encuentre el miximo voltaje posible de escalon para que la onda de salida todavia se encuentre dada por larampa exponencial de a ecuacién (2.32) Para este voltaje de entrada, cules el tiempo de elevacién de 10% a 90% de la onda de salida? Si se aplica un escalon de entrada que es 10 veces mayor, encuentre el tiempo de elevacién de 10% a 90% de la onda de salida, Resp. 0.16 V;0.35 us; 128 us Ancho de banda a plena potencia Laimitacin de rapidez de respuesta de un op amp puede ocasionar distosin no lineal en ondasse- ‘oidales, Considere una vez més el seguidor de ganancia unitaria con entrada de onda senoidal dada por100 AMPLIFI 118 CADORES OPERACIONALES. Salida teérica ‘Salida cuando un op amp esté limitado por la rapidez de respuesta Ejercicio Fig. 2.90 Efecto dela limitacion de rapidez de respuesta en ondas senoidales de saida y tiene un valorméximo dew, Este méximo se presenta en los cruces cero de lasenoide de entrada. ‘Ahora, si wi excede de la rapidez de respuesta del op amp, la onda de salida se distorsiona en la forma en que se muestra en la figura 2.30. Observe que la salida no puede ir al mismo paso que la-gran rapidez de cambio de la onda senoidal en sus cruces con el cero, y el op amp varia répidamente. Las hojas de datos de op amps suelen especificar una frecuencia fy llamada ancho de banda a plena potencia. Es la frecuencia a la que una senoide de salida con amplitud igual al voltaje nominal de salida del op amp empieza a mostrar distorsiGn debida a la limitacién de rapidez de respuesta, Si denotamos el voltaje nominal de salida por Vea, emtonces i esté relacionada ala SR como sigue: yVonis = SR Entonces, SR. Vemic 2.33) Debe ser obvio que las senoides de salida de amplitudes menores que Vea: mostrarén distorsin de rapidez de respuesta a frecuencias mayores que wy. De hecho, a una frecuencia w mayor que wv, la amplitud maxima de la senoide de salida no distorsionada esta dada por: Yo= Vee (=) (234) 2.22 Unop amp tiene un voltaje nominal de salida de #10 V y una rapidez de respuesta de 1 V/us. {Cual es el ancho de banda a plena potenci? Si se aplica una entrada senoidal con frecuencia f= Sf a un seguidor de ganancia unitaria119 construido usando este op amp, cui es la méxima amplitud posible que se pueda acomodar ala sada sn incurir en {i distorsién de rapidez de respuesta? f Resp. 15.9 kz; 2 V (pico) 2.9 IMPERFECCIONES DE CD Voltaje de desnivel Debido a qu los op amps son dispostivos de acoplamiento directo con grandes ganancias acd, son ppropensos a problemas de cd. El primero de estos problemas es el volije de desnivel deed. Para comprender este problema consideremos el siguiente experimento conceptual: silos dos erminales ‘ de entrada del op amp estén unidos y conectados tera, se eticontraé que hay un voltae into de cd a la salida. De hecho, si el op amp tiene una elevada ganancia de cd, la salida estard al nivel de saturacién positivo o negativo. La sala del op amp se puede regresr a su valor ideal de OV ; si se conecta una fuente de voltae de cd de polaridad y magnitud apropiadas ene los dos terminales de entrada del op amp. Esta fuente externa equilibra el voligje de desnivel de entrada del op amp. Se deduce que el voltae de desnivel de entrada (Vs) debe ser de igual magnitud y de polaridad ‘puesta al voltaje que se aplica externamente. El voltaje de desnivel de entrada aparece como resultado de los inevitables desacoplamientos presentes en la etapa de entrada diferencial del op amp. En capinulos posteriores estudiaremos en Getalle este tema, pero aqui nuestra preocupacién es investigar el efecto de Vos en la operacién de circuitos de op amp a circuito cerrado. Hacia el final observamos que los op amps de uso general cexhiben Vosen la escala de 1a 5 mY. Del mismo modo, el valor de Vos depende de la temperatura. ] Las hojas de datos de op amps especifican por lo general valores tipicos y méximos para Vos @ F temperatura ambiente, asi como coeficientes de temperatura de Vo (por lo general en VC), pero ‘no especificanlapolaridad de Vos debido a que los desacoplamientos de componentes que dan lugar a Vos obviamente no se conocen a priori; diferentes unidades del mismo tipo de op amp pueden exhibit un Vos positive o negative Para analizar el efecto de Voren la operaciGn de circuitos con op amps, es necesario un modelo Ge cieuito para el op amp con voltaje de desnivel de entrada; este modelo se muestra en la figura 231 y consta de una fuente decd de valor Vos en serie con el terminal positive de entrada de un op amp sin desnivel. La jutificacién para este modelo se deduce de la deseripein anterior. on) Fig. 2.31 Modelo de cireuito : para un op amp con voliaje de i esnivel de entrada Vos. ‘Op amp sin desnivel120 102 AMPLIFICADORES OPERACIONALES § Ejercicio 2.23 Utilice et modelo de la figura 2.31 para trazar Ia curva caracteristica de transferencia ug contra Uis(Yo = vs Y =v) de un op amp que tiene 4s = 10*,niveles de saruracién de salida de =10 V, y Vos de +5 mV. Resp. Véate la figura E2.23 Fig. £2.23 Caracteristica de ransfe- 1234S Gus(@¥) — gencia de un op amp con Vos= 5 mV. Elandlisis de circuitos con op amps para determinar el efectodel Vasde op amps ensu operacién «es sencillo:la fuente de sefales de voltae de entrada se pone en cortocrcuitoy el op amp se sustruye ‘con el modelo de la figura 2.31. (La eliminacién de la sefial de entrada, hecha para simplificar el problema, esté basada en el principio de superposicién,) Si se sigue este procedimiento encontramos que las configuraciones inversora y no inversora del amplificador resultan en el cicuito que se ‘muestra en a figura 2.32, de donde se encuentra que el voltaje de ed debido a Vos es . R ror re[ie8] aan de cd de salida debido a Vos en un amplificador de cicuito cerrado. Opamp sin desrivel121 29 IMPERFECCIONES DE CD 103 Fig. 2.33. El voltae de desnivel de od de salida de un op amp se puede recortar = acero sise conecta un porenciGmerre alos os terminales de cancelacién de desni- Ateio~ ~~ aelereuto “Terminates vel. El contacto deslizamte del potencié- aed ‘metro esté conectado a la alimentaci6n negativa del op amp. Este voltaje decd desalida puede tener una gran magnitud. Por ejemsto, un amplificador ne inversor ‘con una ganancia de 1000 @ circuito cerrado, cuando se construye de un op amp con voltaje de desnivel de entrada de 5 mY, tendré un voltae de salida de ed de +5 V 0-5 V (dependiendo de la polaridad de Vos), mas que el valor ideal de 0 V. Ahora, cuando se aplica una sefial de entrada al amplificador, la cofrespondientesalida de seal se superpone alos S V de ed. Obviamente entonces, Ia altemancia permisible de sefial ala salida se reducira y, lo que es peor, sila sefial que se va ¢ amplificar es de ed, no sabriamos si a salida se debe a Vos 0a a seta. ‘Algunos op amps estén equipados con dos terminales adicionales a las que se puede conectar tun circuito especificado para recortar a cero el voltaje de cd de salida debido a Vos. En la figura 2.33 se muestra est circuito que se utiliza tipicamente con op amps de uso general. Se conecta un potenciémetro entre los terminales de invalidacién de desnivel con el contacto deslizante del po- tenciémetro conectado @ la fuerte negativa del op amp. Al mover el contacto deslizante del potenciémetro se introduce un desequilibrio que contrarresta la simetria presente en el circuito {ntemo del op amp y que dalugar a Vos. Regresaremos aeste punto en el contexto de nuestro estudio del circuito interno de op amps det capitulo 10, pero debe observarse que aun cuando el desnivel de salida de ed se puede recortar a cero, el problema persiste en la variacién (0 desviacién) de Vos con Ja temperatura, Ejercicio 2.24 Considere un amplificadorinversor con una ganancia nominal de 1000 construido de un op amp con un voltaje de desnivel de entrada de 3 mV y con niveles de saturacin de salida de +10 V. (8) ,Cufl es (aproximadamente) la sefial pico de entrada de onda senoidal que se puede apicar sin recortar la salida? (b) Si el efecto de Vos se invalida a temperatura ambiente (25°C), ;de qué magnitud se puede aplicar una entrada si: ())e circuito debe operar a temperatura cconstante? y (i) el cireuto debe operar @ una temperatura entre 0°C y 75°C y el coeficiente de temperatura de Vos es lopvec? Resp. (a) 7mV; (b)10my,95 mV ‘Una forma de superar el problema de desnivel de cd es acoplando capacitivamente el amplifi- cador. Esto, sin embargo, seré posible sélo en aplicaciones donde no se requiere que el amplificador122 104 AMPLIFICADORES OPERACIONALES =~ RX c oR 4 E> Fig. 2.34 Un amplificador in- © _versorcapacitivamente acoplado. ‘a circuito cerrado amplifique sefiales de od o de muy baja frecuencia. En la figura 2.34 se muestra ‘un amplificador inversor capacitivamente acoplado. El capacitor de acoplamiento ocasionara que a ganancia sea cero a cd. De hecho, el circuito tendré una respuesta STC de paso alto con frecuencia de 3 dB w= 1/CR,,y la ganancia seré —R/R, para frecuencias w >> us, La ventaja de est crcuito esque Vos'n0 se amplifica. Por lo tanto, la salida de volte de od seré igual a Vos en lugar de Vo + R,/R,), que.es el caso tn el capacitor de acoplamiento, Como el capacitor se comporta coro circuito abierto a ed, es fécil observar en la figura 2.34 que el genierador de'Voz'en realidad ve un seguidor de ganancia unitaria. Otro circuito de op amp que es adversamente afectado por el voltae de desnivel de op amp es 1 imtegrador Miller. En la figura 235 se muestra el circuito integrador con la sefial de entrada reducida a cero y el op amp sustituido con el modelo de la figura 2.31. El andlisis del eireuto es sencillo y se muestra en la figura 2.35. Si se supone que en el tiempo 1 = 0 el voltae en los terminales del capacitor es cero, el voltaje de salida como funcién del tiempo esté dado por wo Vor Bae 236) Entonces, tio aumenta linealmente con el tiempo hasta que el op amp se satura, lo que con toda claridad es una situacién inaceptable, El problema se puede superar si se conecta un resistor Rr en. Jos terminales del capacitor integrador C. Este resistor proporciona una trayectoria de ed por la que puede circular Ia corriente de cd (Voe/R),comel resultado de que vo tendré ahora una componente de ccd de Voct1 + (RoR) (ea lugar de elevarselinealmente). Para mantener pequefio el desnivel de ed ala salida, se debe seleccionar un valor bajo para R,, pero desafortunadamente, cuanto menor sea cl valor de Rr menos ideal es el circuito integrador (véase el ejemplo 2.4), Este es otro ejemplo de. relaciones que un diseflador debe considerar al crear circuitosfumcionales a partir de components ‘imperfectos. Vosik C ogy + Lf Yea Fig-235 Detemsinacién det eee Se CHR ‘to del voltaje de desnivel de entrada Yon, alopamp, Vos ene cireito integra oo eR dorMiller Nétese que come asada se eleva con el tiempo, el op amp ‘inalmente se satura.123 2.9 IMPERFECCIONES DECD 105 Ejercicio 2.25 Considere un integrador Miller con una constante de tempo de 1 ms y una resistencia de entrada de 10 KO. lop amp tiene un Vos = 2 mV y voltajes de saturacién de salida de ~ 12 V. (a) Si se supone que cuando se enciende la fuente de alimentacién el voltaje del capacitor es cero, eudnto tarda el amplificador en saturarse?(b) Seleccione el ‘miximo valor posible para un resistor de retroalimentacién Rr de modo que se disponga por lo menos +10 V de atemancia de sefial de salida. {Cual es la frecuencia de corte de la red de una constante de tiempo (STC) resultante? Resp. (265; (b) 10MO,0.16 Hz iente de polarizacién de entrada El segundo problema de cd que se encuentra en op amps se ilustra en la figura 2.36. Para que fancione un op amp, sus dos terminales de entrada deben ser alimentadas con corrientes de ed lamadas corrientes de polarizacién de entrada. En la figura 2.36 estas dos corrientes estén representadas por dos fuentes de corriente, In ¢ J, conectadas alos dos terminales de entrada. Debe f), la ganancia del op apes dl = fi. WE Para las configuraciones inversora y no inversora a cireuto cerado, la frecuencia a3 dB esigual af /(1+ RyR). WE Laméxima rapide ala que el volts de salida de un op ‘mp puede cambiar se lama rapide: de respuesta, SR, que suele especificarseen V/s. Lavariacion den op amp puede resulta en distorsin no lineal de ondas de sefl de salida. Bistiograria G.B. Clayton, Experimenting with Operational Amplifiers, ‘Macmillan, Londres, 1975. Operational Amplifiers, 22. ed, Newnes-But- ‘eeworths, Londres, 1979. 8. Franco, Design with Operational Amplifiers and Analog Integrated Circuits, MeGraw-Hill, Nueva York, 1988, 4.6, Graeme, G. E. Tobey y L. P. Huelsman, Operational Amplifiers: Design and Applications, McGraw-Hill, Nueva York, 1971. ‘W.Jung, IC Op Amp Cookbook, Howard Sams, Indiandpolis, 1974, 127 BIBLIOGRAFIA 109 El ancho de banda a plena potencia, fi 6s la méxima ‘frecuencia ala que una senoidal de salida con amplitud igual al voltae nominal de slida de un op amp (Vem) puede products sin distorsgn: fy SR/2V ani ME Elvolisje de desnivel de entrads, Vos es la magnitud del voltaje de ed que cuando se splica entre los terminales de cenirada de un op amp, con polaridad apropiada, reduce acero cl voltje de desnivel de od ala salida. WE efecto de Vos en operaciones se puede evaluar si en 1 anliss se incluye una fuente de ed Yas en serie con el alambre de entrada positiva del op amp. Para las configura- ciones inversora y no inversora, Vos resulta en un voltaje de denne decd sen Fos{ +] Si se acopla capacitivamente un op amp se reduce de ‘manera considerable el voltae de desnivel de cd ala salida. El promedio de las dos comrientes de cd, Ja) € Jen, que circulan en los terminales de entrada del op amp, ¢e llama corriente de polarizacién de entrada, Ip, En wn ampliScador ‘acicuito cerrado, /p da lugar a un voltaje de desnivel decd a la salida, de magnitud /9R;. Este voliaje se puede reducir Josh, si se conecta en serie una resistencia con el terminal positivo de entrada igual aa resistencia total de ed vista por lterminal negative de entrada. Jos esla corsente de desnivel de entrada; estes, fog = Vay Ie WE Al conectar una elevada resistencia en paralelo con el capacitor de un integador de op amp se evita saturaci6n del op amp (debida al efecto de Vos f) EJ. Keanedy, Operational Amplifier Circuits: Theory and Ap- plications, Holt, Rinehart and Winston, Nueva York, 1988. J.K. Roberge, Operational Amplifiers: Theory and Practice, Wiley, Nueva York, 1975, J. Smit, Modern Operational Cireuit Design, Wiley-In- terscience, Nueva York, 1971 ILE. Solomon, “The monolithic op amp: A tutorial study", IEEE Jounel of Solid-State Circuits, vol. SC-9, nim. 6, pp. 314-322, dic. 1974 J. V. Wait, L. P. Huelsman y G. A. Kom, Introduction 10 Operational Amplifier Theory and Applications, McGraw-Hill, Nteva York, 1975. .128 110 AMPLIFICADORES OPERACIONALES Prosiemas Seccién 2.1: Los terminales de un op amp 2.1. Un joven ingeniero. asignado 2 descubrir técnicas cempleadas en el producto de un competidor, en el proceso conocido como ingenieriainversa, encuentra 1 paquete dual en linea de 8 patas (DIP). El piensa que este paquete puede coatener varios op amps. {Cusintos son probables? ,Cul es el nimero miximo ‘que podria esperar? Haga una lista de las conexiones de patas que se podria esperar que identifique el ingeniero, Seccién 2.2: £1 op amp ideal 2.2. El cireuito de la figura P22 utiliza un op amp que es + ideal. excepto por tener una ganancia 4 finita. Sus rmediciones indican up = 3.5 V cuando v; = 3.5 V. {Cua es la ganancia A del op amp? 2.3, Sellevaa cabo un conjunto de experimentos en un op amp que ¢s ideal, excepto portener une gananciafinita A. Los resultados estin tabulados 2 continuacién, ‘Son consistentes estos resultados? Si no es asi on ‘azonables, en vista dela posbildad de error experi- ‘mental? ;Cual es la ganancia que muestra? Mediante este valor, pronostique valores de las mediciones que accidentalmente se omitieron (espacios en blanco). Experimento# 4 = vo 1 000 0.00 0.00 2 100 1.00 0.00 3 1.00 1.00 4 100110102 5 201-200 099 6 1992.00 1.00 1 5.10 5.10 2.4 Consulte el ejercicio 23. Este problema explora una estructura intema alterativa para el op amp. En par- ticular, deseamos modelar la estructura interna de un ‘opamp ea particular que utiliza dos amplificadores de twansconductancia ym amplificador de transresisten- cia, Sugiera una topologia adecuada. Para iguales ‘wansconductancias G.. yuna transresistencia Ry, €n- ‘cuentre una expresién para hallar Ia ganancia 4 de Circuito abierto. Para Gy = 50 MAIV y Re = 10° 2, 206 valor de result? Enel ciruito quese muestra en a figura E2 3, uneror el fabricante hace que el valor de G,, asociado con uy sea diferente del asociado conv». Sila Gy asociada con ves 10% més ata que para th, yla ganancia de voltae asociada con v; es 1000 V/V, cud salida resultarfa para ls entradas env, y vs de 101.0 y 103.0 ‘iV, respectivamente? {Qué salida hubiera resultado si Gu hubiera sido igual que Gua? La sefial “extra” ‘observada se llama error en modo comin. Seccién 2.3: Analisis de circuitos con op amp dealer 26 ar 28 p29 configuracién inversora Un cireuito inversor en particular utiliza un op amp ideal y dos resistores de 10 KO. {Cual ganancia a circuito cerrado espera obtener el lector? Si se apica ‘un voltae de ed de +3.00 V en Ia entrada zqué salida resulta? Si se dice que los resistores de 10 kA son “esistores de 5%", con valores iguales entre 1 0.05 ‘veees el valor nominal, qué limites de salida espera lector medi en realidad para una entrada de presi- samente 3.00 V? Sedanallector nopamp idea y tes resistors de 10kO. ‘Mediante combinaciones en sere y paralelo de resisto- res, ;cudntas topologias diferentes de crcuito ampli- ‘cador invesor son posibes?, jeu es la maxima (no infinta) ganancia de votuje disponibe?, jcuil es la ‘minima (no ceo) ganancia disponible”, ules son as resistencias de entrada en estos dos casos? Sise suponen op amps ideales, encuente la ganancia de voltae usu y resistencia de entrada Ry de cada uno de los crcuitos dela figura P2.8. Disefle un circuit inversor de op amp para el que la gananciasea~4 V/V y la resistencia total tlizada sea 100Ka,10K @ © Fig, P28 D210 2m Mediante et ciruito de la figura 24 y suponiendo tun op amp ideal, diseRe un amplifcador con una gananciade~$0 V/V que tenga laméxima resistencia posible de entrada bajo la resiccion de tener que usar resstores no mayores de 10M. ;Cual es la resisten- cia de entrada desu disco? Un circuit inversor con op amp se fabrica con los resistores Ry y R; con 2% de tolerancia (es des, valor de cada resistor se puede desviar del valor ‘nominal hasta en 41%). :Cual es la toerancia en la ssaanciarealizadaa ciruitocerado? Suponga que el op amp ef ideal. Si la gamancia nominal a circuito cerrado es -100 VIV y x= 5, ceues son los limites de valores de gananciaexperados de exe circuit? lok 10k 129 PROBLEMAS 111 10K fT 3) 100 ka. = 10K 242 2.43 2.44 (a) 100 ka ‘Un circuit inversor con op amp utiliza resistores de valores nominales de 15 KQ.y 2.7 KQ.y un amplifica- dor en particular de bajo costo, para obtener una ganancia a cireito cerrado de ~5.42 V/V. Medias muy cuidadosas de los resistores muestran que sus valores reales son 15.3 KO y 2.59 KO. {Cull debe ser realmente la genancia circuit abiero del op amp? Debe disefarse un circuito inversor de op amp que ‘tliza un op amp ideal, para tener una ganancia de 1000 V/V usando resistores no mayores de 100 KO. Para el sencillocireuito de dos resstores jeu resis- tencia de entrada resultaria? Si para la situaci6n descrta en et problema 2.13 se utiliza um ciruito de custo resistores (véas la figura130 112. AMPLIFICADORES OPERACIONALES. 2.8), con wes resistores de valor maximo, eu esis- tencia de entrada results? Cull esl valor del minimo resistor necesario? 2418 Unopamp con una ganancia cireuito abieto de 1000 \VIV seuilizaen la configuracion inversoa, Sin esta aplicacin el volaje de salda varia de -10 V a +10, {oud el voltaje maximo que se desvia el “nodo de tieravirzual” desu valor ideal? 2.46 El circuito des figura P2.16 se utiliza con frecuencia para obtener un volte de salida v, proporcional auma Corriente i, de seal de entrada. Obtenga expresiones parahallarlatransresistencia R, = siiylaresstencia, (@) Acsinfiniay () Aes fina & y Uy, Fig. P2.16 247 Obtenga una expresin para hallar la resistencia de entrada del amplficador inversor de la figura 2.4, tomando en cuenta la ganancia A finita a circuito abierto del op amp. “2.48 Para un op amp inversor con ganancia 4 de cieuito abieno y ganancia nominal Ry/R, a eireuito eerado, ‘encuentre el valor minimo que deba tener la ganancia A (en términos de RR) para un error de ganancia de 10.1%, 1%, 10%, En cada caso, ccuil valor de resistor Ry, se puede utilizar para derivar Ry y aleanzar el resultado nominal? "2.19 Reacomode la ecuacién 2.1 para obtener la ganancia Ade citcuitoabierto para alcanzar una ganancia espe Cifcada a circuito cerrado (Geexiai = ~R/R;) dentro de un error ¢ de ganancia especificado, Para una ganancia a circuito cerrado de -100 y un error de ganancia <10%, oul es la A minima nece- "2.20 Mediante la ecuacion (2.1), determine el valor de A para el que una reduccién de A de 3% resulta en una reduecién en [G| de (x/)%. Encuentre el valor de 4 necesario para el caso en que la gamancia nominal a ireuito cerrado es 100, x es 50y kes 100. 2.21 Considere el circuito de a figura 2.8 con Ry = Re = R= 1 MO, y suponga que el op amp es ideal, Encuentre -valores para R para obtener las siguientes ganancas: @ -10WN, (b) 100 vy © 2vN. 2.22 Parael circuit dela figura2.8,jeudl ganancia resulta, ‘cuando todas los resistores son iguales? Una exten- én de este cireuto se muestra en Ia figura P2.22; determine su ganancia. Fig. P2.22 *2.23 (a) Para el cireuito de la figura 2.8, tomando en ‘cuenta la gananciaAfinita de ireutoabiero det ‘op amp, demuestre que vo Go Uy Tell Gy (RR VA doade Gps la magnitud nominal de la ganancia a creito cera (véase el eemplo 22), Rl, RR G Ali eR (©) Aplique ste resultado al aso y Re= R= Ry. Encuente vol, (©) Repita(b)paralos mismos valores de Goy4 pero con Ry= Ro = 10 Rie (© Por compares, encuentre v/v para la confi- _guracininversoracon los mismas valores de Gp yA Nota: La epresén pra vf sugire que el efecto de finita puede ser aproximadamente igual al de la. configuacin aversorapaa selecconar Ry < Rs. sta selecin de component, sin embargo, ila propésito de uilizarla red T en la reoalimen- tacién. Porque? (Es necetaro que dl lector est- eel proceso de diseio del ejeplo22parapoder contestar eta pregunta)2.24 Un itegrador Miler incorpora un op amp ideal, un resistor R de 100 KO, y un capacitor C de 0.1 uF. Se aplica una sefal de onda senoidal en su entrada, (2) (A qué frecuencia (en Hz) son las sefiales de entrada y salida iguales en arplitud? (b) Aza fecuencia, obmo se relaciona Ia fase de la onda senoidal de salida con la de la entrada? Si la frecuencia se reduce en un factor de 10 @ partir de Ta encontrada.en (a), yen qué factor cambia el voltae de salida y en qué dieccién (menor o mayor)? (@) (Cual es la elacion de fase entre Ia entrada y la Salida en la situacién (6)? 12.25 Disede un integrador Miller con una constante de tiempo de un segundo y una resistencia de entrada dde 100 KO. Para una entrada de ed deI volt aplicada ‘laentradaen el tiempo 0,en cuyo momento vp =—10 ‘, ceudato tarda la slida en egar a0V? ,Ya-+10'V? 2.26. Un integra inversor con base en op amp se mide a 100 Hy tiene una ganancia de volisje de~100 V/V. cA Qué frecuencia se reduce su ganancia a-1 V/V? {Cull es la constante de tiempo del integrador? 02.27 Disefle un integrador Miller que tenga una frecuencia de ganancia unitaria de 1 rad/s y una resistencia de ‘entrada de 100 kA. Trace la salida que esperaria para ‘una situacin en que, con la salida inicialmente 80 V, se aplica un pulso de 2 V y 2-ms ala entrada. Carac- terice Ia salida que resulta euando se apica una onda senoidal 2 sen 1000t a a entrada. 2.28. Un integrador Miller, cuyos voltjes de entrada y salida son inicialmente cero ycuyaconstantedetiem- ‘pos I ms, es ativado por la seal que se muestra en la figure P2.28, Trace y ponga leyenda ala onda de salida que resulta, Indique qué sucede silos niveles ee) (V9 Fig, P2.28 131 PROBLEMAS 113, 4e entrada son +2 V, con Ia constante de tiempo igual (1 ms) y con la constante de tiempo elevada a2-ms. 2.29 Considere un integrador Miller que tiene una constante de tempo de I ms, ycuya sada es inicialmente cero ‘cuando se alizenta con un tren de pulsos de 10 us ‘de duracion y amplitud de 1 V que se elevan desde 0 V (davelafiguraP2.29) Tracey apique leyendasalzonda de salida resulta, ;Cusntns pulsos se hacen necesarios paraun cambio de volije de salida de 1 V? Fig. P2.29 102.30 Ena figura P2.30 se muestra un circuito que ejecuta ‘una funcin de una constante de tiempo y paso bajo. Este circuito se conoce como filtro activo de paso bajo de primer orden. Obcenga Ia funcién de transfe- rencia y demuestre que la ganancia de ed es (-Ry/R}) yylafrecuenciaa 34B e¥ up=1/CR. Diseie el circuito para obtener una resistencia de entrada de 1 KO, una ‘ganancia de ed de 0 dB y una frecuencia de 3 4B de 41d, JA que frecuencia se reduce a la unidad la ‘magnitud de la funci6n de transferencia?” Re Ry Fig. P2.30 °2.31 Paralimita la ganancia a baja frecuencia de un integre- dor Miller, es frecuente que un resistor se conecte en paralelo al capacitor de integracién. Considere el caso ‘cuando el resistor de entrada sea de 100 KO, el capacitor sade 0.1 uF y el resistor en paalelo sea de 10 MQ.132 114 AMPLIFICADORES OPERACIONALES. (2) Trace y aplique leyendas a una grfica de Bode para la respuesta en magnitud del circuto resu- ‘ante y higala contrastar con lade un integrador ideal (es decir, sin el resistor en paralelo). :A ‘qué frecuencia empieza el ciruito a comport ‘se menos como integrador y mas como amplifi- cador? (b) Tracey claramenteaplique leyenda ala onda de salida resultante cuando se apica un puso de en- ‘yada de 0.1 V de altura y 1 ms de duracién, Considere los casos sin el resistor en paralelo y con él (Nova: La respuesta de pulsos de redes STC (de una constante desiempo) se estudia en el apéndice F) 2.32 Un diferenciador utiliza un op amp ideal, un resistor dde 10 kA y un capacitor de 0.01 pF. {Cuil es la fre- cuencia f (en Hz) en la cual sus sefiles de onda de entrada y salida tienen igual magnitud? {Cul es la sefal de sada para una entrada de onda senoial de 1 Vppico a pico con frecuencia igual a 10 4? 2.33 Un diferenciador de op amp con una constante de tiempo de 1 ms es activado por el escalén controlado por rapidez que se muestra en la figura P2,33. Si se supone que U es cero inicialment, trace y aplique leyendas a su forma de onda, wy 1v | 1 0 05 ms 1 Fig. P2.33 2.34 Undiferenciador de op amp que utiliza el cicuito que se muestra en la figura 2.14(s),tiene R= 10 ky C 0.1 uF. Cuando a la entrada se le aplica una onda tviangular de #1 V de amplitud pico a 1 KHz, gqué forma de salida resulta? {Cuil es la amplitud pico? {Cuil es el valor promedio? {Cual valor de R es necesario para hacer que la salida tenga una amplitud dde 10 V pico? Cuando se apica una onda senoidal de 1V pico a 1 KEiz al circuto (original), eudl onde e salida se produce? {Cul es su amplitud pico? Calcul esto en tres formas: primero, utilce la segun- da formula dela figura 2.14(2) divectamente; en se- gundo lugar, uilice Ia tercera formula de la figura 2.14(a), y terceto, utlice la pendiente maxima de la ‘onda senoidal de entrada, En cada ca, establezea un valor para el voltaje pico de salida y su ubieacién, (2.35 Em ta figura P2.35 se muestra un circuito que ejecuta Ja funcién de una constante de tiempo y paso alto. Los circuits de este tipo se conocen como fires activos de paso alto de primer orden, Obienga la funcién de twansferencia y demuestre que la ganancia de aka ‘frecuencia es (-RWR})y la frecuencia a3 dB es w= VCR. Disee el cceuito para obtener una resistencia de entrada a alta frecuencia de 1 KO, una ganancia de alta frecuencia de 40 dB y una frecuencia de 3 dB de 1000 Hz. (A. qué frecuencia se reduce ala unidad Ja maghitud dela funcién de transferencia? SL. Fig. P2.95 (02.36 Obtengs la fincién de wansferencia de citcuito dela ‘igura P2.36 (para un op amp ideal) y demuestre que se puede escribir en la forma % RyRy 1” Teese Hera donde wy = UCR, ¥ un = VCR. Si se supone que €l circuto estédisefado de modo tal que wy >> wi, encuentre expresiones aproximadas para la funci6n de tansferencia en las siguientes regiones de fre- @ vem 0) Kucuy ©) ode Ulce esas aproximationes para tazar una gritica de Bode para la respuesta en magnimud. Observe que et Circuito funciona como amplificador cuya gunancia se ‘tena en a etapa de baja frecuencia como lo hace una red STC depasoaltoy enlaeupade lta frecuenciacomo Johace uated STC depaso bajo. Disefiee creutopara, ‘obtener una ganancia de 40 dB en la “escala media de frecuencias’ un punto de baja frecuencia de 3 dB a 100, He, un punto de alta frecuencia de 3 4B a 10 KHiz y una resistencia de entrada (aw >> w)) de 102.Fig. P2326 2.37 Un circuito sumador ponderado que utiliza un op amp ideal tiene tres entradas con resistores de 100kQ.y un resistor de retoalimentaciGn de 50 KO. Una sefial v; se conecta a dos de las entradas, mientras que una seal y se conectaalatercera. Exprese vpen términos dev y % Siu 3 Vy vy =—3 V, geudl es ug? "2.38 Deseamos investigar el efecto de la ganancia A de circuit abierto con op amp en Ia operacin del suma- or ponderato. Primero consdere un sumador de dos entradas, con entradas vy vp conectadad a Ri, Ri respectivamente, y un resistor de retoalimentscién R,, Utlce el principio de superposicién junto con la cecuatién (2.1) para demostar que 1 v0 % 1+ 4 onde Ryne 6 el equivalente en paralelo de los resitores de entrada. Luego ampli este resultado al ‘aso de un nimero arbitrario de entradas 2.39 Disete un cieuto de op amp para obtener una slida ‘up "~[3u+ (v2). Seleccione valores rlatvamen- te bajs de resistores, pero aquellos para los que la coriente de entrada (de cada una de las fuentes de seal de entrada) no exceda de 0.1 mA para sefales de entrada de2V. 240 Mediante et esquema ilusrad ena figura2.15,se- je un cieuito de op amp con entradas, v2 v3 cuya Salida sea vo =~ (2u, + 44+ 8s) usando resisores 0 menores de 1 KO. 0'2.41 En un sistema de instumentacibn, hay necesidad de tomar la diferencia ene dos sefales, una, v; = 3 sen(2n x 60) +001 sen(2r x 10000, volts, y ota, = 3 sen(2z % 601) ~ 0.01 sen(2z x 10008), vos, Trace un circuito que encuente la diferencia necesaria ‘usando dos op amps y prncipalment rsisiores de 133 PROBLEMAS 115 10 k2. Como es conveniente amplificarla componen- te de 1000 Hz en al proceso, haga arreglos para obtener tambiéo una ganancia total de 10. Los op ‘amps disponibles son ideales. excepto que sualteman- cia de voltae de salda ests limitada a+ 10 V. "242 En la figura P2.42 se muestra un circuito para un convertor digital a analégico (DAC). Et ciruito acepta una palabra binaria de entrada de cuatro bits 20109, don8e 2, 2,22 Y a; toman los valores de O 0 1.y otorga un volajeanalogico de slida up propor- ional al valor dela entrada digital. Cada uno de los bits de la palabra de entrada controla el interupior ‘numerado correspondiente, Por ejemplo, say es 0 en- ‘tonees el interruptor S;conectael resistor de 2022 tierra, en tanto que si a; e5 1, entonces S; conecia el resistor de 20 KO. ala fuente de alimentacion de +5 V. Demuestre que ti esti dado por & Na, +20 + 2% gay + 2, +2, + 2a] donde Ry esti en KO. Eneuente el valor de Ry de ‘modo que vo varia de 0 a~12 vols. 8 5 Wess134 116 AMPLIFICADORES OPERACIONALES Seccién 2.5: La configuracién no inversora 12.43. Disefe un circuto con base en Ia topologia del ampli- ficador no inversor para obtener una ganancia de +15 V/V, usando so resistores de 100. Nétese que hay dos posibilidades. :Cual de éstas puede ser ficil- ‘mente convertidaparatener una gananciade+1.0V/V 042.0 V/V con silo poner en cortocircuito un resistor en cada caso? 2.44 (a) Por superposicién demuesire que la cireuito de le figuraP2.44 esté dada por donde By= Ryy/Red! Ry = Rp IRpll Ry TR. (b)_Disetie un circuito para obtener 7 v= 2um tun + 20m El minimo resistor uilizado debe ser de 10 KQ. Ruy Fig, P2.44 2.45 Paraelcircuto delafiguraP2.45 ulice superposicién para hallar vp en términos de los voltajes de entrada ‘vy Uz Suponga un op amp ideal. Para uy = 10 sen(2x x 604) 0.1 sen(2x x 10001), volts r= 10 sen(2n x 601) + 0.1 sen(2x x 10001), volts encuentre vo. s 108 10R Fig. P2.45 02.46 2.47 2.48 249 El circuito que se muestra ena figura. 46 wiliza un potenciémetro de 10 KO para obtener un amplificador ajustable de ganancia, Obtenga una expresin pare halla la ganancia como funcién del auste x del po- tencidmeto. Suponga que el op amp es ideal. :Cul cs el intevalo de ganancias obtenide? Mueste la forma de agregar un resistor fjo para que el intervalo de ganancia pueda ser de 1a 11 V/V. {Cudl debe ser el Valor del resistor? Ulice a topologia sugerida en el ejercicio 2.11 para Aisefiar un cicuito que obtenga la funcién vo =v; + Ur 0s usando resstores de 10 KO. Dada la cisponibilidad de resistores s6lo de 1 ky de 10 KA, dé un circuto basado en la configuraci6a no inversora para obtener una ganancia de +10 ViV. Se necesita conectar una fuente de 10 V con una resistencia de 100 KO a una carga de 1 KO. Encuen- tae el voltae que aparecerd en los terainales de la carga si: (@) Ie fuente esté conectada directamente a i carga, (b) se inserta un separador de op amp de ganancia ‘unitara entre Ia fuente y Ia carga. En cada caso encuentre Ia corriente de carga y la” Corriente suministrada por la fuente. :De dade pro- ‘viene la corriente de carga en el caso (6)?2.60 Obtenga una expresién para hallar la ganancia del seguidor de voltae dela figura 2.19, suponiendo que lop amp es ideal excepto por tener una ganancia 4 finita. Calcul el Valor de la ganancia de cicuito ce- ado para = 1000, 100y 10.En cada caso encuentre «el porcentaje de eror en magninud de gananciaa partir el valor nominal de la unidad. 