GNE PLLER

Giri
Gne pillerinin almasnn daha iyi anlalabilmesi iin baz temel teorik
bilgilerin hazrlanmasnda fayda vardr.
Gne pilleri, yzeylerine gelen gne n dorudan elektrik enerjisine
dntren yar iletken maddelerdir. !zeyleri kare, dikdrtgen, daire eklinde
biimlendirilen gne pillerinin alanlar "## $m
%
$ivarnda, kalnlklar zellikle en
yaygn olan silisyum gne pillerinde #.% & #.' mm arasndadr.
Gne pilleri fotovoltaik ilkeye dayal olarak alrlar, yani zerine k dt
zaman ularnda elektrik gerilimi oluur. (illerin verdii elektrik enerjisinin kayna,
yzeyine gelen gne enerjisidir. )eniz seviyesinde, parlak bulutsuz bir gndeki nm
iddeti maksimum "### *+,
%
$ivarndadr. !reye bal olarak "m
%
-ye den gne
enerjisi miktar ylda .##/%0## 1*h arasnda deiir. 2u enerji, gne pilinin yapsna
bal olarak 34 / 35# arasnda bir verimle elektrik enerjisine evrilebilir.
G kn artrmak ama$yla ok sayda gne pili birbirine paralel ya da seri
balanarak bir yzey zerine monte edilir. 2u yapya gne pili modl ya da
fotovoltail modl ad verilir. Gerekirse bu modller birbirlerine seri ya da paralel
balanarak, fotovoltaik bir dizi oluturabilir.
Maddenin Yaps ve Yar letkenler
2ilindii gibi madde, pozitif ykl ok ar bir ekirdekle, onun etrafnda belirli
yrngelerde dolanan elektronlardan meydana gelmitir. 2u ykler, d tesir yoksa
birbirini dengeler. 6lektronlar, yrngelerinin bulunduu yarapa, orantl olarak
potansiyel ve kinetik enerji tarlar. 6n d yrnge de maksimum %, sonrakinde . ve
n$de ". elektron bulunabilir. 6lektronlar, ard arda gelen ve her biri belli
sayda elektron bulunduran enerji bandlarnda bulunurlar. )ardan enerji alan.bir
elektron bir st seviyedeki banda kabilir. )aha dk banda geen elektron da
dar enerji yayar. 7on tabaka elektronlarna valans 8denge9 elektronlar denir ve
$isimlerin kimyasal bileikler yapmalarn temin eder. 7on tabakas dolmam bir
atomun, bir baka $isme ait komu atomdan elektron kapmaya yatknl vardr. :
tabaka elektronlar ise ekirdee ok sk baldrlar. ;ermik enerji verilirse,
elektronun yrngesi etrafnda titreimi arttrr.
"
6lektron, yrngesini muhafaza ettii mddete ne enerji yayar, ne de absorblar.
2ir elektron, uyarmla, atomu terk ede$ek enerji kazanp ayrlabilir. <tom 8=9 iyon
ekline geer 8>ekil "9.
ekil 1. Bir Yar letkenin Yaps
:zoleli atomda 8gazlarda9 elektronlar, belirli bir enerji bandn igal ederler. 2ir
kristalin atomlar, kristal iinde muntazam diziler halinde yer alrlar. <tomlar,
birbirlerine ok yakndrlar ve elektronlar, birbirine yakn enerjileri temsil eden enerji
bandlar zerinde bulunurlar. ?rnein@ bir germanyum atomunda, tek bir atom ele
alnrsa atom temel haldedir. ,utlak sfr, s$aklkta, elektron minimum enerji
seviyesine sahiptir.
Germanyum kristalinde ise, mutlak sfr s$aklkta, temel seviyenin yerini valans
band alr. 2undan sonra, hibir elektronun bulunmad yasak blge ve sonra da
yksek enerjili iletkenlik band bulunur. 2u s$aklkta Ge kristalinde iletkenlik
bandnda hibir elektron bulunmaz, yani kristal ideal bir yaltkandr 8>ekil %.9.
ekil 2. Enerji Bandlar
Ge kristalinin iletkenlik kazanabilmesi iin, iletkenlik seviyesine elektron
%
temin edilmelidir. 2unun iin gerekli enerji #.5 eA $ivarndadr. Botoelektrik olay iin
6
g
, kristalin sourabile$ei minimum enerjisini gsterir.
2una kar, bir metalik kristalde yasak band yoktur, iletkenlii temin ede$ek,
iletkenlik bandnda ok sayda elektron bulunur.
6lmas iin 6C5 eAD luk enerji ile elektron yasak band geilebilir. 2unun iin
malzemeye byk elektrik voltaj uygulanmas gerekir. 2u ise malzemeyi tahrip
eder.
!ar iletkenlerde, yasak band gemek iin 8" eA9 yeterlidir, oda s$aklnda
kristal atomlarndan birka tanesinin elektronlar, iletkenlik bandna geer ve
iletkenlii salar. Geride brakt bolua da baka bir elektron gelir ve o da
iletkenlie katlm olur.
