Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 147

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

BAB VII
ANALISA DC PADA TRANSISTOR
Transistor
BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah suatu devais nonlinear terbuat
dari bahan semikonduktor dengan 3 terminal yaitu Basis B, kolektor C
dan emiter E yang tersusun dari semikonduktor tipe-n dan tipe-p.
Dikenal ada dua tipe transistor, yaitu: NPN dan PNP. Transistor
merupakan salah satu divais yang dikontrol oleh arus. Gambar skematik
dari transistor ditunjukkan pada gambar berikut ini.


E C E C
B B
n
n
p p n p
NPN
PNP

Gambar 1, Model fisis dan simbul transistor NPN dan PNP
Notasi
V
BE
= V
B
- V
E

V
CE
= V
C
- V
E

V
CB
= V
C
- V
B

I
B
: arus sinyal DC (signal besar) di basis.
i
b
: arus sinyal AC (signal kecil) di basis.

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 148






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Untuk BJT Emiter jauh lebih banyak di doped (diberi pengotoran)
dibandingkan dengan Basis. Selanjutnya ketebalan antara emiter dengan
kolektor merupakan faktor yang penting Untuk ketebalan d yang
kecil dipakai terutama untuk operasi pada frekuensi tinggi (misalnya
untuk switch frekuensi tinggi).
Ada dua faktor yang menyebabkan jumlah perpindahan pembawa
muatan yang melewati basis ke kolektor lebih sedikit dibandingkan
dengan jumlah perpindahan pembawa muatan dari emiter ke basis ( I
B
<
I
E
) :
1. Terminal Basis pada transistor tipe npn, yaitu tipe-p (sedikit di
doped ) akibatnya perpindahan hole dari basis ke emiter sama
seperti pada hubungan p-n dalam bias maju (forward bias).
2. Beberapa elektron yang melewati basis akan rekombinasi
dengan hole sebelum mencapai pengaruh beda potensial antara
Basis-Collector
Kedua hal ini yang menyebabkan arus I
B
kecil dibadingkan dengan I
C
,
dan dapat dinyatakan sebagai:
I
C
= h
FE
I
B


dengan h
FE
= = penguatan arus DC pada konfigurasi CE (common
emitter), nilainya selalu >1.
Sedangkan bila ada arus bocor, maka:
I
C
= h
FE
I
B
+ I
CEO

dengan I
CEO
: arus yang mengalir dari kolektor ke emiter pada saat
terminal basis open (yaitu pada saat I
B
= 0).
Sebaliknya arus kolektor dapat juga dinyatakan sebagai:
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 149






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
i
C
= i
E
+ I
CBO

dan dari KCL
i
B
= i
E
- i
C
= i
E
- ( i
E
+ I
CBO
) = (1-) i
E
- I
CBO

Sehingga
i
E
= 1/ (i
C
- I
CBO
)
Didapat
i
B
= i
E
- i
C
= 1/ (i
C
- I
CBO
) - i
C

Akhirnya diperoleh :
1 1
CBO CBO
B C c
I I
i i i

= =
dengan = h
FE

= h
FB


Hubungan I
CEO
dengan I
CBO

Dari
1
c B CEO B CEO FE B CEO
i i I i I h i I

= + = + = +

Sehingga i
B
= i
C
- I
CEO

Sebelumnya i
B
= i
C
- (/) I
CBO

Jadi I
CEO
= (+1) I
CBO
ingat
1

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 150






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

NOTASI


V
AK

v
AK


v
ak


v
AK
= V
AK
+ v
ak


V
AK
besaran DC (quiescent)
v
ak
besaran AC
v
AK
besaran sesaat total
V
ak
besaran rms dari besaran AC
V
akm
besaran amplitudo dari besaran AC

Contoh : v
AK
= 6 + 4 sin 2000 t
V
AK
= 6 volt, v
ak
= 4 sin 2000 t volt, V
akm
= 4 volt,
V
ak
= 22 volt

