Professional Documents
Culture Documents
=
dengan A
o
: konstanta
E
Go
: energi gap pada T = 0 K
k : konstanta Boltzman.
Secara eksperimental energi gap bergantung pada suhu, sebagai:
untuk Si: 1,21 3,60 x 10
-4
T
untuk Ge: 0,785 2,23 x 10
-4
T
Pada suhu ruang E
G
= 1,1 eV (Si) dan 0,72 eV (Ge)
Mobilitas ternyata bergantung pada suhu dan medan listrik, sebagai:
T
-m
untuk Si, m = 2,5 untuk elektron
m = 2,7 untuk hole
untuk Ge, m = 1,66 untuk elektron
m = 2,33 untuk hole
Jika E < 10
3
V/cm bukan fungsi E
10
3
< E < 10
4
V/cm E
-1/2
E > 10
4
V/m E
Bab V, Semikonduktor Hal: 128
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Kuliah Elektronika I
Difusi
Konsentrasi pembawa muatan dapat tidak homogen, seperti pada
gambar.
Ketidak homogen-an konsentrasi hole ini mengakibatkan arus difusi,
yang dinyatakan sebagai :
p p
dp
J qD
dx
=
dengan D
p
: konstanta difusi untuk hole
tanda minus karena dp/dx negatif untuk x positif.
Difusi dan mobilitas saling dependen, sesuai dengan relasi Einstein:
p
n
T
n p
D
D kT
V
q
= = =
Pada semikonduktor gradien potensial dan gradien konsentrasi dapat
terjadi bersama-sama, sehingga arus yang mengalir merupakan
kombinasi karena drift dan difusi, sebagai:
Bab V, Semikonduktor Hal: 129
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Kuliah Elektronika I
p p p
dp
J q p E q D
dx
= (A)
n n n
dn
J q n E q D
dx
= + (B)
Persamaan Kontinuitas
Secara umum konsentrasi pembawa muatan sebagai fungsi dari posisi
dan waktu, namun perlu diingat bahwa muatan tidak dapat diciptakan
atau dimusnahkan, berlaku:
p
o
p
J
p p p 1
t q x
=
(C)
o n
n
n n J 1
t q x
n
=
(D)
dengan index p dan n masing-masing untuk hole dan elektron,
: mean lifetime,
p
o
dan n
o
: nilai p dan n pada saat kesimbangan termal,
J : rapat arus
Medan listrik E berkaitan dengan rapat muatan sesuai dengan
persamaan Poisson:
( )
D A
E q
p N n N
x
= = +
(E)
dengan : permitivitas bahan semikonduktor
N
D
: konsentrasi donor
N
A
: konsentrasi akseptor
Dari kelima persamaan ini dapat dicari hubungan antara besaran-
besaran p, n, E, J
p
dan J
n
.
Untuk bahan tipe-n, persamaan di atas diberi indeks n, persamaan
kontinuitas menjadi:
Bab V, Semikonduktor Hal: 130
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Kuliah Elektronika I
2
no n n n n
p p
2
p
p p p (p E) p
D
t x x
= +
.
Persamaan ini sukar diselesaikan, ambil kasus khusus
1. Konsentrasi tak bergantung x (p/x = 0) dan E = 0
2. Konsentrasi tak bergantung t (p/t = 0) dan E = 0
3. Konsentrasi berubah secara sinusoida terhadap t dan E = 0
Dioda PN
Hubungan pn dapat terjadi dengan mendifusi impuritas tipe-p pada
salah satu ujung kristal tipe-n. Walaupun ada hubungan antara dua
tipe silikon namun sebagai keseluruhan bertidak sebagai kisi kristal
tunggal. Akibatnya elektron bebas dari tipe-n akan bergerak menuju
hole pada tipe-p demikian pula hole pada tipe-p bergerak ke elektron
di tipe-n sehingga terjadi proses rekombinasi. Selanjutnya akan terjadi
lapisan deplesi. Pada dasarnya lapisan ini adalah isolator dengan
kelebihan elektron di sisi tipe-p dan kelebihan hole di sisi tipe-n dan
berakibat timbulnya beda tegangan di hubungan pn, yaitu V
, seperti
ditunjukkan pada Gambar 3.
