S.D.

Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

TRANZISTORUL BIPOLAR
William Shockley fizician american, laureat al premiului Nobel n 1956 mpreun cu J. Bardeen i W.H Brattain. Au pus la punct tehnologia tranzistorului.

3.1 Structura i caracteristicile statice

Tranzistorul bipolar este o structur de trei zone semiconductoare extrinseci (pnp sau npn) realizat ntr-un cristal semiconductor. Ea este prezentat schematic n fig.3.1a i ceva mai aproape de structura real n fig.3.1b. Fiecare zon are un contact ohmic cu cte un terminal exterior. Cele trei terminale se numesc emitor E, baz B i colector C. Denumirile sugereaz funcia pe care o ndeplinete fiecare dintre cele trei zone: emitorul este furnizorul principal de sarcini electrice, colectorul colecteaz sarcinile electrice iar baza poate controla cantitatea de sarcin care ajunge la colector. Dup acelai criteriu, cele dou jonciuni se numesc emitoare, respectiv colectoare.
baza

p
emitor

C
colector

(n)
jonctiune emitoare

(p)

(n)
jonctiune colectoare

Fig.3.1 O astfel de structur se numete bipolar deoarece la conducia electric particip sarcini electrice de ambele polariti, goluri i electroni, cu contribuii diferite la curent n funcie de tipul de tranzistor. n funcie de ordinea zonelor, tranzistorii bipolari pot fi de tip pnp sau npn. Simbolurile lor sunt prezentate n fig.3.2.
E C B C B E npn

pnp

Fig.3.2
45

Tranzistorul bipolar

Din punct de vedere tehnologic structura de tranzistor are dou particulariti: emitorul este mult mai puternic dopat dect baza lrgimea fizic a bazei este mult mai mic dect lungimea de difuzie a purttorilor majoritari din emitor (aprox. 10m) Pentru a exista conducie electric ntre emitor i colector, jonciunea emitoare trebuie polarizat n sens direct iar jonciunea colectoare n sens invers. Un circuit de polarizare a jonciunilor unui tranzistor de tip pnp este prezentat n fig.3.3a. n practic polarizarea jonciunilor se face cu o singur surs de alimentare.
IC RC ICBo EC EE RE IB
n p C

IE

IC

IB

IE

IE a b

Fig.3.3 n fig.3.3b se poate observa modul n care purttorii de sarcin din semiconductor contribuie la formarea curenilor exteriori msurabili: curentul de emitor - IE, curentul de colector IC i curentul de baz IB. Trebuie s subliniem nc odat faptul c la curentul prin tranzistor particip purttori de ambele polariti, n timp ce la curenii exteriori particip exclusiv electronii de conducie din metal. Golurile, care sunt purttorii majoritari n emitor, sunt accelerate n cmpul de polarizare direct a jonciunii emitoare i, n marea lor majoritate, vor traversa baza i vor fi preluate de cmpul electric de polarizare invers a jonciunii colectoare. Fraciunea din curentul de emitor care contribuie la formarea curentului de colector este notat cu . se numete factor de curent i valorile lui sunt foarte apropiate de 1: 0,97 0,99 . Datorit slabei dopri a bazei i a lrgimii ei foarte mici, doar o mic parte din
46

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale golurile care pleac din emitor se vor recombina cu electronii din baz. Curentul IE mpreun cu curentul de purttori minoritari, ICBo, care traverseaz jonciunea colectoare polarizat invers, vor forma curentul de colector, IC. Astfel, pot fi scrise urmtoarele relaii ntre curenii msurabili:
I E = IC + I B I C = I E + I CBo

(3.1) (3.2)

nlocuind expresia curentului de emitor (3.1) n relaia (3.2) i exprimnd curentul de colector, se obine:
IC = I I B + CBo 1 1

(3.3)

Coeficientul de multiplicare a curentului de baz se noteaz cu i se numete factor de amplificare static (sau factor de amplificare a curentului continuu) i este supraunitar:

(3.4)

Astfel, dependena curentului de colector de curentul de baz poate fi exprimat sub forma:
I C = I B + (1 + )I CBo

(3.5)

