Địa chỉ liên hệ

• Email: Lan-Huong.Nguyen@mica.edu.vn;
NguyenLanHuong@mail.hut.edu.vn

• Mobile: 095 339 4974

Cảm biến đo lường và xử lý tín hiệu đo • C1-108

TS. Nguyễn Thị Lan Hương

Bộ môn Kỹ thuật đo và Tin học Công nghiệp
Khoa Điện

1 2

Tài liệu tham khảo Nội dung giảng dạy

[1] Các bộ cảm biến trong kỹ thuật đo lường và điều khiển,
Nhà XB Khoa học Kỹ thuật (2001), Chủ biên tập PGS.TS.
Lê Văn Doanh
[2]Cảm biến, Nhà XB Khoa học kỹ thuật (2000), Phan Quốc
Phô, Nguyễn Đức Chiến
[3] Process/Industrial Instruments and Controls Handbook,
Mc GRAW-Hill (1999), Gregory K.McMillan; Douglas M.
Considine
[4] The Mechatronic Handbook, CRC Press (2002), Robert
H.Bishop
[5] AIP Hand book of Modern Sensors,Jacob Fraden
(1993)
3 4
• Khái niệm cảm biến và xu hướng phát triển
• Đặc tính kỹ thuật của cảm biến
• Các kỹ thuật cảm biến cơ bản dùng trong công nghiệp
– Nguyên lý và hiệu ứng vật lý của các chuyển đổi sơ cấp
• Ứng dụng các chuyển đổi sơ cấp cho việc đo các đại
lượng vật lý- thiết bị và cảm biến đo
– Đo vị trí và độ dịch chuyển
– Đo lực và biến dạng
– Đo áp suất
– Đo vận tốc gia tốc và độ rung
• Xử lý tín hiệu sau cảm biến
• Cảm biến thông minh
 Chương 1. Khái niệm và các đặc tính kỹ thuật của
cảm biến
Hệ thống cơ điện tử
• Cơ điện tử sự tích hợp của nhiều ngành khác nhau
• Cảm biến là gì ?
– Bộ biến đổi từ đại lượng không điện thành đại lượng đại lượng
điện

Đại lượng không

điện là những đại
lượng nào?
Các đại lượng điện:
Điện áp, dòng điện, điện tích
Thông số mạch điện
Còn lại là các đại lượng không
điện

5 6

Chương 1. Khái niệm và các đặc tính kỹ thuật

Hệ thống cơ điện tử
của cảm biến
• Quá trình cơ • Sơ đồ các cảm biến trong công nghiệp
khí và việc xử
lý thông tin
RS-232,485
phát triển U, I
ĐLĐ KC X’ CĐ 4-20mA
hướng tới các X CB SC
TNH ADC XL
DAC
4-20mA
RLC
hệ cơ điện tử
CB tương tự

CB thông minh

7 8
 VÝ dô vÒ c¶m biÕn thô ®éng
Phân loại Cảm biến
Đ¹i l−îng Th«ng sè biÕn ®æi VËt liÖu lµm c¶m biÕn
• Theo nguyên lý hoạt động
– Chuyển đổi điện trở NhiÖt ®é ĐiÖn trë suÊt Kim lo¹i : platine, nickel,
– Chuyển đổi điện từ ®ång, chÊt b¸n dÉn
– Chuyển đổi nhiệt điện NhiÖt ®é rÊt thÊp H»ng sè ®iÖn m«i Thuû tinh
– Chuyển đổi điện tử và ion ĐiÖn trë suÊt Hîp kim niken vµ silic m¹
– Chuyển đổi hóa điện BiÕn d¹ng Hîp kim s¾t tõ
– Chuyển đổi tĩnh điện Đé tõ thÈm
– Chuyển đổi lượng tử VÞ trÝ ĐiÖn trë suÊt Tõ trë

• Theo kích thích: quang, cơ học, âm học…

Tõ th«ng cña bøc x¹ ĐiÖn trë suÊt B¸n dÉn
• Theo tính năng quang
• Theo ứng dụng Đé Èm ĐiÖn trë suÊt Chlorure de lithium
• Theo mô hình thay thế: Tích cực và thụ động H»ng sè ®iÖn m«i Hîp kim polymere
Møc H»ng sè ®iÖn m«i C¸ch ®iÖn láng
9 10

VÝ dô vÒ c¶m biÕn tÝch cùc 1.2. Đặc điểm của các phương pháp đo các đại lượng không
điện
c. C¸c lo¹i c¶m biÕn hay ®−îc sö dông trong c«ng
Đ¹i l−îng vËt lý cÇn ®o HiÖu øng sö dông TÝn hiÖu ra nghiÖp vµ d©n dông

Lùc

C¶m biÕn ®o nhiÖt ®é (37,29%*)
¸p suÊt ¸p ®iÖn ĐiÖn tÝch
C¶m biÕn ®o vÞ trÝ (27,12%*)
Gia tèc
C¶m biÕn ®o di chuyÓn (16,27%*)
NhiÖt ®é NhiÖt ®iÖn ĐiÖn ¸p
C¶m biÕn ®o ¸p suÊt (12,88%*)

C¶m biÕn ®o l−u l−îng (1,36%*)
Tèc ®é (vËn tèc) Cảm øng ®iÖn tõ ĐiÖn ¸p
C¶m biÕn ®o møc (1,2%*)

C¶m biÕn ®o lùc (1,2%*)
VÞ trÝ HiÖu øng Hall ĐiÖn ¸p
C¶m biÕn ®o ®é Èm (0,81%*)

Hoa quang ĐiÖn tÝch

Tõ th«ng bøc x¹ quang Ph¸t x¹ quang Dßng ®iÖn *: XÕp theo sè l−îng c¸c lo¹i c¶m biÕn b¸n ®−îc t¹i Ph¸p n¨m
HiÖu øng quang ¸p ĐiÖn ¸p 2002
HiÖu øng quang
11 ®iÖn tõ ĐiÖn ¸p 12
 Đặc điểm của các phương pháp đo các đại lượng không
điện Sơ đồ chuyển đổi giữa các đại lượng - các loại
cảm biến
d. C¸c lÜnh vùc øng dông Encoder
1

U, I
2
BiÕn trë T
Di chuyÓn Tr−ît T (L,U) (R, U)

Xe h¬i : (38%*) kÝch th−íc
§iÖn 3
(L) R

S¶n xuÊt c«ng nghiÖp: (20%*) c¶m
4
T ( δ, L)
T
§iÖn
§iÖn gia dông : (11%*)
(L, U)

T dung T (L,C) L
(L,Μ)

V¨n phßng: (9%*) ¸p
®iÖn
5
T (M,U)

Y tÕ: (8%*) §iÖn trë
6
lùc c¨ng T (M,R)

An toµn: (6%*) Khèi l−îng
lùc (M) 7 T
C

M«i tr−êng: (4%*) ¸p tõ (C, U)

T (M,L)
8

N«ng nghiÖp: (4%*) T
(M,t)
NhiÖt
®iÖn T (t,U)

NhiÖt ®é T NhiÖt 9
(Ls,t) ®iÖn trë T (t,R)

T Quang 10
(t,Φ) ®iÖn T (Φ,U)

Quang 11
*: XÕp theo sè l−îng c¸c lo¹i c¶m biÕn b¸n ®−îc t¹i Ph¸p n¨m Quang T
(M,Φ) ®iÖn trë T (Φ,R)
2002
13 T 14
(L,Φ)

Biến đổi giữa các đại lượng (điện) của tín C¸c d¹ng biÕn ®æi chuÈn ho¸ th−êng gÆp
hiệu- Biến đổi thống nhất hóa

Hoµ hîp t¶i gi÷a c¶m biÕn vµ m¹ch ®o

CÊp nguån cho c¶m biÕn thô ®«ng

TuyÕn tÝnh ho¸ ®Æc tÝnh phi tuyÕn cña c¶m biÕn

TuyÕn tÝnh ho¸ tÝn hiÖu ra cña m¹nh ®o (VD cÇu Wheastone)

KhuyÕch ®¹i tÝn hiÖu ra cña c¶m biÕn

Läc nhiÔu t¸c ®éng lªn tÝn hiÖu ra cña c¶m biÕn

KhuyÕch ®¹i ®o l−êng ®Ó triÖt tiªu hoÆc lµm gi¶m c¸c nhiÔu
t¸c ®éng (®iÖn ¸p ký sinh vµ dßng ®iÖn rß trªn ®−êng truyÒn)

15 16
 Ví dụ 1.3. Thông số kỹ thuật của cảm biến

ChuyÓn ®æi /tÝn hiÖu Thèng nhÊt hãa tÝn hiÖu

KhuÕch ®¹i, tuyÕn tÝnh ho¸

Dải đo, ng−ìng nh¹y vµ độ ph©n giải kh¶ n¨ng ph©n ly
CÆp nhiÖt ngÉu vµ bï ®Çu tù do

§é nh¹y vµ TÝnh tuyÕn tÝnh cña thiÕt bÞ
Nguån nu«I, cÊu h×nh 4 d©y
Sai sè hay ®é chÝnh x¸c
NhiÖt ®iÖn trë RTD vµ 3 d©y, tuyÕn tÝnh hãa

§Æc tÝnh ®éng
Nguån ®iÖn ¸p cung cÊp
C¶m biÕn ®iÖn trë
lùc c¨ng
cho cÇu, cÊu h×nh vµ
Mét sè th«ng sè kh¸c nh−: c«ng suÊt tiªu thô, trở kh¸ng,
tuyÕn tÝnh ho¸
kÝch th−íc, träng l−îng cña thiÕt bÞ
§Êt chung KhuÕch ®¹i c¸ch ly
hoÆc ®Þªn ¸p cao (c¸ch ly quang) ThiÕt bÞ DAQ

C¸c t¶I yªu cÇu chuyÓn R¬le ®iÖn c¬ hoÆc r¬le

m¹ch xoay chiÒu hoÆc b¸n dÉn
dßng ®iÖn lín

C¸c tÝn hiÖu víi

Läc th«ng thÊp
nhiÔu tÇn sè cao
17 18

A. Độ nhạy Độ nhạy
Phương trinh cơ bản
Y= F(X,a,b,c...)

∂F/∂X - Đé nh¹y víi x (Sensibility)

∂F/∂a - Đé nh¹y cña yÕu tè anh h−ëng a hay nhiÔu
∆F/∆X = KXt- Đé nh¹y theo X ë Xt hay ng−êi ta cßn ký hiÖu lµ S

Khi K=const -> X,Y lµ tuyÕn tÝnh.

