Koja je razlika izmeu MOSFETA i bipolarnog tranzistora?

o danas se ede upotrebljava MOSFET, ali bipolarni tranzistor se i dalje koristi zbog prednosti kao to su vede
pojaanje u pojaalima, vede strujne sposobnosti I veda brzina rada (npr. radiofrekvencije u beidnoj
komunikaciji)
o oni rade sa strujom kao strujom upravljani strujni izvori (uz pomod male struje baze mogude je upravljati vedim
strujama kolektora ili emitera)
Objasniti proces prolaska elektrona od emitera do kolektora (npn tranzistor)
o spoj emiter-baza je propusno polariziran (UEB < 0), a spoj kolektor-baza je zaporno polariziran (UCB > 0)
o struja emitera (IE) sastoji se od struje elektrona (InE) koji se injektiraju u bazu I struje upljina (IpE) koje se
injektiraju u emiter
o dio elektrona koji su injektirani u bazu se rekombinira s vedinskim nosiocima (upljinama) u bazi
rekombinacijska struja (IR)
o dio elektrona dolazi do spoja kolektor-baza (odnos ovisi o irini baze I difuzijskoj duljini elektrona) i tamo
nesmetano prelazi u kolektor (zaporna polarizacija stvara u osiromaenom sloju polje koje ubrzava tok elektrona
iz baze u kolektor) kolektorska struja (Inc)
o kroz kolektorski spoj tee i struja zasidenja spoja kolektor-baza (ICB0) struja manjinskih nosilaca
o pojedine komponente struja odreuju se kao difuzijske struje manjinskih nosilaca
Kod normalnog aktivnog podruja, to je vee: Ie ili Ic?
o vedi je IE, dio elektrona koji su injektirani u bazu se rekombinira sa upljinama, pa je zato I C manji
Kakva treba biti baza tranzistora?
o dobri tranzistori izvode se s uskim bazama, ija je irina manja od difuzijske duljine elektrona tako se tek mali
dio elektrona rekombinira u bazi
o uobiajena irina baze je do 1um
to je to faktor injekcije? ()
o omjer struje elektrona koje emiter injektira u bazu i ukupne struje emitera
o vrijednost je manja od jedinice (za dobar tranzistor tei jedinici)
o struja InE je proporcionalna koncentraciji vedinskih elektrona u emiteru (vedi faktor se postie dopiranjem)
to je transportni faktor? (*)
o omjer struje manjinskih elektrona u bazi koji su stigli do kolektora i struje manjinskih elektrona koji su doli iz
emitera
o blii je jedinici to je rekombinacija elektrona u bazi manja (to se postie uom bazom u odnosu na difuzijsku
duljinu manjinskih elektrona u bazi)
to je statiki faktor strujnog pojaanja spoja zajednike baze? ()
o = *
o omjer izlazne struje kolektora IC i ulazne struje emitera IE (omjer istosmjernih struja- statiki faktor)
o kod npn tranzistora u normalnom aktivnom podruju faktor je pozitivan broj manji od 1 (tipino od 0.98-0.995)
o tranzistor u spoju zajednike baze ne pojaava struju prenosi praktiki jednaku struju iz kruga malog u krug
velikog otpora
o ulazni krug ima mali otpor, a izlazni veliki omoguduje dobivanje naponskog pojaanja
to je statiki faktor strujnog pojaanja spoja zajednikog emitera? ()
o omjer izlazne struje kolektora IC i ulazne struje baze IB
o puno je vedi od 1 (tipino od 50-200)
Kakvi su naponi kod pnp tranzistora?
o UEB >0 (propusno polariziran emiter-baza), UCB < 0 (zaporno polariziran kolektor-baza)
o razlikuje se od npn tranzistora po predznacima napona i smjerovima struja
o tip nosilaca koji su kljuni za rad tranzistora su upljine koje emiter injektira u bazu
Kakvo je pojaanje u spoju zajednike baze, a kakvo u spoju zajednikog emitera?
o zajednika baza:
ulaz: emiter, IE, UEB<0 ; izlaz: kolektor, IC, UCB >0
- statiki faktor strujnog pojaanja u spoju zajednike baze (IC / IE) je manji od 1

 rjee se primjenjuje u spojevima

zajedniki emiter:
ulaz: baza, IB, UBE>0 ; izlaz: kolektor, IC, UCE >0
izlaznom strujom IC upravlja mala ulazna struja IB pojaanje je znatno vede!
statiki faktor pojaanja u spoju zajednikog emitera (IC / IB) je puno vedi od (tipino od 50-200)
najede se koristi
o zajedniki kolektor:
ulaz: baza, IB, UBC<0 ; izlaz: emiter, IE, UEC <0
o opdenito: struja IC je puta veda od IB, a za puta veda (tj. manja, <1) od IE
Kako su polarizirani spojevi u odreenim podrujima rada?
o normalno aktivno: EB propusno, CB zaporno
struja kolektora ovisi o struji emitera (odnosno o naponu U EB)
ako je emiter puno jae dopiran od baze struje emitera je praktiki jednaka struji koju emiter injektira u
bazu, a ako je baza uska- rekombinacija je zanemariva
u tom sluaju je struja kolektora neznatno manja od struje emitera
tranzistor posjeduje svojstvo pojaanja i koristi se u pojaalima
gledano s kolektorskog prikljuka ponaa se kao idealni strujni izvor (struja ne ovisi o otporu troila)
o inverzno aktivno: EB zaporno, CB propusno
slino kao i normalno aktivno, uz zamjenu uloga emitera i kolektora
spoj kolektor baza injektira nosioce na drugu stranu spoja, a emiter ih sakuplja
IE i IB teku u tranzistor, a IC iz tranzistora
inverzni faktori strujnih pojaanja 1(IE /- IC), 1 (IE / IB)
kada bi izvedbe podruja emitera i kolektora bile jednake, onda ne bi bilo razlike izmeu inverznog i
normalnog podruja
u realnim tranzistorima razlika postoji, podruja su optimirana za rad u aktivnom podruju (posljedica su
loiji parametri tranzistora, 1 je tipino od 1-10)
o podruje zasidenja: EB propusno, CB propusno
superpozicija aktivnog i inverznog podruja
oba pn spoja injektiraju nosioce na drugu stranu, baza je zasidena manjinskim nosiocima
o podruje zapiranja: EB zaporno, CB zaporno
teku samo struje zasidenja IEB0 i ICB0 zanemarivo male
Zato je beta u prvom mjerenju velik, a u drugom mali?
o prvo mjerenje je normalno aktivno podruje, a drugo inverzno aktivno (vidi prolo pitanje)
Kada tranzistor radi kao sklopka, a kada kao pojaalo?
o u podruju zasidenja i zapiranja nema pojaanja, sklop se ponaa kao sklopka (naponi u zasidenju su mali zbog
malog otpora, naponi u zapiranju su veliki zbog velikog otpora)
o u aktivnom stanju sklop se ponaa kao pojaalo
to je prijenosna karakteristika?
o odnos izlazne struje i ulaznog napona
to je izlazna karakteristika?
o odnos izlazne struje i izlaznog napona
to se nalazi na kojoj osi strujno-naponske karakteristike u:
o spoj zajednike baze:
ulazna karakteristika: x-os napon UEB, y-os struja IE
izlazna karakteristika: x-os napon UCB, y-os struja IC
o spoj zajednikog emitera:
ulazna karakteristika: x-os napon UBE, y-os struja IB
izlazna karakteristika: x-os napon UCE, y-os struja IC
Prepoznati normalno aktivno podruje, inverzno aktivno podruje, podruje zasienja i podruje zapiranja:
o pogledati u skripti, ima oznaeno na grafovima u poglavlju 7.7
o