Relaia (3.5) indic dependena intensitii curentului de colector de intensitatea curentului de baz. De aici se poate vedea c tranzistorul bipolar este un element activ comandat n curent. Deoarece curentul de purttori minoritari ICBo este foarte mic (sub 1A), n practic se poate folosi cu bun aproximaie relaia I C I B . Ecuaiile (3.1), (3.2) i (3.4) descriu funcionarea tranzistorului n curent continuu (regimul static) i, mpreun cu legile lui Kirchhoff, permit calcularea valorilor rezistenelor din circuitul exterior de polarizare, precum i a punctului static de funcionare caracterizat de patru parametrii: UBEo, IBo, UCEo i ICo. Tranzistorul bipolar poate fi privit ca un cuadrupol dac unul dintre terminalele sale va face parte att din circuitul de intrare ct i din cel de ieire. De regul, terminalul respectiv este conectat la borna de potenial nul (masa circuitului). Astfel, exist trei conexiuni posibile ale tranzistorului ntr-un circuit: conexiunea emitor comun fig.3.4a
47

Tranzistorul bipolar conexiunea baz comun fig.3.4b conexiunea colector comun fig.3.4c

Fig.3.4 Cele trei conexiuni au parametrii de intrare, ieire i de transfer diferii. Dintre ele, cea mai folosit este conexiunea emitor comun i de aceea n continuare ne vom axa n principal asupra ei, analiznd-o att n regim static ct i n regim dinamic.
IC IB U BE UCE

Fig.3.5 Mrimile de intrare i cele de ieire pentru conexiunea emitor comun sunt prezentate n Fig.3.5. Modificarea valorii oricreia dintre ele conduce la modificarea celorlalte trei. Datorit acestui lucru nu mai putem vorbi despre o singur caracteristic volt-amperic, cum a fost n cazul diodei, ci de familii de caracteristici statice de intrare, ieire i de transfer. Pentru conexiunea emitor comun mrimile de control, cu ajutorul crora le modificm pe celelalte, sunt curentul de baz, IB, i tensiunea dintre colector i emitor, UCE. De aceea ele vor fi considerate variabilele independente iar tensiunea dintre baz i emitor, UBE, i curentul de colector, IC, vor fi variabilele dependente. ntr-o reprezentare calitativ, familiile de caracteristici statice ale conexiunii emitor comun sunt artate n fig.3.6. Astfel, familiile de caracteristici statice sunt urmtoarele:
48

U BE = f (I B ) U

CE = const .

, caracteristica de intrare

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

I C = f (I B ) U

I C = f (U CE ) I

B = const .

, caracteristica de ieire

U BE = f (U CE ) I
tensiune

CE = const .

, caracteristica de transfer n curent , caracteristica de transfer invers n

IC

B = const .

IB
ICBo IB = 0

IB

UCE

UCE

IB

UBE

Fig.3.6 O alt caracteristic important a tranzistorului bipolar este caracteristica de transfer n tensiune, pe baza creia se definesc i regimurile posibile de funcionare ale lui. n fig.3.7a este prezentat o schem posibil pentru trasarea acestei caracteristici iar n fig.3.7b este artat aspectul ei.
EC = +5V Rc
1 k

UCE [V] 5 UCE = Uies

blocat zona activa saturat

Rb Uin 0 - +5V
10 k

IC UBE
UCEsat
0,1 - 0,2V

0,65

U BE [V]

Fig.3.7

49

Tranzistorul bipolar Discuia asupra comportrii tranzistorului se poate face dac considerm comportamentul celor dou jonciuni asemntor comportamentului unor diode. Vom numi n continuare jonciunea emitoare drept dioda emitor, DE, iar jonciunea colectoare drept dioda colector, DC. Pentru tensiuni UBE mai mici dect tensiunea de deschidere a diodei emitor, ntre emitor i colector nu poate circula nici un curent, cderea de tensiune pe rezistena Rc este nul i UCE = Ec. n acest interval de tensiuni de intrare tranzistorul este blocat, ntre colector i emitor el acionnd ca un ntreruptor deschis. Odat cu creterea tensiunii de intrare, dioda emitor se va deschide i va permite curgerea electronilor ntre emitor i colector peste dioda colector polarizat invers. Tensiunea UCE va ncepe s scad foarte rapid, deoarece crete cderea de tensiune pe Rc, n condiiile n care tensiunea de alimentare, Ec, este pstrat constant (Ec = IcRc + UCE). Curentul de colector va crete i tensiunea UCE se va micora pn cnd se ajunge n regimul de saturaie (cantitatea de sarcin disponibil nu este nelimitat) n care ambele diode, emitor i colector, sunt n stare de conducie. Acest regim de lucru se numete saturat. n regimul saturat tensiunea ntre colector i emitor este foarte mic, U CE 0,1 0,2V . Ea se numete tensiune colector-emitor de saturaie, UCEsat. Zona de tranziie dintre regimurile blocat i saturat se numete zona activ. n zona activ curentul de colector i tensiunea de ieire pot fi controlate de ctre tensiunea de intrare i implicit de ctre curentul de baz. Putem sintetiza regimurile de funcionare ale tranzistorului bipolar n felul urmtor:

regimul blocat regimul n zona activ regimul saturat:

DE i DC - blocate,

IC = 0, UCE = Ec DE conducie, DC blocat, I C 0, U CE = 5 0,2V DE i DC conducie, I C 0, U CE = 0,1 0,2V = U CEsat

Regimul de funcionare n zona activ este folosit atunci cnd tranzistorul se afl ntr-o schem de prelucrare a semnalelor, de amplificare sau generatoare de oscilaii armonice. Atunci cnd tranzistorul trece foarte rapid prin zona activ, lucrnd ntre starea de blocare i cea de saturaie i invers, se spune despre el c lucreaz n regim de comutaie (n circuitele digitale, de exemplu).
50

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale Regimurile de funcionare ale tranzistorului bipolar pot fi vizualizate i pe graficul reprezentnd familia de caracteristici IC = IC(UCE), aa cum se poate observa n fig.3.8.
IC
SATURATIE

IC UCE = Pmax

P > Pmax

IB
ZONA ACTIVA

IB = 0
BLOCARE

UCE

Fig.3.8 Printre parametrii caracteristici ai unui tranzistor se afl i puterea maxim pe care el o poate disipa fr a atinge temperaturi la care s-ar distruge. Produsul ICUCE nu poate depi aceast valoare care este diferit n funcie de tipul de tranzistor. Zona n care puterea disipat pe tranzistor ar fi mai mare dect puterea maxim admis este i ea vizualizat pe reprezentarea grafic din fig.3.8.

3.2 Polarizarea tranzistorului bipolar

3.2.1 Polarizarea cu divizor de tensiune n baz Pentru a funciona n zona activ i a fi folosit ntr-o schem de amplificare de exemplu, jonciunile tranzistorului bipolar trebuie polarizate n curent continuu astfel nct jonciunea emitoare s fie polarizat direct iar jonciunea colectoare s fie polarizat invers. Polarizarea se face de la o singur surs de alimentare, existnd mai multe scheme folosite n acest scop. Una dintre cele mai utilizate scheme de polarizare n curent continuu este cea cu divizor de tensiune n baza tranzistorului, schem prezentat n fig.3.9. Practic, problema se pune n felul urmtor: cunoatem tipul de tranzistor folosit i dorim polarizarea jonciunilor sale astfel nct el s lucreze ntr-un anumit punct static de funcionare. Evident, se cunoate i tensiunea de alimentare folosit. Pentru calcularea valorilor rezistenelor din circuitul de polarizare se folosesc pe de o parte ecuaiile de legtur dintre curenii care intr i ies din tranzistor, n care se poate neglija influena curentului ICBo mult mai mic dect ceilali cureni:
51

Tranzistorul bipolar
+EC R1` I1 I2 R2 IB UBE IE RE Rc IC UCE

Fig.3.9

I C I B I E = IC + I B IC I E

(3.6) (3.7) (3.8)

i pe de alt parte, ecuaiile pe care le scriem pe baza aplicrii legilor lui Kirchhoff n circuitul de polarizare:

E c = I C RC + U CE + I E RE E c = I 1 R1 + I 2 R2
I1 = I 2 + I B
I 2 R2 = U BE + I E R E

(3.9) (3.10) (3.11) (3.12)

Desigur, pare destul de complicat rezolvarea unui sistem de apte ecuaii n care s-ar putea s avem mai mult dect apte necunoscute. Practic ns lucrurile se pot simplifica dac tim cam n ce domenii de valori trebuie s se ncadreze valorile rezistenelor din circuitul de polarizare. Iat care sunt acestea: R1, zeci sute de k R2, k zeci de k Rc < 10k
52

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

1 Ec , sute de - k 10 I C Valorile rezistenelor R1 i R2 sunt mai mari dect ale celorlalte pentru a consuma ct mai puin curent de la sursa de alimentare, dar totodat ele trebuie s asigure polarizarea bazei astfel nct jonciunea emitor s fie n stare de conducie (uzual 0,65V pentru Si). Valoarea rezistenei RE trebuie s fie ct mai mic posibil pentru a consuma ct mai puin. Teoretic ea poate s lipseasc i emitorul s fie conectat direct la mas. Practic ns ea este necesar pentru stabilizarea termic a punctului static de funcionare. Vom vedea acest lucru peste cteva paragrafe. Valoarea rezistenei din colectorul tranzistorului, Rc, reprezint i sarcina tranzistorului atunci cnd acesta lucreaz ca element activ n circuitele de amplificare sau prelucrare de semnale. Valoarea ei maxim este limitat de condiia de conducie a tranzistorului. Pentru o valoare prea mare, cderea de tensiune pe ea poate fi att de mare la un curent de colector mic nct s nu permit trecerea tranzistorului n stare de conducie. De cele mai multe ori, pentru a putea rezolva sistemul de ecuaii al circuitului de polarizare vom fi nevoii ca valoarea uneia dintre rezistene s o alegem pe baza observaiilor de mai sus.

