INSULATED GATE

BIPOLAR TRANSISTOR
(IGBT)
Komponen Konverter Daya
Andi Nurul Chairun Nisa
321 12 029
A. Definisi IGBT
Piranti semikonduktor dengan tiga terminal yang setara dengan
gabungan sebuah transistor bipolar (BJT) dan sebuah transistor
efek medan (MOSFET). IGBT umumnya berfungsi sebagai
komponen saklar untuk sebuah aplikasi daya. IGBT sesuai untuk
aplikasi pada perangkat inverter maupun Kendali Motor Listrik
(Drive).

Transistor Bipolar memiliki 3 lapisan yaitu emiter, basis dan
kolektor. Strukturnya terdiri atas NPN dan PNP

MOSFET (Metal oxide FET) memiliki drain, source dan gate.
Namun perbedaannya gate terisolasi oleh suatu bahan oksida. Gate
sendiri terbuat dari bahan metal seperti aluminium. Oleh karena
itulah transistor ini dinamakan metal-oxide.
Simbol dan Struktur IGBT
*Keterangan:

C = Collector
G = Gate
E = Emitter
Gabungan MOSFET dan BJT menghasilkan IGBT

Bentuk IGBT
Selain dalam bentuk satuan IGBT juga sering dibentuk
dalam 1 pack berisi 2, 3, 6, 12 biji. Sehingga
memudahkan dalam pemasangan ataupun tidak perlu
repot memasang satu per satu, serta irit tempat,
karena lebih kecil dibanding harus memasang secara
per biji.


Prinsip Kerja IGBT
Input dari IGBT adalah terminal Gate dari MOSFET,
sedangkan terminal Source dari MOSFET terhubung ke
terminal Basis dari BJT.
Dengan demikian, arus drain keluar dan dari MOSFET akan
menjadi arus basis dari BJT. Karena besarnya tahanan masuk
dari MOSFET, maka terminal input IGBT hanya akan
menarik arus yang kecil dari sumber. Di pihak lain, arus drain
sebagai arus keluaran dari MOSFET akan cukup besar untuk
membuat BJT mencapai keadaan saturasi.
Dengan gabungan sifat kedua elemen tersebut, IGBT
mempunyai perilaku yang cukup ideal sebagai sebuah saklar
elektronik. Di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani
sumber, di pihak lain mampu menghasilkan arus yang besar
bagi beban listrik yang dikendalikannya.

Gambaran Prinsip Kerja IGBT
*Keterangan:

Collector (C) = Drain
Gate (G) = Basis
Emitter (E) = Source
Hole dan Elektron pada IGBT
pada Kondisi ON
Kondisi IGBT berubah "ON" atau "OFF" cukup
dengan mengaktifkan dan menonaktifkan terminal
Gate nya. Sebuah sinyal input tegangan positif
konstan di Gate dan Emitter akan menjaga
perangkat dalam kondisi "ON, sedangkan
penghapusan sinyal input akan menyebabkan untuk
mengubah "OFF" dalam banyak cara yang sama
seperti transistor bipolar atau MOSFET.
Karakteristik IGBT
Karena IGBT adalah sebuah perangkat tegangan
terkendali, maka ia hanya membutuhkan tegangan kecil
pada Gate untuk mempertahankan konduksi melalui
perangkat, tidak seperti BJT yang mengharuskan arus
Basis terus diberikan dalam jumlah cukup untuk
mempertahankan saturasi.

Selain itu, IGBT adalah perangkat searah, yang berarti
hanya dapat switching arus pada "arah maju", yaitu dari
kolektor ke emitor, tidak seperti MOSFET yang memiliki
kemampuan switching arus bi-directional.
Sebuah saklar ideal di dalam aplikasi elektronika daya
akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut:
pada saat keadaan tidak menghantar (off), saklar
mempunyai tahanan yang besar sekali, mendekati nilai
tak berhingga. Dengan kata lain, nilai arus bocor struktur
saklar sangat kecil;
Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (on), saklar
mempunyai tahanan menghantar (R
on
) yang sekecil
mungkin. Ini akan membuat nilai tegangan jatuh
(voltage drop) keadaan menghantar juga sekecil
mungkin, demikian pula dengan besarnya daya lesapan
(power dissipation) yang terjadi, dan kecepatan
pensaklaran (switching speed) yang tinggi.

Kurva Karakteristik IGBT
Perbedaan IGBT dengan Transistor Bipolar dan
MOSFET
Transistor-bipolar membutuhkan arus yang besar untuk
mendrive Basis atau berarti daya (watt) yang besar,
mempunyai slow turn-off sehingga hanya dapat bekerja
pada frekuensi terbatas, mudah panas (thermal runaway).

MOSFET hampir tidak membutuhkan arus untuk mendrive
Gate (hanya membutuhkan tegangan), tidak mudah panas,
mampu bekerja pada frekuensi yang lebih tinggi.

IGBT mempunyai karakteristik gabungan antara MOSFET
dengan Transistor-bipolar. IGBT umumnya mempunyai
kamampuan arus yang lebih besar dibanding dengan
MOSFET maupun Transistor-bipolar.
Cara Pengujian IGBT
Cara pengetesan IGBT dalam keadaan baik dicek
menggunakan multimeter analog dengan range 10K. Sedikit
berbeda dengan mengecek transistor, pada IGBT antara gate
terhadap drain dan source terdapat penyekat atau isolasi
(insulated).

Meskipun demikian, ketika IGBT diukur menggunakan
multimeter tetap terdapat arah diodanya, hal ini dikarenakan
antara source dan drain ada dioda pengaman.

Pin IGBT adalah:
1. Gate dari kiri
2. Collector tengah
3. Emitter sebelah kanan

Menghubungkan probe hitam di kaki Emitter dan probe merah di kaki
Collector dimana nantinya akan terlihat hasil pengukuran seperti bila
mengukur Dioda, sedangkan untuk kaki Gate sama sekali tidak
terukur. Apabila jarum pada multimeter tidak menyimpang
(menunjuk nilai tak terhingga) berarti IGBT dalam kondisi baik,
namun apabila jarum terukur bolak-balik maka IGBT dalam kondisi
rusak.

DAFTAR REFERENSI
Jie. Mengenal Komponen IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
https://storify.com/jie77/mengenal-komponen-igbt-insulated-gate-bipolar-
tran

Scribd. IGBT.
http://www.scribd.com/doc/37936599/IGBT

Wikipedia. Transistor dwikutub gerbang-terisolasi.
http://id.wikipedia.org/wiki/Transistor_dwikutub_gerbang-terisolasi

Andi Share. Apakah yang dimaksud dengan IGBT? .
http://andiprazt.blogspot.com/2012/10/apakah-yang-dimaksud-dengan-
igbt.html

Elektro Industri. Mengecek Kondisi IBGT dalam Kondisi Baik atau Rusak.
http://elektroindustri44.blogspot.com/2013/10/mengecek-kondisi-igbt.html
SEKIAN

TERIMA KASIH

WASSALAMUALAIKUM WR.
WB.