1

OSNOVE ELEKTRONIKE
osnove elektronike
2
UVOD U ELEKTRONIKU:

- Oblast elektronike se bavi prouavanjem i konstrukcijom
elektronikih elemenata kojima se kontrolira tok struje i
povezivanjem takvih elemenata u sloene krugove koji obavljaju
eljenu funkciju. Osnovni elementi suvremene elektronike su diode i
tranzistori.
- Prema svojoj provodnosti elektrotehniki materijali se dijele na tri
grupe: provodnike (vodie), poluprovodnike (poluvodie) i izolatore.
Poluvodii predstavljaju osnov suvremene elektronike, tako da emo
u narednim izlaganjima ukratko razmotriti njihove najvanije osobine,
koje e nam pomoi da razumijemo rad osnovnih poluprovodnikih
komponenata: diode i tranzistora. Najvaniji poluvodiki materijali su:
silicij (Si), germanij (Ge) i galij-arsenid (GaAs).
- Poluvodii su materijali koji po svojim elektrinim svojstvima lee
izmeu izolatora i vodia, jer imaju specifini elektrini otpor i
specifinu elektrinu vodljivost izmeu vodia i izolatora.

osnove elektronike
3
Sa stajalita elektronike osnovna podjela materijala:
vodii
poluvodii
izolatori

Temeljna razlika u vrijednosti specifinog otpora materijala.
<10
-3
cm - vodii
10
-3
cm<<10
6
cm - poluvodii
>10
6
cm - izolatori

Dakle, vodii imaju najmanji specifini elektrini otpor (najveu
vodljivost), izolatori najvei specifini elektrini otpor, dok specifini
elektrini otpor poluvodia varira u irokom rasponu ovisno o tipu i
uvjetima rada poluvodia. Poluvodi se moe ponaati gotovo kao
vodi ili gotovo kao izolator.
Osnovni razlog velikih razlika u spec. el. otporu (ili vodljivosti) je
velika razlika u broju slobodnih (pokretnih) naboja, naboja ije
kretanje ini elektrinu struju a kod poluvodia su to elektroni i
upljine.
Razlika u broju naboja koji se, unutar molekularne strukture
materijala, mogu osloboditi je posljedica razliitih naina
meusobnog vezivanja atoma za razliite materijale.
Materijali
osnove elektronike
4
- vrsta tijela se prema unutarnjem rasporedu atoma dijele na:
kristalinina - pravilan raspored atoma (poli i mono)
amorfna - nepravilan raspored atoma
- Podjela vrstih tijela prema iznosu otpornosti:
vodii - < 10
3
Ocm
poluvodii - 10
3
Ocm < < 10
6
Ocm
izolatori - 10
6
Ocm <


osnove elektronike
Vodii

Atomi u kristalnoj reetci vezani kroz slobodne elektrone.
Gotovo idealno vodljivi, supravodljivost, R=0 (vrlo velik broj
slobodnih naboja), najee se uzima beskonana vodljivost (tj.
otpor 0).
Npr. bakar:

Srebro 105%
Bakar 100%
Zlato 70%
Aluminij 66%
Nikal 22%
Cink 27%
eljezo 17%
Olovo 7%
elik 3 - 15%
5
Materijali
6
1.6 10
CU
cm specifini elektrini otpor

= O
Relativna (prema bakru) vodljivost raznih metala:
osnove elektronike
Izolatori

Valentni elektroni, tj. elektroni u zadnjoj ljusci atoma vrlo su vrsto
vezani za atome, vrlo je malen broj slobodnih naboja.
Vrlo slabo vodljivi, najee se uzima vodljivost 0 (beskonaan
otpor).
Npr. zrak, papir, plastika, staklo, porculan...
6
Materijali
Poluvodii
Kovalentni kristali: valentni elektroni vrsto vezani za susjedne
atome tzv. kovalentnim vezama, gdje se pod pojmom kovalentni
podrazumjeva kristalna veza pomou para valentnih elektrona
izmeu dva susjedna atoma.
Po specifinom otporu nalaze se izmeu vodia i izolatora.
Npr.: Silicij (Si), Germanij (Ge).
isti poluvodi (bez dodatnih materijala primjesa) na
sobnoj temperaturi ima vrlo malo pokretnih naboja (tzv.
slobodnih nositelja naboja) vrlo slabi vodii (visok
spec.otpor) gotovo kao izolatori.
Meutim, broj slobodnih nositelja naboja (i samim tim, vodljivost)
se moe mijenjati dodavanjem primjesa istom poluvodiu.
osnove elektronike
7
Poluvodii
Vrste kubnih KRISTALNIH reetki: (a) Jednostavna kubna, (b) kubna sa
prostorno centralnim atomom te (c) kubna sa plono centriranim atomom.
Poluvodii
osnove elektronike
8
Poluvodii
Poluvodii
+4
omota atoma zadnja ljuska
jezgra atoma silicija sa 4 protona +4

Vidimo da je broj protona (4) jednak broju elektrona u zadnjoj
ljusci (4)! RAVNOTEA
Poto u zadnjoj ljusci atom Silicija ima 4 elektrona, valentnost mu
je 4!

