Engineering ceramics Engineering ceramics

Preparation and mechanical properties Preparation and mechanical properties

Zoltn Len!!
Institute of Inorganic Chemistry
Slovak Academy of Sciences
Bratislava, Slovakia
Pr Preparation eparation of ceramic materials of ceramic materials
Starting powders
Shaping
Drying
Binder burn out
Sintering
Final shaping
Characterization application
milling
homogenization
precursors
pressing
injection moulding
extrusion
casting
pressureless
hot pressing
hot isostatic pressing
reaction bonding
cutting
grinding
polishing
Pr Preparation eparation of powders of powders
Syntza keramick!ch pr"kov
Metdy prpravy pr!kov
Mechanick:
mechanochemick syntza
Chemick:
reakcie v tuhej fze
roztokov metdy
reakcie v plynnej fze
termick" rozklad ltok
Planetov! mlyn
Mechanochemick syntza pr"kov
Preru!ovan vysokoenergetick mletie pr!kov
(500-800 ot/min)
Mechanick Mechanick met met dy pr dy pr pravy pr pravy pr" "kov kov
Ti + C = TiC (Ar)
Fe + B = FeB (Ar)
Ti + N
2
= 2TiN
B + NH
3
= BN + 3/2 H
2
3C + 4NH
3
= C
3
N
4
+ 6H
2
2Ti + 3Si + Si
3
N
4
+ 3N
2
= 2TiN + 2Si
3
N
4
objemov bilancia !!!
Chemick Chemick met met dy pr dy pr pravy pr pravy pr" "kov kov
Roztokov metdy
(vhodn pre oxidy)
su!enie - fluidn
- emulzn
- zmrazovanm
plenie
hydrol"za
sl-gl
amonol"za
z tavenn sol
z nevodn"ch roztokov
Reakcie v tuhej fze
karbotermick redukcia
reakcie v re#ime horenia
(SHS)
Chemick Chemick met met dy pr dy pr pravy pr pravy pr" "kov kov
Roztokov metdy
(vhodn pre oxidy)
su!enie - fluidn
- emulzn
- zmrazovanm
plenie
hydrol"za
sl-gl
amonol"za
z tavenn sol
z nevodn"ch roztokov
Reakcie v tuhej fze
karbotermick redukcia
reakcie v re#ime horenia
(SHS)
Chemick Chemick met met dy pr dy pr pravy pr pravy pr" "kov kov
Termick" rozklad ltok Reakcie v plynnej fze
(vhodn pre neoxidov ltky)
zr#anie z plynnej fzy
(CVD, PVD)
reakcie plyn tuh fza