Pembiasan pada transistor ditunjukkan pada gambar berikut
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 151






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
I
C I
C
V
CC V
CC
V
BB
I
E
I
E
I
B
V
BB
I
B

NPN PNP

Karakteristik Transistor
Karakteristik Input ( I
B
vs. V
BE
pada V
CE
konstan)
Dengan membuat V
CE
konstan dapat di plot I
B
vs. V
BE
seperti
ditunjukkan pada gambar berikut : (sama seperti dioda p-n)
V
CE
V
BE
I
B

V
BE
I
B
(
m
A
)
V
CE
=20V
V
CE
=10V
V
CE
=1V
0,7V


Karena sebagian besar pembawa muatan akan melewati/menyebrangi
junction B-E ke kolektor, sehingga arus basis menjadi jauh lebih kecil
dibandingkan dengan sebuah dioda p-n dengan faktor h
FE
. Dengan
mengubah V
CE
efeknya tidak banyak berubah, yaitu dengan
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 152






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
penambahan V
CE
arus I
B
berkurang. Arus
B
I akan mengalir jika
0, 7V
BE
V > , seperti ditunjukkan pada kurva karakteristik input di atas.
Karakteristik output (I
C
vs. V
CE
dengan I
B
konstan)


I
E
=I
C
+ I
B

BE
ie
B
v
h
i

CEsat
C
fe
B
V
i
h
i

C
FE
B
I
h
I
=
Pada saat I
B
= 0, arus I
C
yang mengalir adalah arus bocor I
CEO
(pada
umumnya diabaikan), sedangkan pada saat I
B
0 (misalnya 20 A
untuk V
CE
kecil ( < < 0,2 volt), pembawa muatan di basis tidak efisien
dan transistor dikatakan dalam keadaan Saturasi dengan I
B
>
I
h
C
FE
. Pada
saat V
CE
diperbesar I
C
pun membesar hingga melewati level tegangan
V
CE
saturasi (0,2 ~ 1 volt) hingga transistor bekerja dalam daerah aktif,
dengan I
B
=
I
h
C
FE
. Pada saat ini I
C
relatif konstan terhadap variasi
tegangan V
CE
.
V
CC
V
CE
V
CE
Sat
I
C
(mA)
I
B
=0??A
I
B
=20?A
I
B
=40mA
I
B
=60?A
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 153






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Ada beberapa hal yang perlu diperhatikan :
1. Pada daerah aktif I
C
hampir independen terhadap V
CE
. I
C
hanya
bergantung pada I
B
Penguatan arus.
2. Penambahan I
C
relatif kecil terhadap V
CE
. Dengan penambahan
V
CE
akan memperlebar lapisan B-C dan hal ini akan
mengurangi lebar efektif dari basis dan selanjutnya akan
menamba efisiensi dari penarikan (perpindahan) elektron ke
kolektor.
3. Diatas tegangan V
CE
tertentu (pada gambar berupa garis putus-
putus) akan ada penambahan I
C
yang sangat besar karena
hubungan B-C mendapat bias mundur breakdown dan akan
menyebabkan transistor rusak.
4. Nilai V
CE
tidak bertambah secara signifikan dengan
penambahan I
B
.
Perhatikan rangkaian berikut ini, diketahui penguatan arus untuk
transistor 2N4424 adalah
dc
= 350.

Dengan mengambil pendekatan II (anggap V
BE
= 0,7 V), maka arus
yang mengalir pada basis adalah: (lihat loop basis emitter, sumber
tegangang dan R
B
)
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 154






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
10V 0, 7V
28, 2A
330k
BB BE
B
B
V V
I
R

= = =

Sehingga 9,87mA
C dc B
I I = =
Tegangan 10V 9,87mA 470 5,36V
CE CC C C
V V I R = = =

Daerah operasi dari transistor
1. Dareah aktif
Basis - Emiter : mendapat bias maju
Basis Kolektor : mendapat bias mundur
Pada npn arus I
b
positif dan V
ce
> V
be
.