2ir kristal, ortak elektronla birbirine bal atomlarn dzgn olarak yerleimiyle
meydana gelmitir. :yonik badan farkl olan bu birlemeye E1ovalantF ba denir.
Aalans elektronlar, kovalant ba iinde, bir atomdakinden daha dk enerji
seviyesindedir. 1ristali bozmak iin, bu enerji fark kadar enerji gerekir. 2u kristalin
kararlln gsterir. )eney sonularna gre@
/ ,utlak sfr $ivarnda, yar iletkenin hibir elektronu serbest deildir. 2u
s$aklkta sade$e iletken ve yaltkan vardr.
/ 7$aklk arttka, yar iletkende serbest elektronlar oluur ve $isim iletken hale
geer.
/ 7erbest elektronlarn younluu, s$aklkla artar. !ar iletkende z iletkenlik
s$aklkla artar.
:ki atomu birbirine balayan valans elektronlarn serbest hale gemesi iin
gerekli enerji@ metaller iin sfr, yaltkanlar iin birok elektron volt, yar iletkenler iin
" eA $ivarndadr.
a. G ;ipi !ar :letkenH
:letkenlik tipini deitirmek iin 7i ve Ge iine, periyodik $etvelin III ve A. grup
elementleri ilave edilir. 2unlar bo valans elektronu bulundururlar 8<rsenik, 2or,
Bosfor, <ntimuan gibi9.
6rgimi halde bulunan Ge-a 8milyonda bir9 arsenik ilave edilirse, her arsenik
J
atomu, bir Ge atomu yerini ala$ak ve ' elektronuyla kovalant ba tekil edile$ek, 4.
valans elektronu serbest kalp iletkenlii temin ede$ektir. :letkenlik 8/9 ykle temin
edildii iin G tipi yar iletken ismini alr. 2u elektronlar, oda s$aklnda, iletkenlik
bandna ular.
b. ( ;ipi yar :letkenH
6rgimi germanyuma, III. gruptan valans elektronu bulunduran elemanlar
ilave edilerek yaplr 8:ndium, Galyum...9. katlama srasnda indium atomlar kristal
rg iinde Ge atomunun yerini alr. 1ovalan ba iin J elektron mev$uttur ve komu
atomdan bir elektron kaparak ba oluturur. 1omu atomda bir boluk olumutur. 2u
ise elektron hareketine sebep olur. 2ir yar iletkenin kullanlabilme maksimum s$akl,
aktivasyon enerjisiyle artar. 1ullanabilme maksimum frekans, yk tay$larn
hareketlilii ile artar.
P N !ava"
2ir monokristal yar iletkenliinin ( tipinden G tipine gei blgesidir. 2u blge
kristalleme srasnda oluturulur. G blgesinde, termik uyarmla aznlkta olan boluk
ve ounlukta olan elektron ykleri ve 8=9 iyonize atomlar vardr 8>ekil J9.
ekil #. P N !ava"nn $l%%&%
( blgesinde ise, negatif iyonize atom, termik uyarmla bulunabilen aznlk
elektron ve ounluk elektron boluklar vardr. :ki eleman temasa geirildiinde, G
blgesindeki elektrolar 8ounluktadr9 ( tipi blgeye hareket eder. ( blgesindeki
elektron boluklar da G blgesine hareket eder. 2yle$e G tipi blgedeki atomlar
8=9, ( tipi blgedeki atomlar 8/9 olarak iyonlam olur. 2unlar, kristal iinde sabit yk
merkezleri olutururlar. 1avan her iki yznde iyonize olmu atomlar, kristal iinde,
yn G-den (-ye doru olan bir elektrik alan meydana getirirler.
2u blge gei blgesidir ve serbest ykler yoktur. 1avaktaki bu potansiyel
'
fark, (-den G-ye gee$ek boluklar ve G-den (-ye gee$ek elektronlar iin bir
potansiyel duvar tekil eder. G-den ayrla$ak bir elektron, arkasnda kendini geri
aran bir boluk brakr ve nndeki ( tipi blgedeki 8/9 ykler elektronu pskrtr
8>ekil'9.
ekil'. P N !ava" ve ( )k&
?zet olarak, (/G kavanda meydana gelen elektrik alan, kavak $ivarndaki
elektronu, (-den G-ye doru iter 8G-deki elektronu geri pskrtr, (-deki elektronu
G-ye iletir9.
1avan enerji band, >ekil 4.-deki gibidir. G blgesinde, valans ve iletkenlik
band enerjileri, (-dekilerden dktr.
ekil *. P N !ava"nda Enerji Band
6nerjisi yeterli bir k demeti 8h.f K6
g
. G (lan$k sabiti, f frekans9, (/G kava
zerine drld zaman, foton elektronlarla karlap enerji verebilir. 7erbest
elektronlar, valans elektronlarnn an$ak "+"#
'
kadar olduundan, bu ihtimal zayftr.
