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TEMA 2 : Estadstica y Fenmenos de Transporte en Semiconductores
TEMA 2: ESTADSTICA Y FENMENOS DE TRANSPORTE EN

SEMICONDUCTORES
Definicin de condicin de equilibrio trmico.
2.1. Densidad de estados N(E).
2.2. Concentracin de portadores intrnsecos.
2.2.1. Funcin de distribucin de Fermi-Dirac.
2.2.2. Concentracin de portadores.
2.3. Semiconductores intrnsecos y extrnsecos.
2.3.1. Concentracin intrnseca, producto np y nivel de Fermi
2.3.2. Semiconductores extrnsecos. Dadores y aceptores.
Semiconductor de tipo N.
Semiconductor de tipo P.
Energa de ionizacin.
Condicin de ionizacin completa.
Nivel de Fermi extrnseco.
Concentraciones extrnsecas.
Neutralidad de cargas.
Regin extrnseca.
2.4. Fenmenos de transporte de portadores.
2.4.1 Fenmenos de arrastre de portadores.
2.4.1.1. Movilidad.
Velocidad de arrastre.
2.4.1.2. Resistividad.
2.4.2. Fenmenos de difusin de portadores.
2.4.2.1. Procesos de difusin.
2.4.2.2. Relacin de Einstein.
2.4.2.3. Ecuaciones para la densidad de corriente.
2.4.2.4. El efecto Hall.
2.4.3. Inyeccin de portadores.
2.4.4. Procesos de generacin-recombinacin de portadores.
2.4.4.1. Procesos de generacin-recombinacin directa o entre
bandas.
Tiempo de vida media.
2.4.4.2. Procesos de generacin-recombinacin indirecta.
a) En volumen.
b) En superficie.
2.4.5. La ecuacin de continuidad.
Ecuacin de Poisson.
Ejemplos de resolucin de la ecuacin de continuidad:
1. Inyeccin de portadores en exceso desde una cara.
2. El experimento de Haynes-Shockley.
I.T.T.(S.E.) - Universitat de Valncia -
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2. ESTADSTICA Y FENMENOS DE TRANSPORTE EN

SEMICONDUCTORES
Una vez descrito el estado energtico de un slido y clasificados estos en metales,
semiconductores y aislantes atendiendo a la disposicin de las bandas de energa, se va
a proceder en esta leccin al estudio de los procesos de transporte de carga que se dan
en un semiconductor. En particular, se deducirn las expresiones de las concentraciones
y de las densidades de corriente de los portadores (huecos y electrones) en un
semiconductor, junto con otras de continuidad de corriente las cuales son fundamentales
en el estudio del comportamiento interno de los dispositivos semiconductores discretos
y de los circuitos integrados.
Equilibrio trmico: En primer lugar se realizar el estudio sobre el semiconductor en
equilibrio trmico. Se dice que un sistema permanece en equilibrio trmico cuando no
tiene otra interaccin con el exterior que aquella que es suficiente para mantener
constante su temperatura en el espacio y en el tiempo. Posteriormente se estudiar al
semiconductor en cuanto a lo que le ocurren a sus portadores fuera del equilibrio
(presencia de un campo elctrico exterior o incidencia de un haz luminoso).
2.1. Densidad de estados N(E)
Con el fin de obtener las expresiones de las concentraciones de electrones y huecos
en las bandas de conduccin y de valencia respectivamente en un cristal semiconductor,
es necesario primeramente determinar la densidad de estados con posibilidad de ser
ocupados para, con posterioridad, determinar la probabilidad de ocupacin de los
distintos estados y sus respectivos niveles energticos.
La expresin para la densidad de estados en un metal viene dada por:
3
2 m 2
N (E) = 4 2 E 2
h
Densidad de estados permitidos por unidad de volumen y

de energa
donde N(E) es la funcin densidad de estados para electrones libres en un metal medida
por unidad de volumen y por unidad de energa, alrededor de un nivel energtico E. Por
tanto, para obtener el nmero total de estados energticos por unidad de volumen en un
rango de energas dE alrededor de E, se habr de multiplicar N(E) por dE. De esta forma
3
2 m 2
N ( E ) dE = 4 2 E 2 dE
h
Densidad de estados permitidos por unidad de

volumen en un intervalo de energa dE alrededor
de E
En el caso de un material semiconductor, un electrn situado en la banda de

conduccin es similar a un electrn libre en el sentido de que goza de relativa libertad
para moverse en el semiconductor. Sin embargo, debido a la existencia de un potencial
peridico creado por los ncleos atmicos de la red cristalina, la masa efectiva del
electrn en la banda de conduccin mn es diferente de la masa del electrn libre. De
manera anloga aparecer mp referida a la masa efectiva del hueco. Podemos suponer
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que la funcin densidad de estados vista con anterioridad es vlida tambin para
semiconductores sustituyendo m por la masa efectiva del portador de carga (electrn o
hueco) correspondiente. Las expresiones de las concentraciones de electrones y
huecos en las bandas de conduccin y de valencia respectivamente sern
determinadas utilizando esta funcin conjuntamente con una funcin de
probabilidad de ocupacin de los estados, como se ver ms adelante.
La energa E corresponde a un conjunto de nmeros cunticos y , por tanto, puede
tomar nicamente determinados valores discretos. En Fig. 1 se representa la distribucin
de estados. Esta curva no es continua pero est construida por un conjunto discreto de
puntos con los estados adyacentes tan cercanos unos de otros que, a los efectos, se
puede considerar continua.
Fig. 1: Distribucin de estados energticos; E frente N(E).

Teniendo en cuenta que el nivel energtico ms bajo que posee un electrn en la
banda de conduccin es Ec, siendo esta adems la energa potencial en reposo del
electrn dentro de esta banda, cuando el electrn gana energa se sita en un nivel E de
energa superior a Ec dentro de la banda de conduccin. Es decir, un incremento de la
energa de un electrn en la banda de conduccin corresponde al electrn movindose
hacia arriba en la escala de energas dentro de dicha banda. La diferencia (E-Ec)
representa la energa cintica del electrn. En consecuencia, tomando como origen de
energas el nivel Ec a efectos de movilidad, la densidad de estados Nn(E) en la banda de
conduccin puede escribirse cambiando la variable E por (E-Ec) como:
3
1
2 m 2
N n ( E ) = 4 2 n (E E c )2 para E > Ec
h
donde Nn(E) es el nmero de estados por unidad de volumen y por unidad de energa en
la banda de conduccin.
Anlogamente un incremento de energa de un hueco en la banda de valencia
corresponde a un movimiento hacia abajo dentro de la banda de valencia. La densidad
de estados de los huecos Np(E) en la banda de valencia puede escribirse cambiando la
variable E por (Ev-E) como:
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2 mp
N p ( E ) = 4 2
h
1
2
(E v E )2 para E < Ev
En Fig. 2 se representa la densidad de estados en la banda de conduccin y en la de

valencia (N(E) corresponde a la representacin conjunta de Nn(E) y Np(E)). El rea
rayada representa el nmero de estados que existe en el intervalo energtico dE por
unidad de volumen. Obsrvese como la densidad de estados energticos en la banda de
conduccin es mnima en las proximidades de su nivel mnimo Ec, mientras que en la
banda de valencia la densidad de estados energticos es mnima en su valor mximo Ev.
Fig. 2. Densidad de estados para la banda de conduccin y la de valencia.

Queda ahora por determinar cmo se distribuyen los portadores de carga dentro de
los niveles de energa anteriormente obtenidos en funcin de la temperatura absoluta T.
2.2. Concentracin de portadores intrnsecos.
2.2.1. Funcin de distribucin de Fermi-Dirac
El objetivo final de toda teora de fsica estadstica es la de encontrar una expresin
matemtica (distribucin) que a una temperatura absoluta T proporcione cual es la
probabilidad de que una partcula ocupe un nivel dado de energa E en equilibrio
trmico.
En fsica estadstica existen tres distribuciones fundamentales. La primera de ellas es
de tipo clsico, en la que se considera de una forma especial a las partculas idnticas, es
la distribucin de Maxweel-Boltzman aplicada a los sistemas clsicos.
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E
KT
f MB ( E ) = C e
K constante de Boltzman; C constante de proporcionalidad
Si se tienen en cuenta los aspectos cunticos del sistema fsico aparecen dos
distribuciones a considerar. La diferencia entre ellas est en si las partculas satisfacen o
no el principio de exclusin de Pauli.
Aquellas que no lo satisfacen, bosones o lo que es lo mismo, aquellas en que no
existe lmite a la ocupacin de un mismo nivel energtico, siguen la distribucin de
Bose-Einstein con la expresin:
f BE ( E ) =
1
1 e
E EB
KT
Si las partculas cumplen el principio de exclusin, fermiones, es decir, dos o ms

partculas no pueden ocupar el mismo estado cuntico, la distribucin que satisfacen es
la de Fermi-Dirac.
1
f (E) =
E EF
1 + e KT
donde f(E) es la probabilidad de que un estado con energa E est ocupado por un
electrn.
Fig. 3: Funcin de distribucin de Fermi F(E) frente a (E-EF) para varias

temperaturas.
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Fijarse que para E = EF, f(E) es siempre 0.5. En consecuencia, se puede definir EF
como la energa que ha de poseer la partcula para que la probabilidad de
ocupacin sea de 0.5 a cualquier temperatura. Podemos decir que, para un nivel
energtico EF, durante un largo periodo de tiempo, la probabilidad es tal que la mitad de
los estados estn ocupados.
Dado que la probabilidad de ocupacin de un estado es f(E), la probabilidad de que
dicho estado no est ocupado es [1-f(E)]. Es decir, la probabilidad de que un hueco
ocupe un nivel de energa E viene dada por [1-f(E)].
Obsrvese que f(E) es simtrica alrededor del nivel de Fermi. Para energas
superiores a 3KT por encima del nivel de Fermi (banda de conduccin), la exponencial
de f(E) es mayor que 20. En estas condiciones se puede dar la siguiente aproximacin:
f (E) fc (E) = e
( E EF )
KT
para E E F > 3KT
La relacin E-EF>3KT se cumple en la mayor parte de los dispositivos

semiconductores (en diodos y transistores con excepcin del diodo tnel y el lser de
inyeccin).
Para energas superiores a 3KT por debajo del nivel de Fermi (banda de valencia), la
exponencial de f(E) es menor de 0.5 por lo que la probabilidad de que haya un hueco es:
1 f (E) = 1
1
1+ e
E EF
KT
E EF
KT
1+ e
E EF
KT
fv (E) = e
( EF E )
KT
para E F E > 3KT
La primera de las expresiones coincide con la distribucin de Maxwell-Boltzman de

un sistema clsico (gas de partculas).
A partir de la figura anterior puede ser visto como para una determinada temperatura
absoluta T, la probabilidad de ocupacin de un estado es menor cuanto mayor sea
el nivel E de energa de dicho estado. Por tanto, estados con niveles energticos
superiores es menos probable que estn ocupados que los estados con niveles
energticos menores. Como casos lmite de la funcin de Fermi-Dirac f(E) puede verse
que para E EF = 0, f(E) ser igual a 0.5, para E EF >> 0, f(E) 0 y para E EF -,
f(E) 1.
Como puede ser observado a partir de la ecuacin correspondiente a N(E) la
densidad de estados energticos es mayor cuanto mayor es el nivel energtico, por lo
que se puede concluir que para niveles energticos superiores, donde los estados son
mas numerosos, la probabilidad de ocupacin de un estado es mucho menor que a
niveles inferiores, con un numero de estados inferior. La razn de este
aparentemente anormal comportamiento est en el hecho de que los electrones
inicialmente ocupan los estados energticos inferiores donde el Principio de Exclusin
de Pauli permite nicamente dos electrones de espn opuesto para cada estado.
Con respecto al papel que juega la temperatura absoluta T puede verse que hay dos
tendencias o lmites claros. Para temperaturas cercanas al cero absoluto (T = 0K) y para
E < EF, f(E) ser igual a 1 y, para E > EF, f(E) ser cero. Por tanto, a la temperatura del
cero absoluto, EF es la energa por debajo de la cual todos los estados estn ocupados
por electrones y por encima todos los estados estn desocupados.
Cuando se incrementa la temperatura, algunos electrones adquieren suficiente
energa para moverse a estados por encima de EF.
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Otra conclusin que se obtiene de la figura es que un estado de energa E aumenta la