K=f(X) -> X, Y lµ kh«ng tuyÕn tÝnh - > sai sè phi tuyÕn.

ViÖc x¸c ®Þnh K b»ng thùc nghiÖm gäi lµ kh¾c ®é thiÕt bÞ ®o. Víi mét gi¸ trÞ
cña X cã thÓ cã c¸c gi¸ trÞ Y kh¸c nhau, hay K kh¸c nhau.
dKXt/KXt - (Repeatability)ThÓ hiÖn tÝnh æn ®Þnh cña thiÕt bÞ ®o hay tÝnh lÆp l¹i
cña thiÕt bÞ ®o .
dKXt/KXt = dS/S=γs- Sai sè ®é nh¹y cña thiÕt bÞ ®o -> nh©n tÝnh.
(Hysteresis)
19 20
 B. Trễ hay trơ của thiết bị (Hysteresis) C. Tính lặp lại

21 22

E. Khoảng đo, ngưỡng nhạy

D. Hệ số phi tuyến của thiết bị
và khả năng phân ly
ĐÓ ®¸nh gi¸ tÝnh phi tuyÕn cña thiÕt bÞ ®o ta x¸c ®Þnh hÖ sè
Kho¶ng ®o (Span/Full Scal/Range): Dx = Xmax - Xmin
phi tuyÕn cña nã. Y

Ng−ìng nh¹y, kh¶ n¨ng ph©n ly (Resolution):
HÖ sè phi tuyÕn x¸c ®Þnh theo c«ng thøc sau:
∆X max Khi giảm X mà Y cũng giảm theo, nhưng với ∆X≤ εX khi đó
K pt = ∆Y không thể phân biệt được ∆Y, εX được gọi là ngưỡng nhạy
Xn
của thiết bị đo.
∆X
. ∆Xmax- lµ sai lÖch lín nhÊt Khả năng phân ly của cảm biến
X
-Thiết bị tương tự
Dx
RX =
εX

-Thiết bị số: DX
RX = = Nn
εg
23 24
 F. §Æc tÝnh ®éng cña thiÕt bÞ (1) §Æc tÝnh ®éng cña c¶m biÕn (2)
α

Hàm truyền cơ bản : Y(p)=K(p.X(p)

Đặc tính động:
+ Đặc tính quá độ
+ Đặc tính tần
+ Đặc tính xung X
X1 X2 X3 X4

Khi đại lượng X biến thiên theo thời gian ta sẽ có quan hệ

α(t)=St[X(t)]
Khi ®¹i l−îng X biÕn thiªn theo thêi gian ta sÏ cã quan hÖ
Quan hệ được biểu diễn bằng một phương trình vi phân. Phương
α(t)=St[X(t)]
trình vi phân ấy được viết dưới dạng toán tử.
Quan hÖ ®−îc biÓu diÔn b»ng mét ph−¬ng tr×nh vi ph©n. Ph−¬ng tr×nh vi ph©n Êy
α(p)=S(p).X(p) ®−îc viÕt d−íi d¹ng to¸n tö.
S(p)- Gọi là độ nhạy của thiết bị đo trong quá trình đo đại lượng động α(p)=S(p).X(p)
25 26
S(p)- Gäi lµ ®é nh¹y cña thiÕt bÞ ®o trong qu¸ tr×nh ®o ®¹i l−îng ®éng

α(t)

§Æc tÝnh ®éng cña c¶m biÕn (2) Một số dạng đáp ứng bậc 1
Xt

NÕu ®¹i l−îng vµo cã d¹ng xung hÑp

X(t)= Xtδ(t-τ). τ t

S(p)- thÓ hiÖn d−íi d¹ng hµm h(t) ®Æc tr−ng cho ®Æc tÝnh xung cña
thiÕt bÞ ®o.
§Æc tÝnh xung thiÕt bÞ ®o cã thÓ cã giao ®éng hoÆc kh«ng tuú theo
S(p)
• NÕu ®¹i l−îng cã d¹ng xung b−íc nh¶y
Xt=Xt.1(t-τ)

S(p) - thÓ hiÖn d−íi d¹ng h(t) theo quan hÖ

• S(p) ®Æc tr−ng cho ®Æc tÝnh qu¸ ®é cña thiÕt bÞ ®o vµ tuú theo
ph−¬ng tr×nh ®Æc tÝnh cña nã, nã cã thÓ giao ®éng hoÆc kh«ng giao
®éng . 27 28
 C¸c th«ng sè chuyÓn ®éng

Di chuyÓn hay kho¶ng dêi A

Chương 2. Cảm biến đo thông số chuyển động dA

Tèc ®é chuyÓn ®éng v=
và kích thước hình học dt
Gia tèc chuyÓn ®éng
dv d 2 A
γ= = 2
dt dt
§èi víi chi tiÕt giao ®éng h×nh sin th× tèc ®é giao
®éng
d(A m sin ωt )
vi = = A m ω cos ωt
dt
Gia tèc
dv
γt = = A m ω 2 sin ωt
dt
29 30

2.1. §o di chuyÓn Hệ thống dẫn động di chuyển

• Di chuyển thẳng bằng biến trở trượt

• Sử dụng cảm biến điện cảm, hỗ cảm.
• Sử dụng cảm biến điện dung

31 32
 2.1 Biến trở trượt Cấu tạo

• Biến trở đều (hay tuyến tính) và biến trở không đều
Rα L
U 2 = U1 = U1. α
Rn Ln

Ln: chiều dài toàn bộ chiết áp.

Lα: Chiều dài tính từ đầu chiết áp đến vị trí con trượt.

33 34

Biến trở trượt (tiếp) C. C¶m biÕn ¸p tõ

wα
U 2 = U1 .
wn
ĐiÖn c¶m cña
chuyÓn ®æi ¸p tõ
• Wn: số vòng quấn toàn bộ chiết áp.
• Wα: số vòng tại vị trí đo.
W 2 W 2 .µ.S
• Sai số lượng tử của chiết áp γe = L= =
R l
• Để tăng số vòng chiết áp người ta chế tạo chiết áp nhiều vòng.
• Đặc tính của một chiết áp được xác định.
- Giá trị điện trở Rn. D−íi t¸c dông cña biÕn W- sè vßng cuén d©y
- Số vòng quấn Wn của chiết áp. d¹ng ®µn håi c¬ häc, ®é tõ R- tõ trë cña m¹ch tõ
S, l - diÖn tÝch vµ chiÒu dµi cña m¹ch tõ
- Tính ổn định và mài mòn vật liệu (con chạy dây quấn). thÈm µ vµ c¸c tÝnh chÊt
µ ®é tõ thÈm cña lâi thÐp
- Hệ số ma sát của trục chiết áp và của con chạy. kh¸c cña vËt liÖu s¾t tõ
35
thay ®æi. 36
 D. C¶m biÕn ®iÖn c¶m D. C¶m biÕn ®iÖn c¶m (2)

Nh− vËy ®Æc tuyÕn cña chuyÓn ®æi ®iÖn c¶m khi dé dµi khe
hë kh«ng khÝ δ thay ®æi Z=f(∆δ) th−êng lµ phi tuyÕn vµ phô
thuéc vµo tÇn sè cña nguån kÝch thÝch. TÇn sè dßng kÝch
thÝch cµng lín th× ®é nh¹y cµng cao.

∂L ∂L
dL = dS + dδ
∂S ∂δ
∆Z / Z 0 1
S δ' = =−
∆δ / δ 0   ∆δ 
2

1 +  
NÕu bá qua ®iÖn trë thuÇn cña cuén d©y vµ tõ trë cña lâi   δ 0 
thÐp W 2 W 2 .µ 0 .S
L= =
Rδ 37
δ 38

E. C¶m biÕn hç c¶m Đo di chuyển

Tõ th«ng tøc thêi

iW1 W1µ 0 Si
φt = =
Rδ δ
i- gi¸ trÞ dßng tøc thêi trong
cuén d©y kÝch thÝch W1.
Søc ®iÖn ®éng cña cuén d©y
®o W2:

dφ t W .W µ S di
e = − W2 =− 2 1 0
dt δ dt

39 40
 Các pháp đo di chuyển
• Ví dụ như
điện cảm-
hỗ cảm

41 42

Đo di chuyển bằng điện dung Mạch đo điện dung

• Dùng mạch tạo giao động và đo tần số giao động

Điện dung

43 44
 2.2. Đo khoảng cách 2.2. Đo khoảng cách

• Hai phương pháp • Thông thường ở đây sử dụng sóng âm,laze, hay rada, ánh
– Tiếp xúc sáng…
– Không tiếp xúc: Có khoảng 7 kỹ thuật khác nhau • Phương pháp phát tia laze/rada với khoảng cách xa- thông
• Đo tam giác qua thời gian truyền sóng
• Thời gian truyền
• Đo dịch pha
• Loại không tiếp xúc chia làm 2 loại
• Điều biến tần số – Tích cực
• Giao thoa – Thụ động
• Hội tụ quét
• Biên độ

45 46

A. Phương pháp thời gian truyền (TOF) A. Phương pháp thời gian truyền (TOF)
• Xác định thời gian truyền sóng: Phát và thu sóng sau khi
phản xạ, phát và thu trên cùng một đầu • TOF tính theo biên độ phản xạ lớn nhất

• Phương pháp này dùng nhiều nhất là sóng siêu âm

• Có thể đo tới 35ft, góc nghiên là 120

47 48
 Sai số của phương pháp thời gian truyền Sơ đồ của thiết bị (đo khoảng cách bằng vi sóng)

• Sự thay đổi tốc độ truyền sóng

• Không xác định chính xác được thời gian đến của xung
phản xạ
• Sai số của mạch định thời gian để đo thời gian truyền
• Sự tương tác của sóng tới với bề mặt của đối tượng cần đo
bề mặt, góc tới)