2. Daerah cut-off
Kedua junction mendapat bias mundur
Untuk npn arus I
b
0 (tak ada arus menuju
basis atau arus meninggalkan basis)


3. Daerah saturasi
Kedua junction mendapat bias maju
Untuk npn arus I
b
positif dan V
ce
V
be

TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR
Transistor dapat dianalogikan sebagai saklar push-botton, seperti
ditunjukkan pada gambar berikut ini.
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 155






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
I
B
V
CC
V
Y Gaya
V
CC
V
Y
I
C
I
C
1k? 1k?
5volt 5volt
R
C R
C
(a) (b)

Gambar 1, Analogi transistor sebagai saklar push button.
Agar saklar push-button dapat difungsikan diperlukan gaya yang
bergantung dengan konstanta pegas yang terdapat di dalam saklar tsb,
sedangkan pada transistor diperlukan arus tertentu pada basis agar dapat
menghidupakan saklar transistor.
Dari Gambar 1a terlihat bahwa :
y CC C C CC B C
V V I R V I R = =
Jika I
B
= 0, maka diperoleh V
y
= V
CC.
Sebaliknya jika I
B
= 0,25 mA
(untuk = 20, R
C
= 1 k dan V
CC
= 5 V), diperoleh V
y
= 0 volt.
Artinya jika pada transistor diberi arus, maka tegangan di kolekor V
C
=
0 volt. Hal ini menunjukkan bahwa transistor bertindak sebagai saklar.
Namun jika I
B
= 0,1 mA, diperoleh V
y
= 3 volt. Hal ini berarti bahwa
tidak sepenuhnya ON atau OFF, seperti saklar konvensional dengan
kontak yang jelek.
Dari rangkaian Gambar 1a dapat disimpulkan bahwa tegangan (V
y
)
min
=
0 volt dan (V
y
)
max
= 5 volt, artinya (I
C
)
max
= 5 mA.
Sebaliknya jika I
C
= 1 mA, maka V
y
= 4 volt. Kondisi ini transistor
dalam keadaan saturasi (pada saklar ditekan dengan keras). Umumnya
dalam rangkaian logika transistor dirancang bekerja dalam daerah cut-
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 156






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
off dan daerah saturasi. Pada rangkaian saklar push-button tegangan V
y

= 0 volt pada saat saklar ditekan, sedangkan pada rangkaian saklar
transistor, tegangan V
y
= 0,1 - 0,2 volt, tegangan ini dikenal sebagai
tegangan saturasi.
Dalam prakteknya kontrol arus I
B
biasanya dihasilkan dari sumber
tegangan seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini, berikut kurva V-I
input dan kurva V-I outputnya.
I
B
V
CC
V
Y
I
C
1k ?
5volt
R
C
V
in
2k?
1
2 3 V
BE
I
B
1
2
3
2,4
garisbeban2k?untuk
V
i
=2,4volt
0,2
garisbeban2k?
untukV
i
=0,2volt
I
C
(mA)
V
CE
0
0,1
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
ff
daerahaktif
Garisbeban
R
C
=1k?
5
5

Gambar 2, Rangkaian transistor saklar dengan kurva V-I nya.
Pada saat V
in
= 2,4 volt, maka arus yang mengalir pada terminal basis
adalah:
2, 4 volt
1, 7 volt
0,85 mA
2 k 2 k
B
V
I

= = =


dan
( )
max
20 0,85 mA=17 mA
B C
I = > ,
dengan demikian transistor dalam keadaan saturasi dan saklar dalam
keadaan ON.
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 157






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Sebaliknya jika V
i
= 0,2 volt, tegangan ini kurang dari tegangan
threshold V

