UNIVERSIDADE

DE SO PAULO

Laboratrio de Eletricidade e Magnetismo:

Resistncia e Corrente Eltrica

Instituto de Fsica de So Carlos

Resistncia e Corrente Eltrica

Nesta prtica discutiremos os conceitos de resistncia e corrente eltrica e sua relao
com as propriedades microscpicas dos materiais. Veremos a origem das leis de Ohm
atravs de um modelo de conduo conhecido como modelo de Drude, que d uma
explicao microscpica para a resistncia eltrica. Nos experimentos, investigaremos
como varia o potencial ao longo de um condutor e determinaremos a resistividade
eltrica do mesmo.

Sempre que surgir uma dvida quanto utilizao de um instrumento ou

componente, o aluno dever consultar o professor para esclarecimentos.

Quando for trocar a funo de um multmetro, desconecte os fios, gire o boto e s

ento reconecte ao circuito. Lembre-se que as entradas para voltmetro e
ohmmetro so diferentes das entradas para ampermetro.

I. As Leis de Ohm
Em 1827, Georg Simon Ohm, fsico e matemtico alemo, publicou os
resultados do que hoje conhecido como as leis de Ohm. Nessa poca, Ohm trabalhava
como professor de fsica e matemtica numa escola colegial em Colnia, e usava o
laboratrio da escola para experincias com circuitos eltricos, que eram uma novidade
ento (Volta havia desenvolvido a bateria eletroltica poucos anos antes). Os resultados
dessas experincias foram publicados no trabalho O circuito galvnico investigado
matematicamente. Ohm descobriu que a corrente que atravessa um fio condutor
proporcional diferena de potencial aplicada, rea da seo transversal do fio e
inversamente proporcional ao comprimento.
A proporcionalidade entre a corrente e a diferena de potencial observada em
alguns tipos de materiais hoje conhecida como a primeira lei de Ohm, e os
componentes que apresentam essa propriedade so chamados de hmicos. A razo V / I
denota o quanto de tenso tem de ser aplicada para passar certa corrente em um
dispositivo de circuito. Assim, quanto maior for a dificuldade que o dispositivo impe a
passagem da corrente, maior deve ser a tenso aplicada para estabelece um certo valor
1

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de corrente. Logo dize-se que a razo V/I uma medida da dificuldade imposta pelo
dispositivo passagem da corrente eltrica e por isso denominada de resistncia
eltrica (R). A unidade de resistncia no SI foi denominada Ohm () em homenagem a
Georg Simon Ohm. A formulao matemtica dessa lei :
(1)

V = RI

Outra observao feita por Ohm em seus experimentos foi que a resistncia
eltrica proporcional ao comprimento do condutor e inversamente proporcional a rea
da seo transversal, o que ficou conhecido como a segunda lei de Ohm, o que pode ser
escrita como:

R=

(2)

L
A

O coeficiente de proporcionalidade conhecido como resistividade, e uma

caracterstica de cada material. A tabela 1 mostra a resistividade de alguns deles.
Tabela 1 resistividade de alguns materiais. Observe a diferena nas ordens de grandeza

Material

(.m)
-8

Material

(.m)

Germnio

4,6. 10-1

Prata

1,59. 10

Cobre

1,7. 10-8

Silcio

6,4. 102

Alumnio

2,82. 10-8

Parafina

1017

Os metais tm resistividade da ordem de 10-8 .m, enquanto os isolantes tm

resistividade superior a 1010. A resistividade dos semicondutores (como o germnio e o
silcio) encontra-se entre esses extremos.
Uma grande inspirao para o trabalho de Ohm foi o trabalho de Fourier sobre a
conduo de calor, publicado anos antes. Fourier descobriu que a conduo de calor
entre dois pontos proporcional diferena de temperatura entre eles e a condutividade
trmica do meio que os separa. Fazendo a analogia, a corrente faz o papel do calor, o
potencial faz o papel da temperatura e a resistncia faz o papel do inverso da
condutncia trmica.

