FOTODIODOS

Fundamentos, caractersticas,
tecnologa y aplicaciones

Rapidez

( 3108 m/s )

Deteccin a distancia
POSIBILIDADES
DE LA LUZ

Posibilidad de enfoque ( m )
Visibilidad ( 0.4- 0.78 m )
Variedad de

1.6

UV
0.2

0.7

E ( eV )

C0 = 0

NIR
0.4

0.8

h = 1.24 / (m )
1.6

( m )

NECESIDAD DE DETECTORES
Receptores: FO, control remoto
Sensores: presencia, composicin
Lectores: CD - DVD
Monitores: control de lseres
Cmaras: vdeo, visin nocturna

dispositivos de vaco
fotoconductores

fotoelctricos
TIPOS

semiconductores
trmicos

fotodiodos

POR QU SEMICONDUCTORES?
Semiconductores :

Eg ~ 0.1 - 3 eV

Luz (visible - M IR) :

h ~ 0.1 - 3 eV!

POR QU DIODOS?

Vph

iph
Como batera...

Clulas fotovoltaicas
iv < 0

Como detector: iph

Fotodiodos

Guin
Principio
Principiodedefuncionamiento
funcionamiento
Caractersticas
Eficiencia y respuesta espectral
Caractersticas elctricas
Respuesta en frecuencia
Tecnologa
Dispositivos especficos
Fotodiodos Schottky
Fotodiodos de avalancha
Aplicaciones

Principio de funcionamiento

Absorcin banda a banda

Fotocorriente en uniones PN
Estructuras de fotodiodos

Absorcin banda a banda

Fotogeneracin
de portadores
n
Otros procesos de
absorcin:
excitnica,
por impurezas
intrabanda, fonones ...
Atenuacin de la luz
d/dx = - (x) = (0)exp(-x)
= coef. de absorcin
1/ = long. de penetracin

Coeficiente de absorcin ()
conservacin de E + conservacin de k
semicond. directos

rab() () fv (E1) [1 - fc (E2)]

1

(h)
semicond.
directos

1/2
cte
(h
E
)
g
=

(h )2

semicond. indirectos

Coeficiente de absorcin

102

Semic. directos: borde de absorcin abrupto

Semic. indirectos: variacin gradual de 1/()
Importantes: Silicio y GaInAs (con a=a(InP))

Longitud de penetracin (m)

10-2

Fotogeneracin en una unin PN

Popt (1-R)
P(x) = Popt(1-R)e-x
G(x) = P(x)/A
ZCE: G
n:G
x
p:G

arrastre
difusin
difusin

I(V;) = I(V;0) - Iph

arrastre
arrastre
recomb.

Caractersticas I(V)
i = i0(exp(V/nVT)-1) - iph

Modo Fotoconductivo

Modo Fotovoltaico

v=0 i = - iph Popt

i=0 v vTln(iph/i0)

Fotoconductor

Polarizacin inversa

V
=0
i = - (i0 + iph)

>0

Estructura de fotodiodo PN

Estructura p+-n-n+
Difusin desde la zona n
W(VR) (y )

Estructura de fotodiodo PIN

(+) alta eficiencia

(+) predominio del arrastre rapidez
() Id

Fotodiodos de heterounin
AlGaAs/GaAs

GaInAs/InP

(+) fuera de la ZCE

(+) slo arrastre rapidez

(+) (iluminacin por detrs)

(+) no recomb. superficial

OJO: ajuste parmetros de red

Principio de funcionamiento
Caractersticas

Anlisis de la eficiencia

Eficiencia y respuesta espectral

Optimizacin

Caractersticas elctricas

Ejemplos

Respuesta en frecuencia
Tecnologa
Dispositivos especficos
Aplicaciones

Eficiencia cuntica y sensibilidad

Eficiencia cuntica ()
= n de pares e-h generados / n fotones incidentes
(1 - R)[1- exp (-d)]
Sensibilidad o responsividad
= fotocorriente / potencia ptica
i ph = e( P/ h )

