Universidade de Sao Paulo Instituto de Fisica ESTUDO DA DINAMICA DE CAOS NO GAS TRIDIMENSIONAL DE ELETRONS DE ALTA MOBILIDADE Nilo Mauricio Sotomayor Choque ‘Tese apresentada ao Instituto de Fisica da Universidade de Sio Paulo para a obtencio do titulo de Doutor INSTITUTO DE FISICA Servigo de Bibliotoea e Informagao 2 em Ciéncias. Tombo: Comisao Examinadora Prof. Dr. Caio Henrique Lewenkopf (UERJ) Prof. Dr. Peter Alexander Bleinroth Schulz (UNICAMP) Prof. Dr. Ibere Luiz Caldas (IFUSP) Prof. Dr. Mario Jose de Oliveira (IFUSP) Prof. Dr. Guennadii M. Goussev (IFUSP)-Orientador. Sao Paulo 2002 z ee Pr % LNA Gy |eFICHA CATALOGRAFICA Preparada pelo Servico de Biblioteca e Informagao do Instituto de Fisica da Universidade de Sao Paulo ‘Sotomayor Choque, Nilo Mauricio Estudo da Dinamica de Caos no Gas Tridimensional de Elétrons de Alta Mobilidade. S40 Paulo 2002. Tese (Doutoramento) - Universidade de Sao Paulo Instituto de Fisica - Departamento Fisica dos Materiais e Mecanica Orientador: Prof. Dr. Guennadii M. Goussev Area de Concentragao: Fisica da Matéria Condensada Unitermos: 1. Bilhares Eletrénicos; 2. Dinamica Eletrénica Caética; 3. Pogos Quanticos Parabélicos; 4. Transporte Eletrénico; 5. Super-redes de Antipontos USP/IF/SBI-051/2002Contetido Agradecimentos Resumo Abstract. Introdugio 1 Os gases bidimensionais e tridimensionais de elétrons 1d 12 13 14 Lz 18 O gés bidimensional de elétrons . oe Espectro de energia do gés de elétrons 2D Propriedades do gas bidimensional de elétrons na presenga de campos magnéticos . 1.3.1 Bstrutura eletronica em campo magnético perpendicular 1.3.2 Estrutura eletronica em campo magnético paralelo . O gis tridimensional de elétrons . Espectro de energia do gis de elétrons 3D Propriedades do gés tridimensional de elétrons na presenca de campos magnétioes.... 1... 16.1 Estrura eletrénica em campo magnético perpendicular Os pogos quanticos parabélicos . . Geagsesrasreeatee L7.1 Estrutura eletrénica 1.7.2 Ciiloulos da estruiura de sub-bandas dos pogos parabélicos empre- gados no presente trabalho Conclusies . ow W rat 12 uM M4 16 18 19 21 aL 22 22 29 382 0 em heteroestruturas semicondu- Os fenémenos de transporte eletré: toras cristalinas 2.1 Conceitos preliminares . 2.2. Transporte eletrdnico classico 2.2.1 Eqnacéo de Boltzmann 2.3 Condutividade elétrica no modelo de Drude 24 Escalas relevantes no transporte de elétrons 2.4.1 O comprimento de onda de De Broglie, \.. . . « an 242 O livre caminho médio,f 6... « ee Eeeeeeeaed 24.3 Comprimento de relaxacio de fase, Ly 24.4 Comprimento de defasagem térmico, Lr 2.5 O Transporte eletrénico em campo magnético 2.5.1 0 efeito Hall ordinario 2.5.2 O efeito Shubnikov-de Haas 2.6 0 efeito Hall quantico 2.6.1 feito Hall quantico integral 26.2 Efeito Hall quantico fraciondrio . 2.7 Teoria de resposta linear... ee ee 28 Distribuigdo de corrente em dispositivos de efeito Hall 28.1 Estados de borda no 2DEC 28.2 A formula de Landauer-Biittiker ©... 2... .0.000. 2.9 Manifestagdes de coeréncia da fungio de onda do elétron . 2.9.1 Localizagio fracas 2.9.2 0 efeito do campo magnético na localizagio de elétrons - . 2.9.3 O efeito Aharonov-Bohm ......... Super-redes de antipontos quanticos istemas bicimensionais de elétrons 3.1. Antipontos em 3.1.1 Deserigio do sistema 3.2 Processo de fabricagao das super-redes de antipontos 2D 3.2.1 Deposigio da camada fotoresistiva. 0... eee eee 3.2.2 Gravagio do padrio da super-rede de antipontos ii 39 39 40 41 42 43 43 44 44 45 45 48 50 50 53 55 56 57 59 61 61 62 643.2.3. Gravagéo da barra Hall... ... - ee 3.3 Amostras empregadas no presente estudo . . 3.3.1. Heteroestruturas contendo o gés bidimensional de elétrons 3.4 Caraterizagao das super-redes de antipontos 2D... 2.6... 3.4.1 Introdugdo bela Ree eaelac 34.2 Equipamento utilizado 3.5 Medidas de magnetoresisténcia nas super-redes de antipontos 2D 36 Conclusies. 6... ee eee eee Introdugao ao caos nos sistemas dinaémicos 4.1 Sistemas dindmicos nao lineares . mas dindmicos cadticos . 411 § 41.2 Sistemas dindmicos conservativos ou Hamiltonianos 4.1.3 Sistemas integrév 4.14 Sistemas ndo integréveis : ql 41.5 Os expoentes de Lyapunov 4.2 Bilhares 4,3. Bilhares magnéticos 4.4 Mapas de Poincaré 7 4.5 Modelamento da dinamica eletronica cléssica nas super-redes de antipontos na presenga de campo magnético perpendicular 4.5.1 Antipontos em sistemas bidimensionais . . 4.5.2. Superficies de Poincaré em sistemas de antipontos bidimensionais 4.6 Conclusdes eae e eee eEte poe Super-redes de antipontos 2D em campo magnético paralelo 5.1 Introdugia 22.2.2... eee otete ete 5.2. Bstrutura de bandas em campo magnético paralelo 5.2.1 Modelamento da dinamica eletrdnica em super-redes de antipontos snbmetidos a ago de campo magnético paralelo . 95.3 Discussio dos resultados 5.3.1. Superficies de Poincaré iii 77 79 81 82 87 93, 94 94 95 95 96 97 98 . 102 103 - 108 = 105 - 107 +112 113 113 115 120 124 12k5.3.2 Célculo da magnetoresistin 6.2 Resultados experimentais cia ay see ~ 128 5.3.3 Caraterizagdo experimental : ee 185 5.4 Conclusdes 145 6 A dinamica eletrdnica em sistemas de antipontos tridimensionais 146 6.1 Introdugdo wae 146 6.1 Deserigio do bilhar tridimensional... 2... + + ee 148 6.1.2 Fabricagdo das amostras ¢ gravagdo da super-rede de antipontos . . 151 6.1.3 Heteroestruturas contendo o gas tridimensional de elétrons . . . . . 151 154 6.3 Modelo teérico para um bilhar cletx6nico tridimensional submetido & ago de campo magnético perpendicular 7 - 163 6.3.1 Superficies de Poincaré : - 169 6.3.2 Célculo da magnetoresisténcia : Ebeteehet ered 7 6.4 Conclusdes.. .. - . 181 7 RessonAncias geométricas em pogos quanticos parabélicos 183 7.1 Introdugio 183 7.2. Bfeitos de tamanho galvano-magnéticos em filmes finos metalicos 184 7.3 Configuragéo de Sondheimer ; ce 185 185 7.4 Configuragio Mac Donald 7.5. Efeitos de tamanho galvano-magné 7.6 Efeitos geométricos em pogos parabslicos largos 7.7 Resultados e discusses 7.8 Conclusées . . Apéndice Publicagées Trabalhos apresentados em eventos {cos em pogos quanticos parabélicos . . 187 pees 192 194 201 210 214 216Lista de Figuras Ll 12 13 14 16 Lz 18 Representacdo esquemética da curvatura de banda de condudo na interface de uma heteroestrutura de AlGaAs/GaAs. ... 0.0.00 18 Esquema que representa a relagéo de disperséo para um gds de elétrons bidimensional. kz ¢ ky sto os vetores de onda nas diregdes x ey, ¢ Ep & a energia de Fermi do sistema. See ieee ase Relagdo de dispersdo para o 2DEG com wma tinica sub~banda ocupada & a evoluedo da densidade de estados na presenga de campo magnético eres- cente. 16 Esquema que representa a relagéo de dispersdo para um gas de elétrons tridimensional. ky € ky so 0s vetores de onda nas direcdes « € y, ¢ Ep é a energia de Fermi do sistema, .......... ee eeeee ee 20 Relagéo de dispersio para 0 3DEG ¢ a evolugdo da densidade de estados na presenga de campo magnético. ©... vee eevee ee eee OL Esquema que mostra os pardmetros de desenho de um poco quantico parabélico. Ilustra-se 0 caso particular de um pogo comW = 20004. ....... 23 Esquema que mostra o diagrama de fluco empregado na construgao do pro- grame computacional para o edlculo da estrutura de sub-bandas de um pogo quantico parabélico sem campo magnético. .. 06. eevee ee ees 26 (a) Fungées de onda obtidas a partir dos célculos autoconsistentes real- izados com o programa deste estudo para um poco parabélico com N, = 2.5 10" em-? e 2000 A de largura. (b) Distribuigdo da densidade de carga Nei de cada wma das sub-bandas. QT19 Distribuigdo da densidade de carya total N, para o gs tridimensional de elétrons no pogo parabélico com N, = 2.5 10" em=?, e 2000 A de largura. Mosira-se também 0 potencial autoconsistente convergido. 1.10 Disiribuigto da densidade de carga total N, para o gés tridimensional de elétrons no pogo parabélico com N, = 1.3 10" cm=, e 4000 A de largura. Mostra-se também 0 potencial autoconsistente convergido. LLL (a) Fungées de onda, obiidas a partir dos edleulos autoconsistentes real- izados com o programa do presente estudo para um pogo parabdlico com N, = 1.3.10" cm~? ¢ 4000 A de largura. (b) Distribui¢do da densidade de carga Nyi de cada wma das sub-bandas. . . . oe 1.12 Distribuigéo da densidade de carga total N, para o gds tridimensional de elétrons no pogo parabdtico com N, = 3.9 10" cm=* e 2000 A de largura. Mostra-se também 0 potencial autoconsistente converyido. 1.18 (a) Fungdes de onda obtidas a partir dos edleulos autoconsistentes real- izados com o programa deste estudo, para um pogo parabético com N, 3.9 10" m=? e 2000 A de largura. (b) Distribuigdo da densidade de carga Ni de cada uma das sub-bandas. .. 0... ee LM Distribwigdo da densidade de carga total N, para o gée tridimensional de elétrons no pogo parabélico com N, = 1.7 10% em~?, e 4000A de largura. Mosira-se também 0 potencial autoconsistente convergido. 1.15 (a) Fungées de onda obtidas a partir dos edlculos autoconsistentes real- izados com o programa do presente estudo para um poco parabdlico com N,=1.7 10" cm? e 4000 A de largura. (b) Distribuigtio da densidade de carga N,i de cada uma das cinco sub-bandas. ...... 