1.1 a) to su poluvodii? Koji se materijali najee koriste za elektronike komponente i zato?

- Poluvodii su materijali ija otpornost ovisi o vanjskim utjecajima: temperaturi, optikoj pobudi,
radijaciji i tlaku, ali i o koliini i tipu primjesa namjerno dodanih monokristalu. Poluvodii su zanimljivi
za primjenu u elektronici zato to im se otpornost moe kontroliranim dodavanjem primjesa mijenjati u
irokim granicama.
- Za izradu elektronikih komponenti najee se upotrebljavaju silicij (Si) i germanij (Ge) zato to si to
elementarni poluvodii (koncentracija slobodnih nosilaca naboja je bez dodavanja primjesa velika).
b) Objasniti kako nastaju poluvodii P-tipa, odnosno N-tipa.
- P-tip: Ako se istom poluvodiu dodaju atomi trovalentne primjese, tada tri elektrona atoma primjese
stvaraju tri kovalentne veze dok jedna ostaje nekompletna. Na taj nain atom primjese postaje ion s
jedininim negativnim nabojem. Slobodne upljine nastale ionizacijom primjesa i termikim
razbijanjem kovalentnih veza stvaraju preteno upljinsku provodnost poluvodia. Zato je to primjesni
poluvodi P-tipa.
- N-tip: Ako se istom poluvodiu dodaju atomi peterovalentne primjese tada 4 elektrona iz atoma
primjese popunjavaju 4 kovalentne veze, a peti elektron je uz atom primjese vezan samo slabom
elektrostatskom silom Co9ulombova tipa, te taj elektron uz nisku energiju Ei naputa primjesni atom.
Pri tome atom primjese postaje ion s jedininim pozitivnim nabojem. Slobodni elektroni primjesa
zajedno s elektronima dobivenim termikim razbijanjem veza stvaraju preteno elektronsku provodnost
poluvodi N-tipa.
d) Kako nastaje barijerni kapacotet?
- Barijerni kapacitet ja naponski promijenjiv kapacitet, nastaje kada kroz PN-spoj tee struja nepropusne
polarizacije
2.1 a) to su poluvodike diode i koje je podruje njihove primjene?
- Pluvodike diode su elektronike komponente koje se izrauju od kristala germanija, silicija ili galijarsenida. Sastoje se od jednog PN-spoja (ili ispravljakog spoja metal-poluvodi) i neispravljakig
(omskih) kontakata i kuita.
- Podruje primjene je odreeno svojstvoma PN-spoja i spoja metal-poluvodi kao to su: ispravljanje i
rad kao sklopka.
c) Koja jednadba dobro opisuje srujno naponsku ovisnost realne diode? Objasniti pojam reverzne struje
zasienja Is i koeficijenta injekcije m.
U

mkT I
ln
1
q
I R0

Reverzna struja zasienja posljedica je termike generacije parova nosilaca naboja (elektron upljina) u
kvazineutralnom podruju i zatim difuzije manjinskih nosilaca u podruje prostornog naboja, kroz koje
se oni pod utjecajem elektrinog polja prebacuju na suprotnu stranu.
- Koeficijent injekcije (m) se definira omjerom injektirane struje manjinskih nosilaca naboja i ukupne
struje PN-spoja.
3.1 a) to su bipolarni spojni tranzistori? Objasniti naelo njihova rada.
- Tranzistori su aktivne poluvodike komponente s tri izvoda (elektrode) pri emu je struja kroz dva
izvoda upravljana malom promjenom struje ili napona treeg izvoda.
- Bipolarni tranzistori su elektronike komponente koje se sastoje od dva PN-prijelaza sa zajednikom
bazom. Kroz bazu troslojnog tranzistora teku obje vrste elektriciteta, od emitera do kolektora struja tee
kroz PN-prijelaz i NP-prijelaz pa iz te injenice dolazi naziv bipolarni.
- U normalnom aktivnom podruju spoj Baza-Emiter propusno je polariziran a spoj CB nepropusno
polariziran. Propusno polarizirani spoj unosi u bazu nosioce naboja koji bivaju privueni od strane
kolektora. Djelovanjem u primarnom krugu izazvali smo promjenu u sekundarnom krugu.
b) Nacrtati i objasniti sve komponente struja NPN tranzistora.

