‫رﻳﺎﺳﺖ ﺟﻤﻬﻮري‬

‫ﺳﺘﺎد وﻳﮋة ﺗﻮﺳﻌﺔ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ‬

‫ﺷﺒﻜﻪ آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎﻫﻲ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮي اﻳﺮان‬

‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎﻫﻲ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ‬

‫اﻧﺪازهﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬

‫ﻓﻀﺎي ﺟﻬﺎﻧﻲ– ﺷﻤﺎره ‪10‬‬

‫وﻳﺮاﻳﺶ ﺳﻮم‬

‫آﺑﺎن ﻣﺎه ‪1384‬‬

 ‫ﺑﺴﻤﻪ ﺗﻌﺎﻟﻲ‬

‫رﻳﺎﺳﺖ ﺟﻤﻬﻮري‬

‫ﺳﺘﺎد وﻳﮋة ﺗﻮﺳﻌﺔ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ‬

‫ﺷﺒﻜﻪ آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎﻫﻲ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮي اﻳﺮان‬

‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎﻫﻲ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ‬

‫اﻧﺪازهﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬

‫آﺑﺎن ﻣﺎه ‪1384‬‬

 ‫ﻋﻨﻮانﮔﺰارش‪ :‬آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎﻫﻲ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ‪ :‬اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬

‫ﺗﻬﻴﻪﻛﻨﻨﺪﮔﺎن )ﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﺣﺮوف اﻟﻔﺒﺎ( ‪ :‬رﺿﺎ اﺳﺪي ﻓﺮد‪ ،‬رﺿﺎ ﺗﻴﻠﻜﻲ‪ ،‬ﻣﻬﺪي رﻧﺠﺒﺮ‪ ،‬ﻣﻬﺪي دﻳﻨﻲ‪،‬‬

‫اﺻﻐﺮ ﻋﺮب‪ ،‬ﻣﺠﻴﺪ ﻗﺠﺎوﻧﺪ‪ ،‬اﻣﻴﺪ ﻣﺮادي‪ ،‬اﺣﺴﺎن واﺣﺪي ﻣﻘﺪم‬

‫زﻳﺮ ﻧﻈﺮ اﻋﻀﺎي ﻛﻤﻴﺘﻪ زﻳﺮﺳﺎﺧﺖ آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎﻫﻲ‪ :‬دﻛﺘﺮ آﺧﻮﻧﺪي‪ ،‬دﻛﺘﺮآﺧﻮﻧﺪي ﺧﻀﺮآﺑﺎدي‪ ،‬دﻛﺘﺮ اﺳﻼﻣﻲ‬

‫دﻛﺘﺮ ﺑﻴﺖ اﻟﻬﻲ‪ ،‬دﻛﺘﺮ ﻗﺎﺳﻢ ﭘﻮر‪ ،‬دﻛﺘﺮ ﻣﺮدي‬

‫وﻳﺮاﻳﺶ‪ :‬ﺳﻮم‬

‫ﺗﺎرﻳﺦ وﻳﺮاﻳﺶ‪ :‬آﺑﺎن ﻣﺎه ‪1384‬‬

‫آدرس دﺑﻴﺮﺧﺎﻧﻪ‪ :‬ﺗﻬﺮان‪ -‬اﺗﻮﺑﺎن ﭼﻤﺮان‪ -‬ﺻﺪﻣﺘﺮ ﺑﺎﻻﺗﺮ از ﭘﻞ ﻧﺼﺮ)ﮔﻴﺸﺎ(‪ -‬ﺟﻨﺐ ﭘﻤﭗ ﺑﻨﺰﻳﻦ– اﻧﺘﻬﺎي ﻛﻮﭼﻪ‬
‫ﻫﺸﺘﻢ‪ -‬ﭘﻼك‪ – 24‬دﺑﻴﺮﺧﺎﻧﻪ ﺳﺘﺎد وﻳﮋه ﺗﻮﺳﻌﻪ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ‬

‫ﺻﻨﺪوق ﭘﺴﺘﻲ ‪14395-1336 :‬‬

‫ﺗﻠﻔﻦ‪88027135 :‬‬

‫دورﻧﮕﺎر‪88027134 :‬‬

‫آدرس ﺳﺎﻳﺖ‪ www.nano.ir :‬و ‪http://nanolab.nano.ir‬‬

‫ﭘﺴﺖ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ‪nanolab@irannano.org :‬‬

‫أ‬
 ‫ﭘﻴﺸﮕﻔﺘﺎر دﺑﻴﺮﺧﺎﻧﻪ ﺳﺘﺎد‬

‫ﺳﺘﺎد وﻳﮋة ﺗﻮﺳﻌﻪ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ ﺑﺮ اﻳﻦ ﺑﺎور اﺳﺖ ﻛﻪ ﻣﻮﻓﻘﻴﺖ در ﻳﻚ ﻓﻨﺎوري ﻣﻬﻢ و آﻳﻨﺪهﺳﺎز ﺟﺰ ﺑﺎ ﺑﺮﻧﺎﻣﻪ‪-‬‬

‫رﻳﺰي و ﭘﻴﮕﻴﺮي ﺑﻠﻨﺪﻣﺪت ﻣﻤﻜﻦ ﻧﺨﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﺿﺮورت ﺗﺪوﻳﻦ ﺑﺮﻧﺎﻣﺔ ﺑﻠﻨﺪﻣﺪت در ﺟﻠﺴﺔ اول ﺳﺘﺎد ﻣﻮرد‬

‫ﺗﺎﻛﻴﺪ ﺟﻨﺎب آﻗﺎي رﻳﻴﺲ ﺟﻤﻬﻮر ﺑﻮد و ﻣﺎﻣﻮرﻳﺖ اﺻﻠﻲ ﻧﻴﺰ ﺗﻮﺳﻂ اﻳﺸﺎن اﻋﻼم ﮔﺮدﻳﺪ‪ .‬در ﺟﻠﺴﺎت ﻫﻤﺎﻫﻨﮕﻲ‬

‫ﺳﺘﺎد ﻧﻴﺰ اﻳﻦ ﻣﻬﻢ ﺑﺎرﻫﺎ ﻣﻮرد ﺗﺎﻛﻴﺪ ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻪ اﺳﺖ و ﺗﺪوﻳﻦ آن ﺑﻪ دﺑﻴﺮﺧﺎﻧﺔ ﺳﺘﺎد ﻣﺤﻮل ﮔﺸﺖ‪.‬‬

‫در اﺳﺘﺮاﺗﮋي ﺑﻠﻨﺪﻣﺪت ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ ﺟﺎﻳﮕﺎه ﺗﻚﺗﻚ ﺑﺎزﻳﮕﺮان ﻋﺮﺻﻪ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ در ﻛﺸﻮر‪ ،‬از‬

‫داﻧﺸﮕﺎهﻫﺎ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺗﺎ ﺷﺮﻛﺖﻫﺎي ﺗﺠﺎري ﻣﺸﺨﺺ ﺷﻮد و ﺑﺮاي ﻫﺮ ﺑﺨﺶ از ﻛﺸﻮر ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻇﺮﻓﻴﺖﻫﺎ و‬

‫ﺗﻮاﻧﻤﻨﺪيﻫﺎي آن ﺑﺨﺶ‪ ،‬ﻧﻘﺸﻲ در زﻣﻴﻨﻪ ﺗﻮﺳﻌﻪ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ ﭘﻴﺶﺑﻴﻨﻲ ﺷﻮد‪ .‬ﻧﺎﮔﻔﺘﻪ ﭘﻴﺪاﺳﺖ ﻛﻪ ﺗﺪوﻳﻦ ﭼﻨﻴﻦ‬

‫ﺑﺮﻧﺎﻣﻪ ﺟﺎﻣﻌﻲ ﻧﻴﺎزﻣﻨﺪ داﺷﺘﻦ اﻃﻼﻋﺎت و ﺗﺤﻠﻴﻞﻫﺎي وﺳﻴﻌﻲ ﻫﻢ در ﻣﻮرد ﻓﻀﺎي داﺧﻠﻲ و ﻫﻢ در ﺑﻌﺪ ﺟﻬﺎﻧﻲ‬

‫اﺳﺖ‪.‬‬

‫دﺑﻴﺮﺧﺎﻧﻪ ﺳﺘﺎد در راﺳﺘﺎي ﺗﺪوﻳﻦ اﺳﺘﺮاﺗﮋي و ﺑﺮﻧﺎﻣﻪ ﺑﻠﻨﺪﻣﺪت ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ ﻛﺸﻮر از زﻣﺎن ﺗﺸﻜﻴﻞ ﺧﻮد اﻗﺪام‬

‫ﺑﻪ ﺗﺸﻜﻴﻞ ﮔﺮوهﻫﺎي ﻣﻄﺎﻟﻌﺎﺗﻲ ﻣﺨﺘﻠﻒ در زﻣﻴﻨﻪﻫﺎي ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز ﻛﺮد‪ .‬ﻣﻬﻢﺗﺮﻳﻦ ﻓﻌﺎﻟﻴﺖﻫﺎي ﻣﻄﺎﻟﻌﺎﺗﻲ ﺗﻌﺮﻳﻒ‬

‫ﺷﺪه ﺑﻪ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻓﻀﺎي ﺟﻬﺎﻧﻲ و ﻓﻀﺎي داﺧﻠﻲ ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از‪:‬‬

‫اﻟﻒ‪ :‬ﻓﻀﺎي ﺟﻬﺎﻧﻲ ﻧﺎﻧﻮ‬

‫‪ .1‬وﺿﻌﻴﺖ ﺳﺮﻣﺎﻳﻪﮔﺬاريﻫﺎي ﺑﺨﺶ ﺧﺼﻮﺻﻲ و ﺳﺮﻣﺎﻳﻪ ﮔﺬاري ﺧﻄﺮﭘﺬﻳﺮ در ﺟﻬﺎن‬

‫‪ .2‬ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻓﻨﺎوريﻫﺎي ﻧﺎﻧﻮ و ﺣﻮزهﻫﺎي ﻛﺎرﺑﺮد آن )ﻧﻘﺸﻪ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ(‬

‫‪ .3‬ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﺮاﻛﺰ ﻋﻠﻤﻲ و ﭘﮋوﻫﺸﻲ ﻓﻌﺎل در ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ در ﺟﻬﺎن‬

‫‪ .4‬ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺑﺎزارﻫﺎي ﺣﺎل و آﻳﻨﺪه ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ‬

‫‪ .5‬رﻓﺘﺎر دوﻟﺖﻫﺎي ﺟﻬﺎن در ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ‬

‫‪ .6‬آﻣﻮزش ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ در ﺟﻬﺎن‬

‫ب‬
 ‫‪ .7‬ﺑﺮرﺳﻲ رﻓﺘﺎر ﺷﺮﻛﺖﻫﺎي ﺟﻬﺎن در ﻣﻮاﺟﻬﻪ ﺑﺎ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ‬

‫‪ .8‬ﺑﺮرﺳﻲ ﺟﻬﺎﻧﻲ ﺷﺎﺧﺺﻫﺎي ﺗﻮﺳﻌﺔ ﻋﻠﻢ و ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ )ﻣﻘﺎﻻت و ﭘﺘﻨﺘﻬﺎ(‬

‫‪ .9‬ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺷﺒﻜﻪﻫﺎي ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ ﺟﻬﺎن‬

‫‪ .10‬آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎﻫﻲ‬

‫ب‪ :‬ﻓﻀﺎي داﺧﻠﻲ‬

‫‪ .1‬ﻣﻮاﻧﻊ و راﻫﻜﺎرﻫﺎي ﺗﻮﺳﻌﻪ ﺳﺮﻣﺎﻳﻪﮔﺬاري در ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ در اﻳﺮان ﺑﻪوﻳﮋه ﺗﻮﺳﻂ ﺑﺨﺶ ﺧﺼﻮﺻﻲ‬

‫‪ .2‬ﭼﺸﻢاﻧﺪاز ‪ 20‬ﺳﺎﻟﺔ ﻛﺸﻮر و ﻓﺮﺻﺘﻬﺎ و ﺟﻬﺖﮔﻴﺮيﻫﺎي ﺗﻮﺳﻌﻪ و ﻣﻌﻀﻼت ﻣﻠﻲ و ﺗﺄﺛﻴﺮات ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ‬

‫در آﻧﻬﺎ‬

‫‪ .3‬ﺑﺮرﺳﻲ ﺗﺠﺮﺑﺔ ﻛﺸﻮر در ﻓﻨﺎوريﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ‬

‫‪ .4‬ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﺘﺨﺼﺼﺎن ﻛﺸﻮر‬

‫‪ .5‬ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺗﺠﻬﻴﺰات آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎﻫﻲ و دﻳﮕﺮ زﻳﺮﺳﺎﺧﺘﻬﺎي ﻣﻮﺟﻮد ﻛﺸﻮر‬

‫ﻧﺘﻴﺠﻪ اﻳﻦ ﻣﻄﺎﻟﻌﺎت ﺑﻪ ﺻﻮرت ﮔﺰارشﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ اﻧﺘﺸﺎر ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ ﺗﺎ ﻫﻤﻪ ﻋﻼﻗﻤﻨﺪان ﺑﻪ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ در‬

‫ﻛﺸﻮر ﺑﻪ وﻳﮋه ﺳﻴﺎﺳﺘﮕﺬاران‪ ،‬ﻣﺪﻳﺮان ﺑﺨﺶﻫﺎي دوﻟﺘﻲ و ﺧﺼﻮﺻﻲ و ﻛﺎرﺷﻨﺎﺳﺎن دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي درﮔﻴﺮ ﺑﺘﻮاﻧﻨﺪ ﺑﺎ‬

‫داﺷﺘﻦ اﻃﻼﻋﺎت ﻛﺎﻓﻲ‪ ،‬ﺳﻴﺎﺳﺖﻫﺎ و ﺗﺼﻤﻴﻢﻫﺎي درﺳﺘﻲ در ﺟﻬﺖ ﺗﻮﺳﻌﻪ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ اﺗﺨﺎذ ﻛﻨﻨﺪ‪.‬‬

‫ﺑﻪدﻟﻴﻞ اﺳﺘﻤﺮار ﻓﻌﺎﻟﻴﺖ ﮔﺮوهﻫﺎي ﻣﻄﺎﻟﻌﺎﺗﻲ‪ ،‬ﮔﺰارشﻫﺎي ﻣﻨﺘﺸﺮ ﺷﺪه از ﻃﺮف دﺑﻴﺮﺧﺎﻧﻪ ﻫﻤﻮاره در ﺣﺎل‬

‫ﺗﻜﻤﻴﻞ و اﺻﻼح اﺳﺖ و ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ در وﻳﺮاﻳﺶﻫﺎي اول داراي ﻧﻘﺎﻳﺼﻲ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬دﺑﻴﺮﺧﺎﻧﻪ ﺳﺘﺎد از ﻫﺮﮔﻮﻧﻪ‬

‫ﭘﻴﺸﻨﻬﺎد اﺻﻼﺣﻲ از ﻃﺮف ﺧﻮاﻧﻨﺪﮔﺎن ﻣﺤﺘﺮم اﺳﺘﻘﺒﺎل ﻣﻲﻧﻤﺎﻳﺪ‪.‬‬

‫در ﮔﺰارش ﺣﺎﺿﺮ ﺑﻪ ﻣﻌﺮﻓﻲ ﺗﻌﺪادي از روش ﻫﺎي ﻣﻬﻢ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﭘﺮداﺧﺘﻪ ﺷﺪه‬

‫اﺳﺖ و ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ و ﻣﺤﺪودﻳﺖ ﻫﺎي آﻧﻬﺎ ذﻛﺮ ﮔﺮدﻳﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫ت‬
 ‫ﻣﻘﺪﻣﻪ‬

‫ﮔﺰارش ﺣﺎﺿﺮ‪ ،‬ﻣﺠﻤﻮﻋﻪاي در راﺑﻄﻪ ﺑﺎ آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬

‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎﻫﻲ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ ﻛﻪ در آن ﻣﺨﺘﺼﺮي در راﺑﻄﻪ ﺑﺎ ﻧﺤﻮه ﻋﻤﻠﻜﺮد‪ ،‬ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ و‬

‫ﻣﺤﺪودﻳﺖ ﻫﺎي روﺷﻬﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺑﺤﺚ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ‬

‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي وﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻣﻮﺟﻮد در آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻫﺎي ﻋﻀﻮ ﺷﺒﻜﻪ و‬

‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻫﺎي رزرو ﺑﻪ ﮔﺰارش ﺿﻤﻴﻤﻪ ﮔﺮدﻳﺪه اﺳﺖ ﻛﻪ ﺣﺎوي اﻃﻼﻋﺎت ﻣﻔﻴﺪ در راﺑﻄﻪ ﺑﺎ‬

‫اﻳﻦ ﺗﺠﻬﻴﺰات در ﻛﺸﻮر ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬در ﺿﻤﻦ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﻌﺪاد ﺑﺴﻴﺎر زﻳﺎد ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و‬

‫ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‪ ،‬در اﻳﻦ ﮔﺰارش ﺗﻌﺪادي از آﻧﻬﺎ ﻣﻌﺮﻓﻲ ﻣﻲﺷﻮد و در ﮔﺰارش ﻫﺎي ﺑﻌﺪي اﻳﻦ‬

‫ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ ﺑﻄﻮر ﻛﺎﻣﻞ ﺗﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪.‬‬

‫ث‬
 ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﻄﺎﻟﺐ‬

‫ﺻﻔﺤﻪ‬ ‫ﻋﻨﻮان‬

‫ﻓﺼﻞ اول‬

‫‪2‬‬ ‫‪ -1‬ﻃﺒﻘﻪﺑﻨﺪي روشﻫﺎي اﻧﺪازهﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬

‫‪2‬‬ ‫ﻣﻘﺪﻣﻪ‬

‫‪3‬‬ ‫‪ -1-1‬ﻃﺒﻘﻪﺑﻨﺪي روشﻫﺎي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻣﻮاد ﺑﺮاﺳﺎس ﻧﺤﻮه ﻋﻤﻠﻜﺮد‬

‫‪3‬‬ ‫‪ -1-1-1‬روشﻫﺎي ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ‬

‫‪3‬‬ ‫‪ -2-1-1‬روشﻫﺎي ﺑﺮاﺳﺎس ﭘﺮاش‬

‫‪3‬‬ ‫‪ -3-1-1‬روشﻫﺎي ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ‬

‫‪3‬‬ ‫‪ -4-1-1‬ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ‬

‫‪4‬‬ ‫‪ -5-1-1‬روشﻫﺎي ﺟﺪاﺳﺎزي‬

‫‪4‬‬ ‫‪ -2-1‬ﻃﺒﻘﻪﺑﻨﺪي روشﻫﺎي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻣﻮاد ﺑﺮ اﺳﺎس ﺧﺎﺻﻴﺖ ﻣﻮرد اﻧﺪازهﮔﻴﺮي‬

‫‪6‬‬ ‫‪ -3-1‬ﻃﺒﻘﻪﺑﻨﺪي روشﻫﺎي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻣﻮاد ﺑﺮ اﺳﺎس ﻣﺎﻫﻴﺖ ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ‬

‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪9‬‬ ‫‪ -2‬آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازهﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬

‫‪10‬‬ ‫ﻣﻘﺪﻣﻪ‬

‫ج‬
‫‪11‬‬ ‫‪ -1-2‬ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻧﻴﺮوي اﺗﻤﻲ)‪(AFM‬‬

‫‪35‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ AFM‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﺮان‬

‫‪36‬‬ ‫‪ -2-2‬ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ روﺑﺸﻲ ﺗﻮﻧﻠﻲ )‪(STM‬‬

‫‪45‬‬ ‫‪ -3-2‬ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﻧﻮري ﻣﻴﺪان ﻧﺰدﻳﻚ روﺑﺸﻲ)‪(SNOM‬‬

‫‪47‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ دﺳﺘﮕﺎه ‪SNOM‬‬

‫‪48‬‬ ‫‪ -4-2‬ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ )‪(SEM‬‬

‫‪52‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ SEM‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﺮان‬

‫‪54‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ‪SEM‬‬

‫‪55‬‬ ‫‪ -5-2‬ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ )‪(ESEM‬‬

‫‪63‬‬ ‫‪ -6-2‬ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻋﺒﻮر اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ)‪(TEM‬‬

‫‪72‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ TEM‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﺮان‬

‫‪73‬‬ ‫‪ -7-2‬ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ اﻟﻜﺘﺮون اوژه ) ‪(AES‬‬

‫‪80‬‬ ‫‪ -8-2‬ﺑﺎرﻳﻜﻪ ﻳﻮﻧﻲ ﻣﺘﻤﺮﻛﺰ)‪( FIB‬‬

‫‪83‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ دﺳﺘﮕﺎه ‪FIB‬‬

‫‪85‬‬ ‫‪ -9-2‬ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ ﺑﺎزﮔﺸﺘﻲ رادرﻓﻮرد )‪(RBS‬‬

‫‪90‬‬ ‫‪ -10-2‬ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺞ ﭘﺮاش اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ)‪(XRD‬‬

‫‪96‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ XRD‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﺮان‬

‫‪97‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ‪XRD‬‬

‫ح‬
‫‪98‬‬ ‫‪ - 11 -2‬ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺞ ﭘﺮاش اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ)‪(XRF‬‬

‫‪109‬‬ ‫‪ -12 -2‬ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ)‪ XPS ) (ESCA‬و ‪(UPS‬‬

‫‪114‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ ESCA‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﺮان‬

‫‪114‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ‪ESCA‬‬

‫‪115‬‬ ‫‪ -13-2‬ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﺟﺮﻣﻲ ﻳﻮن ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ )‪(SIMS‬‬

‫‪119‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ SIMS‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﺮان‬

‫‪119‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ‪SIMS‬‬

‫‪120‬‬ ‫‪ -14-2‬ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻓﻮرﻳﻪ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ)‪(FTIR‬‬

‫‪124‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ FTIR‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﺮان‬

‫‪124‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ‪FTIR‬‬

‫‪125‬‬ ‫‪ -15-2‬رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻫﺴﺘﻪ )‪(NMR‬‬

‫‪132‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ NMR‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﺮان‬

‫‪133‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ‪NMR‬‬

‫‪134‬‬ ‫‪ -16-2‬ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ راﻣﺎن )‪(RAMAN‬‬

‫‪138‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ RAMAN‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﺮان‬

‫‪138‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ‪RAMAN‬‬

‫‪139‬‬ ‫‪ - 17-2‬ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻣﺎﻳﻊ ﺑﺎ ﻛﺎراﺋﻲ ﺑﺎﻻ )‪(HPLC‬‬

‫‪143‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ HPLC‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﺮان‬

‫خ‬
‫‪144‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ‪HPLC‬‬

‫‪145‬‬ ‫‪ -18-2‬ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ )‪(MS‬‬

‫‪149‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ‪MS‬‬

‫‪150‬‬ ‫‪ -19-2‬ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎزي)‪(GC‬‬

‫‪153‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ GC‬و ‪ MS‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﺮان‬

‫‪154‬‬ ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ‪GC‬‬

‫‪155‬‬ ‫ﺿﻤﻴﻤﻪ‪ : A‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻋﻼﻳﻢ اﺧﺘﺼﺎري ﺗﺠﻬﻴﺰات ﻣﺮﺗﺒﻂ ﺑﺎ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ‬

‫د‬
 ‫ﻓﺼﻞ اول‬

‫ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي روش ﻫﺎي اﻧﺪازهﮔﻴﺮي‬

‫و‬

‫ﺗﻌﻴﻴﻦﻣﺸﺨﺼﺎت‬
 ‫ﻃﺒﻘﻪﺑﻨﺪي روشﻫﺎي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻣﻮاد‬

‫ﻣﻘﺪﻣﻪ‪:‬‬

‫ﭘﻴﺸﺮﻓﺖﻫﺎي اﺧﻴﺮ در ﻓﻨﺎوريﻧﺎﻧﻮ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺗﻮاﻧﺎﻳﻲﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ در زﻣﻴﻨﻪ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي و ﻛﻨﺘﺮل ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي‬

‫ﻣﻨﻔﺮد در ﻣﻘﻴﺎس ﻧﺎﻧﻮ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﮔﺴﺘﺮش ﻓﺰاﻳﻨﺪه اﺑﺰارﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻣﻮاد و ﺳﺎﺧﺖ و ﻓﻦآوري‬

‫آﻧﻬﺎ ﺑﺮاي ﭘﻴﺸﺮﻓﺖ ﺑﻴﺸﺘﺮ در ﻋﻠﻢ و ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ ﻣﻬﻢ و اﺳﺎﺳﻲ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬اﻳﻦ اﺑﺰارﻫﺎ ﭼﺸﻢﻫﺎ را ﺑﺮاي دﻳﺪن و‬
‫اﻧﮕﺸﺖﻫﺎ را ﺑﺮاي ﻛﻨﺘﺮل ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎ ﺗﻮاﻧﺎ ﻣﻲﺳﺎزﻧﺪ‪ .‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﺗﻮﺻﻴﻒ اﺣﺴﺎس ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ در آﻳﻨﺪهاي ﻧﺰدﻳﻚ‬

‫ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ ﻧﻴﺎز ﻣﺤﻘﻘﺎن و ﭘﮋوﻫﺸﮕﺮان اﻳﻦ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد ﻛﻪ آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎهﻫﺎي ﺑﺎ وﺳﺎﺋﻞ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي و اﺑﺰارﻫﺎي‬

‫ﺳﺎﺧﺖ ﻣﺨﺘﻠﻒ در اﺧﺘﻴﺎر داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻨﺪ ﺗﺎ ﺑﺘﻮاﻧﻨﺪ ﺑﻪ اﻛﺘﺸﺎف و ﺗﺤﻠﻴﻞﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ در زﻣﻴﻨﻪﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ از ﺟﻤﻠﻪ‬
‫ﺷﻴﻤﻲ‪ ،‬ﻓﻴﺰﻳﻚ‪ ،‬زﻳﺴﺖﺷﻨﺎﺳﻲ و ﻣﻮاد و ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي آﻧﻬﺎ دﺳﺖ ﭘﻴﺪا ﻛﻨﻨﺪ‪.‬‬

‫در ﻋﻠﻮم ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ و ﭘﺰﺷﻜﻲ‪ ،‬ﻣﻮﺿﻮع اﻧﺪازهﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت از اﻫﻤﻴﺖ ﻛﻠﻴﺪي‬

‫ﺑﺮﺧﻮردار اﺳﺖ ﺑﻪ ﻃﻮري ﻛﻪ وﻳﮋﮔﻲﻫﺎي ﻓﻴﺰﻳﻜﻲ و ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻣﻮاد‪ ،‬ﺑﻪ ﻣﻮاد اوﻟﻴﻪ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ‬

‫رﻳﺰﺳﺎﺧﺘﺎر ﻳﺎ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﺑﻪ دﺳﺖ آﻣﺪه از ﻓﺮاﻳﻨﺪ ﺳﺎﺧﺖ ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد‪ .‬ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ‬

‫ﻣﻮاد اوﻟﻴﻪ‪ ،‬ﺑﺪﻳﻬﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻧﻮع و ﻣﻘﺪار ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲﻫﺎ‪ ،‬ﺷﻜﻞ و ﺗﻮزﻳﻊ اﻧﺪازه ذرات‪ ،‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﻠﻮرﻳﻦ و ﻣﺎﻧﻨﺪ آن‬

‫در ﻣﺎﻫﻴﺖ و ﻣﺮﻏﻮﺑﻴﺖ ﻣﺤﺼﻮل اﺛﺮ دارﻧﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﻫﺮ ﭼﻪ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي اﻧﺪازهﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻗﻮيﺗﺮي‬

‫در اﺧﺘﻴﺎر ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﻛﻨﺘﺮل ﻣﻮاد اوﻟﻴﻪ ﺑﺎ دﻗﺖ ﺑﻴﺸﺘﺮي ﺻﻮرت ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ .‬در ﺿﻤﻦ ﺑﺮاي ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ رﻳﺰﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎ‪ ،‬ﻧﻴﺎز‬
‫ﺑﻴﺸﺘﺮي ﺑﻪ اﺑﺰارﻫﺎي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ و آﻧﺎﻟﻴﺰ وﺟﻮد دارد‪ .‬در رﻳﺰﺳﺎﺧﺘﺎر ﻳﺎ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﻣﻮاد‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ ﻧﻮع ﻓﺎزﻫﺎ‪،‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ ،‬اﻧﺪازه‪ ،‬ﻣﻘﺪار و ﺗﻮزﻳﻊ آﻧﻬﺎ را ﺑﺮرﺳﻲ ﻛﺮد‪ .‬در اداﻣﻪ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻫﻤﻴﺖ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎ و روشﻫﺎي‬

‫اﻧﺪازهﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺑﻪ ﻃﺒﻘﻪﺑﻨﺪي اﻳﻦ روشﻫﺎ ﭘﺮداﺧﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد و در اﻧﺘﻬﺎي ﻓﺼﻞ ﻧﻴﺰ ﻣﺨﺘﺼﺮي در‬
‫راﺑﻄﻪ ﺑﺎ اﻫﻤﻴﺖ ﺗﺠﻬﻴﺰات ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ در ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ ﺑﺤﺚ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫‪2‬‬
‫ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي روش ﻫﺎي اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ اول‬

‫‪ -1-1‬ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي روشﻫﺎي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻣﻮاد ﺑﺮاﺳﺎس ﻧﺤﻮه ﻋﻤﻠﻜﺮد‪:‬‬

‫‪ -1-1-1‬روشﻫﺎي ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ‬

‫ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از روشﻫﺎي ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﺗﺼﺎوﻳﺮي ﺑﺎ ﺑﺰرﮔﻨﻤﺎﻳﻲ ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺎﻻ از ﻣﺎده ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪ .‬ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ‬

‫ﺗﺼﺎوﻳﺮ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻛﻤﺘﺮﻳﻦ ﻗﺪرت ﺗﻤﺮﻛﺰ اﺷﻌﻪ ﻣﺤﺪود ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از‬

‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي ﻧﻮري ﺑﺎ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻜﻲ در ﺣﺪود ‪ 1‬ﻣﻴﻜﺮوﻣﺘﺮ و ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ‬

‫و ﻳﻮﻧﻲ ﺑﺎ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺑﺎﻻ در ﺣﺪود ﻳﻚ آﻧﮕﺴﺘﺮم ﻗﺎﺑﻞ دﺳﺘﺮﺳﻲ اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ روشﻫﺎ ﺷﺎﻣﻞ ‪،STM ،AFM‬‬

‫‪ TEM ،SEM ،SNOM ،SCM ،MFM‬و‪ FIB‬ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫‪ -2-1-1‬روشﻫﺎي ﺑﺮاﺳﺎس ﭘﺮاش‬

‫ﭘﺮاش ﻳﻜﻲ از ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﺗﺎﺑﺶ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ ﻛﻪ ﺑﺎﻋﺚ ﻣﻲﺷﻮد ﺗﺎﺑﺶ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ در ﺣﻴﻦ‬
‫ﻋﺒﻮر از ﻳﻚ روزﻧﻪ و ﻳﺎ ﻟﺒﻪ ﻣﻨﺤﺮف ﺷﻮد‪ .‬ﺑﺎ ﻛﺎﻫﺶ اﺑﻌﺎد روزﻧﻪ ﺑﻪ ﺳﻤﺖ ﻃﻮل ﻣﻮج اﺷﻌﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬

‫اﺛﺮات ﭘﺮاش اﺷﻌﻪ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪ .‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﭘﺮاش اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ‪ ،‬اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ و ﻳﺎ ﻧﻮﺗﺮونﻫﺎ و اﺛﺮ ﺑﺮﺧﻮرد‬
‫آﻧﻬﺎ ﺑﺎ ﻣﺎده ﻣﻲﺗﻮان اﺑﻌﺎد ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻲ ﻣﻮاد را اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻛﺮد‪ .‬اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ و ﻧﻮﺗﺮونﻫﺎ ﻧﻴﺰ ﺧﻮاص ﻣﻮﺟﻲ دارﻧﺪ‬

‫ﻛﻪ ﻃﻮل ﻣﻮج آن ﺑﻪ اﻧﺮژي آﻧﻬﺎ ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد‪ .‬ﻋﻼوه ﺑﺮ اﻳﻦ ﻫﺮ ﻛﺪام از اﻳﻦ روشﻫﺎ ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﻣﺘﻔﺎوﺗﻲ دارﻧﺪ‬

‫ﻣﺜﻼ ﻋﻤﻖ ﻧﻔﻮذ اﻳﻦ ﺳﻪ روش در ﻣﺎده ﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺐ زﻳﺮ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻧﻮﺗﺮون از اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ ﺑﻴﺸﺘﺮ و اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ از‬

‫اﻟﻜﺘﺮون ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬اﻳﻦ روش ﺷﺎﻣﻞ ‪ XRD‬و ‪ XRF‬ﻣﻲﺑﺎﺷﻨﺪ‪.‬‬

‫‪ -3-1-1‬روشﻫﺎي ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ‬

‫اﺳﺘﻔﺎده از ﺟﺬب‪ ،‬ﻧﺸﺮ و ﻳﺎ ﭘﺮاش اﻣﻮاج اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﺗﻮﺳﻂ اﺗﻢﻫﺎ و ﻳﺎ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎ را ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﮔﻮﻳﻨﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺮﺧﻮرد ﻳﻚ ﺗﺎﺑﺶ ﺑﺎ ﻣﺎده ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺟﻬﺖ ﺗﺎﺑﺶ و ﻳﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ در ﺳﻄﻮح اﻧﺮژي اﺗﻢﻫﺎ و ﻳﺎ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎ‬
‫ﺷﻮد‪ ،‬اﻧﺘﻘﺎل از ﺗﺮاز ﺑﺎﻻي اﻧﺮژي ﺑﻪ ﺗﺮاز ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮ‪ ،‬ﻧﺸﺮ و اﻧﺘﻘﺎل از ﺗﺮاز ﭘﺎﻳﻴﻦ اﻧﺮژي ﺑﻪ ﺗﺮاز ﺑﺎﻻﺗﺮ‪ ،‬ﺟﺬب ﻧﺎﻣﻴﺪه‬

‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺟﻬﺖ ﺗﺎﺑﺶ در اﺛﺮ ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﺎ ﻣﺎده ﻧﻴﺰ ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ ﭘﺮاش ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻲﺷﻮد‪ ،‬اﻳﻦ روشﻫﺎ ﺷﺎﻣﻞ ‪،XPS‬‬

‫‪ NMR ،RBS ،FTIR ،SMIS‬و ‪ RAMAN‬ﻫﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬

‫‪ -4-1-1‬ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ‬

‫روشﻫﺎي ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ از ﺗﻔﺎوت ﻧﺴﺒﺖ ﺟﺮم ﺑﻪ ﺑﺎر اﺗﻢﻫﺎ و ﻳﺎ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪ .‬ﻋﻤﻠﻜﺮد‬

‫‪3‬‬
‫ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي روش ﻫﺎي اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ اول‬

‫ﻋﻤﻮﻣﻲ ﻳﻚ ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ ﺑﻪ ﺻﻮرت زﻳﺮ اﺳﺖ‪:‬‬

‫‪ -1‬ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻳﻮنﻫﺎي ﮔﺎزي‬

‫‪ -2‬ﺟﺪاﺳﺎزي ﻳﻮنﻫﺎ ﺑﺮاﺳﺎس ﻧﺴﺒﺖ ﺟﺮم ﺑﻪ ﺑﺎر‬

‫‪ -3‬اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻣﻘﺪار ﻳﻮنﻫﺎ ﺑﺎ ﻧﺴﺒﺖ ﺟﺮم ﺑﻪ ﺑﺎر ﺛﺎﺑﺖ‬

‫‪ -5-1-1‬روشﻫﺎي ﺟﺪاﺳﺎزي‬

‫در ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﺣﺎوي ﭼﻨﺪ ﺟﺰ ﻧﺎﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬اﺑﺘﺪا ﺑﺎﻳﺪ از ﻫﻢ ﺟﺪا ﺷﺪه و ﺳﭙﺲ اﺟﺰا ﺗﻮﺳﻂ روشﻫﺎي‬

‫آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺟﺪاﺳﺎزي ﺑﺮاﺳﺎس ﺗﻔﺎوت در ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﻓﻴﺰﻳﻜﻲ و ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﺻﻮرت ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ .‬ﺑﻪ‬

‫ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺎده‪ ،‬ﭼﮕﺎﻟﻲ و اﻧﺪازه از ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﻓﻴﺰﻳﻜﻲ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده و ﺣﻼﻟﻴﺖ ﻧﻘﻄﻪ ﺟﻮش و ﻓﺸﺎر‬
‫ﺑﺨﺎر از ﺧﻮاص ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده در ﺟﺪاﺳﺎزي ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬اﻳﻦ روشﻫﺎ ﺷﺎﻣﻞ ‪ HPLC‬و ‪ GC‬ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫‪ -2-1‬ﻃﺒﻘﻪﺑﻨﺪي ﺗﺠﻬﻴﺰات ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺑﺮ ﻣﺒﻨﺎي ﺧﺎﺻﻴﺖ ﻓﻴﺰﻳﻜﻲ ﻣﻮرد اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي‬

‫ﻃﺒﻘﻪﺑﻨﺪي روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﻌﻤﻮﻻً ﺑﺮ ﻃﺒﻖ ﺧﺎﺻﻴﺘﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ در ﻓﺮاﻳﻨﺪ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻧﻬﺎﻳﻲ ﻣﺸﺎﻫﺪه‬

‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﺟﺪول‪ 1‬ﻓﻬﺮﺳﺘﻲ از ﻣﻬﻤﺘﺮﻳﻦ اﻳﻦ ﺧﺎﺻﻴﺖﻫﺎ‪ ،‬و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻧﺎم روشﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﻣﺒﺘﻨﻲ ﺑﺮ اﻳﻦ ﺧﺎﺻﻴﺖﻫﺎ‬
‫ﻣﻲﺑﺎﺷﻨﺪ دﻳﺪه ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺗﺎ ﺣﺪود ﺳﺎل ‪ 1920‬ﺗﻘﺮﻳﺒﺎً ﻫﻤﻪ روشﻫﺎي ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻣﺒﺘﻨﻲ ﺑﺮ دو ﺧﺎﺻﻴﺖ ذﻛﺮ ﺷﺪه در‬
‫اول ﻓﻬﺮﺳﺖ ﺟﺪول‪ 1‬ﻳﻌﻨﻲ ﺟﺮم و ﺣﺠﻢ ﺑﻮدﻧﺪ از اﻳﻦ رو ﺑﻪ روشﻫﺎي وزﻧﻲ و ﺣﺠﻤﻲ روشﻫﺎي ﻛﻼﺳﻴﻚ‬

‫ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﮔﻔﺘﻪ ﻣﻲﺷﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﺑﻘﻴﻪ ﻓﻬﺮﺳﺖ ﺟﺪول‪ 1‬روشﻫﺎي دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ اﻃﻼق ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻋﻼوه ﺑﺮﺑﺤﺚ ﺗﺎرﻳﺨﻲ‬
‫ﻓﻮق‪ ،‬ﺟﻨﺒﻪﻫﺎي دﻳﮕﺮي ﻧﻴﺰ روشﻫﺎي دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ را از روشﻫﺎي ﻛﻼﺳﻴﻚ ﻣﺘﻤﺎﻳﺰ ﻣﻲﺳﺎزﻧﺪ] ‪2‬و‪.[3‬‬

‫‪4‬‬
‫ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي روش ﻫﺎي اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ اول‬

‫ﺟﺪول‪ -1‬ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺑﺮ ﻣﺒﻨﺎي ﺧﺎﺻﻴﺖ ﻓﻴﺰﻳﻜﻲ ﻣﻮرد اﻧﺪازهﮔﻴﺮي‬

‫روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﺒﺘﻨﻲ ﺑﺮ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺧﺎﺻﻴﺖ‬ ‫ﺧﺎﺻﻴﺖ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫وزﻧﻲ‬ ‫ﺟﺮم‬ ‫‪1‬‬

‫ﺣﺠﻤﻲ‬ ‫ﺣﺠﻢ‬ ‫‪2‬‬

‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ )اﺷﻌﻪ‪،UV،X‬ﻣﺮﺋﻲ‪ ،(IR،‬رﻧﮓ ﺳﻨﺠﻲ‪ ،‬ﺟﺬب اﺗﻤﻲ‪،‬‬ ‫ﺟﺬب ﺗﺎﺑﺶ‬ ‫‪3‬‬

‫رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻫﺴﺘﻪ و رزوﻧﺎﻧﺲ اﺳﭙﻴﻦ اﻟﻜﺘﺮون‬

‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﻧﺸﺮي)اﺷﻌﻪ‪ ،UV ،X‬ﻣﺮﺋﻲ(‪ ،‬ﻧﻮرﺳﻨﺠﻲﺷﻌﻠﻪاي‪ ،‬ﻓﻠﻮﺋﻮرﺳﺎﻧﺲ‬ ‫ﻧﺸﺮ ﺗﺎﺑﺶ‬ ‫‪4‬‬

‫)اﺷﻌﻪ‪ ،UV،X‬ﻣﺮﺋﻲ(‪ ،‬روشﻫﺎي رادﻳﻮﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ‬

‫ﻛﺪري ﺳﻨﺠﻲ‪ ،‬ﻧﻔﻠﻮﻣﺘﺮي‪ ،‬ﻃﻴﻒ ﺑﻴﻨﻲ راﻣﺎن‬ ‫ﭘﺮاﻛﻨﺪن ﺗﺎﺑﺶ‬ ‫‪5‬‬

‫ﺷﻜﺴﺖﺳﻨﺠﻲ و ﺗﺪاﺧﻞ ﺳﻨﺠﻲ‬ ‫ﺷﻜﺴﺖ ﺗﺎﺑﺶ‬ ‫‪6‬‬

‫روشﻫﺎي ﭘﺮاش اﺷﻌﻪ‪ ،X‬و اﻟﻜﺘﺮون‬ ‫ﭘﺮاش ﺗﺎﺑﺶ‬ ‫‪7‬‬

‫ﻗﻄﺒﺶﺳﻨﺠﻲ‪ ،‬ﭘﺎﺷﻨﺪﮔﻲ ﭼﺮﺧﺶ ﻧﻮري و دو رﻧﮓ ﻧﻤﺎﻳﻲ دوراﻧﻲ‬ ‫ﭼﺮﺧﺶ ﺗﺎﺑﺶ‬ ‫‪8‬‬

‫ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞﺳﻨﺠﻲ و ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﺳﻨﺠﻲ ﺑﺎ زﻣﺎن‬ ‫ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬ ‫‪9‬‬

‫رﺳﺎﻧﺎ ﺳﻨﺠﻲ‬ ‫رﺳﺎﻧﺎﻳﻲ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬ ‫‪10‬‬

‫ﭘﻼرو ﮔﺮاﻓﻲ و ﺗﻴﺘﺮاﺳﻴﻮﻧﻬﺎي آﻣﭙﺮﺳﻨﺠﻲ‬ ‫ﺟﺮﻳﺎن اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬ ‫‪11‬‬

‫ﻛﻮﻟﻦ ﺳﻨﺠﻲ‬ ‫ﻛﻤﻴﺖ اﻟﻜﺘﺮﻳﺴﻴﺘﻪ‬ ‫‪12‬‬

‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ‬ ‫ﻧﺴﺒﺖ ﺟﺮم ﺑﻪ ﺑﺎر‬ ‫‪13‬‬

‫روﺷﻬﺎي رﺳﺎﻧﺎﻳﻲ ﺣﺮارﺗﻲ و آﻧﺘﺎﻟﭙﻲ‬ ‫ﺧﻮاص ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ‬ ‫‪14‬‬

‫‪5‬‬
‫ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي روش ﻫﺎي اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ اول‬

‫‪ -3-1‬ﻃﺒﻘﻪﺑﻨﺪي روشﻫﺎي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺑﺮ اﺳﺎس ﻣﺎﻫﻴﺖ ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ‬

‫ﻫﻤﺎﻧﻄﻮري ﻛﻪ در ﺑﺨﺶ ﻗﺒﻞ دﻳﺪه ﺷﺪ‪ ،‬ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪيﻫﺎي ﮔﻮﻧﺎﮔﻮﻧﻲ ﺑﺮاي روشﻫﺎي‬

‫ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻮاد ﭘﻴﺸﻨﻬﺎد ﺷﻮد‪ ،‬وﻟﻲ ﺳﺎدهﺗﺮﻳﻦ و ﻗﺎﺑﻞ ﻗﺒﻮلﺗﺮﻳﻦ آﻧﻬﺎ‪ ،‬ﺑﺮ ﻣﺒﻨﺎي ﻣﺎﻫﻴﺖ ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ و ﻳﺎ آﻧﺎﻟﻴﺰ اﺳﺖ‬
‫اﮔﺮ ﻫﺪف از ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ‪ ،‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻧﻮع ﻋﻨﺼﺮ ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬در اﺻﻄﻼح ﺑﻪ اﻳﻦ روش آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺼﺮي‬

‫ﮔﻮﻳﻨﺪ‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ‪ ،‬ﻧﻮع ﻋﻨﺼﺮ ﺑﺪون ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﻠﻮرﻳﻦ آن ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻳﻦ ﻧﻮع ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ را ﻛﻪ از‬
‫ﻧﻈﺮ ﺗﺎرﻳﺨﻲ ﻗﺪﻳﻤﻲﺗﺮﻳﻦ روش اﺳﺖ‪ ،‬آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻧﻴﺰ ﻣﻲﮔﻮﻳﻨﺪ‪ .‬روش دﻳﮕﺮ ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ‪ ،‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻧﻮع ﻓﺎزﻫﺎﺳﺖ‬
‫ﻛﻪ ﺑﻪ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻓﺎزي ﻣﺸﻬﻮر اﺳﺖ‪ .‬در اﻳﻦ روش‪ ،‬ﻧﻮع ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﻠﻮرﻳﻦ ﻳﺎ ﻛﺎﻧﻲﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻣﺎده ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل ﺑﻪ ﻛﻤﻚ اﻳﻦ روش‪ ،‬ﻧﻮع ﻣﻮاد ﻣﻌﺪﻧﻲ ﻣﻮﺟﻮد در ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺧﺎك رس ﻣﺼﺮﻓﻲ در ﺻﻨﺎﻳﻊ‬
‫ﺳﺮاﻣﻴﻚ‪ ،‬ﻣﺎﻧﻨﺪ ﻛﻮارﺗﺰ )‪ ،(SiO2‬ﻛﺎﺋﻮﻟﻴﻨﻴﺖ )‪ ، (Al2O3 2SiO2 2H2O‬ﺗﺎﻟﻚ )‪ (3MgO 4SiO2 H2O‬و ﻣﺎﻧﻨﺪ‬

‫آﻧﻬﺎ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪ .‬ﺣﺎل آﻧﻜﻪ‪ ،‬در روش آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺼﺮي‪ ،‬ﻓﻘﻂ ﻣﻘﺪار ﺳﻴﻠﻴﺴﻴﻢ )‪ ،(Si‬آﻟﻮﻣﻴﻨﻴﻢ )‪ ،(Al‬ﻣﻨﻴﺰﻳﻢ‬

‫)‪ (Mg‬و ﺷﺎﻳﺪ اﻛﺴﻴﮋن و ﻫﻴﺪروژن ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺷﻮﻧﺪ و ارزﻳﺎﺑﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﻠﻮرﻳﻦ ﻣﺎده‪ ،‬ﺑﻪ ﮔﻤﺎن و ﭘﻴﺶﺑﻴﻨﻲ‬
‫آزﻣﺎﻳﺶ ﻛﻨﻨﺪه واﺑﺴﺘﻪ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪ .‬در ﺷﻜﻞ‪ 1‬دﺳﺘﻪﺑﻨﺪي ﻛﻠﻲ روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ و ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻮاد دﻳﺪه ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ و آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﻮاد‬

‫آﻧﺎﻟﻴﺰ رﻳﺰﺳﺎﺧﺘﺎري‬ ‫آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻓﺎزي‬ ‫آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺼﺮي‬

‫)آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ(‬ ‫)آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﻌﺪﻧﻲ(‬ ‫)آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ(‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -1‬دﺳﺘﻪﺑﻨﺪي ﻛﻠﻲ روشﻫﺎي و آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﻮاد‬

‫در اﻳﻦ ﺷﻜﻞ‪ ،‬ﮔﺮوه دﻳﮕﺮي از روشﻫﺎي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻮاد‪ ،‬ﺗﺤﺖ ﻋﻨﻮان آﻧﺎﻟﻴﺰ رﻳﺰﺳﺎﺧﺘﺎري ﻣﻌﺮﻓﻲ ﺷﺪهاﻧﺪ‪.‬‬

‫ﻣﻨﻈﻮر از آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻳﺎ ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ رﻳﺰﺳﺎﺧﺘﺎري‪ ،‬ﻫﻤﺎن ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ اﺳﺖ‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ‪ ،‬ﺷﻜﻞ‪ ،‬اﻧﺪازه و‬

‫ﺗﻮزﻳﻊ ﻓﺎزﻫﺎ ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﺎﻳﺪ ﺗﻮﺟﻪ داﺷﺖ ﻛﻪ در وﻳﮋﮔﻲﻫﺎي ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬ﻧﻪ ﺗﻨﻬﺎ ﻧﻮع ﻓﺎزﻫﺎ‪ ،‬ﺑﻠﻜﻪ ﺷﻜﻞ‪،‬‬

‫اﻧﺪازه و ﺗﻮزﻳﻊ آﻧﻬﺎ ﻧﻴﺰ اﺛﺮ ﮔﺬار ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ اﻳﻦ وﻳﮋﮔﻲﻫﺎ در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ و ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر‬

‫ارزﻳﺎﺑﻲ رﻓﺘﺎر ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺿﺮوري اﺳﺖ‪ .‬در ﺣﻘﻴﻘﺖ‪ ،‬ﺗﻮﺳﻌﻪ داﻧﺶ و آﮔﺎﻫﻲ در ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﺎﻫﻴﺖ ﻣﻮاد‪ ،‬در ﭼﻨﺪ دﻫﻪ‬

‫‪6‬‬
‫ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي روش ﻫﺎي اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ اول‬

‫اﺧﻴﺮ‪ ،‬ﺑﻪ ﻣﻘﺪار زﻳﺎدي در ﮔﺮوه آﻧﺎﻟﻴﺰ رﻳﺰﺳﺎﺧﺘﺎري ﺑﻮده اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻪ وﻳﮋه ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﻛﺎﻣﭙﻮزﻳﺖﻫﺎ‪ ،‬ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﻮاد‬

‫ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ ﺟﺪﻳﺪ‪ ،‬ﺑﺪون ﺑﻬﺮهﮔﻴﺮي از روشﻫﺎي ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ اﻣﻜﺎن ﻧﺪاﺷﺖ‪.‬‬

‫ﺗﻤﺎم روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ و ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻮاد‪ ،‬در ﻳﻜﻲ از اﻳﻦ ﺳﻪ ﮔﺮوه ﻗﺮار ﻣﻲ ﮔﻴﺮد‪ .‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﺣﺎل دو ﻧﻮع آﻧﺎﻟﻴﺰ‬

‫دﻳﮕﺮ ﻧﻴﺰ وﺟﻮد دارد ﻛﻪ ﺑﻪ ﺧﺎﻃﺮ اﻫﻤﻴﺖ ﻛﺎرﺑﺮدي و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﺮﺧﻲ ﺗﻔﺎوتﻫﺎ‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ آﻧﻬﺎ را از اﻳﻦ ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ‬

‫ﺟﺪا و ﺑﻪ ﮔﻮﻧﻪاي ﻣﺴﺘﻘﻞ ﻣﻄﺮح ﻛﺮد‪ .‬اﻳﻦ دو ﻧﻮع‪ ،‬ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺳﻄﺢ و آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺣﺮارﺗﻲ‪ .‬ﺑﺤﺚ ﺳﻄﺢ در‬
‫ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ ﻧﻮﻳﻦ ﻣﻮاد ﺟﺎﻳﮕﺎه وﻳﮋهاي ﻳﺎﻓﺘﻪ اﺳﺖ‪ .‬در اﺻﻞ‪ ،‬ﺳﻄﺢ ﻣﻮاد ﺟﺎﻣﺪ ﺑﻪ ﺧﺎﻃﺮ ارﺗﺒﺎط ﺑﺎ ﻣﺤﻴﻂ اﻃﺮاف‪،‬‬

‫وﺿﻌﻴﺖ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻳﻜﺴﺎﻧﻲ ﺑﺎ ﺣﺠﻢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻧﺪارد‪ .‬از ﻃﺮف دﻳﮕﺮ در ﺑﺴﻴﺎري از ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ‪ ،‬ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻧﻘﺶ‬

‫ﻣﻬﻤﺘﺮي را ﺑﺎزي ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل‪ ،‬در ﻛﺎﺗﺎﻟﻴﺰورﻫﺎ ﻳﺎ آﺳﺘﺮﻫﺎي ﺿﺪ ﺧﻮردﮔﻲ‪ ،‬واﻛﻨﺶ ﺳﻄﺢ ﺑﺎ ﻋﻮاﻣﻞ‬
‫ﻣﺤﻴﻄﻲ‪ ،‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻛﻨﻨﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻧﻜﺘﻪ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻪ دﻳﮕﺮ‪ ،‬آن اﺳﺖ ﻛﻪ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ در ﺳﻄﺢ ﺑﺎ ﺑﺪﻧﻪ ﺗﻔﺎوت دارد‪.‬‬
‫ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﺑﺎ ﺗﻌﻴﻴﻦ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻛﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬ﻧﻤﻲﺗﻮان در ﻣﻮرد آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺳﻄﺢ ﻗﻀﺎوت ﻛﺮد‪ .‬ﮔﺮوه دﻳﮕﺮي از‬

‫روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ و ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ‪ ،‬ﺑﺎ ﻧﺎم آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺣﺮارﺗﻲ ﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﺑﻪ ﻋﻨﻮان روشﻫﺎي ﻛﻤﻜﻲ در ﺧﺪﻣﺖ‬
‫ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻓﺎزي ﻋﻤﻞ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ اﻳﻦ روشﻫﺎ‪ ،‬اﻃﻼﻋﺎت ﺑﺴﻴﺎر ﻣﻔﻴﺪي از رﻓﺘﺎر ﺣﺮارﺗﻲ ﻣﻮاد در اﺧﺘﻴﺎر ﭘﮋوﻫﺸﮕﺮان‬

‫ﻣﻲﮔﺬارﻧﺪ‪ .‬از اﻳﻦ رو‪ ،‬ﻧﻪ ﺗﻨﻬﺎ ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ آﻧﻬﺎ‪ ،‬ﺑﻠﻜﻪ در ﻃﺮاﺣﻲﻫﺎي ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ ﻧﻴﺰ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬اﻳﻦ‬

‫ﮔﺮوه‪ ،‬در ﻳﻚ ﺷﺎﺧﻪ ﻣﺴﺘﻘﻞ در دﺳﺘﻪﺑﻨﺪي روشﻫﺎي ﺷﻨﺎﺧﺖ ﻗﺮار دارﻧﺪ‪ .‬آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺣﺮارﺗﻲ در ﻛﻠﻴﻪ رﺷﺘﻪﻫﺎي‬
‫ﻣﻮاد و ﺑﻪ وﻳﮋه در رﺷﺘﻪ ﺳﺮاﻣﻴﻚ ﻛﺎرﺑﺮد دارد و اﻫﻤﻴﺖ آن ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺳﺎﺧﺖ ﻣﻮاد ﺟﺪﻳﺪ‪ ،‬روزاﻓﺰون اﺳﺖ‪ .‬در‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 2‬دﺳﺘﻪﺑﻨﺪي ﺟﺰﻳﻲﺗﺮي از روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ و ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻮاد ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ ﭘﻴﺪاﺳﺖ روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ‪ ،‬ﺑﻪ ﭘﻨﺞ ﺷﺎﺧﻪ اﺻﻠﻲ ﺗﻘﺴﻴﻢﺑﻨﺪي ﺷﺪهاﻧﺪ‪ .‬آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺳﻄﺢ‪ ،‬ﺑﻪ دﻟﻴﻞ‬

‫ﻣﺎﻫﻴﺖ ﻋﻨﺼﺮي ﺑﻮدن‪ ،‬در ﻛﻨﺎر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺼﺮي ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻪ‪ ،‬در ﺣﺎﻟﻲ ﻛﻪ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺣﺮارﺗﻲ ﻛﻪ روش ﺗﻜﻤﻴﻠﻲ ﺟﻬﺖ‬
‫ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺑﻪ ﺷﻤﺎر ﻣﻲرود‪ ،‬در اﻧﺘﻬﺎ و ﺑﻌﺪ از آﻧﺎﻟﻴﺰ رﻳﺰﺳﺎﺧﺘﺎري ﻗﺮار دارد‪ .‬ﺑﺎﻳﺪ ﺗﻮﺟﻪ ﻛﺮد ﻛﻪ اﻳﻦ ﭘﻨﺞ ﺷﺎﺧﻪ‪،‬‬
‫اﺻﻠﻲﺗﺮﻳﻦ روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ و ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ را ﻛﻪ ﺑﺮاي ﻋﻠﻢ ﻣﻮاد )ﺑﻪ وﻳﮋه ﺳﺮاﻣﻴﻚ و ﻣﺘﺎﻟﻮرژي( ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز اﺳﺖ‪.‬‬

‫در ﺑﺮ ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﻋﺒﺎرت دﻳﮕﺮ‪ ،‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ ﻣﻲﺗﻮان اﻃﻼﻋﺎت ﻛﺎﻣﻠﻲ در ﻣﻮرد ﻣﻮاد ﻓﻠﺰي‪ ،‬ﺳﺮاﻣﻴﻜﻲ‪،‬‬
‫ﻣﻌﺪﻧﻲ و آﻟﻲ ﺑﻪ دﺳﺖ آورد‪ .‬ﺑﺪﻳﻬﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ روشﻫﺎي ﮔﻮﻧﺎﮔﻮن دﻳﮕﺮي ﻧﻴﺰ وﺟﻮد دارﻧﺪ ﻛﻪ ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي‬

‫ﻣﺘﻌﺪدي دارﻧﺪ و در ﻣﻮاردي ﻣﻲﺗﻮاﻧﻨﺪ ﺑﺴﻴﺎر ﻣﻔﻴﺪ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪.‬‬

‫‪7‬‬
 ‫ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي روش ﻫﺎي اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ اول‬

‫روشﻫﺎي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻮاد‬

‫آﻧﺎﻟﻴﺰ‬ ‫آﻧﺎﻟﻴﺰ‬ ‫آﻧﺎﻟﻴﺰ‬ ‫آﻧﺎﻟﻴﺰ‬ ‫آﻧﺎﻟﻴﺰ‬

‫ﺣﺮارﺗﻲ‬ ‫رﻳﺰﺳﺎﺧﺘﺎري‬ ‫ﻓﺎزي‬ ‫ﻋﻨﺼﺮي‬ ‫ﺳﻄﺢ‬
‫دﻳﻼﺗﻮﻣﺘﺮي )‪(TD‬‬
‫اﻓﺘﺮاﻗﻲ )‪(DTA‬‬

‫ﺗﻮزﻳﻦ ﺣﺮارﺗﻲ )‪(TGA‬‬

‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻧﻮري )‪(OM‬‬

‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ )‪(SEM‬‬

‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﺒﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري )‪(TEM‬‬

‫ﭘﺮاش ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ )‪(XRD‬‬

‫ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺟﺬب اﺗﻤﻲ )‪(AAS‬‬

‫ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﻧﺸﺮي ﺷﻌﻠﻪ )‪(FES‬‬

‫ﻓﻠﻮرﺳﺎﻧﺲ ﭘﺮﺗﻮ‪(XRF) X‬‬

‫ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ ﻳﻮن ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ)‪(SIMS‬‬

‫ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﻓﻮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮون ﭘﺮﺗﻮ‪(XPS) X‬‬

‫ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ اﻟﻜﺘﺮون اوژه )‪(AES‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -2‬دﺳﺘﻪﺑﻨﺪي ﺟﺰﻳﻲ روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ و ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻮاد‬

‫ﻣﺮاﺟﻊ‬

‫‪ -1‬ﻣﻐﺮﺑﻲ‪ ،‬ﺷﺎﻫﻮردي‪ ،‬ﺳﻤﺖ و ﺳﻮي ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت در ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ‪ ،‬ﭘﺎﻳﻴﺰ ‪ ،1383‬ﭼﺎپ اول‪ ،‬ص‪344‬‬

‫‪ -2‬ﻣﻌﺼﻮﻣﻲ ﻋﻠﻲ‪ ،‬ﺷﻴﻤﻲ دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ ‪ ،‬داﻧﺸﮕﺎه آزاد اﺳﻼﻣﻲ واﺣﺪ ﺗﻬﺮان ﺷﻤﺎل‪ ،‬ﭼﺎپ اول ‪ ،1374‬ص ‪544‬‬

‫‪ -3‬آزاد و ﻫﻤﻜﺎران ‪ ،‬اﺻﻮل ﺗﺠﺰﻳﺔ دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ‪ ،‬ﺟﻠﺪ اول ﻣﺮﻛﺰ ﻧﺸﺮ داﻧﺸﮕﺎﻫﻲ‪ ،‬ﭼﺎپ ﭼﻬﺎرم ‪ ،1374‬ص ‪456‬‬

‫‪ -4‬ﮔﻠﺴﺘﺎﻧﻲ ﻓﺮد و ﻫﻤﻜﺎران‪ ،‬روش ﻫﺎي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ و آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﻮاد‪ ،‬داﻧﺸﮕﺎه ﻋﻠﻢ و ﺻﻨﻌﺖ‪ ،1383 ،‬ص‪361‬‬

‫‪8‬‬
 ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬

‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣﻘﺪﻣﻪ‬

‫در اﻳﻦ ﻓﺼﻞ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻫﻤﻴﺖ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت در ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﻣﻮاد آﻟﻲ‬

‫و ﻣﻌﺪﻧﻲ‪ ،‬ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﻴﻮﻟﻮژﻳﻚ و ﻏﻴﺮه ﻛﻪ ﻧﻘﺶ ﻣﻬﻤﻲ را در ﭘﻴﺸﺒﺮد ﻋﻠﻮم ﻣﺨﺘﻠﻒ زﻳﺴﺘﻲ‪،‬‬

‫ﺷﻴﻤﻲ و ﻓﻴﺰﻳﻚ ﺑﺎزي ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ ﺑﻪ ﻣﻌﺮﻓﻲ ﺑﺮﺧﻲ از روش ﻫﺎي اﻧﺪازهﮔﻴﺮي از ﺟﻤﻠﻪ ‪،STM ،AFM‬‬

‫‪،NMR ،FTIR ،SIMS ،XPS ،XRF ،XRD ،RBS ،FIB ،AES ،TEM ،ESEM ،SEM ،SNOM‬‬

‫‪ MS ،HPLC ،RAMAN‬و ‪ GC‬ﭘﺮداﺧﺘﻪ ﻣﻲ ﺷﻮد‪ .‬ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ و ﻣﺤﺪودﻳﺖ ﻫﺎي آﻧﻬﺎ ﻣﻄﺮح ﻣﻲ ﺷﻮد و در‬

‫ﻧﻬﺎﻳﺖ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻛﺸﻮر در زﻣﻴﻨﻪ اﻳﻦ ﺗﺠﻬﻴﺰات ﻧﻴﺰ ﻛﻪ در آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻫﺎي ﻋﻀﻮ ﺷﺒﻜﻪ‬

‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎﻫﻲ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ ﻣﻮﺟﻮد ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﻣﻄﺮح ﻣﻲ ﺷﻮد‪.‬‬

‫‪10‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪ -1-2‬ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻧﻴﺮوي اﺗﻤﻲ)‪(AFM‬‬

‫ﻣﻴﻜﺮﺳﻜﻮپ ﻧﻴﺮوي اﺗﻤﻲ ﻳﺎ ‪ 1 AFM‬دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺑﺮرﺳﻲ ﺧﻮاص و ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺳﻄﺤﻲ ﻣـﻮاد در‬

‫اﺑﻌﺎد ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﺑﻜﺎر ﻣﻲ رود‪ .‬اﻧﻌﻄﺎف ﭘﺬﻳﺮي‪ ،‬ﺳﻴﮕﻨﺎﻟﻬﺎي ﺑـﺎﻟﻘﻮة ﻣﺘﻌـﺪد‪ ،‬و اﻣﻜـﺎن ﻋﻤﻠﻜـﺮد دﺳـﺘﮕﺎه در ﻣـﺪﻫﺎي‬

‫ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻣﺤﻘﻘﻴﻦ را در ﺑﺮرﺳﻲ ﺳﻄﻮح ﮔﻮﻧﺎﮔﻮن‪ ،‬ﺗﺤﺖ ﺷﺮاﻳﻂ ﻣﺤﻴﻄـﻲ ﻣﺘﻔـﺎوت ﺗﻮاﻧﻤﻨـﺪ ﺳـﺎﺧﺘﻪ اﺳـﺖ ‪ .‬اﻳـﻦ‬

‫دﺳﺘﮕﺎه اﻣﻜﺎن ﻋﻤﻠﻜﺮد در ﻣﺤﻴﻂ ﺧﻼء‪ ،‬ﻫﻮا‪ ،‬و ﻣﺎﻳﻊ را دارد ‪ .‬ﺑﺮ ﺧﻼف اﻛﺜﺮ روﺷﻬﺎي ﺑﺮرﺳﻲ ﺧﻮاص ﺳﻄﻮح‪،‬‬

‫در اﻳﻦ روش ﻏﺎﻟﺒﺎً ﻣﺤﺪودﻳﺖ اﺳﺎﺳﻲ ﺑﺮ روي ﻧﻮع ﺳـﻄﺢ و ﻣﺤـﻴﻂ آن وﺟـﻮد ﻧـﺪارد‪ .‬ﺑـﺎ اﻳـﻦ دﺳـﺘﮕﺎه اﻣﻜـﺎن‬

‫ﺑﺮرﺳﻲ ﺳﻄﻮح رﺳﺎﻧﺎ ﻳﺎ ﻋﺎﻳﻖ‪ ،‬ﻧﺮم ﻳﺎ ﺳﺨﺖ‪ ،‬ﻣﻨﺴﺠﻢ ﻳﺎ ﭘﻮدري‪ ،‬ﺑﻴﻮﻟﻮژﻳـﻚ و آﻟـﻲ ﻳـﺎ ﻏﻴـﺮ آﻟـﻲ وﺟـﻮد دارد ‪.‬‬

‫ﺧﻮاص ﻗﺎﺑﻞ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﺑﺎ اﻳﻦ دﺳﺘﮕﺎه ﺷﺎﻣﻞ ﻣﻮرﻓﻮﻟﻮژي ﻫﻨﺪﺳﻲ‪ ،‬ﺗﻮزﻳﻊ ﭼﺴﺒﻨﺪﮔﻲ‪ ،‬اﺻـﻄﻜﺎك‪ ،‬ﻧﺎﺧﺎﻟـﺼﻲ‬

‫ﺳﻄﺤﻲ‪ ،‬ﺟﻨﺲ ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ‪ ،‬ﻛﺸﺴﺎﻧﻲ‪ ،‬ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ‪ ،‬ﺑﺰرﮔﻲ ﭘﻴﻮﻧﺪﻫﺎي ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ‪ ،‬ﺗﻮزﻳﻊ ﺑﺎرﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬

‫ﺳﻄﺤﻲ‪ ،‬و ﻗﻄﺒﺶ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬در ﻋﻤﻞ از اﻳﻦ ﻗﺎﺑﻠﻴﺘﻬﺎ ﺑﺮاي ﺑﺮرﺳـﻲ ﺧـﻮردﮔﻲ‪ ،‬ﺗﻤﻴـﺰي‪،‬‬

‫ﻳﻜﻨﻮاﺧﺘﻲ‪ ،‬زﺑﺮي‪ ،‬ﭼﺴﺒﻨﺪﮔﻲ‪ ،‬اﺻﻄﻜﺎك‪ ،‬اﻧﺪازه وﻏﻴﺮه اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲ ﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻧﺤﻮه ﻋﻤﻠﻜﺮد‪AFM‬‬

‫ﺷﻜﻞ)‪ (1‬ﺑﻄﻮر ﻧﻤﺎدﻳﻦ اﺟﺰاي اﺻﻠﻲ دﺳﺘﮕﺎه ‪ AFM‬را ﻧﺸﺎن ﻣﻲ دﻫﺪ‪.‬‬

‫‪1‬‬
‫‪-Atomic Force Microscope‬‬

‫‪11‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -1‬ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ اﺻﻮل ﻋﻤﻠﻜﺮد ‪AFM‬‬

‫اﺻﻮل ﻛﻠﻲ ﻛﺎر ‪ AFM‬ﺑﺪﻳﻦ ﺻﻮرت اﺳﺖ ﻛﻪ ﻳﻚ ﺳﻮزن‪ 2‬ﺑﺴﻴﺎر ﺗﻴﺰ و ﻇﺮﻳـﻒ ﺑـﻪ ﻧـﻮك ﻳـﻚ ﺷـﻲء ﺑـﺎ‬

‫ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ ارﺗﺠﺎع ﺑﻪ ﻧﺎم ﺗﻴﺮك‪ 3‬وﺻﻞ ﺷﺪه و ﺳﺮ دﻳﮕﺮ ﺗﻴﺮك ﺑﻪ ﻳﻚ ﺑﺎزوي ﭘﻴﺰو اﻟﻜﺘﺮﻳﻚ ﻣﺘـﺼﻞ ﺷـﺪه اﺳـﺖ ‪.‬‬

‫ﭘﺸﺖ ﻟﺮزاﻧﻚ ﺑﺎ ﻳﻚ ﻻﻳﻪ ﻧﺎزك از ﻓﻠﺰ‪ ،‬ﺑﺮاي ﺑﻬﺒﻮد اﻧﻌﻜﺎس ﺑﺎرﻳﻜﻪ ﻟﻴﺰر از آن‪ ،‬روﻛﺶ ﺷﺪه اﺳـﺖ ‪ .‬اﻧﻌﻜـﺎس‬

‫ﺑﺎرﻳﻜﻪ ﻟﻴﺰر ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر آﮔﺎﻫﻲ از ﺟﻬﺘﮕﻴﺮي ﺗﻴﺮك در ﻓﻀﺎ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﺎ اﻋﻤﺎل اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺑﻪ ﭘﻴﺰو‬

‫اﻟﻜﺘﺮﻳﻚ‪ 4‬در راﺳﺘﺎﻫﺎي ‪ y ، x‬و ‪ Z‬ﻣﺤﻞ اﺗﺼﺎل ﺗﻴﺮك ﺑﻪ ﭘﻴﺰواﻟﻜﺘﺮﻳﻚ را ﻣﻲ ﺗﻮان ﺑـﻪ ﻫـﺮ ﻧﻘﻄـﺔ دﻟﺨـﻮاه از‬

‫ﻓﻀﺎي ﺳﻪ ﺑﻌﺪي‪ ،‬ﺑﺎ دﻗﺖ آﻧﮕﺴﺘﺮوم ‪ ،‬ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻛﺮد‪.‬‬

‫‪2‬‬
‫‪- Tip‬‬

‫‪3‬‬
‫‪- Cantilever‬‬

‫‪ -4‬ﭘﻴﺰو اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻬﺎ ﻧﻮﻋﻲ ﺳﺮاﻣﻴﻚ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﻛﻪ ﺑﺎ اﻋﻤﺎل اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﺑﻪ دو ﺳﺮ آن ﻃﻮل آن از ﻣﺮﺗﺒﺔ ﻳﻚ آﻧﮕﺴﺘﺮوم ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲ ﻛﻨﺪ ‪ .‬از اﻳﻦ ﻣﻮاد‬
‫ﺑﺮاي ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻴﻬﺎي ﺑﺴﻴﺎر دﻗﻴﻖ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲ ﺷﻮد‪.‬‬

‫‪12‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫از ﻃﺮﻓﻲ ﺑﻪ ﻫﻨﮕﺎم ﻣﺠﺎورت ﺳﻮزن ﺑﺎ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬ﻧﻴﺮوﻳﻲ ﺑﻪ ﺳﻮزن وارد ﻣﻲ ﺷﻮد ﻛﻪ ﺑﺰرﮔﻲ و ﺟﻬﺖ آن‬

‫واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻓﺎﺻﻠﺔ ﻧﻮك ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ وﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻧﻮع ﺳﻄﺢ اﺳﺖ‪) .‬ﺷﻜﻞ‪(2‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -2‬ﻣﻨﺤﻨﻲ ﺗﺎﺑﻌﻴﺖ ﻧﻴﺮوي وارد ﺑﺮ ﺳﻮزن از ﻓﺎﺻﻠﻪ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ‬

‫ﻧﻴﺮوي ﻧﺎﺷﻲ از ﺳﻄﺢ ﺑﺎﻋﺚ ﺧﻢ ﺷﺪن ﺗﻴﺮك ﻣﻲ ﺷﻮد و ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴﺰر در ﺻﻔﺤﺔ ﻋﻤﻮد ﺑـﺮ اﻓـﻖ ﺟﺎﺑﺠـﺎ ﻣـﻲ‬

‫ﺷﻮد‪ .‬در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺑﺎ آﮔﺎﻫﻲ از ﻣﻴﺰان ﺧﻤﻴﺪﮔﻲ ﺗﻴـﺮك ﺗﻮﺳـﻂ دﻳﻮدﻫـﺎي ﻧـﻮري و از ﻃﺮﻓـﻲ ﻣﻌﻠـﻮم ﺑـﻮدن ﻣﻜـﺎن‬

‫اﻧﺘﻬﺎﻳﻲ ﺗﻴﺮك‪ ،‬ﻣﻮﻗﻌﻴﺖ ﻓﻀﺎﻳﻲ ﺳﻮزن ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲ ﺷﻮد‪ .‬از ﺳﻮي دﻳﮕﺮ ﻣﻴﺰان ﺧﻤﻴﺪﮔﻲ ﺗﻴﺮك ﺑﻴـﺎﻧﮕﺮ ﻓﺎﺻـﻠﻪ‬

‫ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﺸﺨﺺ ﺑﻮدن ﻣﻮﻗﻌﻴﺖ ﻓﻀﺎﻳﻲ ﺳﻮزن‪ ،‬ﻣﻮﻗﻌﻴـﺖ ﻓـﻀﺎﻳﻲ ﺳـﻄﺢ ﺗﻌﻴـﻴﻦ ﻣـﻲ‬

‫ﺷﻮد‪.‬‬

‫‪5‬‬
‫ﺑــﺎ ﺗﻐﻴﻴــﺮ ﭘﻴﻮﺳــﺘﺔ اﺧــﺘﻼف وﻟﺘﺎژﻫــﺎي اﻋﻤــﺎل ﺷــﺪه ﺑــﻪ ﭘﻴﺰواﻟﻜﺘﺮﻳــﻚ‪ ،‬ﺳــﻮزن ﺳــﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧــﻪ را ﺟــﺎروب‬

‫ﻣﻲ ﻛﻨﺪ و ﺑﺎ ﻣﻜﺎﻧﻴﺰم ﻳﺎد ﺷﺪه ﻣﻮﻗﻌﻴﺖ ﺗﻚ ﺗﻚ ﻧﻘﺎط ﺳﻄﺢ ﻣﻌﻴﻦ ﻣﻲ ﺷﻮد و ﻧﺘﻴﺠﻪ در ﻧﻤﺎﻳﺸﮕﺮ ﻳﻚ ﻛـﺎﻣﭙﻴﻮﺗﺮ‬

