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10 11 12 13 14 15

4
-1

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4
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6

3
3
3

2009.

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-7

, 2009.

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2

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1.

, 2009.

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2.

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Uo?

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3.

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) 5/6,
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3

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4.

, 2009.

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5.

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4

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6.

, 2009.

:
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) , ,
) .

7.

.
Ld .
P Ud = 200 V.
P , Ud1 = 185,64 V.
) Rd = 10 ,
P .
) .

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E
8.

, 2009.

:

R = 10
U = 110 V.
) ,

?
) ,
?
)
?

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E
9.

, 2009.

:
= 200 V.
R = 1 L = 10 mH. t = 0
,
. , i(0) = 0.
IH = 0,1 .
)
,
)
,
)
.

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7

E
10.

, 2009.

:

.
: Rb1 = 30 k, Rb2
= 60 k, RE = 2 k, hFE = 100, VBE = 0,7 V, VCC =
24 V. :
) UCE IC Q,
) , PCE,
) Tj,
= 25C a
a

Rth = 30 K/W.

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E
11.

, 2009.

:

.
C (RC<<1/f) V.
( ) P. R 1 .
V P 14,141 V,
R P?

12.

:
MOSFET , ,
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) ,
) ,
) ,
) .

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E
13.

, 2009.

:
,
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) ,
) ,
) .

14.

-
. ( P
) ton, P f,
T.
E. , ,

) EfT,
) E /f T,
) E f ton,
) E ton,
) .

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E
:

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-

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0.0900

vreme [s]

500

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napon [V]

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, 2009.

300

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0
0.0800

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0.0900

vreme [s]

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, 2009.

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