•Khoảng cách thông thường từ 25 đến 45 000mm

•Có thể xa hơn tùy thuộc vào năng lượng và kích thước
đối tượng.
•Bước sóng thông thường từ 1 đến 1000mm
49 50

B. Di chuyển theo góc lệch pha Ví dụ

• Chỉ sử dụng khi khoảng cách nhỏ hơn một bước sóng

Điều chế bằng

sóng vuông

Khoảng không xác định khi tổng khỏang cách truyền (2 lần
khoảng cách từ bộ phát đến vật) vượt quá bước sóng điều chế λ

51 52
 Ví dụ

53 54

Điều biến tần số Ví dụ về loại đèn Laser

• Khí Helium-Neon

55 56
 Cảm biến từ giảo (MTS) Đo khoảng cách bằng phương pháp tam giác

• Thời gian truyền từ giảo • Phương pháp lượng giác học

Biết trước độ dài của một cạnh
và hai góc của tam giác thì có
Các dạng sóng quan trắc từ thể xác định được độ dài của
trường dọc theo toàn bộ sóng cạnh còn lại
dẫn khoảng 1 đến 3 µm

Từ trường từ vị trí nam châm

Phần đầu
của cảm
biến
Tự tương tác của từ trường
Ống bảo lên phần sóng thẳng
vệ cảm
biến Dây dẫn
sóng Nam
châm vị
trí
57 58

2.4. §o vËn tèc

B. §o di chuyÓn kiÓu ®Üa quang
A. Phương pháp cảm ứng
Sö dông m¸y ph¸t tèc: mét chiÒu vµ xoay chiÒu

Ψt = Ψmax sin ωt
Søc ®iÖn ®éng c¶m øng: E= KφWn
dΨt
Søc ®iÖn ®éng c¶m øng e= e = Ψmax ω cos ωt = E m cos ωt
dt

59 60
Ví dụ: Encorder Tổng quan về phương pháp đo

Φ - Photo®ièt
TX - T¹o xung
K§T- Kho¸ ®iÖn tö
§X- §Õm xung
CT- ChØ thÞ
§k - ®iÒu khiÓn

Φ TX K§T §X CT

61 §K 62

Chiều quay 2.3. Cảm biến quang

• Photo diot (tế bào quang điện)

• Quang trở (quang điện trở)

63 64
 Tế bào quang điện M¹ch t−¬ng d−¬ng cña photodiot (a) vµ ®Æc
tuyÕn V«n-Ampe (B)

• Iφ = f(φ).
• Iφ: dòng quang điện phát ra từ phôtô diốt.
• φ: Quang thông tế bào quang điện.

65 66

Mạch đo thông thường Quang điện trở

• Cũng như ở photo diot quang điện trở là điện trở thay đổi
theo quang thông ánh sáng chiếu lên quang trở Rφ:
Rφ = f(φ).

67 68
 Vật liệu chế tạo cảm biến Mạch đo- Sử dụng chuyển đổi dòng thành áp
• C¶m biÕn quang th−êng ®−îc chÕ t¹o b»ng c¸c b¸n dÉn ®a
tinh thÓ ®ång nhÊt hoÆc ®¬n tinh thÓ, b¸n dÉn riªng hoÆc
b¸n dÉn pha t¹p, thÝ dô:
- §a tinh thÓ: CdS, CdSe, CdTe
– PbS, PbSe, PbTe
- §¬n tinh thÓ: Ge, Si tinh khiÕt hoÆc pha t¹p Au,Cu,Sb,In
– SbIn,AsIn, Pin, CdHgTe

Vïng phæ lµm viÖc cña mét sè vËt 69liÖu quang dÉn 70

Hiệu ứng Hall

C. C¶m biÕn Hall ®o di chuyÓn

• Sức điện động Hall được tính

Di chuyÓn gãc
• Cường độ điện trường H

– Trong đó : N – số điện tử tự do;

Di chuyÓn th¼ng
• Cường độ ánh sáng c

71 72
Mạch tương đương của cảm biến Hall Ví dụ: Một số đặc tính của cảm biến Hall

73 74

Ví dụ: đo vận tốc góc bằng vi hệ thống

75 76
D. Đo di chuyển bằng phương pháp cảm ứng Ví dụ về

Mq=KI.B.IC

E cu K 2 Bω K 1K 2 B 2
Ic = = Mq = ω
R R R

α=K.ω hay α=Kn. Tèc ®é kÕ mÉu c¶m biÕn

1- §Üa nh«m; 2- kim chØ; 4- lß xo
ph¶n kh¸ng

77 78

Ví dụ: vận tốc góc bằng vi hệ thống (điện dung) 2.5. Phương pháp và cảm biến đo gia tốc

• Cảm biến áp điện

• Cảm biến điện dung

79 80
Đặc tính động học và các đặc tính của các gia tốc kế B. C¶m biÕn ¸p ®iÖn

Dùa trªn hiÖu øng ¸p ®iÖn.

VËt liÖu dïng chÕ t¹o c¸c chuyÓn ®æi ¸p ®iÖn th−êng
lµ tinh thÓ th¹ch anh (SiO2), titanatbari (BaTiO3), muèi
XenhÐt, tuamalin ...,, ngay nay ng−êi ta cßn t×m ra c¸c vËt
liÖu polymer nh− PZT,PVDF, ..

Lùc FX g©y ra hiÖu øng ¸p ®iÖn däc víi ®iÖn tÝch q=d1Fx

NÕu t¸c ®éng mét lùc theo

Phương trình mỗi một chuyển động trôc Y, g©y ra hiÖu øng ¸p ®iÖn
(a) Gia tốc thẳng ngang víi ®iÖn tÝch q, phô thuéc
vµo kÝch th−íc h×nh häc cña
(b) Gia tốc góc chuyÓn ®æi: q= -d1(y/x)Fy.
d1 - h»ng sè ¸p ®iÖn ( gäi lµ m«dun ¸p
(c) Gia tốc cong ®iÖn)
81 y, x - kÝch
82 th−íc cña chuyÓn ®æi theo
trôc X vµ Y

Ví dụ : hiệu ứng áp điện trên một tinh thể thạch anh

B. C¶m biÕn ¸p ®iÖn (2)

Mạch tương đương

Tụ điện !!!

83 84
 Tần số dao động riêng của tinh thể áp điện Một số thuộc tính của vật liệu áp điện

• l- chiều dày của tấm tinh thể

• C- hệ số của tinh thể
• Như vậy tần số dao động thay đổi trong khoảng

85 86

87 88
 B. Gia tèc kÕ kiÓu ¸p ®iÖn
§iÖn tÝch sinh ra trong chuyÓn ®æi ¸p ®iÖn q=d1F

q g©y ra ®iÖn ¸p trªn ®iÖn cùc cña chuyÓn ®æi ¸p ®iÖn

d1M
q=CU U= γ
C

Gia tèc kÕ kiÓu ¸p ®iÖn

1- Th©n c¶m biÕn; 2- Ren
b¾t vµo ®èi t−îng; 3-
ChuyÓn ®æi ¸p ®iÖn ; 4-
Khèi qu¸n tÝnh; 5- ®Çu d©y
ra; 6- c¸p ®ång trôc
89 90

C. §o gia tèc kiÓu ®iÖn dung

91 92
Đo gia tốc bằng điện dung

93 94

2.6.Đo mômen xoắn- công suất

• Công thức tính công suất của một vật chuyển động
– N=M.ω
• Trong đó: M- mômen xoắn (N.m); ω- vận tốc góc

95 96
 Phương pháp đo góc lệch của 2 cuộn dây cảm ứng

Giản đồ bố trí các thiết bị được dùng để đo

mômen và công suất

97 98

2.7. Các loại cảm biến tiệm cận Cảm biến tiệm cận từ

• Từ tính • Công tắc từ

• Cảm ứng
• Siêu âm
• Vi sóng
• Quang • Có thể dùng cảm biến Hall
• Điện dung

99 100
 Dùng cảm biến Hall Cảm biến tiệm cận cảm ứng

• Sơ đồ khối của cảm biến tiệm cận kiểu ECKO

101 102

Cảm biến tiệm cận điện dung Sơ đồ mạch đo

• Tương tự cảm biến điện cảm- Con phát hiện được cảm
biến điện môi.

103 104
 Cảm biến tiệm cận kiểu siêu âm

A capacitive probe with a guard ring: (A) cross-sectional view; (B) outside
view.
(Courtesy of ADE Technologies, Inc., Newton, MA.)

105 106

Cảm biến tiệm cận kiểu vi sóng Cảm biến tiệm cận quang

107 108
 C¶m biÕn c¸p sîi quang

109 110

Ví dụ đo vị trí Đo độ nghiêng

111 112
 Đo độ rung Chương 3. Đo lực và biến dạng, vận tốc dòng chảy

• Cảm biến điện trở lực căng

• Cảm biến áp điện
• Cảm biến áp từ
• Điện dung

113 114

A, C¶m biÕn ®Þªn trë lùc c¨ng

A, C¶m biÕn ®Þªn trë lùc c¨ng
Ta cã ∆R ∆l
= f( )

Nguyªn lý lµm viÖc : hiÖu øng tenzo (piezoresistive/ strain R l
gauge), −hay εR = εl

C¶m biÕn lo¹i nµy cã 3 th«ng sè chÝnh MÆt kh¸c ta cã ∆R ∆ρ ∆l ∆S
= + −
 KÝch th−íc cña ®Õ R ρ l S
 Gi¸ trÞ ®iÖn trë Rcb
 Dßng ®Þªn tèi ®a cho phÐp εR= ερ + εl - εS
a) ®iÖn trë lùc Trong c¬ häc ta cã εS =-2KPεl ; Kp hÖ sè Poisson
c¨ng l¸ máng;
b) ®iÖn trë lùc εR = εl (1+ 2Kp + m) = Kεl
c¨ng kiÓu mµng
máng Đé nh¹y cña chuyÓn ®æi: K = εR/εl = 1+ 2Kp + m

115 116
 Bảng giá của cảm biến

117 118

Ví dụ Ví dụ một số thông số của cảm biến áp điện

Piezoelectric films are as follows 8:
• Wide frequency range: 0.001 Hz to 109 Hz
• Vast dynamic range: 10−8–106 psi or µtorr to Mbar.
• Low acoustic impedance: close match to water, human tissue, and
adhesive systems
• High elastic compliance
• High voltage output: 10 times higher than piezo ceramics for the same
force input
• High dielectric strength: withstanding strong fields (75 V/µm), where
most piezo ceramics depolarize
• High mechanical strength and impact resistance: 109–1010 P modulus.
• High stability: resisting moisture (<0.02% moisture absorption), most
chemicals,oxidants, and intense ultraviolet and nuclear radiation
• Can be fabricated into many shapes
• Can be glued with commercial adhesives

119 120
 Giải thích về điện trở âm học Ví dụ một thông số tương đương của microphone

121 122

Cảm biến điện dung để đo áp suất Cảm biến tụ điện để đo áp suất

123 124
 Chương 4. Các cảm biến đo nhiệt độ 4.1. NhiÖt kÕ nhiÖt ®Þªn trë
NhiÖt ®iÖn trë lµ lµ ®iÖn trë thay ®æi theo sù ®æi nhiÖt ®é cña nã: RT = f(t0),

Cảm biến nhiệt điện trở ®o RT cã thÓ suy ra nhiÖt ®é.