reakcie plyn kvapaln fza
anorganick prekurzory
organick prekurzory
organokovov prekurzory
Chemick Chemick met met dy pr dy pr pravy pr pravy pr" "kov kov
Termick" rozklad ltok Reakcie v plynnej fze
(vhodn pre neoxidov ltky)
zr#anie z plynnej fzy
(CVD, PVD)
reakcie plyn tuh fza
reakcie plyn kvapaln fza
anorganick prekurzory
organick prekurzory
organokovov prekurzory
SiO
2
+ 3C
>1700C
SiC + 2CO
3SiO
2
+ 6C + 2N
2
!-Si
3
N
4
+ 6CO
"-SiC
<1500C
>1500C
Obdobn"m spsobom mo#no pripravi": TiN, Ti(C,N), AlN, SiAlON, at#.
Reakcie v tuhej fze
Karbotermick redukcia (a nitridcia)
(Achesonov spsob)
Achesonov spsob prpravy SiC
(1893)
SiO
2
+ 3C !SiC + 2CO - 618,5 kJ/mol (1700 2500 C)
4 x 4 x 20 m
Vsdzka: do 400 t
Po 40-160 h v""a#ok 50 t technickho SiC
(okrajov nezreagovan !asti sa pou"ij v "al#ej vsdzke)
58-65% SiO
2
(kreme$)
35-42% C (grafit, koks)
1-2% chloridy, fluoridy, borty
0,5-1% piliny
SiO
2
+ 3C
>1700C
SiC + 2CO
3SiO
2
+ 6C + 2N
2
!-Si
3
N
4
+ 6CO
"-SiC
<1500C
>1500C
Obdobn"m spsobom mo#no pripravi": TiN, Ti(C,N), AlN, SiAlON, at#.
Reakcie v tuhej fze
Karbotermick redukcia (a nitridcia)
(Achesonov spsob)
Samovo#ne sa #riaca vysokoteplotn syntza
(SHS Selfpropagating Hightemperature Synthesis)
zpaln zmes
U
reaktanty
produkt
tlakov ndoba
2Ti + N
2
= 2TiN
3Si + 2N
2
= Si
3
N
4
Reakcie v tuhej fze
Reakcia v re#ime horenia
Roztokov metdy (oxidy)
NH
4
OH HNO
3
butanol
Roztoky sol
Zr(NO
3
)
4
Y(NO
3
)
3
Zr#anie
Zr(OH)
4
Peptizcia
ZrO
2
.nH
2
O
SL
GL Su"enie
PR$KY
ZrO
2
PSZ
SL - GL
HYDROL%ZA
Me(OR)
n
+ nH
2
O Me(OH)
n
+ nR(OH)
Me(OH)
n
MeO
n/2
+
n
/
2
H
2
O
alkoxidy
mletie
PR$KY
Reakcie v plynnej fze
3 SiH
4
(g) + 4NH
3
(g) !Si
3
N
4
(s) + 12 H
2
(g)
2SiH
4
(g) + C
2
H
2
(g) !2SiC(s) + 5H
2
(g)
SiH
4
(g) + C
2
H
2
(g) + NH
3
(g) ! SiC
x
N
y
(s) + H
2
(g)
Si
3
N
4
SiCN
Zr#anie z plynnej fzy (CVD)
SiC
Schma aparatry CVD
1
1
2
3
4
5
6
1
1
1
1
S
i
H
4
+