Boton, muhtemel valans elektronu ile karlar ve ona enerjisini brakarak iletkenlik
bandna karr. 6lektron, arkasnda bir elektron boluu brakr.
Llay </2 aralnda ise@ elektron, oluan elektrik alanla G blgesine, boluk da
4
( blgesine itilir. Llay kavaa yakn G blgesinde olumusa, boluk yine (
blgesine gtrlr. 1avaktan uzakta oluan elektron boluk, zamanla birbirini
bula$aktr. 7onu olarak ( tipi blge 8=9, G tipi blge 8/9 yklenmi ve bir potansiyel
domutur.
+,t,v,ltaik Pil
>ekil 0-da grld gibi, foton absroblanmasyla yk tay$lar ounlukta
olduklar blgelere srklenirler. 1avaktan I
s
akm geer ve G8/9, (-de 8=9 yklenmi
olur.
I
s
akm, kavan ileri ynde kutuplamasna ve kavak potansiyel duvarnn
alalmasna sebep olur. ) devre ak ise 8akm yoksa9 (-den G-ye akm geer ve
kavak potansiyel duvar tekrar ykselir@ ( blgesi 8/9, G blgesi 8=9 yklenir. 7onra
tekrar foton absorblanarak olay devam eder. 2u durumda I
s
C I olur.
ekil -. +,t,v,ltaik Pilin Yaps
) devreden akm geerse I
s
C I & I
M
ola$ak ekilde darya elektrik enerjisi
alnr. >ekil 5 Nde bu pilin elektrik edeer devresi grlmektedir. 6n yksek foton
enerjisi yeil k iin h.f C %.4 eA $ivarndadr. (/G kavandaki temas potansiyeli,
elektronlar daha yksek potansiyele karan batarya rol oynamaktadr.
ekil .. +,t,v,ltaik Pil Ede"er Elektrik /evresi
0
G0ne Pili 1eitleri
2akr & bakroksit ve gm yar iletkenleri ile yaplan gne pilleri, selenyum
pilleri ve silisyum gne pilleri en ok kullanlanlardrH
a. 2elen3%& G0ne Pili4
7af selenyum, alkali metallerle veya klor, iyod gibi halojenlerle kartrlp (
tipi yar iletken oluturulur. 2unun zerine iyi iletken ve yar iletken + yar geirgen bir
gm tabaka birka mikron kalnlnda kaplanarak (/G kava oluturulur. >ekil
.-da bir selenyum gne pilinin yaps grlmektedir. 2u pillerin 4#
#
O-nin zerinde
kullanlmamalar tavsiye olunur.
ekil 5. 2elen3%& G0ne Pilinin Yaps
6. 2ilis3%& G0ne Pili4
Pzay aratrmalarnda kullanlan pillerin ou bu trdendir. 7ilisyum 7iL
%
halindeki kumdan elde edilir. 1k bir kristal znm, eritilmi potaya daldrlr. 2elli
hzda dndrlerek potadan karlrken soumas temin edilir ve kristalin bytlmesi
ile gne pili elde edilir. 6riyik iine ( tipi yar iletkenlik malzemeleri katlr. ( tipi
kristaller dilimler eklinde kesilir. 7$akl kontrol edilen (
%
L
4
Nli difzyon frnnda G
tipi yar iletkenle "#
/'
/ "#
4
m. )erinlie kadar difzyon temin edilerek (/G kava
oluturulur.
7ilisyum pilleri germanyumla yaplan pillere gre, daha byk ak devre
diren$i salar. 2una kar silisyumlu pillerin spektral $evab daha azdr ve kzltesi
nlara kadar uzanmaz. <kkor k kayna kullanlmas halinde, Ge ularndaki gerilim
kk olmasna ramen daha byk akm salar. Gne nlar iin ise silisyum pil
daha uygundur.
5
Gne pilleri, pahal olduklar iin ulalmas g yerlerde kullanlmaktadr.
,etalik iletkenlerin normal s$aklktaki zdirenleri ".0Q"#
/0
& "4#Q"#
/0
ohm.$m
aralnda deitii halde iyi bir yaltkann zdiren$i "#
"%
&"#
".
ohm.$m arasnda
deiir. ?zdirenleri "#
/J
&"#
5
ohm.$m

arasnda olan elemanlar da yar iletkenlerdir. yar
iletkenlerin zdirenleri ok dk s$aklklarda yaltkanlarnkine yakndr. metallerin
aksine, yar iletkenler s$ak bir ortamda, soukta olduklarndan daha iletkendirler. baka
bir deyile yar iletkenlerin zdirenleri s$aklk arttka azalr ve deiim katsays
metallerinkinden "# kat daha byktr.
Gne pillerinin almalar ile ilgili teoriyi ksa$a u ekilde zetleyebiliriz.