probabilidad de ser ocupado al producirse un aumento de la temperatura, es decir, el
aumento de temperatura favorece la probabilidad de ocupacin.
2.2.2. Concentracin de portadores
Para obtener la densidad de electrones (es decir, el nmero de electrones por unidad
de volumen) en un material semiconductor se calcular primeramente dicha densidad
por unidad de volumen y de energa. Esta densidad, que llamaremos n(E), se obtiene
mediante el producto de la densidad de estados energticos permitidos por unidad de
volumen y de energa N(E) por la probabilidad de que ese intervalo energtico est
ocupado por electrones f(E).
n( E ) = f ( E ) N ( E )
En un intervalo de energa dE:
n( E ) dE = f ( E ) N ( E ) dE
La densidad de electrones en la banda de conduccin se obtendr integrando el
producto anterior para valores comprendidos entre Ec y ETOP, donde ETOP es el nivel
superior de la banda de conduccin. Tomando Ec = 0 por simplicidad como el origen de
energas en la banda de conduccin:
n=
ETOP
n( E ) dE =
ETOP
f c ( E ) N n ( E ) dE
En la mayor parte de los casos prcticos se satisface la condicin E - EF > 3KT y, por
tanto, se podr realizar la aproximacin f(E) fc(E) vista con anterioridad. Por otro lado
y sin prdida de generalidad y considerando que fc(E) decrece exponencialmente con E
el valor de ETOP puede ser substituido por infinito. De esta forma y considerando las
expresiones de Nn(E) y fc(E):
3
2 m 2
n = 4 2 n E e
h 0
con el cambio x
E EF
KT
dE
E
se obtiene:
KT
3
F
3
2 m 2
n = 4 2 n (K T )2 e KT x e x dx
0
h
La integral anterior es estndar y su valor es
2:
3
2 mn K T 2 KTF
n = 2
e
h2
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Si ahora se pone de manifiesto el nivel ms bajo de la banda de conduccin Ec en

lugar de cero, se obtiene la densidad de electrones en la banda de conduccin:
3
2 mn K T 2
n = 2
e
h2
Ec E F
KT
= Nc e
Ec E F
KT
2 mn K T 2
con N c = 2
h2
La cantidad Nc es la densidad efectiva de estados en la banda de conduccin. A

temperatura ambiente (300K), Nc toma los valores:
Nc = 2.81019cm-3 para Si
Nc = 4.71017cm-3 para GaAs
De forma anloga, para los huecos en la banda de valencia, considerando fv(E) y Np(E):
2 mp K T
p = 2
h2
E E
F v
2 EFKT Ev
e
= N v e KT
2 mp K T
con N v = 2
h2
La cantidad Nv es la densidad efectiva de estados en la banda de valencia. A

temperatura ambiente (300K), Nv toma los valores:
Nv = 1.041019cm-3 para Si
Nv = 7.01018cm-3 para GaAs
Fig. 4 recoge grficamente las expresiones hasta ahora manejadas de N(E), f(E), n(E)
y las concentraciones de portadores.
a
b
c
d
Fig. 4: Representacin grfica de las bandas de energa, N(E), f(E), n(E) y
concentraciones de portadores.
Fig. 4a es la representacin esquemtica del diagrama de bandas, 4b representa la
densidad de estados con energa E permitida N(E), la Fig. 4c es la distribucin de
Fermi-Dirac y finalmente la Fig. 4.d recoge la distribucin de portadores donde se
observa la densidad de electrones en la banda de conduccin y de huecos en la banda de
valencia.
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En la banda de conduccin hay una gran cantidad de estados permitidos, sin

embargo, la probabilidad de que sean ocupados f(E) es muy baja. En la banda de
valencia tambin hay gran cantidad de estados permitidos pero, en contraste con la de
conduccin, la probabilidad de que sean ocupados por electrones es elevada (casi la
unidad). Su diferencia hasta la unidad indica que hay algunos estados no ocupados por
electrones, es decir, presencia de huecos en la banda de valencia. Por otra parte, se
observa que el nmero de electrones en la banda de conduccin coincide con el nmero
de huecos en la banda de valencia.
2.3. Semiconductores intrnsecos y extrnsecos.
Se dice que un semiconductor es intrnseco si es qumicamente puro, es decir, no
contiene impurezas o sustancias distintas de las que constituyen el material
semiconductor. Un semiconductor es extrnseco si se le ha aadido algn tipo de
impurezas (se le ha dopado) con el fin de mejorar las propiedades de conduccin.
Desde un punto de vista ms riguroso, en un semiconductor a temperatura T se
producen por agitacin trmica rotura de enlaces en la red y hay electrones en la banda
de conduccin y huecos en la de valencia. Se dice tambin que el semiconductor es
intrnseco cuando la cantidad de impurezas que contiene es pequea comparada
con los electrones y huecos generados trmicamente (ni).
2.3.1. Concentracin intrnseca, producto n.p y nivel de Fermi
Para un semiconductor intrnseco la concentracin de electrones en la banda de
conduccin coincide con la de huecos en la banda de valencia, es decir n=p=ni donde ni
es la densidad o concentracin de portadores intrnseca. Esta cantidad ni es la
representada en Fig. 4.d donde, como se observa, el rea rayada en la banda de
conduccin es la misma que la de la banda de valencia.
Igualando las expresiones de n y de p, puede obtenerse el nivel de Fermi para un
semiconductor intrnseco:
n=p
Nc e
Ec E F
KT
= Nv e
E F Ev
KT
N E + Ev 3 K T
m
Ec + Ev K T
+
ln v = c
+
ln p
2
2
2
4
Nc
mn
Donde se han utilizado la relaciones:
E F = Ei =
2 mn K T
Nc = 2
h/ 2
2 mp K T
N v = 2
h/ 2
A temperatura ambiente el segundo trmino de EF es mucho ms pequeo que el

primero y, de esta forma, el nivel de Fermi para un semiconductor intrnseco se
encuentra muy cerca de la mitad de la banda prohibida, es decir, a medio camino entre
la banda de conduccin y la de valencia.
La concentracin de portadores intrnsecos ni puede obtenerse de la forma:
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2
i
n p = n = Nc e
ni2 = N c N v e
Ec E F
KT
Nv e
E F Ev
KT
Eg
KT
; E g = Ec Ev
y, por tanto,
ni = N c N v e
Eg
2 KT
con Eg = Ec-Ev
Esta ecuacin es la llamada ley de accin de masas la cual, como se observa slo
depende del tipo de sustancia empleada (Nc ,Nv y Eg) y de la temperatura absoluta (T).
Bajo equilibrio trmico es vlida tanto para semiconductores intrnsecos como para
semiconductores extrnsecos. En este ltimo el aumento de la concentracin de un tipo
de portadores produce la disminucin del otro tipo por fenmenos de recombinacin de
forma que la cantidad ni permanece constante a una temperatura dada.
Fig. 5 muestra la dependencia de ni con la temperatura para el Si y el GaAs. A
T=300K:
Para Si: ni=1.451010cm-3
Para GaAs: ni=1.79106cm-3
Como era de esperar aquel que tiene una mayor banda prohibida presenta una
concentracin intrnseca menor.
Fig. 5: Concentraciones intrnsecas de Si y GaAs en funcin de la temperatura.
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2.3.2. Semiconductores extrnsecos. Dadores y aceptores.

Cuando un semiconductor intrnseco es dopado con impurezas, el semiconductor se
convierte en extrnseco. La aparicin de impurezas, como se ver a continuacin, crea
en el diagrama de bandas nuevos niveles de energa. Hay tres tipos de procesos para la
adicin de impurezas a la red cristalina: difusin, implantacin de iones y crecimiento
epitaxial.
Como se ha comentado, los semiconductores extrnsecos se forman al aadir
pequeas cantidades de determinadas impurezas al semiconductor intrnseco. Esta
adicin produce efectos considerables en las propiedades de conduccin del material
semiconductor. El efecto de aadir impurezas va a ser incrementar la concentracin de
uno de los dos tipos de portadores de carga (electrones o huecos) y, en consecuencia,
afectar considerablemente a la conductividad elctrica. Este proceso no es efectivo en
materiales que son buenos conductores, como el cobre, ya que la concentracin de
electrones es tan grande que apenas se ve variada por la adicin de impurezas.
A estas impurezas tambin se las conoce como sustancias dopantes y al proceso de
adicin de impurezas se le llama dopado del semiconductor. El dopado produce dos
tipos de semiconductores extrnsecos, identificados segn el tipo de portador de carga
cuya concentracin se ha visto incrementada: semiconductor de tipo N si se ha
incrementado la concentracin de electrones o de tipo p si se ha incrementado la de
huecos.
Semiconductor de tipo N
Si se introducen sustancias dopantes de tipo pentavalente (5 electrones de valencia,
columna V de la tabla peridica), cuatro tomos de la sustancia dopante formarn
enlaces covalentes con sus vecinos de Si, el quinto electrn se convierte en un electrn
que no comparte enlaces, es un electrn de conduccin el cual ser dado (donado) a la
banda de conduccin. Se dice que el semiconductor de silicio es de tipo N debido a que
recibe una cantidad adicional de portadores de carga negativa (Fig. 6) y la sustancia
pentavalente (tal como P, As, Sb) se llama dador.
Fig. 6: Adicin de un tomo de arsnico con 5 electrones de valencia.

En un semiconductor de tipo N, vamos a llamar ED a la energa necesaria para llevar
el quinto electrn de la sustancia pentavalente a la banda de conduccin de manera que
este se convierta en un electrn libre dando lugar a un tomo dador ionizado (cargado
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positivamente). Esta energa es, por tanto, la necesaria para la ionizacin del tomo
dador. En Fig. 7 se observa, para el caso del fsforo, como dicho nivel energtico ED
est muy prximo a la banda de conduccin. Cuanto mayor sea la temperatura de la
muestra (semiconductor + impurezas), mayor ser la energa conseguida por efecto
trmico y mayor ser el nmero de electrones que accedern a la banda de conduccin.
Existe una importante diferencia entre este mecanismo de ionizacin que produce
electrones y el proceso intrnseco de formacin de electrones, y es que en este caso el
resultado es la produccin de impurezas ionizadas fijas en la estructura cristalina y no
huecos.
Fig. 7: Representacin de bandas de energa al introducir impurezas dadoras en el

silicio y efecto de la temperatura. Los tomos de fsforo tienen una energa ED que est
alrededor de 0.044eV por debajo de Ec estando completamente ionizados a T = 300K.
Semiconductor de tipo P
De forma similar, si se introducen en la red de silicio impurezas de tipo trivalente
(tres electrones de valencia, columna III de la tabla peridica), aparece un enlace
covalente con el resto de los tomos de silicio sin formar, es un enlace roto o una
ausencia de electrn de valencia para llenar un enlace. Este defecto de electrn en los
enlaces que puede formar el tomo trivalente provoca que sea aceptado un electrn de
los enlaces covalentes de los tomos de silicio, formndose en consecuencia un hueco
en la banda de valencia Fig. 8. El semiconductor dopado con sustancias trivalentes se
llama de tipo p y dichas sustancias (tales como B, Al, Ga) se denominan aceptores.
Fig. 8: Introduccin de impurezas de boro.

Una vez capturado el electrn (el cual proviene de la banda de valencia del
semiconductor), el tomo aceptor queda ionizado negativamente. La condicin para la
ionizacin de los tomos aceptores es similar a la vista con anterioridad para los tomos
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dadores. La energa EA necesaria para la ionizacin del tomo aceptor est localizada en
un nivel energtico ligeramente superior a la banda de valencia, Fig. 9. A temperatura
ambiente, hay suficiente energa trmica para excitar los electrones desde la banda de
valencia hasta el nivel EA.
Fig. 9: Nivel energtico aceptor EA en el diagrama de bandas de energa del

silicio y efecto de la temperatura sobre la ionizacin de los tomos aceptores. A
T=300K todos lo tomos aceptores estn ionizados por la adicin de electrones
provenientes de la banda de la banda de valencia.
Energa de ionizacin
Se define la energa de ionizacin como la energa necesaria para ionizar un tomo
dador o un tomo aceptor.
Fig. 10 representa las energas de ionizacin para varios tipos de impurezas en
semiconductores de Si y GaAs. Las energas indicadas corresponden a las energas de
ionizacin de la sustancia dopante. Aparecen algunos tomos que poseen varios niveles
de energa. Existen otras impurezas cuyos niveles energticos distan ms de los lmites
de las bandas que en las sustancias dopantes utilizadas habitualmente.
Fig. 10: Energas de ionizacin correspondientes a diferentes impurezas en Si

y GaAs. Los niveles por debajo del centro de la banda prohibida son medidos
desde la parte superior de la banda de valencia y son niveles aceptores (a
menos que se indique con una D que se trate de un nivel dador). Los niveles
por encima del centro de la banda prohibida se miden desde la parte inferior de
la banda de conduccin y son niveles dadores (a menos que se indique con
una A que se trata de un nivel aceptor).
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Condicin de ionizacin completa