Cảm biến cặp nhiệt ngẫu NhiÖt ®iÖn trë ®−îc chia ra thµnh:

Cảm biến dựa trên lớp chuyển tiếp bán dẫn
NhiÖt ®iÖn trë kim lo¹i vµ nhiÖt ®iÖn trë b¸n dÉn.

Cảm biến dựa trên bức xạ quang học
§iÖn trë kim lo¹i ( RTD) theo nhiÖt ®é RT =R0(1+ αt + βt2 + γt3)
Víi Pt: α = 3.940. 10-3 /0C
β = -5.8 10-7/ oC2 ;γ ≈ 0 trong kho¶ng 0-6000C; γ = -4 10-12 /0C3
§«Ý víi ®ång tõ -500C ®Õn 2000C: α = 4.27 10-3/0C
β vµ γ trong ph¹m vi sö dông v¬Ý ®é chÝnh x¸c kh«ng cao th× coi nh− kh«ng ®¸ng
kÓ vµ quan hÖ RT vµ t coi nh− tuyÕn tÝnh.

125 126

A, NhiÖt ®iÖn trë kim lo¹i Hệ số nhiệt độ của một số kim loại
Cu Ni Pt W

Tf, 0C 1083 1453 1769 3380

C, J0C—1kg-1 400 450 135 125

λt, W0C-1m-1 400 90 73 120

αl, 0C-1 16,7.10-6 12,8.10-6 8,9.10-6 6.10-6

ρ, Ωm 1,72.10-8 10.10-8 10,6.10-8 5,52.10-8

§iÖn trë chuÈn ho¸ R0=100 Ω t¹i 00C

127 128
 NhiÖt ®iÖn trë kim lo¹i B, NhiÖt ®iÖn trë b¸n dÉn (NTC-PTC)
§Ó ®o nh÷ng nhiÖt ®é tõ -500C -6000C ng−êi ta th−êng dïng nhiÖt ®iÖn trë
PT-100 (Platin 100Ω ë 00C NhiÖt ®iÖn trë b¸n dÉn RT = Ae β /T
Cu -100 (®ång 100 Ω ë 00C)
Ni-100 (Ni 100 Ω ë 00C) A vµ β ®Òu kh«ng æn ®Þnh. Ta còng cã thÓ tÝnh
Quan
-200 hÖ gi÷a
-190 nhiÖt ®é vµ ®iÖn
-170 trë cña
-160 Pt100
nhiÖt
®é, 0C
-180 -150 -140 -130 -120 -100 nhiÖt
®é, 0C
α= (-2.5% +-4%)/ 0C
Ω 17.28 21.65 25.98 39.29 34.56 38.80 43.02 47.21 51.38 55.52 Ω
Thông thường được chế tạo từ các oxit bán dẫn đa tinh
0
C -100 -90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0
C thể: MgO, MgAl2O4, Mn2O3, Fe3O4, Co2O3, NiO, ZntiO4
Ω 59.65 63.75 67.84 71.91 75.96 80.00 84.03 88.04 92.04 96.03 Ω
Các bột oxit được trộn theo một tỉ
0 0
C 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 C
lệ thích hợp, sau đó được nén với định
Ω 100.0 103.9 107.9 108.5 115.7 119.7 123.1 127.4 131.3 135.2 Ω
0 6 1 8 0 0 9 7 4
dạng và thiêu kết ở nhiệt độ 10000C
129 130

NhiÖt ®iÖn trë b¸n dÉn

NhiÖt ®iÖn trë b¸n dÉn

Mét sè nhiÖt ®Þªn trë b¸n dÉn

a) KMT vµ MMT b) MKMT c) Quan hÖ gi÷a RT(0t)
131 132
1.NhiÖt ®iÖn trë ®ång 2. NhiÖt ®iÖn trë b¸n dÉn
 C, CÊu t¹o
Đầu bịt

Đầu dây Nút đậy

bên trong
tấm chặn
Giá đỡ

mối hàn
Ống cách
nhiệt ống bảo vệ

Phần tử
điện trở

Mối hàn

Cấu tạo bên ngoài Cấu tạo bên trong

133 134

D, Mạch đo- phương pháp nguồn dòng

R2 R
U R = U Rt = I .Rt 2
R1 R1

135 136
 Mạch tạo nguồn dòng Phương pháp sử dụng nguồn áp

Bï ®iÖn trë d©y

Iref = Vref/R1.
 Rt R4 
UR = E  − 
 Rt + R2 R3 + R4 
137 138

Ví dụ S¬ ®å bé biÕn ®æi nhiÖt ®iÖn trë 4.2. CÆp nhiÖt ngÉu

 Nguån dßng 2.5mA t¹o ra mét sù biÕn thiªn ®iÖn
¸p trªn ®iÖn trë lµ 100mV/1000C.
RT = R0 (1+αt); α = 0.385% / 0C
 NÕu RT ®−îc cung cÊp b»ng nguån dßng 2.58 mA
th× khi nhiÖt ®é biÕn thiªn 1000C
∆U = ∆RT . I. = 0.385 x1000Cx 2.58 =100mV
 §iÖn ¸p r¬i trªn RT ®−îc ®−a vµo khuÕch ®¹i bï
®iÖn ¸p ë 00C vµ biÕn ®æi ¸p thµnh dßng (4-20mA) ®Ó
®−a vµo hÖ thèng thu thËp sè ®o.
1- NhiÖt ®iÖn trë 2- Modul vµo
3- Dßng cung cÊp (h»ng)
4- §iÖn ¸p mét chiÒu khuÕch ®¹i
5- Modul ra 6- §iÒu chØnh ®iÖn ¸p
Nguyªn lý : HiÖu øng Seebeck
Dùa trªn hiÖn t−îng nhiÖt ®iÖn. NÕu hai
d©y dÉn kh¸c nhau (h×nh vÏ) nèi víi nhau
t¹i hai ®iÓm vµ mét trong hai ®iÓm ®ã ®−îc
®èt nãng th× trong m¹ch sÏ xuÊt hiÖn mét
dßng ®iÖn g©y bëi søc ®iÖn ®éng gäi lµ søc
®iÖn ®éng nhiÖt ®iÖn, ®−îc cho bëi c«ng
thøc
ET = KT (tn - ttd)
Trong ®ã: KT - hÖ sè hiÖu øng nhiÖt ®iÖn
t2
tn - nhiÖt ®é ®Çu nãng
ttd - nhiÖt ®é ®Çu tù do a
b

M¹ch chuÈn ho¸

t1
t1
139 140
 141 142

Một số hiệu ứng nhiệt điện khác

• Hiệu ứng Peltier: Hiệu điện thế tiếp xúc của giữa hai
dây dẫn khác nhau về bản chất
VM-VN = PTA/B

• Hiệu ứng Thomson: trong một vật dẫn đồng nhất, giữa
hai điểm có nhiệt độ khác nhau sinh ra một suất điện
động
TN

E TM TN
A = ∫ hA dT
TM

143 144
 C¸c kiÓu cÆp nhiÖt ngÉu C¸c kiÓu cÆp nhiÖt ngÉu
Ký hiÖu Ký hiÖu hinh VËt liÖu cÊu thµnh D¹c ®iÓm cÇn l−u t©m
thøc

B - Patin Rhodium 30- D©y d−¬ng nh− lµ hîp kim 70%Pt, 30% Rh.
Platin.Rhomdium 6 D©y ©m lµ hîp kim 94%Pt, 6% Rh. Lo¹i B
bÒn h¬n lo¹i R, giai ®o nhiÖt ®é ®Õn
18000C, con c¸c ®Æc tÝnh kh¸c th× nh− lo¹i
R
R - PtRh 13 - Pt D©y d−¬ng lµ lo¹i hîp kim 87% Pt, 13%
Rh. D©y ©m lµ Pt nguyªn chÊt. CÆp nµy rÊt
chÝnh x¸c, bÒn víi nhiÖt vµ æn ®Þnh. Kh«ng
nªn dïng ë nh÷ng m«i tr−êng cã h¬i kim
lo¹i
S - PtRh10-Pt D©y d−¬ng lµ hîp kim 90% Pt, 10%Rh.
D©y ©m lµ Pt nguyªn chÊt. C¸c ®Æc tÝnh
kh¸c nh− lo¹i R
K CA Cromel-Alumel D©y d−¬ng lµ hîp kim gåm chñ yÕu lµ Nivµ
Cr. D©y ©m lµ hîp kim chñ yÕu lµ Ni. Dïng
réng r·i trong C«ng nghiÖp, bÒn víi m«i
tr−êng oxy ho¸. Kh«ng ®−îc dïng ë m«i
tr−êng cã CO, SO2 hay khÝ S cã H
E CRC Cromel- Constantan D©y d−¬ng n− ®èivíi lo¹i K. D©y ©m nh−
lo¹i J. Cã søc ®Þªn ®éng nhiÖt ®iÖn cao vµ
145 th−êng dïng ë m«i tr−êng acid 146

C, Phương pháp đo nhiệt độ bằng cặp nhiệt ngẫu

• Thống nhất hoá bằng mạch điện áp tích cực

• Bù đầu tự do
• Bù điện trở dây nối

R5  R1 + R3 
U ra = E 1 + 
R4  R2 

147 148
 Bï nhiÖt ®é ®Çu tù ®o 4.3. Đo nhiệt độ bằng Điốt và transitor
• Dựa trên lớp chuyển tiếp bán dẫn
M¹ch bï nhiÖt ®é ®Çu tù do ®−îc thùc hiÖn b»ng 1 m¹ch cÇu 4
nh¸nh trªn Êy cã mét nhiÖt ®iÖn trë, ho¹t ®éng cña nã nh− sau: 00C • Quan hệ của dòng địên theo nhiệt độ
4 nh¸nh cña cÇu c©n b»ng ®iÖn ¸p ë ®−êng chÐo cÇu ∆U=0, khi   qv  
nhiÖt ®é ë trªn ®Çu hép nèi d©y tøc lµ nhiÖt ®é ®Çu tù do thay ®æi: I = I 0  exp  − 1
  kT  

• địên áp ra của điốt có thể viết như sau:

U CC ∆R T U CC
∆U = = αt td kT kT kT
4 RT 4 v = vΦ + LogI − .mLogT − .LogC
q q q
Ta l¹i cã ET = KT (tnãng- ttùdo) = KT tnãng -KTttù do
Thông thường độ nhạy -2,3 mV/0C với
§Ó bï ¶nh h−ëng cña nhiÖt ®é ®Çu tù do ta cã dòng điện khoảng 1uA
U CC 4K T
K T t t − do = αt t − do → U CC =
4 α

149 150

Ví dụ về LM335 NhiÖt ®iÖn trë b¸n dÉn

Nguån ¸p : LM35

M¹ch ®o víi nhiÖt ®iÖn trë b¸n dÉn

151 152
 NhiÖt ®iÖn trë b¸n dÉn
§é nh¹y nhiÖt
cña diode vµ
trans. m¾c theo
kiÓu diode:
S=dV/dT cì
-25mV/0C

M¹ch chuÈn ho¸

k   I  k
V B1 − V B 2 =  T  ln  C 1  avec = 86 ,17 µ V / °
 q   IC 2  q
Gi¶ sö 2 Transistor gièng nhau, cã cïng nhiÖt ®é
r ′′
R1 I C 1 = R2 I C 2 VB 2 = S
r ′′ + R ′′

 R ′′   kT  R1 
Tõ ®ã : S = 1 +  VB1 + ln    S = fct(T) ®−îc c¶i thiÖn
 r ′′   q  R2 
153 154

Mạch đo Ví dụ Bé biÕn ®æi th«ng minh ®o nhiÖt ®é

Siemens

155 156
 •§Çu vµo
• §Çu ra
C¸c dÇu vµo (2)
Bé c¸ch ly vÒ ®iÖn (13)
Hîp kªnh MUX (3) Bé ra víi tÝn hiÖu xung ®iÒu chÕ ®é réng (17) vµ bé biÕn ®æi sè t−¬ng tù
KhuÕch ®¹i (4) §Èu ra ®Ó kiÓm tra ®Ó theo dâi tÝn hiÖu ra (18)
Nguån dßng dïng ®Ó ®o nhiÖt ®é C¶m biÕn phô, r¬le (14)
NhiÖt ®iÖn trë (1) • KiÓm tra vµ hiÖn thÞ
Giao diÖn nèi tiÕp (11) ®Ó hái ®¸p vµ ®Æt c¸c th«ng sè
M¹ch kh¾c ®é (9)
Nót Èn ®Ó kiÓm tra cho nhiÖt ®iÖn trë hay ®Ó kh¾c ®é c¸c c¶m biÕn ®iÖn
Vi ®iÒu khiÓn(10) trë
Bé biÕn ®æi t−¬ng tù sè (5) §Çu b¸o (lµm viÖc vµ cã sù cè)
Läc th«ng thÊp ®Ó lµ b»ng kÕt qu¶ (6) • Nguån cung cÊp 24V mét chiÒu nèi vµo l−íi ®iÖn
Khèi tuyÕn tÝnh ho¸ phôc vô cho c¸c ®Æc tÝnh phi tuyÕn cña c¶m biÕn (7)
Bé ®iÒu chÕ ®é réng xung ®Çu ra (8)

157 158

Chương 5. Xử lý tín hiệu sau cảm biến 5.1. Biến đổi giữa các đại lượng (điện) của tín
hiệu- Biến đổi thống nhất hóa
• Mạch biến đổi chuẩn hóa
• Chỉ thị tương tự
• Lấy mẫu và khôi phục tín hiệu
• Biến đổi tương tự số
• Chỉ thị số
• Gia công kết quả đo lường

159 160
 A. C¸c d¹ng biÕn ®æi chuÈn ho¸ th−êng gÆp Vấn đề của bộ thống nhất hoá

Hoµ hîp t¶i gi÷a c¶m biÕn vµ m¹ch ®o Thích ứng về trở kháng

CÊp nguån cho c¶m biÕn thô ®«ng tuyến tính hoá Thống nhất Signal

TuyÕn tÝnh ho¸ ®Æc tÝnh phi tuyÕn cña c¶m biÕn CCảảm
mbiên
biên Hoá cảm biến
thụ động

TuyÕn tÝnh ho¸ tÝn hiÖu ra cña m¹nh ®o (VD cÇu
Khuếch đại
Wheastone)

KhuyÕch ®¹i tÝn hiÖu ra cña c¶m biÕn

Läc nhiÔu t¸c ®éng lªn tÝn hiÖu ra cña c¶m biÕn

KhuyÕch ®¹i ®o l−êng ®Ó triÖt tiªu hoÆc lµm gi¶m c¸c Thống nhất hoá Signal Chuẩn hoá tín Tín hiệu
nhiÔu t¸c ®éng (®iÖn ¸p ký sinh vµ dßng ®iÖn rß trªn ®−êng CCảảm
mbibiếếnn cảm biến hiệu Đã thống nhất
truyÒn) thụ động hoá

161 162

Ví dụ B. Hoà hợp trở kháng

ChuyÓn ®æi /tÝn hiÖu Thèng nhÊt hãa tÝn hiÖu

Nguồn áp
KhuÕch ®¹i, tuyÕn tÝnh ho¸ R2
CÆp nhiÖt ngÉu VO = Vi .
vµ bï ®Çu tù do R1+R2
R1 R2
Vi 0
Nguån nu«I, cÊu h×nh 4 d©y
NhiÖt ®iÖn trë RTD vµ 3 d©y, tuyÕn tÝnh hãa
Một chuỗi đo có thể coi là một Nguồn Tại đo lường
Nguån ®iÖn ¸p cung cÊp phân áp kiểu mạch lặp lại
C¶m biÕn ®iÖn trë cho cÇu, cÊu h×nh vµ
lùc c¨ng tuyÕn tÝnh ho¸
Nguồn dòng
§Êt chung KhuÕch ®¹i c¸ch ly R1 R2
hoÆc ®Þªn ¸p cao (c¸ch ly quang) ThiÕt bÞ DAQ VO = Vi . R2
R1+R2
Vi
C¸c t¶I yªu cÇu chuyÓn R¬le ®iÖn c¬ hoÆc r¬le
m¹ch xoay chiÒu hoÆc b¸n dÉn
dßng ®iÖn lín

C¸c tÝn hiÖu víi Z1 << Z2 tại đo

Läc th«ng thÊp Nguồn bộ biến đổi
nhiÔu tÇn sè cao lường

163 164
dòng - áp
 Hoà hợp trở kháng 5.2. Chỉ thị tương tự (cơ cấu cơ điện)
Nguồn điện tích

TÝn hiệu vµo lµ dßng ®Þªn

hay ®iÖn ¸p, tÝn hiệu ra lµ gãc
quay cña kim chØ kÌm víi
khuếch đại điện tích thang chia ®é vµ c¸c chØ dÉn
Điện tích được đưa vào một tụ điện không đổi Cr, khi tích luỹ vào tụ tạo ra một điện áp trên gióp cho ng−êi ®äc ®−îc kÕt
cực của tụ điện tỉ lệ với điện tích nạp vào
qu¶

Khuếch đại đo lường

Hình 4-1: Các dạng thang hiển thị

Mạạch
M chvào
vàovivisai
sai tương tự
165 166

Các dạng chỉ thị tương tự Đặc điểm cơ bản của cơ cấu

M«men quay cña c¬ cÊu chØ thÞ tương tự chñ yÕu do lùc
C¸c chi tiÕt c¬ khÝ chung cña ®iÖn tõ: dWe

Chỉ thị từ điện Mq =
phÇn ®éng: dα

Chỉ thị điện từ * Trôc vµ trô

Chỉ thị điện động * Lß xo cản We: n¨ng l−îng ®Þªn tõ tÝch luü trong c¬ cÊu được xác định

Chỉ thị sắt điện động * Kim chØ theo từng dạng cơ cấu
* C¬ cÊu c¶n dÞu α: gãc quay cña phÇn ®éng c¬ cÊu

Chỉ thị cảm ứng

Tèc ®é biÕn ®æi hay thêi gian biÕn ®æi lµ thêi gian tÝnh tõ lóc

….
Tham khảo tài liệu [2] ®Æt tÝn hiÖu vµo chØ thÞ cho ®Õn khi chØ thÞ æn ®Þnh ®Ó ®äc ra kÕt
qu¶. Dụng cô c¬ ®iÖn cần kho¶ng 1-3 gi©y

Cơ cấu gồm 2 phần: phần tĩnh và phần động
 Phần tĩnh: nam châm vĩnh cửu hoặc cuộn dây
§é chÝnh x¸c: ®èi víi chØ thÞ c¬ ®iÖn, sai sè chñ yÕu lµ do
 Phần động: lá thép hoặc cuộn dây quay trong lòng sù biÕn ®æi cña ®é nh¹y S vµ do ng−ìng nh¹y cña chØ thÞ:
phần tĩnh γct= dS/S + εX/Xn
167 168
 Cơ cấu từ điện

• Cấu tạo của cơ cấu từ địên

PhÇn tÜnh: m¹ch tõ khÐp

1: nam ch©m vÜnh cöu, 2: kim chØ thÞ, 3:
m¹ch tõ vµ cùc tõ , 5: khung quay, 6: lâi
s¾t tõ, 7: lß xo c¶n, 8: thang chia ®é 169
kÝn gåm mét nam ch©m vÜnh
cöu, c¸c dÇu cùc lµ mét g«ng
tõ h×nh trô. Cã nhiÒu kiÓu kÕt
cÊu m¹ch tõ nh−ng ®Òu cã
môc ®Ých t¹o ra tõ tr−êng
m¹nh vµ ®Òu ë khe hë kh«ng
khÝ n»m trong m¹ch tõ.

Phần động: mét khung d©y
cã thÓ quay trong tõ tr−êng
cña nam ch©m vÜnh cöu.
170

Nguyên lý làm việc của cơ cấu Một số đặc tính kỹ thuật của cơ cấu từ điện

Khi cho dßng ®Þªn qua cuén d©y, t¸c ®éng t−¬ng hç gi÷a tõ
tr−êng cña nam ch©m vµ dßng ®iÖn lµm khung d©y quay. BSW
α= I = SI .I
Mq = BSWI K
B- Tõ tr−êng cña nam ch©m vÜnh cöu (th−êng 0.2-0.4

Góc quay α tỷ lệ bậc nhất với dòng điện -> thang đo tuyến tính
Tesla)
S: tiÕt diÖn khung quay
Từ trường cơ cấu khá mạnh -> có độ nhạy cao, không chịu ảnh
W: Sè vßng d©y hưởng của từ trường ngoài
I: Dßng ®Þªn qua khung d©y
B cao -> dòng điện định mức nhỏ (25-200µA)

Khi khung d©y quay, lß xo sÏ sinh m«men cản tû lÖ víi gãc
Khung quay thường bằng đồng -> điện trở thay đổi theo nhiệt độ
quay α: Rcc=Rcc0(1+ αt)
MC = Kα đối với đồng α =0,4%/0C

Kim chØ ë vÞ trÝ c©n b»ng khi :Mq = MC BSW
BSW
SI =
α= I = SI .I K
K Đé nh¹y cña c¬
171 cấu 172
Phương trình đặc tính thang đo
 5.3. Phé biến đổi dạng tín hiệ
Phép biế hiệu phép rời rạc hóa bằng tóan tử ∆*(t).
Biểu diễn phé

k =n

Xrr(t) = ∑ X tk δ (t − kT )
k =1

• Phép rời rạc hóa: Một tín hiệu bất kỳ có thể biến thành một dãy các xung hẹp có giá
trị bằng giá trị tức thời tại thời điểm xét
• δ (toán tử Dirac) có thể viết:δ (t+kT) = = 1 ở các thời điểm kT; = 0 Sai số của rời rạc
ở các thời điểm khác hóa được tính tóan
1 +∞ j ( ωt −kT ) d ω
• Đặt ∆*(t) = ∫e
2π −∞
như thế nào??

k =+∞

∑ δ (t − kT ) Xrr(t) = X(t) . ∆*(t).

k =−∞

173 17 174 17
3 4

Sai số rời rạc hóa Trường hợp không tuyế

Trườ tuyến tính

• Giá trị tín hiệu trong thời gian (t = TK, t = TK+1) nằm trong khoảng (XK,
• Trong trường hợp tín hiệu biến thiên bất kỳ
XK+1) lệch nhau
∆X = Xk+1 - Xk, 2γ . X m
• Giá trị trung bình Trr= gm
X + X K +1
Xtb= K – Trr = Chu kỳ rời rạc hoá.
∆X 2( X R +1 − X k ) 2
• Sai số: γrr = =
X tb X R +1 + X k – γ = sai số yêu cầu của phép rời rạc hoá.
γ rr . X K – Xm = giá trị cực đại của tín hiệu
• Chu kỳ rời rạc hóa của tín hiệu tuyến tính được tính T= d 2 X (t )
• V là tốc độ biến thiên của tín hiệu (Slew rate) V – gm = giá trị cực đại của gia tốc tín hiệu: g = dt 2
tại điểm k
X K +1 − X K
V=
T

175 17 176 17
5 6
 Bộ lấy mẫu và ghim giữ S & H
Ví dụ (Sample and Hold).

• Ta muốn rời rạc một tín hiệu hình sin với sai số γ =1%. • Bộ này thực hiện phép lấy mẫu khi có lệnh, sau đó giữ nguyên giá trị cho
đến lần lấy mẫu sau
2.(0, 01). X m
Trr = X m ω 2 sin ωt

• g cực đại lúc sin ωt = 1; gm=Xm.ω2

0, 02
• Thay vào Trr = .Tsin Trr =Tsin/44
(2π )2

• Chu kỳ rời rạc bằng 1/44 chu kỳ của tín hiệu hình sin.
• Kết quả này lớn hơn rất nhiều so với định lý lấy mẫu Shannon
– Nó gồm một tụ điện C và một khoá điện tử K.
– Điện trở khi đóng của khoá điện tử rất nhỏ để cho hằng số thời gian
Giải thích nạp tụ điện rất ngắn. τ = RC rất nhỏ, tụ điện nạp luôn điện áp đầu
nạp
vào tại ngay thời điểm công tắc đóng.
Thực hiện việc lấy mẫu – Sau khi đóng xong công tắc có thể nhả ra, nhưng điện áp trên tụ
như thế nào? 177
điện C vẫn được duy trì tại giá178
trị UK khi đóng mạch, lý do là điện
17
7
trở đầu ra (vào dụng cụ phía sau) rất lớn τphóng = CR' rất lớn. 17
8

phục tín hiệ

5. Khôi phụ hiệu 6. Phé lượng tử hóa
Phép lượ

• Phép lượng tử hóa là quá trình làm tương ứng tín hiệu đo lường thành một
• Sau khi rời rạc hóa kết quả là số liệu tại các thời điểm rời rạc khác
nhau số nguyên những lượng tử của đại lượng mang thông tin của tín hiệu
• Chuyển các tín hiệu rời rạc đó thành tín hiệu liên tục được gọi là phục hồi tín hiệu Xt = Nx∆X0
rời rạc. • Xt là giá trị của tín hiệu đo tại thời điểm đo t.
• NX là số lượng tử của đại lượng tín hiệu.
Môn xử • ∆X0 là lượng tử đại lượng tín hiệu, nghĩa là giá trị bé nhất có nghĩa dùng để đo tín hiệu
lý tín hiệu

• Mô tả bằng phương trình

• Thực hiện kỹ thuật: sử dụng mạch là bằng, phối hợp các R và C nối tiếp, song song
như ở các mạch lọc với các tần số lọc khác nhau. Đơn giản nhất là nối các điểm rời
rạc bằng cách nối chúng bằng các đoạn thẳng. Lượng tử của đại lượng đo (LSB -Lowest Significatif Bit)

179
Xlt(ti) = Ni∆X0.1(t - ti). 180
17 18
9 0
 Lượ
ượng tử nhiễu
Kỹ thuậ
thuật lượ
lượng tử hóa- ADC

20 bậc 4 bậc

Lượng tử nhiễu = sai lệch giữa giá trị • Để có thể giám sát một đại lượng biến thiên phải rời rạc hóa tín hiệu và ghim giữ giá trị của
tương tự thật với tín hiệu đã được số hóa đại lượng trong một khoảng thời gian thích hợp để quá trình lượng tử và mã hoá kịp tiến
Màu đỏ = biên độ hành.
Màu đen = vùng giá trị 181 18 182 18
1 2

A. Bộ biến đổi tương tự số và số tương tự

Môc ®Ých cña chuyÓn ®æi t−¬ng tù /sè vµ sè/t−¬ng tù lµ lµm Gi¸ trÞ ®iÖn ¸p biÕn ®æi V lµ rêi r¹c vµ ®−îc nh©n víi mét
t−¬ng øng mét sè nhÞ ph©n N víi mét ®iÖn ¸p t−¬ng tù V gi¸ trÞ c¬ b¶n gäi lµ b−íc l−îng tö ho¸ q (thùc chÊt lµ gi¸
trÞ ®iÖn ¸p t−¬ng tù c¬ b¶n)
Sè nhÞ ph©n N sÏ ®−îc m« t¶ b»ng sè bit (hoÆc sè) a0 ®Õn Gt: q=2 mV
an-1 (ai=1 hoÆc 0) V = q NthËp ph©n
V= ??? mV
N= an-1 an-2 .. a1 a0 volt volt sè thËp ph©n
a0 bit cã träng sè nhá nhÊt LSB (least significant bit)
an-1 bit cã träng sè lín nhÊt MSB (most significant bit) V= q [an-12n-1+ an-2 2n-2+…. +a121 + a020]
V= 106 mV
Sè thËp ph©n t−¬ng øng:
NthËp ph©n= an-12n-1+ an-2 2n-2+…. +a121 + a020
§Æc tÝnh c¬ b¶n cña c¸c bé biÕn ®æi
VD: số nhị ph©n 8 bit: 00110101 t−¬ng øng víi gi¸ trÞ thËp t−¬ng tù/sè vµ sè/t−¬ng tù
ph©n:
Sè bits: n
NthËp ph©n= 0.27+ 0 26+ 1.25+ 1.24 +0.23 +1.22 +0.21 + 1.20 =
Gi¸ trÞ ®iÖn ¸p t−¬ng tù c¬ b¶n: q
53 183 184
 1. C¸c bé chuyÓn ®æi sè - t−¬ng tù D/A

 C¸c bé biÕn ®æi D/A lµm nhiÖm vô biÕn ®æi mét tÝn hiÖu sè
biÓu diÔn theo mét m· x¸c ®Þnh thµnh mét tÝn hiÖu t−¬ng tù. VÝ
dô chuyÓn ®æi tõ m· nhÞ ph©n sang mét ®iÖn ¸p t−¬ng tù theo
quan hÖ:

Vs = q ( a n −1 2 n −1 + ... + a 1 21 + a 0 2 0 )

