2.

FOTODETEKTORI I SOLARNE ]ELIJE

(a)

Iphoto

VR

light

ID
Kao {to smo videli, LED diode emituju
svetlost, {to je posledica

rekombinacije manjinskih nosilaca. Medjutim, postoje

i diode
kojeV apsorbuju
V
R
o

svetlost, {to ima za posledicu generaciju elektrona i {upljina. Ovaj proces

konverzije svetlosti u elektri~nu struju prakti~no se koristi za elektri~nu
detekciju svetlosti, za {ta su dizajnirani
fotodetektori. Ali, koristi se i za
(b)
konverziju solarne energije u elektri~nu energiju. Za tu svrhu specijalno se
20

dizajniraju P-N spojevi koji se zovu solarne }elije.

2.1 OSNOVNE PRIMENE

ID (mA)

Idark
Iphoto-1

-20

photo-2
Fotodetektori (fotodiode) tipi~no
se koriste u re`imu inverzne

Iphoto-3
polarizacije, kao {to je prikazano na
-40 sl. 2.1. U mraku, strujno-naponske

karakteristike fotodioda su iste kao karakteristike ispravlja~kih dioda. To zna~i

-6

-4

-2

da u oblasti inverzne polarizacije te~e samo struja curenja. Kada se fotodioda

izlo`i

dejstvu

svetlosti,

inverzna

struja

fotodiode

VD (V)

raste

proporcionalno

intenzitetu svetlosti. Ta struja je ozna~ena kao fotostruja. Sa sl. 2.1 se vidi da

fotostruja, kao i normalna struja inverzne polarizacije ne zavisi od napona
inverzne polarizacije.

Fig.2.1
Kolo na sl. 2.1 konvertuje intenzitet svetlosti u napon V 0. U mraku, struja
kroz kolo je pribli`no jednaka nuli i zbog toga je pad napona na otporniku R
takodje jednak nuli, pa je V0 (izlazni napon) jednak nuli. Naime, linija
optere}enja na sl. 2.1b se~e karakteristike diode u ta~ki -7V, 0 mA, tako da se
ova vrednost napona smatra naponom inverzne polarizacije; zbog toga
je V0 = VR - VD = 0. Kako raste intenzitet svetlosti, tako raste i fotostruja, a
(b)

takodje i pad napona na otporniku R,

20 je u vezi
(a)odnosno izlazni napon V 0. Ovo
sa odgovaraju}im smanjenjem inverzne polarizacije
fotodiode. Linija
IDO

I D (m A )

optere}enja na sl. 2.1.b pokazuje da je maksimalni izlazni

lig h t

ograni~en naponom inverzne polarizacije VR. Ako intenzitet

VDO

0
napon

IDO

pribli`no

delivered power
svetlosti
raste
Pd = |VDO IDO |
-20

iznad ove vrednosti, dioda ide ka re`imu direktne plarizacije, gde pojava
normalne

struje

direktne

polarizacije

(koja

te~e

u suprotnom
-40

ograni~ava porast izlaznog napona.

-2

smeru)VDO
-1

Solarne }elije, suprotno fotodetektorima, rade u re`imu direktne polarizacije. VD (V)

Dioda koja se koristi kao solarna }elija prikazana je na sl. 2.2 a. Ova dioda je
direktno vezana sa otpornikom R.

Sl. 2.2

Dva su ekstremna slu~aja polarizacije diode koja se koristi kao solarna }

elija:
-

kratko spojeno kolo (R=0) i

otvoreno kolo (R=).

U slu~aju kratkog spoja (V DO = 0), fotostruju predstavlja samo struja koja

protekne kroz diodu. Mada je ovaj uslov pogodan za merenje fotostruje, pri
njemu se ne ostvaruje snaga jer je VDOIDO=0.
(a) photo-detector (reverse bias)

U drugom slu~aju, u prisustvu nekog optere}enja R, pad napona na diodi

light

VDO

postaje pozitivan, dok struja IDO ostaje jo{ uvek negativna. Negativna

vrednost Pd = VDOIDO ukazuje na to da dioda deluje kao generator snage. Snaga

N

Iphoto= -ID

koju ostvaruje dioda predstavljenaE je {rafurom na sl. 2.2b.

Struja IDO (na sl. 2.2 a) ostaje negativna jer fotostruja dominira nad normalnom
strujom direktne polarizacije. Kako je izvor direktne polarizacije fotostruja,
VR

ukupna struja IDO nikad ne mo`e da bude pozitivna. U ekstremnom slu~aju,

normalna struja direktne polarizacije
mo`e da postane jednaka fotostruji i tada
light
je ukupna struja IDO jednaka nuli. Ovo odgovara uslovu otvorenog strujnog kola.
Iako ovaj uslov obezbedjuje maksimalan pad napona V DO, snaga je ponovo
qVD

jednaka nuli, jer je VDOIDO =0.

O~igledno da vrednost otpornika R mo`e direktno da uti~e na
proizvedenu snagu.
2.2 GENERACIJA NOSILACA
Rad dioda koje se koriste kao fotodetektori i solarne }elije zasniva se na
mehanizmu generacije nosilaca pod dejstvom svetlosti. U tom procesu
apsorpcije svetlosti (koji je suprotan emisiji) energija fotona h se koristi da
raskine kovalentnu vezu oslobadjaju}i pri tome elektron i kreiraju}i {upljinu.
Ako se generacija elektrona i {upljine desila u oblasti osiroma{enja, postoje}e
elektri~no polje ih uklanja iz te oblasti pre nego {to dobiju {ansu da se
rekombinuju. Tako nastaje fotostruja.
Popre~ni preseci fotodetektora i solarne }elije prikazani su na sl. 2.3.a i
2.3b, respektivno.

Sl. 2.3a
Vidi se da se elektroni i {upljine koji su generisani u oblasti osiroma{enja, zbog
elektri~nog polja u oblasti osiroma{enja, kre}u ka odgovaraju}im oblastima u
kojima predstavljaju ve}inske nosioce. Svetlost generi{e elektrone i {upljine i
u neutralnim N i P-oblastima, doprinose}i fotostruji.
Jasno je da pove}anje osetljivosti fotodiode zahteva i pove}anje {irine
sloja osiroma{enja. U ranijim razmatranjima je pokazano da {irina oblasti
osiroma{enja zavisi od nivoa dopiranja:

wdepl

Ovo

je

za

slu~aj

strmog

1
NA,D

P-N

spoja.

Zbog

toga

je

pogledu

maksimiziranja zapremine osirome{ene oblasti P-N spoja najpogodnije koristiti

najni`e nivoe dopiranja koje je tehnolo{ki mogu}e ostvariti. Naj~e{}e
kori{}eni fotodetektori se izradjuju sa takvim slojem izmedju oblasti P i N-tipa.
To je intrinzi~ni I sloj, ~ija je debljina takva da je taj sloj potpuno osiroma{en.
Takva dioda se zove PIN dioda.
Energetski dijagrami na sl.2.3 obezbedjuju dublji prodor u mehanizme
generacije nosilaca i njihovo razumevanje u cilju kori{}enja za detekciju
svetlosti kod fotodetektora i konverziju svetlosti u elektri~nu energiju kod
foto}elija. Uz ~injenicu da se elektroni spu{taju niz energetske zone, a da se
{upljine penju uz njih, mogu se rasvetliti zna~ajni problemi.

solarsmera
cell (forward
bias)
Prvi problem se (b)
ti~e
fotostruje:
{ta je to {to vodi elektrone i

light
{upljine (koji su nastali u procesu
generacije, pod dejstvom svetlosti)
ako je samo otpornik priklju~en za diodu?
N

Iphoto = - IDO

U slu~aju fotodetektora dijagram energetskih zona nije neophodan da se

odgovori na ovo pitanje: napon inverzne polarizacije V R (kome odgovara
elektri~no polje E) vodi elektrone generisane u osiroma{enom sloju ka
neutralnoj oblasti N-tipa, a {upljine prema neutralnoj oblasti P-tipa.
VDO +u slu~aju solarnih }elija.
Medjutim, situacija nije o~igledna

Dijagram energetskih zona na sl.2.3b pokazuje da se energetske zone

light
krive i da se elektroni spu{taju
niz njih ka oblasti N-tipa, a {upljine se
penju ka oblasti P-tipa. Ovaj nagib enrgetskih zona (tj. elektri~no polje)
qVDO u osiroma{enoj oblasti.
posledica je prisustva jonizovanih atoma dopanata

Fermijevi nivoi (sl.2.3.b) se pomeraju suprotno u poredjenju sa fotodetektorom

(sl. 2.3a), {to ukazuje na to da je kod fotodetektora u pitanju inverzna
polarizacija,

kod

foto}elije

direktna

polarizacija.

Medjutim,

krivljenje

electrons
holesje u istom smeru. To zna~i da su i
energetskih zona kod oba
tipa dioda
light

fotostruje usmerene na istu stranu i kod fotodetektora i kod foto}elije.

Sl. 2.3b
Mo`da se ~ini da je strujna efikasnost generacije kod fotodetektora
bolja, ali se mora imati na umu da su fotodetektori i foto}elije ipak razli~ito
dizajnirane komponente. Da bi se dobio brzi odziv, kod fotodetektora je
kapacitivnost minimizirana minimiziranjem povr{ine diode i pove}anjem {irine
oblasti osiroma{enja umetanjem I-oblasti. Solarne }elije imaju bitno ve}u
oblast P-N spoja da bi se maksimizirala struja generacije pod dejstvom
svetlosti.

Drugi problem koji mo`e da bude lako obja{njen preko dijagrama

energetskih zona je ~injenica da fotostruja ne zavisi od primenjenog napona
inverzne polarizacije (sl. 2.1 b). Iako porast napona inverzne polarizacije
pove}ava zakrivljenost zona na energetskom dijagramu (sl. 2.3.a), fotostruja
se ne menja jer nije ograni~ena stepenom zakrivljenosti energetskih zona.
Pove}anje zakrivljenosti zona jedino omogu}ava lak{e kretanje nosilaca. Ono
{to ograni~ava fotostruju je brzina generacije parova elektron-{upljina pod
dejstvom

svetlosti.

Broj

generisanih

parova

elektron-{upljina

raste

sa

pove}anjem intenziteta svetlosti (sl. 2.1.b).

Tre}i problem je o~igledan - sa dijagrama energetskih zona vidi se

da svetlost ~iji fotoni imaju energiju manju od E g {irine zabranjene zone
poluprovodnika, nisu u mogu}nosti da prebace elektron iz valentne u provodnu
zonu i na taj na~in da generi{u par elektron-{upljina. Iz uslova da je
Eg=hvmin=hc/max, maksimalna talasna du`ina svetlosti koja mo`e da generi{e
par elektron-{upljina odredjena je kao
max

hc
.
Eg

(2.1)

Energetski procep silicijuma odgovara vrednosti max=1.1 m. Kako je gotovo

ceo spektar solarnog zra~enja ispod ove vrednosti, silicijum je izvanredan
materijal za solarne }elije. To {to je silicijum indirektan poluprovodnik (sl. 1.5b)
ne spre~ava apsorpciju svetlosti: kada foton preda svoju energiju valentnom

elektronu, on sko~i najpre na energetski nivo defekta, a onda se pomera u

provodnu zonu menjaju}i svoj impuls.
Za izradu solarnih }elija naj~e{}e se koristi silicijum. Fotodetektori se,
kao i LED diode, izradjuju od razli~itih materijala kako bi se ostvarila
maksimalna osetljivost na svetlost zadate boje, a minimalna na ostale boje.