N
2
C
2
H
2
N
H
3
manometer
termo!lnok
Pec
prietokomer
zbera!
vak. pumpa
MCl
4
- CH
4
- H
2
!MC (M = Ti, Zr, Ta, Nb)
MCl
x
- BCl
3
- H
2
!MB
2
(M = Ti, Zr, Hf, Nb)
3Si(s) + 2N
2
(g) Si
3
N
4
(s)
Fe, H
2
"H
r
< 0
Reakcie plyn tuh fza (priama nitridcia kremka):
Reakcie v plynnej f Reakcie v plynnej f ze ze
Si
Si
Si Si
Si
3
N
4
Si
N
2
Prprava TiN, AlN, BN, GaN, at#.
Si
Termick! rozklad Termick! rozklad organokovov!ch organokovov!ch prekurzorov prekurzorov
Termick! rozklad polymrnych prekurzorov:
3Si(NH)
2
(s) Si
3
N
4
(s) + 2NH
3
(g)
Termick! rozklad diimidu kremka:
(CH
3
)
2
SiCl
2
Na
xyln
(- Si -)
n
CH
3
CH
3
Kond.
450C
(- Si C -)
n
polykarbosiln
(prekurzor)
1200-1300C
SiC pr"ok
(Et
2
N)
4
Si
NH
3
(-Si(NH)
2
-)
n
Si
3
N
4
1200C
Pr Pr klady klady organokovov!ch organokovov!ch prekurzorov prekurzorov
Vlastnosti syntetick"ch pr Vlastnosti syntetick"ch pr! !kov kov
Kry!tlov !truktra
Fzov a chemick zlo#enie
Tvar !astc
Ve"kos# !astc
Rozdelenie ve"kosti !astc
- defekty
- ne!istoty
izometrick !astice
- vlkna
1 m
pr!ok lisovanie spekanie materil s defin.
mikro!truktrou
Prprava keramick!ch materilov
Si
3
N
4
-E10
Si
3
N
4
-E5
6 m
3 m
% %astice syntetick"ch pr astice syntetick"ch pr! !kov kov
Izometrick
monodisperzn
polydisperzn
(bimodlne)
DVODY:
pravideln usporiadanie
!astc a riadenie sl
medzi nimi
DVODY:
vy!!ie po!iato!n
hustoty
men!ie zmra!tenie
rovnomern rozdelenie
prov a t"m
rovnomern spekanie
- vy!!ia homogenita
- vy!!ia spo"ahlivos#
priaznivej!ie
podmienky
pre spekanie
Vlkna
krtke nekone!n
DVODY:
vysok pevnos#
(E
f
> 2E
M
)
mal" priemer
(d = 5 a# 10m)
definovan" pomer
(L / d)
Pr Pr klady sf klady sf rick"ch rick"ch ! !ast ast c, vl c, vl kien, ... kien, ...
SiC vlkna
E10
E03
Rozdelenie ve#kosti !astc
Charakterizcia pr!kov
Planetov" mlyn
Mletie a homogenizcia pr!kov
Homogenizcia
na valcoch (24 hod)
200-250 rpm
Atritor
Mletie a homogenizcia pr!kov
(300-600 rpm)
Si
3
N
4
SiC
ZrO
2
oce#
Sitovanie
Su!enie a sitovanie pr!kov
(odstrnenie aglomertov)
Rota!n odparova!ka
(50-90C, podtlak - vakuum)
120, 75, 45, 25 m ok
Lisovanie, tvarovanie
jednoosov lisovanie
izostatick lisovanie
vstrekovanie
odlievanie psky (tape casting)
vytl!anie - extrzia
Injek!n vstrekovanie
Extrzia - vytl!anie
Extrzia - vytl!anie
Horizontlny extrudr
Vertiklny extrudr
Odlievanie keramickej psky
(Tape casting)
Parametre:
viskozita suspenzie
prilnavos" k nosnej pske
r"chlost posuvu nosnej psky
v"!ka otvoru
Odlievanie keramickej psky
(Tape casting)
Odstrnenie organick"ch ltok
(disperzanty, pojiv, plastifiktory)
v"pal pri 400 - 600C
(vzduch, O
2
, N
2
, Ar)
Spekanie
Prprava tuh"ch ltok z pr!ku
(vytvranie pevn"ch kontaktov, prenos ltky do prov)
Spekanie
Reakciou Viskznym tokom Difziou
v tuhej fze v kvapalnej fze
3 Si + N
2
= Si
3
N
4
amorfn ltky
T ..... #
x
x
r
H
r
a
n
i
c
a