Vs max = ( 2 N − 1) q
TÝn hiÖu ra t−¬ng tù cã thÓ nhËn 2N gi¸ trÞ kh¸c nhau
Thùc tÕ th−êng sö dông c¸c bé D/A cã cÊu tróc song song :
- D/A ®iÖn trë träng l−îng
Vs = i.q víi 0 ≤ i ≤ 2 N - 1 , i nguyª n - D/A l−íi ®iÖn trë R-2R

185 186

D/A ®iÖn trë träng l−îng 2. §Æc tÝnh c¬ b¶n cña c¸c bé chuyÓn ®æi D/A

Vs V V V Sè bÝt n
= −[ ref a n −1 + ... + n −ref a1 + n −ref a0
R R 2 R 2
2 1R B−íc l−îng tö q
Vs = − Vref [a n −1 + ... +
a1
+
a0
]
Gi¸ trÞ cùc ®¹i cña tÝn hiÖu ra Vsmax
n −2
2 2n −1 §é ph©n gi¶i
1
Vs = −
Vref
[a n −1 2n −1 + ... + a1 21 + a 0 20 ] Thêi gian biÕn ®æi:r =lµ2thêi
N
− 1gian ®iÖn ¸p ra t¨ng tõ 0 tíi
2n −1 gi¸ trÞ ®Çy thang

q=−
Vref Gi¸ trÞ ®iÖn ¸p ra [0- Vsmax] hoÆc [- Vsmax-Vsmax]
D/A 4 bits n −1
2 Gi¸ trÞ ®iÖn ¸p vµo theo chuÈn TTL hoÆc CMOS
a 2 a1 a 0
Vs = −Vref [a 3 + + + ]
2 4 8
187 188
3. Một sè sai số của bé chuyÓn ®æi D/A

Sai sè khuÕch ®¹i (sai sè hÖ sè thang ®o)

Sai sè offset: Vra ≠0 khi Vvµo=0 Sai sè K§ th−êng g©y ra
do ¶nh h−ëng cña nhiÖt
®é. Sai sè khuÕch ®¹i
th−êng tû lÖ thuËn víi
®iÖn ¸p ra so víi ®iÖn ¸p
lý thuyÕt

Ph¶i th−êng xuyªn kiÓm

tra ®Æc tÝnh cña D/A

Sù thay ®æi t−¬ng ®èi

cña gãc cña ®−êng
chuyÓn ®æi theo hµm
cña nhiÖt ®é

189 190

4. C¸c bé chuyÓn ®æi t−¬ng tù - sè A/D

Sai sè phi tuyÕn

 C¸c bé biÕn ®æi ADC lµm nhiÖm vô biÕn ®æi mét tÝn hiÖu
t−¬ng tù thµnh mét tÝn hiÖu sè biÓu diÔn theo mét m· x¸c ®Þnh.
VÝ dô chuyÓn ®æi tõ mét ®iÖn ¸p t−¬ng tù sang m· nhÞ ph©n
theo quan hÖ:

Ve = q ( a n −1 2 n −1 + ... + a 1 21 + a 0 2 0 )

NÕu gi÷ gi¸ trÞ ®iÖn ¸p vµo cùc ®¹i vµ sè bÝt N cña bé
chuyÓn ®æi kh«ng thay ®æi, cã thÓ tÝnh ®−îc b−íc l−îng tö q:
q = Ve max /( 2 N −1 )
VÒ mÆt lý thuyÕt, hµm truyÒn ®¹t cña bé chuyÓn ®æi sÏ
biÓu diÔn quan hÖ gi÷a gi¸ trÞ ra b»ng sè N vµ tÝn hiÖu vµo
t−¬ng tù Ve d¹ng quan hÖ bËc thang

191 192
 Chuyển đổi tương tự số ADC

Tín hiệu Số N
tương tự
(Áp) ADC Mã
Nq-1/2q≤Ve≤Nq+1/2q

• Ví dụ
Sè nhÞ ph©n N sÏ ®−îc m« t¶ b»ng sè bit (hoÆc sè) a0 ®Õn
an-1 (ai=1 hoÆc 0)
N= an-1 an-2 …. a1 a0

Sè thËp ph©n t−¬ng øng:

NthËp ph©n= an-12n-1+ an-2 2n-2+…. +a121 + a020

193 194

Nguyên lý kỹ thuật của các chuyển đổi

A/D tÝch hîp 1 s−ên xung theo nguyªn lý biÕn ®æi ®iÖn ¸p
 thêi gian
22
khả năng phân ly (bits)

20
18 S
SIIG
GMMA
16 D
DEELLTT A
A
A
14
Đ
ĐẾẾM
12 MXXU
UNNG
G
10
X
XẤẤP
8
PXXỈỈ D
DẦẦN FFLLA
AS
N SH
H
6

10-4 10-3 10-2 10-1 1 101 102 103

RC Víi bé A/D 8 bÝt, ®ång hå nhÞp
Tốc độ lấy mẫu (Triệu mẫu trên một giây) t1 − t 0 = VRC
e( ) = Nδ 1Mhz, thêi gian biÕn ®æi lµ bao
N = Ve ( Vref
)
Vref δ nhiªu ???☺☺
☺☺
195 196
 • A/D 8 bits  255 xung A/D sö dông D/A
• §ång hå 1 Mhz  thêi gian chuyÓn ®æi 255 µs E+
-
EX C Registre Clock
+
E-
gi¸ trÞ sè
S MS LSB
B D/A Eref

ThuËt to¸n ra mÉu/so s¸nh

Ve>VDA Vcomp=1
Ve<VDA Vcomp=0

197 198

Bộ chuyển đổi ADC theo nguyên lý xấp xỉ

5. Một số ví dụ về các loại ADC
liên tiếp
• Loại kiểu mã hoá song song:
E+ – AD 7821:
-
EX C Registre Clock – 8 bit
B−íc 1: EX so cíi Eref/2 + – thời gian chuyển đổi: 660ns
EX > Eref/2 -> B1 =1; E-
– Tốc độ lấy mẫu: 1MHz Xem thêm tài liệu
gi¸ trÞ sè – Có dấu tham khảo
S MSB LSB
• Loại xấp xỉ liên tiếp
B−íc 2: EX so víi B1.(Eref/2) + Eref/4 Eref
D/A – AD571
EX < B1.(Eref/2) + Eref/4 -> B2=0 – 12 bit
Eref
– thời gian chuyển đổi: 10µs
B−íc 3: 3/4Eref
EX
– Điện áp định mức: 5V
EX so víi B1.(Eref/2) + B2(Eref/4 )+Eref/8 – Họ ADC: 0800; 0804; 0808; 0816, ..
1/2Eref
EX > B1.(Eref/2) + B2(Eref/4 )+Eref/8
• Loại đếm xung
1/4Eref – Họ chuyển đổi mã BCD: ICL 7106; 7107; MC 14 433 (motorola)
ta cã B3 =1 1/8Eref
1 2 3 t – Họ chuyển đổi mã nhị phân: ICL 7109
• Loại Delta-Sigma
199 – AD 7721; 7726 200
 Ví dụ 5.4. Các loại hiện thị số

• ADC 8 bit có điện áp đầu vào là 5V

• Đèn LED ( Litgh Emiter Diod)
• Tính giá trị của N khi địên áp vào là 4V, biểu diễn con số • Đèn LCD
này dưới dạng mã nhị phân • Đèn phóng điện và Plasma
• Ngược lại tính điện áp đầu vào khi nhận được giá trị
N=250

201 202

Đèn LED (Light- emitting Diod) Đèn LED

• Nguyên lý dựa trên hiện tượng phát quang của lớp chuyển
tiếp pn
– Khi dòng điện chạy qua, điện tử tự do chuyển từ mức năng lượng
này sang mức năng lượng khác. Khi chuyển về từ mức năng
lượng cao xuống mức năng lượng thấp , phát ra ánh sáng phụ
thuộc vào hiệu năng giữa các mức năng lượng
– Ví dụ
• GaAS ( Galium arsenide) mức năng lượng 1.37eV ánh sáng Đỏ
• GaP( galium Phosphoride) mức năng lượng 2.25eV xanh lá cây
• Dòng cung cấp cho đèn thường 20mA
• Loại đèn tổ chức 7 thanh: Loại cathod chung và Anod
chung

203 204
 Đèn LED 7 thanh Ví dụ đặc tính kỹ thuật của một đèn LED

• Cấu tạo Đặc tính kỹ thuật của đèn FND 357/376 –anod chung
• VD: Ký hiÖu ĐÆc tÝnh kü thuËt MIN TYP MAX Ьn vÞ Tr¹ng th¸i thö
nghiÖm

VF ®iÖn ¸p thuËn 1.7 2.0 V IF =20mA

BVR ĐiÖn ¸p dËp t¾t ng−îc 3.0 12 V IR =1.0mA

I0 c−êng ®é ¸nh s¸ng theo trôc

Mçi mét thanh
FND350,357 240 450 µcd IF =20mA
FND360, 367 590 900
∆I0 c−êng ®é ¸nh s¸ng theo chiÒu däc, thanh
®Õn thanh (theo chó thÝch3) ±33 % IF =20mA
c−êng ®é ¸nh s¸ng däc mét thanh ±20 % IF= 20mA cho
mäi thanh cïng
mét lóc
L0 Đé räi cña c¸c thanh
FND350, 357 26 ftL IF =20mA
FND360, 367 52

θ1/2 Gãc nh×n ±27 ®é

λpk B−íc sãng c−êng ®é s¸ng cùc ®¹i 665 nm IF =20mA

205 206

Đèn LCD ( Liquid Crystal Dipslay)

• Nguyên lý; Dựa vào hiện tượng ánh sáng truyền trong môi
trường( dạng vật liệu hữu cơ - dạng tinh thể lỏng). Các
phần tử của tinh thể lỏng có dạng hình trụ cho phép ánh
sáng truyền qua dọc theo phần tử (theo một hướng xác
định) E

E=0 E>Ec E>>Ec

• Sử dụng điện áp xoay chiều 25Hz đến 1kHz

207 208
 5.6.Gia công số liệu đo Gia công số liệu đo – Các bước tiến hành

• Sai số hệ thống và sai số ngẫu nhiên • Chỉnh lý lại số liệu:

• Lý thuyết về sai số ngẫu nhiên
• Tính toán sai số ngẫu nhiên bằng thực nghiệm
• Sai số của thiết bị từ các khâu tổ hợp
• Tính toán độ không đảm bảo đo (ĐLVN 131-2004)
– Độ không đảm bảo loại A:
– Độ không đảm bảo loại B:
• kiểm tra tính hợp lý của nó, phát hiện ra các sai sót gây nên bởi các bất
hợp lý trong quá trình thu thập.
• Tính toán ra kết quả:
• Đối với các thiết bị đo gián tiếp hay hợp bộ
• Bù các yếu tố ảnh hưởng:
• Cách tính toán ảnh hưởng của yếu tố ảnh hưởng được xét như cách tính
các sai số trong thiết kế các thiết bị.