2.51 Un circuito no inversor de op amp con ganancia ‘nominal de 10 V/V utiliza un op amp con ganancia 8 circuit abierto de 50 V/V y resistor de valor minimo e 10K. ,Cuil es la ganancia a circuto cerrado que resulta? ,Con que valor de resistor se puede poner en paralelo qué resistor para obtener la ganancia nomi- nal? Si en el proceso de manufactura se wilizara un ‘amplificador de ganancia 100 V/V, ;cuél ganancia 2 ‘ircuito cerrado resultaria en cada caso elno compen sado y el compensado)? 2.82 Por medio de la ecuacién (2.11) demuestre que sila reduccién en ganancia G a circuito cerado desde et caersnial =1+ Bement 4 2% de Go, entonces la ganancia a cireito abier- ‘oie op amp debe exceder de Gen porlo menos un parax~0.01,0.1, 1 10, Utliceestos resultados para huallar por cada valor de x, la ganancia a cicuito abierto minima necesaria para obtener ganancias a ireuito abierto de 1,10, 10°, 10 y 10° VV. 2.53 En la figura P2.53 se muestra un cireuito que propor- iona mn volte de salida yp cuyo valor se puede hacer + variaral mover el contacto deslizante del potenciGme- prey 2x0 ea to0%0 % ot eC ming -15V Fig, P2.53 135 PROBLEMAS 117 ‘wo de 100 Kk. Encuentre el intervalo en el que se ‘puede hacer variar vp. Si el potenciémetro es un Aispositivo de "20 vuetas”, encuentre el cambio en ‘vo correspondiente a cada vuelta del potenciémeno. Seccién 2.8: Ejemplos de circuitos con op amirs 2.54 Para el circuto de medicién de alta resistencia de ‘entrada de la figura 2.20, que utiliza un mecanismo 4e medicion de 1 mA, encuentre el valor del resistor. ‘Rial que se obtenga lectura a plena escala para v= 255 V. Sila resistencia de! medidor es de 50 ©, geuil {5 el voltaje de slida del op amp a media escala? 2.85 Para el ciruito que se muestra en la figura P2.55, exprese vo como funcién de v1 y vs. {Cual ela resistencia de entrada vista s6lo por u,? ZY s6lo por +? Por una fuente conectada entre los dos erminales 4e entrada? :Por una fuente conectada a ambos temni- rales de entrada simultineamente? R R 2 % » R R = Fig. P2.55 2.86 Considere el amplificador de diferencia de la figura 221 con los dos terminales de entrada concctados Juntos a una fuente de sefales de entrada en modo ‘comin. Para Ry/R, = RR, demuestre que la resisten- ‘ia de entrada en modo comin es (Rs + Ri|(Ri* Ra). 2.57 Considere el circuito de la igura 2.24, y cada una de las fuentes de sefales en modo de diferencia tie ‘ne una resistencia R, en serie. {Qué otra condicién debe aplicar para que el amplificadorfuncione como amplificador ideal de diferencia? Parael amplificador de diferencia que se muestraenlaf- ‘gura P55, sean todos los rexistores de 100 kO + 2% ‘Encuentro una expresion para hallara gananciaenmodo ‘comin del poor caso que resulte. Evade esto parax = On1ys. 2.59. Repita el ejercicio 2.15 para Cy R intercambiados en el cirenito que se muestra en Is figura E2.15.136 118 AMPLIFICADORES OPERACIONALES 1D°2.60 Considere el amplificador de diferencia de la figura 224, Es comin expresar el volaje de salida en la forma v= Gata * Geuven donde G,es la ganancia diferencialy Guy es la ganan- cia en modo comin. Por medio dela expresion para uo en Ia ecuacién (2.13), encuentre expresiones para Gz ¥ Gem ¥ demuestre que el factor de rechaz0 {de modo comin (CMRR) del amplificador a eicuito cerrado ext dado por Ga [Genk CMRR = 20 log: ldealmentee creito et disehado con R/Ry=RyRe aque resulta en ui CMR infin, peo ls wolerancias fina de los valores del resistor hacen que el CMRR sea fino, Demuesre que i cada resistor Hene una toleraneia de #100 £% (es decir un resistor de 5%, por ejemplo, «= 0.05) entonces el CMRR del poor caso tsi dado aproximadamente por = 20\05) X22 own = 2016e{ <4] donde K esl valor noma! idea de fatores(R/R) 4 (RAR. Cael el valor del CMR. del peor caso para. amplificaordisefiad para tener una gana Gi diferencia de 100 ieaimeste, sponiendo que el opamp ede y que se utlizan esitores de 1% de tolerancia +264 EnlafiguaP2.61 se muestra una versién modificada de amplifiador de diferencia enudiado ene ejemplo 2.6. El circuito modificado incluye un resistor Ro, {que se puede usar para hacer varia la ganancia, De Teste que la ganancia de volaje diferencia! ext dada por Sugerencia: El cortocircuito viral dea entrada del ‘opamphace quelacomiente quecircula por los resistores Ry sea uy2R, R Ry + os - © R R ROS Fig. P2.64 2.62 Considere el amplificador de insrumentacin de ls figura 2.252) con un voltae de entrada de modo comin de *5 V (cd) y unasefil de entrada diferencal de 10 mV pico de onda senoidal. Sea R,=1 KO, R= 0.5MO, Ry= Re= 10kO. Encuente el voltae en cada uno de ios nodos del crcuito. "2.63 Para un amplifcador de instrumentacin del tipo que se muestra en a figura2.25(a), un dseiadorpropone hacer Ry = R;™ Re ™ 100 KO, y Ry = 10 KO. Para ‘componentes ideals, ,qué ganancia de modo de di- ferencia, gmancia de modo comiin y CMIRR resul- tan? Vuelva a evalua el peor caso para éstos para la situacién en que todos los resistors se espcifican como unidades de:+1% detolerancia. Repitael timo ndlisis paral caso en que Ry sereduce a1 kA. ;Qvé se concluye acerea dela imporancia de las ganancias relativas de iferencia de a primera y segunda etapas? 2.64 ise el circuit de amplificaér de instrumentacon ea figura2.25(a)para obtener una gananciadiferen- cial, variable ente 1 100, tilizando un potencidme- to de 100 kX como resistor variable. (Sugerencia: Disefie la segunda etpa para una ganancia de 05.) "2.65 El circuito que se muestra en Ia figura P2.65 esth estinado para alimentar corriente a cargasflotantes (aquellas para las que ambos terminales no estin 8 tierra}, al tempo que se hace el méximo uso posible dela fuente de alimentacin disponible. (2) Sisesuponen op amps idales, trace la ondas de voltae enlos nodosB y Cpara una onda senoidal 1 V pico a pico aplicada en A. También trace Xo. (&) {Cua es la ganancia de voltsje vol? (© Sise supone que ls op amps operan de fuentes de alimentacion de +15 V y que su sada seska voxa = oB toxa ao isk woka , Hawt 10k © -_—— Fig, 2.65 satura a 414 V (en Ia forma que se iustea en la figura 1.13), coud es la mxima salida de onda senoidal que se puede obtener? Especifique ano valores depo a pico come de rs. Seccién 2.7: Efecto de ganancia finita a circuito abierto y ancho de banda en el funcionamiento de un cireuito 2.86 Los datos de la siguiente tabla se aplican a op amps intemamente compensados, Llene los espacios en ‘blanco. Ao (Hz) 108 1 108 10 10° 10 10" 10" 2x1 10 2.87 Una medicién de la ganancia a circuito abierto de un op amp, intemamente compensado a muy bajasfre- cuenciae, muestra que e¢ 4.2 x 10" V/V; a 100 kHz es 16 VIV. Estime valores para do. fy ¥ 2.68 Las mediciones de la ganancia de circuito abierto de un op amp compensado, y destinado para operacién a 2.69 270 2m 272 2.73 137 PROBLEMAS 119 tas frecuencia, indican que la ganancia es 5.1 x10? 8 100 Kiizy 8.3% 10° 210 kz Estime sufecuenci de 3 dB, su frecuencia de ganancia unitary su sgnancia de od ‘Un amplfcador invesor con genanca nominal de =20V/ wiliza un opamp con ganancia decd de 10° 1 frecuencia de ganancia unitaria de 10° Hz. ;Cual es Ta frecuencia de 3 4B fin del ampliicaor a ircuito cerado? {Cul 6 su ganncia 0.1 fis ¥ 810 i? Un op amp en paricular,caracterizado por un produc- to de gananciay ancho de banda de 30 Mz, se opera con una ganancia a ciruito cerado de +100 VIV. Cuil ancho de banda de 3B result? A qué fre- uenciaexibe el amplifcador a cizeitocerado un destasamiento de 6° ;¥ un desfasamiento de 84°? ‘Se encuentra que un ciruito no iaversor de op amp ‘on una gananeia de 100 V/V tiene una frecuencia a 3 4B de & Kitz Para aplicacién en un sistema en particular esnecesario un ancho de banda de 20 Ki {Cuil es la minima ganancia disponible en esas ‘condiciones? ‘Considere un seguidor de gananciauntariaquewliza ‘mop amp interamentecompensado conf, = 1 MH. {Cuil es le frecuencia a 3 dB del segudor? A qué frecuencia est la ganancia dl sepuidor 1% dbajo de su magntud de baja frecuencia? Si la entrada del seguidor es un escalén de 1 V encveateel tempo de clevacén de 10% a 90% del voltae de said. (Nowa: Larespuesta de escalin de redes STC de paso bajo se ‘studiaenelapéndice F) Ente problema ilustra el uso de ampliicadores de cireuito cerado en cascada para obtener un ancho de banda total mayor que el alcanzato con un ampli- ficador de una etapa con a misma ganancia total (@) Demuestre que al conectar en cascada dos eapas amplificadorasidéntices, cada una con respuesta de frecuencia STC de paso bajo con una frecuen- ciaf 23 €B, resulta en un amplifiador total on (©) Esnecesaro disedar un amplificadornoinversor ‘con gananeia de cd de 40 dB utlizando un solo ‘op amp internamente compensado con f= | MHz. {Cuil es la frecuencia a 3 dB obtenida? (©) Vuelvaa disetar el amplificador del inciso (b) al conectar en cascada dos ampificadores no inver- sores idénticos,cada uno con una gananecia de ed de20 4B. ,Cual esa frecuenciaa3 dB detodo el amplificador? Compare con el valor obtenido en el inciso (b) amerior.138 120 AMPLIFICADORES OPERACIONALES °"2.74 Una diseRadora, en busca de obtener una ganancia stable de 100 V/V a 5 MHz, considera su opcién 4e topologias de amplificador. Cuil frecuencia de ganancia unitaria necesitaria un solo amplificador ‘operacional para satisfacer su necesided? Desafortu- nadamente, el mejor amplificador que existetiene na Jf de 40 MHz. ;Cuéntos de estos amplifcadores, co- ‘eetados en cascada de etapas no inversorasidéaticas, necesitaria ella para lograr su objetivo? {Cull es la frecuencia a 3 dB de cada etapa que ella puede usar? Cua es la frecuencia tral a 3 dB? CConsidere el uso de un op amp con una frecuencia f; ‘2 gmancia unitaria en la obtencién de (@) ws amplficador inversor con ganancia de cd de smagaitud K, (®) un amplificador no inversor con ganancia de ed eK. En cada caso encuentre Ia frecuencia a 3 4B y el producto de ganancia y ancho de banda (GBP IGanancia| x igs). Comente los resultados. CConsidere un sumadorinversor oon dos entradas Vy Vs yoon V,=—(V; + V3), Encuentre la frecuencia a3 4B e cada uma de las funciones de ganancia V/V y VV en témminos de la del op amp. (Sugerencia: En cada caso, a ota entrada al sumador se puede ajustara cero, que cs uma apicacién de superposicin ) "2.77 (@) Demuestre que la funcién de wansferencia de ‘un integrador Miller, obtenido usando un op amp imemamente compensado con una frecuencia w, de ganancia unitari, esti dada eproximada- 275 276 ‘mente por Moo ta Yi juCR Teen) donde se ha supuesto queues mucho mis alta ‘que la frecuencia up del integrador (up = 1/CR). iCal es el “exceso de fase" que el integrador ‘ene debido a law del op amp aw w/100? Es Aeltip de atraso ode adelanto el exceso de fase? o Opera yn de op amps a gran sefial 2.78 Unop amp en particular, que utiliza fuentes de:+15V, opera lincalments para slidas eae -13 Vy +13 V Siseutlza en ma configuracién ampliicadorinver- sora de ganancia 1000, eu eel valor rms dela ‘minima onda senoidal posible que se puede aplicara 1a entrada sin recortar la salida? Pan um circitodiferenciador de op amp que ene ma constne de tiempo de 1 ms, quel in opamp eyo limite de sala lineal es 11 V,goull es la maxima rpidez de elevacin de seis aceptables de eatrada? 2.79 2.80 “281 282 283 D284 Seccién 2. 2.85 286 Un op amp que tiene una repidez de respuesta de 10 Vis se va. autizar eal coniguracién de seguidor de ganancia units, con pulsos de entrada que se ee- van de0 a5 V. Cu el pulso mis cono qu se puede utlizar tempo que se aepura una slide plena ampli? Para ete pals, desriba Ia sla resume Para operat con puos de salida de 10 V con el requisito de que la suma de los tempos de elevacién 1 caida debe representa lo 20% del ancho de pulso (a media amplitud), oul es la necesidad de rapidez de respuesa para un opamp para mancjarpulsos 6e 1 ys de ancho? (Nota: Los tempos de elevacién y caida de una seal de pulsosuelen medizse ete los puntos de 10% 90% de altura) Cu es a méxima frecuencia de una onda triangular 4:20 V de amplitud pico a pico que puede ser repro- ducida por un op amp cuya rapidez de respuesta es 10 V/us? Para onda senoidal de lamisma frecuen- ia, ceul es la miima ampitud de seal de salida aque permanece sin distin? Paraum amplificador que iene unarapidesderespues- ta de 10 Vins, eu es la mdxima frecuencia ala que se puede producir una onda senoidal de 20 V pico a pico al sada? {A sear con op amps deben verificrs as init clones sobre linits de operacién de voliajey ecuen- ciadelamplifcador a ccuito cerrado, impuesos por l ancho de banda finite del op amp (f),rapidez de respuesta (SR) y ssturacin do salida Vane). Este problema usta el tema al considera el uso de un op amp con fi=2 Miz, R= 1 V/s y Fense™ 10'V en cl disefo de un ampliicador no inverscr con una ‘gmancianominal de 10.Suponga una entadade onda senoidal con amplitude pico V. (@) Si¥/=05V,jculesla iecuencia maxima anes de que se distosione a salida? © Sif 20 Wiz, ceuil es el méximo valor de 7; antes de que se dstorsione la alia? Si V, = 50 mY, ceuil es el intervalo iil do frecuencia de operacién? Sif= 5 Wie, ell es el interval ii de volajo de cords? © @ imperfecciones de od ‘Un op amp conectado en Ia configuracién inversora com la entrada a tierra, con R= 100 Ky R= 1 KO, tiene un voltae de ed de salida de ~0.5 V. Sise sabe que la comiente de potarizacin de entrada es muy pequefia, encuentre el voltaje de desnivel de entrads. Un amplificador no inversor con ganancia de 100 utiliza un op amp que tiene un voltae de desnivel de287. 288 base p21 “292 entrada de +2 mV. Encuentre la salida ciando la ex- ‘wada sea 0.01 sen ut, volts. ‘Un amplificador no inversor, con ganancia a circuito cerrado de 1000, se diseda usando un op amp quetiene 1m voltaje de desnivel de entrada de 4 mV y niveles 4 samuracin de salida de +12 V. {Cul es la mii- ‘ma ampliud dela onda senoidal que se puede aplicar ‘la entrada sin recortat la salida? Si el amplificador ‘sth acoplado capacitivamente en Ia forma que se indica en la figura 2.40, ,oud seris la mixima ampli- tad posible? ‘Unop amp conectado en una configuraciéninversora a circuito cerrado que tiene una ganancia de 1000 V/V, utiliza resistores de valor relativamente pequei, se ‘mide con entrada a tiera para tener un voltae de cd de salida de~1.4 V. ;Cudl es el volinje de desnivel de entradx? Dibuje de una fuente de voltaje de desnivel (que se semeje ala figura 2.31. Tenga euidado con las. polaridades. Un disetador desea compensar un integrador Miller (como el que se mauestra en la figura 2.35) para los efectos de voltae de desnivel de entrads, Sugiera un posible esquema que utilice un resistor apropiado y fuente de alimentacién. Si el desnivel es I'mV (con Polaridad como se indica en la figura 2.35), R= 1 KO, y se dispone de fuentes de +10.V, ,qué resistor se necesita? ;Dénde esti conectado? Un amplificador no inversor con ganancia de +10 VIV, que utiliza 100 X02 como resistor de retro- alimentaci6n, opera desde una fuente de 5 K2. Para ‘un voltaje de desnivel de amplificador de 0 mV, pero ‘con una corrente de polarizacién de 1 yA y una corriente de desnivel de 0.1 4A, cqué intervalo de salidas se esperar? Indique en dnde se agregaris oo resistor para compensar las corrientes de polari- ‘zacién, En qué st convierten entonces los limites de osibles salidss? Un disefiador desea wilizar este ‘mplificador cos una fuente de 15 Kk. Para compen sar esta corriente de polarizacién en este cato, qué resistor utilizaria el lector?,.dénde? El ciruito de la figura 2.40 se utiliza para crear un amplificador no inversor acoplado a ea con una ga- nancia de 100 VIV, usando resistores no mayores de 100 kA. 2Qué valores de Ri, Ry ¥-Ry deben ussrse? Para una frecuencia de ruptura debida a a 100 H, y la debida a C; a 10 Hz, zque valores C y Cy se necesitan? ‘Considere el crcuito amplificador de diferencia de la ‘Sgura 2.21. Sea Rj = Ry = 10 ky Ry=R,=1 MQ. Sielop amp tiene Vos=3 mV, Ig =0.2 uA fos= 50 IMA, encuentre el voltaje de desnivel de od del peor aso (miximo) ala salida 139 PROBLEMAS 121 1Ma. wel 1Mo *2.93 El cireuito que se muestra en la figura P2.93 wiliza un ‘op amp que tiene un desnivel de +5 mY. ,Cual es el voltaje de dessivel de salida? {En qué se convierte el desaivel de salida con la cade entrada acoplada por ‘medio de un capacitor C? Si, en lugar de to anterior, 1m resistor de 1 KO esté acoplado capacitivamente @ tierra, gen qué se converte el desnivel de salida? Con el uso de modios para cacelar un desnivel, proporcionades para el op amp, un amplifcador a cireuito cerado con ganancia de +1000 se ajusta 225°C para producir salida cero con laentada tier. Sil comimiento del voltaje de desnivel de entrada se specifica en 10 VPC, jeu salida se esperaria a0°C. 175°C? Mientras que nada se puede decir separada- ‘mente acerca de la polaridad del desnivel de slida ya sea a 0 0a 75°C, jcusles espera el lector que serian ‘sus polaridads relativas? Un op amp se conecta en un cireuito cerado con ‘ganancia de +100 utilzando un resistor de retroali- ‘mentacién de 1 MQ (@) ‘Si la comriente de polarizacién de entrada es 100 nA, euil voltaje de salida resulta con la ceotrada a tier? (©) Siel volije de desnivel de entrada es +1 mV, y la comiente de polarizacén de entrada como en el incso (a), jeudl es la méxima salida posible ‘que se puede observar con la entrada a tierra? (©) Siseutiliza compensacién de corrente de entra- da, cules el valor del resistor necesaro? Sila ‘cortiente de desnivel no es mayor de una décima de a comiente de polarizacién, jcuil ese volta- Je de desnivel de salida resultante(debido s6lo a la coniente de desnivel)? (@) Con compensacién de corrente de polarzacién, ‘como en (c), eu es el maximo volije de eda la salida debido al efecto combinado del voltje de desnivel y la corrente de desnivel? 2.94 2.95140 Diodos Introduccién 3.7. Circuitos rectificadores 3.4 Eldiodo ideal 3.8 Circuitos limitadores y de fijacion 3.2 Curvas caracteristicas terminales de amplitud de diodos de unién 3.9 Tipos especiales de diodos 3.3 Operacién fisica de diodos 3.10 El modelo SPICE de un diodo 3.4 Analisis de circuitos con diodos y ejemplos de. simulacién 3.5 El modelo a pequefia sefial y su Resumen aplicaci Bibliografia 3.6 Operacién en Ia regién de ruptura Problemas inversa; diodos Zener INTRODUCCION En casi todo el capitulo anterior hablamos de cireuitos lineales: cualquier falta de linealidad, como la introducida por saturacién de la salida de un amplificador, se consideré un problema que debia ser resuelto por el disefiador del circuito. No obstante lo anterior, hay muchas otras funciones de procesamiento de seflales que sélo pueden ejecutarcircuitos no lineales. Como ejemplos de tales funciones estin la generaciGn de voltajes de ed de la fuente de alimentacién de ca y la generacién de sefales de varias formas de onda (por ejemplo senoides, ondas cuadradas, pulsos, etc.). Del ‘mismo modo, los cireuitos digitale logicos y de memoria constituyen una clase especial de cieuitos no lineales. El elemento no lineal més sencillo y fundamental es e diodo. Al igual que el resistor, el diodo tiene dos terminales; pero, a diferencia de aquél, que tiene una relacin lineal (en linea recta) entre la corriente que circula a través de ese elemento y el voltae que aparece en susterminales, el diodo tiene una curva caracteristica iv no lineal. Este capitulo se refiere al estudio de los diodos. Para comprender Ia esencia de la funcién del iodo, comenzamos con un elemento ficticio, que ¢s el diodo ideal. Introducimos entonces el diodo 12141 31 ELDIODOIDEAL 123 de unién de silico, explicamos sus caractristicas terminales y damos el andlisis de circuits con diodos. En este iltimo trabajo aparece el importante tema de hacer un modelo del dispositivo. I Para comprender el origen de las caracteristicas terminales del diodo, consideramos su i operacin fisica. Nuestro estudio dela operacin fsica de una unin pn, ai comoel de los conceptos ‘| bsicos de Ia fisica de semiconductores. esté destinado a proporcionar las bases para entender no it sélo las caracteristicas de diodos de unién sino también las del transistor de unién bipolar. que se i estudia en el siguiente capitulo, y las de ransistores de efecto de campo, que se estudian en el capitulo 5. De las muchas aplicaciones de diodes, su uso en el dseio de rectificadores (que convierte ca en ed) es la més conan. Por lo tanto, estudiaremos circuitos rectficadores en algiin detalle y bbrevemente veremos mas aplicaciones de diodos. En todo este libro, y en particular en el capitulo 12, se encontrarin otros circuites no lineales que utlizan diodos y otros dispositive. il ‘Aun cuando la mayor parte de este capitulo esti dedicada al estudio de diodos de unin pn de i silci, brevemente consideramos algunos tipos especializados de diodos entre los que se incluye | €l foiodiodo y el diodo emisor de luz. El capitulo concluye con una descripeién del modelo del diodo utlizado enel programa de simulacin de circuitos SPICE. También presentamos un ejemplo fl de diseto-que ilusta el uso de la simulacién SPICE. i 3.1 ELDIODOIDEAL El diodo ideal puede ser considerado como el elemento fundamental de circuits no lineales. Es un Aispostivo de dos erminalescuyo simbolo se muestra en|a figura 3.1(@)y sus curvascaracteristicas inversa direc Anode Catodo $ [ ® ) } coe aa o.oo o=—»o—o v<0si= i>0>v- © @ Fig. 3.1. El diodo idea: (a) simbolo de diodo; (b) curva caracteristica iv; («)circuto equivalente en la diteccién inversa; (A) circuito equivalente en la dreccion directa124 DIOpOs 142 i en la figura 3.1(b). La caracteristica terminal del diodo ideal se puede inverpretar como sigue: si um voltaje negativo [en relacién con la direcciéa de referencia indicada en la figura 3.1(a)) se aplica al diodo, no circula corriente y el diodo se comporta como un circuit abierto [figura 3.1(c)). ‘Se dice que los diodos que operan de este modo estén inversamente polarizados, o que operan en ireccién inversa. Un diodo ideal tiene corriente cero cuando opera en direccién inversa y se dice que esté en corte. Por otro lado, si una corriente positiva [en relacién con la direociGn de referencia indicada en 4a figura 3.1(a)] se aplica al diodo ideal, ea sus temminales aparece una caida de voltae igual a cero. En otras palabras, el diodo ideal se comporta como un cortocireuito en la direceién pasitva [Segura 3.1()}; pasa cualquier corriente con caida de voltaje de cero. Se dice que un diodo que conduce en ireccién positiva estd en conduccién. o simplemente conduce. De la descripcién anterior debe observarse que el circuito externo debe estar diseflado para limitar la corriente en sentido directo que pass por un diodo conductor, y el voltje inverso de un. iodo en corte, a valores predetermiinados. En la figura 3.2 se muestran dos circuitos con diodes ‘que ilustran este punto. En el circuito de la figura 3.2(a) es obvio que el diodo esté en conduceién ¥ por lo tanto su caida de voltaje es cero, y la corriente que pasa por el mismo estaré determinada ppor la fuente de +10 V y el resistor de 1 k© como 10 mA. El diodo del circuito de la figura 3.2(0) ‘esté en corte y por lo tanto su corriente es cero, lo que a su vez significa que toda la fuente de alimentacién de 10 V aparecerd como polarizacién inversa en los terminales de! diodo. El terminal positivo del diodo se denomina modo y el negativo eftodo, lo que es un remanen- te de la época de los diodos de tubos al vacio. La curva caracteristica iv del diodo ideal (que conduce en una direccién y no en la otra) debe explicar la opcién de su simbolo de circuito seme- jante a una flecha. ‘Como debe ser evidente de la descripcién anterior, la curva caracteristca i-v del diodo ideal es altamente no lineal y consta de dos segmentos rectos a 90° entre si. Se dice que una curva no lineal formada por segmentos rectos es lineal por partes. Si un dispositivo que tenga una curva ccaracteristica lineal por partes se-utliza en una aplicacién en particular, en forma tal que la sefial presente en sus terminales altema s6lo a lo largo de uno de los segmentos ineales, entonces el dispositivo se puede considerar como un elemento de circuito lineal en lo que respecta a ese cireuito en particular. Por otra parte, si ls seiales pasan por uno o més de los puntos de ruptura de Ja curva caracteristica, ya no es posible el andlisis lineal. +10 +H0V a 1kA Fig. 3.2. Los dos modos de operacién, oma} YomA seid ideale y ls de un eto 5 e ‘extero para limitar la corrente en sen- ov ICV tide directo y e voltae inverso. @ o143 3.1 ELDIODO IDEAL 125 Una aplicacién sencilla: el rectificador Una aplicacién fundamental del diodo, que hace uso de su curva i-v fuertemente no lineal, es el circuito recificedor que se ilustra en la figura 3.3(a). El circuit esté formado por la conexién en serie de un diodo Dy un resistor . Sea el voltaje de entrada ule onda senoidal que s ilustra en la figura 3.3(b), y supongamos que e! diodo es ideal. Durante los semiciclos positives de la senoide de entrada, el voltae v, positivo haré que la corriente circule por el diodo en la direccién positiva. Se deduce que el voltae vp del diodo seré muy pequefio, cero en el ideal. Por lo tanto el circuito tendr la forma equivalente que se muestra en la figura 3.3(c),y el voltaje de salida v» seré igual al voltaje de entrada ty. Por otra part, durante los semiciclos negativos de , el diodo no conduciré, el circuito tendré la fortna equivalente que se ilusta en la figura 3.3(4) y vo sera cero. Por consiguiente, el voltae de salida tendr la forma de onda que se ilustra en Ia figura 3.3(¢). Nétese «que mientras que v; se altera en polaridad y tiene un valor promedio de cero, vo es unidireccional y tiene un valor promedio finito o una componente de cd. Porlo tanto, el circuito de ta figura 3.3(a) yeo @ © 3.3. (a) Circuito rectificador. (b) Onda de entrada, (¢) Circuito equivalemte cuando v2 0. (8) Cireuito cequivalente cuando vy <0. (e) Onda de salida,144 126 DIODOS rectifica la sefial y recibe el nombre de rectifieador. Se puede utilizar para generar cd a partir de cca. En la seccién 3.7 estudiaremos con detalle circuitos rectificadores. Ejercicios 3.1. Paral cireuito de la figura 3.32), trace la curva caracteristica de transferencia vp contra y. Resp. Véase la figura E3.1. Fig. £3.41 or nmnorsranmrnenssinsecsnconmecncissmenell 5 3.2 Parael ciruito de ta figura 3.3(a), trace la forma de onda de vp Resp, Véase la figura E32. i Fig. £32 3.3 Enel circuito de le figura 3.3(0), v tiene un valor pico de 10 Vy R= 1 KA. Encuentre el valor pico dei y la ‘componente de cd de vo. Resp. 10mA;3.18VSee veuagegee i i sia ne 145 3.1 ELDIODOIDEAL 127 EJEMPLO 3.1 En la figura 3.4(a) se muestra un circuito para cargar una bateria de 12 V. Si vs es una senoide con amplitud pico de 24 V. encuentre la fraccién de cada ciclo durante la que el diodo conduce. También encuentre el valor pico de la corriente del diodo y el voltaje maximo de polarizacién inversa que aparece en los terminales del diodo. @ Fig. 3.4 Circuito y formas de onda para el ejemplo 3.1. Semen Bl diodo conduce cuando us excede de 12 V, como se muestra en la figura 3.4(b). El ngulo de conduccién es 24, donde # esté dado por 24 cos = 12 Por lo tanto, 6= 60° y el angulo de conduccién es 120%, o sea un tercio de un ciclo El valor pico de la corrente de diodo esta dado por 2 ly = 012A 100 El méximo voltae inverso en los terminales del diodo se presenta cuando us esté en su pico negative yes igual a 24+ 12=36V. Otra aplicacién: compuertas légicas de diodos Diodos y resistores se pueden utilizar juntos para ejecutar funciones logicas digitales. En la figura 3.5 semuestran dos compuertas ogicas digitales. Pra ver c6mo funcionan estos circuitos, considere un sistema I6gico positivo en el que valores de voltajes cercanos a 0 V corresponde a légica 0 (0 baja) y valores de voltae cercanos a +5 V corresponden a légica | (o alta) El circuito de la figura 3.5(@) tiene tes entradas, vs Us ¥ Uc. Es facil ver que los diodos que conectan a entradas de +5 V ‘conducen, sujetando asi la salida vy a un valor igual a +5 V. Este voltae positivo en la salida ‘mantendré en corte los diodos cuyas entradas sean bajas (alrededor de 0 V). Por lo tanto, la146 128 D10D0s. oy +5v % i i: a Fig.3.5 Compuerastégicasdiodox: kh (4) compuerta OR; () compuera AND ol vy (eaun sistema logico postvo). = % ® w salida serd alta si una o més de las entradas son altas. El circuito, en consecuencia, ejecuta la funcién légica OR que en notacién booleana se expresa como Y=A+B+C Del mismo modo, alentamos al lector para que demuestre que al usar el mismo sistema légico aqui citado, el circuito de la figura 3.5(b) ejecuta la funcién légica AND, YeAB-C EJEMPLO 3.2 Si se supone que los diodos son ideales, encuentre los valores de y V en los circuits de la figura 36. En estos circuitos puede que no sea tan obvio a primera vista si ninguno, uno o ambos diodos estén conduciendo. En tal caso, hacemos una supasicién raxonable, praseguimas con el anélisisy luego comprobames si terminamas con una solucién consistente. Para el circuito de la figura 3.6(a), supondremos que ambos diodos estin conduciendo, Se deduce que V»= Oy V=0, La corriente que pasa por D, se puede determinar ahora con Si se escribe una ecuacién de nodo en B, 141-9221 5 resulta enJ= 1 mA. Porlo tanto, D, estd conduciendo como originalmente se supuso, y el resultado ImAy V=0V.147 3.1 ELDIODOIDEAL 129 +10V. +10 ay -10v @ “ ) Fig. 2.6. Circuits parael ejemplo 32. b>Oxd Paracel circuito dela figura 3.6(b), si suponemos que ambos diodos estén conduciendo, entonces y V=0. La comtiente en D; se obtiene de La ecuacién de nodo en Bes 1422826 ‘que produce /=~1 mA. Como esto no es posible, nuestra suposicién no es correcta. Comenzamos de nuevo suponiendo que D, no conduce y D; silo hace. La corriente fy esté dada por Jon = O19) 01.33 ma y el voltaje en el nodo B es Vy=-10+ 10% 1.33 =43.3V Por lo tanto, D; esté polarizado inversamente, como se supuso, y el resultado final es /= Oy V= 33V.149 3.2. CURVAS CARACTERISTICAS TERMINALES DE DIODOS DE UNION 131 R 7 + Fig. E35 Medidor de bobina movil Encuente el valor de R que resulte en que'el medidor indique una lecura a plenaescala cuando el volije de onda ‘senoidal de entrada v, sea 20 V pico a pico. (Sugerencia: El valor promedio de ondas semisenoides es V,/n.) : Resp. 3.133k2 4 ey ' + 3.2 CURVAS CARACTERISTICAS TERMINALES DE DIODOS DE UNION En esta seccién estudiamos las curvas caracteristicas de diodos reales, especificamente diodos semiconductores de unién hechos de silicio. Los procesos fisicos que dan lugar a curvas eardcte- ristcas temminales de diodos,y al nombre “diodo de unin”, se estudian en la seccién siguiente. Enla figura 3.7 se muestra la curva caracteristica i-t de un diodo de unién de silicio. Lamisma courva se muestra en la figura 3.8 con algunas escalas expandidasy otras comprimidas, de modo que se vean detalles. Nétese que los cambios de escala han resultado en la aparente discontinuidad en elorigen. Fig. 3.7 La curva caracteristica Hv de un diodo de unin de silicio.150 132 plopos Escala ‘comprimida < osv q Rupura [| bo+ » - 5 oth i+ a Fig. 3.8 Larelacién i-v de un diodo con algunas escalas expandidas y otras comprimidas para dejar ver derales, ‘Como se indica, la curva caracteristica consta de tres regiones distintas: 1, La regién polarizada directamente, determinada por u > 0 2, Laregién polarizada inversamente, determinada por v <0 La regién de ruptura, determinada por v <—Vag Las tres regiones de operacién se describen a continuacién. La regi6n polarizada directamente n de operacién de polarizacién directa, o simplemente regién directa, se registra cuando el voltae terminal v es positivo, En la regién directa, la relacién i~v se aproxima de modo muy cercano con Ie" 1) Ga) En esta ecuacin, Js es tna constante para un diodo dado a una temperatura dada. En la seccién siguiente se presenta una formula para /; en términos de los pardmetros fisicos del diodo y temperatura. La corriente /s suele recibir el nombre de corriente de saturacién (por razones que en breve seran evidentes). Oro nombre para /s, que uilizaremos ocasionalmente, es corriente de151 3.2 .CURVAS CARACTERISTICAS TERMINALES DE DIODOS DE UNION. 133 scala. El nombre resulta del hecho de que Js directamente proporcional al érea de seccién trans- ‘versal del diodo. Por lo tanto, duplicar el drea de la unién resulta en un diodo que el doble del valor de Jey, como indica la ecuacién del diodo, duplica el valor de la corriente i para un voltaje v dado. Para diodos “a pequeiia sefial”, que son diodos de pequetio tamafio destinados para aplicaciones de baja potencia, ses del orden de 10°" A. El valor de Js esté sin embargo en estrecha relacién con la temperatura, Como regla practica, /s se duplica en valor por cada 5°C de aumento en temperatura.! El voltaje Ven la ecuacién (3.1) es una constante denominada voltaje térmico, dado por ve 2) donde ‘k= constante de Boltzmann = 1.38 x 10° joules/kelvin T= temperatura absoluta en kelvin = 273 + temperatura en °C q=magnitud de carga electrénica = 1,60 x 10“ coulomb ‘Ala temperatura ambiente (20°C), el valor de V7-es 25.2 mV. En anisis rips y aproximados de circujtos,utlizaremos Vr ~ 25 mV a la temperatura ambiente? En Ia ecuacién del diodo, la constante» tiene un valor entre 1 y2, dependiendo del material y ta estructura fisica del diodo. Los diodos hechos empleando proceso de fabricacin estindar de circuitos integrados exhiben n™= 1 cuando se operan en condiciones normales.