Valentnost atoma je jednaka broju elektrona u zadnjoj ljusci!
Valentnost atoma je svojstvo atoma da se spaja sa atomima istog
ili drugog kemijskog elementa!
elektroni ,
jezgro atoma
osnove elektronike
Model atoma:
Valentni elektroni



9
Poluvodii
Elektroni u vanjskoj (najdaljoj) ljusci.
Najslabije vezani za atom prvi su u interakciji sa susjednim atomima
definiraju svojstva materijala
Atomi tee da vanjska (valentna) ljuska bude kompletno popunjena.
Npr. Si ili Ge: 4-valentni elementi (no vanjska ljuska je puna sa 8
elektrona)
Ako se nau blizu drugog istog atoma, po jedan elektron od svakog
atoma formira par koji ini vrstu kovalentnu vezu ovako su vezani
atomi u kristalnoj reetci Si (Silicija).
Model kristalne reetke za Ge ili
Si
Atomi Si posuuju elektrone susjednih atoma
kako bi popunili vanjsku ljusku kovalentna
veza
Kovalentna veza je vrlo vrsta potrebno je (u
prosijeku) uloiti veliku energiju da bi se
kovalentna veza prekinula i elektron oslobodio
Primaran izvor energije u naim razmatranjima
je toplina. Stoga se moe rei da je u prosijeku
potrebna velika temperatura T kako bi se
kovalentna veza prekinula, tj. kako bi se valentni
elektron oslobodio
osnove elektronike
Voenje u intrinsinim (istim) poluvodiima



10
Poluvodii
Kod istih poluvodia, slobodni nositelji naboja (i samim tim mogunost
voenja struje) nastaju prekidanjem prije opisanih kovalentnih veza
uslijed temperature T.
S obzirom na ogroman broj kovalentnih veza u bloku poluvodikog
kristala, ne postoji neka konkretna T na kojoj se moe rei da se
kovalentna veza prekida (to bi znailo da se na toj T sve veze odjednom
prekinu).
Umjesto toga, postoji vjerojatnost prekida kovalentne veze: na niskim T,
ova vjerojatnost je vrlo mala, no ipak postoji, pa se odreeni broj
kovalentnih veza ipak uspije prekinuti (npr. nekoliko veza od nekoliko
stotina milijuna veza).
to je vea T temperatura, vjerojatnost prekida je sve vea, vie
kovalentnih veza se prekida i sve vie elektrona postaje slobodno
(tj. vodljivost poluvodia raste).
Na sobnoj temperaturi (najee se uzima T=300K) vrlo malo kovalentnih
veza se uspije prekinuti vrlo malo slobodnih nositelja naboja vrlo
mala vodljivost na sobnim temperaturama isti poluvodi se ponaa
gotovo kao izolator.
No, (prirodno negativni) elektroni koji nakon prekida kovalentnih veza
postaju slobodni (mogu se kretati pod utjecajem eleketrinog polja) nisu
jedini slobodni nositelji naboja u poluvodiu naime, postoji i drugi nain
kretanja naboja tzv. upljine (pozitivno nabijene).
osnove elektronike
Voenje u intrinsinim (istim) poluvodiima



11
Poluvodii
Nakon prekida kovalentne veze, jedan od atoma ostaje bez
valentnog elektrona.
Ovakav atom e vrlo lako uzeti elektron od susjednog atoma, kako
bi popunio svoju kovalentnu vezu.
Meutim, sada e ovaj susjedni atom imati isti problem, pa e i on
imati jaku tendenciju uzimanja elektrona od nekog drugog atoma
itd.
1. stanje
2. stanje
3. stanje
4. stanje
5. stanje
smjer gibanja elektrona
prividni smjer
gibanja supljina
Ukratko, moe se rei da ovaj manjak elektrona
(ili upljina) putuje od jednog atoma do drugog.
upljina se moe shvatiti kao slobodna pozitivno
nabijena estica (iako je stvarno ovo virtualna
estica, i gibanje upljina nastaje kao posljedica
stvarnog gibanja elektrona) i ovo se u pravilu radi,
jer je gibanje pozitivnog (+) naboja (upljine)
jednostavnije za promatranje.
Stoga moemo rei da je posljedica prekida
kovalentne veze nastajanje 2 slobodne estice:
negativnog elektrona i pozitivne upljine ili para
elektron-upljina.
Ponovimo, na sobnim temperaturama je broj ovih
parova jako malen, pa je vodljivost intrinsinog
vodia vrlo niska.
Vodljivost se moe poveati (znaajnim)
poveanjem T, meutim postoji i drugi nain
dodavanjem primjesa.
osnove elektronike
12
ZNAI: isti (intrinsini) poluvodi; Silicij na temperaturi T =
0 K
Poluvodi bez primjesa
ostalih elemenata - "isti" ili
intrinsini poluvodi (lat.
intrinsectus - svojstven,
svojstveno mu je stanje
poluvodljivosti).
+4 +4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Nema slobodnih nosilaca naboja!
osnove elektronike
13
isti (intrinsini) poluvodi; Si na temperaturi T >0 K :
generiranje para slobodnih nosilaca naboja: elektron-upljina
- elektron (n) - negativan naboj
- upljina (p) - pozitivan naboj
Elektron upljina
+4 +4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
slobodna upljina
slobodni elektron
osnove elektronike
T > 0 K
Slobodni elektron i slobodna upljina ine par elektron upljina.
13
14
Na mjestu razbijene kovalentne veze ostaje lokaliziran pozitivan
naboj (zbog gubitka elektrona atom poluvodia postaje pozitivan
ion) slika s prethodnog slajda, na mjestu elektron je sada
upljina pozitivan naboj! Ta upljina i elektron ine par elektron-
upljina. Postoji tendencija da se ta kovalentna veza ponovno uspostavi i
neutralizira njezin pozitivan naboj uzimanjem elektrona iz neke od
susjednih kovalentnih veza. To uzrokuje razbijanje susjedne
valentne veze i cijeli proces se ponavlja i iri.
isti (intrinsini) poluvodi; Si na temperaturi T > 0 K
generiranje para slobodnih nosilaca naboja: elektron-upljina

osnove elektronike
14
15
Razbijanje valentnih veza u intrinsinom poluvodiu uvijek stvara
(generira) par nosilaca naboja elektron-upljina, stoga vrijedi:
Tablica 1.3. Koncentracija slobodnih nosilaca naboja u istih
poluvodia: Si, Ge i GaAs (T = 300K) sobna temperatura

n
i
= p
i
,

n
i
i p
i
- koncentracije elektrona i upljina u istom poluvodiu
- ovise o materijalu i temperaturi.
osnove elektronike
isti (intrinsini) poluvodi; Si na temperaturi T > 0 K
generiranje para slobodnih nosilaca naboja: elektron-upljina