,etallerde atom says kadar serbest elektron iletkenlii temin eder. !altkan
kristallerde ise elektronlar dk enerjili valans bandnda bulunur. 2unlar iletken hale
getirmek iin elektron bulunmayan yasak enerji bantlarn gee$ek ekilde
elektronlarna enerji verilmelidir. 2u enerji 4/R eA $ivarndadr.
2irbirleriyle kovalant ba tekil ederek balanm yaltkan kristal atomlar iine
8milyonda birka deerinde9 III veya A. grup elementlerden katlrsa baz kristal
atomlarnn yerini bu elementler ala$aktr. A. grupla oluan yapda, katk elemanlarnn
' elektronu, yaltkan kristal atomunun ' elektronunu mterek kullanarak, d devresini
tamamlayp kovalant ba olutura$ak ve bir elektronu akta kalp iletkenlie
katla$aktr. !ar iletken G tipidir ve elektronun iletkenlik bandna gemesi iin gerekli
enerji bir elektron volt $ivarndadr. 1ristalleme III. grup elemanlar ile yaplrsa
elementin J elektronu yaltkan kristal atomunkilerle mterek ba kura$ak ve yakn
komu atomdan bir elektron kapp '.$ ban tamamlarken orada bir elektron boluu
braka$aktr. 2u da ( tipi yar iletkendir ve iletkenlik iin ",% & ",4 eA enerji gerekir.
G0ne Pili Ede"er e&as ve G0ne Panelleri
2ilindii gibi, gne pili bir yar iletken dzenektir. Sounluk yk tay$lar
elektronlardan oluan G tipi ile ounluk yk tay$lar oyuklardan oluan ( tipi yar
iletken yan yana getirilir. Ik enerjisi bu birleme noktasna drlrse d devreden
bir akm geebilmektedir 8>ekil R9.
ekil 7. G0ne Pili
.
(/G yar iletken kavanda, elektronlar ( tipi blgeye geerek birleme
yzeyine yakn blgelerde boluk yk tay$daki elektron eksikliini tamamlayp 8/9
iyonlar olutururken G tipi blgede de 8=9 iyon duvar olua$aktr. ) tesir olmazsa bu
enerji duvar akmn gemesini nleye$ektir. In demeti bu blgeye derse, yk
tay$ elektronlar ok az oranlarda olduundan, muhtemelen bir valans elektrona
enerjisini braka$ak ve onu ( tipi blgeye doru ite$ektir. ) devre akm ise (-den
G-ye doru ola$aktr 8>ekil "#9.
ekil 18. P N !ava"nn $l%t%r%l&as ve !ava"a /0en +,t,n Enerjisi ile
letkenlik 9e&ini
2ir gne pilinde G tipi blgede elektron reten bir elektromotif kuvveti
dnlebilir. >ekil "" Nde fiziksel edeer devre grlmektedir. )evre elemanlar bir
elektromotor kuvvet, bir i diyot ve bir i diren eklinde sembolize edilebilir.
ekil 11. G0ne Pili Ede"er Elektrik e&as
Gne pilleri, belli gnelenme artlarnda, birim alan bana belirli bir akm ve
voltaj retirler. :stenen bir enerji iin bir ok pili seri ve paralel olarak balamak
gerekir. 2yle$e gne panelleri oluturulur. >ekil "" Nde edeer emas verilen gne
pilinde d devre akm iddeti ve ulardaki gerilim llebilir. <yarlanabilir bir d
direnle, gerilim ve akm ak devreden ksa devreye kadar deitirilerek >ekil "% Ndeki
gerilim akm iddeti erileri elde edilebilir. " $mT Nlik pil gnelenme alan iin nm
iddeti #.4 & ".# kU+mT arasnda deiirken, optimum alma noktalar ve sabit yk
erisi bu ekilde gsterilmitir.
R
?lmler %5
#
O s$aklkta yaplm olup yzey s$akl arttka gerilim der.
<km iddeti, gne nm younluu ve pil nm alan ile orantl olarak deiir.
7$akln voltaja tesiri #.#%%U+
#
O orannda olmaktadr. >ekil "JNte '# adet seri
balanm "#Q"# $m ebadnda pilin, " kU+mT nm artlarnda akm iddeti gerilim
karakteristii deiik s$aklklar iin verilmitir.
ekil 12. #' :attlk Bir G0ne Pilinde )k&;Gerili& E"rileri
<Y0=e3 2>akl" 2.
8
? (in@
2ir gne panelinde g adaptasyonunun optimizasyonu iin arj ve kullanma
devresine, ayarlanabilen direnler eklenmelidir. Gne pili i diren$i uygun olmal, ar
gnelenme halinde fazla enerji kullanan ikin$i bir devre bulunmaldr. !k diren$i
veya arj reglatr giri diren$i, nma gre deiebilmelidir. "% volt, J4 ampersaat
kurun akler, sv kayplar ve kendiliinden dearjlar az olduundan bu amala
kullanmlar uygundur.