IE

IC
IB

IE struja emitera
IC struja kolektora
IB struja baze

c) Objasniti podruja rada bipolarnog tranzistora.

- Kako se tranzistor sastoji od dva PN-spoja, a svaki od njih moe biti propusno ili nepropusno
polariziran, mogua su etiri podruja rada:
Polarizacija
emiterskog spoja
kolektorskog spoja
propusna
nepropusna
propusna
propusna
nepropusna
nepropusna
nepropusna
propusna

normalno aktivno podruje NAP

zasienje ZAS
zapiranje ZAP
inverzno aktivno podruje IAP

4.1 a) Koja relacija povezuje faktore strujnog pojaanja u spoju zajednike baze i spoju zajednikog emitera
?

1
b) Objasniti to je Earlyjev efekt.
- Earlyjev efekt (suenje baze) se javlja kada je baza tranzistora slabo dopirana pa se osiromaeno
podruje reverzno polariziranog kolektorskog spoja vie iri u podruje baze. To se primjeuje na
ulaznim i izlaznim karakteristikama bipolarnog tranzistora. Zbog tog efekta struja kolektora vie nije
ovisna o naponu UCB odnosno UCE, a i kod ulaznih karakteristika javlja se rasipanje pod utjecajem
izlaznog napona UCB odnosno UCE.
c) Izraziti parametre spoja zajednika baza hb pomou h parametra spoja zajedniki emiter he .
hib

hie
;
1 hie

hrb

hie hoe
hre hre ;
1 h fe

h fb

h fe
h fe 1

; hob

hoe
.
1 h fe

5.1a) to su unipolarni tranzistori? Koje su razlike izmeu bipolarnih i unipolarnih tranzistora?

- Unipolarni tranzistori su tranzistori s efektom polja. Oni su otpori u kojima jakost struje u volumenu
poluvodia ili gustoa nosilaca naboja u povrinskom sloju poluvodia ovisi o vanjskom elektrinim
polju.Vodljivi sloj kroz koji tee struja tranzistora naziva se kanal. Kanal se formira u volumenu
poluvodia.
- Razlika izmeu bipolarnih i unipolarnih tranzistora je u tome to su unipolarni tranzistori vrsta
tranzistora kod kojih ne postoji ili nije bitna injekcija i difuzija manjinskih nosilaca naboja, dok kod
bipolarnih tranzistora u njihovu radu sudjeluju oba tipa nosilaca naboja, gdje je unoenje manjinskih
nosilaca naboja praeno kompenzacijom njihova naboja veinskim nosiocima naboja.
c) Nacrtati tehnoloki presjek JFET-a i objasniti upravljanje irinom kanala. Zato napon U GS kod Nkanalnog JFET-a ne smije biti pozitivan?
- Za upravljanje irinom kanala koristi se irina naponski promijenjivog osiromaenog podruja. Budui
da je provodnost kanala odreena koncentracijom primjesa ND otpor kanala se mijenja zbog promijene
njegovog efektivnog presjeka. Njegova irina moe biti upravljana s jedne strane ili sa dvije strane (ako
se kratko spoje B i G).

U osiromaenom modu JFET radi i kroz njega tee struja i uz U GS=0. Poveanjem apsolutnog iznosa UGS
napona, struja se smanjuje i pri UGS = -UP postaje jednaka nuli. Za pozitivne iznose napona UGS P+N spoj
postaje propusno polariziran pa P+ -sloj injektira manjinske nosioce naboja u kanal i tranzistor vie ne
radi kao JFET.

6.1 a) Koja je razlika izmeu JFETa i MOSFETa?