® Los diodos que hay comercialmente como componentes discretos de dos terminales suelen exhibir n= 2. En general, supondremos n= I a menos que se especifique otra cosa. Para una comrente apreciable fen la dreccién directa, especificamente para i> /, la ecuacién (G.1) se puede aptoximar con la relacién exponencial ize 63) Esta relaci6n se puede expresaralternativamente en la forma logaritmica v=nVrIne Ga) i donde In denota el logaritmo natural (de base ¢). La elacién exponencial ene la corriente iy el voltae v se cumple sobre muchas décadas de corriente (se puede encontrar un espacio de hasta siete décadas, es decir, un factor de 10”). Esta es ‘una propiedad notable en diodos de unién, que también se encuentra en transistores de unién bipolar ¥y que se ha explotado en muchas aplicaciones interesantes. Un excelente ands dela ependencia dea temperatura sobre las curva cracteristicas de un dodo se presenta en laobra de Hodges y Jackson (198), pp. 146-148. Tambien se da una derivacion par el cooficiente de temperatura de. 2 Se supone por lo general una temperatura ambiental ligeramente ms alta (25°) para equip electnco que opera enzo de un gabiete. A ea temperatrs, V7 = 28.8 mV. Sin embargo, por razones do senile y para promover un apido sndlisis de un cea, uslizaremas el valor mas conveniente dV; 25 mV en todo exe extn. ° Ba un creitointegrado, suelen obtener iodo al cnectar un wansstor de nién bipolar (BJT como dispositive eos terminals, como se ve en el capitulo 4152 134 ploDos Consideremos la relacién iy directa de la ecuacién (3.3) y evaluemos la corriente J, corres- pondiente a un voltaje de diodo ¥;: halen Andlogamente, si el voltae es V2, la comriente del diodo seré, ha kel Estas dos ecuaciones se pueden combinar para obtener aque se puede eseribir como Y- N= nvyin a We nvyin © sea, en términos de logaritmos de base 10, h Vz Vie 23 nV log? 6s) Esta ecuacién simplemente expresa que para el cambio de una década (factor de 10) en corriente, la caida de voltaje del diodo cambié a2.3n¥, que es alrededor de 60 mV para n= 1 y 120 mV para . Esto tambien sugiere que la relacién iv del diodo se taza en una gréfica con més comodidad en papel semilogaritmico. Si se utiliza el ee lineal vertical por v, y el eje horizontal logaritmico por i, se obtiene una linea recta con pendiente de 2.3n¥ por década de corriente. Por tiltimo, debe ‘mencionarse que sino se sabe el valor exacto de n (que se puede obtener de un simple experimento), los disefiadores de circuitos uilizan el nimero aproximado conveniente de 0.1 V/década para la pendiente de la curva caracteristica logaritmica del diodo. ‘Una mirada a la curva caracteristica i-v en la posicién directa (figura 3.8) deja ver que la ‘corriente es tan pequeria que es insignificante para una v menor de 0.5 V. Este valor se llama voltaje de conduccién. Debe destacarse que este aparente umbral de la curva caracterstica es s6lo una consecuencia de la relacién exponencial. Otra consecuencia de esta relacién es el répido aumento de i. Por lo tanto, para un diodo “de conduccién completa, la caida de voltae se encuentra en una estrecha banda, entre 0.6 y 0.8 V. Esto da lugar aun “modelo” simple para el diodo, donde se supone que un diodo en estado de conduccién tiene una caida de aproximadamente 0.7 V en sus erminales. Los diédos con diferentes corrientes nominales (es decir, diferentes dreas y diferentes /;correspon- dientes) exhiben la caida de 0.7 V a comientes diferentes. Por ejemplo, puede considerarse que un iodo a pequetia seal presenta una caida de 0.7 V ai= 1 mA, en tanto que un diodo de alta potencia ‘puede presentar una caida de 0.7 V a una corriente i= 1 A. En la seccién 3.4 regresaremos a los temas de andlisis de circuitos con diodos y modelos de diodos.153 3.2. CURVAS CARACTERISTICAS TERMINALES DE DIODOS DE UNION 135 EJEMPLO 3.3 Un diodo de silicio que se dice es un dispositive de 1 mA muestra un voltaje directo de 0.7 Va una corriente de 1 mA. Evalie la constante de escala de unién Js en caso que m no sea 1 ni 2. ,Qué constantes de escala se aplicarian para un diodo de 1 A de la misma manufacture que conduce | A a07v? Emr Como centonces Para el diodo de 1 mA: Sina: 152 10% =69x10A, es decir, unos 10% A Sinm2: ig 10% =8.3x10"A, esdecir, unos 107 A El diodo que conduce | A.0.7 Vcomesponde a 1000 diodos de 1 mA en paralelo con un drea total de unién 1000 veces mayor. Por lo tanto, Js es también 1000 veces mayor, siendo 1 pA y } uA, respectivamente, para n= 1yn=2. 2 Deeste ejemplo debe ser evidente que el valor den que se uilice puede ser bastante importante. ‘Como tanto J; como son funciones de la temperatura, la curva caracteristica =v directa varia con la temperatura, como se ilustra en la figura 3.9. A una corriente constante de diodo dada, a caida de voltaje en los terminales del diodo decrece en aproximadamiente 2 mV por cada 1°C de aumento cen temperatura. El cambio en voltaje del diodo con la temperatura se ha explotado en el diseito de termémetros electrénicos. . Fig. 3.9 Iustracién de a eurvacaracte- ristica dela dependencia dela temperatura nun diodo, A.una contienteconstante, se reduce la caida de voltaje en aproxim: mente 2 mV por cada 1°C de aumento en temperstura.154 136 pI0DQs Ejercicios 13.6 Considere un diodo de siicio con n= 1.5. Encuentre el cambio en voltaje sila corriente cambia de 0.1 mAa 10 mA. Resp. 172.5mV 3.7. Un diodo de unién de siicio con n= 1 tiene v 50.1 mAei=10mA. .7 Vana corriente #= 1 mA. Encuentre la caida de volisje a Resp. 0.64V;0.76V 3.8 Al utilizar el hecho de que un diodo de silico tiene Jy = 10"™ A a 25°C y que Js aumenta en 15% por °C de levacién de temperatura, encuentre el valor de sa 125°C. Resp. 117x10A La regién de polarizacién inversa La regién de operacién de polarzacién inversa se presenta cuando el voltje v del diodo se hace negativo, En ta ecuacién (3.1) se predice que si u es negativo y unas pocas veces mayor que V(25 mV) en magnitu, el término exponencal se hace tan pequefio que es despreciable si se compara a Ja unidad y la coriente del diodo se convierte en izes esto es, la corriente en direccién inversa es constante e igual a Js, Esta constancia es la razén que hay tras el nombre de corriente de saturacién. Los diodos reales exhiben corrientes inversas que, aun cuando son bastante pequefas, son ‘mucho mayores que Js Por ejemplo, un diodo a pequefia seal del que Js es del orden de 10" a 10" A podria mostrar una corriente inversa del orden de 1 nA. La corriente inversa también ‘aumenta un poco con un aumento en magnitud del voltaje inverso. Notese que debido a la magni- ‘ud muy pequetia de la corriente, estos detalles no son claramenteevidentes en la curvacaracteristica i+ del diodo de a figura 3.8. ‘Una buena parte de la corriente inversa se debe a efectos de fuga. Estas corrientes de fuga son ‘proporcionales al érea de unin, al igual que Js, Su dependencia de la temperatura, sin embargo, ¢s diferente de la de Js. En consecuencia, mientras que Js se duplica por cada 5°C de elevacién de temperatura, la correspondiente regla prictica para la dependencia de temperatura de la corriente inversa es que se duplica por cada 10°C de elevacién de temperatura.f é i L | i Ejercicio 155 33 OPERACION FISICADE DIODOS 137 3.9 El diodo del circuito de la figura E3.9 es un dispositive grande, de elevada corriente, cuya fuga inversa es azonablemente independiente del voltaje. Si +9V ima = 1-V 020°C, encuentre el valor de Va 40°C y a 0°C. Fig. £39 § La region de ruptura La tercera regién distintiva de la operacién del diodo es 1a de ruptura, que se puede identificar ficilmente en la curva caracteristica del diodo de la figura 3.8. La regiGn de ruptura se presenta cuando la magnitud del voltae inverso excede un valor de umbral especifico al diodo en particular _yrecibe el nombre de voltaje de ruptura, Este es un voltae en la “rodilla” de la curva caracteristca inv dela figura 3.8y se denota por Vx, donde el subindice Z es por Zener (que en breve se explicard) y Kes por rodilla (knee en inglés). ‘Como se puede ver dela fgura3.8,enlaregién deruptura sumenta con granrapideziacoriente {nversa y es muy pequeto el aumento correspondiente en caida de voltaje. La ruptura del diodo es no destructiva normalmente siempre que Ia potencia disipada en el diodo se limite por medio de circuitos externos a un nivel “Seguro”. Este valor seguro se especifica por lo general en las hojas de datos del dispositivo, Por lo tanto, es necesario limitar la corriente inversa dela regién de ruptura aun valor consistente con la disipacin permisible de potencia. El hecho de que Ia curva caracteristica i-v del diodo en ruptura es una linea casi vertical hace posible utilizario en regulacin de voltae, Este tema se estudia en la seccién 3.6. 3.3 OPERACION FISICA DE DIODOS Después de examinar las curvas caracteristicas terminales de diodos de unién, ahora consideraremos ‘brevemente los procesos fisicos que dan lugar a estas caracteristicas. El siguiente estudio de lafisica de dispositivos es un tanto simplificado, pero proporciona suficientes antecedentes para disefiar diodos y otros cireuitos semiconductores.156 138 DIODOS 3.3.1 Conceptos basicos de semiconductores La unin pn. £1 diodo semiconductor es bésicamente una unién pn, como se muestra ‘esqueméticamente en la figura 3.10. Como se indica, la unin pm consiste en un material semicon- —s Corgasltentes Fig. 3.42 (a) La unién pn sin ‘voltae plicado (terminales cir Regién de agotamienio cata abieno) (0) Disuibucin de Potencial a to largo de eje per © pendiculara a unién. Voliaje % debarrera ©162 144 pioDos ‘mayoritarios. La carga de estos huecos es neutralizada por una cantidad igual de carga latente negativa asociada con los étomos aceptantes. Para mas claridad, estas cargas latentes no se ‘muestran en el diagrama; tampoco se muestran los electrones minoritarios generados en el ‘material tipo p por ionizacién térmica. Enel material tipo n os electrones mayoritarios estén indicados por signos “-". Aqui tampoco se muestra la carga latente positiva, que neutraliza la carga de los electrones mayoritarios, para conservar la sencillez de! diagrama. E] material tipo n también contiene huecos minoritarios generados por ionizacién térmica que no se muestran en el diagrama. La corriente de difusi6n Ip. Debidoaque la concentracién de huecos es alta en a region y baja en la regién n, se difunden huecos a través de la unién, de lado p al lado m; andlogamente, se difunden electrones através de la unién de! lado nal lado p. Estas dos componentes de corriente se suman para formar la corriente de difusién /, cuya direccién es del lado p al lado n, como se indica cen la figura 3.12. La region de agotamiento, Los huecos que se difunden através de la unién y entran en la regién n se recombinan répidamente con algunos de los electrones mayoritarios presentes ahi y entonces desaparecen de la escena, Este proceso de recombinacién resulta en la desapa- rictin de algunos electrones libres del material tipo n. Por lo tanto, parte de la carga latente positiva ya no seré neutralizada por electrones libres y se dice que esta carga ha sido descu- bierta. Puesto que la recombinacién tiene lugar cerca de la unin, habré una regién cerca de la uunién que se vacie de electrones libres y contenga carga latente positiva descubierta, como se indica en la figura 3.12. Los electrones que se difunden a través de la unién en la regién p se recombinan répidamente ‘con algunos de los huecos mayoritarios presentes ahi y entonces desaparecen de la escena. Esto resulta también en la desaparicién de algunos huecos mayoritarios, ocasionando que parte de la ‘carga latente negativa se descubra (es decir, ya no es neutralizada por huecos). Por lo tanto, en el ‘material p cerca de la unin habré una region que se vacia de huecos y contiene carga latente negativa | 3.43. La unién pn excitada por una fuente Ide corrente constante en la dlireccién inversa. Para evitar la ruptura, se conserva menor que Js. Nétese que Ia capa de agotamiento se ensancha y el voltaje de barrera aumenta en Vg volts, ue aparece entre los terminales como ‘un voltajeinverso, En equilibrio, el aumento en el voltaje dela capa de agotamiento sobre el valor del voltae integral Ve apareceré como voltaje externo que se puede medir entre los terminales del diodo, con m siendo positive con respecto ap. Este voltaje se denota como Vs en la figura 3.13. ‘Ahora podemos considerar excitar la unién pn por medio de un voltae inverso Vs, donde Ve ‘es menor que el voltae de ruprura Vx(Consulte la figura 3.8 pare la definicién de Vr.) Cuando se aplica primero el volte V, circula una corriente inversa en el circuito extemo de p a n. Esta corriente produce un aumento en el ancho y carga de la capa de agotamiento, En itima instancia, el voltaje en los terminales de la capa de agotamiento aumentard en la magnitud del voltaje externo Va, en cuyo momento se alcanza un equilibrio con la corriente inversa extemna J igual a (Is Jo). [Notese, sin embargo, que inicialmente la corriente externa puede ser mucho mayor que Js. El propésito de este transtorioinicial es cargar la capa de agotamiento y aumentar el voltaje en sus terminales en Vz Volts Por tltimo, cuando se alcance el estado estable, Zp seré tan pequetia que se considera insignificante, y la corriente inversa sera casi igual a/s. Lacapacitanciade agotamiento. Deloanterior abservamos a analogia enirelacapa de agotamiento de una unién pn y un condensidor. A medida que cambia el voltaje en paralelo con Ja unin pn, la carga almacenada en la capa de agotamiento cambia de conformidad. En la figura 3.14 se muestra una curva caractefstcatipica de carga contra voltaje extemo de una unin pr. [Notese que sélo se muestra la porcién de la curva para la regién polarizada inversamente. ‘Se puede obtener una expresién para haar la carga almacenada q, de la capa de agotamiento al encontrar la carga almacenada en cualquiera de los lados de la unin (cuyas cargas son iguales [por supuesto). Si se usa el lado n, escribimos = 98 Nox donde A es ¢l érea transversal de la unién (en un plano perpendicular ala pagina). A continuacién uusamos la ecuacién (3.19) para expresar x, en témminos del ancho de la capa de agotamiento Way jpara obtener NuNo ey AW age 621)148 p1oD0s 166 Fig. 3.14 Carga almacenada en cualquiera de ls lados de la cxpa de agotamiento como funcién del voltage inverso Vs Carga almacenada ena capa de again, 0 % Voit inverso, Va donde Way st puede encontrar de Ia ecuacién (3.20) si se sustituye Yo por el voltae total en paralelo con la region de agotamiento (V+ Vs), = Al combinar las ecuaciones (3.21) y (3.22) se obtiene la expresién para larelacién no lineal qy~ Vp descrita en la figura 3.14, Esta relacién obviamente no representa un condensador lineal, pero se puede usar una aproximacién de capacitancia lineal sel dispositivo se polariza y la alternancia de Ja sefial alrededor del punto de polarizacién es pequefia, como se ilustra en la figura 3.14. Esta es la técnica que utlizamos en la seccién 1.4 para obtener amplificacién lineal de un amplificador que ‘cuenta con curva caracteristica de transferencia no lineal. Desde esta aproximacién a pequetia sefial, Vo Va) 2) la capacitancia de agotamiento (también conocida como capacitancia de unién) es simplemente la pendiente de Ia curva q,~ Ven el punto Q de polarizacion day OT ny 623) Se puede evaluarfécilmente a derivada y hallar C. De manera opcional, se puede tratar la capa de agotamiento como un condensador de placas paralelas y obtener una expresiGn idéntica para C, usando la conocida férmula cA 1 Wage 8.24) donde Wau esté dada en la ecuacién (3.22). La expresién resultante para C, se puede escribir en la forma conveniente oe 3.25)167 3.3. OPERACIONFISICADE DIODOS 149 y donde Cp es el valor de C obtenido para voltae aplicado cero ‘ cE) me El andlsis precedente y la expresin para C aplican para uniones en las que la concentracién 4e portadores se hace cambiar abruptamente en la frontera dela unin, Una formula mas general para Ces & 27 donde m es una constante cuyo valor depende de la manera en que cambia la concentracién del lado pal lado n de la unin. Se denomina coeficiente de distribucién, y su valor es dea} Para resumi, a medida que un voltae de polarizacin inversa se aplica a una unién pn, ocurre un transitorio durante el que la capacitancia de agotamiento se carga al nuevo voltaje de polariza- ‘cin. Una vez que desaparezca gradualmente el transitorio, la coriente inversa de estado estable es simplemente igual a Js ~ Jo. Por lo general Jo es muy peqtieia cuando el diodo esta polarizado inversamente y la corriente inversa es casi igual a /s. Este, sin embargo, es slo un modelo teérico ‘que no aplica muy bien. En realidad, corrientes de hasta unos pocos nanoamperes (10° A) circulan ‘en direccién inversa, en dispositivos para Ios que /ses del orden de 10~ A. Esta gran diferencia se debe a fuga y otros efectos. Ademés, la corriente inversa depende en cierta medida de la magni- tud del voltaje inverso, contrario al modelo teérico, que expresa que / ~ Is independiente del valor del voltaje inverso aplicado. No obstante lo anterior, ebido a que intervienen corrientes muy bajas, por lo general no nos interesamos en los detalles de la curva caracteristca i-v del diodo en la ireccién inverse. + 8.44 Para una unién pn con Ny = 10" lem? y No 10"lem’, que opera a= 300 K, encuentre (e) el valor de Co por ‘rea unitaria de unién (ym*es aqui una unidad convenient) y(b) la capacitancia C aun voltaje de polarizacién inverso ‘de 2 V si se supone un dred de unibn de 2500 yan’. Uslice n,= 1.5 x 10"%cm?; m=, y el valor de Vo encontrado en el ejercicio 3.13 (Vo = 0.728 V), Resp. (a) 0.32 pF/pm’;(b) 0.41 pF 3.3.4 La unién pn en la region de ruptura ‘Al considerar la operacién de un diodo en la regién de polarizacién inversa en la seccién 3.3.3, s¢ supuso que la fuente / de corriente inversa (figura 3.13) es menor que J; 0, lo que es lo mismo, que elvoltaje inverso Vz es menor que el voltae de ruptura Voc. (Consulte la figura 3.8 paral definicién de Vex.) Ahora deseamos considerar los mecanismos de ruptura en uniones pn y explicarlasrazones que hay detrs de la linea casi vertical que representa la relacién iv en la regién de ruptura, Para este propésito, sea la uniGn pn excitada por una fuente de corriente que ocasione que una corriente168 150 DIODOS Fig. 3.45 Unign pn excitada por una fuente de corriente inve.sa J. donde J > 45, Launién serompe y en los terminales de la nién se forma un voltaje Vz con la polaridad indicada. constante / mayor que /circule en la direccién inversa, como se ilustraen la figura 3.15. Esta fuente de comriente mueve huecos del material pen el circuito exterior y los introduce en el material, 9 electrones del material n en el circito exterior y los introduce en el material p. Esta accidn resulta, en que mas y més carga latente se descubre, por 1o que la capa de agotamiento se ensancha y se eleva el voliaje de la barrera. Este iltimo efecto ocasiona que aumente la corriente de difusion; finalmente, se reducird casi a cero. No obstante lo anterior, 6sta no es suficiente para llegar a un estado estable, puesto que / es mayor que Js. Por lo tanto, el proceso que lleva al ensanchamiento de la capa de agotamiento contintia hasta que se desarrolla un voltaje de unién suficientemente alto, fen cuyo punto se inicia un nuevo mecanismo para slimentar los portadores de carga para soportar la corriente J. Como se explica a continuacién, este mecanismo para alimentar correntes inversas que excedan de J puede tomar una de dos formas, dependiendo del material de la unién pn, estructura, etoétera. Los dos posibles mecanismos de ruptura son el efecto Zener y el efecto avalancha. Si una ‘unién pn se rompe con un voltaje de ruptura V_ <5 V, el mecanismo de ruptura suele ser el efecto Zener. La ruptura de avalancha ocurré cuando Ves mayor de unos 7 V. Para uniones que se rompen centre 5 y 7 V, el mecanismo de ruptura puede ser ya sea el efecto Zener o el de avalancha, o una combinacién de los dos. La muptura Zener ocurre cuando el campo eléctrico de la regién de agotamiento aumenta al punto donde puede romper enlaces covalentes y generar pares electrOn-hueco. Los electrones generados de esta forma serin barrios por el campo eléctrico ¢ introducidos en el lado n y los hhuecos en el lado p. Por lo tanto, estos electrones y huuecos constituyen una corriente inversa en. los terminales de fa unin que ayuda a sostener la corriente externa /. Una vez que se inicia el efecto Zener, e puede generar un gran nimero de portadores, con un aumento despreciable en el voltaje de la unién. Asi, la corrente inversa de la regién de ruptura estaré determinada por el circuito extemo, mientras que el voltae inverso que aparece entre los terminales del diodo permaneceré cercano al voltaje nominal de ruptura V> El otro mecanismo de ruptura es la ruptura de avalancha, que ocurre cuando los portadores, rminoritarios que cruzan la regién de agotamiento bajo Ia influencia del campo eléctico ganan suficiente energia cinética para romper enlaces covalentes en atomos con Jos que chocan. Los portadores liberados por este proceso pueden tener energia suficientemente alta para hacer que ‘otros portadores se iberen en otra colisign de fonizacién. Este proceso ocurre en forma de avalan- cha, con el resultado que muchos portadores se crean y pueden soportar cualquier valor de cortiente * Dead luego que a coment del circuitoextero ser levada en su totalidad por lecwones.169 33 OPERACION FISICADE DIODOS 151 inversa. como se determina por el circuito extemo, con un cambio despreciable en la caida de voltaje en los terminales de la unién. ‘Como se mencioné antes, la ruptura de la unién pm no es un proceso destructivo. siempre que no se exceda la disipacién méxima de potencia especificada. Esta disipacién méxima de potencia, ‘a su vez, implica un valor méximo para la corriente inversa. 3.3.6 La unién pn en condiciones de polarizacién directa ‘A continuacién consideramas la operacién de la unién pn en la regién de polarizacion directa, Otra vez es mas facil explicar la operacin fisica si excitamos la unién por medio de una fuente de corriente constante que alimente una corriente/en la direccién positiva, como sedlustra en la figura 3.16. Esto ocasiona que portadores mayoritaros sean alimentados a ambos ados de la unién por el cireuito extemo: huecos al material p y electrones al material n. Estos portadores mayoritarios neutralizan parte de la carga latente descubierta,ocasionando que menos carga se almacene en la capa de agotamiento. Ast, a capa de agotamiento se estrecha y se reduce el votaje de la barera de agotamiento, Lareduccién en voltae de labarrera hace posible que més huecos crucen la barrera del material p.al material » y mas electrones del lado m crucen al lado p. Por lo tanto, la corriente de difusin Zp aumenta hasta que se alcanza un equilibrio con Jp ~ /s= 1, que es la corriente de polarizacién alimentada extemamente Examinemos ahora més de cerca la circulacin de coriente en los terminales de la unin pn polarizada directamente en estado estable, El voltae de a barrera es ahora menor que Vy en una cantidad V que aparece entre los terminales del diodo como caida de voltaje en sentido directo (esto ¢s, el nado del diodo sera més positivo que el cétodo en V volts). Debido a lareduccién del voltaje de la barerao, alterativamente, ala caida de voltae V en sentido directo, se inyeetan huecos que cruzan la uni6n y penetran en la regin my se inyectan electrones que cruzan la unién y penetran en a regién p. Los huecos inyectados en la regidn n hacen que ahi la concentracién de portadores rinoritarios, py, exceda del valor de equlibriotérmino, pg El exceso de concentracin p,~ Pre Serd sméximo cerca del borde de la capa de agotamiento y se reduce (exponencialmente) a medida que se aleja de Ia unién, llegando por iltimo a cero. En la figura 3.17 se muestra esta distribucién de portadores minoritaros. Fig. 3.46 Unién pn excitada por una fuente de contiente constante que ali- rmenta una corrente J en la direccién positiva. La capa de agotamiento se es- ‘techa y el voltae de barera decrece en V volts, que aparece como voltaje exter- 1 ex la dreccién positiva,152. D10D0s 170 % 0 Xe * Fig. 3.17 Distibucién de portadores minoritarios en una unién pn potarizada directamente, Se supone que laregién p esté més fuertemente contaminada que la; Na > No. En el estado estable, el perfil de concentracién de exceso de portadores minoritarios ppermanece constante, y de hecho es esta concentracién la que da lugar al aumento de corriente de difusién Jp sobre el valor J. Esto es as{ porque la distribucién mostrada ocasiona que los portadores ‘inoritarios inyectados se difuundan alejéndose de la unién hacia la regién my desaparezcan por recombinacién, Para mantener el equilibrio, un igual némero de electrones tendré que ser alimen- tado por el circuito externo, reponiendo asi Ia alimentacién de electrones en el material n. Se puede expresar algo semejante acerca de los electrones minortarios del material p. La cortiente de difusién [> es, por supuesto la surna de las componentes de electrones y huecos. La relacion corriente-voltaje. Ahora demostraremos cémo aparece larelacién iv del diodo de la ecuacién (3.1). Con este fin, consideremos en algiin detalle la componente de corriente causada por los huecos inyectados a través de la unién hacia Ia regién n. Un resultado importan- te de la fisica de semiconductores elaciona la concentracién de portadores minoritaios del borde éelaregién de agotamiento, denotada por p,(x,) ena figura 3.17, con el voltaje Ven sentido dirécto, Puls) = Pao G.28) Esto se conoce como la ley de la iunién; su prueba se encuentra normalmente en libros de texto relativos ala fisica de dispositives. La distribucién del exceso de concentracién de huecos en la regién n, que se ilustra en la figura 3.17, es una funcién que decae exponencialmente con la distancia y se puede expresar como Pal) = Pro * [Peltn) ~ Prole (3.29) donde Z, es una constante que determina la rapidez del decaimiento exponencial. Se denomina~ Tongitud de difusién de huecos en el silicio tipo n. Cuanto menor sea el valor de Z,, los huecos {nyectados se recombinan con mas rapidez con electrones mayoriarios,resultando en un més pido decaimiento de la concentracién de portadores minortarios. De hecho, L, se relacione con otro1 3.3. OPERACIONFISICADE DIODOS 153 pardmetro de semiconductores conocido como duracién det exceso de portadores minoritarios, “7 Es el tiempo promedio que tarda un hueco inyectado en la regin n para recombinarse con un clectén mayoriario. La relacin es 1, =D sp (3.30) donde, como se mencioné antes, D, es la constante de difusin para huecos en el silcio tipo m Valores tipicos para Z, son 1 100 ym, y los correspondiemtes valores de 7,estin ene 1y 100005. Los huecos que se dfunden en la egién n darén ugar a una comiente de huevos cuya densidad sepuede evaluar por medio de las ecuaciones (3.7)y (3.29) con p.Cs,) obtenida dela ecuacién (3.28), pea Pepe Ie Observe que J, es maxima en el borde de a regién de agotamiento (=x,) y decae exponencialmente con la distancia. Claro esta que el decaimiento se debe a la recombinacién con los electrones ‘mayoritarios. En estado estable, los portadores mayoritarios tendrén que reponerse, y de este modo se suministran electrones desde el circuito extemo @ la regién n con una rapidez que mantendri ‘constante la corriente al valor que tiene en x = x,. Por lo tanto, la densidad de corriente debida ala inyeccién de huecos esté dada por a Ze pale ~ ) G31) Se puede hacer un andlisis semejante para los electronesinyectados a través de la unin hacia la regién p, que resultan en la componente J, de corriente electrénica, tp De a elt Jeng Zenale™ 1) (332) donde L, es la longitad de difusién de electrones en la regién p. Como Jp y J, estén en la misma direccién, se pueden sumar y multiplicar por el érea 4 transversal de la unién para obtener la corrente total / como Wyre, Die) (enn, (92+) (e 1) Al sustituir para pg =n /No y para np =n? /N, podemos expresar Jen la forma D, rman (Be Belern oss Reconocemos ésta como la ecuacién donde la coriente de saturacién Js est dada por (2 , mr) = Aart | * Ta} 634) Observemas que, conto se esperaba, /s€s directamente proporcional al érea 4 de la unién. Adem: Isesproporcional an? , que es una funcién que depende en gran medida de la temperatura (ecuacién, 3.6). También observemos que el exponencial dela ecuacién (3.33) no incluye la constante ni; n es ‘un pardmetro “compuesto” que se incluye para tomar en cuenta los efectos no ideales.172 154 piopos. Capacitancia de difusién. Dela descripcién de la operacién de la unin pn en la region de sentido directo observamos que, en estado estable, cierta cantidad de exceso de carga de pportadores minoritarios se almacena en la mayor parte de cada una de as regiones p y n. Si cambia el voltaje terminal, este cambio tendré que cambiar antes que se alcance un nuevo estado estable. Este fenémeno de carga y almacenamiento da lugar a oo efecto capacitive, muy diferente del que se debe al almacenamiento de carga en la regién de agotamiento. Para calcular el exceso de carga almacenada de portadores minoritarios, consultemos la figura 3.17. El exceso de carga de huecos almacenado en la regién n se puede hallar del érea sombreada, bajo el exponencial como sigue: Q, = Aq x érea sombreada bajo el exponencial p,(x) = Ag X [Pal%) — Prolly 7 Sustitui por p.(x,) de la ecuacién (3.28) y usar la ecuacién (3.31) hace posible expresar Q, como L 3 2, donde J, = 4/, es la componente de huecos dela coriente que pasa por la uni. Ahora, usando la ceeuacién (3:30), podemos sustituir por LY/D, = 7, la duracin de huecos, para obtener Q=n 35) Esta interesante relacin dice que el exceso de carga de huecds almacenado es proporcional a 1a componente de corriente de huecos y a la duracién de huecos, Se puede desarrollar una relacién semejante para la carga electronica almacenada en la regién p, Q.™ Tale 8.36) donde 7, sla duracin de‘lecronesen la regién p. La carga toa de poadors minortarios en ‘exceso se puede obtener al sumar Q, y Q,, > Typ Tale 637 Esta carga se puede expresar en términos de la corriente del diodo = J, +, como =n @.38) donde 7rrecibe el nombre de tiempo medio de trénsito del diodo. Obviamente, r est relaciorada ‘con 7% y 7. Ademés, en la mayor parte de dispositives practicos, un lado de la unién esté mucho ‘més fuertemente contaminada que la otra. Por ejemplo, si N, > No, podemos demostrar que fy > In Ip Op & On, O~ Op ¥ POF lo tanto 77 ~ 1, Este cas0 Se ilustra en el eercicio 3.15. ara pequefias cargas situadas alrededor de un punto de polarizacién, podemos definir la capacitancia de difusién a pequetia sefial C, como y podemos demostrar que 3.39)la inyeccién de huecos y la debida a inyecciOn de electrones a través dela union; () ry 7s () exceso de carga Q, {de huecos en la regién n, y el exceso de carga Q, de electrones en la region p. y por lo tanto el total de la carga Q > ‘minoritaria almacenada, y el tiempo de tnsito 7; (A) la capacitancia de difusin. Resp. (2)2% 10" A; (6)0.616 V;(€)91.7 uA, 83 As (4) 25 ns, 55.6 ns; (€) 2.29 PC, 0.46 pC, 2.75 pC, 275 ns; 73 3.4 ANALISIS DE CIRCUITOS CON DIODOS 155 donde J es la comiente del diodo en el punto de polarizacién, Notese que Cy es ditectamente ‘proporcional ala corriente / del diodo y es, por lo tanto, tan pequetia que es despreciable cuando el iodo se polariza inversamente. Nétese también que para mantener una C, pequefia el tiempo de twansito 7; debe hacerse pequefio, lo cual es un requisito importante para diodos destinados para operacién a alta velocidad o alta frecuencia. 