A temperatura ambiente, la energa trmica debida a la propia vibracin de las
partculas es suficiente para que todos los tomos dadores estn ionizados positivamente
y cada tomo aceptor lo est negativamente. Es decir, cada tomo dador ha
proporcionado un electrn libre a la banda de conduccin y cada tomo aceptor ha
generado un hueco en la banda de valencia.
En un semiconductor de tipo N, por tanto, se produce el mismo nmero de electrones
que de sustancia dadora. Esta condicin se denomina condicin de ionizacin completa.
Bajo estas condiciones puede decirse con respecto a la concentracin de electrones:
Ec E F
n = N D = N c e KT
siendo ND la concentracin de tomos dadores. Fig. 11a muestra la misma
concentracin de electrones en la banda de conduccin (los cuales son mviles) que de
iones dadores en su nivel energtico ED (los cuales son fijos). A partir de la condicin
anterior y de la expresin obtenida previamente para la concentracin de electrones en
la banda de conduccin n, se puede obtener:
N
E c E F = K T ln c
ND
que nos da el nivel de Fermi para el semiconductor de tipo N, con respecto al nivel Ec.
Se ha supuesto que ND >> ni (la concentracin de electrones en la banda de
conduccin producidos por la introduccin de impurezas es mucho mayor que la
producida por efecto trmico, ni).
Fig. 11: Representacin esquemtica de las bandas de energa para

semiconductores extrnsecos con (a) iones dadores (b) iones aceptores.
De forma similar, en un semiconductor de tipo P, se cumple la condicin de
ionizacin completa, para la concentracin de huecos (Fig. 11b).
E F Ev
KT
p = N A = Nv e
siendo NA la concentracin de tomos aceptores. A partir de la condicin anterior y de
la expresin obtenida previamente para la concentracin de huecos en la banda de
valencia p, se puede obtener:
N
E F E v = K T ln v
NA
que nos da el nivel de Fermi con respecto al nivel Ev en un semiconductor de tipo P.
Curso 00/01
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Se ha supuesto que NA >> ni (la concentracin de huecos en la banda de valencia

producidos por la introduccin de impurezas es mucho mayor que la producida por
efecto trmico, ni).
Nivel de Fermi extrnseco
De las dos expresiones anteriores para el nivel de Fermi se deduce en primer lugar
que, para un semiconductor de tipo N, el nivel de Fermi se sita cada vez ms cerca del
nivel mnimo Ec de la banda de conduccin a medida que la concentracin de impurezas
dadoras aumente. Para un semiconductor de tipo P, el nivel de Fermi se aproxima al
nivel superior Ev de la banda de valencia conforme la concentracin de impurezas
aceptoras aumenta.
Fig. 12: Diagrama de bandas mostrando el nivel de Fermi EF y el nivel de Fermi

intrnseco Ei para un semiconductor de tipo N.
Desde un punto de vista prctico, el nivel de Fermi es importante conocerlo pues,
como se ver ms adelante, determina la magnitud del campo que existe en una unin pn y en consecuencia la capacidad de la unin. Esta capacidad constituye uno de los
parmetros ms importantes en los dispositivos de unin.
Con respecto a la situacin del nivel de Fermi en un semiconductor extrnseco, se
dice que el semiconductor es degenerado cuando el nivel de Fermi coincide con uno de
los bordes de las bandas permitidas o se interna en ellas. Ello se da cuando las
concentraciones de impurezas son muy elevadas, cuantitativamente ocurre si
Ec E F < 3 K T .
Concentraciones extrnsecas.
Es frecuente expresar la concentracin de portadores en un semiconductor extrnseco
en funcin de los parmetros que definen el semiconductor intrnseco, concretamente la
concentracin de portadores intrnseca y el nivel de Fermi intrnseco, ni y Ei
respectivamente.
n = Nc e
( Ec E F )
KT
= Nc e
( E c Ei )
KT
( E F Ei )
KT
= ni e
( E F Ei )
KT
Curso 00/01
-41-
p = Nv e
( E F EV )
KT
= ni e
( Ei E F )
KT
En un semiconductor de tipo N, la concentracin de electrones en la banda de

conduccin se ve aumentada con respecto a la del semiconductor intrnseco y adems
debido a la ley de accin de masas, un aumento en la poblacin de portadores negativos
de carga (electrones) en la banda de conduccin comporta una disminucin de
portadores positivos de carga (huecos) en la banda de valencia ya que el producto n p
ha de mantenerse constante (Fig. 13).
Fig. 13: Semiconductor de tipo N. (a) Diagrama de bandas. (b) Densidad de

estados. (c) Funcin de distribucin de Fermi. (d) Concentracin de portadores.
Fijarse que n p = ni2 .
Neutralidad de cargas
De forma general, si en el semiconductor extrnseco estn presentes ambos tipos de
impurezas (dadoras y aceptoras), aquella concentracin mayoritaria es la que
determinar el tipo de semiconductor extrnseco (p n), as como la conductividad del
semiconductor. En esta situacin ms general, debe satisfacerse la neutralidad de cargas
en el semiconductor (que est adems en equilibrio trmico), es decir:
n + NA = p + ND
La expresin anterior dice que el nmero total de cargas negativas (electrones en la
banda de conduccin e iones fijos aceptores) ser igual al nmero total de cargas
positivas (huecos en la banda de valencia e iones dadores fijos). Considerando adems
la ley de accin de masas y esta ltima igualdad se pueden obtener las concentraciones
de portadores en equilibrio trmico para un semiconductor extrnseco.
Para el de tipo N (ND>NA):
nn =
1
ND NA +
2
(N D N A )2 + 4 ni2
pn =
2
i
n
nn
Curso 00/01
-42-
Teniendo en cuenta que en un semiconductor tipo N la poblacin de electrones es

mayoritaria respecto a la de huecos, se dice que el electrn es el portador mayoritario y
que el hueco es el portador minoritario.
De forma similar, en un semiconductor tipo P (NA>ND), el portador mayoritario es el
hueco y el minoritario el electrn. Las expresiones de las concentraciones de portadores
en equilibrio trmico para este tipo de semiconductor son:
1
2
p p = N A N D + (N A N D ) + 4 ni2
2
n2
np = i
pp
Las expresiones anteriores son completamente generales, pero si se acude a la
prctica ocurre que:
En un semiconductor tipo N (ND >> NA): ni << N D nn N D
ni2
pn
nn
En un semiconductor tipo P (NA >> ND): ni << N A p p N A
ni2
pp
Finalmente Fig. 14 recoge la dependencia de la concentracin de impurezas con la
temperatura (tanto para impurezas dadoras como aceptoras) para el Si y el GaAs,
adems, tambin recoge la variacin del gap prohibido con la temperatura. Se observa
como al aumentar la temperatura el nivel de Fermi se aproxima al nivel intrnseco Ei, es
decir, el semiconductor se convierte en intrnseco. Esto se tratar en el siguiente
apartado.
np
Fig. 14: Nivel de Fermi para Si y GaAs en funcin de la temperatura y de la

concentracin de impurezas. Se observa en la grfica la dependencia de la
anchura de la banda prohibida con la temperatura.
Curso 00/01
-43-
Regin extrnseca
Un suplemento interesante a los resultados de esta seccin se obtiene si se obtiene la
grfica de la relacin existente entre la concentracin de portadores mayoritarios y la
concentracin dadora en funcin de la temperatura (Fig. 15) en un semiconductor de
tipo N.
Vamos a suponer que se ha aadido una concentracin de impurezas ND de 1016cm-3
a la muestra de silicio. A temperaturas cercanas al cero absoluto, la concentracin de
electrones en la banda de conduccin es cero ya que la energa trmica a dicha
temperatura no es suficiente para ionizar ningn tomo dador y ciertamente tampoco es
suficiente para excitar electrones desde la banda de valencia a la de conduccin.
Conforme la temperatura se incrementa, algunos tomos dadores quedan ionizados,
cediendo sus electrones a la banda de conduccin, aunque todava no es suficiente para
llevar electrones fuera de la banda de valencia.
A una temperatura de alrededor de 150K, la concentracin de electrones es menor
que la concentracin dadora debido a que no todos los tomos dadores estn ionizados y
muy pocos electrones han sido excitados desde la banda de valencia hasta la banda de
conduccin. La regin de 0-150K es conocida como regin freeze-out. A
temperaturas superiores a 150K, se alcanza la ionizacin total (todos los tomos dadores
estn ionizados) y la concentracin de portadores negativos coincide con la de dadores
n N D . Esta concentracin de electrones permanece constante en el valor ND tambin
por encima de la temperatura ambiente (300K), temperatura a la cual se cumple que
n N D >> ni . El rango comprendido entre 150 y 400K en que se cumple que la
concentracin de electrones permanece constante en un valor n N D es llamado regin
extrnseca.
Por encima de 400K la concentracin intrnseca de portadores ni empieza a
incrementarse rpidamente alcanzando valores superiores a ND. Esto es debido a que
una gran cantidad de electrones son excitados trmicamente desde la banda de valencia
hasta la banda de conduccin. La concentracin dadora ND pasa a ser despreciable
frente a la concentracin de electrones n por lo que el material se convierte de nuevo en
intrnseco. La concentracin de huecos tambin sufrir un incremento estando su valor
en equilibrio trmico determinado por la ley de accin de masas. Esta regin
correspondiente a temperaturas superiores a 400K es llamada regin intrnseca.
Fig. 15: Variacin de la concentracin de portadores mayoritarios.
Curso 00/01
-44-
2.4. Fenmenos de transporte de portadores

Hasta ahora slo se ha tratado al semiconductor en equilibrio trmico, es decir, sin la
influencia de ningn agente externo. Si se da una excitacin externa al semiconductor,
el efecto es el de alterar la velocidad media de los portadores de forma que ahora ya no
ser nula. En estas condiciones se dice que el semiconductor se encuentra fuera del
equilibrio. Los mecanismos provocados en los portadores por accin de excitaciones
externas reciben el nombre de fenmenos de transporte. La excitacin externa puede ser
de tipo elctrico, trmico o ptico.
Entre los fenmenos de transporte cabe mencionar como fundamentales a los
fenmenos de arrastre, difusin y efecto Hall.
Conduccin por arrastre: Se produce cuando se somete la sustancia semiconductora a
una diferencia de potencial o a la accin de un campo elctrico externo.
Conduccin por difusin: Las corrientes de portadores generadas por difusin se
deben a la diferente concentracin de estas en el semiconductor.
Efecto Hall: La corriente de portadores se crea por la accin conjunta de un campo
elctrico y una magntico sobre el semiconductor.
2.4.1 Fenmenos de arrastre de portadores.
2.4.1.1. Movilidad.
Consideremos una muestra de semiconductor de tipo N con una concentracin
dadora constante y en equilibrio trmico. Los electrones en la banda de conduccin son
esencialmente partculas libres, ya que no estn asociados a ninguna estructura en
particular. La influencia de la estructura cristalina est en la masa efectiva de los
electrones en conduccin, la cual es ligeramente diferente a la los electrones libres. Bajo
condiciones de equilibrio trmico, la energa trmica promedio de los electrones en la
banda de conduccin puede ser obtenida a partir del Teorema de Equiparticin de
1
energa: K T por cada grado de libertad, donde K es la constante de Boltzman y T
2
es la temperatura absoluta. Los electrones en un semiconductor tienen tres grados de
libertad ya que pueden moverse en un espacio tridimensional. Por lo tanto, la energa
cintica de los electrones vendr dada por:
1
3
mn vth2 = K T
2
2
donde mn masa efectiva de los electrones y vth velocidad trmica promedio.
A temperatura ambiente (T=300K) vth=107cm/s para Si y GaAs.
Por el hecho de recibir energa trmica, los electrones estn en un movimiento
constante, movindose rpidamente en todas direcciones. Como estn continuamente en
movimiento, no estn asociados con ninguna particular posicin de la estructura. El
movimiento trmico de un electrn individual puede ser visto como una sucesin de
movimientos aleatorios con colisiones con tomos de la estructura cristalina, con
impurezas, etc, como se muestra en Fig. 16.
Curso 00/01
-45-
Fig. 16: (a) Movimiento trmico aleatorio de los electrones en ausencia de

campo elctrico. (b) Presencia de campo elctrico.
Este movimiento aleatorio de los electrones conduce a un desplazamiento neto cero
de un electrn en un periodo de tiempo suficientemente largo (siempre y cuando no est
sometido a ningn campo elctrico externo), Fig. 16a. Luego, la velocidad media de los
electrones es nula. La distancia promedio entre colisiones es llamada recorrido libre
medio, l, y el tiempo promedio entre colisiones tiempo libre medio, c . Ambas
magnitudes estn relacionadas con la velocidad trmica promedio mediante la relacin:
l
vth =
c
-5
Para los electrones (T=300K) son 10 cm y 1ps (es decir c = l/vth 10-12s),
respectivamente.
Velocidad de arrastre
Cuando se somete al semiconductor a un pequeo campo elctrico , cada electrn
experimenta una fuerza (-)q , de manera que es acelerado.
Los electrones experimentan un recorrido antes de la prxima colisin que se realiza
en la direccin del campo pero en sentido opuesto a este. Adquieren en consecuencia
una nueva componente de velocidad debido a la accin del campo, es la llamada
velocidad de arrastre vn. Esta nueva componente de la velocidad es, en la mayor parte
de los dispositivos, mucho ms pequea que la velocidad trmica por lo que la
velocidad de arrastre puede ser considerada como una perturbacin de la velocidad
trmica. La accin combinada de la velocidad trmica y la de arrastre da lugar a un
movimiento neto de los electrones en sentido contrario al del campo elctrico aplicado,
Fig. 16b.
Podemos obtener una expresin para la velocidad de arrastre igualando el momento
(fuerza x tiempo) aplicado a un electrn durante el recorrido libre entre colisiones con el
momento ganado por el electrn en el mismo periodo. Esta igualdad es vlida ya que, en
el caso estacionario, todo el momento que se gana entre colisiones es cedido a la
estructura en la colisin, inicindose el proceso de nuevo antes de la siguiente colisin.
Por conservacin del momento, el momento proporcionado por la accin del campo
elctrico (es decir, q c ) deber ser igual al momento lineal ( mn v n ) ganado
entre colisiones, por lo que se obtiene que:
q c = mn v n
Curso 00/01
-46-
es decir
q c
v n = ()
mn
Esta expresin afirma que la velocidad de arrastre es proporcional al campo elctrico