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A tenso e a corrente so grandezas macroscpicas, que se referem a todo o

condutor, e por esse motivo as equaes 1 e 2 so tambm chamadas de lei de Ohm
macroscpicas. Combinando as equaes 1 e 2, podemos escrever:

V
I
=
L
A

(3)

Mas V / L o campo eltrico que age sobre o condutor, e I / A chamado de

densidade de corrente, simbolizado por J. Logo:

E = J

(4)

Essa equao usualmente escrita em termos da condutividade , que o

inverso da resistividade:

J =E

(5)

A densidade de corrente e o campo eltrico podem ser definidas partir de

caractersticas microscpicas e por isso a equao 5 chamada de lei de Ohm
microscpica.

II. O modelo de Drude

No final do sculo XIX, foi descoberto o eltron, partcula carregada que seria
responsvel pelos fenmenos eltricos. Havia ento necessidade de explicar os
fenmenos usando a idia do eltron, incluindo as leis de Ohm. Isso foi feito por Paul
Drude em 1900.
Da eletrosttica sabia-se que o valor do potencial eltrico o mesmo em todos
os pontos de um condutor em equilbrio eletrosttico. Em outras palavras, nessa situao
no h diferena de potencial entre dois pontos quaisquer de um metal
eletrostaticamente carregado. No entanto, em um material condutor os eltrons mais
externos aos tomos esto fracamente ligados aos ncleos. Devido energia trmica,
esses eltrons esto livres para se mover aleatoriamente ao longo do condutor (por isso
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so chamados de eltrons de conduo). Portanto, uma viso simplista de um material

condutor, seria de um mar de eltrons livres em movimento aleatrio devido s
flutuaes trmicas, e um conjunto de ons de fundo, provenientes dos tomos dos quais
os eltrons de conduo se originaram.
Na presena de um campo eltrico, surge uma fora sobre os eltrons livres,
fazendo com que alm do movimento aleatrio eles possuam um movimento ordenado
na direo do campo. Quando isso acontece, o condutor no est mais em equilbrio
eletrosttico. Uma anlise preliminar pode dar a impresso que sob a influncia dessa
fora a velocidade dessas cargas aumentaria indefinidamente. Na verdade, isso no
ocorre devido a colises entre os eltrons de conduo e os ons de fundo. Para
descrever este mecanismo de conduo podemos utilizar um modelo microscpico
conhecido como modelo de Drude, cujas principais hipteses so:
i. No h interao eltron-eltron ou eltron-on no intervalo entre as colises;
ii. As colises ocorrem abruptamente e os ons no se movem;
iii. Existe um tempo mdio entre colises (t);
iv. Aps cada coliso, o eltron perde a memria sobre sua trajetria e
velocidade;
Ento vamos assumir que um condutor de comprimento L (figura 1) est
submetido a uma diferena de potencial V. A aplicao de V faz com que aparea um
campo eltrico de intensidade E = V / L no condutor. Logo, um dado eltron de
conduo ser submetido a uma fora eltrica (F=-eE), sendo acelerado at atingir uma
velocidade v durante um tempo t. Ento, podemos escrever que a variao de
velocidade atingida por esse eltron :

Vb

Va
a
A

Figura 1 Condutor submetido diferena de potencial

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v
eEt
= eE v =
t
m

(6)

A quantidade de carga que flui atravs da seo transversal do condutor pode ser
escrita da forma Q = n(-e)Avmt, onde n representa a densidade volumtrica dos
eltrons de conduo, e a carga do eltron, A a seo transversal do condutor, vm a
velocidade mdia de deslocamento dos eltrons e t o tempo decorrido. Logo a corrente
eltrica que flui atravs do condutor pode ser escrita da forma:

I=

Q
= neAvm
t

(7)

A velocidade mdia atingida pelo eltron :

vm =

I
neA

(8)

importante enfatizar que esse valor mdio de velocidade o valor da

velocidade de arraste dos eltrons devido aplicao do campo e no a velocidade
individual dos eltrons, que , sobretudo, determinada pela agitao trmica. Uma
estimativa da velocidade adquirida pelos eltrons devido a agitao trmica pode ser
feita considerando um teorema da Fsica estatstica, (denominado Teorema da
Equipartio da Energia), que estabelece que a cada grau de liberdade de translao dos

eltrons contribui com kBT/2 para a energia trmica dos mesmos (kB denominada de
constante de Boltzman e T a temperatura). Assim, igualando a energia cintica mdia
dos eltrons com a energia trmica, obtemos:
1
3
me v 2 = k BT
2
2

(9)

Onde me a massa do eltron e v 2 a mdia do quadrado das velocidades dos

eltrons. De onde tiramos que:

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vrms =

v2 =

(10)

3k BT
me

vrms usualmente referido como valor quadrtico mdio da velocidade dos

eltrons (do ingls root mean square).