‫ﺑﺼﻮرت ﻳﻚ ﺳﻄﺢ ﺳﻪ ﺑﻌﺪي رﺳﻢ ﻣﻲ ﺷﻮد‪.‬در ﺷﻜﻞ ﻫﺎي ‪ 5 ،4 ،3‬و ‪ 6‬ﻋﻜﺲ ﻫﺎي ﺳﻪ ﺑﻌـﺪي ﺟـﺎﻟﺒﻲ ﺑﻌﻨـﻮان‬

‫ﻣﺜﺎل آورده ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪5‬‬
‫‪-Scanning‬‬

‫‪13‬‬
 ‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -4‬ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ از ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻧﻮاري ‪ DNA‬ﺗﻮﺳﻂ ‪. AFM‬‬ ‫ﺷﻜﻞ ‪ -3‬ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ و ﺳﻪ ﺑﻌﺪي از ﻛﺮوﻣﻮزوﻣﻬﺎي اﻧﺴﺎﻧﻲ‬
‫ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻪ ﻛﻪ ﻗﻄﺮ ‪ 2 nm DNA‬اﺳﺖ‬ ‫ﺗﻮﺳﻂ ‪. AFM‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ - 5‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻫﻨﺪﺳﻪ ﺳﻪ ﺑﻌﺪي ﺳﻄﺢ ﻗﺴﻤﺘﻲ از ﻳﻚ ﻣﺪار ﻣﺠﺘﻤﻊ)‪ (IC‬را ﻧﺸﺎن ﻣﻲ دﻫﺪ ﻛﻪ ﺗﻮﺳﻂ ‪ .AFM‬ﺗﻬﻴﻪ ﺷﺪه‬

‫اﺳﺖ‪) .‬ﻫﺮواﺣﺪاﻓﻘﻲ ﻧﻤﻮدار ‪ 250‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ودرﺟﻪ ﻋﻤﻮدي ‪ 150‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ (‬

‫‪14‬‬
 ‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -6‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻫﻨﺪﺳﻪ ﺳﻪ ﺑﻌﺪي واﺣﺪﻫﺎي ﺣﺎﻓﻈﻪ ‪ CD‬ﺗﻬﻴﻪ ﺷﺪه ﺗﻮﺳﻂ ‪ ) .AFM‬ﻫﺮواﺣﺪاﻓﻘﻲ ﻧﻤﻮدار ‪ 250‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ودرﺟﻪ‬

‫ﻋﻤﻮدي ‪ 75‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ (‬

‫ﻧﻜﺘﻪ اي ﻛﻪ ﺑﺎﻳﺪ ﺑﺮاي ﺑﺪﺳﺖ آوردن ﺑﻬﺘﺮﻳﻦ دﻗﺖ در ﻧﺘﺎﻳﺞ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﺑﻪ آن ﺗﻮﺟﻪ ﻛﻨﻴﻢ اﻳﻦ اﺳـﺖ ﻛـﻪ‬

‫ﺑﺎﻳﺪ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﺟﺎروب ﺳﻄﺤﻲ ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳـﻄﺢ در ﻣﺤـﺪودة ﻣﻨﺎﺳـﺒﻲ ﺑـﺎﻗﻲ ﺑﻤﺎﻧـﺪ ‪ .‬ﭼـﺮا ﻛـﻪ از ﻳـﻚ‬

‫ﻃﺮف ﻓﺎﺻﻠﺔ زﻳﺎد )در اﻳﻦ ﻧﻮاﺣﻲ ﻧﻴﺮوي ﺟﺎذﺑﻪ اﺳﺖ( ﻣﻮﺟـﺐ ﻛـﻢ ﺷـﺪن ﻣﻴـﺰان اﻧﺤـﺮاف ﻟﺮزاﻧـﻚ و ﻛـﺎﻫﺶ‬

‫ﻧﺴﺒﺖ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﻪ ﻧﻮﻳﺰ در ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻮﻟﻔﺔ ‪ Z‬ﻣﻜﺎن ﺳﻄﺢ ﻣﻲ ﺷﻮد‪ .‬از ﻃﺮف دﻳﮕـﺮ ﻓﺎﺻـﻠﺔ ﺑـﺴﻴﺎر ﻧﺰدﻳـﻚ ﻣﻮﺟـﺐ‬

‫وارد ﺷﺪن ﻧﻴﺮوي زﻳﺎد ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﻣﻲ ﺷﻮد ﻛﻪ ﻋﻼوه ﺑﺮ آﺳﻴﺐ زدن ﺑﻪ ﺳـﺎﺧﺘﺎر ﺳـﻄﺢ و ﺳـﻮزن ﻣﻮﺟـﺐ ﻛـﺎﻫﺶ‬

‫درﺟﺔ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ ‪ .‬ﺑﻌﻨﻮان ﻣﺜﺎل در ﻣﺪ ﺗﻤﺎﺳﻲ ‪) AFM‬ﻧﻴﺮوي ﺑﻴﻦ ﺳـﻮزن و ﺳـﻄﺢ داﻓﻌـﻪ اﺳـﺖ( ﺑـﺮاي‬

‫‪-9‬‬
‫ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪن ﺑﻬﺘﺮﻳﻦ ﻧﺘﺎﻳﺞ‪ ،‬ﻓﺎﺻﻠﻪ در ﺣﺪود ﭼﻨﺪ آﻧﮕﺴﺘﺮوم ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻣﻲ ﺷﻮد ﻛﻪ ﻧﻴﺮوي داﻓﻌﻪاي ﺑﻪ ﺑﺰرﮔﻲ ‪N‬‬

‫‪ 10‬ﺗﻮﺳﻂ ﺳﻮزن ﺑﻪ ﺳﻄﺢ وارد ﺷﻮد‪ .‬ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﺛﺎﺑﺖ ﻣﺎﻧﺪن ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳـﻮزن از ﺳـﻄﺢ ﺣـﻴﻦ روﺑـﺶ ﺳـﻄﺤﻲ‪ ،‬ﺑﻄـﻮر‬

‫ﭘﻴﻮﺳﺘﻪ ﺑﻮﺳﻴﻠﺔ ﻳﻚ ﻣﺪار ﻓﻴﺪﺑﻚ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ ﺻﻮرت ﻣﻲﮔﻴﺮد‪.‬‬

‫آﺷﻜﺎر ﺳﺎزي ﺟﻬﺘﮕﻴﺮي ﺗﻴﺮك‬

‫ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ در ﻗﺒﻞ اﺷﺎره ﺷﺪ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺟﻬﺖﮔﻴﺮي ﺗﻴﺮك ) ﻣﻴﺰان و ﻧﺤﻮة ﺧﻤﻴﺪﮔﻲ ﺗﻴﺮك( ﺑﻮﺳﻴﻠﺔ آﺷﻜﺎر‬

‫‪15‬‬
 ‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬
‫‪r‬‬
‫ﺳﺎز اﻧﻌﻜﺎس ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴﺰر از ﭘﺸﺖ آن ﺻﻮرت ﻣﻲﮔﻴﺮد ) اﮔﺮ ﺑﺮدار ‪ θ‬ﺑﻴﺎﻧﮕﺮ زاوﻳﺔ ﺑﻴﻦ ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴـﺰر ﻓـﺮودي و‬
‫‪r‬‬
‫ﺑﺎزﺗﺎﺑﻴﺪه ﺑﺎﺷﺪ آﻧﮕﺎه ﺟﻬﺘﮕﻴﺮي ﺗﻴﺮك ‪ 2θ‬ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد(‪ .‬ﻣﻴﺰان ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻜﺎن ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴـﺰر ﺑﺎزﺗﺎﺑﻴـﺪه ﺑﻮﺳـﻴﻠﺔ ﻳـﻚ‬

‫دﻳﻮد ﻧﻮري‪6‬ﭼﻬﺎرﻣﻨﻄﻘﻪ اي ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﺣﺎﻟﺖ ﻋﺎدي ﻛﻪ ﻟﺮزاﻧﻚ ﻫﻴﭻ اﻧﺤﺮاﻓﻲ ﻧـﺪارد )ﺗﺤـﺖ ﻧﻴـﺮوي‬

‫ﻣﻨﺤﺮف ﻛﻨﻨﺪهاي ﻧﻴﺴﺖ( ﺑﺎرﻳﻜﻪ ﺑﺎزﺗﺎﺑﻴﺪه در ﻣﺮﻛﺰ دﻳﻮد ﻧﻮري ﻗﺮار دارد ﺑﮕﻮﻧﻪ اي ﻛﻪ ﺑـﻪ ﻣﻴـﺰ ان ﻣـﺴﺎوي ﻫـﺮ‬

‫ﻳﻚ از ﻧﻮاﺣﻲ ﭼﻬﺎر ﮔﺎﻧﻪ را ﻣﻲ ﭘﻮﺷﺎﻧﺪ‪.‬‬

‫ﺧﻢ ﺷﺪن ﺗﻴﺮك‪ ،‬ﻛﻪ ﺑﺮاﺛﺮ ﻧﻴﺮوي ﺳﻄﺢ ﺑﻪ ﺳﻮزن ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺑﺎﻋﺚ ﺟﺎﺑﺠـﺎﻳﻲ ﺑﺎرﻳﻜـﺔ ﺑﺎزﺗﺎﺑﻴـﺪه در ﺻـﻔﺤﺔ‬

‫ﻋﻤﻮد ﺑﺮ اﻓﻖ )و در ﺑﺮدارﻧﺪة ﺗﻴﺮك( و ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻧﺴﺒﺖ ﭘﻮﺷﺶ ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴﺰر در ﻧﻴﻤﺔ ﺑﺎﻻﻳﻲ و ﭘﺎﻳﻴﻨﻲ دﻳﻮد ﻧﻮري ﻣـﻲ‬

‫ﺷﻮد‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﭘﻴﭽﺶ‪7‬ﺗﻴﺮك ﺣﻮل ﻣﺤﻮر آن‪ ،‬ﻛﻪ ﺑﻮاﺳﻄﺔ ﻧﻴﺮوي ﻋﻤﻮد ﺑﺮ ﺳﻮزن اﺳﺖ‪ ،‬ﺑﺎﻋـﺚ ﺟﺎﺑﺠـﺎﻳﻲ اﻓﻘـﻲ‬

‫ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﺑﺎزﺗﺎﺑﻴﺪه و ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻧﺴﺒﺖ ﭘﻮﺷﺶ ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴﺰر در ﻧﻴﻤﺔﺳﻤﺖ راﺳﺖ و ﺳﻤﺖ ﭼﭗ ﻣﻲ ﺷﻮد‪) .‬ﺷﻜﻞ‪(8‬‬

‫‪r‬‬ ‫‪r‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ - 8‬ﺧﻤﻴﺪﮔﻲ ‪ α‬ﺗﻴﺮك ﻣﻮﺟﺐ ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲ ‪2α‬‬ ‫ﺷﻜﻞ‪ - 7‬در ﺑﻴﺎن ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲ ﻋﻤﻮدي واﻓﻘﻲ ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴﺰر ﺑﺎزﺗﺎﺑﻴﺪه ﺑﻪ‬

‫ﺗﺮﺗﻴﺐ ﺑﺮ اﺛﺮ ﻧﻴﺮوي ﻋﻤﻮد وﻣﻤﺎس ﺑﺮ اﻓﻖ وارد ﺑﺮ ﺗﻴﺮك‬

‫ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴﺰر ﺑﺎزﺗﺎﺑﻴﺪه ﺑﺮ روي دﻳﻮد ﻧﻮري ﻣﻴﺸﻮد ‪.‬‬

‫از ﻃﺮﻓﻲ دﻳﻮد ﻧﻮري اﻳﻦ ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ را دارد ﻛﻪ ﺷﺪت ﻧﻮر ﻟﻴﺰر را در ﻫـﺮ ﻛـﺪام از ﻧـﻮاﺣﻲ ﭼﻬﺎرﮔﺎﻧـﻪ اﻧـﺪازه‬

‫ﮔﻴــﺮي ﻛﻨــﺪ )اﻳــﻦ دﻳﻮدﻫــﺎ از ﻣــﻮادي ﺳــﺎﺧﺘﻪ ﺷــﺪه اﻧــﺪ ﻛــﻪ ﻧــﻮر ﻓــﺮودي را ﺑــﻪ ﺟﺮﻳــﺎن اﻟﻜﺘﺮﻳﻜــﻲ ﺗﺒــﺪﻳﻞ‬

‫‪6‬‬
‫‪-Photodiode‬‬

‫‪7‬‬
‫‪-Twisting‬‬

‫‪16‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣــﻲ ﻛﻨﻨــﺪ( در اﻳﻨــﺼﻮرت از روي ﻧــﺴﺒﺖ ﭘﻮﺷــﺶ ﻧــﻮاﺣﻲ ﭼﻬﺎرﮔﺎﻧــﻪ ﺑــﺎ ﻣﺤﺎﺳــﺒﺎت ﺳــﺎدة ﻫﻨﺪﺳــﺔ ﺗﺤﻠﻴﻠــﻲ‬

‫ﻣﻲ ﺗﻮان ﻣﻴﺰان اﻧﺤﺮاف اﻓﻘﻲ و ﻋﻤﻮد ﺑﺮ اﻓﻖ ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴﺰر را ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻛﺮد‪.‬‬

‫ﻗﺎﺑــﻞ ﺗﻮﺟــﻪ اﻳﻨﻜــﻪ ﻣﺎﻫﻴــﺖ روش ﺑﻜــﺎر ﮔﺮﻓﺘــﻪ ﺷــﺪه ﺑــﺮاي ﺗﻌﻴــﻴﻦ ﺗﻐﻴﻴــﺮ ﺟﻬــﺖﮔﻴــﺮي ﺗﻴــﺮك اﻳﺠــﺎب‬

‫ﻣﻲ ﻛﻨﺪ ﻛﻪ ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲ ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻟﻴﺰر ﺑﺎزﺗﺎﺑﻴﺪه ﺑﺮ روي دﻳﻮد ﻧﻮري ﺣﺪود ‪ 2000‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺗﻐﻴﻴﺮ در ﺧﻤﻴـﺪﮔﻲ ﻟﺮزاﻧـﻚ‬

‫ﺑﺎﺷﺪ و ﻫﻤﻴﻦ ﻧﻜﺘﻪ ﺑﺎﻋﺚ ﺗﻮاﻧﺎﻳﻲ ‪ AFM‬در آﺷﻜﺎر ﺳﺎزي ﺧﻤﻴﺪﮔﻲﻫﺎﻳﻲ ﺑـﻪ ﺑﺰرﮔـﻲ ﻳـﻚ آﻧﮕـﺴﺘﺮوم ﺗﻴـﺮك‬

‫ﻣﻲ ﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻫﻨﺪﺳﺔ ﺗﻴﺮك‬

‫راﻳﺞ ﺗﺮﻳﻦ ﺗﻴﺮﻛﻬﺎي ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از ﺑﺎزو ﻣﺜﻠﺜﻲ و ﺗﺨﺘـﻪ ﮔﻮﻧـﻪ‪).‬ﺷـﻜﻞ‪ 9‬و‪ (10‬ﻣﻌﻤـﻮﻻً از ﺗﻴـﺮك‬

‫ﺑﺎزو ﻣﺜﻠﺜﻲ ﻫﻨﮕﺎﻣﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﭘﻴﭽﺶ ﻣﺤﻮري‪ 8‬ﺗﻴﺮك ﻧﺎﻣﻄﻠﻮب ﺑﺎﺷﺪ ) ﺑﻪ ﻋﻨـﻮان ﻣﺜـﺎل وﻗﺘـﻲ در ﻣـﺪ‬

‫ﺗﻤﺎﺳﻲ در ﺻﺪد ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻮر ﻓﻮﻟﻮژي ﺳﻄﺢ ﻫﺴﺘﻴﻢ(‪ .‬در زﻳﺮ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻫﻨﺪﺳﻲ ﺗﻴﺮكﻫﺎي ﺳـﺎﺧﺘﻪ ﺷـﺪه ﺗﻮﺳـﻂ‬

‫ﺷﺮﻛﺖ ﻣﻴﻜﺮوﻣﺎﺳﻚ‪ ،9‬ﻳﻜﻲ از ﺳﺎزﻧﺪﮔﺎن ﺗﻮاﻧﺎي ﺳﻮزن و ﺗﻴﺮك در دﻧﻴﺎ اراﺋﻪ ﻣﻲ ﺷﻮد‬

‫ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺗﻴﺮﻛﻬﺎ‬ ‫ﺷﺮﻛﺖ ﻣﻴﻜﺮوﻣﺎﺳﻚ‬ ‫آﻣﺎر ادﻋﺎ ﺷﺪه در ﻧﻮﺷﺘﺠﺎت دﻳﮕﺮان‬

‫ﻃﻮل)‪(µm‬‬ ‫‪90-460‬‬ ‫‪> 10‬‬

‫ﻋﺮض)‪(µm‬‬ ‫‪35-60‬‬ ‫‪>3‬‬

‫ﺿﺨﺎﻣﺖ)‪(µm‬‬ ‫‪7/0-7/5‬‬ ‫‪> 0,1‬‬

‫ﺻﻠﺒﻴﺖ)‪(N/m‬‬ ‫‪0/01-91‬‬ ‫‪0/001-400‬‬

‫ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺗﺸﺪﻳﺪ)‪(kHz‬‬ ‫‪7 -420‬‬ ‫‪3 kHz ~ 10 Mhz‬‬

‫‪8‬‬
‫‪- twisting‬‬
‫‪9‬‬
‫‪- MikroMasch‬‬

‫‪17‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -9‬ﻧﻤﻮﻧﻪ اي از ﺗﻴﺮﻛﻬﺎي ﺑﺎزو ﻣﺜﻠﺜﻲ‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -10‬ﻧﻤﻮﻧﻪ اي از ﺗﻴﺮﻛﻬﺎي ﺗﺨﺘﻪ ﮔﻮﻧﻪ‬

‫ﺳﻮزنﻫﺎ‬

‫ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻣﺪ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ‪ AFM‬و ﺧﺎﺻﻴﺖ ﻣﻮرد اﻧـﺪازهﮔﻴـﺮي از ﺳـﻮزﻧﻬﺎي ﻣﺨﺘﻠﻔـﻲ اﺳـﺘﻔﺎده ﻣـﻲﺷـﻮد‪.‬‬

‫زﻣﺎﻧﻲ ﻛﻪ ﻓﺮاﻳﻨﺪ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻣﺴﺘﻠﺰم وارد ﻛﺮدن ﻧﻴﺮوﻫﺎﻳﻲ ﻓﻮق اﻟﻌﺎده زﻳﺎد از ﺟﺎﻧﺐ ﺳﻮزن ﺑـﻪ ﺳـﻄﺢ ﺑﺎﺷـﺪ از‬

‫ﺳﻮزﻧﻬﺎي اﻟﻤﺎﺳﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺳﻮزﻧﻬﺎي ﺑﺎ روﻛـﺶﻫـﺎي اﻟﻤﺎﺳـﮕﻮﻧﻪ )‪ (DLC‬ﺑـﺮاي اﻳـﻦ ﻣﻨﻈـﻮر‬

‫‪10‬‬
‫ﻳـﺎ ‪ 11SSRM‬ﺑـﺎ ﻧﻴﺮوﻫـﺎﻳﻲ ﺑـﻪ ﺑﺰرﮔـﻲ ‪N‬‬ ‫ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل در اﻳﺠﺎد ﻧﺎﻧﻮ ﺧﺮاﺷـﻬﺎ‬

‫‪18‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪ 10 −5‬ﺳﺮو ﻛﺎر دارﻳﻢ )اﻳﻦ در ﺣﺎﻟﻴﺴﺖ ﻛﻪ در ﻣﺪ ﺗﻤﺎﺳﻲ ﻧﻴﺮوي وارد ﺑﺮ ﺳـﻄﺢ ‪ 10 −9 N‬ﻣـﻲ ﺑﺎﺷـﺪ( و ﺑﺎﻳـﺪ از‬

‫اﻳﻦ ﻧﻮع ﺳﻮزنﻫﺎ اﺳﺘﻔﺎده ﻛﻨﻴﻢ‪.‬‬

‫ازروﻛﺶﻫﺎﻳﻲ ﻧﻈﻴﺮ ‪ Cr - Au‬و ‪ Pt‬ﺑﺮاي ﻣﺤﺎﻓﻈﺖ ﺳﻮزن در ﺑﺮاﺑﺮ ﺷﺮاﻳﻂ ﺧﺸﻦ ﻣﺤﻴﻄﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﺑﺮاي ﺟﻠﻮﮔﻴﺮي از ﺗﺠﻤﻊ ﺑﺎرﻫﺎ )ﻳﺎ ﻳﻮﻧﻬﺎ( در ﺳﻄﺢ ﺳﻮزن ﺧﺼﻮﺻﺎً در ‪ 12EFM‬از روﻛﺶﻫﺎي رﺳﺎﻧﺎﻳﻲ ﻧﻈﻴـﺮ‬

‫‪ TiD ،C2W ، TiN‬و ‪ DLC‬آﻻﻳﻴﺪه‪ 13‬ﺷﺪه اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫در اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺧﻮاص ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻧﻘﺎط ﺳﻄﺢ از ﺳﻮزنﻫﺎﻳﻲ ﺑﺎ روﻛﺶ ﻣﻮاد ﻓﺮو ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻣﺎﻧﻨـﺪ ‪Ni ،Fe‬‬

‫و‪ Co‬اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﻫﻨﺪﺳﻲ ﺳﻮزن ﻛﻪ ﻧﻮع ﻛﺎراﻳﻲ ﺳﻮزن و ﻣﻴﺰان دﻗـﺖ ﻧﺘـﺎﻳﺞ ﺑﺪﺳـﺖ آﻣـﺪه را ﺗﻌﻴـﻴﻦ ﻣـﻲﻛﻨﻨـﺪ‬

‫ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از ﺷﻜﻞ‪ ،‬ﺑﻠﻨﺪي‪ ،‬ﻧﺎزﻛﻲ )زاوﻳﻪ راس ﻫﺮم ﻓﺮﺿﻲ ﻣﻨﻄﺒﻖ ﺑﺮ ﻧﻮاﺣﻲ ﻧﻮك(‪ ،‬ﺗﻴـﺰي )ﺷـﻌﺎع داﻳـﺮه ﻓﺮﺿـﻲ‬

‫ﻣﻨﻄﺒﻖ ﺑﺮ ﻧﻮك(‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -11‬اﻧﻮاع ﺷﻜﻞ ﻫﺎي ﺳﻮزن ﺷﺎﻣﻞ ﻧﻮك ﺗﺨﺖ‪ ،‬ﻧﻮك ﻛﺮوي‪ ،‬ﻧﻮك ‪ T‬ﺷﻜﻞ و ﻧﻮك ﺗﻴﺰ‬

‫ﺳﻮزنﻫﺎي ‪ T‬ﺷﻜﻞ ﺑﺮاي ﻧﻘﺸﻪ ﺑﺮداري و آﺷﻜﺎر ﺳﺎزي ﻓﺮورﻓﺘﮕـﻲﻫـﺎي ﻣﻮﺟـﻮد در ﺑﺨـﺶﻫـﺎي دﻳـﻮاره‬

‫‪10‬‬
‫‪- nano Scratching‬‬
‫‪11‬‬
‫‪- Scanning Spreading Resistance Microscopy‬‬
‫‪12‬‬
‫‪- Flectrostatic Farce Microscopy‬‬
‫‪13‬‬
‫‪- doped‬‬

‫‪19‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣﺎﻧﻨﺪ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲ رود‪ .‬اﻳﻦ در ﺣﺎﻟﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺳﻮزنﻫﺎي ﻧﻮك ﺗﻴﺰ اﻳﻦ ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ را ﻧﺪارﻧﺪ )ﺷﻜﻞ‪.(13‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -12‬ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﻴﻦ ﺳﻮزنﻫﺎي ﻧﻮك ﺗﻴﺰ و ‪ T‬ﺷﻜﻞ‬

‫از ﺳﻮزنﻫﺎي ﻧﻮك ﺗﺨﺖ ﻫﻢ ﺑﺮاي ﺑﺮرﺳﻲ اﺻﻄﻜﺎك ﻧﻮاﺣﻲ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ اﺳـﺘﻔﺎده ﻣـﻲﺷـﻮد‪ .‬ﭼـﺮا ﻛـﻪ‬

‫آﻧﭽﻪ در ﻋﻤﻞ ﺑﻪ ﺻﻮرت اﺻﻄﻜﺎك ﻧﻤﺎﻳﺎن ﻣﻲﺷﻮد رﻓﺘﺎر ﺟﻤﻌﻲ ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ از اﺗﻢ ﻫﺎي ﺳـﻄﺢ اﺳـﺖ و ﻧـﻪ ﻳـﻚ‬

‫ﻧﻘﻄﻪ ﺑﻪ اﻧﺪازه ﻳﻚ اﺗﻢ‪.‬‬

‫ﺳﻮزﻧﻬﺎي ﻛﺮوي ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺳﻄﺢ ﺗﻤﺎس ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺰرﮔﻲ ﻛﻪ ﺑﺎ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ دارﻧﺪ ﻧﻴﺮوي وارد ﺑـﺮ‬

‫واﺣﺪ ﺳﻄﺢ ﺑﺴﻴﺎر ﻧﺎﭼﻴﺰي ﺑﻪ ﺳﻄﺢ وارد ﻣﻲﻛﻨﺪ‪،‬در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻫﺎي ﺑﺴﻴﺎر ﻧـﺮم و ﺣـﺴﺎس ﺑـﺎ اﻳـﻦ روش ﻗﺎﺑـﻞ‬

‫ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬در ﻋﻴﻦ ﺣﺎل ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺑﺮﻫﻤﻜﻨﺶ ﻣﻮﺛﺮ ﻧﺎﺣﻴﻪ وﺳﻴﻌﻲ از ﺳﻄﺢ ﺑﺎ ﻧﻘﺎط ﻣﺘﻌﺪدي از اﻳﻦ ﺳﻮزﻧﻬﺎ‬

‫درﺟﻪ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻧﻬﺎﻳﻲ اﻓﺖ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪.‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ وﻗﺘـﻲ درﺟـﻪ ﺗﻔﻜﻴـﻚ ﺧﻴﻠـﻲ ﺑـﺎﻻ ﺑـﺮاي ﻣﺤﻘﻘـﻴﻦ ﺿـﺮوري‬

‫ﻧﻴﺴﺖ اﻳﻦ ﺳﻮزﻧﻬﺎ وﺳﻴﻠﻪ اﻳﺪه آﻟﻲ ﺑﺮاي ﺗﻬﻴﻪ ﺗﺼﻮﻳﺮ از ﺳﻄﻮح ﻧﺮم و ﺣـﺴﺎس ‪ ،‬ﺑـﺪون ﻧﻴـﺎز ﺑـﻪ اﻳﺠـﺎد ﺷـﺮاﻳﻂ‬

‫ﻣﺤﻴﻄﻲ وﻳﮋه )اﻳﺰوﻟﻪ ﻛﺮدن ارﺗﻌﺎﺷﻲ ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي‪،‬ﻛﺎﻟﻴﺒﺮاﺳﻴﻮﻧﻬﺎي دﻗﻴﻖ(‪ ،‬ﻣﺤﺴﻮب ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ ‪.‬ﺑﻌﻨﻮان‬

‫ﻣﺜﺎل اﻳﻦ ﺳﻮزﻧﻬﺎ ﻛﺎرﺑﺮد وﺳﻴﻌﻲ در ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ اﻧﻮاع ﺳﻄﻮح ﺑﻴﻮﻟﻮژﻳﻚ ﻳﺎﻓﺘﻪاﻧﺪ‪.‬‬

‫‪20‬‬
 ‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻧﺤﻮة ﺑﺮ ﻫﻢﻛﻨﺶ ﺳﻮزن ﺑﺎ ﺳﻄﺢ‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 14‬ﺑﻪ ﻃﻮر ﻧﻤﺎدﻳﻦ ﺑﺰرﮔﻲ و ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻧﻴﺮوي ﺑﻴﻦ ﺳـﻮزن و ﺳـﻄﺢ را در ﻓﻮاﺻـﻞ ﻣﺨﺘﻠـﻒ ﺳـﻮزن از‬

‫ﺳﻄﺢ ﻧﺸﺎن ﻣﻲ دﻫﺪ‪ .‬ﺟﻬﺖ ﻓﻠﺶﻫﺎ ﻧﺸﺎن دﻫﻨﺪه ﻧﺰدﻳﻚ ﺷﺪن)رﻓﺖ( ﻳﺎ دور ﺷﺪن )ﺑﺮﮔﺸﺖ( ﺳﻮزن ﻧـﺴﺒﺖ ﺑـﻪ‬

‫ﺳﻄﺢ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -13‬ﺳﻤﺖ ﭼﭗ‪ :‬ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻧﻤﺎدﻳﻦ ﺑﺰرﮔﻲ و ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻧﻴﺮوي ﺑﻴﻦ ﺳﻮزن و ﺳﻄﺢ در ﻓﻮاﺻﻞ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ‬

‫ﺳﻤﺖ راﺳﺖ‪ :‬اﻧﺤﺮاف ﺗﻴﺮك ﺣﻴﻦ رﻓﺖ و ﺑﺮﮔﺸﺖ در ﻧﻮاﺣﻲ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻓﺎﺻﻠﻪ از ﺳﻄﺢ )ﻧﻴﺮوي ﺟﺎذﺑﻪ ﻳﺎ داﻓﻌﻪ(‬

‫ﻫﺪف از ﻣﺸﺨﺺ ﻛﺮدن ﻣﻨﺤﻨﻲ ﻧﻴﺮو ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻓﺎﺻﻠﻪ اﻳﻦ اﺳﺖ ﻛﻪ‪ (1 :‬ﺗﻌﻴـﻴﻦ ﻣﺸﺨـﺼﺎت ﻣﺨﺘﻠـﻒ ﺳـﻄﺢ‬

‫ﻣﺪ ﻧﻈﺮ ﺑﺎﺷﺪ‪ (2 .‬ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺑﻬﻴﻨﻪ روﺑﺸﮕﺮ از ﺳﻄﺢ)ﻛﻪ ﻛﻤﺘـﺮﻳﻦ ﻧﻴـﺮو از ﺟﺎﻧـﺐ ﺳـﻮزن ﺑـﻪ ﺳـﻄﺢ وارد ﻣـﻲ ﺷـﻮد(‬

‫ﻣﻄﻠﻮب ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﭼﺮا ﻛﻪ ﺑﺎﻳﺪ ﺣﻴﻦ ﻓﺮاﻳﻨﺪ روﺑﺶ ﺳﻄﺢ ﺗﻮﺳﻂ ﺳﻮزن ﻛﻤﺘﺮﻳﻦ آﺳﻴﺐ ﺑﻪ ﺳـﻄﺢ ﺑﺮﺳـﺪ ﺗـﺎ ﺑﻴـﺸﺘﺮﻳﻦ‬

‫دﻗﺖ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺣﺎﺻﻞ ﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻧﻴﺮوﻫﺎي ﻋﻤﻞ ﻛﻨﻨﺪه ﺑـﻴﻦ ﺳـﻮزن و ﺳـﻄﺢ ﺷـﺎﻣﻞ ﻧﻴﺮوﻫـﺎي ﺑﻠﻨـﺪ ﺑـﺮد و ﻛﻮﺗـﺎه ﺑـﺮد ﻣـﻲﺑﺎﺷـﻨﺪ‪ .‬ﻧﻴﺮوﻫـﺎي‬

‫واﻧﺪرواﻟﺲ‪ ،‬اﻟﻜﺘﺮواﺳﺘﺎﺗﻴﻚ‪ ،‬ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺟﺰء ﻧﻴﺮوﻫﺎي ﺑﻠﻨﺪ ﺑﺮد ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬در اﻳﻦ ﻣﻴﺎن ﻧﻴﺮوي واﻧﺪرواﻟﺲ در ﺗﻤﺎم‬

‫‪21‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫آزﻣﺎﻳﺶﻫﺎ وﺟﻮد دارد‪ .‬ﻧﻴﺮوي واﻧﺪرواﻟﺲ ﻋﺒﺎرت از ﺑﺮ ﻫـﻢ ﻛـﻨﺶ ﺟﺎذﺑـﻪ دو ﻗﻄﺒـﻲﻫـﺎي اﻟﻘـﺎﻳﻲ اﺳـﺖ و ﺑـﻪ‬

‫ﺻﻮرت ‪ r −6‬ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﻧﻴﺮوﻫﺎي ﻛﻮﺗﺎه ﺑﺮد ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از ﭼﺴﺒﻨﺪﮔﻲ‪ ،‬ﻛﺸﺴﺎﻧﻲ ﻧﻴﺮوي ﻛﻮاﻧﺘﻮﻣﻲ )ﻧﺎﺷﻲ از ﻋﺪم‬

‫ﺗﻤﺎﻳﻞ ﺗﻄﺎﺑﻖ ﻛﺎﻣﻞ اﺑﺮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎ( و ﻧﻴﺮوﻫﺎي ﻛﻮواﻻﻧﺴﻲ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ ﻣﻨﺤﻨﻲ ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه در ﺣﺎﻟﺖ ﻛﻠﻲ ﺗﺎﺑﻌﻲ از ﺧﻮاص ﺳﻄﺢ )ﻣﻜﺎﻧﻴﻜﻲ‪ ،‬اﻟﻜﺘﺮواﺳﺘﺎﺗﻴﻜﻲ‪ ،‬ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‪،‬‬

‫ﭼﺴﺒﻨﺪﮔﻲ( و ﺷﺮاﻳﻂ ﻣﺤﻴﻄﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪ )ﺧﻼ ‪ ،‬ﻫﻮا‪ ،‬ﻣﺎﻳﻊ ‪ PH ،‬ﻣﺎﻳﻊ( و ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻣﻜﺎﻧﻴﻜﻲ ﺳﻮزن )ﺗﻴﺰي ‪ ،‬ﺷﻜﻞ‪،‬‬

‫ﺟﻨﺲ( و ﺗﻴﺮك )ﺷﻜﻞ‪ ،‬ﺻﻠﺒﻴﺖ( ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻣﻌﻤﻮﻻ ًﻣﺸﺨﺼﺎت ﻣﻜﺎﻧﻴﻜﻲ ﺳﻮزن و ﺗﻴﺮك در ﻛﺎﻟﻴﺒﺮاﺳـﻴﻮن اوﻟﻴـﻪ‬

‫دﺳﺘﮕﺎه ‪ AFM‬ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺗﺤﻠﻴﻞ و ﺑﺮرﺳـﻲ ﻧﻤـﻮدار ﻧﻴـﺮو ﺑـﺮ ﺣـﺴﺐ ﻓﺎﺻـﻠﻪ ﺳـﻮزن از ﺳـﻄﺢ‪،‬‬

‫ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺳﻄﺢ و ﻣﺤﻴﻂ آﻧﺮا آﺷﻜﺎر ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﻣﻨﻈﻮر از ﺗﺤﻠﻴﻞ و ﺑﺮرﺳﻲ ﻧﻤﻮدار اﺑﺘـﺪا ﻣـﺸﺨﺺ ﻛـﺮدن ﻧﻘـﺎط‬

‫اﻛــﺴﺘﺮﻣﻢ ‪ ،‬ﭘــﺮش)ﻳﺎاﻓــﺖ ﻧﺎﮔﻬــﺎﻧﻲ(‪ ،‬ﺷﻜــﺴﺘﮕﻲ و ﺗﻴــﺰي‪ ،‬ﻧﻴــﺮوي ﺻــﻔﺮ‪ ،‬ﺷــﻴﺐ ﻣﻨﺤﻨــﻲ در ﻧــﻮاﺣﻲ ﻣﺨﺘﻠــﻒ‪،‬‬

‫ﻫﻴﺴﺘﺮزﻳﺲ )ﻣﻴﺰان ﺗﻔﺎوت ﻣﻨﺤﻨﻲ ﻧﺰدﻳﻚ ﺷﺪن ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﺑﺎ ﻣﻨﺤﻨﻲ دور ﺷﺪن( ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺳﭙﺲ ﻫﺮ ﻛـﺪام از اﻳـﻦ‬

‫ﺣﺎﻻت و ﺷﺪت آﻧﻬﺎ ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬

‫ﻣﺪﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ‪AFM‬‬

‫ﺑــﺮ ﺣــﺴﺐ ﻧﺎﺣﻴــﺔ ﻋﻤﻠﻜــﺮد ﺳــﻮزن‪ ،‬ﻣــﺪﻫﺎي ‪ AFM‬ﺑــﻪ ﺳــﻪ دﺳــﺘﺔ ﻛﻠــﻲ ﺗﻤﺎﺳــﻲ‪) 14‬ﺗﻘﺮﻳﺒـﺎً ﻧﺰدﻳﻜﺘــﺮ از ‪5‬‬

‫آﻧﮕﺴﺘﺮوم( ﺷﺒﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ‪ ) 15‬ﺑﻴﻦ ‪ 4‬آﻧﮕﺴﺘﺮوم ﺗـﺎ‪ 30‬آﻧﮕـﺴﺘﺮوم( و ﻏﻴـﺮ ﺗﻤﺎﺳـﻲ‪) 16‬ﺑـﻴﻦ ‪ 30‬ﺗـﺎ ‪ 150‬آﻧﮕـﺴﺘﺮوم(‬

‫ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ‪) .‬ﺷﻜﻞ ‪.( 14‬‬

‫‪14‬‬
‫‪Contact Mode‬‬
‫‪15‬‬
‫‪Semicontact Mode‬‬
‫‪16‬‬
‫‪Noncontact Mode‬‬

‫‪22‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -14‬ﻧﻴﺮوﻫﺎي وارد ﺑﺮ ﺗﻴﺮك در ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ از ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ‬

‫ﻣﺪﻫﺎي ﺗﻤﺎﺳﻲ و ﺷﺒﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ ﻫﺮ ﻛﺪام ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ارﺗﻌﺎش ﻳﺎ ﻋـﺪم ارﺗﻌـﺎش ﺗﻴـﺮك ﺑـﻪ دو دﺳـﺘﺔ ‪ A.C‬و‬

‫‪ D.C.‬ﻃﺒﻘﻪ ﺑﻨﺪي ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬در ﻧﺎﺣﻴﺔ ﻏﻴﺮ ﺗﻤﺎﺳﻲ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﻧﺎ ﭼﻴﺰ ﺑﻮدن ﺳـﻴﮕﻨﺎل ﻧﻴـﺮو ﻣﻌﻤـﻮﻻً ﻓﻘـﻂ از ﻣـﺪ ‪A.C‬‬

‫اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﻻزم ﺑﻪ ذﻛﺮ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺗﻨﻈﻴﻢ ﺑﻬﻴﻨﺔ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ‪ AFM‬در ﻫﺮ ﻣـﺪ‪ ،‬اﺑﺘـﺪا در ﻳـﻚ ﻣﻜـﺎن‬

‫ﻧﻤﻮدار ﻧﻴﺮو ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻓﺎﺻﻠﻪ از ﺳﻄﺢ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﻣﻲ ﺷﻮد و ﺑﺎ ﺗﻮﺟـﻪ ﺑـﻪ اﻳـﻦ ﻧﻤـﻮدار ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫـﺎ اﻧﺘﺨـﺎب ﻣـﻲ‬

‫ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬اﻟﺒﺘﻪ ﺑﺴﻴﺎري از دﺳﺘﮕﺎﻫﻬﺎي ‪ AFM‬ﺑﻄﻮر ﺧﻮدﻛﺎر اﻳﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎ را ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲ ﻛﻨﻨﺪ‪ .‬در اداﻣﻪ ﻫﺮ ﻛـﺪام از‬

‫اﻳﻦ دﺳﺘﻪ ﻫﺎ را ﺑﺎ ﺗﻔﺼﻴﻞ ﺑﻴﺸﺘﺮي ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﻲ ﻛﻨﻴﻢ و اﻧﻮاع آﻧﻬﺎ را ﺑﻪ اﺟﻤﺎل ﻣﻌﺮﻓﻲ ﻣﻲ ﻛﻨﻴﻢ‪.‬‬

‫ﻣﺪﻫﺎي ﺗﻤﺎﺳﻲ‬

‫ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴﻪ اي " ﻧﺎﺣﻴﺔ ﺗﻤﺎس" ﻣﻲ ﮔﻮﻳﻨﺪ ﻛـﻪ ﻧﻴـﺮوي ﺑـﻴﻦ ﺳـﻮزن و ﺳـﻄﺢ داﻓﻌـﻪ ﺑﺎﺷـﺪ‪ .‬در‬

‫ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﺎ ﻣﺪﻫﺎي دﻳﮕﺮ ﻧﻴﺮوي وارد ﺷﺪه ﺑﻪ ﺳﻄﺢ در ﻣﺪﻫﺎي ﺗﻤﺎﺳﻲ ﺑﺰرﮔﺘـﺮ اﺳـﺖ‪ .‬از ﻃﺮﻓـﻲ ﺑـﻪ دﻟﻴـﻞ ﺗﻤـﺎس‬

‫ﭘﻴﻮﺳﺘﺔ ﺳﻮزن ﺑﺎ ﺳﻄﺢ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑﺶ ﻧﻴﺮوﻫﺎي اﺻﻄﻜﺎك ﻗﺎﺑـﻞ ﺗـﻮﺟﻬﻲ )ﻋـﻼوه ﺑـﺮ ﻧﻴـﺮوي ﻋﻤـﻮدي( ﺑـﻪ‬

‫ﺳﻄﺢ و ﺳﻮزن وارد ﻣﻲ ﺷﻮد ﻛﻪ ﻣﻮﺟﺐ آﺳﻴﺐ دﻳﺪﮔﻲ ﺳﻄﻮح ﺣﺴﺎس و ﻛﻨﺪ ﺷﺪن ﺳﻮزن ﻣﻲﮔﺮدد‪.‬‬

‫‪23‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -15‬ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻧﻤﺎدﻳﻦ ﺑﻴﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻤﺎﺳﻲ و ﺣﺎﻟﺖ ﻏﻴﺮﺗﻤﺎﺳﻲ‬

‫ﺑﺮ اﻳﻦ اﺳﺎس ﻣﻄﺎﻟﻌﺔ ﺳﻄﻮح ﺣﺴﺎس و ﻧﺮم ﺑﺎ ﻣﺪﻫﺎي ﺗﻤﺎﺳﻲ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ اﻧﺪازه ﮔﻴـﺮي را ﻛـﺎﻫﺶ ﻣـﻲ‬

‫دﻫﺪ و ﺑﻌﻀﺎً ﺑﺎﻋﺚ ﺑﺮوز ﺧﻄﺎي ﺳﻴﺴﺘﻤﺎﺗﻴﻚ در ﻧﺘﺎﻳﺞ ﻣﻲ ﺷﻮد‪ .‬در ﻋﻴﻦ ﺣﺎل ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴـﻚ و دﻗـﺖ‬

‫اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺑﺎ ‪ AFM‬ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺑﺮرﺳﻲ ﺳﻄﻮح ﺳﺨﺖ ﺑﺎ ﺳﻮزﻧﻬﺎي ﻧﺎزك و ﻓﻮق ﺗﻴـﺰ و ﺳـﺨﺖ در ﻣـﺪ ﺗﻤﺎﺳـﻲ‬

‫ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫ﻣﺪ ﻧﻴﺮو ﺛﺎﺑﺖ‬

‫در اﻳﻦ ﻣﺪ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑﺶ ﻧﻴﺮوي ﺳﻮزن ﺑﻪ ﺳﻄﺢ )ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ( ﺗﻮﺳﻂ ﻣـﺪار ﻓﻴـﺪﺑﻚ ﺛﺎﺑـﺖ‬

‫ﻧﮕﻪ داﺷﺘﻪ ﻣﻲ ﺷﻮد‪ .‬در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑﺶ‪ ،‬ﻣﺴﻴﺮ ﻃﻲ ﺷﺪه ﺗﻮﺳﻂ ﭘﻴـﺰو اﻟﻜﺘﺮﻳـﻚ ﺑـﺎ ﻣـﺴﻴﺮ ﺳـﻮزن و ﺑـﺎ‬

‫ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺳﻄﺢ ﻳﻜﺴﺎن ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ و ﻧﻤﻮدار ﺳﻄﺢ ﺑﺎ دﻗﺖ ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺎﻻﻳﻲ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣـﻲ ﺷـﻮد‪ .‬در واﻗـﻊ در ﻫـﺮ ﮔـﺎم‬

‫روﺑﺶ‪ ،‬آﻧﻘﺪر ﻣﺪار ﻛﻨﺘﺮﻟﻲ ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﻪ ﭘﻴﺰو ﻓﺮﻣﺎن ﺗﻐﻴﻴﺮ ارﺗﻔﺎع ﻣﻲ دﻫﺪ ﺗﺎ ﻓﺎﺻـﻠﺔ ﺳـﻮزن از ﺳـﻄﺢ ﻣـﻮرد ﻧﻈـﺮ‬

‫ﺛﺎﺑﺖ ﻗﺮار ﮔﻴﺮد‪.‬‬

‫ﻳﻜﻲ از ﻣﺴﺎﺋﻞ ﻧﺎﻣﻄﻠﻮب اﻳﻦ روش ﻣﺪت زﻣﺎن زﻳﺎد روﺑﺶ ﻛﺎﻣﻞ ﺳﻄﺢ اﺳﺖ ﭼﺮا ﻛﻪ در ﻫﺮ ﮔـﺎم روﺑـﺶ‬

‫ﻣﺪار ﻓﻴﺪﺑﻚ ﭼﻨﺪﻳﻦ ﺑﺎر ﺑﻪ ﭘﻴﺰوﻓﺮﻣﺎن ﺗﻐﻴﻴﺮ ارﺗﻔﺎع ﻣﻲ دﻫﺪ ﺗﺎ اﻳﻨﻜﻪ ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳـﻄﺢ ﺑـﻪ ﺑـﺎزه ﻣـﻮرد ﻧﻈـﺮ‬

‫‪24‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺑﺮﺳﺪ‪.‬‬

‫از ﻃﺮﻓﻲ ﻫﺮ ﭼﻪ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭘﺬﻳﺮي ﻋﺮﺿﻲ ﺑﻴﺸﺘﺮي ﻻزم ﺑﺎﺷﺪ ﮔﺎمﻫﺎي روﺑﺶ ﻛﻮﭼﻜﺘﺮي ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز اﺳـﺖ و‬

‫ﺑﻪ ﺗﻨﺎﺳﺐ ﺳﺮﻋﺖ روﺑﺶ ﻛﻤﺘﺮ ﻣﻲ ﺷﻮد‪ .‬ﺑﺮ اﻳﻦ اﺳﺎس ﻃﺮاﺣﻲ ﺑﻬﻴﻨﺔ ﻣﺪار ﻓﻴﺪﺑﻚ اﻫﻤﻴﺖ ﭘﻴﺪا ﻣـﻲﻛﻨـﺪ ‪ .‬ﺑـﺮاي‬

‫رﺳﻴﺪن ﺑﻪ ﺳﺮﻋﺖﻫﺎي ﻗﺎﺑﻞ ﻗﺒﻮل ﻣﺪار ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﺎﻳﺪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺗﻜﺮار ﺣﺪود ‪ 10 KHz‬داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫از ﻣﻬﻤﺘﺮﻳﻦ ﻣﺰﻳﺖﻫﺎي اﻳﻦ روش ﻳﻜﻲ دﻗﺖ ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺎﻻي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺗﻮﭘـﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺳـﻄﻮح ﺳـﺨﺖ اﺳـﺖ ‪.‬دﻳﮕـﺮ‬

‫اﻳﻨﻜﻪ ﺣﻴﻦ روﺑﺶ ﺳـﻄﺢ‪ ،‬ﻋـﻼوه ﺑـﺮ ﻣـﺸﺨﺺ ﺷـﺪن ﺗﻮﭘـﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻫﻨﺪﺳـﻲ‪ ،‬ﻛﻤﻴـﺎت دﻳﮕـﺮي از ﺳـﻄﺢ‪ ،‬ﻣﺎﻧﻨـﺪ‬

‫اﺻﻄﻜﺎك‪ ،‬ﺗﻮزﻳﻊ ﻣﻘﺎوﻣﺖ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ و ‪ ، ....‬ﺑﻄﻮر ﻫﻤﺰﻣﺎن ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﻳﻜﻲ از ﻣﺤـﺪودﻳﺘﻬﺎي اﻳـﻦ روش‬

‫در ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺳﻄﻮح ﻧﺮم اﺳﺖ ﭼﺮا ﻛﻪ ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺣﻴﻦ روﺑﺶ ﺗﻮﺳﻂ ﺳﻮزن‪ ،‬ﺑﺪﻟﻴﻞ ﻟﺰوم ﺗﻤـﺎس آن ﺑـﺎ‬

‫ﺳﻄﺢ‪ ،‬ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲ ﻛﻨﺪ و در ﻧﺘﻴﺠﻪ دﻗﺖ و ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭘﺬﻳﺮي اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻛﺎﻫﺶ ﭘﻴﺪا ﻣﻲ ﻛﻨﺪ‪.‬‬

‫ﻣﺪ ارﺗﻔﺎع ﺛﺎﺑﺖ‬

‫در اﻳﻦ ﻣﺪ ارﺗﻔﺎع ﭘﻴﺰواﻟﻜﺘﺮﻳﻚ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑﺶ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻧﻤﻲﻛﻨـﺪ و ﺣﺮﻛـﺖ آن در ﻳـﻚ ﺳـﻄﺢ ﻛـﺎﻣﻼً‬

‫اﻓﻘﻲ ﺻﻮرت ﻣﻲ ﮔﻴﺮد‪ .‬در ﻧﺘﻴﺠﻪ واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻓﺎﺻﻠﺔ ﭘﻴﺰو از ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ‪ ،‬ﻧﻴﺮوﻳﻲ ﺑﻪ ﺳﻮزن وارد ﻣـﻲ‬

‫ﺷﻮد‪ .‬ﺑﺎ ﺛﺒﺖ اﻧﺤﺮاﻓﺎت ﻟﺮزاﻧﻚ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﻧﻤﻮدار ﻧﻴﺮوي وارد ﺑـﺮ ﺳـﻮزن ﺣـﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨـﺪ روﺑـﺶ‬

‫ﻣﻲ ﺷﻮد و ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﺎﺑﻌﻴﺖ ﻧﻴﺮوي وارد ﺑﺮ ﺳﻮزن از ﻓﺎﺻﻠﺔ آن ﺗﺎ ﺳﻄﺢ ‪ ،‬اﺧـﺘﻼف ارﺗﻔـﺎع ﻧﻘـﺎط‬ ‫ﻣﺸﺨﺺ‬

‫ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ از ارﺗﻔﺎع ﭘﻴﺰو ﻣﻌﻠﻮم ﻣﻲ ﺷﻮد‪ ،‬ﻛﻪ ﻫﻤﺎن ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺳﻄﺢ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺳﺮﻋﺖ روﺑﺶ ﺳـﻄﺤﻲ در‬

‫اﻳﻦ روش ﺑﺴﻴﺎر زﻳﺎد اﺳﺖ ﭼﺮا ﻛﻪ ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﻛﻨﺘﺮل ارﺗﻔﺎع وﺟﻮد ﻧﺪارد ﺗﺎ ﺳﻴﻜﻞ ﻣﺪار ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺳﺮﻋﺖ روﺑـﺶ را‬

‫ﻛﻨﺪ ﻛﻨﺪ )ﺗﻨﻬﺎ ﻋﺎﻣﻞ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻛﻨﻨﺪه ﺳﺮﻋﺖ روﺑﺶ ﺳﺮﻋﺖ ﻋﻜﺲ اﻟﻌﻤﻞ ﻟﺮزاﻧﻚ در ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺟﻬﺘﮕﻴـﺮي اﺳـﺖ ﻛـﻪ‬

‫در ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﺎ ﻣﺪار ﻓﻴﺪﺑﻚ ﺑﺴﻴﺎر ﺳﺮﻳﻌﺘﺮ اﺳﺖ(‪.‬‬

‫ﻣﺤﺪودﻳﺖ ﺟﺪي اﻳﻦ روش اﻳﻦ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻓﻘﻂ ﺳﻄﻮح ﻧﺴﺒﺘﺎً ﻫﻤﻮار را ﻣـﻲ ﺗﻮاﻧـﺪ ﺑﺮرﺳـﻲ ﻛﻨـﺪ‪ .‬از ﻃﺮﻓـﻲ‬

‫‪25‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺑﺪﻟﻴﻞ ﻋﺪم ﻛﻨﺘﺮل ارﺗﻔﺎع ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﺳﻮزن در ﻧﻘﺎﻃﻲ ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﻓﺸﺎر وارد ﻛﻨﺪ ﻛﻪ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﻧﺮم در اﻳﻦ‬

‫ﻣﻮرد ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ ﻛﻪ ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ ﻛﺎﻫﺶ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻧﺘﺎﻳﺞ ﻣﻲ ﺷﻮد‪.‬‬

‫روﺷﻬﺎي ﺷﺒﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ‬

‫ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ ﻗﺒﻼً ﮔﻔﺘﻪ ﺷﺪ ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴﺔ ﺑﻴﻦ ﻧﺎﺣﻴﺔ ﺗﻤﺎﺳﻲ و ﻏﻴﺮ ﺗﻤﺎﺳﻲ ﺑﻌﻼوة ﺑﺨﺶ ﻛﻮﭼﻜﻲ از ﻧﺎﺣﻴﺔ ﺗﻤﺎﺳﻲ‬

‫)ﺣﺪود ‪ 4‬آﻧﮕﺴﺘﺮوم ﺗﺎ ‪ 30‬آﻧﮕﺴﺘﺮوم( " ﻧﺎﺣﻴﺔ ﺷﺒﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ" ﮔﻮﻳﻨﺪ‪ .‬از ﻣﺪ ﺷﺒﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ در ادﺑﻴﺎت ﻓﻌﻠـﻲ ﻧـﺎﻧﻮ ﺑـﺎ‬

‫واژه ﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻔﻲ ﻧﺎم ﺑﺮده ﻣﻲ ﺷﻮد ﻛـﻪ ﻫﻤﮕـﻲ ﻳـﻚ ﻣﻌﻨـﻲ دارﻧـﺪ‪ .‬اﻳـﻦ واژﮔـﺎن ﻋﺒﺎرﺗﻨـﺪ از ‪Semicontact‬‬

‫‪ Intermitent Contact Mode ،Mode‬و ‪ .Tapping Mode‬ﺷﺎﻳﺎن ذﻛﺮ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻧﺎﺣﻴﺔ ﺷﺒﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ‪ ،‬اﻧﺪﻛﻲ ﺑﺎ‬

‫ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ ﻫﻤﭙﻮﺷﺎﻧﻲ دارد‪ .‬ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر دﺳﺘﻴﺎﺑﻲ ﺑﻪ ﻧﺴﺒﺖ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﻪ ﻧﻮﻳﺰ ﺣﺪاﻛﺜﺮ از ﻣـﺪﻫﺎي ﻣﺘﻨـﺎوب )‪(A.C.‬‬

‫در اﻳﻦ ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲ ﺷﻮد‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -16‬داﻣﻨﻪ ﻧﻮﺳﺎﻧﺎت ﺗﻴﺮك ﺗﺎﺑﻌﻲ از ﻓﺎﺻﻠﻪ ﭘﻴﺰو از ﺳﻄﺢ اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑﺶ ﻧﺎﺣﻴﺔ ﻧﻮﺳﺎﻧﺎت ﺗﻴﺮك ﺑﻪ ﮔﻮﻧﻪاي اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ ﻫﻢ ﻧﻔﻮذ ﻣﻲ ﻛﻨﺪ و در ﻫـﺮ‬

‫دورة ﺗﻨﺎوب ﻳﻜﺒﺎر ﺳﻄﺢ را ﻟﻤﺲ ﻣﻲ ﻛﻨﺪ )ﺗﺤﺖ ﻧﻴﺮوي داﻓﻌﻪ ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد(‪ .‬ﺑﺎ ﻛﺎﻫﺶ ارﺗﻔـﺎع ﭘﻴﺰواﻟﻜﺘﺮﻳـﻚ‬

‫ﺗﻴﺮك در ﺣﺎل ﻧﻮﺳﺎن ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﻧﺰدﻳﻚ ﻣﻲ ﺷﻮد‪ .‬در اﻳﻦ ﺷﺮاﻳﻂ داﻣﻨـﻪ اش ﻛـﺎﻫﺶ ﻣـﻲ ﻳﺎﺑـﺪ و از روي اﻧـﺪازة‬

‫‪26‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻛﺎﻫﺶ داﻣﻨﻪ ﻓﺎﺻﻠﺔ ﭘﻴﺰو اﻟﻜﺘﺮﻳﻚ از ﺳﻄﺢ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲ ﺷﻮد‪.‬‬

‫اﺧﺘﻼف ﻓﺎز ارﺗﻌﺎﺷﺎت ﺗﻴﺮك ﺑﺎ ﻣﻨﺒﻊ اﻟﻘﺎ ﻛﻨﻨﺪة ارﺗﻌﺎش واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻣﺸﺨـﺼﺎت ﻣﻜـﺎﻧﻴﻜﻲ ﺳـﻄﺢ ‪ ،‬از ﻗﺒﻴـﻞ‬

‫ﻣﺪول ﻳﺎﻧﮓ و ﺳﺨﺘﻲ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﺑﺎ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي اﺧﺘﻼف ﻓﺎز‪ ،‬ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻣﻜﺎﻧﻴﻜﻲ ﺳﻄﺢ ﻣﻌﻠﻮم ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ ‪.‬‬

‫ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺛﺎﺑﺖ ﺷﺪه اﺳﺖ ﻛﻪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺗﺸﺪﻳﺪ ﺗﻴﺮك در ﺣﺎل ارﺗﻌﺎش ﺑﺮ اﺛﺮ ﺣﺮﻛﺖ در ﮔﺮادﻳﺎن ﻧﻴﺮو ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣـﻲ‬

‫ﻛﻨﺪ ‪ .‬در ﻧﺘﻴﺠﻪ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺗﺸﺪﻳﺪ‪ ،‬ﻣﺎ را از ﺟﺰﺋﻴﺎت ﻧﻤﻮدار ﻧﻴﺮو ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻓﺎﺻـﻠﺔ ﺳـﻮزن از‬

‫ﺳﻄﺢ آﮔﺎه ﻣﻲ ﻛﻨﺪ‪.‬‬

‫ﺑﺮ ﺧﻼف روش ﻏﻴﺮﺗﻤﺎﺳﻲ ﻛﻪ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻧﻴﺮو ﺑﺪﻟﻴﻞ دوري از ﺳﻄﺢ ﻛﻮﭼﻚ اﺳﺖ و ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ ﻛﺎﻫﺶ دﻗـﺖ‬

‫اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﻣﻲ ﺷﻮد ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻧﻴﺮو در روش ﺷﺒﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ ﻣﻨﺎﺳﺐ اﺳﺖ ‪ .‬دﻗﺖ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﻣﺪﻫﺎي ﺷﺒﻪ ﺗﻤﺎﺳﻲ‬

‫ﺑﺎ دﻗﻴﻘﺘﺮﻳﻦ روشﻫﺎي ﺗﻤﺎﺳﻲ ﺑﺮاﺑﺮي ﻣﻲ ﻛﻨﺪ‪ ،‬در ﻋﻴﻦ ﺣﺎل ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﺎﻫﻴﺖ اﻳﻦ روش ﻧﻴﺮوﻫﺎي ﻋﺮﺿﻲ‪ ،‬ﻛـﻪ‬

‫ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ آﺳﻴﺐ را ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ در ﻣﺪ ﺗﻤﺎﺳﻲ وارد ﻣﻲ ﻛﻨﺪ‪ ،‬وﺟﻮد ﻧﺪارد‪ .‬ﻫﻤﭽﻨـﻴﻦ ﺑـﻪ دﻟﻴـﻞ ﻣـﺪت زﻣـﺎن ﺑـﺴﻴﺎر‬

‫ﻛﻤﺘﺮي ﻛﻪ ﺳﻮزن در ﺗﻤﺎس ﻣﺆﺛﺮ ﺑﺎ ﺳﻄﺢ اﺳﺖ ) ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﻧﻴﺮوي داﻓﻌﻪ وارد ﻣﻲ ﻛﻨﺪ( ﻓﺸﺎر ﻣﺆﺛﺮ ﺳﻮزن در اﻳﻦ‬

‫روش از ﻣﺪﻫﺎي ﺗﻤﺎﺳﻲ ﻛﻤﺘﺮ اﺳـﺖ ‪ .‬ﻫﻤﭽﻨـﻴﻦ ﺑـﺎ اﺳـﺘﻔﺎده از اﻟﻘﺎﮔﺮﻫـﺎي ﻏﻴﺮﻣﻜـﺎﻧﻴﻜﻲ‪ ،‬ﻣﺎﻧﻨـﺪ اﻋﻤـﺎل ﻣﻴـﺪان‬

‫ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﺘﻨﺎوب ﺑﻪ ﺗﻴﺮﻛﻲ ﻛﻪ ﻳﻚ ﻻﻳﺔ ﻓﺮو ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ در ﭘﺸﺖآن ﻻﻳﻪ ﻧﺸﺎﻧﻲ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ ،‬ﻧـﻮﻳﺰ ﺑـﺴﻴﺎر ﻛﻤﺘـﺮ‬

‫ﻣﻲ ﺷﻮد و در ﻧﺘﻴﺠﻪ "ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﻪ ﻧﻮﻳﺰ" اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲ ﻳﺎﺑﺪ‪ .‬در ﻧﺘﻴﺠـﻪ ﺑـﺎ داﻣﻨـﻪﻫـﺎﻳﻲ ﻛـﻮﭼﻜﺘﺮ از ﻗﺒـﻞ ﻣـﻲ ﺗـﻮان‬

‫ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻗﺎﺑﻞ ﻗﺒﻮﻟﻲ ﺑﺪﺳﺖ آورد‪ .‬اﺳﺘﻔﺎده از داﻣﻨﻪ ﻫﺎي ﻛﻤﺘﺮ ﺑﻪ ﻣﻌﻨﻲ ﻛﺎﻫﺶ ﻧﻴﺮوي ﻋﻤﻮدي ﺳـﻮزن ﺑـﻪ ﺳـﻄﺢ‬

‫اﺳﺖ ‪ .‬ﺑﺮ اﻳﻦ اﺳﺎس اﻣﻜﺎن ﻣﻄﺎﻟﻌﺔ ﺳﻄﻮح ﻧﺮم و ﺣﺴﺎس ﺑﺎ دﻗﺖﻫﺎي ﺑﺎﻻ ﻣﻴﺴﺮ ﻣﻲ ﺷﻮد در ﺣﺎﻟﻴﻜـﻪ اﻳـﻦ ﻣـﺴﺎﻟﻪ‬

‫در ﻣﺪﻫﺎي ﺗﻤﺎﺳﻲ ﻣﻤﻜﻦ ﻧﻴﺴﺖ‪.‬‬

‫اﺳﺘﻔﺎده از اﻳﻦ روش در ﻣﺤﻴﻂ ﻣﺎﻳﻊ ﻧﻴﺰ ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ‪ .‬ﭼﺮا ﻛﻪ اوﻻً ﻧﻴﺮوﻫﺎي ﻣﻮﻳﻴﻦ ﺣـﺬف ﻣـﻲ ﺷـﻮﻧﺪ ﻛـﻪ‬

‫ﺑﺎﻋﺚ ﺗﻀﻌﻴﻒ ﺷﺪﻳﺪ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭘﺬﻳﺮي اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ و ﺛﺎﻧﻴﺎً در ﻣﺤﻴﻂ ﻣﺎﻳﻊ ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ ‪ PH‬و ﻏﻠﻈﺖ ﻳﻮﻧﻬـﺎ‬

‫‪27‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫و ‪ ...‬ﻣﻲ ﺗﻮاﻧﻴﻢ ﺷﺮاﻳﻄﻲ را اﻳﺠﺎد ﻛﻨﻴﻢ ﻛﻪ ﻧﻴﺮوي ﺳﻮزن ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﺑﻪ ﻛﻤﻴﻨﻪ ﻣﻘﺪار ﺧﻮد ﺑﺮﺳﺪ‪ .‬ﻧﺘﻴﺠـﻪ اﻳـﻦ ﻣـﺴﺎﻟﻪ‬

‫اﻣﻜﺎن ﺑﺮرﺳﻲ ﺳﻄﻮح ﺣﺴﺎﺳﺘﺮ ﺑﺎ دﻗﺖ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫ﻣﺪ داﻣﻨﻪ ﺛﺎﺑﺖ‬

‫ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ ﮔﻔﺘﻴﻢ ﺗﻐﻴﻴﺮ داﻣﻨﺔ ارﺗﻌﺎﺷﺎت‪ ،‬ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ارﺗﻌﺎﺷﺎت آزاد‪ ،‬واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺑﺰرﮔﻲ ﻧﻴـﺮوي ﻣـﺆﺛﺮ ﻋﻤـﻞ‬

‫ﻛﻨﻨﺪه ﺑﺮ ﻟﺮزاﻧﻚ )ﻣﻴﺎﻧﮕﻴﻦ زﻣﺎﻧﻲ ﻧﻴﺮو در ﻳﻚ ﮔﺎم روﺑﺶ ﺳﻄﺤﻲ( ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬و ﺑـﻪ ﺟـﻨﺲ ﺳـﻄﺢ در آن ﻧﻘﻄـﻪ‬

‫ﭼﻨﺪان واﺑﺴﺘﻪ ﻧﻴﺴﺖ از ﻃﺮﻓﻲ ﺑﺎ ﺗﻘﺮﻳﺐ ﺑﺴﻴﺎر ﺧﻮﺑﻲ‪ ،‬ﺑﺰرﮔﻲ اﻳﻦ ﻧﻴﺮوي ﻣﺆﺛﺮ ﺑﺎ ﻓﺎﺻﻠﺔ ﻣـﺆﺛﺮ ﻟﺮزاﻧـﻚ از ﺳـﻄﺢ‬

‫ﺗﻨﺎﻇﺮ ﻳﻚ ﺑﻪ ﻳﻚ دارد‪ .‬در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺛﺎﺑﺖ ﻣﺎﻧﺪن اﻧﺪازة داﻣﻨﻪ در ﺧﻼل روﺑﺶ ﺳﻄﺤﻲ دﻟﻴﻞ ﺑﺮ ﺛﺎﺑﺖ ﻣﺎﻧﺪن ﻓﺎﺻـﻠﺔ‬

‫ﭘﻴﺰو اﻟﻜﺘﺮﻳﻚ از ﺳﻄﺢ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑـﺶ ﺳـﻄﺤﻲ اﺳـﺖ‪ .‬در ﻧﺘﻴﺠـﻪ ﺑـﺎ ﺛﺒـﺖ ﻣـﺴﻴﺮ ﻃـﻲ ﺷـﺪه ﺗﻮﺳـﻂ ﭘﻴـﺰو‬

‫اﻟﻜﺘﺮﻳﻚ ﺑﻮﺳﻴﻠﺔ ﻣﺪار ﻛﻨﺘﺮﻟﻲ‪ ،‬ﻣﻴﺘﻮان ﻫﻨﺪﺳﺔ ﺳﻄﺢ را ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻛﺮد‪ .‬ﻣﺰﻳﺖ اﻳﻦ روش ﺗﻮاﻧﺎﻳﻲ ﺗﻬﻴﺔ ﻧﻘـﺸﻪﻫـﺎﻳﻲ ﺑـﺎ‬

‫ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭘﺬﻳﺮي ﺑﺎﻻ از ﺳﻄﻮح ﻧﺮم و آﺳﻴﺐ ﭘﺬﻳﺮ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻧﻘﻄﻪ ﺿﻌﻒ اﻳﻦ روش ﻣﺪت زﻣﺎن ﻃـﻮﻻﻧﻲ روﺑـﺶ‬

‫ﻛﺎﻣﻞ ﺳﻄﺢ اﺳﺖ‪ ،‬ﭼﺮا ﻛﻪ ارﺗﻔﺎع ﭘﻴﺰو اﻟﻜﺘﺮﻳﻚ در ﻫﺮ ﮔﺎم روﺑﺶ‪ ،‬ﭼﻨﺪﻳﻦ ﻣﺮﺗﺒﻪ ﺗﻮﺳﻂ ﻣﺪار ﻛﻨﺘﺮل ﻓﻴـﺪﺑﻚ‬

‫ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲ ﻛﻨﺪ )ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر ﺛﺎﺑﺖ ﻧﮕﻪ داﺷﺘﻦ داﻣﻨﻪ ﻧﻮﺳﺎن(‪ .‬ﻫﺮ ﭼﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮ ارﺗﻔﺎع در ﮔﺎم ﺟﺪﻳﺪ ﺷﺪﻳﺪﺗﺮ ﺑﺎﺷﺪ )ﻣﺎﻧﻨﺪ‬

‫ﭘﻠﻪﻫﺎ( دﻓﻌﺎت ﺗﻐﻴﻴﺮ ارﺗﻔﺎع اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲ ﻳﺎﺑﺪ درﻧﺘﻴﺠﻪ ﻫﺮ ﭼﻪ ﺗﻌـﺪاد ﭘـﺴﺘﻲ ﺑﻠﻨـﺪﻳﻬﺎي ﺳـﻄﺢ ﺑﻴـﺸﺘﺮ و ﺷـﻴﺐ آﻧﻬـﺎ‬

‫ﺷﺪﻳﺪﺗﺮ ﺑﺎﺷﺪ)ﻣﺎﻧﻨﺪ ﭘﻠﻪﻫﺎ( ﻣﺪت زﻣﺎن ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز ﺑﺮاي روﺑﺶ ﻛﺎﻣﻞ ﺳﻄﺢ ﺑﻪ ﻣﺮاﺗﺐ ﻃﻮﻻﻧﻲﺗﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬اﻟﺒﺘﻪ‬

‫ﺑﺎ ﺻﺮف ﻧﻈﺮ ﻛﺮدن از ﭘﺎره اي از اﻃﻼﻋﺎت ﺳﻄﺤﻲ ﻣﻲﺗﻮان‪ ،‬ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺖ ﻗﺎﺑﻞ ﻗﺒـﻮﻟﻲ ‪ ،‬ﻧﻘـﺸﻪ ﭘـﺴﺘﻲ ﺑﻠﻨـﺪيﻫـﺎي‬

‫ﻣﻬﻢ و ﺑﺰرگ ﺳﻄﺢ را ﺑﺎ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭘﺬﻳﺮي ﺑﺎﻻﻳﻲ ﻣﻌﻴﻦ ﻛﺮد‪ .‬روش ﺑﻜﺎر رﻓﺘﻪ را ﻣﺪ » ﺧﻄﺎي ﺷـﺒﻪ ﺗﻤﺎﺳـﻲ « ﻣـﻲ‬

‫ﮔﻮﻳﻨﺪ‪ .‬اﻳﻦ روش ﭘﺴﺘﻲ ﺑﻠﻨﺪﻳﻬﺎي ﻣﻼﻳﻢ را آﺷﻜﺎر ﻧﻤﻲ ﻛﻨﺪ‪.‬‬

‫ﻣﺪ ﺗﺼﻮﻳﺮ ﺑﺮداري از اﺧﺘﻼف ﻓﺎز‬

‫در ﻫﺮ ﮔﺎم روﺑﺶ‪ ،‬واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺟﻨﺲ ﺳﻄﺢ ) ﻣﺜﻼً ﭼﺴﺒﻨﺪﮔﻲ و ﻣﺪول ﻳﺎﻧﮓ ﺳﻄﺢ( ﻧﻤﻮدار ﻧﻴـﺮو ﺑـﺮ ﺣـﺴﺐ‬

‫‪28‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻓﺎﺻﻠﻪ ﭘﻴﺰو از ﺳﻄﺢ ﻣﺘﻔﺎوت اﺳﺖ‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ارﺗﻌﺎﺷﺎت ﭘﻴـﺰو ﻧـﺴﺒﺖ ﺑـﻪ ارﺗﻌﺎﺷـﺎت ﺗﻴـﺮك اﺧـﺘﻼف ﻓـﺎز‬

‫ﺧﻮاﻫﻨﺪ داﺷﺖ ﻛﻪ ﺑﺰرﮔﻲ آن ﺑﻪ ﺟﻨﺲ ﺳﻄﺢ در آن ﻧﻘﻄﻪ ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ از ﻧﻘﺸﺔ اﺧﺘﻼف ﻓـﺎز در ﻧﻘـﺎط‬

‫ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ ﺑﻌﻨﻮان ﻋﺎﻣﻠﻲ ﺑﺮاي ﺗﻤﺎﻳﺰ ﺟﻨﺲ ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲ ﺷﻮد‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -17‬ﺗﻔﺎوت اﺧﺘﻼف ﻓﺎز ﭘﻴﺰو ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻟﺮزاﻧﻚ در ﻧﻘﺎط ﺑﺎ ﺟﻨﺲ ﻣﺘﻔﺎوت ﺳﻄﺢ‬

‫ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ از اﻳﻦ ﻧﻘﺸﻪ ﺑﺮاي اﻓﺰاﻳﺶ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭘﺬﻳﺮي و ﺑﻬﺒﻮد ﺳﺎﻳﺮ ﻧﻘﺸﻪ ﻫﺎي ﺳﻄﺤﻲ از ﻗﺒﻴـﻞ ﻧﻘـﺸﻪ ﻧﻴـﺮوي‬

‫ﻋﺮﺿﻲ و اﺻﻄﻜﺎك‪ ،‬ﺗﻮزﻳﻊ ﻣﻘﺎوﻣﺖ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‪ ،‬و در ﺣﺎﻟﺖ ﻛﻠﻲ اﻧﻮاع ﻣـﺪﻫﺎي ﺗﻌﻴـﻴﻦ ﻣﺸﺨـﺼﺎت ﻣﻜـﺎﻧﻴﻜﻲ‬

‫ﺳﻄﺢ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲ ﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ‬

‫ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ ﮔﻔﺘﻴﻢ دﻗﺖ ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﻋﺪم ﻣﺤﺪودﻳﺖ در ﺑﺮرﺳﻲ اﻏﻠﺐ ﺳﻄﻮح در ﺷﺮاﻳﻂ ﻣﺤﻴﻄﻲ ﻣﺨﺘﻠﻒ‪ ،‬ﻋـﺪم‬

‫ﻧﻴﺎز ﺑﻪ آﻣﺎده ﺳﺎزي ﻧﻤﻮﻧﻪ در اﻏﻠﺐ ﻣﻮارد‪ ،‬ﺳـﺮﻋﺖ ﺑـﺎﻻي اﻧـﺪازه ﮔﻴـﺮي‪ ،‬ﺗﻬﻴـﺔ ﺗـﺼﺎوﻳﺮ ﺳـﻪ ﺑﻌـﺪي و ﺗﻮاﻧـﺎﻳﻲ‬

‫ﺑﺮرﺳﻲ اﻧﻮاع ﺧﻮاص ﺳﻄﺤﻲ ﻣﻮﺟﺐ ﺗﻮﺟﻪ وﻳﮋه و رو ﺑﻪ رﺷﺪ ﺑـﻪ ‪ AFM‬در ﺣـﻮزه ﻫـﺎي ﻣﺨﺘﻠـﻒ ﺗﻜﻨﻮﻟـﻮژي‬

‫ﻛﺎرﺑﺮدي اﻋﻢ از اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻚ ‪ ،‬ﻫﻮا ﻓﻀﺎ ‪ ،‬ﺧﻮدروﺳﺎزي‪ ،‬ﻋﻠـﻢ ﻣـﻮاد‪ ،‬ﺑﻴﻮﻟـﻮژي‪ ،‬ارﺗﺒﺎﻃـﺎت از راه دور‪ ،‬اﻧـﺮژي ‪،‬‬

‫داروﺳﺎزي‪ ،‬ﻟﻮازم آراﻳﺸﻲ‪ ،‬ﭘﺘﺮوﺷﻴﻤﻲ و ‪ ....‬ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪29‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺑﻄﻮر ﻛﻠﻲ دﻟﻴﻞ اﺳﺘﻔﺎده از ‪ AFM‬در ﺣﻮزه ﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺗﻜﻨﻮﻟﻮژي ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از‪:‬‬

‫‪ -1‬ﺑﺮرﺳﻲ ﻛﻴﻔﻴﺖ ﺳﺎﺧﺘﺎر و ﺧﻮاص ادوات ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه‬

‫‪ -2‬ﺑﺮرﺳﻲ ﺗﺤﻮﻻت ﺳﺎﺧﺘﺎر و ﺧﻮاص ادوات ﺑﺎ ﮔﺬﺷﺖ زﻣﺎن و در ﺷﺮاﻳﻂ ﻣﺨﺘﻠﻒ‬

‫ﻣﻨﻈﻮر ﺗﻜﻨﻮﻟﻮژﻳﺴﺘﻬﺎ از در ﭘﻴﺶ ﮔﺮﻓﺘﻦ اﻳﻦ اﻫﺪاف آﮔـﺎﻫﻲ از اﺻـﻮل ﺑﻬﻴﻨـﻪ ﺳـﺎزي روﺷـﻬﺎي ﺳـﺎﺧﺖ و‬

‫ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي اﻳﻦ روﺷﻬﺎ‪ ،‬اﻓﺰاﻳﺶ ﻛﺎرآﻳﻲ ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ و زﻳﺎد ﺗﺮ ﺷﺪن ﻃﻮل ﻋﻤﺮ ادوات اﺳﺖ‪.‬‬

‫در اداﻣﻪ اﻳﻦ ﺑﺨﺶ ﻣﺜﺎﻟﻬﺎﻳﻲ از ﻛﺎرﺑﺮد ‪ AFM‬در ﺣﻮزه ﻫﺎي ﺗﻜﻨﻮﻟﻮژي ذﻛﺮ ﻣﻲ ﻛﻨﻴﻢ‪.‬‬

‫ﻣﻄﺎﻟﻌﺔ ﻓﺮآﻳﻨﺪﻫﺎي اﺻﻄﻜﺎﻛﻲ و ﺗﺤﻮل ادوات ﺗﺤﺖ اﺻﻄﻜﺎك در اﺑﻌﺎد ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ‬

‫در اﺻﻄﻼح ﺑﻪ ﻋﻠﻢ ﻣﻄﺎﻟﻌﺔ ﻓﺮآﻳﻨـﺪﻫﺎي اﺻـﻄﻜﺎﻛﻲ و ﺳـﻄﻮح ﺗﺤـﺖ اﺻـﻄﻜﺎك » ﺗﺮﻳﺒﻮﻟـﻮژي« ‪ 17‬ﮔﻔﺘـﻪ‬

‫ﻣﻲ ﺷﻮد‪ ،‬اﻳﻦ ﻋﻠﻢ ﺷﺎﻣﻞ ﻣﻄﺎﻟﻌﺔ ﻧﻴﺮوي اﺻﻄﻜﺎك ) ﻋﻠﻢ ﻓﻴﺰﻳﻚ( ‪ ،‬ﺧﻮردﮔﻲ ) ﻋﻠﻢ ﻣﻮاد( و رواﻧﺴﺎزﻫﺎ ‪) 18‬ﻋﻠﻢ‬

‫ﺷﻴﻤﻲ( ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫ﺟﺎﻟﺐ ﺗﻮﺟﻪ اﻳﻨﻜﻪ ‪ AFM‬در ﻫﺮ ﺳﻪ اﻳﻦ ﺑﺨﺸﻬﺎ اﻳﻔﺎي ﻧﻘﺶ ﻣـﻲ ﻛﻨـﺪ وﻣﻄﺎﻟﻌـﻪ ﺳـﻄﺢ را ﺑـﺎ دﻗـﺖ ﻧـﺎﻧﻮﻣﺘﺮ‬

‫ﻣﻤﻜﻦ ﻣﻲ ﺳﺎزد‪ .‬ﻧﺤﻮة اﺳﺘﻔﺎده از‪ AFM‬در ﺑﺨﺸﻬﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ اﻳﻦ ﻋﻠﻢ ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از‪ :‬ﺗﻮﻟﻴـﺪ ﻧﻴـﺮوي اﺻـﻄﻜﺎك و‬

‫ﺗﻬﻴﺔ ﻧﻘﺸﻪ اﺻﻄﻜﺎك در ﻧﻘـﺎط ﻣﺨﺘﻠـﻒ) ﺑﺮرﺳـﻲ اﺻـﻄﻜﺎك(‪ ،‬ﺗﻌﻴـﻴﻦ ﻣﻮرﻓﻮﻟـﻮژي و ﻧﻘـﺸﻪ ﻫﻨﺪﺳـﻪ وﺧـﻮاص‬

‫ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺤﻲ )ﺑﺮرﺳﻲ ﺧﻮردﮔﻲ(‪ ،‬و ﺑﺮرﺳﻲ ﭼﺴﺒﻨﺪﮔﻲ و ﻟﺰﺟﺖ ﻻﻳﻪ ﻫﺎي روان ﻛﻨﻨﺪه ﻣﻮﺟـﻮد در ﺳـﻄﺢ )‬

‫ﺑﺮرﺳﻲ ﻧﻘﺶ رواﻧﺴﺎزﻫﺎ(‬

‫‪17‬‬
‫‪Tribology‬‬
‫‪18‬‬
‫‪Lubricant's‬‬

‫‪30‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣﺘﺎﻟﻮرژي و ﺧﻮردﮔﻲ ادوات‬

‫ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﻣﻨﺤﺼﺮ ﺑﻪ ﻓﺮد ‪ AFM‬ﻛﻪ در ﺑﺎﻻ ذﻛﺮ ﺷﺪ ﻣﻮﺟﺐ اﺳﺘﻔﺎده از اﻳﻦ روش ‪ ،‬ﺑﺮاي ﭘﻴﺸﺒﺮد ﻣﻘﺎﺻﺪ‬

‫ﻣﺨﺘﻠﻒ در ﻣﺘﺎﻟﻮرژي و ﺧﻮردﮔﻲ ﺷﺪه اﺳﺖ ‪ .‬ﺑﺮرﺳﻲ آﻟﻴﺎژﻫﺎ‪ ،‬ﺳﺎﺧﺘﺎر و ﻓﺎز ﺑﻠﻮري ﻣـﻮاد‪ ،‬روﻛـﺸﻬﺎي ﻣﺤـﺎﻓﻆ‬

‫ﻓﻠﺰي‪ ،‬ﺳﻄﻮح ﺗﺤـﺖ ﺷـﺮاﻳﻂ ﻣﺤﻴﻄـﻲ ﺳـﺨﺖ ) ﺣـﺮارت ﺑـﺎﻻ‪ ،‬ﻣـﻮاد ﺷـﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﺧﻮرﻧـﺪه‪ ،‬اﺻـﻄﻜﺎك زﻳـﺎد( و‬

‫ﻛﺎﻣﭙﻮزﻳﺘﻬﺎ ﻣﺜﺎﻟﻬﺎﻳﻲ از ﺗﺎﺛﻴﺮ ‪ AFM‬در ﻋﻠﻢ ﻣﺘﺎﻟﻮرژي ﻣﻲ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪.‬‬

‫ﻏﺸﺎﻫﺎ و ﻓﻴﻠﺘﺮﻫﺎ‬

‫»ﻏﺸﺎ« ﺑﻪ ﻻﻳﻪ ﻫﺎي ﻧﺎزﻛﻲ ﮔﻔﺘﻪ ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ ﻛﻪ ﻣﺨﻠﻮﻃﻲ از ﻣﻮاد را ‪ ،‬ﺑﻮﺳﻴﻠﺔ ﻋﺒﻮردﻫﻲ اﻧﺘﺨﺎﺑﻲ ﻳﻜﻲ از آﻧﻬﺎ‪،‬‬

‫از ﻫﻢ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻣﻲ ﻛﻨﺪ‪ .‬ﻋﻮاﻣﻞ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻣﺘﻔﺎوت اﺳﺖ ‪ .‬ﻣﺜﻼً ﺗﻔﺎوت اﻧﺪازه در ﺟﺪا ﺳـﺎزي ذرات ﺟﺎﻣـﺪ ﻣﻌﻠـﻖ‬

‫در ﺳﻴﺎل ‪ ،‬ﺗﻔﺎوت ﺣـﻞ ﺷـﺪن در ﻏـﺸﺎ در ﺟﺪاﺳـﺎزي ﮔـﺎز اﻛـﺴﻴﮋن از ﻧﻴﺘـﺮوژن ‪ ،‬ﺗﻔـﺎوت ﺑـﺎر اﻟﻜﺘﺮﻳﻜـﻲ در‬

‫ﺟﺪاﺳﺎزي وﻳﺮوﺳﻬﺎ و ﺑﺎﻛﺘﺮﻳﻬﺎ از آب ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻫﺎﻳﻲ از اﻳﻦ ﻋﻮاﻣﻞ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﺑﻮﺳﻴﻠﺔ ‪ AFM‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﺘﺨﻠﺨﻞ‪ ،‬ﻋﻤـﻖ‬

‫ﺳﻮراخﻫﺎ و ﺧﻮاص ﺳﻄﺤﻲ ﻏﺸﺎﻫﺎ و ﻓﻴﻠﺘﺮﻫﺎي ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷـﺪه ﻳـﺎ در ﺣـﺎل اﺳـﺘﻔﺎده را در اﺑﻌـﺎد ﻧـﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﻣـﻲﺗـﻮان‬

‫ﻣﺸﺨﺺ ﻛﺮد‪ .‬ﻧﻬﺎﻳﺘﺎً ﻧﺘﺎﻳﺞ ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه در ﺗﻨﻈﻴﻢ ﺑﻬﻴﻨﺔ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﺳﺎﺧﺖ ﻏﺸﺎ و ﻓﻬﻢ ﻧﺤـﻮة ﻋﻤﻠﻜـﺮد و ﺗﺤـﻮل‬

‫ﻏﺸﺎ ) ﺑﺮاي ﺳﺎﺧﺖ ﻏﺸﺎﻫﺎي ﻛﺎرآﻣﺪﺗﺮ ﻣﺒﺘﻨﻲ ﺑﺮ ﻣﻜﺎﻧﻴﺰمﻫﺎي درك ﺷﺪه( و اﻓﺰاﻳﺶ ﻃﻮل ﻋﻤﺮ آن ﺑﻜﺎر ﮔﺮﻓﺘـﻪ‬

‫ﻣﻲ ﺷﻮد ) ﭼﺮا ﻛﻪ ﺑﺎ ﮔﺬﺷﺖ زﻣﺎن ﻣﻮاد ﺑﺮ ﺟﺎي ﻣﺎﻧـﺪه در ﺳـﻮراخﻫـﺎي ﻏـﺸﺎء ﺑﺎﻋـﺚ از ﺑـﻴﻦ رﻓـﺘﻦ ﺧﺎﺻـﻴﺖ‬

‫ﺟﺪاﻛﻨﻨﺪﮔﻲ آن ﻣﻲﺷﻮد(‪.‬‬

‫ﻛﻨﺘﺮل ﻛﻴﻔﻴﺖ و ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﻴﺰان ﻧﻘﺺﻫﺎي ﺳﻄﺤﻲ در واﺣﺪﻫﺎي ﺣﺎﻓﻈﺔ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬

‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﺑﻌﺎد ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮي واﺣﺪﻫﺎي ﺣﺎﻓﻈﻪ ‪ AFM‬وﺳﻴﻠﻪاي اﻳﺪهآل ﺑﺮاي ﺗﻬﻴﺔ ﻧﻘﺸﻪ ﺳﻪ ﺑﻌﺪي از ﺳﺎﺧﺘﺎر و‬

‫ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺳﻄﺤﻲ واﺣﺪﻫﺎي ﺣﺎﻓﻈﻪ ﻣﺤﺴﻮب ﻣﻲ ﺷﻮد‪ .‬ﭼﺮا ﻛﻪ ﺗﻬﻴﺔ ﺗﺼﺎوﻳﺮي ﺑﺎ اﻳﻦ دﻗﺖ ﺑﻮﺳﻴﻠﺔ روشﻫـﺎي‬

‫‪31‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫دﻳﮕﺮ ﺑﻪ ﺳﺎدﮔﻲ ﻣﻤﻜﻦ ﻧﻴﺴﺖ ‪ .‬ﻃﻮل‪ ،‬ﻋﺮض‪ ،‬ارﺗﻔﺎع‪ ،‬ﺷﻴﺐ و ﻫﻤﮕﻨﻲ ﻫﺮ ﻛﺪام از واﺣـﺪﻫﺎي ﺣﺎﻓﻈـﻪ ﺑـﺎ دﻗـﺖ‬

‫ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲ ﺷﻮد و ﻧﻘﺼﻬﺎي ﺳﺎﺧﺘﺎري آﺷﻜﺎر ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺑﺮ اﻳﻦ اﺳﺎس ﻣﻲ ﺗﻮان از ﻣﻴﺰان ﻣﻄﻠﻮﺑﻴﺖ روش‪-‬‬

‫ﻫﺎي ﺳﺎﺧﺖ و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻧﺤﻮة ﺗﺤﻮل ﺳﻠﻮﻟﻬﺎي ﺣﺎﻓﻈﻪ ﺑﻪ ﻣﺮور زﻣﺎن ﺑﺮ اﺛﺮ ﺗﻤـﺎس ﺑـﺎ ﻫـﺪ آﮔـﺎه ﺷـﺪ‪ .‬در ﻧﻬﺎﻳـﺖ‬

‫اﻣﻜﺎن ﺑﻬﻴﻨﻪ ﺳﺎزي ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﭘﻮﻟﻴﺶ ﺳﻄﺤﻲ و ﻧﺤﻮة اﺳﺘﻔﺎده ﺑﻬﻴﻨﻪ از رواﻧﺴﺎزﻫﺎ‪ ،‬در ﻓﺮآﻳﻨـﺪ ﺗﻤـﺎس ﻫـﺪ ﺑـﺎ واﺣـﺪ‬

‫ﺣﺎﻓﻈﻪ ‪ ،‬ﻓﺮاﻫﻢ ﻣﻲ ﺷﻮد‪.‬‬

‫در ﺟﺪاول ﺻﻔﺤﻪ ﺑﻌﺪ روش ‪ AFM‬ﺑﺎ ﺳﺎﻳﺮ روﺷﻬﺎي ﺑﺮرﺳﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺳﻄﻮح ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﮔﺮدﻳﺪه اﺳﺖ‬

‫‪32‬‬
 ‫ﻧﻮع دﺳﺘﮕﺎه‬
‫‪SEM‬‬ ‫‪TEM‬‬ ‫‪STM‬‬ ‫‪AFM‬‬
‫ﻣﻮرد ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ‬

‫آﻧﮕﺴﺘﺮوم )در ﻧﻮع ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭘﺬﻳﺮي ﺑﺎﻻ‬ ‫آﻧﮕﺴﺘﺮوم ) ﺑﺮرﺳﻲ ﭼﻴﺪﻣﺎن اﺗﻤﻲ ﺳﻄﻮح ﺑﻮﺳـﻴﻠﺔ ﺳـﻮزﻧﻬﺎي ﻓـﻮق‬
‫ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ‬ ‫آﻧﮕﺴﺘﺮوم‬ ‫ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ دﻗﺖ‬
‫‪(HRTEM‬‬ ‫ﺗﻴﺰ و ﺑﺴﻴﺎر ﺳﺨﺖ(‬

‫ﺑــﺎﻻي ‪ 500‬دﻻر)ﻧــﻮع ﺗﻔﻜﻴــﻚ ﭘــﺬﻳﺮي‬

‫‪ 200-400‬دﻻر )ﻧﻮع ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭘﺬﻳﺮي ﺑﺎﻻ(‬ ‫‪ 100-200‬دﻻر ) ﻧﻮع ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭘﺬﻳﺮي ﺑﺎﻻ(‬ ‫ﻫﺰﻳﻨﻪ‬
‫ﺑﺎﻻ(‬

‫‪-‬واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻣﺪ از ﭼﻨﺪ دﻗﻴﻘﻪ ﺗﺎ ﭼﻨﺪ ﺳﺎﻋﺖ‬

‫‪ -‬ﺑﺮرﺳﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻫﺎي ﺗـﻮده اي )‪(Bulk‬‬

‫ﻧﻴــﺎز ﺑــﻪ ﭼﻨــﺪﻳﻦ ﻫﻔﺘــﻪ زﻣــﺎن ﺑــﺮاي‬ ‫‪ -‬در ﺣﺎﻟﺖ ﻋﺎدي ﻧﻤﻮﻧﻪ آﻣﺎده ﺳﺎزي ﻧﻤﻲ ﺧﻮاﻫﺪ‬

‫‪ -‬ﭼﻨﺪﻳﻦ ﺳﺎﻋﺖ ﺑﺮاي رﺳﻴﺪن ﺑﻪ ﺧـﻼء ﺑـﺎﻻ‬ ‫ﻧﺎزﻛﺴﺎزي ﻧﻤﻮﻧﻪ دارد‪.‬‬ ‫ﺳﺮﻋﺖ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و‬
‫‪ -‬ﺑﺮاي ﺑﺮرﺳﻲ ﭘﻮدرﻫﺎ و ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻫﺎي ﺑﻴﻮﻟﻮژﻳﻚ ﺑﺎﻳﺪ ﻓﺮآﻳﻨـﺪ ﺗﺜﺒﻴـﺖ‬
‫‪ -‬ﭼﻨﺪﻳﻦ ﺳﺎﻋﺖ ﺑﺮاي رﺳﻴﺪن ﺑﻪ ﺧﻼء ﺑﺎﻻ ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز اﺳﺖ‬ ‫‪ -‬ﻧﻴﺎز ﺑﻪ ﺧﻼء ﺑﺴﻴﺎر ﺑـﺎﻻ‪ ،‬ﺣـﺪاﻗﻞ زﻣـﺎن‬ ‫اﻳﻦ ﻣﻮاد ﺑﻪ زﻳﺮ ﻻﻳﻪ ﺻﻮرت ﮔﻴﺮد‪.‬‬ ‫آﻣﺎده ﺳﺎزي ﻧﻤﻮﻧﻪ‬

‫ﺗﻬﻴــﺔ ﺗــﺼﻮﻳﺮ را ﭼﻨــﺪﻳﻦ ﺳــﺎﻋﺖ ﻣــﻲ‬

‫‪ -‬اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي در ﻣﺤﻴﻂ ﺧﻼء ﻧﻴﺎز ﺑﻪ ﻣـﺪت زﻣـﺎن ﺗﺨﻠﻴـﻪ ﻣﺤﻔﻈـﻪ‬
‫ﺳﺎزد‪.‬‬
‫دارد‪.‬‬
 ‫‪ -‬ﺳﻄﺢ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ ﺣﺘﻤﺎً ﺑﺎﻳﺪ رﺳﺎﻧﺎ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫‪ -‬ﺳﻄﺢ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ ﺣﺘﻤﺎً ﺑﺎﻳﺪ رﺳﺎﻧﺎ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫‪-‬ﺗﻬﻴﻪ ﺗﺼﺎوﻳﺮ ﺳﻪ ﺑﻌﺪي ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﺳﺮر اﺳﺖ و‬
‫‪ -‬ﺑﺮاي ﺑﺮرﺳﻲ ﺳﻄﻮح ﻋﺎﻳﻖ ﺑﺎﻳﺪ ﺳﻄﺢ ﺑﺎ ﻻﻳﻪ ﻧﺎزﻛﻲ از ﻣﺎده رﺳـﺎﻧﺎ‬
‫اﺳﺘﺎﻧﺪاردي ﻧﻴﺴﺖ و ﻧﻴﺎز ﺑﻪ ﻛﺎﻟﻴﺒﺮاﺳﻴﻮﻧﻬﺎي‬ ‫‪ -‬ﻣﺤﺪودﻳﺖ ﺑﻨﻴﺎدﻳﻨﻲ ﺑﺮ روي ﻧﻮع ﻣﺎده ﻳﺎ ﻣﺤﻴﻂ آن وﺟﻮد ﻧﺪارد و‬
‫ﭘﻮﺷﺎﻧﺪه ﺷﻮد ﻛﻪ ﻋﻼوه ﺑﺮ زﻣﺎﻧﺒﺮ ﺑﻮدن ﺑﺎﻋﺚ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻮرﻓﻮﻟﻮژي ﻣـﻲ‬
‫ﭘﻴﭽﻴﺪه دارد‪.‬‬ ‫ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﺷﺮاﻳﻂ از ﻣﺪ ﻣﻨﺎﺳﺐ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲ ﺷﻮد‪.‬‬
‫ﺗﺼﺎوﻳﺮ را ﺑﺼﻮرت دو ﺑﻌـﺪي ﺗﻬﻴـﻪ ﻣـﻲ‬ ‫ﺷﻮد و ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭘﺬﻳﺮي را ﺑﻪ ﭼﻨﺪﻳﻦ ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲ دﻫﺪ‪.‬‬
‫‪-‬ﺗﻨﻬــﺎ ﻣﺤــﺪودﻳﺖ اﻳــﻦ روش ﻋـــﺪم ﺗﻮاﻧــﺎﻳﻲ ﺑﺮرﺳــﻲ ﺳـــﺎﺧﺘﺎر‬ ‫ﻣﺤﺪودﻳﺖ‬
‫‪ -‬ﺑﺮاي ﺑﺮرﺳﻲ ﺳﻄﻮح ﻋـﺎﻳﻖ ﺑﺎﻳـﺪ ﺳـﻄﺢ ﺑـﺎ‬
‫ﻛﻨﺪ )ﻋﻤﻖ ﻧﺪارد(‬
‫‪ -‬واﺑﺴﺘﮕﻲ ﺟﺮﻳـﺎن ﺑـﻪ ﻋـﻮاﻣﻠﻲ ﻏﻴـﺮ از ﻓﺎﺻـﻠﻪ ﺳـﻮزن از ﺳـﻄﺢ از‬
‫ﻻﻳﺔ ﻧﺎزﻛﻲ از ﻣﺎده رﺳﺎﻧﺎ ﭘﻮﺷﺎﻧﺪه ﺷﻮد ﻛـﻪ‬ ‫ﺳــﻮراخﻫــﺎﻳﻲ ﺑــﺎ ﻋﻤﻘــﻲ ﺑــﻴﺶ از ﻃــﻮل ﺳــﻮزن اﺳــﺖ ) ﺣــﺪود ‪10‬‬
‫ﺟﻤﻠــﻪ ﭼﮕــﺎﻟﻲ ﺣــﺎﻻت اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬــﺎ‪ ،‬وﻟﺘﺎژﺑﺎﻳــﺎس‪ ،‬و ﺷــﺪت ﺟﺮﻳــﺎن‬
‫ﻋـــﻼوه ﺑـــﺮ زﻣـــﺎﻧﺒﺮ ﺑـــﻮدن ﺑﺎﻋـــﺚ ﺗﻐﻴﻴـــﺮ‬ ‫ﻣﻴﻜﺮوﻣﺘﺮ(‬
‫)اﺛﺮات ﻏﻴﺮ ﺧﻄﻲ( ﻣﻮﺟﺐ ﭘﻴﭽﻴـﺪﮔﻲ ﺗﺤﻠﻴـﻞ و ﺗﻮﺿـﻴﺢ ﻧﺘـﺎﻳﺞ ﻣـﻲ‬
‫ﻣﻮرﻓﻮﻟﻮژي ﻣﻲ ﺷﻮد و ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭘـﺬﻳﺮي را‬
‫ﺷﻮد ‪.‬‬
‫ﺑﻪ ﭼﻨﺪﻳﻦ ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲ دﻫﺪ‪.‬‬

‫‪ -‬دﻗﺖ زﻳﺮ آﻧﮕﺴﺘﺮوم‬

‫‪ -‬اﻣﻜﺎن ﻋﻤﻞ دﺳﺘﮕﺎه در ﻣﺤﻴﻄﻬﺎي ﻫﻮا‪ ،‬ﺧـﻼء و ﻣـﺎﻳﻊ ) در ﻧﺘﻴﺠـﻪ‬

‫‪ -‬ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ زﻳﺎد ﺟﺮﻳﺎن ﺑﻪ ﻓﺎﺻـﻠﺔ ﺳـﻮزن از ﺳـﻄﺢ ] ﺑﻴـﺸﺘﺮ از ‪%90‬‬ ‫اﻣﻜﺎن ﺑﺮرﺳﻲ ذرات وﻣـﻮادي ﻛـﻪ در ﺧـﻼء ﺗـﺼﻌﻴﺪ ﻣـﻲ ﺷـﻮﻧﺪ ﻳـﺎ‬
‫‪-‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺳﻪ ﺑﻌﺪي ﺳﻮراخﻫﺎي ﻋﻤﻴﻖ ﺳـﻄﺢ‬
‫ﺟﺮﻳﺎن اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﮔﺬرﻧﺪه از ﺳﻮزن )ﺳﻴﮕﻨﺎل( از ﺗﻚ ﻣﻠﻜﻮل ﻧﻮك‬ ‫ذرات ﻣﻌﻠﻖ درﻣﺎﻳﻊ(‬
‫ﻫﻢ ﻗﺎﺑﻞ ﺑﺮرﺳﻲ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬ ‫ﺗﻮاﻧﻤﻨـــــﺪي و‬
‫ﺳﻮزن و ﻧﺰدﻳﻜﺘﺮﻳﻦ ﻧﻘﻄﺔ ﺳﻄﺢ ﻣﻲ ﮔـﺬرد ﻛـﻪ ﺑﺎﻋـﺚ ﻧـﺎﭼﻴﺰ ﺑـﻮدن‬
‫‪ -‬ﺑﺮرﺳــﻲ ﺟــﻨﺲ ﻧﻘــﺎط ﻣﺨﺘﻠــﻒ ﺳــﻄﺢ و‬ ‫‪-‬ﺗﺼﺎوﻳﺮ را ﺑﺼﻮرت ﺳﻪ ﺑﻌﺪي ﺗﻬﻴﻪ ﻣﻲ ﻛﻨﺪ‬ ‫ﻣﺰﻳﺖ‬
‫ﺟﺮﻳﺎن ﺑﻘﻴﺔ ﻧﻘﺎط ﺳﻄﺢ و ﻛﻢ ﺷﺪن ﺗﺪاﺧﻞ اﻃﻼﻋـﺎت ﻧﺎﺷـﻲ از ﺑﻘﻴـﺔ‬
‫ﺗﻮزﻳﻊ ﺧﻮاص ﺳﻄﺤﻲ ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ‪.‬‬ ‫‪ -‬ﺑﺮرﺳﻲ ﺟـﻨﺲ ﻧﻘـﺎط ﻣﺨﺘﻠـﻒ ﺳـﻄﺢ و ﺗﻮزﻳـﻊ ﺧـﻮاص ﺳـﻄﺤﻲ‬
‫ﻧﻘﺎط ﻣﻲ ﺷﻮد ‪ .‬اﻳﻦ ﻣﺴﺎﻟﻪ ﺑﻪ اﻓﺰاﻳﺶ دﻗـﺖ ﺗﻌﻴـﻴﻦ ﻓﺎﺻـﻠﺔ ﺳـﻮزن از‬
‫ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺳﻄﺢ ﻣﻲ اﻧﺠﺎﻣﺪ‪[.‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ‪ -1‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ SPM‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻛﺸﻮر‬

‫) ‪Scanning probe Microscopy ( SPM‬‬ ‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﭘﺮوب روﺑﺸﻲ‬

‫ﻧﻮع ﻋﻀﻮﻳﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪Solver P47H‬‬ ‫ﻣﺮﻛﺰ ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت ﻛﺎﺗﺎﻟﻴﺴﺖ ﺻﻨﻌﺖ ﻧﻔﺖ‬ ‫‪1‬‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪Philips‬‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه ﻓﻴﺰﻳﻚ داﻧﺸﮕﺎه ﺷﺮﻳﻒ‬ ‫‪2‬‬

‫رزرو‬ ‫‪-‬‬ ‫ﻣﺮﻛﺰ ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت ﻓﻴﺰﻳﻚ ﭘﻼﺳﻤﺎ‬ ‫‪3‬‬

‫‪35‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪ -2-2‬ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ روﺑﺸﻲ ﺗﻮﻧﻠﻲ)‪(STM‬‬

‫ﻣﻘﺪﻣﻪ‬

‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ روﺑﺸﻲ ﺗﻮﻧﻠﻲ)‪ 19(STM‬دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺑﺮرﺳﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر و ﺑﺮﺧﻲ از ﺧﻮاص‬

‫ﺳﻄﻮح ﻣﻮاد رﺳﺎﻧﺎ‪ ،‬ﺑﻴﻮﻟﻮژﻳﻚ ﻛﻪ ﺗﺎ ﺣﺪي رﺳﺎﻧﺎ ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻻﻳﻪﻫﺎي ﻧﺎزك ﻧﺎرﺳﺎﻧﺎ ﻛﻪ روي زﻳﺮﻻﻳﻪ‬
‫رﺳﺎﻧﺎ ﻻﻳﻪﻧﺸﺎﻧﻲ ﺷﺪهاﻧﺪ‪ ،‬در ﺣﺪ اﺑﻌﺎد زﻳﺮ ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ‪ ،‬ﺑﻜﺎر ﻣﻲرود‪.‬‬

‫ﻣﺒﻨﺎي اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻫﻨﺪﺳﻪ و ﺧﻮاص ﺳﻄﺤﻲ در اﻳﻦ دﺳﺘﮕﺎه ﺑﺮ اﻳﻦ واﻗﻌﻴﺖ اﺳﺘﻮار اﺳﺖ ﻛﻪ ﻫﺮﮔﺎه ﻓﺎﺻﻠﺔ‬
‫ﻳﻚ ﺳﻮزن ﺗﻴﺰ رﺳﺎﻧﺎ از ﻳﻚ ﺳﻄﺢ رﺳﺎﻧﺎ ﺣﺪود ﭼﻨﺪ آﻧﮕﺴﺘﺮوم‪ 20‬ﺑﺎﺷﺪ ) ﻣﺘﺼﻞ ﻧﺸﻮﻧﺪ( و اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژي ﺑﻪ‬

‫ﺑﺰرﮔﻲ ﺣﺪود ﭼﻨﺪ ده ﻣﻴﻠﻲ وﻟﺖ ﺑﻪ آن اﻋﻤﺎل ﺷﻮد ﺟﺮﻳﺎن اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺣﺪود ﭼﻨﺪ ﻧﺎﻧﻮآﻣﭙﺮ ﺑﻴﻦ ﺳﻮزن و ﺳﻄﺢ‬
‫ﺑﺮﻗﺮار ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪ اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه در اﺻﻄﻼح »ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻞ زﻧﻲ«‪ 21‬ﮔﻔﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه ﺗﻨﻬﺎ در ﺳﺎﻳﺔ ﻣﻜﺎﻧﻴﻚ‬
‫ﻛﻮاﻧﺘﻤﻲ روي ﻣﻲدﻫﺪ ﭼﺮا ﻛﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎ در اﻧﺘﻘﺎل از ﺳﻮزن ﺑﻪ ﺳﻄﺢ و ﺑﺮﻋﻜﺲ از ﻧﺎﺣﻴﻪاي ﻣﻲﮔﺬرﻧﺪ ﻛﻪ‬

‫اﻧﺮژي ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ اﻟﻜﺘﺮون از اﻧﺮژي ﻛﻞ آن ﺑﺰرﮔﺘﺮ اﺳﺖ )ﻧﺎﺣﻴﺔ ﺑﻴﻦ ﺳﻮزن و ﺳﻄﺢ(‪ .‬ﻣﻘﺪار ﺟﺮﻳﺎن اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬
‫ﺗﺎﺑﻌﻲ از ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ‪ ،‬ﺷﻜﻞ و ﺟﻨﺲ ﺳﻮزن‪ ،‬ﻫﻨﺪﺳﻪ و ﺟﻨﺲ ﺳﻄﺢ‪ ،‬و اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژ ﺳﻮزن وﺳﻄﺢ‬

‫ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬در دﺳﺘﮕﺎه ‪ STM‬اﻳﻦ ﺳﻮزن ﺗﻴﺰ رﺳﺎﻧﺎ ﺑﻪ ﺑﺎزوﻫﺎي ﭘﻴﺰواﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﻣﺘﺼﻞ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﻮﺳﻴﻠﺔ آﻧﻬﺎ ﺳﻮزن ﺑﻪ‬
‫ﻫﺮ ﻧﻘﻄﺔ دﻟﺨﻮاه از ﺳﻄﺢ ﺑﺎ ﻓﺎﺻﻠﺔ دﻟﺨﻮاه از آن ﻧﻘﻄﻪ ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻣﻲﺷﻮد و اﻣﻜﺎن ﺑﺮرﺳﻲ ﺧﻮاص آن ﻧﻘﻄﻪ از ﺳﻄﺢ‬

‫ﻓﺮاﻫﻢ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺧﻮاص ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ از ‪ STM‬ﺑﻪ دو ﺻﻮرت ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ و ﻏﻴﺮﻣﺴﺘﻘﻴﻢ اﺳﺘﻔﺎده‬

‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در واﻗﻊ در ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺧﻮاﺻﻲ ﻛﻪ ﻣﺴﺘﻘﻴﻤﺎً از روي ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ‬
‫و اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژ اﻋﻤﺎل ﺷﺪه اﺳﺘﻨﺘﺎج ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ از ‪ STM‬ﺑﺼﻮرت ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺧﻮاﺻﻲ از ﺳﻄﺢ‬

‫‪19‬‬
‫‪-Scanning Tunneling Microscopy‬‬

‫‪-20‬ﻳﻚ آﻧﮕﺴﺘﺮوم ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 0/1‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ اﺳﺖ‬

‫‪21‬‬
‫‪- Tunneling Current‬‬

‫‪36‬‬
 ‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻛﻪ ﺑﻄﻮر ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺗﻮﺳﻂ ‪ STM‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻫﻨﺪﺳﻲ ﺳﻄﺢ‪ ،‬ﺗﺎﺑﻊ ﻛﺎر ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ‬

‫ﺳﻄﺢ‪ ،‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ‪ ،‬ﺗﺮازﻫﺎي ارﺗﻌﺎﺷﻲ ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ‪ ،‬ﺣﻮزهﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬
‫ﺳﻄﻮح و ﻣﻐﻨﺎﻃﺶ آﻧﻬﺎ‪.‬‬

‫در دﺳﺘﺔ دﻳﮕﺮي از روشﻫﺎي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺧﻮاص ﺳﻄﺤﻲ‪ ،‬از ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ﺑﺮاي ﺗﺤﺮﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎي ﻳﻚ‬

‫ﻧﻘﻄﻪ از ﺳﻄﺢ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺑﻄﻮر ﻣﻮﻗﺖ ﺑﺮﺧﻲ از ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت آن ﻧﻘﻄﻪ از ﺳﻄﺢ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ‬

‫ﻛﻪ ﺑﺎﻋﺚ ﻣﻲﺷﻮد اﻳﻦ ﺳﻄﻮح ﺗﻮﺳﻂ روش ﻫﺎي دﻳﮕﺮ اﺳﭙﻜﺘﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ) ﻣﺎﻧﻨﺪ اﺳﭙﻜﺘﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ راﻣﺎن‪،‬‬
‫ﻟﻮﻣﻴﻨﺴﺎﻧﺲ( ﻗﺎﺑﻞ ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺑﻌﻨﻮان ﻣﺜﺎل آﺷﻜﺎر ﺳﺎزي اﻧﺮژي ﻓﻮﺗﻮنﻫﺎي ﻟﻮﻣﻴﻨﺴﺎﻧﺲ )ﻓﻮﺗﻮﻧﻬﺎﻳﻲ ﻛﻪ در‬

‫ﺑﺎزﮔﺸﺖ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎي ﺗﺤﺮﻳﻚ ﺷﺪه ﺑﺮ اﺛﺮ ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ﺑﻪ ﺗﺮازﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻨﺘﺮ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻣﻲ ﺷﻮﻧﺪ( ﺑﻌﻨﻮان اﺛﺮ اﻧﮕﺸﺖ‬

‫ﺗﺮازﻫﺎي اﻧﺮژي آن ﻧﻘﻄﻪ از ﺳﻄﺢ ﻣﺤﺴﻮب ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺟﺮﻳﺎن ﻣﻮﺿﻌﻲ ﺗﻮﻧﻠﻲ ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ ﻳﻚ ﻣﻴﻠﻴﻮن‬
‫ﺑﺮاﺑﺮي ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ راﻣﺎن ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﺑﺎ اﺳﭙﻜﺘﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ راﻣﺎن آﺷﻜﺎرﺳﺎزي ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت آن ﻧﻘﻄﻪ از ﺳﻄﺢ‬

‫ﻣﻤﻜﻦ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﺑﺨﺶﻫﺎي ﺑﻌﺪي ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ و ﻏﻴﺮﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ‪ STM‬در ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ و ﺗﻌﻴﻴﻦ‬
‫ﺧﻮاص ﺳﻄﻮح ﺑﺎ ﺗﻔﺼﻴﻞ ﺑﻴﺸﺘﺮي ﺑﻴﺎن ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪.‬‬

‫ﻧﮕﺎﻫﻲ اﺟﻤﺎﻟﻲ ﺑﻪ اﺻﻮل ﻛﻠﻲ ﻋﻤﻠﻜﺮد ‪STM‬‬

‫ﺷﻜﻞ روﺑﺮور ﺑﻄﻮر ﻧﻤﺎدﻳﻦ اﺟﺰاي اﺻﻠﻲ دﺳﺘﮕﺎه ‪ STM‬را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬

‫ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ‬

‫ﺷﻜﻞ‪( 1‬ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻧﻤﺎدﻳﻦ اﺟﺰاي اﺻﻠﻲ و اﺻﻮل ﻋﻤﻠﻜﺮد دﺳﺘﮕﺎه ‪STM‬‬

‫‪37‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫اﺻﻮل ﻛﻠﻲ ﻛﺎر ‪ STM‬ﺑﺪﻳﻦ ﺻﻮرت اﺳﺖ ﻛﻪ ﻳﻚ ﺳﻮزن‪ 22‬ﺑﺴﻴﺎر ﻇﺮﻳﻒ و ﻧﻮك ﺗﻴﺰ رﺳﺎﻧﺎ ﺑﻪ ﻳﻚ ﺑﺎزوي‬

‫ﭘﻴﺰواﻟﻜﺘﺮﻳﻚ ﻣﺘﺼﻞ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻣﻜﺎن ﺳﻮزن ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ ﺑﺎ اﻋﻤﺎل‬
‫∧ ∧ ∧‬
‫اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺑﻪ ﭘﻴﺰواﻟﻜﺘﺮﻳﻚ‪) 23‬ﻫﺎ( در راﺳﺘﺎﻫﺎي ‪ z, y, x‬ﺳﻮزن را ﺑﻪ ﻫﺮ ﻧﻘﻄﺔ دﻟﺨﻮاه از ﻓﻀﺎي‬

‫ﺳﻪ ﺑﻌﺪي‪ ،‬ﺑﺎ دﻗﺖ آﻧﮕﺴﺘﺮوم‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻛﺮد‪ .‬ﺑﺮاي ﺗﻬﻴﺔ ﻧﻘﺸﻪ ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﻳﻚ ﻧﺎﺣﻴﻪ از ﺳﻄﺢ ﺳﻮزن ﺑﻪ‬
‫ﺑﺎﻻي ﺗﻚ ﺗﻚ ﻧﻘﺎط ﺳﻄﺢ ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻣﻲﺷﻮد )ﺑﻪ اﻳﻦﻛﺎر در اﺻﻄﻼح »روﺑﺶ ﺳﻄﺤﻲ«‪ 24‬ﮔﻔﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد(‪ .‬در‬

‫اﻳﻦﺣﺎﻟﺖ در ﻳﻚ ارﺗﻔﺎع ﻣﻌﻴﻦ اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژ ﺧﺎﺻﻲ ﺑﻴﻦ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ و ﺳﻮزن رﺳﺎﻧﺎ اﻋﻤﺎل ﻣﻲﺷﻮد و ﺟﺮﻳﺎن‬

‫اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺗﻮﻧﻠﻲ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻣﺪ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ‪ STM‬اﻳﻨﻜﺎر ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ در ارﺗﻔﺎعﻫﺎي‬

‫ﻣﺘﻌﺪد و ﺑﺎ اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻣﺘﻌﺪد ﺗﻜﺮار ﺷﻮد‪ .‬ﺑﺮاي ﺗﻨﻈﻴﻢ ارﺗﻔﺎع از ﻳﻚ ﻣﺪار ﻓﻴﺰﻳﻚ ﻛﻨﺘﺮﻟﻲ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ‬
‫اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد و در ﻫﺮ ﮔﺎم روﺑﺶ ﺳﻄﺤﻲ ﻓﺮﻣﺎن ﺗﻐﻴﻴﺮ ارﺗﻔﺎع ﺗﻮﺳﻂ اﻳﻦ ﻣﺪار ﺑﻪ دﻓﻌﺎت ﺻﺎدر ﻣﻲﺷﻮد ﺗﺎ‬

‫ارﺗﻔﺎع ﺳﻮزن در ﻣﺤﺪودة ﻣﻨﺎﺳﺐ ﻗﺮار ﮔﻴﺮد‪.‬‬

‫ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ ﻗﺒﻼً ﮔﻔﺘﻪ ﺷﺪ‪ .‬اﻧﺪازة اﻳﻦ ﺟﺮﻳﺎن ﺗﺎﺑﻌﻲ از ﺟﻨﺲ ﺳﻄﺢ‪ ،‬ﻫﻨﺪﺳﺔ ﺳﻄﺢ‪ ،‬ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ و‬

‫اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژ اﻋﻤﺎل ﺷﺪه ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﺑﺮرﺳﻲ اﻧﺪازة ﺟﺮﻳﺎن ﻣﺎ ﺑﻪ ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﺳﻄﺢ و ارﺗﻔﺎع ﺳﻮزن از‬

‫ﺳﻄﺢ رﻫﻨﻤﻮن ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫‪22‬‬
‫‪- Tip‬‬

‫‪ - 23‬ﭘﻴﺰو اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻬﺎ ﻧﻮﻋﻲ ﺳﺮاﻣﻴﻚ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﻛﻪ ﺑﺎ اﻋﻤﺎل اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﺑﻪ دو ﺳﺮ آﻧﻬﺎ ﻃﻮﻟﺸﺎن از ﻣﺮﺗﺒﺔ ﻳﻚ آﻧﮕﺴﺘﺮوم ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬از اﻳﻦ ﻣﻮاد‬
‫ﺑﺮاي ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻴﻬﺎي ﺑﺴﻴﺎر دﻗﻴﻖ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫‪24‬‬
‫‪- Scanning‬‬

‫‪38‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫در ﺑﺨﺶ ﺑﻌﺪي ﺟﺰﺋﻴﺎت ﻋﻤﻠﻜﺮد ‪ STM‬در ﻣﺪﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ و ﻣﻨﻄﻖ ﻛﺴﺐ اﻃﻼﻋﺎت از ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺳﻄﺢ‬

‫در ﻣﺪ ﻣﺮﺑﻮﻃﻪ را ﺑﻄﻮر ﻣﺨﺘﺼﺮ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ ﻗﺮار ﻣﻲ ﮔﻴﺮد‪.‬‬

‫روشﻫﺎي ﻣﺒﺘﻨﻲ ﺑﺮ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ از ‪ STM‬در ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺳﻄﻮح‬

‫در دﻣﺎﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦ و در وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ارﺗﺒﺎط ﺑﻴﻦ ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ و ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺳﻮزن و ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺑﻴﻦ آﻧﻬﺎ‬

‫ﺑﺼﻮرت )‪ IT=F(V)× exp(-2kz‬ﻣﻲﺑﺎﺷﺪﻛﻪ ‪ z‬ارﺗﻔﺎع ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ‪ k ،‬ﺛﺎﺑﺖ ﻧﻤﺎﻳﻲ ﺗﺎﺑﻌﻲ از »ﺗﺎﺑﻊ‬
‫ﻛﺎر«‪ 25‬ﺳﻮزن و ﺳﻄﺢ و ‪ F‬ﺗﺎﺑﻌﻲ از ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎي ﺳﻄﺢ اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺑﺮ اﻳﻦ اﺳﺎس ﺑﺎ ﺛﺎﺑﺖ ﻗﺮار دادن ﺑﺮﺧﻲ از اﻳﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎ اﻣﻜﺎن ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﻘﺪار ﻳﺎ ﻧﺤﻮة ﺗﻐﻴﻴﺮات ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي‬

‫دﻳﮕﺮ ﻓﺮاﻫﻢ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل در وﻟﺘﺎژ ﺛﺎﺑﺖ ﺑﺎ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ در ارﺗﻔﺎعﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ‪ k‬ﺗﻌﻴﻴﻦ‬
‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﻌﻨﻮان ﻣﺜﺎل دﻳﮕﺮ ﺣﺎﻟﺘﻲ را در ﻧﻈﺮ ﻣﻲﮔﻴﺮﻳﻢ ﻛﻪ ﺟﻨﺲ و ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎ در ﻧﻘﺎط‬

‫ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻳﻜﺴﺎن ‪ (LDOS)26‬اﺳﺖ‪.‬ﻳﻌﻨﻲ ‪ k‬و ﺗﺎﺑﻊ ‪ F‬در ﺗﻤﺎم ﻧﻘﺎط ﺳﻄﺢ ﻳﻜﻲ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬در اﻳﻦ ﺻﻮرت ﺛﺎﺑﺖ‬

‫ﻣﺎﻧﺪن ﺟﺮﻳﺎن‪ ،‬ﺛﺎﺑﺖ ﺑﻮدن ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ را ﺗﻀﻤﻴﻦ ﻣﻲﻛﻨﺪ و در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻫﻨﺪﺳﻲ ﺳﻄﺢ ﻣﻌﻠﻮم‬

‫ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻣﺜﺎل دﻳﮕﺮ ﺣﺎﻟﺘﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ درﺻﺪد ﻛﺴﺐ اﻃﻼع از ﺗﺮازﻫﺎي اﻧﺮژي ﻳﺎ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ‬

‫در ﻳﻚ ﻧﻘﻄﻪ از ﺳﻄﺢ ﺑﺎﺷﻴﻢ‪ .‬در ﺣﺎﻟﺖ اﺧﻴﺮ ﺑﺎ ﺛﺎﺑﺖ ﻛﺮدن ﻣﻜﺎن ﺳﻮزن ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺳﻄﺢ و ﺑﺮرﺳﻲ ﺗﻐﻴﻴﺮات‬

‫ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ وﻟﺘﺎژ از ﺗﺎﺑﻊ ‪ F‬آﮔﺎه ﻣﻲﺷﻮﻳﻢ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻨﻜﻪ ‪ F‬ﺧﻮد ﺗﺎﺑﻌﻲ از ﺗﺮازﻫﺎي اﻧﺮژي و‬
‫‪ LDOS‬اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ اﺳﺖ‪ ،‬آﮔﺎﻫﻲ از ‪ F‬ﻣﻌﺎدل آﺷﻜﺎرﺳﺎزي ﺗﺮازﻫﺎي اﻧﺮژي و ‪ LDOS‬اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎﺳﺖ‪.‬‬

‫در اداﻣﻪ ﺟﺰﺋﻴﺎت ﻋﻤﻠﻜﺮد ‪ STM‬در ﻣﺪﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ و ﻣﻨﻄﻖ ﻛﺴﺐ اﻃﻼﻋﺎت از ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺳﻄﺢ در ﻣﺪ‬

‫ﻣﺮﺑﻮﻃﻪ ﺑﺎ ﺗﻔﺼﻴﻞ ﺑﻴﺸﺘﺮي ﻣﻄﺮح ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻣﺪ ﺟﺮﻳﺎن ﺛﺎﺑﺖ‬

‫‪25‬‬
‫‪- Work Function‬‬

‫‪26‬‬
‫‪- Local Density Of States‬‬

‫‪39‬‬
 ‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫در ﺻﻮرﺗﻲﻛﻪ ﺟﻨﺲ ﺳﻄﺢ ]و ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎ[ در ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ ﻳﻜﺴﺎن ﺑﺎﺷﺪ اﻳﻦ‬

‫روش ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﻣﻄﻤﺌﻨﻲ ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻫﻨﺪﺳﻲ ﺳﻄﺢ ﻣﻮاد‪ ،‬ﺑﺎ دﻗﺖ آﻧﮕﺴﺘﺮوم‪ ،‬ﻣﺤﺴﻮب ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در اﻳﻦ‬
‫روش در ﻫﺮ ﮔﺎم روﺑﺶ ﺳﻄﺤﻲ ارﺗﻔﺎع ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ ﺑﻪ اﻧﺪازهاي ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ﺑﻪ ﻣﻘﺪار‬

‫ﻣﻌﻴﻦ ﺑﺮﺳﺪ‪ .‬از ﻃﺮﻓﻲ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻓﺮض ﻳﻜﺴﺎن ﺑﻮدن ﺟﻨﺲ ﺳﻄﺢ )و ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮون ﻫﺎ( در ﻧﻘﺎط‬

‫ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ ﻣﻘﺪار ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ﺗﻨﻬﺎ ﺗﺎﺑﻌﻲ از ارﺗﻔﺎع ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﺗﺤﺖ اﻳﻦ ﺷﺮاﻳﻂ‪،‬‬

‫ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑﺶ ﺳﻄﺤﻲ‪ ،‬ﺛﺎﺑﺖ ﺑﻮدن ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ﺑﻪ ﻣﻌﻨﻲ ﺛﺎﺑﺖ ﺑﻮدن ارﺗﻔﺎع ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬در‬

‫ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺑﺎ ﺛﺒﺖ ﻣﺴﻴﺮ ﭘﻴﺰواﻟﻜﺘﺮﻳﻚ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑﺶ ﺳﻄﺤﻲ از ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻫﻨﺪﺳﻲ ﺳﻄﺢ ﻣﻄﻠﻊ ﻣﻲﺷﻮﻳﻢ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ ( 2‬ﻣﺴﻴﺮ ﺳﻮزن در ﻣﺪ ﺟﺮﻳﺎن ﺛﺎﺑﺖ‬

‫در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ ﺟﻨﺲ ﺳﻄﺢ و ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎ درﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ ﻳﻜﺴﺎن ﻧﺒﺎﺷﺪ ﻳﺎ از‬
‫ﻳﻜﺴﺎن ﺑﻮدن آﻧﻬﺎ اﻃﻤﻴﻨﺎن ﻧﺪاﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻴﻢ‪ ،‬روش اﺧﻴﺮ ﻧﺘﺎﻳﺞ ﻣﻄﻤﺌﻨﻲ را ﺑﺪﺳﺖ ﻧﺨﻮاﻫﺪ داد‪ .‬در زﻳﺮ ﺗﺼﺎوﻳﺮ‬
‫ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﺗﻮﺳﻂ ‪ STM‬از ﺳﺎﺧﺘﺎر اﺗﻤﻲ ﻳﻚ ﻧﺎﻧﻮﺗﻴﻮب و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺳﻄﺢ ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن را ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻲ ﻛﻨﻴﺪ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ ( 4‬ﺳﺎﺧﺘﺎر اﺗﻤﻲ ﺳﻄﺢ ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﺗﻮﺳﻂ ‪. STM‬‬ ‫ﺷﻜﻞ‪ ( 3‬ﺳﺎﺧﺘﺎر اﺗﻤﻲ ﻳﻚ ﻧﺎﻧﻮﺗﻴﻮب ﺗﻚ ﺟﺪاره ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﺗﻮﺳﻂ ‪STM‬‬

‫‪40‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣﺪ ارﺗﻔﺎع ﺛﺎﺑﺖ‬

‫اﻳﻦ ﻣﺪ روش ﺳﺮﻳﻌﻲ ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻫﻨﺪﺳﻲ ﺳﻄﺢ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬در اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژ ﺛﺎﺑﺖ ارﺗﺒﺎط‬

‫ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ ﻣﻄﺎﺑﻖ راﺑﻄﻪ )‪ IT ~ exp (-2kz‬ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ ﻛﻪ ‪ z‬ﻧﺸﺎﻧﮕﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ‬
‫ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ و ‪ 27k‬ﺛﺎﺑﺘﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﻪ ﺟﻨﺲ ﺳﻄﺢ و ﺟﻨﺲ و ﺷﻜﻞ ﺳﻮزن ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد‪ .‬در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺑﺎ آﮔﺎﻫﻲ‬

‫از اﻧﺪازة ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ﻋﻠﻲاﻻﺻﻮل ﻣﻲﺗﻮاﻧﻴﻢ از ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ آﮔﺎه ﺷﻮﻳﻢ‪.‬‬

‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﻄﺎﻟﺐ ﺑﺎﻻ اﮔﺮ ارﺗﻔﺎع ﭘﻴﺰواﻟﻜﺘﺮﻳﻚ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ اﻓﻖ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑﺶ ﺛﺎﺑﺖ ﺑﺎﺷﺪ در ﻧﻘﺎط‬

‫ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺟﺮﻳﺎنﻫﺎي ﺗﻮﻧﻠﻲ ﻣﻘﺪار ﻣﺘﻔﺎوﺗﻲ ﺧﻮاﻫﺪ داﺷﺖ‪ .‬در ﻧﺘﻴﺠﻪ از روي راﺑﻄﺔ ﺑﺎﻻ ﻓﺎﺻﻠﺔ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ در‬
‫ﻧﻘﺎط ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ ﻛﻪ ﺑﻪ ﻣﻌﻨﻲ ﻣﻌﻠﻮم ﺷﺪن ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻫﻨﺪﺳﻪ ﺳﻄﺢ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ ( 5‬ﻣﺴﻴﺮ ﺳﻮزن در ﻣﺪ ارﺗﻔﺎع ﺛﺎﺑﺖ‬

‫ﻣﺰﻳﺖ ﻣﺪ»ارﺗﻔﺎع ﺛﺎﺑﺖ« ﺑﻪ ﻣﺪ» ﺟﺮﻳﺎن ﺛﺎﺑﺖ« ﺳﺮﻋﺖ ﺑﺎﻻي ﻓﺮآﻳﻨﺪ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي اﺳﺖ ﭼﺮا ﻛﻪ ﺑﺮﺧﻼف‬

‫ﻣﺪ»ﺟﺮﻳﺎن ﺛﺎﺑﺖ« ﻣﺪار ﻓﻴﺪﺑﻚ ﻧﻘﺸﻲ در ﻛﻨﺘﺮل ارﺗﻔﺎع اﻳﻔﺎ ﻧﻤﻲﻛﻨﺪ ودر ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺗﺄﺧﻴﺮ زﻣﺎﻧﻲ واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺳﻴﻜﻠﻬﺎي‬

‫ﻣﺘﻌﺪد ﻣﺪار ﻓﻴﺪﺑﻚ وﺟﻮد ﻧﺨﻮاﻫﺪ داﺷﺖ‪ .‬ﻣﺤﺪودﻳﺖ اﻳﻦ ﻣﺪ ﻟﺰوم ﻫﻤﻮاري ﺑﺎﻻي ﺳﻄﺢ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ و‬

‫اﻃﻤﻴﻨﺎن از اﻳﻦ ﻣﺴﺄﻟﻪ اﺳﺖ ﭼﺮا ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪن ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻣﻨﺎﺳﺐ‪ .‬ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ‪ ،‬ﻓﺎﺻﻠﻪ ﺳﻮزن از ﺳﻄﺢ‬
‫ﺑﺎﻳﺪ در ﻣﺤﺪودة ﭼﻨﺪ آﻧﮕﺴﺘﺮوم ﺑﺎﻗﻲ ﺑﻤﺎﻧﺪ‪ .‬از ﻃﺮﻓﻲ در ﺻﻮرت ﻧﺎﻫﻤﻮاري زﻳﺎد ﺳﻄﺢ ﺣﻴﻦ ﻓﺮآﻳﻨﺪ روﺑﺶ‬

‫ﺳﻄﺤﻲ‪ ،‬ﺳﻮزن ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﮔﻴﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ و ﺳﻄﺢ و ﺳﻮزن ﺗﺨﺮﻳﺐ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬

‫≈ ﻛﻪ ‪ me‬ﺟﺮم اﻟﻜﺘﺮوم‪ Ut ،‬ﺗﺎﺑﻊ ﻛﺎر ﺳﻮزن و ‪ Us‬ﺗﺎﺑﻊ ﻛﺎر ﺳﻄﺢ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬ ‫‪2me (us + ut ) / h k (1‬‬

‫‪41‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣﺪ ﻧﻘﺸﻪ ﺑﺮداري از ﺗﺎﺑﻊ ﻛﺎر ﺳﻄﺢ‬

‫ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ در ﺑﺨﺶ ﻗﺒﻞ ﮔﻔﺘﻴﻢ در اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژ ﺛﺎﺑﺖ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﺑﻄﻮر ﻧﻤﺎﻳﻲ اﻓﺖ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪.‬‬

‫))‪ (IT ~ exp(-2kz‬ﻛﻪ ارﺗﺒﺎط ﺛﺎﺑﺖ اﻓﺖ ‪ k‬ﺑﺎ ﺗﺎﺑﻊ ﻛﺎر ﺳﻄﺢ وﺳﻮزن ﺗﻘﺮﻳﺒﺎً ﺑﺼﻮرت‪:‬‬

‫‪K ≈ 2me (U s + U t ) / h k‬‬

‫ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ ﻛﻪ ‪ Us , Ut‬ﺗﺎﺑﻊ ﻛﺎر ﺳﻮزن و ﺳﻄﺢ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ و ‪ me‬و ‪ h‬ﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﺟﺮم اﻟﻜﺘﺮون و ﺛﺎﺑﺖ ﭘﻼﻧﻚ‬

‫اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ ﻣﺸﺘﻖ ﮔﻴﺮي از راﺑﻄﺔ ‪ I‬ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ راﺑﻄﻪ زﻳﺮ رﺳﻴﺪ‪:‬‬

‫‪Us +Ut‬‬ ‫‪∆I / ∆Z 2‬‬

‫‪= 0.95 ( t‬‬ ‫)‬
‫‪2‬‬ ‫‪It‬‬

‫اﮔﺮ ﺗﺎﺑﻊ ﻛﺎر ﺳﻮزن ‪ Ut‬ﻣﻌﻠﻮم ﺑﺎﺷﺪ آﻧﮕﺎه ﺑﺎ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺳﻤﺖ راﺳﺖ راﺑﻄﺔ ﺑﺎﻻ ﺗﺎﺑﻊ ﻛﺎر ﺳﻄﺢ ‪ Us‬ﻣﻌﻠﻮم‬

‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﺮاي اﻳﻦﻛﺎر در ﻫﺮ ﮔﺎم روﺑﺶ ﺳﻄﺤﻲ در دو ﻧﻘﻄﻪ ﺑﺎ ارﺗﻔﺎع ﻧﺰدﻳﻚ ﺑﻪ ﻫﻢ ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ ‪ It‬اﻧﺪازه‬

‫ﮔﺮﻓﺘﻪ ﻣﻲ ﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ ﮔﻔﺘﻪ ﺷﺪ راﺑﻄﺔ ‪ I‬راﺑﻄﻪاي ﺗﻘﺮﻳﺒﻲ اﺳﺖ وﻋﻤﻼً در ﺑﺴﻴﺎري ﻣﻮاد ﺗﺎﺑﻊ ﻛﺎر ﺳﻄﺢ ‪ Us‬ﺑﺪﺳﺖ‬
‫آﻣﺪه از اﻳﻦ روش اﻧﺪﻛﻲ ﺑﺰرﮔﺘﺮ از ﻣﻘﺪار واﻗﻌﻲ اﺳﺖ‪ ،‬ﺑﺎ وﺟﻮد اﻳﻦ ﻧﺘﺎﻳﺞ ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه اﻃﻼﻋﺎت ﻛﻴﻔﻲ‬

‫ﻣﻔﻴﺪي از ﻧﻘﺸﺔ ﺗﺎﺑﻊ ﻛﺎر ﺳﻄﺢ ﻣﺤﺴﻮب ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻧﻘﺸﺔ "ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎ" در ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ‬

‫در اﻳﻦ ﻣﺪ ﻣﻜﺎن و ارﺗﻔﺎع ﺳﻮزن در ﻳﻚ ﻧﻘﻄﻪ از ﻓﻀﺎ ﺛﺎﺑﺖ ﻣﻲﺷﻮد و ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻧﻤﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﺳﭙﺲ ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ دادن‬

‫اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژ‪ ،‬ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ را اﻧﺪازه ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ‪ .‬در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺗﺎﺑﻊ ‪ ( IT ∝ F(V)) F‬ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ‬

‫در ﻣﻘﺪﻣﺔ اﻳﻦ ﻓﺼﻞ اﺷﺎره ﺷﺪ ‪ F‬ﺗﺎﺑﻌﻲ از ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎ )‪ (LDOS‬در آن ﻧﻘﻄﻪ از ﺳﻄﺢ اﺳﺖ‬

‫‪ .‬درﻧﺘﻴﺠﻪ اﺻﻮﻻً ‪ LDOS‬از ‪ F‬ﻗﺎﺑﻞ اﺳﺘﻨﺘﺎج اﺳﺖ‪ .‬ﻣﻲﺗﻮان ﻧﺸﺎن داد ﻛﻪ ﺗﺤﺖ ﺷﺮاﻳﻄﻲ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي‬

‫در ﻧﺰدﻳﻜﻲ اﻧﺮژي ﻓﺮﻣﻲ ) ﺑﺎ اﻧﺮژي ﻛﻤﻲ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻳﺎ ﻛﻤﻲ ﻛﻤﺘﺮ( از راﺑﻄﺔ ذﻳﻞ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪.‬‬

‫‪dIT‬‬ ‫‪df‬‬
‫∝ )‪DOS( Ef – eV‬‬ ‫∝‬
‫‪dV‬‬ ‫‪dV‬‬

‫‪42‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ‪( 6‬ﻧﻤﻮﻧﻪاي از ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻻت اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎي )‪ (LDOS‬ﻳﻚ ﻧﻘﻄﻪ از ﺳﻄﺢ‪.‬‬

‫ﻣﺪ ﺳﻨﺠﺶ ﻧﻘﺸﺔ "ﺗﺮازﻫﺎي اﻧﺮژي ارﺗﻌﺎﺷﻲ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎ" در ﻧﻘﺎط ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﻄﺢ‬

‫ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺣﺎﻟﺖ ﻗﺒﻞ در اﻳﻦ ﻣﺪ ﻣﻜﺎن وارﺗﻔﺎع ﺳﻮزن در ﻳﻚ ﻧﻘﻄﻪ از ﻓﻀﺎ ﺛﺎﺑـﺖ ﻣـﻲﺷـﻮد و ﺗﻐﻴﻴـﺮ ﻧﻤـﻲﻛﻨـﺪ‪.‬‬
‫ﺳﭙﺲ ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ دادن اﺧﺘﻼف وﻟﺘﺎژ‪ ،‬ﺟﺮﻳﺎن ﺗﻮﻧﻠﻲ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻣـﻲﺷـﻮد‪ .‬درﻧﺘﻴﺠـﻪ ﺗـﺎﺑﻊ‪ (It ∝ F(V)) F‬ﻣـﺸﺨﺺ‬

‫ﻣﻲﺷﻮد ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ در ﻣﻘﺪﻣﻪ اﻳﻦ ﻓﺼﻞ ﮔﻔﺘﻪ ﺷﺪ ‪ F‬ﺗﺎﺑﻌﻲ از ﺗﺮازﻫﺎي اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬـﺎ در آن ﻧﻘﻄـﻪ از ﺳـﻄﺢ‬

‫اﺳﺖ‪ .‬در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﻋﻠﻲ اﻻﺻﻮل ﺗﺮازﻫﺎي اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎ از ‪ F‬ﻗﺎﺑﻞ اﺳﺘﻨﺘﺎج اﺳﺖ‪ .‬ﻣﻲﺗﻮان ﻧﺸﺎن داد ﻛـﻪ ﺗﺮازﻫـﺎي‬
‫ﺟﺎذب اﻧـﺮژي ﺟﺮﻳـﺎن اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬـﺎي ﺗـﻮﻧﻠﻲ ) ﺑﺮﺧـﻮرد ﻏﻴـﺮ اﻻﺳـﺘﻴﻚ( ﻣﻨﺠـﺮ ﺑـﻪ ﺑـﺮوز ﭘﻴـﻚ ﻫـﺎﻳﻲ در ﻣﻨﺤﻨـﻲ‬

‫‪d 2 IT‬‬
‫ﻣﻲﺷﻮد‪ ،‬وﻟﺘﺎژﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﭘﻴﻚ ﻫﺎ در آﻧﻬﺎ ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ ﺑﻴﺎﻧﮕﺮ ﺑﺰرﮔﻲ ﺗﺮازﻫـﺎي ﺟـﺎذب اﻧـﺮژي‬ ‫) ‪(V‬‬
‫‪dV 2‬‬
‫ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ(‬

‫در ﻣﻴﺎن ﺗﺮازﻫﺎي ﺟﺎذب اﻧﺮژي ﺗﺮازﻫﺎي ارﺗﻌﺎﺷﻲ در ﻣﺤﺪودة اﻧﺮژﻳﻬﺎي ﺑﺮرﺳﻲ ﺷﺪه ﻗﺮار‬

‫ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ)وﻟﺘﺎژﻫﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ( و ﭘﻴﻜﻬﺎي دﻳﺪه ﺷﺪه ﻋﻤﻼً ﺗﺮازﻫﺎي ارﺗﻌﺎﺷﻲ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫‪43‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ‪( 7‬ﻧﻤﻮدار ﻣﺸﺘﻖ دوم ﺟﺮﻳﺎن ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ وﻟﺘﺎژ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ وﻟﺘﺎژ ﺑﺮاي ﺳﻪ ﻧﻘﻄﻪ ﺳﻄﺤﻲ ‪ B،A‬و‪C‬‬

‫)ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ دﻳﺪه ﻣﻲ ﺷﻮد در ﻣﺎده ‪ A‬ﭘﻴﻜﻬﺎي ﺗﺮازﻫﺎي ارﺗﻌﺎﺷﻲ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ‪ C-H‬دﻳﺪه ﻧﻤﻲ ﺷﻮد‪(.‬‬

‫‪44‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪ -3-2‬ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﻧﻮري ﻣﻴﺪان ﻧﺰدﻳﻚ روﺑﺸﻲ ) ‪( SNOM‬‬

‫اﺳﺎس ﻛﺎر دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﻧﻮري ﻣﻴﺪان ﻧﺰدﻳﻚ روﺑﺸﻲ‪ 28‬در ﺳﺎل ‪ 1972‬ﺗﻮﺳﻂ ‪ Ash‬و‬

‫‪ Nicholls‬ﻛﺸﻒ ﺷﺪ‪ .‬وﻟﻲ اوﻟﻴﻦ دﺳﺘﮕﺎه ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﻧﻮري ﻣﻴﺪان ﻧﺰدﻳﻚ روﺑﺸﻲ در ﺳﺎل ‪ 1991‬ﺗﻮﺳﻂ‬

‫‪ Betzing‬ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪ‪ .‬اﻳﻦ دﺳﺘﮕﺎه در ﺣﻘﻴﻘﺖ ﺑﺴﻴﺎر ﺷﺒﻴﻪ دﺳﺘﮕﺎه ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻧﻴﺮوي اﺗﻤﻲ)‪ (AFM‬ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ ﺗﺎ‬

‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي ﻧﻮري‪.‬‬

‫دﺳﺘﮕﺎه ‪ SNOM‬ﺗﺼﻮﻳﺮ ﺑﺴﻴﺎر ﺧﻮﺑﻲ از ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺎ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻋﻤﻮدي ﺧﻮﺑﻲ ﺑﻪ ﻣﺎ ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬
‫ﺗﻔﺎوت دﺳﺘﮕﺎه ‪ AFM‬و ‪ SNOM‬در ﭘﺮوب آﻧﻬﺎ ﺑﺮاي روﺑﺶ ﺳﻄﺢ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻧﻮك دﺳﺘﮕﺎه ‪ AFM‬از ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن‬

‫ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬در ﺣﺎﻟﻲ ﻛﻪ ﻧﻮك دﺳﺘﮕﺎه ‪ SNOM‬از ﻳﻚ ﻓﻴﺒﺮ ﻧﻮري ﺗﺸﻜﻴﻞ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺮ ﺧﻼف دﺳﺘﮕﺎه‬
‫‪ AFM‬ﻧﻮك دﺳﺘﮕﺎه ‪ SNOM‬ﻋﻼوه ﺑﺮ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺳﻄﺢ ﺑﺮاي روﺷﻦ ﻛﺮدن ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻧﻴﺰ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود‪ .‬در‬
‫ﺷﻜﻞ )‪ (1‬ﭘﺮوب دﺳﺘﮕﺎه ‪ AFM‬و ‪ SNOM‬ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺷﺪهاﻧﺪ‪.‬‬

‫ﺑﺮ ﺧﻼف دﺳﺘﮕﺎه ‪ ،AFM‬دﺳﺘﮕﺎه ‪ SNOM‬ﻓﻘﻂ در ﺣﺎﻟﺖ ﻏﻴﺮﺗﻤﺎﺳﻲ ﻛﺎر ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬در ‪ SNOM‬ﻓﺎﺻﻠﻪ ﺑﻴﻦ‬

‫ﻧﻮك ﭘﺮوب ﺗﺎﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺎ ﻣﻴﺰان ﻣﻴﺮاﻳﻲ ﻧﻮﺳﺎن ﭘﺮوب اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻳﻚ دﺳﺘﮕﺎه ‪ SNOM‬در ﺷﻜﻞ )‪ (2‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﻮﺳﻂ ﻓﻴﺒﺮ ﻧﻮري‪ ،‬ﻧﻮر ﺗﺎﺑﻴﺪه‬

‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻧﻮر ﺑﺎزﮔﺸﺖ ﺷﺪه از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﻓﻴﺒﺮ دﻳﮕﺮ ﺟﻤﻊ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از اﻳﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻲﺗﻮان‬

‫ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ ﺑﺎزﺗﺎب و ﻳﺎ ﻓﺘﻮﻟﻮﻣﻴﻨﺴﺎﻧﺲ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ را ﻋﻼوه ﺑﺮ ﺗﻮﭘﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺪﺳﺖ آورد‪ .‬ﻳﻚ ﻛﺎرﺑﺮد دﻳﮕﺮ‬

‫دﺳﺘﮕﺎه ‪ SNOM‬اﻧﺪازهﮔﻴﺮي اﻧﺘﺸﺎر ﻧﻮر از ﻛﺮﻳﺴﺘﺎلﻫﺎي ﻓﺘﻮﻧﻴﻚ و ﻳﺎ ﻫﺪاﻳﺖ اﻣﻮاج در ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي ﻟﻴﺰري‬

‫ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ]‪.[1‬‬

‫‪28‬‬
‫‪Scanning Near Field Optical Microscopy‬‬

‫‪45‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -1‬ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﭘﺮاب دﺳﺘﮕﺎه ‪ AFM‬و ‪.SNOM‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -2‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻳﻚ دﺳﺘﮕﺎه ‪SNOM‬‬

‫‪46‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ]‪[2‬‬

‫‪ -1‬ﺗﻬﻴﻪ ﺗﺼﺎوﻳﺮ ﺑﺎ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺑﺎﻻ از ﺳﻠﻮلﻫﺎ‬

‫‪ -2‬ﺑﺮرﺳﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻓﺎزﻫﺎ در ﭘﻠﻴﻤﺮﻫﺎي ﻻﻳﻪاي‬

‫‪ -3‬ﺑﺮرﺳﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر داﺧﻠﻲ ژلﻫﺎي ﭘﻠﻴﻤﺮي‬

‫‪ -4‬ﺷﻜﻞدﻫﻲ ﭘﻠﻴﻤﺮ ﺗﻮﺳﻂ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻧﻮري ﻣﻴﺪان – ﻧﺰدﻳﻚ‬

‫‪ -5‬اﺳﭙﻜﺘﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﺗﻚ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎ ﺗﻮﺳﻂ ‪SNOM‬‬

‫ﻣﺮاﺟﻊ‬

‫‪1-‬‬ ‫‪www.twinson.com.cn/downloads/smtz/dme/snom/snom.pdf‬‬
‫‪2-‬‬ ‫‪www.lot-oriel.com/pdf_uk/all/wit_ratliver.pdf‬‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ‪ -1‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪﻟﻬﺎي ﺟﺪﻳﺪ دﺳﺘﮕﺎه ‪SNOM‬‬

‫ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ‬ ‫ﻛﺸﻮر‬ ‫ﺷﺮﻛﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫اﺳﻢ‬

‫‪ 50‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ‬ ‫اﺳﺮاﺋﻴﻞ‬ ‫‪Nanonics Imaying‬‬ ‫‪Multi view 1000‬‬ ‫‪SNOM‬‬

‫‪Ltd‬‬

‫‪ 50‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ‬ ‫اﺳﺮاﺋﻴﻞ‬ ‫‪Nanonics‬‬ ‫‪Multi view 2000‬‬ ‫‪SNOM‬‬

‫‪Imaying Ltd‬‬

‫‪ 50‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ‬ ‫اﺳﺮاﺋﻴﻞ‬ ‫‪Nanonics‬‬ ‫‪Cryo view 2000‬‬ ‫‪SNOM‬‬

‫‪Imaying Ltd‬‬

‫‪ 100‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ‬ ‫آﻟﻤﺎن‬ ‫‪Triple - O‬‬ ‫‪Biolaser SNOM‬‬ ‫‪SNOM‬‬

‫‪ 100‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ‬ ‫آﻟﻤﺎن‬ ‫‪Witec‬‬ ‫‪Alpha SNOM‬‬ ‫‪SNOM‬‬

‫‪ 20‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ‬ ‫آﻣﺮﻳﻜﺎ‬ ‫‪Veeco‬‬ ‫‪Aurora -3‬‬ ‫‪SNOM‬‬

‫‪ 50‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ‬ ‫روﺳﻴﻪ‬ ‫‪NT-MDT‬‬ ‫‪Solver SNOM‬‬ ‫‪SNOM‬‬

‫‪47‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪29‬‬
‫‪ -4-2‬ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ )‪(SEM‬‬

‫در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ )‪ (SEM‬ﻧﻴﺰ ﻣﺎﻧﻨﺪ ‪ ،TEM‬ﻳﻚ ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻲﺗﺎﺑﺪ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -1-5‬ﺗﺼﻮﻳﺮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ ﺳﻄﺢ ﻳﻚ ﻓﻠﺰ ﺑﺎ ﻣﻘﻴﺎس ﻳﻚ ﻣﻴﻜﺮون ]‪[1‬‬