= 0 (m)/ 1.24

Anlisis de la eficiencia cuntica

difusin en la zona n

J ph = J dif + J arr
arrastre en la ZCE

2pn pn pn 0
Dp

+ G( x) = 0
2
p
x

pn ph

W x

L
= C1 e x 1 e p

0 L2p

C1
D 1 2L2
p
p

J dif = q 0

Lp
1 + Lp

J arr = q 0 G ( x ) dx
Pnph

J tot q
=
= (1 R )
Popt Ah

x-W

J ph

e
= q 0 1
1 + Lp

e
1

1 + Lp

Anlisis de la eficiencia cuntica (II)

Para un P + IN + con Lp <<

= (1 R ) 1 e W

Para un P + N con W <<

= (1 R )

Lp
1 + Lp

Optimizacin de para largas (PIN)

(1 - e-w ) > 85% w > 2
PD de silicio:
(m)
Wmin(m)
rojo
0.66m 5m
IRED
0.9m 40m
YAG 1.064m 2000m
W ( y ) VR

Optimizacin de : capas antirreflectantes

* Reflectividad:
1-R
perturbacin del emisor
* Intercara semiconductor-aire:
2
n-1
R=
31 % < 70%
n+1
n(Si) = 3.5
Necesidad de capas antirreflectantes

Capas antirreflectantes
* Interferencia destructiva:
n2 d2 = m /4

* ptimo para:
n2 =

n1 n3

d adecuado a
Silicio Si3 N4
(n2 =1.95)

Optimizacin para cortas

PD de silicio

absorcin cerca de la superficie

1/ (UV) < 100 nm recombinacin no radiativa exp(- xp)
Solucin: NA creciente hacia la superficie ( barrera de difusin)
3 > 2 > 1

PD de GaInAs/InP

InP P
GaInAs I
InP N

Ejemplos de respuesta espectral

directos vs. indirectos
lmites cortas

de inters:
visible: 0.4-0.78 m
GaAs-IRED:0.9m

Si

Nd:YAG: 1.064 m
FO: 1.3, 1.55m GaInAs
IR trmico: 3 - 5 , 8 -14 m
otros: InAs, HgCdTe ...

Caractersticas elctricas

Parmetros relevantes
Circuito equivalente
Relacin seal-ruido
intensidad

Parmetros relevantes

1/Rs

Corriente en oscuridad (Id)

Id=Id-GR+Id-dif+Id-surf
IdAexp(-Eg/KBT)
T=25CId(Si)10
Id(Si)Id(Ge)
Rsh=(dI/dV)-1
RshnKBT/qId
CjA[(VR+0.5)]-1/2
Rserie y Rsh parsitas
RL (tp.) = 50 - 1 K

voltaje
Id

Circuito equivalente

1/Rsh

Anlisis del circuito equivalente: Linealidad

Para IphReq<VF+VR

IoIph= Popt

Para IphReq VF+VR

saturacin de la linealidad

Voc(KBT/q)ln(Iph/Is)

lineal

Relacin seal-ruido

Ruido shot : fotogeneracin + fondo + oscuridad

iN 2 = 2qIf
Ruido trmico :

iN 2 = (4kT/Req)f

Relacin seal ruido: SNRi = Iph /iN

Optimizar SNR:
Req: RL Rsh
Id: T
f : deteccin
sncrona

Respuesta en frecuencia

Fenomenologa
Casos en que domina RC
Casos en que domina -trans.
Optimizacin

Respuesta temporal y respuesta en frecuencia

tiempo de carga
= RLC

tiempo de trnsito
= W/ v

tiempo de subida (tr): 10% 90%

(f3dB)=(100KHz)/2

componente
de difusin

(= 2.2 )

f3dB = 0.35/tr

Competencia con la difusin

1/ difusin

RL domina RC

VR W difusin

RL domina difusin

Optimizacin de f3dB

*= 1- exp(-W)
W < 0.35v / f3dB
A < 0.16W / (RLf3dB)

Amax para W /v 2RLC

Principio de funcionamiento
Caractersticas
Tecnologa
Dispositivos especficos
Aplicaciones

Fabricacin de PD de silicio
Ej: PD Epitaxial

(Anillo de guarda p+)

Stopper n+
Dopado p del rea activa

Capa pasiv. y antireflectante

Contacto frontal (Al)
Contacto posterior

Fabricacin de PD de GaInAs
Poca dependencia f3dB ()

Interesantes: 1.3 y 1.55 m

1para 0.92< < 1.65 m

(RC)=trans y

Estructuras
Cparas
Ifugas

Id

dif = 0

Estructuras tipo mesa

Substrato n+
Epitaxia
buffer layer: SL
capa activa: GaInAs
capa recubridora p+
Adelgazar substrato
Contactos:
Ni/AuGe/Au y Ti/Pt/Au

Capa antirreflectante

Estructuras tipo mesa (cont.)