Setelah hubungan PN terbentuk, hole dari tipe-p konsentrasinya lebih
besar dari hole di tipe-n, sehingga hole akan berdifusi, demikian pula
pada elektron juga akan berdifusi dan ber-rekombinasi. Namun proses
ini tidak terjadi terus menerus dan akan berhenti jika terjadi
kesetimbangan antara difusi dan drift. Dalam keadaan seimbang:
1. daerah tipe-p netral
2. daerah muatan ruang tipe-p
3. daerah muatan ruang tipe-n
4. daerah tipe-n netral
Daerah (2) dan (3) daerah muatan ruang/lapisan deplesi/dipole
listrik. Pada daerah ini ada medan listrik walaupun tidak diberi
tegangan.
Bab V, Semikonduktor Hal: 131
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Kuliah Elektronika I
p n
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
lapisandeplesi
V?
-d
p +d
p
Gambar 3 Lapisan deplesi dan tegangan deplesi V
Dalam keadaan seimbang, J
n
= 0, sehingga:
n n n
dn
J q n E q D
dx
= +
= 0. Diperoleh
( )
n
n
D 1 dn kT d
E ln n
n dx q dx
= = (Relasi Einstein
n
n
D kT
q
= )
atau:
( )
n n
p p
d d
B
d d
kT d
V E dx ln n dx
q dx
= =
n p
n
B
2
p i
n n
n kT kT
V ln ln
q n q n
= = =
A D
2
i
n n kT
ln
q n
Jadi walaupun dalam keseimbangan termal, terdapat beda tegangan
antara antara kedua kutub dioda tegangan difusi.
Model Pita pada dioda hubungan
Ada banyak cara untuk membuat dioda hubungan, diantaranya adalah
dengan step junction, yaitu distribusi muatan akseptor/donor secara
uniform. Pada saat dihubungkan tingkat energi Ferminya akan sama,
seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.
Bab V, Semikonduktor Hal: 132
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Kuliah Elektronika I
?
?
E
F
E
C
E
V
Daerah tipe -p
Daerah tipe -n
Untuk 0 < x < d
n
:
Pers. Poisson :
D
q N dE
dx
=
D
n
q N
E x C
= +
D
n
q N
E (x-d )
=
Untuk d
p
< x < 0:
A
p
q N
E - x C
= +
A
p
q N
E - (x d )
= +
dengan C
n
dan C
p
: konstanta integrasi, dicari dengan syarat batas.
Pada x = 0, E = E
m
dan E = 0 untuk x = -d
p
dan x = d
n
C
n
= C
p
A p
p
q N d
C -
= dan
D n
n
q N d
C -
= N
D
d
n
= N
A
d
p
.
Sedangkan potensial listrik diperoleh dari V E dx =
Untuk 0 < x < d
n
:
( )
2
A p 2
D 1
n 2
qN d
qN
V x d x
2
= +
Untuk d
p
< x < 0:
( )
2
A p 2
A 1
p 2
qN d
qN
V x d x
2
= +
Pada x = d
n
V =
( )
2 2
A p D n
B
q N d N d
V
2
+
=
Secara grafis ditunjukkan sbb:
Bab V, Semikonduktor Hal: 133
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Kuliah Elektronika I
Hubungan antara energi elektron dengan tegangan elektrostatis
dinyatakan sebagai E = - qV. Sehingga model pita pada dioda
hubungan p-n sbb:
Bab V, Semikonduktor Hal: 134
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Kuliah Elektronika I
Kapasitansi pada lapisan Deplesi
Pada lapisan deplesi terdapat muatan ppositif dan negatif, yang dapat
dianggap sebagai kapasitor, seperti ditunjukkan pada gambar berikut.
Dengan menganggap sebagai kapasitor plat sejajar, maka kapasitansi
dari dioda tsb adalah:
Bab V, Semikonduktor Hal: 135
Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Kuliah Elektronika I
n p
A A
C
d d d
= =
+
Kapasitansi ini dikenal sebagai kapasitansi deplesi (kapasitansi
hubungan)
dengan memanfaatkan N
D
d
n
= N
A
d
p
dan
( )
2 2
A p D n
B
q N d N d
V
2
+
=
diperoleh d = d
n
+ d
p
=
B
A D
2 V 1 1
q N N
+
. Sebaliknya jika ada
tegangan bias, maka persamaan ini nilai V
B
diganti dengan V
B
V,
dengan V tegangan bias yang diberikan ke dioda hubungan, sehingga
( )
B
A D
2 1 1
d V V
q N N
= +
Selanjutnya diperoleh:
( )
( )
B
B
A D
A D
A q
C A
1 1
2 1 1
2 V V
V V
N N
q N N
= =
+
+
Secara grafis hubungan C
-2
vs. V diberikan sbb: