136

EL FOTODIO PIN
EL FOTODIODO PIN CON SU DISTRIBUCIN DE CAMPO ELCTRICO
POLARIZADO INVRSAMENTE.
P

W
CAMPO
ELCTRICO

DISTANCIA
DISEO DE UN FOTODODO PIN InGaAs
Au/Au-Sn
TIPO P. InP
4
m

i
InGaAs
TIPO-N

InP

N+-InP
(SUSTRATO)

MTODO PARA INCREMENTAR LA ANCHURA DE LA REGIN DE

VACIAMIENTO.
INSERTAR UNA CAPA DE MATERIAL INTRNSECO O DBILMENTE
DOPADO ENTRE LA UNIN PN.
ESTA ZONA INTRNSECA DEL DISPOSITIVO DA EL NOMBRE DE
DIODO PIN.

137
CARACTERSTICA DE LA CAPA INTERMEDIA
PRESENTA UNA ELEVADA RESISTIVIDAD.
SE PRODUCE UNA ELEVADA CAIDA DE TENSIN.
EL CAMPO ELCTRICO INTERNO ES MUY INTENSO.
LA ZONA DE VACIAMIENTO SE EXTIENDE FUERA DE LA REGIN
INTRNSECA Y TIENE UNA ANCHURA W.
LA ANCHURA W SE PUEDE CONTROLAR CAMBIANDO EL
ESPESOR DE LA REGIN.
DIFERENCIA CON EL FOTODIODO PN.
EN EL FOTODIODO PIN, LA COMPONENTE DE LA FOTOCORRIENTE
DE ARRASTRE ES MS INTENSA QUE LA COMPONENTE DE
DIFUSIN.
DEBIDO A QUE GRAN PARTE DE LA POTENCIA INCIDENTE ES
ABSORBIDA EN LA REGIN i DEL FOTODIODO PIN.
LA ANCHURA DE VACIAMIENTO W
EL VALOR PTIMO DE W DEPENDE DEL COMPROMISO ENTRE:
VELOCIDAD
SENSIBILIDAD
LA RESPUESTA PUEDE INCREMENTARSE, AUMENTANDO W.
LA EFICIENCIA CUNTICA SE APROXIMA AL 100%.

Pab
= 1 e W
Pin

INCREMENTO DEL TIEMPO DE RESPUESTA.

EL TIEMPO DE RESPUESTA AUMENTA PARA LOS PORTADORES
ARRASTRADOS A TRAVS DE LA REGIN DE VACIAMIENTO.

VALORES TPICOS PARA SEMICONDUCTORES DE BANDA

PROHIBIDA INDIRECTA COMO EL Ge, Si.
OSCILAN EN EL RANGO:

W 20 a 50m
PARA ASEGURAR UNA EFICIENCIA CUNTICA RAZONABLE.

138
EL ANCHO DE BANDA PARA LOS SEMICONDUCTORES DE
BANDA PROHIBIDA INDIRECTA
EST LIMITADO POR UN TIEMPO DE TRNSITO MUY GRANDE:

tr > 200ps

VALORES TPICOS PARA SEMICONDUCTORES DE BANDA

PROHIBIDA DIRECTA:

W 3 a 5m

EL ANCHO DE BANDA PARA LOS SEMICONDUCTORES DE BANDA

PROHIBIDA DIRECTA
EL TIEMPO DE TRNSITO EST EN EL RANGO: tr = 30 a 50ps
LA VELOCIDAD DE ARRASTRE DE SATURACIN ES:
5

v d max = 1x10 m
s
SE OBTIENE UN ANCHO DE BANDA DE: f = 3 a 5GHz

EL RENDIMIENTO DEL FOTODIODO PIN

MEJORA EN DISEO DE HETEROESTRUCTURAS DOBLES.
EN FORMA SIMILAR AL CASO DEL LASER SEMICONDUCTOR,
DONDE SE INTERPONE UNA CAPA i ENTRE LAS CAPAS P Y N
DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DIFERENTE, CUYAS
BANDAS PROHIBIDAS SE SELECCIONAN PARA QUE LA LUZ
SEA SLO ABSORBIDA EN LA REGIN INTRNSECA i
INTERMEDIA.
LA COMPONENTE DE DIFUSIN DEL FOTODIODO DE
HETEROESTRUCTURA.
LA COMPONENTE DE DIFUSIN SE ELIMINA TOTALMENTE.
CONSECUENCIA DE QUE LOS FOTONES SON ABSORBIDOS SLO
DENTRO DE LA ZONA DE VACIAMIENTO.
DISMINUCIN DE LA REFLEXIN
UNA CAPA DIELCTRICA EN LA CARA FRONTAL DISMINUYE LOS
EFECTOS DE LA REFLEXIN.
LA EFICIENCIA CUNTICA
SE PUEDE ELEVAR A:
= 100% USANDO UNA CAPA DE
InGaAs