15
Ekstrinsini (oneieni) poluvodii - openito
16
Poluvodii
Namjerno oneienje (dopiranje) intrinsinog poluvodia radi
poveanja vodljivosti poluvodia (poveanjem slobodnih nositelja
naboja).
Dodaju se 3-valentne ili 5-valentne primjese.
Ovo rezultira u P-tipu ili N-tipu poluvodia.
Osnovna ideja:
N-tip: nadodavanjem 5-valentne primjese, 4 valentna
elektrona se veu kovalentnim vezama (vrlo teko se
oslobode) sa susjednim atomima, no 5. elektron primjese je
viak ne sudjeluje u kovalentnoj vezi potrebna vrlo mala
energija (tj. temperatura T) da bi se odvojio od atoma i postao
slobodan ovako oneien poluvodi e na sobnoj
temperaturi T imati puno slobodnih elektrona.
P-tip: nadodavanjem 3-valentne primjese, sva 3 valentna
elektrona se veu kovalentnim vezama (vrlo teko se
oslobode) sa susjednim atomima, no 1 kovalentna veza ostaje
nepopunjena (upljina) atom primjese e vrlo lako (uz malu
energiju) uzeti elektron susjednom atomu ovako
oneien poluvodi e na sobnoj temperaturi T imati puno
upljina.
osnove elektronike
17
Poluvodii N-tip
Dodaju se 5-valentne primjese (npr. arsen, fosfor kemijski elementi) u
niskim koncentracijama dopiranje.

Atomi primjesa (donori) lako (na relativno niskim temperaturama T) daju
(ili doniraju) elektrone, jer su samo 4 elektrona vezana kovalentnim
vezama, a 1 je viak koji ne sudjeluje u kovalentnim vezama, pa ga se
lako odvoji od atoma
Rezultat uz mali broj upljina i elektrona nastalih prekidanjem
kovalentnih veza, pojavljuje se puno dodatnih slobodnih elektrona (koje
su otpustili donorski atomi), a donori postaju pozitivni ioni (jer imaju jedan
pozitivni naboj vie od broja elektrona negativnih naboja, tj. dali su jedan
elektron).
Na sobnim temperaturama T, toplinska energija je dovoljna da praktino
svi donori otpuste elektron koji ne sudjeluje u kovalentnim vezama

dodatni elektron vika - slabo vezan
uz donorski (5-valentni) atom ne
sudjeluje u kovalentnim vezama
U ovakvom tipu poluvodia imamo znaajan broj
slobodnih elektrona (veinski ili majoritetni
nositelji) i malo upljina (manjinski ili
minoritetni nositelji) zato N-tip (dominiraju
Negativni nositelji naboja - elektroni). Broj
slobodnih elektrona, a samim tim i vodljivost se
moe podeavati biranjem koncentracije 5-
valentnih primjesa s kojim se intrinsini
poluvodi oneisti.
+4 +4 +4
+4 +4
+4 +4 +4
+5
a)
valentna vrpca
vodljiva vrpca
E
D
E
E
G
b)
osnove elektronike
18
Primjesni (ekstrinsini) poluvodi; N-tip, Si na T = 0 K !
+4 +4
+4
+4
+4
+5
+4
+4
+4
etiri elektrona formiraju
valentnu vezu
atom petorovalentne primjese
Nema slobodnih nosilaca naboja!
Peti elektron - vezan slabom
Colombovom silom
Primjesni (ekstrinsini) poluvodi; N-tip Si na
temperaturi T = 0 K
osnove elektronike
18
19
+4 +4
+4
+4
+4
+5
+4
+4
+4
a) pri E > E
i
peti elektron
postaje slobodan
b) atom primjese postaje
stacionarni
c) pri E >> E
i
termiko
razbijanje valentnih veza =
par elektron-upljina
Generiranje slobodnih nosilaca naboja
osnove elektronike
Primjesni (ekstrinsini) poluvodi; N-tip Si na
temperaturi T = 0 K
E elektrino polje
E
i
granino elektrino polje

19
20
Poluvodii P-tip
Dodaju se 3-valentne primjese (npr. aluminij, galij) u niskim
koncentracijama dopiranje.

Atomi primjesa (akceptori) lako primaju ili akceptiraju elektrone od
atoma poluvodia, jer im fali jedan elektron za popunjavanje zadnje (4.)
kovalentne veze.
Rezultat uz mali broj upljina i elektrona nastalih prekidanjem
kovalentnih veza, pojavljuje se puno dodatnih upljina (koje su stvorili
akceptorski atomi), a akceptori postaju negativni ioni (jer su primili 1
elektron u upljinu, dakle imaju viak negativnog naboja).
+4 +4 +4
+4 +4
+4 +4 +4
+3
a)
valentna vrpca
vodljiva vrpca
E
A
E
E
G
b)
dodatna upljina - akceptor lako
prima elektron kako bi se kovalentna
veza sa lijevim atomom (na slici)
kompletirala
U ovakvom tipu poluvodia imamo znaajan
broj upljina (ovdje su upljine veinski
nositelji) i malo slobodnih elektrona
(manjinski nositelji) zato P-tip (dominiraju
Pozitivni nositelji naboja). Broj upljina, a
samim tim i vodljivost se moe podeavati
biranjem koncentracije 3-valentnih primjesa s
kojim se intrinsini poluvodi oneisti.
osnove elektronike
21
Nema slobodnih nosilaca naboja!
+4 +4
+4
+4
+4
+3
+4
+4
+4
atom trovalentne primjese
Tri elektrona formiraju
valentnu vezu

