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+
controle
,igura 1.2.3
NPN
,igura 1.2.1
PNP
coletor base
coletor
emissor
emissor
NPN
,igura 1.2.5
PNP
o nome de h,-. ? um n>mero #astante inst!vel e varia individualmente entre peas de um mesmo tipo. ,elizmente, para usar o trans%stor como chave liga e desliga, este valor no " cr%tico. @asta garantir que, quando o sinal " aplicado A #ase, uma corrente pr$&ima ao m!&imo admiss%vel flua por este terminal. * valor desta corrente " determinado por um resistor. -ste resistor no pode ter uma resist'ncia muito pequena para no ultrapassar o valor limite de corrente na #ase, dado pelo fa#ricante. Bem#re que a #ase " ligada ao emissor como que atrav"s de um diodo, podendo haver um verdadeiro curtocircuito em caso de uma ligao direta A alimentao /( (0 ou ao terra / ( 0. -ste resistor tam#"m no pode ser muito grande, pois " fundamental ao funcionamento do transistor como chave que a corrente de #ase provoque o m!&imo de conduo entre o emissor e o coletor. Csto porque neste ponto, a queda de tenso no transistor /entre o emissor e o coletor0 ser! penas os 7,89 devidos A #arreira de tenso /diodo0 e a pot'ncia dissipada ser!:
Daso o transistor no esteja conduzindo completamente, a queda de tenso ser! maior que 7,89 e a pot'ncia dissipada pode su#ir perigosamente. A ta#ela 1.5 apresenta valores de resistores que permitem a passagem pela #ase de 3E32 da corrente m!&ima de coletor /corrente m!&ima do transistor0. -ste valor quase sempre garante a saturao dos transistores de #ai&a e m"dia pot'ncia. Transistores Darlington *s transistores de pot'ncia geralmente t'm ganhos menores e precisam correntes altas na #ase para a plena conduo. or e&emplo, um transistor 1(5722 pode e&igir 5A para controlar uma corrente de 32A. ara solucionar este pro#lema, e&iste um tipo de transistor #ipolar que se chama Darlington, e nada mais " do que dois trans%stores em um >nico encapsulamento, conforme mostra a figura 1.2.F. (este caso, o valor de h,- " muito grande, e uma corrente #em pequena na #ase j! leva o trans%stor ao estado de plena conduo. * preo pago por esta sensi#ilidade A corrente " o fato de que aqui a #arreira de tenso " o do#ro /dois diodos0, e ! preciso que a tenso na #ase tenha uma diferena de 3,19 em relao ao emissor para que comece a ocorrer a conduo. Mosfet de potncia canal N -ste outro tipo de trans%stor funciona de forma diferente dos anteriores. Aqui a resist'ncia entre dois terminais, o dreno /drain0 e a fonte /source0, " determinada pela tenso aplicada a um terceiro teminal, a porta /gate0. * dreno " ligado A alimentao positiva atrav"s da carga e a fonte " ligado ao terra. A fonte " as vezes chamada de 4supridouro4. Cnicialmente a resist'ncia entre o dreno e a fonte " um valor muito alto, praticamente um circuito a#erto, mas A medida que a tenso na porta aumenta, esta resist'ncia cai, chegando a um valor que " praticamente um circuito fechado. Geralmente esta
D G S
,igura 1.2.8 - Analogia hidr!ulica de um )osfet de canal (.
conduo comea quando a tenso na porta chega a cerca de tr's volts e atinge a menor resist'ncia poss%vel quando a tenso na porta atinge cerca de 37 volts. Aqui tam#"m " importante que o trans%stor seja levado A plena conduo para que a pot'ncia dissipada seja a menor poss%vel. * valor da resist'ncia do )*+,-. quando ele est! no estado 4ligado4 " fornecida pelo fa#ricante nos datasheets. Domo a pot'ncia dissipada " o produto desta resist'ncia pelo quadrado da corrente, " aconselh!vel escolher sempre o )*+,-. que tiver a menor resist'ncia de estado 4ligado4.