1.16 (a) Perfil de potencial eutoconsistente; distribuicdo de densidade de cargas total ¢ parciais obtidas a partir dos célculos autoconsistentes realizados com .710"! cm-*, € (b) o programa deste estudo para (a) W = 4000 A e N, W = 4000 A e N, = 3.0 10" em™. vi 28 30 31 32 36 372d 2.2 23 24 2.5 26 Esquema da configuracéo de uma medida de magnetotransporte. Uma cor- rente I é aplicada nos extremos do canal. Os niimeros servem para identi- {ficar 0s contatos de tensiio. Identifica-se por "Wa largura da barra, * Ta espessura e ”L”a disténcia entre contatos longitudinales. Oscilagées de Shubnikou de Hans tipicas da resistividade pz, de uma het- erojuncdo de GaAs/AlgaAs em temperatura de LK Medidas experimentais de resistividade longitudinal pg, (linha vermelha), e resisiéncia transversal py (linha azul) para uma jungdo de Gads/AlGaAs contendo 0 gs bidimensional de elétrons. As medidas foram realizadas em temperatura de OAK... . CUS eee Diagrama esquemético da densidade de estados alongada de wm gas bidi- mensional de elétrons na presenga de campo magnético. Demonstragéo do efeito Hall fraciondrio descoberto por Tsui and Stérmer, pelo qual eles obtiveram o prémio Nobel em Fisica em 1998. Siio mostradas a resistividade longitudinal pz, ¢ a resisténcia de Hall Ry de um gés bidi- mensional de elétrons na interface de dois semicondutores, como fungdo do campo magnético aplicado normal ao plano da amostras. A linha diag- onal pontithada representa a resisténcia de Hall eldssica e a linha sélida, 08 resultados experimentais. Os valores do campo magnético que produzem 0s platds siio indicados por setas em valores para os quais a resistividade zero em temperatura absoluta mula. O platé indicado com 1/3 foi a primeira fragéo descoberta por Stirmer and Tsui. Distribuigio de corrente em uma barra Hall; 0 campo magnético esta ori- entado apontando para o interior da figura. As linhas indicam o padréo de fluco dos elétrons para esta diregao do campo. . . vii a7 49 872.7 (a) Representagao esquemdtica das energias dos autoestados permitidos ao longo de um dispositive Hall de lorgura W ¢ para um potencial de cor namento linear de ertensiio \ sem a aplicagto de corrente. Sido mostrados somente alguns autoestados. O eixo x aponta na direcdo ao longo da linha central do dispositive. Os autoestados do mais baixo nivel de Landau 1 estdo ocupados entre Ynaz = —Ymin- Os cireulos cinza representam estados acupados 0s quais ndo contribuem a condugao , os cfreulos pretos repre- sentam estados ocupados que contribuem a condugdo ¢ 08 céreulos brancos representa estados vazios. (b) Similar & figura (a), mas, deste vex com ‘um pequeno valor da corrente aplicada Isp; 0 potencial qutimico é diferente nos dois extremos do dispositivo. 2.8 Um condutor com probobilidade de transmissio T & conectado com dois contactos macroscépicos através de dois canais condutores. Assume-se temperatura zero, de forma que a distribuigto de energia dos portadores incidentes nos dois canais tenha uma forma de fungdo escada. 2.9 (a) Representagdio de duas trajetdrias eletrénicas posstveis A; e Aj entre 08 pontos A e B. (b) Mecanismo de retroespalhamento coerente entre tra- Jetdrias hordrias e anti-hordrias para um trajeto fechado do ponto A para se mesmo... 2.10 Ilustragdo do efeito Aharonov-Bohm em uma geometria de anel. (a) Tra- jetdrias responsdveis pela periodicidade h/e, (b) trajetdrias pertencentes ao par de estados com simetria de reversdio temporal conduzindo & periodici- dade /tete eae ee eet: EEE HEE ESE 3.1. Diagrama esquemdtica de uma hetervestrutura de AlGaAs-GaAs mosirando 6 detalhe da profundidade de penetragdo dos antipontos quinticos através 1p BD BG eee ee eee eee ee eee eee ee 3.2 Diagrama esquemético mostrando o efeito de modulacdo do potencial elet- rostatico devido presenga dos antipontos quinticos. . . . viii 60 63 65. 7 733 34 3.6 37 38 39 3.10 3. Primera parte do procedimento empregado para a gravagio de barras de Hall nas amostras contendo 0 2DEG. As trés etapas compreendem a de- posigdo da camada de “photoresist”e o “baking”ou processo de fizagito da resina sobre a superficie. Processo de polimerizagao da regidio correspondente ao negativo do padrao da barra Halll... eee eee Diagrama esquemético do processo de gravagiio das super-redes de antipon- tos em amostras contendo uma barra de Hall. (1) amostra sem tratamento, (2) gravagéo do formato da barra, (3) transferéncia do padrao da barra, obtida pelo “wet etching”, (4) gravagéo da super-rede de antipontos por litografia de feise eletrénico ¢ “dry etching”... 2... saves : 4 rey 8 Representagdo esquemética da estrutura de camades de uma juncéo AlGaAs/GaAs contendo o gas bidimensional de elétrons. «6... « Represeniagdo esquemédtica do equipamento experimental empregado na ca- racterizagio experimental por magnetotransporte. A fotografia mostra 0 extremo inferior do sistema de suporte rotatdrio para as amostras. Observa-se em primeiro plano a mesa de tefton, s0- bre a qual encontra-se uma heteroestrutura cristalina; observa-se também 0 diodo emisor de luz empregado para iluminagéio , 0 contatos elétricos ¢ 0 sistema de engrenagens. ©... 00. oe eee ee i Detalhe da parte superior do sistema de suporte. Mostra-se a caiva de contatos e 0 parafuso com escala graduada para o controle do éngulo de giro. Diagrama de jase de uma mistura liquida de helio em baivas temperaturas. ‘a longitudinal A figura mostra os resultados de duas medidas de resisi em campo magnético perpendicular realizadas em temperatura de 1.5 K, para uma amosira de antipontos bidimensionais de perfodo a = 0.5 im. A figura mostra os resultados de duas medidas de resisténcia longitudinal em campo magnético perpendicular realizadas em temperatura de 1.5 K, para uma amostra de antipontos bidimensionais de perfodo a = 1.0 um. 80 83, 89 903.13 A figura mostra os resultados de duas medidas de resisténcia longitudinal em campo magnético perpendicular realizadas em temperatura de 1.5 K, para uma amostra de antipontos bidimensionais de perfodo a = 1.5 xm. 3.14 A figura mostra os resultados de duas medidas de resisténcia longitudinal em. campo magnético perpendicular realizadas em temperatura de 1.5 K, para uma amostra de antipontos bidimensionais de perfodo a = 2.0 pm. 4.1 Diagrama esquemadtico que mostra a restri¢do na topologia da superficie para um sistema com dois graus de liberdade n = 2, a linha continua preta, indica a evolugao de uma trajetdria sobre o toroide T?. . 4.2 Bvolugdo de duas trajetérias, inicialmente separadas por um diferencial de deslocamento dy = 0.02a, em um sistema de bilhares bidimensionais. 4.3. Curva de contorno r(y) de um bilhar circular. Mostra-se uma parte de uma trajetdria, juntamente com as coordenadas s(y) (comprimento do arco), ¢ peos(a) (a é 0 éngulo entre a trajetéria e a tangente no ponto de inpacto como contorna. ......-.- beeen ene 4.4 Geomeiria e coordenadas para as drbitas de Larmor em um bilhar convero. 4.5 Diagrama esquemético da construgéo de um mapa de Poincaré para um sisterna conservativo ou Hamiltonian a dois graus de liberdade. 4.6 (a) Potencial eletrostdtico suave calewlado através da equagéio 4.19. (0) Potencial eletrostatico de paredes inpenetrdveis (potencial duro). 4.7 (a) Orbitas casticas ndo localizadas, (b) érbitas fugitivas, (c) érbitas loca- lizadas. 48 Secdes de Poincaré calculadas para d/a 0.25, diferentes valores do ot 92 97 . 101 102 104 109 campo magn ético normatizado B/Bo. As érbitas periddicas e quase-periédicas sito representadas por curvas continuas e fechadas. A9 Segdes de Poincaré calculadas para d/a = 0.25 ¢ B/By = 1.6, e B/By = 1.6. As dois mapas mostrados nesta figura continuam a seqiiéncia mostrada na figura anterior, e representam a evolugdo de wma dinamica cadtica para outra regular. 110 LL5.2 53 54 55 5.6 (a) Bstrutura de banda de superficie (i = 0, 1,2) no limite eléctrico (kpl >> 1). A ressondncia ciclotrénica é somente posstvel para centros de coorde- nadas positivos (20/1 Z +1). (b) Bstrutura de banda de superficie (i = 0, 1) no limite magnético (kpl << 1). A figura no extremo superior diretto rep- resenta o contorno de Fermi para Hp = 14h). A ressondneia ciclotrénica & possivel para a maior parte dos centros de coordenadas. Os dados per- tence & referéncia [IJ eee (a) Velocidade de Fermi do gés bidimensional de elétrons, no espago real, ena presenca de campo magnético perpendicular. (b), (c), (d), (e) (f) mostram 0 ejeito de distoreiio , produzida na velocidade de Fermi, pelo efeito do campo magnético paralelo orescente (Bj =5T, 107,157, 207, and 28 T). Bo eset eee Superficies de segdo de Poincaré, caleuladas para a super-rede retéingular de antipontos em y(modt) = 0 com B/By = 1 ed = 0.23a, para (a) By =O0T, (b) By =10T, eBy=2T. ......... Superficies de segao de Poincaré, calculadas para a super-rede reténgular de antipontos em x(modl) = 0 com B/By = 1 ¢ d = 0.23a, para (a) By =0T, (6) By =10T, e By = WT. ..... Trajetdrias eletrénicas tépicas, as quais evoluem no espago de fases da dinémica do 2DEG nas super-redes de antipontos, na presenga de campo magnético perpendicular. Em (1) para 2R. = a, e em (2) para 2R, 1.23) eS Fae DAE (1.28) onde L )* €a largura média da camada eletrénica bidimensional. 