3.45. Un diodo tiene Ny= 10"lem?, No 10"/em?, m= 1.5 x 10!em?, Ly = $ pm, L,=10 pm, A= 2500 pm, Dy» (ena region 10 cm‘IVs,y D, (en la tegién p)= 18 cm’/Vs, El diodo esti polarizado directamente y conduce una 1 mA. Caleule: (a); (b) el voltje V de polarizaciGn directa; () la componente de lacoriente J debida Capacitancia de unién. La capacitancia dea capa de agotamiento o unién en condicio- nes de polarizacién directa, se puede encontrar al sustituir Vp con —V en la ecuacién (3.27). Resulta, sin embargo, que la precisién de esta relacién en la regién de polarizacién directa es mas bien deficiente. Como altemativa los diseiadores de circuits utilzan Ia siguiente eglaprctce: C= 2p (6.40) 3.3.6 Resumen ara fécil referencia, la tabla 3.1 contiene una lista de las importantes relaciones que describen la, operacién de uniones pn. 3.4 ANALISIS DE CIRCUITOS CON DIODOS En esta seccidn estudiaremos métodos para el andlisis de circuitos con diodos. Nos concentraremos en cireuitos en los que los diodos operan en la regién de polarizacién directa. La operacién en la otra regién de interés, a region de ruptura, esti considerada en la seccién 3.6, Consideremos el circuito que se muestra en la figura 3.18, que consta de una fuente Vp de cd, un resistor Ry un diodo, Deseamos analizar este circuito para determinar la corriente Ip el voltaje Vp del diodo. Es evidente que el diodo estd polarizado en la direccién directa. Si se supone que Voo ¢s mayor 4de0.5 V oun valor semejante, la corriente del diodo seré mucho mayor que [sy podemos representar la curva caracteristica iv del diodo por la relacién exponencial, resultando en Io= Ieee Gal) Lactra ecuacién que gobiema la operacién del circuito se obtiene al escribir una ecuacién de malla dde Kirchhoff, resultando en G42)174 “abla 3.1 RESUMEN DE ECUACIONES IMPORTANTES PARALA OPERAGION DE UNIONES pr canton even (ows Simaacoa = 30010) Cece ep eaeretOT B= 54x10" 4K cm®) Denia ocr 7 = 10x10" Calon ae ad ie awe Dy = ents Denied cores ip = sions "edeslanme (an?) taps 0h6 nad ' Resniviead Oem) Relsién core movil yaisedad ‘Concern de prgacrs casio upe mem P= Mle Tp dececen con owen en "Eencenmacon de eansminacén Vy kg Conse de pongore| catsouspoa Vora nepal enon) ‘cto eae eave (en) eo 88510" Fem (Cara ainocenade ene cap de ago {Couiond) ‘Cepacncia de agoumieno ®) ene seni isto (A) o-a/(-3 1h wg rh eee 4 aaah eer) ‘Contents tac) Darain oe padres ‘neatnoe spores minonaion (Coton Copactancn Se ain) = ohn re 2 FOr Q.nm o-(F)r 156"5 3.4 ANALISIS DE CIRCUITOS CON DIODOS 157 + Fig. 3.48 Sencillo circuito con Vo Vp un diodo, Sise supone que se conocen los parimetros /-y n del diodo, (3.41) y (3.42) son dos ecuaciones con las dos incdgnitas fp y Vo. Dos formas opcionaes para obtener la solucién son el andlisis grifico y el andlisis iteativo. Andlisis grafico El andlisis gréfico se realiza al trazar las relaciones de las ecuaciones (3.41) y (3.42) en el plano #-4. La solucién se puede obtener entonces como las coordenadas del punto de interseccién de las dos gréficas. Un trazo de la construccién gréfica se muestra en a figura 3.19; la curva representa la ecuacién exponencial del diodo [ecuacién (3.41)}y la recta representa la ecuacién (3.42). Esta linea recta se conoce como la recta de earga, nombre que en capitulos subsiguientes se haré més evidente. La recta de carga corta la curva del diodo en el punto Q, que representa el punto de ‘operacién del circuito. Sus coordenadas dan los valores de Joy Vo. Curva caractristica de un diodo (Punto de operacién) bb 0 Vo Yoo Fig. 3.19 Analisis grafico del circuito de la figura 3.18. El andlisis grafico ayuda en la visualizacién de la operacién del circuito, pero el esfuerzo necesario para la ejecucién de un andlisis, en particular para circuitos complejos, es demasiado grande para ser justficado en la practica. Analisis iterativo Las ecuaciones (3.41) (3.42) se pueden resolver usando un procedimiento iterativo sencillo, como seilustra en el siguiente ejemplo.176 158 DIODOS EJEMPLO 3.4 Determine Ia corriente fy el voltaje Vp del iodo para el circuito de la figura 3.18 con Vp = 5 V y R=1kQ. Suponga que el diodo tiene una corriente de 1 mA a un voltaje de 0.7 V, y que su caida de volaje cambia en 0.1 V por cada cambio de década en corrente Seren Para comenzar Ia iteracién, suponemos que Vp 0.7 V y usamos la ecuacién (3.41) para determinar la corriente Ip= Veazte =43mA Utilizamos entonces la eouacién del diodo para obtener una mejor estimacin de Vo. Esto se puede hhacer por medio de a ecuacién (3.5), es devs, Para nuestro caso, 2.3 nV~0.1 V; entonces nero ea Al sustiuir V, = 0.7 V, 1) = 1 mA, ¢ /,= 4.3 mA resulta en V; = 0.763 V. Entonces, los resultados de la primera iteracién son Jp = 4.3 mA y Vo = 0.763 V. La segunda iteracién prosigue de modo semejante; 163 =0.762V Por lo tanto, la segunda iteracién produce Jp = 4.237 mA y Vo = 0.762 V. Como estos valores no ‘son muy diferentes de los obtenidos después de la primera iteracién, no se hacen necesarias mas iteraciones y la solucién es Jo = 4.237 mA y Vo= 0.762 V. La necesidad para un rapido analisis El procedimiento de anilisis iterativo utilizado en el ejemplo anterior es sencillo y produce resultados precisos después de dos o tres iteraciones, pero hay situaciones en las que el esfuerzo y tiempo necesarios son todavia mayores de lo que se puede jusificr. Especificamente, si hacemos un disefio a lapiz y papel para un circuito relativamente complejo, un répido andlisis de circuito es una necesidad, Por medio de un rapido andliss, el disefiedor esté en aptitud de evaluar diversas posibilidades antes de tomar una decisién sobre un circuito apropiado. Para agilizar el proceso de7 3.4 ANALISIS DE CIRCUITS CON DIODOS' 159 andlisis debemos estar satisfechos con resultados menos precisos. Esto esraras veces un problema, ya que un analisis mas preciso se puede posponer hasta que se obtenga un disefo final, o casi final Bl andlisis preciso del disefo casi final se puede ejecutar con ayuda de un programa de computadora para andlisis de circuitos, como el SPICE (véase la seccién 3.10 y el apéndice C). Los resultados de este andlisis se pueden utilizar luego para refinar ain mas el disci Modelos simplificados de diodos ‘Aun cuando la relaciéri exponencial ‘=v es un modelo preciso de la curva caracteristica del diodo cen la region de sentido directo, su naturaleza no lineal complica el analisis de circuitos de diodos. El anilisis se puede simplificar en gran medida si podemos hallarrelaciones lineales para describir las curvas caracteristicas terminales del diodo. Un intenio.en esta direccién se ilustra en la figura 3.20, donde la curva exponencial se aproxima por medio de dos lineas rectas, la linea A con Curva caracieristien Recta B exponencial Peadente = 2 Fig. 3.20 Aproximacién de a cur- va caracteristica en sentido directo den diodo, con dos rectas, Recta A OOF OF O6K0S 10 wy Yoo pendiente cero y la linea B con una pendiente de I/rp, Se puede ver que para este diodoen particular, sobre el intervalo de corriente de 0.1 mA.a 10 mA los voltajes pronosticados por el modelo de lineas. rectas difiere de los pronosticados por el modelo exponencial por menos de 50 mV. Obviamente, la seleccién de estas dos rectas no es tinica; se puede obtener una eproximacién més cercana si se restringe el intervalo de corriente sobre el que se requiere la aproximacién. El modelo de lineas rectas (0 lineal por partes) de la figura 3.20 puede describirse por 6.43) U2 Yoo onde Yop es el corte de la linea B sobre el eje de voltaje y ro es la inversa de ta pendiente de la linea B, Para el ejemplo particular que se muestra, Vo» = 0.65 Vy r= 209. { i ' I178 160 DIODES deal + Fig. 3.21 Modelo lineal por partes de s la curva caracteristica en sentido directo ee » Yoo den diodo y representacién de su cir cuito equivalente. El modelo lineal por partes descrito por las ecuaciones (3.43) se puede representar por medio del circuito equivalente que se ilusta en Ia figura 3.21. Nétese que un diodo ideal est incluido en este modelo para restringir ip a que circule solo en la direccién de sentido positive. Este modelo también se conoce como de “bateria més resistencia” EJEMPLO 3.5 Repita el problema del ejemplo 3.4, utilizando el modelo lineal por partes cuyos pardmetros se dan en la figura 3.20 (V9 = 0.65 V, ro = 20 ©), Nétese que las curvas caracteristcas descritas en esta figura son las del diodo descritoen el ejemplo 3.4 (1 mA a0.7 V y 0.1 Vidécada). Semen Al sustitur el diodo del circuto de la figura 3.18 con e! modelo de circuito equivalente de la figura 3.21 resulta en el circuito de la figura 3.22, del que podemos escribir para la corriente Jp, Veo Vow to" Fry Teal Fig. 3.22 El circuto dels figu- 8 3.18 oon el diodo sustituido con sumodelo lineal por partes de 1a figure 3.21 Yoo v5179 3.4 ANALISIS DE CIRCUITOS CON DIODOS 161 donde los parimetros Vip y ro del modelo se ven, de la figura 3.20, que son Vos = 0.65 V y ro = 202. Por lo tanto, El voltaje Vp del diodo puede ahora calcutarse: Vo= Poo * loro = 0.65 + 4.26 x 0.0% 0.735 V El modelo de caida constante de voltaje Se puede obtener un modelo atin mas sencillo de las curvas caracteristicas del diodo en sentido directo si uilizamos una recta vertical para aproximar la parte de répida elevacién de la curva exponencial, como se muestra en la figura 3.23. El modelo resultante dice simplemente que un diodo que conduce en sentido directo exhibe una caida constante de voltaje Vo. El valor de Vo se toma por lo general como 0.7 V. Nétese que para el diodo en particular cuyas curvas caracteristicas se describen en la figura 3.23, este modelo predice que el volsje del diodo seré menor de #0.1 V sobre el intervalo de corriente de 0.1 2 10 mA. El modelo de caida constante de voltaje puede representarse por medio del circuto equivalente que se muestra en la figura 3.24 EI modelo de caida constante de voltae es € que con mas frecuencia se utiliza en las fases iniciales de andlissy disefio. Esto es especialmente cero sien estas etapas no tenemos informacién detallada sobre las curvas caracteristicas del diodo, que con frecuencia es el caso. oh 2 eas of ena a Fig. 3.23 Desarrollo del modelo 4 Skim aris 7 ‘curvas caracteristicas de! diodo po- 6 Jarizado directamente. Se utiliza una 3 recta vertical (B) para aproximar la ‘ powered shen | io O02 04 06408 10 yW) Yo180 | Yo 3.24 Modelo de caida constante de voltaje de las curvas caracteristicas en sentido directo del diodo { Fepresentacién de su circuito equivalent Finalmente, névese que si utilizamos el modelo de caida constante de voltae para resolver el problema de los ejemplos 3.4 y 3.5 obtenemos 43mA ‘que no es deniasiado diferente de los valores obtenidos antes con los modelos mas elaborados. E| modelo de diodo ideal En aplicaciones en donde intervienen voltajes mucho mayares que la caida de voltae del diodo (0.6 10.8 V), podemos despreciar la caida de volaje del diodo mientras se calcula la corrente de! diodo. El resultado es el modelo de diodo ideal, que estudiamos en la seccién 3.1. Una observacion concluyente La pregunta de cuél modelo utilizar en una aplicacién en particular es aquella a la que un disefiador 4e circuitos se enfrenta repetidas veces, no sélo con diodos sino con cada uno de los elementos de un circuito. El problema es hallar un témino medio apropiado entre precisién y complejidad. La capacidad para seleccionar modelos apropiados de dispositivos mejora con la prictica y experiencia. Ejercicios 3.16 Paraelciruito dea figura 3.18, eneuentre /py Vo para el caso Voo= 5 Vy R= 10 k9. Suponga que el diodo tiene un voluje de 0.7 V a una comrente de 1 mA y que el voltae cambia en 0.1 Vidécada de cambio de coriente slice (a teracién, (0) el modeo lineal por partes con Vop= 0.65 V y 7o=20 0, (c) el modelo de caida constante de volijecon Yo 0.7 V. Rasp. (2) 0.434 mA, 0.663 V; (0) 0.434 mA, 0.659-V; (c) 0.43 mA,0.7V3.17 Considere un diode que es 100 veces mayor (en rea de unin) que aquel cuyas curvas caacteristicas se muestran on la igur incervalo de corriente 100 veces mayor), ge6mo cambiarian los pardmetros Vp y 7p del modelo? Resp. V5 n0 cambi 181 3.8 ELMODELO APEQUENASENALY SU APLICACION 163 3.20. Si aproximamos las eurvas caractersticas de modo semejante al dela figura 3.20 (pero sobre un ‘rp $e reduce en un factor de 100 a 0.2.0 3.18 Disefe e! circuito de la figura E3.18 para obtener un voltaje de salida de 24 \. Suponga que los diodos Aisponibles tienen una caida de 0.7 V8 | mAy que AV’ 1 Vieambio de éécada en corriente +10v Rk Yo Resp. R= 7609 3.49 Ropita el ejercicio 3.4 para obtener mejores estimados de Ty V (que los encontrados en el ejercicio 3.4), pero suponiendo que no se sabe mucho acerca de los diodos, ademés de que son diodos a pequefia seal destinados para ‘operaren Ia escala de mA. i Res} +7 )1T2mA,0.7V; (W)OMA,SV; (@)OMA,SV; (4)172mA,0.7V; (e)23mA,423V; ()33mA, 3.8 EL MODELO A PEQUENA SENAL Y SU APLICACION Hay aplicaciones en que un diodo se polariza para operar en un punto en la curva caracteristica ‘vy se superpone una pequetta sefial de ca sobre las cantidades de ed. Para esta situacién, se hace tun mejor modelo del diodo por medio de una resistencia igual ala inversa de la pendiente de la tangente a la curva caracterstica i-v en el punto de polarizacién, En la seccién 1.4 se introdujo el concepto de polarizar un dispositivo no lineal y restringir Ia alternancia de la sefial a un segmento corto, casi lineal, de su curva caracteristica alrededor del punto de polarizacién, para redes de dos ppuertos. En lo que sigue, desarrollamos un modelo a pequefia sefal para el diodo de unién ¢ ‘lustramos su aplicacién. ‘Considere el circuito conceptual de la figura 3.25(a)y la correspondiente representacién grafica de le figura 3.25(b). Un voltaje Vp de ed, representado por una bateria, se aplica al diodo; y una sefial up (0) que varia con el tiempo, que arbitrariamente se supone que tiene forma triangular, se182 164 p1ODos into, (0) on 5 Vo - @ Ost rig. 3.26 Decale del modo a pequt sel den ido, Nee qu os valores auntrios qu ‘muestran son para un diodo con n ‘superpone al voltaje Vp de cd. En ausencia de la sefial u, (1), el voltaje del diodo es igual a Vp, y de ‘modo correspondiente el diodo conduciré una corriente Jp de ed dada por Jos Ise G44) Cuando se aplica la sel vy), el voltae instantineo total el diodo v(t) estard dado por wl) = Vor valt) G45) De modo correspondiente, a coriente instantinea total del diodoip() sera : i= etn 3.46)183 3.8 ELMODELOAPEQUENA SENALY SUAPLICACION 165, Al sustituir por up de la ecuacién (3.45) resulta it) = Iget0r"o™" que se puede escribir como fo) = Ise" evr ‘Al usar la ecuacién (3.44) obtenemos io(t) = loo" 47) ‘Ahora, sila amplitud de la sefal vi) se codserva sufcientemente pequefa de modo que wu me 48) entonces podemos expandir el exponencial de la ecuacién (3.47) en una serie y truncar Ia serie después de los primeros dos términos para obtener la expresion aproximada % il) ~Io ( + 3] G49) Esta es la aproximacton a pequetia sefial. Es vélida para seflales cuyas amplitudes son menores de unos 10 mY {véase la ecuacién (3.48) y recuérdese que r= 25 mV]. De la ecuacién (3.49) tenemos Jo i= lo+ Bey 6.50) We Asi, sobrepuesta en Ia cortiente Ip de ed, tenemos una componente de cortiente de sell directa- ‘mente proporcional al voltaje u, de sefial. Esto es, ip= Int ie 51) donde 52) La cantidad que relaciona la corriente i, de sefal con el voltaje vy de seal tiene las dimensiones de conductancia, mhos (25) y se llama conductancia de diodo a pequetia seal. La inversa de este ‘parmetro es la resistencia de diodo a pequedia sefial,o resistencia incremental, rz Wr we G53) ‘Nétese que el valor de v,€s inversamente proporcional a la corriente Jp de polarizacién, Regresemos a la representacién gréfica de le figura 3.25(b). Es fécil ver que usar la aproxima- ign a pequeta seal equivale a suponer que Ja amplitud de sefial es suficientemente pequefia tal que la alternancia a lo largo de la curva iv esté limitada a un segmento corto, casi lineal. La pendiente de este segmento, que es igual a la pendiente de a curva i-ven el punto de operacién Q, es igual a fa conductancia a pequefa sefial. Pedimos al lector que demuestre que la pendiente de la curva i-v en i= Ioes igual a [nV , que es Ira es decir 3.54)184 166 0100s ‘Ahora, si denotamos por Voo el punto en que la tangente corta el eje vo, podemos describir la tangente mediante la ecuacién ip= = (up Vos) 55) Esta eouacién es un modelo para la operacién del diodo para pequefas variaciones alrededor del punto de reposo Q (0 de polarizacién). EI modelo puede ser representado por el circuito equivelente que se ilustra en la figura 3.26, del que podemos escribir v= Yoo iors Voo* (ln * ta) ta Vo + lore) * tats Vor tare Fig.3.28 Modelo de circuito eg valente para el dodo para pequefios + < Iaeal cambios alrededor del punto de pola sly, sizacidn 0. Laresistencia incremen- tal res la inversa de la pendiente de Ja tangente en Q, y Von es el punto - Ta de corte de la tangente en €l ee Uo (véase la figura 3.25). como se esperaba, el voltaje incremental o de sefial en los terminales del diodo esté dado por iz Para ilustrar la aplicacién del modelo de diodo a pequefa sefil, considere el circuito que se muestra en la figura 3.27(a). Ahi tenemos un voltaje v, de sefial conectado en serie con la fuente Voo de ed. Con v, = 0, la comriente de ed se denota por Ip y el voltaje de cd del diodo se. 0189 3.5 ELMODELO APEQUENASENALY SU APLICACION 171 siguientes, Finalmente, debe observarse que para aplicaciones de conmutacién, como se encuentra en circuits dgiales, se ulizan adaptaiones de Czy C, a gran sefal Ejercici 3.20 Encuentre el valor de la resistencia r del diodo a pequedia seal a corrientes de polarizacién de 0.1, Ly 10mA. ‘Suponga n= 1 . Resp. 2500; 250;259 3.21 Para un diodo que conduce 1 mA a uns caida de votaje en sentido directo de 0.7 V y cuya n= 1, encueatre la ecuacién de la tangeate de la recta en = 1 mA. Resp. io= (1/25 Q\(u-0.675) 3.22 Considere un diodo con n=? polarizado a 1 mA. Eneuente el cambio en corriente como resultado de cambiar tel voltaje en (a) -20 mY; (b)~10 mV; (c)-5 mV; (4) +5 mV; (e) +10 mV; (f) +20 mV. En cada caso, haga los célculos (usando el modelo a pequefia seal y (i) usando el modelo exponencia. Resp. (a)-0.40; 0.33 mA; (b) -0:20,-0.18 mA; (c) 0.10, -0.10 mA; (4) *0.10, +0.11 mAs; (¢) +020, +0.22 ma; (0.40, +0.49 mA 3.23. Diseie el eireuto de Ia igura E3.23 de modo que Yo 3 V cuando I~ 0 Yo cambia en 40 mV por 1 mA de corriente de carga. Encuentre el valor de Ry el rea de unién de cada diodo (suponga que los cuatro diodos son idénticos) en relacién con un diodo con caida de 0.7 V a 1 mA de corrente. Suponga n = 1 +15Vv R a) he Fig. £3.23, Resp. R= 4.8k0; 034 } | | |172 DIODOS 190 3.6 OPERACION EN LA REGION DE RUPTURA INVERSA. DIODOS ZENER La muy pronunciada curva i que el diodo exhibe en la regién de ruptura (figura 3.8), y la caida de voliaje casi constante que esto indica, sugiere que los diodos que operan en la regién de ruptura se pueden usar enel disefiode reguladores de voltaje. Esta resulta ser en realidad una muy importante aplicacién de diodos. Se fabrican diodes especiales para operar especificamente en la regién de ruptura; estos diodos reciben el nombre de diodos de ruptura 0, mas cominmente, diodos Zener, ‘en honor a uno de los primeros investigadores en este campo, aun cuando e! mecanismo de ruptura es con frecuencia de avalancha. En la figura 3.30 se ilustra el simbolo de circuito de un diodo Zener. En aplicaciones normales 4e diodos Zener, circula corriente en el cétodo y éste es positivo con respecto al énodo; entonces, Izy Vz de la figura 3.30 tienen valores positives. Especificaciones y modelos de un diodo Zener En Ia figura 3.31 se aprecian detalles de las curvas caracteristicas fv en la regién de ruprura, Observamos que para comrientes mayores que la corriente /nc de roilla (especificads en la hoja de datos del diodo Zener), la curva caracteristica iv es casi une linea recta. El fabricante suele Vz Fig. 3.30. Simboto de cireuito ~ _paraun diodo Zener. Fig. 3.31 Curva caracteristica Hy de un diodo con la regién de ruptura rmostrada en algin detalle = fer (cortente Ge prueba)191 3.6 OPERACION EN LA REGION DE RUPTURA INVERSA. DIODOS ZENER 173 especificar el voltae Ven paralelo con el diodo Zener a una corienteespecificada de prueba, le. -Hemos indicado estos parémetros en la figura 331 como las coordenadas del punto marcado 0. De este modo, un diodo Zener de 6.8 V exhibiré una caida de 6.8 V a una corrient especificada de prucba de 10 mA. por ejemplo. A medida que la corriente que pasa por el Zener se desvia de lor cambiaré el voltaje en sus terminales, aunque ligeramente. En la figura 3.31 se muestra que, correspondiendo al cambio de comiente AI, el voltsje del Zener cambia en AV, que esta relacionado con Al por AV= AT donde r, es el inverso de la pendiente de la curva casi lineal ~v en el punto Q. La resistencia r. ¢s la resistencia ineremental del diodo Zener en el punto de operacién Q; también se conoce como resistencia dindmica del Zener y su valor se especifica en las hojas de datos del dispositivo. Tipicamente, el valor der, es entre unos pocos ohms a varias decenas de ohms. Es evidente que, suanto menor sea el valor de r, més constante permanece el voltaje Zener a medida que varia su Corriente asi es mas ideal su operacién. A este respecto, observamos de la figura 3.31 que mientras +r permanece baja y casi constante en una amplia variacién de corrient, su valor decrece conside- rablemente en la vecindad de la rodilla. Por lo tanto, como lineamiento general de diseiio se debe evitar operar el Zener en esta regién de baja corriente. Los diodos Zener se fabrican con voltajes V2 de entre unos pocos volts y varios cientos de volt. ‘Ademés de especificar 7> (a una corriente particular Izy), r.€ Jac, el fabricante también especifica la potencia maxima que el dispositivo puede disipar sin destrurse, De esta forma, un diodo Zener de 0.5 W y 6.8 V puede operar con seguridad a corrientes de hasta un maximo de unos 70 mA. La curva casi lineal caracteristica i-v del diodo Zener sugiere que el dispositivo se pueda modelar como se indica ena figura 3.32. Aqui, V=.denota el punto en que la recta de la pendiente I/. corta el eje del voltae (consulte la figura 3.31). Aun cuando Vz se ve que es ligeramente diferente del voltgje Vac de rodilla, en la prictica estos valores son casi iguales. El modelo de circuito equivalente de la figura 3.32 se puede describir analiticamente por medio de Ve= Ven rele 3.56) yy aplica para Jz> Jae y, obviamente, Vz> Vz. El uso del modelo Zener en un andlisis se ilustra por ‘medio del siguiente ejemplo. Fig. 3.32 Modelo paracl dio- ve o Zener.192 174 piopos Re a Se EA 33 ne EJEMPLO 3.8 El diodo Zener de 6.8 V del circuito de la figura 3.33(a) esta especificado por tener V;= 6.8 Va 1e=SmA, 7.=20 Qe Ie = 0.2 mA. El voltaje de alimentacién /” es nominalmente de 10 V, pero puede variar en #1 V. 7 R= 05k 68 pas % Re @ ) ig. 3.33. (a) Circuito para el ejemplo 3.8. (b) Circuito con el diodo Zener sustituido con su modelo de euito equivalente. (@) Encventre Yo cuando no hay carga y con ¥” a su valor nominal (©) Halle el cambio en Vo que resulta del cambio de #1 V en ¥” (© Encuentre el cambio en Vo que resulta de conectar una resistencia de carga R= 2 KO. (@) Investigue el valor de Vo cuando R, = 0.5 KO. (e) {Cudles el valor minimo de R; para el cual el diodo todavia opera en laregidn de rupture? Emer Primero debemos determinar el valor del parimetro Vz» del modelo del diodo Zener. Al sustituir V_= 6.8 V, Jz" SmA y r.= 20 Q en la ecuacién (3.56) resulta Vzy = 6.7 V. En la figura 3.33(b) se ilustra el circuito con el diodo Zener reemplazado por su modelo. (a) Cuando no hay carga conectada, la corriente que pasa por el Zener esta dada por oy Rr, 10-67. 0.5 + 0.02 oe©) © @ © 193 3.6 OPERACION EN LA REGION DE RUPTURA INVERSA, DIODOS ZENER 175 Entonces, = 6.74 6.35 x 0.02 = 6.83 V Para un cambio de +1 V en ¥°, el cambio en el voltaje de salida se puede encontrar a partir de Ber AVo= AV" 20 41% 500420 £385 mV ‘Cuando se conecta una resistencia de carga de 2 kO, Ia comrente de carga seré aproxima- damente 6.8 V/2 KO = 3.4 mA. Entonces, el cambio en la corriente Zener serd Al; 3.4 mA, y el cambio correspondiente en el voltaje Zener (voltaje de salida) seré de AVo=r. Ale 0x 3.468 mV ‘Se puede obtener una estimacién més precisa de AVo al analizar el circuito de la figura 3,33(b). El resultado de este andlisis es AVo=~70 mV. Una R, de 0.5 kS tomaria una corriente de carga de 6.8/0.5 = 13.6 mA. Esto no es posible porque la corriente /alimentada a través de Res de s6lo 6.4 mA (pare V° = 10 V). Por lo tanto, el Zener debe cortarse. Si éste es en realidad el caso, entonces Vo esté determinado por el divisor de voltaje formado por Ry R, ae RR Yo=¥" Como este voltaje es menor que el voltaje de ruptura del Zener, de hecko el diodo ya no opera en la regién de ruprura, Para que el Zener se halle en el borde de la regién de ruptura, fz = Ine= 0.2 mA y Ve ~ Vax = 6.1 V. En este punto (en el peor de los casos) la minima corriente alimentada através de Res (9 — 6.7/0.5 = 4.6 mA. y entonces la corriente de carga es 4.6 ~ 0.2 = 4.4 mA. El valor correspondiente de R, es194 176 DIoDOs Disefio del regulador Zener en derivacion La funcién del regulador de voltaje se describi6 en la seccién anterior. En la figura 3.34 se ilustra un circuito regulador de voltaje que utiliza un diodo Zener; este circuito se conoce como regulador enderivacién porque el diodo Zener esté conectado en peralelo (en derivacién o shunt) con la carga. El regulador esté alimentado con un voltaje que, como se indica en la figura, no es muy constante; incluye una componente grande de rizo, Este voltae 6ruto de alimentacién se puede obtener como la salida de un circuto rectficador, como se verd en secciones subsiguientes. La carga puede ser un simple resistor 0 un complejo circuito electronico. La funcién del regulador es proporcionar un voltaje de salida Vo que es tan constante como es posible a pesar del rizo en Vy las variaciones de la corriente de carga J,. Se pueden utilizar dos ppardmetros para medir qué tan bien esté realizando su funcién: la regulacién de linea y la regulacién de carga. La regulacién de linea estd definida como el cambio en Vo correspondiente aun cambio de 1 V en ¥s, AVo Regulation de linea = 5? 3.57) _ysuele expresarse en mV/V. La regulacién de carga se define como el cambio en Vo correspondiente ‘aun cambio de 1 mA en /i, Wo Regulacién de carga = 572 3.58) Se pueden obtener expresiones para estas medidas de operacién para el regulador en deriva- de la figura 3.34, al sustitur el Zener con su modelo de circuito equivalente, obteniendo asi el circuito de la figura 3.35. Un ficil andlisis de este circuito produce IrdIR) @.59) Yo | Carga Regulador Zener .34 Un regulador Zener en derivacién. Observe que mientras el voltae bruto Vs tiene una compo nente grande de rzo, el voltajeregulado Vo tiene un rizo muy pequelo195 3.6 OPERACION EN LAREGION DE RUPTURAINVERSA, DIODOS ZENER 177 +r fil, Fig. 3.36 Circuito regulador en Vag 0, el valor de Vo, la corriente pico de diodo y el valor de PIV, para el caso en que us sea una senoide de 12 V (rms), Vo ~ 0.7 Vy R= 100.0, Resp. 97.4%; 10.1 V; 163 mA; 33.2 V. oe184 DIODOS 202 El rectificador en puente En la figura 3.39(a) se muestra una estrucuracin altemativa del retficador de onda completa. El Circuito, cmocide como recifcador en puente por Ia similinad de su configuracién con la del puente de ‘Wheatstone, no requiere de transformador con derivacién central, ventaja indudable sobre el circuito rectificador de onda completa dela figura 338. En el rectificador en puente sin embargo, se hacen necesarios cuatro diodos en comparacién con los dos del circuito anterior; esto no es una desventaja considerable ya que lo diodos son de poco costo y se puede adquirir un puente de diodos en paquete. El circuito rctificador en puente opera como sigue: durante los semiciclos positivos del votaje de entrada uses positivo y, por consiguiente la corriente es conducida a través del diodo Dy, el resistor Ry el diodo D;. Entre tanto, los diodos D; y D, estarin polarizados inversamente. Observe ‘que hay dos diodos en serie én la trayectoria de conduccién y por lo tanto vo sera menor que vs Por dos caidas de diodo (en comparacién con una cafda en el circuito analizado previamente). Esta es tuna pequefia desventaja del rectificador en puente. ‘A continuacién consideremos la stuacién durante los semiciclos negativos del voltaje de entrada I voltae secundario vs sera negativo y entonces ~us serd positivo, forzando la corriente a circular por Ds, Ry Da; entre tant, los diodos D, y D; estarin polarizados inversamente, El punto importante Vole deca ellinea o Fig. 3.39 El retificador en puente; (a) ciruito y (b) ondas de entrada y salida,203 3.7 CIRCUITOS RECTIFICADORES 185 por observar, empero, es que durante ambos semiciclos, la corrientecircula por R en la misma direccién (Ge derecha a izquierda) y por lo tanto up siempre seré postivo, como st indica en a figura 3.3%b). Para determinar el voltje inverso de pico (PIV) de cada diodo. considere el circuito durante los semiciclos positivos. E voltae inverso en los terminales de Ds, se puede determinar de la malla formada por D;, Ry D; como py (inverso) = Uo + pe (directo) Entonces, el valor maximo de upy se presenta en e! pico de vy esta dado por PIV=V,~2 Vou * Voo™ Ve~ Vou Observe que aqui el PIV tiene aproximadamente la mitad del valor para el rectificador de onda ‘completa con transformador con derivacién central. Esta es otra ventaja del rectficador en puente. tra ventaja del circuito rectificador en puente sobre el que utiliza transformador con deriva- cién central es que s6lo se hace necesaria aroximadamente Ia mitad del nimero de vueltas para el devanado secundario del transformador. Se puede tener otra forma de ver este punto si se observa que cada mitad del devanado secundario de! transformador con derivacién central se utiliza s6lo lamitad del tiempo. Estas ventajas han hecho que la configuracién del retificador en puente sea la més favorecida por los usuarios. 3.29 Paral cireuitorectifcador en puente del figura 3.39), vile el modelo de diodo de caida constarte para ‘demosrat lo siguiente: (4) El promedio (0 componente deed) del vols de salida os Vo ~ Qn)¥,~2 Vow. (6) La corriente pico del diodo es (V,~2 Von). Encuentre valores numéticos paa las cantidades en (a) y (b)y el PIV para caso en que vs sea una senoide de 12 V (rms), Von ~ 0.7 V, y R= 100 0. Resp. 9.4 V; 156mA; 163V j El rectificador con un condensador de filtro; el rectificador de pico La naturaleza pulsante del voltaje de salida producido por los circuitos rectificadores estudiados antes lo hace inapropiado como fuente de ed para circuitos electrénicas. Una forma sencilla de reducirla variacién del voltae de salida es poner un condensador en paralelo con el resistor de carga. ‘Se demostraré que este condensador de filtro sirve para reducir considerablemente las variaciones del voltaje de salida del rectficador. Para ver la forma en que funciona el circuitorectificador con un condensador de filtro, considere primero el sencillocircuito que se muestra en la figura 3.40, Sea la entrada ty una senoide con un valor pico Vp, y suponga que el diodo es ideal. A medida que use hace positive, el diodo conduce y el condensator se carga de modo que Up v. Esta situacién continia hasta que llega a su valor pico V,- Después del pico, a medida que v, decrece, el diodo se polariza inversamente y el voltaje de salida permanece constante al valor de V. En efecto, teéricamente hablando,el voltae del condensador reten- __ dé de manera indefinida su carga y por lo tanto su volaje, a que no hay forma de que se descargue. Ai el circuito proporciona una salida de voltaje de cd igual al pico de la onda senoidal de entrada, Este cs un resultado bastante estimulante en vista de nuestro deseo de obtener una sada de od. ‘A continuacién consideramos [a situacién mis préctica donde una resistencia de carga Rse conecta en paralelo con el condensador C, como se describe en la figura 3.41(@). Sin embargo, seguiremos204 186 DIODOS o Fig. 3.40 (a) Sencillo circuito uilizado para ilustrar el efecto de un condensador de fio. (b) Ondas de entrada y salida suponiendo un diodo ideal. Nétese que el circuito produce un voltae deed igual l pico de la onda senoidal de entrada. El circuito se conoce, por lo tanto, como rectificadar de pico o detector de pico. suponiendo que el diodo es ideal. Como antes, para una entrada senoidal, el condensador se carga al valor pico de la entrada ¥,,.Entonces el diodo estéen corte y el condensador se descarga a través de a resistencia de carga R. La descarga del condensador continia durante casitodoel ciclo, hastael momento ‘en que vy exceda el voltaje del condensador. Entonces el diodo conciuce otra vez, carga el condensador al pico de vy el proceso serepite. Observe que para evitar que el volaje de salida se reduzca demasiado durante la descarga del condensador, se selecciona un valor para C de modo tal que la constante de ‘tiempo CR sea mucho mayor que el intervalo de descarga. ‘Ahora estamos listos para analizar el circuito en detalle. En la figura 3.41(b) se muestran las ondas de voltaje de entrada y salida en estado estable bajo la suposicién de que CR > T, donde T es el periodo de la senoide de entrada. Las ondas de la corriente de carga ips ugR (3.65) yy de la corriente del diodo (cuando esté conduciendo) ipmict iy 3.66) =c™% =cF i G61)205 3.7 CIRCUITOS RECTIFICADORES 187 f | | 1 th th G Intervalo de | conan 4 ©) >a © Fig. 3.41 Ondas de volaje y corriente del circuitorectificador de pico con CR > T. El diodo se supone ideal206 188 DIODOS ‘se muestran en la figura 3.41(¢). Las siguientes observaciones estén en orden: 1, El diodo conduce durante un breve interval, Ar, cerca del pico dela senoide de entrada y alimenta al condensador con una carga igual a la perdida durante el mucho més largo intervalo de descarga. Est iltimo es aproximadamente igual al periodo 7. 2. Si se supone un diodo ideal, la conduccién del diodo comienza en el tiempo f, en el que el voltaje uy de entrada es igual a la salida vo que decae exponencialmente. La conduccién, se detiene en f, poco después del pico de v; el valor exacto de f, se puede determinar si se hace ip= 0 en la ecuacién (3.67). 3. Durante el intervalo de corte del diodo. el condensador C st descarga a través de Ry entonces, vo decae exponenciaimente con una constante de tiempo CR. El intervalo de descarge comienza casi en el pico dev. Al terminar el intervalo de descarga, que dura casi todo el periodo 7, vo= VV, donde V, es el voltae pico a pico de rizo, Cuando CR > T,el valor de V, es pequeito. 4, Cuando V, es pequefi, ts es casi constante e igual al valor pico de v. Entonces el voltaje de cd de salida es aproximadamente igual a V,, Del mismo modo, la corrient i, ¢s casi constante y su componente I; de ed esté dada por nek G68) . ‘Una expresién mas precisa para hallar el voltae de ed de salida se puede obtener al tomar el promedio de los valores extremos de vo, Vo= vy -1¥, 6.6) ‘Con estas observaciones a mano, ahora obtenemos expresiones para Vy para los valores promedio yypico de a corriente del diodo. Durante el intervalo de corte del diodo, vp se puede expresar como ‘Al terminar el intervalo de descarga tenemos Vy — Vi x Vyeren Ahora, como CR.