139
CARACTERSTICAS DE OPERACIN DE LOS FOTODIODOS:
PARMETRO

SMBOLO

UNIDAD

Si

Ge

InGaAs

LONGITUD DE ONDA

0,4 - 1,1 0,8 - 1,8 1,0 - 1,7

FACTOR DE
FOTOSENSIBILIDAD

AW

0,4 - 0,6 0,5 - 0,7 0,6 - 0,9

CORRIENTE DE
OSCURIDAD

Id

TIEMPO DE
ASCENSO

75 - 90

50 - 55

60 - 70

nA

1 - 10

50 - 500

1 - 20

ns

0,5 - 1

ANCHO DE BANDA

GHz 0,3 - 0,6 0,5 - 3

VOLTAJE DE
POLARIZACIN

Vb

EFICIENCIA CUNTICA

50 - 100

0,1 - 0,5 0,05 - 0,5

6 - 10

1-5
5-6

TCNICAS PARA MEJORAR LA EFICIENCIA DE FOTODIODOS DE

ALTA VELOCIDAD
FORMACIN DE UNA CAVIDAD FABRY-PEROT ALREDEDOR DE LA
ESTRUCTURA PIN
SE INCREMENTA EL RENDIMIENTO CUNTICO.
SE OBTIENE UNA ESTRUCTURA SIMILAR AL LASER.
UNA CAVIDAD FABRY-PEROT TIENE UNA SERIE DE MODOS
LONGITUDINALES.
PARA ESTOS MODOS EL CAMPO PTICO INTERNO ES
AMPLIFICADO POR RFRCTOS DE RESONANCIAS A TRAVS
DE INTERFERENCIAS CONSTRUCTIVAS.
COMO RESULTADO SE ELEVA LA SENSIBILIDAD, SI
LA LONGITUD DE ONDA INCIDENTE ES CERCANA A
LA DEL MODO LONGITUDINAL.
EN APLICACIONES WDM SE NECESITA ESTE TIPO DE
SELECTIVIDAD DE LONGITUD DE ONDA.
SE FORMA UN ESPEJO DE CAPAS DE AlGaAs-AlAs, EN UNA
CAVIDAD FABRY-PEROT.
SE GENERA UN EFECTO DE REFLECTIVIDAD DE BRAGG.
ES POSIBLE INCREMENTAR LA EFICIENCIA A 100%.

140
EN LA CAVIDAD DE FABRY-PEROT CON ESPEJO, SE INSERTA UNA
CAPA DE ABSORCIN DE InGaAs
ESPESOR DE LA CAPA 90nm.
SE TRATA DE UNA MICROCAVIDAD COMPUESTA POR:
UN ESPEJO DE BRAGG.
UN ESPEJO DIELCTRICO DE GaAs-AlAs.
EFICIENCIA CUNTICA: 94 a 100%
RANGO DE LONGITUD DE ONDA :
ANCHO DE BANDA: > 100GHz

14nm

GUA DE ONDAS PTICAS CON ACOPLAMIENTO DE LA SEAL POR

EL BORDE
TCNICA PARA LOGRAR FOTODIODOS DE ALTA VELOCIDAD.
SE ASEMEJA A UN LASER SEMICONDUCTOR EN AUSENCIA DEL
BOMBEO DE PORTADORES.
CON LA DIFERENCIA DE OPTIMIZAR DE MANERA
DIFERENTE VARIAS CAPAS EPITAXIALES.
SOPORTAN MLTIPLES MODOS LASERS TRANSVERSALES.
MEJORANDO LA EFICIENCIA DE ACOPLAMIENTO.
USO DE UNA CAPA DE ABSORCIN ULTRA FINA:
SE ELEVA LA EFICIENCIA CUNTICA A: 100%.
DEBIDO A QUE LOS PROCESOS DE ABSORCIN OCURREN A
TODO LO LARGO DE LA GUA DE ONDA.
EL ANCHO DE BANDA: EST LIMITADO POR RC
RC PUEDE DISMINUIR CONTROLANDO EL REA
TRANSVERSAL DE LA GUA DE ONDA.
SE LOGRA ANCHOS DE BANDA DE 50GHz, SE PUEDE
INCREMENTAR HASTA LOS 110GHz, CON LA ESTRUCTURA
TIPO MESA DE HONGO.
LA ANCHURA DE LA REGION-i SE REDUCE A: 1 , 5 m
m
ANCHURA DE LAS REGIONES P Y N: 6
SE REDUCE LA CAPACITANCIA PARSITA.
SE REDUCE LA RESISTENCIA SERIE INTERNA.
. RC 1ps
ALTO FACTOR DE FOTOSENSIBILIDAD R.
ANCHO DE BANDA DE 50GHz.
EFICIENCIA CUNTICA: > 90%

141
FOTODIODO DE GUA DE ONDA PTICA TIPO MESA DE HONGO
ELECTRODO P
P+-InP
P+-InGaAsP
i+-InGaAsP

POLIMERO
N+-InGaAsP

Si-InP

1,5m
6
m

MEDICIN DE LA RESPUESTA EN FRECUENCIA

10
RESPUESTA 5
RELATIVA
(dB)
0

110GHz

-5
-10
-15
-20

20

40
60
80
FRECUENCIA (GHz)

100

120

EL FOTODIODO DE GUA DE ONDA CON ESTRUCTURA DE ELECTRODO

MEJORA EL RENDIMIENTO.
SE EVITA REFLEXIONES. SE PROPAGAN ONDAS CON LAS MISMAS
IMPEDANCIAS DE ONDA.
ANCHO DE BANDA: 172 GHz.
EFICIENCIA 45%
ANCHURA DE GUA DEONDA: 1
m
IMPEDANCIA CARACTERSTICA: 50