1.4 O gas tridimensional de elétrons © atual estado de aperfeigoamento das técnicas de crescimento epitaxial em conjunto com as de modulagao da dopagem (dopagem seletivo), tornaram possivel a obtengio do gés de elétrons quase tridimensional, uniforme, de alta mobilidade e com baixa densidade em heteroestruturas semicondutoras cristalinas denominadas pogos quanticos parabslicos (PQW) (22, 23]. Os PQW tomam passivel a realizagio experimental do conceito do “Je- ium”, um meio neutro consistente de um gés de elétrons se movendo num entorno de carga positiva uniforme. Esta construgdo hipotética, no pasado, permitiu 0 eéleulo de diferentes propriedades relacionadas a distribuigio do gés eletronico, sem ter que inchui 08 efeitos da distribuigéo discreta dos micleos positivamente carregados ou da influéneia, dos tomos dopantes em sélidos reais, Esses célculos ajudaram na previsdo de efeitos coletivos interessantes quo poderiam acontecer em sistemas de elétrons livres tridimen- sionais (3D), sob condigdes de campos magnéticos muito intensos e baixas temperaturas. ‘ais fendmenos sio: ondas de densidade de carga, ondas de densidade de spin, ondas desses efeitos de densidade de vales, e a cristalizagao de Wigner entre outros. Algun permanecem ainda sem observagdes experimentais devido & dificuldade de se obter o “je- Ilium" em solidos reais. Experimentalmente, foram obtidos sistemas suficientemente dilufdos de elétrons em semicondutores degenerados, uniformemente dopados, porém, a interacéio dos elétrons ‘com as impurezas nestes sistemas é bastante considerdvel, conduzindo a efeitos nfio de- sejados, como por exemplo, a localizacdo das fungdes de onda eletrénicas na presenga de campos magnéticos intensos. Esse efeito 6 conhecido na literatura como “congelamento magnético”. Portanto, a realizagao de um sistema de elétrons livres 3D, suficientemente19 Capitulo 1: Os gases bidimensionais ¢ tridimensionais dé dilufdo e com pouco desordem nos PQWs é uma realizaggo de grande interesse, especial- mente para este estudo que esté relacionado com a dindmiea dos elétrons em sistemas de redes de antipontos 2D ¢ 3D. Nos poges quiinticos parabélicos a dopagem seletiva permite que os portadores de carga, sejam separados espacialmente dos dtomos dopantes para reduzir o espalhamento com as impurezas ionizadas, consegue-se, assim um baixo nivel de desordem e espalhamento, 0 qual permite que este tipo de heteroestruturas sejam empregadas como sistemas quase ideais para 0 estudo de efeitos de muitos corpos. 0 PQW é umn sistema com uma forte interagio elétron-elétron que, colocado na presenga de campos magnéticos intensos e em ultra baixas temperaturas, possibilita o estudo de importantes mudangas em suas pro- priedades de transporte. O perfil de potencial parabélico ¢ obtido através de uma variagio gradual da composigao de um dos materiais que formam a liga do pogo. Na auséncia de portadores de carga, o perfil de potenctal da banda de condugao E,(2) gerado pelo cresci- mento com variagdo gradual da composigio 6 semelhante aquele que seria gerado por uma distribuigo uniforme de carga positiva p [24], onde Pbel2) _ (1.24) Elétrons de condugio podem ser introduzidos na regio do pogo parabélico, através da introdugio de camadas de dopagem de tipo delta, no interior da regio correspondente a0 material das barreiras. A transferéncia de carga no interior do pogo parabélico € dis- tribuida de forma que consiga blindar o potencial do meio positive, produzindo um poten- eletxo-quimico constante na heteroestrutura quando alcancado o equilibrio térmico. Se a largura da distribuigdo de carga é suficientemente grande, as energias de confina- mento quantico podem ser negligenciadas, obtendo-se 0 caso classico de uma densidade de carga eletrdnica uniforme (p, = —p) através da regitio do pogo parabslico ocupada pela carga 1.5 Espectro de energia do gas de elétrons 3D Considerando em conjunto um gas de elétrons uniforme confinado em um volume V e iambém a aproximagio do elétron independent governado pela estatistica de Fermi-Dir (sem interagéio Coulombiana entre as particulas). A esse conjunto de partfeulas que seFigura 14: Esquema que representa a relagio de dispersdo para um gés de elétrons tridi- mensional. ky € ky so 08 netores de onda nas direcdes x ey, € Ep € a energia de Fermi do sistema. deslocam dentro de um material semicondutor ou metélico sao associados estados de Bloch, livres de se propagar no espaco tridimensional (3D). Utilizando a aproximagao da massa efetiva ¢ as condic de contorno encontra-se as fungoes de onda eletrénicas Wp escritas na forma seguinte: Vy = O7(7)u0(”), (1.25) onde: OY?) = we” (1.26) € a funcao de onda envelope, uo(7’) é a funcio de Bloch que leva em conta o caréter periddico da onda e V 60 volume do material. A energia H(F) para uma banda isotropica e parabélica de massa efetiva m* é dada pela relacao : we aaa (1.27) com RHR +h +k (1.28) A forma parabilica da relacao de dispersao para a energia ¢ mostrada na figura 1.4, a regido embaixo do nivel de Fermi Ey representa os estados ocupados da banda. A densidade de estados do gas tridimensional de elétrons é dada por: V 2m* Dav B) = sap) oe VE. (1.29)Capitulo 1: Os gases bidimensionais e tridimensionais de elétrons au Figura 1.5: Relacdo de dispersio para 0 SDEG ¢ a evolugdo da densidade de estados na presenga de campo magnético. 1.6 Propriedades do gds tridimensional de elétrons na presenca de campos magnéticos 1.6.1 Estrura eletrénica em campo magnético perpendicular © movimento de um elétron no plano x — y de um sistema tridimensional submetido a um campo magnético orientado na direcao z é descrito pela Hamiltoniana, L ~ 3m* {7 -eAY+U(2), (1.30) onde A = (0, Br,0) 6 0 vetor potencial no gauge de Landau e U(z) é o potencial de confinamé ito na direcio z. Em forma semelhante ao caso bidimensional, a dindmica do sistema 3D, 6 também descrita pelos niveis de Landau. As energias préprias do sistema sio expressos por: 2 1 1k? Enns = (0+ 5) + 5 + on. B (1.31) Em contraposigéo com 0 caso do sistema tridimensional na auséncia de campo magné tico, existe agora uma quantizacio orbital do movimento no plano x —y, isto 6, os elétrons tém um movimento circular no plano do gas ¢ simultaneamente acotece 0 movimento livre dos elétrons de modo paralelo ao eixo do campo magnético.Capitulo 1: Os gases bidimensionais e tridimensionais de elétrons 22 A densidade de estados para o gés tridimensional de elétrons é descrita pela relagéo om ye (189) De) ca [B —hwe(n+ 3)]2 Na equagio anterior observa~se que no denominador acontecem singularidades quando a energia é igual A energia de um nivel de Landau. A figura 1.5 mostra a evolugao da relagao de dispersio do 3DEG na presenga de campo magnético e a correspondente mudanga na densidade de estados. 1.7 Os pogos quanticos parabélicos 1.7.1 Estrutura eletr6énica Para analisar detalhadamente a estrutura cletronica de um PQW 6 necessdria uma des- crigio dos pardmetros de desenho da heteroestrutura. O esquema de um poco quintico parabélico (truncado) é mostrado na figura, o qual é descrito na referéncia [25]. Os pardmetros de interesse também sio mostrados: > a a metade da largura do poco parabélico, > ba largura de cada uma das camadas dopadas, » ng densidade eletrénica total nas camadas de dopagem, > A; aliura da parabola, > Ay altura do “band-offset”, ou descasamento de bandas de condugio , entre 0 material da barreira e a liga do pogo, > NN, densidade eletronica superficial no interior do pogo, > nj, distribuigao da densidade de carga positiva 3D gerada pelo pogo parabélico, > W, largura da distribuigio de densidade de carga eletronica e, > W largura do poco parabélico. A variagio parabélica da banda de condugio provocada pelo erescimento em degraus pode ser expressa como 4Ay(z — Vole) (1.33) Essa variagao parabélica simula uma distribuigio de densidade de carga positiva tridi- mensional 2re aaa (1.34) n=Capitulo 1: Os gases bidimensionais ¢ tridimensionais de elétrons 23 Pardimetros de desenho do perfil da banda de conducao| -1500°-1000 -500 0-500, 1000 1500 2A) Figura 1.6: Esquema que mostra os pardmetros de desenho de um pogo quintico parabélico. Hustra-se 0 caso particular de um pogo com W = 20004. onde ¢ 6 a constante dielétrica estatica. Essa densidade de carga positiva seri blindada de forma parcial ou total pelos elétrons provenientes das camadas dopadas nas barreiras. © conceito de parabolicidade do ponto de vista semicléssico, 6 baseado na equacao de Poisson: d9(2) _ Ann(aje oo «” onde (2) & 0 potencial eletrostético, n(z) é a densidade cletronica tridimensional no (1.35) poco parabdlico ¢ ¢ 6 a carga do elétron. O poco é considerado totalmente cheio quando a densidade eletrdnica superficial N, é suficiente para blindar totalmente a carga positiva fictfeia (N, = nw). Espera-se um poco parcialmente cheio quando a ocupacdo fracionéria J, definida como Ny yw? (1.36) for menor do que 1, e possuir um perfil de deusidade eletronica n(z) aproximadamente constante e perto do valor de n,, sobre uma largura aproximada WV, = fw entorno do centro do poco. Do ponto de vista mecénico quantico a largura finita do pogo conduz A quantizacao da energia do gas na diregio z. A estrutura de sub-bandas do sistema éCapitulo 1: Os gases bidimensionais ¢ tridimensionais de elétrons _ s de Poisson e Schrodinger determinada através da solugiio autoconsistente das equat [A energia do gis de elétrons em uma determinada sub-banda i 6 a soma da energie do movimento na diregio do plano x ~ y e a energia autoconsistente Hi, A densidade de carga ~en(2) 6 construida a partir da superpasigfio de fungdes de onda das diferentes sub bandas eletrénices do pogo. Os niveis de energia H; so semelhantes Aqueles do sistema do f € 1, aproximando-se ao comportamento do oseilador harménico bidimensional, qua daqueles do pogo quadrado quando f ~ 1. A fungéo de onda envelope dos elétrons na j-ésima sub-banda satisfaz a equacéio de Schrédinger (2) + V(2)E(2) = BE), (4.37) onde E; é energia do fundo da i-ésima sub-banda e V(z) 6 o potencial autoconsistente total. O potencial total é expresso como V(2) = Vw(2) + Vel2) + Vxcl2), (1.38) onde Vir(2) € 0 potencial parabélico da banda, de condugdo (dado pela equasiio 1.59) Velz) 6 0 potencial eletrostético do gas de elétrons, ¢ Vixc(2) ¢ 0 potencial de troca ¢ ago de funcional de densidade local. O potencial eletrostatico é correlagiio na apro escrito como zs : one pM te vole) = f nlz)le - 2 dz’, (1.39) Jn com SP, (1.40) nz) = onl onde a densidade da i-ésima sub-banda é dada por: _ m'(Er ~ Ei) mee, (Lal) nm ‘A forma do potencial de troca, ¢ correlagio foi sugerido nas referéncias (26, 27] e & dado por 1 2 Vy =- 7: oe * 2 ‘xe(z) [1 +07 34xln(L + ZIG Ry’, (1.42) com (1.43) A unidade de energia é 0 Rydberg efetivo: definido por 2 7 (1.44)Capitulo L: Os gases bidimensionais ¢ tridimensionais de elétrons 25 onde a 60 raio de Bohr no PQW, sendo expresso por: (1.48) a dependéneia do potencial de troca e correlagéo em relagio & varidvel 2 estd em x = 7/21, por que m5 = 7(z), a dependéncia em 2 der, € dada por: 4 rel2) = (er(a")’n(2))-* (1.48) 3 Seguindo a formulagio teérica precedente, realizou-se um programa computacional para o céleulo da estrutura. de sub-bandas dos pages quanticos parabélicos. A figura 1.7 mostra o fluxograma do algoritmo empregado na claboragio do programa. O process do céleulo autoconsistente pode ser resumido da forma seguinte: primeizo, caleula-se un potencial inicial de prova para a densidade de carga eletronica total, o qual 6 somado ao potencial externo e ao potencial de troca. Com este potencial inicial resolve-se a equacao de Schrddinger, através da qual so obtidos os niveis de energia, logo, as densidades de cada sub-banda, ¢ a densidade de carga total, Com os resultados obtidos na primeira ite- ragio resolve-se a equagiio de Poisson pata a densidad de carga, e determina-se um novo perfil de potencial. A seguir testa-se se a convergéncia foi atingida, através da comparagao dos perfis de potencial inicial e apés uma iteragio . Se a convergéncia néo foi atingida na primeira iteragio 0 processo e repetido. Foi inclufda uma fungi para mistura de poten- ciais consecutivos, se em uma determinada iteragao néo foi atingida a convergéncia, entio, © préximo potencial seré uma mistura dos dois poteneiais anteriores consecutivos. Apés a mistura de potenciais, resolve-se novamente a equagdo de Schrédinger, repetindo-se novamente 0 ciclo até atingir a convergéncia final. A seguir sio mostrados os resultados da estrutura de sub-bandas de um pogo parabélico com 2000 A de largura, concentragao 75 meV. Os cletrénica N, = 2,5 10" em-®, ¢ pardmetros 4; = 155 meV e Ay resultados obtidos através deste programa estio de acordo com aqueles obtidos por T. Sajoto e colaboradores [23]. A figura 1.8(a) mostra as fungées de onda clo pogo quantico patabélico apés ser atingica uma convergéncia total ¢ a figura 1.8(b) mostra as densidades de carga cletronica de cada uma das sub-bandas. A figura 1.9 mostra a densidad de carga total do sistema, simultaneamente com o potencial final convergido. A tabela 1.7.1, mostra uma comparagéo dos valores das energias das sub-bandas obtidas pela comparagio dos métodosCapitulo L Os gases bidimensionais e tridimensionais de elétrons 26 aa as L Inicio | A partir da densidade de carga e 6 potencial externo calcula-se © potencial inicial total vy | Resolve-se a equagao de | Poisson para achar 0 novo | potencial HEE eee [ Seenes 08 potenciais le final ce 4 Pat Atingiu Sim © convergéncia ? Bue Fim | Mistura de potenciais ¢-—— —, Novo potencial Figura L7: Esquema que mostra 0 diagroma de fluo empregado na construgdo do pro- grama computacional para o edlculo da estrutura de sub-bandas de um poco quintico parabélico sem campo magnético.Capitulo 1: Os gases bidimensionais e tridimensionais de elé 1000 500 0 500 1000 : g Densidade (*10" cm’) 2 8 1000” 500 0 300 1000 z(A) Figura 1.8: (a) Fungdes de onda obtidas a partir dos célculos autoconsistentes realizados com o programa deste estudo para um poco parabdlico com N, = 2.5 10" cm-* e 2000 A de largura. (b) Distribuigdo da densidade de carga Ni de cada uma das sub-bandas. QTCapjtulo 1: Os gases bidimensionais ¢ tridimensionais de elétrons 28 103 103 tw %n HOH) tgp S B. é 20 20 5 g. wy 0 0 1000-500 5001000 0 z(A) Figura 1.9: Distribuigtio da densidade de carga total N, para o gds tridimensional de elétrons no poco parabélico com N, = 2.5 10" cm=*, e 2000 A de largura. Mostra-se também 0 potencial autoconsistente convergido. Tabela 1.7.1, Comparagao entre os autovalores de energia de um PQW com N, = 2.5 10" cm~ ¢ largura de 2000 A obtidos pelo programa deste estudo com os resultados obtidos na referéncia [23], para um poco semethante Sub —banda Energia (meV)231 Energia (meV) 1 0.30 0.30 2 1.09 1.04 3 2.26 2.20 4 3.75 3.82 ‘Também, foram realizados calculos da estrutura de sub-bandas para pogos parabélicos mais largos, desta vez, para W = 4000 A e N, = 1.3 10! em-*, com parametros A; = 155 meV e A, = 75 meV. A figura 1.10 mostra a densidade de carga total do sistema, simultaneamente, com o pote! ial final convergido, entretanto, a figura 1.11(a) mostra as fang de onda do poco quantico parabélico, apés ser atingida uma convergéncia total ea figura 1.11(b) mostra as distribuigdes de densidade de carga eletrénica de cada uma das sub-bandas. A tabela 1.7.1 mostra uma comparagéo dos valores das energias das sub-bandas obtidas péla comparacio dos métodos,Capitulo Os gases bidimensionais ¢ tridimensionais de elétrons 29 Fn, HOH) potencial Densidade (*10'5 emi’) 200-1000 1000 2000 0 2(A) Figura 1.10: Distribwigdo da densidade de carga total N, para o gds tridimensional de elétrons no poco parabélico com N, = 1.3 10" em, ¢ 4000 A de largura. Mostra-se também o potencial autoconsistente convergido. Tabela 1. 1. Resultados obtidos pelo programa deste estudo para as energias de um. poco parabélico com N, = 1.3 10"! em=? e 4000 A de largura, os quais reproduzem os resultados obtidos na referéncia [24]. Sub —banda Energia (meV) 1 0.0378 2 0.1683 3 0.3855 4 0.7035 1.7.2 CAlculos da estrutura de sub-bandas dos pocos parabélicos empregados no presente trabalho Pogos com W = 2000 A Para o estudo da dinamica dos gi tridimensional de elétrons se locomovendo em super— redes de antipontos foram crescidas virias amostras contendo pogos quénticos parabélicos com larguras W = 2000 Ae W = 4000 A. A descrigao detalhada da estrutura de camadas das amostras ¢ do processo de crescimento seré feita no capitulo 3. A seguir é realizada aCapitulo 1: Os gases bidimensionais ¢ tridimensionais de elétrons 2000 1000 0 1000 s aS cs 2 = eS wy } is S Densidade (*10"° cm’) Pa g 6 0 1000 2000 z(A) Figura L11: (a) Fungdes de onda, obtidas a partir dos edleulos autoconsistentes realizados com o programa do presente estudo para um poco parabélico com N, = 1.3 10" em 4000 A de largura. (b) Distribuigdo da densidade de carga Ni de cada uma das sub- bundas. e 30Capitulo 1: Os gases bidimensionais e tridimensionais de elétrons 31 80 80 5 15 30 30 Y & 20 20 g 3 10 0s o 0 0 8, sa -1000 500 500 1000 0 z(A) Figura 1.12: Disiribuigdo da densidade de carga total N, para o gés tridimensional de elétrons no poco parabélico com N, = 3:9 10" cm ¢ 2000 A de largura. Mostra-se também 0 potencial autoconsistente convergido. determinagio da estrutura de sub-bandas dessas amostras empregando os valores medidos da concentragao eletronica. Primeiramente mostra-se 0 caso das amostras com largura de pogo de W = 2000 A. A partir das medidas de magnetotransporte, sem iluminagao ; determinou-se que a concentragao eletronica no interior desses pocos parabélicos varia 155 meV, entorno de N, = 3.9 10 em™*, Considerando os valores dos parametros Ay Ay = 75 meV, m* = 0.0753m, e ¢ = 12.87, conjuntamente com o valor medido da, concentragao eletronica