"#
G0ne Pillerinin Yaps
;ek kristalli silisyum gne pilinin rengi koyu mavi olup, arl "# gramdan
azdr. (ilin st yzeyinde, pil tarafndan retilen akm toplaya$ak ve malzemesi
genellikle bakr olan n kontaklar vardr. 2unlar negatif kontaklardr. 1ontaklarn
altnda "4# mm kalnlnda, yansma zellii olmayan bir kaplama tabakas vardr. 2u
tabaka olmazsa, silisyum, zerine den snmn te birine yakn ksmn yansta$aktr.
2u kaplama tabakas, pil yzeyinden olan yansmay nler. (ilin on yzeyi, normal
olarak yansyan n bir ksmn daha yakalayabilmek ama$yla, piramitler ve konikler
eklinde dizayn edilmitir. !anst$ olmayan kaplamann altnda, pilin elektrik
akmnn ortaya kt yap bulunur. 2u yap, iki farkl katman halindedir. G/katman,
fosfor atomlar eklenmi silisyumdan oluan ve pilin negatif tarafn oluturan
katmandr. (/katman ise, bor atomlar eklenmi silisyumdan olumu, pilin pozitif
tarafdr. :ki katman arasnda, (/G kava denilen, pozitif ve negatif ykl
elektronlarn karlat bir blge bulunur. (ilin arka yzeyinde, elektronlarn girdii
pozitif kontak grevi gren arka kontak yer alr.
ekil 1#. 9ipik Bir 2ilis3%& G0ne Pilinin An Y0=0
Vretilen piller, standart test koullarnda test edildikten sonra, tketi$iye
sunulmaktadr. Lrtam s$akl %4
#
O ortalama nm iddeti "### *+mT vee Wava/
1tle oran ",4 olarak test koullar belirlenmitir. Wava/ktle oran, gne nmnn
geirilme orann gsteren atmosfer kalnldr. Gnein tam tepede olduu durumda,
bu oran, l olarak alnr. <tmosfer tarafndan emilen nmn oranna bal olarak, pilin
rete$ei elektrik miktar da deie$einden, bu oran nemli bir parametredir.
""
;ipik bir silisyum gne pili, #.4 volt kadar elektrik retebilir. (illeri birbirine
seri balayarak retilen gerilim deerini arttrmak olasdr. Genellikle, J#/J0 adet gne
pili, "4/"5 voltluk bir k g$ vermek iin birlikte balanabilir, ki bu voltaj deeri de,
"% voltluk bir aky arj etmek iin yeterlidir. Barkl k gleri vere$ek ekilde imal
edilmi, farkl byklklerde gne pilleri bulmak olasdr. 7ilisyum pillerin seri
balanmas ile modller, modllerin birbirine balanmas ile rgler oluur. Wer modl,
paralel veya seri balanabilmesine olanak vere$ek ekilde, balant kutusuyla birlikte
dizayn edilir.
Gne pilinin kolay$a krlabilmesi ve rettii gerilimin ok dk olmas gibi,
sakn$alarnn giderilmesi gerekir. (illerin birbirlerine balanmas ile oluan modller
koruyu$u bir ereve iine alnmlardr ve kullanlabile$ek dzeyle gerilim retirler.
,odlde bulunan pil says, k g$n belirler. Genellikle, "% voltluk akler iarj
etmek iin J#/J0 adet silisyum gne pilinin balanmas ile bir modl olusa bile, daha
yksek k gleri iin daha byk modller yaplabilir. 6n basit sistem, bir modl v
ebuna bal bir ak veya elektrik motorundan olumu bir sistemdir.
ekil 1'. Pillerden M,d0l ve ArB0lerin Yapl&as
,odllerin fiziksel ve elektriksel olarak bir araya getirilmesi ile oluan yapya
panel ad verilir. 2ir modlden

elde edilen g$ arttrmak iin bavurulan bir yaplanma
biimidir. 2u ekilde, k g$, "%,%','. A veya daha yksek olabilir. 2irden fazla
panelin kullanld bir sistemde, paneller, kontrol $ihazna veya ak grubuna, birlikte
balanabile$ekleri gibi, her panel tek olarak da balanabilir. 2u durumda, bakm
kolayl ola$aktr.
7istemde kullanlan, fotovoltaik retelerin tmnn oluturduu yapya ise
rg denilmektedir. ?rgnn ok byk olduu uygulamalarda, daha kolay yerletirme
ve k kontrol iin sistem, alt/rg gruplarna ayrlabilir. ?rg, bir modlden
oluabile$ei gibi "##.### veya daha fazla modlden de ulaabilir.
"%
G0ne Pili 90rleri
Gne pili teknolojisi, kullanlan maddeler ve yapm trleri asndan son dere$e
zengindir. Gne pili yapm iin u anda kullanlmakta olan bir dzineden fazla
maddenin yan sra, yzler$e maddenin de zerinde allmaktadr. 2elli bal gne
pili trleri aada anlatlmaktadr.