RE

S aplicm aceste reguli de calcul a valorilor rezistenelor dintr-un circuit de polarizare n curent continuu a tranzistorului bipolar pe un exemplu concret. Presupunem c avem un tranzistor cu = 100, pe care dorim s-l polarizm n curent continuu astfel nct el s lucreze n zona activ avnd IC = 2mA, UCE = 5V i UEB = 0,65V. Tensiunea de alimentare este EC = 10V. Neglijnd curentul rezidual prin jonciunea baz-colector, din ecuaia (3.6) putem calcula curentul de baz: I C 2 10 3 IB = = = 2 10 5 A = 20A 100

Cunoscnd curentul de baz, din ecuaia (3.7) calculm curentul de emitor: I E = I C + I B = (2 10 3 + 0,02 10 3 )A = 2,02mA
Rezistena de emitor o putem calcula din relaia recomandat anterior:
RE 1 10 Ec 1 10 = = 495 I C 10 2,02 10 3
53

Tranzistorul bipolar Din ecuaia (3.9) calculm valoarea rezistenei din colectorul tranzistorului:
RC = EC U CE I E R E 10 5 2,02 10 3 495 = = 2000 = 2k IC 2 10 3

Potenialul bazei fa de mas, VB = I2R2, putem s-l calculm din ecuaia (3.12): V B = U BE + I E R E = 0,65 + 2,02 10 3 495 = 1,65V Alegnd pentru rezistena R2 valoarea: R2 = 10k se poate calcula valoarea curentului I2:
V 1,65 I2 = B = A = 0,165mA R2 10 10 3

n sfrit, din ecuaiile (3.10) i (3.11) poate fi calculat valoarea rezistenei R1: R1 = E C I 2 R2 E C V B 10 1,65 = 0,0457 10 6 = 45,7k = = 6 I1 I2 + I B (165 + 20) 10

Avnd n vedere valorile standardizate ale rezistenelor de uz general, vom alege urmtoarele valori pentru cele patru rezistene de polarizare ale tranzistorului: RC = 2k, RE = 500, R1 = 47k i R2 = 10k. Ecuaia (3.9) poate fi rescris n modul urmtor:
IC = U CE Ec + Rc + RE Rc + RE

(3.13)

n care mrimile variabile sunt IC i UCE, celelalte fiind constante. Ea reprezint ecuaia dreptei de sarcin n curent continuu i va determina poziia punctului static de funcionare, aa dup cum se poate vedea n fig.3.10. Din ea se poate observa c dac tensiunea de alimentare i valorile rezistenelor de polarizare sunt constante, poziia punctului static de funcionare poate fi schimbat modificnd mrimea curentului de baz. Aadar, punctul static de funcionare al tranzistorului se mai poate defini ca fiind intersecia dintre dreapta de sarcin n curent continuu i caracteristica de ieire corespunztoare unui curent de baz prestabilit.
54

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

IC Ec Rc +RE Ico 0 UCEo
alte puncte statice de dreapta de sarcina in c.c. functionare posibile

punct static de functionare

IBo (dat) Ec UCE

Fig.3.10
3.2.2 Stabilizarea termic a punctului static de funcionare Conductibilitatea electric a materialelor semiconductoare este puternic dependent de temperatura mediului n care acestea lucreaz. O variaie de temperatur determin o variaie relativ mult mai mare a densitii de purttori minoritari dect variaia relativ a densitii de purttori majoritari. De aceea, n cazul tranzistorului bipolar, o cretere a temperaturii va determina o cretere relativ semnificativ a curentului rezidual (curent de purttori minoritari) prin jonciunea baz colector, ICBo. Conform relaiei (3.2) aceasta va determina creterea curentului de colector care, la rndul ei va determina o cretere suplimentar a temperaturii jonciunii, dup care fenomenul se repet ca o reacie n lan, rezultnd fenomenul de ambalare termic. Procesul poate fi sintetizat n urmtoarea diagram:

ICBo

IC

ICBo

......

Sigur c dac temperatura ambiant se va micora fenomenul nceteaz. Aceste variaii de temperatur vor determina i instabilitatea punctului static de funcionare, care este definit i de curentul de colector, I C. Pentru stabilizarea termic a punctului static de funcionare prezena rezistenelor RE i R2 n circuitul de polarizare a tranzistorului este obligatorie. Rolul lor n acest proces poate fi observat pe baza schemei simplificate prezentate n fig.3.11. Prezena divizorului de tensiune n baza tranzistorului asigur un potenial relativ constant al bazei acestuia n raport cu masa, rezistenele fiind mult mai puin sensibile la variaiile de temperatur dect semiconductorii. Neglijnd contribuia curentului de baz, vom avea IC = IE. Aceasta nsemn c o cretere a curentului de colector, datorat creterii temperaturii, va determina o cretere asemntoare a curentului de emitor i implicit o cretere a cderii de tensiune pe rezistena RE. Deoarece potenialul bazei fa de mas este constant, tensiunea pe jonciunea emitor
55

Tranzistorul bipolar va trebui s scad. Scderea lui UBE va determina scderea curentului de emitor, deci i a celui de colector i fenomenul se atenueaz. Procesul poate fi sintetizat n urmtoarea diagram:

ICBo

IC

IERE
IC

UBE

IC

VB = const. U BE R2 IE RE

Fig.3.11 De fapt, prezena rezistenei RE n circuitul de polarizare determin o reacie negativ n curent continuu. Ce este reacia n general i reacia negativ n particular vom vedea ceva mai trziu. 3.2.3 Polarizarea prin curentul de baz Polarizarea jonciunilor tranzistorului se poate realiza i fr divizor de tensiune n baz, folosindu-ne de existena curentului de baz. O astfel de schem de polarizare este prezentat n fig.3.12
+EC R1` IB UBE Rc IC UCE IE RE

Fig.3.12 Din sistemul de ecuaii (3.6) (3.12), ecuaiile (3.10) i (3.12) vor fi nlocuite cu ecuaia: E c = I B R1 + U BE + I E RE (3.14)

56

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale Deoarece curentul de baz este foarte mic (A sau zeci de A), valoarea rezistenei R1 trebuie sa fie de cteva sute de k sau chiar 1 M, pentru a avea pe ea o cdere de tensiune care s asigure un potenial pe baz capabil s deschid jonciunea baz-emitor. Avantajul acestei modaliti de polarizare este acela c, n absena rezistenei R2, impedana de intrare este mai mare (n regim de variaii rezistenele R1 i R2 apar conectate n paralel la mas ne vom convinge de acest adevr ceva mai trziu). Dezavantajul este o stabilitate mai mic la variaiile de temperatur datorit absenei rezistenei R2.
3.2.4 Importana curentului de baz n ecuaiile (3.9) (3.12), scrise pentru schema de polarizare din fig.3.9, am neglijat curentul de baz, IB, n raport cu cel de colector i cel de emitor. n multe situaii practice erorile provocate de aceast aproximaie sunt neglijabile. Dac ns tranzistorul se afl n conducie puternic, intensitatea curentului de baz ajunge la cteva zeci de A i influena sa asupra punctului static de funcionare nu mai poate fi neglijat. Aceast afirmaie poate demonstrat pe baza schemei concrete de polarizare cu divizor de tensiune n baz prezentat n fig.3.13.
+EC = 12V R1` 39k IB I VB
600 2,4k

Rc

R2 10k

RE

Fig.3.13 Dac IB = 0, atunci potenialul fa de mas al bazei este:

VB = Ec R2 = 2,45V R1 + R2

Dac IB = 5 A, atunci potenialul fa de mas se va micora cu:

V B = I B R1 = 0,195V
57

Tranzistorul bipolar o valoare care n prim aproximaie poate fi neglijat. Dac IB = 50 A, atunci potenialul fa de mas se va micora cu:
V B = I B R1 = 1,95V

o valoare care de data aceasta nu mai poate fi neglijat. Rmne deci la latitudinea proiectantului cnd poate neglija influena curentului de baz asupra punctului static de funcionare i cnd nu.

3.3 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar

Am vzut c tranzistorul bipolar poate fi privit ca un cuadrupol (vezi fig.3.5 pentru conexiunea emitor comun). n multe aplicaii practice, la intrarea cuadrupolului se aplic un semnal variabil n timp (n particular el poate fi i un semnal sinusoidal), tranzistorul fiind polarizat deja n curent continuu ntr-un punct de funcionare static. Astfel, peste potenialele statice (fixe) se vor suprapune i potenialele datorate cmpului variabil determinat de semnalul de intrare. Tranzistorul va fi supus simultan la dou regimuri de funcionare: regimul static, pe care l-am analizat anterior i regimul dinamic. Analiza regimului dinamic este o problem complex. Ea poate fi ns simplificat dac facem urmtoarele presupuneri: pe toat durat aplicrii semnalului variabil la intrare, punctul de funcionare nu prsete poriunea de caracteristic de transfer corespunztoare zonei active de funcionare (fig.3.7b). pe aceast poriune caracteristica de transfer este liniar. Deci, modelul pe care-l vom prezenta n continuare este unul liniar. n fig.3.14 este prezentat un tranzistor de tip npn n conexiune emitor comun, privit ca un cuadrupol.
ICo ib ube IBo UBEo UCEo ic uce

Fig.3.14 Presupunem c el a fost polarizat n curent continuu ntr-un punct static de funcionare aflat n zona activ, caracterizat de valorile.: UBEo, IBo, UCEo i ICo. Presupunem de asemenea c la intrarea cuadrupolului apare la un moment dat o variaie a tensiunii dintre baza i emitorul tranzistorului,
58

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

ube, datorat semnalului aplicat. Sensul sgeii ne indic faptul ca la

momentul considerat potenialul variabil al bazei este mai mare dect cel al emitorului. Creterea de potenial se adaug potenialului static al bazei, ceea ce determin o cretere a curentului de baz cu valoarea ib. Creterea curentului de baz va determina creterea curentului de colector cu valoarea ic i variaia corespunztoare, uce, a tensiunii colector-emitor. Vom considera, ca i n cazul definirii parametrilor statici, drept variabile independente curentul de baz i tensiunea colector-emitor, astfel nct vom avea funciile: u be = u be (ib , u ce ) ic = ic (ib , u ce )
u be u ib + be u ce ib u ce

(3.15) (3.16)

Difereniind cele dou funcii obinem:

u be = i c =

(3.17) (3.18)

ic i ib + c u ce ib u ce

Pe baza ecuaiilor (3.17) i (3.18) se definesc parametrii h, sau parametrii hibrizi, pentru regimul dinamic al tranzistorului bipolar:
h11 = u be ib u be u ce
ic ib

(3.19)
uce =0

h12 =

(3.20)
ib =0

h21 =

(3.21)
uce = 0

h22 =

ic u ce

(3.22)
ib = 0

Folosind aceti parametrii, ecuaiile (3.17) i (3.18) devin: u be = h11ib + h12 u ce ic = h21ib + h22 u ce (3.23) (3.24)
59

Tranzistorul bipolar Ecuaia (3.23) are semnificaia unei sume algebrice de tensiuni iar ecuaia (3.24) a unei sume algebrice de cureni. Cele dou ecuaii reprezint aplicarea legilor lui Kirchhoff pe intrarea, respectiv pe ieirea cuadrupolului tranzistor. Pornind de la ele poate fi construit schema electric echivalent din fig.3.15.
i b h11 ic

ube

h12uce

h21ib

h-1 22

uce

Fig.3.15 Analiznd acest schem i cunoscnd relaiile de definiie (3.19) (3.22) a parametrilor hibrizi, se pot stabili semnificaiile fizice ale acestora. Le menionm n continuare, mpreun cu ordinele lor de mrime: h11 impedana de intrare cu ieirea n scurtcircuit, sute - k h12 factorul de transfer invers n tensiune cu intrarea n gol, 10-3

10-4 h21 factorul de amplificare dinamic n curent cu ieirea n scurt, 101 102 1 h22 admitana de ieire cu intrarea n gol, h22 105

Pentru a nu rmne cu impresia c tot ce am vzut pn acum este doar o teorie frumoas, trebuie s menionm faptul c parametrii h sunt mrimi caracteristice fiecrui tip de tranzistor i c ei sunt precizai n cataloage de ctre firmele productoare. Cunoscnd valorile lor concrete, pentru analizarea regimului dinamic al unui circuit care conine un tranzistor noi l putem nlocui cu schema din fig.3.15 rezultnd o schem echivalent a ntregului circuit. Aceast schem va conine doar elemente de circuit simple (surse de curent i tensiune, rezistene, condensatori, bobine) a cror comportare o cunoatem i putem face analiza teoretic a comportrii circuitului.