‫اﺟﺰاء اﺻﻠﻲ و ﺣﺎﻟﺖ ﻛﺎري ﻳﻚ ‪ SEM‬ﺳﺎده در ﺷﻜﻞ ‪ 2-5‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ – 2-5‬ﻧﻤﻮدار ﺷﻤﺎﺗﻴﻜﻲ اﺟﺰاء اﺻﻠﻲ ﻳﻚ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ ]‪[2‬‬

‫‪29‬‬
‫‪-Scaninig Electron microscopy‬‬

‫‪48‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣﻨﺒﻊ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ )ﺗﻔﻨﮓ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ( ﻣﻌﻤﻮﻻً از ﻧﻮع اﻧﺘﺸﺎر ﺗﺮﻣﻮﻳﻮﻧﻴﻜﻲ ﻓﻴﻼﻣﺎن ﻳﺎ رﺷﺘﻪ ﺗﻨﮕﺴﺘﻨﻲ اﺳﺖ اﻣﺎ‬

‫اﺳﺘﻔﺎده از ﻣﻨﺎﺑﻊ ﮔﺴﻴﻞ ﻣﻴﺪان ﺑﺮاي ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺑﺎﻻﺗﺮ‪ ،‬اﻓﺰاﻳﺶ ﻳﺎﻓﺘﻪ اﺳﺖ ﻣﻌﻤﻮﻻً اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ ﺑﻴﻦ ‪1-30KeV‬‬

‫ﺷﺘﺎب داده ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺳﭙﺲ دو ﻳﺎ ﺳﻪ ﻋﺪﺳﻲ ﻣﺘﻤﺮﻛﺰﻛﻨﻨﺪه ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ را ﻛﻮﭼﻚ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪ ،‬ﺗﺎ ﺣﺪي ﻛﻪ در‬

‫ﻣﻮﻗﻊ ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﺎ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻗﻄﺮ آن ﺣﺪوداً ﺑﻴﻦ ‪ 2-10nm‬اﺳﺖ‪.‬‬

‫اﺳﺘﻔﺎدهﻫﺎي ﻋﻤﻮﻣﻲ‬

‫‪ -1‬ﺗﺼﻮﻳﺮﮔﺮﻓﺘﻦ از ﺳﻄﻮح در ﺑﺰرﮔﻨﻤﺎﻳﻲ ‪ 10‬ﺗﺎ ‪ 100،000‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ در ﺣﺪ ‪ 3‬ﺗﺎ ‪ 100‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ‬

‫)ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ(‬

‫‪ -2‬در ﺻﻮرت ﺗﺠﻬﻴﺰ ﺑﻪ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ‪ back Scattered‬ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎ ﻗﺎدر ﺑﻪ اﻧﺠﺎم اﻣﻮر زﻳﺮ ﺧﻮاﻫﻨﺪ ﺑﻮد‪:‬‬

‫‪ (a‬ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﺮزداﻧﻪ‪ ،‬در ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﺣﻜﺎﻛﻲ ﻧﺸﺪه‪ (b ،‬ﻣﺸﺎﻫﺪه ﺣﻮزهﻫﺎ )‪ (domains‬در ﻣﻮاد ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ‪،‬‬

‫‪ (c‬ارزﻳﺎﺑﻲ ﺟﻬﺖ ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻮﮔﺮاﻓﻲ داﻧﻪﻫﺎ ﺑﺎ ﻗﻄﺮﻫﺎﻳﻲ ﺑﻪ ﻛﻮﭼﻜﻲ ‪ 2‬ﺗﺎ ‪ 10‬ﻣﻴﻜﺮوﻣﺘﺮ‪ (d ،‬ﺗﺼﻮﻳﺮﻧﻤﻮدن‬

‫ﻓﺎز دوم روي ﺳﻄﻮح ﺣﻜﺎﻛﻲﻧﺸﺪه )در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ ﻣﺘﻮﺳﻂ ﻋﺪد اﺗﻤﻲ ﻓﺎز دوم‪ ،‬ﻣﺘﻔﺎوت از زﻣﻴﻨﻪ ﺑﺎﺷﺪ(‪.‬‬

‫‪ -3‬ﺑﺎ اﺻﻼح ﻣﻨﺎﺳﺐ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻣﻲﺗﻮان از آن ﺑﺮاي ﻛﻨﺘﺮل ﻛﻴﻔﻴﺖ و ﺑﺮرﺳﻲ ﻋﻴﻮب ﻗﻄﻌﺎت ﻧﻴﻤﻪﻫﺎدي‬

‫اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد‪.‬‬

‫ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ از ﻛﺎرﺑﺮد‬

‫‪ -1‬ﺑﺮرﺳﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ ﻣﺘﺎﻟﻮﮔﺮاﻓﻲ ‪ ،‬در ﺑﺰرﮔﻨﻤﺎﻳﻲ ﺑﺴﻴﺎر ﺑﻴﺸﺘﺮ از ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻧﻮري‬

‫‪ -2‬ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﻘﺎﻃﻊ ﺷﻜﺴﺖ و ﺳﻄﻮح ﺣﻜﺎﻛﻲ ﻋﻤﻴﻖ‪ ،‬ﻛﻪ ﻣﺴﺘﻠﺰم ﻋﻤﻖ ﻣﻴﺪاﻧﻲ ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺰرﮔﺘﺮ از ﺣﺪ‬

‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻧﻮري اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪ -3‬ارزﻳﺎﺑﻲ ﺟﻬﺖ ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻮﮔﺮاﻓﻲ اﺟﺮاﻳﻲ ﻧﻈﻴﺮ داﻧﻪﻫﺎ‪ ،‬ﻓﺎزﻫﺎي رﺳﻮﺑﻲ و دﻧﺪرﻳﺖﻫﺎ ﺑﺮ روي ﺳﻄﻮح‬

‫‪49‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫آﻣﺎدهﺷﺪه ﺑﺮاي ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻮﮔﺮاﻓﻲ‬

‫‪ -4‬ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ اﺟﺰاﻳﻲ ﺑﻪ ﻛﻮﭼﻜﻲ ﭼﻨﺪﻣﻴﻜﺮون روي ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ‪ ،‬ﺑﺮاي ﻣﺜﺎل‪ ،‬آﺧﺎلﻫﺎ‪،‬‬

‫ﻓﺎزﻫﺎي رﺳﻮﺑﻲ و ﭘﻠﻴﺴﻪﻫﺎي ﺳﺎﻳﺶ‬

‫‪ -5‬ارزﻳﺎﺑﻲ ﮔﺮادﻳﺎن ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ روي ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ در ﻓﺎﺻﻠﻪاي ﺑﻪ ﻛﻮﭼﻜﻲ ‪1 µm‬‬

‫‪ -6‬ﺑﺮرﺳﻲ ﻗﻄﻌﺎت ﻧﻴﻤﻪﻫﺎدي ﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻜﺴﺖ‪ ،‬ﻛﻨﺘﺮل ﻋﻤﻠﻜﺮد و ﺗﺄﻳﻴﺪ ﻃﺮاﺣﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ‬

‫ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ‬

‫اﻧﺪازه‪ :‬ﻣﺤﺪودﻳﺖ اﻧﺪازه ﺗﻮﺳﻂ ﻃﺮاﺣﻲ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ ﻣﻮﺟﻮد ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻣﻌﻤﻮﻻً ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ ﺑﻪ ﺑﺰرﮔﻲ ‪ 15‬ﺗﺎ ‪ 20‬ﺳﺎﻧﺘﻴﻤﺘﺮ را ﻣﻲﺗﻮان در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻗﺮار داد وﻟﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ‪ 4‬ﺗﺎ ‪8‬‬

‫ﺳﺎﻧﺘﻴﻤﺘﺮ را ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺪون ﺟﺎﺑﺠﺎﻛﺮدن ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺮرﺳﻲ ﻛﺮد‪.‬‬

‫آﻣﺎدهﺳﺎزي‪ :‬ﻣﻮاد ﻏﻴﺮﻫﺎدي ﻣﻌﻤﻮﻻً ﺑﺎ ﻻﻳﻪ ﻧﺎزﻛﻲ از ﻛﺮﺑﻦ‪ ،‬ﻃﻼ ﻳﺎ آﻟﻴﺎژ ﻃﻼ ﭘﻮﺷﺶ داده ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺑﺎﻳﺪ‬

‫ﺑﻴﻦ ﻧﻤﻮﻧﻪ و ﭘﺎﻳﻪ اﺗﺼﺎل اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺑﺮﻗﺮار ﺷﻮد و ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ رﻳﺰ ﻧﻈﻴﺮ ﭘﻮدرﻫﺎ ﺑﺎﻳﺪ روي ﻳﻚ ﻓﻴﻠﻢ ﻫﺎدي ﻧﻈﻴﺮ‬

‫رﻧﮓ آﻟﻮﻣﻴﻨﻴﻮم ﭘﺨﺶ ﺷﺪه و ﻛﺎﻣﻼً ﺧﺸﻚ ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ ﺑﺎﻳﺪ ﻋﺎري از ﻣﺎﻳﻌﺎﺗﻲ ﺑﺎ ﻓﺸﺎر ﺑﺨﺎر ﺑﺎﻻ ﻧﻈﻴﺮ آب‪،‬‬

‫ﻣﺤﻠﻮلﻫﺎي ﭘﺎكﻛﻨﻨﺪه آﻟﻲ و ﻓﻴﻠﻢﻫﺎي روﻏﻨﻲ ﺑﺎﻗﻲﻣﺎﻧﺪه ﺑﺎﺷﻨﺪ‪.‬‬

‫آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ‬

‫ﻫﺮ ﮔﺎه اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎﻳﻲ ﺑﺎ اﻧﺮژي ﺑﺎﻻ ﺑﻪ ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺟﺎﻣﺪ ﺑﺮﺧﻮرد ﻛﻨﻨﺪ‪ ،‬ﻣﻮﺟﺐ ﺗﻮﻟﻴﺪ اﺷﻌﻪ ‪ X‬ﻣﺸﺨﺼﻪ‬

‫اﺗﻢﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬

‫ﺑﻪ ﻫﻨﮕﺎم ﺑﺤﺚ در ﻣﻮرد ﺗﺸﻜﻴﻞ ﺗﺼﻮﻳﺮ در‪ SEM‬و ‪ TEM‬اﻳﻦ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ‪ x‬ﺗﺎ ﺣﺪ زﻳﺎدي ﻧﺎدﻳﺪه ﮔﺮﻓﺘﻪ‬

‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﮔﺮ ﭼﻪ‪ ،‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻛﺎر از ﺣﺠﻢ ﻋﻈﻴﻤﻲ از اﻃﻼﻋﺎت ﺻﺮفﻧﻈﺮ ﻣﻲﺷﻮد ﺑﺎ اﻳﻦ ﺣﺎل داﻧﺸﻤﻨﺪان در دﻫﻪ‬

‫‪50‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪ 1950‬ﻣﺘﻮﺟﻪ اﻳﻦ ﻧﻜﺘﻪ ﺷﺪﻧﺪ و از آن زﻣﺎن ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﻪ ﻃﻮر ﻓﺰاﻳﻨﺪهاي ﺑﺮاي‬

‫ﻣﻴﻜﺮوآﻧﺎﻟﻴﺰ)‪ (microanalysis‬اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﻋﺒﺎرت ﻣﻴﻜﺮوآﻧﺎﻟﻴﺰ ﺑﻪ اﻳﻦ ﻣﻌﻨﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﺮ‬

‫روي ﻣﻘﺪار ﺑﺴﻴﺎر ﻛﻮﭼﻜﻲ از ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬ﻳﺎ در ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻮارد ﺑﺮ روي ﻗﺴﻤﺖ ﺑﺴﻴﺎر ﻛﻮﭼﻜﻲ از ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺰرﮔﺘﺮ‪،‬‬

‫ﺻﻮرت ﮔﻴﺮد‪ .‬از آﻧﺠﺎ ﻛﻪ ﺑﺎ روشﻫﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ و ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﻧﻤﻲﺗﻮان اﻳﻦ ﻛﺎر را اﻧﺠﺎم داد‪،‬‬

‫ﻣﻴﻜﺮوآﻧﺎﻟﻴﺰ در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﻪ ﺻﻮرت اﺑﺰار ﻣﻬﻤﻲ ﺑﺮاي ﺗﺸﺨﻴﺺ ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت اﻧﻮاع ﻣﻮاد ﺟﺎﻣﺪ‬

‫درآﻣﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫اﺻﻮﻻً دو ﭼﻴﺰ را ﻣﻲﺗﻮان از ﻃﻴﻒ ﭘﺮﺗﻮ‪ x‬ﻣﻨﺘﺸﺮ ﺷﺪه ﺗﻮﺳﻂ ﻫﺮ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻧﻤﻮد‪ .‬اﻧﺪزهﮔﻴﺮي ﻃﻮل ﻣﻮج‬

‫)ﻳﺎ اﻧﺮژي( ﻫﺮ ﭘﺮﺗﻮ ‪ x‬ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻣﻨﺘﺸﺮ ﺷﺪه اﻣﻜﺎن ﺗﺸﺨﻴﺺ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺣﺎﺿﺮ در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻳﺎ اﻧﺠﺎم آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻴﻔﻲ را ﻣﻴﺴﺮ‬

‫ﻣﻲﺳﺎزد‪ .‬اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺗﻌﺪاد ﻫﺮ ﻧﻮع ﭘﺮﺗﻮ ‪ x‬ﻣﻨﺘﺸﺮ ﺷﺪه در ﻫﺮ ﺛﺎﻧﻴﻪ‪ ،‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻘﺪار ﺣﻀﻮر ﻋﻨﺼﺮ در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻳﺎ اﻧﺠﺎم‬

‫آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻤ‪‬ﻲ را اﻣﻜﺎنﭘﺬﻳﺮ ﻣﻲ ﺳﺎزد ﺷﺮاﻳﻂ ﻻزم ﺑﺮاي ﻧﻤﻮﻧﻪ و دﺳﺘﮕﺎه ﺟﻬﺖ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻤ‪‬ﻲ ﺑﻪ ﮔﻮﻧﻪاي اﺳﺖ ﻛﻪ‬

‫ﮔﺬر از ﻣﺮﺣﻠﻪ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻴﻔﻲ ﺑﻪ ﻛﻤ‪‬ﻲ ﺑﻪ آﺳﺎﻧﻲ ﻣﻴﺴﺮ ﻧﺨﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬

‫ﻣﺤﺪودﻳﺖﻫﺎ‬

‫‪-1‬ﻛﻴﻔﻴﺖ ﺗﺼﻮﻳﺮ ﺳﻄﻮح ﺗﺨﺖ‪ ،‬ﻧﻈﻴﺮ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﭘﻮﻟﻴﺶ و ﺣﻜﺎﻛﻲ ﻣﺘﺎﻟﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺷﺪهاﻧﺪ‪ ،‬ﻣﻌﻤﻮﻻً در‬

‫ﺑﺰرﮔﻨﻤﺎﻳﻲ ﻛﻤﺘﺮ از ‪ 300‬ﺗﺎ ‪ ،400‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﻪ ﺧﻮﺑﻲ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻧﻮري ﻧﻴﺴﺖ‪.‬‬

‫‪-2‬ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺣﻜﺎﻛﻲ ﺑﺴﻴﺎر ﺑﻬﺘﺮ از ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻧﻮري اﺳﺖ‪ ،‬وﻟﻲ ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮ از ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ‬

‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري و ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻋﺒﻮري روﺑﺸﻲ اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﻣﺮاﺟﻊ‬

‫‪١‬‬
‫‪- E D Specht, A Goyal, D F Lee, F A List, D M Kroeger, M Paranthaman, R K Williams‬‬
‫‪and D K Christen, Supercond. Sci. Technol. 11 (1998) 945–949.‬‬
‫‪٢- http://mse.iastate.edu/microscopy/chamber.html‬‬

‫‪51‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ‪ -1‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪SEM‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻛﺸﻮر‬

‫)‪Scanning Electron Microscopy (SEM‬‬ ‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ‬

‫ﻧﻮع ﻋﻀﻮﻳﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺳﻤﻨﺎن‬
‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪XL30 / TMP‬‬ ‫‪1‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺑﻮﻋﻠﻲﺳﻴﻨﺎي ﻫﻤﺪان‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪JSM840A‬‬ ‫‪2‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻣﻮاد و ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺗﻬﺮان‬
‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪HHS-2R‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﻣﺮﻛﺰ ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت ﺑﻴﻮﺷﻴﻤﻲ و ﺑﻴﻮﻓﻴﺰﻳﻚ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﻓﺮدوﺳﻲ ﻣﺸﻬﺪ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪LEO-1450VP‬‬ ‫‪4‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻣﺮﻛﺰي‬

‫داﻧﺸﮕﺎﻩ ﺻﻨﻌﺘﻲ اﺻﻔﻬﺎن‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪-‬‬ ‫‪5‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻣﻮاد‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪S-360‬‬ ‫ﭘﮋوﻫﺸﮕﺎه ﻣﻮاد و اﻧﺮژي‬ ‫‪6‬‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺻﻨﻌﺘﻲ ﺳﻬﻨﺪ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪MV2300‬‬ ‫‪7‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻣﻮاد ﻧﺎﻧﻮ ﺳﺎﺧﺘﺎر‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺮﺑﻴﺖ ﻣﺪرس‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪XL-30‬‬ ‫‪8‬‬
‫ﺑﺨﺶ ﻣﻮاد‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﻋﻠﻮم ﭘﺰﺷﻜﻲ ﺗﻬﺮان‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪S-360‬‬ ‫‪9‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻓﺎرﻣﺎﻛﻮﻟﻮژي‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪-‬‬ ‫ﻣﺮﻛﺰ ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت ﺑﻴﻮﻟﻮژي اﺑﻦ ﺳﻴﻨﺎ‬ ‫‪10‬‬

‫‪52‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻧﻮع ﻋﻀﻮﻳﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫ﺷﺮﻛﺖ ﻟﻌﺎب ﻣﺸﻬﺪ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪S-360‬‬ ‫‪11‬‬
‫ﻣﺆﺳﺴﻪ ﺗﺤﻘﻴﻘﺎﺗﻲ ﭘﺮ ﻃﺎووس‬

‫ﭘﮋوﻫﺸﮕﺎه ﭘﻠﻴﻤﺮ و ﭘﺘﺮوﺷﻴﻤﻲ اﻳﺮان آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪S-360‬‬ ‫‪12‬‬
‫ﻋﻤﻮﻣﻲ و ﻣﺮﻛﺰي‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺻﻨﻌﺘﻲ ﺷﺮﻳﻒ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪JDM-35‬‬ ‫‪13‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﺳﺎﺧﺘﺎر و ﻣﻮاد‬

‫ﭘﮋوﻫﺸﮕﺎه ﺻﻨﻌﺖ ﻧﻔﺖ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪S-360‬‬ ‫‪14‬‬
‫آززﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﻋﻠﻢ و ﺻﻨﻌﺖ اﻳﺮان‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪S-360‬‬ ‫‪15‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه داﻧﺸﻜﺪه ﻣﻮاد‬

‫‪S-360‬‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه ﺗﻬﺮان‬

‫رزرو‬ ‫‪16‬‬
‫‪MV2300‬‬ ‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻣﺘﺎﻟﻮرژي و ﻣﻮاد‬

‫رزرو‬ ‫‪S-360‬‬ ‫ﻣﺮﻛﺰ ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت ﻧﺴﻮز آذر‬ ‫‪17‬‬

‫‪53‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

SEM ‫ ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪﻟﻬﺎي ﺟﺪﻳﺪ‬-2 ‫ﺿﻤﻴﻤﻪ‬

Scanning electron Microscopey(SEM) ‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ‬

‫ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ‬ ‫ﺷﺮﻛﺖ و ﻛﺸﻮر ﺳﺎزﻧﺪه‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫ردﻳﻒ‬

3.5nm JEOL ‫ژاﭘﻦ‬ JSM-5510 1

3.5nm JEOL ‫ژاﭘﻦ‬ JSM-6060 2

3.0nm JEOL ‫ژاﭘﻦ‬ JSM-6380 3

3.0nm JEOL ‫ژاﭘﻦ‬ JSM-6480 4

HV 3.5nm
JEOL ‫ژاﭘﻦ‬ JSM-5510LV 5
LV 4.5nm

HV 3.5nm
JEOL ‫ژاﭘﻦ‬ JSM-6060LV 6
LV 4.0nm

HV 3.0nm
JEOL ‫ژاﭘﻦ‬ JSM-6380LV 7
LV 4.0nm

HV 3.0nm
JEOL ‫ژاﭘﻦ‬ JSM-6480LV 8
LV 4.0nm

1.0nm JSM-6700F
JEOL ‫ژاﭘﻦ‬ 9
2.2nm (1kV)

1.0nm (15kV)
1.5nm (1kV) JEOL ‫ژاﭘﻦ‬ 10
JSM-7401F
0.8nm (30k STEM)

0.6nm (5kV)
1.0nm (1kV)
JEOL ‫ژاﭘﻦ‬ JSM-7700F 11
1.0nm (15kV)
0.7nm (1kV) GB mode

1.0nm
JEOL ‫ژاﭘﻦ‬ JSM-7700F 12
2.2nm (1kV)

54
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪ -5-2‬ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﺤﻴﻄﻲ‪(ESEM)30‬‬

‫ﻣﺤﺪودﻳﺖﻫﺎي روش ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺑﺎ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ )‪ (SEM‬ﺑﻪ ﺧﻮﺑﻲ ﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪهاﻧﺪ ﺑﻪ‬

‫ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل ﺣﺘﻲ در ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ داراي ﭘﻮﺷﺶ ﺑﺎ ﻫﺪاﻳﺖ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺑﺎﻻ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﺑﺮ روي ﺳﻄﻮح ﺷﻜﺴﺖ ﻳﺎ در‬

‫ﻣﻮاد ﻣﺘﺨﻠﺨﻞ و ﻓﻮمﻫﺎ ﺗﺠﻤﻊ ﺑﺎر ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻳﻦ ﺗﺠﻤﻊ ﺑﺎر ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﺎﻋﺚ ﻛﺎﻫﺶ ﻛﻴﻔﻴﺖ ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري‬

‫ﺷﻮد‪ .‬ﻋﻼوه ﺑﺮ اﻳﻦ‪ ،‬ﭘﺴﻤﺎﻧﺪﻫﺎي آﻟﻲ اﻧﻮاع ﭼﺴﺐﻫﺎ و ﺑﺎﻳﻨﺪرﻫﺎ ﻣﺜﻞ روﻏﻦ‪ ،‬ﻣﻮاد رواﻧﺴﺎز و دﻳﮕﺮ ﻣﻮاد اﻓﺰودﻧﻲ‬

‫ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ در ﺧﻸ ﺑﺎﻻ ﺗﺒﺨﻴﺮ ﺷﺪه و ﺗﺼﻮﻳﺮﺳﺎزي ﻧﻤﻮﻧﻪ را ﺑﺎ ﻣﺸﻜﻞ ﻣﻮاﺟﻪ ﻧﻤﺎﻳﺪ‪ .‬در اﻳﻦ ﻣﻮارد ﻣﻲﺗﻮان از‬

‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ ﻣﺤﻴﻄﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد ]‪.[1‬‬

‫اﺳﺎس ﻛﺎر ]‪[2‬‬

‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﺤﻴﻄﻲ ﻧﻴﺰ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﺗﻤﺎﻣﻲ اﻧﻮاع ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ داراي ﻳﻚ ﻣﻨﻄﻘﻪ ﺧﻸ‬

‫ﺑﺮاي ﺗﻮﻟﻴﺪ و ﻣﺘﻤﺮﻛﺰ ﻛﺮدن ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ ﻛﻪ ﻫﻤﻴﺸﻪ در ﻓﺸﺎر ﻛﻤﺘﺮ از ‪ 10-9pa‬ﻗﺮار دارد‪ .‬ﺑﻪﻋﻼوه‬

‫ﻳﻚ ﻣﻨﻄﻘﻪ ﺑﺎ ﻓﺸﺎر ﺑﺎﻻ )ﺑﻴﺶ از ‪ (60kpa‬ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز اﺳﺖ ﻛﻪ اﻟﺒﺘﻪ اﻳﻦ دو ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺑﺎﻳﺪ ﺑﻪ ﻧﺤﻮ ﻣﻄﻠﻮب و ﺗﻮﺳﻂ‬

‫ﻳﻚ ﺗﻜﻨﻴﻚ وﻳﮋه از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﻣﺠﺰا ﮔﺮدﻧﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﻛﺎر ﻳﺎ ﺗﻮﺳﻂ ﻓﻴﻠﻢﻫﺎي ﭘﻨﺠﺮه ﻋﺒﻮر اﻟﻜﺘﺮون‪ 31‬و ﻳﺎ ﺗﻮﺳﻂ‬

‫درﻳﭽﻪﻫﺎي ﻛﻮﭼﻚ ﻣﺤﺪودﻛﻨﻨﺪه ﮔﺎز‪ 32‬ﻓﺸﺎر اﻧﺠﺎم ﻣﻲﭘﺬﻳﺮد‪ .‬در ‪ ESEM‬ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺑﻬﺮهﮔﻴﺮي از وﻟﺘﺎژﻫﺎي‬

‫‪30‬‬
‫‪-Environmental Scaninig Electron Microscopy‬‬
‫‪31‬‬
‫‪-electron ion window film‬‬

‫‪32‬‬
‫‪- pressure-limiting aperture, PLA‬‬

‫‪55‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﺘﺎبدﻫﻨﺪه ﺑﺴﻴﺎر ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮ‪ ،‬ﻓﻘﻂ درﻳﭽﻪ ﻫﺎي ﻣﺤﺪودﻛﻨﻨﺪه ﺑﻪ ﻛﺎر ﮔﺮﻓﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺷﻜﻞ‪ 1‬ﺑﻪ ﺳﺎدهﺗﺮﻳﻦ ﺑﻴﺎن‪،‬‬

‫اﻳﻦ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻛﺎري را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺣﺪاﻗﻞ دو درﻳﭽﻪ ﺑﺮاي ﻣﺤﺪودﻛﺮدن ﻣﺆﺛﺮ ﻓﺸﺎر اﻳﺠﺎد ﺷﺪه در ﺳﺘﻮن‬

‫اﻟﻜﺘﺮون اﭘﺘﻴﻜﻲ ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺟﺮﻳﺎن ﮔﺎز از ﻣﻴﺎن اوﻟﻴﻦ درﻳﭽﻪ ﻣﺤﺪودﻛﻨﻨﺪه ﻓﺸﺎر ‪ ESEM‬از ﻃﺮﻳﻖ‬

‫ﺳﻴﺴﺘﻤﻲ از ﻟﻮﻟﻪﻫﺎ و ﭘﻤﭗﻫﺎ ﺑﻪ ﺑﻴﺮون ﭘﻤﭗ ﻣﻲﺷﻮد و ﻓﻘﻂ ﺑﺨﺶ ﻛﻮﭼﻜﻲ از ﮔﺎز از ﻃﺮﻳﻖ دوﻣﻴﻦ درﻳﭽﻪ‬

‫ﻣﺤﺪودﻛﻨﻨﺪه ﻓﺸﺎر )‪ (PLA1‬ﻧﺸﺖ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﺑﻘﻴﻪ ﭘﻤﭗﻫﺎ و ﺳﻮﭘﺎپﻫﺎي ﻧﺸﺎنداده ﺷﺪه ﺑﺮاي ﻧﮕﻪداﺷﺘﻦ ﻓﺸﺎر‬

‫ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز در ﻣﺤﻔﻈﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﺮاي ﺗﺴﻬﻴﻞ اﻧﺘﻘﺎل ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﻪ داﺧﻞ و ﺧﺎرج از ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺑﻪ ﻛﺎر ﮔﺮﻓﺘﻪ‬

‫ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ - 1‬ﺷﻜﻞ ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ ﺳﺎده ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺑﺎ دو ﭘﻤـﭗ‪ = PLA1 .‬اوﻟـﻴﻦ درﻳﭽـﻪ ﻣﺤﺪودﻛﻨﻨـﺪه‪ = PLA2 ،‬دوﻣـﻴﻦ درﻳﭽـﻪ‬

‫ﻣﺤﺪودﻛﻨﻨــﺪه‪ =RP(rotary pump) ،‬ﭘﻤــﭗ روﺗــﺎري‪ =DP (diffusion pump) ،‬ﭘﻤــﭗ دﻳﻔﻮزﻳــﻮﻧﻲ‪ =TMP ،‬ﭘﻤــﭗ‬

‫ﺗﻮرﺑﻮﻣﻮﻟﻜﻮﻻر‪ = LN2 ،‬ﺗﻠﻪ ﻧﻴﺘﺮوژن ﻣﺎﻳﻊ‪ = N(nitrogen trap) ،‬ﻣﺤﻔﻈﻪ ﺗﻌﻮﻳﺾ ﻧﻤﻮﻧﻪ‪= V1, V2, G(airlock) ،‬ﺳﻮﭘﺎپﻫﺎ‬

‫اﮔﺮ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﻧﺸﺎنداده ﺷﺪه در ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺑﺎﻻ ﺑﻪ درﺳﺘﻲ اﻧﺘﺨﺎب ﺷﻮﻧﺪ‪ ،‬ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ از دو‬

‫‪56‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺳﺘﻮن و از ﻣﻴﺎن ﻫﺮ دو درﻳﭽﻪ ﺑﺎ ﺣﺪاﻗﻞ اﻓﺖ ﻋﺒﻮر ﻛﻨﺪ اﻣﺎ ﭘﺲ از واردﺷﺪن ﺑﻪ ﻣﺤﻔﻈﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﺎ‬

‫ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﮔﺎز ﺑﺮﺧﻮرد ﻛﺮده و ﭘﺨﺶ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬

‫ﺑﻪ ﻫﺮ ﺣﺎل ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ ﻛﻪ ﺗﺎ ﻳﻚ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻣﺸﺨﺺ در داﺧﻞ ﮔﺎز‪ ،‬ﻳﻚ ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺘﻤﺮﻛﺰ ﺷﺪه ﻣﻨﺎﺳﺐ‬

‫وﺟﻮد دارد و اﮔﺮ ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﻪ اﻳﻦ ﻣﺤﺪوده ﻣﻨﺘﻘﻞ ﺷﻮد ﻳﺎ در اﻳﻦ ﻣﻨﻄﻘﻪ وﺟﻮد داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻣﻮرد‬

‫ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﻗﺮار ﮔﻴﺮد‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﻣﻲﺗﻮان آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻣﻨﺎﺳﺒﻲ ﻃﺮاﺣﻲ ﻧﻤﻮد و در ﺟﺎي ﺻﺤﻴﺢ ﻗﺮار داد ﺗﺎ ﺑﺘﻮان‬

‫ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي ﭘﺪﻳﺪآﻣﺪه را درﻳﺎﻓﺖ ﻛﺮد‪ .‬ﺷﻜﻞ‪ 2‬ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ‪ ،‬آراﻳﺶ ﺳﻴﺴﺘﻢ آﺷﻜﺎرﺳﺎز را ﻧﺸﺎن‬

‫ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ از ‪ PLA1‬ﺗﻌﻴﻴﻦﻛﻨﻨﺪه ﻣﻘﺪار ﻧﺴﺒﻲ ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي درﻳﺎﻓﺖﺷﺪه ﻧﻈﻴﺮ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺑﺮﮔﺸﺘﻲ و‬

‫ﭘﺮﺗﻮ ‪ X‬ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ - 2‬ﻧﻤﻮﻧﻪاي از ﻳﻚ آﺷﻜﺎرﺳﺎز در ‪ . ESEM‬ﻗﻄﺮهﻫﺎي آب در ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻣﻌﻴﻦ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ آزﻣﺎﻳﺸﻲ را ﺣﻴﻦ ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ‬

‫ﺑﻪ ﺻﻮرت درﺟﺎ ﺗﺮ ﻛﻨﺪ‪.‬‬

‫‪57‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫آﺷﻜﺎرﺳﺎزي اﻟﻜﺘﺮون در ‪ESEM‬‬

‫آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﮔﺎزي )‪ (GED‬اﻟﻜﺘﺮون ﺗﻮﺳﻂ ‪ Danilatos‬در ‪ 1983‬اراﺋﻪ ﮔﺮدﻳﺪه اﺳﺖ و ﻧﻬﺎﻳﺘﺎً ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ‬

‫‪ GSED‬ﺟﺎﻳﮕﺰﻳﻦ ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﻫﻤﺎنﻃﻮر ﻛﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ در ﺷﻜﻞ ‪ 3‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ ،‬ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ از ﺧﻼل ﻳﻚ روزﻧﻪ ﻳﺎ‬

‫ﺳﻮراخ در آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﺑﺎ ﺑﺎر ﻣﺜﺒﺖ وارد ﻣﺤﻔﻈﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻲﮔﺮدد‪ ،‬ﺳﭙﺲ از ﻣﻴﺎن ﮔﺎز ﻋﺒﻮر ﻣﻲﻛﻨﺪ ﺗﺎ ﺑﻪ ﺳﻄﺢ‬

‫ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺮﺳﺪ‪.‬‬

‫ﻫﻨﮕﺎﻣﻲ ﻛﻪ ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ وارد ﻣﺤﻔﻈﻪ ﻣﻲﺷﻮد دو ﺣﺎﻟﺖ ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ روي دﻫﺪ‪:‬‬

‫‪ -1‬اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﭘﺮﺗﻮ ﺑﺪون ﺗﻔﺮق از ﻣﻴﺎن ﮔﺎز ﻋﺒﻮر ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪.‬‬

‫‪ -2‬ﭘﺮﺗﻮ ﻗﺒﻞ از رﺳﻴﺪن ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺎ ﮔﺎز ﺗﺼﻮﻳﺮﺳﺎز و ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﻳﻮﻧﻴﺰهﺷﺪه ﺑﺮﺧﻮرد ﻛﺮده‪ ،‬ﻣﺘﻔﺮق‬

‫ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺑﺮﮔﺸﺘﻲ و ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ )‪ (SE/BSE‬ﺗﺤﺖ ﺗﺄﺛﻴﺮ ﻣﻴﺪان ﭼﻨﺪ ﺻﺪ وﻟﺘﻲ‪ ،33‬ﺗﻮﺳﻂ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﺟﺬب‬

‫ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬در ﻃﻮل ﻣﺴﻴﺮ ﺑﻪ آﺷﻜﺎرﺳﺎز اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﭘﺮاﻧﺮژي ‪ SE/BSE‬ﺑﺎ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﮔﺎز ﺗﺼﻮﻳﺮﺳﺎز ﺑﺮﺧﻮرد‬

‫ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ و ﺗﺸﻜﻴﻞ ﺟﻔﺖﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮون‪ -‬ﻳﻮن ﻣﻲدﻫﻨﺪ‪.‬‬

‫‪33‬‬
‫‪- high voltage field‬‬

‫‪58‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪34‬‬
‫ﺷﻜﻞ‪ -3‬ﻧﻤﺎﻳﺶ ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ ﺗﻌﺎﻣﻞ اﻟﻜﺘﺮون‪ -‬ﮔﺎز و آﺷﻜﺎرﺳﺎز اﻟﻜﺘﺮون ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﮔﺎزي‬

‫ﺗﻜﺮار ﻓﺮآﻳﻨﺪ "ﺷﺘﺎب‪ -‬ﺑﺮﺧﻮرد‪ -‬ﻳﻮﻧﻴﺰاﺳﻴﻮن"‪ ،‬ﻳﻚ آﺑﺸﺎر ﺗﻘﻮﻳﺖﺷﺪه ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﭘﺪﻳﺪ‬

‫ﻣﻲآورد‪ .‬آﺷﻜﺎرﺳﺎز‪ ،‬ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي ﺗﻘﻮﻳﺖﺷﺪه را ﺟﻤﻊآوري ﻛﺮده و ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻧﻤﻮﻧﻪ را ﺑﺎزﺳﺎزي ﻣﻲﻧﻤﺎﻳﺪ‪.‬‬

‫ﻫﻤﺰﻣﺎن ﺑﺎ آﺑﺸﺎر ﻳﻮﻧﻴﺰاﺳﻴﻮن ﻳﻮنﻫﺎي ﻣﺜﺒﺖ‪ ،‬ﻳﻚ ﻧﻴﺮوي داﻓﻌﻪ از آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻛﻪ ﺑﺎر ﻣﺜﺒﺖ دارد‪ ،‬و ﻳﻚ ﻧﻴﺮوي‬

‫ﺟﺎذﺑﻪ از ﺑﺎرﻫﺎي اﺿﺎﻓﻲ ﻣﻨﻔﻲ ﻛﻪ ﺑﺮ روي ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﺠﻤﻊ ﻧﻤﻮدهاﻧﺪ‪ ،‬درﻳﺎﻓﺖ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﻳﻮنﻫﺎي‬

‫ﺑﺎردارﺷﺪه ﻣﺜﺒﺖ دوﺑﺎره ﺑﺎ ﺑﺎرﻫﺎي اﺿﺎﻓﻲ ﺗﺮﻛﻴﺐﺷﺪه و از ﺑﺎردارﺷﺪن ﺳﻄﺢ ﺟﻠﻮﮔﻴﺮي ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ )ﺷﻜﻞ‪.( 4‬‬

‫وﺿﻮح ﺗﺼﻮﻳﺮ در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي روﺑﺸﻲ ‪ SEM‬ﺑﻪ ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ آن ﺗﻤﺮﻛﺰ اﺷﻌﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ در ﻛﻮﭼﻜﺘﺮﻳﻦ‬

‫ﻧﻘﻄﻪ ﻣﻤﻜﻦ ﺑﺮ روي ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد‪ .‬در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻣﺤﻴﻄﻲ ‪ ESEM‬ﺑﻴﻦ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﮔﺎز ﺗﺼﻮﻳﺮ‬

‫و اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﭘﺮﺗﻮ ﺑﺮﺧﻮردﻫﺎﻳﻲ روي ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ ﭘﺨﺶ ﭘﺮﺗﻮ ﻣﻲﮔﺮدد‪ .‬ﮔﺮﭼﻪ اﻳﻦ ﺗﻌﺎﻣﻞﻫﺎي ﮔﺎز‪-‬‬

‫ﭘﺮﺗﻮ در ﺗﻤﺎﻣﻲ ﻣﺴﻴﺮ ﺳﺘﻮن روي ﻣﻲدﻫﺪ‪ ،‬وﻟﻲ اﻛﺜﺮﻳﺖ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ ﻫﻨﮕﺎﻣﻲ ﻛﻪ ﭘﺮﺗﻮ از داﺧﻞ ﻣﺤﻔﻈﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ‬

‫ﻋﺒﻮر ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ ،‬ﻣﺘﻔﺮق ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬اﻓﺰاﻳﺶ ﻓﺸﺎر ﻣﺤﻔﻈﻪ‪ ،‬ﻣﻘﺪار ﻓﺎﺻﻠﻪ ﭘﻮﻳﺶ آزاد را ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ‬

‫‪34‬‬
‫‪- gaseous secondary electron detection‬‬

‫‪59‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫اﻳﺠﺎد ﻳﻚ داﻣﻨﻪ وﺳﻴﻊ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ‪ ،35‬ﺷﺪه و ﺑﻘﻴﻪ ﭘﺮﺗﻮاﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﺘﻔﺮقﻧﺸﺪه را ﻣﺤﺎﺻﺮه ﻣﻲﻧﻤﺎﻳﺪ‪ .‬اﻳﻦ داﻣﻨﻪ‬

‫)ﺷﻜﻞ‪ (4‬ﺑﺮ روي ﻣﻴﺰان ﺗﻤﺮﻛﺰ ﻗﺎﺑﻞ دﺳﺘﺮﺳﻲ ﺗﺄﺛﻴﺮ ﻣﻲﮔﺬارد‪ .‬ﻧﺮمﻛﺮدن ﻟﺒﻪﻫﺎي ﺗﻴﺰ )‪ ،(Softening‬ﻣﻘﺪار‬

‫ﺟﺮﻳﺎن ﻣﻔﻴﺪ ﭘﺮﺗﻮ را ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲدﻫﺪ و اﺣﺘﻤﺎﻻً ﺑﺮ روي ﺗﺤﻘﻴﻖﻫﺎي ﻛﻤﻲ و ﻛﻴﻔﻲ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻣﻴﻜﺮوآﻧﺎﻟﻴﺰ ﭘﺮﺗﻮ‬

‫‪ X‬ﻣﺆﺛﺮ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪- 4‬داﻣﻨﻪ ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮون اوﻟﻴﻪ ﻛﻪ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺗﻔﺮق ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺗﻮﺳﻂ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﮔﺎز ﺗﺼﻮﻳﺮﺳﺎز ﺗﺸﻜﻴﻞ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﺷﺎﻳﺎن ذﻛﺮ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻣﻘﺪار ﭘﺮﺗﻮ ﺗﻔﺮقﻳﺎﻓﺘﻪ‪ ،‬ﺗﺎﺑﻊ ﻓﺎﺻﻠﻪ آﺧﺮﻳﻦ ‪ PLA‬ﺗﺎ ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬ﺗﺮﻛﻴﺐ ﮔﺎز ﺣﺎﺿﺮ‪ ،‬ﻓﺸﺎر‬

‫ﻣﺤﻔﻈﻪ‪ ،‬وﻟﺘﺎژ ﺷﺘﺎبدﻫﻨﺪه و ﺟﺮﻳﺎن ﭘﺮﺗﻮ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫ﺗﺼﻮﻳﺮ ﺳﺎزي ‪ESEM‬‬

‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﺤﻴﻄﻲ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از دو ﭘﻴﺸﺮﻓﺖ ﺗﻜﻨﻮﻟﻮژﻳﻜﻲ ﻧﻴﺎز ﺑﻪ ﺧﻼء ﺑﺎﻻ ﺟﻬﺖ‬

‫ﺗﺼﻮﻳﺮﺳﺎزي را ﻣﻴﺴﺮ ﺳﺎﺧﺘﻪ اﺳﺖ‪ .‬اول‪ ،‬اﺳﺘﻔﺎده از ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﭘﻤﭗ ﺧﻼء ﻛﻪ ﻣﺤﻔﻈﻪ ﺧﻼء ﭘﺎﻳﻴﻦ )ﻛﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ‬

‫در آن ﻗﺮار دارد( را از ﻣﺤﻔﻈﻪ ﺗﻔﻨﮓ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻛﻪ در ﺧﻼء ﺑﺎﻻ ﻛﺎر ﻣﻲ ﻛﻨﺪ‪ ،‬ﺟﺪا ﻣﻲﺳﺎزد‪ .‬ﻫﻤﺎنﻃﻮر ﻛﻪ‬

‫‪35‬‬
‫‪- electron skirt‬‬

‫‪60‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﮔﻔﺘﻪ ﺷﺪ‪ ،‬اﻳﻦ ﻛﺎر ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از درﻳﭽﻪﻫﺎي ﻣﺤﺪودﻛﻨﻨﺪه ﻓﺸﺎر اﻧﺠﺎم ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ .‬دوم اﺧﺘﺮاع آﺷﻜﺎرﺳﺎزﻫﺎي‬

‫ﮔﺎزي اﻟﻜﺘﺮون ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ‪ 36‬اﺳﺖ ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ در ﺧﻼء ﻛﻤﺘﺮ از ‪ 50 torr‬ﻛﺎر ﻛﻨﺪ‪.‬‬

‫ﻣﺰاﻳﺎ‬

‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﺤﻴﻄﻲ‪ ،‬ﻋﻤﻮﻣﺎً وﻳﮋﮔﻲﻫﺎي اﺳﺎﺳﻲ ‪ SEM‬ﻧﻈﻴﺮ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ‪ ،‬ﻋﻤﻖ ﺗﻤﺮﻛﺰ‪،‬‬

‫ﺗﻨﻮع ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎ و ﭘﺮدازش ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎ را ﺣﻔﻆ ﻛﺮده اﺳﺖ‪ .‬ﻋﻼوه ﺑﺮ اﻳﻨﻜﻪ در ‪ ESEM‬ﻧﻴﺎزي ﺑﻪ ﻫﺎديﻛﺮدن‬

‫ﻧﻤﻮﻧﻪ )ﺻﺮفﻧﻈﺮ از ﻣﻘﺪار وﻟﺘﺎژ ﺷﺘﺎبدﻫﻨﺪه( ﻧﻴﺴﺖ‪ ESEM .‬اﻣﻜﺎن اﻳﺠﺎد ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺗﺰرﻳﻖ ﻣﺎﻳﻊ را ﻧﻴﺰ ﻓﺮاﻫﻢ‬

‫ﻛﺮده اﺳﺖ‪ .‬ﻣﺸﺎﻫﺪه دﻳﻨﺎﻣﻴﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﮔﺎز‪ -‬ﻣﺎﻳﻊ‪ -‬ﺟﺎﻣﺪ در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﺤﻴﻄﻲ اﻣﻜﺎنﭘﺬﻳﺮ اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﻧﻜﺘﻪ دﻳﮕﺮ در ‪ ،ESEM‬ﻛﻮﺗﺎهﻛﺮدن زﻣﺎن ﭘﻤﭗﻛﺮدن )‪60‬ﺗﺎ ‪ 90‬ﺛﺎﻧﻴﻪ( و ﻣﺤﻔﻈﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺰرﮔﺘﺮ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﻪ‬

‫دﻟﻴﻞ ﻋﺪم ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ ﺑﻪ ﻧﻮر ﻣﻲ ﺗﻮان روزﻧﻪ دﻳﺪ در آﻧﻬﺎ ﺗﻌﺒﻴﻪ ﻧﻤﻮد‪ .‬اﻳﻦ درﻳﭽﻪﻫﺎي دﻳﺪ ﺑﻪ ﻃﻮر ﭼﺸﻤﮕﻴﺮي‬

‫ﻗﺮاردادن ﻧﻤﻮﻧﻪ را در ﺟﺎي ﺧﻮد ﺗﺴﻬﻴﻞ ﻣﻲﻧﻤﺎﻳﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﺗﺼﻮﻳﺮﺳﺎزي ﺳﺮﻳﻊﺗﺮ و راﺣﺖﺗﺮ اﻧﺠﺎم ﻣﻲﮔﻴﺮد‪.‬‬

‫ﻣﺤﺪودﻳﺖ دﻳﮕﺮي ﻧﻴﺰ در ﻛﺎرﺑﺮد ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ ﻣﺘﺪاول روي ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬

‫‪37‬‬
‫اﻧﺠﺎم ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ .‬اﻳﻦ آﺷﻜﺎرﺳﺎزﻫﺎ در‬ ‫آﺷﻜﺎرﺳﺎزي اﻟﻜﺘﺮون ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ‪ SE‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از آﺷﻜﺎرﺳﺎزﻫﺎي‪E-T‬‬

‫ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞﻫﺎي ﻣﺜﺒﺖ ﺑﺎﻻي ‪ 10،000‬ﺗﺎ ‪ 12،000‬وﻟﺖ ﻛﺎر ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪ .‬در ﻣﺤﻔﻈﻪاي ﻛﻪ ﻓﺸﺎر از ‪ 10-2pa‬ﺗﺠﺎوز ﻧﻤﺎﻳﺪ‪،‬‬

‫ﺷﻜﺴﺖ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ رخ داده و آﺷﻜﺎرﺳﺎزﻫﺎ را ﻏﻴﺮ ﻛﺎرآﻣﺪ ﻣﻲﺳﺎزد‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ از آﺷﻜﺎرﺳﺎزﻫﺎي ‪ E-T‬ﻓﻘﻂ در‬

‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﺘﺪاول ﻛﻪ در ﺧﻸ ﺑﺎﻻ ﻛﺎر ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد‪.‬‬

‫‪36‬‬
‫‪- gaseous secondary electron detectors, GSED‬‬
‫‪37‬‬
‫‪- Evehart-Thornley‬‬

‫‪61‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣﺤﺪودﻳﺖ ﻫﺎ‬

‫ﻳﻚ ﮔﺎز ﺗﺼﻮﻳﺮﺳﺎز‪ 38‬ﺑﻪ داﺧﻞ ﻣﺤﻔﻈﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ وارد ﻣﻲﮔﺮدد ﻛﻪ ﻣﺤﻴﻂ ﭘﺮﻓﺸﺎر را ﻓﺮاﻫﻢ ﻣﻲﺳﺎزد‪ .‬اﻧﺘﺨﺎب‬

‫ﻧﻮع ﮔﺎز ﺗﺼﻮﻳﺮﺳﺎز اﺑﺘﺪا ﺗﻮﺳﻂ ﻣﻼﺣﻈﺎت و ﺗﺠﺮﺑﻴﺎت ﻋﻤﻠﻲ از ﻗﺒﻴﻞ ﻫﺰﻳﻨﻪ‪ ،‬ﺳﻤﻲﺑﻮدن‪ ،‬ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ اﺷﺘﻌﺎل و‬

‫واﻛﻨﺶدﻫﻨﺪﮔﻲ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻣﺤﺪود ﻣﻲﮔﺮدد‪ .‬ﻣﺘﺪاولﺗﺮﻳﻦ ﮔﺎز ﻣﺼﺮﻓﻲ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﻳﻮﻧﻴﺰاﺳﻴﻮن آﺳﺎن و‬

‫دردﺳﺘﺮسﺑﻮدن‪ ،‬ﺑﺨﺎر آب اﺳﺖ‪ .‬ﮔﺎزﻫﺎي دﻳﮕﺮ ﻣﺎﻧﻨﺪ ‪ ، CO2 ، Ar ، N2‬و ﮔﺎزﻫﺎي ﺗﺮﻛﻴﺒﻲ ﻧﻈﻴﺮ ﻫﻮا ﻧﻴﺰ ﻣﻤﻜﻦ‬

‫اﺳﺖ اﺳﺘﻔﺎده ﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻣﺮاﺟﻊ‬

‫‪1- L Reimer Meas. Sci. Technol; 2000:11 1826‬‬

‫‪ -٢‬ﻣﺮﻋﺸﻲ‪ ،‬ﻛﺎوﻳﺎﻧﻲ‪ ،‬ﺳﺮﭘﻮﻟﻜﻲ و ذواﻟﻔﻘﺎري‪ .‬اﺻﻮل و ﻛﺎرﺑﺮد ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻬﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ و روﺷﻬﺎي ﻧﻮﻳﻦ آﻧﺎﻟﻴﺰ اﺑﺰار ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ‬

‫دﻧﻴﺎي ﻧﺎﻧﻮ‪ .،‬داﻧﺸﮕﺎه ﻋﻠﻢ ﺻﻨﻌﺖ اﻳﺮان‬

‫‪3- http://www.utoronto.ca/forest/termite‬‬

‫‪38‬‬
‫‪-imaging gass‬‬

‫‪62‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪ -6-2‬ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻋﺒﻮر اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ)‪(TEM‬‬

‫ﺧﻮاص ﻣﻮاد ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎري ﺑﻪ ﺷﻜﻞ و اﻧﺪازة آﻧﻬﺎ ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد و از اﻳﻦرو ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﭘﻴﺮاﻣﻮن ﺷﻜﻞ‪ ،‬اﻧﺪازه و‬

‫آراﻳﺶ ﻣﻮاد ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎري از ﻧﻈﺮ ﻓﻬﻢ ﭘﺪﻳﺪهﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد و درﻧﻬﺎﻳﺖ اﺳﺘﻔﺎده از آﻧﻬﺎ در ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ‬

‫ﺿﺮوري اﺳﺖ‪ .‬روشﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻔﻲ ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺷﻜﻞ و اﻧﺪازة ذرات ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود ﻛﻪ ازﺟﻤﻠﺔ آﻧﻬﺎ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ‬

‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻧﻴﺮوي اﺗﻤﻲ )‪ ،(AFM‬ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﻧﻮري ﻋﺒﻮري‪ ،‬ﭘﺮاش اﺷﻌﺔ ‪ X‬و ﻣﺎﻧﻨﺪ آن اﺷﺎره ﻛﺮد‪ .‬ﺑﺮﺧﻲ‬

‫از اﻳﻦ روشﻫﺎ ﺷﻜﻞ و اﻧﺪازة ذرات را ﺑﻪ ﻃﻮر ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺑﻪ دﺳﺖ ﻧﻤﻲدﻫﻨﺪ‪ .‬ﺑﺮاي ﻣﺜﺎل در ﭘﺮاش اﺷﻌﺔ ‪ X‬اﻧﺪازة‬

‫ذرات از راﺑﻄﺔ زﻳﺮ ﺑﻪ دﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪:‬‬

‫‪0.9λ‬‬
‫=‪D‬‬
‫‪β cosθ‬‬

‫ﻛﻪ راﺑﻄﺔ ﻓﻮق ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ اﻧﺪازة ﻧﺎﻧﻮذرات دﻗﻴﻖ ﻧﻴﺴﺖ و در اﻧﺪازهﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦ داراي ﺧﻄﺎي ﻗﺎﺑﻞ‬

‫ﻣﻼﺣﻈﻪاي ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻣﻘﺎدﻳﺮ واﻗﻌﻲ اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ روش ﺑﺮاي ﻧﺎﻧﻮذرات ﻏﻴﺮﺑﻠﻮري ﻧﻴﺰ ﻣﻨﺎﺳﺐ ﻧﻴﺴﺖ‪ .‬از ﻃﻴﻒ ﻧﻮري‬

‫ﻋﺒﻮري ﻣﻮاد ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎري ﻧﻴﺰ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ اﻧﺪازة ذرات اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد ﻛﻪ روش اﻧﺪازهﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻗﻄﺮ‬

‫ذرات ﭘﻴﭽﻴﺪه ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ و ﺑﺮاي ﺑﺮﺧﻲ از ﻣﻮاد ﻗﺎﺑﻞ اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻴﺴﺖ‪ .‬ﺑﺎﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻣﻄﺎﻟﺐ ﻓﻮق اﺳﺘﻔﺎده از روﺷﻲ ﺑﺮاي‬

‫ﺗﻌﻴﻴﻦ اﻧﺪازه و ﺷﻜﻞ ذرات ﺑﺎدﻗﺖ ﻣﻨﺎﺳﺐ در ﺣﻮزه ﭘﮋوﻫﺶﻫﺎي ﻣﻮاد ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎري ﺑﺴﻴﺎر ﻣﻬﻢ و ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز‬

‫ﺟﺪي اﺳﺖ‪.‬‬

‫در ﭘﮋوﻫﺶﻫﺎي ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺧﻮاص ﻣﻮاد ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎري ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري ﻳﻜﻲ از ﻣﻬﻢﺗﺮﻳﻦ و‬

‫ﭘﺮﻛﺎرﺑﺮدﺗﺮﻳﻦ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎﻳﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ .‬در اﻏﻠﺐ ﻣﻄﺎﻟﻌﺎت اﻧﺠﺎمﺷﺪه روي ﺧﻮاص‬

‫‪63‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣﻮاد ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎري ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ اﻧﺪازه و ﺷﻜﻞ آﻧﻬﺎ از ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ‬

‫روش اﻧﺪازه و ﺷﻜﻞ ذرات را ﺑﺎ دﻗﺖ ﺣﺪود ﭼﻨﺪ دﻫﻢ ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﺑﻪ دﺳﺖ ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﺑﻪ ﻧﻮع ﻣﺎده و دﺳﺘﮕﺎه ﻣﻮرد‬

‫اﺳﺘﻔﺎده ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد‪ .‬اﻣﺮوزه در ﺑﺮرﺳﻲ ﺧﻮاص ﻣﻮاد ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎري از ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ ﻋﺒﻮر اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﺎ وﺿﻮح‬

‫ﺑﺎﻻ )‪ (High-Resolution‬اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻋﻼوه ﺑﺮ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺷﻜﻞ و اﻧﺪازة ذرات ﺑﻪ وﺳﻴﻠﺔ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ‬

‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﭘﺮاش اﻟﻜﺘﺮون و ﺳﺎﻳﺮ ﺳﺎزوﻛﺎرﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﺑﺮﺧﻮرد اﻟﻜﺘﺮون ﺑﺎ ﻣﺎده ﺑﺮﺧﻲ‬

‫وﻳﮋﮔﻲﻫﺎي دﻳﮕﺮ ﻣﻮاد ﻧﺎﻧﻮﺳﺎﺧﺘﺎري ﻣﺎﻧﻨﺪ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺑﻠﻮري و ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎي را ﻧﻴﺰ ﻣﻲ ﺗﻮان ﺑﺪﺳﺖ آورد‪.‬‬

‫ﺑﺮﺧﻲ از روشﻫﺎي ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري ﺑﺮاي ﺑﺮرﺳﻲ وﻳﮋﮔﻲﻫﺎي ﻣﻮاد‬

‫ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از‪:‬‬

‫ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري )ﻣﻴﺪان ﺗﺎرﻳﻚ و ﻣﻴﺪان روﺷﻦ(‬

‫ﭘﺮاش اﻟﻜﺘﺮون‬

‫ﭘﺮاش اﻟﻜﺘﺮون ﺑﺎ ﺑﺎرﻳﻜﻪ واﮔﺮا )‪(SAD‬‬

‫ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ‪ Phase-Contrast‬در )‪(HRTEM‬‬

‫ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ‪Z-Contrast‬‬

‫ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﭘﺎﺷﻨﺪﮔﻲ اﻧﺮژي اﺷﻌﺔ ‪(EDS) X‬‬

‫ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري اﺗﻼف اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮون )‪(EBLS‬‬

‫اﺳﺎس ﻛﺎر ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري ] ‪[1‬‬

‫ﺑﺮﺧﻮرد اﻟﻜﺘﺮون ﺑﺎ ﻣﺎده ﺷﺎﻣﻞ ﺳﺎزوﻛﺎرﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻔﻲ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ ﻛﻪ از ﻣﻬﻢﺗﺮﻳﻦ آﻧﻬﺎ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ‬

‫ﺑﺮﺧﻮرد و ﺗﻮﻟﻴﺪ اﻟﻜﺘﺮون ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﭘﺲﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ و ﭘﻴﺶﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ ﺗﻮﻟﻴﺪ اﺷﻌﺔ ‪ X‬و اﻟﻜﺘﺮون اوژه اﺷﺎره‬

‫‪64‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻛﺮد‪ .‬ﺑﺎﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺳﺎزوﻛﺎرﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻧﺘﺎﻳﺞ ﻫﺮﻳﻚ از اﻳﻦ ﺳﺎزوﻛﺎرﻫﺎ دادهﻫﺎﻳﻲ را در ﻣﻮرد ﺷﻜﻞ‬

‫و اﻧﺪازه‪ ،‬ﺳﺎﺧﺘﺎر و ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻣﺎده ﺑﻪ دﺳﺖ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬اﺑﺘﺪا ﻧﺤﻮة اﻧﺪرﻛﻨﺶ اﻟﻜﺘﺮون‪ -‬ﻣﺎده و‬

‫ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري را ﺑﺮرﺳﻲ ﻛﺮده و ﺳﭙﺲ ﺑﻪ ﺳﺎﻳﺮ روشﻫﺎي ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده‬

‫ازﺟﻤﻠﻪ ﭘﺮاش اﻟﻜﺘﺮون و ‪ EDS‬ﻣﻲﭘﺮدازﻳﻢ‪.‬‬

‫ﺑﺮﻫﻢﻛﻨﺶﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮون ﺑﺎ اﺗﻢ و ﺗﻔﻨﮓ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ‬

‫ﭘﺮﺗﻮ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﻪ روشﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻔﻲ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ از ﻣﻬﻢﺗﺮﻳﻦ آﻧﻬﺎ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﮔﺴﻴﻞ ﺗﺮﻣﻮﻳﻮﻧﻴﻚ‬

‫)‪ ( Thermoionic Emission‬و ﮔﺴﻴﻞ ﻣﻴﺪاﻧﻲ اﺷﺎره ﻛﺮد‪ .‬ﺑﺮاي ﮔﺴﻴﻞ ﺗﺮﻣﻮﻳﻮﻧﻴﻚ ﺑﻪ ﻃﻮر ﻣﻌﻤﻮل از ﻳﻚ‬

‫اﻟﻤﺎن داغ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ ﻛﻪ ﺗﺎ دﻣﺎي ﺣﺪود ‪ 2800‬درﺟﻪ ﻛﻠﻮﻳﻦ ﮔﺮم ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺟﻨﺲ اﻟﻤﺎن اﻏﻠﺐ از ﺗﻨﮕﺴﺘﻦ‬

‫ﻳﺎ ‪ LaB6‬اﺳﺖ‪ .‬ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ اﻟﻤﺎن را ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺷﺒﻜﻪﻫﺎي ﺷﺘﺎبدﻫﻨﺪه در ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻣﻨﻔﻲ ﻧﮕﻪ ﻣﻲدارﻧﺪ و‬

‫اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺗﻮﻟﻴﺪﺷﺪه در اﺛﺮ ﭘﺪﻳﺪه ﺗﺮﻣﻮﻳﻮﻧﻴﻚ در ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﺑﺎﻻ ﺷﺘﺎب ﮔﺮﻓﺘﻪ و اﻧﺮژي ﺑﺎﻻﻳﻲ ﻛﺴﺐ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -1‬اﺳﺎس ﮔﺴﻴﻞ ﺗﺮﻣﻮﻳﻮﻧﻴﻚ و ﺗﻮﻟﻴﺪ ﺑﺎرﻳﻜﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ‬

‫‪65‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫در روش ﮔﺴﻴﻞ ﻣﻴﺪاﻧﻲ از ﭘﺪﻳﺪه ﺗﻮﻧﻞزﻧﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﻣﻴﺪان ﺑﺎﻻ در ﺳﻄﺢ ﻓﻠﺰ‬

‫و ﻛﺎﻫﺶ ﺳﺪ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ اﻟﻜﺘﺮون ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺗﻮﻧﻞ زده و از ﺳﻄﺢ ﻓﻠﺰ ﺧﺎرج ﺷﻮد‪ .‬در اﻳﻦ ﺻﻮرت ﻣﻲﺗﻮان ﺷﺎر‬

‫ﺑﺰرﮔﻲ از اﻟﻜﺘﺮون اﻳﺠﺎد ﻛﺮد‪ .‬ﻣﻘﺪار ﺑﺎر اﻳﺠﺎدﺷﺪه در اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه ﺑﻪ ﻣﻴﺪان اﻋﻤﺎلﺷﺪه ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد‪ .‬ﺑﺮاي‬

‫ﺑﺪﺳﺖآوردن ﺑﻬﺮه ﺑﺎﻻ ﺑﺮاي ﺗﻮﻟﻴﺪ ﺟﺮﻳﺎن ﺑﺎﻳﺪ از ﻓﻠﺰي ﺑﺎ ﻧﻮك ﺑﺴﻴﺎر ﺗﻴﺰ اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد و ﺑﺮاي ﺟﻠﻮﮔﻴﺮي از‬

‫اﻛﺴﻴﺪﺷﺪن ﺧﻼء ﺧﻴﻠﻲ ﺑﺎﻻ ﻧﻴﺰ )‪ (Ultra High Vacuum‬ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز اﺳﺖ‪ .‬در ﻫﺮ دو ﺣﺎﻟﺖ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي‬

‫اﻳﺠﺎدﺷﺪه را ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﻛﻤﻚ ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ )ﻛﻪ ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻋﺪﺳﻲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻧﺎﻣﻴﺪه ﻣﻲﺷﻮد(‬

‫ﻛﺎﻧﻮﻧﻲ ﻛﺮده و ﺑﺎرﻳﻜﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﻨﺎﺳﺒﻲ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻛﺮد‪.‬‬

‫در اﺛﺮ ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﺎرﻳﻜﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﺎ ﻣﺎده ﭘﺪﻳﺪهﻫﺎي ﻣﺘﻨﻮﻋﻲ روي ﻣﻲدﻫﺪ )ﺷﻜﻞ ‪ (3‬ﻛﻪ اﻧﻮاع ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲﻫﺎ‬

‫)‪ (Scattering‬را ﺷﺎﻣﻞ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﻣﻬﻤﺘﺮﻳﻦ آﻧﻬﺎ ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از‪:‬‬

‫ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ اﻻﺳﺘﻴﻚ ﺑﺪون ﺗﻐﻴﻴﺮ اﻧﺮژي ﺗﻜﺎﻧﻪ اﻟﻜﺘﺮون‬

‫ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ ﻏﻴﺮاﻻﺳﺘﻴﻚ ﻛﻪ اﻟﻜﺘﺮون ﺑﺨﺸﻲ از اﻧﺮژي ﺧﻮد را از دﺳﺖ ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ ﺷﺎﻣﻞ ﻣﻮارد زﻳﺮ‬

‫اﺳﺖ‪:‬‬

‫ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ در اﺛﺮ ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﺎ ﺑﺎر آزاد ﺳﻄﺤﻲ در ﻓﻠﺰات ﻛﻪ ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ ﭘﻼﺳﻤﻮﻧﻲ ﻧﺎﻣﻴﺪه ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﮕﻲ اﻟﻜﺘﺮون واﻻﻧﺲ‬

‫ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﮕﻲ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﻣﺪار داﺧﻠﻲ ﻣﺎده ﻛﻪ در ﺗﻮﻟﻴﺪ اﺷﻌﻪ ‪ X‬ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻣﺎده ﻧﻘﺶ دارد‪.‬‬

‫ﺟﺬب‪ :‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ اﻟﻜﺘﺮون در ﺑﺮﺧﻮردﻫﺎي ﭘﻲ در ﭘﻲ ﺗﻤﺎم اﻧﺮژي ﺧﻮد را ﺑﻪ ﻣﺎده ﻣﻨﺘﻘﻞ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪.‬‬

‫‪66‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (3‬ﺳﺎزوﻛﺎرﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﺎرﻳﻜﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﺎ ﻣﺎده‬

‫در اﺛﺮ ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﺎرﻳﻜﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﺎ ﻣﺎده اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﻫﺮﭼﻨﺪ ﺗﻔﻜﻴﻚ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي‬

‫اوﻟﻴﻪ ﻛﻢاﻧﺮژي و اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﻋﻤﻼً دﺷﻮار اﺳﺖ‪ .‬ﻋﻼوه ﺑﺮ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي‬

‫ﭘﺲﭘﺮاﻛﻨﺪهﺷﺪه ﻧﻴﺰ وﺟﻮد دارﻧﺪ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ از آﻧﻬﺎ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ‬

‫در ﺑﺮﺧﻮرد اوﻟﻴﻪ ﺑﺎ ﻣﺎده ﻣﻮﺟﺐ ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﮕﻲ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺗﺮازﻫﺎي داﺧﻠﻲ ﻣﺎده ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي‬

‫ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﻪﺷﺪه ﺑﻪ دو ﺻﻮرت ﺑﻪ ﺣﺎﻟﺖ ﭘﺎﻳﻪ ﺑﺮﻣﻲﮔﺮدﻧﺪ ﻛﻪ ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از‪:‬‬

‫ﺗﻮﻟﻴﺪ اﻟﻜﺘﺮون اوژه و ﺗﻮﻟﻴﺪ اﺷﻌﻪ ‪ X‬ﻛﻪ ﺑﺎ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻫﺮﻛﺪام از آﻧﻬﺎ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺮﺧﻲ از وﻳﮋﮔﻲﻫﺎي ﻣﺎده‬

‫را ﺑﺪﺳﺖ آورد‪ .‬در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ ﺗﺮاز ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﻪﺷﺪه ﺗﺮاز ﺧﺎرﺟﻲ اﺗﻢ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬اﻟﻜﺘﺮون ﺑﺎ ﮔﺴﻴﻞ ﻓﻮﺗﻮن ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﻪ‬

‫‪67‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺣﺎﻟﺖ ﭘﺎﻳﻪ ﺑﺮﮔﺮدد‪ .‬ﺷﻜﻞ )‪ (4‬ﺷﻤﺎﻳﻲ از ﺳﺎزو ﻛﺎرﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﮕﻲ ﺗﺮازﻫﺎي اﻧﺮژي در اﺛﺮ ﺑﺮﺧﻮرد‬

‫اﻟﻜﺘﺮون را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬

‫‪ .‬ﺷﻜﻞ )‪ (4‬ﺷﻤﺎﻳﻲ از ﺳﺎزو ﻛﺎرﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﮕﻲ ﺗﺮازﻫﺎي اﻧﺮژي در اﺛﺮ ﺑﺮﺧﻮرد اﻟﻜﺘﺮون‬

‫ﺣﺎﻟﺖﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري‬

‫ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري در ﺣﺎﻟﺖﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ اﻧﺠﺎم ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ‬

‫ﻣﻬﻢﺗﺮﻳﻦ آﻧﻬﺎ ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از‪:‬‬

‫ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ‬

‫ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻣﻴﺪان ﺗﺎرﻳﻚ‬

‫ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻣﻴﺪان روﺷﻦ‬

‫در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري وﺿﻮح ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﻋﻼوه ﺑﺮ ﺣﺎﻟﺖﻫﺎي ﻓﻮق از ﻣﺪﻫﺎي دﻳﮕﺮي ﻧﻴﺰ ﺑﺮاي‬

‫‪68‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻣﺴﻴﺮ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎ در ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ در ﺷﻜﻞ )‪ (7‬آورده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻫﻤﺎنﮔﻮﻧﻪ ﻛﻪ ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻲﺷﻮد‪ ،‬از‬

‫ﺗﻤﺎم ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﻋﺒﻮري ﺑﺮاي اﻳﺠﺎد ﺗﺼﻮﻳﺮ اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﻧﻤﻲﺗﻮان ﺗﺼﻮﻳﺮي ﺑﺎ وﺿﻮح ﺑﺎﻻ از‬

‫ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﻬﻴﻪ ﻛﺮد‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -7‬ﻣﺴﻴﺮ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎ در ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ‬

‫در ﺣﺎﻟﺖ ﻣﻴﺪان روﺷﻦ )‪ (Bright-Field‬ﺗﻨﻬﺎ از ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﭘﺮاﺷﻴﺪهﻧﺸﺪه ﺑﺮاي ﺗﻬﻴﻪ ﺗﺼﻮﻳﺮ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (8‬ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده در ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري در ﺣﺎﻟﺖ ﻣﻴﺪان روﺷﻦ را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬

‫در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﭘﺮاﺷﻴﺪه در ﺗﻮﻟﻴﺪ ﺗﺼﻮﻳﺮ دﺧﺎﻟﺘﻲ ﻧﺪارﻧﺪ و درﻧﻬﺎﻳﺖ وﺿﻮح ﺗﺼﻮﻳﺮ اﻓﺰاﻳﺶ‬

‫ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ )‪ (9‬ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده در ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻣﻴﺪان ﺗﺎرﻳﻚ را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺗﻨﻬﺎ‬

‫ﺑﺨﺸﻲ از ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﭘﺮاﺷﻴﺪه ﺷﺪه از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺮاي ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ‪ .‬در ﺣﺎﻟﺖ‬

‫ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻣﻴﺪان ﺗﺎرﻳﻚ اﻏﻠﺐ از ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﻧﺸﺎنداده ﺷﺪه در ﺷﻜﻞ )‪ (9‬اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﺑﺮﺧﻲ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎ‬

‫در آن ﺣﺬف ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از روشﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻋﻼوه ﺑﺮ ﺷﻜﻞ و اﻧﺪازه ذرات ﻣﻲﺗﻮان‬

‫‪69‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫درﻣﻮرد ﻧﺎﺑﺠﺎﻳﻲﻫﺎ و ﻋﻴﻮب ﺷﺒﻜﻪ ﻧﻴﺰ دادهﻫﺎﻳﻲ ﺑﺪﺳﺖ آورد‪ .‬در ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي ‪ TEM/STEM‬از روش‬

‫ﺑﺮرﺳﻲ ﻫﻢزﻣﺎن ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎ ﺳﺎزوﻛﺎرﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد ﺑﺮاي ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري و اﻧﻮاع دﻳﮕﺮ آﻧﺎﻟﻴﺰﻫﺎي ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺘﻔﺎده‬

‫ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -8‬ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده در ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري در ﺣﺎﻟﺖ ﻣﻴﺪان روﺷﻦ‬

‫‪70‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده در ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻣﻴﺪان ﺗﺎرﻳﻚ‬-9‫ﺷﻜﻞ‬

‫ﻣﺮاﺟﻊ‬

1. www.matter.org.uk

2. B. Fultz and J.M. Howe, Transmission Electron Microscopy and Electron Diffraction
of Materials, Springer, 2001.

71
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ‪ – 1‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪TEM‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻛﺸﻮر‬

‫)‪Transmission electron Microscopy(TEM‬‬ ‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري‬

‫ﻧﻮع ﻋﻀﻮﻳﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺻﻨﻌﺘﻲ ﺷﺮﻳﻒ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪EM201‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻮاد‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺑﻮﻋﻠﻲ ﺳﻴﻨﺎي ﻫﻤﺪان‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪JEM1200EX‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﻣﻮاد و ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﻓﺮدوﺳﻲ ﻣﺸﻬﺪ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪LEO-912AB‬‬ ‫‪3‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻣﺮﻛﺰي‬

‫‪CM-120‬‬ ‫ﺷﺮﻛﺖ ﻟﻌﺎب ﻣﺸﻬﺪ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪4‬‬
‫‪PW6031/10‬‬ ‫ﻣﺆﺳﺴﻪ ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت ﭘﺮﻃﺎووس‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺻﻨﻌﺘﻲ ﺷﺮﻳﻒ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪CM200‬‬ ‫‪5‬‬
‫ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎر و ﻣﻮاد‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪CM200‬‬ ‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﭘﮋوﻫﺸﮕﺎه ﻣﻮاد و اﻧﺮژي‬ ‫‪6‬‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺗﻬﺮان‬
‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪Hu-12A‬‬ ‫‪7‬‬
‫ﻣﺮﻛﺰ ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت ﺑﻴﻮﺷﻴﻤﻲ و ﺑﻴﻮﻓﻴﺰﻳﻚ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺒﺮﻳﺰ‬
‫رزرو‬ ‫‪Zeiss900‬‬ ‫‪8‬‬
‫داﻧﺸﻜﺪه ﺷﻴﻤﻲ‬

‫‪72‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪ -7-2‬ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ اﻟﻜﺘﺮون اوژه )‪(AES‬‬

‫ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ اﻟﻜﺘﺮون اوژه‪ 39‬ﻳﻚ روش آﻧﺎﻟﻴﺰ اﺳﺘﺎﻧﺪارد در ﻓﻴﺰﻳﻚ ﺳﻄﺢ و ﻓﺼﻞ ﻣﺸﺘﺮكﻫـﺎ اﺳـﺖ‪ .‬ﺗﻤﻴـﺰ‬

‫ﺑﻮدن ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﺔ ﻣﻮرد ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ و ﺧﻼء ﻓﻮق ﺑﺎﻻ‪ 40‬از ﺿﺮورﻳﺎت اﻳـﻦ روش ﻣـﻲ ﺑﺎﺷـﺪ‪ .‬ﺧـﻼء ﻓـﻮق ﺑـﺎﻻ از اﻳـﻦ‬

‫ﺟﻬﺖ ﺿﺮورت دارد ﻛﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎ در ﻣﺤﻴﻂ آزﻣﺎﻳﺶ ﺑﺎ ذرات ﻛﻤﺘﺮي ﺑﺮﺧﻮرد داﺷـﺘﻪ ﺑﺎﺷـﻨﺪ و ﻋـﻼوه ﺑـﺮ اﻳـﻦ‬

