‫لماذا ال ‪ Memory‬؟‬

‫لطلما سمعنا عن السرعات الكبيرة التى يعمل بها معالج الكمبيوتر مثل ‪ 3.4 :‬جيجاهيرتز‪ ,‬أى أنه يمكنه عمل ‪X 109 3.4‬‬
‫عمليه فى الثانيه ‪ ,‬و رغم أن المعالج يأخذ البيانات المراد حسابها من وسيط التخزين و هو القرص الصلب )الهارد ديسك( إل‬
‫انه أذا تم توصيلهم الثنين ببعض مباشرة فإن ذلك سوف يؤدى الى أبطاأ المعالج بشكل كبير‪ ,‬فالقرص عندما يقرأ ‪ /‬يكتب‬
‫البيانات فأنه يقوم بتحريك الرأس المغنطيسية كل مرة لقرأة جزء بسيط و هذه الميكانيكية تجعله )و مهما كان الموتور سريع(‬
‫بطيئًا جدًا مقارنة بسرعة المعالج ‪ ,‬فيضطر المعالج أنتظار القرص حتى يعطيه البيانات المراده ‪.‬‬

‫و من هنا جائت فكرة الوسيط ما بين المعالج و القرص ‪ ,‬حيث تخزن البيانات التى سوف يحتاجاها المعالج من القرص الى ال‬
‫‪ , Memory‬و يتعامل المعالج مع ‪ Memory‬مباشرًة‪.‬‬

‫ملحوظة ‪ :‬هذه السرعة هى سرعة ال‪ Clock‬الخاصة بالمعالج و ظيفتها هى انه كل ‪ Pulse‬منه يجعل المعالج بنفذ الوظيفة‬
‫التالية‪ ,‬و لذلك نظريًا كلما زادت تزيد سرعة المعالج‪.‬‬

‫ما هى ال ‪ Memory‬؟‬

‫هى وسيط لتخزين حلة من حالتين ‪ Binary‬فقط فى كل خلية مكونة ‪ ,Cell‬و تنقسم أنواع الذاكرة ألى نوع يستطيع‬
‫الحتفاظ بحالته حتى بعد وقف الكهرباء عنه)‪ ,(Volatile‬و أخر يجب أستمرار أمداد التيار حتى يحافظ على البيانات )‬
‫‪.(non-volatile‬‬

‫و يتم غالبا ً أستخدام ال‪ (Random Access Memory (RAM‬كوسيط ما بين المعالج و‬
‫القرص ‪ ,‬و ذلك لسرعتها و سهولة أعادة الكتابة‪ ,‬و ‪ Random Access‬تعنى أنه تستطيع أن‬
‫تكتب أو تقرأ من أى مكان فى الذاكرة بغض النظر عن مكان أخر عمليه و هذا بعكس طريقة‬
‫عمل القرص حيث يجب أن يلف الموتور من أخر مكان للمكان الحالى‪.‬‬

‫أنواع ال‪RAM‬‬

‫‪:(Static Random Access Memory (SRAM‬‬

‫تستخدم الخلية من هذه الميمورى لتخزين ‪ 1‬أو ‪ 0‬أى على سبيل المثال ‪ V 2.5‬على طرفى الخلية لتدل على ‪ ,1‬أو ‪2.5V-‬‬
‫لتدل على ‪ ,0‬و تتكون الخلية من ‪ MOSFETs 6‬موصلين ببعضهم بحيث أذا خزنت أشارة تبقى بها حتى المرة التالية‬
‫للكتابة‪ ,‬و يتميز هذا النوع بالسرعة‪ ,‬تكلفته المرتفعة و تعقيده فى التركيب فهناك أنواع منه تتكون من ‪MOSFETs 10-8‬‬
‫مما يقلل من قدرة تصنيع وحدات ذات سعة تخزينية كبيرة‪ ,‬و لذلك فهو يستخدم فى حالت الهم مثل فى‬
‫‪ CACH Memory‬بداخل المعالج‪.‬‬