1. !ristal 2ilis3%& G0ne Pilleri
7ilisyum yar iletken zellikleri tipik olarak gsteren ve gne pili yapmnda en
ok kullanlan bir maddedir ve uzun yllarda bu konumunu koruya$ak gibi
grnmektedir. Botovoltaik zellikleri daha stn olan baka maddeler de olmakla
birlikte, silisyum hem teknolojisinin stnl nedeniyle hem de ekonomik nedenlerle
ter$ih edilmektedir.
2. M,n,kristal 2ilis3%& G0ne Pilleri
:lk ti$ari gne pillerinde, OWXLY<M71: kristal ekme teknii ile bytlen
tek kristal yapl silisyum kullanlmtr. Botovoltaik endstride hala en ok kullanlan
yntem olan bu teknikte n$elikle ark frnlarnda silisyum oksit eitli kimyasal ve
termal reaksiyonlardan geirilerek saf silisyum elde edilir. )aha sonra silisyum eriyie
ekirdek denen tek kristal yapl bir silisyum paras batrlr. 2u ekirdek eriyikten
karldnda souyan silisyum eriyik, ekirdein zerine kle eklinde ylm olur.
2u silisyum kle olmaz bir keski ile dilimlere ayrlr. 2u, iki aamada olur. ?n$e kle
dikdrtgen bloklar eklinde kesilir. )aha sonra bu bloklar dilimlere ayrlarak pil
eklinde ilenir. Aerimleri 3"4 $ivarndadr. !apm srasnda malzeme kaybnn ok
fazla olmas bu pillerin dezavantajdr.
#. 2e&isristal <Yarkristal@ 2ilis3%& G0ne Pilleri
2u tip piller, sv silisyumun soutulmasyla elde edilen kmelenmi kk
silisyum kristallerinden oluur. 2u pillerin verimleri 3"' $ivarnda olup, kmelenmi
silisyum tane$iklerinin snrlarndaki kayplar baldr.
'. Ri66,n 2ilis3%& G0ne Pilleri
2u piller, malzeme kaybnn azaltlmas ama$yla levha halinde silisyum
tabakalarndan yaplrlar. Seitli yntemlerle 86fg, )endritik a9 elde edilen bu piller,
halen gelitirme aamasndadr. Aerimleri laboratuar artlarnda 3"J/"' arasndadr.
"J
*. P,likristal 2ilis3%& G0ne Pilleri
2u piller de ribbon silisyum teknolojisiyle yaplp, yaplar polikristal zellik
gsterir. Walen laboratuar aamasndaki bu pillerin verimleri 3"#-dur.
-. n>e +il& G0ne Piller
2u teknikte, absorban zellii daha iyi olan maddeler kullanlarak daha iyi olan
maddeler kullanlarak daha az kalnlkta 8tek kristalin "/4##- kalnlnda9 gne pilleri
yaplr. ?rnein amorf silisyum gne pillerinin absorbsiyon katsays kristal silisyum
gne pillerinin katsaysndan daha fazladr. )alga boyu katsays #.5 mikrondan kk
bir blgedeki gne radyasyonu " mikron kalnlnda amorf silisyum ile
absorblanabilirken, kristal silisyumda ise ayn radyasyonu absorblamak iin 4## mikron
kalnlkta malzeme kullanlmas gerekmektedir. 2u yzden amorf yapl gne
pillerinde daha az malzeme kullanlr ve montaj kolayl nedeniyle bir avantaj salar.
.. )&,rC 2ilis3%& G0ne Pilleri
<morf silisyum gne pilleri 8a/7i9, in$e film gne pili teknolojisinin en nde
gelen rneidir. :lk yaplan a/7i piller 7$hottky bariyer yapsnda iken, daha sonralar p/
i/n yaplar gelitirilmitir. (/i/n yapsndaki pillerin fabrikasyonu kalay oksitle kapl
iletken bir yzeyin zerine ktrme yntemi ile yaplr, bu yzeyin arkas daha sonra
metalle kaplanr. Aerimleri 34/. arasndadr. <n$ak bu piller, ksa zamanda bozunuma
urayarak klar azalr.
5. /i"er Yaplar
2akr indiyum diselenit 8OuIn7e9 maddesinden yaplan ve verimleri 3"J
$ivarnda olan piller halen gelime aamasndadr ve daha kararl ka sahip olduu
iin absorban zellii yksek, verimleri de 3"% $ivarndadr. 2u gne kadar elde edilen
en yksek verime 83%'9 galyum arsenitten yaplan piller ulamtr. 2u madde ile eitli
trde piller elde edilebilmekle birlikte, pahal olduu iin pillerin, gne spektrumunun
daha byk bir blmnden yararlanabilmesi ama$ ile denenen bir yntem ise, birden
fazla in$e film yapsnn st ste konmasyla elde edilen ok eklemli film yaplardr.