‫آﻟﻮدﮔﻲﻫﺎي ﻣﺤﻴﻂ ﻛﻤﺘﺮ ﺟﺬب ﺳﻄﺢ ﻣﻮرد ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺳﺎﻳﺮ زﻣﻴﻨﻪﻫﺎي ﻣﻬـﻢ اﺳـﺘﻔﺎده از اﻳـﻦ روش ﻋﺒـﺎرت‬

‫اﺳﺖ از ﻣﻄﺎﻟﻌﺔ روﻧﺪ رﺷﺪ ﻻﻳﻪ و ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﺳﻄﺢ )ﺗﺤﻠﻴﻞ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ( و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ آﻧـﺎﻟﻴﺰ در راﺳـﺘﺎي ﻋﻤـﻖ‬

‫ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬در ﻣﻮرد آﺧﺮ ﻻزم اﺳﺖ ﻫﺮ ﻣﺮﺣﻠﻪ ﻃﻴـﻒﺳـﻨﺠﻲ اﻟﻜﺘـﺮون اوژه ﺑـﺎ اﺳـﭙﺎﺗﺮﻧﻴﮓ ﻣﺘـﻮاﻟﻲ ﻧﻤﻮﻧـﻪ‬

‫ﻫﻤﺮاه ﺷﻮد]‪.[4‬‬

‫در ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ‪ AES‬ﺗﺤﺮﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ ﺗﻮﺳﻂ ﺑﺎرﻳﻜﻪاي از اﻟﻜﺘﺮونﻫـﺎي ﻓـﺮودي ﻛـﻪ از ﻳـﻚ‬

‫ﺗﻔﻨﮓ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﻴﺮون ﻣﻲآﻳﻨﺪ اﻧﺠﺎم ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﻧﺘﻴﺠﺔ ﻓﺮآﻳﻨﺪ اوژه‪ ،‬اﻟﻜﺘـﺮونﻫـﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳـﻪاي ﺑـﺎ ﺗﻮزﻳـﻊ اﻧـﺮژي‬

‫ﻧﺴﺒﺘﺎً ﺗﻴﺰ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﻨﺪ‪ .‬اﻳﻦ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ از ﻟﺤﺎظ اﻧﺮژي ﺗﻮﺳﻂ ﺗﺤﻠﻴﻠﮕﺮﻫﺎي اﺳﺘﺎﻧﺪاردي آﺷﻜﺎرﺳـﺎزي‬

‫ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﻳﻜﻲ از اﻳﻦ ﺗﺤﻠﻴﻞﮔﺮﻫﺎ‪ ،‬ﺗﺤﻠﻴﻞﮔﺮ آﻳﻨﻪاي اﺳﺘﻮاﻧﻪاي‪ 41‬اﺳﺖ ﻛﻪ در اﻛﺜﺮ ﻣـﻮارد ﺑـﻪ ﻛـﺎر ﻣـﻲرود‪ .‬ﺑـﻪ‬

‫دﻟﻴﻞ ﻣﺤﺪودﻳﺖ درﻋﻤﻖ ﻓﺮار اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي اوژه‪ ،‬اﻳﻦ روش‪ ،‬ﻳﻚ روش آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺣﺴﺎس ﺑﻪ ﺳﻄﺢ اﺳﺖ‪ .‬ﺑـﻪ ﻋﻨـﻮان‬

‫ﻣﺜﺎل ﻣﺸﺎﻫﺪة اﻟﻜﺘﺮون اوژهاي ﺑﺎ اﻧﺮژي ‪ 1000eV‬ﺑﻪ ﻣﻌﻨﻲ ﻣﺸﺎﻫﺪة ﻋﻤﻘﻲ ﺑﻪ ﻃﻮل ‪ 15A o‬اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪39‬‬
‫‪- Auegr Electron Spectroscopy (AES).‬‬
‫‪40‬‬
‫‪- Ultra High Vacuum (UHV).‬‬
‫‪41‬‬
‫‪- Cylindrical Mirror Analyzer (CMA).‬‬

‫‪73‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫درﺣﺎﻟﺖ ﻛﻠﻲ ﺗﻮﺳﻂ ‪ AES‬ﻣﻲ ﺗﻮان ﻋﻤﻘﻲ در ﺣﺪود ‪ 10-30A o‬را ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﻛـﺮد‪ .‬اﺻـﻮل ﻓﺮآﻳﻨـﺪ اوژه در‬

‫ﺷﻜﻞ )‪ (2‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎرﻳﻜﻪ اﻟﻜﺘﺮون ﻓﺮودي اوﻟﻴﻪ ﻛﻪ اﻧﺮژي ﺑﻴﻦ ‪ 2-5keV‬دارد ﺑﺎ ﻳﻮﻧﻴﺰاﺳـﻴﻮن ﺗـﺮاز‬

‫ﻫﺴﺘﻪاي )‪ k‬ﻳﺎ‪ (L‬و ﺑﻴﺮون اﻧﺪاﺧﺘﻦ ﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮون‪ ،‬ﻳﻚ ﺣﻔـﺮه در آن ﺗـﺮاز اﻳﺠـﺎد ﻣـﻲﻛﻨـﺪ‪ .‬اﻟﻜﺘـﺮون ﻓـﺮودي و‬

‫اﻟﻜﺘﺮون ﺗﺮاز ﻫﺴﺘﻪاي‪ ،‬اﺗﻢ را ﺑﺎ اﻧﺮژي ﻧﺎﻣﻌﻠﻮﻣﻲ ﺗﺮك ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪ .‬در ﻧﺘﻴﺠـﻪ ﺳـﺎﺧﺘﺎر اﻟﻜﺘﺮوﻧـﻲ اﺗـﻢ ﻳـﻮﻧﻴﺰه ﺷـﺪه‬

‫ﺑﺎزآراﻳﻲ ﻣﻲﺷﻮد و در اﻳﻦ ﺑﺎزآراﻳﻲ ﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮون از ﺗﺮازﻫﺎﻳﻲ ﺑﺎ اﻧﺮژي ﺑﺎﻻﺗﺮ اﻳﻦ ﺣﻔـﺮه را ﭘـﺮ ﻣـﻲﻛﻨـﺪ‪ .‬اﻳـﻦ‬

‫ﮔﺬار ﺑﺎ ﻣﻘﺪاري اﻧﺮژي ﻫﻤﺮاه اﺳﺖ ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﻪ دو ﺻﻮرت ﭘﺪﻳﺪار ﺷﻮد‪ .‬ﻳـﺎ ﻳـﻚ ﻓﻮﺗـﻮن ‪ X‬ﺗـﺎﺑﺶ ﻛﻨـﺪ ﻳـﺎ‬

‫اﻳﻨﻜﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت اﻧﺮژي ﺟﻨﺒﺸﻲ ﺑﻪ ﻳﻜﻲ از اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ اﻧﺘﻘﺎل ﻳﺎﻳﺪ‪ .‬اﻳﻦ اﻟﻜﺘﺮون ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ در ﻫﻤﺎن ﺗﺮاز اﻧـﺮژي ﻳـﺎ‬

‫ﺗﺮاز اﻧﺮژي ﺑﺎﻻﺗﺮي ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬در ﻧﺘﻴﺠﻪ اﻳﻦ اﻟﻜﺘﺮون اﻧﺮژي ﻛﺎﻣﻼً ﻣﺸﺨﺼﻲ ﻣﻮﺳﻮم ﺑﻪ اﻧﺮژي اوژه دارد‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -2‬ﻓﺮآﻳﻨﺪ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﭘﺮﺗﻮ ‪ x‬و اﻟﻜﺘﺮون اوژه از ﻳﻮﻧﻴﺰاﺳﻮن ﺗﺮاز ﻫﺴﺘﻪ اي اﺗﻢ و ﺑﺎزآراﻳﻲ ﻣﺠﺪد آن‬

‫از آﻧﺠﺎ ﻛﻪ اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮون ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﺴﺘﻘﻴﻤﺎً ﺑـﻪ اﺧـﺘﻼف ﺗﺮازﻫـﺎي اﻧـﺮژي ﻫـﺴﺘﻪاي اﺗـﻢ ﺑـﺴﺘﮕﻲ دارد ﺑـﻪ‬

‫اﻧﺪازهﮔﻴﺮي اﻧﺮژي اﻳﻦ اﻟﻜﺘﺮون ﺑﺮاي ﻣﺸﺨﺺ ﻛﺮدن ﻧﻮع اﺗﻢ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود‪ .‬اﻧﺮژي اﻟﻜﺘـﺮون اوژه ﺑـﻪ ﺻـﻮرت‬

‫زﻳﺮ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬

‫‪E Kin = Ek − E L1 − E L 2‬‬

‫‪74‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻛﻪ در آن ﺣﻔﺮة اوﻟﻴﻪ در ﺗﺮاز ‪ K‬اﻳﺠﺎد ﻣﻲﺷﻮد‪ ،‬ﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮون از ﺗﺮاز ‪ L 1‬اﻳﻦ ﺣﻔﺮه را ﭘﺮﻣﻲﻛﻨﺪ و اﻟﻜﺘﺮون‬

‫ﺗﺮاز ‪ L 2‬ﺑﻪ ﺻﻮرت اﻟﻜﺘﺮون اوژه از ﺳﻄﺢ ﺧﺎرج ﻣﻲﺷـﻮد‪ .‬در ﻓﺮآﻳﻨـﺪ اوژه ﻫﻤـﻮاره دو ﺣﻔـﺮه ﻧﻬـﺎﻳﻲ ﺑـﺮ ﺟـﺎي‬

‫ﻣﻲﻣﺎﻧﻨﺪ‪ ،‬وﻗﺘﻲ اﺗﻢ در ﻳﻚ ﺟﺎﻣﺪ ﻗﺮار داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬اﻳﻦ دو ﺣﻔﺮه ﻣﻲﺗﻮاﻧﻨﺪ در ﻧﻮار ﻇﺮﻓﻴﺖ اﻳﺠﺎد ﺷﻮﻧﺪ]‪.[4‬‬

‫در ﺣﺎﻟﺖ ﻛﻠﻲ ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ ﺷﺪت ﻛﻪ در ﻓﺮاﻳﻨﺪ اوژه ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻲﺷﻮد ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ وﺿﻌﻴﺘﻲ اﺳـﺖ ﻛـﻪ دو ﺣﻔـﺮه‬

‫ﻧﻬﺎﻳﻲ در ﻧﺎﺣﻴﻪاي ﺑﺎ ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺣﺎﻟﺖ در ﻧﻮار ﻇﺮﻓﻴﺖ ﺑﻮﺟﻮد آﻣﺪه ﺑﺎﺷﻨﺪ‪.‬‬

‫ﺑﺮاي ﻫﺮ ﻋﻨﺼﺮي ﺑﺎ ﻋﺪد اﺗﻤﻲ ﺧﺎص ﻳﻜﻲ از ﮔﺬارﻫﺎي اوژه ﺑﺎ ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ اﺣﺘﻤﺎل ﺑﻪ وﻗﻮع ﻣـﻲﭘﻴﻮﻧـﺪد ﻳـﺎ ﺑـﻪ‬

‫ﻋﺒﺎرﺗﻲ ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ ﺷﺪت ﺧﺮوﺟﻲ را دارد‪ .‬ﺑﺮ ﻫﻤﻴﻦ اﺳـﺎس در اﻳـﻦ روش ﻫـﺮ ﻋﻨـﺼﺮ ﻳـﻚ اﻧـﺮژي اوژة اﺻـﻠﻲ و‬

‫اﻧﺮژيﻫﺎي اوژه ﻓﺮﻋﻲ دارد ﻛﻪ ﻫﻤﮕـﻲ ﻣﺎﻧﻨـﺪ اﺛـﺮ اﻧﮕـﺸﺖ ﺑـﻪ ﺷﻨﺎﺳـﺎﻳﻲ اﺗـﻢ ﻛﻤـﻚ ﻣـﻲﻛﻨﻨـﺪ‪ .‬در ﺷـﻜﻞ )‪(3‬‬

‫اﻧﺮژيﻫﺎي اﺻﻠﻲ اوژه ﺑﺮﺣﺴﺐ ﻋﺪد اﺗﻤﻲ ﻣﺸﺨﺺ ﺷﺪهاﻧﺪ‪ .‬ﻧﻘﺎط ﭘﺮرﻧﮓ اﻧﺮژيﻫﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ اﺣﺘﻤﺎل ﻫﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -3‬اﻧﺮژيﻫﺎي اﺻﻠﻲ اوژه ﺑﺮﺣﺴﺐ ﻋﺪد اﺗﻤﻲ]‪[1‬‬

‫ﺗﺠﻬﻴﺰات اﺳﺘﺎﻧﺪارد ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ اﻟﻜﺘﺮون اوژه ﺑﻪ ﻃﻮر ﺷـﻤﺎﺗﻴﻚ در ﺷـﻜﻞ )‪ (4‬ﻧـﺸﺎن داده ﺷـﺪهاﻧـﺪ‪ .‬اﻳـﻦ‬

‫ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺷﺎﻣﻞ ﻳﻚ ﺗﻔﻨﮓ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ ﻛﻪ ﺑﺎرﻳﻜﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧـﻲ ﺑـﺎ اﻧـﺮژي ‪ 2-5kev‬را ﺗﻮﻟﻴـﺪ ﻣـﻲﻛﻨـﺪ‪ .‬ﻳـﻚ‬

‫ﺗﺤﻠﻴﻞﮔﺮ آﻳﻨﻪاي اﺳﺘﻮاﻧﻪاي ﺑﺮاي ﻣﺸﺨﺺ ﻛﺮدن اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ و ﺗﻌـﺪاد آﻧﻬـﺎ ) ﻛـﻪ ﻣﻌـﺮف ﻏﻠﻈـﺖ ﻋﻨـﺼﺮ‬

‫ﻣــﻮرد ﻧﻈــﺮ اﺳــﺖ( ﺑــﻪ ﻛــﺎر ﻣــﻲرود‪ .‬اﻳــﻦ ﺗﻔﻨــﮓ اﻟﻜﺘﺮوﻧــﻲ ﻣﻌﻤــﻮﻻً ﺑــﻪ ﺻــﻮرت ﻫــﻢﻣﺤــﻮر ﺑــﺎ ‪ CMA‬ﻧــﺼﺐ‬

‫‪75‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣﻲﺷﻮد‪..‬اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﻳﻚ زﻣﻴﻨﺔ ﻧﺴﺒﺘﺎً ﺑﺰرگ دارﻧﺪ و اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي اوژه ﺑـﻪ ﺻـﻮرت ﻗﻠـﻪﻫـﺎي ﻧـﻪﭼﻨـﺪان‬

‫ﺑﺰرﮔﻲ روي اﻳﻦ ﻃﻴﻒ زﻣﻴﻨﻪ ﻗﺮار دارﻧﺪ‪ .‬ﻳﻚ ﭼﻨﻴﻦ ﻃﻴﻔﻲ در ﺷﻜﻞ)‪ (5‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ ﺑﺮاي ﺑﺎرزﺗﺮ ﺷـﺪن‬

‫وﺟﻮد آﻧﻬﺎ ﻣﻌﻤﻮﻻً از ﻣﺪ ﻣﺸﺘﻖ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲ ﺷﻮد‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -4‬ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ اﻟﻜﺘﺮون اوژه ﺑﺎ ﺗﺤﻠﻴﻞ ﮔﺮ ‪. CMA‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -5‬زﻣﻴﻨﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ و ﻗﻠﻪ ﻫﺎي اوژه ﻛﻪ روي اﻳﻦ زﻣﻴﻨﻪ ﻗﺮار دارﻧﺪ‬

‫‪76‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ‬

‫ﻳﻚ ﻃﻴﻒ اﻟﻜﺘﺮون اوژه اﻃﻼﻋﺎت ﻣﺘﻨﻮﻋﻲ در ﻣﻮرد ﺳﻄﺢ ﻻﻳﻪ ﻣﻮرد ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺑﻪ دﺳﺖ ﻣﻲ دﻫـﺪ‪ .‬اﻣـﺎ اوﻟـﻴﻦ‬

‫اﻃﻼﻋﺎﺗﻲ ﻛﻪ ﻣﻲ ﺗﻮان ﺑﻪ دﺳﺖ آورد ﻧﻮع ﻋﻨﺼﺮ و ﻏﻠﻈﺖ ﻧﺴﺒﻲ آن ﻋﻨﺼﺮ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﻪ اﻳﻦ ﻣﻨﻈـﻮر ﻣﻮﻗﻌﻴـﺖ ﻗﻠـﻪ‬

‫اﺻﻠﻲ ) ﻗﻠﻪ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﻣﺤﺘﻤﻞ ﺗﺮﻳﻦ ﮔﺬار اﻟﻜﺘﺮون اوژه( و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻗﻠﻪ ﻫﺎي ﻓﺮﻋﻲ آن ﻋﻨﺼﺮ را ﺑﺎﻳـﺪ ﺷﻨﺎﺳـﺎﻳﻲ‬

‫ﻛﺮد و ﺳﭙﺲ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻗﻠﻪ ﺗﺎ ﻗﻠﻪ در ﭘﻴﻚ اﺻﻠﻲ را در راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﻪ ﻛﺎر ﺑﺮد در اﻳﻦ ﺻﻮرت ﻏﻠﻈﺖ ﻧﺴﺒﻲ اﻳﻦ ﻋﻨﺼﺮ‬

‫در ﺳﻄﺢ ﻻﻳﻪ ) ﻋﻤﻖ ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ اوژه( ﺑﻪ دﺳﺖ ﻣﻲ آﻳﺪ‬

‫‪I‬‬ ‫‪A‬‬
‫∞‬
‫‪I‬‬
‫‪C‬‬ ‫‪A‬‬ ‫=‬ ‫‪A‬‬
‫‪× 100‬‬ ‫‪%‬‬
‫‪Ii‬‬
‫∑‬
‫‪i‬‬ ‫∞‪I i‬‬

‫ﻛﻪ در آن ‪ I A‬ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻗﻠﻪ ﺗﺎ ﻗﻠﻪ ﻫﺮ ﻋﻨﺼﺮ ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ اﺳـﺖ و ∞‪ I A‬ﺿـﺮﻳﺐ ﺣـﺴﺎﺳﻴﺖ آن ﻋﻨـﺼﺮ و ﻫﻤﭽﻨـﻴﻦ‬

‫ﺟﻤﻊ در ﻣﺨﺮج ﻛﺴﺮ روي ﺗﻤﺎم ﻋﻨﺎﺻﺮ ﻣﻮﺟﻮد در ﻃﻴﻒ ﺻﻮرت ﻣﻲ ﭘﺬﻳﺮد‪ .‬ﺿﺮاﻳﺐ ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ ﺑﻪ ﻧﻮع ﻋﻨـﺼﺮ و‬

‫ﻧﻴﺰ ﺑـﻪ اﻧـﺮژي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬـﺎي ﻓـﺮودي ﺑـﺴﺘﮕﻲ دارد و ﻣﻌﻤـﻮﻻً ﺑـﺮاي اﻧﺮژﻳﻬـﺎي ‪ 3،5‬و‪ 10 KeV‬وﺟـﻮد دارﻧـﺪ‪ .‬در‬

‫ﺷﻜﻞ)‪ (7‬اﻳﻦ ﺿﺮاﻳﺐ ﺑﺮاي ‪ 3KeV‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﻧﺪ‪.[ 3].‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -7‬ﺿﺮاﻳﺐ ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ اوژه ﺑﺮاي اﻧﺮژي ﻓﺮودي ‪3KeV‬‬

‫‪77‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر اﻧﺠﺎم ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻋﻤﻖ‪ 42‬ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان ﻳﻚ ﺗﻔﻨﮓ ﻳﻮﻧﻲ اﺳﭙﺎﺗﺮﻛﻨﻨﺪه در ﻣﺠـﺎورت ‪ CMA‬ﻧـﺼﺐ‬

‫ﻛﺮد و ﺑﻪ اﻳﻦ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﻫﻢزﻣﺎن ﺑﺎ اﺳﭙﺎﺗﺮﻧﻴﮓ از ﺳﻄﺢ آﻧﺎﻟﻴﺰ اوژه ﻧﻴﺰ ﺑﻪ ﻋﻤﻞ آﻳﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺛﺒﺖ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻗﻠﻪ ﺗﺎ ﻗﻠﻪ ﭘﻴﻚ ﻫﺮ‬

‫ﻋﻨﺼﺮ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ زﻣﺎن ) ﻳﺎ ﺗﺒﺪﻳﻞ زﻣﺎن اﺳﭙﺎﺗﺮﻳﻨﮓ ﺑﻪ ﻋﻤﻖ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺎ در دﺳﺖ داﺷﺘﻦ ﺳـﺮﻋﺖ اﺳـﭙﺎﺗﺮﻳﻨﮓ( رﻓﺘـﺎر‬

‫ﻫﺮ ﻋﻨﺼﺮ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻋﻤﻖ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲ ﺷﻮد‪ .‬از ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ اﻟﻜﺘﺮون اوژه ﻣﻲﺗﻮان اﻟﮕﻮي ﺗﻮزﻳﻊ اﺗﻤﻬﺎ در ﺳﻄﺢ‬

‫را ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻳﻚ ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻧﻴﺰ ﻣﺸﺨﺺ ﻛﺮد‪.‬‬

‫ﺑﺮاي اﻳﻦ ﻣﻨﻈﻮر ﺑﺎرﻳﻜﺔ ﻓﺮودي در ﻣﺮاﺣﻞ ﻣﺨﺘﻠﻔﻲ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ را ﺟﺎروب ﻣﻲﻛﻨـﺪ و در ﻫـﺮ ﻣﺮﺣﻠـﻪ ﻧﻘﻄـﺔ‬

‫ﺧﺎﺻﻲ را از ﻟﺤﺎظ ﻧﻮع و ﻏﻠﻈﺖ ﻋﻨﺼﺮ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﻧﻤﻮﻧﻪ ﭼﻨﻴﻦ ﺗﺼﻮﻳﺮي در ﺷﻜﻞ )‪ (9‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪهاﻧﺪ‪.‬‬

‫ﻣﺤﺪودﻳﺖﻫﺎ‬

‫ﻋﻠﻴﺮﻏﻢ ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺎﻻي اﻳﻦ روش ﺑﻪ ﭼﻨﺪ ﻻﻳﻪ‪ ،‬ﻧﻴﺎز ﺑﻪ ﺳﻴﺴﺘﻢ ‪ UHV‬ﺑﺮاي اﺳﺘﻔﺎده از اﻳﻦ ﻧﻮع‬

‫ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺑﺎﻋﺚ ﺷﺪه اﺳﺖ ﺗﺎ ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي آن ﺑﻪ ﺑﺮﺧﻲ آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎهﻫﺎ ﻣﺤﺪود ﺷﻮد‪ .‬زﻳﺮا ﺗﺠﻬﻴﺰات‬

‫ﮔﺮانﻗﻴﻤﺘﻲ ﺑﺮاي ﭼﻴﺪﻣﺎن آن ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز اﺳﺖ‪ .‬ﻋﻼوه ﺑﺮ اﻳﻦ‪ ،‬اﻳﻦ روش ﻧﻤﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻧﻤﻮﻧﻪ را ﺗﺎ ﺑﻴﺶ از ﻋﻤﻖ ‪nm‬‬

‫‪ 30‬ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻛﻨﺪ در ﺣﺎﻟﻲ ﻛﻪ روشﻫﺎﻳﻲ ﻣﺎﻧﻨﺪ ‪ XPS‬و ‪ XRD‬ﻋﻤﻖ ﺑﻴﺸﺘﺮي را آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ]‪.[5‬‬

‫‪42‬‬
‫‪- depth profiling‬‬

‫‪78‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

Cu-Ag-Sn-Bi ‫ و ﻧﻘﺎط ﺗﺤﻠﻴﻞ اوژه )ﭘﺎﻳﻴﻦ( ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري اوژه از ﺗﺮﻛﻴﺐ‬SEM ‫ ﺑﺎﻻ( ﺗﺼﻮﻳﺮ‬-9‫ﺷﻜﻞ‬

‫ﻣﺮاﺟﻊ‬

1-http://www.jeoleuro.com.

2-http://www.cea.com

3 -http://www.siu.edu

4-Seah and et.al "Practical surface analysis" john wiley and sons, 1975.

5- A. Azens, C.G. Granqvist J. Solid State. Electrochem, (2003) 7: 64 – 68

79
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪ -8-2‬ﺑﺎرﻳﻜﻪ ﻳﻮﻧﻲ ﻣﺘﻤﺮﻛﺰ )‪(FIB‬‬

‫ﺳﻴﺴﺘﻢﻫﺎي ﺑﺎرﻳﻜﻪ ﻳﻮﻧﻲ ﻣﺘﻤﺮﻛﺰ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺗﺠﺎري در ﺣﺪود ‪ 10‬ﺳﺎل اﺳﺖ ﻛﻪ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬در اﺑﺘﺪا‬

‫ﻛﺎرﺑﺮد آﻧﻬﺎ ﻓﻘﻂ در ﺻﻨﻌﺖ ﻧﻴﻤﻪﻫﺎدي ﺑﻮده اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ دﺳﺘﮕﺎه ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺷﺒﻴﻪ دﺳﺘﮕﺎه ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ‬

‫روﺑﺸﻲ ﻋﻤﻞ ﻣﻲﻛﻨﺪ ﺑﺎ اﻳﻦ ﺗﻔﺎوت ﻛﻪ در دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي ‪ FIB‬ﺑﻪ ﺟﺎي اﺷﻌﻪ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ از اﺷﻌﻪ ﻳﻮنﻫﺎي ﮔﺎﻟﻴﻢ‬

‫اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫دﺳﺘﮕﺎه ‪ FIB‬در ﺟﺮﻳﺎﻧﻬﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦ اﺷﻌﻪ ﻳﻮنﻫﺎي ﮔﺎﻟﻴﻢ ﺑﺮاي ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري و در ﺟﺮﻳﺎنﻫﺎي ﺑﺎﻻي ﻳﻮنﻫﺎي‬

‫ﮔﺎﻟﻴﻢ ﺑﺮاي اﻫﺪاف ﺑﺨﺼﻮﺻﻲ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﻣﺎﺷﻴﻦﻛﺎري و ﻳﺎ ﭘﺎﺷﺶ اﺗﻤﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ در ﺷﻜﻞ )‪(1‬‬

‫‪+‬‬
‫ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻲﺷﻮد اﺷﻌﻪ ﻳﻮنﻫﺎي ‪ Ga‬ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺮﺧﻮرد ﻣﻲﻛﻨﺪ و ﻣﻘﺪاري از اﺗﻢﻫﺎي ﺳﻄﺤﻲ را ﺑﻪ ﺻﻮرت‬

‫ﻳﻮنﻫﺎي ﻣﺜﺒﺖ ﻳﺎ ﻣﻨﻔﻲ و ﻳﺎ ﺑﻪ ﺻﻮرت اﺗﻢﻫﺎي ﺧﻨﺜﻲ از ﺳﻄﺢ ﺧﺎرج ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ از ﺑﺮﺧﻮرد اﺷﻌﻪ ﻳﻮﻧﻬﺎي‬

‫ﮔﺎﻟﻴﻢ ﺑﺎ ﺳﻄﺢ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻣﻲﺷﻮد]‪.[1‬‬

‫از ﺳﻴﮕﻨﺎلﻫﺎي ﻧﺎﺷﻲ از ﻳﻮنﻫﺎي ﺧﺎرج ﺷﺪه از ﺳﻄﺢ و ﻳﺎ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﺑﺮاي ﺗﺼﻮﻳﺮ ﺑﺮداري اﺳﺘﻔﺎده‬

‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﺟﺮﻳﺎنﻫﺎي ﭘﺎﻳﻴﻦ ﻣﻘﺪار ﻛﻤﻲ از ﻣﺎده از ﺳﻄﺢ ﺧﺎرج و ﻛﻨﺪه ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﻣﻲﺗﻮان ﺗﺼﺎوﻳﺮي‬

‫ﺑﺎ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭼﻨﺪ ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﺑﺪﺳﺖ آورد‪ .‬در ﺟﺮﻳﺎنﻫﺎي ﺑﺎﻻﺗﺮ ﻧﻴﺰ ﻣﻘﺪار زﻳﺎدي از ﺳﻄﺢ ﻛﻨﺪه ﻣﻲﺷﻮد و‬

‫ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺮاي ﻣﺎﺷﻴﻦﻛﺎري ﻣﻮاد در ﻣﻘﻴﺎس زﻳﺮ ﻣﻴﻜﺮوﻣﺘﺮ اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد‪.‬‬

‫‪80‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -1‬ﺷﻤﺎﺗﻴﻜﻲ از ﻋﻤﻠﻜﺮد دﺳﺘﮕﺎه ‪FIB‬‬

‫در ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﻧﺎرﺳﺎﻧﺎ از ﻳﻚ ﺗﻔﻨﮓ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻛﻢ اﻧﺮژي ﺑﺮاي ﺧﻨﺜﻲﺳﺎزي اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ‬

‫ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﻧﺎرﺳﺎﻧﺎ را ﺑﺪون ﭘﻮﺷﺶدﻫﻲ و رﺳﺎﻧﺎ ﻛﺮدن ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري و ﻳﺎ ﻣﺎﺷﻴﻦﻛﺎري ﻛﺮد‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ)‪ (2‬ﺷﻤﺎﺗﻴﻜﻲ از ﺳﺎﺧﺘﻤﺎن دﺳﺘﮕﺎه ‪FIB‬‬

‫‪81‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻗﺎﺑﻞ ذﻛﺮ اﺳﺖ ﻛﻪ در دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي ‪ SEM‬ﭘﻮﺷﺶدﻫﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﻧﺎرﺳﺎﻧﺎ ﺑﺮاي ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز‬

‫ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻋﻼوه ﺑﺮ اﺷﻌﻪ ﻳﻮﻧﻲ اوﻟﻴﻪ‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان از اﺷﻌﻪ ﻳﻮنﻫﺎي دﻳﮕﺮ ﻧﻴﺰ ﺑﺮ روي ﻧﻤﻮﻧﻪ اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد‪ .‬اﻳﻦ ﮔﺎزﻫﺎ‬

‫ﻣﻲﺗﻮاﻧﻨﺪ ﺑﺎ اﺷﻌﻪ ﮔﺎﻟﻴﻢ اوﻟﻴﻪ واﻛﻨﺶ داده و ﺑﻪ ﻋﻨﻮان اچ ﻛﻨﻨﺪه اﻧﺘﺨﺎﺑﻲ ﺳﻄﺢ ﺑﻪ ﻛﺎر روﻧﺪ و ﻳﺎ ﺑﺮاي‬

‫رﺳﻮبدﻫﻲ ﻣﻮاد رﺳﺎﻧﺎ و ﻳﺎ ﻧﺎرﺳﺎﻧﺎ ﺗﻮﺳﻂ اﺷﻌﻪ ﻳﻮنﻫﺎي اوﻟﻴﻪ ﺑﻪ ﻛﺎر روﻧﺪ‪.‬‬

‫ﺗﺎ ﺑﻪ اﻣﺮوز ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ ﻛﺎرﺑﺮد دﺳﺘﮕﺎه ‪ FIB‬در ﺻﻨﻌﺖ ﻧﻴﻤﻪﻫﺎدي ﺑﻮده اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺮﺧﻲ از اﻳﻦ ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ‬

‫از ‪ :‬آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻴﻮب‪ ،‬ﺑﻬﺴﺎزي ﻣﺪار‪ ،‬ﺗﻌﻤﻴﺮ ﻣﺎﺳﻚﻫﺎ و آﻣﺎده ﺳﺎزي ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ‪.TEM‬‬

‫اﻣﺮوزه ‪FIB‬ﻫﺎ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺑﺎﻻﻳﻲ دارﻧﺪ و ﻣﻲﺗﻮان از آﻧﻬﺎ ﺑﺮاي ﻣﺎﺷﻴﻦﻛﺎري ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ ﺑﻪ ﺻﻮرت درﺟﺎ‬

‫اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮده و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ در ﺣﻴﻦ ﻣﺎﺷﻴﻨﻜﺎري از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﺼﻮﻳﺮﺑﺮداري ﻛﺮد‪ .‬ﻋﻼوه ﺑﺮ ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي ‪ FIB‬در‬

‫ﻧﻴﻤﻪﻫﺎديﻫﺎ اﻳﻦ دﺳﺘﮕﺎه در ﻋﻠﻢ ﻣﻮاد ﻧﻴﺰ ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي ﺑﺴﻴﺎر زﻳﺎدي دارد‪ .‬از ﻗﺒﻴﻞ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي رﺷﺪ ﺗﺮك‪ ،‬ﺗﻐﻴﻴﺮ‬

‫ﻓﺮم ﻛﺎﻣﭙﻮزﻳﺖﻫﺎي زﻣﻴﻨﻪ ﻓﻠﺰي‪ ،‬ﭼﺴﺒﻨﺪﮔﻲ ﭘﻮﺷﺶﻫﺎي ﭘﻠﻴﻤﺮي و ﻏﻴﺮه‬

‫ﻗﺎﺑﻠﻴﺖﻫﺎي دﺳﺘﮕﺎه ‪ FIB‬در ﻧﻴﻤﻪﻫﺎديﻫﺎ و ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ ﻣﻮاد ]‪[2‬‬

‫‪ -1‬اچ ﻛﺮدن ﺑﻪ ﻛﻤﻚ ﮔﺎزﻫﺎي ‪ XeF‬و ‪XeCl‬‬

‫‪ -2‬رﺳﻮبدﻫﻲ ﻓﻠﺰات‬

‫‪ -3‬ﻣﺎﺷﻴﻦﻛﺎري ﻣﻮاد ﺗﺎ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﭼﻨﺪ ده ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ‬

‫‪ -4‬ﺗﺼﻮﻳﺮﮔﻴﺮي از ﺳﻄﻮح ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ و ﻳﻮنﻫﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ‬

‫‪ -5‬ﺗﺼﻮﻳﺮﮔﻴﺮي از ﻛﻨﺘﺮاﺳﺖ داﻧﻪﻫﺎ ﺑﺪون اچ ﻛﺮدن ﻣﺎده‬

‫‪ -6‬ﺑﺮرﺳﻲ وﺿﻌﻴﺖ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﺳﻄﻮح ﺑﻪ ﺧﺼﻮص در ﻣﻄﺎﻟﻌﺎت ﺧﻮردﮔﻲ‬

‫‪-7‬ﻣﻘﻄﻊ زﻧﻲ و ﺗﺼﻮﻳﺮ ﺑﺮداري از ﺳﻄﻮح‬

‫‪82‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣﺮاﺟﻊ‬

‫‪1- http://www.fibics.com‬‬

‫‪2- http://www.iisb.fraunhofer.de/‬‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ‪ -1‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ دﺳﺘﮕﺎه ‪FIB‬‬

‫ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ‬ ‫ﻛﺸﻮر‬ ‫ﺷﺮﻛﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫اﺳﻢ‬

‫ﻗﻄﺮ اﺷﻌﻪ ‪ 20‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ‬ ‫آﻣﺮﻳﻜﺎ‬ ‫‪FEI company‬‬ ‫‪Accura TM850+‬‬ ‫‪FIB‬‬

‫ﻗﻄﺮ اﺷﻌﻪ ‪ 20‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ‬ ‫آﻣﺮﻳﻜﺎ‬ ‫‪FEI Company‬‬ ‫‪Accura TMXT‬‬ ‫‪FIB‬‬

‫‪ 7‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ در ‪ 30KV‬ﺗﺎ) ‪5‬‬

‫آﻟﻤﺎن‬ ‫‪Zeiss‬‬ ‫‪1s40×B‬‬ ‫‪FIB‬‬
‫ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﻫﻢ ﻣﻲﺗﻮان رﺳﻴﺪ(‬

‫‪ 7‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ در ‪ 30KV‬ﺗﺎ) ‪5‬‬

‫آﻟﻤﺎن‬ ‫‪Zeiss‬‬ ‫‪1S60×B‬‬ ‫‪FIB‬‬
‫ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﻫﻢ ﻣﻲﺗﻮان رﺳﻴﺪ(‬

‫‪ 7‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ در ‪ 30KV‬ﺗﺎ) ‪5‬‬

‫آﻟﻤﺎن‬ ‫‪Zeiss‬‬ ‫‪1S40ESB‬‬ ‫‪FIB‬‬
‫ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﻫﻢ ﻣﻲﺗﻮان رﺳﻴﺪ(‬

‫ﻗﻄﺮ اﺷﻌﻪ ‪ 10‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ‬ ‫آﻣﺮﻳﻜﺎ‬ ‫‪Jeol‬‬ ‫‪SEIKOFIB‬‬ ‫‪FIB‬‬

‫ﻗﻄﺮ اﺷﻌﻪ ‪ 10‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ‬ ‫آﻣﺮﻳﻜﺎ‬ ‫‪Jeol‬‬ ‫‪JFS-98SSS‬‬ ‫‪FIB‬‬

‫‪ 8‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ در ‪30KV‬‬ ‫آﻣﺮﻳﻜﺎ‬ ‫‪Jeol‬‬ ‫‪JEM-931OFIB‬‬ ‫‪FIB‬‬

‫‪ 5‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ در ‪30KV‬‬ ‫ژاﭘﻦ‬ ‫‪SII Nano‬‬

‫‪SMI2000‬‬ ‫‪FIB‬‬
‫‪technologyInc‬‬

‫‪ 4‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ در ‪30KV‬‬ ‫ژاﭘﻦ‬ ‫‪SII Nano‬‬

‫‪SMI3050‬‬ ‫‪FIB‬‬
‫‪technologyInc‬‬

‫‪83‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

30KV ‫ ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ در‬4 ‫ژاﭘﻦ‬ SII Nano FIB

SMI3200
technologyInc

30KV ‫ ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ در‬4 ‫ژاﭘﻦ‬ SII Nano FIB

SMI3300
technologyInc

30KV ‫ ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ در‬4 ‫ژاﭘﻦ‬ SII Nano FIB/SEM

SMI30SOSE
technologyInc

30KV ‫ ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ در‬4 ‫ژاﭘﻦ‬ SII Nano FIB/SEM

SMI320OSE
technologyInc

30KV ‫ ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ در‬4 ‫ژاﭘﻦ‬ SII Nano FIB/SEM

SMI330OSE
technologyInc

84
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪-9-2‬ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ ﺑﺎزﮔﺸﺘﻲ رادرﻓﻮرد)‪(RBS‬‬

‫اﺻﻮل ﻓﻴﺰﻳﻜﻲ‬

‫اﻳﻦ روش راﻳﺞ ﻣﺸﺨﺼﻪﺳﺎزي ﻻﻳﻪﻫﺎي ﻧﺎزك‪ ،‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﻳﻮﻧﻲ ﺳﺒﻚ و ﭘﺮاﻧﺮژي ) ﭼﻨﺪ ﺻـﺪ‬

‫ﻣﮕﺎ اﻟﻜﺘﺮون وﻟﺖ( اﻧﺠﺎم ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﭼﻨﻴﻦ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎﻳﻲ ﻣﻲﺗﻮاﻧﻨﺪ ﻫﺰاران آﻧﮕﺴﺘﺮم ﻳﺎ ﺣﺘﻲ ﭼﻨﺪ ﻣﻴﻜﺮون ﺑﻪ ﻋﻤﻖ ﻻﻳﻪ‬

‫و ﻳﺎ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﻻﻳﻪ‪ /‬زﻳﺮﻻﻳﻪ ﻧﻔﻮذ ﻛﻨﻨﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﭘﺮﺗﻮﻫـﺎ ﺑﺎﻋـﺚ ﻛﻨـﺪوﭘﺎش ﺟﺰﻳـﻲ اﺗـﻢﻫـﺎي ﺳـﻄﺢ ﺷـﺪه و در ﻋـﻮض‬

‫ﻳﻮﻧﻬﺎي ﻓﺮودي اﻧﺮژي ﺧﻮد را از ﻃﺮﻳﻖ ﻳﻮﻧﻴﺰاﺳﻴﻮن و ﺗﺤﺮﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻬﺎي اﺗﻤﻬﺎي ﻫﺪف از دﺳﺖ ﻣﻲدﻫﻨﺪ‪ .‬اﻳﻦ‬

‫ﺑﺮﺧﻮردﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ آﻧﻘﺪر زﻳﺎد اﺳﺖ ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮان ﮔﻔﺖ اﻓﺖ اﻧـﺮژي ﺣﺎﺻـﻠﻪ ﻫﻤـﻮاره ﺑـﺎ ﻋﻤـﻖ ﻣـﺎده ﻣﻨﺎﺳـﺐ‬

‫اﺳﺖ‪ .‬از ﺗﺤﻠﻴﻞ اﻓﺖ اﻧﺮژي ﻳﻮن ﻫﺎي ﺑﺎزﮔﺸﺘﻲ ﻣﻲﺗﻮان اﻃﻼﻋﺎﺗﻲ راﺟﻊ ﺑﻪ ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻻﻳﻪ و ﻧﻮع ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺑﻪ دﺳـﺖ‬

‫آورد‪.‬‬

‫از ﻗﺪﻳﻢ ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ ﺣﺎﺻﻞ از داﻓﻌﻪ ﻛﻮﻟﻨﻲ ﺑﻴﻦ ﻳﻮﻧﻬﺎ و ﻫﺴﺘﻪ را در ﻓﻴﺰﻳﻚ ﻫﺴﺘﻪاي ﺑﺎ ﻧﺎم ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ‬

‫راﺗﺮﻓﻮرد ﻣﻲﺷﻨﺎﺧﺘﻨﺪ‪ .‬دﻟﻴﻞ آﻧﻜﻪ اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه ﺗﺎ اﻳﻦ ﺣﺪ در ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻻﻳﻪﻫﺎ )ﻻﻳﻪﻫﺎي ﻧﺎزك و ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮي( ﻣﻮﻓﻘﻴﺖ‬

‫آﻣﻴﺰ ﺑﻮده آن اﺳﺖ ﻛﻪ ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ اﻻﺳﺘﻴﻚ )ﻛﺸﺴﺎن( در ﺟﺴﻢ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻛﻼﺳﻴﻚ ﻋﻤﻠﻲ اﺳﺖ و ﻫﻤﻴﻦ اﻣﺮ‬

‫ﺑﺎﻋﺚ ﺷﺪه ﺗﺎ ‪ RBS‬ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻳﻜﻲ از روﺷﻬﺎي ﺗﺤﻠﻴﻠﻲ آﺳﺎن و ﻗﺎﺑﻞ ﻓﻬﻢ درآﻳﺪ‪.‬‬

‫ﺗﺠﻬﻴﺰات ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده در ‪RBS‬‬

‫در ﺷﻜﻞ‪ 1‬ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ ﻛﻠﻲ ‪ RBS‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻳﻮﻧﻬﺎي ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﺜﻼً ‪ 4N+،2C+،4He+‬ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ‬

‫‪85‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﺘﺎﺑﺪﻫﻨﺪه واﻧﺪوﮔﺮاف‪ 43‬و ﺑﺎ وﻟﺘﺎژ ﺑﺎﻻ ﺷﺘﺎب داده ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﭘﺲ از ورود ﺑﻪ ﻣﺤﻔﻈﻪ ﺧﻼء ﺑﺼﻮرت ﻣﻮازي‬

‫درآﻣﺪه و ﻣﺘﻤﺮﻛﺰ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ و در ﻧﻬﺎﻳﺖ ﭘﺪﻳﺪه اﻧﺘﺨﺎب ﺟﺮم ﻳﻮﻧﻲ‪ 44‬ﺻﻮرت ﻣﻲﭘﺬﻳﺮد‪ .‬ﻳﻮﻧﻬﺎي ﺑﺎزﭘﺮاﻛﻨﺪه ﻫﻢ‬

‫ﺑﺮاﺳﺎس اﻧﺮژي ﺧﻮد ﺗﻮﺳﻂ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻣﻮرد ﺗﺠﺰﻳﻪ و ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ‪ .‬اﻳﻦ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻗﺎدر اﺳﺖ ﻳﻮﻧﻬﺎﻳﻲ‬

‫ﺗﺎ اﻧﺮژي ‪ 15KeV‬را از ﻫﻢ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻧﻤﺎﻳﺪ‪ .‬ﺑﻪ اﻳﻦ ﺗﺮﺗﻴﺐ و ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﭼﻨﻴﻦ دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ ﭘﺎﻟﺴﻬﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ‬

‫ﺗﻘﻮﻳﺖ ﺷﺪه و ﺑﺮﺣﺴﺐ اﻧﺮژي ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ آﻧﺎﻟﻴﺰور در ﭼﻨﺪ ﻛﺎﻧﺎل ذﺧﻴﺮه ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ ﻛﻪ در ﻧﻬﺎﻳﺖ ﻃﻴﻒ ‪ RBS‬را‬

‫ﻧﺘﻴﺠﻪ ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬در ﺷﻜﻞ)‪ (2‬ﻧﻴﺰ ﺗﺼﻮر ﺷﺘﺎﺑﺪﻫﻨﺪه ﻳﻮﻧﻲ و اﺑﺰارﻫﺎي ‪ RBS‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ 1‬ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ ﻛﻠﻲ ‪.[2] RBS‬‬

‫‪1-Van de Graaff‬‬

‫‪٢-Ion mass selection‬‬

‫‪86‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ)‪ (2‬ﺗﺼﻮﻳﺮ ﺷﺘﺎﺑﺪﻫﻨﺪه ﻳﻮﻧﻲ و اﺑﺰارﻫﺎي‪.[3] RBS‬‬

‫در ﻃﻴﻒ ‪ RBS‬ﺳﻄﺢ زﻳﺮ ﻗﻠﻪ ﻃﻴﻔﻲ‪ ،‬ﻧﺸﺎندﻫﻨﺪه ﺗﻌﺪاد اﺗﻤﻬﺎي ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﻋﻨـﺼﺮ داده ﺷـﺪه و در ﻧﺎﺣﻴـﻪ ﻳـﺎ‬

‫ﻻﻳﻪ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ اﺳﺖ‪ .‬ارﺗﻔﺎع ﻗﻠﻪ ﻣﺴﺘﻘﻴﻤﺎ ً ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ ﺑﺎ ﻏﻠﻈﺖ اﺗﻤﻲ اﺳﺖ و اﻃﻼﻋﺎﺗﻲ ﻛﻪ ﺑﻪ اﻳﻦ ﺗﺮﺗﻴـﺐ ﺑﺪﺳـﺖ‬

‫ﻣﻲآﻳﻨﺪ از درﺟﻪ دﻗﺖ ﺑﺎﻻﻳﻲ ﺑﺮﺧﻮردار ﺧﻮاﻫﻨﺪ ﺑﻮد و در ﻧﺘﻴﺠﻪ ‪ RBS‬را ﻣﻲﺗﻮان راﻫﻲ ﺑـﺮاي ﺗﻌﻴـﻴﻦ ﺿـﺨﺎﻣﺖ‬

‫ﻻﻳﻪ داﻧﺴﺖ‪ .‬در ﺷـﻜﻞ)‪ (3‬ﻃﻴـﻒ ‪ RBS‬ﻣﺮﺑـﻮط ﺑـﻪ‪ PdCu/Si‬ﻧـﺸﺎن داده ﺷـﺪه اﺳـﺖ‪ .‬رﻧـﮓ آﺑـﻲ ﻣﺮﺑـﻮط ﺑـﻪ‬

‫ﺷﺒﻴﻪﺳﺎزي راﻳﺎﻧﻪاي اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ورودي ﺑﺮﻧﺎﻣﻪ از ﺟﻤﻠﻪ ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺑﺎزﺳﺎزي ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫در ﺣﺎﻟﺖ ﻛﻠﻲ ﺿﺨﺎﻣﺖ ﺑﺎ دﻗﺖ ‪ %5‬ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻌﻴﻴﻦ اﺳﺖ ﺑﺮاي اﻳﻦ ﻣﻨﻈـﻮر ﻣﻌﻤـﻮﻻًَ ﻃﻴـﻒ ﺑﺪﺳـﺖ آﻣـﺪه را ﺑـﻪ‬

‫ﻛﻤﻚ ﻧﺮماﻓﺰارﻫﺎي راﻳﺎﻧﻪاي ﺑﺎزﺳﺎزي ﻣﻲ ﻛﻨﻨﺪ و ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻧﻮع ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻫﺮ ﻛﺪام از ﻣﻮاد ﻗﺎﺑـﻞ ﺗﻌﻴـﻴﻦ‬

‫اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪87‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ)‪ (3‬ﻃﻴﻒ ‪ RBS‬از ﻧﻤﻮﻧﻪ ‪[3] PbCu/Si‬‬

‫ﻣﺰاﻳﺎ و ﻣﻌﺎﻳﺐ ‪RBS‬‬

‫اﺻﻮﻻ ﺗﻤﺎﻣﻲ ﻋﻨﺎﺻﺮ و اﻳﺰوﺗﻮپﻫﺎي ﮔﺮوه ‪ Li‬و ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺑﺎﻻﻳﻲ آن در ﺟﺪول ﺗﻨﺎوﺑﻲ را ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺎ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي‬

‫‪4‬‬
‫آﺷﻜﺎر ﻧﻤﻮد‪ .‬آﻧﭽﻪ ﻣﻬﻢ اﺳﺖ روﺷﻦ ﻛﺮدن وﺿﻌﻴﺖ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﻣﺠﺎور اﺳﺖ ﻛﻪ آن ﻫﻢ در ﻧﻬﺎﻳﺖ‬ ‫‪He+‬‬ ‫ﻳﻮﻧﻲ‬

‫ﺑﺴﺘﮕﻲ ﺑﻪ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ آﺷﻜﺎر ﺳﺎز دارد‪ .‬ﺑﻄﻮرﻛﻠﻲ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﻳﻮﻧﻲ ‪ 4He+‬ﻛﻪ اﻧﺮژي ‪2MeV‬‬

‫در‬ ‫‪RBS‬‬ ‫دارﻧﺪ ﺗﻨﻬﺎ ﻣﻲﺗﻮان اﻳﺰوﺗﻮﭘﻬﺎﻳﻲ ﺑﺎ‪ ∆ M =1‬آﻧﻬﻢ ﺑﺎ ﺟﺮم اﺗﻤﻲ ﺗﻘﺮﻳﺒﺎً ﻛﻤﺘﺮ از‪ 40‬ﺟﺪا ﻧﻤﻮد‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ‬

‫ﺗﺸﺨﻴﺺ ﻋﻨﺎﺻﺮي ﻛﻪ ﺟﺮم اﺗﻤﻲ ﻧﺰدﻳﻚ ﺑﻪ ﻫﻢ دارﻧﺪ دﭼﺎر ﻣﺸﻜﻞ اﺳﺖ‪.‬‬

‫از آﻧﺠﺎ ﻛﻪ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﻳﻮﻧﻲ ﻣﮕﺎ اﻟﻜﺘﺮون وﻟﺘﻲ )‪ (MeV‬را ﺗﻨﻬﺎ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺮ ﻧﻘﺎﻃﻲ ﺑﻪ ﻗﻄﺮ ﻳﻚ ﻣﻴﻠﻴﻤﺘﺮ و ﻧﻈﻴـﺮ‬

‫آن ﻣﺘﻤﺮﻛﺰ ﻛﺮد ‪ RBS‬ﺳﻄﺢ زﻳﺎدي را ﻧﻤﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻛﻨﺪ‪ .‬ﻣﻌﻤﻮﻻً ﺗﻔﻜﻴـﻚ ﻋﻤﻘـﻲ اﻳـﻦ روش در ﺣـﺪ‪20‬‬

‫ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ اﺳﺖ اﻣﺎ ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ آراﻳﺶ ﻫﻨﺪﺳﻲ آﺷﻜﺎرﺳﺎزي آن را ﻣﻲﺗـﻮان ﺑﺎﻧـﺪازه ‪ 2‬ﻧـﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﻛـﺎﻫﺶ داد‪ .‬اﺳـﺘﻔﺎده از‬

‫‪ RBS‬ﺑﻄﻮر ﺿﻤﻨﻲ ﺑﻴﺎﻧﮕﺮ ﻣﺴﻄﺢ ﺑﻮدن ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ و ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي ﻻﻳﻪ زﻳﺮﻳﻦ اﺳﺖ وﺳﻄﻮح ﻫﻤﻮار‪ ،‬ﻗﻠﻪﻫﺎي ‪RBS‬‬

‫ﭘﻬﻦﺗﺮي ﻫﻢ دارﻧﺪ‪.‬‬

‫‪88‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﻋﻤﻘﻲ ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﺑﺮرﺳﻲ آن ﭘﺮداﺧﺖ ﺑﻪ ﻣﻮاردي از ﻗﺒﻴﻞ ﻧﻮع ﭘﺮﺗـﻮ ﻳـﻮﻧﻲ ﺑﻜـﺎر رﻓﺘـﻪ‪ ،‬اﻧـﺮژي‬

‫ﺑـﺎ اﻧـﺮژي ‪ 2MeV‬ﺣـﺪاﻛﺜﺮ ‪ 1m µ‬اﺳـﺖ‪ .‬در‬ ‫‪4‬‬

‫آن‪ ،‬ﻣﺎﻫﻴﺖ ﻣﺎﺗﺮﻳﺲ)ﺷﺒﻜﻪ( ﺑـﺴﺘﮕﻲ دارد و ﺑـﺮاي ﭘﺮﺗﻮﻫـﺎي ‪He+‬‬

‫‪ 2MeV‬ﺗﺎ ﻋﻤﻖ ‪ 5m µ‬ﻣﻲﺗﻮاﻧﻨﺪ در ﻣﺎده ﻧﻔﻮذ ﻛﻨﻨﺪ‪.‬‬ ‫‪3‬‬

‫ﻣﻘﺎﺑﻞ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ‪He+‬‬

‫ﻋﻠﻴﺮﻏﻢ ﺗﻤﺎم ﻣﺤﺪودﻳﺖﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﺑﻴﺎن ﺷﺪ ‪ RBS‬روﺷﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻫﺮ ﺟﺎ ﻣﻤﻜﻦ ﺑﺎﺷﺪ اﺳﺘﻔﺎده از آن ﺗﺮﺟﻴﺢ‬

‫دارد و ﻋﻠﺖ اﺻﻠﻲ اﻳﻦ اﻣﺮ ﻫﻢ آن اﺳﺖ ﻛﻪ اﻳﻦ ﻳﻚ روش ﻛﻤﻲ اﺳﺖ و ﺑـﻪ اﺳـﺘﺎﻧﺪاردﻫﺎي ﻣﺮﺑـﻮط ﺑـﻪ ﻋﻨﺎﺻـﺮ‬

‫ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻧﻴﺎزي ﻧﺪارد ﺿﻤﻦ آﻧﻜﻪ ﺑﻄﻮر ﻫﻤﺰﻣﺎن اﻃﻼﻋﺎﺗﻲ از ﺿﺨﺎﻣﺖ و ﻋﻤﻖ ﻻﻳﻪ ﺑﻪ ﻣﺎ ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬

‫ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي ‪RBS‬‬

‫‪ -1‬ﺿﺨﺎﻣﺖﺳﻨﺠﻲ ﻓﻴﻠﻤﻬﺎ‪ ،‬ﭘﻮﺷﺸﻬﺎ و ﻻﻳﻪﻫﺎي ﺳﻄﺤﻲ‬

‫‪ -2‬آﺷﻜﺎرﺳﺎزي آﻟﻮدﮔﻴﻬﺎي ﺳﻄﺤﻲ و ﻓﺼﻞ ﻣﺸﺘﺮﻛﻬﺎ)ﻣﺎﻧﻨﺪ اﻛﺴﻴﮋن و آﻟﻮدﮔﻲﻫﺎي ﺟﺬب ﺷﺪه(‬

‫‪ -3‬ﻣﻜﺎﻧﻴﺰم ﻧﻔﻮذ ﺑﻴﻦ ﺳﻄﺤﻲ ﻻﻳﻪﻫﺎي ﻧﺎزك ) ﻓﻠﺰات‪ ،‬ﺳﻴﻠﻴﺴﻴﺪﻫﺎ و ﻏﻴﺮه(‪.‬‬

‫‪ -4‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﻣﻮاد ﻣﺮﻛﺐ)ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻓﺎز‪ ،‬ﻻﻳﻪﻫﺎي آﻟﻴﺎژي‪ ،‬اﻛﺴﻴﺪﻫﺎ‪ ،‬ﺳﺮاﻣﻴﻜﻬﺎ و ﻏﻴﺮه(‪.‬‬

‫‪ -5‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﭘﺮوﻓﺎﻳﻞ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲ در ﻧﻴﻤﻪﻫﺎدي ﻫﺎ‬

‫‪ -6‬ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻛﻨﺘﺮل ﻓﺮآﻳﻨﺪ در ﺗﺮﻛﻴﺐﻫﺎ و آﻟﻮدﮔﻴﻬﺎ‪.‬‬

‫‪ -7‬ﺗﻌﻴﻴﻦ دﻳﻨﺎﻣﻴﻚ ﺳﻄﻮح در ﻛﺎﺗﺎﻟﻴﺴﺘﻬﺎ]‪.[4‬‬

‫ﻣﺮاﺟﻊ‬

‫‪١-Milton Ohring, The Materials Science of Thin Films , Academic Press, New York, 1992.‬‬
‫‪٢-http://www.ae.gatech.edu/labs/windtunl/expaero/nrwake.html‬‬
‫‪٣-http://etigo.nagaokaut.ac.jp/english/machine/rbs.htm‬‬
‫‪٤- www.masatest.com‬‬

‫‪89‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪45‬‬
‫‪ -10-2‬ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺞ ﭘﺮاش اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ )‪(XRD‬‬

‫ﻧﺎﺣﻴﻪ ﭘﺮﺗﻮ ‪ x‬در ﻃﻴﻒ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ در ﻣﺤﺪوده ﺑﻴﻦ ﭘﺮﺗﻮ ‪ γ‬و ﭘﺮﺗﻮ ﻓﺮاﺑﻨﻔﺶ ﻗﺮار دارد‪ .‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از اﻳـﻦ‬

‫ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻃﻴﻔﻲ ﻣﻲﺗﻮان اﻃﻼﻋﺎﺗﻲ در ﺧﺼﻮص ﺳﺎﺧﺘﺎر‪ ،‬ﺟﻨﺲ ﻣﺎده و ﻧﻴﺰ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺑﺪﺳﺖ آورد‪ .‬از اﻳـﻦ‬

‫رو روشﻫﺎي ﭘﺮﺗﻮ ‪ x‬در ﺷﻴﻤﻲ ﺗﺠﺰﻳﻪ ﻛﺎرﺑﺮد زﻳﺎدي دارﻧﺪ]‪.[1‬‬

‫اﮔﺮ ﻳﻚ دﺳﺘﻪ اﻟﻜﺘﺮون ﺳﺮﻳﻊ و ﭘﺮاﻧﺮژي ﺑﻪ ﻳﻚ ﻫﺪف ﻓﻠﺰي در ﻳﻚ ﻟﻮﻟﻪ ﺗﺨﻠﻴﻪ ﺑﺮﺧﻮرد ﻛﻨﺪ‪ .‬اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ‬

‫در اﻳﻦ ﺑﺮﺧﻮرد ﺳﺮﻋﺖ ﺧﻮد را از دﺳﺖ داده و ﻗﺴﻤﺘﻲ از اﻧﺮژي ﺟﻨﺒﺸﻲ آﻧﻬﺎ ﺑﻪ ﭘﺮﺗﻮ ‪ x‬ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻣﻲﮔﺮدد‪ .‬ﭘﺮﺗﻮ‬

‫ﺣﺎﺻﻞ ﻛﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻳﻚ ﻃﻴﻒ ﭘﻴﻮﺳﺘﻪ ﻇﺎﻫﺮ ﻣﻲﺷﻮد داراي ﺣﺪاﻗﻞ ﻃﻮل ﻣﻮج و ﻳﺎ ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ اﺳﺖ‬

‫ﻛﻪ ﺑﻪ ﺣﺪاﻛﺜﺮ اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻮده و از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﭘﻴﺮوي ﻣﻲﻛﻨﺪ‪:‬‬

‫‪Ve=hV max =hc/ λ‬‬ ‫‪min‬‬

‫‪hc 12400‬‬
‫‪λ‬‬ ‫‪min‬‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫‪Ao‬‬
‫‪Ve‬‬ ‫‪V‬‬

‫ﻛﻪ در آن ‪ V‬وﻟﺘﺎژ ﺳﺮﻋﺖ دﻫﻨﺪه در ﻃﻮل ﻟﻮﻟﻪ‪ e ،‬ﺑﺎر اﻟﻜﺘﺮون‪ h ،‬ﺛﺎﺑﺖ ﭘﻼﻧﻚ‪ υ ،‬ﻓﺮﻛـﺎﻧﺲ و ‪ C‬ﺳـﺮﻋﺖ‬

‫ﻧﻮر اﺳﺖ‪ .‬ﻃﻮل ﻣﻮج ﻣﺎﮔﺰﻳﻤﻢ در ﻃﻴﻒ ﭘﻴﻮﺳﺘﻪ ‪ 1/5‬ﺑﺮاﺑﺮ ﻃﻮل ﻣﻮج ﻣﻴﻨﻴﻤﻢ اﺳﺖ و ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎ ﺑﺮ ﺣـﺴﺐ ‪A o‬‬

‫ﻫﺴﺘﻨﺪ] ‪.[2‬‬

‫‪1-X-Ray Diffraction‬‬

‫‪90‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺗﻮﻟﻴﺪ ﺧﻄﻮط ﻃﻴﻔﻲ ﭘﺮﺗﻮ ‪x‬‬

‫ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻣﻲﺗﻮان اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ را ﺑﻪ ﺣﺪي رﺳﺎﻧﺪ ﻛﻪ ﻗﺎدر ﺑﺎﺷﺪ ﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮون از ﺗﺮاز اﻧـﺮژي ‪k‬‬

‫اﺗﻢ ﻫﺪف ﺧﺎرج ﻛﻨﺪ‪ .‬در ﻧﺘﻴﺠﻪ اﻟﻜﺘﺮون ﺗﺮاز ‪ L‬ﺟﺎي ﺧﺎﻟﻲ اﻳﻦ اﻟﻜﺘﺮون را ﭘﺮ ﻣﻲﻛﻨـﺪ و ﻳـﻚ ﻓﻮﺗـﻮن ﭘﺮﺗـﻮ ‪x‬‬

‫ﺧﺎرج ﻣﻲﮔﺮدد‪ .‬ﺑﺪﻳﻦ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﻃﻴﻒ ﭘﻴﻮﺳﺘﻪ ﭘﺮﺗﻮ ‪ x‬ﺷﺎﻣﻞ ﻳﻚ ﺧﻂ ﻃﻴﻔﻲ ﻳﺎ ﺧﻂ وﻳـﮋه ﻋﻨـﺼﺮ ﻣﺮﺑﻮﻃـﻪ ﺧﻮاﻫـﺪ‬

‫ﺑﻮد ﻛﻪ آن را ‪ k α‬ﻣﻲﻧﺎﻣﻨﺪ‪ .‬اﻧﺮژي اﻳﻦ ﺧﻂ وﻳﮋه ﺗﻮﺳﻂ ﻣﻌﺎدﻟﻪ زﻳﺮ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﮔﺮدد‪:‬‬

‫‪E κα = E L -E κ‬‬

‫ﺳﺎﻳﺮ ﺟﻬﺶﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ از ﺗﺮازﻫـﺎي ﺑـﺎﻻﺗﺮ‪ ،‬ﻣﺎﻧﻨـﺪ ﺟﻬـﺶ ‪ ، M → K‬ﻣﻮﺟـﺐ ﭘﻴـﺪاﻳﺶ ﺧـﻂ ﻃﻴﻔـﻲ‬

‫دﻳﮕﺮي ﻣﺎﻧﻨﺪ ‪ K β‬ﻣﻲﺷﻮد]‪.[3‬‬

‫ﭘﺮاش ﭘﺮﺗﻮ ‪x‬‬

‫ﺑﺎ روش ﭘﺮاش ﭘﺮﺗﻮ ‪ x‬ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ را ﻣـﻲﺗـﻮان ﺟـﺪا ﺳـﺎﺧﺘﻪ و اﻧـﺪازهﮔﻴـﺮي ﻧﻤـﻮد‪ .‬ﭼـﻮن ﻃـﻮل‬

‫ﻣﻮجﻫﺎي ﭘﺮﺗﻮ ‪ x‬ﺑﺎ ﻓﻮاﺻﻞ ﺑﻴﻦ اﺗﻢﻫﺎ در ﻣﻮاد ﺑﻠﻮري ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ‪ ،‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﻣﻮاد ﺑﻠﻮري ﺑـﺮاي ﭘﺮﺗـﻮ ‪ x‬ﻣـﻲﺗﻮاﻧﻨـﺪ‬

‫ﻧﻘﺶ ﺗﻮري ﭘﺮاش را اﻳﻔﺎ ﻛﻨﻨﺪ‪ .‬در ﺷﻜﻞ ‪ 1‬ﺑﺨﺸﻲ از ﺗﺎﺑﺶ ﭘﺮﺗﻮ ‪ x‬ﺑﻪ ﺳـﻄﺢ ﺑﻠـﻮر ﺗﻮﺳـﻂ اﺗـﻢﻫـﺎي اوﻟـﻴﻦ ﻻﻳـﻪ‬

‫ﭘﺨﺶ ﺷﺪه اﺳﺖ و ﻗﺴﻤﺖ دﻳﮕﺮ آن ﺗﻮﺳﻂ ﻻﻳﻪ دوم ﭘﺨﺶ ﻣﻲﮔﺮدد و اﻟﻲ آﺧـﺮ‪ .‬ﻃﺒـﻖ راﺑﻄـﻪ ﺑـﺮاگ‪ 46‬ﭘﺪﻳـﺪه‬

‫ﺑﺎزﺗﺎﺑﺶ و ﭘﺨﺶ ﺗﺪاﺧﻞ ﺳﺎزﻧﺪه ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎ ﺑﻪ ﺷﺮح زﻳﺮ ﺑﻴﺎن ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬

‫‪AB+BC=n λ‬‬

‫‪AB=BC= d Sin θ‬‬

‫‪n λ = 2d Sin θ‬‬

‫راﺑﻄﻪ اﺻﻠﻲ ﺑﺮاگ ﮔﻮﻳﺎي اﻳﻦ ﻣﻄﻠﺐ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺗﻘﻮﻳﺖ ﭘﺮﺗﻮ ﺑﺎزﺗﺎﺑﺶ ﺷﺪه از دو ﺳﻄﺢ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﻠﻮرﻫﺎ زﻣﺎﻧﻲ‬

‫‪46‬‬
‫‪- Bragg‬‬

‫‪91‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺣﺎﺻﻞ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ اﺧﺘﻼف دو ﻣﺴﻴﺮ ﺑﺮاي دو ﺗﺎﺑﺶ ﻧﻮراﻧﻲ ﺑﺮاﺑﺮ ﻣﻀﺮب ﻛﺎﻣﻠﻲ از ﻃﻮل ﻣﻮج ﺑﺎﺷﺪ]‪.[4‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ – 1‬ﭘﺮاش ﭘﺮﺗﻮ ‪ x‬ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﺑﻠﻮر‬

‫روﺷﻬﺎي ﭘﺮاش ﭘﺮﺗﻮ ‪X‬‬

‫‪ -1‬از ﺗﻚ ﺑﻠﻮرﻫﺎي ﺑﺎ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻫﻨﺪﺳﻲ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﺗﻜﻔﺎم ﺳﺎز در ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺞﻫﺎي ﭘﺮﺗﻮ ‪x‬‬

‫اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد‪) .‬ﺷﻜﻞ ‪(2‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -2‬ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻫﻨﺪﺳﻲ دورﺑﻴﻦ ﭘﻮدري دﺑﺎي – ﺷﺮر‪.‬‬

‫ﭘﺮﺗﻮ از ﺻﺎﻓﻲ ‪ F‬و ﻣﻮازي ﻛﻨﻨﺪه ‪ C‬ﺑﺮاي ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ‪ x‬وارد ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺮﻛﺰي ﻣﻨﺤﺮف ﻧﺸﺪه از داﺧﻞ ﺳـﻮراخ ‪ E‬ﻛـﻪ‬

‫در ﻓﻴﻠﻢ ‪ P‬ﺗﻌﺒﻴﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ ﺧﺎرج ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﭘﺮﺗﻮ ﭘﺮاﺷﻴﺪه ﺑﺮ روي ﻓﻴﻠﻢ در ﻧﻘﺎط ‪ d 1‬و ‪ d 2‬و ﻏﻴﺮه اﺛﺮ ﻣﻲﮔﺬارد‪.‬‬

‫‪92‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪ -2‬ﻃﺮح ﭘﺮاش اﻳﺠﺎد ﺷﺪه ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﺟﺴﻢ ﺑﻠﻮري ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ آن ﺟﺴﻢ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود‪.‬‬

‫‪ -3‬در ﺑﻠﻮرﺷﻨﺎﺳﻲ‪ ،‬ﻃﺮحﻫﺎي ﺣﺎﺻﻞ از ﺗﻌﺪاد زﻳﺎدي اﺗﻢ در ﺟﻬﺖﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠـﻒ‪ ،‬ﻣـﻲﺗﻮاﻧـﺪ ﺟﺰﺋﻴـﺎت ﻃـﺮح‬

‫ﺳﺎﺧﺘﻤﺎﻧﻲ اﺗﻢﻫﺎ در ﺑﻠﻮر را ﻧﺸﺎن دﻫﺪ و ﺑﻨـﺎﺑﺮاﻳﻦ ﻣـﻲﺗـﻮان اﻃﻼﻋـﺎت دﻗﻴﻘـﻲ در ﻣـﻮرد ﺷـﻜﻞ ﺳـﺎﺧﺘﻤﺎﻧﻲ‬

‫ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺑﺪﺳﺖ آورد‪.‬‬

‫ﻳﻚ دﺳﺘﮕﺎه ﭘﺮاش ﻛﻪ ﺑﺎ ﺷﺒﻜﻪ ﭘﺮاش ﺑﻠﻮري ﺑﺎ ﻓﻮاﺻﻞ ﻣﺸﺨﺺ و ﻣﻌﻠﻮم ﻛﺎر ﻣﻲﻛﻨﺪ و ﺗﺤﺖ ﻋﻨﻮان‬

‫ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ ﭘﺮﺗﻮ ‪ x‬ﻧﺎﻣﻴﺪه ﻣﻲﺷﻮد‪ ،‬دﻗﻴﻘﺎً ﻣﺸﺎﺑﻪ ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ ﺷﺒﻜﻪاي ﻧﻮرﻣﺮﺋﻲ اﺳﺖ‪ .‬ﻏﺎﻟﺒﺎً‪ ،‬ﺑﺮاي ﭘﻮﺷﺶ ﺗﻤﺎم ﻧﺎﺣﻴﻪ‬

‫ﻃﻮل ﻣﻮﺟﻲ‪ ،‬ﭼﻨﺪﻳﻦ ﺑﻠﻮر ﺗﺠﺰﻳﻪﮔﺮ ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز اﺳﺖ و ﺑﺎﻳﺪ ﺑﺘﻮان آﻧﻬﺎ را ﺑﺎ دﻗﺖ ﻓﺮاوان ﺑﺮ ﭘﺎﻳﻪاي ﺳﻮار و‬

‫ﺗﻌﻮﻳﺾ ﻧﻤﻮد‪ .‬ﻣﺆﺛﺮ ﺑﻮدن ﻳﻚ ﺑﻠﻮر در ﺟﺪا ﻛﺮدن ﺗﺎﺑﺶﻫﺎي ﻋﻨﺎﺻﺮ‪ ،‬ﺗﻮﺳﻂ ﻧﻤﻮدار ﭘﺮاش ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﮔﺮدد‬

‫)ﺷﻜﻞ ‪ .(3‬اﻳﻦ ﻧﻤﻮدار از ﺗﺮﺳﻴﻢ زاوﻳﻪ اﻧﺤﺮاف ﻣﺸﺎﻫﺪه ﺷﺪه روي زاوﻳﻪ ﻳﺎب‪ 47‬ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻋﺪد اﺗﻤﻲ ‪ Z‬ﻋﻨﺼﺮ‬

‫ﻓﻠﻮﺋﻮرﺳﺎن ﺣﺎﺻﻞ ﻣﻲﺷﻮد]‪.[5،6‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -3‬ﻧﻤﻮدار ﭘﺮاش ﭘﺮﺗﻮ ‪ x‬ﺑﺮاي ﺗﻌﺪادي از ﺑﻠﻮرﻫﺎ‬

‫‪47‬‬
‫‪- Goniometer‬‬

‫‪93‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫در ﻣﻮاد ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻲ‪ ،‬ﭘﻬﻨﺎي ﭘﻴﻚ ﺗﻔﺮق اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ ﺑﺎ ﻛﺎﻫﺶ ﺿﺨﺎﻣﺖ ﺻﻔﺤﺎت ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻲ اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ‪.‬‬

‫ﻣﻔﻴﺪﺗﺮﻳﻦ اﻟﮕﻮ ﺑﺮاي اﺳﺘﻔﺎده از روش ‪ XRD‬ﺑﺮاي ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ اﻧﺪازه داﻧﻪ‪ ،‬اﺳﺘﻔﺎده از ﻋﺮض ﭘﻴﻚ ﻣﺎﻛﺰﻳﻤﻢ در‬

‫ﻧﺼﻒ ارﺗﻔﺎع اﺳﺖ ﻛﻪ ﻃﺮح ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ آن در ﺷﻜﻞ )‪ ( 4‬آﻣﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﭘﻬﻨﺎي ﭘﻴﻚ در ﻧﺼﻒ ارﺗﻔﺎع ﺑﻪ ﺗﻌﺪاد ﺻﻔﺤﺎت اﻧﻌﻜﺎسدﻫﻨﺪه ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻲ ﺑﺴﺘﮕﻲ دارد‪ .‬ﻓﺮﻣﻮل ﺷﺮر‪ ،48‬اﻧﺪازه‬

‫داﻧﻪ ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻲ را ﺑﺮﺣﺴﺐ ﭘﻬﻨﺎي ﭘﻴﻚ ﺗﻔﺮق اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ در ﻧﺼﻒ ارﺗﻔﺎع و ﺳﺎﻳﺮ ﺷﺮاﻳﻂ ﺗﻔﺮق ﻣﻲدﻫﺪ‪.‬‬

‫‪0 .9 λ‬‬
‫=‪D‬‬
‫‪Bp‬‬

‫در اﻳﻦ راﺑﻄﻪ‪ D ،‬اﻧﺪازه داﻧﻪ ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻲ‪ λ ،‬ﻃﻮل ﻣﻮج اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ و ‪ Bp‬ﭘﻬﻨﺎي ﭘﻴﻚ ﻣﺎﻛﺰﻳﻤﻢ در ﻧﺼﻒ ارﺗﻔﺎع‬

‫آن اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -4‬ﭘﻬﻨﺎي ﭘﻴﻚ در ﻧﺼﻒ ارﺗﻔﺎع‬

‫ﻗﺎﺑﻞ ذﻛﺮ اﺳﺖ ﺑﺮاي اﻧﺪازهﮔﻴﺮي دﻗﻴﻖ اﻧﺪازه داﻧﻪﻫﺎ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﭘﻬﻨﺎي ﭘﻴﻚ آﻧﺎﻟﻴﺰ ‪ ،XRD‬ﺑﺎﻳﺪ اﺛﺮ ﻛﺮﻧﺶ‬