C G E carga
N !"
carga
,igura 1.2.I - A carga no deve ser ligada nem ao emissor, nem A fonte /s0.
+V
E B
+V
carga
(o servem para controlar correntes alternadas. *s )*+,-.+ so mais caros que os trans%stores #ipolares, mas funcionam melhor como chaves. * terminal de controle /#ase ou gate0 tem sua tenso comparada com a tenso no emissor ou na fonte, portanto, no " uma #oa id"ia colocar a carga em s"rie com estes terminais /figura 1.2.I0. Bem#re tam#"m que, entre o emissor e a #ase, o trans%stor se comporta como um diodo e, portanto, no " #oa id"ia acionar os transistores #ipolares ligando sua #ase diretamente A tenso de alimentao ou ao terra. Csto equivale a um curtocircuito /figura 1.2.J0. odemos considerar que os )*+,-.+ possuem uma resist'ncia de entrada /impedKncia0 infinita. Csto significa que no consomem corrente em sua porta, apenas aquela necess!ria para 4encher4 o terminal, devido a uma pequena capacitKncia que deve ser levada em considerao nas altas freq6'ncias. Csto pode ser comprovado pela e&peri'ncia mostrada na figura 1.2.L. * )*+,-., uma vez 4carregado4 com uma tenso positiva em sua porta, permanece conduzindo mesmo depois da tenso ser desconectada. ? preciso 4descarregar4 a porta no terra para parar a conduo. +empre se deve colocar um diodo em paralelo com uma carga indutiva, como mostra a figura 1.2.37. <uando a corrente flui normalmente, o diodo no conduz, mas quando o flu&o de corrente " cortado, o indutor gera uma tenso inversa muito alta, que seria capaz de destruir o transistor se no fosse dissipada pelo diodo.
C carga
N !"
,igura 1.2.J - * acionamento no deve ser feito por ligao direta sem resistor.
+&'V +&'V
corrente %ero
D S
D S
+# $olts
Diodo
Carga induti$a (indutor( rel)( transformador etc*) C+a$e eletr,nica (transistor bipolar( -!S.E/( SC0 etc*)
,igura 1.2.37 - +empre se deve colocar um diodo em paralelo com cargas indutivas.
+&'V
lu% fraca
+3 $olts
,igura 1.2.33
<uando utilizados como chave, com uma corrente ou tenso que garanta a plena conduo, tanto os transistores #ipolares como os )*+,-.+ dissipam pouca pot'ncia, pois a queda de tenso entre seus terminais " pequena. Ainda assim, para correntes muito altas, pode ser necess!rio o uso de um dissipador para garantir o #om funcionamento do componente. -ntretanto, quando no so levados ao estado de plena conduo, dissipam muito mais energia, com o conseq6ente aquecimento /fig. 1.2.330.