Fazendo um clculo dessa velocidade em

temperatura

sabendo

ambiente

(300 K)

me = 9,111031 kg, obtemos que

que

k B = 1, 38 1023 J / K

vrms = 1,17 105 m / s . De fato, esse valor ainda

maior quando se usa a mecnica quntica para fazer o clculo. Neste caso o valor de
velocidade obtido conhecido como velocidade de Fermi, sendo o seu valor
vF = 1,57 106 m / s .
Para fim de comparao, vamos estimar a velocidade mdia de arraste dos
eltrons devido ao campo quando uma corrente de 1A atravessa um fio de cobre de
1 mm de raio. A densidade do cobre de 8,92 g/cm3 e sua massa atmica de 63,5g o
que diz que a massa de um mol de cobre de 63,5 g. Como o nmero de tomos em um
mol dado pela constante de Avogadro NA = 6,02x1023, o nmero de tomos por cm3 no
cobre 6, 02 10 23

8, 92
= 8, 46 10 22 atomos/cm3 . Considerando que cada tomos de
63,5

cobre contribui com um eltron para a conduo, temos que a densidade volumtrica de
eltrons n = 8, 46 1028 atomos/m 3 .

Assim, usando que a carga do eltron de

e = 1, 6 1019 C , temos, segundo a equao 8, que a velocidade mdia dos eltrons :

vm =

I
1
=
= 2, 35 105 m / s = 8,5 cm / h
2
28

19

3
neA 8, 46 10 1, 6 10 (10 )

(11)

Vemos ento que a velocidade mdia de arraste dos eltrons devido ao campo
muito menor que a velocidade devido a agitao trmica.
Da quarta hiptese, a velocidade de um eltron aps uma coliso tem direo
aleatria. No entanto, o que importa o comportamento coletivo dos eltrons, e no os
comportamentos individuais. Assim, fazemos uma mdia de velocidades sobre todos os
eltrons, que resulta que a velocidade aps a coliso nula (vi = 0). Assim, podemos
escrever:

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v = v f vi = v f

(12a)

v f + vi

(12b)

vm =

vf

Logo, a variao de velocidade que um eltron sofre (v na equao 6) o

dobro da velocidade mdia (vm na equao 8). Usando esse fato, escrevemos:

I
eE t
=
neA
m

(13)

E o tempo mdio entre colises pode ser estimado como:

t = 2

mI
ne 2 AE

(14)

Uma outra grandeza usualmente definida o livre caminho mdio l, que

expressa a distncia percorrida pelos eltrons entre colises sucessivas. Sabendo que o
tempo mdio entre colises t e que a velocidade trmica mdia dos eltrons vF , o
livre caminho mdio pode ser calculado como:

l = vF t =

2vF mI
ne 2 AE

(15)

O campo eltrico pode ser escrito em funo da diferena de potencial

E = V/L, permitindo reescrever a equao acima da seguinte forma:

V=

2 m L
I
ne 2 t A

(16)

Essa equao mostra que a diferena de potencial proporcional corrente, o

que dito pela primeira lei de Ohm. A resistncia (razo entre tenso e corrente) dada
por:

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R=

V
2 m L
= 2
I ne t A

(17)

A resistncia eltrica proporcional ao comprimento do condutor e

inversamente proporcional rea da seo transversal, o que concorda com as
observaes de Ohm. Comparando as equaes 5 e 17, vemos que:

2m
ne 2 t

(18)

O modelo de Drude fornece uma expresso para a resistividade dos materiais

(uma grandeza macroscpica) que depende apenas de grandezas microscpicas (a carga
e a massa do eltron, a densidade de eltrons livres e o tempo mdio entre colises).
Embora no tratamento acima tenhamos falado somente em eltrons de conduo,
podemos fazer o mesmo tratamento para ons (conduo inica) ou mesmo buracos
(falta de eltrons).