2.3 OP[TI OBLIK JEDNA^INE KONTINUITETA

Analogno rekombinaciji i generacija mo`e da menja koncentraciju
elektrona ({upljina) u jedinici vremena,

n p

. Kao {to je ve} ranije

t t

diskutovano, da bi se uklju~io efekat rekombinacije nosilaca, ~lan rn/rp (koji

predstavlja brzinu rekombinacije nosilaca) bio je uklju~en u jedna~inu
kontinuiteta (j-na 1.7). Ta jedna~ina predstavljala je smanjenje koncentracije
nosilaca u jedinici vremena zbog efektivne rekombinacije. Ako postoji
spolja{nji izvor generacije nosilaca, kao {to je svetlost, koncentracija
nosilaca }e se pove}avati. Pove}anje koncentracije nosilaca u jedinici vremena
analogno je nazvano brzina spolja{nje generacije i ozna~ena je sa gn za
elektrone i gp za {upljine.
Vrlo ~esto, brzina generacije nije uniformna unutar poluprovodnika. U
slu~aju generacije nosilaca pod dejstvom svetlosti, najvi{e svetlosti apsorbuje
se blizu povr{ine poluprovodnika, prouzrokuju}i naglo slabljenje intenziteta
svetlosti u poluprovodniku. Zato je vrlo ~esto neophodno da se brzina
generacije izrazi kao funkcija prostornih koordinata: gn(x) i gp(x).
Dodaju}i gn(x) i gp(x) ~lanove u j-nu 1.8, dobija se kompletan oblik
jedna~ine kontinuiteta primenjen na manjinske elektrone:
np
t

np x npe
1 jn
gn x
q x
n

(2.2)

Jedna~ina kontinuiteta mo`e da se primenjuje kako na manjinske, tako i

na ve}inske nosioce naelektrisanja. Ako se `eli da se napi{e generalni oblik
jedna~ine kontinuiteta, jednostavno se izostave indeksi p i n, koji ozna~avaju
manjinske nosioce:
n ne
n 1 jn

gn x
t q x
n

p pe
p 1 jp

gp x
t q x
p

(2.3)

Treba napomenuti da su koncentracije elektrona i {upljina n i p funkcije

prostorne koordinate i vremena (x i t):
n=n(x, t) , odnosno p=p(x, t).
Sli~no, i gustine struja jn i jp se menjaju u prostoru i vremenu:
jn=jn(x, t), odnosno jp=jp(x, t).
Op{ta trodimenzionalna jedna~ina kontinuiteta za elektrone i {upljine
mo`e se pisati u obliku:
n ne
n 1
jn gn x, y, z
t q
n
p pe
p 1
jp gp x, y, z
t q
p

(2.4)

Koncentracija elektrona i {upljina, kao i gustina struje elektrona i {upljina su,

o~igledno, ~etvorodimenzionalne funkcije:
n=n(x, y, z, t) ;
jn=jn(x, y, z, t);

p=p(x, y, z, t) i
jp=jp(x, y, z, t).

Op{ti oblik jedna~ine kontinuiteta se koristi u numeri~kim programima

razvijenim za simulacije poluprpovodni~kih komponenata. Re{enje jedna~ine
kontinuiteta daje vremensku i prostornu zavisnost koncentracija elektrona i
{upljina. Medjutim, da bi se re{ila jedna~ina kontinuiteta neophodno je
poznavati funkciju gustine struje.
2.4 JEDNA^INA FOTOSTRUJE
U ovom odeljku izvedena je jedna~ina fotostruje, uz pretpostavku da je
generacija nosilaca oko P-N spoja uniformna. Najpre treba razmotriti fotostruju
(I

) usled generacije nosilaca u osiroma{enoj oblasti. Po{to sna`no

photo-d

elektri~no polje u osiroma{enom sloju trenutno razdvaja elektrone i {upljine, u

osnovi je potrebno da se brzina generacije gn konvertuje u fotostruju.

Brzina

generacije

gn

izra`ava

broj

parova

elektron-{upljina,

generisanih u jedinici zapremine osiroma{enog sloja tokom jedne sekunde.