3.4 Alte tipuri de tranzistori bipolari

3.4.1 Tiristorul (SCR Silicon Controlled Rectifier) Tiristorul este un dispozitiv multijonciune cu structura prezentat schematic n fig.3.16a. Simbolul folosit n scheme este prezentat n fig.3.16b. Structura
60

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale intern a tiristorului ne sugereaz prezena a dou structuri complementare de tip tranzistor, suprapuse astfel nct jonciunile colectoare s fie comune. El are trei terminale numite anod, catod i poart. Poarta este elementul de control al funcionrii tiristorului. Ea poate fi polarizat sau nu.
jonctiuni emitoare

A
anod

C
catod

A G

jonctiune colectoare

poarta

Fig.3.16 Dac anodul este polarizat pozitiv fa de catod iar poarta este nepolarizat, jonciunile emitoare sunt polarizate direct iar jonciunea colectoare este polarizat invers. Fiind polarizat invers, jonciunea colectoare va prezenta o rezisten mare trecerii purttorilor de sarcin, astfel nct pentru valori mici ale tensiunii dintre anod i catod, UAC, curentul prin structura semiconductoare va fi foarte mic. Pe msur ce crete tensiunea de polarizare UAC, crete i tensiunea invers pe jonciunea colectoare i, la o anumit valoare a acesteia, ncepe multiplicarea n avalan a purttorilor de sarcin. Aceasta are drept consecine: scderea rezistenei jonciunii colectoare creterea brusc a curentului ntre anod i catod Pentru ca aceast cretere s nu fie necontrolat i s duc la distrugerea structurii, n circuitul de polarizare a tiristorului trebuie conectat o rezisten de limitare a curentului. Tensiunea la care ncepe multiplicarea n avalan a purttorilor de sarcin se numete tensiune de strpungere, Ust. Caracteristica voltamperic a tiristorului fr polarizarea porii este prezentat n fig.3.17, curba continu. Dac pe poart se aplic un potenial pozitiv fa de catod cu scopul generrii unui curent de poart, tiristorul ncepe s conduc la tensiuni cu att mai mici cu ct potenialul pozitiv al porii este mai mare. Caracteristicile volta-mperice vor urma traseele punctate din fig.3.17. Curentul de poart este mult mai mic dect curentul dintre anod i catod, astfel nct cu un curent mic poate fi controlat apariia unui curent mare. Se poate deci concluziona c tiristorul este un dispozitiv comandat n curent.
61

Tranzistorul bipolar

IA

Ust - tensiune de strapungere

Ug2 > Ug1

Ug1 > Ugo Ugo=

Ust2 Ust1

Usto

UAC

Fig.3.17 Strpungerea spaiului dintre anod i catod se mai numete aprindere sau amorsare, prin similitudine cu ceea ce se ntmpl ntr-un tub de descrcare cu gaz. Dup strpungere, potenialul porii nu mai are nici un efect asupra curentului prin tiristor iar poarta i pierde rolul de electrod de comand. De aceea, pentru amorsare este suficient ca pe poart s se aplice impulsuri scurte de tensiune. Stingerea tiristorului se poate face numai prin micorarea tensiunii de polarizare UAC sau prin inversarea polaritii ei.

Fig.3.18
62

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale Una dintre aplicaiile cele mai frecvente ale tiristorului este redresarea comandat. n fig.3.18a este prezentat o schem simpl pentru aceast aplicaie. La intrarea circuitului se aplic o tensiune alternativ periodic, u, a crei amplitudine este mai mic dect tensiunea de strpungere. Pe poart se aplic impulsuri pozitive, uc, cu aceeai perioad ca i a semnalului comandat. Dac n momentele aplicrii impulsurilor exist corelaia corespunztoare ntre mrimea tensiunii comandate i amplitudinea impulsului de comand, tiristorul se va deschide i prin circuit va ncepe s circule curentul i care urmrete forma tensiunii u (admitem faptul ca nu avem elemente reactive care s produc defazaj). La schimbarea polaritii tensiunii de intrare curentul se va stinge. Apoi, procesul se repet periodic. Formele de und ale celor trei semnale sunt prezentate n fig.3.18b. Curentul prin circuit va avea forma unui semnal redresat monoalterna cu un factor de umplere sub 50%. Mrimea factorului de umplere poate fi modificat att prin modificarea defazajului dintre semnalul de comand i semnalul redresat ct i a amplitudinii sale, astfel nct n momentul aplicrii unui impuls de aprindere s fie ndeplinit condiia de amorsare. O structur semiconductoare similar cu a tiristorului dar fr electrodul de comand (poart) se numete dinistor sau diod de comutaie (Shockley). Dioda de comutaie intr n stare de conducie numai sub aciunea semnalului aplicat ntre anod i catod. Trecerea ei din stare de blocare n stare de conducie i invers se face foarte rapid.
3.4.2 Triacul n multe aplicaii este nevoie de comanda bilateral a unui semnal alternativ, att n alternana pozitiv ct i n alternana negativ. Pentru aceasta este nevoie de un dispozitiv asemntor tiristorului dar care s poat intra n conducie n ambele sensuri. Acesta poate fi realizat din dou structuri antiparalele de tip tiristor. Un astfel de dispozitiv se numete triac.
I