determinou-se que o pogo possui cinco sub-bandas ocupadas. A figura 1.12 mostra o perfil de potencial autoconsistente, para o poco descrito, apés convergido, juntamente com a distribuigio de densidade de carga eletronica total Observa-se que para o valor da concentragao eletronica N, = 3.9 10" em, a largura, efetiva da distribuicdo de carga eletrOnica We no interior do poco é de 1900 A. A tabela 1.7.2 mostra os cinco autovalores de energia obtidos através dos célculos autoconsistentes.Capitulo 1: Os gases bidimensionais ¢ tridimensionais de elétrons 32 p (9 , OT ») @pepisuaq M “I OK Mi = z(A) Figura 1.13: (a) Funcées de onda obtidas a partir dos eéleulos autoconsistentes realizados com 0 programa deste estudo, para um poco parabdlico com N, = 3.9 10"' cm=? ¢ 2000 A de largura. (b) Distribuigao da densidade de carga N,i de cada uma das sub-bandas.Capitulo 1: Os gases bidimensionais ¢ tridimensionais de elétrons 33 Tabela 1.7.2. Resultados obtidos pelo programa deste estudo para as energias de um pogo parabélico com N, 3.910! cm=? e 2000A de largura. Sub — banda Energia (meV) 1 0.0354 2 0.3671 3 0.9430 4 1.7734 5 3.0089 Para o caso de um pogo parabilico largo, totalmente preenchido, @ largura da camada eletronica W. alcanga 0 valor geométrico da espessura do pogo W, portanto, os autova- lores de energia do pogo podem ser a grosso modo aproximados pela expresso para os autovalores de um poco quadrado sem carga; (1.47) ame We A figura 1.13(a) mostra as fungbes de onda para cada uma das cinco sub-bandas correspondentes & W’ = 2000 A e N, = 3.9 10! em™*. Na figura 1.13(b) é mostrada a distribuigdo de densidade de carga de cada uma das cinco sub-bandas. Pogos com W = 4000 A vada a determinagao da estrutura de sub-bandas das amostras com Também foi r largura de pogo de W = 4000 A. A partir das medidas de magnetotransporte sem ilu- minagio , determinou-se que a concentracao eletronica no interior desses pogos parabélicos aproximava-se do valor N, = 1.7 10"cm™*, Considerando os valores dos paraémetros Ay = 155 meV, Ap = 75 meV, m* = 0.0753m, e ¢ = 12.87, conjuntamente com o valor medido da concentracio eletrdnica obteve-se que, para essa concentragio , 0 pogo possui cinco sub-bandas ocupadas. Na figura 1.14 mostra-se o perfil de potencial auto- consistent, apés atingida a convergéncia, para A pogo parabélico com W = 4000 A e Ny = 1.7 10" cm=®, Mostra-se também a distribuigio de densidade de carga eletrénica total. No decorrer das medidas experimentais foi necessdrio incrementar a concentragio cletrénica no interior dos pogos parabélicos com W = 4000 A. O proceso foi reali- zado através da iluminagio gradual e sistematica das amostras com um diodo emissorCapitulo 1: Os gases bidimensionais e tridimensionais de elétrons a WO .,O1 x) @pepisuaqy sr zB we s Figura 1.14: Distribuigdo da densidade de carya total N, para o gés tridimensional de elétrons no poco parabélico com N, = 1.7 10! em, ¢ 40004 de largura, Mostra-se também o potencial autoconsistente convergido.Capitulo 1: Os gases bidimensionais ¢ tridimensionais de elétrons 36 de luz, quando olas estavam dentro do sistema magnético, em temperatura de 1.5 K O fenémeno fisico responsével pelo ineremento da concentragio através da iluminagio é © efeito fotocondutivo persistente [28]. Segundo este fondmeno a condutividade de um material incrementa-se quando iluminado com luz de uma determinada freqiiéneia. O termo persistente refere-se ao fato de que a condutividade induzida pela iluminagio nao desaparece quando a iluminagio cessa. ‘A tabela 1.7.2 mostra os autovalores de energia obtidos através dos célculos auto- consistentes para as amostras com W = 4000 A sem iluminagao e apés receber ilu- minagdo até a condigio de saturacio . Antes do proceso de iluminac&o a concentragio éra N, = 1.7 10" em-?, sendo obtidas cinco sub-bandas. Apés a iluminagéio essa concen- tragio aumenta para NV, = 3.0 10" cm? e neste caso, so obtidas oito sub-bandas. O processo de iluminagdo até a condigio de saturaco foi realizado em varios estdgios. Apés cada um desses estdgios, as amostras foram deixadas em repouso por algumas horas, até se atingir 0 equilibrio. Tabela 1.7.2: Autovalores de energia calculados para 0 pogo parabélico de 4000 A, sem iluminagio , quando N, = 1.7 10" om? e, apés receber iluminagao até a saturagao ; quando N, = 3.0 10" m=. Sub—banda Energia(meV) Bnergia(meV) sem luz com luz 1 0.022 0.029 2 0.151 0.112 3 0.358 0.250 4 0.644 0.444 5 1.007 0.698 6 - 1.012 T - 1.384 8 : ‘A figura 1.15(a) mostra as fungdes de onda obtidas através desses célculos para cada uma das sub-bandas. A figura 1.15(b) mostra as densidades parciais de cada uma das cinco sub-bandas, Finalmente, na figura 1.16 mostra-se os resultados comparativos para o perfil de po-Capitulo 1: _ Os gases bidimensionais ¢ tridimensionais de elétrons 36 (a) s & 2000 1000 “A 1000 2000 z(A) (b) 0.0006, 5 % x 0,003 A 0.0000 -2000 -1000 1000 2000 0 z(A) Figura 1.15: (a) Fungdes de onda obtidas a partir dos cdleulos autoconsistentes realizados com 0 programa do presente estudo para um poco parabélico com N, = 1.7 104 cm™ e 4000 A de largura. (b) Distribuigéo da densidade de carga N,i de cada uma das cinco sub-bandas.Capitulo 1: Os gases bidimensionais ¢ tridimensionais de elétrons 37 Densidade ( *10"° cm" ) | 8920 0000000, 0.0000 000° Densidade (*10° emi*) + ri On ¥ i 3 EXKOONN old -2000 1000 0 1000 2000 2(A) Figura 1.16: (a) Perfil de potencial autoconsistente; distribuicdo de densidade de cargas total e parciais obtidas a partir dos cdlculos autoconsistentes realizados com o programa deste estudo para (a) W = 4000 A e N, = 1.7 10" em~, e (b) W = 4000 A e N, = 3.0 10" emCapttulo 1; Os gases bidimensionais e tridimensionais de elétrons 38 tencial autoconsistente total, a distribuigao de carga, de cada uma das sub-bandas, jun- tamente com a distribuigdo de carga total para (a) 0 pogo parabélico com W = 4000 A e N, = 1.7 10! em™ quando a amostra estd sem iluminagao , e em (b) para o caso do poco com W = 4000 Ae N, = 3.0 10" em-?, o qual corresponde ao caso de maxima concentragao alcancada através da iluminagdo da amostva até a saturagao 1.8 Conclusdes « Foi realizada uma descrigio das propriedades fisicas apresentadas por sistemas cxistalinos semicondutores, com base nos materiais GaAs/Al,Ga,-24s, 08 quais contém os gases bidimensionais ¢ tridimensionais de elétrons. ¢ Também foram descritas as propriedades desses sistemas, quando submetidos & acdo de campo magnético uniforme. ‘¢ Descrevemos, por um lado, 0 modelo tedrico empregado para o célculo da estrutura de sub-bandas, em pogos quanticos parabélicos largos, ¢ por outro, o algoritmo do programa computacional realizado com este propésito. © Mostrou-se os resultados de cdlculos autoconsistentes da estrutura de sub-bandas de PQW e, foi realizada uma comparagao com resultados da literatura, ¢ Foram apresentados os resultados do perfil de potencial, a distribuigao de densidade de carga eletronica total, ¢ os autovalores de energia, obtidos através do programa descrito, para os pogos parabélicos com larguras de 2000 A e 4000 A, empregados neste estudo.Capitulo 2 Os fendmenos de transporte eletr6nico em heteroestruturas semicondutoras cristalinas 2.1 Conceitos preliminares rela No desenvolvimento desta pesquisa serao tratados os diferentes fendmenos fisic cionados com o transporte de elétrons em heteroestruturas compostas por materiais se condutores cristalinos pertencentes ao grupo III-V da tabela periddica dos elementos quimicos. As heteroestruturas estudadas so por um lado as super-redes de antipon- tos quanticos em jungdes contendo o gés bidimensional de elétrons (2DEG), e por outro lado sistemas conhecidos como pogos quinticos parabélicos (PQW), 03 quais contém o és quase tridimensional de elétrons (3DEG). O transporte eletronico nesses materiais 6 estudado na presenga de campo magnético perpendicular e paralelo ao plano do gis de elétrons. Do mesmo modo foi estudado o regime correspondente &, transigao entre essas duas configuragies sendo denominada como configuragio de campo magnético incli- nado. Desta forma, 0 presente capitulo tem por objetivo fazer uma introdugio resumida, dos conceitos bésicos relacionados com os diversos fenémenos fisicos envolvidos com esta, pesquisa. 39Capitulo 2: Os fendmenos do transporte elotrénico om hotoroestruturas cristalinas... 