Nepopunjeno mjesto =
upljina
osnove elektronike
Primjesni (ekstrinsini) poluvodi; P-tip Si na
temperaturi T = 0 K
21
22
+4 +4
+4
+4
+4
+3
+4
+4
+4
a) pri E > E
i
elektron popuni prazno
mjesto susjednim elektronom
b) atom primjese postaje
stacionarni
c) pri E >> E
i
termiko
razbijanje valentnih veza =
par elektron-upljina
Generiranje slobodnih nosilaca naboja
osnove elektronike
Primjesni (ekstrinsini) poluvodi; P-tip Si na
temperaturi T = 0 K
22
Intrinsini
poluvodii:
23
Poluvodii - zakljuci
P-tip poluvodia
3-valentne primjese akceptori znatno poveavaju broj upljina i
samim tim vodljivost (poveana koncentracija slobodnih nositelja
naboja).
Veinski (majoritetni) nositelji naboja su upljine (Pozitivni nositelji),
a manjinski (minoritetni) nositelji naboja su elektroni.
N-tip poluvodia
5-valentne primjese donori znatno poveavaju broj slobodnih
elektrona i samim tim vodljivost (poveana koncentracija slobodnih
nositelja naboja).
Veinski (majoritetni) nositelji naboja su elektroni (Negativni
nositelji) , a manjinski (minoritetni) nositelji naboja su upljine.
Ekstrinsini
poluvodii:
Na sobnim temperaturama vrlo je mali broj slobodnih nositelja (upljina i
slobodnih elektrona), pa su intristini poluvodii slabo vodljivi (slino
izolatoru).
Slobodni nositelji nastaju uvijek u parovima, pa je koncentracija
elektrona jednaka koncentraciji upljina.
Parovi elektron-upljina nastaju kao posljedica prekidanja kovalentnih
veza.
osnove elektronike
24
PN spoj
PN spoj je jednostavno spoj P i N tipa poluvodia.
Oko samog podruja kontakta razliitih poluvodia formira se
elektrino polje tijekom procesa formiranja PN spoja.
Na ovo elektrino polje se moe utjecati vanjskim elelektrinim poljem,
ako se na PN spoj dovede vanjski napon.
Ovo rezultira u specifinom ponaanju PN spoja struja kroz PN
spoj ne zavisi samo o iznosu prikljuenog napona, nego jako
zavisi i o POLARIZACIJI, tj. na koji izvod se prikljui +, a na koji
-.


osnove elektronike
25
PN spoj - formiranje
Spajanje (stvarno, tehnoloki se ovo ne radi jednostavnim spajanjem)
P i N tipa poluvodia izaziva vrlo jaku difuziju veinskih nositelja na
suprotnu stranu spoja (sa P na N stranu i obrnuto).
Difuzija je proces prijelaza pokretnih naboja (u ovom sluaju, no u prirodi
se openito javlja i za bilo to drugo to je pokretno) koji nastaje kao
posljedica razlike u koncentracijama na razliitim mjestima. Naboji e se
kretati od mjesta vee koncentracije ka mjestu manje koncentracije.
Difuzija je to jaa to je razlika u koncentracijama vea i to su mjesta
sa razliitim koncentracijama blia.
Difuzija e postojati sve dok postoji razlika u koncentracijama; meutim,
kako naboji prelaze sa jednog mjesta na drugo, razlika koncentracija se
smanjuje, pa je difuzija sve slabija. Proces difuzije potpuno prestaje kada
se koncentracije izjednae ili ako se nekim vanjskim mehanizmom
sprijei daljnje kretanje.
Ako na neki nain spojimo N tip (velika koncentracija elektrona) sa P
tipom (vrlo malo elektrona) poluvodia, elektroni se difuzno poinju
kretati sa N strane na P stranu. Usporedno s ovim, i upljine se difuzno
kreu sa P (visoka koncentracija upljina) na N stranu (vrlo niska
koncentracija upljina).
Zakljuimo: nakon spajanja P i N tipa poluvodia prvi efekt koji se
javlja su difuzna kretanja veinskih nositelja.
osnove elektronike
26
PN spoj - formiranje
Meutim, odmah nakon prijelaza veinskih nositelja na suprotnu stranu,
oni nailaze na veliku koncentraciju nositelja suprotnog predznaka.
Kada se susretnu suprotni nositelji (elektron i upljina), oni se
rekombiniraju: elektron popuni upljinu i oboje prestaju postojati kao
slobodni nositelji.
Rezultat ovoga je da e i s jedne i s druge strane oko podruja kontakta
nastati zona u kojoj je znatno smanjena koncentracija slobodnih nositelja
naboja (aproksimacijski se moe uzeti da u ovom podruju uope nema
nositelja naboja, tj. da su se svi rekombinirali). Ovo podruje se stoga zove
osiromaeno podruje (zona) (siromano je slobodnim nositeljima
naboja).
U osiromaenom podruju ostaju samo nepokretni atomi poluvodia
(elektrino neutralni, pa su nebitni).
Moemo rei da u osiromaenom podruju od naboja ostaju samo
nepokretni ioni primjesa i to na nain da u N strani imamo + ione, a P
strani - ione.
OBJANJENJE NA SLICI NA SLJEDEEM SLAJDU
osnove elektronike
27
PN spoj - formiranje
Negativni
akceptorsk
i ioni
Pozitivni
donorski
ioni
Slobod
ni
elektro
ni
uplji
ne
Slobodni elektroni i upljine ne postoje u podruju odmah oko kontakta (rekombinirali
su se). U ovom podruju postoje ostaju samo donorski i akceptorski ioni, izmeu
kojih se formira E
K
- polje kontakta

Grafiki prikaz
iznosa prostorne
raspodjele
naboja i
elektrinog polja
u osiromaenom
podruju
osnove elektronike
28
PN spoj - formiranje
Polje kontakta E
K
sada djeluje na nain
da odbija veinske nositelje koji
difuzno ele prijei na drugu stranu.
Difuzija veinskih slobodnih nositelja se
nastavlja, ali slabije (jer dio slobodnih
nositelja ne uspijeva savladati malo
polje kontakta E
K
).
Kako se difuzija nastavlja, osiromaeno
podruje se proiri, pa se koliina naboja
unutar osiromaenog podruja povea
rezultat: daljnje poveanje E
K.
Posljedica ovoga: difuzija jo dodatno
oslabi, no sve dok postoji, E
K
raste i sve
manje i manje veinskih nositelja
uspijeva savladati E
K
i difundirati na
suprotnu stranu.
Konano, E
K
poraste toliko da gotovo
potpuno zaustavi difuziju: PN spoj je
formiran.