z
r
n
a
= K($,%,T,D)&t
x
n
r
m
Difzne mechanizmy po!as spekania:
1. povrchov difzia
2. objemov difzia (povrch-kr!ok)
3. vyparovanie kondenzcia
4. hrani!n difzia
5. objemov difzia (hranica kr!ok)
6. objemov difzia (dislokcie kr!ok)
V"lisok - termodynamicky nerovnov#ny systm.
T = 25C ............. nzky D
T > 0,6 T
m
........... rastie D
Kelvinova rovnica:
ln p/p
o
=2$V
m
/rRT
difzia
Kelvinova rovnica:
difzia
r
p
'
'
(
)
*
*
+
,
+ =
2 1 0
1 1
ln
r r RT
V
P
P
m
!
Vplyv konkvneho a konvexnho povrchu
Mechanizmus spekania
x
t a T F
a
x
n m
n
-
= '
(
)
*
+
,
) (
" = n-m
Proces spekania
a) Nult #tdium spekania
formovanie telesa z pr!ku za studena
rozdelenie ve&kosti a tvaru prov
tvorba nov"ch kontaktov medzi !asticami
bodov kontakty sa menia na plo!n
b) Po!iato!n #tdium spekania
zv"!en teplota
tvorba kr!kov
tvorba hranc z'n
teleso sa zhutn cca. o 5%
c) Stredn #tdium spekania
rast koordina!nho !sla !astc
valcov sie" prov
objemov a hrani!n difzia
hutnos" cca. 92%
d) Kone!n #tdium spekania
pry sa uzatvraj
pokles provitosti
rast z'n
(a) (b)
(c) (d)
Spekanie
Ni + Al
2
O
3,
1400C
Spekanie v prtomnosti kvapalnej fzy
1) tavenina zm!a povrch
2) !iasto!n rozpustnos" tuhej fzy
(zv"!enie dif. koef.)
$tdi spekania:
nult !tdium spekania
prerozdelenie !astc
rozp!"anie precipitcia
spekanie tuhho skeletu
F = 2.r$cos# .r
2
"P
povrchov naptie kapilrna sila
$l/l
o
= k
1
r
-4/3
(t-t
o
)
1/3
.... difzia v kvap.
$l/l
o
= k
1
r
-1
(t-t
o
)
1/2
.... reakcia
Spsoby spekania
T
Eutectic
< T
2
< T
Solidus
Dvojstup$ov spekanie
Cie#: zamedzi$ rastu z%n
kinetick
okno
dvostup&ov sp. konven!n spekanie
Vo&n spekanie
Reak!n spekanie
Tlakov spekanie
$iarov lisovanie
Horce izostatick lisovanie
Metdy spekania keramick"ch materilov
Mikrovlnn spekanie (MWS)
Spekanie za prtomnosti plazmy (SPS)
Spekanie pomocou pulznho
elektrickho prdu/v"boja (PECS)
Centrifuglne spekanie (CFS)
Beztlakov (vo&n) spekanie
(Pressureless Sintering PLS)
(0,5-0,9) T
m
spekanie difziou
a viskznym tokom
objemov zmeny
zsyp vzorka
~~
~~
~~
~~
~~
~~
~~
~~
Reak!n spekanie
(Reaction Bonding RB)
RBSN: 3Si + 2N
2
= Si
3
N
4
"V = +21.6%
RBSC: Si + C = SiC
RBAO: 4Al + 3O
2
= 2 Al
2
O
3
RBMSN: Mg +Si + N
2
= MgSiN
2
"V = -1.6%
Si
Si
Si
N
2
V"hoda:
#iadne (mal) objemov
zmeny
lacn v"chodiskov pr!ky
Tlakom aktivovan spekanie
R"chlos" zhut$ovania:
D
v
= koeficient objemovej difzie,
M = molrny objem,
P = tlak,
R = plynov kon!tanta,
T = teplota, r = polomer !astice,
%
0
= po!. hustota.
) (
6 . 5
0
2
% %
%
-
=
RTr
MP D
dt
d
V
P
$iarov lisovanie
(Hot Pressing HP)
20 - 40 MPa
P
mech
>> P
0
Spekanie za zv"!enho tlaku plynu
(Gas Pressure Sintering GPS)
Vzorka
P
1
, T
1
< P
2
, T
2
P
max
= 10 MPa
Kombincia HP a GPS
(100-800 MPa)
Horce izostatick lisovanie
(Hot Isostatic Pressing - HIP)
a) Zatavenie vzorky
b) Predspekanie vzorky
uzatvoren provitos" (95% TD)
Mikrovlnn spekanie
(Microwave Sintering MWS)
ohrev zvntra
f = 2,45 GHz
D
i
e
l
e
c
t
r
i
c
l
o
s
s
/
0
0
T / C
susceptor
ZnO
Al
2
O
3
SiC
Absorpcia MW: P# $%%
tepeln
izolcia
Mikrovlnn spekanie
(Microwave Sintering MWS)
Laboratrne MW pece
Tlakov spekania
1 Ring mould
2 Top- /bottom punch
3 Powder part
4 Induction coil
1 Ring mould
2 Top- /Bottom punch
3 Powder part
4 Graphite heating element
1 Ring mould
2 Top- /Bottom punch
3 Powder part
4 Graphite electrode
5 Brass electrode
6 Copper plate
7 Transformer
Induk!n! ohrev
Nepriamy odporov! ohrev
Priamy ohrev
Spekanie za prtomnosti plazmy
(Spark Plasma Sintering - SPS)
(Field Assisted Sintering FAS)
SPS
E
l
e
c
t
r
i
c
h
e
a
t
i
n
g
2
5
0
0