40 2.2 Transporte eletrénico classico 2.2.1 Equacao de Boltzmann A teoria de transporte somi-clissica standar é baseada na equagao de Boltzmann [29]. Pode-se definir a equagio de Boltzmann como uma equagao para a evolugao da densi- dade de probabilidade no decorrer do tempo, a qual requer de condigées iniciais. Isso significa que existem equagées de Boltzmann para problemas com estados discretos ¢ ¢s- tados continuos, permitindo, portanto, uma evolugio temporal desses estados discretos ¢ continuos, ibuigao de portadores de carga f,(r,1) pode ser definida como Uma fungao de dis a probabilidade de o estado de uma banda com energia E, ser ocupada por esse por tador & temperatura do portador 7’. Assume-se que, na auséncia de campos externos os portadores esto em equilfbrio térmico, de modo que, f9 & fungio de distribuigao de FermiDirac: 1 DT cael — eo! onde ji é a enorgia de Fermi ¢ Ky é a constante de Boltzmann. (2) ‘A equagdo de Boltzmann governa a variagéo da fungéo de f,(r,t) na presenga de perturbagdes externas, sendo expressa por: Of , Ofdr , af dp dp(e,t) _ Of , Afar , af ap ae = pt Brat * dp ae tt (22) Gylrt)_ Of OF nar a Bt +YR, 8p + Loot (2.3) onde F =0(B+(v x H)) (24) 6a forga atuando sobre os elétrons, v = O¢)/Op é a velocidade de grupo dos elétrons ¢ Zeou 6 0 operador colisio, que expressa as mudangas no estado devido As colisées e pode ser expresso através da probabilidade de transigio Wig entre o estado inicial « e 0 estado final f A equagao 2.2 inclui os efeitos sobre f,(r,t), devido ac campo aplicado, a difusio de portadores © 0 espalhamento por fonons, impurezas ete, A partir da equagio deCapitulo 2: Os fendmenos de transporte eletrdnico em heteroestruturas cristalinas... 41 Boltzmann pode ser obtida uma expresso geral para a densidad de corrente como fungio da distribuigao de nao equilibrio, a qual 6 dada por: : J Jp, tIvap, (2.5) (r,t) onde dp = d*p/(2rh)’. 2.3 Condutividade elétrica no modelo de Drude De acordo com a lei de Ohm, a corrente J fluindo através de um material condutor proporejonal & queda de potencial V ao longo do condutor V = IR, onde R, a resisténcia do material, depende da dimensdes proprias, mas, é independente do tamanho da co- rrente 0 da queda do potencial. Em 1900, Paul Drude (1863-1906) formulou um modelo que prevé esse comportamento, fornecendo também uma estimativa do tamanho da re- sisténcia. Dentro de esse modelo os el6trons siio considerados como particulas earregadas se locomovendo livremente através da matéria. A presenga da interacio dos elétrons com 0s defeitos e impurezas inerentes aos diferentes tipos de materiais tem que ser considerada por que, do ponto de vista macroscépico, 6 semelhante ao efeito de uma forca de atrito, a E, qual dificulta 0 movimento das particulas. Considerando a forga elétriea como F, a dindmica das particulas 6 descrita pela relagio dv my = cB. (28) De acordo com essa equagéo , a velocidade eletrénica média ou velocidade de arrasta- mento v 6 dada por: et v(t) = v(0) - —E. @=vo)-4 en O modelo nao esté, interessado no comportamiento individual dos elétrons, mas, no promédio sobre um mimero muito grande deles, por este motivo, a quantidade de interesse 0, com t sendo 60 valor médio da velocidade. Considerando um elétron tipico em tempo 7 © tempo transcorrido desde a sua tiltima colisio, a velocidade do elétron em tempo zero serd v(0) imediatamente apés a tiltima colisio mais a velocidade adicional —etB/m, que posteriormente alcangou. Ao definir que o elétron emerge de uma colisio em uma diregdo aleatéria, nfo existe contribuigdo de v(0) A velocidade eletrdnica média, a qual estard,Capftulo 2: Qs fendmenos de transporte eletrénico em heteroestruturas cristalinas... 42 portanto, dade inteiramente por ~etB/m. No entanto, o valor médio de ¢ & 0 tempo de relaxago 1. Portanto, (2.8) © deslocamento dos elétrons no material condutor produz uma corrente devido & velocidade de arrastamento e, portanto, de uma densidade de corrente J igual a: J=~env. (2.9) Comparando com a expresdo geral para a lei de Ohm, a partir das equagdes 2.8 ¢ 2.9 obtém-se uma relagdo simples para a condutividade elétrica: (2.10) Este 6 um resultado semi clissico baseado na estatistica de Fermi-Dirac. A deserigdo do modelo de Drude considera uma contribuigéo uniforme dos elétrons através da velocidade de arrastamento 4 condutividade do material, no entanto, esse modelo justifica-se somente quando as energias dos elétrons sejam préximas & energia de Fermi, A partir do modelo de Drude pode-se obter também uma expresio para a condutivi- dade elétrica em fangio do coeficiente de difusdio. Para isso, considera-se que o desloca- mento de carga resultante da velocidade de arrastamento é compensado por uma corrente de difusio proporcional ao gradiente de carga, J=—Dg9n, (2.11) onde D € a constante de difusio avaliada no nivel de Fermi. Através de uma comparagio das relagdes 2.10 ¢ 2.11 obtém-se a condutividade em fungio do coeficiente de difus o =e*DOS(Ep)D, (2.12) onde DOS(Ep) 6 a densidade de estados ao nivel de Fermi 2.4 Escalas relevantes no transporte de elétrons No estudo do transporte eletrénico existem regimes bem diferenciados, os quais esto baseados na comparagio das dimensées préprias do sistema com o seu tamanho real, 0ico em heteroestruturas cristalinas. 43, Capitulo 2: _Os fenémenos de transporte eletrén qual seré por Z para o comprimento e W para a largura, As dimenssdes préprias do sistema séo diferentes magnitudes empregadas para es tema, Apresenta-se A seguir uma descrigéo icos de cada s calar comprimentos carat resumida de cada um deles. 2.4.1 O comprimento de onda de De Broglie, \ Essa unidade de comprimento caraterfstica é definida por: Qnh _ Qn po ke onde p(k) é 0 momento do elétron ¢ k 0 vetor de onda. Para o caso do gas de Fermi, 0 (2.13) momento carateristico 6 o momento de Fermi, portanto, no caso de um gés bidimensional de elétrons com uma tinica sub-banda ocupada, Qn [Bn d= EVE (2.14) onde N, é a densidade bidimensional de elétrons. Para o caso do gés de Boltzmann, pr VImkT, 6 anh (2.15) V2mkT 2.4.2 O livre caminho médio, | O livre caminho médio de uma particula é 2 medida da probabilidade dela sofrer uma. interagio de algum tipo e estd diretamente relacionada com a segio de choque corres- pondente ao tipo especifico de interagéo . Nas heteroestruturas semicondutoras 6 um comprimento carateristico entre as colisdes dos elétrons com impurezas ou fonons. Ela é definida por (2.16) onde v é a velocidade tipica e ri, 6 0 tempo de relaxagio de transporte, o qual esté definido por 7 « i} dsin6W (8)(1 — cos8), (2.17) onde 9 € 0 angulo de espalhamento e W(8) é a probabilidade de espalhamento. De modo geral o transporte de elétrons é caraterizado pela mobilidade, a qual ¢ definida por oe He = (2.18)nico em heteroestrutures cristalinas... 44 Capitulo 2: Os fenémenos de transporte elet A mobilidade 6 a constante de proporcionalidade entre a velocidade de arrastamento aleangada por um eléiron, quando, colocado na presenga de um campo elétrico externo B, a= He (2.19) O livre caminho médio pode ser elistico I, ou ineldstico /j,. O livre caminho médio elastico carateriza o comprimento médio percorrido pelo elétron entre duas colisées elis- ticas sucessivas com os defeitos, imperfeigdes ou impurezas do sistema, no entanto, que © livre caminho médio ineldstico carateriza 0 comprimento médio percorrido pelo elétron entre duas colisées ineldsticas sucessivas. 2.4.3 Comprimento de relaxacio de fase, Ly Na descrigio quantica do transporte eletrOnico, um estado 6 earaterizado pela fung&o de onda, a qual possui uma fase inerente. O coneeito de fase torna-se importante quando acontecem fendmenos de interferéncia. Isso acontece quando fungdes de onda eletronicas com hist6rias diferentes so convergidas num mesmo ponto. Se as fases das duas ondas niio so destruidas, poderd sor observado um fendmeno de interferéncia especifico. O tempo de relaxagio de fase, 7», descreve a relaxagio de meméria de fase. Os processos de espalhamento responsdveis pela relaxagiio de fase sio aqueles que produzem a quebra de simetria em relagdo & reversio-temporal. Dentre cles, pode-se destacar processos es elétron-elétron etc. Uma carateristica importante inelésticos por fonons da rede, colis desses processos é que os elétrons sofrem muitas colisées elasticas durante um tempo Ty. Para o movimento difusivo pode ser estimado o valor relevante de Ly através da relagio : Ly = Dry, (2.20) onde D = (1/d)lv 6 a constante de difussao (d é a dimensionalidade do gas de elétrons) 2.4.4 Comprimento de defasagem térmico, Lr O processo de relaxagio anterior é relevante para a interfeéncia de fungdes de onda perten- centes a um estado uni-eletronico. Porém, a interferéncia também pode ser importante para a interagio de dois elétrons com energias proximas. Se, a diferenga de energia entreCapitulo 2:_Os fendmenos de transporte eletronico em heteroestruturas cristalinas... 