Ataque hmedo
y limpieza xidos
Pasivacin: polyimida

Va de contacto (RIE)

Tecnologa de hibridacin
Deposicin y grabado
de los pads de
soldadura
Contacto

Tecnologa flip-chip:
C y L parsitas
iluminacin por detrs
area libre

Principio de funcionamiento
Caractersticas
Tecnologa
Dispositivos especficos
Fotodiodos Schottky
Fotodiodos de avalancha
Otros tipos de fotodiodos
Aplicaciones

PD Schottky: principio de funcionamiento

generacin banda a banda

h > Eg

Fotoemisin de electrones
h > qb ( MIR)

Alta velocidad ( record mundial ! : 60 GHz )

Id ruido

PD Schottky: estructuras
Iluminacin por delante:
No prdidas por recombinacin
en la superficie
() T()
Capas AR/metal/semiconductor

Iluminacin por detrs

(GaInAs /InP):
capa metal gruesa x 2
Rs

PD Schottky: caractersticas
Respuesta en frecuencia
Respuesta espectral

Respuesta temporal

Fotodiodos de avalancha

Multiplicacin por avalancha

Estructuras
Caractersticas

Multiplicacin por avalancha

Coef. de ionizacin:
e , h , h= e /h
Conviene h>>1 o h<<1

Ganancia (G)
para h<<1 G=exp(- e W)

e,h (E)

Conveniencia de APD
seal: Iph = GIph(G=1)
ruido: iN = GiN(M=1)F1/2
mejora SNR
cuando domina el
ruido del circuito

APDs de Silicio
e >>h
G=100-1000
Vop 100 volts
Estructuras SAM
(Multiplicacin y
Absorcin Separada)

APDs de GaInAs

Otros dispositivos: Fotodiodos en gua de ondas

Estructura de gua
Iluminacin lateral

+ Integracin con otros dispositivos

+ Disociacin entre y
posible mejora de f3dB
(para iluminacin por superficie f3dB < 20 GHz)

Ejemplo de PD integrado en gua de onda

Integracin monoltica con
gua de onda pasiva
Acoplamiento de campo evanescente
Optimizacin separada del acoplamiento fibra-chip
= 1.55 m f3dB=45 GHz =0.22 A/W

Otros dispositivos: Fototransistores

Circuitos para fototransistores

con eliminacin de dc

Con conexin de base

Sin conexin de base

Principio de funcionamiento
Caractersticas
Tecnologa
Dispositivos especficos
Aplicaciones

Aplicaciones
Medicin de luz
Fotometra
Espectrometra
Control de lseres
Recepcin o lectura de datos
Control remoto y comunicacin IR
Lectores de cdigo de barras
Lectores de CD y DVD
Buses pticos
Redes locales
Comunicacin a larga distancia
Sensores
Proximidad
Composiciones
Deteccin remota
Interferomtricos
En gua de onda

Circuitos bsicos
Con resistencia de carga

Con amplificador de transimpedancia

Con amplificador de transimpedancia

en polarizacin inversa

Con resistencia de carga

en polarizacin inversa

Medidor de potencia ptica

PD de silicio de gran rea

400-1050 nm
Modo fotocorriente
Amplif. transimpedancia

Adaptacin ganancia
Mdulo inteligente
Correccin ()
Salida V/W

Comunicacin IR
Protocolos IrDA

= 850 - 900 nm
tr(max) = 80 ns

Pdens = 0.4 - 1250W/cm2

BER = 10-4

Receptor para comunicacin por fibra ptica

PIN de GaInAs/InP
IC Preamplificador
de GaAs + Si-IC
flip-chip
tamao, consumo
fiabilidad
Acoplo a fibra
SONET OC-48
(2488.32 MHz)

Hemos visto ...

interaccin luz-semiconductores y heteroestructuras
anlisis como dispositivo electrnico
caractersticas como circuito
respuestas en frecuencia: hasta 50 GHz
tecnologa Si y III - Vs
cmo mejorar velocidad y conseguir ganancia
aplicaciones