- U JFET-ovima naponom upravljake elektrode mijenjamo irinu osiromaenog podruja, a time i
provodnost kanala. Upravljaka elektroda je odvojena od kanala nepropusno polariziranim PN-spojem.
Kod MOSFETa upravljaka elektroda je odvojena slojen silicijevog oksida SiO 2. MOSFET ima
povrinski kanal (kod JFETa kanal je u volumenu) a rgulacija se vri pomou mijenjanja pokretljivosti
nosioca naboja.
b) Nacrtati tehnoloki presjek i objasniti nain rada N-MOSFETa.
7 P+ podloga se obino spaja na upravljaku elektrodu G ili na uvod S. U prvom sluaju zbog napona
nepropusne polarizacije na upravljakoj elektrodi osiromaeni slij nastaje sobje strane N-kanala, pa je
njegova irina upravljana s obje strane. Ako se P+ podloga spaja zajedno s uvodom N+ , irina osiromaenog
podruja s donje strane kanala ostaje ne ovisna o naponu upravljake elektrode, pa se moe pretpostaviti da
irinu kanala mijenja samo P+ podruje ispod upravljake elektrode.

7.1 a) Objasniti naelo rada jednospojnog tranzistora.

- Jednospojni tranzistor ima samo jedan PN-spoj, ali baza ima dva prikljuka. Njegov rad se temelji
na modulacijiprovodnosti baze. Dok je UR1>UE , on je nepropusno polariziran i tee mala reverzna
struja zasienja. Kad se naponi izjednae, struja I E padne na nulu. Daljnjim poveanjem napona U E
on postaje propusno polariziran. Zapoinje injekcija upljina, tee struja propusne polarizacije.
Prisutnost injektiranih upljina smanjuje otpor R1, to ima za posljedicu smanjenje napona UR1 .To je
primjer modulacije provodnosti. Daljnjim poveanjem propusne polarizacije dolazi do poveanja

struje kroz P+N-spoj i smanjenja ukupnog napona U E .To u I-U karakteristici, na prijelazu iz stanja
blokiranja u stanje voenja, stvara podruje negativnog otpora.
b) Pomou dvotranzistorske analogije objasniti prijelaz izmeu blokiranja u stanje voenja za diodni i
triodni tiristor.
- Struja kroz komponentu IA je tako mala i priblino jednaka zbroju kolektorskih struja zasienja dvaju
ekvivalentnih tranzistora, dok je zbroj faktora pojaanja 1+2 manji od jedan. Kad se zbroj 1+2
pone probliavati jedinici, struja IA se poinje naglo poveavati. Kada se nakon prelaska u stanje
voenja osiromaeno podruje db2 prepolarizira i postane propusno polarizirano, oba ekvivalentna
tranzistora ostaju u stanju zasienja. Sve dok je tiristor u stanju voenja, ta dva tranzistora ostaju u
stanju zasienja i u njemu ih odrava struja kroz tiristor IK .

Ulazna karakteristika NPN tranzistora

Izlazna karakteristika NPN tranzistora

0,9

60

0,8
50
0,7
0,6

40

0,5

0V
2V

0,4

0 uA
50 uA

30

4V

100 uA

6V

0,3

8V

150 uA
200 uA

20

10 V

0,2

250 uA
10

0,1
0,0

0
Struja Ib ( uA )

Napon Uce ( V )

Napon Uce je parametar

Suruja Ib je parametar

Prijenosna karakteristika N-kanalnog JFET tranzistora

Izlazna karakteristika N-kanalnog JFET tranzistora

4,5

4,0

4,0

3,5

3,5

3,0

3,0
2,5
0V

2,5

2V

-0 V

2,0

4V

2,0

6V
8V

1,5

10 V
1,0

-2 V
-4 V

1,5

-6 V

1,0
0,5

0,5
0,0

0,0
Napon -Ugs( V )

Napon Uds ( V )

Napon Uds je parametar

Napon -Ugs je parametar

Prijenosna karakteristika N-kanalnog MOSFET tranzistora osiromaenog tipa

Izlazna karakteristika N-kanalnog MOSFET tranzistora osiromaenog tipa

80

80

70

70

60

60

50

-5 V
-4 V

50

-3 V

0V
2V

40

-2 V

40

-1 V

4V
6V

30

8V
10 V

20

0V
30

1V
2V
3V

20

4V
10
0

0
Napon Ugs( V )

Napon Uds je parametar

5V

10

Napon Uds ( V )

Napon Ugs je parametar