A
ve&mi r"chly ohrev (100-400C/min)
ni#!ie teploty spekania
krtka v"dr# (2-10 min)
Priame #iarov lisovanie
(Direct hot-pressing = DHP)
1 Graphite mould
2 Graphite punches
3 Powder
4 Graphite electrode
5 Brass electrode
6 Copper plate
7 Transformer
Grafitov forma a vzorka s ohrievan elektrick"m prdom (Joulovo teplo)
Na rozdiel od SPS sa pou#va AC, alebo DC (nie pulzovan" DC; pulz 3 ms).
El.
prd
Centrifuglne spekanie
(Centrifugal Sintering - CFS)
ot!ky: 10 000 min
-1
uhlov r"chlos": % = 1 047 rad/s
polomer rotora: r = 80 mm
hmotnos" !astice: m ~ 10
-13
kg
Centrifuglny tlak:
F = mr%
2
(F = 1-1000 MPa)
Spekanie laserom
(Laser Sintering)
CAD (Computer Aided Design) softvr
Tvar v"robku:
Spekanie laserom
(Laser Sintering)
Bioimplantty
Rapid prototyping
Spekanie laserom
(Laser assisted ink-jet printing: LIJ)
!rka: 7-10 m
hrbka: 10 m
Parametre:
ve&kos" kvapky
frekvencia strekov
prkon laseru
r"chlos" pohybu substrtu
LIJ
Mikro!trukturlna anal"za
brsenie, le!tenie
zalievanie
leptanie (tepeln, chemick, plazmov)
REM
rezanie
Mikro!truktra
Si
3
N
4
+ 5%Y
2
O
3
+ 2%Al
2
O
3
SiC + 10% YAG
Mikro!truktra: priestorov, tvarov
a objemov zastpenie fz tvoriacich
polykry!talick" materil.
Mikro!truktra je charakterizovan:
po!et a identifikcia prtomn"ch fz
vrtane prov (RTG, Archimedes)
relatvne mno#stvo prtomn"ch fz
(obj.%)
charakterizcia ka#dej fzy
(ve&kos", tvar, orientcia z'n, ...)
Starting powder:
150 nm
Sintering 1300
o
C/60
Grain size ~ 1 m
Starting powder:
0.5 m
Hot pressing
1700
o
C/60
Grain size ~ 5 m
Mikro!truktra Al
2
O
3
Transmisn elektrnov mikroskopia (TEM)
TEM
Vysokorozli!ovacia TEM (HRTEM)
Si
N
Si
3
N
4
AFM atomic force microscopy
topografia povrchu
AFM
hrot AFM
Fzov anal"za
Vysokoteplotn" XRD
20 30 40 50 60