E
K
odbija slobodne elektrone i
upljine
osnove elektronike
29
PN spoj - formiranje
Dosadanje razmatranje odnosilo se
samo na veinske nositelje.
to je sa manjinskim nositeljima
(slobodnim elektronima u P strani i
upljinama u N strani)?
Za manjinske nositelje E
K
ne
predstavlja barijeru dapae, potie
ih u prijelazu na suprotnu stranu
Svaki put kada manjinski nositelj
prijee na suprotnu stranu, malo se
povea koncentracija veinskih na
suprotnoj strani (jer su oni u suprotnoj
strani veinski), pa se difuzija malo
povea
Stoga nakon formiranja PN spoja
postoji vrlo mala difuzija veinskih
nositelja naboja (kao reakcija na vrlo
malu struju manjinskih koji slobodno
prolaze kroz E
K
) koja tono ponitava
kretanje manjinskih nositelja.
Dakle, ukupna struja nakon
formiranja PN spoja je 0.
E
K
ubrzava (potie) manjinske
nositelje u prijelazu na suprotnu
stranu
osnove elektronike
30
PN spoj pod djelovanjem vanjskog napona
Pod vanjskim naponom PN spoj se ponaa razliito zavisno o
polarizaciji ispravljaki efekt
Zavisno polarizaciji, vanjski napon moe smanjiti ili poveati polje
kontakta:
Propusna polarizacija (vii potencijal (+) spojen na P
stranu, nii potencijal (-) na N stranu) smanjuje polje kontakta
osiromaeno podruje postaje ue veinski nosioci lake
prolaze (poveanje difuzne struje I
D
)
Nepropusna (zaporna) polarizacija (obrnuto)
poveava polje kontakta osiromaeno podruje se proiri
veinski nosioci ne prolaze (difuzna struja pada na nulu, I
D
=0)
prolaze samo manjinski nosioci, koji ine malu struju zasienja
(saturacije) I
S
P N
+ -
Nepropusna polarizacija
P N
+-
Propusna polarizacija
I = - I
S
I = I - I
D S
osnove elektronike
31
PN spoj propusna polarizacija
Ako je PN spoj prikljuen na napon na
nain da je P strana na veem
potencijalu od N strane, elektrino polje
nastalo kao posljedica vanjskog
napona, smanjuje djelovanje polja
kontakta, osiromaeno podruje se
suava i difuzna struja veinskih
nositelja I
D
postaje znaajna.
P N
+ -
Nepropusna polarizacija
P N
+-
Propusna polarizacija
I = - I
S
I = I - I
D S
Ukupna struja je umanjena za struju manjinskih nositelja struju
zasienja (saturacije) I
S
(koji se kreu suprotno od difuznog kretanja
veinskih). Meutim I
S
je bitno manja od I
D
, pa se esto moe zanemariti,
tj. uzeti da ukupnu struju ini samo difuzno kretanje veinskih nositelja.
Moe se rei da PN spoj za ovakvu polarizaciju ima vrlo mali otpor (lako
proputa struju). No konkretan iznos ovog otpora nije konstantan jako
zavisi o iznosu napona propusne polarizacije.
Iznos struje je za male napone propusne polarizacije vrlo malen (PN
spoj ima vrlo velik otpor), no ako se napon poveava, struja raste
eksponencijalnom brzinom. Drugim rijeima, struja kroz PN spoj se
nelinearno poveava sa rastom iznosa napona propusne
polarizacije. Ova ovisnost struje o naponu se grafiki prikazuje tzv. UI
(strujno-naponskom) karakteristikom.
osnove elektronike
32
PN spoj nepropusna (zaporna, reverzna) polarizacija
Ako je PN spoj prikljuen na napon na nain da je
P strana na manjem potencijalu od N strane,
elektrino polje nastalo kao posljedica vanjskog
napona, jo poveava djelovanje polja kontakta,
osiromaeno podruje se dodatno iri i difuzna
struja veinskih nositelja I
D
vie ne postoji!
P N
+ -
Nepropusna polarizacija
P N
+-
Propusna polarizacija
I = - I
S
I = I - I
D S
Ukupna struja se stoga sastoji samo od kretanja manjinskih nositelja (struja
zasienja (saturacije) ili reverzna struja I
S
), koje polje kontakta jo i potie u
prijelazu s jedne strane na drugu. Meutim, koncentracije manjinskih
nositelja su vrlo male, tako da je reverzna struja zasienja vrlo mala (esto
se uzima da je 0). Drugim rijeima, otpor PN spoja u zapornoj polarizaciji je
vrlo velik (gotovo beskonaan).
Ako se promatra kako se reverzna struja mijenja sa iznosom napona
reverzne polarizacije, moe se uoiti da, bez obzira na iznos napona
reverzne polarizacije, struja ostaje ista (najee zanemarivo mala). Razlog
ovome je to se vrlo mali broj dostupnih manjinskih nositelja naboja
kompletno iscrpi ve za male napone reverzne polarizacije, pa daljnje
poveanje napona ne poveava njihov broj struja ostaje ista bez obzira na
iznos napona.
No, ako se povea temperatura T, broj parova elektron-upljina koji se
generiraju (podsjetimo se, kao posljedica prekida kovalentnih veza) se
poveava. Drugim rijeima, koncentracije manjinskih nositelja se
poveavaju sa T, pa je samim tim i struja reverzne polarizacije jako ovisna o
T.
osnove elektronike
33
Slobodni nosioci naboja u poluvodiu stvaraju struju
gibajui se pod djelovanjem:
- pod djelovanjem difuzije (difuzijska struja) i/ili
- elektrinog polja (driftna struja)
Ista vrsta gibanja postoji i kod vodia samo
to je tamo zbog mnotva slobodnih
elektrona driftno gibanje dominantno!
Mehanizmi voenja struje u poluvodiu:
osnove elektronike
33
34
+
I
U
B
R U
R
=IR
t
U
R
U
B
+
I
U
B
R U
R
=IR
t
U
R
U
B
POLUVODIKA DIODA
Poluvodika dioda je u stvari PN spoj sa prikljucima
(+ : Anoda, - : Katoda)!
Ako je potencijal anode vei od katode, dioda je
propusno polarizirana (kaemo da vodi), u obrnutom
sluaju je nepropusno polarizirana (ne vodi)
S obzirom na ovo, dioda se moe shvatiti kao ventil
za struju proputa struju samo u jednom smijeru (od
anode prema katodi)
Simboli
poluvodike
diode
Anoda Katoda
Propusno polarizirana dioda
dobro proputa struju gotovo
itav napon baterije U
B
je na
otporniku R (gotovo kao da
diode ni nema)
Nepropusno polarizirana dioda
vrlo loe proputa struju
struja I je zanemarivo mala
(I=struji zasienja ili saturacije I
S
) pad napona na R je stoga
zanemarivo mali.
osnove elektronike
i
u
R u
R
=iR
t
u
R
35
Poluvodika dioda ispravljanje, dioda djeluje kao ispravlja
Ako se poluvodika dioda spoji na izmjenini izvor (stalno se polarizacija
diode mijenja), izmjenini napon se moe ispraviti, tj. dobiti samo jedna
polarizacija. Drugim rijeima moe se postii da struja tee samo u jednom
smijeru, ne i u suprotnom smijeru.
Za vrijeme pozitivne poluperiode dioda je propusno polarizirana i ponaa
se gotovo kao kratki spoj.
Za vrijeme negativne poluperiode, struja nee moi tei u suprotnom
smijeru (dioda je nepropusno polarizirana i gotovo da uope ne proputa
struju, ponaa se gotovo kao otvoreni krug (prekid)), tj. imamo
zanemarivo malu struju, priblino jednaku nula (0).
Krajnji rezultat: od izmjeninog napona na izvoru, pomou diode smo na
potroau dobili istosmjeran (ali i vremenski promjenjiv po iznosu) napon.
Ovaj najjednostavniji sklop za ispravljanje zove se poluvalni ispravlja.
osnove elektronike
36