externo aplicado. El factor de proporcionalidad, que depende del tiempo libre medio y
de la masa efectiva es llamado movilidad del electrn y sus unidades son cm2/Vs:
q c
n
mn
y, por tanto:
vn = n
La movilidad es un parmetro importante es el transporte de portadores ya que
expresa cuantitativamente la facilidad o no de movimiento de los electrones frente a la
accin de un campo elctrico.
El tratamiento hecho hasta el momento para los electrones en la banda de conduccin
puede extrapolarse para los huecos en la banda de valencia:
q c
v p = p con p
mp
ahora no aparece el signo negativo pues los huecos se desplazan en el mismo sentido
que el campo elctrico externo.
Fig. 17: Movilidades de electrones y huecos en el Si, Ge y GaAs a 300K en

funcin de la concentracin de impurezas.
Curso 00/01
-47-
Dado que c es el recorrido libre medio entre colisiones y dichas colisiones pueden
producirse con los tomos de la estructura cristalina o con las impurezas, la movilidad
tanto de electrones como de huecos es funcin, a una temperatura dada, de la
concentracin de impurezas. Ambas movilidades presentan un valor mximo para baja
concentracin de impurezas (limitacin impuesta por las colisiones con los tomos de la
estructura cristalina) disminuyendo su valor al aumentar la concentracin de impurezas.
Por otra parte, y dado que se tiene la siguiente relacin entre las masas efectivas de
electrn y hueco, mn<mp, la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos
para una misma concentracin de impurezas (dadoras o aceptoras); n > p.
Como dato, decir que mn = 9.810-31Kg y mp = 2.3510-30Kg.
2.4.1.2. Resistividad.
Supongamos un semiconductor de tipo N dopado homogneamente cuyo diagrama
de bandas puede ser observado en Fig. 18.a. Fig. 18b muestra el diagrama de bandas
cuando se aplica una tensin de polarizacin en el terminal de la parte derecha
(suponemos que tanto el terminal de la derecha como el de la izquierda son hmicos con
una cada de tensin despreciable en cada contacto).
Si recordamos la definicin de campo elctrico, este se define como la fuerza de tipo
elctrico ejercida sobre la unidad de carga positiva. Cuando un campo elctrico se
aplica al semiconductor, dicho campo realiza una fuerza -q sobre cada electrn, donde
q es el valor de la carga del electrn.
Tambin sabemos que dicha fuerza ejercida es igual al valor negativo del gradiente
(variacin espacial) de la energa potencial:
F = -q = - (gradiente de la energa potencial del electrn)
Sabemos que el valor inferior de la banda de conduccin Ec corresponde a la energa
potencial de un electrn. Como estamos interesados en el gradiente de la energa
potencial, podemos utilizar cualquier parte del diagrama de bandas que sea paralelo a Ec
(es decir, EF, Ei o Ev). Es conveniente utilizar Ei pues dicha magnitud es ampliamente
utilizada en el caso de uniones p-n. Por tanto y para el caso unidimensional:
dE
1 dE
q = i = i
q dx
dx
A
L
Fig. 18: Proceso de conduccin en un semiconductor de tipo N. (a)

semiconductor en equilibrio trmico (b) bajo condiciones de polarizacin
Curso 00/01
-48-
Para un semiconductor con dopado homogneo como el mostrado en Fig. 18b, la

energa potencial (Ec) y por tanto Ei decrecen linealmente con la distancia con lo que el
campo elctrico es constante al aplicar una diferencia de potencial V constante. Su valor
iguala la tensin aplicada dividido por la longitud de la muestra, como se va a
demostrar.
La cada de tensin entre dos puntos se define como la energa empleada o adquirida
para mover una carga positiva unidad desde uno al otro. Para mover una carga positiva
Q desde un punto a otro entre los cuales exista una diferencia de potencial V, se realiza
un trabajo y la energa empleada es QV, por lo que al llegar a su destino la carga
positiva ha ganado una energa potencial igual a la energa empleada es decir QV.
En el caso del electrn, si ste es llevado desde B hasta A con una diferencia de
potencial V, el electrn (carga negativa) pierde una energa potencial
-qV donde q es la carga del electrn (como puede verse en Fig. 18b).
Variacin de la energa potencial Ep = (-)qV ;
q = carga del e-
Por lo que el campo elctrico es constante y de valor:
1 q V V
= = cte.
q L
L
Los electrones en la banda de conduccin se mueven hacia la derecha. Cuando un

electrn colisiona, cede su energa cintica a la estructura y vuelve a su posicin en
equilibrio trmico. Posteriormente este electrn empieza a moverse de nuevo hacia la
derecha, repitindose el mismo proceso muchas veces.
La conduccin por huecos puede ser entendida de manera similar pero en sentido
opuesto.
El transporte de portadores bajo la influencia de un campo elctrico produce una
corriente llamada corriente de arrastre. Considrese ahora una muestra de
semiconductor homogneo de longitud L, seccin transversal A y con una
concentracin de n electrones/cm3.
Fig. 19: Conduccin de corriente en una barra uniformemente dopada de

longitud L y seccin transversal A.
Supngase que ahora se somete la muestra a la accin de un campo elctrico externo
. La presencia de dicho campo elctrico origina una corriente de arrastre de los
electrones de la banda de conduccin cuya densidad de corriente Jn (corriente por
unidad de superficie) se obtiene sumando para cada uno de los n electrones por unidad
de volumen el producto de su carga q por su velocidad:
n
I
J n = n = (( ) q vi ) = q n v n = q n n
A i =1
donde In es la corriente de electrones y se ha hecho uso de la expresin obtenida con
anterioridad para vn.
Curso 00/01
-49-
De igual forma, para los huecos en la banda de valencia:

J p = q p vp = q p p
La densidad de corriente neta de portadores debida a la accin del campo elctrico
externo es:
J = J n + J p = (q n n + q p p )
La cantidad entre parntesis recibe el nombre de conductividad (S/cm) y nos
indica la capacidad del material de conducir una corriente elctrica:
= q n n + q p p
La contribucin de los electrones y los huecos a la conductividad es simplemente
aditiva. La resistividad del semiconductor ( cm) es la recproca de la conductividad
y viene dada por:
1
1
= =
q n n + q p p
Para el caso de semiconductores extrnsecos, generalmente hay una concentracin de
portadores de carga que es mayoritaria respecto de la otra (en varios rdenes de
magnitud) y de esta forma:
1
Semiconductor tipo N (n>>p): =
q n n
1
Semiconductor tipo P (p>>n): =
q pp
Fig. 20 muestra la variacin de la resistividad con la concentracin de impurezas
para el Si y el GaAs a temperatura ambiente (300K). A esta temperatura, todas las
impurezas estn ionizadas de forma que la concentracin de portadores es igual a la
concentracin de impurezas.
Fig. 20: Resistividad en funcin de la concentracin de impurezas para el Si y

el GaAs.
Para una misma concentracin de impurezas (dadoras o aceptoras) la resistividad de
un semiconductor de tipo P es mayor que la de un semiconductor de tipo N: n > p
(mn< mp) p > n.
Curso 00/01
-50-
2.4.2. Fenmenos de difusin de portadores.

2.4.2.1. Procesos de difusin.
El movimiento de los portadores en semiconductores, el cual da lugar a una
corriente, es algunas veces causado por la aplicacin de un campo elctrico, el cual
provoca una corriente de arrastre o por los procesos de difusin de portadores.
La corriente de difusin es la corriente de portadores que aparece en un
semiconductor cuando existe una variacin espacial de la concentracin de estos
portadores. Los portadores, en estos casos, tienden a moverse en un sentido determinado
siempre desde las zonas de ms concentracin hacia las de baja concentracin. Este
proceso puede ser visto con facilidad cuando se ilumina una pequea regin cerca del
centro de una larga y delgada barra de material semiconductor. Este exceso de
portadores se mover aleatoriamente hacia la derecha y hacia la izquierda de la zona de
generacin, dando lugar a un flujo de partculas que se aleja del centro. Esos portadores
se dice que se difunden ( como una gota de tinta se mezcla rpidamente con el agua de
un vaso).
Para ilustrar el problema consideremos la Fig. 21, la cual muestra una concentracin
de electrones que vara en el eje x. El cristal est en equilibrio trmico de forma que la
energa trmica promedio no vara con x, slo vara n(x). Se pretende calcular el flujo
de electrones que atraviesa un rea unidad en la unidad de tiempo. Debido a la
temperatura, los electrones tendrn unos movimientos trmicos aleatorios con una
velocidad trmica vth y un recorrido libre medio, l. ( l = vth c , donde c es el recorrido
libre medio). Se va a considerar un plano de rea unidad dispuesto en la abcisa x = 0. El
nmero de electrones que atraviese esta rea proceder de aquellos que estn situados
ambos lados del plano una distancia igual al recorrido libre medio l. Ello es debido a
que, por la propia definicin de l, todos aquellos electrones que estn situados a una
distancia l no habrn colisionado todava y lo harn atravesando el plano x = 0. Por otra
parte y en promedio slo la mitad de la concentracin de electrones situados en la
posicin (-)l y de idntica forma los situados en la posicin +l fluirn al rea localizada
en x = 0. Las otras mitades fluirn en sentido opuesto, debido a que hay una
probabilidad del 50% de ir tanto a la izquierda como a la derecha (esto es debido a que
al no haber ningn campo elctrico aplicado no hay ninguna direccin privilegiada de
movimiento).
Fig. 21: Concentracin de electrones en funcin de la distancia. El sentido de

la corriente y del movimiento de los electrones se indica mediante flechas.
Curso 00/01
-51-
A fin de obtener una expresin para la densidad de corriente se calcular

primeramente el flujo promedio de electrones (nmero de electrones) atravesando la
unidad de rea por unidad de tiempo desde la posicin (-)l hacia x = 0, F1 viene dado
por:
F1 =
(1 / 2) n ( l ) l 1
= n( l ) vth
2
c
donde c es el tiempo libre medio (tiempo promedio entre colisiones).

Anlogamente, el flujo F2 desde la posicin +l que atraviesa la seccin localizada en
x=0 es:
1
F2 = n ( +l ) vth
2
el flujo neto (considerando sentido positivo del flujo el de aumento de la concentracin
de electrones) ser:
1
F = F1 F2 = vth [n( l ) n( +l )] < 0
2
Dado que n(+l) > n(-l), el flujo neto ser negativo, es decir, en el sentido de mayor a
menor concentracin de electrones (este resultado es lgico, pues la mitad de una
cantidad mayor es mayor que la mitad de una cantidad menor).
Para obtener una expresin ms explcita de dicho flujo, se pueden aproximar ambas
concentraciones en x = l por los dos primeros trminos del desarrollo en serie de
Taylor alrededor de x = 0:
1
dn
dn
dn
n ( 0) + l
F = vth n(0) l
= ( )vth l
2
dx x =0
dx x =0
dx x =0
Este resultado ha sido obtenido para el plano en x = 0, en general, para un plano

situado en la posicin x del semiconductor:
dn
dn
( ) Dn
F = ( )vth l
dx
dx
donde Dn vth l es el llamado coeficiente de difusin o difusividad y sus unidades son
cm2/s.
Las expresiones anteriores muestran que el flujo de electrones (F) en un
semiconductor que posea una variacin espacial de su concentracin de electrones se
dn
produce en el sentido opuesto al gradiente ( ). Suponiendo una concentracin que
dx
dn
> 0 ) dar lugar a un flujo de electrones
aumente en el sentido de las x positivas (
dx
hacia la parte negativa del eje x (los electrones se mueven hacia zonas de menor
concentracin). La corriente de difusin generada fluir en sentido opuesto al
movimiento de los electrones y tendr el sentido de este gradiente, es decir, hacia el
sentido de las x positivas (Fig. 21).
Curso 00/01
-52-
Este flujo de electrones origina una corriente cuya densidad es el producto de la

carga de cada electrn q por dicho flujo:
J n = ( ) q F = q Dn
dn
dx
De forma anloga, para los portadores positivos:

J p = q F = ( )q D p
dp
dx
Este proceso de difusin es muy importante cuando se tienen en cuenta las corrientes
de difusin de portadores minoritarios en semiconductores y que se vern ms adelante.
2.4.2.2. Relacin de Einstein.
La ecuacin anterior para Jn puede ser reescrita utilizando el teorema de
equiparticin de la energa para el caso unidimensional (igualdad entre energa cintica
y energa trmica para el caso unidimensional en que nicamente se tiene un grado de
libertad):
K T
1
1
mn vth2 = K T vth2 =
mn
2
2
Por otro lado, a partir de la expresin correspondiente a la movilidad:
n =
q c
m
c = n n
q
mn
y teniendo en cuenta que l = vth c , llegamos a que:

Dn = vth l = vth c
l
K T
= vth2 c =
n
q
c
Esta ltima relacin recibe el nombre de relacin de Einstein y relaciona los dos
comportamiento (difusividad y movilidad) que caracterizan el transporte de carga por
difusin y por movilidad en un semiconductor
Anlogamente se puede obtener una expresin similar para los huecos entre Dp y p:
Dp =
K T
p
q
Los valores de difusividad y movilidad para Si y GaAs a 300K se muestran en Fig. 22.
A una temperatura fija existe una relacin de proporcionalidad entre ellas de ah que
puedan representarse conjuntamente utilizando dos escalas en el eje y.
Curso 00/01
-53-
Fig. 22: Movilidades y difusividades en el Si y GaAs a 300K en funcin de la

concentracin de impurezas.
2.4.2.3. Ecuaciones para la densidad de corriente
Si se consideran ambos fenmenos de presencia de un campo elctrico dbil y de
distribucin espacial de la concentracin de portadores en un semiconductor, la
densidad de corriente ser la suma de las densidades de corriente aportadas por cada
efecto.
Para la corriente de electrones:
J n = q n n + q Dn
dn
dx
Y, para la corriente de huecos:

J p = q p p q Dp
dp
dx
y, en consecuencia, la densidad de corriente de conduccin vendr dada por:

J cond = J n + J p
Las unidades de los smbolos son: J en A/cm2, q en coulombios, en cm2/Vs, n y p
en cm-3, Dn y Dp en cm2/s y dn/dx y dp/dx en cm-4.
Estas tres expresiones son muy importantes y constituyen las llamadas
ecuaciones de la densidad de corriente y describen la conduccin elctrica en los
dispositivos semiconductores en condiciones de campo elctrico dbil.
Bajo
condiciones
de
campo
elctrico
elevado,
el
trmino
v n n (o v p p ) debe ser reemplazado por la velocidad de saturacin vs.
Curso 00/01
-54-
2.4.2.4. El efecto Hall.

Existe un mtodo para medir directamente la concentracin de portadores en un
semiconductor. Este mtodo recibe el nombre de efecto Hall. Dicho efecto es adems
uno de los mtodos ms convincentes para demostrar la existencia de los huecos como
portadores de carga, ya que la medida puede decirnos directamente el tipo de portador.
Supongamos que tenemos una muestra de semiconductor de tipo P (Fig. 23)
sometida a una diferencia de potencial V en la direccin x. Esta diferencia de potencial
origina un campo en la misma direccin x el cual por el fenmeno de arrastre
proporcionar una velocidad a los huecos vx en la direccin x. En esta situacin se
aplica a la muestra semiconductora un campo magntico a lo largo de la direccin z, Bz.
& &
La fuerza de Lorentz q v x B (en magnitud, q v x Bz ) debida a la presencia del campo
magntico ejercer una fuerza ascendente (en la direccin del eje y) sobre los huecos
que fluyan en el eje x.
Como consecuencia de esta fuerza, la velocidad de los huecos presentar una
componente en el eje y.
Fig. 23: Esquema utilizado para la medida de la concentracin de portadores

utilizando el efecto Hall.
El resultado ser una acumulacin de cargas positivas en la parte superior de la
muestra. Dicha acumulacin de cargas crear ahora otro campo elctrico en la direccin
y y orientado hacia abajo y.
Como no se produce un flujo neto de corriente en la direccin y, las fuerzas de tipo
elctrico y de Lorentz sern iguales a fin de que la fuerza neta resultante sea igual a
cero:
Fresul tan te = q y q v x Bz = 0
q y = q v x Bz
y = v x Bz
La nica corriente existente en el semiconductor es la corriente I proporcionada por
la fuente externa V, de arrastre en la direccin x.
La aparicin del campo elctrico y es conocida como efecto Hall. Dicho campo y es
llamado campo de Hall, y la diferencia de potencial elctrico creado por l es el llamado
voltaje de Hall VH. Recordando ahora que vx es la velocidad de arrastre para los huecos,
puede darse una nueva expresin para el campo de Hall y.
Curso 00/01
-55-
Jp
Como: J p = q p v p v x = v p =
q p
Y, en consecuencia:
J
y = v x Bz = p Bz = RH J P Bz
q p
donde,
1
= Coeficiente de Hall (RH>0)
RH
q p
El campo de Hall es proporcional al producto de la densidad de corriente y el campo
magntico. El coeficiente de proporcionalidad RH es llamado coeficiente Hall.
Para los electrones en un semiconductor de tipo N siguiendo un tratamiento anlogo
se tendra:
J
v x = vn = n y J n = q n vn
qn
donde:
J
y = v x Bz = n Bz = RH J n Bz
qn
RH
1
= Coeficiente de Hall (RH < 0)
qn
A partir de la medida de este coeficiente, se pueden obtener fcilmente medidas de la

concentracin de portadores. As, para un semiconductor de tipo P:
( )
I Bz
J p Bz
I Bz W
1
=
= A
=
p=
q RH
q y
q VH / W q VH A
donde:
W = espesor de la muestra (eje y)

A = seccin transversal
I = Corriente proporcionada por V
Dado que en el semiconductor de tipo P los portadores mayoritarios son los huecos,
la corriente I es debida a la densidad de corriente de huecos, Jp (mucho mayor que la
densidad de corriente de electrones). Luego: I = Jp A, con A = Seccin transversal del
material semiconductor.
Por otra parte la magnitud del campo elctrico en el eje y (y = Campo de Hall) es
igual a la diferencia de potencial en dicho eje (voltaje de Hall, VH) dividido por la
distancia, que en el eje y es el espesor de la muestra W.
Todas las cantidades de la parte derecha de la ecuacin pueden ser medidas. Por
tanto, la concentracin de portadores puede ser obtenida a partir de la medida Hall.
Por otra parte se tiene que:
I
VH = y W = ( RH B z ) W
A
Curso 00/01
-56-
En un semiconductor de tipo P, RH > 0 por lo que VH > 0, mientras que en un

semiconductor de tipo N, RH < 0 por lo que VH < 0. Por tanto, tambin el tipo de
portador puede ser obtenido a partir de la medida Hall.
2.4.3. Inyeccin de portadores.
En equilibrio trmico, en un semiconductor se satisface la ley de accin de masas
respecto de la concentracin de sus portadores, n p = ni2 donde ni es la concentracin
de portadores en el semiconductor intrnseco.
Si, por cualquier medio externo, se introducen en el semiconductor portadores
adicionales el producto intrnseco ya no se satisface y ahora se tendr n p > ni2 . Se
estar en una situacin fuera del equilibrio. El proceso por el cual se introducen
portadores de carga en exceso recibe el nombre de inyeccin de portadores. A los
portadores que se han introducido externamente se les llama portadores en exceso.
Hay varios mtodos diferentes de inyectar portadores en un semiconductor entre los
cuales cabe destacar la excitacin ptica. Tambin hay un proceso de inyeccin de
portadores en exceso para el caso de una unin p-n directamente polarizada (como se
ver en el Tema 3). En el caso de excitacin ptica, se irradia la muestra de
semiconductor. Si la energa del fotn de la luz h es mayor que la anchura de la
banda prohibida Eg del semiconductor, donde h es la constante de Planck y es la
frecuencia ptica, el fotn es absorbido por el semiconductor generndose un par
electrn-hueco.
La magnitud relativa de la concentracin de portadores en exceso respecto de la
concentracin de portadores mayoritarios, determina el grado o nivel de inyeccin. Para
ello consideremos el ejemplo dado en Fig. 24.
Fig. 24: Concentraciones de portadores en un semiconductor de Si de tipo N

dopado con una concentracin de impurezas dadoras de 1015cm-3 (a) en
equilibrio trmico (b) bajo condiciones de baja inyeccin (c) bajo condiciones de
alta inyeccin.
En el caso a) se representa la concentracin de portadores en una muestra de Si tipo
N en situacin de equilibrio. La concentracin de portadores mayoritarios nno coincide
Curso 00/01
-57-
con la de impurezas (en este caso particular de 1015cm-3) y la de portadores minoritarios

pno se obtiene mediante la ley de accin de masas:
pno =
ni2
= 2.1 105 cm 3
nno
En esta notacin, el primer subndice se refiere al tipo de semiconductor, y el

segundo o a la situacin de equilibrio trmico. En consecuencia, nno y pno
corresponden a las concentraciones de electrones y de huecos, respectivamente, en un
semiconductor de tipo N en equilibrio trmico.
En esta situacin y mediante por ejemplo una excitacin ptica se produce una
inyeccin de portadores en el semiconductor. Este tipo de accin produce igual
incremento de portadores negativos n que positivos p debido a que la aparicin de un
electrn lleva consigo la creacin de un hueco. En el ejemplo mostrado en Fig. 24.b se
han aadido una cantidad de 1012cm-3 portadores, por un lado 1012cm-3 huecos y por
otro 1012cm-3 electrones, aquellos portadores minoritarios y estos mayoritarios pero
ambos en exceso. Mediante la inyeccin, los portadores minoritarios han visto muy
incrementada su concentracin (de 2.1105cm-3 a 1012cm-3), es decir, 7 rdenes de
magnitud, sin embargo, los portadores mayoritarios no han cambiado cuantitativamente
su concentracin (slo un 0.1% al pasar de 1015 a (1015+1012)cm-3).
Esta condicin en la cual la concentracin de portadores en exceso es pequea
comparada con la concentracin de impurezas (concentracin de portadores
mayoritarios antes de la inyeccin de portadores en exceso), n=p<<ND es referida
con el nombre de bajo nivel de inyeccin.
Fig. 24.c muestra el caso en el que la concentracin de portadores en exceso iguala o
incluso supera a la de impurezas (concentracin de portadores mayoritarios antes de la
inyeccin de portadores en exceso). Esta situacin da lugar al llamado alto nivel de
inyeccin. En este caso, pn puede llegar a ser comparable con nn, como se muestra en la
figura. Este tipo de nivel de inyeccin puede encontrarse algunas veces en dispositivos
semiconductores, pero debido a la complejidad que involucra su tratamiento nos vamos
a restringir al caso bajo nivel de inyeccin.
2.4.4. Procesos de generacin-recombinacin de portadores.
Hasta el momento se han introducido los dos procesos de movimiento de portadores
difusin y arrastre. Una tercera categora que involucra una variacin de las
concentraciones de electrones y huecos son los procesos de generacin y
recombinacin. De hecho, estos son dos procesos independientes que tienen lugar de
forma simultnea y cuyas velocidades son iguales nicamente en equilibrio trmico.
Recordemos que la condicin de equilibrio trmico se da cuando no existen fuerzas
externas (tales como luz) o un campo elctrico aplicado al semiconductor. Estos dos
procesos (generacin y recombinacin) afectan indirectamente a las corrientes
cambiando las concentraciones de portadores involucradas en los procesos de arrastre y
difusin.
Por un lado los electrones de la banda de conduccin pueden ceder energa (por
ejemplo mediante colisiones con la red cristalina o la emisin de un fotn) de forma que
vayan a ocupar un nivel de energa localizado en la banda de valencia y, en
consecuencia, electrn y hueco desaparecen simultneamente. Este proceso de
neutralizacin de portadores recibe el nombre de recombinacin de portadores y, como
Curso 00/01
-58-
se ha visto, conlleva la desaparicin de un par electrn-hueco. Anlogo razonamiento se

puede seguir si un electrn de la banda de valencia sufre una transicin de la banda de
valencia a la banda de conduccin (por ejemplo gracias al aporte energtico debido a la
energa trmica) dejando un hueco en la banda de valencia. Este proceso recibe el
nombre de generacin de portadores y conlleva la aparicin de un par electrn-hueco.
En un semiconductor en condiciones de equilibrio, el nmero de pares electrnhueco generados (mediante la absorcin de energa vibracional de la red), iguala al
nmero de pares electrn-hueco aniquilados por recombinacin de forma que se cumple
la ley de accin de masas p n = ni2 .
Cuando se rompe la situacin de equilibrio trmico, la tendencia de los sistemas es
retornar a la situacin de equilibrio. Por ejemplo, cuando se produce una inyeccin de
portadores minoritarios en exceso en un extremo de una barra semiconductora, las
concentraciones de electrones y huecos tendern a volver a sus valores en el equilibrio
causando que la velocidad de recombinacin exceda a la de generacin. Por tanto, fuera
de la situacin de equilibrio las velocidades de generacin y recombinacin no son
iguales, causando que la concentracin de un tipo de portador de carga exceda su valor
de equilibrio.
Supongamos un semiconductor de tipo N en equilibrio trmico con unas
concentraciones de portadores mayoritarios y minoritarios no y po respectivamente. Si
este semiconductor es expuesto a una fuente de energa que incrementa la concentracin
de portadores minoritarios, entonces el proceso de generacin-recombinacin acta
para reducir la concentracin de estos portadores causando que la velocidad de
recombinacin supere a la velocidad de generacin. Si, por el contrario, debido a la
extraccin de portadores, la concentracin de portadores se decrementase, entonces la
velocidad de generacin exceder a la velocidad de recombinacin hasta que se llegue
al equilibrio.
Los procesos de generacin-recombinacin pueden ser de dos tipos: procesos
directos o de banda a banda y procesos indirectos o a travs de centros intermedios (en
el volumen y en la superficie del cristal).
2.4.4.1. Procesos de generacin-recombinacin directa o entre bandas.
El proceso de generacin directa ocurre cuando un electrn es excitado directamente
desde la banda de valencia a la banda de conduccin, dando como resultado un par
electrn-hueco. Por el contrario, la recombinacin directa ocurre cuando un electrn
cae desde la banda de conduccin directamente a la banda de valencia, eliminndose
tanto el electrn como el hueco. Dicho de otra forma, los procesos de generacinrecombinacin que en este apartado se van a describir slo se van a dar entre los
portadores de la banda de conduccin y los de la banda de valencia, electrones y huecos
respectivamente.
Si llamamos Gth al nmero de pares electrn-hueco producidos por generacin por
unidad de volumen y por unidad de tiempo y Rth al nmero de pares electrn-hueco
aniquilados por recombinacin, se ha de cumplir que en equilibrio trmico ambas
cantidades sean iguales, de forma que la ley de accin de masas se cumpla p n = ni2
(Fig. 25).
Curso 00/01
-59-
Fig. 25: Proceso de generacin-recombinacin directa de pares electrnhueco. (a) en equilibrio trmico (b) bajo condiciones de iluminacin.
Cuando es introducido un exceso de portadores en el semiconductor, hay una alta
probabilidad de que los electrones y huecos se recombinen directamente. En forma
general es lgico pensar que la velocidad de recombinacin R sea proporcional al
nmero de electrones disponibles en la banda de conduccin (n) y al nmero de huecos
disponible en la banda de valencia (p), es decir:
R = n p
donde es la constante de proporcionalidad. Como se ha dicho con anterioridad, en
equilibrio trmico las velocidades de generacin y recombinacin son iguales. Por tanto,
para un semiconductor de tipo N:
Gth = Rth = nno pno
donde nno y pno son las concentraciones respectivas de electrones y huecos en el
semiconductor de tipo N en el equilibrio trmico.
En esta situacin, se produce una excitacin externa (por ejemplo, un haz luminoso
dirigido al semiconductor) que incrementa la concentracin de portadores minoritarios.
Vamos a ver como el proceso de generacin-recombinacin acta para reducir la
concentracin de estos portadores causando que la velocidad de recombinacin supere a
la velocidad de generacin.
El efecto que se produce es doble. Por un lado se altera la velocidad de generacin de
pares electrn-hueco, ahora ya no slo ser la atribuida en el caso de equilibrio trmico,
sino tambin la debida a la excitacin luminosa:
G = GL+Gth
y, por otro lado, al haber creado un exceso de portadores, las poblaciones en las dos
bandas quedarn alteradas, (nno+n) y (pno+p) respectivamente, de forma que la nueva
velocidad de recombinacin ser:
R = ( nno + n ) ( pno + p )
n y p son las concentraciones en exceso de portadores introducidas cumplindose
que n = p (se conserva la neutralidad de cargas).
Curso 00/01
-60-
Si suponemos bajo nivel de inyeccin, la concentracin de electrones a penas se ver

variada frente a la de en equilibrio trmino nno. Por tanto, podemos centrarnos en lo que
sucede para los portadores minoritarios.
El cambio neto que experimentar la concentracin de huecos (portadores
minoritarios) vendr dado por la velocidad neta de generacin-recombinacin
(diferencia entre las velocidades de generacin y recombinacin):
dpn
= G R = G L + Gth R
dt
Habr un proceso de variacin de dicha concentracin pn con el tiempo hasta llegar
al caso estacionario en que se haya estabilizado en un valor constante (dicho valor
constante ser superior al valor en equilibrio trmico pno, ya que se han inyectado
portadores minoritarios en exceso):
dpn
= 0 G L = R Gth = R Rth U
dt
La cantidad U recibe el nombre de velocidad de recombinacin neta. Como se ver
con posterioridad dicha velocidad corresponde a la velocidad a la cual se recombinan
los portadores minoritarios inyectados en exceso hasta alcanzar de nuevo el valor de
concentracin pno existente en el equilibrio.
Siguiendo en este estado estable, y sustituyendo R y Gth por sus expresiones se
obtiene:
U = ( nno + n ) ( pno + p ) nno pno
= nno p + n pno + n p
= ( nno + pno + n ) p = ( nno + pno + p ) p
donde se ha hecho uso de la relacin n = p .
Si despreciamos trminos de segundo orden en p (pp0), admitimos bajo nivel
de inyeccin p, es decir nno >> p (concentracin de portadores mayoritarios mucho
mayor que la concentracin de portadores en exceso), y tenemos en cuenta que se trata
de un semiconductor de tipo N por lo que nno >> pno se tiene que:
U n no p =
p n p no
1
n no
donde se ha tenido en cuenta que p = pn - pno

Esta expresin significa que la velocidad de recombinacin neta es proporcional al
1
exceso de portadores minoritarios. La constante de proporcionalidad
se
nno
denomina tiempo de vida media p de los portadores minoritarios en exceso.
Obviamente, en condiciones de equilibrio trmico, la velocidad de recombinacin
neta U ser igual a cero al no haber portadores en exceso.
Curso 00/01
-61-
U=
pn pno
p
p =
1
nno
Tal y como se ver con posterioridad, la vida media est relacionada con el tiempo
medio en que un portador minoritario (hueco en este caso) permanece libre antes de
recombinarse con el de la carga contraria (electrn). Su valor vara entre s y ms.
La velocidad de recombinacin neta representa la velocidad a la que los portadores
minoritarios en exceso se recombinan para restablecer las concentraciones de portadores
de carga existentes inicialmente en equilibrio trmico.
Para un semiconductor de tipo P:
U=
n p n po
n
1
n =
p po
El significado fsico del tiempo de vida media puede ser comprendido analizando la
respuesta del dispositivo cuando se retira sbitamente una fuente de luz. Consideremos
una muestra de semiconductor de tipo N, como el mostrado en Fig. 26a, la cual est
iluminada y en la cual los pares electrn-hueco son generados de forma uniforme en
toda la muestra con una velocidad de generacin GL cumplindose que:
dpn
= G R = G L + Gth R
dt
Cuando se haya alcanzado el estado estacionario:
p pno
G L = R Gth U = n
p
o, dicho de otra forma:
pn = pno + p G L
En un tiempo arbitrario, que llamaremos t = 0, la luz es apagada. La variacin que
experimentar la concentracin de huecos ser (GL=0):
dpn
p pno
=G th R = U = n
p
dt
El signo negativo es debido a que la concentracin de huecos experimenta una
disminucin (predomina la recombinacin frente a la generacin).
Para obtener pn(t) se ha de resolver una ecuacin diferencial de la forma:
dp n
p
1
+
p n no =0
p
dt p
Para la resolucin de dicha ecuacin diferencial se requieren dos condiciones de
contorno:
Curso 00/01
-62-
t=0 pn (t = 0) = pno + p G L
t pn (t ) = pno (la concentracin de huecos tiende a
la concentracin de huecos en
equilibrio trmico)
y la solucin ser:
pn (t ) = pno + p G L e
t / p
Fig. 26: Cada de la concentracin de portadores fotoexcitados (a) Muestra de

semiconductor de tipo N bajo condiciones de iluminacin constante (b) Cada
de la concentracin de portadores minoritarios (huecos) con el tiempo. (c)
Esquema del montaje utilizado para la medida de la vida media de los
portadores minoritarios.
Fig. 26b muestra la variacin de pn con el tiempo. Los portadores minoritarios se
recombinan con los mayoritarios y su concentracin decae exponencialmente con una
constante de tiempo p correspondiente al tiempo de vida medio definido anteriormente.
El ejemplo anterior ilustra la idea de la medida de la vida media de los portadores de
carga utilizando el mtodo de la fotoconductividad. Fig. 26c muestra un esquema del
montaje. El exceso de portadores, generado de forma uniforme por toda la muestra
mediante un pulso de luz, causa un incremento momentneo de la conductividad (y, por
tanto, una disminucin de la resistividad). Este incremento de la conductividad provoca
una cada de tensin a travs de la muestra. La cada de la conductividad puede por
Curso 00/01
-63-
tanto ser observada en un osciloscopio y es una medida del tiempo de vida medio de los
portadores minoritarios en exceso.
2.4.4.2. Procesos de generacin-recombinacin indirecta.
Los procesos de generacin-recombinacin en el caso del germanio y el silicio
ocurren mediante la intervencin de un tercero, actuando como agente cataltico. Este
tercero corresponde a un estado localizado en la banda prohibida, el cual sirve de
escaln entre las bandas de conduccin y de valencia. Tales estados se presentan a
niveles energticos en que los tomos de silicio y germanio no pueden existir. Estos
estados son, por tanto, nicamente accesibles para tomos diferentes. Fig. 27 muestra
los procesos indirectos de generacin-recombinacin. Cada uno de estos dos procesos
tiene lugar en dos etapas, donde el estado escaln es un estado localizado que tiene un
nivel energtico ET cerca del centro de la banda prohibida.
Fig. 27: Procesos de generacin-recombinacin indirectos.

Existen cuatro procesos que dan lugar a la generacin y recombinacin indirecta en
semiconductores. Estos son mostrados en Fig. 28, donde existe un estado localizado
aceptor ligeramente por encima del centro de la banda prohibida. El primer proceso es
el de captura de un electrn por el estado localizado, mientras que el inverso, segundo
proceso, ocurre cuando el electrn es llevado desde el estado localizado a la banda de
conduccin y es conocido como emisin de un electrn.
El tercer proceso, conocido como captura de un hueco, corresponde a la
transferencia de un electrn desde el estado localizado hacia la banda de valencia.
Finalmente, el cuarto proceso corresponde a la transicin de un electrn desde la banda
de valencia hasta el estado localizado, dejando un hueco detrs y es llamado emisin de
un hueco.
Curso 00/01
-64-
Fig. 28: Interaccin de portadores libres con estados localizados en procesos

de generacin-recombinacin indirectos. El centro de generacinrecombinacin es de tipo aceptor.
Los estados localizados son tambin llamados centros de generacin-recombinacin
o desvos.
Estos centros de recombinacin son debidos a imperfecciones en la estructura
cristalina, causadas por dislocaciones o defectos del cristal o por la presencia de
impurezas, las cuales pueden haber sido introducidas de forma deliberada.
Las imperfecciones en el cristal normalmente son producidas en la etapa de
preparacin de la muestra de semiconductor y, por tanto, provienen del proceso de
fabricacin.
Las impurezas que dan lugar a estos centros de generacin-recombinacin pueden ser
inherentes al slido pero, en la mayor parte de los casos, son introducidas para controlar
los tiempos de vida medios de los portadores minoritarios. Los centros de generacinrecombinacin introducidos por las impurezas deben permanecer en las proximidades
del centro de la banda prohibida. Esto ocurre en el caso de las impurezas presentes en el
silicio, a diferencia de las impurezas de los elementos de la columna III (boro) y V
(fsforo) de la tabla peridica en que los centros de generacin-recombinacin estn
cercanos de la banda de valencia y la de conduccin respectivamente.
El oro y el hierro en el silicio y el cobre en el germanio introducen centros de
recombinacin algo por arriba (aceptores) o algo por abajo (dadores) del centro de la
banda prohibida, pero en ambos casos a menos de 0.1eV del centro de sta.
Los procesos de generacin-recombinacin indirecta pueden ser clasificados en dos
tipos: en volumen y en la superficie del semiconductor.
a) En volumen.
En primer lugar se va a considerar una situacin de equilibrio trmico. La existencia
de impurezas o defectos en el cristal da lugar a la presencia de niveles de energa
incluidos en la banda prohibida del semiconductor. Estos niveles de energa son los
centros de generacin-recombinacin que son utilizados por los electrones y huecos
como etapas en los procesos de generacin-recombinacin indirecta.
Como se ha comentado con anterioridad, un nivel intermedio o centro da lugar a
cuatro procesos de generacin-recombinacin indirecta, siempre hasta ahora
considerando el equilibrio trmico (Fig. 29).
Curso 00/01
-65-
Fig. 29: Procesos de generacin-recombinacin indirecta en equilibrio trmico.

Esta figura recoge los cuatro procesos de transicin que pueden existir, mostrando la
situacin antes y despus de cada transicin. En Fig. 29a aparece la transicin llamada
de captura de un electrn por un centro. Un electrn de la banda de conduccin es
capturado por el centro. Cuando un centro es ocupado por un electrn ya no puede ser
ocupado ese nivel energtico por otro electrn que se capture. En consecuencia, la
velocidad de captura de electrones ser proporcional a la concentracin de centros que
todava no estn ocupados (es decir, los centros que permanezcan neutros). Tomando
como Nt la concentracin de centros en el semiconductor, la concentracin de centros
no ocupados vendr dada por Nt(1-F), siendo F la probabilidad de que un centro sea
ocupado por un electrn, funcin de distribucin que viene dada por la estadstica de
Fermi-Dirac:
F=
1
1+ e
( Et E F ) / K T
donde Et nivel de energa del centro; y EF nivel de Fermi

De esta forma, la velocidad de captura de electrones Ra por este proceso ser
proporcional a la concentracin de centros no ocupados y a la de electrones de la banda
de conduccin:
Ra = K a n N t (1 F ) (velocidad de captura de electrones)
Por otro lado, si se considera ahora el proceso de emisin de electrones dado por Fig.
29b. El punto de partida es el de un electrn ocupando un centro y el final es el electrn
situado en la banda de conduccin y el centro no ocupado. En este caso, la velocidad de
emisin electrnica Rb ser directamente proporcional a la concentracin de centros
ocupados por electrones, es decir, la cantidad NtF, de esta manera:
Curso 00/01
-66-
Rb = K b N t F (velocidad de emisin de electrones)

La constante Kb recibe el nombre de probabilidad de emisin. Bajo condiciones de
equilibrio trmico, las velocidades de captura y emisin electrnica coincidirn, es
decir:
Ra = Rb K b =
K a n (1 F )
F
recordando la concentracin de electrones en equilibrio trmico y la funcin de

distribucin de Fermi para el nivel energtico del centro:
n = ni e ( EF Ei ) / K T
1 F
= e ( Et EF ) / K T
F
puede obtenerse que:
K b = K a ni e ( Et Ei ) / K T
Esta ltima expresin significa que si el nivel del centro Et est cerca de la banda de
conduccin(Et-Ei aumenta), la emisin de electrones desde los centros aumenta su
probabilidad.
Las transiciones entre los centros y la banda de valencia son anlogas a las descritas
con anterioridad.
El proceso mostrado en Fig. 29c es el llamado captura de huecos. Como se deduce de
la figura, la velocidad de captura de un hueco por parte de un centro ser proporcional a
la concentracin de electrones presentes en los centros, es decir:
Rc = K c p N t F (velocidad de captura de un hueco por parte de un centro)
El cuarto proceso posible (Fig. 29d) es la emisin de huecos. Para este caso, la
velocidad de emisin de un hueco (o lo que es lo mismo, de que un electrn de la banda
de valencia pase al centro) ser proporcional a la concentracin de centros no ocupados
por electrones, es decir:
Rd = K d N t (1 F ) (velocidad de emisin de un hueco)
siendo Kd la probabilidad de emisin de un hueco.
De forma anloga al caso anterior:
K d = K c ni e ( Ei Et ) / K T
es decir, la probabilidad de emisin de un electrn de la banda de valencia aumenta a
medida que el nivel del centro est ms cercano a la banda de valencia.
Experimentalmente se pueden medir las constantes Nt, Et, Kc y Ka y mediante el uso
de las expresiones iniciales para Ra, Rb, Rc y Rd determinar la dinmica de una
recombinacin indirecta bajo condiciones de no equilibrio.
Curso 00/01
-67-
Fig. 30: Procesos de generacin-recombinacin bajo condiciones de

iluminacin.
Considrese ahora la situacin de no equilibrio en un semiconductor de tipo N, el
cual mediante excitacin uniforme produce una velocidad de generacin GL (Fig. 30).
En consecuencia, adems de los anteriores procesos indirectos cabe considerar este
nuevo proceso externo.
En situacin de estado estable, la velocidad de abandono de los electrones de la
banda de conduccin ser igual a la de incorporacin a esta banda, es decir:
dnn
= G L ( Ra Rb ) = 0
dt
de forma similar, respecto de los huecos en la de valencia:

dpn
= G L ( Rc Rd ) = 0
dt
Evidentemente, bajo condiciones de equilibrio trmico GL=0 y Ra=Rb y Rc=Rd pero
en condiciones estacionarias fuera del equilibrio trmico (equilibrio dinmico) RaRb y
RcRd. De las dos ecuaciones anteriores resulta que:
G L = Ra Rb = Rc Rd
Si ahora se tienen en cuenta las expresiones que se han dado con anterioridad para
Ra, Rb, Rc y Rd se obtiene la relacin:
K a N t nn (1 F ) ni e ( Et Ei ) / K T F = K c N t pn F ni e ( Ei Et ) / K T (1 F )
eliminando F y resolviendo para la velocidad de recombinacin neta definida como:

U Ra Rb
se puede obtener la expresin:
U K c N t ( pn pno ) =
( pn pno )
p
donde se ha supuesto adems una condicin de baja inyeccin en un semiconductor de

tipo n (nn>>pn, es decir y para el semiconductor tipo N, despus de la inyeccin de
portadores la concentracin de electrones en la banda de conduccin sigue siendo
Curso 00/01
-68-
mucho mayor que la de huecos en la banda de valencia) y que los centros presentan un
nivel Et cercano al centro de la banda prohibida, es decir:
nn >> ni e ( Et Ei ) / K T
La expresin obtenida para U recuerda la anteriormente obtenida para el caso de
recombinacin directa y se puede considerar ahora un tiempo de vida media para los
electrones y los huecos. En el caso considerado, el tiempo de vida media para los
huecos en un semiconductor de tipo N es:
1
p
Kc N t
Tambin puede obtenerse anlogamente un tiempo de vida media para los electrones en
un semiconductor de tipo P.
La conclusin importante de este proceso indirecto es que el tiempo de vida media es
independiente de los portadores mayoritarios. Como en un semiconductor tipo N hay
gran concentracin de electrones, tan pronto como un hueco sea capturado por un centro
(Fig. 29c) estar en condiciones de capturar un electrn y el proceso de recombinacin
se habr completado. Es decir, la velocidad del proceso de recombinacin viene
controlada por los portadores minoritarios.
Muchas impurezas tienen niveles energticos cercanos al centro de la banda
prohibida. Estas impurezas son centros de recombinacin eficientes. Un ejemplo tpico
es el del oro en el caso del silicio. El oro tiene un estado aceptor a Et-Ei =0.02eV a
temperatura ambiente (300K). El tiempo de vida media de los portadores minoritarios
decrece de forma lineal con la concentracin de oro, como puede ser visto en Fig. 31.
Incrementando la concentracin de oro desde 1014cm-3 hasta 1018cm-3, se puede reducir
el tiempo de vida media de los portadores minoritarios desde 1s hasta 0.1ns. Otra
forma de cambiar el tiempo de vida media de los portadores minoritarios es mediante
irradiacin a alta frecuencia, lo cual causa un desplazamiento de los tomos y daa la
estructura cristalina. Estos efectos de la radiacin, de hecho, introducen niveles
energticos en la banda prohibida.
Fig. 31: Tiempo de vida media en funcin de la concentracin de impurezas de

oro para el Si.
Curso 00/01
-69-
b) En superficie.
Fig. 32 muestra de forma esquemtica los enlaces en la superficie del semiconductor.
Fig. 32: Diagrama esquemtico de los enlaces en la superficie del

semiconductor. Los enlaces son anisotrpicos y difieren de los que se
encuentran en el interior.
Un gran nmero de estados energticos localizados o centros de generacinrecombinacin pueden ser introducidos en la regin de la superficie debido a la abrupta
discontinuidad que presenta la estructura cristalina. Estos centros actan de modo
anlogo a los centros en volumen. Sin embargo al ser demasiado numerosos, los
tiempos de vida media a los que dan lugar son muy pequeos. Adems existe un efecto
de ralentizacin de los procesos de generacin-recombinacin, pues los tomos de
silicio superficiales se oxidan formando SiO2 sobre un substrato interno de silicio.
2.4.5. La ecuacin de continuidad.
Anteriormente se han considerado los efectos de arrastre (debido a la presencia de un
campo elctrico), difusin (concentracin no homognea de portadores) y procesos de
generacin-recombinacin (directos e indirectos), todos ellos de forma separada. Ahora,
sin embargo, se van a considerar todos ellos conjuntamente en el semiconductor. La
ecuacin matemtica que se obtenga gobernar todo el proceso conjunto y recibe el
nombre de ecuacin de continuidad.
Fig. 33: Flujo de corriente y procesos de generacin-recombinacin en un

bloque infinitesimal de espesor dx.
Curso 00/01
-70-
Para ello vamos a considerar la Fig. 33. En ella aparece un bloque de semiconductor
destacndose una seccin transversal de rea A y grosor dx, localizada en la posicin x.
En ella se consideran simultneamente los procesos de arrastre y difusin
(representados por las densidades de corriente Jn(x) y Jn(x+dx)) y los de generacinrecombinacin (representadas respectivamente por sus velocidades Gn y Rn). Se va a
obtener la variacin temporal que experimenta la concentracin de electrones en el
bloque correspondiente al elemento de volumen Adx.
La variacin global de electrones en este elemento de volumen de semiconductor
ser la contribucin de los electrones que penetran el volumen en la posicin x, menos
la cantidad de ellos que la abandonan en la posicin dx, ms los que son generados (a
velocidad Gn) menos los que se recombinan (a velocidad Rn). Las primeras cantidades
son obtenidas dividiendo las corrientes (In = JnA) en cada cara del bloque por la carga
de un electrn (es decir -q) y las segundas a partir de las velocidades de generacin y
recombinacin (dichas cantidades vienen dadas por unidad de volumen de manera que
al multiplicar por el volumen Adx del elemento de volumen nos dan directamente el
nmero de electrones generados o recombinados por unidad de tiempo). Es decir:
J ( x ) A J n ( x + dx ) A
n
A dx = n
+ (Gn Rn ) A dx
t
( )q
( )q
desarrollando Jn(x+dx) en serie de Taylor:

J
J n ( x + dx ) = J n ( x ) + dx n +
x
se obtiene la ecuacin de continuidad para los electrones:
n 1 J n ( x )
=
+ (Gn Rn )
t q
x
De forma similar puede obtenerse la ecuacin de continuidad para los huecos:
p
1 J p ( x )
= ( )
+ (G p R p )
q
t
x
Teniendo en cuenta las expresiones obtenidas en apartados anteriores para la
densidad de corriente (Jn(x) y Jp(x)):
dn
J n = q n n + q Dn
dx
dp
J p = q p p q Dp
dx
y considerando en las expresiones de recombinacin la velocidad de recombinacin
neta (la velocidad de recombinacin de los portadores minoritarios en exceso es la
velocidad de recombinacin neta):
( n p n po )
( p pno )
U= n
(semic. tipo N) o U =
(semic. tipo P)
p
n
Curso 00/01
-71-
se obtienen las ecuaciones de continuidad para los portadores minoritarios (es decir, np
en un semiconductor de tipo P o pn en un semiconductor tipo N) para el caso
unidimensional y bajo condiciones de baja inyeccin:
Para ambos tipos de portadores minoritarios:
G R = Gext + Gth R = Gext ( R Gth ) = Gext U
Para los portadores minoritarios np en un semiconductor de tipo P:
n p
2n p
n p n po
+ n
+ Dn
+ Gn
2
n
t
x
x
x
donde Gn corresponde a la generacin de portadores minoritarios (electrones) que no sea
debida a la energa trmica, Gth.
n p
= n p n
Para los portadores minoritarios pn en un semiconductor de tipo N:

pn
pn
2 pn
p pno
= ( ) pn p
p
+ Dp
+ Gp n
2
t
x
x
x
p
donde Gp corresponde a la generacin de portadores minoritarios (huecos) que no sea
debida a la energa trmica, Gth.
Ecuacin de Poisson
Adicionalmente a estas dos ecuaciones de continuidad anteriores se debe satisfacer la
ecuacin de Poisson para el campo elctrico, la cual permite determinar ste en trminos
de la distribucin de carga espacial s y la permitividad dielctrica del semiconductor
S (para el caso del silicio S =1.0410-12F/cm). La primera viene dada por la suma
algebraica de las densidades de portadores y de las concentraciones de impurezas
ionizadas, es decir q ( p n + N D+ N A ) .
d s
=
Ecuacin de Poisson
dx s
Esta ltima ecuacin junto a las dos anteriores que nos dan la variacin temporal de
las concentraciones de portadores minoritarios en exceso y las ecuaciones de la
densidad de corriente permiten conocer las distribuciones unidimensionales de
portadores, corriente y campo elctrico. Pueden resolverse numricamente cuando se
tienen las condiciones iniciales y de contorno adecuadas o bien analticamente
introduciendo aproximaciones que las simplifiquen.
A continuacin se van a describir dos ejemplos de solucin de las ecuaciones de
continuidad para el caso de inyeccin de portadores en exceso desde una cara y para el
caso del llamado experimento de Haynes-Shockley.
Ejemplos de resolucin de la ecuacin de continuidad
1. Inyeccin de portadores en exceso desde una cara.
Fig. 34 muestra un semiconductor de tipo N al cual se le inyectan portadores en
exceso desde una cara mediante excitacin luminosa.
Curso 00/01
-72-
Fig. 34: Representacin del estado estacionario correspondiente a la inyeccin