45 os elétrons é AT, eles viajam quase coerentemente no decorrer do tempo gp. Portanto, 0 comprimento carateristico de propagagio coerente pode ser estimado por (2.21) Os diversos tipos de colisées que acontecem dentro das heteroestruturas semicondu- toras sio decorrentes de mecanismos especificos de interagdo , tais como as interagdes elétron-fonon, elétron-clétron e elétron-defeitos. A interagdo elétron-fonon, predominante em altas temperaturas, deve-se aos modos de vibragiio em fase (fonons dpticos) e em oposigio de fase (fonons actisticos) dos étomos visinhos da rede cristalina, A interacdo elétron-elétron é intermediada pelo potencial coulombiano, podendo modificar severamente as propriedades de transporte, especial- mente, quando a concentragio de portadores é elevada. A interagdo dos elétrons com defeitos da rede envolve as colisées dos elétrons com dtomos doadores nao ionizados, impurezas ionizadas ¢ rugosidades das interfaces dentre outros. A partir da compatagio do livre caminho médio I com as dimensdes préprias do sistema (Z and W) discriminam-se transporte eletrOnico difusivo | << L,W, transporte quase balistico W <1 < Le transporte balistico > L, W. 2.5 O Transporte eletrénico em campo magnético 2.5.1 O efeito Hall ordindrio Na teoria de Drude da condutividade elétrica de um metal um elétron 6 acelerado pelo campo elétrico durante um tempo médio r, tempo de relaxagao ow tempo livre médio, antes de ser espalhado por colisdes com impurezas, imperfeigdes da rede e fonons até um estado que possui velocidade média zero, A velocidade média de arrastamento dos elétrons 6 cr ya, (2.22) onde £ é 0 campo elétrico ¢ m 6 a massa do elétron. Portanto, a densidade de corrente 6 J = =nevy = oF, (2.28) onde oy = ne®r/m, en é a densidade oletrdniea,Capitulo 2:_ Os fendmenos de transporte eletrénico em heteroestruturas cristalinas... 46 Na presenga de um campo magnético as trajetérias eletronicas so curvadas por efeito da forga de Lorentz, mas, admitindo que o tempo de relaxagio seja r, a forca de Lorentz tem que ser adicionada & forca elétrica, tendo como resultado: va = —e{ B+ [ug x B))—. 2.2 v" of fea x ) zn (2.24) Em estado estacionério, J = —nevg. Assumindo que 0 campo magnético esta na guintes resul- diregao z, A equacdo vetorial anterior, pode ser resolvida, obtendo-se os tados: 1 i (2.25) Pow (2.26) = 70 Oa = Ow = Tah (2.27) Ony = Oya = OT (2.28) T+ (r? onde w, = eB/m é a freqiiéncia do ciclotron. A partir dessas equagées podem ser obtidas as seguintes relagbes entre a condutividade e a resistividade: = fe (2.29) Pry - 2.30) 2+ ph ( Pex + Poy Experimentalmente, para a caracterizacdo de heteroestruturas cristalinas semicondu- ay = las de magnetotransporte, o tensor de resistividade é medido através toras através de me da preparagao de uma amostra com formato de barra retangular (barra ou ponte de Hall) © espessura muito fina. A figura 2.1 mostra um esquema de um desses dispositivos em- pregados usualmente. Para a realizagio das medidas 6 aplicada uma corrente nos extremos do canal, ao longo da direcdo =, e, so medidas a queda de potencial longitudinal (Vj — V,) ¢ a queda de potencial transversal (V2 — Vj). O coeficiente de Hall Ry é dado por: By oh (231) Ry =Capitulo 2: Os fendmenos de transporte eletronico em heteroestruturas cristalinas... 47 L V Figura 2.1: Bsquema da configuragao de uma medida de magnetotransporte. Uma corrente 16 aplicada nos extremos do canal. Os nimeros servem para identificar os contatos de tensdo. Identifica-se por "Wa largura da barra, "T”a espessura e "L"a disténcia entre contatos longitudinales. onde B, é 0 campo magnético aplicado na direcao z, é: By = —taltagem entre contatos2—4_ (Vi (232) ‘comprimento entre contatos 1— 2\m _corrente na barra Hall (I) A See (5). (2.33) Je =~ Grea transversal (WT) “m2 (233) De forma explicita, 0 coeficiente de Hall pode ser expresso por: (2.34) A partir do coeficiente de Hall, pode-se obter a concentragio n 1 Sot (2.35) n= (2.35) onde ¢ é a carga do elétron. A resisténcia longitudinal p;z 6 obtida através da relagio Ee Pos = aa (2.36) voltage itre contatos (237) comprimento entre contatosCapftulo 2: Os fendmenos de transporte eletronico om heteroestruturas De forma explicita, a resistividade longitudinal é expressa por WI Vs-4 (2.38) A mobilidade de Halll jz é obtida da relagio Ri b= Gee (2.39) Nas medidas de magnetotransporte em heteroestruturas semicondutoras a voltagem Iongitudinal na regiéo de campo fraco é quase constante, no entanto, a voltagem de cldssico de Drude. Porém, para Hall cresce linearmente conforme com © modelo semi valores de campo magnéticos altos, a resistividade longitudinal mostra um comportamento oscilatério acentuado, entretanto, a resisténeia de Hall apresenta plats correspondentes com os infnimos da resistividade longitudinal. Essas estruturas, geralmente, néo aparecer em temperatura ambiente on em temperatura do nitrogenio liquido (77 K), contudo, elas s&o visiveis em temperaturas criogénicas menores de 4 K. A origem dessas ostruturas 6 de natureza mecinico quantica e sera explicada, posteriormente. 2.5.2 O efeito Shubnikov—de Haas 0 Bieito Shubnikoy-de Haas (SDH) [30] é um fendmeno de magnetotranspote observado em metais, semicondutores dopados e outros materiais submetidos & agéo de campos magnéticos intensos ¢ ultra haixas temperaturas. O fendmeno, caraterizado por oscilagdes, da resistividade longitudinal (p,.) em fungio do campo magnético B, leva o nome do seus descobridores, os quais observaram esse efeito pela primeira vex no ano de 1930. Pouco tempo depois da descoberta, de Haas ¢ Van Alphen, observaram um compor- tamento semethante nas medidas de magnetizacao M em funcio do campo magnético, © efeito Shubnikov-de Haas ¢ 0 efeito de Haas-Van Alphen, siio ambos, manifestacées macroseépicas da natureza quantica da matéria a nivel microsespico. Uma deserigao do efeito SDH pode ser realizada empregando-se 0 caso particular de um sistema contendo o gas bidimensional de elétrons, Quando 0 2DEG esta submetido a nada em niveis de Landau com separagio ago de um campo magnético, a energia 6 quanti Tuw., Cada nivel de Landau é desdobrado pela energia de Zeeman (= gup¥.B). Tanto as energias do ciclotron e Zeeman como o niimero de estacos eletrdnicos para cada nfvelapitulo 2: Os fendmenos de transporte eletronico em heteroestruturss cristalinas...__49 Se eee 151 OscilagGes Shubnikov-de Haas Jungio AlGaAs/GaAs 2DEG, 1.5K all Campo magnético (T) Figura 2.2: Oscilagées de Shubnikov de Haas tfpicas da resistividade p, de uma hetero- jungdo de GaAs/AlgaAs em temperatura de 1.5K 0s R,, (410009) 0.0. de Landau aumentam de forma linear com o incremento do campo magnético. Em tem- peraturas da ordem de I K, a populagio de elétrons encontra-se em estados quinticos de Landau até a energia de Fermi, que se admitiu ser independente do campo magnético. Para um valor de campo magnético erescente, 0 nitmero de niveis de Landau ocupados energia de Fermi. Por decresce a cada ver que a energia de um nivel se tornar superior tanto, cada vez que se realize a condigéo Bp = (n-+1/2)fu, ocorrerd a depopulacdo de um. novo nivel, provocando as oscilagdes no transporte ¢ nas propriedades termodinamicas, segundo a lei 1/B, no perfodo. O perfodo de depopulagéo A(1/B) pode ser calculado através da relacdo Lot het B, Bua m* Ep cee) a= A partir da medida do perfodo das oscitagées Shubnikov-ce Haas obtém-se a densidade de portadores do material Ny, el mhA(G) A aplicagio de um campo magnético homogéneo em materiais condutores ocasiona N, (2.41) a sobroposigdo do espectro de energia de niveis de Landau sobre a estrutura de bandas do material. Portanto, 0 periodo das oscilagées quinticas observadas 6 proporcional area de segao transversal da superficie de Fermi em um plano perpendicular ao campo magnético aplicado. A dependéncia das oscilagées quanticas com a temperatura e o campoCapitulo 2: Os fenémenos de transporte eletrénico em heteroestruturas cristalinas...__ 50 400 Jungaio GaAs/AIGaAs T=04K 300 w) *o 100 Figura 2.3: Medidas experimentais de resistividade longitudinal pzz (linha vermelha), ¢ resistencia transversal poy (linha azul) para uma juncao de GaAs/AlGaAs contendo 0 gas bidimensional de elétrons. As medidas foram realizadas em temperatura de 0.4K. magnético revelam a massa efetiva m* ¢ o tempo de relaxacio r [30]. 5 por esses motivos que 0 efeito SDH ¢ o efeito de Haas-van Alphen sio empregados como ferramentas para analisar a estrutura eletronica como a dindmica dos materiais condutores. 