U
Poluvodika dioda UI karakteristika
UI karakteristika pokazuje
ovisnost struje o naponu na diodi
za diodu vrlo nelinearno.

Dioda poinje znaajnije voditi
pri naponu koljena (za Si
tipino
0.7 V=700 mV). esto se uzima
da za manje napona dioda
uope ne vodi.
osnove elektronike
37
1000 60 20 80 500
200
400
10
20
30
40
50
60
U[mV] -U[V]
-I[nA]
I[mA]
Poluvodika dioda aproksimacije UI karakteristike, dioda kao sklopka
UI karakteristika aproksimacije (bitno!)
Gruba aproksimacija (dioda kao sklopka, zavisno o
polarizaciji)
Propusna
polarizacij
a (A+, K-) ;
dioda=Krat
ki spoj
Nepropusn
a
polarizacija
(A-, K+) ;
dioda=Otvo
ren Krug
Propusna polarizacija (anoda
pozitivnija od katode) dioda je
zatvorena sklopka ili kratki spoj
(KS).

Nepropusna polarizacija (anoda
negativnija od katode) dioda je
otvorena sklopka ili otvoreni krug
(OK).
Neporpusna polarizacija se jo zove
i reverzna ili zaporna polarizacija.



osnove elektronike
38
1000 60 20 80 500
200
400
10
20
30
40
50
60
U[mV] -U[V]
-I[nA]
I[mA]

U
Poluvodika dioda aproksimacije UI karakteristike
UI karakteristika aproksimacije (bitno!)
Tonija aproksimacija (dioda kao sklopka, zavisno o
polarizaciji no i naponu koljena) najee koritena
Propusna polarizacija (anoda
pozitivnija od katode za

dioda je zatvorena sklopka (ili
kratki spoj)

Nepropusna polarizacija
(anoda negativnija od katode
ili pozitivnija no za manje od
) dioda je otvorena sklopka
(ili otvoreni krug)

U
osnove elektronike
Poluvodike diode se izrauju od kristala germanija, silicija ili galij-
arsenida, te raznih drugih kombinacija poluvodia.
Sastoje se od jednog PN-spoja (ili ispravljakog spoja metal-
poluvodi) i ne-ispravljakih (omskih) kontakata i kuita.
Graa diode:
Poluvodike diode ilustriraju primjenu mnogih svojstava PN-spoja i
spoja metal-poluvodi:
"osnovna svojstva - ispravljanje i sklopni reim.
"sekundarna svojstva" - naponska referenca, ovisnost
kapaciteta o naponu, ovisnost otpora o struji, negativni
otpor.
Geometrija i struktura PN-spoja ovisi o nainu izvedbe, pri emu se
najee rabe postupci difuzije (tzv. Planarna tehnologija na
siliciju).
osnove elektronike
39
Podjela poluvodikih dioda prema koritenim svojstvima PN
spoja (i spoja metal poluvodi) i namjeni:
1.1. Ispravljake spojne diode (ispravljanje signala)
1.2. Prekidake spojne diode (brzi rad u sklopnom reimu)
1.3. Diode s povrinskom barijerom- Schottkyjeva diode
(brze prekidake diode)
1.4. Varaktori - kapacitivne diode (naponski promjenjivi
kapacitet)
1.5. PIN diode (mali otpor propusne polarizacije, mali barijerni
kapacitet neovisan o naponu)
1.6. Naponske referentne diode - Zener diode (izvor
konstantnog napona)
1.7. Tunelske - Esaki diode (brzi rad u sklopnom reimu,
negativan otpor u propusnom dijelu karakteristike)
Podjela poluvodikih dioda
osnove elektronike
40
Dobru ispravljaku diodu odlikuje:
I10
3
, A
U
pr