% 7, podemos utilizar la aproximacién e-™" irs cR TICR para obtener @.70) Observamos que para que V, se conserve pequefio debemos seleceionar una capacitancia C, demodo queCR> T-El voltaje derizo V,delaecuacién (3.70) se puede expresar entérminos de la frecuencia, f= UT como te om FR [Nétese que una interpretacinaltematva de la aproximacién hecha antes es que el condensador se descarga por medio de una corriente constante J, = V,/R. Esta aproximacién es valida mientras Veh,207 3.7 CIRCUITOS RECTIFICADORES 189 Por medio dela figura 3.41(b) y suponiendo que la conduccin del diodo cesa casi en el pico de 1, podemos determinar el intervalo de conduccién Ar con ¥, costw AN) = V,—¥, donde w= 2nf* + wars NOVTY, 6.72) Observamos que cuando V, < V,, el éngulo de conduccién w Av serd pequefi, como se supuso, Para determinar el promedio de corriente dé diodo durante la conduccin, iy igualamos la ‘aga que el diodo alimenta al condensador, Quswerats = nen At con la carga que el condensador pierde durante el intervalo de descarga, a : persion = para obtener A ioyon = 11 + NOV GIV,) 673) ‘Al derivar esta expresién hacemos uso dela ecuacién (3.66) para suponer qUC fiom €Sté dada por la ecuacién (3.68). También uilizamos las ecuaciones (3.71) y (3.72). Observe que cuando V, < Vy el promedio de la corriente del diodo durante la conduccién es mucho mayor que la corriente de carga de ed. Esto no es sorprendente ya que el diodo conduce durante un intervalo muy corto y debe reponer la carga perdida por'el condensedor durante el mucho mé largo intervalo en que es © @ Way + 0.7) © Fig. 3.46 Diversos circuitoslimitadores bisicos.194 pIopos Ejercici 13.31 Si se supone que los diodos son ideales, deseriba la curva caraterstca del cicuito que se muestra en la figura E331, token ox Resp. vo= vom fure25 212 y finalmente limita vo a una caida de diodo (0.7 V). El circuito de la figura 3.46(b) es similar al de (@), excepto que el diodo estd invertido. Se puede ejecutar una doble limitacién si se colocan en paralelo dos diodos de polaridad puesta, como se ilustra en la figura 3.46(c). Ahi laregin lineal dela curva caracteristica se obtiene para ~0.5 V Sv $0.5 V. Para este intervalo de v, ambos diodos no conducen y vo =u. Amedida que vy excede de 0.5 V, D, conduce y finaimente limite vo a +0.7 V. Del mismo modo, a medida que -y,se hace mas negativo que -0.5 V, D; conduce y finalmente limita vo a -0.7 V. Los umbrales y niveles de saturacién de limitadores de diodos se pueden controlar por medio de cadenas de diodos 0 conectando un voltaje de ed en serie con el diodo(s). Esta iltima idea se ilustra en la figura'3.46(d). Por Gitimo, mis que cadenas de diodos podemos utilizar dos diodos Zener en serie, como se muestra en la figura 3.46(). En este circuito se presenta la limitacién en la direccién positiva @ un voltaje de Vx + 0.7, donde 0.7 V representa la caida de voltaje en los terminales del diodo Zener Z; cuando conduce en la direccién en sentido directo, Para entradas negativas,Z, actia como un Zener, mientras que Z; conduce en la direccién en sentido directo. Debe ‘mencionarse que hay, en el comercio, pares de diodos Zener conectados en serie para aplicaciones de este tipo bajo el nombre de Zener de doble finodo. Es posible obtener circuits limitadores més flexibles si se combinan op amps con diodos y resistores. En el capitulo 12 se analizan estos circuitos. Fig. £3.91 toxn_ oy pare-ssy/s48 hy-25 per | i i | i i i i i $ para y2+5 El condensador nivelado o restaurador de cd Si en el circuito bésico rectficador de pico se toma la salida en los terminales del diodo en lugar de los del condensador; resulta un interesante circuito con aplicaciones importantes. El circuito, que recibe el nombre de restaurador de cd, se ilustra en a figura 3.47 alimentado con una onda cuadrada. Debido a la polaridad en que se conecta el diodo, el condensador se carga a un voltaje uc (véase la {figura 3.47) igual a la magnitud del pico mas negativo de la sefal de entrada. Subsecuentemente,213 3.8 CIRCUITOS LIMITADORES Y DE FIJACION DE AMPLITUD 195 ™ mov W + te : “eh vp i: = ol |_. el diodo no conduce y el condensador retiene indefinidamente su voltaje. Si, por ejemplo, la onda cuadrada de entrada tiene los niveles arbitrarios ~6 V y +4 V, entonces vc seré igual a 6 V. Ahora, como el voltaje de salida uo esté dado por yt ue se’deduce que la onda de salida seré idéntica a la de la entrada, excepto que esta desplazada hacia arriba en ve volts. En nuestro ejemplo, la salida seré una onda cuadrada con niveles de OVvy#10V. (tra forma de visualizar la operacién del circuito de la figura 3.47 es observar que debido a {que el diodo esta conectado en paralelo a la salida con la polaridad que se muestra, impide que el ‘oltajede salida baje a menos de 0 V (al conduciry cargar el condensador, casionando que la salida se eleve a 0 V), pero esta conexién no restringe la alternancia positiva de vo. La onda de salida, por 1o tanto, tendré su minimo pico nivelado a 0 V, que es por lo que el circuito se denomina ‘condensador nivelado. Debe ser evidente que invertir la polaridad del diodo dara una onda de salida cuyo maximo pico esté nivelado a 0 V. En cualquier caso, la onda de salida tendré un valor promedio finito o componente de ed: Esta componente de cd esta enteramente relacionada con el valor promedio de la onda de entrada. Como aplicacién, considere una sefal de pulso que se transmite por medio de un sistema capacitivamente acoplado, o acoplado a cd. El acoplamiento capacitivo haré que el tren de pulsos pierda cualquier componente de cd que originalmente tuviera. Alimentar 1a onda de pulsos resultante a un circuito nivelador le proporciona a éste una bien determinada componente de ed, proceso conocido como restauracién de ed. Esto es por lo que el circuito también se llama restaurador de ed. Restaurar od es itil porque la componente de ed de una onda de pulsos es una medida eficaz de su ciclo de trabajo. El ciclo de trabajo de una onda de pulsos se puede modular (en un proceso querecibe el nombre de madulacién de ancho de pulso)y hacer que eve informacién. En un sistema como éste, la deteccién o demodulacién se puede obtener simplemente con alimentar la onda de pulso recibida a un restaurador de cd y luego usando un simple filtro RC de paso bajo para separar ¢l promedio de la onda de salida de los pulsos superpuestos, ‘Cuando se conecta una resistencia de carga R en los terminales del diodo en un circuito nivelador, como se muestra en la figura 3.48, la situacin cambia de manera considerable, Mientras que la salida est arriba de tierra, una corriente neta decd debe circular en R. Como eneste nomento €l diodo esti en corte, es obvio que esta corriente proviene del condensador, causando asi que el condensador se descargue y el volta de salida caiga. Esto se muestra en la figura 3.48 para una entrada de onda cuadrada. Durante el intervalo ig el voltje de salida cae exponencialmente con Ja constante de tiempo CR. En t; la entrada se reduce en V, volts y la salida intenta seguirla. Esto hhace que el diodo conduzca fuertemente y cargue con gran rapidez-al condensador. Al finalizar el196 DIODOS Ejercicio 3.32 Sise Resp. -5 214 po ‘LET a Fig. 3.48 Condensador nivelado con una resistencia de carga R. interval fa fl voltae de salida seria normalmente de unas pocas décimas de volt negativo (por ejemplo, -0.5 V), Entonces, a medida que se eleva la entrada en un valor de V, volts (en), la salida sigue y el ciclo se repite. En un estado estable, la carga perdida por el condensador durante el intervalo ta % se recupera durante el intervalo f, a fy. Este equilibrio de carga hace posible que podamos calcular el promedio de corriente de! diodo, asi como los detalles de la onda de salida. Doblador de voltaje En la figura 3.49(a) se muestra un circuito compuesto de dos secciones en cascada: un nivelador formado por C, y Dy un rectficadar de pico formado por D: y C;. Cuando se excita por medio de una senoide de amplitud V>, la seceién niveladora produce la onda de voltaje que se muestra en la figura 3.49(b), suponiendo diodos ideales. Notese que mientras los picos positives se nivelan a cero volts, el pico negativo llega a -2V,. En respuesta a esta forma de onda, la seccién detectora de pico produce en los.terminales del condensador C; un voltaje negativo de od de magnitud 2¥,. Debido a que el voltaje de salida es el doble de! pico de entrada, e! cicuito se conoce como doblador de voltaje. La técnica se puede ampliar para obtener voltae de cd de salida que sean miltiplos mas altos de V,. inviente el iodo de la figura 3.47, ,eul seré la componente de cd de vo? 5 v i 3.9 TIPOS ESPECIALES DE DIODOS’ En esta seccién estudiamos brevemente algurios importantes tipos especiales de diodos. 7 Se puede omit esta secién sin perder continua215 3.9 TIPOSESPECIALES DE DIODOS 197 ¥, sen wt o Fig. 3.49 Doblador de voltaje: (a) cifeuito;(b) onda det voltaje en los terminales de Dy, El diodo de barrera Schottky (SBD) El diodo de barrera Schottky (SBD) se forma al poner un metal en contacto con un material semiconductor tipo n contaminado moderadamente. La unién del metal y el semiconductor se ccomporta como un diodo que conduce corriente en una direccién (del énodo metilico al cétodo semiconductor) y actia como circuito abierto en la otra, y se conoce como diodo de barrera Schottky, 0 sélo diodo Schottky. De hecho, la curva caracteristca de corriente contra voltaje del SBD es sorprendentemente parecida ala del diodo de unin pr, con dos excepciones importantes: 1, Enel SBD, lacoriente es conducida por portadores mayoritaris (electrones). Asi, el SBD no exhibe los efectos de almacenamiento de carga de portadores minoritarios que se encuentran en las uniones pn polarizadas directamente. Como resultado de esto, os diodos Schottky pueden pasar de conducci6n a no-conduccién, y viceversa, con mucho més rapidez de lo que es posible con diodos de unién pn. 2. La caida de voltae en sentido directo de un SBD que conduce es menor que la del diodo de unin pn. Por ejemplo, un SBD hecho de silicio exhibe una caida de voltaje en sentido directo de 0.3 a0.5 V, en comparacién con lade 0,620.8 V de los diodos de unién ppndesilicio. Los SBD también se pueden hacer de arseniuro de galio (GaAs), en realidad, No (b) Sigiendo na deivacin emejene ala dadaen lapigina 152, demiesve qui os anchos de las repionespy nse deotan por W,y Wewonces Ie tesar D, wom (ey(©), También, suponiendo O~ 0, 1 Jp, demuestre que n con Ft me a a2iDs) (6) ‘Si un disetiador desea limitar Cy a 10 pF a= 1 mA, eu seria 7? Suponga D, = 10 ca Seccién 3.4: Analisis de circuitos con diodos "3.AAT Considere el anilisis gréfco del circuito de diodos dela figura3.18 con Voo= 1 V,R= 1 kAy un diodo quetiene Js" 10" Ay m= 1. Caleule un pequefio nimero de puntos de a curvacaracteristica del diodo en la vecindad ‘exdonde se espera quelalinea de carge a corey utlice 1m proceso grifico para refinar su estimacién de la coriente de dodo. {Qué valor de corrientey voltae de iodo se encuentra? Anaticamente halle el volajeco- rmespondiente a su estimacién de coriente, 2En cuinto ifere del valor esimado gréficamente? 3.48 Uiilice el procedimiento de anélisis iterative para determinar Ia comiente y el voltaje del diodo del cireuito de la figura 3.18 para Vop=1V, R= 1kQy tum diodo que tiene I= 10" Ay n=1. 3.49 Un diodo de 1 mA (es decir, que tiene up = 0.7 Va fp= 1 mA) se conecta en serie con un resistor de 200 2 a una fuente de 1.0 V. (@) Dé une estimacién aproximada de Ia coriente del diodo que espera. (©) Sil diodo esté caracterizado por n = 2, estime la coriente del diodo de manera més precise por medio de anlisisiterativo. 03.50 Suponiendo Ie disponibilidad de diodos para los que up= 0.7 Vaip=1mAy n= 1, diseie un circuito queutlice cuatro diodos conectados en serie, en serie con un resistor R conectado a una fuente de aliments- cin de 15 V-El volijeen los terminales de la cadena. de diodos debe ser de 3.0 V. 3.81. Enouente os parimetros de un modelo lineal por partes de un diodo para el que tp" 0.7 Vai [EI modelo debe ajustar exactamente a 1 mA y 10 mA, 3.52 3.83 3.84 3.88 D356 3.87 3.58 3.89 231 PROBLEMAS 213 Calcul el enor en mivols al predeci vp usando et modelo lineal por pares ap 05,5y 14mA. ‘Por medio de na copia de la curva del dodo presetada nla figura 320, sproxime la curva caractersica del iodo usando una recta que sea exactamente igual ala cura caracterisica del iodo tao @ 10 mA como a 1 ‘mA. ;Cuil en pendiente? Cull erp? :Cuiles Vox? Sobre una copia de las curvascractersias del iodo presentadas enla figura 3.20, ibuje narectadecarga correspondiente aun circuit extero formado poruna fuente de voliaje de 0.9 V y un resistor de 100 ohms. {Cuil son los valores de caida de diodoy corente de mallaque el lector estima por medio de: (@) las cuvascaracteistcas reales del dodo? (©) el modelo de dos segments que e muestra? El éiodo cuya curva caracterisica se muestra en la ‘igura3.23 debe ser operadoa10mA. ,Cudlseriauna seloccién probable de volajeadecuado para un mo- delo de caida constante de voltje? ‘Undiodo modeladoporlaapreximaciénde0.1 Vidécada pera enum cet serie con Ry V. Un distador, que consider utlizarun modelo devolajeconstante,n0 et Seguro de usar 0.7 0 0.5 V de Vp Para qué valor de 6 la diferencia de silo 192 Pasa V=2y R= 10, eudles dos coients resultarian pore uso de los dos valores de V5? ‘Una diseRadoratiene un nimerorelaivamente grande de diodos para los que una oriente de 20 mA crcula 40.7 Vy la aproximacin de 0.1 Vidécada es relasi- ‘vamente buena. Por medio de una fuente de corrente de 10 mA, lla desea crear voltae de referencia de 1.25 V,Sugiera una combinacién de diodos en seriey paralelo que hagen el trabajo tan bien como sea pos bie. {Cintas diodos se necesita? {Qué volaje sel ‘queen realidad se obtene? ‘Consiere el crcuito retificador de media onda dela figue3.3@)om R= 1kOy queel diodoenelascuvas ‘caractersicas ye! mdelo lina por partes que se mves- tea ena figura 320 (Vpp= 065 V,79=20 9). Analice leit recficadar por mao del modelo lineal por pares para el dod y encuente ase vale de aida ‘up como funcén dey, Trace la curva caraceisic de wansferencia vo conta y pra Sv 10V. Si vyes una sencide om aplind pico de 10 V, trace y manque larameats la forma de onda de vp Resueiva los problemas del ejemplo 3.2 usando el modelo de dodo de caida contante de volts Vp = 07V). Para lot creuitos que se muestan en la figura P33, usando el modelo de diodo de caida consante de volte (Vp 0.7 Vp, encuentre los voltaesy comien- tes indiados.232 214 DIODOS 3.60. Para los circuitos que se muestan en Ia figura P3.4, usando el modelo de diodo de caida constante de voltaje (¥p= 0.7 V), encuenire los voltajes y corrien- tes indicados. 3.61. Paraloscircuitos de la figura P3.9. usando el modelo de diodo de caida constame de voltsje (Vp = 0.7 V), ‘encuenire los valores de las corientes y voltajes mat= cade. 3.62 Paralos cicuitos dela figura 3.10, uiliceel teorema, ‘de Thévenin para simplifica os circuit y hallar los valores de as correntes y volijes marcades. Suponga {quelos diodes se pueden representar por el modelo de caida constante de voltgje (Yo = 0.7 V), 103.63. Repita el problema 3.11, representando al diodo por sumodelo de caida constante de votaje (¥p= 0.7 V) Qué tan diferente es el dseto resutante? 3.64. Repitael problema del ejemplo 3.1 suponiendo que el iodo tiene 10 veces el érea del dispositive cuyas ccurvas caracteristicas y modelo lineal por partes se ‘muestran en la figura 3.20. Represent el diodo por su ‘modelo lineal por partes (Up = 0.65 + 2ip), **9.68 Para el cireuito que se muestra en la figura P3.65, utlice el modelo de caida constante de voltaje (0.7 V) para eada diodo conductor y demuestre que a curva caractristica puede deseribirse por medio de para-465Su/S465V, vom us para yj2+465V, up=+4.65V; para yjS-4.65V, t=-4.65 V. +0 -10v Fig. P3.68 Seccién 3.5: El modelo a pequefia sefal y sway 3.66 Se dice que el modelo a pequeta sefal es vilid para variaciones de votje de unos 10 mv. A qué porcen- taje de cambio de coriente coresponde esto (consi dere seals tanto positivas como negatives) para @ new (b) n=2? 3.67 {Cuileslaresisencia incremental de 10 diodos de 1 mA ‘onectados en paraleloy limentados con una coente decd de 10 mA. Seam =2. (Un diodo de 1 mA es aquel (que tiene una caida de 0.7 V a una corriente de | mA.) "3.68 Considere el circuito regulador de voitaje qu se mues- tea en la figura 328. El valor de R se selecciona para obtener un voltae de salida Vo (en Jos terminales del iodo) de0.7 V. (8). Utlice el modelo a pequefa seal de diodo para demostrar que el cambio en voltae de salida correspondiente aun cambio de 1 Ven ¥* es Avo nvr av anvs-07 Ex cantidad se conoce como regulacion de Tinea y suele expresarse en mViV. (©) Generatice 1 expresién anterior para el caso de 1m diodos conectados en serie y el valor de R ajustado de modo que el voltajeen los temminales de cada diodo sea 0.7 V (y Vo=0.7m volts). (© Caleuleel valor de fa regulacion de linea para el caso *= 10 V (nominalmente),())m= 13 (i) m = 3.Utlice n= 2. 1D°3.68. Considereelcircuito regulador de voltaje que se muestra cena figura 3.28 con la condicin de que una coriemte de carga se toma del terminal de salida. Denote por Vo el volaje de salida (en los terminals det dodo). (@) Siel valor de ; es suficientemente pequeio de ‘modo que el cambio correspondiente, en el vol- taje de salida del regulador AVo, es suficiente- mente pequetio para justificar el uso del modelo a pequetia sefal de diodo, demuestre que Esta cantidad se conoce como regulacién de ‘carga y suele expresarse en V/A, (b): Sil valor de R se selecciona de modo tal que ‘cuando no haya carga el volta en los terminales del diodo es 0.7 Vy la cortiente del diodo es fo, ‘demuestre que la expresin derivada en (a) ©” convierteen ‘AYo nvr vt 7 T. To V=O7 +n;Selecione el minimo valor posible para fo que result en una regulacin de carga $5 mVimA. Suponga n = 2. Si ¥” es nominalmente 10 V. qué valor de R se requiere? Tambien especi fique el diodo necesari. (©) Generalce la expresiin deriva en (b) para el ‘aso de m diodosconectados en serie en jus- tada para obtener Vo = 0.7m vols sin carga 2.70. Enel cieato que se muesta en la Sigua P3.70, les una comiene de ed y v, es una seal senoidl. El caindensador C es muy grande: su funcién es acoplar 1a seal al diodo e imped que la coiente de cd peneve' en la fuente de sees. Utlice el modelo a pequeia sefial de diodo para demostar que la com- poneate de seal del voltae de salidaes nytt aR Si v= 10 mY, encuentee v, pata = 1 mA, 0.1 mA yA. Sea R= 1 ky n= 2. ;A qué valor de /se hace v, Ia mitad de v,? Nétese que este circito funciona como un atenuador de seiales con el factor de atenuscén controlado por el valor dela corriente Idecd. °3.71 Para el cicuito del figura P3.70, sustitya el diodo por su resistencia a pequeia seta y as trace el cir caito ara calcular Ia funcin de wansferencia Voi, suponiendo que v, s una senoide de pequeiaampli- tud (menos de 10 mV)y fresuencia u. Encueatre una ‘expresion para fs en términos de la comiete I de polarizacién, Si / debe variar entre 10 uA y 1 mA, encuentre el valor de C necesario para aseguar que faa #5 al sumo 100 Hz. :Cual es el intervalo de fies obtenido? Fig. P3.70 233 PROBLEMAS 215 Fig, P3.72 72 Enel cicuito que se muestra en la figura P3.72, Fes ‘una cortiente de ed y v; es una seal senoidal con ‘pequetia amplitud (menos de 10 mV)y una frecus de 100 kHz. Si se represent el diodo por su resisten- cia rg pequefia seal, ue es una funcién de J, ace el eireuito para determinar el oltajesenoidal de salida Voyy asi halle el desplazamiento de fase entre Vy V. Encuentre el valor de /que dari un desplazamiento de fase de ~45°, y encuentre el intervalo de desplaza- siento de fase alcanzado a medida que [varia de 0.1 10 veces este valor. Suponga n= 1 : D'3.73 Un regulador de volt, formado por dos diodos en serie alimentados con una fuente de corrienteconstan- te, se utiliza como reemplazo para una sola pila de carbény zinc de 1.5 Vde voltjenominal.Lacorriente de carga del regulador varia de 2 a7 mA. Se dispo- ne de fuentes de corrienteconstante de 5, 10y 15 mA. {ual escogeria el lector, y por qué? {Qué cambio en voltae de sala resultaria cuando vacia la coriente e carga en toda su escala? Suponga que los diodos 3.74 Un diodo Zener de 9.1 V,caracterizado a una er de 25 mA, tiene un voltaje de rodilla de 0.95 Vz a una cotriente de rodilla de 5% de zr. Considere dos mo- delos de bateria y resistor, y encuentre r,¥ Vip para cada: (@) uno cuya curva caracteristica pase por los puntos Way ler)y Pax ln (&) uno que pase por el punto (Vz, fr), pero con la mitad de ta resistencia Zener que interviene en(o).234 216 pIODOS 03.75 Un diseRador necesita un regulador en derivaciéa 4 mos 20 V. Dispone de dos clases de diodos Ze- ner: dispositives de 6.8 V con r, de 10.2.y disposit- vos de 5.1 V con r, de 30 2. Para las dos opciones posibles, encuentre la regulacién de carga. En este Cileulo desprecie el efecto de Ia resistencia R de regulador. 3.76 Un regulador en derivacin que uiliza un Zener con. ‘una resistencia incremental de 4 se.alimenta através de un resistor de 82 Q. Si ta fuente bruta,cambia en 1A, ceudl esl eambio correspondiente en el volije regulado de slida? 3.77 Un diodo Zener de 9.1 V exhibe su voltae nominal a una corriente de prueba de 28 mA. Asta corviente,la resistencia incremental se especifica como 5 Q. En- ‘cuentre Vz, del modelo Zener. Encuentre el voltaje ‘Zener a.una cortiente de 10 mAy a 100 mA. D'3.78 Dé dos dsetios de reguladores en derivacién utlizan- do el diodo Zener INS235, que se especifica como sigue: Vz 68 Vy r.= 5.0 para [z= 20 mA; a [p= 0.25 mA (mis cerca de la rodilla) r. = 750 0. Para ambos dsefos, el voliaje de alimentacién es nominal- ‘mente 9 V y varia en + 1 V. Para el primer diseno, suponga que la disponibilidad de corriente de alimen- taci6n no es problema y por lo tanto opere el diodo a 20 mA. Para el segundo disefo, suponga que la co- ‘iente dela alimentacién bruta es limitada y, por lo tanto, el usuario se ve forzado a operar el diode a 0.25 mA. Para fines de estos disefiosiniciales suponga ‘queno hay carga. Para cada defo, encuéntre el valor de Ry la regulacion de linea. D'3.79Unregulador en derivacin semejant al que se mues- ‘ua en la figura 3.33 utiliza un diodo Zener de 9.1. V para el que V2=9.1Valz=9 mA, conr.= 3026 Jag = 03 mA. El voltae disponible de la fuente de 15 V puede varar hasta en un 10%, Para est diodo, eual es el valor de Vz? Para una resistencia nominal {de carga R, de 1 Oy una corrente nominal Zener de 10 mA, qué corrente debe circular en la resistencia R de alimentacién? Para el valor nominal de volta de alimentacién, seleccione un valor para el resistor Ri, especificado a una cifrasignificatva, para obtener por lo menos esa corriente. {Cual voltaje nominal de salida resulta? Para un cambio de +10% en el voltaje 4e.alimentacién, jcuél variacién en voltaje de salida resulta? Si la corriente de carga se reduce en 50%, ‘qué aumento en Vo resulta? ;Cuil es el minimo valor e resistencia de carga que se puede tolerar mientras ‘se mantiene la regulacién cuando el voltae de alimen- tacién es bajo? {Cul es el posible voltae de salida que resulta? Calcule valores para la regulacién de linea y para la regulacién de carga para este cireuito, usando los resultados numéticos obtenidos en ee problema jut con las ecuaciones (3.60) y (3.61. D°3.80. Se requiere disedar un regulador Zener en derivation para obtener un volije egulado de unos 10 V. EL Zener de 10 Vy 1 W disponible, tipo IN4740, se ‘specifica que tiene una caida de 10 V a una coneate de prucba de 25 mA. A esta corrcate sur. es 7. La alimentacinbruta disponible iene un valor nominal {420 Vpero puede vaiarhastaen 225%. Esnecesaro ‘qu el regulador alimente una corrent de carga de 0 48 20mA. Disee para una corente minima Zener de Sma. (@) Encucatre Vy (©) Caloul el valor necesario de (@) Enouente la regulaciin de linea. {Cuil s el cambio en Vo expresado como porcentaj, c= rmespondiente al cambio de 225% en ¥? (@ Encuenrela regulacién de carg. {En qué por- ‘centaje cambia Vo de la condicién sin carga al de plena carga? (€) {Cudl es la maxima corriente que el Zener de su T.{\ PIRULO-4 239 Transistores de unién bipolar (BJT) 4A 42 43 44 45 46 47 48 49 Introduccion Estructura fisica y modos de operacion Operacién.del transistor npn en el modo activo Eltransistor pnp Simbolos y convenciones de circuitos Representacién gréfica de curvas caracteristicas de transistores Anilisis de circuitos transistorizados con cd El transistor como amplificador Modelos de circuito equivalente uefia sefial Anilisis grafico 4.40 Polarizacion del BJT para disefio de un discreto an 442 443 444 415 4.16 Configuraciones basicas de amplificadores de BJT de una etapa El transistor como interruptor; corte y saturacién Un modelo general a gran sefial para el BJT: el modelo Ebers-Moll (EM) El inversor légico basico de BJT Curvas caracteristicas estaticas completas, capacitancias internas y efectos de segundo orden El modelo SPICE de un BJT jemplos de simulacién Resumen Bibliogratia Problemas INTRODUCCION ‘Una vez estudiado el diodo de unién, que es el dispositive semiconductor de dos terminales mas elemental, ahora dirgimos nuestra atencién a dispositivos semiconducroes de tres terminals, que son ‘mucho mis tiles que los de dos terminales porque se pueden utilizar en una multiud de aplicaciones que varian desde una amplificacién de sefales hasta el diet de circuitos cigitales logicosy de memoria. Los principios fundamentales que intervienen aqui son el uso del voltaje entre dos terminales para 21240 222. TRANS|STORES DE UNION BIPOLAR (BJT) controlar la corrente que circula en el tercer terminal, En esta forma, un dispositivo de wes temminales se puede usar para realizar una fuente controlada, que, como aprendimos en el capitulo 1, s a base para €l disefio de amplficadores. También, en el extremo, la seial de control se puede emplear para hacer {que la comiente de! tercer terminal cambie de cero a un valor grande, permitiendo asi que el dispositive aetie como interruptor. Como aprendimos también en el capitulo 1, el interuptor es la base para la realizacin del inversor ldgico, el elemento bisico de circuitos digitales. Hay dos tipos importantes de dispositivos semiconductores de tres terminales: el transistor de unin bipolar (BJT), que es el tema de este capitulo, y el transistor de efecto de campo (FET), que veremos en el capitulo 5. Los dos tipos de transistores son igualmente importantes, y cada uno ofrece ventajas distintas y tiene campos de aplicacién tinicos en su género. El transistor bipolar consta de dos uniones pn construidas de manera especial y conectadas en serie, espalda con espalda. La corriente es conducida por electrones y huecos y de aqui se deriva su nombre de bipolar. EI BJT, que con frecuencia se cita simplemente como “el transistor” se utiliza ampliamente ‘en circuits discretos y en el diseBio de circutos integrados (IC) tanto anal6gicos como digitales, Las curvas caracteristicas del dispositivo estén tan bien entendidas que se pueden disefiar circuitos ‘transistorizados cuya operacién es sorprendentemente predecible y bastante insensible a varaciones de los parémetros del dispositivo. ‘Comenzaremos por presentar tna descriptién sencilla de la operacién fsica del transistor. Aunque sencilla eta descripci6n fisica proporciona un considerable conocimiento acerca de la operacién del transistor como elemento de un ciruito. Répidamente pasaremos de describir el flujo de coriente en términos de hiuecos y electrones a un estudio de las curvas caracteriticas terminales de un transistor. Los modelos de primer orden para la operacin de transistores en diferentes modos se desarollan y utlizan en el andlisis de circuits transstorizados. Uno de los principales objetivos de este capitulo ¢s formar en el lector un alto grado de familiardad con el transistor. Asi, al terminar el capitulo, el lector debe tener capacidad para ejecutar un répido andlisis de primer orden de cicuitos transstorizads, asi ‘como para diseiar amplificadores transstorizados de una sola etapa e inversores 6gicos sencillos. 4.41 ESTRUCTURA FISICA Y MODOS DE OPERACION Enla figura .1se muestra una estructura simplifcada de un BUT. Una estructura ransistorizada prctica se mostrar posteriormente (véase también el apéndice A, que se refiere ala tecnologia de fabricacién). ‘Como se muestra en la figura 4.1, el BIT consta de tres regiones semiconductoras: la regin del emisor (tipo n, la egin de a base (tipo p)y la regién del colector (tipo n). Este transistor recibe pop Regién de la base Unig entre aoe cmisory base, elector bse (EBD) ‘ (cB) Fig. 4.4. Estructura dimplificada de un transistor npn.241 Fig. 4:2. Estructura simplificada de un transistor pnp. el nombre de transistor npn. Otvo transistor, un doble del npn como se muestra en la figura 4.2, tiene un emisor tipo p, una base tipo n y un colector tipo p y, apropiadamente,recibe el nombre de transistor pnp. Se conecta un terminal a cada una de las tres regiones semiconductoras de un transistor; estos terminales se denominan emisor (E), base (B) y colector (C). Eltransistorestd formado por dos uniones pr, le unién entre emisory base (EBI) y la uniénentre colector y base (CBD), Segin sea la condicién de polarizacién (directa o inversa) de cada una de estas uniones se obtienen diferentes modos de operacién del BJT, como se muestra en la tabla 4.1. El modo activo es el que se utiliza si el transistor debe operar como amplificador. Las aplicaciones de conmutacién (por ejemplo en circuitos Iégicos) utilizan modos de corte y de saturacién. Tabla 4.1 MODOS DE OPERACION DE UN BUT Unién Unién Modo _emisor-base _colector-base Cone Iaversa Inversa Activa Directa Inversa Satur Directa Directa 4.2 OPERACION DEL TRANSISTOR npn EN EL MODO ACTIVO Comencemos por considerar la operacién fisica del transistor en el modo activo." Esta sinuacién se ilustra en la figura 4.3 para el transistor npn. Se utilizan dos fuentes externas de voltae (que se ilustran como baterias) para crear las condiciones necesarias de polarizacién para operacién en ‘modo activo. El voltaje Vee ocasiona que la base tipo p se encuentre a un potencial més alto que el éemisor tipo n, con lo cual se polariza directamente la unién entre emisor y base. El volije Ves entre " Elmaterial desta seccin pone que elector conoce bin laoperacién dela unin pnen condiciones de polarzacién dzecta seecién 3.3),242 224 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) Cres Mae + = a + Fig. 4.3 Circulacin de corriente en un transistor npn polarizado para operar en el modo activo. (No se ‘muestran componentes de coriente inversa debidos al desplazamniento de portadores minortarios generados ‘térmicamente.) colector y base ocasiona que el colector tipo n se encuentre mas alto en potencial que la base tipo », con lo cual se polariza inversamente la unin entre colector y base. Circulacién de corriente Enla siguiente descripcién de circulacién de corrientes6lo se consideran componentes de corriente de difusién. Las corrientes de desplazamiento debidas a portadores minoritarios generados térmi- ccamente suelen ser muy pequefias y se pueden despreciar. Un poco mds adelante tendremos mas que decir acerca de estos componentes, La polarizacién directa en la unién entre emisory base ocasionaré que circule corriente através 4e la unién. Esta corrente estard formada por dos componentes: electrones iniyectados del emisor ala base y de huecos inyectados de la base al emisor. Como veremos en breve, es altamente deseable ‘ener el primer componente (electrones de emisor a base) a un nivel mucho més alto que el segundo ‘componente (huecos de base a emisor). Esto se puede lograr al fabricar el dispositivo eon un emisor ‘fuertemente contaminado y una base ligeramente contaminada; esto es, el dispositivo esta disefiado para tener una alta densidad de electrones en el emisor y una baja densidad de hsecos en la base. La corriente que circula por la unién entre emisor y base constiuiré la corriente de emisor fe como se indica en la figura 4.3. La direccién de ic es “saliendo del” emisor, que es en la direccién. de la corriente de huccos y opucsta ala direccién de la corrente de electrones, con la corriente del emisor ig siendo igual ala suma de estos dos componentes. Sin embargo, como el componente de electrones ¢s mucho mayor que el de huecos, la corriente de emisor estaré dominada por el componente de electrones. : CConsideremos ahora los electrones inyectados del emisor a la base. Estos electrones serén portadores minoritarios en laregién tipo p. Debido a que la base suele ser muy delgada, en estado estable el exceso de concentracién de portedores minortarios (electrones) en la base tendr4 un perfil casi de lina recta como o indica a linea recta sida de la figura 4.4, La concentracién de electrones243, fap sno 4.2. OPERACION DEL TRANSISTOR npn EN ELMODO ACTIVO 225 Smisor Regn de agotumiewto. Base Resign de gotamienlo Colector : ()enlauninde o enlaunién de @ g emit y ase calector y base : 7 g Z| : | t aT em Distaca @) Pe recombinscién) Ancho efectivo detase W Fig. 4.4 Perfiles de concentraciones de portadores minoritarios en la base y en el emisor de un transistor rnph que opera.en el modo activo; Upe> OY ues20. seré maxima [denotada por 7,(0)} en el lado del emisor y minima (cero) en el lado del colector? ‘Como’en e! caso de cualquier unién pn polarizada directamente (seccién 3.3), la coricentracién n,(0) seré proporcional ae" 5 (0) = noe?" 1) donde nyo €s el valor de equilibrio térmico de la concentracién de portadores minoritarios (electro- nes) en la regién de la base, vac €s el voltae de polarizacin directa entre emisor y base y Ves el voltaje térmico, que es igual a aproximadamente 25 mV a temperatura ambiente. La razén de la cconcenttacién cero en el lado del colector de la base es que el voltaje positivo de colectorticy ‘ocasionia que los electrones en ese extrenmo sean barridos a través de la regidn de agotamiento CBJ. EI perfil de variacién progresiva de la concentracién de portadores minoritaios (figura 4.4) hhace que los electrones inyectados en la base se difundan por la regién de la base hacia el colector. Esta corriente electrénica de difusién J, es directamente proporcional a'la pendiente del perfil de concentracién de linea recta dle) eqD, (42) (8) * Gz isyibucin de poadore micros en bas sua de as condiciones entra impuestas por as ot ‘nine. No es una astribcin que cig expnenialment, ou estar si a regin dea bae fer ifitamente ‘era. Mas bien, fa ba death ocasions qua srbucin deaigalinsimene Ademds, I polarzacion verse dela ‘nin ene alec y base eesiona qu a conoentacon de eleones en el no et clectr dea base se xo.244 226 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) donde Ares el rea de seccién transversal de la unién entre base y emisor, q es la magnitud de la carga electronica, D, es la difusividad electrénica en la base y Wes el ancho efectivo de la base. (Observemos que la pendiente negativa de la concentracién de portadores minortarios resulta en. ‘una corriente negativa Iya través de a base, es decir, circula de derecha aizquierda (ema direccion negativa de 2). ‘Algunos de los electrones que se difuunden por la regién de la base se combinan con hnuecos, que son los portadores mayoritarios en la base; pero como la base suele ser muy delgada, el porcentaje de electrones “perdidos” par este proceso de recombinacién sera muy pequefo. Sin ‘embargo, la recombinacién en laregién de a base ocasiona que el perfil de concentracion de exceso de portadores minoritarios se desvie de la recta y tome la forma.ligeramente céncava indicada por 1a linea interrumpida de la figura 4.4. La pendiente del perfil de concentracién en la unién entre cemisor y base (EBJ) es ligeramente més alta que la de la unién entre colector y base (CBI), siendo la diferencia el pequetio mimero de electrones perdidos en la regin de la base por recombinacién. La corriente de colector De lo anterior vemos que la mayor parte de los electrones de difusién legardn a la frontera de la regién de agotamiento entre colector y base. Debido a que el colector es mas positivo que la base (€n uc volts), estos electrones exitosos serdn barridos de la regién de agotamiento de la unién entre colector y base (CB) y