poarta

terminal 1

U terminal 2

Fig.3.19
63

Tranzistorul bipolar

Simbolul unui triac i caracteristica sa volt-amperic sunt prezentate n fig.3.19. Datorit simetriei dispozitivului comanda se poate face cu orice fel de polaritate a impulsurilor aplicate pe poart. Curentul injectat n poart modific caracteristica volt-amperic la fel ca la tiristor. O structur de tip triac fr poart se numete diac. Intrarea sa n stare de conducie ntr-un sens sau altul este determinat doar de nivelul i polaritatea tensiunii aplicate ntre cele dou terminale ale sale. Diacul poate fi folosit la comanda aprinderii triacurilor. Una din schemele folosite n acest scop este prezentat n fig.3.20.
R Rs
triac

diac

Fig.3.20 Condensatorul C se poate ncrca prin rezistena R cu ambele polariti. Cnd tensiunea pe el atinge valoarea necesar realizrii strpungerii diacului, acesta va injecta curent n poarta triacului care va intra la rndul su n stare de conducie.
3.4.3 Tranzistorul Schottky
+5V
1 k UBC= 0,5V VC= 0,2V

+5V

10 k VB= 0,7V

Fig.3.21 La analiza regimurilor de funcionare ale tranzistorului bipolar (vezi i fig.3.7) am constatat c dac el se afl n stare de saturaie atunci U BE 0,7V iar U CE 0,2V . Aceast situaie este prezentat n fig.3.21 n
64

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale care sunt notate potenialele fa de emitor ale bazei i colectorului tranzistorului. Se poate observa imediat c jonciunea baz-colector este polarizat direct cu o tensiune cel puin egal cu 0,5V. S ne amintim c n starea de blocare a tranzistorului, jonciunea baz-colector este polarizat invers. Cnd tranzistorul lucreaz n regim de comutaie el trebuie s treac ct mai rapid posibil dintr-o stare n alta (blocat saturat blocat - ). La trecerea tranzistorului din starea de saturaie n starea de blocare, electronii din baz, unde sunt purttori minoritari, trebuie readui n colector, unde sunt majoritari, iar golurile din colector trebuie readuse n baz. Procesul de redistribuire a sarcinilor n vecintatea jonciunii nu se poate face instantaneu. Timpul necesar trecerii dintr-o stare n alta se numete timp de comutaie i este de dorit ca el s fie ct mai mic posibil. Cu ct tensiunea de polarizare direct a jonciunii baz-colector n regim de saturaie este mai mic, cu att numrul de purttori de sarcin care trebuie redistribuii este mai mic i timpul de comutaie se va micora. Micorarea tensiunii de polarizare direct a jonciunii baz-colector se poate face dac ntre baz i colector se realizeaz o structur semiconductoare de tip diod Schottky. Un tranzistor cu o astfel de structur este tranzistorul Schottky (fig.3.22). Prezena diodei Schottky nu va permite creterea tensiunii de polarizare direct a jonciunii baz-colector n regim de saturaie peste 0,35V, astfel nct timpul de comutaie din starea de saturaie n starea de blocare se va micora considerabil iar viteza de comutaie va crete.

Fig.3.22
3.4.4 Fototranzistorul Principiul de funcionare a unui fototranzistor se bazeaz pe efectul fotoelectric intern: generarea de perechi electron-gol ntr-un semiconductor sub aciunea unei radiaiei electromagnetice cu lungimea de und n domeniul vizibil sau ultraviolet. Dac semiconductorul este supus unei diferene de potenial, atunci el va fi parcurs de un curent a crui intensitate
65

Tranzistorul bipolar va depinde de mrimea fluxului luminos incident. Intensitatea lui poate fi mrit prin utilizarea proprietii structurii de tranzistor de a amplifica curentul. Fototranzistorul (fig.3.23a) este un tranzistor cu regiunea jonciunii emitor-baz expus iluminrii, astfel nct rolul diferenei de potenial dintre baz i emitor este jucat de fluxul luminos incident pe jonciunea emitoare. Generarea de perechi electron-gol contribuie la micorarea barierei de potenial a jonciunii i deschiderea ei mai mult sau mai puin, n funcie de numrul de fotoni incideni. Terminalul bazei poate lipsi sau, dac exist, el permite un control suplimentar al curentului de colector.
+EC Rc Ec Rc IC
dreapta de sarcina

IC UCE

=0

Ec

UCE

Fig.3.23 Caracteristicile de ieire ale unui fototranzistor sunt similare cu cele ale unui tranzistor obinuit, cu deosebirea c, n locul parametrului IB apare iluminarea sau fluxul luminos (fig.3.23b).

66