*
*
* * *





*
* *
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
Si
1-Si
3
N
4
Mg
3
N
2
MgSiN
2














830
o
C
930
o
C
1090
o
C
1350
o
C


22 (deg.)
XRD pri lab. teplote
Mechanical properties
Mechanical properties
Youngs modulus (E)
Hardness (HV)
Fracture toughness (K
IC
)
Strength (s
4b
)
Weibull modulus (m)
Modul pru#nosti E
(Youngov modul pru#nosti)
Elastick! (Youngov) modul:
Vz"ah medzi:
Axilnym naptm 3
Axilnou deformciou !
Hookov zkon: & = E. $
Jednotka: GPa


&
$
E
Modul pru#nosti E
(Youngov modul pru#nosti)
Metda statickho ohybu:
E = Fd(3L
1
-4d
2
)/4BW
3
b
kde: d = L
1
- L
2
F... za"a#ujca sila
b ... priehyb
B,W... !rka, v"!ka vzorky
(W = 0,8 1,2 mm)
priehyb
Modul pru#nosti E
(Youngov modul pru#nosti)
Puls echo metda:
E = 4(3v
t
2
v
l
2
- 4 v
t
4
)/(v
l
2
- v
t
2
)
4 .... hustota
v
t
r"chlos" prie!neho vlnenia
v
l
r"chlos" pozd(#neho vlnenia
2 2
2 2
2
5 . 0
t l
t l
v v
v v
-
-
= &
Poissonove !slo:
Rezonan!n metda:
E = 96.517 &10
-8
(L
3
/BW
3
)Kmf
2
L ... d(#ka vzorky
m ... hmotnos" vzorky
f ... rezonan!n frekvencia
Mikrotvrdos" (F ~ 1-300N):
Vickers (ihlan)
Knoop (ihlan)
Rockwell (ku#e&, guli!ka)
Brinell (guli!ka)
Nanotvrdos" (F ~ mN):
Berkovich (trojbok" ihlan)
Tvrdos": odpor materilu vo!i deformcii vyvolanej psobenm
geometricky definovanho telesa
Mohsova stupnica:
(1822)
Diamond 10
Corundum 9
Topaz 8
Quartz 7
Orthoclase 6
Apatite 5
Fluorite 4
Calcite 3
Gypsum 2
Talc 1
F za"a#ujca sila (N)
d ... diagonla vpichu (mm)
1 = 136
Tvrdos": Vickers
HV = 1.854 F/d
2
HK = F/Cl
2
l ... d(#ka vpichu
C ... korek!n" faktor
C = 0,07028
l/w = 7 : 1
Tvrdos": Knoop
l
HK = 14,229F/l
2
HV vs. HK .... nedochdza k vy!tiepeniu materilu
Tvrdos": Rockwell
h H
R
- =100
h - h!bka t rval ho vpichu v m
Berkovitchov indentor, za"a#enie medzi 0.1mN a 300 mN
Zvislos" za"a#enia na h(bke vpichu (cca 0,1 nm):
Nanotvrdos Nanotvrdos# #
Lomov h#evnatos# K
IC
odo&nos" materilu vo!i !reniu sa trhliny
Indenta!n metda
Anstis: K
IC
= 0.016(E/H)
1/2
(P/c
3/2
)
Shetty: K
IC
= 0.0889(HP/4l)
1/2
l = c-a
Lomov h#evnatos# K
IC
Indenta!n metda
2
3
2
1
2
1
067 . 0
-
'
(
)
*
+
,
'
(
)
*
+
,
=
a
c
H
E
Ha K
IC
2
3
2
1
2
1
032 . 0
-
'
(
)
*
+
,
'
(
)
*
+
,
=
a
c
H
E
Ha K
IC
2
1
4 . 0
2
1
1 018 . 0
-
5
6
7
8
9
:
-
'
(
)
*
+
,
'
(
)
*
+
,
=
a
c
H
E
Ha K
IC
Anstis:
Niihara:
Lomov h#evnatos# K
IC
Indenta!n metda
