Instituto Tecnolgico de la Laguna

Electrnica de Potencia Tarea 2 Unidad 1 Dispositivos de Potencia

Alumna: Gabriela Mayte Escobar Salinas - 11130160

Profesor: Ing. Miguel Marn Hernndez

Viernes 31 de enero de 2014

Diodo Smbolo:

Caracterstica V - I

Aplicaciones Diodos de Gama Media: Fuentes de alimentacin Soldadores

Diodos Rpidos Aplicaciones en que la velocidad de conmutacin es critica Convertidores de CD CA

Diodos Schottky Fuentes de alimentacin de bajo voltaje y alta corriente

Fuentes de alimentacin de baja corriente Tipos de Dispositivo Dispositivo Capacidad de Frec corriente/voltaj uenc e ia Max . 4000 V/4500 1k A 1k 6000 V/3500 1k A 20k 600 V/9570 A 2800 V/1700 A 4500 V/1950 20k A 20k 6000 V/1100 20k A 600 V/80 A 150 V/80 A 30k Tiempo de Resistenci conmutaci a en n estado cerrado () 50 100 0.32m 50 100 0.6m 50 100 0.1m 5 10 0.4m

Diodos potencia

de Diodos de potencia

Propsito general

Alta velocidad

5 10 5 100 0.2

1.2m 1.96m 0.14m

Schotkty TBJ Smbolo:

0.2

8.63m

Caractersticas V I:

Aplicaciones Aislador o separador (buffer) Amplificador de RF Mezclador Amplificador con CAG Amplificador cascodo Troceador Resistor variable por voltaje Amplificador de baja frecuencia Oscilador Circuito MOS digital

Caractersticas Elctricas: Transistores de Transisto potencia res bipolares Sencillos 400 V/250A 400 V/40 A 630 V/50 A Darlington 1200 V/400 A 30k 25k 30k 20k 9 6 2 30 4m 31m 15m 10m

MOSFET Smbolo:

Aplicaciones: La mayora de componentes electrnicos estn basados en la aplicacin de MOSFET. Es ideal para controlar motores de mediana potencia en proyectos de robtica. El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia.

Caractersticas Elctricas MOSFET IGBT Smbolo: Sencillos 800 V/7.5 A 100k 1.6 1

Control de motores Sistemas de alimentacin ininterrumpida Sistemas de soldadura Iluminacin de baja frecuencia (<100kHz) y alta potencia

IGBT

Sencillos

2500 V/2400 A 1200 V/52 A 1200 V/25 A 1200 V/80 A 1800 V/2200 A

100k 100k 100k 100k 100k

5 10 5 10 5 10 5 10 5 10

2.3m 0.13 0.14 44m 1.76m

TRIAC

Caracterstica V -I

Aplicaciones: Se utiliza e aplicaciones de mucha potencia Es muy robusto Soporta altas tensiones Puede manejar corrientes elevadas La cada de tensin en conduccin es relativamente baja

Caractersticas elctricas: TRIAC RCT Bidireccional es 1200 V/300 A 5k 50 110 10.4

RCT

2500 V/1000 A

20k

10 -50

0.53m

SITH

Aplicaciones: Caractersticas Elctricas SITH LASCR 4000 V/2200 A 5k 80 -110 10.2m

Aplicaciones: GTO transmisin de cd de alto voltaje (HVDC) compensacin de potencia reactiva esttica o de volt-amperes reactivos (VAR)

Caractersticas Elctricas: GTO HD-GTO 4500 V/4000 A 4500 V/3000 A 5000 V/46000 A Pulso GTO 10k 10k 20k 50 110 50 -110 5 10 1.07m 0.48m 5.6m