I
pr

I
D

I10
12
, A
U, V
U
0
U
D

Q(I
D
,U
D
)
naponski malo ovisna
struja propusne
polarizacije
niski napon koljena

visoki reverzni
napon proboja
zanemariva
reverzna struja
zasienja
Ispunjavanje
pojedinih zahtjeva
meusobno je
suprotstavljeno pa
se diode obino
izrauju tako da
zadovoljavaju
samo neke od njih.
Ispravljake spojne diode, dobra U-I karakteristika:
41 osnove elektronike
Simbol diode: Tehnoloki presjek ispravljake diode:
A
K
anoda (A)
N
N
+

aluminij (Al)
P
katoda (K)
SiO
2

Tehnoloki presjek ispravljake diode:
osnove elektronike
42
PIN-dioda: izmeu dva jako dopirana dobro vodljiva P
+
i N
+

podruja nalazi se slabo vodljivo I podruje (gotovo) istog
poluvodia - intrinsino podruje.
Pin diode:

Primjena:
kao promjenjivi otpor,
kao posebna vrsta prekidakih dioda na vrlo visokim
frekvencijama i pri velikim snagama.
N
+

P
+
I

Od PIN diode se trai
vrlo mali otpor u propusnoj polarizaciji,
da brzina prekidanja nije kritina veliina.
osnove elektronike
43
Opis Pin i Tunelske dioda:
Tunelske diode:
Primjena:
vrlo brze sklopke,
esto se naziva i Esakijevom diodom po znanstveniku Esakiju
koji je prvi uoio i protumaio efekt tuneliranja.

C
L
1/R
D 1/R
:
C
L
R
gubici zavojnice
osnove elektronike
44
Tranzistor (transfer resistor
prijenosnik otpora).

Prvi tranzistor: prosinac 1947.
Barden, Brattain i Shockley
(Bell Labs) Rezultati objavljeni
u ljeto 1948.
BJT Bipolar Junction
Transistor (Bipolarni
tranzistor).


osnove elektronike 45
Slika: Model prvog tranzistora
BIPOLARNI TRANZISTORI - BJT
Osnovna ideja:
naponom i strujom (tipino velikim) u izlaznom elektrinom
krugu upravlja se pomou struje (male) iz drugog, ulaznog,
kruga BJT je strujno upravljan element.

aktivni poluvodiki elementi (zahtijevaju napajanje za normalan
rad).

u pravilu imaju tri elektrode.

Za razliku od unipolarnih tranzistora, za operaciju bipolarnih
tranzistora kljuni su veinski, no i manjinski nositelji naboja.

Koriste se kao pojaala i elektronike sklopke.
osnove elektronike
46
osnove elektronike
47
P P P N N N
E C
B B
E C
E C
B
E C
B
a) b)
Tri elektrode koje tranzistor ima su: E emiter (emitira nositelje
naboja), C- kolektor (sakuplja nositelje naboja), B baza (upravlja
protokom iz emitera u kolektor).
a) P-N-P b) N-P-N
Shematski prikaz i simbol BJT tipova
Spoj dva PN spoja
Jo se nazivaju i
spojni (junction).
Osnovna razlika
izmeu NPN i PNP
tipa su obrnuti
polariteti baterija
kojima se BJT
napaja.
osnove elektronike
48
Spajanje tranzistora
Za spajanje tranzistora je potrebno:
Ulazni i izlazni krug.
Dvije baterije koje osiguravaju potrebne napone tj. polarizaciju.
Mogua je i izvedba s jednom baterijom kojom se realiziraju dva
napona.
Ovisno o vrstama spoja (zajednikoj elektrodi) tranzistora moemo
imati 3 razliita spoja tranzistora:
spoj sa zajednikom bazom (ZB)
spoj sa zajednikim emiterom (ZE)
spoj sa zajednikim kolektorom (ZC)
osnove elektronike
49
PNP tranzistor u spoju sa zajednikom bazom (za NPN polarizaciju
baterije okrenute)
P P
N
E C B
+
-
U
EB
+
-
U
CB
I
E
I
B
I
C
+
-
U
EB
+
-
U
CB
I
E
I
B
I
C
E C
B
PNP
Ulazni krug: krug E-B Izlazni krug: krug C-B
Baza je zajednika za ulazni i izlazni krug pa kaemo da se radi o spoju
sa zajednikom bazom (ZB)
Kod uobiajenog rada tranzistora, bez obzira na vrstu spoja, dioda
emiter-baza polarizirana je propusno, a dioda kolektor-baza
nepropusno.
Spoj ZB
osnove elektronike 50
Spoj ZE
U
BE
+
-
U
CE
I
B
I
E
I
C
E
C
B
PNP
Za nepropusnu polarizaciju spoja
kolektor-baza mora biti ispunjen uvjet
BE CE
U U >
Spoj ZE ima veliko i strujno i
naponsko pojaanje najee
koriten spoj!
osnove elektronike 51
Spoj ZC
- veliko strujno pojaanje
- nema naponskog pojaanja (promjena ulaznog napona izaziva
praktino istu promjenu izlaznog napona)
U
BC
U
EC
I
B
I
E
I
C
E
C
B
PNP
osnove elektronike 52
Prema polarizaciji emiterskog i kolektorskog spoja, razlikujemo
rad tranzistora u etiri podruja:
Podruja rada BJT-a
1. Normalno aktivno podruje EB propusno, CB nepropusno
2. Inverzno aktivno podruje CB propusno, EB nepropusno
3. Podruje zasienja EB propusno, CB propusno
4. Zaporno podruje EB nepropusno, CB nepropusno
pojaalo
sklopka
osnove elektronike
53
UNIPOLARNI TRANZISTORI
Poput bipolarnih imaju 3 elektrode, koristi se za pojaanje (kao
pojaalo) i kao sklopka - (isto kao i bipolarni tranzistori).
Osnovna razlika: izlazna struja upravljana ulaznim naponom (nema
ulazne struje), tj. eleletrinim poljem nastalim kao posljedica ulaznog
napona najee se zovu FET-ovi (Field Effect Transistors).
Rad im je ovisan samo o veinskim nositeljima, ne i manjinskim (samo
jedan polaritet nositelja naboja unipolarni).
OPENITO:
osnove elektronike
54
Dva osnovna konstrukcijska oblika:
- spojni tranzistori s efektom polja (Junction Field Effect Transistor
JFET).
- metal-oksid-poluvodi tranzistor s efektom polja (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor MOSFET).