pasan al colector. Asf serén “recolectados” para consttuir la corriente de colector ic. Por convencién, la direccién de ic serd opuesta a la del flujo de electrones; por lo tanto, i circula y entra en el terminal del colector. De esta forma ic= J», pero como tomaremos la direccién positiva de ic como la que entra en el terminal del colector, podemos cancelar el signo negativo de la ecuacién (4.2). Al hacer esto y sustituir por m(0) de la ecuacién (4.1), podemos cexpresar la corriente de colector ic como ic hee” @3) onde Ia corriente de saturacin J, esti dada por Je= AagDingd Al sustituir nyo = miN,, donde n.es la densidad de portadores intrinsecos y N, es la concentracién 4e contaminacién de la base, podemos expresar Js como = Asgdot BN (4.4) ‘Una observacién importante que se debe hacer aqui es que la magnitud de i es independiente de Uco, Esto es, mientras el colector sea positivo con respecto a la base, los electrones que llegan al lado del colector de laregién de la base serén barridos hacia el colectory seregistran como comriente de colector. La comriente de saturacién Js es inversamente proporcional al ancho W de la base y es directamente proporcional al érea de la unién entre emisor y base (EBJ). Porlo general, /resté ent 10" y 10" A (segin el tamatio del dispositivo). Debido a que /s€s proporcional a 72, depende en san medida de la temperatura, aproximadamente duplicdndose por cada S*C de elevacién de temperatura. [Para la dependencia de de la temperatura, consulte la ecuacién (3.6)] Como /ses directamente proporcional al dea de la unién (es decir, al tamafio del dispositvo) también se conocera como el factor de escala de corriente. Dos transistores que sean idénticos,245, 4.2 OPERACION DEL TRANSISTOR npn EN ELMODO ACTIVO 227 ‘excepto que uno tenga, por ejemplo, un érea de EBJ del doble de la del otro, tendré corrientes de saturacién con esa misma proporcién (es decir, 2). Por lo tanto, para el mismo valor de vse el dispositive mas grande tendré una corriente de colector del doble de la del menor. Este concepto se utiliza con frecuencia en el diseiio de circuitos integrados. La corriente de base La corriente de base is consta de dos componentes. El primer componente ig se debe a los huecos inyectados desde la regién de la base en la'regién del emisor. Este componente de huecos es ‘proporcional a e™/", AngD yh oar, Te donde D, ¢s la dfusividad de huecos en el emisor, L, es la longitud de difusién de huecos en el cemisor, y No es la concentracién de contaminacién del emisor. El segundo componente de la corriente de base, in, se debe a huecos que tienen que ser proporcionados por el circuito exterior para sustituir los huecos perdidos de la base por el proceso de recombinacién. ‘Sepuede hallaruna expresién para in al observar que siel tiempo promedio paraque un electron ‘minoritaro se recombine con un hueco mayoritaro en la base se denote por 7, (denominada vida media de portador minoritario), entonces en 7, segundos la carga de portadores minoritarios de labase, 0, se recombina con huecos. Por supuesto que, en estado estable, Q, se repéne por inyeccién de electrones del emisor. Para reponerlos,huecos, la corriente ig, debe abastecer la base con una carga positiva igual a Q, cada 7 segundos, in 45) ine a La carga de portadores minoritarios almacenada en la regién de la base, O,, se puede hallar por consulta de la figura 4.4. Especificamente, Q, esta representada por el rea del triéngulo bajo la distribucién de linea recta en la base, y 1 4:9 X5 2,(0) ‘Al sustitur por (0) de Ia ecuacién (4.1) y sustiuir nj por rN, resulta 0-4 eu «n que se puede sustinuir en la ecuacion (4.6) para obtener ig = OT goa, 48) 2aN, Al combinar las ecuaciones (4.5)y (4.8) y utilizar la (4.4) para la corriente total de base i, obtenemos. Ia expresién a (MW) we rm toon BR ed I 9)246 228 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) ‘Al comparar las ecuaciones (4.3) y (4.8), vemos que ip se puede expresar como una fraccién de ic El ie (4.10) w-(6) a donde f est dada por . de donde vemos que (Js una constante para el transistor en particular. Para modemos transistores npn, esté entre 100 y 200, pero puede ser de haste 1000 para dispositivos especiales. Por razones que més adelante quedan claras, la constante Arecibe el nombre de ganancia de corriente de emisor comin, ‘La ecuacién (4.12) indica que el valor de ( esta fuertemente influido por dos factores: el ancho W de la regién de la base y las relativas contaminaciones de la regién de la base y la regién del cemisor (N/Np).Para obtener una falta (que es altamente deséable porque representa un pardimetro de ganancia) Ia base debe ser delgada (WV pequefia) y ligeramente contaminada y el emisor ‘eee conn rei | Finke obras landing one una situacién idealizada, donde f es una constante para un transistor dado. La corriente de emisor ‘Como ta corriente que entra a un transistor debe salir del mismo, se puede ver de la figura 4.3 que Ja corriemte de emisor i es igual ala suma de le corrente de colector iy la corriente de base is, igtictis (4.13). Con las ecuaciones (4.10) y (4.13) resulta, ; oto wee Ba ye ass Altemativamente, podemos expresar la ecuaciGn (4.14) en la forma ie ais (4.16)207 42. OPERACION DEL TRANSISTOR npn ENELMODO ACTIVO. 229 donde la constante a esti relacionada con 6 por ash Bei 17) Entonces, la corriente de emisor en la ecuacién (4.15) se puede escribir como ie=(islayer™" (4.18) Finalmente, podemos usar la ecuacién (4.17) para expresar (J en términos de a; esto es, (4.19) Dela ecuacién (4.17) se puede ver que a es una constante (para el transistor en particular) que es menor a la unidad, pero muy cercana a ésta. Por ejemplo, i = 100, entonces a = 0.99. La ‘ecuacién (4.19) deja ver un hecho importante: pequefios cambios en a corresponden a cambios muy ‘grandes en 9. Esta observacién matematica se manifiesta fisicamente, con el resultado de que transistores del mismo tipo pueden tener valores de 8 muy diferentes. Porrazones que veremos mas adelante, a se llama ganancia de corriente de base comin. Recapitulacién iemos presentado un modelo de primer orden para a operacién del transistor pn en elmodoactivo. ‘Bésicamente, el voltae Une de polarizacién directa ocasiona que una corriente ic exponencialmente relacionada circule en el terminal del colector. La corriente de colector ices independiente del valor del Voltaje del colector mientras la nién entre colectory base permanezca polarizada inversamente, esto 6, vce 20. Asi, enel modo activo, el terminal del colector se comporta como una fuente ideal de comiente constante en donde el valor de la corrienteesté determinado por vse. La corriente de base ig es un factor 1/8 de la corriente de colector,y la corriente de emisor es igual ala suma de las corrientes de colector y de base. Como ig €s mucho menor que ic (esto €s, >> 1), ie = ic. Mas precisamente la corriente de colector es una fraccién a de la coriente de emisor, con a menor que Ia nidad, pero cercana a ésta. Modelos de circuito equivalente E] modelo de primer orden de la operacién de un transistor descrito antes se puede representar por odio del cireuto equivalente que se muestra en la figura 4.5(a). Ahi, el diodo De tiene un factor de escala de cortiente igual a (Ia) y asi proporciona una corriente ig relacionada con ve de acuerdo con la ecuatién (4.18). La corrente dela fuente controlada, que es igual ala corriente de co- lector, es controlada por ve sexi larelacién exponencial indicada, que es otra forma de expresion de la ecuacién (4.3). Este modelo es en esencia una fuente de corriente no lineal controlada por voliaje. Se puede convert al modelo de fuente de corriente controlada por corriente, la cual se ilustra en la figura 4.5(b) al expresar Ia corriente de la fuente controlada como aig. Nétese que este modelo es también no lineal debido a la relacién exponencial entre la corrient jg, que pasa por el iodo Dz, y el voltaje Use. De este modelo observamos que si el transistor se utiliza como red de dos puertos con el puerto de entrada entre E y B, y el puerto de salida entre C y B (es decir, con B como terminal comin) entonces la ganancia de corriente observada es igual a a. Asi, @recibe el nombre de ganancia de corriente en base comin.248 230 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) me E » i oc 7 Dy +] Zac

> Rc, la reduccién en ganancia seré insignificante y podemos pasar por alto el efecto der. En general, en esta configuracién r, se puede espreciar si¢s mayor que 10 Re. Cuando el emisor del transistor no esté a tiera, inclu r, en el modelo puede complicar el andlisis. Haremos comentarios respecto a r.y su inclusién o exclusién en frecuentes ocasiones en todo este libro. Por supuesto que si realizamos un andlisis preciso de un disefo casi final con ayuda de andlisis de computadora, entonces r, se puede incluirficilmente (véase la seccién 4.16). Finalmente, debe hacerse notar que cualquiera de los modelos T de la figura 4.27 se puede ‘aumentar para considerar el efecto Early si se incluye r, entre colector y emisor. Resumen de pardmetros de modelo El anlisis y disefio de circuitos amplificadores con BIT se facilita en gran medida si el diseiador tiene a su alcance las elaciones entre los diversos parimetros de modelo a pequefia sefal. Para fil Bis E E ® ) Fig. 4.33 Modelo hibrido 1 a pequeia seal, en dos secciones, con la resistencia r,incluida. Notese que % = 7h donde ses el voltaje Early Ices la cortiente de polarizacion de ed del colector. ‘Observe que v, se ha cambiado por v,, de conformidad con la literatura289 4.8 MODELOS DE CIRCUITO EQUIVALENTE APEQUENASENAL 271 referencia, éstas se resumen en la tabla 4.3. Con el tiempo, sin embargo, esperamos que el lector tenga capacidad para recordar estas férmulas de memoria. Tabla 4.3 RELACIONES ENTRE LOS PARAMETROS DEL MODELO ‘APEQUENA SENAL DE UN BJT Pardmetros de modelo en términos de corrientes de polarizacién de cd: eno neGri gtded Relaciones entre ay & Ejercicio 4.26 El transistor de la figura E4.24 esté polarizado con una fuente de corriente constante J 1 mA, una B= 100 y V, = 100 V. (a) Encuentre los voltajes de od en la base, emisory colector.(b) Halle gm, r=y ro-(C) Si el terminal Z esté +10V Fig, £4.24290 "2. TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) > conectado a tier, X a una fuente de sefal vy, con una resistencia de fuente Ry =2 Oy Yauna resistencia de carga de © 8 KO. utlce el modelo hibrido x de la Ggura 4.33(e), par dibujar el cucuito equivalent a pequeta sefal del amplifcador. (Nétese que la fuente de coniente debe ser susttuida con un crcuito abi.) Calcule Ia ganancia de voliaje ou, Sir se desprecia, cules el eror al estimar la mapniud de gananca? Not: sc uiliza una capscitancia infinita pare indicar que Ia capcitancia es suficientemente grande y acta como cortociruito a todas las frecuencias de interes de la sefil. Con todo. el condensador ain bloquea aed Resp. (2)-0.1 V.-08 V.~2V: (>) 40 mAV.2.5 KA, 100KO; (0)~77 VIV,43.9% 4.9 ANALISIS GRAFICO Aun cuando los métodos gréficos formales son de poco valor practico en el andlisisy disefio de la ‘mayor parte de circuitos transistorizados, es ilustrativo describir gréficamente la operacién de un sencillo circuito amplificador a transistores. Considere el cicuito de la figura 4.34, que ya hemos analizado en el ejemplo 4.9. Se puede realizar un aniisi gréfico de la operacién de este circuito ‘como sigue: primero, tenemos que determinar el punto de polarizacion decd. Hacia este fin hacemos w= Oy empleamos la técnica ilustrada en la figura 4.35 para determinar a corriente de cd de base Js (ya hemos empleado esta técnica en el andlisis de circuitos de diodos en el capitulo 3). A. . continuacién nos movemos a las curvas caracteristicas i vce que se muestran en la figura 4.36. ‘Observe que cada una de estas curvas caracteristicas se obtiene al ajustar la corriente de base i a un valor constante, haciendo variar vce y midiendo la ic correspondiente, Esta familia de curvas caracteristicas ic ~ Uce debe hacerse contrastar con la que se muestra en la figura 4.15; esta ttima se obtuvo al hacer uae constante Una vez determinada la corriente de polarizacin de base /s,sabemos que el punto de operacién estard en la curva ic- Ue correspondiente a este valor de corriente de base (Ia curva para ig = J) Dénde se encuentre en la curva estard determinada por el circuito de colector; especificamente, el Circuito de colector impone Ia restriccién siguiente: vee= Veo ieRe que se puede escribir como ae bene Re (que representa una relacién lineal entre vice i. Esta relacién puede estar representada por una recta, ‘como se muestra en la figura 4.36. Como Re puede ser considerada como la carga del amplificador, se Fig. 4.34 Circuito cuya opera- cién debe ser analizada grifca- mente291 49 ANALISIS GRAFICO 273 Py Lea de carga Pendiene = -2 Fig. 4.35 Construccién grifica para Ia determinacién de Ia co- riente deed de base del circuto dela figura 434, Vee Vea. toe sabe que la recta de pendiente -1/Re es la recta de carga’ El punto de polarizacién de ed o punto de reposo Q estard en la interseccion de la recta de carga y la curva ic ce correspondiente a la corriente dé base /. Las coordenadas del punto Q dan la corrente de cd del colector fey el voltae Ver de cd de colector a emisor. Observe que para la operacién del amplificador, Q debe estar en la region activa y, ademés, debe estar localizada de modo que tome en cuenta una oscilacién razonable de seal ‘a medida que se aplicela sefial de entrada v. En breve aclararemos esto. ‘La situacién cuando se aplica vse ilustra en la figura 4.37. Considere primero la figura 4.37(@), que muestra una seal», con una onda triangular que se esté superponiendo sobre el voltaje Van de ced. Correspondiente a cada valor instantineo de Vee + v((), podemos dibujar una recta con pendiente =1/Ry. Esta “linea de carga instanténea” corta la Curva jg ~ Vas en un punto cuyas coordenadas dan 10s valores totalesinstanténeos de ie y vac correspondientes al valor particular de Vag+ u(t). Como Vee Yee Yee Fig. 4.96 Construccién grifica para determina la comrente [cde ed de colectoryel voltae Vog de colector 8 emisor del circuito de la figura 4.34 "er emino linea de carga ambin se uiliza para erecta de a igura 435.292 274 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) ‘oc renay ‘supa) po 2p #4 afeyon fa [e428 2p ayuauodwioa eum auodtadns 2s opuens "a X21 a feyas ap soruadoduio Se 9p HOURS UOIDEUIMUEG poy By @ duo, odwoy,—- © oduay, oda, odway, seaupausisut¥8s89 2p Seo293 49 ANALISISGRAFICO 275 «ejemplo, la figura 4.37(a) muestra las rectas correspondientes a v,0, ven su pico positivo y ven su pico negativo. Ahora, sila amplitud de v, es suficientemente pequefia de modo que el punto de ‘operacién instanténeo esté confinado a un segmento casi lineal de la curva iy ~ vas, entonces las sefalesresultantes i ty Serén de forma triangular, como se indica en la figura. Esta, por supuesto, ¢s la aproximacién a pequetia sefial. En resumen, la construccién grafica de la figura 4.37(a) se puede usar para determinar el valor total instanténeo de i, correspondiente a cada valor de v. ‘A continuacién, pasamos a las curvas caracteristcas ic—Uce de la figura 437(b). El punto de ‘operacién se movers a lo largo de la recta de carga de pendiente ~1/Re a medida que ig pasa por los valores instanténeos determinados dela figura 4.37(a). Por ejemplo, cuando use encuentra en el pico positvo, is= im (dela figura 4.372), y el punto de operacién instanténeo del plano ic~ vce estaré en la {nterseocién de a recta de cargay la curva correspondiente ia in. De esta forma, podemos determinar Jas ondas de icy vce y por ello de las componentes de seal iy Ux, como se indica ena figura 4.37(b). Efectos de la localizacién del punto de polari permisible de sefial cién en la oscilacion La ubicacin del punto de cd de polarizacién del plano ic~ tig’afecta de manera significative la oscilacién maxima permisible de sefial en el colector. Consulte la figura 4.37(b) y observe que los picos positives de v,, no pueden pasar de Vcc, ya que de otra forma el transistor entra en la regién de corte. Analogamente, los picosnegativos dev, no pueden extenderse debajo de unas pocas décimas. de volt, porque de lo contrario el transistor entraen laregién de saturacién. La ubicacién del punto de polarizacién de la figura 4.37(b) toma en cuenta una oscilacién aproximadamente igual en cada direccién. ‘A continuacién considere la figura 4.38. Aqui mostramos lineas de carga correspondientes @ dos valores de Rc. La linea A corresponde a un valor bajo de Rc y resulta en el punto de operacién ‘Oc donde el valor de Vee es muy cercano a Vcc. Asi, la oscilacién positiva de v,,estaré fuertemente limitada; en esta situacién, se dice que no hay suficiente “espacio ariba”. Por oto lado, la recta B, que corresponde a una Re grande, resulta en el punto de polarizacién Qs cuyo Vce es demasiado Fig. 4.38 Efecto de la ubicacién el punto de polarizacién en una ‘oscilacién permisible de sefal: 1a recta de carga A resulta en un punto de polarizacién Q, con un corres- ppondiente Vg que esti demasiado cerca de Vc y asi limita la oscila- cién postiva de tice, En el otro ex- ‘remo, resulta la recta de carga B en tun punto de operacién demasiado cercano a la regién de saturacién, limitando asi la oscilacién negativa de vee Recta de carga B294 276 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BT) bajo. Asi, para la recta B, aun cuando hay amplio espacio para la excursién positiva de vs, (hay bastante espacio arriba), 1a altemancia negativa de la sefial esté fuertemente limitada por la proximidad de la region de saruracién (no hay suficiente “espacio abajo"). Es obvio que se requiere cde un término medio entre estas dos situaciones. » Ejercicios {4.25 en éeminos dens parknenos del modelo de cru equvalete brig x, cl esa pendiae dea curva | (ene del pmo de peltfaalen? Encteene una expres per a pendene © tence Ge a cores de IL poutzaion dec L ' Resp. Vrs: lo¥r 4.26 Considere el cieuto de la Sgura 434 con Vag~ 1-7 V, Re = 100 KO, Voc = 10 Vy Re = $ KO La beta del transistor es 6= 100, La seal de entrada es tna onda triangular de 0.4 V pico a pico, Vea la figura 4.37 y tlie la _geometria dela construccién gifica que se muestra ahi para responde las siguientes preguntas: a) Si Vge= 0.7 V, encuente Lb) Sisesupone operaciénen un segment derectade la curva ig ~ vse encuene ainversadesupendente (uilic el resultado dl ejrccio 4.25).(c) Encuenre valores aproximados para la amplitud pic apo dey de Un (@) Suponiendo qu ls cuvasfc~uce Son horizontales (es deci, se hace caso omiso del efecto Early), encuente Jey Yes. (@)Eneuentre la amplitad pico a pio de iy de vn (f) Cudle5 a ganancia de volaje de ese amplificador? Resp. (2) 10 uA; (b)2S5KQ; (6)4uA,10mV; (d)1mA.SV; (€)04mA,2V; (D-5VIV 4.10 POLARIZACION DEL BJT PARA DISENO DE UN CIRCUITO DISCRETO El problema de polarizacién es establecer una corriente de ed constante en el emisor del BJT. Esta corriente tiene que ser calculable, predecible ¢ insensible a variaciones en temperatura y a las grandes variaciones del valor de encontradas entre transistores del mismo tipo. Otra consideracién importante en el diseifo de polarizacién es ubicar el punto de polarizacién de cd del plano ic vee para considerar maxima alterancia de salida de sefial (véase el estudio al final dela seccién 4.9). En esta seccién trataremos diversos métodos para resolver el problema de polarizacin en circuitos transistorizados disefiados con dispositivos discretos. Los métodos de polarizacién para disefio de Circuitos integrados se presentan en el capitulo 6. Distribucién de polarizacién usando una sola fuente de alimentacin En la figura 4.39(a) se muestra la dstribucin que ms se utiliza para polarizar un amplificador de transistors si slo se dispone de una fuente de alimentacién. La téenica consiste en alimentar la ‘base del transistor con una parte de voltaje Vee de alimentacién por medio del divisor de voltaje Ry, Ry. Ademés, un resistor Re esth conectado al emisor. En la figura 4.39(0) se muestra el mismo circuto con la red del divisor de voltae sustituida por su equivalente de Thévenin, asi) (4.52)295 4.10 POLARIZAGION DEL BJT PARA DISENO DE UN CIRCUITO DISGRETO 277 Yee Fig. 4.39 Polarizacin clisica de [BIT que usen una sola fuente de ali ‘mentacion: (a) circuito; (b)eireuito con el divisor de votaje, que alimen- tala base, sustituido con su equivar lente de Thévenin. fy ‘ @ Cy La corriente J_ se puede determinar al escribir la ecuacién de malla de Kirchhoff para la malla formada por la base, el emisor y tierra, y sustituyendo Is = Je/(3+ 1) oo Yon= Vas Re+ RAG+1) Para hacer que /e sea insensible a variaciones en temperatura y en 9, diseiamos el circuito pra satisfacer las siguientes dos restricciones: Ie (4.53) Vea > Vee (4.54) Re> oa : (455) La condicién (4.54) asegura que todas las variaciones en Vag (alrededor de 0.7 V) serdn amortigua- das por el Vag mucho mayor. Hay un limite, sin embargo, sobre qué tan grande puede ser Va: para un valor dado del voltaje de alimentacién Vcc, cuanto més alto sea el valor que utilicemos para Vae ‘menor serd la suma de voltajes en los terminales de Rc y la unién entre colector y base (Va). Por ‘otro lado, deseamos que el voltae en los terminales de Re sea grande para obtener alta ganancia de voltaiey gran alternancia de seial (antes que el transistor entre en corte). También deseamos que Veo (0 Vce) sea grande para obtener una gran alternancia de sefal (antes que el transistor entre en saturacién). Entonces, como es el caso de cualquier problema de diseflo, tenemos un conjunto de requisitos conflictivos, y la solucién debe ser un término medio. Como regla préctica se disefia para Va alrededor de ! de Vcc, Vcs (0 Vce) alrededor de ! de Vcc, ZeRe alrededor de ! de Vec. La condicién (4.55) hace que Je Sea insensible a variaciones en G y podria satistacerse si se selecciona una Ry pequefia. Esto, a su vez, se logra si se usan valores bajos para Ry R, peto, valores iis bajos de Ry y Rp, sin embargo, significan un més alto consumo de corriente de la fuente de alimentacién y normalmente resultan en un descenso de la resistencia de entrada del amplificador (Gila sefial de entrada se acopla a a base), que es la solucién intermedia que interviene en esta parte del problema de disefio. Debe observarse que la condicién (4.55) quiere decir que deseamos hacer que el voltaje de la base sea independiente del valor de By determinado s6lo por el divisor de volta. Esto, obviamente, se satisface sila corriente del divisor se hace mucho mayor que la corriente de base. Tipicamente, se selecciona Ry R, tales que su corriente se encuentre entre Jey 0.1. Se obtiene mas conocimiento acerca del mecanismo por medio del que 1a distribucién de polarizacién dela figura 4.39(a) establiza la corriente de cd de emisor (y porlo tanto la de colector), si se considera la accién de retroalimentacién dada por Re. Considere que por alguna razén aumenta la corriente de emisor, La caida de voltaje en Rey pot lo tanto en Vs aumentard de manera296 278 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) correspondiente. Ahora, si el voltaje de base se determina principalmente por el divisor de voltaje Ry Re, Que es el caso si Rees pequefia, permaneceré constante y el aumento en Vg resultard en un correspondiente decremento en Var. Esto, a su vez, reduce la corriente de colector (y emisor), cambio ‘puesto al originalmente supuesto. Por lo tanto, Re produce una reiroalimentacién negativa que estabiliza la corriente de polarizacién. En el capitulo 8 estudiaremos formalmente la retroalimen- tacién negativa. EJEMPLO 4.12 Deseamos disefiar la red de polarizacién del amplificador de ta figura 4.39 para establecer una corriente /e= 1 mA usando una fuente de alimentacién Voc="+12 V. Seguiremos la regla préctica mencionada antes y asignaremos un tercio del voltaje de alimentacién a la cafda de voltaje en los terminales de R y otro tercio a la caida de voltaje en Re, dejando un tercio para posible altermancia de sefial en el colector. Entonces, Vy=+4V Ve=4—Vae=3.3V xy Rese determina con Ve Rema 33kO Delandlisis anterior seleccionamos una corriente de divisor de voltaje de 0.1/e. Si despreciamos la corriente de base, encontramos 2 Rt Rem i = 120k Roy e RR "ena Por lo tanto, R= 40 kQy R= 80 kQ. En este punto es recomendable hallar una estimacién més precisa para Js, tomando en cuenta, Ja comriente de base diferente de cero. Con la ecuacién (4.53) y suponiendo que (se especifique en 100, obtenemos Podriamos, por supuesto, haber obtenido un valor mucho més cercano al deseado 1 mA al hacer e] disefio con ecuaciones exactas, pero como nuestro trabajo esté basado en modelos de primer orden, no tiene sentido esforzarse en precisién a mas de 5 0 10%. Debe observarse que si deseamos tomar una corriente mas elevada de la fuente de alimentacién yy si estamos preparados para aceptar una menor resistencia de entrada para el amplificador, entonces297 4.10 POLARIZACION DEL BJT PARA DISENO DE UN CIRCUITO DISCRETO 279 podriamos usar una corriente de divisor de voltaje igual a Je, por ejemplo, resultando en Ry = 8kQy R,=4 KQ. Nos referiremos como disefio 2 al circuito que utiliza estos ultimos valores, para el que el valor real de Je seré 3 te" 53+ 0026 El valor de Re se puede determinar con Entonces, para el diseflo 1, tenemos = 12-8 a 099x095 R= = 434k ‘mientras que para el disefio 2 tenemos Re 04 ko 099%1 Para mayor sencillez seleccionamos Rc= 4 kO para ambos disefios. Ejerci 4.27 Paracel disefo 1 del ejemplo 4.12, calcule el intervalo experado de Je si el wansistor que se utlie tiene una de entre $0 y 150. Exprese el intervalo de Je como porcentaje del valor nominal (/z = 1 mA) obtenido para = =. Repita para el disefio 2 Resp. Parael dise 1:0.8620.95 mA, un intervalo de 9%; parael disefio2: 0.984 20.995 mA, un intervalo de 1.1%. Polarizacién con dos fuentes de alimentacion Es posible obtener una dstribucién un poco més sencilla de polarizacin si se dispone de dos fuentes de alimentacién, como se muestra en la figura 4.40. Al escribir una ecuacién de malla para la ‘marcada como L resulta Ves Vise Re+ RoG+1) 456) [ee Esta ecuacién es idéntica ala (4.53) excepto que Vee sustituye a Vag. Entonces, las dos restricciones de las ecuaciones (4.54) y (4.55) también aplican aqui. Nétese que si el transistor ha de usarse con Ja base a tierra (es decir, en la configuracién de base comin estudiada en el ejemplo 4.11 y mas completamente en la siguiente seccién), entonces Ra se puede eliminar por completo. Por otra parte, sila sefal de entrada ha de estar acoplada a la base, entonces se hace necesaria Re.298 280 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) Mec Fig. 4.40 Polarizacién de un BIT aque usados Fuentes de alimentacién, EL resisor Ry es necesario slo sila sefal ha de acoplase a la base. De otra forma, la base se puede conectar directamente a tierra, con Jo que re- sulta una independencia cas total de la comiente de polarizacion con res- peetoal valor de Ejercicio 4,28 EI ameglo de polarizacion de la figura 4.40 se va a utilizar para un amplificador de base comin. Disefie et circuito para establecer una corriente de emisor de cd de 1 mA y encuentre le ganancia de voitaje maxima posible con- siderando una méxima oscilacién de sefial en el colector de +2 V. Utlice fuentes de alimentaci6n de +10 V y de ~$ V. Resp. Rp=0; Re=4.3 kO; R= 8k Arreglo alternativo de polarizacion En la figura 4.41(a) se ilustra una distribucién alternativa de polarizacién, sencilla pero eficiente, apropiada para amplificadores de emisor comin. El andlisis de circuito se muestra en la figura 4.41(), del que podemos escribir Veo Re @ o 41 (a) Distribucién altemativa sencilla de polarizacién spropiada para amplificadores de emisor comin, (b) Analisis del cireuito en (2.299 4.10 POLARIZACION DEL BJT PARA DISENO DE UN CIRCUITO DISCRETO 281 Vee = IeRe* IaRa+ Vas = teRe+ GE Re * Vor ances la coniente de polrizaci del emisr exh daa por Voc = Vas Ret Ryl(B+1) Para obtener un valor de J que sea insensible a variaciones de G, seleccionamos Ry(3+1) < Re. Notese, sin embargo, que el valor de determina la osiacion permisble de seal en el coletor porque he Bei La estabilidad en este ciruito se obtiene por la reoslimentaciénnegatva del resistor Re, Encontraremos cites de este po en nuestro estudio de evoalimeatacién ene eaptulo 8. dee 437) oR (4.58) ) Ejercicio 04.29 Disefie el circuito de a figura 4.41 para obtener una corrente de ed de emisor de 1 mA y para asegurar una oscilacién de sefal de 2 V en el eolector. Sea Vec= 10 Vy B= 100. Reap. Ra= 202 10; Re= 73 XO. Nee que se lan vores eindar de resin dl 9% (optics) Polarizacién con una fuente de corriente El transistor de unin bipolar (BYT) se puede polarizar si se usa una fuente constante de corriente J, ‘como se indica en el circuito de la figura 4.42(a). Est circuito tiene la ventaja de que la corriente de emisor es independiente de los valores de @ y Re. Entonces, Rs se puede hacer grande y hace posible un aumento de la resistencia de entrada en la base sin afectar adversamente la Fig. 4.42. (a) Un BIT polariza- do con una fuente de corriente cconstante I (b)Cireuito para po- ner en prictica la fuente de co- Re riente J o300 282 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) estabilidad de polarzacién. Ademés, la polarizacién de la fuente de corriente lleva a una simplifi- cacién considerable del disedo, como veremos en secciones y capitulos posteriores. En la figura 4.42(b) se muestra una estructuracién sencilla de la fuente de corriente constante ‘LEI circuito tliza un par de tansistores acoplados O, y Q,, con Q, conectado como diodo al poner ‘en cortocircuito su colector a su base. Si suponemos que Q, y Q; tienen valores altos de 3 podemos despreciar sus corrientes de base. Por Jo tanto, la corriente que pasa por Q, seré aproximadamente igual a rer ‘Si se desprecia el efecto Early en Qs, la corriente de colector permanecerd constante al valor dado por esta ecuacién mientras Q; permanezca en la regién activa. Esto se puede garantizar si se conserva el voltaje V en el colector mayor que el de la base (Ver + Vas). La conexién de Q. y Qs de la figura 4.42(b) se conoce como espejo de corriente. En el capitulo 6 estudiaremos en detalle los espejos de corriente Ejercicio 4.30 Para el cireuito de la figure 4.42(a) con Voc = 10 V, I= 1 mA, B= 100, Re= 100 KOLy Re= 7.5 kA, eneuentre el voltae de od en la base, el emisory el colector. Para Vax = 10 V, encuentre el valor de R del circuito dela figura 4.42(0). Resp. -1 Vj-1.7 V;425V; 19.340 4.11 CONFIGURACIONES BASICAS DE AMPLIFICADORES DE BJT DE UNA ETAPA Enesta seccin estudiamos las tes configuraciones basicas de amplificadores de BJT: los circuitos de emisor comiin (CE), base comin (CB) y colector comin (CC). Para simplificar las cosas, utlizaremos condensadores para acoplamiento de sefial y otros fines. Aun cuando esto limita la aplicacién de los circuitos resultantes al disefio de circuitos discretos, los resultados son directa- mente aplicables a versiones de circuitos integrados, como se vera en capitulos subsiguientes. El amplificador de emisor comin En Ia figura 4.43(a) se muestra la configuracién bésica del amplificador de emisor comin. E1 BIT esté polarizado con una fuente de corriente constante J que se supone tiene una elevada resistencia de salida. Un condensador Ce conecta el emisor a tierra; se supone que su capacitancia es suficientemente grande de modo que su reactancia es tan pequefia que es despreciable a todas las frecuencias de interés de stl, Por lo tanto, Cy en efecto pone en cortocireuito el emisor a tierra en lo que respecta a sefales. De modo correspondiente, se establece una tierra de sefal en el emisor y lacomiente de sei circula por Cratierra,derivando la resistencia de slidade la fuente de corriente 1.Elcondensador C, por lo tanto, ecibe e! nombre de condensador de derivacién,301 4.41. CONFIGURACIONES BASICAS DE AMPLIFICADORES DE BJT DE UNAETAPA 283 i Re ® ® Fig. 4.43 Amplificador de emisor comin. (a) Circuito, (b) Circuito equivalente obtenido al sustiuir et BIT con su modelo hibrido = y eliminar fuentes de cd. La fuente de sefal de entrada v, tiene una resistencia Ry esté conectada ala base del transistor. [Notese que 1 y R, representan la fuenté real de sefiales 0 el circuito equivalente de Thévenin de otro circuito que alimenta nuestro amplificador de emisor comiin. La sefial de salida v, se toma en elcolector, ves la componente de sefal del voltae de colector. Para mayor sencillez, no mostramos un resistor de carga; si estuviera presente un resistor de carga, estaria conectado al colector directamente 0 por medio de un condensador grande de acoplamiento, Elresistor de carga apareceria ‘en efecto en paralelo con Rc y, por lo tanto, puede ser considerado como parte de Re para ls fines el siguiente andlsis Observe que el puerto de entrada del amplificador de emisor comiin es entre base y emisor, que esta a tierra de sefial, y el puerto de salida es entre colector y emisor, de aqui el nombre de cemisor comin o amplificador de emisor a tierra ‘Deseamos analizar el circuito amplificador de emisor comin para determinar su resistencia de entrada R, ganancia de voltae v/v, ganancia de corriente id, y resistencia de salida R,. Con ese fin, susttuimos el transistor de unin bipolar (BJT) con su modelo hibrido 7 y eliminamos las fuentes de ed para obtener el circuito emplificador equivalente que se muestra en la figura 4.43(b), ‘Un examen del circuito dela figura 4.43(b) deja ver que la resistencia de entrada R, esti dada por Rg (459) La fraccién de v, que aparece en la base ¢s v,, ve Saar (4.60) Enel lado de salida a fuente de coriente controlada (ga) alimenta Re, que aparece en paralelo con ran ¥302 284 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) Entonces. la ganancia de base a colector esté dada por (Rell) (4.61) ‘Al combinar las ecuaciones (4.60) y (4.61) se obtiene la ganancia total de voltaje 4,,como Ae ten ARellt) RK (4.62) De la ecuacion (4.62) observamos que si R, > rz la ganancia serd altamente dependiente del valor de 9. Esta dependencia aumenta para bajos valores de R,,y en el extremo, para R, 0.7 V tenemos “Ge «on ape se puede aproximar mediante l ecacisn: ; ze a (4.92) La corriente de colector esté dada por ie Bia 493) que aplica s6lo si el dispositivo esté en el modo activo. ,Cémo sabemos que el dispositivo esté en el modo activo? No lo sabemos; por lo tanto, suponemos que esté en el modo activo, calculamos ic usando la ecuacién (4.93) Ue de ve= Veo~ Relic (4.94) y luego Verificamos si Uce €s 0 no 2 0. En nuestro caso, simplemente comprobamos si uc €s ono 20.7 V. Si uc 20.7 V, entonces nuestra suposicién original es correcta y hemos completado el andlisis para el valor particular de v. Por otto lado, si se encuentra que Uc es menor que 0.7 V, ‘entonces el dispositive ha salido de la regién activa y entrado en la de saturacién. Obviamente, 2 medida que v, aumenta, ip aumenta (ecuacién 492), ic aumenta de manera correspondiente (ecuacién 4.93) y uc decrece (ecuacién 4.94), Por iltimo, uc se hace menor que 1us(0.7 V) y el dispositivo entra en la regién de saturacién. Regién de saturacion La saturacién ocure cuando intentamos forzar una corriente en el colector més alta de lo que puede soportar mientras se mantiene la operacién en modo activo. Para el circuito de la figura 4.47, la maxima corriente que el colector “puede tomar” sin que el transistor salga del modo activo se puede evaluar al hacer vcs =0, lo que resulta en (4.95) (4.96) yy el correspondiente valor de v, se puede obtener de la ecuacién (4.92). Ahora, si aumentamos i por encima de /, la corriente de colector aumentaré y el voltaje de colector caerd por debajo del de la base. Esto continuaré hasta que la unin entre colector y base se polarice directamente con un ‘voltaje de polarizacién directa de entre 0.4 y 0.6 V. En ese punto, la unin entre colector y base conduciré y el voltaje de colectorfijaré su nivel a aproximadamente medio volt abajo del voltaje de base, Notese que la caida de voltaje de polarizacién directa de la uniGn entre colector y base es313 4.12, ELTRANSISTOR COMO INTERRUPTOR: CORTE Y SATURACION. 