Brzina generacije pomno`ena elementarnim naelektrisanjem (qgn) izra`ava
naelektrisanje generisano u jedinici zapremine osiroma{enog sloja tokom
jedne sekunde. S obzirom da elektroni generisani u unutra{njosti zapremine
osiroma{enog

sloja

osiroma{enog sloja

doprinose

fotostruji,

qg n

se

mno`i

zapreminom

AJwd, {to daje naelektrisanje generisano u jedinici

vremena ( qgn AJwd). Kako je naelektrisanje u jedinici vremena ustvari struja

npe + gn n

12

C o n c e n tra tio n (c m - 3 )

(C/s=A),10to se za fotostruju mo`e pisati:

10 10
10

I photo-d
= qgnwAd Jwd
Lp

Ln

(2.5)

d e p le tio n la y e r

Nosioci generisani u neutralnoj oblasti daleko od P-N spoja se rekombinuju jer

nema ni 10
elektri~nog polja, ni gradijenta koncentracije za drift ili struju difuzije.
10

npe
np
jn
2
10
0 i
Uz
0 , iz jedna~ine kontinuiteta (2.2) mo`e se na}i da je n p - npe
x
t
-wn
w
-4
-2
0 p
2
4
= gnn. Ovo zna~i da je nivo stacionarnog stanja vi{ka koncentracije elektrona
Distance ( m)
zbog uniformne brzine generacije jednak g nn. Medjutim, uz ivice osiroma{enog

sloja koncentracija je np wp npe exp VD / Vt 0 . To zna~i da oko P-N spoja postoji

gradijent koncentracije, kao {to se mo`e videti na sl. 2.4.

Sl.2.4

U mraku, gradijent koncentracije je mali, {to dovodi do male difuzione struje

inverzne polarizacije Is, koja je dobro poznata kao struja zasi}enja diode.
Generacija nosilaca podi`e koncentraciju do
npe = gnn+ npe, pove}avaju}i gradijent koncentracije i dalje, difuzionu struju
inverzne polarizacije. Da bi se odredila komponenta fotostruje zbog difuzije
vi{ka elektrona, I

photo-n

, mo`e se ponovo pretpostaviti linearni gradijent

koncentracije u difuzionoj jedna~ini:

np
x

gn n npe / Ln

Ovo dovodi do slede}eg rezultata:

In qAJ Dn

npe
Ln

qAJ Dn

S-n

gn n
Ln

(2.6)

photo-n

Uzimaju}i da je L2n Dnn , fotostruja mo`e da se izrazi kao:

I

photo-n

= qAJgnLn .

(2.7)

Analogna jedna~ina mo`e da se dobije za difuzionu struju {upljina u

oblasti N-tipa:
I

photo-p

= qAJgpLp

Pri ~emu je gp = gn ako je generacija nosilaca uniformna. Tako ukupna

fotostruja postaje:
Iphoto qAJ gn (wd L n L p )

(2.8)

Treba napomenuti da driftovska fotostruja

Iphotod

reaguje gotovo

trenutno na promenu intenziteta svetlosti. S druge strane, odziv difuzione

fotostruje Iphoton i Iphotop je ograni~en

brzinom uspostavljanja profila

koncentracije. po`eljno je da detektori sa brzim odzivom imaju

wd >> Ln + Lp, tako da dominira driftovska fotostruja. Da bi se ovo postiglo,
koriste se PIN diode. ^ak i vrlo nizak nivo dopiranja intrinzi~nog sloja ima za
posledicu vrlo {irok sloj osiroma{enja, {to omogu}ava ne samo da se zadovolji
uslov wd >> Ln + Lp , ve} poja~ava vrednost fotostruje. [irina intrinzi~ne
oblasti je takva da potpuno osiroma{i pri vrlo malim naponima inverzne

polarizacije. To zna~i da je {irenje sloja osiroma{enja pod dejstvom napona

inverzne polarizacije zanemarljivo, tako da fotostruja gotovo ne zavisi od
napona (struja kontrolisana svetlo{}u).