2unlarn dnda, gne nmnn yksek verimli pillerin zerine optik olarak
younlatran sistemler zerinde almalar yaplmaktadr. 2u tr sistemlerde gnein
hareketini izleyen dzeneklerin yan sra, gne n kran 8mer$ek9 ya da yanstan
8ayna9 eleman kullanlr.
"'
G0ne Pili Nasl 1alr
!ar iletken bir yasak enerji aral tarafndan ayrlan iki enerji bandndan
oluur. 2u bandlar valans band ile iletkenlik band adn alrlar. 2u yasak enerji
aralna eit veya daha byk enerjili bir foton yar iletken tarafndan sorulduu
zaman, enerjisi valans banttaki bir elektrona vererek elektronun iletkenlik bandna
kmasn salar. 2yle$e elektron/hol ifti oluur. 2u olay, (G eklem gne pilinin ara
yzeyinde meydana gelmi ise elektron/hol iftleri buradaki elektrik alan tarafndan
birbirlerinden ayrlr. 2u ekilde gne pili elektronlar G blgesine, holleri de (
blgesine iten bir pompa gibi alr. 2irbirlerinden ayrlan elektron/hol iftleri, gne
pilinin ularnda yararl bir g k olutururlar. 2u sre yeniden bir fotonun pil
yzeyine arpmasyla ayn ekilde devam eder. !ar iletkenin i ksmlarnda da, gelen
fotonlar tarafndan elektron/hol iftleri oluturulmaktadr. Bakat gerekli elektrik alan
olmad iin tekrar birleerek kaybolmaktadrlar.
G0neten Elektrik ret&enin Yararlar
6lektrik retimi iin pek ok yntem olmasna karlk, gne pilleri ile elektrik
retiminin baz yararlar vardr. 2unlar aada ksa$ aklanmtr.
/ ,ev$ut sistemlerden farkl olarak en byk yarar, Werhangi bir fosil yakt veya
balant gerektirmeden bamsz olarak elektrik retebilmesidir.
/ 1ullanlan yakt, her yerde ve bedava bulmak mmkndr. ;ama ve depolama
gibi sorunlar yoktur.
/ 7istemde kullanlan hareketli paralar ok az olduundan ok az bakm gerektirirler.
6lektrik retiminde kullanlan dier sistemler 8jeneratrler, rzgar veya
hidroelektrik trbinleri vs9 dzenli olarak bakma gerek duyarlar. 6er, pv
sisteminiz kompleks ise, bir para bakm gerekebilir@ an$ak, genel olarak, bu
sistemler iin ZbakmszZ demek yanl olmaya$aktr.
/ )ier elektrik retim sistemleriyle karlatrldklarnda, belki de en byk yararlar
gvenilir olmalardr. Wareketli paralar ya ok azdr@ ya da yoktur. >imekler,
gl rzgarlar veya kum frtnalar, nem ve s, kar veya buz gibi doa olaylarna
dayankldrlar.
"4
/ 6nerjiyi kullanmak istendii yerde retmek olasdr. 2yle$e enerjiyi tamak
gerekmez. >ebekenin ulamad, rnein, G7, veri$ilerinin yerletirildii
yerlerde, bu sistemi kullanmak olasdr.
/ 6nerji kayna ile kullanm yeri arasnda, uzun kablolar ve balarn elemanlar
olmadndan arada oluabile$ek g kaybndan kanlm olur. 2u sistemle, ok
sayda tketim noktas beslenmek istendii zaman bile yerel kayplar yok dene$ek
kadar azdr.
/ ,odler bir sistem olduu iin g k kolaylkla arttrlabilir. ,ev$ut modllere
yenilerinin eklenmesi ile sistem, artan g gereksinimini karlayabile$ek duruma
getirilebilir.
"0
2$ND1
Gne pilleri evre dostu ve tkenmez enerji kayna gneten, insan mr
boyun$a elektrik retirler. ;rkiye ylda ortalama %0## saat gnelenme zamanyla
gne enerjisinden ekonomik olarak yararlanlabilen bir lkedir.
2ir gne pili sistemi dizayn etmek iin sistemin kurula$a blge ve retilmek
istenen enerji miktarnn bilinmesi gerekir. 7istem, arzu edilen zel koullarda gz
nne alnarak istenen koullarda dizayn edilebilir.
Gne pillerinin kullanm alanlarnn banda aydnlatma ve haberleme
gelmektedir. !erleim merkezlerine uzak yerlerdeki G7, veri$ilerinin ve radyo
istasyonlarnn enerjilerini karlamak iin ideal zmdr. 7izi ebeke bamllndan,
jeneratrlerin bakm ve iletme masraflarndan kurtarr.
"5
!)YN)!L)R
". P!<X6M, )o. )r. <. !$el & ?Y, !rd. )o. )r. 6tem 7ait 8G.V. ;eknik 6itim
Bakltesi, ;esisat 6itimi <nabilim )al 2akan9, Gne 6nerjisi ve Pygulamalar,
2irsen !aynevi, <nkara, 1asm &"R.5.