‫داﺧﻠﻲ داﻧﻪﻫﺎ در ﭘﻬﻨﺎي ﭘﻴﻚ ﻧﻴﺰ ﻟﺤﺎظ ﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ‬

‫‪48‬‬
‫‪- Scherrer‬‬

‫‪94‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪ -1‬اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﻣﻴﺎﻧﮕﻴﻦ ﻓﻮاﺻﻞ ﺑﻴﻦ ﻻﻳﻪ ﻫﺎ ﻳﺎ ﺳﺮﻳﻬﺎي اﺗﻤﻲ‪.‬‬

‫‪ -2‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻮﻗﻌﻴﺖ ﺗﻚ ﺑﻠﻮر ﻳﺎ داﻧﻪ و ﺗﺮﺗﻴﺐ اﺗﻢﻫﺎ‪.‬‬

‫‪ -3‬ﻓﻬﻤﻴﺪن ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻲ ﻣﻮاد ﻧﺎﺷﻨﺎﺧﺘﻪ‪.‬‬

‫‪-4‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺳﺎﺧﺘﺎري ﺷﺎﻣﻞ ‪ :‬ﭘﺎراﻣﺘﺮﺷﺒﻜﻪ‪ ،‬اﻧﺪازه و ﺷﻜﻞ داﻧﻪ‪ ،‬ﻛﺮﻧﺶ‪ ،‬ﺗﺮﻛﻴﺐ ﻓﺎز و ﺗﻨﺶ داﺧﻠﻲ‬

‫ﻣﻨﺎﻃﻖ ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻲ ﻛﻮﭼﻚ‪.‬‬

‫‪-5‬در روش ‪ XRD‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از راﺑﻄﻪ ﺷﺮر ﻣﻲﺗﻮان در ﺷﺮاﻳﻂ ﺧﺎص اﻧﺪازه داﻧﻪﻫﺎي ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮي را ﺗﻌﻴﻴﻦ‬

‫ﻛﺮد‪.‬‬

‫‪-6‬ﺗﺸﺨﻴﺺ ﻓﺎزﻫﺎي ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻲ و ﻣﻮﻗﻌﻴﺖ آﻧﻬﺎ‪.‬‬

‫‪-7‬اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻓﻴﻠﻤﻬﺎي ﻧﺎزك و ﭼﻨﺪﻻﻳﻪ ]‪.[7،8‬‬

‫ﻣﺮاﺟﻊ‬

‫‪1-Braun, R. D., Introduction to Instrumental Analysis, McGraw-Hill, New York, 1987.‬‬

‫‪2-Christian, G. D., O'Reilly, J. E. (eds.), Instrumental Analysis, Prentice-Hall, New Jersey,‬‬
‫‪1986.‬‬
‫‪3-Ewing, G. W., Instrumental Methods of Chemical Analysis, Mc Graw-Hill, Singapore,‬‬
‫‪1985.‬‬
‫‪4-Freiser, H., Concepts and Calculations in Analytical Chemistry, CRC, Florida, 1992.‬‬
‫‪5-Skoog, D. A., West, D. M., Principles of Instrumental Analysis, Holt-Saunders, Tokyo,‬‬
‫‪1987.‬‬

‫‪ -7‬دﻛﺘﺮ ﻋﻠﻲ ﻣﻌﺼﻮﻣﻲ‪ ،‬ﺷﻴﻤﻲ دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ‪ ،‬داﻧﺸﮕﺎه آزاد اﺳﻼﻣﻲ ﺗﻬﺮان ﺷﻤﺎل‪. 1374 ،‬‬

‫‪-8‬دﻛﺘﺮﭘﺮوﻳﺰﻣﺮﻋﺸﻲ‪ ،‬ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻬﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ و روﺷﻬﺎي ﻧﻮﻳﻦ آﻧﺎﻟﻴﺰاﺑﺰارﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ دﻧﻴﺎي ﻧﺎﻧﻮ‪ ،‬داﻧﺸﮕﺎه ﻋﻠﻢ‬
‫و ﺻﻨﻌﺖ اﻳﺮان‪. 1383 ،‬‬

‫‪95‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ ‪ -1‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ XRD‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﺮان‬

‫‪X-Ray Diffraction‬‬ ‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺞ ﭘﺮاش اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ‬ ‫دﺳﺘﮕﺎه‬

‫ﻧﻮع ﻋﻀﻮﻳﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺻﻨﻌﺘﻲ ﺷﺮﻳﻒ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪PW-1390‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎر و ﻣﻮاد‪-‬‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﻋﻠﻢ و ﺻﻨﻌﺖ اﻳﺮان‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪JDX -8030‬‬ ‫‪2‬‬
‫داﻧﺸﻜﺪه ﻣﻮاد و ﻣﺘﺎﻟﻮﮋي‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪Advanced 8‬‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه ﺳﻴﺴﺘﺎن و ﺑﻠﻮﭼﺴﺘﺎن‬ ‫‪3‬‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺻﻨﻌﺘﻲ اﺻﻔﻬﺎن‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪PW3040‬‬ ‫‪4‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه داﻧﺸﻜﺪه ﻣﻮاد‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪PW3710 Mpd‬‬ ‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﭘﮋوﻫﺸﮕﺎه ﻣﻮاد و اﻧﺮژي‬ ‫‪5‬‬

‫داﻧﺸﻜﺪه ﺷﻬﻴﺪ ﺑﻬﺸﺘﻲ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪-‬‬ ‫‪6‬‬
‫ﭘﮋوﻫﺸﻜﺪه ﮔﻴﺎﻫﺎن و ﻣﻮاد داروﺋﻲ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪D-5000‬‬ ‫ﭘﮋوﻫﺸﮕﺎه ﭘﻠﻴﻤﺮ و ﭘﺘﺮوﺷﻴﻤﻲ اﻳﺮان‬ ‫‪7‬‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﻛﺎﺷﺎن‬
‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪X Pert Prompd‬‬ ‫‪8‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ‬

‫ﺷﺮﻛﺖ ﻟﻌﺎب ﻣﺸﻬﺪ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪PW 3040/60‬‬ ‫‪9‬‬
‫ﻣﺆﺳﺴﻪ ﺗﺤﻘﻴﻘﺎﺗﻲ ﭘﺮ ﻃﺎووس‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺻﻨﻌﺘﻲ ﺳﻬﻨﺪ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪D8‬‬ ‫‪10‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻣﻮاد ﻧﺎﻧﻮ ﺳﺎﺧﺘﺎري‬

‫ﭘﮋوﻫﺸﺘﮕﺎه ﺻﻨﻌﺖ ﻧﻔﺖ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪PW1840‬‬ ‫‪11‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ‬

‫‪96‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫)‪X-Ray Diffraction(XRD‬‬ ‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺞ ﭘﺮاش اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ‬

‫ﻧﻮع ﻋﻀﻮﻳﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺗﻬﺮان‬
‫رزرو‬ ‫‪-‬‬ ‫‪12‬‬
‫ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ ﻣﺘﺎﻟﻮرژي و ﻣﻮاد‬

‫رزرو‬ ‫‪STADI-P‬‬ ‫ﻣﺮﻛﺰ ﺗﺤﻘﻴﻘﺎﺗﻲ ﻧﺴﻮز آذر‬ ‫‪13‬‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺒﺮﻳﺰ‬
‫رزرو‬ ‫‪D-500‬‬ ‫‪14‬‬
‫داﻧﺸﻜﺪه ﺷﻴﻤﻲ‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ ‪ –٢‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ‪XRD‬‬

‫)‪X-Ray Diffraction ( XRD‬‬ ‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺞ ﭘﺮاش اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ‬

‫ﻛﺸﻮر‬ ‫ﺷﺮﻛﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫اﻧﮕﻠﺴﺘﺎن‬ ‫‪Oxford‬‬ ‫‪XDS-2000‬‬ ‫‪1‬‬

‫ﻫﻠﻨﺪ‬ ‫‪Panalytical‬‬ ‫‪MPD‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪97‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪ -11-2‬ﻓﻠﻮرﺳﺎﻧﺲ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ‬

‫روش ﻓﻠﻮرﺳﺎﻧﺲ ﭘﺮﺗﻮ ‪ (XRF) X‬ﻳﺎ ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﻳﻜﻲ از روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺼﺮي اﺳﺖ ﻛﻪ اﻣﺮوزه‬

‫از آن ﺑﻪ ﻃﻮر وﺳﻴﻌﻲ در ﺻﻨﻌﺖ و ﻣﺮاﻛﺰ ﭘﮋوﻫﺸﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻳﻦ روش‪ ،‬ﺑﻪ وﻳﮋه ﺑﻪ ﺧﺎﻃﺮ ﺳﺮﻋﺖ زﻳﺎد در‬

‫ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻋﻨﺼﺮي‪ ،‬ﺑﺮاي ﺑﺮﺧﻲ از ﺻﻨﺎﻳﻊ‪ ،‬ﺿﺮوري اﺳﺖ‪ .‬در اﻳﻦ روش‪ ،‬ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل ﺗﺎﺑﻴﺪه و ﺑﺎ‬

‫ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﻦ اﺗﻢﻫﺎ ﺑﺎﻋﺚ ﭘﺪﻳﺪ آﻣﺪن ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻃﻮل ﻣﻮج ﻳﺎ اﻧﺮژي ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ‪،‬‬

‫ﻋﻨﺼﺮ)ﻫﺎي( ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ را ﻣﻲﺗﻮان ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻛﺮد‪.‬‬

‫اﺳﺎس ﻛﺎر‬

‫ﭘﺮﺗﻮ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻟﻮﻟﻪ ﭘﺪﻳﺪ آوردﻧﺪه ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻲﺗﺎﺑﺪ و در اﺛﺮ ﺑﻤﺒﺎران‪ ،‬اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در‬

‫ﻣﺪارﻫﺎي داﺧﻠﻲ اﺗﻢ ﺧﺎرج ﺷﺪه و ﺟﺎﻳﮕﺰﻳﻨﻲ اﻳﻦ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ از ﻣﺪارﻫﺎي ﺑﺎﻻﻳﻲ‪ ،‬ﺳﺒﺐ ﭘﺪﻳﺪ آﻣﺪن ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ‬

‫)ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺸﺨﺼﻪ( ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪ .‬اﺳﺎس اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه‪ ،‬ﻣﺎﻧﻨﺪ ﺣﺎﻟﺘﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬ﺗﻮﺳﻂ اﻟﻜﺘﺮون ﺑﻤﺒﺎران ﻣﻲﺷﺪ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 1‬اﺟﺰاي ﻳﻚ دﺳﺘﮕﺎه ﻓﻠﻮرﺳﺎﻧﺲ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻛﻪ در‬

‫ﺣﻘﻴﻘﺖ ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل اﺳﺖ ﭘﺲ از ﻋﺒﻮر از ﺟﻤﻊ ﻛﻨﻨﺪه )ﻛﻠﻴﻤﺎﺗﻮر(‪ ،‬ﺑﻪ‬

‫ﺳﻮي ﻳﻚ ﺑﻠﻮر ﻫﺪاﻳﺖ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫‪98‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -1‬ﻧﻤﺎﻳﺶ دﺳﺘﮕﺎه ﻓﻠﻮرﺳﺎﻧﺲ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ )‪(XRF‬‬

‫ﺟﻤﻊ ﻛﻨﻨﺪه داراي ﭼﻨﺪ ورﻗﻪ ﻣﻮازي اﺳﺖ ﻛﻪ وﻇﻴﻔﻪ ﺟﻤﻊ ﻛﺮدن و ﻣﻮازي ﻧﻤﻮدن ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ را ﺑﺮ ﻋﻬﺪه دارد‪.‬‬

‫ﻫﺪف از ﻗﺮار دادن ﭼﻨﻴﻦ ﻗﺴﻤﺘﻲ در ﻣﺴﻴﺮ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ‪ ،‬ﻣﺠﺒﻮر ﻧﻤﻮدن آن ﺑﻪ ﺣﺮﻛﺖ ﻣﻮازي و ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﺎ زاوﻳﻪ‬

‫ﻣﺸﺨﺺ ﺑﻪ ﺑﻠﻮر ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﭘﺮﺗﻮ ﺑﺮﺧﻮرد ﻛﻨﻨﺪه ﺑﻪ ﺑﻠﻮر‪ ،‬ﮔﺴﺘﺮدهاي از ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎﺳﺖ‪ ،‬ﻛﻪ ﻫﺮ ﻛﺪام ﺑﻪ ﻳﻚ‬

‫ﻋﻨﺼﺮ ﺗﻌﻠﻖ دارد‪ .‬اﮔﺮ اﻳﻦ ﮔﺴﺘﺮه ﺑﻪ ﻃﻮر ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺑﻪ داﺧﻞ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻓﺮﺳﺘﺎده ﺷﻮد‪ ،‬ﻧﻤﻲﺗﻮان ﺷﺪت ﻫﺮ ﻳﻚ از‬

‫ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎ را ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻛﺮد‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮ اﻳﻦ ﺑﺎﻳﺪ آﻧﻬﺎ را ﭘﻴﺶ از ارﺳﺎل ﺑﻪ آﺷﻜﺎرﺳﺎز‪ ،‬ﺗﻮﺳﻂ ﻗﺴﻤﺘﻲ‪ ،‬ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل‬

‫ﻳﻚ ﺑﻠﻮر‪ ،‬ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻛﺮد‪ .‬ﺑﻠﻮر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه‪ ،‬ﻃﺒﻖ راﺑﻄﻪ ﺑﺮاگ ﺑﺎﻋﺚ ﭘﺮاش ﻫﺮ ﻳﻚ از ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎ در زاوﻳﻪ‬

‫وﻳﮋهاي ﻣﻲﺷﻮد و ﭘﺲ از ﭘﺮاﺷﻴﺪن‪ ،‬آﻧﻬﺎ را ﺑﻪ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻣﻲﻓﺮﺳﺘﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮ اﻳﻦ ﺑﻠﻮر ﺑﺎﻳﺪ در ﺑﺮاﺑﺮ ﺗﺎﺑﺶ ﭘﺮﺗﻮ‬

‫اﻳﻜﺲ ﺑﭽﺮﺧﺪ و زاوﻳﻪﻫﺎي ﮔﻮﻧﺎﮔﻮﻧﻲ را اﺧﺘﻴﺎر ﻛﻨﺪ‪ .‬از آﻧﺠﺎ ﻛﻪ اﻳﻦ ﺑﻠﻮر ﺑﺎ ﻳﻚ زواﻳﻪ وﻳﮋه و ﺑﺎ ﻓﺎﺻﻠﻪ‬

‫ﺻﻔﺤﺎت ﻣﻌﻴﻦ‪ ،‬درﺑﺮاﺑﺮ ﺗﺎﺑﺶ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﻗﺮار دارد‪ ،‬ﻃﺒﻖ راﺑﻄﻪ ﺑﺮاگ در ﻫﺮ زاوﻳﻪ ﻳﻚ ﻃﻮر ﻣﻮج وﻳﮋه ﻛﻪ در‬

‫اﻳﻦ راﺑﻄﻪ ﺻﺪق ﻛﻨﺪ را اﻧﺘﺨﺎب ﻣﻲﻛﻨﺪ و آن ﻃﻮل ﻣﻮج را ﺑﻪ ﻃﺮف آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﺑﺎزﺗﺎب ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﭘﺮاش ﻳﻚ‬

‫ﻃﻮل ﻣﻮج‪ ،‬ﺑﻘﻴﻪ ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎ ﻛﻪ ﺑﺎ اﻳﻦ راﺑﻄﻪ ﺳﺎزﮔﺎري ﻧﺪارﻧﺪ در ﻓﻀﺎي اﻃﺮاف ﺑﻠﻮر ﭘﺨﺶ ﺷﺪه و از ﺑﻴﻦ‬

‫ﻣﻲروﻧﺪ‪ .‬ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﭘﺲ از ﭘﺮاش و ﻋﺒﻮر از ﺟﻤﻊ ﻛﻨﻨﺪه ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ‪ ،‬ﺑﻪ داﺧﻞ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻣﻲرود‪ .‬آﺷﻜﺎرﺳﺎز و‬

‫ﺟﻤﻊ ﻛﻨﻨﺪه ﺑﺮ روي ﻳﻚ داﻳﺮه ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﺑﻠﻮر در ﻣﺮﻛﺰ آن ﻗﺮار دارد‪ .‬در ﺣﺎﻟﻲ ﻛﻪ زاوﻳﻪ ﺑﻴﻦ ﭘﺮﺗﻮاﻳﻜﺲ اوﻟﻴﻪ و‬

‫‪99‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺑﻠﻮر ‪ θ‬ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬زاوﻳﻪ ﺑﻴﻦ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ و ﭘﺮﺗﻮ اوﻟﻴﻪ‪ 2 θ ،‬ﺑﻮده و ﺑﻨﺎﺑﺮ اﻳﻦ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﺑﺎﻳﺪ ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺘﻲ دو ﺑﺮاﺑﺮ‬

‫ﺳﺮﻋﺖ ﭼﺮﺧﺶ ﺑﻠﻮر ﺑﭽﺮﺧﺪ‪ .‬وﻇﻴﻔﻪ آﺷﻜﺎرﺳﺎز‪ ،‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺷﺪت ﭘﺮﺗﻮ ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ورودي و ارﺳﺎل آن ﺑﻪ ﻗﺴﻤﺖ ﺛﺒﺖ‬

‫ﻛﻨﻨﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫اﺟﺰاي دﺳﺘﮕﺎه ‪XRF‬‬

‫‪ -1‬ﻟﻮﻟﻪ ﭘﺪﻳﺪ آورﻧﺪه ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ‬

‫در دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ‪ ،XRF‬از ﻟﻮﻟﻪﻫﺎي ﮔﻮﻧﺎﮔﻮﻧﻲ اﺳﺘﻔﺎه ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺗﻔﺎوت آﻧﻬﺎ در ﺗﻮان اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه در‬

‫ﻟﻮﻟﻪ‪ ،‬ﻣﺤﻞ ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻦ ﭘﻨﺠﺮه ﺑﺮﻟﻴﻮﻣﻲ و ﻧﻮع ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺧﻨﻚﻛﻨﻨﺪه ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﭘﻨﺠﺮه ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ در دﻳﻮاره‬

‫ﻛﻨﺎري و ﻳﺎ در اﻧﺘﻬﺎي ﻟﻮﻟﻪ ﻗﺮار داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬در اﻳﻦ ﻧﻮع ﻟﻮﻟﻪ‪ ،‬آﻧﺪ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻳﻚ ﻻﻳﻪ ﻧﺎزك ﺑﺮ روي ﭘﻨﺠﺮه‬

‫ﺑﺮﻟﻴﻮﻣﻲ ﻗﺮار دارد‪ .‬ﻧﻤﻮﻧﻪاي از اﻳﻦ ﻟﻮﻟﻪ در ﺷﻜﻞ ‪ 2‬ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺟﻨﺲ آﻧﺪ در دﺳﺘﮕﺎه ‪ XRF‬ﺑﻪ ﻃﻮر‬

‫ﻣﻌﻤﻮل ﻓﻠﺰ ﻛﺮم‪ ،‬ﻣﻮﻟﻴﺒﺪن‪ ،‬رﻧﻴﻢ ﻳﺎ ﺗﻨﮕﺴﺘﻦ اﺳﺖ‪ .‬وﻇﻴﻔﻪ ﻟﻮﻟﻪ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ‪ ،‬ﭘﺪﻳﺪ آوردن ﭘﺮﺗﻮي ﺑﺎ ﺷﺪت زﻳﺎد‬

‫ﺑﺮاي ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﮕﻲ ﻫﻤﻪ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻪ ﻋﺒﺎرت دﻳﮕﺮ‪ ،‬ﻃﻴﻒ ﭘﺮﺗﻮ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻟﻮﻟﻪ‪،‬‬

‫ﺑﺎﻳﺪ ﻃﻮل ﻣﻮج ﻛﻤﺘﺮي از ﻟﺒﻪ ﺟﺬب ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -2‬ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻟﻮﻟﻪ ﭘﺪﻳﺪ آورﻧﺪه ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ از ﻧﻮع ﭘﻨﺠﺮه در اﻧﺘﻬﺎ‬

‫‪100‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪ -2‬ﺑﻠﻮر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه‬

‫ﺑﻠﻮر ﻓﻠﻮرﻳﺪ ﺳﺪﻳﻢ )‪ (NiF‬ﺑﻴﺸﺘﺮﻳﻦ ﻛﺎرﺑﺮد را در دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي ‪ XRF‬دارد‪ .‬اﻳﻦ ﺑﻠﻮر را ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺎ ﺻﻔﺤﻪﻫﺎي‬

‫)‪ (320‬و )‪ (200‬اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد‪ .‬اﻳﻦ ﺑﻠﻮر ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﭘﺘﺎﺳﻴﻢ ﺗﺎ اوراﻧﻴﻮم ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود‪ .‬از ﺑﻠﻮر‬

‫ژرﻣﺎﻧﻴﻮم ﻧﻴﺰ ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻓﺴﻔﺮ ﺗﺎ ﻛﻠﺮ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪ .‬ﺑﺮاي اﻳﻦ ﻣﻨﻈﻮر ﺻﻔﺤﻪﻫﺎي )‪ (111‬اﻳﻦ‬

‫ﺑﻠﻮر ﻣﻮرد ﺗﻮﺟﻪاﻧﺪ‪ .‬ﻣﻮاد دﻳﮕﺮي ﻛﻪ ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﺑﻠﻮر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه‪ ،‬در دﺳﺘﮕﺎه ‪ XRF‬اﺳﺘﻔﺎه ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ ،‬ﺑﺮﺧﻲ از‬

‫ﺗﺮﻛﻴﺐﻫﺎي ﭘﻠﻴﻤﺮي ﻫﺴﺘﻨﺪ ﻛﻪ ﺑﻪ وﻳﮋه ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﺳﺒﻚ ﻣﻔﻴﺪﺗﺮ ﻣﻲﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬اﻣﺮوزه در دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي‬

‫‪ ،XRF‬ﺑﺮاي ﭘﺮﻫﻴﺰ از ﺟﺎﺑﻪﺟﺎﻳﻲ ﭘﻴﻮﺳﺘﻪ ﺑﻠﻮرﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه‪ ،‬آﻧﻬﺎ را ﺑﺮ روي ﻳﻚ ﻣﻨﺸﻮر ﭼﻨﺪ وﺟﻬﻲ ﻣﻄﺎﺑﻖ‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ 3‬ﺳﻮار ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ و ﺑﺪﻳﻦ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﺑﺎ ﭼﺮﺧﺎﻧﺪن ﻣﻨﺸﻮر‪ ،‬ﺑﻠﻮر ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ ﺑﻪ راﺣﺘﻲ در ﺑﺮاﺑﺮ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﻗﺮار‬

‫ﻣﻲﮔﻴﺮد‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪-3‬ﻧﻤﺎﻳﺶ دﺳﺘﮕﺎه ‪ XRF‬داراي ﻣﻨﺸﻮر ﭼﺮﺧﺎن ﺑﺮاي ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲ ﺑﻠﻮر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه‬

‫‪ -3‬ﺳﺎﺧﺖ ﻧﻤﻮﻧﻪ‬

‫ﻧﻤﻮﻧﻪ در اﻳﻦ روش ﺑﻪ ﺷﻜﻞ اﺳﺘﻮاﻧﻪاي ﺑﺎ ﻗﻄﺮ ﺣﺪود ‪ 3cm‬و ﺿﺨﺎﻣﺖ ‪0/5mm‬ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﻧﻤﻮﻧﻪ در ﻳﻚ ﺟﺎ‬

‫ﻧﻤﻮﻧﻪاي ﻓﻠﺰي ﻗﺮار داده ﻣﻲﺷﻮد و ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ از زﻳﺮ ﺑﻪ آن ﻣﻲﺗﺎﺑﺪ‪ ،‬ﻳﻚ ﺗﻌﻮﻳﺾ ﻛﻨﻨﺪه ﺧﻮدﻛﺎر‪ ،‬ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ را‬

‫ﺑﺮداﺷﺘﻪ و در ﺟﺎ ﻧﻤﻮﻧﻪاي ﻗﺮار ﻣﻲدﻫﺪ و ﺑﻨﺎﺑﺮ اﻳﻦ ﺑﺮاي ﺗﻌﻮﻳﺾ ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬اﺣﺘﻴﺎﺟﻲ ﺑﻪ ﺧﺎﻣﻮش ﻛﺮدن دﺳﺘﮕﺎه‬

‫‪101‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻧﻴﺴﺖ‪ .‬اﮔﺮ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل ﺑﻪ ﺷﻜﻞ ﭘﻮدر ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان آن را ﺑﺎ ﻳﻚ ﭼﺴﺐ آﻟﻲ ﻣﺨﻠﻮط ﻛﺮد و ﺑﻪ ﺷﻜﻞ‬

‫ﺻﻔﺤﻪ‪ ،‬ﻓﺸﺮده ﻧﻤﻮد‪ .‬راه ﻣﻨﺎﺳﺐﺗﺮ‪ ،‬ذوب ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﻪ ﻛﻤﻚ ﺑﻮراﻛﺲ و ﺗﻬﻴﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل ﺑﻪ روش ذوب و‬

‫رﻳﺨﺘﻪﮔﺮي در ﻳﻚ ﻗﺎﻟﺐ ﭘﻼﺗﻴﻨﻲ اﺳﺖ‪ .‬دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ ﻛﻪ در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود ﺑﻪ ﻓﻴﻮژن ﻣﻌﺮوف اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل در روش ‪ XRF‬ﺑﺎﻳﺪ ﻫﻤﮕﻦ ﺑﺎﺷﺪ و ﻻﻳﻪﻫﺎي ﺳﻄﺤﻲ آن ﺑﺎ داﺧﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬ﺗﺮﻛﻴﺐ ﻳﻜﺴﺎﻧﻲ داﺷﺘﻪ‬

‫ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﭘﺲ از ﻓﺸﺮدن ﭘﻮدر‪ ،‬اﻣﻜﺎن دارد ﻛﻪ ﺑﺮﺧﻲ از ﻋﻨﺼﺮﻫﺎ‪ ،‬درﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺣﻀﻮر ﺑﻴﺸﺘﺮي ﭘﻴﺪا ﻛﻨﻨﺪ ﻛﻪ ﺳﺒﺐ‬

‫ﭘﺪﻳﺪ آﻣﺪن اﺷﺘﺒﺎه در ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻋﻨﺼﺮي ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪ .‬ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﺑﻪ روش ذوب و رﻳﺨﺘﻪﮔﺮي ﺗﻬﻴﻪ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪،‬‬

‫دو اﻣﺘﻴﺎر ﻣﻬﻢ دارﻧﺪ‪ .‬ﻳﻜﻲ اﻳﻦ ﻛﻪ ﻫﻤﮕﻦ ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﻣﺸﻜﻞ ﺟﺪاﻳﺶ ﺗﺮﻛﻴﺐ در آﻧﻬﺎ وﺟﻮد ﻧﺪارد‪ .‬دوم آن ﻛﻪ ﺑﻪ‬

‫ﺧﺎﻃﺮ ﻧﺪاﺷﺘﻦ ﺗﺨﻠﺨﻞ )ﺑﺮ ﺧﻼف ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﻓﺸﺮده ﺷﺪه( ﺑﺎزده ﺗﺄﺛﻴﺮ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ و ﭘﺪﻳﺪ آﻣﺪن ﭘﺮﺗﻮ ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﺑﻴﺸﺘﺮ‬

‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﻓﺸﺮده ﺷﺪه‪ ،‬ﻣﻘﺪاري از ﭘﺮﺗﻮ اوﻟﻴﻪ ﺗﺎﺑﻴﺪه ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬از روي ذرات ﭘﻮدر‪ ،‬ﭘﺮاﻛﻨﺪه ﻣﻲﺷﻮد‬

‫و ﻫﺪر ﻣﻲرود‪.‬‬

‫‪ -4‬آﺷﻜﺎرﺳﺎزﻫﺎ‬

‫در دﺳﺘﮕﺎه ‪ XRF‬از آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﮔﺎزي و آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﺗﻬﻴﻴﺠﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻟﺒﺘﻪ اﺳﺘﻔﺎده از آﺷﻜﺎﺳﺎز ﺑﺎ‬

‫ﺟﺮﻳﺎن ﮔﺎز‪ ،‬ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻮرد ﺗﻮﺟﻪ اﺳﺖ زﻳﺮا در اﻳﻦ ﻧﻮع آﺷﻜﺎرﺳﺎز‪ ،‬وﺟﻮد ﭘﻨﺠﺮه ﺑﺮﻟﻴﻮﻣﻲ ﺑﺴﻴﺎر ﻧﺎزك‪ ،‬ﻣﻜﺎن‬

‫آﺷﻜﺎرﺳﺎزي ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎي ﺑﻠﻨﺪ را ﭘﺪﻳﺪ ﻣﻲآورد‪ .‬در دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي ﭘﻴﺸﺮﻓﺘﻪ اﻣﺮوزي‪ ،‬ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ دو ﻧﻮع‬

‫آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﺑﻪ ﻃﻮر ﻫﻤﺰﻣﺎن ﺑﻪ ﻛﺎر ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬

‫آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺼﺮي‬

‫ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﺳﺮﭼﺸﻤﻪ ﮔﺮﻓﺘﻪ از ﻟﻮﻟﻪ ﭘﺪﻳﺪ آورﻧﺪه آن‪ ،‬ﭘﺲ از ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﺎ ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﻣﺸﺨﺼﻪ‬

‫ﻋﻨﺼﺮﻫﺎﻳﻲ را ﻛﻪ در آن وﺟﻮد دارد ﭘﺪﻳﺪ ﻣﻲآورد و اﻳﻦ ﭘﺮﺗﻮ ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﺗﻮﺳﻂ ﺑﻠﻮر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه‪ ،‬ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎي‬

‫ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﻫﺮ ﻳﻚ از ﻋﻨﺼﺮﻫﺎ را ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺸﺨﺼﻪ‪ ،‬ﭘﺲ از ﭘﺮاش از ﺑﻠﻮر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه‪ ،‬ﺑﻪ‬

‫‪102‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻣﻲرﺳﺪ‪ .‬ﭘﺮﺗﻮ )ﻣﺸﺨﺼﻪاي( ﻛﻪ از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺳﺮﭼﺸﻤﻪ ﮔﺮﻓﺘﻪ اﺳﺖ‪ ،‬در ﻣﺴﻴﺮ ﺣﺮﻛﺖ ﺧﻮد ﺗﻮﺳﻂ‬

‫اﺟﺰاي ﮔﻮﻧﺎﮔﻮن ﺟﺬب ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل‪ ،‬ﺑﺨﺸﻲ از آن ﺗﻮﺳﻂ اﺗﻢﻫﺎي دﻳﮕﺮ ﻧﻤﻮﻧﻪ و ﺑﺨﺸﻲ ﻧﻴﺰ ﻣﻤﻜﻦ‬

‫اﺳﺖ ﺗﻮﺳﻂ ﺑﻠﻮر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه ﺟﺬب ﺷﻮد‪ .‬در ﭘﺎﻳﺎن‪ ،‬ﻣﻘﺪاري از ﭘﺮﺗﻮ ﻧﻴﺰ ﺗﻮﺳﻂ درﻳﭽﻪ ورودي آﺷﻜﺎرﺳﺎز‬

‫ﺟﺬب ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪ .‬ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﻛﻪ در ﻣﺤﻮﻃﻪ ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ ﻧﻴﺰ ﻣﻘﺪاري از ﭘﺮﺗﻮ‪ ،‬ﺗﻮﺳﻂ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﻫﻮا ﺟﺬب‬

‫ﺷﻮد‪ .‬اﻳﻦ ﺟﺬبﻫﺎي ﭘﻲ در ﭘﻲ‪ ،‬ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﺳﺒﻚ را ﻛﻪ ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺸﺨﺼﻪ آﻧﻬﺎ ﻃﻮل ﻣﻮج ﺑﻠﻨﺪ دارد ﺑﺎ‬

‫ﻣﺸﻜﻞ روﺑﺮو ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﺟﺬب ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ‪ ،‬ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ ﺑﺎ ﺗﻮان ﺳﻮم ﻃﻮل ﻣﻮج آن اﺳﺖ‪ .‬اﮔﺮ ﭘﺮﺗﻮي ﻃﻮل ﻣﻮج ﺑﻠﻨﺪ‬

‫داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ و ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻦ ﻛﻪ ﺑﻪ ﺷﺪت ﻫﻢ ﺟﺬب ﺷﺪه اﺳﺖ‪ ،‬ﭘﺮﺗﻮ ﺿﻌﻴﻔﻲ ﺑﻪ داﺧﻞ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻣﻲرﺳﺪ‪ .‬ﺑﺎ‬

‫ﺧﺮوج ﻫﻮا از ﻓﻀﺎي ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ‪ ،‬اﺳﺘﻔﺎده از ﺑﻠﻮرﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﻣﻴﺰان ﺟﺬب آﻧﻬﺎ ﻛﻢ اﺳﺖ و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﻪ ﻛﻤﻚ‬

‫آﺷﻜﺎرﺳﺎزﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ در آﻧﻬﺎ ﭘﻨﺠﺮه ﻧﺎزك ﺑﺮﻟﻴﻮﻣﻲ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود‪ ،‬اﻣﺮوزه ﺑﻪ ﻛﻤﻚ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي ‪ XRF‬ﻣﻲﺗﻮان‬

‫ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﺗﺎ ﻋﺪد اﺗﻤﻲ ‪ 5‬را ﻧﻴﺰ ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻛﺮد‪ .‬ﺑﻪ ﻫﺮ ﺣﺎل‪ ،‬زﻣﺎﻧﻲ ﻛﻪ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﺳﺒﻚﺗﺮ از ﻓﻠﻮﺋﻮر ﻣﻮرد‬

‫ﻧﻈﺮ اﺳﺖ‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ ﺗﻮﺟﻪ ﻛﺮد ﻛﻪ ﺷﺮاﻳﻂ ﻛﺎري ﻻزم ﭘﺪﻳﺪ آﻣﺪه ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬آﻧﭽﻪ دﺳﺘﮕﺎه ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻃﻴﻒ رﺳﻢ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪،‬‬

‫ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺷﺪت ﺑﺮ ﺣﺴﺐ زاوﻳﻪ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻃﻴﻔﻲ ﺷﺒﻴﻪ اﻟﮕﻮي ﺷﻜﻞ ‪ 4‬ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬در اﻳﻦ اﻟﮕﻮ‪ ،‬ﭘﻴﻚﻫﺎ ﺑﻪ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي‬

‫ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﮔﻮﻧﺎﮔﻮن ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﻌﻠﻖ دارد‪ .‬ﺑﻪ ﻃﻮر ﻣﻌﻤﻮل ﺑﺮاي ﻫﺮ ﻋﻨﺼﺮ‪ ،‬ﭘﻴﻚ ‪ K α‬و ‪ K β‬و‬

‫ﺑﺮاي ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﺳﻨﮕﻴﻦ ﺣﺘﻲ ‪ L α‬در اﻟﮕﻮ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬وﻗﺘﻲ ﻛﻪ ﻫﺪف‪ ،‬آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻴﻔﻲ اﺳﺖ‪ ،‬ﻃﻮل‬

‫ﻣﻮجﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﺳﺒﺐ ﭘﺪﻳﺪ آﻣﺪن ﭘﻴﻜﻲ در اﻟﮕﻮ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ ،‬ﺑﻪ ﻛﻤﻚ راﺑﻄﻪ ‪ 2dsin θ = λ‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺧﻮاﻫﻨﺪ ﺷﺪ‪.‬‬

‫ﻣﻘﺪار ‪ ،d‬ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺑﻠﻮر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه و ﻣﻌﻠﻮم اﺳﺖ‪ .‬زواﻳﻪ ‪ θ‬ﻫﻢ در آزﻣﺎﻳﺶ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﺷﻮد‪ ،‬ﺑﻨﺎﺑﺮ اﻳﻦ ﻣﻲﺗﻮان‬

‫‪ λ‬ﻳﺎ ﻃﻮل ﻣﻮج ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺸﺨﺼﻪ را ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻧﻤﻮد‪.‬‬

‫‪103‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ ‪-4‬اﻟﮕﻮي ‪ XRF‬ﻓﻮﻻد ﺿﺪ زﻧﮓ داراي ‪ 19/4‬درﺻﺪ ﻛﺮوم‪ 9/5 ،‬درﺻﺪ ﻧﻴﻜﻞ‪ 1/5،‬درﺻﺪ ﻣﻮﻟﻴﺒﺪن‪،‬‬
‫‪ 1/4‬درﺻﺪ ﺗﻨﮕﺴﺘﻦ و ‪ 1‬درﺻﺪ ﻣﻨﮕﻨﺰ‬

‫ﺑﺎ ﻣﺮاﺟﻌﻪ ﺑﻪ ﺟﺪوﻟﻲ ﻛﻪ ﻃﻮل ﻣﻮج ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻫﻤﻪ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎ در آن وﺟﻮد دارد‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮع ﻋﻨﺼﺮ را ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻛﺮد‪.‬‬

‫زﻣﺎﻧﻲ ﻛﻪ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻤﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﺷﺪت اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺷﺪه ﺑﺮاي ﻳﻚ ﻃﻮل ﻣﻮج و‬

‫ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ آن ﺑﺎ ﺷﺪت درﻳﺎﻓﺖ ﺷﺪه از ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ اﺳﺘﺎﻧﺪارد )ﺷﺎﻫﺪ(‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان درﺻﺪ آن ﻋﻨﺼﺮ را در ﻧﻤﻮﻧﻪ‬

‫ﻣﺸﺨﺺ ﻛﺮد‪ .‬ﺑﺮاي اﻳﻦ ﻣﻨﻈﻮر ﺑﺎﻳﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي اﺳﺘﺎﻧﺪارد ﻛﻪ درﺻﺪ ﻣﺸﺨﺼﻲ از ﻋﻨﺼﺮ ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ را‬

‫دارﻧﺪ‪ ،‬ﻳﻚ ﻣﻨﺤﻨﻲ ﻛﺎﻟﻴﺒﺮاﺳﻴﻮن رﺳﻢ ﻛﺮد و ﺳﭙﺲ ﺑﺎ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺷﺪت ﭘﺮﺗﻮ در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل و ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ آن ﺑﺎ‬

‫اﻳﻦ ﻣﻨﺤﻨﻲ‪ ،‬ﻣﻘﺪار آن ﻋﻨﺼﺮ را ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻛﺮد‪ .‬ﺑﺎﻳﺪ ﺗﻮﺟﻪ ﺷﻮد ﻛﻪ اﺛﺮ زﻣﻴﻨﻪ )ﺑﻘﻴﻪ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ(‬

‫ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ در ﻛﺎﻫﺶ و ﻳﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﺼﻨﻮﻋﻲ ﺷﺪت ﭘﺮﺗﻮ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺷﺪه ﺑﺴﻴﺎر اﺛﺮﮔﺬار ﺑﺎﺷﺪ و ﻧﺘﻴﺠﻪ اﺷﺘﺒﺎه ﭘﺪﻳﺪ‬

‫آورد‪ .‬ﺑﻪ دﻟﻴﻞ اﻫﻤﻴﺖ‪ ،‬اﻳﻦ ﻧﻜﺘﻪ ﺗﻮﺿﻴﺢ ﺑﻴﺸﺘﺮي داده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺸﺨﺼﻪاي ﻛﻪ از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل ﺳﺮﭼﺸﻤﻪ‬

‫ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ ،‬ﻫﻨﮕﺎم ﺧﺮوج از آن‪ ،‬ﺑﺎ دﻳﮕﺮ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺮﺧﻮرد ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ‪ ،‬ﭘﺮﺗﻮ در ﻣﺴﻴﺮ‬

‫ﺣﺮﻛﺖ ﺧﻮد از داﺧﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﻪ ﺑﻴﺮون‪ ،‬ﺗﻮﺳﻂ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي دﻳﮕﺮي ﺟﺬب ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻃﺒﻴﻌﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ اﻳﻦ ﭘﺮﺗﻮ در‬

‫ﻣﺴﻴﺮ ﺧﺮوج از ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬ﺗﻮﺳﻂ ﻫﺮ ﻋﻨﺼﺮي ﻛﻪ ﻟﺒﻪ ﺟﺬب ﺑﺰرﮔﺘﺮي از ﻃﻮل ﻣﻮج آن داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺟﺬب ﺧﻮاﻫﺪ‬

‫ﺷﺪ‪ .‬وﻗﺘﻲ ﻛﻪ ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﺳﻨﮕﻴﻦ در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺣﻀﻮر دارﻧﺪ‪ ،‬ﻣﻘﺪار اﻳﻦ ﺟﺬب ﺷﺪﻳﺪﺗﺮ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺮ ﺧﻼف ﭘﺪﻳﺪه‬

‫‪104‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺟﺬب‪ ،‬ﺷﺪت ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﺑﻪ ﻃﻮر ﻣﺼﻨﻮﻋﻲ ﺗﻮﺳﻂ دﻳﮕﺮ رﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در زﻣﻴﻨﻪ اﻓﺰاﻳﺶ ﻳﺎﺑﺪ‪.‬‬

‫اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ وﻗﺘﻲ ﭘﺪﻳﺪ ﻣﻲآﻳﺪ ﻛﻪ ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻣﺮﺑﻮط ﻋﻨﺼﺮ‪ ،‬ﻃﻮل ﻣﻮج ﻛﻤﺘﺮي از ﻟﺒﻪ ﺟﺬب ﻋﻨﺼﺮ ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ‬

‫داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ و ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﺑﺎﻋﺚ ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﮕﻲ اﻳﻦ ﻋﻨﺼﺮ ﺷﻮد‪ .‬ﺑﺪﻳﻬﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ اﻳﻦ ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﮕﻲ‪ ،‬اﻓﺰون ﺑﺮ‬

‫ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﮕﻲ واﻗﻌﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻧﺎﺷﻲ از ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ اﺑﺘﺪاﻳﻲ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ و ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﺎﻋﺚ اﻓﺰاﻳﺶ ﺷﺪت در ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﺎ‬

‫زﻣﺎﻧﻲ ﻛﻪ آن ﻋﻨﺼﺮ وﺟﻮد ﻧﺪاﺷﺘﻪ اﺳﺖ ﮔﺮدد‪ .‬ﺑﻪ اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه در اﺻﻄﻼح ﻓﻠﻮرﺳﺎﻧﺲ ﮔﻮﻳﻨﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻦ‬

‫ﺗﻮﺿﻴﺤﺎت‪ ،‬ﺷﺪت درﻳﺎﻓﺘﻲ ﺗﻮﺳﻂ آﺷﻜﺎرﺳﺎز‪ ،‬ﺑﻪ دﻟﻴﻞ وﺟﻮد ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در زﻣﻴﻨﻪ ﺑﺎﻳﺪ ﺗﺤﺼﻴﺢ ﺷﻮد‪.‬‬

‫اﻳﻦ ﺗﺼﺤﻴﺢ ﺑﻪ ‪ ZAF‬ﻣﻌﺮوف اﺳﺖ‪ Z ،‬ﻋﺪد اﺗﻤﻲ‪ A ،‬ﻣﻴﺰان ﺟﺬب و ‪ F‬اﺛﺮﻓﻠﻮرﺳﺎﻧﺲ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬اﻣﺮوزه‬

‫ﻧﺮماﻓﺰارﻫﺎي راﻳﺎﻧﻪاي اﻳﻦ ﺗﺼﺤﻴﺢ را اﻧﺠﺎم ﻣﻲدﻫﻨﺪ و ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ‪ ،‬ﻣﺎﻧﻨﺪ ﮔﺬﺷﺘﻪ ﺑﻪ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪﻫﺎي ﭘﻴﭽﻴﺪه و‬

‫ﻃﺎﻗﺖﻓﺮﺳﺎ ﻧﻴﺎزي ﻧﻴﺴﺖ‪ .‬ﺑﻪ ﻫﺮ ﺣﺎل ﺑﺎﻳﺪ ﺗﻮﺟﻪ ﻛﺮد ﻛﻪ ﺑﺮاي اﻓﺰاﻳﺶ دﻗﺖ آزﻣﺎﻳﺶ‪ ،‬ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﺷﺎﻫﺪ را ﻛﻪ‬

‫زﻣﻴﻨﻪ ﻳﻜﺴﺎﻧﻲ ﺑﺎ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل دارﻧﺪ و ﻣﻘﺪار ﻋﻨﺼﺮ ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ در آﻧﻬﺎ در ﺣﺪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺑﻪ ﻛﺎر ﺑﺮد‪.‬‬

‫در روش ‪ ،XRF‬آﻧﺎﻟﻴﺰ و ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻮاد را ﻣﻲ ﺗﻮان در ﺣﺪ ‪ ppm‬اﻧﺠﺎم داد‪ .‬اﻟﺒﺘﻪ اﻳﻦ ﺣﺪ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺑﺮاي روش‬

‫‪ WDS‬و ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻏﻴﺮ ﺳﺒﻚ )از ﻋﺪد اﺗﻤﻲ ‪ 9‬ﺑﻪ ﺑﺎﻻ( واﻗﻌﻲ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﺮاي ﭼﻨﻴﻦ آﻧﺎﻟﻴﺰي ﺣﺪود ﻳﻚ دﻫﻢ‬

‫درﺻﺪ از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل ﻛﺎﻓﻲ اﺳﺖ‪.‬‬

‫اﻧﻮاع دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي ‪XRF‬‬

‫دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي ‪ XRF‬از ﻧﻮع ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻃﻮل ﻣﻮج )‪ (WDS‬ﻳﺎ ﺗﻔﻜﻴﻚ اﻧﺮژي)‪ (EDS‬ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬در ﻧﻮع ‪ WDS‬ﻣﺎﻧﻨﺪ‬

‫آﻧﭽﻪ ﻛﻪ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺗﻮﺿﻴﺢ داده ﺷﺪ‪ ،‬ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل‪ ،‬ﭘﻴﺶ از ورود ﺑﻪ آﺷﻜﺎرﺳﺎز‪ ،‬ﺗﻮﺳﻂ‬

‫ﻳﻚ ﺑﻠﻮر ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﻧﻮع ‪ EDS‬ﭘﺮﺗﻮ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬ﺑﺪون آن ﻛﻪ ﺗﻮﺳﻂ ﺑﻠﻮر آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه‪،‬‬

‫ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺷﻮد وارد آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻣﻲﮔﺮدد‪ .‬ﻧﻤﺎﻳﺶ اﺟﺰاي دﺳﺘﮕﺎه ‪ EDS‬در ﺷﻜﻞ ‪ 5‬دﻳﺪه ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در اﻳﻦ‬

‫دﺳﺘﮕﺎه‪ ،‬آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻧﻴﻢرﺳﺎﻧﺎ از ﻧﻮع )‪ Si(Li‬وﺟﻮد دارد‪ .‬اﻳﻦ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﻛﻤﻚ ﻣﺪار اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ‬

‫‪105‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣﻮﺟﻮد‪ ،‬اﻧﺮژي ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ورودي راﺑﻪ ﺻﻮرت ﻫﻤﺰﻣﺎن ﻣﺸﺨﺺ ﻛﻨﺪ‪ .‬ﻣﺪاري ﻛﻪ ﻫﻤﺮاه آﺷﻜﺎرﺳﺎز‬

‫ﻧﻴﻢرﺳﺎﻧﺎﺳﺖ‪ ،‬ﺑﻪ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه ﭼﻨﺪ ﻛﺎﻧﺎﻟﻪ )‪ (MCA‬ﻣﻌﺮوف اﺳﺖ و اﻧﺮژي ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎي ﮔﻮﻧﺎﮔﻮن را‬

‫در ﻃﻴﻒ ورودي ﺑﻪ ﻗﺴﻤﺖ ﺷﻤﺎرﺷﮕﺮ‪ ،‬ﺗﻔﻜﻴﻚ و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻲﻛﻨﺪ ‪ MCA‬ﻳﻚ ﻣﺪار اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ ﭘﻴﭽﻴﺪه ﺑﻮده‬

‫ﻛﻪ ﻛﺎﻧﺎلﻫﺎي ﮔﻮﻧﺎﮔﻮﻧﻲ ﺑﺮاي درﻳﺎﻓﺖ اﻧﺮژيﻫﺎي ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺷﺪه در آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻧﻴﻢرﺳﺎﻧﺎ دارد‪ .‬ﺑﻪ اﻳﻦ ﺗﺮﺗﻴﺐ‪،‬‬

‫ﺳﺮﻋﺖ آﻧﺎﻟﻴﺰ در دﺳﺘﮕﺎه ‪ EDS‬ﺑﺴﻴﺎر ﺑﻴﺸﺘﺮ از دﺳﺘﮕﺎه ‪ WDS‬ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻻزم ﺑﻪ ﻳﺎدآوري اﺳﺖ ﻛﻪ در دﺳﺘﮕﺎه‬

‫‪ ،WDS‬ﭼﺮﺧﺶ ﺑﻠﻮر ﺑﺮاي درﻳﺎﻓﺖ ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎي ﮔﻮﻧﺎﮔﻮن‪ ،‬ﺑﻪ زﻣﺎن ﻃﻮﻻﻧﻲ ﻧﻴﺎز دارد‪ .‬در ﻣﺠﻤﻮع‪ ،‬آﻧﺎﻟﻴﺰ‬

‫ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ در دﺳﺘﮕﺎه ‪ EDS‬از زﻣﺎﻧﻲ ﻛﻪ ﭘﺮﺗﻮ اﻳﻜﺲ ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﺎﺑﻴﺪه ﻣﻲﺷﻮد ﺗﺎ ﭘﺎﻳﺎن ﻛﺎر‪ ،‬ﺣﺪود ‪ 5‬دﻗﻴﻘﻪ ﻃﻮل‬

‫ﻣﻲﻛﺸﺪ‪ .‬در ﺣﺎﻟﻲ ﻛﻪ ﻫﻤﻴﻦ ﻧﻮع آﻧﺎﻟﻴﺰ در دﺳﺘﮕﺎه ‪ ،WDS‬ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﺑﻴﻦ‪ 30-60‬دﻗﻴﻘﻪ وﻗﺖ ﻻزم داﺷﺘﻪ‬

‫ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬وﻟﻲ ﻣﺸﻜﻞ ‪ EDS‬در درﺟﻪ اول‪ ،‬ﻧﻴﺎز آن ﺑﻪ ﺧﻨﻚ ﺷﺪن آﺷﻜﺎرﺳﺎز و ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ ﭘﺎﻳﻴﻦ‪ ،‬در ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﺎ‬

‫‪ WDS‬اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪-5‬ﻧﻤﺎﻳﺶ دﺳﺘﮕﺎه ﻓﻠﻮرﺳﺎﻧﺲ ﭘﺮﺗﻮ ‪ ( XRF) X‬از ﻧﻮع ﺗﻔﻜﻴﻚ اﻧﺮژي ) ‪(EDS‬‬

‫از ﻧﻈﺮ روش ﻛﺎر ﻧﻴﺰ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي ‪ XRF‬ﺑﻪ روشﻫﺎي ﻫﻤﺰﻣﺎن و ﻏﻴﺮ ﻫﻤﺰﻣﺎن دﺳﺘﻪﺑﻨﺪي ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬در روش‬

‫ﻫﻤﺰﻣﺎن ﻛﻪ ﺑﻪ ﻃﻮر ﻋﻤﺪه در ﺑﺨﺶ ﺻﻨﻌﺖ ﻣﻮرد ﺗﻮﺟﻪ اﺳﺖ‪ ،‬ﺑﺎ ﻗﺮار دادن ﭼﻨﺪ آﺷﻜﺎرﺳﺎز و ﺑﻠﻮر در اﻃﺮاف‬

‫ﻟﻮﻟﻪ ﭘﺪﻳﺪ آورﻧﺪه ﭘﺮﺗﻮاﻳﻜﺲ و ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻫﺮ ﺑﻠﻮر ﺑﺮاي ﻳﻚ ﻃﻮل ﻣﻮج وﻳﮋه )ﺑﻪ ﻋﺒﺎرت دﻳﮕﺮ ﻳﻚ ﻋﻨﺼﺮ وﻳﮋه(‬

‫ﻣﻲﺗﻮان آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻧﻤﻮﻧﻪ را ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻫﻤﺰﻣﺎن اﻧﺠﺎم داد‪ .‬در ﺷﻜﻞ ‪ 6‬ﻧﻤﻮﻧﻪاي از اﻳﻦ ﻧﻮع دﺳﺘﮕﺎه ‪ XRF‬دﻳﺪه‬

‫‪106‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬وﻗﺘﻲ ﻛﻪ از دﺳﺘﮕﺎه ‪ EDS‬اﺳﺘﻔﺎده ﺷﻮد‪ ،‬روش ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ‪ ،‬ﻫﻤﺰﻣﺎن ﻣﺤﺴﻮب ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬روش ﻏﻴﺮ‬

‫ﻫﻤﺰﻣﺎن ﻫﻤﺎن روﺷﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ در ﺑﺨﺶﻫﺎي ﭘﻴﺸﻴﻦ ﺗﻮﺿﻴﺢ داده ﺷﺪ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -6‬ﻧﻤﺎﻳﺶ دﺳﺘﮕﺎه ‪ XRF‬ﻫﻤﺰﻣﺎن‬

‫ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي روش ‪XRF‬‬

‫روش ‪ XRF‬در ﺑﺴﻴﺎري از ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ‪ ،‬ﺟﺎﻳﮕﺰﻳﻦ روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻲﺗﺮ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ ﺟﺎﻳﮕﺰﻳﻨﻲ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ‬

‫ﺳﺮﻋﺖ ﺑﺎﻻ و دﻗﺖ زﻳﺎد در آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﻮاد ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬روشﻫﺎي ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﺳﻨﺘﻲ‪ ،‬ﺑﺴﻴﺎر وﻗﺖﮔﻴﺮ ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﻪ‬

‫ﺗﻮاﻧﺎﻳﻲ ﺷﺨﺺ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻨﻨﺪه واﺑﺴﺘﻪاﻧﺪ‪ .‬اﻣﺎ در روش ‪ XRF‬در ﺣﺎﻟﻲ ﻛﻪ آﻧﺎﻟﻴﺰ و ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺖ اﻧﺠﺎم‬

‫ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ ،‬اﻳﻦ واﺑﺴﺘﮕﻲ ﻧﻴﺰ ﺑﺴﻴﺎر ﻛﻢ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻪ ﻫﺮ ﺣﺎل دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي ‪ XRF‬از ﻧﻈﺮ ﺳﺮﻣﺎﻳﻪﮔﺬاري اﺑﺘﺪاﻳﻲ‪ ،‬ﻫﺰﻳﻨﻪ‬

‫ﺑﺎﻻﻳﻲ ﻧﻴﺎز دارﻧﺪ و ﺑﻨﺎﺑﺮ اﻳﻦ ﻫﻤﻪ ﻣﺮاﻛﺰ ﺻﻨﻌﺘﻲ و آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎﻫﻲ ﺗﻮان ﺧﺮﻳﺪ آن را ﻧﺪارﻧﺪ‪ .‬ﻫﻤﺎن ﻃﻮر ﻛﻪ ﺑﻴﺸﺘﺮ‬

‫اﺷﺎره ﺷﺪ‪ ،‬ﻛﺎرﺑﺮد اﺻﻠﻲ دﺳﺘﮕﺎه ‪ XRF‬در ﺻﻨﺎﻳﻌﻲ ﻣﺎﻧﺪ ﻓﻮﻻد و ﺳﻴﻤﺎن اﺳﺖ‪ .‬در اﻳﻦ ﺻﻨﺎﻳﻊ‪ ،‬ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻘﺪار‬

‫ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬در ﮔﺴﺘﺮده ﻛﻮﭼﻚ و ﻣﺸﺨﺼﻲ اﺳﺖ و دوم آن ﻛﻪ ﻧﻴﺎزﻣﻨﺪ ﺳﺮﻋﺖ زﻳﺎد آﻧﺎﻟﻴﺰ‬

‫ﺑﺮاي ﺗﺼﻤﻴﻢﮔﻴﺮي در ﺗﻨﻈﻴﻢ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﻣﺤﺪود ﺑﻮدن ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل و ﮔﺴﺘﺮه ﺗﻐﻴﻴﺮ‬

‫آﻧﻬﺎ‪ ،‬اﻣﻜﺎن اﺳﺘﻔﺎده از ﻣﻨﺤﻨﻲﻫﺎي ﻛﺎﻟﻴﺒﺮاﺳﻴﻮن را ﺑﺎ اﻃﻤﻴﻨﺎن ﺑﻪ وﺟﻮد ﻣﻲآورد‪ .‬ﺑﺪﻳﻬﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ در اﻳﻦ ﻧﻮع‬

‫‪107‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺻﻨﺎﻳﻊ‪ ،‬دﺳﺘﮕﺎه ﻫﻤﺰﻣﺎن ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻮرد ﺗﻮﺟﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬در ﻣﺮاﻛﺰ ﭘﮋوﻫﺸﻲ ﻧﻴﺰ دﺳﺘﮕﺎه ‪ XRF‬ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻛﻤﻚ زﻳﺎدي‬

‫ﺑﻨﻤﺎﻳﺪ‪ .‬در اﻳﻦ ﻧﻮع ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ‪ ،‬دﺳﺘﮕﺎه ‪ EDS‬ﺑﻪ ﺧﺎﻃﺮ ﺗﻮان ﺗﺸﺨﻴﺺ ﻧﻮع ﻋﻨﺼﺮﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل‪،‬‬

‫ﺑﺎي ﺷﺮوع ﻛﺎر آﻧﺎﻟﻴﺰ و ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ‪ ،‬ﺑﺴﻴﺎر ﻣﻔﻴﺪ اﺳﺖ‪ .‬اﻟﺒﺘﻪ دﺳﺘﮕﺎه ‪ WDS‬ﻧﻴﺰ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﮔﻴﺮد‪،‬‬

‫وﻟﻲ از آﻧﺠﺎ ﻛﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﭘﮋوﻫﺸﻲ‪ ،‬داراي ﺗﻨﻮع ﻋﻨﺼﺮي زﻳﺎد ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ ،‬ﺑﻨﺎﺑﺮ اﻳﻦ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺑﺎ اﻳﻦ دﺳﺘﮕﺎه ﻣﻤﻜﻦ‬

‫اﺳﺖ ﺑﺎ ﻧﺪﻳﺪه ﮔﺮﻓﺘﻦ ﻳﻚ ﻳﺎ ﭼﻨﺪ ﻋﻨﺼﺮ در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻫﻤﺮاه ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﻫﺮ ﺣﺎل‪ ،‬ﺑﺮاي اﻧﺠﺎم ﻛﺎرﻫﺎي ﭘﮋوﻫﺸﻲ‪،‬‬

‫اﺳﺘﻔﺎده از دﺳﺘﮕﺎه ‪ ،XRF‬ﭼﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت ‪ EDS‬و ﭼﻪ ‪ ،WDS‬ﺑﺮاي اﻧﺠﺎم آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻴﻔﻲ ﻛﻪ اﺣﺘﻴﺎج ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي‬

‫اﺳﺘﺎﻧﺪارد ﻧﺪارد ﺗﻮﺻﻴﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻣﺮﺟﻊ‪:‬‬

‫‪ -1‬ﮔﻠﺴﺘﺎﻧﻲ ﻓﺮد و ﻫﻤﻜﺎران‪ ،1383 ،‬روش ﻫﺎي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ و آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻣﻮاد‪ 361 ،‬ﺻﻔﺤﻪ‬

‫‪108‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪ -12-2‬ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ‪ XPS ) (ESCA) 49‬و ‪(UPS‬‬

‫ﻏﺎﻟﺒﺎً از ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ‪ X‬ﺗﻜﺮﻧﮓ ﻳﺎ ﻧﻮر ﻣﺎوراي ﺑﻨﻔﺶ ﺑﺮاي ﺗﻬﻴﺞ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ ﻛﻪ اﻧﺮژي آﻧﻬﺎ ﺣﺎوي اﻃﻼﻋﺎﺗﻲ‬

‫درﺑﺎره اﻧﺮژي ﭘﻴﻮﻧﺪي درون اﺗﻢ‪ ،‬ﻣﻨﺸﺎ آﻧﻬﺎ و ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ درﺑﺎره ﻃﺒﻴﻌﺖ اﺗﻢﻫﺎي ﻧﻤﻮﻧﻪ اﺳﺖ‪ ،‬اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻳﻦ‬

‫روشﻫﺎي ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﻓﺘﻮاﻟﻜﺘﺮون‪ ،‬ﺑﻪ ﻧﺎم آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺳﻄﺢ ﺑﺎ ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﻓﺘﻮاﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ اﺷﻌﻪ ‪،(XPS) X‬‬

‫ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﻓﺘﻮاﻟﻜﺘﺮون ﻣﺎوراي ﺑﻨﻔﺸﻲ )‪ (UPS‬و ﻳﺎ ﻛﻼً ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ )‪(ESCA‬‬

‫ﻧﻴﺰ ﻧﺎﻣﻴﺪه ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬از آﻧﺠﺎ ﻛﻪ ﻓﺘﻮاﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ ﻓﻘﻂ ﻣﻲﺗﻮاﻧﻨﺪ از ﻧﺰدﻳﻜﻲ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻓﺮار ﻛﻨﻨﺪ‪ ،‬اﻃﻼﻋﺎت‬

‫ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﻓﺮاﻫﻢ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ ﻓﻘﻂ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﭼﻨﺪ ﻻﻳﻪ اﺗﻤﻲ ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ اﺳﺖ‪ .‬ﻋﻼوه ﺑﺮ اﻳﻦ اﻧﺮژيﻫﺎي‬

‫ﻓﺘﻮاﻟﻜﺘﺮونﻫﺎ ﺑﻪ ﺣﺎﻟﺖ ﭘﻴﻮﻧﺪ اﺗﻤﻲ ﻛﻪ از آن ﺳﺎﻃﻊ ﺷﺪهاﻧﺪ‪ ،‬ﺣﺴﺎس ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﺑﺮاي ﻣﺜﺎل آﻫﻦ ﻓﻠﺰي از آﻫﻦ در‬

‫ﻳﻚ اﻛﺴﻴﺪ‪ ،‬ﻗﺎﺑﻞ ﺗﺸﺨﻴﺺ اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺑﻪ ﻃﻮر ﻛﻠﻲ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﻣﺪار داﺧﻠﻲ داراي اﻧﺮژي ﭘﻴﻮﻧﺪي ﻣﻌﺎدل اﻧﺮژي ﻓﻮﺗﻮنﻫﺎي ﻣﺤﺪوده ﭘﺮﺗﻮ ‪X‬‬

‫ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬وﻗﺘﻲ ﻳﻚ ﻣﺎده ﺟﺎﻣﺪ‪ ،‬ﻓﻮﺗﻮﻧﻲ ﺑﺎ اﻧﺮژي اﺗﺼﺎل ﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮون ﺟﺬب ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ ،‬ﻳﻚ ﻓﻮﺗﻮاﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻣﻨﺘﺸﺮ‬

‫ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ اﻧﺮژي ﺟﻨﺒﺸﻲ آن ﺑﺎ اﻧﺮژي ﻓﻮﺗﻮن راﺑﻄﻪ دارد‪ .‬اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﻣﺪار داﺧﻠﻲ ﻣﺸﺎرﻛﺘﻲ در اﺗﺼﺎل ﻧﺪارﻧﺪ‬

‫و اﻧﺮژي آﻧﻬﺎ ﻣﺸﺨﺼﻪ اﺗﻤﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ از آن ﻣﻨﺘﺸﺮ ﺷﺪهاﻧﺪ‪ .‬اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﻣﺪار داﺧﻠﻲ ﺑﻪ ﻣﺤﻴﻂ اﺗﻢ‬

‫ﺑﺴﺘﮕﻲ ﻧﺪارد‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮ اﻳﻦ ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﻓﺘﻮاﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ اﺷﻌﻪ ‪ X‬ﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺼﺮي ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬ﻣﻔﻴﺪ اﺳﺖ‪.‬از اﻳﻦ رو ﻧﻪ‬

‫ﺗﻨﻬﺎ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪ را ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻲﻛﻨﺪ ﺑﻠﻜﻪ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ را ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻛﻤﻲ اﻧﺠﺎم ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬ﺗﻮﺳﻌﻪ‬

‫ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ﻃﻴﻒ ﻧﮕﺎري ﻓﺘﻮاﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ اﺷﻌﻪ ‪ X‬ﺗﺎ ﺣﺪ زﻳﺎدي ﻣﺪﻳﻮن ‪ Siegbahn‬و ﻫﻤﻜﺎراﻧﺶ ﻣﻲ‬

‫‪49‬‬
‫‪- Electron Spectroscopy for Chemical Analysis‬‬

‫‪109‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺑﺎﺷﺪ‪ Siegbahn .‬در ﺳﺎل ‪ 1981‬ﺟﺎﻳﺰه ﻧﻮﺑﻞ را ﺑﻪ ﻫﻤﻴﻦ دﻟﻴﻞ درﻳﺎﻓﺖ ﻧﻤﻮد‪.‬‬

‫وﻗﺘﻲ ﻛﻪ اﻧﺮژيﻫﺎي ﻣﺪارﻫﺎي داﺧﻠﻲ ﺑﻪ ﺻﻮرت دﻗﻴﻖﺗﺮي ﺑﺮرﺳﻲ ﺷﺪﻧﺪ ﻣﺸﺨﺺ ﺷﺪ ﻛﻪ ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲﻫﺎي‬

‫)‪ (Shift‬ﻛﻮﭼﻚ وﻟﻲ ﻏﻴﺮﻗﺎﺑﻞ ﺗﺸﺨﻴﺺ اﺗﻔﺎق ﻣﻲاﻓﺘﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲ ﻫﺎ ﻛﻪ ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲ ﻫﺎي ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ‬

‫)‪ (Chemical Shift‬ﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ ،‬ﺑﻪ ﻣﺤﻴﻂ ﭘﻴﻮﻧﺪي اﻃﺮاف اﺗﻢ و ﺧﺼﻮﺻﺎً ﺑﻪ ﺣﺎﻟﺖ اﻛﺴﻴﺪاﺳﻴﻮن اﺗﻢ‬

‫ﺑﺴﺘﮕﻲ دارﻧﺪ‪ .‬ﺑﺮاي ﻓﻬﻤﻴﺪن ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲ ﻫﺎي ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﺑﺎﻳﺪ اﺑﺘﺪا ارﺗﺒﺎط ﺑﻴﻦ اﻧﺮژي ﻓﻮﺗﻮن‪ ،‬ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ واﻧﺮژي‬

‫ﭘﻴﻮﻧﺪي اﻟﻜﺘﺮون‪ EB ،‬ﻛﻪ ﺑﺎ راﺑﻄﻪ اﻳﻨﺸﺘﻴﻦ ) ‪ (E B = h - E X‬ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻣﻲﺷﻮد ﻓﻬﻤﻴﺪه ﺷﻮد‪.‬‬

‫در اﻳﻨﺠﺎ ‪ E X‬اﻧﺮژي ﺳﻨﻴﺘﻴﻚ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ اﺳﺖ و اﻧﺮژي ﭘﻴﻮﻧﺪي ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻣﻴﺰان ﺗﺮاز ﺧﻼء ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺮﺟﻊ داده‬

‫ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬از آﻧﺠﺎ ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ آﺳﺎﻧﻲ ﺳﻄﻮح ﺗﻤﻴﺰ ﻃﻼ را ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻜﺮار ﺗﻬﻴﻪ و ﻧﮕﻬﺪاري ﻧﻤﻮد‪،‬‬

‫ﻣﻌﻤﻮﻻً ﭘﻴﻚﻫﺎي اﻧﺘﺸﺎر ﻓﻮﺗﻮن ﻃﻼ را ﺑﻪ ﻋﻨﻮان اﺳﺘﺎﻧﺪارد ﺑﺮاي ﻛﺎﻟﻴﺒﺮه ﻛﺮدن ﻣﻘﻴﺎس اﻧﺮژي اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪.‬‬

‫اﻧﺮژي ﭘﻴﻮﻧﺪي ﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮون ﻣﻌﺎدل اﺧﺘﻼف اﻧﺮژي ﺣﺎﻟﺖ اوﻟﻴﻪ و ﺣﺎﻟﺖ ﻧﻬﺎﻳﻲ اﺗﻢ اﺳﺖ‪ .‬ﻳﻌﻨﻲ اﻧﺮژي ﭘﻴﻮﻧﺪي‬

‫ﻣﻌﺎدل اﺧﺘﻼف اﻧﺮژيﻫﺎي ﺑﻴﻦاﺗﻤﻲ ﺑﺎ ‪ n‬اﻟﻜﺘﺮون و ﻳﻮﻧﻲ ﺑﺎ ‪ n-1‬اﻟﻜﺘﺮون اﺳﺖ‪.‬‬

‫در اﻳﻦ ﺟﺎ )‪ E F (n-1‬اﻧﺮژي ﺣﺎﻟﺖ ﻧﻬﺎﻳﻲ اﺳﺖ و )‪ E i (n‬اﻧﺮژي ﺣﺎﻟﺖ اوﻟﻴﻪ اﺳﺖ‪ .‬اﮔﺮ آراﻳﺶ ﻣﺠﺪد ﺗﻤﺎم‬

‫اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي درﮔﻴﺮ ﻧﺒﻮد‪ ،‬اﻧﺮژي ﭘﻴﻮﻧﺪي ﻣﻌﺎدل ﻣﻨﻔﻲ اﻧﺮژي ارﺑﻴﺘﺎل ﺣﺎﻟﺖ اوﻟﻴﻪ اﻟﻜﺘﺮون ‪ -E k‬ﺑﻮد‪ .‬اﻳﻦ ﺗﻘﺮﻳﺐ‬

‫ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﺗﺌﻮري ‪ Koopmans‬ﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه و ﺑﺎ راﺑﻄﺔ ‪ E B (K) = - E k‬ﻧﺸﺎن داده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در اﻳﻨﺠﺎ اﻧﺮژي‬

‫ﭘﻴﻮﻧﺪي ﺑﻪ ﺗﺮازﺧﻼء ارﺟﺎع داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﻃﻴﻒ ﻧﮕﺎري ﻓﺘﻮاﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ اﺷﻌﻪ ‪ X‬ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ و ﺣﺎﻟﺖ ﭘﻴﻮﻧﺪ در ﻻﻳﻪﻫﺎي ﻧﺰدﻳﻚ ﻳﻚ‬

‫ﺳﻄﺢ ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬ﻛﺎﻣﻼً ﻣﻨﺎﺳﺐ اﺳﺖ وﻟﻲ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺟﺎﻧﺒﻲ ﺧﻮﺑﻲ ﻧﺪارد زﻳﺮا ﭘﺮﺗﻮ ‪ X‬ﺗﻬﻴﻴﺞ ﻛﻨﻨﺪه ﻣﻨﻄﻘﻪ‬

‫وﺳﻴﻌﻲ را ﻣﻲﭘﻮﺷﺎﻧﺪ و ﻧﻤﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﻪ راﺣﺘﻲ ﻓﻮﻛﻮس ﺷﻮد‪ .‬ﺷﻜﻞ ‪ 1‬ﻗﺴﻤﺖﻫﺎي اﺻﻠﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر داﺧﻠﻲ دﺳﺘﮕﺎه‬

‫ﻃﻴﻒ ﻧﮕﺎري اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ را ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ]‪.[1-6‬‬

‫‪110‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -1‬ﺷﻤﺎي ﻛﻠﻲ ﺗﺤﻠﻴﻞﮔﺮ اﻧﺮﮋي اﻟﻜﺘﺮون‪.‬‬

‫ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ‬

‫‪-1‬آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺼﺮي ﺳﻄﻮح ﺑﺮاي ﺗﻤﺎم ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺑﺠﺰ ﻫﻴﺪروژن‬

‫‪-2‬ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺣﺎﻟﺖ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﮔﻮﻧﻪﻫﺎي ﺳﻄﺤﻲ‬

‫‪-3‬ﭘﺮوﻓﻴﻞ ﻋﻤﻘﻲ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﺑﺮاي ﺗﻮزﻳﻊ ﻋﻨﺼﺮي در ﻻﻳﻪﻫﺎي ﻧﺎزك‬

‫‪-4‬آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ ﺑﻪ ﻫﻨﮕﺎﻣﻲ ﻛﻪ اﺟﺘﻨﺎب از اﺛﺮات ﻣﺨﺮب ﻧﺎﺷﻲ از ﺗﻜﻨﻴﻚﻫﺎي‬

‫ﭘﺮﺗﻮاﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ‪ ،‬ﺿﺮوري اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪-5‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺣﺎﻟﺘﻬﺎي اﻛﺴﻴﺪاﺳﻴﻮن اﺗﻤﻬﺎي ﻓﻠﺰي در ﻻﻳﻪ ﻫﺎي ﺳﻄﺤﻲ اﻛﺴﻴﺪ ﻓﻠﺰي‬

‫‪-6‬ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻛﺮﺑﻦ ﺳﻄﺤﻲ ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﮔﺮاﻓﻴﺖ ﻳﺎ ﻛﺎرﺑﻴﺪ ]‪[7‬‬

‫ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ‬

‫ﺷﻜﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ :‬ﺟﺎﻣﺪﻫﺎ )ﻓﻠﺰﻫﺎ‪ ،‬ﺷﻴﺸﻪﻫﺎ‪ ،‬ﻧﻴﻤﻪﻫﺎديﻫﺎ‪ ،‬ﺳﺮاﻣﻴﻚﻫﺎي ﺑﺎ ﻓﺸﺎر ﺑﺨﺎر ﭘﺎﺋﻴﻦ(‬

‫‪111‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫اﻧﺪازه ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ :‬اﻧﺪازه ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻛﻮﭼﻜﺘﺮ از ‪ 6/25 cm 3‬ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‬

‫آﻣﺎدهﺳﺎزي ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ :‬ﺑﺎﻳﺪ ﻋﺎري از اﺛﺮ اﻧﮕﺸﺖ‪ ،‬روﻏﻦ ﻳﺎ آﻟﻮدﮔﻲ ﺳﻄﺤﻲ دﻳﮕﺮ ﺑﺎﺷﺪ‬

‫ﻣﺤﺪودﻳﺖﻫﺎ‬

‫‪-1‬ﺟﻤﻊآوري داده‪ ،‬ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺳﺎﻳﺮ روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺳﻄﺢ ﻛﻨﺪ اﺳﺖ‪ ،‬وﻟﻲ اﮔﺮ ﻧﻴﺎزي ﺑﻪ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺑﺎﻻ‬

‫ﻳﺎ ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺣﺎﻟﺖ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻧﺒﺎﺷﺪ‪ ،‬زﻣﺎن آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻮﺗﺎهﺗﺮ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫‪-2‬ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺟﺎﻧﺒﻲ ﺿﻌﻴﻒ اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪-3‬ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ ﺳﻄﺤﻲ ﻗﺎﺑﻞ ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﺎ ﺳﺎﻳﺮ ﺗﻜﻨﻴﻚﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺳﻄﺢ اﺳﺖ‬

‫‪-4‬ﺷﺎرژ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﺑﺮاي ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﻋﺎﻳﻖ ﻣﺸﻜﻞ اﻳﺠﺎد ﻛﻨﺪ‪ .‬ﺑﺮﺧﻲ از اﻳﻦ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎ ﺑﻪ اﺑﺰارﻫﺎي‬

‫ﺧﻨﺜﻲ ﻛﻨﻨﺪه ﺷﺎرژ ﻣﺠﻬﺰ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬

‫‪ -5‬ﺻﺤﺖ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻤﻲ‪ ،‬ﻣﺤﺪود اﺳﺖ ]‪[10، 9‬‬

‫ﻣﺪت زﻣﺎن آﻧﺎﻟﻴﺰ‬

‫ﻗﺒﻞ از آﻧﺎﻟﻴﺰﻧﻴﺎز ﺑﻪ ﺳﺎﻋﺖﻫﺎ ﭘﻤﭗ ﺗﺨﻠﻴﻪ دارد‪.‬‬

‫آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻴﻔﻲ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻇﺮف ‪ 5‬ﺗﺎ ‪ 10‬دﻗﻴﻘﻪ اﻧﺠﺎم ﺷﻮد‪.‬‬

‫آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻤﻲ از ﻳﻚ ﺗﺎ ﭼﻨﺪ ﺳﺎﻋﺖ و ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ اﻃﻼﻋﺎت ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ‪ ،‬وﻗﺖ ﻣﻲﮔﻴﺮد ]‪.[10‬‬

‫‪112‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣﺮاﺟﻊ‬

1-Brandon, D. and Kaplan, W. "Microstructural characterization of Materials" John Wiley

& Sons (1999).