, sehingga I
B
= 0 mA, atau saklar transistor dalam keadaan
OFF dan tegangan V
y
= 5 volt.
Suatu transistor akan beroperasi dalam daerah saturasi jika
CC
C
C
V
I
R
> ,
dengan R
C
adalah hambatan di kolektor dan V
CC
adalah tegangan supply.
Cara lainnya adalah dengan mengukur V
CE
0,2 volt, atau V
CE
< V
BE
.
Untuk merancang agar transistor beroperasi dalam daerah saturasi
dilakukan dengan membuat 10
CC
C
C
V
I
R
> .
PEMODELAN TRANSISTOR
Model 1: Transistor sebagai penguat arus
Sifat sifat untuk transistor tipe NPN adalah sbb: (untuk PNP ubah
polaritasnya)
1. Kolektor harus lebih positif dari emiter BE dibias maju.
2. Hubungan basis-emiter dan basis-kolektor seolah-olah seperti dioda.
3. Setiap transistor memiliki nilai maksimum I
C
, I
B
dan V
CE
. Nilai-nilai
ini tidak boleh dilebihi, termasuk I
C
V
CE
(disipasi daya), suhu
opersasi, V
BE
dll.
4. I
C
= h
FE
I
B
= I
B
.

Konfigurasi pengoperasian transistor
1. Common Base (Basis Bersama)
2. Common Emitter (Emiter Bersama)
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 158






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
3. Common Collector (Kolektor Bersama)

Karakteristik dari masing-masing konfigurasi diberikan berikut ini:

Konfigurasi A
I
A
V
Z
in
Z
out
A
P

CB h
FB
~ 0,99 ~ 50
~ 50 ~ 250 k
~ 50
CE h
FE
~ 250 ~ 50
~ 1 k ~ 50 k
~ 2500
CC h
FE
~ 250 1
~ 100 k ~ 1 k
~ 50

Konfigurasi Basis Bersama
Penguatan pada konfigurasi basis bersama adalah
C
E
I
I
FB
h = = dan
berharga < 1, seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.

Konfigurasi ini jarang dipakai, namun demikian ada beberapa
keuntungannya , yaitu :

I
C
vs. V
CB
sangat flat (datar)

Untuk V
CB
= 0 , I
C
sudah konduksi
Bila ada arus bocor I
CBO
= I
CO
, maka :
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 159






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
I
C
= h
FB
I
E
+ I
CBO

Sehingga :
I
C
= h
FB
(I
C
+ I
B
) + I
CBO

atau
CBO FB
B
FB FB
I h
I I
1 h 1 h
C
= +


Didapat :

FB
FE
FB
h
h
1 h
=

I
CEO
=
CBO
CEO
FB
I
I
1 h
=

Jika h
FB
~ 1 , maka I
CEO
= h
FE
I
CBO

Konfigurasi Common Collector = Pengikut Emiter
Perhatikan gambar berikut ini.
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 160






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
V
O
V
I
V
CC
R

Pada saat t = t
1

kaki basis mendapat tegangan negatif
kolektor- basis bias mundur
emiter-basis bias mundur
akibatnya transistor beropersai dalam daerah cut-off, Jadi perlu bias.
t
V i n
V o u t
0 , 7


Cara pembiasan yang dilakukan adalah dengan menggunakan rangkaian
pembagi tegangan seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 161






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
R
E
R
2
R
1
R
E
R
2
R
1
V
CC
v
cc v
cc
v
o

Gambar 2, Rangkaian Emiter bersama dan ekivalennya
Rangkaian pembiasan Kolektor Bersama tsb diubah menjadi gambar di
sebelahnya, yaitu dengan seolah-olah memisahkan tegangan catu V
CC

menjadi dua buah. Pencatuan pada terminal Basis diubah menjadi
rangkaian berikut :
dengan
2
1 2
TH CC
R
V V
R R
=
+


1 2
1 2
TH
R R
R
R R
=
+


V
CC
R
E
I
E
I
B
R
TH
V
TH
A

Gambar 3, Rangkaian ekivalen Emiter bersama

I
E
= I
B
+ I
C

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 162






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Pada daerah aktif : I
C
= h
FE
I
B

I
E
= I
B
+ h
FE
I
B
= ( 1+h
FE
) I
B

Rangkaian ekivalen dari loop A ditunjukkan pada gambar berikut
dengan menggantikan hambatan R
E
dengan (h
FE
+ 1)R
E
. Hal ini terjadi
karena arus yang mengalir pada hambatan R
E
tsb adalah I
E
, sedangkan
pada rangkaian ekivalen arus yang mengalir adalah I
B
.