Chevron notch test Single-edge notched beam Compact tension
Lomov h#evnatos# K
IC
Sk!obn trm!eky s vrubom
K
IC
= YP/Bw
1/2
Lomov h#evnatos# K
IC
Sk!obn trm!eky s vrubom
300 m
15 m
SENB
SEVNB
snahou je zv!#i$ ostros$ vrubu (minimalizova$ r)
B ... !rka vz.
H ... v"!ka vz.
1 = a/H
Lomov h#evnatos# K
IC
Sk!ka ohybom na telese s V-vrubom
diamantov! kot! na rezanie V-vrubu
vzorka s V-vrubom
v!sledky SEVNB s porovnate#n
s nro!nej#mi metdami CVN, SEPB
Lomov h#evnatos# K
IC
SEPB = Single-edge precracked beam method
V!hoda: zv!#enie ostrosti vrubu pred'"enm trhliny
Vplyv mikro!truktry na lomov h#evnatos#
Vplyv objemovho podielu tenk!ch (biele st!pce)
a hrub!ch (siv st!pce) pred!"en!ch "astc
b-Si
3
N
4
so #thlos#ou nad 4 (aspect ratio > 4)
na lomov h"evnatos# ("ierne st!pce)
Si
3
N
4
keramiky.
Vplyv mikro!truktry na lomov h#evnatos#
Pevnos Pevnos# # v ohybe v ohybe
P
M
o
m
e
n
t
h
d
trojbodov"
'
max
= 3PL/2h
2
d
L
!tvorbodov"
'
max
= 3PD/h
2
d
D
Pevnos Pevnos# # v v # #ahu / tlaku ahu / tlaku
pevnos" v "ahu
pevnos" v tlaku
'
c
...pevnos" v tlaku
F*...za"a#enie pri lome
A
0
...prierez vzorky
l*... d(#ka vzorky pred lomom
ASTM C1161 - 02c(2008)e1 Standard Test Method
for Flexural Strength of Advanced Ceramics
at Ambient Temperature
ASTM C1366 - 04(2009) Standard Test Method
for Tensile Strength of Advanced Ceramics
at Elevated Temperatures
Pevnos Pevnos# # v v # #ahu / tlaku ahu / tlaku
(AH TLAK
Keramick materily maj ni#!iu pevnos" v "ahu ako v tlaku.
Notched ball test Notched ball test
Notched ball test Notched ball test
Wind mill power ~ d
2
; blade weight ~ d
3 '
demands on rotor
Notched ball test Notched ball test
Notched ball test Notched ball test
Pevnos Pevnos# # pri vysok"ch pri vysok"ch tepot tepot ch ch
Weibullov modul (m): charakterizuje spo&ahlivos" materilu (rozptyl hodnt)
P
f
... pravdepodobnos" prelomenia materilu pri napt 3
Weibullova Weibullova ! !tatistika tatistika
Vysokoteplotn Vysokoteplotn te te! !enie enie - - creep creep
Deformcia pri kon!tantnom napt (v tlaku, ohybe, alebo v "ahu) ako funkcia
#asu a teploty
/
0
= /
el
= 3/E
rozp!"anie
precipitcia
viskzny tok
kavitcia
&
&
Mechanizmy creepovej deformcie v keramick"ch materiloch s intergranulrnou fzou
200 nm 200 nm
0 100000 200000 300000 400000 500000 600000
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
0
1,2
Si
3
N
4
+ SiC
1200C
1250C
1300C
1400C
150 MPa
100 MPa
50 MPa