‫‪:(Dynamic Random Access Memory (DRAM‬‬

‫تتكون الخلية فى هذا النوع من ‪ transistor 1‬و ‪ Capacitor 1‬و تخزن الشارة بال‪ Capacitor‬و من المعروف أن‬
‫المكثفات ل تحتفظ بشحنتها فتفقدها بمرور فترة و لذلك فإن هذه الخليه تحتاج لعادة الشحن على فترات )‪ (Refresh‬فيتم‬
‫قراءة الشحنة و أعادة تخزينها تقريبًا كل ‪ 65‬ميلى ثانية اكل خلية و هذا مما نتج عن فرق التسمية بين ‪ Static‬و‬
‫‪ Dynamic‬حيث أن النوع الول يحتفظ بالشحنة حتى يتم تغيرها‪ ,‬و أيضًا هناك ملحظة أنه عند قراءة شحنة المكثف فأنه‬
‫يتم تفريغها فى الموصل مما يؤدى الى محوها‪ ,‬فيتم تصميم الخلية لكى تستعيد نفس شحنتها السابقة بعد قرائتها‪ .‬يتميز هذا‬
‫النوع بسهولة تصميمه مما يساعد على تكوين وحدات ذات سعات كبيرة منه‪.‬‬

‫ال ‪: (Synchronous DRAM (SDRAM‬‬

‫تختلف عن ال‪ DRAM‬أنها تستطيع تنفيذ أمر جديد بينما المر الخر لم ينتهى تنفيده بعد و هذا يعنى أن المر أذا كان يستلزم‬
‫ثلث ‪ Clock pulses‬فأنه يمكن أن يبدأ تنفيذه فى أول ‪ Pulse‬و فى الثانية نبدأ أمر جديد بينما الول فى الثانية و هكذا‬
‫فإن كل ‪ Pulse‬سوف يتم تنفيذ أمر جديد بدل من أن تنتظر ثلثة ‪ Pulses‬لكل أمر‪ ,‬تسمى هذه العملية بال ‪Pipelining‬‬
‫و هى تستخدم أيضًا فى بعض المعالجات و خاصة المعالجات الرسومية ‪.GPUs :‬‬

‫ثم ظهر منه ‪ : (Double-Data-Rate SDRAM (DDR SDRAM‬و الفارق أنه ينقل البيانات مرتين فى ال‬
‫‪ Clock pulse‬الواحدة‪.‬‬
 ‫‪:(Ferroelectric RAM (FeRAM‬‬

‫تشبه ال‪ DRAM‬فى تركيبها و سرعة القرأة و الكتابة و لكنها أيضًا تحتفظ بالبيانات فى حالة أنقطاع التيار و لذلك فهى‬
‫‪ Non-volatile‬و ذلك لن المادة العازلة فى المكثف تستبدل بمادة ‪ Ferroelectric‬فالشحنة المخزنة عليها تنتج نتيجة‬
‫لخاصية ال ‪ ferromagnetism‬و هى أن مادة معينة ممكن أن تكتسب خاصية مغناطيسية دائمة عن طريق الستقطاب‬
‫الكهربائى )‪ (Electric Polarization‬و هو فصل الشحنات السلبة و الموجبة عن بعضها‪ .‬و هذه الشحنة المغنطيسية‬
‫دائمة و لكن تتغير عند القراءة أيضا و لذلك يجب كتابتها مرة أخرى بعد القراءة‪.‬‬

‫مميزات هذه النوع ‪ :‬أسرع بألف المرات من الذاكرات‪ Non-volatile‬من النوع ‪ ROM‬التى يمكن أعادة كتابتها مثل ‪:‬‬
‫‪ EEPROM‬و يمتاز أيضًا عن غيره و خصوصًا ال‪ DRAM‬ب قلة أستخدام الطاقة حيث يستخدمها عند القراءة و الكتابة‬
‫فقط بينما فى ال‪ DRAM‬تستخدم معظم الطاقة فى الحفاظ على البيانات )‪.(Refreshing‬‬

‫مؤخرًا )‪ (2009-2‬أعلنت توشيبا أنها تطور نوع من ال ‪ FeRAM‬و صلت مساحته الى ‪ 128‬ميجابت)قليلة جدًا و لكنها أكبر‬
‫ما تم تصنيعه من هذا النوع( و لكن سرعة الكتابة و القراءة و صلت الى ‪ 1.6‬جيجابايت !! ‪.‬‬