V
TH
R
TH
0,7
(h
FE
+1)R
E

Gambar 4, Rangkaian ekivalen loop A dari Gambar 3
Dari loop tsb dengan memanfaatkan KVL, diperoleh :
2
CC
1 2
R
V
R R +
=
B E E
R R
1 2
I 0, 7 I R
R R
1 2
+ +
+

2
CC
1 2
R
V
R R +
=
B FE E
R R
1 2
I 0, 7 (h 1)R
R R
1 2
+ + +
+

diperoleh :
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 163






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
2
CC
1 2
B
1 2
FE E
1 2
R
V 0,7
R R
I
R R
(1 h )R
R R

+
=

+ +



I
C
= h
FE
I
B

I
E
= (1 + h
FE
)I
B

V
BE
=0,7 volt
V
CE
= V
C
- V
E
= V
CC
- I
E
R
E
Untuk pembiasan optimal cari nilai-nilai R
1
, R
2
, R
E
agar V
CE
1/2 V
CC

Konfigurasi Emiter Bersama untuk penguat tegangan
A
C
RL
VCC
vs
VBB
IB
IC


v
CE
= V
CC
- i
C
R
L

CE
v
BE
v
A
v

v
BE
= v
s


Rangkaian ekivalen (BJT yang disederhanakan) adalah :
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 164






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
A
C
A
C
h
ie
I
C
I
B


s
b
ie
V
I
h
=
s
o ce c L fe b L fe L
ie
V
V =V =I R =h I R h R
h
=
Jadi
o fe L
v
s ie
V h R
A
V h
= =
h
fe
sebenarnya bervariasi terhadap v
CE
, namun variasinya tidak terlalu
besar, sebagai pendekatan bisa dianggap konstan.

Garis beban
Dari persamaan v
CE
= V
CC
- i
C
R
L
menunjukkan bahwa persamaan ini
adalah persamaan garis lurus antara v
CE
vs. I
C
. Untuk membuat garis
beban dilakukan dengan :
membuat i
C
= 0, maka v
CE
= V
CC

v
CE
= 0, maka i
C
=
V
R
CC
L

Misalkan data transistor seperti kurva di samping
titik A untuk v
CE
= 12 volt = V
CC

B untuk v
CE
= 0 volt i
C
= 3,6 mA (dari gambar)
maka R
L
33 k.
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 165






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Ambil Q (titik kerja) kira-kira di tengah garis beban
i
B
= 20 A
i
C
= 1,7 mA
v
CE
= 6,5 V
Titik C : i
B
= 30 A, i
C
= 2,4 mA dan v
CE
= 4 V.
D : i
B
= 10 A, i
C
= 0,9 mA dan v
CE
= 9 V.
Dari kurva karkteristik input
I
BQ
= 20 A, V
BEQ
= 0,73 V
i
B
= 30 A dan v
BE
= 0,74 V
i
B
= 10 A dan v
BE
= 0,72 V
Maka
CE
v
BE
v 9 4 5
A 250
v 0,72 0,74 0,02

= = = =



0
12 6
0
12 6

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 166






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Konfigurasi Emiter Bersama
Konfigurasi emiter bersama di atas ada kekurangannya karena
diperlukan dua sumber tegangan DC yag berbeda, yaitu V
BB
dan V
CC
.
Konfigurasi berikut ini ada keunggulannya dalam hal hanya
memerlukan satu sumber tegangan DC, seperti ditunjukkan pada gambar
berikut.
R
1
R
c
R
e
R
2

Gambar 5, Konfigurasi Emiter bersama yang diperbaiki
Untuk analisa DC (pembiasan transistor), dari rangkaian tsb tegangan
catu V
CC
seolah-olah ada dua buah V
CC
seperti gambar berikut dan
selanjutnya diubah dengan menerapkan teorema Thevenin seperti yang
juga ditunjukkan pada gambar di bawah ini.