+4(5V6 a +34V
+5V BC=>;
B carga C
m78imo de &44 m9
+5V
+5V
B l?mpada pe:uena de 5V C B C
E B C
cada m9 :ue entra na base pro$oca um aumento de &44 a ;44m9 no emissor (+fe< gan+o < &44 a ;44)
desligado
ligado
+4(5V6 a +34V
+5V +5V
Emissor ligado ao +V B E B E
+5V
BC==;
m78imo de &44 m9
B cada m9 :ue sai da base pro$oca um aumento de @= a >@=m9 no emissor (+fe< gan+o < &44 a ;44)
B C
C carga
E B C
desligado
ligado
ma8* '44V
+&'V
l?mpada de farol resistEncia :ue pode ser desde muito bai8a (curto) at) muito alta (megao+ms)
+&'V
D0.5>4
carga D G S ComeAa a condu%ir com uma tensBo de ' a >V no Gate* Condu% &44C com &4V ou mais*
m78imo de &; 9
D S
re sistEncia :ue pode ser desde muito bai8a (curto) at) muito alta (megao+ms)
D S
D G S
desligado
ligado
NPN
Pot max(W) Obs 4(; 4(; /ransistores de bai8a potEncia e uso 4(= geral* ! mais popular ) o BC=>;* 4(= 4(= 4(= Dgual ao =>;( mas com menos ruFdo* 4(; 4(= 4(= Complementar do BC33@* Complementar do BC=>@* Complementar do BC=>;*
*esistncia em srie com a base para uma tens+o %e acionamento %e,-!V "V #$V >@4K 5;4K &444K &'44K &'44K &;44K
PNP
>@4K 5;4K
&444K &'44K
&'44K &;44K
Pot max(W)
Obs /ransistor NPN de uso geral( com capacidade de corrente um pouco maior* Encontrado em encapsulamento met7lico ('N'''') ou pl7stico ('N''''9)* Particularmente popular nos Estados 2nidos*
*esistncia em srie com a base para uma tens+o %e acionamento %e,-!V "V #$V
4(; >4
>4-344
4(=
&44K
&=4K
''4K
B.>#>
NPN
B E C
4(43
'4
5=-''4
4(3
&444K
&;44K
'>44K
Pot max(W)
Obs
*esistncia em srie com a base para uma tens+o %e acionamento %e,-!V "V #$V
&('= a &'(=6 /ransistores de m)dia potEncia e uso geral* &('= a &'(=6 Complementar ao BD&3= Complementar ao BD&3@ Complementar ao BD&3#
>@K
;'K
&'4K
PNP
EC B
&(=
'=-'=4
Imax (A) /DP3&C /DP3'C /DP>&C /DP>'C /DP&'' /DP&'@ /DP&>' /DP&>@ /DP34== /DP'#== NPN PNP NPN PNP NPN-Darlington PNP-Darlington NPN-Darlington PNP-Darlington NPN PNP 3
Obs Pares complementares de transistores de uso geral e alta potEncia* 9 letra LCM no final indica :ue a $oltagem m78ima entre emissor e coletor ) de &44V* L9M indicaria 54V e LBM ;4V*
*esistncia em srie com a base para uma tens+o %e acionamento %e,-!V "V #$V ''K >@K =5K
&4-=4
&44
&=-@=
' a 5=6
&4K
&;K
'>K
&44
&444 (min*)
' a 5=6
>@4K Pares complementares de transistores Darlington de uso geral e alta potEncia* ''4K Par complementar cl7ssico de alta potEncia em ecapsulamento /!-''4*
&444K
&'44K
&4
&44
&444 (min*)
ma8* &'=6
>@4K
=54K
&=
&44
= I @4
ma8* #46
&(=K666
'(@K666
3(#K666
Pot max(W)
Obs
*esistncia em srie com a base para uma tens+o %e acionamento %e, !V "V #$V 3(#K666
Par complementar cl7ssico de alta &(=K666 '(@K666 potEncia em ecapsulamento met7lico* PNP &= &44 = I @4 ma8* #46 6 Depende da temperatura em :ue ) mantido o coletor* Dissipadores e refrigeraABo aumentam a potEncia m78ima* 66 Valores de resistores comerciais :ue dei8am passar uma corrente na base de apro8imadamente &J&= da corrente m78ima do transistor (Dma8)*
*** Valores calculados considerando o ganho (h !" mnimo do transistor. #ara manter a corrente de base em um $alor %e&ueno &ue garanta a %lena condu'(o) este $alor de$e ser calculado de acordo com as caractersticas do circuito) %ois * %oss$el &ue correntes menores garantam a satura'(o (%lena condu'(o". Considere tamb*m a %ossibilidade de substituir o transistor %or outro do ti%o darlington) como o T+#,-2 ou T+#,-..
C9N9P N (en+anced)
&4
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