de portadores desde una cara. (a) Muestra semi-infinita. (b) Muestra de
longitud W.
En el estado estacionario hay un gradiente de concentracin en las proximidades de
la superficie por lo cual es lgico pensar que habr un fenmeno de difusin. A partir de
la ecuacin de continuidad para los portadores minoritarios en el interior del
semiconductor considerando el caso estacionario y teniendo en cuenta que no hay
arrastre (pues no hay campo elctrico aplicado) y que, despus de la excitacin
luminosa, no hay generacin de portadores minoritarios Gp = 0- (que no sea la debida
a la energa trmica, la cual se compensa con la recombinacin).
pn
2 pn pn pno
= 0 = Dp
t
x 2
p
Las condiciones de contorno sern:
pn ( x = 0) = pn (0) = Valor constante
pn ( x ) = pno
La solucin para pn(x)es igual a:
x/L
pn ( x ) = pno + [pn (0) pno ] e p
Curso 00/01
-73-
La longitud L p = D p p es llamada longitud de difusin. Fig. 34.a muestra la

variacin de la concentracin de portadores minoritarios, la cual decae con una longitud
caracterstica que viene dada por Lp.
Al inyectar portadores minoritarios en exceso (huecos) por una cara (mediante
excitacin luminosa) estos se difunden ms all del punto de inyeccin y se
recombinan.
Si se cambia la segunda condicin de contorno de manera que todos los portadores
en exceso son extrados en x=W, es decir, pn (W) = pno, se obtiene una nueva solucin:
W x
sinh
L p
pn ( x ) = pno + [pn (0) pno ]

sinh(W / L p )
La densidad de corriente en x = W (con =0) se obtiene a partir de la expresin de la

corriente por difusin particularizando para x = W:
Dp
p
1
= q [pn (0) pno ]
J p = q D p n
x x =W
L p sinh(W / L p )
2. El experimento de Haynes-Shockley.
Un experimento clsico en la fsica de los semiconductores y que permite la
demostracin de los fenmenos de arrastre y difusin de los portadores minoritarios, fue
realizado por J.R. Haynes y W. Shockley en 1951.
Fig 35.a muestra la disposicin bsica del experimento.
Fig 35: Experimento de Haynes-Shockley. (a) Montaje experimental. (b)

Distribucin de portadores en ausencia de campo elctrico. (c) Distribucin de
portadores con un campo elctrico aplicado.
Curso 00/01
-74-
En una barra de semiconductor de tipo N se tienen tres contactos. Dos de dichos

contactos son utilizados para conectar la barra a un generador (V). La funcin de este
generador es establecer un campo elctrico que cause el arrastre en la barra, con los
huecos movindose de izquierda a derecha. El tercer contacto A nos permite visualizar
la variacin que experimenta la concentracin de portadores minoritarios.
Se hacen incidir pulsos luminosos dirigidos a una zona de la barra semiconductora
(x=0). Despus de un pulso, la ecuacin de continuidad para pn (portadores
minoritarios) es:
pn
pn
2 pn pn pno
= p
+ Dp
t
x
x 2
p
donde GL = 0 (despus del pulso) y se ha considerado un campo elctrico aplicado
= 0 ).
constante a lo largo de la barra semiconductora (
x
Si no se aplica campo elctrico en el semiconductor (V = 0), la solucin para la
distribucin espacio-temporal de los portadores minoritarios viene dada por:
pn ( x, t ) =
x2
N
4D t
e p p + pno
4 Dp t
donde N es el nmero de electrones o huecos generados por unidad de rea. Fig. 35.b
muestra en ausencia de campo elctrico como los portadores se van difundiendo cada
vez ms all del punto de inyeccin y como se recombinan.
Si un campo elctrico es aplicado ( V > 0 ) a la muestra (Fig. 35.c), la ecuacin para
pn(x,t) es anloga a la anterior salvo que debe sustituirse x por x-pt. Puede
observarse como el exceso de portadores se desplaza hacia el extremo ms negativo del
semiconductor con una velocidad de arrastre p, y al mismo tiempo los portadores se
difunden hacia afuera y se recombinan de la misma manera que en el caso de ausencia
de campo elctrico .
El pulso de desplaza a lo largo de la barra como resultado del arrastre, su amplitud
decrece y el pulso se ensancha debido a la difusin de los huecos tanto a la derecha
como a la izquierda del centro del pulso y el rea del pulso se reduce debido a la
recombinacin.
La magnitud del campo elctrico aplicado puede determinarse a partir del valor de V.
Es posible medir en el osciloscopio el tiempo que tarda el pulso en recorrer la distancia
L, de manera que es posible calcular la velocidad de arrastre promedio y calcular, por
tanto, la movilidad p. Otros resultados del experimento permitieron a Haynes y
Shockley calcular la difusividad o coeficiente de difusin Dp y el tiempo de vida medio
p.
Curso 00/01
-75-
ANEXO: Densidad de estados en un semiconductor.

Con el fin de obtener expresiones que permitan obtener la concentracin de
electrones en la banda de conduccin y de huecos en la banda de valencia en un cristal
semiconductor, es necesario previamente determinar la funcin densidad de estados
N(E) disponibles en las correspondientes bandas. En el texto de este tema dicho clculo
se ha hecho por analoga con lo que sucede en un metal conductor. Aqu se va a obtener
una expresin para N(E) para el caso de un material semiconductor. Previamente se
obtendr el nmero de estados de energa permitida por unidad de volumen
comprendidos en el intervalo energtico E y E+dE, es decir, la cantidad N(E)dE.
La energa cintica de un electrn libre E viene dada por:
p2
E=
2 mo
donde p es el momento de la partcula y mo la masa del electrn libre. Un electrn en la
banda de conduccin de un semiconductor es similar a un electrn libre en el sentido de
que goza de relativa libertad para moverse en el semiconductor. Sin embargo, debido a
la existencia de un potencial peridico creado por los ncleos atmicos de la red
cristalina la masa efectiva del electrn de la banda de conduccin del semiconductor
difiere de la masa de un electrn libre. La relacin energa-momento en un electrn en
la banda de conduccin del semiconductor puede escribirse de la forma:
p2
2 mn
donde p es el momento del electrn en la banda de conduccin del cristal y mn es la
masa efectiva del electrn (el subndice n hace referencia a la carga negativa del
electrn). Respecto de los portadores de carga positivos (huecos) puede escribirse otra
expresin anloga donde aparecera mp referida a la masa efectiva del hueco (el
subndice p hace referencia a la carga positiva del hueco).
El concepto de masa efectiva es muy usual pues permite tratar a los electrones de la
banda de conduccin y a los huecos de la banda de valencia como partculas clsicas
cargadas.
Consideremos el caso de un material semiconductor unidimensional (eje x). Cuando
un electrn se mueve a lo largo del eje x en dicho material, sus movimientos pueden ser
descritos en trminos de una oscilacin estacionaria. La longitud de onda de dicha
oscilacin est relacionada con la longitud L del semiconductor por:
E=
L
= nx
donde nx es un nmero entero. La cantidad entera nx define el estado energtico del

electrn, de forma que un aumento en una unidad en el valor de nx supone el cambio de
un estado energtico a otro inmediatamente superior.
Por otra parte, la longitud de onda de la onda estacionaria asociada al electrn puede
relacionarse con el momento de dicho electrn en este caso unidimensional en el eje de
las x, p x .
h
=
px
Curso 00/01
-76-
siendo h la constante de Planck. A partir de ambas expresiones se puede obtener:

L px = h nx
El momento incremental producido al incrementar nx en una unidad (salto de un
nivel energtico al inmediatamente superior):
L dp x = h
Si ahora se considera un cubo de semiconductor de arista L, al incrementarse el
nmero cuntico principal n en una unidad se tendr la relacin:
L3 dp x dp y dp z = h 3
Si consideramos el cubo de arista unidad (L = 1) para normalizar:
dp x dp y dp z = h 3
Esta expresin indica que el incremento de volumen en el espacio de los momentos
al cambiar en una unidad el nmero cuntico n es igual a h3. El cambio del nmero
cuntico n en una unidad supone cambiar el estado energtico del electrn de un nivel
de energa al siguiente. De esta forma tambin puede interpretarse la cantidad h3 como
el volumen en el espacio de los momentos por incremento de nivel energtico.
El volumen dV entre dos esferas concntricas de radios p y p + dp en el espacio de

los momentos ( p x , p y , p z ) viene dado por la expresin:
dV = 4 p 2 dp
Curso 00/01
-77-
El nmero de estados energticos contenidos en el elemento de volumen dV ser el

nmero de estados de energa permitida por unidad de volumen comprendidos en el
intervalo energtico dE en torno a E, es decir, la cantidad N(E)dE.
N ( E ) dE =
Elemento de volumen
dV 4 p 2 dp
= 3 =
2
Volumen / Incremento de energia h
h3
El factor 2 recoge el doblete de estados de energa producido si se tiene en cuenta el

spn del electrn.
Para obtener una dependencia de E en la expresin anterior en lugar de la dependencia
en p que posee, se considera la relacin vista inicialmente entre E y p para el electrn
en la banda de conduccin:
p2
p = 2 mn E
E=
2 mn
En un intervalo energtico dE (diferenciando):
dE =
Y, por tanto:
N ( E ) dE =
m
2 p dp
dp = n dE =
2 mn
p
mn
dE
2 mn E
4 (2 mn E )
2 mn
4 p 2 dp
2 =
dE =
3
3
h
h
2 mn E
4 (2 mn E ) 2
4 (2 mn ) 2 E
=
2 mn dE =
3
h
h3
3
2 m
= 4 2 n
h
dE
dE
Y, por tanto, la densidad de estados permitidos de energa por unidad de volumen y

por unidad de energa N(E):
2 m
N (E) = 4 2 n
h
Teniendo en cuenta que el nivel energtico ms bajo que posee un electrn en la

banda de conduccin es Ec, siendo esta adems la energa potencial en reposo del
electrn dentro de esta banda, cuando el electrn gana energa se sita en un nivel E de
energa dentro de la banda de conduccin superior a Ec.
La diferencia (E-Ec) representa la energa cintica del electrn. En consecuencia,
tomando como origen de energas el nivel Ec a efectos de movilidad la densidad de
estados Nn(E) en la banda de conduccin es:
3
1
2 m 2
N n ( E ) = 4 2 n (E E c )2 para E > Ec
h
Curso 00/01
-78-
donde Nn(E) es el nmero de estados por unidad de volumen y por unidad de energa en
la banda de conduccin.
Anlogamente un incremento de energa de un hueco en la banda de valencia
corresponde a un movimiento hacia abajo dentro de la banda de valencia. La densidad
de estados de los huecos Np(E) en la banda de valencia puede escribirse cambiando la
variable E por (Ev-E) como:
3
1
2 mp 2
N p ( E ) = 4 2 (E v E )2 para E < Ev
h
Se observa en estas expresiones que mn y mp son las nicas variables que hacen
referencia al tipo de sustancia que se trate. Adems a medida que aumenten su valor,
mayor es la densidad de estados.
Curso 00/01
-79-

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TEMA 2: ESTADSTICA Y FENMENOS DE TRANSPORTE EN

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TEMA 2 : Estadstica y Fenmenos de Transporte en Semiconductores

2. ESTADSTICA Y FENMENOS DE TRANSPORTE EN

Densidad de estados permitidos por unidad de volumen y

Densidad de estados permitidos por unidad de

En el caso de un material semiconductor, un electrn situado en la banda de

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TEMA 2 : Estadstica y Fenmenos de Transporte en Semiconductores

Fig. 1: Distribucin de estados energticos; E frente N(E).

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TEMA 2 : Estadstica y Fenmenos de Transporte en Semiconductores

Si las partculas cumplen el principio de exclusin, fermiones, es decir, dos o ms

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TEMA 2 : Estadstica y Fenmenos de Transporte en Semiconductores

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La relacin E-EF>3KT se cumple en la mayor parte de los dispositivos

para E F E > 3KT

La primera de las expresiones coincide con la distribucin de Maxwell-Boltzman de

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TEMA 2 : Estadstica y Fenmenos de Transporte en Semiconductores

En la banda de conduccin hay una gran cantidad de estados permitidos, sin

A temperatura ambiente el segundo trmino de EF es mucho ms pequeo que el

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Fig. 5: Concentraciones intrnsecas de Si y GaAs en funcin de la temperatura.

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2.3.2. Semiconductores extrnsecos. Dadores y aceptores.

Fig. 6: Adicin de un tomo de arsnico con 5 electrones de valencia.

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TEMA 2 : Estadstica y Fenmenos de Transporte en Semiconductores

Fig. 7: Representacin de bandas de energa al introducir impurezas dadoras en el

Fig. 8: Introduccin de impurezas de boro.

TEMA 2 : Estadstica y Fenmenos de Transporte en Semiconductores

Fig. 9: Nivel energtico aceptor EA en el diagrama de bandas de energa del

Fig. 10: Energas de ionizacin correspondientes a diferentes impurezas en Si

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Condicin de ionizacin completa

Fig. 11: Representacin esquemtica de las bandas de energa para

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Se ha supuesto que NA >> ni (la concentracin de huecos en la banda de valencia

Fig. 12: Diagrama de bandas mostrando el nivel de Fermi EF y el nivel de Fermi

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En un semiconductor de tipo N, la concentracin de electrones en la banda de