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 167






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Rc
R
E
R
1
R
c
R
e
R
2
V
CC
R
TH I
B
I
E
2 1
2
CC
R R
R
V
+
V
CC
V
CC

Gambar 6, Rangkaian ekivalen emiter bersama
Dari
E B C
I I I = + , maka I
E
= (1+h
FE
) I
B
Di terminal basis, dapat diganti dengan rangkaian pengganti Thevenin,
dengan
2
1 2
TH CC
R
V V
R R
=
+
dan
1 2
1 2
TH
R R
R
R R
=
+
.
Sehingga persamaan pada loop input adalah:
2 1 2
1 2 1 2
0, 7 (1 ) 0
CC B E FE B
R R R
V I R h I
R R R R
+ =
+ +

Diperoleh:
2
1 2
1 2
1 2
0, 7
(1 )
R
R R CC
B R R
R R FE E
V
I
h R
+
+

=
+ +

I
C
= h
FE
I
B

I
E
= (1+h
FE
) I
B
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 168






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Sehingga diperoleh:
1
FE
C E
FE
h
I I
h
=
+
artinya untuk
FE
h besar, misalnya
untuk
FE
h = 100, 0,99
1
FE
FE
h
h

+
artinya
E C
I I .
V
E
= I
E
R
E

V
B
= 0,7 + V
E

V
BE
= 0,7 volt = V
B
- V
E

V
CE
= V
C
- V
E

V
C
= V
CC
- I
C
R
C

V
CE
= V
C
- V
E

Contoh:
Perhatikan rangkaian konfigurasi emitter bersama berikut ini dan
tentukan DC operating point-nya, jika h
FE
= 200.

Rangkaian tsb diubah menjadi rangkaian berikut
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 169






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Diperoleh
2.2k
10V 1.8V
2.2k 10k
th
V = =
+

th B
V V = ,
dan
2.2k 10k
1.8k
2.2k 10k
th
R

= =
+

Sehingga arus basis adalah
0.7
(1 )
th
B
th FE E
V
I
R h R

=
+ +
= 5.4 A
dan 1.08mA
C FE B
I h I = =
1.08mA
E C
I I
1.08V
E E E
V I R = =
10V - 1.08 mA 3.6 k = 6.11 V
C CC C C
V V I R = =
atau 5.03V
CE C E
V V V = =
Dengan menggunakan simulasi berikut ini
Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 170






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Diperoleh:

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 171






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I
Latihan
1. Hitung I
B
, I
C
, I
E
, V
B
, V
E
, V
C
dan V
CE
dari rangkaian berikut, diketahui h
FE
= 50 untuk
a. R
1
= 300 k
b. R
1
= 200 k
4,7k?
R
1
15volt
v
out

Catatan
I
C
= h
FE
I
B
hanya

berlaku untuk transistor dalam daerah aktif (tidak jenuh/saturasi)

2. Hitung I
B
, I
C
, I
E
, V
B
, V
C
, V
E
dan V
CE
untuk rangkaian di bawah ini bila dianggap transistor
memiliki h
FE
= 100.
2,2k?
100k?
15volt
470?
18k?
v
out


3. Untuk rangkaian emiter follower berikut ini entukan I
c
dan V
CE
, diketahui h
FE
= 200.
47k?
VCC=15V
4,7k?
56k?
vout

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 172






Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

4. Untuk rangkaian emiter bersama berikut ini, tentukan I
C
dan V
CE
jika h
FE
= 100.
v
out
560??
470?
10k?
56k?
4,7k?
v
in
V
CC
=10V