297 Fig. 4.48 Un wansistor saturado, ‘pequeita porque esta unién tiene un érea relativamente grande (véase la figura 4.6), Esta situacién se conoce como safuracidn, ya que cualquier aumento posterior en la corriente de base resultaré en tun muy pequetio aumento en la corriente de colector y un correspondiente pequeiio decremento en el voltaje de colector. Esto significa que en saturacién la incremental (esto €8, Diels) €8 insignificante por lo pequefia. Cualquier corriente “extra” que forcemos en el terminal de la base circalaré principalmente por el terminal del emisor. Entonces, la razén entre 1a corriente de ccoleciory la corriente de base de un transistor saturado no es igual a By se puede ajustara cualquier ‘valor deseado, menor de 8, con sélo empujar mas corriente a la base. ‘Regresemos ahora al cicuito dela figura 4.47, que hemos dibujado de otra manera en la figura. 4.48con a suposicién de que el transistor estéen saturacién. El valor de Ve deun transistor saturado suele ser un poco més alto que cuando el dispositivo opera en el modo activo.* Sin embargo, para ‘mayor sencillez, supondremos que Vee permanece alrededor de 0.7 V incluso si el dispositive esta en saturacién, | Como en saturacién el voltae de base es més alto que el voltae de colector en unos 0.420.6 V, {e deduce que el voltae de colector sera mas alto que el voltaje de emisor entre 0.3 y 0.1 V. Esta cantidad se conoce como Verws ¥ normalmente supondiremos que Vetus = 0.2 V, pero nétese que si ‘empujamos més corriente en la base moveremos al transistor a “ms profundidad” en saturacién y aumenta la polarizacién directa de la unién entre colector y base, lo que significa que Vem disminuirs. : El valor de la corriente de colector en saturacién serd casi constante, Denotamos este valor por Tew. Se concluye que para el circuito de la figura 4.48, tenemos Veo~ Veeu =a 497) Feu Para asegurar que el transistor se mueva a saturacién, tenemos que forzar una corriente de base de por lo menos Jaco) F (4.98) sumentoen Vee se debe aa ncrementada crate de base que produce una considerable caida de volte dhmica (Um) en la resistencia principal dels regign dela bce. En otras palaeas, pate de Vae aparecrd en los trminales del ‘semiconductor de a base como cai Rye est sparecerien le unin misma ene emisory base314 298, TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) Pope 4 Var = 07V Vow 80.2. Vep™ 07V Vera 0.2. (®) npn 4.48 Modelos para un BIT saturado, Fi en donde el subindice adicional EOS significa “borde de saturacién” (edge of saturation). Normal- mente, disehamos el ciruito de modo que /y Seams alta que gros por un factor de 210 (lamado factor de saturacién), La razén erie Jou € Jp recibe el nombre de 3 forzada (Bes), Porque Su valor se puede fijar a voluntad, (4.99) Modelo para el BJT saturado ‘De nuestro anilisis anterior obtenemos un modelo sencillo para operacién de un transistor en el ‘modo de saturacién, como se muestra en la figura 4.49. Normalmente, usamos este modelo implicitamente en el andlisis de un circuito dado. ara répidos célculos aproximados podemos considerar que Vac y Veeus SOM cero y usamos el cortocircuito de tres terminales que se ilustra en la figura 4.50 para modelar un transistor saturado. Una nota final En la seccién 4.13 estudiaremos un modelo mas formal a gran sefal para el BIT que aplica a todos los modos de operacién; en particular, ayudara a explicar mejor el modo de saturacién, pero por ahora la descripcién cualitativa dada antes y los modelos de las figuras 4.49 y 4.50 son suficientes para hacer posible que analicemos y diseflemos circuitos en que el BIT se opera en saturacién. Esto se demostrara por medio de los siguientes ejemplos. Be Fig. 4.50 Modelo aproximado para el BIT saturado,315 4.12 EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR; CORTE Y SATURACION 299 EJEMPLO 4.13 ‘Deseamos analizar el circuito de la figura 4.51(a) para determinar Ios voltae en todos los nodos y las ‘corrientes en todas las ramas. Supongamos que la 6 del transistor estéespecificada por lo menos en 50. +10 +10V aria 34026 455V @ 470 +6 -07=+53V @ 33kn 33K @38- my @ © 51 Ejemplo 4.13: (a) cireuito; (b) andlisis con el orden de pasos mumerado. > EE ‘Ya hemos considerado este circuito en el ejemplo 4.3 y descubrimos que el transistor tiene que estar en saturacin. Si se supone que ése ¢s el caso, tenemos Ve=46-0.78453V Ve 3°33 Je .6 mA, Vom Ver Veem = 45.3402 =45.5V HO 55 Ie 0.96 ma le—Ie= 1.6 -0.96 = 0.64 mA Por lo tanto, el transistor estd operando a una (#forzada de ak 096 Brucate = T= 0.64 = Como Burau &S menor que el minimo valor especificado de 6, el transistor est de hecho saturado. 2© — Debemos destacar aqui que al probar para saturacién, el valor minimo de debe usarse. Por la316 300 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) misma razén, si estamos diseflando un circuito en que un transistor va a estar saturado, el diseiio debe estar basado en la minima especificada. Obviamente, si un transistor con esta 4 minima est sarurada, entonces los transistores con valores mas elevados de G también estarin saturados. Los detalles del andlisis se muestran en Ia figura 4.51(b), donde el orden de los pasos utilizados se indica ppor los niimeros encerrados en un circulo. EJEMPLO 4.14 ‘Se especifica que el transistor dela figura 4.52 tiene una Bentre 50 y 150. Encuentre el valor de Ry que resulte en saturacién con un factor de saturacién de por lo menos 10. +10 reo. i Fig. 4.52. Circuito para 4sv. el ejemplo 4.14. Emre (Cuando el transistor se satura, el voltaje de colector ser Vo= Voom = 0.2V Por lo tanto, la corriente de colector esté dada por Ho-02 Tey Para un factor de saturacién de 10, la corriente de base debe ser Ip= 100.196 Entonces necesitamos un valor de Re tal que 96 mA317 4.12. EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR; CORTE Y SATURACION 301 EJEMPLO 4.15 ‘Deseamos analizar el circuito de la figura 4.53 para determinar los Voltajes en todos los nodos y las ccorrientes que circulan por todas las ramas. El minimo valor de f especificado debe ser 30. 45V +3v S @ pad Wet OD a Ko 2 © be= Voll so 4g 10 ka i < f < @ ©) Fig. 4.83 Ejemplo 4.15: (a) circuit; (6) andlisis con pasos numerados. ‘Una répida mirada a este circuito deja ver que el transistor estar activo o saturado, Si se supone ‘operacién en modo activo y se desprecia la corriente de base, vemos que el voltae de base serd aproximadamente de cero volts, el voltae de emisor ser aproximadamente de +0.7 Vy lacortiente de emisor serd aproximadamente de 4.3 mA. Como la maxima corriente que el colector puede so- portar mientras el transistor permanezca en el modo activo es alrededor de 0.5 mA, se deduce que el transistor esté definitivamente saturado, Sie supone que el transistor estésarurado y se denota el voltaje dela base por Vs (consulte la figura 4.53b), se deduce que Ve= Var Vea™Va+0.7 Vom Ve—Veca: 2 Va 0.7-0.2= Vo+05 4$5-Ve_ $-Ye-07 7 1 3-Ve mA 0.1 Ve mA pea en D2 Vat 0545 0) 10 1¥,+0.85 mA318 302. TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) ‘Alusar la relacién /e= Jy + Ie, obtenemos 43-Vg"0.1V 9+ 0.1V9+ 0.55 que resulta en 375 wpa ap =33V Al sustinuir en lis ecuaciones anteriores, obtenemos ¥g=3.83V ¥o=3.63V Te= LAT mA Te= 0.86 mA Jo=031 mA Es claro que el transistor estésaturado, ya que el valor de 8 forzada es Grersse ~28 031 ~ que es mucho menor que la minima especificada, EJEMPLO 4.16 Deseamos evaluar los voltajes en todos los nodos y las corrientes que circulan en todas las ramas el circuito de la figura 4.54(a). Suponga B= 100. Eee ‘Al examinar el circuito concluimos que los dos transistores Q, y Q: no pueden conducir simulti- neamente; si Q, conduce, Q; no conduce, y viceversa. Supongamos que Q; conduce. Se deduce que la comriente circularé de tierra a través del resistor de carga de 1 KQ2 y entra en el emisor de Q>. Entonces la base de Q; estaré a un voltaje negativo, y le corriente de base estard saliendo de la base através del resistor de 10k y entra en la fuente de +5 V, Esto es imposible puesto que sila base es negativa, la corriente del resistor de 10 k2 tendré que entrar en la base, Entonces concluimos que nuestra suposicién original, que Q; conduc, es incorrecta. Se deduce que Q; no conduce y Qi conduce. La pregunta ahora es si Q, esté activo o saturado. La respuesta en este caso es obvia. Como la ‘base estd alimentada con una fuente de +5 V y como la corriente de base entra en la base de Qy, se ‘concluye que la base de Q, estara a un voltaje menor de +5 V. Entonces la unign entre colector y_” base de Q, esté polarizada inversamente y Q, esté en el modo activo. Sélo resta por determinar las. corrientes y voltajes usando técnicas ya descritas en detalle. Los resultados se dan en la figura 4.5400).319 UN MODELO GENERAL A GRAN SENAL PARA EL BJT: EL MODELO EBERS-MOLL (EM) 303, +5V +5V © 0039 ma ; 10. Kn a +5 VOW 46 9 sv s-07 na Oat tka. 0.039 ma = @o sv -5v @- © 54 Ejemplo 4.16: (a) circuit: (b)andlisis con pasos numerados. < Bjercicios 4.35. Considere el cieuito de la figura 4.48 con la entrada conectada a +5 V. Sea Vee™ 5V, Re= 1k, Rp= 102 -y B= 50. {Cuél es el valor de (9 forzada? Encuentre el valor de vy necesario para establecer Sarads = 12. Resp. 112;26V 4.36 Repitael ejemplo 4.14 con un factor de saturacin de 5. Resp. Ryn 4.4k0 4.37 Resuelva el problema del ejemplo 4.16 con el voltaje que alimenta las bases cambiado a +10 V. Suponga que Ba = 30, y encuentre Vi Voy Ly € eae Resp. +48 V;45.5V;435 mA;0 443 UN MODELO GENERAL A GRAN SENAL PARA EL BJT: EL MODELO EBERS-MOLL (EM) Aun cuando los sencillos modelos a gran sefial con ransistores, desarrollados en la seccién 4.2 para ‘operacién en el modo activo y en la seccién 4.12 para operacién en saturacién, son por lo general bastante adecuados para el andlisis aproximado de circuitos digitales'con BIT, se puede obtener320 304 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) mis conocimiento de un método més formal que utiliza un modelo del BJT a gran sefal, que se usa bastante y se conoce como modelo de Ebers-Moll (EM). Ademés de ser intuitivamente atractivo, el modelo EM es general: se puede usar para describir el BIT en cualquiera de sus posibles modos de operacién. También es la base del modelo de BIT que se utiliza en el SPICE (seccién 4.16). Estudiaremos el modelo EM en esta seccién El modelo EM es un modelo a baja frecuencia (estitico) que se basa en el hecho de que el BIT esti compuesto de dos uniones pn, la uniGn entre emisor y base y la unin entre colector y base. Por lo tanto, se pueden expresar las corrientes terminales del BIT como la superposicién de las corrientes debida a las dos uniones pn. como se muestra en lo que sigue. En la figura 4.55 se ilustra un transitor npn junto con su modelo EM. EI modelo consta de dos diodos y dos fuentes controladas. Los diodos son Dy, el diodo de la unién entre’emisor y base, y De, el diodo de 1a unién entre colector y base. Las corrienteS de diodo ig € inc estén dadas por la ecuacién de diodo: foe = Isele*™"*~ 1) (4.100) ioc = sole" = 1) 4.101) donde Jxe € Isc son las corrientes de escala 0 saturacién de los dos diodos. Como la unién entre colector y base suele ser de mayor drea que la unin entre emisor y base, Jc €s por lo general més ‘grande que Jer (por un factor de 2 a 50). ‘Como se explicé en la seccién 4.2, parte de la corrente ine que circula por la unién entre emisor yy base llega al colectory se registra como cortiente de colector, Es esta componente la que da lugar ala fuente de corriente arine del modelo dela figura 4.55. Aqui, a-denota la e-directa del transistor (que es el pardmetro al que antes lamamos simplemente a). El valor de ae suele ser muy cercano ala unidad, Del mismo modo, parte de la corriente joc que circula en la unién entre colector y base straviese la regién de la base y llega al emisor. Esta componente esté representada en el modelo EM por la fuente de corriente ioc, donde oe denota la cinversa del transistor. Como la estructura c Ih De Bf ioe Devi De $2 {ioe 5 rive Fig. 4.55 Transistor npn y su modelo Ebers-Moll (EM). Las correntes de escalaosaturacin de los diodos ‘De (unién entre emisor y base) y Dc (unin entre colector y base) estn indicadas en paréntesis,321 4.13 UN MODELO GENERAL A GRAN SENAL PARA EL BJT: EL MODELO EBERS-MOLL (EM) 305 del transistor no es fisicamente simétrica, sino que esté optimizada para tener una a directa grande, ‘x sue ser pequetia (0.02 a 0.5) Existe una relacién (véase la obra de Harris, Gray y Searle, 1966) entre los cuatro pardmetros del modelo EM y la corriente Js de saturacin del transistor: alee ™ alse =Is (4.102) Recordemos que para transistores de baja potencia (pequetia sefial),/ses del orden de 10a 10 A ¥¥ €s proporcional al rea de la unién entre emisor y base. Las corrientes terminales de un transistor Una vez obtenida una justificacién cualitativafisica para el modelo EM, la utilizamos para expresar las corrientes terminales de un BJT en términos de los voltgies dela union. De la figura 4.55 podemos cccriar ie ine enioe (4103) jc ~ioe + arloe (410 ip= (1 —Qp)ine + (1 - Qa)ioe (4.105) [Alsustitu por frei dels ecuaiones (4.100) (4101) y usar relacién ena ecuacin (8.102) reslta Leewny-ue-n (09 em seer =~ Bem) (4.107) be gutsy eeu ign Ze (ete 1) + (ea) (4.108) donde Gy es la 6 directa y By es la G inversa, be (4.109) fn (4.110) [Nétese que Gres lo que hasta ahora hemos llamado 8. Sibien Gsuele ser grande, Sees muy pequetia. Ejerci io 4,38 Se dice que un transistor en particular tiene ae ~ 1 y c= 0.02. Su coriente de escala de emisor (/e) es de unos 10" A. 2Cudl es la corriente de escala de colector (Isc)? Cual sl tamafio de la unién del colector en relacién con la unién del emisor? :Cual es el valor de ip? . Res $0 veces mayor; 0.02322 306 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) Aplicacién del modelo EM ‘Ahora consideraremos la aplicacién del modelo EM para caracterizar la operacién de un transistor en varios modes. El modo activo directo. Aquila unién entre emisor y base estépolarizada directamente; aquella entre colector y base, inversamente. La palabra directa se utiliza para distinguir este modo ‘de aquel en qué los papeles de las dos uniones se intercambian (el modo activo inversoo invert). Como uc es negative y su magnitud suele ser mucho mayor que V, las ecuaciones de la (4.106) a 1a (4.108) se pueden apfoximar como @uy (4.112) (4.13) En cada una de estas tres ecuaciones podemos normalmente despreciar el segundo término del lado derecho, Esto resulta en las conocidas relaciones entre corriente y voltaje que caracterizan el modo de operacién activo, Ejercicio 4.38. Usilce la ecuacién (4.106) para demostrar que la curva caracteristica iv del transistor conectado como diodo de a figura E4.39 esté dada por ds ga “, Beret” Fig, £4.38323 4.43 UN MODELO GENERAL A GRAN SENAL PARA EL BJT: ELMODELO EBERS-MOLL(EM) 307 Yeo Fig. 4.56 Circuito en el queel transis- I Bosna 108 S€ Puede operar en el modo normal ’ de saturacin te Yet El modo de saturacion. Considere primero el modo normal de saturacién (opuesto a inverso), como se puede obtener del ciruito dela figura 4.56, Supongamos que una corriente [5 €s empujada en la base y que su valor es suficiente para acivar al transistor a satuaciGn, Entonces la corriente de colector sera ions, donde Serests < Se. Deseamos usar las ecuaciones EM para derivar una expresién para Venu En saturacién ambas uniones estin polarizadas directamente, por lo que Veey Vac son ambos positivosy sus valores son mucho mayores que V>. Entonces, en las ecuaciones (4.107) y (4.108) po- demos suponer que &”"* > ly e”"r>> 1. Al hacer estas aproximaciones y sustiui ig = Js € Bens Ip resulta en dos ecuaciones que se pueden resolver para obtener Vac y Vec. El voltaje de saturacién Vers, 8€ puede obtener entonces como la diferencia entre estas dos caidas de voltaje: 1+ Gonna + 1V/Be Veou = Vo in 2% Brree* Pe (aug) Es ilustrativo utilizar la ecuacién (4.114) para hallar Vesa: en tn caso tipico, La tabla 4.4 contiene valores muméricos para el caso ¢= 50, x= 0.1, y diversos valores d¢ Bra Del mismo ‘modo, la figura 4.57 muestraun bosquejo de Vera: Contra Fred COM0 ic= Brenials€ 19S constant, Bromus €8 proporcional a ic,y la curva de ta figura 4.57 es simplemente la curva caracteristica de ‘Uce~ ie para una corriente /y de base constante (esto es, una de las curvas de la figura 4.36). De la tabla. 4y la figura 4,57 vemos que el valor infnito de Vera: Obtenid0 & Brau ™ Hr €s una indicacién de que el transistor esta en la frontera entre el modo de saturacién y el activo. En la figura 4.57 se ifustra més ain esto al mostrar la independencia de tice en Brands (0 ic) nel modo activo. A medida que Boma S¢ reduce, el transistor se mueve mas hacia saturacién, Vac aumenta y Veew Se reduce. Tabla 4.4 VOLTAJE DE SATURACION PARA EL CASO B= 50Y Bp = 0.4 Fras «SOB AS: AO «30:20: 10:«sd2sO Veem(taV) = 235 211 191 166 147 123 76 60324 308 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) Veeu ' i 1 ! Fig.4.57 Vaiacion de Veeuco” 1 ‘Sforeada (Boras = Jel) La linea | vertical obtenida para Shouts = Br | indica que el transistorha dejo el I ‘modo de ssturacién ya entrado en I el modo activo, Versus 1 i \ ol ——___—___1_____- Finalmente, para Baga 0, que corresponde a que el colectorse encuentre en circuito abierto para obtener un pequetio valor de Vceux Este ultimo voltaje representa el voltae de desnivel exhibido por el BIT cuando se opera como interruptor (véase el modelo de interruptor de la figura 1.31(c}]. Finalmente, debe verse que la ecuacién (4.114) subestima un poco el valor de Vee porque no toma en cuenta las caidas de voltaje en el silicio‘de conexién de las regiones del emisor y colecto. El modo inverso, A continuacién consideramos la operacién del BJT en el modo inverso © invertido. En la figura 4.58 se muestra un sencillo circuito en que el transistor se utiliza con su colector y emisor intercambiados. Nétese que las corrientes indicadas, es decir, J 1, ¢ J tienen. valores positivos. Entonces, como ic —Is ig = ~/, tanto ic como fg serén negatvas. ‘Como los papeles del emisor y colector estén intercambiados, el transistor del circvito de la figura 4.58 funcionard en el modo activo (denominado modo activo inverso en este caso) cuando Ja unién entre el emisor y la base estépolarizada inversarente. En tal caso, = Bale Fig. 4.68 Circuito en que el tran- sistor se usa en el modo inverso (0 inverido).325 4.13. UN MODELO GENERAL A GRAN SENAL PARA EL BJT: EL MODELO EBERS-MOLL (EM) 309 Como x suele ser muy baja, normalmente tiene poco sentido operar el BJT en el modo activo inverso; pero una aplicacién de este modo de operacién surge en la compuerta TTL (Transistor ‘Transistor Logic), como veremos en el capitulo 14. El transistor del circuito de la figura 4.58 se satura (esto es, opera en el modo de saturacién inversa) cuando la unién entre emisor y base se polariza directamente. En este caso, 4 Bn Podémos usar las ecuaciones Ebers-Moll (EM) para hallar una expresién para Vecu: en este caso. Esta expresién se puede obtener directamente de la ecuacién (4.114) como sigue: se sustituye Bina ‘por ~/ylfy y luego se sustituye f por J, + Ja, El resultado es ie) Ele) De esta expresin se puede ver que el minimo Vou se obtiene cuando =O. Este minimo es muy cereanova cero, Ademiés, observamos que la condicin lp < Be tiene que satisfacerse para que el denominador permanezca positvo. Esta, por supuesto, es la condicién para que el transistor opere en el modo de saturaciéninverso. Finalmente, vemos que como (suele ser muy baa, / tiene que ser mucho menor que Jp, con el resultado de que Vecw Seré muy pequeiio. De hecho, ésta es larazén usual para operar el BIT en el modo de saturacin inverso, Sehanreportado voltajesde saturacién de s6lo una pequetia parte de milivolt. La desventaja del modo de saturacién inverso de operacién es un tiempo de desactivacinrelativamente largo. 1+ Vecu = Vein (4.115) Ejercicio 30. Caleule Re= 1002. Resp. +456V;+06V;43.5 mV i i | ao pune ee ett 8s yey = Yon Sag Fc" 53 01 = t \ i valores aproximados para el voltaje de emisor en los siguientes casos: Re = 1 kX; Re = 10 kQ y Una forma alternativa del modelo Ebers-Moll: el modelo de transporte En la figura 4.59 se ilustra una forma alternativa, un poco més sencilla, del modelo Ebers-Moll. ‘Ahi los diodos Dae y Dac tienen corrientes de saturacién (Io) € (Idx), tespectivamente. Por lo tanto, la corriente de base io se puede escribir como Lb a (que es idéntica a la ecuacién (4.108). La fuente de corriente controlada i est definida por ip= Ide" 1) + Ide" = 1) uy) extn keen ane326 310 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) Fig, 459 Modelo de transporte del Poe BIT npn. Este modelo es exactamente Wr Gy, ght dace terol aS figura 4.55. Nétese que las corrientes de 5 im saturacion de los diodos estin dadas en tae pares oy edt proces a ign (4.117). z CObservemos que representa la componente de comiente de i € fe que aparece como resultado de difusién de portadores minortaios que atraviesan la base, o transporte de portadores que ata- viesan la base, lo que da aeste modelo el nombre de modelo de transporte. Ellector puede ficilmente demostrar que ic = ir —(Is/Gp) (e"*"' — 1) da una expresi6n idéntica a la de la ecuacién (4.106), y que ie= r+ (1B) (e"~" ~ 1) resulta en una expresinidéntica ala de la eeuacién 4.107). Entonces, el modelo de transporte es exactamente equivalente al modelo EM. Tiene Ia ventaja de identificar cexplicitamente a jy de usar un elemento menos de circuit, asi eomo un parémetro menos que el modelo EM. El modelo de transporte se utiliza en el programa SPICE. 4.14 ELINVERSOR LOGICO BASICO DE BJT Elcomponente mas elemental de un sistema digital es el inversor légico. En la seccién 1.7 se estudié cl inversor a un nivel conceptual, y se presents fa realizacién del inversor usando interruptores controlados por voltaje. Una vez estudiado nuestro primer dispositivo activo de tres terminales, el transistor de unin bipolar (BIT), podemos ahora considerar su aplicacién en la realizacién de un sencillo inversor légico, Este crcuito se muestra en a figura 4.60, Elector observari que ya hemos estudiado este circuito en algin detale; de hecho, lo utlizamos en la seccién 4.12 para ilustrar la tip Fig. 4.60. Inversor logi- co digital bisico con BIT.327 4.14 ELINVERSOR LOGICO BASICO DE BJT: 311 operacién del BIT en los modos de operacién de core, activo y saturacién. La operacién del circuito como inversorlégica hace uso de los modos de corte y saturacién. En términos muy sencillos, sie voltaje de entrada ves “alto”, a un valor cercano al voliaje de la fuente de alimentacién Voc, que representa un estado légico 1 en un sistema de légica positiva, el transistor conduce y, con una seleccién apropiada de valores para Rey Re, e satura. Entonces, el voltaje de salida seré Veo = (0.2 V,1o que representa un “bajo” o Logica 0. Por el contraro, si el voltaje de entrada es “bajo”, 2 ‘un valor cercano a tierra (por ejemplo, Vex), entonces el transistor estard en corte, ic se cero y vo = Vee, que es “alto” 0 égica I. La seleccién de corte y saturacién como los dos modos de operacién del BT en este circuito inversor esté motivada por los siguientes dos factores: 1. La disipacién de potencia del circuto es relativamente baja tanto en corte como en saturacion: en corte, toda las corrientes Son cero (excepto para muy pequefas corrientes de foga),y ensauracion el votajeen los terminals del transistor es muy pequetio (Vcou) 2. Los niveles de voltaje de salida (Voc y Verse) estén bien definidos. En contraste, si el transistor se opera en-la regién activa, Up = Voc ~ icRe = Vec — GisRc, que es altamente dependiente del mal controlado parametro 9 del transistor. La curva caracteristica de transferencia de voltaje ‘Como se mencioné en la seccién 1.7, la caracterizacién més ttl de un circuito inversor esté en términos de su curva caracteristica de transferencia de voltaje, up contra vj; un dibujo de esta curva del circuito inversor de la figura 4.60 se presenta en la figura 4.61. La curva caracterstca de ‘ransferencia se aproxima por tres segmentos de recta correspondientes ala operacién del BIT en las regiones de corte, activa y saturacién, como se indica. La curva caracteristica real de transfe- rencia ser obviamente una curva suave pero que seguirémuy de cerca las asintotasrectasindicadas. ‘Ahora calcularemos las coordenadas de los puntos de interupcién de la curva caracteristica de transferencia dela figura 4.61 para un caso representativo: R= 10 KQ, Re=1 KS, B= 50 Vee™ 5 V, como sigue: 1. A= Vou™ Veem™ 0.2 V, to= Vou = Vee= 5 V. 2. A= Yq, el transistor comienza a conducir, y =07V 3. Para Vi, < vy < Vin, el transistor estd en 1a regién activa. Opera como amplificador cuya ganancia a pequetia seal es feet vu Rotts ‘La ganancia depende del valor de r., que a su vez esti determinada por la corriente de colector y por lo tanto por el valor de v,. A medida que aumenta la corriente que pasa por el transistor, 7. disminuye y podemos despreciar r_en relacién con Ra, y asi simplificar la cexpresion de ganancia a sodas329 4.14 ELINVERSOR LOGICO BASICO DE BJT 313 6. Los margenes de ruido se pueden calcular ahora usando las formulas de la secci6n 1.7, NMy = Vou ~Vin™ 5 ~1.66=3.34V WM, = Vin — Vou = 0.7-02=0.5V Obviamente, los dos mirgenes de ruido son muy distintos y por esto el circuito inversor ces menos que ideal. 7. La ganancia en la regin de transicién se puede calcular de las coordenadas de los puntos de interrupeién X y ¥, Ganancia de voliaje = — ‘quees igual al valor aproximado encontrado antes (el hecho que sea exactamente el mismo valores una coincidencia. Circuitos digitales con BJT saturados contra no saturados El circuito inversor que acabamos de ver pertenece a la variedad saturada de circuitos digitales con BUT. En el capitulo 14 estudiaremos una familia impértante de circuitos légicos con BIT saturedos, es decir, de cireutos légicos de transistor transistor. En general, sn embargo, los circuitos digitale saturados bipolares ya no son de tecnologia de vanguardia en el disefio de sistemas digitales. Eto fs porque su velocidad de operacién esté muy limitada por los retardos relativamente largos necesarios para desactivar un transistor saturado. Este punto se explicard en forma breve aqui, en clcapitulo 14 se ineluye un andlisis dtallado de los tiempos de conmutacién del BIT. Por ahora es suficiente decir que, para alcanzar altas velocidades de operacién, no debe permitirse que el BIT sesature. Estees el caso en un cicuito l6gico de emisor acoplado (ECL) que se estudia en el capitulo 14, donde demostraremos que la 16gica de ECL es hoy dia la familia de ciruitos légicos de més alta velocidad existente, Est basada en la distribucién de conmutaciGn de corriente que se estudia ‘conceptualmente en la seccién 1.7 (figura 1.33). Almacenamiento de carga de portadores minoritarios en la base de un transistor saturado Nuestro, estudio de la operacién fisica del BJT en el modo activo (seccién 4.2) hizo uso de la distribucién de portadores minoritarios de la regién de la base (véase la figura 4.4). Es interesante e ilustrativo considerar Como es que esta distribucién se altera cuando un transistor entra al modo de saturacién, En la figura 4.62(a) se ilustra la region efectiva de base de un transistor npn junto con tes rectas rmarcadas (a), (b)y (c). Larecta (a) representa la distribucién de portadores minoritarios(electrones) cuando el BIT se opera en el modo activo y se desprecia la recombinacién en la base. Observeros {que indica una concentracién de electrones en x= 0 de nae”, donde ny» es la concentracién de los electrones minoritarios térmicamente generados en la base tipo p, y una concentracin en el colector de cero debido a la polarizacién inversa de la unin entre colector y base. Anélogamente, Jareeta (b) muestra la concentracin cuando el BIT opera en el modo activo inverso indicando una Sy330 314 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) © @ ©) Fig. 4.62 (a) La concentracién de portadores minoritarios en la base de un transistor saturado esté _epreseatada por la recta (c). (b) La carga de portadores minoritarios almacenada en la base se puode dividir en dos componentes: e azul produce el gradiente que da lugar a la coriente de difusién en la base, y el gris resulta al excitar el transistor més adentro en saturacin. concentracién denee"*”’enx= Wy de éeroen=0. Ahora, siel BIT opera en el modo de saturacién, ambas uniones estarén polarizadas directamente y la concentracién de portadores minoritarios se puede hallar al sumar las dadas por las rectas (a) y (b), resultando en el perfil de concentracién, representado por la recta (¢). La pendiente quo se muestra en la recta (c) indica que todavia habré transporte de portadores minoritarios de un lado a otro de la base. La corriente correspondiente del colector, res proporcional ala pendiente de la recta (c)y po lo tanto a "8 (e/”"= oF), Esta es la comriente representada por la fuente de corriente del modelo de transporte de la figura 4.59. El frea bajo la recta (c) representa la carga de portadores minoritarios almacenada en la base de un transistor saturado. En la figura 4.62(b) se ilustra una representacién til de la carga almacenada. Abi, el rea del triéngulo (sombreado en azul) representa la carga de portadores minoritarios que da lugar ala cortiente de difusion ir. Bs esta carga la que tiene que ser almacenada en la base para llevar al BIT al borde de saturacién. Por otra parte, la componente de carga representada por él recténgulo (sombreado en gris) obviamente no contribuye al gradiente de concentracién y por 1o tanto a la corriente de colector. Esta carga extra simplemente lleva al transistor mas adentro en saturacién; es la carga comespondiente al factor de saturacién mencionado en la seccién 4.12. Obviamente, cuanto mas adentro sea levado el transistor a saturacién (con menot (ats Mayor seré el exceso de carga almacenada en la base. ‘Lacarga aicionalalmacenads en a base den transistor saturado representa sero problema cuando se trata que el transistor no conduzca: antes que lacorriente de colector comience adecrecer, toda la carga extra almacenada debe scarse en primer término, Esto se suma a una componente relativamente larga al tiempo de desactivacién de un transistor saturado.331 445 CURVAS CARACTERISTICAS ESTATICAS COMPLETAS, CAPACITANCIAS INTERNAS. 315 5 Bjercicio 4.41. Considere el inversor de a figura 460 cuando ves bao. Supongamos que la slidaestéconectada a los terminales de entrada de NV inversores idéaticos. El lector debe convencerse que el nivel de salida Voy se puede determina usando el circuto equivalente que se muestra ea la figura E4.41. Entonces, demuestre que Veo Var You" Yee Re Re RgN Para = 5, cleule Voy usando ls valores components dl circito de ejemplo estudiado anes (es decir, Ry = TOKQ, Re= 1kQ, Veo=5V). Vee Re yi on Fig. £4.41 te 9 ” Vee = 07 Resp. 36V . 