2-Goodhew, P. J., Humphreys, F. J. "Electron and Analysis" Taylor and Francis (2000).

3-Eberhart, J. P. "Structural and Chemical Analysis of Materials" J. Wiley (1991).

4-Bunshah, R. F. editor "Techniques of Metals Research" Vol. 2, Techniques for the Direct
Observation of Structure and Imperfections, Interscience Publishers (1969).

5-Gates, B. C. and Knozinger H. Editors "Impact of Surface Science on Catalysis"

Academicb Press (2000).

6-Kolasinski, K. W. "Surface Science, Foundations of Catalysis and Nanoscience" (2002).

7-Vickerman, J. C. Editor "Surface Analaysis, The Principal Techniques" John Wiley &
Sons (1997).

8-Woodruff, D. P. and Delchar, T. A. "Modern Techniques of Surface Science" 2nd Ed.,

Cambridge University Press (1994).

9-Amelinckx, S., van Dyck, D., van Landuyt, J. and van Tenderloo, G. (eds) Handbook of
Microscopy. Weinheim: VCH (1997).

‫ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ و روﺷﻬﺎي ﻧﻮﻳﻦ آﻧﺎﻟﻴﺰ اﺑﺰارﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ‬،‫ دﻛﺘﺮﭘﺮوﻳﺰﻣﺮﻋﺸﻲ و ﻫﻤﻜﺎران‬-10

. 1383 ،‫ داﻧﺸﮕﺎه ﻋﻠﻢ و ﺻﻨﻌﺖ اﻳﺮان‬،‫دﻧﻴﺎي ﻧﺎﻧﻮ‬

113
 ‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ ‪ -1‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ ESCA‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﺮان‬

‫)‪Electron Spectroscopy for Chemical Analysis (ESCA‬‬ ‫ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ‬

‫ﻧﻮع ﻋﻀﻮﻳﺖ‬ ‫س‪ .‬ﺧﺮﻳﺪ‬ ‫س‪ .‬ﺳﺎﺧﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫رزرو‬ ‫‪-‬‬ ‫‪-‬‬ ‫‪SRS200‬‬ ‫داﻧﺸﻜﺪه ﺷﻴﻤﻲ داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺒﺮﻳﺰ‬ ‫‪1‬‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ ‪ –٢‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ‪ESCA‬‬

‫)‪Electron Spectroscopy for Chemical Analysis (ESCA‬‬ ‫ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ‬

‫ﻛﺸﻮر‬ ‫ﺷﺮﻛﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫آﻣﺮﻳﻜﺎ‬ ‫‪Physical Electronics‬‬ ‫‪PHI-Quantera‬‬ ‫‪1‬‬

‫آﻣﺮﻳﻜﺎ‬ ‫‪Thermo Electron‬‬ ‫‪XPS‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪114‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪50‬‬
‫‪ -13-2‬ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﺟﺮﻣﻲ ﻳﻮن ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ )‪(SIMS‬‬

‫روشﻫﺎي آﻧﺎﻟﻴﺰي ﺑﺮ ﻣﺒﻨﺎي ﻳﻮن ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺣـﺴﺎﺳﻴﺖ و ﻗﺎﺑﻠﻴـﺖ آﻧﻬـﺎ ﺑـﺮاي آﺷـﻜﺎر ﻛـﺮدن ﺗﻐﻴﻴـﺮات ﺗﺮﻛﻴـﺐ‬

‫ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ در ﻋﻤﻖ ﻧﻤﻮﻧﻪ )ﭘﺮوﻓﻴﻞ ﻋﻤﻖ( ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣـﻲروﻧـﺪ‪ .‬در روش ﻃﻴـﻒﻧﮕـﺎري ﺟﺮﻣـﻲ ﻳـﻮن ﺛﺎﻧﻮﻳـﻪ )‪(SIMS‬‬

‫ﭘﺮﺗﻮي از ﻳﻮنﻫﺎي اوﻟﻴﻪ ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺗﺎ ﻗﻄﺮ ﺣﺪود ‪ 20‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﻣﺘﻤﺮﻛﺰ ﺷـﻮد‪ ،‬ﻧﻤﻮﻧـﻪ را روﺑـﺶ ﻣـﻲﻛﻨـﺪ و ﺑـﺮاي‬

‫ﺑﻴﺮون اﻧﺪاﺧﺘﻦ ﻳﻮنﻫﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود‪ .‬ﺟﺮم ﻳﻮنﻫﺎي ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﻃﻴﻒﻧﮕﺎر ﺟﺮﻣﻲ ﺗﻌﻴﻴﻦ‬

‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻳﻦ ﺗﻜﻨﻴﻚ ﻣﺨﺮب اﺳﺖ و ﻻﻳﺔ اﺗﻢﻫﺎي ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺮداﺷﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﺟﺮﻳﺎنﻫـﺎي ﭘـﺎﻳﻴﻦ‬

‫از ﭘﺮﺗﻮ ﻳﻮﻧﻲ اوﻟﻴﻪ‪ ،‬اﻳﻦ اﺗﻔﺎق ﺑﻪ آﻫﺴﺘﮕﻲ رخ ﻣﻲدﻫﺪ و اﻳﻦ ﺗﻜﻨﻴﻚ ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ‪ Static SIMS‬ﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﻣـﻲﺷـﻮد‪.‬‬

‫در ﻣﻮارد ﺑﻬﻴﻨﻪ‪ ،‬ﺣﺘﻲ ‪ 0/1‬درﺻﺪ ﻳﻚ ﺗﻚ ﻻﻳﻪ از ﻣﺎده را ﻫﻢ ﻣﻲﺗﻮان آﺷﻜﺎر ﻛﺮد‪ .‬اﮔـﺮ از ﺟﺮﻳـﺎنﻫـﺎي ﺑﻴـﺸﺘﺮ‬

‫ﭘﺮﺗﻮ ﻳﻮﻧﻲ اوﻟﻴﻪ اﺳﺘﻔﺎده ﺷﻮد‪ ،‬ﻣﺎده ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺖ ﺑﻴﺸﺘﺮي ﺑﺮداﺷﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد و ﻫﺮ ﻻﻳـﻪ در ﺣـﻴﻦ ﺑﺮداﺷـﺘﻪ ﺷـﺪن آﻧـﺎﻟﻴﺰ‬

‫ﻣﻲﺷﻮد ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﻣﻲﺗﻮان ﭘﺮوﻓﻴﻞ ﻋﻤﻘﻲ را ﺑﻪ دﺳـﺖ آورد‪ .‬اﻳـﻦ ﺗﻜﻨﻴـﻚ ﺑـﻪ ﻋﻨـﻮان ‪ Dynamic SIMS‬ﺷـﻨﺎﺧﺘﻪ‬

‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺗﺠﻬﻴﺰات ﻣﺪرن ﻃﻴﻒ ﻧﮕﺎري ﺟﺮﻣﻲ ﻳﻮن ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻜﻲ ﺗﺎ ﺣـﺪود ‪ 1‬ﻧـﺎﻧﻮﻣﺘﺮ دارﻧـﺪ و ﺑﻨـﺎﺑﺮاﻳﻦ‬

‫ﻣﻲﺗﻮاﻧﻨﺪ ﻧﻘﺸﻪﻫﺎي ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷـﻴﻤﻴﺎﻳﻲ را ﻧﻤـﺎﻳﺶ دﻫﻨـﺪ ﻛـﻪ ﻣـﺸﺎﺑﻪ ﻧﻘـﺸﻪﻫـﺎي ﭘﺮﺗـﻮ ‪ X‬ﻣـﻲﺑﺎﺷـﺪ‪ .‬اﻳـﻦ ﻧﻘـﺸﻪﻫـﺎ‬

‫‪ Imaging‬ﻧﺎﻣﻴﺪه ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺗﻤﺎم روشﻫﺎي ﻃﻴﻒ ﻧﮕﺎري ﺟﺮﻣﻲ ﻳﻮن ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ دو ﻣﺰﻳﺖ ﻋﻤـﺪه دارﻧـﺪ‪ .‬ﻣﺰﻳـﺖ اول‬

‫ﻣﺤﺪوده ﻋﻨﺎﺻﺮ اﺳﺖ؛ از آﻧﺠﺎ ﻛﻪ ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﺟﺮﻣﻲ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻫﻤﻪ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺣﺴﺎس اﺳﺖ‪ .‬ﺗﻤـﺎم اﻳﺰوﺗـﻮپﻫـﺎ و‬

‫ﺣﺘﻲ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺳﺒﻚ از ﻫﻴﺪروژن ﺗﺎ اﻛﺴﻴﮋن را ﻣﻲﺗﻮان آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﺮد و ﻧﻘﺸﻪ آﻧﻬﺎ را ﺗﻬﻴﻪ ﻛﺮد‪ .‬ﻣﺰﻳﺖ دوم ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ‬

‫‪50‬‬
‫‪- Secondary Ion Mass Spectrometry‬‬

‫‪115‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫اﺳﺖ‪ ،‬ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﺟﺮﻣﻲ ﻳﻮن ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﻣﻌﻤﻮﻻً ﻗﺎدر ﺑﻪ آﺷﻜﺎر ﻛﺮدن ﻏﻠﻈﺖﻫﺎﻳﻲ در ﺣﺪ ﻳـﻚ ﻗـﺴﻤﺖ در ﻳـﻚ‬

‫ﻣﻴﻠﻴﻮن )‪ (ppm‬اﺳﺖ و در ﺷﺮاﻳﻂ ﺧﻮب ﺣﺴﺎﺳﻴﺘﻲ در ﺣﺪ ﻳﻚ ﻗﺴﻤﺖ در ﻳﻚ ﻣﻴﻠﻴﺎرد )‪ (PPb‬دارد ]‪.[1،2،3‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -1‬ﺗﺼﻮﻳﺮ ﺷﻤﺎﺗﻴﻜﻲ ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﺟﺮﻣﻲ ﻳﻮن ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ‬

‫ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ‬

‫‪ -1‬آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﺳﻄﺢ ﺑﺎ ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻋﻤﻘﻲ در ﺣﺪود ‪ 5‬ﺗﺎ‪ 10‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ‬

‫‪ -2‬ﺗﻬﻴﻪ ﭘﺮوﻓﻴﻞ ﻏﻠﻈﺖ ﻋﻨﺎﺻﺮ در ﻋﻤﻖ ﻣﺎده‬

‫‪ -3‬آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺎﺻﺮ در ﻏﻠﻈﺖﻫﺎي ﺑﺴﻴﺎر ﻛﻢ )‪ (trace‬در ﻣﺤﺪوده ‪ ppt‬ﺗﺎ ‪ppm‬‬

‫‪ -4‬ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻻﻳﻪﻫﺎي ﺳﻄﺤﻲ آﻟﻲ ﻳﺎ ﻏﻴﺮآﻟﻲ ﺑﺮ روي ﻓﻠﺰات‪ ،‬ﺷﻴـﺸﻪﻫـﺎ‪ ،‬ﺳـﺮاﻣﻴﻚﻫـﺎ‪ ،‬ﻻﻳـﻪﻫـﺎي ﻧـﺎزك ﻳـﺎ‬

‫ﭘﻮدرﻫﺎ‬

‫‪-5‬ﺗﻬﻴﻪ ﭘﺮوﻓﻴﻞ ﻋﻤﻘﻲ ﻻﻳﻪﻫﺎي ﺳﻄﺤﻲ اﻛـﺴﻴﺪ‪ ،‬ﻻﻳـﻪﻫـﺎي ﻧـﺎزك ﺧـﻮردﮔﻲ‪ ،‬ﻻﻳـﻪﻫـﺎي ﻧـﺎزك ﺣـﻞ ﺷـﺪه‬

‫)‪ (leached‬و ﺗﻬﻴﻪ ﭘﺮوﻓﻴﻞﻫﺎي ﻧﻔﻮذي‬

‫‪ -6‬ﭘﺮوﻓﻴﻞﻋﻤﻘﻲ ﻏﻠﻈﺘﻲ ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻛﻢ ﻋﻨﺎﺻﺮ ذوب ﺷﺪه )‪ ( ≤ 1000 PPm) (dopants‬ﻛﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻧﻔﻮذي‬

‫ﻳﺎ ﻛﺎﺷﺘﻪ ﺷﺪه )‪ (implanted‬ﺑﻪ ﻣﻮاد ﻧﻴﻤﻪﻫﺎدي اﻓﺰوده ﺷﺪه اﺳﺖ‬

‫‪116‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪-7‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻏﻠﻈﺖ ﻫﻴﺪروژن و ﭘﺮوﻓﻴﻞﻫﺎي ﻋﻤﻘﻲ در آﻟﻴﺎژﻫﺎي ﻓﻠﺰي ﺗﺮد ﺷﺪه )‪ (embrittled‬ﻻﻳﻪﻫـﺎي ﻧـﺎزك‬

‫ﺗﻬﻴﻪ ﺷﺪه از ﻧﺸﺎﻧﺪن ﺑﺨﺎر )‪ ،(Vapor- deposited‬ﺷﻴﺸﻪﻫﺎي ﻫﻴﺪراﺗﻪ و ﻣﻮاد ﻣﻌﺪﻧﻲ‬

‫‪-8‬آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻤﻲ ﻏﻠﻈﺖ ﺑﺴﻴﺎر ﻛﻢ ﻋﻨﺎﺻﺮ در ﺟﺎﻣﺪﻫﺎ‬

‫‪ -9‬ﻓﺮاواﻧﻲ اﻳﺰوﺗﻮپﻫﺎ در ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي زﻣﻴﻦﺷﻨﺎﺳﻲ‬

‫‪ -10‬ﻣﻄﺎﻟﻌﺎت ﻏﻠﻈﺖﻫﺎي ﺑﺴﻴﺎر ﻛﻢ )ﺑﺮاي ﻣﺜﺎل ﻧﻔﻮذ و اﻛﺴﻴﺪاﺳﻴﻮن(‬

‫‪-11‬ﺗﻮزﻳﻊ ﻓﻠﺰي در ﻣﻮاد ﻣﻌﺪﻧﻲ زﻣﻴﻦ ﺷﻨﺎﺳﻲ‪ ،‬ﺳﺮاﻣﻴﻚﻫﺎي ﭼﻨﺪ ﻓﺎزي و ﻓﻠﺰﻫﺎ‬

‫‪-12‬ﺗﻮزﻳﻊ ﻓﺎز ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﻧﺎﺷﻲ از ﺟﺪاﻳﺶ ﻣﺮزداﻧﻪﻫﺎ‪ ،‬اﻛﺴﻴﺪاﺳﻴﻮن داﺧﻠﻲ ﻳﺎ رﺳﻮب ]‪[4‬‬

‫ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎ‬

‫ﺷﻜﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ :‬ﺟﺎﻣﺪﻫﺎي ﺑﻠﻮري‪ ،‬ﺟﺎﻣﺪﻫﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺳﻄﻮح ﺑﻬﺒﻮد ﻳﺎﻓﺘﻪ ﻳﺎ زﻳﺮﺳﺎﺧﺖﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﻻﻳﻪﻫﺎي ﻧـﺎزك‬

‫ﻳﺎ ﭘﻮﺷﺶ ﺑﺮ روي ﺧﻮد دارﻧﺪ )ﺳﻄﻮح ﺗﺨﺖ و ﺻﺎف ﻣﻄﻠـﻮب ﻫـﺴﺘﻨﺪ(‪ .‬ﭘﻮدرﻫـﺎ ﺑﺎﻳـﺪ در ﻳـﻚ ورق ﻓﻠـﺰي ﻧـﺮم‬

‫)ﻣﺎﻧﻨﺪ اﻳﻨﺪﻳﻢ( ﻓﺸﺮده ﺷﻮﻧﺪ ﻳﺎ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻳﻚ ﻗﺮص )‪ (Pellet‬ﻓﺸﺮده ﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬

‫اﻧﺪازه ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ :‬ﻣﺘﻐﻴﺮ وﻟﻲ ﻣﻌﻤﻮﻻً ‪. 1cm ×1 cm × 1mm‬‬

‫آﻣﺎدهﺳﺎزي ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ :‬ﺑﺮاي ﺳﻄﺢ ﻳﺎ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻤﻘﻲ ﻧﻴﺎزي ﺑﻪآﻣﺎدهﺳﺎزي ﻧﻴﺴﺖ‪ .‬ﺑﺮاي ﻣﻴﻜﺮوﺳﺎﺧﺘﺎر ﻳﺎ آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﺑـﺎ‬

‫ﻏﻠﻈﺖﻫﺎي ﺑﺴﻴﺎر ﻛﻢ ‪ ،‬ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺎﻳﺪ ﭘﻮﻟﻴﺶ ﺷﻮد ]‪.[5‬‬

‫ﻣﺤﺪودﻳﺖﻫﺎ‬

‫آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻣﺨﺮب اﺳﺖ‪.‬‬

‫آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﻴﻔﻲ و ﻛﻤﻲ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺗﻐﻴﻴﺮات وﺳﻴﻊ ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ آﺷﻜﺎرﺳﺎزي از ﻋﻨـﺼﺮي ﺑـﻪ ﻋﻨـﺼﺮ دﻳﮕـﺮ و از زﻣﻴﻨـﻪ‬

‫‪117‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

.‫ ﭘﻴﭽﻴﺪه اﺳﺖ‬،‫ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﻪ زﻣﻴﻨﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ دﻳﮕﺮ‬

ً‫ ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ و ﻏﻴﺮه( از ﻃﺮاﺣﻲ دﺳﺘﮕﺎه و ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﻲ ﻫﺮ آﻧـﺎﻟﻴﺰ ﺷـﺪﻳﺪا‬،‫ ﺻﺤﺖ‬،‫ﻛﻴﻔﻴﺖ آﻧﺎﻟﻴﺰ )دﻗﺖ‬

.[6،7] ‫ﺗﺄﺛﻴﺮ ﻣﻲﭘﺬﻳﺮد‬

‫ﻣﺪت زﻣﺎن آﻧﺎﻟﻴﺰ‬

[6،7] ‫از ﻳﻚ ﺗﺎ ﭼﻨﺪ ﺳﺎﻋﺖ ﺑﺮاي ﻫﺮ آﻧﺎﻟﻴﺰ‬

‫ﻣﺮاﺟﻊ‬

1-Brandon, D. and Kaplan, W. "Microstructural characterization of Materials" John Wiley

& Sons (1999).
2-Gates, B. C. and Knozinger H. Editors "Impact of Surface Science on Catalysis"
Academicb Press (2000).
3-Kolasinski, K. W. "Surface Science, Foundations of Catalysis and Nanoscience" (2002).
4-Vickerman, J. C. Editor "Surface Analaysis, The Principal Techniques" John Wiley &
Sons (1997).
5-Woodruff, D. P. and Delchar, T. A. "Modern Techniques of Surface Science" 2nd Ed.,
Cambridge University Press (1994).
6-Amelinckx, S., van Dyck, D., van Landuyt, J. and van Tenderloo, G. (eds) Handbook of
Microscopy. Weinheim: VCH (1997).
‫ ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ و روﺷـﻬﺎي ﻧـﻮﻳﻦ آﻧـﺎﻟﻴﺰ اﺑﺰارﺷﻨﺎﺳـﺎﻳﻲ دﻧﻴـﺎي‬،‫ دﻛﺘﺮﭘﺮوﻳﺰﻣﺮﻋﺸﻲ و ﻫﻤﻜﺎران‬-7
،1383 ،‫ داﻧﺸﮕﺎه ﻋﻠﻢ و ﺻﻨﻌﺖ اﻳﺮان‬،‫ﻧﺎﻧﻮ‬

118
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ ‪ -1‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ SIMS‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﺮان‬

‫)‪Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS‬‬ ‫ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﺟﺮﻣﻲ ﻳﻮن ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ‬

‫ﻧﻮع ﻋﻀﻮﻳﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫رزرو‬ ‫‪IMS6F‬‬ ‫ﻣﺮﻛﺰ ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت ﻓﻴﺰﻳﻚ ﭘﻼﺳﻤﺎ‬ ‫‪1‬‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ‪ – 2‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ‪SIMS‬‬

‫)‪Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS‬‬ ‫ﻃﻴﻒﻧﮕﺎري ﺟﺮﻣﻲ ﻳﻮن ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ‬

‫ﺗﻮﺿﻴﺤﺎت‬ ‫ﻛﺸﻮر‬ ‫ﺷﺮﻛﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫‪Dynamic SIMS‬‬ ‫‪Physical‬‬

‫آﻣﺮﻳﻜﺎ‬ ‫‪Electronics‬‬ ‫‪ADEPT-1010‬‬ ‫‪1‬‬

‫‪TOF-SIMS‬‬ ‫‪Physical‬‬
‫آﻣﺮﻳﻜﺎ‬ ‫‪Electronics‬‬ ‫‪TRIFT 111‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪Cameca‬‬
‫آﻣﺮﻳﻜﺎ‬ ‫‪IMS6F‬‬ ‫‪3‬‬

‫‪119‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪-14-2‬ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻓﻮرﻳﻪ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ )‪(FTIR‬‬

‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ ﺑﺮ اﺳﺎس ﺟﺬب ﺗﺎﺑﺶ و ﺑﺮرﺳﻲ ﺟﻬﺶﻫﺎي ارﺗﻌﺎﺷﻲ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎ و ﻳﻮنﻫﺎي ﭼﻨﺪ‬

‫اﺗﻤﻲ ﺻﻮرت ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ .‬اﻳﻦ روش ﺑﻪ ﻋﻨﻮان روﺷﻲ ﭘﺮﻗﺪرت و ﺗﻮﺳﻌﻪ ﻳﺎﻓﺘﻪ ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر و اﻧﺪازهﮔﻴﺮي‬

‫ﮔﻮﻧﻪﻫﺎي ﺷﻴﻤﻴﺎﺋﻲ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ اﻳﻦ روش ﻋﻤﺪﺗﺎً ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت آﻟﻲ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود‪ ،‬زﻳﺮا‬

‫ﻃﻴﻒﻫﺎي اﻳﻦ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ﻣﻌﻤﻮﻻً ﭘﻴﭽﻴﺪه ﻫﺴﺘﻨﺪ و ﺗﻌﺪاد زﻳﺎدي ﭘﻴﻚﻫﺎي ﻣﺎﻛﺴﻴﻤﻢ و ﻣﻴﻨﻴﻤﻢ دارﻧﺪ ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮاﻧﻨﺪ‬

‫ﺑﺮاي اﻫﺪاف ﻣﻘﺎﻳﺴﻪاﻳﻲ ﺑﻪ ﻛﺎر ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬

‫ﺗﺌﻮري‬

‫در ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎ دو ﻧﻮع ارﺗﻌﺎش وﺟﻮد دارد ﻛﻪ اﺻﻄﻼﺣﺎً ارﺗﻌﺎشﻫﺎي ﻛﺸﺸﻲ و ﺧﻤﺸﻲ ﻧﺎﻣﻴﺪه ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬

‫ارﺗﻌﺎش ﻛﺸﺸﻲ ﺑﻪ دو ﺻﻮرت ﻣﺘﻘﺎرن و ﻧﺎﻣﺘﻘﺎرن ﺗﻘﺴﻴﻢﺑﻨﺪي ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻫﺮ ﮔﺎه ﻳﻚ ﻧﻴﻢ ﻣﺘﻨﺎوب ﻛﺸﺸﻲ ﻧﺎﻣﺘﻘﺎرن‬

‫رخ دﻫﺪ‪ ،‬ﮔﺸﺘﺎور دو ﻗﻄﺒﻲ در ﻳﻚ ﺟﻬﺖ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ و در ﻧﻴﻢ ﺗﻨﺎوب دﻳﮕﺮ‪ ،‬ﮔﺸﺘﺎور دو ﻗﻄﺒﻲ در ﺟﻬﺖ‬

‫ﻣﺨﺎﻟﻒ ﺟﺎﺑﻪﺟﺎ ﻣﻲﮔﺮدد‪ .‬ﺑﺪﻳﻦ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﮔﺸﺘﺎور دو ﻗﻄﺒﻲ ﺑﺎ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ارﺗﻌﺎﺷﻲ ﻣﻮﻟﻜﻮل‪ ،‬ﻧﻮﺳﺎن ﻣﻲﻧﻤﺎﻳﺪ ‪ ).‬اﻳﻦ‬

‫ﻧﻮﺳﺎن ﺑﺎﻋﺚ ارﺗﻘﺎي ﻣﻮﻟﻜﻮل ﺑﻪ ﻧﻮار ﺟﺬﺑﻲ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ ﻣﻲﮔﺮدد و ﺑﻪ ﻫﻤﻴﻦ ﻋﻠﺖ آن را ﻓﻌﺎل ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ‬

‫ﻣﻲﻧﺎﻣﻨﺪ(‪ .‬در ﺣﺎﻟﺖ ارﺗﻌﺎش ﻛﺸﺸﻲ ﻣﺘﻘﺎرن‪ ،‬دو اﺗﻢ در ﻳﻚ ﻧﻴﻢ ﺗﻨﺎوب ارﺗﻌﺎﺷﻲ‪ ،‬در ﺟﻬﺎت ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺣﺮﻛﺖ‬

‫ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ ﻛﻪ در اﻳﻦ ﺻﻮرت ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻧﻬﺎﻳﻲ در ﮔﺸﺘﺎور دو ﻗﻄﺒﻲ ﻣﻮﻟﻜﻮل ﺑﻪ وﺟﻮد ﻧﻤﻲآﻳﺪ و ﺑﻪ ﻫﻤﻴﻦ ﻋﻠﺖ آن را‬

‫ﻏﻴﺮﻓﻌﺎل ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ ﻣﻲﻧﺎﻣﻨﺪ‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ‪ ،‬ﺗﻐﻴﻴﺮ در ﻓﻮاﺻﻞ درون ﻣﻮﻟﻜﻮﻟﻲ‪ ،‬ﺑﺮ ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ ﻗﻄﺒﻲ ﺷﺪن ﭘﻴﻮﻧﺪﻫﺎ‬

‫اﺛﺮ ﻣﻲﮔﺬارد‪ .‬ﻟﺬا در ﻗﻄﺒﺶ ﭘﺬﻳﺮي ﻣﻮﻟﻜﻮل ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺣﺎﺻﻞ ﻣﻲﺷﻮد و اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺘﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ در ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ راﻣﺎن‬

‫‪120‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣﻮرد ﺗﻮﺟﻪ ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد ]‪.[1‬‬

‫ﺑﺮﻫﻢﻛﻨﺶ ﺗﺎﺑﺶ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ ﺑﺎ ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺎﻋﺚ ﺗﻐﻴﻴﺮ اﻧﺮژي ارﺗﻌﺎﺷﻲ ﭘﻴﻮﻧﺪ در ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي آن ﻣـﻲﺷـﻮد‬

‫و روش ﻣﻨﺎﺳﺒﻲ ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﮔﺮوهﻫﺎي ﻋﺎﻣﻠﻲ و ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻮﻟﻜﻮﻟﻲ اﺳـﺖ‪ .‬ﺷـﺮط ﺟـﺬب اﻧـﺮژي ﻣـﺎدون ﻗﺮﻣـﺰ‬

‫ﺗﻮﺳﻂ ﻣﻮﻟﻜﻮل اﻳﻦ اﺳﺖ ﻛﻪ ﮔﺸﺘﺎور دو ﻗﻄﺒﻲ در ﺣﻴﻦ ارﺗﻌﺎش ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻧﻤﺎﻳـﺪ‪ .‬در ﻃﻴـﻒ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ ﻧﺎﺣﻴـﻪ‬

‫ﺑﻴﻦ ‪ 0/8 -400 µm‬ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ اﺳﺖ وﻟﻲ ﻧﺎﺣﻴﻪاﻳﻲ ﻛﻪ ﺟﻬﺖ ﺗﺠﺰﻳـﻪ ﺷـﻴﻤﻴﺎﺋﻲ ﻣـﻮرد اﺳـﺘﻔﺎده‬

‫ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ ،‬ﺑﻴﻦ ‪ 0/8 -50 µm‬اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ :1‬ارﺗﻌﺎشﻫﺎي ﻛﺸﺸﻲ ﻣﺘﻘﺎرن و ﻧﺎﻣﺘﻘﺎرن در ﻳﻚ ﻣﻮﻟﻜﻮل ]‪[1‬‬

‫‪52‬‬
‫ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺑﺎﻻﺗﺮ از ‪ 50 µm‬را ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ دور‪ ،51‬ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺑﻴﻦ ‪ 0/8-2/5 µm‬ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ ﻧﺰدﻳﻚ‬

‫و ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺑﻴﻦ ‪ 8-25 µm‬را ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺛﺮ اﻧﮕﺸﺖ‪ 53‬ﻣﻲﻧﺎﻣﻨﺪ‪ .‬ﻫﺮ ﺟﺴﻢ در اﻳﻦ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻳﻚ ﻃﻴﻒ ﻣﺨﺼﻮص ﺑﻪ ﺧﻮد‬

‫دارد ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﮔﺮوهﻫﺎي ﻋﺎﻣﻠﻲ آن ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود‪.‬‬

‫ﻧﻤﻮدار ﺟﻌﺒﻪاي از اﺟﺰاي اﺻﻠﻲ ﻣﻮﺟﻮد در ﻳﻚ ﻃﻴﻒ ﻧﻮرﺳﻨﺠﻲ ﻗﺮﻣﺰ در ﺷﻜﻞ )‪ (2‬ﻧﻤﺎﻳﺶ داده ﺷﺪه‬

‫اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪51‬‬
‫‪-Far in frared‬‬
‫‪52‬‬
‫‪-Near in frared‬‬
‫‪53‬‬
‫‪-Finger print‬‬

‫‪121‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ ‪-2‬ﻧﻤﻮدار ﺳﺎده ﻳﻚ ﻃﻴﻒ ﻧﻮرﺳﻨﺞ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ ]‪[1‬‬

‫ﺗﺠﺰﻳﻪ ﻛﻴﻔﻲ‬

‫ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻛﻴﻔﻲ ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺠﻬﻮل‪ ،‬ﻧﻮع ﮔﺮوهﻫﺎي ﻋﺎﻣﻠﻲ و ﭘﻴﻮﻧﺪﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي آن‪،‬‬

‫ﻃﻴﻒ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ ﻧﻤﻮﻧﻪ را رﺳﻢ ﻧﻤﻮده و ﺑﺎ ﻣﺮاﺟﻌﻪ ﺑﻪ ﺟﺪاول ﻣﺮﺑﻮﻃﻪ ﻛﻪ ﻣﻮﻗﻌﻴﺖ ارﺗﻌﺎش ﭘﻴﻮﻧﺪﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ و‬

‫ﻳﺎ ﻃﻴﻒ ‪ IR‬اﺟﺴﺎم را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﻨﺪ‪ ،‬ﻃﻮل ﻣﻮج ﻳﺎ ﻋﺪد ﻣﻮج ﮔﺮوهﻫﺎ و ﭘﻴﻮﻧﺪﻫﺎ را ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪.‬‬

‫در ﻃﻴﻒ ﻧﻮرﺳﻨﺠﻲ ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ‪ ،IR‬ﻃﻴﻒ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻣﺮﺋﻲ ﺗﺎ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ ﮔﺴﺘﺮده ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﺳﭙﺲ ﺑﺨﺶ ﻛﻮﭼﻜﻲ از آن ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻳﺎ ﻃﻮل ﻣﻮج ﺑﻪ آﺷﻜﺎرﺳﺎز رﺳﻴﺪه و ﺛﺒﺖ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در اﻳﻦ‬

‫ﺣﺎﻟﺖ ﻃﻴﻒ ﺑﻪ دﺳﺖ آﻣﺪه‪ ،‬در ﻣﺤﺪودة ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻳﺎ ﻃﻮل ﻣﻮج ﺛﺒﺖ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪ .‬وﻳﮋﮔﻲ ‪ FT-IR‬اﻳﻦ اﺳﺖ ﻛﻪ‬

‫ﺗﻤﺎم ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎي ﻧﺎﺣﻴﻪ ﻃﻴﻔﻲ ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ در ﻳﻚ زﻣﺎن ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﺎﺑﻴﺪه ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﺣﺎﻟﻲ ﻛﻪ در روشﻫﺎي‬

‫ﭘﺎﺷﻨﺪه ﺗﻨﻬﺎ ﺑﺨﺶ ﻛﻮﭼﻜﻲ از ﻃﻮل ﻣﻮجﻫﺎ در ﻳﻚ زﻣﺎن ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻲرﺳﻨﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ ﺳﺮﻋﺖ‪ ،‬ﻗﺪرت ﺗﻔﻜﻴﻚ و‬

‫ﻧﺴﺒﺖ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﻪ ﻧﻮﻳﺰ در روش ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻓﻮرﻳﻪ ﺑﺮﺗﺮي ﻗﺎﺑﻞ ﻣﻼﺣﻈﻪاي ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ روش ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ‪ IR‬دارد ]‪.[2‬‬

‫‪122‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ‬

‫ﺑﺮﺧﻲ اﻃﻼﻋﺎﺗﻲ ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮان از ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻓﻮرﻳﻪ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ )‪ (FT-IR‬ﺑﺪﺳﺖ آورد ﺷﺎﻣﻞ ﻣﻮارد‬

‫ذﻳﻞ اﺳﺖ‪:‬‬

‫ﺷﻨﺎﺳﺎﺋﻲ ﻛﻴﻔﻲ و ﻛﻤﻲ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت آﻟﻲ ﺣﺎوي ﻧﺎﻧﻮذرات‪ ،‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻧﻮع ﮔﺮوه ﻋﺎﻣﻠﻲ و ﭘﻴﻮﻧﺪﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در‬

‫ﻣﻮﻟﻜﻮﻟﻬﺎي آن‪ .‬ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﺑﺴﻴﺎر ﻛﻢ ﻳﻮن ﻫﻴﺪروژن ﻓﺴﻔﺎت در ﻫﻴﺪروﻛﺴﻲ آﭘﺎﺗﻴﺖ ﻛﻪ در اﻋﻀﺎء‬

‫ﻣﺼﻨﻮﻋﻲ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد ]‪[2‬‬

‫ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺑﺮﺧﻲ داروﻫﺎي ﺣﺎوي ﻧﺎﻧﻮ ذرات ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲ ﮔﻴﺮد‪[3] .‬‬

‫ﻣﺮاﺟﻊ‬

‫‪1- D. A. Skoog, D. M. West Holt, "Principle of Instrumental Analysis", Saunders College‬‬

‫‪Publishing, Sixth edition, 1994.‬‬

‫‪2- E. Vidal, Augusta, E-MRS Meeting, 2003.‬‬

‫‪3- M. Praisler, S. Gosav, J. Van Bocxlaer, A. De Leenheer, and D.L. Massart."Exploratory‬‬

‫‪analysis for the identification of amphetamines using neural networks and GC-FTIR data",‬‬
‫‪The Annals of the University "Dunãrea de Jos", Fascicle II, 83-96, 2002.‬‬

‫‪123‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ ‪ -1‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ FTIR‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻛﺸﻮر‬

‫) ‪Fourier Transform Infrared Spectroscopy ( FTIR‬‬ ‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ‬

‫ﻧﻮع ﻋﻀﻮﻳﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺻﻨﻌﺘﻲ اﻣﻴﺮ ﻛﺒﻴﺮ‬

‫رزرو‬ ‫‪-‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﭘﻠﻴﻤﺮ و ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺒﺮﻳﺰ‬
‫رزرو‬ ‫‪TENSOR27‬‬ ‫‪2‬‬
‫داﻧﺸﻜﺪه ﺷﻴﻤﻲ‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ – ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ‪FTIR‬‬

‫) ‪Fourier Transform Infrared Spectroscopy ( FTIR‬‬ ‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ‬

‫آﺸﻮر‬ ‫ﺷﺮﮐﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫‪Nicolet‬‬ ‫‪380 FT-IR‬‬
‫‪United States‬‬ ‫‪١‬‬
‫‪Spectrometer‬‬
‫‪Japan‬‬ ‫‪Shimadzu‬‬ ‫‪FTIR 8400S‬‬ ‫‪٢‬‬
‫‪United States‬‬ ‫‪Perkin Elmer‬‬ ‫‪FTIR, Model 1600‬‬ ‫‪٣‬‬
‫‪United States‬‬ ‫‪Unican‬‬ ‫‪Mattson 1000‬‬ ‫‪۴‬‬
‫‪Bruker‬‬
‫‪Germany‬‬ ‫‪TENSOR 27‬‬ ‫‪۵‬‬

‫‪124‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪-15-2‬رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻫﺴﺘﻪ‪(NMR) 54‬‬

‫ﺑﺮﺧﻲ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎ‪ ،‬ﻣﺎﻧﻨﺪ اﻟﻜﺘﺮون ﺑﻪ دور ﻣﺤﻮر ﺧﻮد ﺣﺮﻛﺖ ﭼﺮﺧﺸﻲ دارﻧﺪ‪ .‬در ﺣﻀﻮر ﻳﻚ ﻣﻴﺪان آﻫﻨﺮﺑﺎﻳﻲ‬

‫ﺧﺎرﺟﻲ‪ ،‬ﻳﻚ ﻫﺴﺘﻪ در ﺣﺎل ﭼﺮﺧﺶ ﺗﻨﻬﺎ ﺗﻌﺪاد ﻣﻌﺪودي ﺟﻬﺖﮔﻴﺮي ﭘﺎﻳﺪار دارد‪ .‬رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ‬

‫ﻫﺴﺘﻪ )‪ (NMR‬ﻫﻨﮕﺎﻣﻲ اﻳﺠﺎد ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﻳﻚ ﻫﺴﺘﻪ اﺳﭙﻴﻦدار ﺑﺎ ﺟﺬب ﺗﺎﺑﺶ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺑﻪ ﻣﻘﺪار ﻛﺎﻓﻲ‪،‬‬

‫در ﺣﻀﻮر ﻳﻚ ﻣﻴﺪان آﻫﻨﺮﺑﺎﻳﻲ از ﻳﻚ ﺟﻬﺖﮔﻴﺮي ﺑﺎ اﻧﺮژي ﭘﺎﻳﻴﻦﺗﺮ ﺑﻪ ﻳﻚ ﺟﻬﺖﮔﻴﺮي ﺑﺎ اﻧﺮژي ﺑﺎﻻﺗﺮ‬

‫ﺑﺮاﻧﮕﻴﺨﺘﻪ ﺷﻮد‪ .‬ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻫﺴﺘﻪ ﺷﺎﻣﻞ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻣﻴﺰان اﻧﺮژي ﻻزم ﺑﺮاي ﺗﻐﻴﻴﺮ‬

‫ﻫﺴﺘﻪﻫﺎي اﺳﭙﻴﻦدار از ﻳﻚ ﺟﻬﺖﮔﻴﺮي ﭘﺎﻳﺪار ﺑﻪ ﺟﻬﺖﮔﻴﺮي ﻧﺎﭘﺎﻳﺪارﺗﺮ در ﻳﻚ ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ اﺳﺖ‪ .‬از‬

‫آﻧﺠﺎ ﻛﻪ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎي اﺳﭙﻴﻦدار در ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺟﻬﺖ ﻣﻲدﻫﻨﺪ‪ ،‬ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ‬

‫ﻣﺘﻔﺎوﺗﻲ از ﺗﺎﺑﺶ ﺟﺬﺑﻲ ﺑﺮاي ﻋﻮض ﻛﺮدن ﺟﻬﺖﮔﻴﺮي ﻫﺴﺘﻪﻫﺎي اﺳﭙﻴﻦدار ﻧﻴﺎز ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﻛﻪ در آن‬

‫ﺟﺬب ﺻﻮرت ﻣﻲﮔﻴﺮد ﺑﺮاي ﺗﺠﺰﻳﻪ و ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺑﻪ ﻛﺎر ﺑﺮده ﻣﻲﺷﻮد ]‪.[1‬‬

‫رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻫﺴﺘﻪاي ﺑﺮاي اوﻟﻴﻦ ﺑﺎر در ﺳﺎل ‪ 1946‬ﺑﻪ ﻃﻮر ﻣﺴﺘﻘﻞ ﺗﻮﺳﻂ ﻓﻠﻴﻜﺲ ﺑﻠﻮخ از داﻧﺸﮕﺎه‬

‫اﺳﺘﺎﻧﻔﻮرد و ادوارد ﭘﺎرﺳﻞ از داﻧﺸﮕﺎه ﻫﺎروارد ﻛﺸﻒ ﺷﺪ‪ .‬آﻧﻬﺎ ﺗﻮاﻧﺴﺘﻨﺪ ﺟﺬب ﺗﺎﺑﺶ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ را ﻛﻪ‬

‫در ﻧﺘﻴﺠﻪ اﻧﺘﻘﺎل ﺗﺮاز اﻧﺮژي ﻫﺴﺘﻪ در ﻳﻚ ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻗﻮي ﺻﻮرت ﻣﻲﮔﻴﺮد را ﻧﺸﺎن دﻫﻨﺪ‪ .‬اﻳﻦ دو‬

‫ﻓﻴﺰﻳﻜﺪان در ﺳﺎل ‪ 1952‬ﺑﻪ ﺧﺎﻃﺮ ﻛﺎرﺷﺎن ﻣﻮﻓﻖ ﺑﻪ درﻳﺎﻓﺖ ﺟﺎﻳﺰة ﻧﻮﺑﻞ ﺷﺪﻧﺪ‪ .‬در ﭘﻨﺞ ﺳﺎﻟﺔ اول ﭘﺲ از ﻛﺸﻒ‬

‫روش رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻫﺴﺘﻪ ﺷﻴﻤﻴﺪانﻫﺎ درﻳﺎﻓﺘﻨﺪ ﻛﻪ ﻣﺤﻴﻂ ﻣﻮﻟﻜﻮﻟﻲ اﺟﺴﺎم ﺑﺮ ﺟﺬب ﺗﺎﺑﺶ ﺗﻮﺳﻂ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎ‬

‫‪54‬‬
‫‪-Nuclear Magnetic Resonance‬‬

‫‪125‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫در ﺣﻀﻮر ﻳﻚ ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ اﺛﺮ ﻣﻲﮔﺬارد و اﻳﻦ اﺛﺮ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﻪ ﺳﺎﺧﺘﻤﺎن ﻣﻮﻟﻜﻮل ارﺗﺒﺎط داده ﺷﻮد‪ .‬از آن‬

‫ﭘﺲ رﺷﺪ روش ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺗﺸﺪﻳﺪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻫﺴﺘﻪ اﻧﻔﺠﺎرآﻣﻴﺰ ﺑﻮده اﺳﺖ و اﻳﻦ روش اﺛﺮ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻬﻲ در‬

‫ﺗﻮﺳﻌﺔ ﺷﻴﻤﻲ آﻟﻲ‪ ،‬ﺷﻴﻤﻲ ﻣﻌﺪﻧﻲ و ﺑﻴﻮﺷﻴﻤﻲ داﺷﺘﻪ اﺳﺖ ]‪ .[2‬در ﺳﺎل ‪ 1999‬ﻳﻚ ﺗﻴﻢ ﻓﻴﺰﻳﻜﺪان ﻛﺎﻧﺎداﻳﻲ ﻣﻮﻓﻖ‬

‫ﺑﻪ ﺗﻮﺳﻌﻪ ﻳﻚ روش ﺟﺪﻳﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از روش رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻫﺴﺘﻪاي ‪ Beta‬ﺷﺪﻧﺪ ﻛﻪ اﻳﻦ روش ﻗﺎدر ﺑﻪ‬

‫ﻧﺸﺎن دادن ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ و اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﻻﻳﻪ ﻫﺎ و ﺳﻄﻮح ﺑﺴﻴﺎر ﻧﺎزك ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ از روش ﻫﺎي‬

‫‪ BetaNMR‬در ﻋﻠﻮم ﻧﺎﻧﻮﻳﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲ ﺷﻮد]‪.[3‬‬

‫اﻧﺪازه ﺣﺮﻛﺖ زاوﻳﻪاي اﺳﭙﻴﻦ در ﻫﺴﺘﻪﻫﺎ ﺗﻮﺳﻂ ﻋﺪد ﻛﻮاﻧﺘﻮﻣﻲ اﺳﭙﻴﻦ ﻫﺴﺘﻪ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻋﺪدﻛﻮاﻧﺘﻮﻣﻲ اﺳﭙﻴﻦ ﻫﺴﺘﻪ ﻫﺮ ﻋﺪد ﺻﺤﻴﺢ ﻳﺎ ﻧﻴﻤﻪ ﺻﺤﻴﺤﻲ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬در ﻫﺴﺘﻪﻫﺎﻳﻲ ﻣﺎﻧﺪ ‪ 16 O‬و ‪ 12 C‬ﻛﻪ‬

‫ﻓﺎﻗﺪ اﺳﭙﻴﻦ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ ،‬ﻋﺪد ﻛﻮاﻧﺘﻮﻣﻲ اﺳﭙﻴﻦ ﻫﺴﺘﻪ ﺻﻔﺮ اﺳﺖ‪ .‬ﻫﺴﺘﻪﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﺑﺪون اﺳﭙﻴﻦاﻧﺪ و ﺑﻨﺎﺑﺮاﻳﻦ اﻧﺪازه‬

‫ﺣﺮﻛﺖ زاوﻳﻪاي اﺳﭙﻴﻦ ﻧﺪارﻧﺪ‪ ،‬ﻧﻤﻲﺗﻮاﻧﻨﺪ ﺗﻮﺳﻂ ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ‪ NMR‬آﺷﻜﺎر ﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﻫﺴﺘﻪﻫﺎي اﺳﭙﻴﻦداري ﻛﻪ‬

‫‪1‬‬
‫ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ از اﻳﻦ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎ ﺷﺎﻣﻞ ‪،3H ،19F ،13C‬‬ ‫ﺗﻮزﻳﻊ ﺑﺎر ﻛﺮوي دارﻧﺪ‪ ،‬داراي ﻋﺪد ﻛﻮاﻧﺘﻮﻣﻲ اﺳﭙﻴﻦ‬
‫‪2‬‬

‫‪1‬‬
‫و ﮔﺸﺘﺎور ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﺑﺮاي آن ﻛﻪ ﻳﻚ ﻫﺴﺘﻪ در‬ ‫و ‪ 1H‬ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ ﻛﻪ داراي ﻋﺪد ﻛﻮاﻧﺘﻮﻣﻲ‬ ‫‪31‬‬
‫‪P، N‬‬
‫‪15‬‬
‫‪2‬‬

‫ﻣﻴﺪان آﻫﻨﺮﺑﺎﻳﻲ ﺗﺎﺑﺶ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ را ﺑﻪ ﻣﻘﺪار زﻳﺎد ﺟﺬب ﻛﻨﺪ ﺑﺎﻳﺪ در ﻧﻤﻮﻧﻪ از ﻓﺮاواﻧﻲ ﺑﺎﻻﻳﻲ ﺑﺮﺧﻮدار‬

‫ﺑﺎﺷﺪ و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﺎﻳﺪ ﮔﺸﺘﺎور ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ) ‪ ( µ‬ﻧﺴﺒﺘﺎً ﺑﺰرگ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻫﺴﺘﻪﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﻫﺮ دو ﺧﺎﺻﻴﺖ ﻣﻮرد‬

‫ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﻃﻮر ﻣﻌﻤﻮل ﺑﻴﺸﺘﺮ اﻧﺪازهﮔﻴﺮيﻫﺎي ‪ NMR‬ﺑﺮاي ‪ 1 H‬اﻧﺠﺎم‬ ‫‪31‬‬

‫ﺑﺤﺚ را دارﻧﺪ ﺷﺎﻣﻞ ‪P ، 19 F ، 1 H‬‬

‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺳﺎﻳﺮ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎ اﻏﻠﺐ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از روشﻫﺎي اﻓﺰاﻳﺶ ﻋﻼﻣﺖ ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻃﻴﻒ‪ ،‬اﻧﺠﺎم‬

‫ﻣﻲ ﺷﻮد‪ .‬ﻣﻌﻤﻮﻻً از ﻣﻴﺎن ﻫﺴﺘﻪﻫﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﻓﺮاواﻧﻲ ﻧﺴﺒﻲ ﭘﺎﻳﻴﻦ ﻛﻪ رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻫﺴﺘﻪ را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﻨﺪ‪، 13 C ،‬‬

‫ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻮرد ﺗﻮﺟﻪ ﺷﻴﻤﻴﺪانﻫﺎ ﻗﺮار دارد‪ .‬روش رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻫﺴﺘﻪاي ﻫﻴﺪورژن )‪ ( 1 H‬ﻛﻪ‬ ‫‪17‬‬
‫‪O ، 15 N‬‬

‫ﺑﻴﺸﺘﺮ از دﻳﮕﺮ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد داراي ﮔﺸﺘﺎور ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﺣﺪود ‪ µ =2/7927‬اﺳﺖ ﺑﺮاي‬

‫‪126‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪1‬‬
‫‪ ،‬اﺧﺘﻼف اﻧﺮژي ﺑﻴﻦ دو ﺳﻄﺢ اﺳﭙﻴﻦ در ﻳﻚ ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ داده ﺷﺪه ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ ﺑﺎ‬ ‫اﺳﭙﻴﻦﻫﺎي ﻫﺴﺘﻪاي‬
‫‪2‬‬

‫ﮔﺸﺘﺎور ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ آن ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪ .‬ﺑﺮاي دﻳﮕﺮ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺗﺸﺪﻳﺪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻫﺴﺘﻪاي ﻣﻮرد‬

‫اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ ﮔﺸﺘﺎور ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﺑﺮاي ‪ 31 P ، 19 F‬و ‪ 13 C‬ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 1/1305 2/6873‬و ‪0/7022‬‬

‫ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ]‪.[4‬‬

‫در اﻛﺜﺮ ﻣﻮارد ﺣﺴﺎﺳﻴﺖ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي ﺗﺸﺪﻳﺪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻫﺴﺘﻪاي ﻏﻴﺮﭘﺮوﺗﻮﻧﻲ ﻣﺜﻞ ‪ 13 C‬و ﻏﻴﺮه در ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ‬

‫ﺑﺎ ‪ 1 HNMR‬ﻛﻤﺘﺮ اﺳﺖ‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ در ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت‪ ،‬ﻓﺮاواﻧﻲ ﻃﺒﻴﻌﻲ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻏﻴﺮﭘﺮوﺗﻮﻧﻲ ﺑﻪ‬

‫ﻣﻴﺰان ﻗﺎﺑﻞ ﻣﻼﺣﻈﻪاي ﻛﻤﺘﺮ از ﭘﺮوﺗﻮﻧﻲ اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ ﻋﺎﻣﻞ ﺳﺒﺐ ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ ﻃﻴﻒﻫﺎي ‪ NMR‬ﻫﺴﺘﻪﻫﺎي‬

‫ﻏﻴﺮﭘﺮوﺗﻮﻧﻲ‪ ،‬ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﻪ ﻧﻮﻳﺰ ﻧﺴﺒﺘﺎً ﭘﺎﻳﻴﻨﻲ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬ﭘﻴﻚﻫﺎي اﻳﻦ ﻃﻴﻒﻫﺎ ﻛﻮﭼﻚ ﻫﺴﺘﻨﺪ و اﻏﻠﺐ اﮔﺮ از‬

‫دﺳﺘﮕﺎه ﻳﻜﺴﺎﻧﻲ ﻛﻪ ﺑﺮاي ‪ NMR‬ﻫﺴﺘﻪﻫﺎي ﭘﺮوﺗﻮﻧﻲ)‪ (PMR‬ﺑﻪ ﻛﺎر رﻓﺘﻪ‪ ،‬اﺳﺘﻔﺎده ﺷﻮد‪ ،‬ﻃﻴﻒ آﻧﻬﺎ را ﻧﻤﻲﺗﻮان‬

‫ﻣﺸﺨﺺ ﻛﺮد‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﭘﺎﻳﻴﻦ ﺑﻮدن ﺳﻴﮕﻨﺎل ﺑﻪ ﻧﻮﻳﺰ در اﻳﻦ ﻣﻮارد‪ ،‬ﺑﻴﺸﺘﺮ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي ﻃﺮاﺣﻲ ﺷﺪه ﺑﺮاي ﺛﺒﺖ‬

‫ﻃﻴﻒﻫﺎي ‪ NMR‬ﻫﺴﺘﻪﻫﺎي ﻏﻴﺮﭘﺮوﺗﻮﻧﻲ از ﭼﻨﺪ ﭘﻴﻤﺎﻳﺶ ﻫﻤﺮاه ﺑﺎ ﺗﻜﻨﻴﻚ ﻣﻴﺎﻧﮕﻴﻦ ﮔﻴﺮي از ﻋﻼﻣﺖ اﺳﺘﻔﺎده‬

‫ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪ .‬ﻣﺘﺪاولﺗﺮﻳﻦ دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎ ﺑﺮاي اﺳﺘﺨﺮاج ﭘﻴﻚﻫﺎي ﻃﻴﻔﻲ از ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻓﻮرﻳﻪ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪ .‬دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي‬

‫ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻓﻮرﻳﻪ ﺑﺮاي ﺗﻬﻴﻪ ﻃﻴﻒﻫﺎي ‪ PMR‬ﻣﺤﻠﻮلﻫﺎي رﻗﻴﻖ و ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﭘﻴﭽﻴﺪه‪ ،‬ﻣﺎﻧﻨﺪ ﭘﺮوﺗﺌﻴﻦﻫﺎ‪ ،‬ﻛﻪ در‬

‫آﻧﻬﺎ ﻣﻘﺪار ﻳﻚ ﭘﺮوﺗﻮن وﻳﮋه در ﻣﻮﻟﻜﻮل اﻧﺪك اﺳﺖ‪ ،‬ﻧﻴﺰ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲروﻧﺪ‪ ،‬ﺗﻔﺎوت ﻃﻴﻒﻫﺎي ‪ PMR‬و ﺳﺎﻳﺮ‬

‫ﻃﻴﻒﻫﺎي ‪ NMR‬در ﻣﺤﺪوده ﺟﺎﺑﺠﺎﻳﻲ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ اﺳﺖ‪ .‬ﻣﺤﺪوده ﺟﺎﺑﻪﺟﺎﻳﻲ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﺑﺮاي ‪ PMR‬در اﻛﺜﺮ‬

‫ﻣﻮارد ‪ 10PPM‬اﺳﺖ‪ .‬در ﺣﺎﻟﻲ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﻫﺴﺘﻪ ‪ 13 C‬ﺟﺎﺑﻪﺟﺎﻳﻲ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﺗﺎ ﺣﺪود ‪ 200 PPM‬اﺳﺖ اﻳﻦ ﻣﻘﺪار‬

‫ﺑﺮاي ﻃﻴﻒﻫﺎي ‪ 19 F‬و ‪ 31 P‬ﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 300‬و ‪ 400 PPM‬اﺳﺖ‪.‬‬

‫در روشﻫﺎي ‪ NMR‬ﻣﻌﻤﻮﻻً واﺣﺪﻫﺎي ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﺑﻪ ﺻﻮرت زﻣﺎن )ﺛﺎﻧﻴﻪ(‪ ،‬زاوﻳﻪ )درﺟﻪ ﻳﺎ رادﻳﺎن(‪،‬‬

‫درﺟﻪ ﺣﺮارت )ﻛﻠﻮﻳﻦ(‪ ،‬ﻗﺪرت ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ )ﺗﺴﻼ‪ ،(T ،‬اﻧﺮژي )ژول(‪ ،‬ارﺗﻌﺎش )دور ﺑﺮ ﺛﺎﻧﻴﻪ( و ﻗﺪرت‬

‫‪127‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫)وات( ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪[5] .‬‬

‫اﺟﺰاء ﺗﺸﻜﻴﻞ دﻫﻨﺪه دﺳﺘﮕﺎه ‪NMR‬‬

‫اﺟﺰاء ﻣﻬﻢ ﻳﻚ ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ ‪ NMR‬در ﺷﻜﻞ )‪ (1‬ﺑﻪ ﻃﻮر ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ ﺗﻮﺿﻴﺢ ﻣﺨﺘﺼﺮي‬

‫از ﻫﺮ ﻳﻚ از اﺟﺰاء ﺗﺸﻜﻴﻞ دﻫﻨﺪه در ذﻳﻞ ﺑﻴﺎن ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -1‬ﺷﻜﻞ ﺷﻤﺎﺗﻴﻚ از اﺟﺰاء ﺗﺸﻜﻴﻞ دﻫﻨﺪه دﺳﺘﮕﺎه ‪NMR‬‬

‫‪ (1‬آﻫﻨﺮﺑﺎ‪:‬‬

‫در ﻃﻴﻒﺳﻨﺞﻫﺎي ﺗﺠﺎري ‪ NMR‬ﻫﻢ آﻫﻨﺮﺑﺎﻫﺎي داﺋﻢ و ﻫﻢ آﻫﻨﺮﺑﺎﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺑﺎ اﺑﻌﺎد ﺑﺰرگ‬

‫ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ‪ .‬ﻧﻮﻋﺎً ﻣﻴﺪاﻧﻲ در ﺣﺪود ‪ 14000‬ﮔﻮس ﺑﻴﻦ ﻗﻄﻌﺎت ﻗﻄﺐﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻛﻪ ﻗﻄﺮي‬

‫ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 12‬اﻳﻨﭻ ﻳﺎ ﺑﻴﺸﺘﺮ دارﻧﺪ‪ ،‬ﺑﺮﻗﺮار ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻛﺎرﻛﺮدي آﻫﻨﺮﺑﺎ ﺑﻪ ﺧﺼﻮص ﺑﺮاي ﻛﺎرﻫﺎي ﺑﺎ ﺗﻔﻜﻴﻚ‬

‫‪128‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﺣﺴﺎس و ﭘﺮاﻫﻤﻴﺖ اﺳﺖ‪ .‬ﻣﻴﺪان اﻳﺠﺎد ﺷﺪه ﺑﺎﻳﺪ در ﻣﺤﻮﻃﺔ ﺣﻀﻮر ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬ﺗﺎ ﻳﻚ ﻗﺴﻤﺖ در‪ 108‬ﻫﻤﮕﻦ‬

‫ﺑﺎﺷﺪ و ﺑﺎﻳﺪ ﺗﺎ درﺟﺔ ﻣﺸﺎﺑﻬﻲ در زﻣﺎنﻫﺎي ﻛﻮﺗﺎه ﭘﺎﻳﺪار ﺑﻤﺎﻧﺪ‪ .‬ﺑﺮاي داﺷﺘﻦ ﭼﻨﻴﻦ ﺧﺼﻮﺻﻴﺎﺗﻲ‪ ،‬ﺑﻪ اﺑﺰارﺳﺎزي‬

‫ﺗﻜﺎﻣﻞ ﻳﺎﻓﺘﻪاي ﻛﻪ ﻣﺠﻬﺰ ﺑﻪ اﺑﺰار ﭘﺲ ﺧﻮر ﺟﻬﺖ ﺗﺼﺤﻴﺢ در اﻓﺖ و ﺧﻴﺰ اﺳﺖ‪ ،‬ﻧﻴﺎز ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫‪ -2‬ﭘﻴﻤﺎﻳﺶﮔﺮ ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬

‫اﺳﺘﻘﺮار ﻳﻚ ﺟﻔﺖ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻣﻮازي ﺑﺎ ﺳﻄﻮح ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‪ ،‬ﺗﻨﺎوب ﻣﻴﺪان اﻋﻤﺎل ﺷﺪه در ﻳﻚ‬

‫ﮔﺴﺘﺮة ﻛﻮﭼﻚ را اﻣﻜﺎنﭘﺬﻳﺮ ﻣﻲﺳﺎزد‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻳﻚ ﺟﺮﻳﺎن ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ از ﻣﻴﺎن اﻳﻦ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻﻫﺎ‪ ،‬ﻣﻴﺪان ﻣﺆﺛﺮ را‬

‫ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺪون از دﺳﺖ دادن ﻫﻤﮕﻨﻲ ﻣﻴﺪان‪ ،‬ﺗﺎ ﭼﻨﺪ ﺻﺪﻣﻴﻠﻲ ﮔﻮس ﺗﻐﻴﻴﺮ داد‪.‬‬

‫ﻣﻌﻤﻮﻻً ﻗﺪرت ﻣﻴﺪان ﺑﻪ ﻃﻮر ﺧﻮدﻛﺎر و ﺑﻪ ﻃﻮر ﺧﻄﻲ ﺑﺎ زﻣﺎن ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻛﻨﺪ و اﻳﻦ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺑﺎ ﺣﺮﻛﺖ ﻛﺎﻏﺬ‬

‫ﺛﺒﺎت ﻫﻤﺰﻣﺎن اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺮاي ﻳﻚ دﺳﺘﮕﺎه ‪ 60‬ﻣﮕﺎﻫﺮﺗﺰي‪ ،‬ﮔﺴﺘﺮة ﭘﻴﻤﺎﻳﺶ ﻣﻴﺪان ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 1000‬ﻫﺮﺗﺰ )‪235‬‬

‫ﻣﻴﻠﻲﮔﻮس( ﻳﺎ ﭼﻴﺰي ﺣﺪود آن اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪ -3‬ﻣﻨﺒﻊ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ رادﻳﻮﻳﻲ‬

‫ﻋﻼﻣﺖ ﺣﺎﺻﻞ از ﻳﻚ ﻧﻮﺳﺎﻧﮕﺮ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ رادﻳﻮﻳﻲ )ﻓﺮﺳﺘﻨﺪه( ﺑﻪ داﺧﻞ ﻳﻚ زوج ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﻲ ﻛﻪ ﻋﻤﻮد ﺑﺮ‬

‫ﻣﺴﻴﺮ ﻣﻴﺪان ﻧﺼﺐ ﺷﺪهاﻧﺪ‪ .‬ﺧﻮراﻧﺪه ﻣﻲﺷﻮد و در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﻳﻚ ﭘﺮﺗﻮ ﺗﺎﺑﺶ ﻗﻄﺒﻴﺪة ﻣﺴﻄﺢ ﺑﻪ دﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪.‬‬

‫ﻣﻌﻤﻮﻻً از ﻳﻚ ﻧﻮﺳﺎﻧﮕﺮ ﺛﺎﺑﺖ دﻗﻴﻘﺎً ‪ 60‬ﻣﮕﺎﻫﺮﺗﺰي اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺮاي ﻛﺎر ﺑﺎ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﺑﺎﻳﺪ ﺗﺎ‬

‫ﺣﺪود ﻳﻚ ﻗﺴﻤﺖ در ‪ 10 8‬ﺛﺎﺑﺖ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺗﻮان ﺧﺮوﺟﻲ اﻳﻦ ﻣﻨﺒﻊ ﻛﻤﺘﺮ از وات اﺳﺖ و ﺑﺎﻳﺪ ﺗﺎ ﺷﺎﻳﺪ ﺑﻪ ﻣﻘﺪار ﻳﻚ‬

‫درﺻﺪ در ﻳﻚ ﻓﺎﺻﻠﻪ زﻣﺎﻧﻲ ﭼﻨﺪﻳﻦ دﻗﻴﻘﻪ ﺛﺎﺑﺖ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫‪ -4‬آﺷﻜﺎرﺳﺎز و ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺛﺒﺎت‪:‬‬

‫ﻋﻼﻣﺖ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ رادﻳﻮﻳﻲ اﻳﺠﺎد ﺷﺪه ﺗﻮﺳﻂ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎي در ﺣﺎل رزوﻧﺎﻧﺲ‪ ،‬ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﻲ ﻛﻪ ﻇﺮف‬

‫‪129‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻧﻤﻮﻧﻪ را اﺣﺎﻃﻪ ﻛﺮده اﺳﺖ و ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻋﻤﻮد ﺑﺮ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ ﻣﻨﺒﻊ ﻗﺮار دارد‪ ،‬آﺷﻜﺎر ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻋﻼﻣﺖ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬

‫ﺗﻮﻟﻴﺪ ﺷﺪه در ﺳﻴﻢﭘﻴﭻﻫﺎ ﻛﻮﭼﻚ اﺳﺖ و ﺑﺎﻳﺪ ﺑﻪ ﺿﺮﻳﺒﻲ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 10 5‬ﻳﺎ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺗﻘﻮﻳﺖ ﮔﺮدد ﺗﺎ ﺑﺘﻮاﻧﺪ ﺛﺒﺖ ﺷﻮد‪.‬‬

‫‪ -5‬ﻇﺮف ﻧﮕﻬﺪارﻧﺪه ﻧﻤﻮﻧﻪ‪:‬‬

‫ﺳﻠﻮل ﻣﺘﺪاول ﺑﺮاي ﻧﻤﻮﻧﻪ در ‪ NMR‬ﻣﺮﻛﺐ از ﻳﻚ ﻟﻮﻟﻪ ﺷﻴﺸﻪاي ﺑﻪ ﻗﻄﺮ ‪ 5‬ﻣﻴﻠﻲﻣﺘﺮ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺣﺪود ‪0/4‬‬

‫ﻣﻴﻠﻲﻣﺘﺮ از ﻣﺎﻳﻊ در آن ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ .‬ﻟﻮﻟﻪﻫﺎي ﻛﻮﭼﻜﺘﺮ ﺑﺮاي ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺣﺠﻢ ﻛﻤﺘﺮ ﻧﻴﺰ در دﺳﺘﺮس اﺳﺖ]‪[2‬‬

‫‪.‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪ -2‬ﻇﺮف ﻧﮕﻬﺪاري ﻧﻤﻮﻧﻪ در دﺳﺘﮕﺎه ‪NMR‬‬

‫ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ‬

‫‪ -1‬ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻴﻜﺮوﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﻛﻮﭼﻚ و ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت آﻟﻲ ﻣﻮﺟﻮد در ﻣﺤﻮلﻫﺎ]‪.[4‬‬

‫‪ -2‬ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻣﻮاد ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ‪ NMR‬ﻳﻚ ﺑﻌﺪي ]‪.[5‬‬

‫‪ -3‬ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﺑﺴﻴﺎر ﭘﻴﭽﻴﺪه ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ‪ NMR‬دو ﺑﻌﺪي ]‪.[5‬‬

‫‪130‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪ -4‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﻣﻮاد ﺟﺎﻣﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ‪ NMR‬ﺣﺎﻟﺖ ﺟﺎﻣﺪ ]‪.[5‬‬

‫‪ -5‬ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﻓﻴﺰﻳﻮﻟﻮژي ﺳﻠﻮلﻫﺎ و ﻏﻠﻈﺖ درون ﻳﺎﺧﺘﻪﻫﺎي ﺳﻠﻮﻟﻲ ]‪.[6‬‬

‫‪ -6‬روش ﻫﺎي ‪ NMR‬ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﻗﺎدر ﺑﻪ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻧﺎﻧﻮﻳﻲ ﻳﺎ ﭘﺪﻳﺪه ﻫﺎي ﻫﻤﺮاه ﺑﺎ‬

‫ﺟﺪاﺳﺎزي ﺑﺎ درﺟﻪ ﺧﻠﻮص در ﻣﻘﻴﺎس ﻧﺎﻧﻮ ﻧﻴﺴﺘﻨﺪ‪ .‬زﻳﺮا ﻛﻪ اﻧﺪازه ﻫﺎي ﻧﺎﻧﻮﻳﻲ ﻧﻴﺎز ﺑﻪ ‪ 1018‬اﺳﭙﻴﻦ‬

‫ﻫﺴﺘﻪاي ﺑﺮاي ﺗﻮﻟﻴﺪ ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻫﺎي ﻗﺎﺑﻞ ﻣﻼﺣﻈﻪ دارد از اﻳﻦ رو روشﻫﺎي رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻫﺴﺘﻪ‬

‫اي ‪ Beta‬ﻛﻪ ﺑﻌﺪاً ﺗﻮﺳﻌﻪ ﭘﻴﺪا ﻛﺮده ﺳﻴﮕﻨﺎل ﻫﺎي درﻳﺎﻓﺘﻲ آن ﺑﺴﻴﺎر ﺣﺴﺎس و در ﺣﺪود ‪ 10‬ﺑﺮاﺑﺮ‬

‫روش ﻫﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ اﺳﺖ ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺧﺼﻮﺻﻴﺎت ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ و اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﻻﻳﻪﻫﺎ و ﺳﻄﻮح ﺑﺴﻴﺎر‬

‫ﻧﺎزك در ﻣﻘﻴﺎس ﻧﺎﻧﻮ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲ رود]‪.[3‬‬

‫‪ -7‬اراﻳﻪ اﻃﻼﻋﺎت ﺳﺎﺧﺘﺎري ﺑﺎ دﻗﺖ ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ از ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي ﭘﻴﭽﻴﺪه ﺑﻴﻮﻟﻮژﻳﻚ ﻣﺎﻧﻨﺪ وﻳﺮوسﻫﺎ ]‪.[7‬‬

‫ﻣﺮاﺟﻊ‬

‫‪ -1‬ﻣﻌﺼﻮﻣﻲ ﻋﻠﻲ‪ ،‬ﺷﻴﻤﻲ دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ ‪ ،‬داﻧﺸﮕﺎه آزاد اﺳﻼﻣﻲ واﺣﺪ ﺗﻬﺮان ﺷﻤﺎل‪ ،‬ﭼﺎپ اول ‪ ،1374‬ص ‪544‬‬

‫‪ -2‬آزاد و ﻫﻤﻜﺎران ‪ ،‬اﺻﻮل ﺗﺠﺰﻳﺔ دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ‪ ،‬ﺟﻠﺪ اول ﻣﺮﻛﺰ ﻧﺸﺮ داﻧﺸﮕﺎﻫﻲ‪ ،‬ﭼﺎپ ﭼﻬﺎرم ‪ ،1374‬ص ‪456‬‬
‫‪3-ww.triumf.info/public/repository/Hb/Hb200309.pdf "The Basis of Nanotechnology‬‬
‫‪Development at TRIUMF: How Application Begin ", Canada's Nanotechnology Laratory‬‬
‫‪For Particle And nuclear Physics‬‬
‫‪4-www.Cem.msu.edu/~reusch/virtual.tekd/Spectrpy/nmr/nmr1.ntm-‬‬
‫‪5-http://www.cis.rit.edu/htbooks /nmr/inside.htm the Basic of NMR‬‬

‫‪6- the application of nuelear magnetic resonance to the Study of cellular phjsioligg" ,‬‬
‫‪1984, American Physiological Soeiety,‬‬
‫‪-7‬ﻣﻐﺮﺑﻲ‪ ،‬ﺷﺎﻫﻮردي‪ ،‬ﺳﻤﺖ و ﺳﻮي ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت در ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ‪ ،‬ﭘﺎﻳﻴﺰ ‪ ،1383‬ﭼﺎپ اول‪ ،‬ص‪344‬‬

‫‪131‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ ‪ -1‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ NMR‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﺮان‬

‫)‪Nuclear Magnetic Resonance (NMR‬‬ ‫رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻫﺴﺘﻪ‬

‫ﻧﻮع ﻋﻀﻮﻳﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪Avance400 MHZ‬‬ ‫ﭘﮋوﻫﺸﮕﺎه ﭘﻠﻴﻤﺮ و ﭘﺘﺮوﺷﻴﻤﻲ اﻳﺮان‬ ‫‪1‬‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺷﻬﻴﺪ ﺑﻬﺸﺘﻲ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪Avance 300MHZ‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﭘﮋوﻫﺸﻜﺪه ﮔﻴﺎﻫﺎن داروﺋﻲ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺮﺑﻴﺖ ﻣﻌﻠﻢ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪Avance 300MHz‬‬ ‫‪3‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﺷﻴﻤﻲ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪Avance80MHZ‬‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه ﺳﻴﺴﺘﺎن و ﺑﻠﻮﭼﺴﺘﺎن‬ ‫‪4‬‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺮﺑﺒﻴﺖ ﻣﺪرس‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪500MHZ‬‬ ‫‪5‬‬
‫داﻧﺸﻜﺪه ﻋﻠﻮم ﭘﺎﻳﻪ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺻﻨﻌﺘﻲ اﻣﻴﺮ ﻛﺒﻴﺮ‬

‫رزرو‬ ‫‪300MHZ‬‬ ‫‪5‬‬
‫ﭘﻠﻴﻤﺮ و ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ‬

‫‪Avance 200MHZ‬‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه رازي ﻛﺮﻣﺎﻧﺸﺎه‬

‫رزرو‬ ‫‪6‬‬
‫‪َAvance 60 MHZ‬‬ ‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﺷﻴﻤﻲ ﺗﺠﺰﻳﻪ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺒﺮﻳﺰ‬
‫رزرو‬ ‫‪Avance 400MHZ‬‬ ‫‪7‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه داﻧﺸﻜﺪه ﺷﻴﻤﻲ‬

‫‪132‬‬
 ‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ ‪ -2‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ‪NMR‬‬

‫)‪Nuclear Magnetic Resonance (NMR‬‬ ‫رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻫﺴﺘﻪ‬

‫ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ‬ ‫ﺷﺮﻛﺖ و ﻛﺸﻮر ﺳﺎزﻧﺪه‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫‪ Bruker‬آﻟﻤﺎن‬ ‫‪Avance500 MHZ‬‬ ‫‪1‬‬

‫ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭘﺮوﺗﺌﻴﻦ ﻫﺎي ﺑﺰرﮔﺘﺮ از ‪ 10‬ﺗﺎ ‪ 15‬ﻛﻴﻠﻮ داﻟﺘﻮن‬ ‫‪ Bruker‬آﻟﻤﺎن‬ ‫‪Avance 600 MHZ‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪ Bruker‬آﻟﻤﺎن‬ ‫‪Avance 750 MHZ‬‬ ‫‪3‬‬

‫ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭘﺮوﺗﻴﻴﻦ ﻫﺎي ﺑﺰرﮔﺘﺮ از ‪ 20‬ﺗﺎ ‪ 25‬ﻛﻴﻠﻮ داﻟﺘﻮن‬ ‫‪ Bruker‬آﻟﻤﺎن‬ ‫‪Avance 800 MHZ‬‬ ‫‪4‬‬

‫‪ Bruker‬آﻟﻤﺎن‬ ‫‪Avance 900 MHZ‬‬ ‫‪5‬‬

‫از ﺗﺮﻛﻴﺐ ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻣﺎﻳﻊ و ‪ NMR‬ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‬ ‫‪ Bruker‬آﻟﻤﺎن‬