Trªn c¬ së những kÕt qua ®o l−êng b»ng những dông cô cô thÓ , x¸c
• Tính toán sai số
®Þnh gi¸ trÞ ®óng cña kÕt qua ®o vµ sai sè cña phÐp ®o. KÕt qua ®ã sÏ • Kiểm tra, khắc độ
®−îc viÕt:
X®=X ± ∆X • Chỉnh định thiết bị
Dông cô ®o nµo còng cã sai sè vµ nguyªn nh©n sai sè rÊt kh¸c nhau, vi • Khắc độ hệ đo hay băng thử nghiệm
vËy c¸ch x¸c ®Þnh sai sè phai tuú theo thiÕt bÞ ®o mµ x¸c ®Þnh
209 210

Kiểm tra, khắc độ Chỉnh định thiết bị

• Đặt mẫu có giá trị định mức vào đầu vào các TBĐ có trong
• Phương pháp chỉnh định, khắc độ được tiến hành như sau: băng thử nghiệm.
• Tạo ra các mẫu ở những nơi cần thiết để đánh giá được M1 → NM1.
M2 → NM2.
thiết bị. Độ chính xác và tính ổn định của các mẫu phải ....
đảm bảo sai số của các phép đo đồng thời phải gọn nhẹ
• Thực hiện các phép tính F(NM1, NM2, ...) = NZ.
để có thể sử dụng trên hiện trường.
• Trong mô hình lý thuyết ta có F (M1, M=...) =Z. Sau phép
• Mẫu này có thể có trên thị trường, nhưng cũng có thể phải
chỉnh định ta phải có:
tự tạo do các nhân viên kiểm định tự thiết kế và lắp đặt. NZ
=Z
KZ
• Muốn được vậy, ta phải chỉnh các thông số của KZ thế nào để
cho kết quả chỉnh định bằng giá trị Z tính theo lý thuyết.
– Việc chỉnh định này là cần thiết nhưng không phải có thể thực hiện dễ
dàng như chỉnh định thiết bị đo.
211 212
 Tính toán sai số ngẫu nhiên (đánh giá độ
Độ không đảm bảo đo
không đảm bảo loại A)
• Thông số gắn với kết quả của phép đo, đặc trưng cho sự phân tán của Ng−êi ta còng l¹i chøng minh r»ng víi những ph©n bè x¸c suÊt kh¸c
các giá trị có thể quy cho đại lượng đo một cách hợp lý. nhau, sai sè ngÉu nhiªn cña thiÕt bÞ ®o ®−îc tÝnh theo c«ng thøc
• Độ không đảm bảo đo có thể phân thành hai thành phần: ∆=k σ
– Đánh giá ước lượng bằng phân bố thống kê đặc trưng bằng độ lệch k phô thuéc vµo ph©n bè x¸c suÊt cña sai sè ngÉu nhiªn cña
chuẩn thực nghiệm.( loại A) lo¹i dông cô ®o ®ù¬c xÐt.
– Được ước lượng từ các phân bố xác suất mô phỏng trên cơ sở thực
nghiệm hoặc các thông tin khác.(loại B) Đé lÖch qu©n ph−¬ng trë thµnh -−íc l−îng ®é lÖch binh qu©n
ph−¬ng
• Độ không đảm bảo tổng hợp(các phép đánh giá độc lập) n
sX = ∑ (X − X ) 2
/ n(n −1)
uc = u +u 2 2 i
1
A B
• Độ không đảm bảo đo mở rộng Sai sè ngÉu nhiªn ®−îc tÝnh theo c«ng thøc: ∆ = tst sX
U=k.uc tst lµ hÖ sè student; tst= f (n,p)
Hệ số phủ k ( lấy theo phân bố student)
! Chú ý:Loại trừ sai số thô theo nguyên tắc 3σ

213 214

Hệ số student theo số lần thực nghiệm và xác suất đáng tin cho trước
Phân bố Student

HÖ sè ph©n bè student theo c¸c gi¸

n trÞ x¸c suÊt P
0.5 0.9 0.95 0.98 0.99 0.999

2 1.0 6.3 12. 31. 63. 63

00 1 7 8 7 7
3 0.8 2.9 4.3 6.9 9.9 31.
16 2 0 6 2 6
4 0.7 2.3 2.3 4.5 5.8 13.
65 5 5 4 4 0
5 0.7 2.1 2.7 3.7 4.6 8.6
41 3 8 5 0 1

(n / 2)! 1
S(t; n) = n sè lÇn ®o
( )
π(n − 1)[(n − 1) / 2]! 1 + t 2 / n n / 2 - ph©n bè student
215 216
 Chương 6. Cảm biến thông minh

• Khái niệm về cảm biến thông minh

• Cấu trúc của một bộ cảm biến thông minh
• Các thuật xử lý của cảm biến
– Tự động khắc độ
– Tuyến tính hóa đặc tính làm việc
– Gia công kết quả đo
– Bù sai số
– Ví dụ về cảm biến thông minh

217 218

6.1. Cảm biến thông minh 6.2. Kiến trúc của một cảm biến thông minh

• Các thiết bị thực hiện một số chức năng xử lý một cách

linh hoạt theo một thuật toán với một ý đồ nhất định của
người thiết kế
• Vai trò của µP :
– Thu thập số liệu
– Lưu giữ các quá trình chuẩn độ, các thông số
– Tuyến tính hoá, tính toán nội suy
– Điều hành việc đo

219 220
 221 222

Hệ thống mạng cảm biến thông minh-Smart

sensors (1)
• Sensor + giao diện điện tử trên một chip
Smart sensors (2)
• Thách thức:
– Cảm biến trên IC phù hợp với quá trình
– Sai số của giao diện điện tử

• Khả năng:
– Xử lý (nhạy) những tín hiệu cảm biến nhỏ
• Chuẩn hoá đầu ra phù hợp với – Đọc mới mà không bị ảnh hưởng bởi tính chất hình học
– Tự kiểm tra và tự chuẩn độ
xử lý tín hiệu số
• Kết nối với giao diện bus

223 224
 Ví dụ của smart sensors A. HiÖu chØnh lçi

VD: R= X- Xd
smart magnetic
R KÕt qu¶ khi ®· gia
field sensor c«ng
smart X- kÕt qu¶ ®o ®−îc
wind Xd- thÓ hiÖn tinh céng
sensor tÝnh
VD: Sensor nhiÖt ®é AD 590 (Analog
smart Devices) dßng ®iÖn ra tØ lÖ 1µA/K, ®iiÖn
thÕ ra VT ®−a ra nh− h×nh vÏ
temperature
sensor ë nhiÖt ®é 250C (298.2K) , co
dßng b×nh th−êng 298.2µA . R¬i
trªn ®iÖn trë R=1000Ω, nã ®−a ra
nhiÖt ®é tuyÖt ®èi: T(K) =1000 x
(1 µA). TÝnh ra nhiÖt ®é C
225 T(0C) =T(K)-273,2 226

C. Tính toán bậc biểu thức

B. Nh©n víi mét h»ng sè

Mét m¹ch cÇu ®o biÕn d¹ng,

§Þªn thÕ ra X ®−îc tÝnh nh− sau:
∆R
X = ES
∆R R
sai lÖch ®iÖn trë trªn c¶m biÕn
R
Gi¶ sö r»ng Es = 1 V, σ theo luËt Hook e
®−îc tÝnh
E ∆R E
σ= = X
K R K
C¶m biÕn ®o nhiÖt ®é b»ng nhiÖt ®iÖn trë Nikel: Trong
E lµ modul ®µn håi cña kim lo¹i, K hÖ sè co
kho¶ng -600C< T< +700C, ®iÖn trë thay ®æi theo nhiÖt
gi·n ®é theo c«ng thøc:
200000
Th«ng th−êng ®èi víi mét sè thÐp th× σ= X = 100000 X R(T) = R0(1+AT+BT2)
2
E=200 000N/mm2. NÕu K b»ng 2 th× ta cã 8
V = ∑ a iTi
i =0

227 228
 D. Gia c«ng sè liÖu thèng kª E. Chọn thang đo tự động

Trong qu¸ tr×nh s¶n xuÊt phom¸t , s¶n phÈm • Phương pháp thông thường sử dụng cho việc chọn thang
®−îc x¸c ®Þnh theo träng l−îng, sai lÖch cña đo tự động
träng l−îng trªn mét gãi cña N tóm lµ kh¸ lín ®Ó
®iÒu khiÓn. KÕt qu¶ ®−îc tÝnh to¸n bëi µP. • Phương pháp xây dựng việc chọn thang đo tự động theo
-N sè lÇn ®o
sai số yêu cầu
N Xl
P=∑ =X
l =1 N
Träng l−îng trung b×nh

var = ∑
N (X l − X )2
Sai lÖch l =1 N
Sai lÖch b×nh qu©n ph−¬ng:

σ= ∑
N (X l − X )2
l =1 N
229 230

Tự động chọn thang đo – thang chia đều

• Thông thường người ta định thang đo cách nhau 10 lần (hoặc theo
độ phân giải của thang)
• Điều kiện sử dụng thang đo tự động
1
X max ≤ X do ≤ X max
10
• Cách tiến hành đo –cách 1
– Tiến hành đo ở thang lớn nhất
– Dựa trên giá trị đo để tìm thang có giá trị thỏa mãn điều kiện
• Cách tiến hành đo- cách 2
– So sánh với các giá trị của thang
– Xdo thỏa mãn điều kiện Xi<Xdo<Xi+1

231