445 CURVAS CARACTERISTICAS ESTATICAS COMPLETAS, CAPACITANCIAS INTERNAS Y EFECTOS DE SEGUNDO ORDEN En esta seccién presentamos las curvascaracteristicas esiticas completas del BIT como aparecen enlashojas de datos, También estudiamos varias caraterstcas secundarias que limitan la operaciéa del BUT en los cireutos presentados en ése y otros capitulos subsiguientes. De particular impor- tancia son las capacitancias internas del BIT, que limitan la respuesta a alta frecuencia de amplificadores a transstores y la velocidad de operacién de circuits digitale. Curvas caracteristicas de base comin Enla figura 4.63 se muestra el conjunte completo de curvas caracteristicasic~ Ucgpara un transistor npn. Como se menciona en la seccién 4.5, estas curvas ic — vey e miden a valores constantes de corriente de emisor ie (véase la figura 44a). Como en ests distribuciones la base esta conectada ‘aun voltaje constante, las curvas ic~ cg se denominan curvas caraeteristicas de base comin, ‘Las eurvas de la figura 4.63 difieren de las presentadas en la 4.14(b) en tres aspectos. Primero, 1aruptura de avalancha de la unin entre colector y base a grandes voltajes est indicada y se explica ‘en forma breve un poco mas adelante. En segundo lugar, se incluyen las curvas caraceristicas de laregisn de saturacién. Como se indice, a medida que tc se hace negativo la unién entre colector xy base se polariza directamente y decrece la coriente de colector. Como ig s€ mantiene constante332 316 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) hic Regia de saturacion [— Resién activa foe to 1 tee 04-05 V BVcx0 Escala cexpandida Fig. 4.63 Curvas caracteristicas ice de ui transistor npn, Nétese que en la regin activa hay una ligera dependencia de ic del valor de uc. El resultado es una resistencia finita de salida que decrece conforme ‘aumenta el nivel de corriente del dispositivo, para cada curva, el decremento en i resulta en igual aumento en ig, El efecto grande que tie tiene sobre la corriente de colector en saturacién es evidente de la figura 4.63 y es consistente con nuestra anterior descripcidn del modo de saturacién de operacién. La tercera diferencia entre las curvas caracteristicas de la figura 4.63 y las curvas presentadas antes es que, en la regin activa, se muestra que las curvas caracteristcas tienen una pendiente muy pequeta. Esta pendiente indica que, en la configuracién de base comin, la corriente de colector depende en pequetia medida del voltae entre colector y base, que es una manifestacin del efecto Early estudiado antes, Debe observarse, sin embargo, que la pendiente de las curvas ic ~ Ucemedida ‘con una ies mucho menor que la pendiente de las curvas ic - Uce medidas con un vag constante, En otras palabras, la resistencia de salida de la configuracién de base comtin es mucho mayor que la del circuito de emisor comiin con un vse constante (esto es, r.). Otro punto importante por ver aqui es que como cada curva ic tce Se mide a una ig Constante, el aumento en ic con tes implica un decremento correspondiente en is. La dependencia de jp de tics se puede modelar por la adicién de ‘un resistor r, entre colector y base en el modelo hibrido 7, resultando en el modelo aumentado que se muestra en la figura 4.64. La resistencia r, es muy grande, tipicamente mayor que fr, Fig. 4.64 Modelo hitrido x, in- cluida la resistencia, que mues- ‘ta los efectos de v, sobre i.333 4.18 CURVAS CARACTERISTICAS ESTATICAS COMPLETAS, CAPACITANCIAS INTERNAS 317 EI modelo aumentado hfbrido 7 de la figura 4.64 se puede utilizar para halla la resistencia de sada de ta configuracién de base comin, que es la inversa de la pendiente de las lineas caracterstcas ‘ic — vende la figura 4.63. Para hacer eso, simplemente conectamos la base a tierra. dejamos el emisor a circuito abierto (porque izes constante), aplicamosun voltaje de prucba entre colectory tierra, hallamos Ja corriente tomada del voltae de prueba. El resultado (problema 4.119) es que la resistencia de salida cs aproximadamente igual al paralelo equivalente de r, yr. ¥ asi es muy grande. Curvas caracteristicas de emisor comin ‘Una forma altemativa de presentar gréficamente las curvas caracteristicas del transistor se muestra en la figura 4.65, donde se traza una grifica de ic contra Uce para diversos valores de la corriente Ge base ip. Estas curvas caracteristicas se miden en una forma diferente de las de la figura 4.15. Mientras que en el sltimo caso vse se mantiene constante para cada curva, ahi iy se mantiene constante. Como resultado de esto, la pendiente de la regién activa es diferente de I/r; de hecho, la pendiente es mayor. Por medio del modelo hibrido x de la figura 4.64 se puede demostrar que la resistencia de saida de la configuracién de emisor comin, con ip mantenida constante, es aproxi- ‘madamente igual a (r//(ry/)}; véase el problema 4.120. La regiGn de saturacion es evidente también en las curvas caraceristicas de emisor comin de la figura 4.65. Vemos que mientras el transistor dela region activa acta como fuente de coriente con una clevada (pero finita) resistencia de slida, en la regién de saturacién se comporta como un “interuptor cerrado” con una pequeta “resistencia de cieme” Raw Como las curvas caracterstcas estin to- das “agrupadas” en saturacién, mostramos una vista amplificada de la porcin de saturacién delas curvas caracteristcas ena figura 4,66, Nétese que las curvasno se extienden directamente al origen. Dehecho, ‘para un valor dado de ig a curva caracteristca ic— Uce en saturacin se puede aproximar por una linea recta que cruzael je verenun punto Venn como seiustraen|afigura 4.67. El voltae Vengsse enomina Regin de saturacién Phe Region activa Fig. 4.68 Curvas caractristicas de emisor comin. Nétese que le escala horizontal estéexpandida alrededor el origen, para demostra a regién de sauracin en algin detalle.334 318 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) .66 Vista expandida de las cur ‘vas caracteristcas de emisor comin en laregion de saturacién, 0 01 02 03 04 05 08 07 08m, ‘voltaje de desnivel del interuptor a transistores. Los transistors de efecto de campo (capitulo 5) no ‘exhiben estos voltajes de desnivel y por lo tanto son mejores interruptores, pero, en cambio, los FET ‘Presentan valores mis altos de resistencia de ciere. Finalmente, nétese que el comportamiento del BIT fen saturacién, como se describe en la figura 4.67, sigue més bien cercanamente al pronosticado por la ‘ecuacién (4.114) que se deriva del modelo Ebers-Moll La Bde un transistor ‘Ya antes definimos la 6 como la razén entre la corriente total del colector y a corriente total de la ‘base cuando el transistor esté operando en el modo activo. Seamos més especificos. Supongamos que el transistor esté operando a una corriente de base /so, una corriente de colector fog yun voltaje centre colectory emisor Vcgo- Estas cantidades definen el punto Q de operacién o polarizacin en la figura 4.65. Larazin entre log Isprecibe el nombre de f de cdo hre(larazén de este titimo nombre es que (es el pardmetro h de polarizacién directa en la configuracién de emisor comin; véase el apéndice B), (ais) ig. 4.67 Una de ins curvas ca- racteriticas ic uce en la region ode = genni Nate gre me sep mde ann ol ne Your Fennel nabee ace 0 Veron vee335, 4.18 CURVAS CARACTERISTICAS ESTATICAS COMPLETAS, CAPACITANCIAS INTERNAS 319 ‘Cuando el transistor se utiliza como amplifcador, primero se poariza en un punto como O. Las sefales aplicadas producen entonces cambios incrementales en is, ic ¥ Uce alrededor del punto de polarizacién. Porlo tanto, demos definiruna de ca incremental como sigue: sea constant el vote ‘entre colector y emisor en Verg (para eliminar el efecto Early), y cémbiese la coriente de base en un incremento Aig. Sila corrente de colector cambia en una cantidad de incremento Ac (véase la figura 4.65), entonces £2, (0g como se denomina por lo general) en el punto de operacién 0 se define como 19) El hecho de que tice se mantenga constante implica que el voltae incremental v, sea cero; por lo tanto, hg recibe el nombre de ganancia de corriente en cortocircuito. ‘Cuando efectuamos un andlisis a pequefiesefal, 1a que usamos debe ser laf de ca (hy). Pot ‘otra parte, si estamos analizando o disefiando un circuito de conmutacin, Sx (ire) esa Gapropiada. La diferencia en valor entre f. y By Suele set pequefia, y normalmente no distinguimos entre las dos, pero un punto que merece la pena de mencionarse es que el valor de 8 depende del nivel de cortiente del dispositivo, y la relacin toma la forma que se muestra en la figura 4.68. Los procesos fisicos que dan lugar a la relacién estén fuera dl alcance de est libro. En Ja figura 4.68 se muestra también la dependencia de 8 respecto de la temperatura. En la seccién 4.9 se estudia el andlisis grfico de circuitos con transistores, Se demostré que, ‘para aplicaciones de amplificadores, el BJT se polariza en un punto de polarizacién (o punto de trabajo estético) en la parte media de su regiGn activa. Aqui deseamos demostrar gréficamente un [BIT que opera en la regién de saturacién, En la figura 4.69 se ilustra una recta de carga que corta la curva caracteristica ic Uce en tn punto de la regién de saturacién. Notese que, en este caso, cambios en la corriente de base resultan en muy pequefios cambios en icy tice ¥ que en saturacién 1a f incremental (A,) €s muy pequetia. hee B) 40} 1 10 1 10) 10° 0 es) (1 mA) (10 ma) (100 mA} Fig. 4.68 Dependencia tipica de con respecto a Je y temperatura en un modemo transistor de cicuito imtegrado, npn, de silico, destinado para operacién a alrededor de 1 mA.336 320 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) Recta de carga Vee vee Fig. 4.69 Vista expandida dela porcién de soturacin de las curvas caraceristcas, junto con una recta de ‘carga, que resulta en operacién en un punto O en la regién de saturaci6n. Ruptura del transistor Los maximos voltajes que se pueden aplicar a un BJT estén limitados por los efectos de ruptura en las uniones entre emisor y base y entre colector y base, que siguen al mecanismo de multiplicacién de avalancha descrito en la seccién 3.3. Considere primero la configuracién de base comin. Las ccurvas caracteristicas ice de la figura 4.63 indican que para ic = O(estoes, con el emisorabierto) la unién entre colector y base se rompe a un voltaje denotedo por BYcgo. Para ie > 0, la ruptura ccurre a voltajes menores que BY cao. Tipicamente, BV cao ¢s mayor de 50 V. ‘A ccontinuacién consideremos las curvas caracteristicas de emisor comiin dela figura 4.65, que ‘muestran que la ruptura ocurre a un voltaje BVceo. Ai, aun cuando la ruptura es todavia del tipo de avalancha, los efectos sobre las curvas caracteristicas son més complejos que en la configura- cin de base comiin. No explicaremos estos detalles; es suficiente apuntar que tipicamente BVceo es de alrededor de la mitad de BVcgo. En las hojas de datos de un transistor, BVceo se menciona veces como voltaje de sostenimiento LVcco. Laruptura en la unién entre colector y base en cualquiera de las configuraciones, base comin © emisor comiin, no es destructiva mientras la disipacién de potencia del dispositivo se mantenga dentro de limites seguros, pero éste no es el caso con la ruptura de la unién entre emisor y base; ésta se rompe en una avalancha @ un voltaje BVego mucho menor que BYcso. Tipicamente, BV sao esté entre 6 y 8 V, y la rupture es destructiva en el sentido de que la @ del transistor se reduce de ‘manera permanente, Esto no evita el uso de la unién entre emisor y base como diodo zener para generar voltajes de referencia en diseios con circuitos integrados. En tales aplicaciones, sin embargo, no nos ocupazmos del efecto de degradacién de 3. En el capitulo 10 se estudia una > wC,, resultando en hye eS T¥sCe+ Cre Entonces Be he RCC eee donde 64 es e valor de a baja frecuencia. Entonces he tiene una respuesta a polo sencillo con una frecuencia de 3 dB aw=w,donde 1 Go Enla figura 4.72 se ilustra una gréfica de Bode para fil, Dela pendiente de ~6 dB/octava se deduce ‘que la frecuencia @ la que [ie cae a la unidad, que se denomina ancho de banda de ganancia ‘unitaria wy, esté dada por (4.128) or fy (4.129) Entonces So oo (4.130) y fee (4.131) “TCG El ancho de banda f; de ganancia unitaria suele especificarse en las hojas de datos de transistores. En algunos casos fr se da como funcién de Jc y Vee. Para ver cémo cambia f; con Jc, Vd (8) 3B Fig. 4.72 Diagrama de Bode =6 aByocava ara ow 6 oro (esas : Togarfumica)341 4.15 CURVAS CARACTERISTICAS ESTATICAS COMPLETAS, CAPACITANCIAS INTERNAS 325 tr Fig.4.73 Variacién def; con le Ie recordemos que ga es directamente proporcional «Ic, pero sélo parte de C, (Ia capacitancia de difusidn C,) es directamente proporcional a Jc. Se deduce que fr decrece a bajas corrientes, como se muestra en la figura 4.73, Sin embargo, el decremento en fr alts frecuencias, que también se ‘muestra en la figura 4.73, no puede ser explicado por este argumento; mas bien se debe al mismo fendmeno que ocasiona que By se reduzca a comientes elevadas. En la regién donde Fr es casi ‘constant, C,esté dominada por la parte de fusion. Tipicamente, fresté entre 100MiHzy decenas de GHz. El valor dese puede usar en laecuacién (4.131) para determinar C, + C,. La capacitancia C, suele determinarse por separado al medir la capacitancia entre base y colector al voltje Vee de polarizacin inversa. ‘Ames de salir de esta seccién, mencionaremos que el modelo hibrido 7 de Ja figura 4.71 caracteriza la operacién de un transistor en forma més bien precisa hasta una frecuencia de unos (0.2u, A frecuencias mayore, tenemos que sumar otros elementos pardsitos al modelo asi como redefinir el modelo para tomar en cuenta el hecho de que el transistor es en efecto una red de ‘parimetros distibuidos que tratamos de modelar con un eircuito de componente aglomerado, Un refinamiento como éste consiste en dvidirr, entre varias partes y sustituir C, por varios condensa~ ores, cada uno conectado entre el colectory una de las derivaciones der. Este tema esté fuera del alcance de este libro. ‘Una observacién importante, desde el modelo de alta frecuencia dela figura 4.71, es que a ‘recuencias arriba de $a 10 se puede hacer caso omiso dela resistencia ,. Se puede ver entonces aque r, se convierte en la nica parte resistiva de la impedancia de entrada a altas frecuencias. -Entonces r, desempefia un papel importante para determinar la respuesta en frecuencia de cicutos con transistores a altasfrecuencias, Se concluye que una determinacién precisa de r, debe hacerse a partir de una medicion a alta frecuencia Ejercicios 4.44 Encuentre Can Gur Cos Cy ¥ fr ara un BIT que opera a una comiente de od de colector Je = 1 mA y una polarizacin invers de i unién entre colectr y base de 2 V. El dspositivo tiene 7-= 20 ps, Ca = 20 fF, Cya= 20 fF, Yue = 09 V, Yoe= OS Vy meas = 033 Resp. 0.8 pF; 40 F; 0.84 pF; 12 F; 747 GHz342 326. TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) 4.45 Para un BIT operado a Jc=1 mA, determine fry C, si C, =2 pF y gl = 10.8 50 MHz Resp. 500 MHz; 10.7 pF 4.46 SiC; del BIT del cjercicio 4.45 incluye una relativamente constante capacitancia de 2 pF de la capa de agotamiento, encuentre fr del BIT cuando opere a [c= 0.1 mA. Resp. 130.7 Miz i 4.46 EL MODELO SPICE DE UN BJT Y EJEMPLOS DE SIMULACION ‘Asi como se hizo con el diodo en el capitulo 3, se concluye este capitulo con la presentacién del ‘modelo que SPICE usa para el BIT. También se demostraré el uso de SPICE en la simulacién de dos de los circuitos estudiados en este capitulo.” El modelo En a figura 4.74 se ilustra un modelo SPICE de un BIT & gran sefal. Aqui, las fuentes de corriente ice fgestén controladas por vse ¥ usc de acuerdo con las relaciones especificadas por el modelo de transporte de la figura 4.59. Debemos observar, sin embargo, que mientras Ja constante n (lamada coeficiente de emisién) en los exponenciales es la unidad en el modelo de transporte, el modelo SPICE considera valores no unitarios para n, y ademés utiliza diferentes valores para la unién entre ic T Ces $ (Sustrato) Fig. 4.74 Modelo de un BIT a gran seal empleado por el programa SPICE. Las fuentes de corriente ig fc estan controladas por vse y vac y se obtienen del modelo de transporte que se iustra en Ia figura 4.59. Los resistores re, re rc Fepreseatan la resistencia Shmica de las regiones de la base, emisor y colector,respect- vamente. Los condensadores Cze y Cyc no son lineales, y cada uno incluye una componente de unin y una ‘componente de difusién. El condensador Ccs es una capacitancia de uni6n y esté presente s6lo en dispostives. 4e circuito integrado. 5 7 Les lectres que no conozcan bien e! uso del programa SPICE deben consltar el apéndiceC,o bien, para mayor exe, consulten la obra de Robersy Sedra, 1997,343 416 ELMODELO SPICE DE UN BJTY EJEMPLOS DE SIMULACION 327 base y emisor (denotados n,)y la unin entre base y colector (denotados m,). Como se indica en la figura 4.74, el modelo SPICE incluye las resistencias éhmicas para laregién del colector(rc)y la regiGn del emsor (,) ast como Ia de laregién de la base (7). ‘La operacién dinémica del BIT esté modelada por dos capacitancias no lineales, Caz ¥ Co ‘cada una de las cuales en general incluye una componente de difusién y una componente de capa de agotamiento (o unin). El modelo también incluye una capacitancia C., de agotamiento para la unin ente el colector y el substrato de transistores de cireuitos integrados, ara pequeias seiales, el modelo SPICE se reduce al modelo hibrido aumentado con rere ¥ (para transistors de circuitos integrados) C., El modelo SPICE incluye ms de 40 parametyos, casi la mitad de los cuales aparece en la tabla 4.5. La otra mitad son os pardmetros que son especificados por el usuario solo cuando se requieren Tabla 4,5 " Parémetros de modelo de! SPICE para un BJT (lista parcial) Nombre Valor ed Corrente de sarurecén de wanspore ts 8 A ix Mizimna ganancia de corinte directa fob, BF S 100 Coeficiente de emisién ” F = 1 deconene directa Volsje Early direco ¥% var v - Maxima ganancia de coriente inverse BR = 1 Coeficiente de emisién = i de conente inversa, Vola Early inverso - VaR = oF Tiempo de tinsito dre ideal 7 F 5 ° Tiempo de rénsitoinverso ideal ™ ™® 5 ° Resistencia dhmica de emisor " RE 2 0 Resistencia dhmica de coletor re RC 2 o Resistencia dhmica de base n RB 2 Q sin polrizacign ‘Capactncia de unién Geo cx F o ‘aseemisor sn polaizacion Coeficiente reguador my MIE = 033 dd nin base-emisor Vote temo de unin base-emisor You vie v o7s CCapacitncia de urién Go csc F ° tasecolector sn polaiacion Coeficiente reglador me) MIC = 033 de unin baze-colector Vota itero de uniénbase-colector Yue vic v ars Capacitncia de subaato de colecor Con os F ° ‘in poarzacion Coeficiente reguadordeunién = Mis = 033 de colector subst otis intemo de unién colesorsubsiato ws v 075 SEE344 328 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (8JT) simulaciones muy precisas y detalladas, y estin consideradas fuera del alcance de este libro, De Ihecho, varios de los pardmetrs de la lista parcial dela tabla 4.5 por lo general no se necesitan en Ja mayor parte de las simulaciones de crcuitos. El lector debe reconocer la mayor pate de los parimetros de la tabla 4.5. Nétese quel usuario puede especificar un valor para cualquiera de estos pardmewos; en ausencia de un valor especii- cado por el usuario para un parémetro en particular, SPICE utiliza el valor predeterminado que se indica, Por ejemplo, sino se especifica un valor para Vel efecto Early noes tomado en cuenta por el SPICE. Aun cuando no hacer caso del voltae Early puede ser algo serio en algunos circuitos, lo mismo n0¢s cierto, por ejemplo, para el valor del voltae inverso Early, ‘Antes de dejar el modelo SPICE, es apropiado un comentario sobre 8. El usuario puede especificar valores para fr y Bp, que SPICE interpreta como sus méximas valores (contra la corriente de operacin). SPICE utiliza un modelo dependiente de la coriente para 8, y el usuario puede especificar otros parimettos (que no se muestran en la taba 4.5) para este modelo. Ademiés, ‘SPICE calcula valores tanto para 8, ¥ S,., los dos pardmetros que por lo general suponemos son aproximadamente iguales. Para transistores discretos, los pardmetros de modelo se pueden determinar a partir de datos especificados en las hojas de datos del dspositvo, complementados si es necesario con medicio- nes clave. Esto se la hecho para muchos de los dispositivos comercialmente disponibles, y los pardmetros de modelo se pueden obtener de vendedores o de versiones de SPICE que se pueden encontrar en el comercio. Para transistores de crcuitos ntegrados, los parimetros de modelo estin determinados por el fabricante de IC que utiliza tanto mediciones sobre dispositivos fabricados como el conocimiento de los detalles del proceso de fabricacién EJEMPLO 4.17: ESTABILIDAD DEL PUNTO DE POLARIZACION SPICE se puede utilizar para verificar el disefio de polarizacién de un amplificador con BIT, asi como pare investigar la estabilidad del punto de operacién de cd. Esta itil aplicacin del SPICE se ilustra por medio del circuito de polarizacién convencional que se ilustra en la figura 4.75, Nétese que la fuente de valor cero en serie con Re esté incluida para permitimos pedir al programa SPICE que calcul la corriente Je (véase el apéndice C). Fig. 4.75 Circuito para inves- tigar la estabilidad de potariza- cién con el SPICE. El archivo de entrada de este programa apare- een el apéndice D.345 4.16 ELMODELO SPICE DE UN BJT Y EJEMPLOS DE SIMULACION 329 La comente de od de emisor se puede hallr usando el sencillo modelo de caida constante de Vas, suponiendo Vag 0.7 V y B= 100. Ei resultado 5 fe=0.99mA, fe=1 may Vom 8. Para el anlisis del SPICE, usaremos un transistor comercialmente disponible, el 2N2222A. ‘sus parimetros de modelo SPICE se incluyen en bbliotecas de dspositivs, que se pueden obtener de varios vendedores del programa SPICE. Para investgar a estabilidad de polrizacin uilizamos ‘una funcién particular del SPICE, es decir, el comando SENS. Este comando ordena a SPICE tjecutar un anilisis sensible de una cantdad de interés de salida en particular, en este caso la ale Oxix” ‘una componente de circuito (por ejemplo Rz) o un pardmetro de transistor (por ejemplo, 9). Estas "derivadas se pueden usar para deterhinar Ia variacién experada del valor de /— como resultado de ‘una variacién ‘conocida del valor de tina componente (por ejemplo la tolerancia del valor del resistor). La lista del archivo de entrada SPICE, incluyendo los parimetros de modelo, esté dada en el apéadice D. La salida SPICE proporciona el siguiente punto de operacién de cd: c= 0.967 mA, 1.961 mA, Ve = 0.643 V, Vo= 8.157 V. Si recordamos que en nuestros cdlculos a mano usamos valores aproximados de Vse y £9, y despreciamos por completo el efecto Early, los resultados de la simulacion son sorprendentementecereanos alos del andlsis sproximado. La salida del SPICE proporciona valores para las sensibilidades normalizadas de J. relativas a todo componente de creuito y pare de transistor. De éos, itamos silo dos: 3 '= ccorriente de emisor Js. El resultado del andlisis es un conjunto de derivadas. donde xrepresenta 914% lotary salina, 695 x10" AM%, Por lotanto, si Rees un resistor al 5%, por ejemplo, esperariamos que su variacin result ei una variacién en Jp de"#4S.7 yA, que es alrededor de 20.5%, un resultado razonable ante el hecho de que Re determine directamente Je, De manera semejante, la variacign en el valor de Jz resultante de, digamos, un cambio 220% en fp, se de 454 wA, 0 una de 40.5%. Esta sensiblidad relativamente baja del valor de 6 es obviamente una propiedad deseable y demuestra la excelencia de esta dstibucién de polarizacién. El SPICE realiza sus célculos suponiendo operacin a temperatura ambiente (25 227°C), pero se puede utilizar otro comando del SPICE para ordenarle ejecuteandlisis a varias temperaturas entre rargenes especificados. No perseguiremos este objetivo en este punto, pero pedimos al lector que lohaga. EJEMPLO 4.18: OPERACION DEL AMPLIFICADOR DE EMISOR COMUN Para nuestro segundo ejemplo, utilizaremos el SPICE para investigar la operacién del circuito ‘amplificador de emisor comiin de la figura 4.76. Observemos que estamos usando condensadores 50 V.Parai> 0, el voliaje derupturaes menor 6 BV cao En la configuracién de emisor comin, el volaje de rupture expecificado es BVeco, que es alrededor de la mitad 4 BVcgo. La unién entre emisor y base se rompe a una polarizacioninversade ene 68 V.Estarupturaporlo general ‘ene un efecto adverso en, 1m La opeacién a poqueti seal yal frecuencia el BIT se smuestapormedio del modelo hibrido x dele fgura470. Aqui. Car * Cy donde Ca ™ Tn ¥ Cy 6 a capacitancia dela ni inverimentpolrzada ene colector base 128 (0 hy) del wansstor cae con la Secuencia a azn de 20 aBidécaday se hace utara a la ecuncia fr = go27 C+G). ‘J.Millman y A. Grabel, Microelectronics, 22, ed, MeGraw- Hill, Nueva York, 1987. D.L. Pulftey y N. G. Tart, Intraduction to Microelectronic Devices, Prentice-Hall, Englewood Cliffs, NI, 1989. J. M. Rabaey, Digital Integrated Circuits, Prentice-Hall, Englewood Clif, NJ, 1996. G. W. Roberts y A. Sedra, SPICE, Oxford University Press, Nueva York, 1997. C.L, Searle, A.R. Boothroyd, E. J. Angelo, Jr, RE. Gray y D. O. Pederson, Elementary Cireuit Properties of Tran- “tors, vol.3 dela Serie SEC, Wiley, Nueva York, 1964,Prosiemas Seccién 4.1: Estructura fisica y modos de operacion 4.4 Los voliajesienminales de diversos transistoes npn se ‘iden durante operacion en sus respectivos cicuitos on los siguientes resultados: caso B Modo 1 ° 07 07. 2 ° os on 3 07 0 07 4 07 ° 06 3 07 o7 ° 6 27 + 20 ° 7 ° ° 50 Bor ° 5.0 Enestatabla, donde los elementos de entrada estin en volts, 0 indica el terminal de referencia al que est cconectade Ia punta negra (negativo) del voltimetro Para cada caso, idefique el modo de operacién del ‘wansistor.(Nétese que el caso 5 es un poco engafoso: para entender esta situaciGn se debe tomar nota que, ‘aun cuando el transistor no es simético, puede operar ‘on Jos papeles del emisor y colectorinteeambiados ‘en un modo llamado invertido.) ‘Seceién 4.2: Operacién del transistor npn enel modo active 4.2 Un tasistr npn tiene un drea de emisor de 10 ym x 10 um. Las concentraciones de contaminacién son: ‘enelemisor, Yo= 10cm; en abase, Na 10cm? ys en el colecor, Np= 10'em?. El transistor opera a T= 300K, donde n = 1.5 x 10" em’, Para electrones aque se difimden en la base: L,= 19 um y D, = 21.3 cm/s, Para huecos que se difunden en el emaisor: Lp = 0.6 yam y D, = 1.7 emis. Caleule Jey 8 suponiendo aque el ancho W dela base @ Lem ©) 2pm © Sum 349 PROBLEMAS 333 Paral caso (0s fe= 10, enn ff Vary iS pres iors aia Base, Gugerencia y= L/p Recuerde qe cage tlecstnea es q= 1.6% 10" caulombs 443 Dos tense, bcados conf mina eolgia pve con diferets dress de ug, cuando operah 4 {vole de 0.69 V entre base yemisor denen co rene de colector de 0.13 y 109 mA. Encueate a cadano de els ;Cadlessonfas res relatives Ge unin? 44 En un BIT en particular, I coment de base es 75 HA. la coniete de colector es 940 uA. Encuete oa pa ee dispositive. 445 Se eneuena que las medicionestomadss en vasios transstores estin incompletas (0 posblemens en enc) Se miesran datos daponibles. Ensen la infrmacin fatante ys eels, y dee oon Sines slash. Dispositivo ic(mA) ig(mA) ie(mA) a 8 a 100 102 100 > 002 1.12 e 0.63 0984 63 a 980) 99.0 0.990 98 e 0.001 0.011 10 f 100 02101 100 e 101 01 100 099 bh 0990 0.010 9 i 0.015 0995193 4.6 Para un transistor npn en particular, comectamente polarizao, se mide In comiente de calectory se ex- Cuenta que et 1 mAy 10mA pre votajes ene base Y emisorde0.63V 0.70V,respetvament Encve- tre valores comespondintes deme Is para este tra sistor Si dos de esos dispositive estén coneeados em parleloy se aplican 065 V entre bat y emisor combinados en Ia dreccién de conducié, eu corrente otal de coletor expera elector? 4:7 Demesre qv para un ransiior con a carcana a ia winds cambia en una canta puct prude (Go), el eoeapendente cambio en 3 por wad eh dado sproximadamente por350 334 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) =6(%) Cy) Encuentre A6V6 para G= 100 y cr cambia en 0.1%. 4.8 Considere los modelos de BIT a gran sefal que se ‘nuostran en las figuras 4.5(6) y (d). 1. Entonces demuestre ‘que el valor minimo de la resistencia incremental Reem 8 Obtiene al operar el BIT a una comiente de colector de Grle2 (eto ©, & Bais = Be2)y que et valor de la resistencia minima es aproximadamente 4V iB. Al extrapolar Ia tangente recta correspon- diente a este valor de resistencia incremental minima }, demuestre que una estimacion del voliaje de desnivel para este caso es Vs{in (35x) ~2]. Caleule l valor minimo de Rory el voltae de desnivel, para Ips Ln, p= 50y f= 01. Con la informacion dada en la tabla 4.4, ace una aréfica de Veesy conta ic para un transistor operado @ ‘una corriente de base constante/g = I mA. Estime el valor minimo de su resistencia incremental de satura- cidn Rena = QUcew/dic. Convénzase el lector a si mismo que este minimo se presenta en ic * Grlg2. Extrapole le tangente recta de pendiente igual a la ranma Reswe para obtener una estimacion para et volts de desnivel del interuptor con BIT. Compare ss resultados con los obtenidos enel problema 4.108. “4.410 vant Seocion 4.1 an 4113, Da.t14 365, PROBLEMAS 349 ‘Para un transistor npn con emisor a tierra para el que Be= 100 y Be = 1 en un crcuto en que Jp = 1 mA, YY Brat = 10: (@) Calcule y marque todas las comientes de las amas del modelo EM que se muestra ena figura 455. Si Js 10°" A, encuemte los votses entre las os uniones y Vera Verifique el valor de Vera: encontrado en (b) por medio de la ecuacién (4.114), ‘Si el alambre del colector se comta mientras per- smanecelaconexién dela bas, encuentre nuevos valores de Vee, Vac¥ Veew. Un BIT con comiente de base fija tiene Vem de 60 ‘mV con el emisor conectado a tera y el colector 8 circuito abierto, Cuando el colector est a tiers y el cexaisor a circuit abiero, Veeu:S® convierteen—1 mV. Estime valores para fey Be para este transistor. © © ® Inversor légico basico de BT Considere el cireuito inversor de le figura 4.60. En el ‘jercicio 4.41, a siguiente expresin se da para Vow ‘cuando el inversor excita W inversoresidénticos Vou = Veo~ Re ee on Veo Re Ree Ry Para los mistos valores de componente utlizados nel andlsis del texto (edocs, Veo = $V, Re= 1 KO, Ry= 10kAy Vag™0.7 V),enchentze el maximo valor de W que todavia garentice un elevado margen de uo, WM, de por lo menos 1 V. Suponga G= 50 Vee =02V. 1 propésito de exe problema es halla a dsipaién de potencia del creuitoinversor dela Ggura 4,60 en cada uno de sus dos estads. Suponga qu los valores, de components son como sedaen el todo (es deci Voo= 5, Re= 10, Rg" 100 Vag= 0.7 V). (2) Con ia enraa baja 20.2 V, el tansistor est en come, Higase que el inversor excite 10 inveso- residenjcos Enevente la conte total pica- da poreliaversor y de esto encuentra potencia disipad en Re (Con la entrada alta y l transistor serra, en- ‘ouentre Ia poteaca disipada en el inversor,des- ‘recando la potenciadsipadaen el ccuto de base ‘sie los resultados de (a y (para halla el promedio de disipacién de potenia dl inversor. Diseie un invereor de tansstres para operar desde una fuente de 1.5 V. Con la entrada conectada a la © ©366 350 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT) fuente de 1.5 V por medio de un resistor igual a Re, la potencia total disipada debe ser 1 mWy la forzada debe ser 10. Utilice Vee = 0.7 V y Veem™ 0.2 V. 4.116 Para el circuito de ta figura P4.115, considere la splicacion de entradas de 5 Vy 02 VaXy Yen ‘cualquier combinacién,y encuentre el volaje de sali dda para cada combinacién. Tabule sus resultados. {Cudntas combinacfones bay? ;Qué ocure cuando ‘Sualquier entrada es alta? ,Qué oeurre cuando ambas ‘entradas son bajas? Esta es una compuertalégica que pone en prictica la funcién NOR: Z= X+ ¥. 4.416 Considere el inversor dela figura 4.60con un conden sador C de carga conectado entre el nodo de salida y tierra. Deseamos hallar Ia aportacin de C al tiempo e respuesta de bajo a alto del inversor, try. (Para Ja definicién formal de retardos de inversor, vase la figura 1.35.) Con estefin, uponga que antes que‘= 0, eltransistorconduce esti saturadoy vo Vox Vesa Entonces, a¢= 0, higase que la entrada caiga al nivel bajo y suponga que el transistor no conduceinstanté- reamente. Nétese que desprecar el tempo de corte de un transistor saturado s una suposicién no realisa, peronos ayuda a concentramosen el efecto de C. (Los retardos de conmutacién de tansstores se analiza en cl capitulo 14.) Ahora, con el transistor en corte, el condensador se carga a través de Rc, y el volta Ge salida se levard exponencialmente de Vox = Voss. a Vou = Vcc. Encuentre una expresién para vg) CCaloule el valor de fey, que en este caso es el tient po para que tg seelevea! (Voy + Vou). Utiice Voc = 5V,Vesuc=0.2V, Re= 1Ki2y C= 10pF.(Sugerencia: La respuesta transitoria de cireitos RC se repasa en la seccién 1.7 y en mayor detalle en el apéndice F.) “4.117 Consider el circuit inversor dela figura 4.60 con un condensador de carga C conectado entre el nodo de salida y tierra, Deseamos hallar la aportacién de C al ‘tiempo de respuesta de alto abajo del inversor, ton. (Para la definicion formal de os retardos en inverso- res, véase la figura 1.35.) Con este fi, suponga que ‘antes que = 0, el transistor esti en corte y vo = Vow = Vee. Entonces a= 0, higase que la entrada se eleve al nivel alto y suponga que el transistor conduce ins- ‘antineamente, Nétese que despreciar el tiempo de respuesta del ransistorno es realista peronos ayuda a cconcentramos en el efecto de la capacitancia de car- aC. (Los retardos de conmutacién de transistores se analizan en el capitulo 14.) Ahora, como C no se puede descargar instantineamente, el transistor no se puede saturat de inmediato; més bien, operard en 1 modo activo y su colector produciré una corriente constante de J Vee ~ VaeRa. Encuentze el cireuito ‘equivalente de Thévenin para descargar el condensa- +5V dor demueste qu e voluje cer exponen tne, comenands ea Very Gino hacia un gran voltaje negativo de [Vor ~ Voc ~ Vas)Ro'Re)- ecomane wan expresién para o() Ea Scars txponencal ee deen cuando vp Uegoe» Vo eoay eltrantitor enue Cale stvala ef, gue th exe cso ex el emp para qu ty signa Tvs os) Ue Voc 3V uu 02 Yc 0.7 V, Rg= 10kQ, Ro= 1kQ,, 30 y C= 10 pF. Si ¢l lector a eset problna 4.116, compare el valor de tp, con el de tp encontrado abi, y halle Cl read del invest, in ugernc: La reaps trmora de dress RCs rpm cn asecn 1.7 yen mayor dill en el ptndeeF) 4.418 Considere a distribucién de almacenamiento de carga 4e portadores minoritarios en la base de un transistor saturado [véase la figura 4.62(b)}. Si el wansistor se leva a mis saturacion y vac aumenta en 0.1 V (por ejemplo, de 0.5 a 0.6), ccudl es el correspondiente ‘aumento en la carga almacenada que no contrbuye al agadiente (es decir, la carga representada por el érea ‘sombreada en gris)? Seccién 4.15: Curvas caracteristicas estéticas completas, capacitancias internas y efectos de segundo orden “4.419 Uitilice el modeto hibrido 7 de la figura 4.64 para ‘obtener una expresin para la resistencia de slida del BJT de configuracin de base comin. Parahacer esto, conecte a tierra la base, deje el emisor en cireuito abierto y aplique un voliajede prueba u, entrecolecror