Imaju 3 elektrode:
- upravljaka elektroda ili vrata (G gate)
- odvod ili ponor (D drain)
- uvod ili izvor (S- source)

osnove elektronike
55
G
D
S
G
D
S
a)
b)
Simboli JFET-a
a) N kanalni JFET; b) P kanalni JFET
(mogu se koriste simboli bez kruga)
JFET
osnove elektronike
56
Konstrukcija N-kanalnog JFETa
n
p
+
p
+
+
U
DS
S
D
I
D
Blok n-tipa poluvodia ponaa
se kao obian otpornik.
Ovaj blok zove se kanal.

U kanal je ugraen jako oneien
p-tip poluvodia.
Osiromaeno podruje PN spojeva
ini kanal neto uim.

Izlazna struja I
D
protjee kroz
kanal.
osnove elektronike
57
Ovisnost izlazne struje I
D
o ulaznom
naponu U
GS
prikazana je
prijenosnom karakteristikom.

Maksimalna izlazna struja je za
ulazni napon U
GS
=0V.

Minimalna izlazna struja (0 A) je za
ulazni napon U
GS
=-U
P.
U
GS
I
D

-U
P
U
DS
=konst.
0 V
osnove elektronike
58

Uz konstantan ulazni napon
U
GS
kanal bi trebao imati
konstantnu irinu, tj, ponaati
sa kao obian otpornik.

Dakle, ovisnost izlazne struje I
D
o izlaznom naponu U
DS
(uz
konstantan ulazni napon) bi
trebala biti jednostavna linearna
ovisnost: koliko poraste napon,
toliko poraste i struja.
I
D

U
GS
=konst.
U
DS
AU
DS
AU
DS
AU
DS
AI
D

AI
D

AI
D

osnove elektronike
59
Poveanje napona U
DS
utjee na struju I
D
preko 2 mehanizma:


1. Prema Ohmovom zakonu, poveanje izlaznog napona U
DS

eli za isti iznos poveati izlaznu struju I
D


2. Meutim, poveanje struje I
D
izaziva dodatno poveanje
otpora kanala (tj. eli smanjiti I
D
)



dakle:
osnove elektronike
60
Osnovna karakteristika:

Kod ove vrste tranzistora ne postoji vodljivi kontakt izmeu upravljake
elektrode (G) i poluvodikog materijala.
vrlo veliki ulazni otpor (vei od JFET-a praktino beskonaan).
MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
osnove elektronike
61
Dva tipa i dva podtipa (ukupno 4 razliita tipa) MOSFET-a:

N-kanalni (N-MOSFET, ponekad NMOS) i P-kanalni (P-MOSFET,
ponekad PMOS).
Svaki moe biti osiromaenog i obogaenog tipa.
Openito
Po elektrinim karakteristikama slini JFET-u.
Princip rada i konstrukcija razliiti od JFET-a.
Posebno pogodni za izradu u integriranim krugovima danas
dominiraju (pogotovo digitalna elektronika).
osnove elektronike
62
Upravljaka elektroda (G) nalazi se na povrini izmeu izvoda i
izvora. Zbog ove slojevitosti metal-oksid-poluvodia i nastao je naziv
MOSFET.
P (podloga)
N
+
N
+
S
G D
SiO
2
metal
Primjer N kanalnog MOSFET-a
osnove elektronike
63
Koritenje MOSFET-a
kao pojaalo
kao naponski upravljan promjenjiv otpornik
kao sklopka
Slino kao JFET:
osnove elektronike
64
Ogranienja rada i prednosti FETova
Kod bipolarnih tranzistora sa porastom
temperature dolazi do porasta struje, to
dovodi do vee disipacije snage.
Poveanje snage uzrokuje poveanje
temperature, to opet dodatno povea
struju, tj. dodatno povea snagu...itd. -
sve do termikog bijega.
Kod unipolarnih tranzistora ne moe
doi do termikog bijega (struja sa
porastom temperature za FET pada
(slika) pad snage hlaenje).
-50 -25 0 25 50 75 100 T( C)
0
0
0.5
1
1.5
2
I (T)
D
I (T=25 C)
D
0
MOSFET
J
F
E
T
osnove elektronike 65
Zakljuak
Prednosti FET-ova:
vrlo veliki ulazni otpor tj. nulta ulazna struja (upravljanje bez
snage) vrlo znaajno za digitalnu elektroniku
opadanje struje poveanjem temperature
jednostavnost izrade

(Tipine) mane FET-ova (u odnosu na bipolarne tranzistore):
o vea nelinearnost (izlazne struje sa ulaznim naponom)
o manje pojaanje
o za MOSFET-ove: osjetljivost na statiki elektricitet uslijed vrlo
tankog dielektrika (oteano koritenje obian dodir ruke
moe izazvati proboj)