%. !IM)IXI,, 2lent & <11L!PGMP ;amer & 76Y6X <hmet, 2ir 2inann Gne
(ili )estekli Gne 1ollektrleriyle Istlmas, 7.).V., ,hendislik/,imarlk
Bakltesi, ,akine ,hendislii 2lm, 2itirme ?devi, Isparta, "RR4.
".
"R
1N/E!LER
GVG6> (:MM6X:.............................................................................................................."
Giri..............................................................................................................................."
,addenin !aps ve !ar :letkenler.............................................................................."
( & G 1ava...........................................................................................................'
Botovoltaik (il...............................................................................................................0
Gne (ili Seitleri........................................................................................................5
a. 7elenyum Gne (iliH ............................................................................................5
b. 7ilisyum Gne (iliH ............................................................................................5
Gne (ili 6deer >emas ve Gne (anelleri..............................................................
Gne (illerinin !aps................................................................................................""
Gne (ili ;rleri........................................................................................................"J
". 1ristal 7ilisyum Gne (illeri............................................................................."J
%. ,onokristal 7ilisyum Gne (illeri...................................................................."J
J. 7emisristal 8!arkristal9 7ilisyum Gne (illeri................................................."J
'. Xibbon 7ilisyum Gne (illeri............................................................................"J
4. (olikristal 7ilisyum Gne (illeri........................................................................"'
0. :n$e Bilm Gne (iller........................................................................................."'
5. <morf 7ilisyum Gne (illeri............................................................................."'
.. )ier !aplar......................................................................................................."'
Gne (ili Gasl Salr..............................................................................................."4
Gneten 6lektrik Vretmenin !ararlar......................................................................."4
7LGPS............................................................................................................................"5
1<!G<1M<X................................................................................................................".
i
E!LLER L29E2
GVG6> (:MM6X:.............................................................................................................."
Giri..............................................................................................................................."
,addenin !aps ve !ar :letkenler.............................................................................."
>ekil ". 2ir !ar :letkenin !aps......................................................................................%
>ekil %. 6nerji 2andlar.....................................................................................................%
( & G 1ava...........................................................................................................'
>ekil J. ( & G 1avann Lluumu................................................................................'
>ekil'. ( & G 1ava ve : <km....................................................................................4
>ekil 4. ( & G 1avanda 6nerji 2and.........................................................................4
Botovoltaik (il...............................................................................................................0
>ekil 0. Botovoltaik (ilin !aps.......................................................................................0
>ekil 5. Botovoltaik (il 6deer 6lektrik )evresi.............................................................0
Gne (ili Seitleri........................................................................................................5
a. 7elenyum Gne (iliH ............................................................................................5
>ekil .. 7elenyum Gne (ilinin !aps............................................................................5
b. 7ilisyum Gne (iliH ............................................................................................5
Gne (ili 6deer >emas ve Gne (anelleri..............................................................
>ekil R. Gne (ili..............................................................................................................
>ekil "#. ( & G 1avann Lluturulmas ve 1avaa )en Boton 6nerjisi ile
:letkenlik ;emini...............................................................................................................R
>ekil "". Gne (ili 6deer 6lektrik >emas...................................................................R
>ekil "%. J' *attlk 2ir Gne (ilinde <km/Gerilim 6rileri....................................."#
8!zey 7$akl %5 #O :in9..........................................................................................."#
Gne (illerinin !aps................................................................................................""
>ekil "J. ;ipik 2ir 7ilisyum Gne (ilinin ?n !z.....................................................""
>ekil "'. (illerden ,odl ve ?rglerin !aplmas........................................................."%
Gne (ili ;rleri........................................................................................................"J
". 1ristal 7ilisyum Gne (illeri............................................................................."J
%. ,onokristal 7ilisyum Gne (illeri...................................................................."J
J. 7emisristal 8!arkristal9 7ilisyum Gne (illeri................................................."J
'. Xibbon 7ilisyum Gne (illeri............................................................................"J
4. (olikristal 7ilisyum Gne (illeri........................................................................"'
0. :n$e Bilm Gne (iller........................................................................................."'
5. <morf 7ilisyum Gne (illeri............................................................................."'
.. )ier !aplar......................................................................................................."'
Gne (ili Gasl Salr..............................................................................................."4
Gneten 6lektrik Vretmenin !ararlar......................................................................."4
7LGPS............................................................................................................................"5
ii
1<!G<1M<X................................................................................................................".
9.?.
2LEYM)N /EMREL NEER29E2
MFEN/2L! MM)RLG! +)!L9E2
M)!NE MFEN/2LH BALM
GNE PLLER
76,:G6X II.
iii
/)NGM)N
?r. Gr. ,ehmet :Y)6>
F)IGRL)Y)N
Ll$ay 6,:X
RR""##%#'J
G2P)R9) 2882
iv
v