‫‪ Bruker‬اﻣﺮﻳﻜﺎ‬
‫در ﻣﺪﻟﻬﺎي ‪ 500 ،400‬و ‪ 600‬ﻣﻮﺟﻮد ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ‬
‫‪LC-NMR‬‬ ‫‪6‬‬
‫‪ Bruker‬ﮋاﭘﻦ‬
‫ﺑﺮاي اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻫﺎي در ﻣﺤﺪوده ‪ 10‬ﻧﺎﻧﻮ ﻣﺘﺮ دز ﻛﻤﺘﺮ‬
‫از ‪ 1‬ﺳﺎﻋﺖ ﻛﺎرﺑﺮد دارد‪.‬‬ ‫‪ Bruker‬اﻧﮕﻠﺴﺘﺎن‬

‫از ﺗﺮﻛﻴﺐ ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻣﺎﻳﻊ و ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ ﺑﺎ‬

‫‪ Bruker‬آﻟﻤﺎن‬ ‫‪LC-NMR/MS‬‬ ‫‪7‬‬
‫‪ NMR‬ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‬

‫‪133‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪ -16-2‬ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ راﻣﺎن )‪(RAMAN‬‬

‫ﺑﺮﻫﻢﻛﻨﺶ ﻧﻮر ﺑﺎ ﻣﺎده در ﻧﺎﺣﻴﻪ زﻳﺮ ﻗﺮﻣﺰ ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﺑﻪ دو ﺻﻮرت ﺟﺬب و ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ اﻧﺠﺎم ﮔﻴﺮد‪ .‬اﻳﻦ دو‬

‫ﭘﺪﻳﺪه اﺳﺎس ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ و اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ﺑﻪ دو روش ﻃﻴﻒ ﻧﻮرﺳﻨﺠﻲ ﺟﺬﺑﻲ زﻳﺮﻗﺮﻣﺰ و ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ راﻣﺎن‬

‫را ﺗﺸﻜﻴﻞ ﻣﻲدﻫﻨﺪ‪.‬‬

‫ﭘﺪﻳﺪه ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ راﻣﺎن‪ ،‬داراي ﻋﻼﻣﺖ ﺿﻌﻴﻔﻲ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻪ ﻫﻤﻴﻦ دﻟﻴﻞ ﺗﺎ ﺳﺎل ‪ 1982‬اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه ﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﻧﺸﺪه‬

‫ﺑﻮد‪ .‬اﻟﺒﺘﻪ ﺑﺎﻳﺪ ﺧﺎﻃﺮ ﻧﺸﺎن ﻧﻤﻮد ﻛﻪ ﭼﻨﺪﻳﻦ ﺳﺎل ﻗﺒﻞ از ﻛﺸﻒ ﭘﺪﻳﺪه راﻣﺎن‪ ،‬ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ ﻧﻮر ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ ﺟﺎﻣﺪات‪،‬‬

‫ﻣﺎﻳﻌﺎت و ﮔﺎزﻫﺎي ﺷﻔﺎف ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺑﻮد‪ .‬ﭼﻨﺪ ﻣﺎه ﭘﺲ از ﻛﺸﻒ راﻣﺎن‪ ،‬ﻓﻴﺰﻳﻜﺪاﻧﺎن روﺳﻲ ﺑﻪ‬

‫ﻃﻮر ﻣﺴﺘﻘﻞ در زﻣﻴﻨﻪ وﺟﻮد اﻳﻦ اﺛﺮ در ﺑﻠﻮرﻫﺎ ﺑﻪ ﻧﺘﺎﻳﺞ ﺟﺎﻟﺒﻲ دﺳﺖ ﻳﺎﻓﺘﻨﺪ و اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه را ﺑﻪ ﺟﺎي اﺛﺮ راﻣﺎن‪،‬‬

‫ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ ﻣﺮﻛﺐ ﻧﺎﻣﻴﺪﻧﺪ‪.‬‬

‫در ﺳﺎﻟﻴﺎن اﺧﻴﺮ ﭘﻴﺸﺮﻓﺖ ﺗﻜﻨﻴﻚﻫﺎي ﻟﻴﺰري ﻣﻮﺟﺐ ﺑﺮرﺳﻲ ﺑﻴﺸﺘﺮ در ﻣﻮرد اﺛﺮ راﻣﺎن و ﻛﺸﻒ ﺗﻌﺪادي از‬

‫ﭘﺪﻳﺪهﻫﺎي ﻣﺮﺗﺒﻂ ﺑﻪ آن ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﻮاﻧﺎﻳﻲﻫﺎي ﻟﻴﺰر از ﺟﻤﻠﻪ ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ ﺗﺸﺪﻳﺪ‪ ،‬ﺗﻤﺮﻛﺰ و اﻫﻤﻴﺖ اﻳﻦ‬

‫ﺧﻮاص در راﺑﻄﻪ ﺑﺎ ﭘﺪﻳﺪه راﻣﺎن‪ ،‬ﻟﻴﺰر ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﻨﺒﻊ ﻣﻨﺎﺳﺒﻲ ﺑﺮاي ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ راﻣﺎن ﺑﻪ ﺷﻤﺎر ﻣﻲرود‪ .‬در اﻳﻦ‬

‫روش ﻋﻤﻮﻣﺎً از ﻟﻴﺰرﻫﺎي آرﮔﻮن و ﻛﺮﻳﭙﺘﻮن اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪) .‬ﭼﻮن ﻣﻮج ﭘﻴﻮﺳﺘﻪ ﺑﺎﻻﻳﻲ دارﻧﺪ(‪ .‬اﻟﺒﺘﻪ اﻏﻠﺐ‬

‫ﻟﻴﺰرﻫﺎي رﻧﮕﻴﻨﻪاي ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻨﻈﻴﻢ در ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ راﻣﺎن ﺑﻪ ﻛﺎر ﺑﺮده ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬

‫ﻃﺮح ﺳﺎدهاي از ﻳﻚ ﻃﻴﻒ ﺑﻴﻦ ﻟﻴﺰري راﻣﺎن در ﺷﻜﻞ زﻳﺮ ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ ]‪.[1‬‬

‫‪134‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -1‬ﻃﻴﻒ ﺑﻴﻦ ﻟﻴﺰري راﻣﺎن‪.‬‬

‫ﻧﻮر ﺗﻜﻔﺎم ﻟﻴﺰر ‪ He-Ne‬ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺷﺮاﻳﻂ ﻣﻴﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪ و ﻫﺪف آزﻣﺎﻳﺶ ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ ﻋﺪﺳﻲ ‪ L 1‬ﻣﺘﻤﺮﻛﺰ و ﻳﺎ ﺑﺎز‬

‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻧﻤﻮﻧﻪ در ﺳﻠﻲ ﻗﺮار دارد ﻛﻪ ﺑﺎﻳﺪ از ﺷﻔﺎﻓﻴﺖ ﻣﻨﺎﺳﺒﻲ ﺑﺮﺧﻮردار ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺗﺎﺑﺶ ﭘﺲ از ﻋﺒﻮر از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﻪ‬

‫آﻳﻴﻨﻪ ﻣﻘﻌﺮ ‪ M 1‬ﺑﺮﺧﻮرد و ﭘﺮﺗﻮﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ ﻧﻴﺎﻓﺘﻪاﻧﺪ دوﺑﺎره ﺑﻪ ﺳﻮي ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺎز ﻣﻲﮔﺮدﻧﺪ‪ .‬ﺑﺪﻳﻦ ﺗﺮﺗﻴﺐ‬

‫ﻣﻴﺎن ﮔﺬري ﻧﻮري اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ‪ .‬ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﭘﺮاﻛﻨﺪه ﺷﺪه در ﺟﻬﺖﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﻋﺪﺳﻲ ﻫﻤﮕﺮا ) ‪2‬‬

‫‪(L‬ﻛﻪ در ﻳﻚ ﻃﺮف ﺳﻞ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺗﻌﺒﻴﻪ ﮔﺮدﻳﺪه‪ ،‬ﺟﻤﻊآوري ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬از ﺳﻮي دﻳﮕﺮ ﻳﻚ آﻳﻴﻨﻪ ﻣﻘﻌﺮ ) ‪ (M 2‬ﺑﺮاي‬

‫اﻓﺰاﻳﺶ ﭘﺮﺗﻮﻫﺎي ﭘﺮاﻛﻨﺪه ﺷﺪه در ﺳﻤﺖ ﻣﻘﺎﺑﻞ دﺳﺘﮕﺎه ﻗﺮار دارد‪ .‬ﻗﻄﺒﺶ ﭘﺮﺗﻮ ﺧﺮوﺟﻲ از ﻋﺪﺳﻲ ﺗﻮﺳﻂ‬

‫ﻗﻄﺒﺶ ﺳﻨﺞ )‪ (P‬ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﻲ ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ .‬در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ اﻳﻦ اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺻﻮرت ﻧﭙﺬﻳﺮد‪ ،‬ﭘﺮﺗﻮ ﻣﺴﺘﻘﻴﻤﺎ‬

‫وارد ﺗﻜﻔﺎمﺳﺎز ﭘﻴﻤﺎﻳﺸﻲ ﻣﻲﺷﻮد و ﺳﭙﺲ ﺑﻪ ﻳﻚ آﺷﻜﺎر ﺳﺎز )‪ (PM‬ﻫﺪاﻳﺖ ﻣﻲﮔﺮدد‪ .‬از آﻧﺠﺎ ﻛﻪ ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ‬

‫راﻣﺎن ﺷﺪت ﺿﻌﻴﻔﻲ دارد ﻟﺬا از ﻳﻚ ﺗﻘﻮﻳﺖ ﻛﻨﻨﺪه اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ )‪ (A‬اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻧﻬﺎﻳﺘﺎً ﺑﻪ ﻛﻤﻚ ﺛﺒﺎت‬

‫)‪ (CR‬ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺷﺪت ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺛﺒﺖ ﻣﻲﮔﺮدد‪ .‬اﻟﺒﺘﻪ ﺑﺮاي ﻛﻨﺘﺮل ﻛﻞ ﺳﻴﺴﺘﻢ‪،‬اؤ ﻳﻚ دﺳﺘﮕﺎه‬

‫ﻫﻤﺎﻫﻨﮓ ﻛﻨﻨﺪه )‪ (D‬ﻧﻴﺰ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫‪135‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ‬

‫ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ راﻣﺎن ﺑﺮاي ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻮﻟﻜﻮﻟﻲ ﺑﺴﻴﺎر ﻣﻨﺎﺳﺐ اﺳﺖ ﺑﺎ اﻳﻦ روش ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي‬

‫ﭼﺮﺧﺸﻲ و ارﺗﻌﺎﺷﻲ ﻣﻮﻟﻜﻮل‪ ،‬ارزﻳﺎﺑﻲ ﻫﻨﺪﺳﻲ و ﺣﺘﻲ ﺗﻘﺎرن ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎ اﻣﻜﺎن ﭘﺬﻳﺮ اﺳﺖ‪ .‬در ﺑﺮﺧﻲ ﻣﻮارد ﻛﻪ‬

‫اﻣﻜﺎن ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﻮﻟﻜﻮﻟﻲ وﺟﻮد ﻧﺪارد‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺎ ﺗﻜﻴﻪ ﺑﺮ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲﻫﺎي ﺛﺒﺖ ﺷﺪه‪ ،‬ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻦ اﺗﻢﻫﺎ در‬

‫ﻳﻚ ﻣﻮﻟﻜﻮل را ﺑﺮرﺳﻲ ﻛﺮد‪ .‬اﻃﻼﻋﺎﺗﻲ ﻛﻪ ﺗﻮﺳﻂ ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ و راﻣﺎن ﺑﻪ دﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪ ،‬ﺑﺴﻴﺎر‬

‫ﻣﺸﺎﺑﻪ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﺗﺎزﮔﻲ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭘﻴﭽﻴﺪه ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي زﻳﺴﺘﻲ ﺑﺎ ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ راﻣﺎن ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻃﻴﻒ‬

‫راﻣﺎن اﻃﻼﻋﺎت ﺑﺎ ارزﺷﻲ را ﻧﻴﺰ در زﻣﻴﻨﻪ ﻓﻴﺰﻳﻚ ﺣﺎﻟﺖ ﺟﺎﻣﺪ اراﺋﻪ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﭼﻮن ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ راﻣﺎن را ﻣﻲﺗﻮان‬

‫ﺑﻪ راﺣﺘﻲ ﺑﺮاي ﻣﻄﺎﻟﻌﺔ اﺟﺰاء و ﮔﺮوهﻫﺎي ﺷﻴﻤﻴﺎﺋﻲ در ﻣﺤﻴﻂ آب ﺑﻪ ﻛﺎرﺑﺮده اﺳﺘﻔﺎده از اﻳﻦ ﺗﻜﻨﻴﻚ در ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ‬

‫ﻣﻮﺟﻮدات زﻧﺪه از اﻫﻤﻴﺖ ﺧﺎﺻﻲ ﺑﺮﺧﻮردار اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺑﺮﺧﻲ از ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي ﻣﻬﻢ ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ راﻣﺎن در ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ ﻋﺒﺎرﺗﺴﺖ از‪:‬‬

‫‪ -1‬ﺷﻨﺎﺳﺎﺋﻲ و ﺟﺪاﺳﺎزي ﺑﺮﺧﻲ از ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت آﻟﻲ و ﻣﻌﺪﻧﻲ ]‪[2‬‬

‫‪-2‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﻴﻤﻴﺎﺋﻲ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ]‪[2‬‬

‫‪-3‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺷﺮاﻳﻂ ﻣﺮزي ﺑﺮاي ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ در ﻧﺰدﻳﻜﻲ ﺳﻄﺢ ]‪[3‬‬

‫‪-4‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ راﻣﺎن ﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ذرات ﻧﺎﻧﻮﻣﻘﻴﺎس ﺑﺮﺧﻲ از ﻣﻠﻜﻮﻟﻬﺎي آﻟﻲ ]‪ [4‬و ﻧﺎﻧﻮ‬

‫ﻛﺮﻳﺴﺘﺎﻟﻬﺎي ‪ [5] DNA‬و ﻧﺎﻧﻮ ﺗﻴﻮپ ﻛﺮﺑﻦ ]‪ [6‬ﻣﻲ ﺗﻮان اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد‪.‬‬

‫‪ -5‬ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻗﻄﺮ ﻛﺮﺑﻦ ]‪ [7‬و ﻛﺎﻳﺮاﻟﻴﺘﻪ ﻛﺮﺑﻦ ]‪) [8‬ﻛﺮﺑﻦ ﻛﺎﻳﺮال‪ ،‬ﻛﺮﺑﻨﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﭼﻬﺎر ﮔﺮوه اﺗﻢ ﻣﺘﺼﻞ‬

‫ﺑﻪ آن ﻣﺘﻔﺎوت ﺑﺎﺷﺪ( و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻗﻄﺮ ﻧﺎﻧﻮ ذرات ﻣﻌﺪﻧﻲ ]‪ [8‬ﻣﻲ ﺗﻮان از ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ راﻣﺎن اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد‪.‬‬

‫‪136‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣﺮاﺟﻊ‬

1- D. A. Skoog, D. M. West Holt, "Principle of Instrumental Analysi"s, Saunders

College Publishing, Sixth edition, 1994.

2- B. Dragnea, "Near Filed Scanning Optical Microscopy": Chemical Imaging,

Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, Dekker Publication, 2004.

3- Hallen H.D. Ayars E.J. Jahncke C.L., "The effects of probe boundary conditions and
propagation on nano-Raman spectroscopy", Journal of Microscopy, vol. 210, no. 3,
pp. 252-254(3), 2003.

4- Y. Inouye, N. Hayazawa, K. Hayashi, Z. Sekkat and S. Kawata, Proc. SPIE, 3791, 40

(1999).

5- N. Hayazawa, Y. Inouye, Z. Sekkat, and S. Kawata, J. Chem. Phys., 117, 1296 2002.

6- N. Hayazawa, T.Yano, H. Watanabe, Y. Inouye, and S. Kawata, Chem. Phys.

Lett.,376, 174, 2003.

7-. D. Roy a, Manish Chhowalla b,*, H. Wang c, N. Sano c, I. Alexandrou c, T.W.

Clyne a, G.A.J. Amaratunga , Characterisation of carbon nano-onions using Raman
spectroscopy, Chemical Physics Letters 373, 2003, 52–56, 2003.

8- Tomoya Ohno, Daisuke Suzuki, and Hisao Suzuki Size Effect for Barium Titanate
Nano-particles, KONA, No.22, 2004.

137
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ‪ -1‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ Raman‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻛﺸﻮر‬

‫)‪Raman Spectroscopy (Raman‬‬ ‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ راﻣﺎن‬

‫ﻧﻮع‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻋﻤﻮﻣﻲ وﻣﺮﻛﺰي‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪FRA106/S‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﭘﮋوﻫﺸﮕﺎه ﭘﻠﻴﻤﺮ و ﭘﺘﺮوﺷﻴﻤﻲ اﻳﺮان‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ‪ – 2‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ ‪Raman‬‬

‫)‪Raman Spectroscopy (Raman‬‬ ‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ راﻣﺎن‬

‫ﻛﺸﻮر‬ ‫ﺷﺮﻛﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫‪Germany‬‬ ‫‪Bruker‬‬ ‫‪FRA 106/s‬‬ ‫‪1‬‬

‫‪Unite State‬‬ ‫‪Thermo Nicolet‬‬ ‫‪960‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪138‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫)‪(HPLC‬‬ ‫‪-17-2‬ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻣﺎﻳﻊ ﺑﺎ ﻛﺎراﺋﻲ ﺑﺎﻻ‬

‫ﺗﺴﻮت‪ ،‬ﮔﻴﺎه ﺷﻨﺎس روﺳﻲ ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻛﺎﺷﻒ ﭘﺪﻳﺪه ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬او در اواﺧﺮ ﻗﺮن‬

‫ﻧﻮزدﻫﻢ ﺑﺮاي ﺟﺪاﺳﺎزي رﻧﮕﺪاﻧﻪﻫﺎي ﺑﺮگ ﺳﺒﺰ از ﻳﻚ ﺳﺘﻮن ﭘﺮﺷﺪه ﺑﺎ ﻛﻠﺴﻴﻢ ﻛﺮﺑﻨﺎت اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد‪ .‬ﭘﺲ از‬

‫او‪ ،‬داﻧﺸﻤﻨﺪان زﻳﺎدي در ﺗﻮﺳﻌﻪ ﺗﺌﻮري و روش ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻧﻘﺶ داﺷﺘﻪاﻧﺪ‪ .‬از ﺟﻤﻠﻪ ﻣﺎرﺗﻴﻦ و ﺳﻴﻨﺞ ﻛﻪ ﺑﻪ‬

‫ﻋﻠﺖ ﺗﻮﺻﻴﻒ ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺗﻘﺴﻴﻤﻲ ﻣﻮﻓﻖ ﺑﻪ اﺧﺬ ﺟﺎﻳﺰه ﻧﻮﺑﻞ در ﺳﺎل ‪ 1952‬ﺷﺪﻧﺪ‪ .‬در ﻫﻤﺎن ﺳﺎل ﻣﺎرﺗﻴﻦ ﺑﻪ‬

‫ﻫﻤﺮاه ﺟﻴﻤﺰ روش ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎز‪ -‬ﻣﺎﻳﻊ را ﻣﻌﺮﻓﻲ ﻧﻤﻮد‪ .‬ﺗﻼشﻫﺎ و ﻛﻮﺷﺶﻫﺎي اﻳﻦ داﻧﺸﻤﻨﺪان ﺑﺎﻋﺚ‬

‫ﮔﺮدﻳﺪ ﺗﺎ اﻣﺮوزه اﻳﻦ روش ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻳﻜﻲ از ﻣﻬﻤﺘﺮﻳﻦ روشﻫﺎي ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ در ﺗﻤﺎﻣﻲ ﺷﺎﺧﻪﻫﺎي ﺷﻴﻤﻲ و‬

‫ﻋﻠﻮم زﻳﺴﺘﻲ ﻣﻄﺮح ﺷﻮد‪.‬‬

‫واژه ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ اﻣﺮوزه ﺑﻪ دﺳﺘﻪاي از روشﻫﺎ اﻃﻼق ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ در آﻧﻬﺎ ﺟﺪاﺳﺎزي اﺟﺰاء ﻣﻮﺟﻮد در‬

‫ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺨﻠﻮط‪ ،‬ﺑﺮ اﺳﺎس ﺗﻤﺎﻳﻞ ﻧﺴﺒﻲ ﻫﺮ ﺟﺰء ﺑﻪ ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ ﻫﻨﮕﺎم ﻋﺒﻮر ﻓﺎز ﻣﺘﺤﺮك از روي و ﻳﺎ درون ﻓﺎز‬

‫ﺳﺎﻛﻦ اﺳﺖ‪ .‬ﮔﻮﻧﻪاي ﻛﻪ ﺗﻤﺎﻳﻞ ﺑﻴﺸﺘﺮي ﺑﻪ ﻓﺎز ﻣﺘﺤﺮك دارد ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺖ ﺑﻴﺸﺘﺮي ﺣﺮﻛﺖ ﻣﻲﻛﻨﺪ و ﺑﺎﻟﻌﻜﺲ‬

‫ﮔﻮﻧﻪاي ﻛﻪ ﺑﻪ ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ ﺗﻤﺎﻳﻞ ﺑﻴﺸﺘﺮي دارد‪ ،‬ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺖ ﻛﻤﺘﺮي در ﻃﻮل ﺳﺘﻮن ﺣﺮﻛﺖ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪.‬‬

‫ﺑﻪ ﻋﻠﺖ آن ﻛﻪ ﻣﻮاد ﺑﺎ درﺟﺎت ﮔﻮﻧﺎﮔﻮن ﺑﻪ ﻓﺎزﻫﺎي ﺳﺎﻛﻦ ﺗﻤﺎﻳﻞ دارﻧﺪ‪ ،‬ﻣﻲﺗﻮان از اﻳﻦ ﺧﺎﺻﻴﺖ ﺟﻬﺖ‬

‫ﺟﺪاﺳﺎزي آﻧﻬﺎ از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد‪ .‬زﻣﺎن ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز ﺑﺮاي ﺣﺮﻛﺖ ﻫﺮ ﺟﺰء در ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻣﺸﺨﺺ را ﻣﻲﺗﻮان‬

‫ﺑﺮاي ﺗﺠﺰﻳﻪﻫﺎي ﻛﻴﻔﻲ ﺑﻪ ﻛﺎر ﺑﺮد‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻣﻘﺪار اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﺷﺪه ﺑﺮاي ﻫﺮ ﺟﺰء ﺟﺪا ﺷﺪه ﻧﻴﺰ ﺟﻬﺖ ﺗﺠﺰﻳﻪ‬

‫ﻛﻤﻲ ﺳﻮدﻣﻨﺪ اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪139‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻃﺒﻴﻌﺖ ﻓﺎزﻫﺎي ﺳﺎﻛﻦ و ﻣﺘﺤﺮك ﺑﻪ دﺳﺘﻪﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻔﻲ ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﺮﺧﻲ‬

‫از روشﻫﺎي ﻣﺘﺪاول ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ در ﺟﺪول ‪ 1‬ذﻛﺮ ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺟﺪول ‪ -1‬روشﻫﺎي ﻣﺘﺪاول ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ]‪.[1‬‬

‫ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ‬ ‫ﻓﺎز ﻣﺘﺤﺮك‬ ‫ﻧﻮع‬

‫ﻣﺎﻳﻊ ﺟﺬب ﺷﺪه روي ﺟﺎﻣﺪ‬ ‫ﮔﺎز‬ ‫ﮔﺎز‪ -‬ﻣﺎﻳﻊ‬

‫ﺟﺎﻣﺪ‬ ‫ﮔﺎز‬ ‫ﮔﺎز‪ -‬ﺟﺎﻣﺪ‬

‫ﻣﺎﻳﻊ‬ ‫ﻣﺎﻳﻊ‬ ‫زوج ﻳﻮن‬

‫رزﻳﻦ ﺗﺒﺎدل ﻳﻮن‬ ‫ﻣﺎﻳﻊ‬ ‫ﺗﺒﺎدل ﻳﻮن‬

‫ﻣﺎﻳﻊ ﺟﺬب ﺷﺪه روي ﺟﺎﻣﺪ‬ ‫ﻣﺎﻳﻊ‬ ‫ﻣﺎﻳﻊ‪ -‬ﻣﺎﻳﻊ‬

‫ﺟﺎﻣﺪ‬ ‫ﻣﺎﻳﻊ‬ ‫ﻣﺎﻳﻊ – ﺟﺎﻣﺪ‬

‫ﺟﺎﻣﺪ‬ ‫ﻣﺎﻳﻊ‬ ‫ﻻﻳﻪ ﻧﺎزك‬

‫ﻣﺎﻳﻊ روي ﻛﺎﻏﺬ ﺟﺎﻣﺪ‬ ‫ﻣﺎﻳﻊ‬ ‫ﻛﺎﻏﺬ‬

‫ژل‬ ‫ﻣﺎﻳﻊ‬ ‫دﻓﻊ ﺑﺮ اﺳﺎس اﻧﺪازه‬

‫ﮔﻮﻧﻪﻫﺎي آﻟﻲ ﻣﺘﺼﻞ ﺑﻪ ﺳﻄﺢ ﺟﺎﻣﺪ‬ ‫ﻣﺎﻳﻊ ﻓﻮق ﺑﺤﺮاﻧﻲ‬ ‫ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻓﻮق ﺑﺤﺮان‬

‫ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻣﺎﻳﻊ ﻳﻜﻲ از اﻧﻮاع ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻓﺎز ﻣﺘﺤﺮك در آن ﻣﺎﻳﻊ اﺳﺖ‪ .‬ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ‬

‫ﮔﺎزي ﻧﻴﺰ روش دﻳﮕﺮي اﺳﺖ ﻛﻪ در آن ﻓﺎز ﻣﺘﺤﺮك ﮔﺎز اﺳﺖ‪ .‬اﮔﺮ ﻓﺎز ﻣﺘﺤﺮك ﮔﺎز و ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ ﻣﺎﻳﻊ ﺑﺎﺷﺪ‪،‬‬

‫روش را ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎز‪ -‬ﻣﺎﻳﻊ ﻣﻲﻧﺎﻣﻨﺪ‪ .‬روشﻫﺎي ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎز‪ -‬ﺟﺎﻣﺪ‪ ،‬ﻣﺎﻳﻊ‪ -‬ﻣﺎﻳﻊ و ﻣﺎﻳﻊ‪ -‬ﺟﺎﻣﺪ‬

‫ﻧﻴﺰ وﺟﻮد دارﻧﺪ‪.‬‬

‫ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮام‪ ،55‬ﻧﻤﻮداري از ﭘﺎﺳﺦ آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﺑﺮ ﺣﺴﺐ زﻣﺎن‪ ،‬ﺣﺠﻢ ﻓﺎز ﻣﺘﺤﺮك ﻳﺎ ﻓﺎﺻﻠﻪ اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪55‬‬
‫‪- Chromatogram‬‬

‫‪140‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫اﻃﻼﻋﺎت ﻣﻔﻴﺪي ﻧﻈﻴﺮ ﻣﻴﺰان ﭘﻴﭽﻴﺪﮔﻲ ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬ﺗﻌﺪاد اﺟﺰاء ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ‪ ،‬ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻛﻴﻔﻲ اﺟﺰاي ﻧﻤﻮﻧﻪ‪،‬‬

‫درك ﻛﻤﻲ از درﺻﺪ ﮔﻮﻧﻪﻫﺎ ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ و ﻣﺸﺨﺼﻪﻫﺎي ﻛﺎراﻳﻲ ﺳﺘﻮن‪ ،‬ﺑﻪ ﺳﺎدﮔﻲ از ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮام ﻗﺎﺑﻞ‬

‫ﺣﺼﻮل ﻫﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬

‫در ‪ HPLC‬اﻏﻠﺐ از ﺳﺘﻮنﻫﺎي ﭘﺮ ﺷﺪه ﺑﺎ ذرات رﻳﺰ ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪ ﻫﻤﻴﻦ ﻋﻠﺖ ﺳﻄﺢ‬

‫ﺑﻴﺸﺘﺮي از ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ در ﺳﺘﻮن در ﻣﻌﺮض اﺟﺰاء ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد و در ﻧﺘﻴﺠﻪ راﻧﺪﻣﺎن ﺟﺪاﺳﺎزي در اﻳﻦ‬

‫روش ﺑﻴﺸﺘﺮ از ﺳﺎﻳﺮ روشﻫﺎي ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ اﺳﺖ‪.‬‬

‫در ﺳﻴﺴﺘﻢ ‪ HPLC‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻳﻚ ﺳﻮزن ﻣﺨﺼﻮص وارد ﭘﻴﺶ ﺳﺘﻮن ﻣﺮﺑﻮﻃﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻫﻢ زﻣﺎن از ﻳﻚ‬

‫ﺣﻼل ﻣﺨﺼﻮص ﺟﻬﺖ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﺪن ﺑﺎ ﻧﻤﻮﻧﻪ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺳﭙﺲ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺎ ﺣﻼل ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﺷﺪه و‬

‫وارد ﺳﺘﻮن ﻣﺮﺑﻮﻃﻪ ﻣﻲﺷﻮد و ﺑﺮ اﺳﺎس ﻣﻴﺰان ﻗﻄﺒﻴﺖ ﺣﻼل و ﺗﺮﻛﻴﺐ از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺟﺪا ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻧﻤﻮﻧﻪ‬

‫ﺑﺮ اﺳﺎس زﻣﺎن ﺑﺎزداري از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺗﻔﻜﻴﻚ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ زﻳﺮ اﺟﺰاي ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ ‪ HPLC‬را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‬

‫]‪.[1‬‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -1‬اﺟﺰاي ﺳﻴﺴﺘﻢ ‪.[1] HPLC‬‬

‫‪141‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ‬

‫ ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ در‬.‫ ﺧﺎﻟﺺﺳﺎزي و ﺷﻨﺎﺳﺎﺋﻲ ﭘﺮوﺗﺌﻴﻦﻫﺎ و ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت آﻟﻲ ﺑﻮﻳﮋه ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت داروﺋﻲ‬،‫ ﺟﺪاﺳﺎزي‬-1

.[2] ‫ﺑﺮﺧﻲ از آزﻣﺎﻳﺶﻫﺎي ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻏﻠﻈﺖ داروﻫﺎ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد‬

[2] ‫ آﻧﺎﻟﻴﺰ و ﻫﻀﻢ ﭘﺮوﺗﺌﻴﻦ‬،(‫در ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت ﭘﺮوﺗﻮﻣﻴﻚ )ﺗﺤﻘﻴﻘﺎﺗﻲ ﻛﻪ ﺑﺮروي ﭘﺮوﺗﺌﻴﻦﻫﺎ اﻧﺠﺎم ﻣﻲ ﺷﻮد‬-2

[3] ‫ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭘﻠﻴﻤﺮﻫﺎ‬-3

[4] ‫ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎي ﭘﺮوﺗﺌﻴﻦ ﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ‬-4

‫ﻣﺮاﺟﻊ‬

1- D. A. Skoog, D. M. West Holt, "Principle of Instrumental Analysis", Saunders College

Publishing, Sixth edition, 1994.

2- Goran Mitulović · Marek Smoluch · Jean-Pierre Chervet · Ines Steinmacher · Andreas

Kungl, "An improved method for tracking and reducing the void volume in nano HPLC–
MS with micro trapping columns", Analytical and Bioanalytical Chemistry , 2047,2, 2003.
3- Kevin Killeen, Hongfeng Yin, Dan Sobek, Reid Brennen and T. van de Goor, CHIP-
LC/MS: HPLC-MS USING POLYMER MICROFLUIDICS, 7th international Conference
on Miniaturized Chemical and Blochemlcal Analysts Systems, Squaw Valley, California
USA, October 5-9, 2003.

4- Martin Vollmer. Edgar Nagele, Patric Horth, "Different Proteome Analysis: Two-
Dimensional Nano-LC/MS of E. Coil Proteome Grown on Different Carbon Sources", J.
Bimolecular Techniques, 14, 128-135, 2003.

142
 ‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ‪ – 1‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ HPLC‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻛﺸﻮر‬

‫)‪High Performance liquid Chromatography (HPLC‬‬ ‫ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻣﺎﻳﻊ ﺑﺎ ﻛﺎراﺋﻲ ﺑﺎﻻ‬

‫ﻧﻮع ﻋﻀﻮﻳﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫ﭘﮋوﻫﺸﻜﺪه اﺑﻦ ﺳﻴﻨﺎ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪2150-52‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﻣﺮﻛﺰ ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت ﺑﻴﻮﻟﻮژي‪ ،‬ﺑﻴﻮﺗﻜﻨﻮﻟﻮژي‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﻋﻠﻮم ﭘﺰﺷﻜﻲ ﺗﻬﺮان‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪1100‬‬ ‫‪2‬‬
‫آززﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻓﺎرﻣﺎﻛﻮﻟﻮژي‬

‫ﭘﮋوﻫﺸﻜﺪه ﺟﻬﺎد ﻛﺸﺎورزي‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪6A‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺷﻴﻤﻲ و ﭘﻠﻴﻤﺮ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﻋﻠﻮم ﭘﺰﺷﻜﻲ ﺗﻬﺮان‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪-‬‬ ‫‪4‬‬
‫داﻧﺸﻜﺪه داروﺳﺎزي‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﻋﻠﻮم ﭘﺰﺷﻜﻲ ﺷﻬﻴﺪ ﺑﻬﺸﺘﻲ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪D-7000HSM‬‬ ‫‪5‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻧﺎﻧﻮﺗﻜﻨﻮﻟﻮژي‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺷﻬﻴﺪ ﺑﻬﺸﺘﻲ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪6‬‬
‫ﭘﮋوﻫﺸﻜﺪه ﮔﻴﺎﻫﺎن و ﻣﻮاد اوﻟﻴﻪ داروﺋﻲ‬

‫‪600E9510‬‬
‫ﻋﻀﻮ‬ ‫ﭘﮋوﻫﺸﮕﺎه ﺻﻨﻌﺖ ﻧﻔﺖ‬ ‫‪7‬‬
‫‪LC-9A‬‬

‫ﭘﮋوﻫﺸﮕﺎه ﺑﻴﻮﺗﻜﻨﻮﻟﻮژي ﻛﺸﺎورزي‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪K-1001‬‬ ‫‪8‬‬
‫ﻧﺎﻧﻮﺑﻴﻮﺗﻜﻨﻮﻟﻮژي ﻛﺸﺎورزي‬

‫داﻧﺸﮕﺎه اﻣﻴﺮ ﻛﺒﻴﺮ‬

‫رزرو‬ ‫‪-‬‬ ‫‪9‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﭘﻠﻴﻤﺮ و ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺒﺮﻳﺰ‬
‫رزرو‬ ‫‪-‬‬ ‫‪10‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه داﻧﺸﻜﺪه ﺷﻴﻤﻲ‬

‫رزرو‬ ‫‪VP‬‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه ﻋﻠﻮم ﭘﺰﺷﻜﻲ ﻣﺸﻬﺪ‬ ‫‪11‬‬

‫‪143‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

HPLC ‫ – ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ‬2‫ﺿﻤﻴﻤﻪ‬

High Performance liquid (HPLC) ‫ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻣﺎﻳﻊ ﺑﺎ ﻛﺎراﺋﻲ ﺑﺎﻻ‬

Chromatography

‫ﻛﺸﻮر‬ ‫ﺷﺮﻛﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫ردﻳﻒ‬

Knauer
Knauer K-2500 1

England
Cecil series 1100 2

England
Unicam ATi unicam 3

Knauer
Knauer Klool 4

Unite State Hitachi D-7000 5

144
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪ -18-2‬ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ )‪(MS‬‬

‫ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ دﺳﺘﮕﺎﻫﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﮔﺎزي ﺑﺎردار را ﺑﺮ اﺳﺎس ﺟﺮم آﻧﻬﺎ دﺳﺘﻪﺑﻨﺪي‬

‫ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬اﻳﻦ روش ارﺗﺒﺎط واﻗﻌﻲ ﺑﺎ ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﻧﻮري ﻧﺪارد وﻟﻲ ﻧﺎم ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ ﺑﺮاي اﻳﻦ روشﻫﺎ‬

‫اﻧﺘﺨﺎب ﺷﺪه اﺳﺖ‪ ،‬زﻳﺮا دﺳﺘﮕﺎهﻫﺎي اوﻟﻴﻪ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻋﻜﺲ ﻣﻲﻛﺮدﻧﺪ ﻛﻪ ﺷﺒﻴﻪ ﺑﻪ ﻃﻴﻒ ﺧﻄﻲ ﺑﻮد‪.‬‬

‫ﻓﺮآﻳﻨﺪ دﺳﺘﮕﺎه‬

‫در داﺧﻞ دﺳﺘﮕﺎه ﺧﻼﺋﻲ ﺑﻪ ﻣﻴﺰان ‪ 10 −5 -10 −6 mmHg‬ﺑﺮﻗﺮار اﺳﺖ‪ .‬ﻣﻘﺪار ﻛﻤﻲ از ﻧﻤﻮﻧﻪ )ﺣﺪود ‪(1 µl‬‬

‫ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﻟﻮﻟﻪ از درﻳﭽﺔ ﻛﻮﭼﻜﻲ وارد ﻣﻨﺒﻊ ﻳﻮﻧﺶ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻧﻤﻮﻧﻪ در اﺛﺮ ﮔﺮﻣﺎ و ﺧﻼء ﻣﻮﺟﻮد ﺑﻪ ﺻﻮرت ﮔﺎز‬

‫درآﻣﺪه و ﺑﺎ ﺟﺮﻳﺎﻧﻲ از اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ﭘﺮاﻧﺮژي )ﺣﺪود ‪ ( 50-70 ev‬ﺑﻪ ﻃﺮف آﻧﺪ ﻣﻘﺎﺑﻞ ﺷﺘﺎب ﮔﺮﻓﺘﻪ و ﺟﺬب‬

‫آن ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺑﻤﺒﺎران اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ‪ ،‬ﺟﺰﺋﻲ از ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎي ﻧﻤﻮﻧﻪ )ﺣﺪود ‪ 0/1‬درﺻﺪ( ﻳﻮﻧﻴﺰه ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در‬

‫اوﻟﻴﻦ ﻣﺮﺣﻠﻪ ﻣﻄﺎﺑﻖ واﻛﻨﺶ زﻳﺮ ﻳﻚ اﻟﻜﺘﺮون از ‪ M‬ﺧﺎرج ﺷﺪه و ﻳﻚ ﻛﺎﺗﻴﻮن ﻳﻚ ﻇﺮﻓﻴﺘﻲ ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ وزن‬

‫آن ﺑﺮاﺑﺮ وزن ﻣﻮﻟﻜﻮل ﺟﺴﻢ اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪M+ e −‬‬ ‫‪M + + 2e −‬‬

‫در اﺛﺮ اﻓﺰاﻳﺶ اﻧﺮژي اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﺑﻪ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺮﺧﻮرد ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪ ،‬ﻳﻮن ‪ M +‬ﺑﻪ ﻛﺎﺗﻴﻮنﻫﺎي ﻳﻚ ﻇﺮﻓﻴﺘﻲ‬

‫ﻛﻮﭼﻚﺗﺮي ﺷﻜﺴﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻳﻮنﻫﺎي ﻣﺜﺒﺖ ﺣﺎﺻﻞ از ﻃﺮﻳﻖ ﺷﺘﺎبدﻫﻨﺪه و ﻧﻴﺮوي داﻓﻌﻪ ﻗﻄﺐ ﻣﺜﺒﺖ آن و‬

‫ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ ﺗﻔﺎوت در ﻓﺸﺎر ﻣﻮﺟﻮد ﺑﻴﻦ ﻣﺤﻞ ورود ﻧﻤﻮﻧﻪ و ﻓﻀﺎي ﺳﻤﺖ راﺳﺖ دﺳﺘﮕﺎه ﺑﻪ ﺳﻤﺖ روزﻧﻪ‬

‫ﻛﻮﭼﻜﻲ ﻫﺪاﻳﺖ ﺷﺪه و ﭘﺲ از ﮔﺬﺷﺘﻦ از آن ﺟﺮﻳﺎن ﻳﻮنﻫﺎ از ﺑﻴﻦ دو ﻗﻄﺐ ﻳﻚ آﻫﻨﺮﺑﺎي ﻗﻮي ﻛﻪ ﺟﻬﺖ‬

‫‪145‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣﻴﺪان آن ﻋﻤﻮد ﺑﺮ ﻣﺴﻴﺮ ﻳﻮنﻫﺎ اﺳﺖ ﻋﺒﻮر ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ ،‬ﻛﺎﺗﻴﻮنﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد ﺑﻪ ﻧﺴﺒﺖ ﺟﺮم ﺑﺮ ﺑﺎر )‪ (m/e‬ﻣﻨﺤﺮف‬

‫ﺷﺪه و از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺟﺪا ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬

‫ذرات ﺟﺪا ﺷﺪه ﭘﺲ از ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﺎ ﻳﻚ ﺻﻔﺤﺔ ﻋﻜﺎﺳﻲ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺧﻄﻮﻃﻲ ﻇﺎﻫﺮ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬

‫دﺳﺘﮕﺎه ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ ﺟﺮﻣﻲ‪ ،‬ﻣﻮﻟﻜﻮلﻫﺎ و ﻳﻮنﻫﺎي ﮔﺎزي ﺑﺎردار را ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﺟﺮم آﻧﻬﺎ در ﻣﻴﺪان آﻫﻨﺮﺑﺎﻳﻲ از‬

‫ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺟﺪا و اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬ﻃﻴﻒ ﺟﺮﻣﻲ ﺣﺎﺻﻞ ﺟﻬﺖ ﺗﻌﻴﻴﻦ وزن ﻣﻮﻟﻜﻮﻟﻲ دﻗﻴﻖ‪ ،‬ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ اﺟﺴﺎم و‬

‫ﺗﻌﻴﻴﻦ درﺻﺪ اﻳﺰوﺗﻮپﻫﺎ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ .‬ﺷﻜﻞ )‪ (1‬ﻗﺴﻤﺖﻫﺎﻳﻲ از ﻳﻚ ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ ﺟﺮﻣﻲ را ﻧﺸﺎن‬

‫ﻣﻲدﻫﺪ‬

‫ﺷﻜﻞ‪ -1‬ﻧﻤﺎي ﻛﻠﻲ ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ ﺟﺮﻣﻲ ]‪[1‬‬

‫روش ‪GC- MS‬‬

‫روش دﻳﮕﺮ ﺑﺮاي وارد ﺳﺎﺧﺘﻦ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﻪ دﺳﺘﮕﺎه ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ ﺟﺮﻣﻲ‪ ،‬اﺳﺘﻔﺎده از ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاف ﮔﺎزي اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاف ﮔﺎزي در ﺑﺨﺶ ﻣﺮﺑﻮﻃﻪ ﺗﻮﺿﻴﺢ داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬در دﺳﺘﮕﺎه ‪ GC-MS‬اﺟﺰاي ﻳﻚ ﻣﺨﻠﻮط ﺑﻪ‬

‫ﺗﺮﺗﻴﺐ ﺗﻮﺳﻂ ﻳﻚ ﺳﺘﻮن ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ از ﻫﻢ ﺟﺪا ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ و ﭘﺲ از ﺣﺬف ﮔﺎز ﺣﺎﺻﻞ‪ ،‬وارد ﻣﻨﺒﻊ ﻳﻮﻧﺶ‬

‫‪146‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺞ ﺟﺮﻣﻲ ﻣﻲﮔﺮدﻧﺪ‪.‬‬

‫ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ‬

‫اﻃﻼﻋﺎﺗﻲ ﻛﻪ ﻣﻲﺗﻮان از ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺞ ﺟﺮﻣﻲ ﺑﺪﺳﺖ آورد ﺷﺎﻣﻞ ﻣﻮارد ذﻳﻞ اﺳﺖ‪:‬‬

‫ﺷﻨﺎﺳﺎﺋﻲ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ﺧﺎﻟﺺ آﻟﻲ‪ ،‬ﺗﻌﻴﻴﻦ وزن ﻣﻮﻟﻜﻮﻟﻲ و ﻓﺮﻣﻮل ﺗﺠﺮﺑﻲ ﺗﺮﻛﻴﺐ‪ ،‬ﺣﻀﻮر ﻳﺎ ﻋﺪم ﺣﻀﻮر‬

‫ﮔﺮوﻫﻬﺎي ﻋﺎﻣﻠﻲ در ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت آﻟﻲ‪ ،‬ﭘﺎﻳﺪاري اﻧﻮاع ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻳﻮﻧﻬﺎ‪ .‬ﺑﺮاي ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﻣﺮاﺟﻊ ]‪ 2‬و‪[3‬‬

‫ﻣﺮاﺟﻌﻪ ﻧﻤﻮد‪.‬‬

‫ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﺮاي آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺗﺮﻛﻴﺐ و ﭘﺎﻳﺪاري در ﻓﺎز ﻣﺤﻠﻮل ﻣﻲﺗﻮان از ‪ MS‬اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد‪ .‬ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل ﺑﺮاي‬

‫ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ﺷﺎﺧﻪاي ﻧﺎﻧﻮﻣﻘﻴﺎس ﺑﺎ اﺑﻌﺎد ‪ 1/5 nm‬ﻣﻲﺗﻮان از روش ﻃﻴﻒﺳﻨﺞ ﺟﺮﻣﻲ ﺑﺎ ﺗﻜﻨﻴﻚ‬

‫ﻳﻮﻧﺶ اﻟﻜﺘﺮواﺳﭙﺮي )‪ (ESI‬اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد ]‪.[4‬‬

‫ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ از روش ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﺑﻪ ﻃﻮر وﺳﻴﻌﻲ در ﺗﺠﺰﻳﻪ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت آﻟﻲ‪ ،‬ﺑﻴﻮﻟﻮژﻳﻚ‪ ،‬ﭘﻠﻴﻤﺮي ﺣﺎوي ﻧﺎﻧﻮ‬

‫ذرات ﻃﻼ‪ ،‬ﻓﻠﻮرﻳﻦﻫﺎ و ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ﺷﺎﺧﻪاﺋﻲ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد و ﻣﻲﺗﻮان ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ﺑﻴﻮﻟﻮژﻳﻚ‬

‫در ﻣﺤﻠﻮل را ﺑﺮرﺳﻲ ﻛﺮد ]‪. [5-9‬‬

‫در ﻣﺮاﺟﻊ ]‪ [10-16‬ﺑﻪ ﺑﺮرﺳﻲ ﺗﺮﻛﻴﺐ‪ ،‬اﺑﻌﺎد‪ ،‬ﺳﻄﺢ و ﭘﺎﻳﺪاري ﻧﺎﻧﻮذراﺗﻲ ﻛﻪ اﻏﻠﺐ از ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت آﻟﻲ ﻓﻠﺰي‬

‫ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪ ،‬ﭘﺮداﺧﺘﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺑﺮﺗﺮي اﻳﻦ روش اﺳﭙﻜﺘﺮوﺳﻜﭙﻲ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺳﺎﻳﺮ روشﻫﺎ‪ ،‬ﺳﺮﻳﻊ ﺑﻮدن‬

‫ﭘﺎﺳﺦدﻫﻲ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ ]‪.[17‬‬

‫ﻣﻬﻤﺘﺮﻳﻦ ﻣﺰﻳﺖ اﻳﻦ ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﺑﻨﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺳﺎﻳﺮ روشﻫﺎ از ﻗﺒﻴﻞ ‪،IR ،UV-Vis ،XRD ،TEM‬‬

‫اﺳﭙﻜﺘﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ راﻣﺎن و ‪ TGA‬اﻳﻦ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت ﺑﻪ ﻃﻮر ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ از روشﻫﺎي ﻓﻮق ﻧﻤﻲﺗﻮان‬

‫اﺳﺘﻔﺎده ﻛﺮد‪ .‬اﻣﺎ از روش ‪ MS‬ﻣﻲﺗﻮان اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد ]‪[18‬‬

‫‪147‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻣﺮاﺟﻊ‬

1-. D. A. Skoog, D. M. West Holt, "Principle of Instrumental Analysis", Saunders College

Publishing, Sixth edition, 1994.

2-.E. Stenhagen, S. Abrahamsson ,F. W. Mclafferty, "Registry of Mass Spectral Data",

Wiley New York, Vol. 4, 1974.

3- Aldermaston, Eight Peak Index of Mass Spectra, 2 ed, Mass Spectroscopy Data Center,
Reading, United Kingdom, 1974.

4- J. J. Gaumet,† G. A. Khitrov, and G. F. Strouse, Mass Spectrometry Analysis of the 1.5

nm Sphalerite-CdS Core of [Cd2S14(SC6H5)36âDMF4], NANO LETTERS, 2, 375-379 ,
2002
5- H. Inoue, H.; Ichiroku, N.; Torimoto, T.; Sakata, T.; Mori, H.; Yoneyama, H. Langmuir,
10, 4517, 1994
6- Gaumet, J. J.; Strouse, G. F. J. Am. Soc. Mass Spectrom. 2000, 11, 338.
7- Trager, J. C. Int. J. Mass Spectrom., 200, 387, 2000
8- Plattner, D. A. Int. J. Mass Spectrom., 207, 125, 2001
9- Pryzybylski, M.; Glocker, M. O. Angew. Chem., Int. Ed. Engl., 35, 806, 1996
10- H. Inoue, N. Ichiroku, T. Torimoto, T. Sakata, H. Mori, H. Ž . Yoneyama, Langmuir,
10, 4517, 1994
11- M.A. Hines, P. Guyot-Sionnest, J. Phys. Chem. B, 102, 3655, 1998
12- J.R. Sachleben, V.L. Colvin, L. Emsley, E.W. Wooten, A.P. Ž . Alivisatos, J. Phys.
Chem. B 10210117, 1998
13- M. Tomaselli, J.L. Yarger, M. Bruchez, R.H. Halvin, D. DeGraw, Ž . A. Pines, A.P.
Alivisatos, J. Chem. Phys. 110 8861,1999
14- J.R. Sachleben, E.W. Wooten, L. Emsley, A. Pines, V.L. Colvin, Ž . A.P. Alivisatos,
Chem. Phys. Lett. 198 431,1992
15- X. Peng, J. Wickham, A.P. Alivisatos, J. Am. Chem. Soc. 120 5343, 1998
16- R.J. Arnold, J.P. Reilly, J. Am. Chem. Soc. 1201528, 1998
17- N. Herron, J.C. Calabrese, W.E. Farneth, Y. Wang, Science 259, 1426, 1993
18- Jean-Jacques Gaumet and Geoffrey F. Strouse , Electrospray Mass Spectrometry of
Semiconductor Nanoclusters: Comparative Analysis of Positive and Negative Ion Mode, J
Am Soc Mass Spectrom, 11, 338–344, 2000

148
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

MS ‫ – ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ‬1‫ﺿﻤﻴﻤﻪ‬

Mass Spectroscopy (MS) ‫ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ‬

‫ﻛﺸﻮر‬ ‫ﺷﺮﻛﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫ردﻳﻒ‬

Germany Varin CH7A 1

Japan Shimudzu MS-QP5050 2

Unite State Hewlett Packard MS- Sa73MSD 3

England Micromass platform 4

H olland Varian CP-3800GC pump 5

149
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫‪ -19-2‬ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎزي )‪(GC‬‬

‫ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎزي در ﺳﺎل ‪ 1952‬ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ ﺟﻴﻤﺰ و ﻣﺎرﺗﻴﻦ ﺑﺮاي ﺟﺪا ﻛﺮدن ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻛﻢ اﺳﻴﺪﻫﺎي ﭼﺮب‬

‫ﺑﻪ ﻛﺎر ﺑﺮده ﺷﺪ‪ GC .‬ﻳﻚ روش ﻓﻴﺰﻳﻜﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺟﺪاﺳﺎزي‪ ،‬ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ و اﻧﺪازهﮔﻴﺮي اﺟﺰاي ﻓﺮار ﺑﻪ ﻛﺎر‬

‫ﻣﻲرود‪ .‬ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل ﺟﺪا ﻛﺮدن ﺑﻨﺰن )ﻧﻘﻄﻪ ﺟﻮش ‪ (80/1 oC‬از ﺳﻴﻠﻜﻮﻫﮕﺰان )ﻧﻘﻄﻪ ﺟﻮش ‪ (80/8 oC‬ﺑﻮﺳﻴﻠﻪ‬

‫ﺗﻘﻄﻴﺮ ﺟﺰء ﺑﻪ ﺟﺰء ﻏﻴﺮ ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ‪ .‬در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ آﻧﻬﺎ را در ﭼﻨﺪ دﻗﻴﻘﻪ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ ﻛﻤﻚ ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ‬

‫ﮔﺎزي ﺟﺪا ﻧﻤﻮد و ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ ﻛﺮد‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺣﺪود ‪ 200‬ﺟﺰء ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻧﻔﺖ ﺧﺎم را ﺑﻪ آﺳﺎﻧﻲ ﻣﻲﺗﻮان ﺗﺸﺨﻴﺺ‬

‫داد‪ .‬اﻳﻦ روش ﺳﺮﻳﻊ و ﺳﺎده اﺳﺖ و ﺑﺮاي ﺗﺸﺨﻴﺺ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﻲﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻳﻚ ﻣﺎده ﻓﺮار ﻳﺎ ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻛﻢ ﻣﻮاد‬

‫ﺿﺪ آﻓﺖ در ﭘﻮﺳﺖ ﻣﻴﻮهﺟﺎت و اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﮔﺎزﻫﺎ و آﻟﻮدﮔﻲ ﻣﻮاد ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲرود ]‪.[1‬‬

‫در ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎزي‪ ،‬ﻓﺎز ﻣﺘﺤﺮك ﻳﻚ ﮔﺎز اﺳﺖ‪ .‬ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ ﻳﻚ ﻣﺎدة ﺟﺎذب ﺟﺎﻣﺪ ﻳﺎ ﻣﺎﻳﻊ ﭘﻮﺷﺶ‬

‫داده ﺷﺪه و ﻳﺎ داراي ﭘﻴﻮﻧﺪ ﺑﺎ ﻳﻚ ﺟﺎﻣﺪ ﺑﺮ روي دﻳﻮاره ﺳﺘﻮن اﺳﺖ‪ .‬اﮔﺮ ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ ﺟﺎﻣﺪ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬روش را‬

‫ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎز‪ -‬ﺟﺎﻣﺪ )‪ (GSC‬و اﮔﺮ ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ ﻣﺎﻳﻊ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬روش را ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎز‪ -‬ﻣﺎﻳﻊ )‪(GLC‬‬

‫ﻣﻲﻧﺎﻣﻨﺪ‪ .‬ﻫﺮ ﭼﻨﺪ ﻫﺮ دو روش در ﺗﺠﺰﻳﻪ ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲروﻧﺪ وﻟﻲ ‪ GLC‬ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد‪.‬‬

‫ﺟﺪا ﺷﺪن اﺟﺰاي ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻓﺮار در ‪ GLC‬ﺑﺮ اﺳﺎس ﺗﻘﺴﻴﻢ آﻧﻬﺎ ﺑﻴﻦ دو ﻓﺎز ﻣﺎﻳﻊ و ﮔﺎز اﺳﺖ‪ .‬ﻧﻤﻮﻧﻪ در ﻓﺎز‬

‫ﻣﺘﺤﺮك ﺣﻞ ﺷﺪه و ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ ﻳﻚ ﻣﺎﻳﻊ دﻳﺮﺟﻮش اﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻻﻳﺔ ﻧﺎزﻛﻲ ﺑﺮ روي ذرات ﻳﻚ ﺟﺎﻣﺪ‬

‫ﮔﺴﺘﺮده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاف ﮔﺎزي از ﻗﺴﻤﺖﻫﺎي زﻳﺮ ﺗﺸﻜﻴﻞ ﺷﺪه اﺳﺖ ]‪.[1‬‬

‫‪150‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺷﻜﻞ ‪:1‬ﻧﻤﺎي ﺳﺎده ﻳﻚ ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاف ﮔﺎزي ]‪.[1‬‬

‫ﮔﺎز ﺣﺎﻣﻞ ﺑﺎﻳﺪ ﻳﻚ ﮔﺎز ﺑﻲاﺛﺮ ﺑﺎﺷﺪ ﺗﺎ ﺑﺎ ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ‪ ،‬ﺣﻼل و ﻳﺎ ﻧﻤﻮﻧﻪ واﻛﻨﺶ ﻧﺪﻫﺪ‪ ،‬ﺑﻪ ﻫﻤﻴﻦ دﻟﻴﻞ ﻣﻌﻤﻮﻻَ‬

‫از ﻧﻴﺘﺮوژن ﻳﺎ ﻫﻠﻴﻢ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در دﻣﺎي ﺛﺎﺑﺖ‪ ،‬ﻓﺸﺎر و ﺳﺮﻋﺖ ﺟﺮﻳﺎن ﮔﺎز ﺑﻪ ﻃﺮف ﺳﺘﻮن را ﺑﺎ ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻛﻨﻨﺪة‬

‫ﻓﺸﺎر و ﺟﺮﻳﺎن ﺳﻨﺞ‪ ،‬ﺛﺎﺑﺖ ﻧﮕﻪ ﻣﻲدارﻧﺪ‪ .‬ﻣﻘﺪار ‪ 0/1-5 µ L‬از ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺎﻳﻊ ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ ﻳﻚ ﺳﺮﻧﮓ ﻣﺨﺼﻮص وارد‬

‫ﻗﺴﻤﺖ ﺗﺰرﻳﻖ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﺟﺎﻣﺪ را ﺑﺎﻳﺪ در ﻳﻚ ﺣﻼل ﻓﺮار ﻣﻨﺎﺳﺐ‪ ،‬ﺣﻞ و ﺳﭙﺲ ﺗﺰرﻳﻖ ﻧﻤﻮد‪.‬‬

‫ﺑﺮاي ﻧﻤﻮﻧﻪﻫﺎي ﮔﺎزي ﺑﺎﻳﺪ ﺣﺠﻢﻫﺎي ﺑﻴﺸﺘﺮي اﻧﺘﺨﺎب ﺷﻮد‪ .‬ﻧﻤﻮﻧﻪ ﭘﺲ از ﺗﺰرﻳﻖ در ﻧﺘﻴﺠﺔ ﮔﺮﻣﺎي ﺣﺎﺻﻞ از‬

‫ﺳﻴﺴﺘﻢ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺑﻪ ﮔﺎز ﻣﻲﺷﻮد و ﺑﺎ ﮔﺎز ﺣﺎﻣﻞ ﻣﺨﻠﻮط ﺷﺪه‪ ،‬ﺑﻪ ﻃﺮف ﺳﺘﻮن ﻣﻲرود‪.‬‬

‫ﻓﺎز ﺳﺎﻛﻦ ﻳﻚ ﻣﺎﻳﻊ دﻳﺮﺟﻮش ﻣﺎﻧﻨﺪ روﻏﻦ ﭘﺎراﻓﻴﻦ ﻳﺎ روﻏﻦ ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن اﺳﺖ ﻛﻪ ﺗﺎ ﺣﺪود ‪ 400 oC‬ﻣﻘﺎوم‬

‫اﺳﺖ و ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻻﻳﻪ ﻧﺎزﻛﻲ روي ذرات ﺟﺎﻣﺪ ﮔﺴﺘﺮده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻣﺎﻳﻊ ﺑﻪ ﻛﺎر رﻓﺘﻪ ﺑﺎﻳﺪ از ﻧﻈﺮ ﺷﻴﻤﻴﺎﻳﻲ ﻏﻴﺮ‬

‫ﻓﻌﺎل ﺑﻮده و ﺑﺮاي اﺟﺰاي ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ اﻧﺤﻼل ﻣﺨﺘﻠﻔﻲ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻋﻼوه ﺑﺮ ﺳﺘﻮنﻫﺎي ﭘﺮ ﺷﺪه ﻣﻲﺗﻮان از‬

‫ﺳﺘﻮنﻫﺎي ﻣﻮﻳﻴﻦ ﺑﻪ ﻃﻮل ﺣﺪود ‪ 10-100 cm‬و ﻗﻄﺮ داﺧﻠﻲ‪ 0/25-0/32 cm‬اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد ﻛﻪ داﺧﻞ آﻧﻬﺎ از‬

‫ﺳﻠﻴﺖ ﭘﻮﺷﻴﺪه ﺷﺪه اﺳﺖ و ﻓﻴﻠﻢ ﻧﺎزﻛﻲ از ﻣﺎﻳﻊ دﻳﺮﺟﻮش ﺑﺮ روي ﭘﻮﺷﺶ ﺳﻴﻠﻴﺴﻲ ﻗﺮار دارد‪.‬‬

‫ﺟﺪا ﺷﺪن ﻣﻮاد در ﺳﺘﻮن‪ ،‬ﻧﻈﻴﺮ ﻓﺮاﻳﻨﺪ اﺳﺘﺨﺮاج اﺳﺖ‪ .‬ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻛﻪ در ﻓﺎز ﮔﺎز ﻣﺤﻠﻮل اﺳﺖ از ﺑﺎﻻي ﺳﺘﻮن‬

‫وارد ﻣﻲﮔﺮدد و اﺟﺰاي آن ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﺿﺮﻳﺐ ﺗﻮزﻳﻊ ﺧﻮد ﺑﻴﻦ دو ﻓﺎز ﻣﺎﻳﻊ و ﮔﺎز ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬در ﻧﺘﻴﺠﻪ‬

‫اﺟﺰاي ﻣﻮﺟﻮد در ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﺗﻤﺎﻳﻠﻲ ﻛﻪ ﺳﺘﻮن ﺑﺮاي ﻧﮕﻬﺪاري آﻧﻬﺎ دارد از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺟﺪا ﺷﺪه و ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ‬

‫‪151‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﻋﺒﻮر ﮔﺎز ﺣﺎﻣﻞ‪ ،‬اﺟﺰا ﺟﺪا ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ و ﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺒﻲ ﻛﻪ ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ ﺑﺎ ﻋﻜﺲ ﺗﻤﺎﻳﻞ ﻧﮕﻬﺪاري ﺳﺘﻮن ﺑﺮاي آﻧﻬﺎ اﺳﺖ‪،‬‬

‫از اﻧﺘﻬﺎي ﺳﺘﻮن ﺧﺎرج ﺷﺪه‪ ،‬وارد آﺷﻜﺎرﺳﺎز ﻣﻲﮔﺮدﻧﺪ‪ .‬در آﺷﻜﺎرﺳﺎز اﺟﺰاء ﺟﺪا ﺷﺪه ﻣﻮﺟﻮد در ﮔﺎز ﺣﺎﻣﻞ‬

‫ﻣﻮرد ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ و اﻧﺪازهﮔﻴﺮي ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ‪.‬‬

‫دﻣﺎي ﺳﺘﻮن ‪ GC‬را ﻣﻲﺗﻮان روي دﻣﺎي ﺧﺎﺻﻲ ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻛﺮده و ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻫﻤﺪﻣﺎ ﺟﺪاﺳﺎزي را اﻧﺠﺎم داد‪.‬‬

‫ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ در ﺑﺮﺧﻲ ﻣﻮارد ﻛﻪ اﺟﺰاي ﻧﻤﻮﻧﻪ در ﺳﺘﻮن ﺑﻪ ﺧﻮﺑﻲ ﺟﺪا ﻧﻤﻲﺷﻮﻧﺪ‪ ،‬ﺑﺮاي ﺟﺪاﺳﺎزي ﺑﻬﺘﺮ از روش‬

‫ﺑﺮﻧﺎﻣﻪرﻳﺰي دﻣﺎﻳﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در اﻳﻦ روش دﻣﺎي ﺳﺘﻮن را ﻃﺒﻖ ﺑﺮﻧﺎﻣﻪاي از ﭘﻴﺶ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺷﺪه و ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺘﻲ‬

‫ﻣﻨﺎﺳﺐ اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻲدﻫﻨﺪ ﺗﺎ ﻣﻮاد ﺑﻪ ﺗﺪرﻳﺞ از ﻳﻜﺪﻳﮕﺮ ﺟﺪا ﺷﻮﻧﺪ ]‪.[1‬‬

‫ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎ‬

‫ﺑﺮﺧﻲ از ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي ﻣﻬﻢ ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎزي)‪ (GC‬در ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ ﻋﺒﺎرﺗﺴﺖ از‪:‬‬

‫‪ -1‬ﺟﺪاﺳﺎزي و ﺷﻨﺎﺳﺎﺋﻲ ﺑﺮﺧﻲ از ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت آﻟﻲ ]‪[2‬‬

‫‪-2‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت آﻟﻲ در ﻻﺳﺘﻴﻚ ]‪[2‬‬

‫‪-3‬آﻧﺎﻟﻴﺰ ﺑﺮﺧﻲ داروﻫﺎي ﻧﺎﻧﻮ ذرات ]‪[3‬‬

‫ﻣﺮاﺟﻊ‬

‫‪1- D. A. Skoog, D. M. West Holt, Principle of Instrumental Analysis, Saunders College‬‬

‫‪Publishing, Sixth edition, 1994.‬‬

‫‪2- E. Vidal, Augusta, E-MRS Spring Meeting 2003 June 10 - 13, 2003.‬‬

‫‪3- M. Praisler, S. Gosav, J. Van Bocxlaer, A. De Leenheer, and D.L. Massart. Exploratory‬‬
‫‪analysis for the identification of amphetamines using neural networks and GC-FTIR data,‬‬
‫‪The Annals of the University "Dunãrea de Jos", Fascicle II, p. 83-96, ISSN 1221-4531,‬‬
‫‪2002.‬‬

‫‪152‬‬
 ‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

‫ﺿﻤﻴﻤﻪ‪ -1‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ‪ GC-MS‬ﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در اﻳﺮان‬

‫)‪Mass Spectroscopy and Gas Chromatography (GC-MS‬‬ ‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ–ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎزي‬

‫ﻧﻮع ﻋﻀﻮﻳﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه‬ ‫ردﻳﻒ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﻓﺮدوﺳﻲ ﻣﺸﻬﺪ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪CH7A‬‬ ‫‪1‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻣﺮﻛﺰي‬

‫ﭘﮋوﻫﺸﮕﺎه ﺻﻨﻌﺖ ﻧﻔﺖ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪8430 Magnetic‬‬ ‫‪2‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه اﺳﭙﻜﺘﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ‬

‫‪GCHP6890‬‬ ‫داﻧﺸﮕﺎه ﺻﻨﻌﺘﻲ ﺷﺮﻳﻒ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪MSHPSa73‬‬ ‫‪3‬‬
‫ﺷﻨﺎﺳﺎﻳﻲ و اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي ﺗﺮﻛﻴﺒﺎت‬
‫‪MDS‬‬
‫داﻧﺸﮕﺎه اﻟﺰﻫﺮا‬
‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪GC6390‬‬ ‫‪4‬‬
‫ﺗﺤﻘﻴﻘﺎت ﺷﻴﻤﻲ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺮﺑﻴﺖ ﻣﻌﻠﻢ ﺗﻬﺮان‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪CP3800GC‬‬ ‫‪5‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﺷﻴﻤﻲ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺷﻬﻴﺪ ﺑﻬﺸﺘﻲ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪Chrow – Cord32 bit‬‬ ‫‪6‬‬
‫ﭘﮋوﻫﺸﻜﺪه ﮔﻴﺎﻫﺎن و ﻣﻮاد اوﻟﻴﻪ داروﺋﻲ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﻋﻠﻮم ﭘﺰﺷﻜﻲ ﺷﻬﻴﺪ ﺑﻬﺸﺘﻲ‬

‫ﻋﻀﻮ‬ ‫‪-‬‬ ‫‪7‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﻧﺎﻧﻮ ﺗﻜﻨﻮﻟﻮژي‬

‫رزرو‬ ‫‪CP3800‬‬ ‫ﻣﺆﺳﺴﻪ ﺗﺤﻘﻴﻘﺎﺗﻲ و آﻣﻮزﺷﻲ ﻧﻮر)ﺗﻮان(‬ ‫‪8‬‬

‫داﻧﺸﮕﺎه رازي ﻛﺮﻣﺎﻧﺸﺎه‬

‫رزرو‬ ‫‪-‬‬ ‫‪9‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه ﺷﻴﻤﻲ ﺗﺠﺰﻳﻪ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺒﺮﻳﺰ‬
‫رزرو‬ ‫‪CP3800‬‬ ‫‪10‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه داﻧﺸﻜﺪه ﺷﻴﻤﻲ‬

‫داﻧﺸﮕﺎه ﺗﺒﺮﻳﺰ‬
‫رزرو‬ ‫‪HP5890‬‬ ‫‪11‬‬
‫آزﻣﺎﻳﺸﮕﺎه داﻧﺸﻜﺪه ﺷﻴﻤﻲ‬

‫‪153‬‬
‫آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﺗﺠﻬﻴﺰات اﻧﺪازه ﮔﻴﺮي و ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﺸﺨﺼﺎت‬ ‫ﻓﺼﻞ دوم‬

GC ‫ – ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﺪل ﻫﺎي ﺟﺪﻳﺪ‬2‫ﺿﻤﻴﻤﻪ‬

Mass Spectroscopy and Gas Chromatography (GC-MS) ‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ–ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎزي‬

‫ﻛﺸﻮر‬ ‫ﺷﺮﻛﺖ‬ ‫ﻣﺪل‬ ‫ردﻳﻒ‬

Unite State Perkin Elmer GC-8700 1

Unite State Varian GC-3400 2

Unite State Finnigan mat Magnetic 8430 3

Unite State Hewlett Packard -HP Hp-6890-5973 4

Thermo Finnigan
Unite State Chrom-card 32 bit 5

154
 ‫ ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻋﻼﻳﻢ اﺧﺘﺼﺎري ﺗﺠﻬﻴﺰات ﻣﺮﺗﺒﻂ ﺑﺎ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ‬: A‫ﺿﻤﻴﻤﻪ‬

‫ﻣﺨﻔﻒ‬ ‫ﻧﺎم ﻻﺗﻴﻦ‬ ‫ﻧﺎم ﻓﺎرﺳﻲ‬

AAS Atomic Absorption Spectrometer ‫ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﺟﺬب اﺗﻤﻲ‬

AFM Atomic Force Microscopy ‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﻧﻴﺮوي اﺗﻤﻲ‬

Atomic Fluorescence ‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺞ ﻓﻠﻮرﺳﺎﻧﺲ اﺗﻤﻲ‬

AFS
Spectrometer

CHNOSP
Elemental Analyzers ‫آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻋﻨﺼﺮي‬

DMA Dynamical Mechanical Analysis ‫ﺗﺠﺰﻳﻪ ﻣﻜﺎﻧﻴﻜﻲ دﻳﻨﺎﻣﻴﻜﻲ‬

DSC Differential Scanning Calorimetry ‫ﻛﺎﻟﺮﻳﻤﺘﺮ روﺑﺸﻲ ﺗﻔﺎﺿﻠﻲ‬

FIB Focused Ion Beam ‫ﺑﺎرﻳﻜﻪ ﻳﻮﻧﻲ ﻣﺘﻤﺮﻛﺰ‬

‫ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ ﺗﺒﺪﻳﻞ‬

Fourier Transform Infrared
FT-IR
Spectroscopy ‫ﻓﻮرﻳﻪ‬

GC Gas Chromatography ‫ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﮔﺎزي‬

GPC Gel Permeation Chromatography ‫ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﺗﺮاواﻳﻲ ژل‬

High Performance Liquid ‫ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻣﺎﻳﻊ ﺑﺎ ﻛﺎراﺋﻲ ﺑﺎﻻ‬

HPLC
Chromatography

155
 IC Ion Chromatography ‫ﻛﺮوﻣﺎﺗﻮﮔﺮاﻓﻲ ﻳﻮﻧﻲ‬

ICP Inductively Coupled Plasma ‫ﭘﻼﺳﻤﺎي ﺟﻔﺖ ﺷﺪه اﻟﻘﺎﺋﻲ‬

IR Infrared Spectroscopy ‫ﻃﻴﻒﺳﻨﺠﻲ ﻣﺎدون ﻗﺮﻣﺰ‬

MS Mass Spectroscopy ‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﺟﺮﻣﻲ‬

NMR Nuclear Magnetic Resonance ‫رزوﻧﺎﻧﺲ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻫﺴﺘﻪ‬

PCR-TC Real Time PCR Thermal Cyclers ‫ﭘﻲ ﺳﻲ آر‬

Raman Raman Spectrometry ‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ راﻣﺎن‬

Scanning Capacitance ‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﺧﺎزﻧﻲ روﺑﺸﻲ‬

SCM
Microscopy

SEM Scanning Electron Microscope ‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ روﺑﺸﻲ‬

SIMS Secondary Ion Mass Spectrometry ‫ﻃﻴﻒ ﻧﮕﺎري ﺟﺮﻣﻲ ﻳﻮن ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ‬

‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﻧﻮري ﻣﻴﺪان‬

Scanning Near-Field Optical
SNOM
Microscopy ‫ﻧﺰدﻳﻚ روﺑﺸﻲ‬

STM Scanning Tunneling Microscopy ‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮﭘﻲ ﺗﻮﻧﻠﻲ روﺑﺸﻲ‬

Transmission Electron ‫ﻣﻴﻜﺮوﺳﻜﻮپ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ ﻋﺒﻮري‬

TEM
Microscope

156
 TGA Thermo Gravimetric Analysis ‫ﺗﺠﺰﻳﻪ وزن ﺳﻨﺠﻲ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ‬

TMA Thermo Mechanical Analysis ‫ﺗﺠﺰﻳﻪ ﻣﻜﺎﻧﻴﻜﻲ ﮔﺮﻣﺎﻳﻲ‬

UV-VIS UV-Visible spectrophotometer ‫ ﻓﺮاﺑﻨﻔﺶ‬-‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺠﻲ ﻣﺮﺋﻲ‬

XRD X-Ray Diffraction spectrometer ‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺞ ﺗﻔﺮق اﺷﻌﻪ اﻳﻜﺲ‬

‫ﻃﻴﻒ ﺳﻨﺞ ﻓﻠﻮرﺳﺎﻧﺲ اﺷﻌﻪ‬

XRF X-Ray Fluorescence spectrometer
‫اﻳﻜﺲ‬

157
‫آدرس دﺑﻴﺮﺧﺎﻧﻪ‪ :‬ﺗﻬﺮان‪ -‬اﺗﻮﺑﺎن ﭼﻤﺮان‪ -‬ﺻﺪﻣﺘﺮ ﺑﺎﻻﺗﺮ از ﭘﻞ ﮔﻴﺸﺎ‪ -‬ﺟﻨﺐ ﭘﻤﭗ ﺑﻨﺰﻳﻦ– اﻧﺘﻬﺎي ﻛﻮﭼﻪ‬

‫ﻫﺸﺘﻢ‪ -‬ﭘﻼك‪ – 24‬دﺑﻴﺮﺧﺎﻧﻪ ﺳﺘﺎد وﻳﮋه ﺗﻮﺳﻌﻪ ﻓﻨﺎوري ﻧﺎﻧﻮ‬

‫ﺻﻨﺪوق ﭘﺴﺘﻲ ‪14395-1336 :‬‬

‫ﺗﻠﻔﻦ‪88027135 :‬‬

‫دورﻧﮕﺎر‪88027134 :‬‬

‫آدرس ﺳﺎﻳﺖ‪ www.nano.ir :‬و ‪http://nanolab.nano.ir‬‬

‫ﭘﺴﺖ اﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﻜﻲ‪setad@iran nano.org :‬‬