D
e
f
o
r
m

c
i
a
,

[
%
]
%as, [s]
Creep Creep
Creep Creep
'
(
)
*
+
,
- & & =
RT
Q
A
n
exp
.
' (
.

n a Q dvaj informcie
o creepov"ch mechanizmoch
(difzia, disloka!n mechanizmy)
stanovenie nap"ovho exponentu n
Creep Creep
stanovenie aktiva!nej energie
Tribol Tribol gia gia
Pri keramick"ch systmoch sa rozli!uj dva zkladn mechanizmy opotrebenia:
mechanick
chemick
Chemick opotrebenie je zalo#en na atakovan povrchu reaktvnymi zlo#kami
a prslu!n"m zadieranm alebo odde&ovanm splodn opotrebenia mechanick"m
psobenm.
metda
pin-on-disc
tribologick stopa
Tribol Tribol gia gia
topografia
tribo-stopy
Anal!za drsnosti povrchu tribologickej stopy po oterovej sk#ke
AFM
anal!za tribologick
stopa
Tribol Tribol gia gia
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1
0 200 400 600 800 1000
Trecia vzdialenos$ [m]
K
o
e
f
i
c
i
e
n
t

t
r
e
n
i
a
koef. trenia (stredn hodnota)
koef. trenia (min. hodnota)
koef. trenia (max. hodnota)
- !asticami spevnen keramick matrica (ve&kos" !astc: 5 nm 5 mm)
- vlknami spevnen keramick matrica (krtke resp. nekone!n vlkna)
- vrstevnat (keramick vrstvy na keramickom resp. kovovom substrte)
Spevnenie kon Spevnenie kon" "truk truk! !nej keramiky nej keramiky
%asticami spevnen kompozity
Si
3
N
4
- TiN
Si
3
N
4
- SiC
MgSiN
2
- Si
3
N
4
Si
3
N
4
- Si
3
N
4
Nanotrubkami spevnen kompozity
Vlastnosti nanotrubiek
Uhlkov nanotrubky: SWNT a MWNT
Tepeln vodivos": 3000 W/mK
El. odpor: 10
-4
;cm
Prdov hustota: 10
7
-10
13
A/cm
2
Youngov modul (SWNT): ~ 1 TPa
Youngov modul (MWNT): 1.28 TPa
Pevnos" v "ahu: ~30 GPa
SWNT
MWNT
Vlknami spevnen keramika
C/BN/SiC
Vlknami spevnen keramika
Nicalon vlkna povlakovan s BN
SiC
BN
Vrstevnat kompozity
Vrstevnat kompozity
slab!ia medzivrstva
delamincia
zabrnenie katastrofickmu lomu
katastrofick"
lom
postupn"
lom
Vrstevnat kompozity
ISUZU
Aplikcie vrstevnat!ch keramick!ch kompozitov
< ... tepeln vodivos"
f ... frik!n" koeficient
o ... oteruvzdornos"
' ... pevnos"
K
IC
... lomov h#evnatos"
1. = <, = f, > o
2. samodetek!n vrstva
3. > ', > K
IC
, ~<
4. > ', > K
IC
, > <
5. cermet Si
3
N
4
/Al
1. 5.
Vrstevnat keramick kompozity
so samodetek!nou schopnos"ou vzniku trhln
Funk!n !as"
Diagnostick
!as"
3
t
Prahov hodnota obsahu TiN ?
~8-25% TiN
Segregated distribution
V
c
= 0.08 0.15
Network distribution
V
c
= 0.20 0.25
14 16 18 20 22 24
0
200
400
600
800


(

/

)
c
m
TiN / vol%
Zmena elektrickej vodivosti Si
3
N
4
v zvislosti od obsahu TiN
16 17 18 19 20 21
0,01
0,1
1
10
100


E
l
e
c
t
.

r
e
s
i
s
t
i
v
i
t
y

/

;
.
c
m
TiN content / vol%
20% TiN
33% TiN
3
t
3
t
Zmena rezistivity pod "ahov"m naptm
0 10 20 30 40 50 60 70 80
0
5
10
15
20


20% TiN
33% TiN
C
h
n
a
g
e

o
f

e
l
.

r
e
s
i
s
t
a
n
c
e

(
%
)
Deflection (m)
C
h
a
n
g
e

o
f

e
l
.

r
e
s
i
s
t
a
n
c
e

(
%
)
Deflection (m)
V
P
multimeter
(KEITHLEY 2000)
zdroj prdu
(KEITHLEY 220)
1 nA 100 mA
Schematick znzornenie experimentu
4-point bending fixture
with piezo-electric
displacement transducer
Zmena rezistivity v zvislosti od za"a#ujcej sily
0 20 40 60 80 100 120
0,04
0,06
0,08
0,10
0,12
0,14


(

/

)
.
c
m
Load / N
300 nm
pvodn! materil
TiN
SN
SN
SN
SN
po za$a"en
TiN
Si
3
N
4
vymeni" s!iastku!!!
Cyklick #a"a#enie
0 10 20 30 40 50 60 70 80
0,04
0,05
0,06
0,07
0,08
0,09
0,10
0,11
0,12
0,13


(

/

)
c
m
Load / N
Schematic of the ceramic sheet
with self-diagnostic circuit
CAD
(Computer Added Design)
Ink-jet printer ProSys 6000
Schematic of the self-diagnostic circuit
V
( = 0.08 )cm ( = * )cm
I
Ink-jet printing:
Manchester Materials Science Centre, U.K. (Prof. Brian Derby)