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Experimentos
1. Um condutor em forma de escada percorrido por corrente
a) Neste experimento utilizaremos uma fita condutora de alumnio em forma de
escada tal como mostrado na figura 2a. Inicialmente voc dever medir todas as
dimenses (comprimento, espessura e largura em cada regio).
b) Monte o circuito indicado na figura 2b utilizando uma fita de alumnio e uma
resistncia R = 4,7 e potncia mxima de 5 W. Ajuste a fonte para obter uma corrente
de aproximadamente 0,5 A (nessa situao, a potncia dissipada no resistor ser cerca
de 2,5 W).
c) Para cada uma das trs regies distintas, indicado por I, II e III na figura,
mea 5 valores de tenso V em funo do comprimento x (assuma V = 0 na extremidade
da fita).
d) Faa um grfico da tenso em funo do comprimento x, destacando as 3
regies. Qual o comportamento observado em cada regio?

(a)

(b)
R

II

III
V

Corte transversal
da fita

H
Figura 2 (a) fita condutora de alumnio. (b) Circuito para estudar a tenso sobre a fita condutora.

e) Analise o coeficiente angular da reta em cada uma das regies do grfico

obtido no item anterior e explique o resultado com base nas reas transversais da fita
metlica.

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f) Usando a expresso E = V / x, calcule o campo eltrico mdio em cada uma

das 3 regies da fita. A partir da geometria da fita e da corrente I, calcule tambm a
densidade de corrente J em cada uma das regies.
g) Com esses dados, Fa um grfico em escala linear de E vs. J, verifique a
equao 5, e obtenha a condutividade do material. Lembre-se que esse valor o inverso
da resistividade.
h) Usando o valor da resistividade obtido, estime o tempo mdio entre colises.
Estime tambm a velocidade mdia dos eltrons e o livre caminho mdio. Como essas
grandezas variam quando a corrente varia? Como o livre caminho mdio se compara
com as distncias interatmicas? Discuta esse resultado com o seu professor.

Valor medido para a corrente: _______________________

Resultados das medidas de tenso versus posio em uma fita metlica em forma de escada.

Regio

Posio

Tenso

Campo
Eltrico

Dens. de
corrente

Regio I:
Largura da Fita: ______
Espessura da Fita:_____

Regio II:
Largura da Fita: ______
Espessura da Fita:_____

Regio III:
Largura da Fita: ______
Espessura da Fita:_____

Resistividade do Material:

Calculada:
Valor tabelado:

10

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2. Um condutor trapezoidal percorrido por corrente (opcional)

a) Vamos usar agora uma outra fita metlica, com formato de trapzio (figura
3). Ligue os terminais da fita a um resistor de 4,7 e ajuste a fonte de tenso para que a
corrente na fita seja 0,5 A.

d2
d1
L
Figura 3 Fita condutora de alumnio (experimento opcional)

b) Mea todos os parmetros geomtricos da fita.

c) Mea a tenso V em funo do comprimento x ao longo da fita (assuma
V = 0 na extremidade mais fina). Obtenha cerca de 15 pontos.
Caractersticas geomtricas da fita

d1

d2

Resultados das medidas de tenso versus posio em uma fita metlica em forma trapezoidal.

Posio

Tenso

Posio

Tenso

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Para determinar a resistividade da placa voc precisar encontrar uma equao

que descreva o perfil de tenso como funo de x. Para isso, note que a rea transversal
cresce linearmente ao longo da placa de modo que:
A( x ) = d1h + ( d 2 d1 ) h

x
L

Onde d1 e d2 so as larguras inicial e final, L o comprimento total e h a espessura

da placa. A resistncia ento varia ponto a ponto, mas a corrente total constante.
Temos que integrar a lei de Ohm:

V = I dR =

I
h

dx '
1 + ( d 2 d1 ) x '/ L

d
0

O resultado dessa integral (resolva-a e apresente no relatrio) uma funo

logartmica:

V ( x) =

(d d ) x
ln 1 + 2 1
(d 2 d1 ).h
d1
L

LI

d) Ajuste a funo acima aos pontos obtidos experimentalmente e obtenha a

resistividade.

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