2.6 O efeito Hall quantico 2.6.1 Efeito Hall quantico integral ‘Um dos eventos mais importantes na Fisica de semicondutores foi a descoberta da quan- tizagdo da resisténcia de Hall por K. von Klitzing, G. Dorda e M. Pepper, em 1980 [31] Dois anos apés essa descoverta, D. Tsui, H. Stormer e A. Gossard descobriram o efeito Hall fracionario [32]. A partir de entao a descoberta de Von Klitzing e colaboradores ficou conhecida como efeito Hall ordinério ou integral. Esse efeito é caraterizado pelo aparecimento de uma seqiiéucia de platds nas medidas de resisténcia transversal (Ry) ou condutividade de Hall (1) de um gas de elétronsBL Capitulo 2: Os fenémenos de transporte eletrénico em heteroestruturas cristalinas. bidimensional (2DEG) em fungao do campo magnético (B) aplicado ou da concentracao cia de Hall eletxonica bidimensional (WV,). Os valores clos platés nas medidas de resists em fungao do campo aplicado podem ser expressos por: La ver i 225.8128 OQ, (2.42) onde h a constante de Planck, e é a carga do elétron e v € 0 fator de ocupagio ow Os experimentos de magnetotransporte mostraram que entre dois niveis de Landan adjacenies a resisténcia de Hall tem valores fixos, no entanto, a resisténcia longitudinal Roz tem valor nulo. O fendmeno implica na existéncia de estados localizados nessa regio, e defeitos que produzem diferentes mecanismos de in- Devido a presenga de impurez teragio com os elétrons, o perfil da densidade de estados de um sistema bidimensional evolui de um sistema de niveis de Landan estreitos e finos para um espectro de niveis mais alargados, como pode ser observado na figura 2.4. Nesse novo espectro de nfveis existem estados localizados ¢ estados estendidos. Os estados estendidos ou deslocalizados encontram-se muito perto do entorno do nivel de Landau original, mas, os estados locali- zados esto urn pouco mais espalhados em energia, ocupando a regio da cauda do nivel. Somente os estados estendidos podem contribuir para a corrente elétrica em temperatura zero. A oxisténcia de estados localizados explica o aparecimento dos platds na resistencia de Hall. Se nao existissom estados eletrdnicos possiveis entre os dois niveis de Landau adjacentes, 0 nivel de Fermi poderia pular do dltimo nivel oeupado pata o nivel seguinte, ncia entre os dois. Assim sendo, quando o nivel de Fermi sem a possibilidade de exi se encontra dentro de uma regido de existéncia de estados localizados, ocorre a aparigio de um minimo nas oscilagdes de Shubnikov-de Haas ¢ a existéncia de um platé quantico na resisténcia de Hall. A passagem pela regido de estados deslocalizados produz a de- populagao de um novo nivel de Landau, aunentando, assim, a resisténcia de Hall e origi- Em temperaturas finitas observa-se nando wn pico nas oscilagées de Shubnikov-de Haa ‘uma resisténcia longitudinal finita na passagem pela regido de estados localizados, cuja occorréncia deve-se a processos de espalhamento "hopping” entre estados localizados no nivel de Fermi Experimentalmente, observa-se uma precisio extrema obtida sobre os valores dosCapitulo 2:_Os fenémenos de transporte eletronico em heteroestruturas cristalinas...__52 Estados deslocalizadi Estados localizad Estados localizads Estados desiocalizados _ DE) Figura 2.4: Diagrama esquemético da densidade de estados alongada de um gés bidimen- sional de elétrons na presenga de campo magnético.Capttulo 2: Os fenémenos de transporte eletrénico em hetoroestruturas cristalinas... 53 platés de uma amostra a outra (menor a 5 10° de incerteza relativa). Esse é um fato surpreendente, se temos em conta que a priori a fragio de elétrons nos estados deslo- calizados e, portanto, a concentracgdo de estados condutores dependem do desordem da amostra. 2.6.2 Efeito Hall quantico fracionario Horst Stérmer e Daniel C. Tsui em 1982, fizeram estudos refinados do efeito Hall quantico usando, entre outras coisas, temperaturas mais baixas e campos magnéticos mais inten- sos, Para grande surpresa, descobriram novos platds na resisténcia Hall para valores fracionérios do fator de preenchimento v. Cada plato é unicamente determinado por con- stantes fundamentais da natureza (a constante de Planck fi e a carga do elétron e) e um niimero racional v = p/q. Para cada plato de Hall aparece uma banda proibida (gap) no espectro de estados eletronicos bidimensionais. Quando » é um ntimero inteiro, esses ” gaps” provém da quantizagio de érbitas circulares ciclotrénicas, nas quais os elétrons se locomovem. Por outro lado quando v é uma fragéo , ¢, em alguns casos um inteiro impar, nao existe mais wm modelo de particula simples para explicar a origem dos ” gaps”, Desta claculares de forma pode-se argumentar que essas novas estruturas sio manifestages esp complexos estados de muitos corpos cuja existéncia esté totalmente baseada na interagio coulombiana entre elétrons. Um ano apés a descoberta do efeito Hall quantico fraciondio, Robert B, Laughlin sem 1983, apresentou uma explicagdo tedrica para a interpretagiio dos resultados expe- timentais. De acordo com sua interpretagiio , em baixas temperaturas ¢ para valores ico, 0 gs de elétron condensa-se em um estado notavel determinados do campo magné com propriedades de um fluido quintico. Devido ao fato de que os elétrons so fermions, eles so muito relutantes para se condensar, mas, em forma notdvel eles se combinam com 0 fluxo do campo magnético, Particularmente, para os primeiros platés descobertos por Stérmer e Tsui, os elétrons capturam trés quantos de fluxo, formando uma espécie de particula composta que néo possue objegéio & condensagio , ¢ dese modo eles se transformam em bésons. Fluidos quanticos foram observados em hélio Iiquido em temperaturas muito baixas e também em supercondutores. Além da propriedade de superfluider que explica 0 desa-Capitulo 2: Os fendmenos de transporte cletronico em heteroestruturas cristalinas... 54 Ay (hele?) Campo magnético (T) Figura 2.5: Demonstragio do efeito Hall fraciondrio descoberto por Tsui and Starmer, pelo qual eles obtiveram o prémio Nobel em Fisica em 1998. Siio mostradas a resistivi- dade longitudinal pes ¢ a resistencia de Hall Ry de um gds bidimensional de elétrons na interface de dois semicondutores, como fungo do campo magnético aplicado normal ao plano da amostras. A linha diagonal pontilhada representa a resisténcia de Hall cléssica € a linha sélida, os resultados experimentais. Os valores do campo magnético que pro- duzem os platés sdo indicados por setas em valores para os quais a resistividade é zero em temperatura absoluta nula. O platé indicado com 1/3 foi a primeira fracdo descoberta por Stormer and Tsui.Capitulo 2: Os fendmenos de transporte oletronico em heteroestruturas cristalinas... 5! parecimento da resiténcia shmica nos plats da resistencia de Hall, © novo fluido quantico, proposto port Laughlin, possui muitas propriedades incomuns. Uma das propriecades mais notdveis 6 que se um elétron for adicionado, o fluido seré afetado pelo surgiminto de um niimero determinado de * quasi-partculas”, com cargas fracionarias. Estas quasi ntido comum, mas 0 resultado da danga. conjunta de particulas no si particulas no elétrons no fluido quantico. Laughlin foi o primeiro a demonstrar que as quasi~partfeulas tem precisamente a carga fracional correta para explicar os resultados de Stérmer e Tsui. Medidas subseqiientes demonstraram mais ¢ mais platés fracionais no efeito Hall e o fluido quantico de Laughlin provou ser capaz de explicar todos os plats encontrados experimen- talmente. A descoberta e a explicacao do efeito Hall quantico fraciondrio em 1982 ~ 1983 pode ser considerada como uma demonstracao indireta de um novo fluido quantico e de suas quasi-particulas carregadas fracionalmente, Recentemente, varios grupos de pesquisa con- seguiram observar estas novas partfculas diretamente, Isto ocorreu, por exemplo, em ex- periéncias onde variagdes infinitesimais na corente foram relacionadas & quasi-particulas individuais escoando no fluido através do circuito. Estos medidas so comparadas & dis- tingao do som de uma pedra de granizo durante uma chuva de granizo, determinando a partir deste som, se essas pedras sio apenas uma fragio do seu tamanho normal. A realizagdo dessas medidas tornou-se possivel devido ao desenvolvimento notavel da mi- crocletrénica, desencadeado a partir das contribuigées pioneiras dos pesquisadores pre- miados com os prémios Nobel de 1998. As medidas podem ser vistas como uma prova conclusiva das suas descobertas, 2.7 Teoria de resposta linear A teoria de resposta linear descreve as mudangas que a aplicagéio de um campo elétrico externo de baixa intensidade induz nas propriedades macroseépicas de um sistema em equilfbtio. Inicialmente supde-se que o campo elétrico é ligado em algum momento ini- cial, quando o sistema esté em equilfbrio, e, logo ele é tratado como uma perturbagio rrelagio temporal para a « Assim sendo, & possivel obter uma expressio de fungio de condutividade clétrica de um sistema composto por particnlas carregadas. Se 0 campoCapitulo 2: Os fendmenos de transporte eletrénico em heteroestruturas cristalinas... 56 elétrico aplicado 6 suficientemente pequeno, de forma que os efeitos de aquecimento po- sam ser ignorados, a lei de Ohm pode ser expressa por J = oB. A férmula de correlagio jonam os cooficientes de temporal é um exemplo de um conjunto de equagies que rela transporte em um fluido com integrais temporais de fungdes de correlagao temporal. Desta forma, obtem-se para a condutividade 2 e*{u,(t)u;(0))dr, (2.43) Fj = KT onde ¢ é a carga do elétron, K 6 a constante de Boltzmann, T é a temperatura e < v,(t)v;(0) >p 6 a fungio de correlagao velocidade-velocidade duplamente promediada no espago de fases T ¢ os indices i € j indicam as diregbes « y, respectivamente. A presenga de espalhamento com impurezas 6 inclufda através do tempo médio de espalhamento eletrénico r, onde a probabilidade de um elétron nao sofrer uma colisio no intervalo (0,t] dada por e~/". Esta formula, também conhecida como equagao de Green-Kubo, esté de acordo com a experiéncia e também com os ressultados de simulagdes para campos elétricos fracos. 2.8 Distribuigdo de corrente em dispositivos de efeito Hall Os dispositivos de feito Hall, conhecidos também como barras ou pontes de Hall, sio usualmente gravados em diferentes tipos de amostras, as quais deverio sor caracterizadas através de medidas de magnetotransporte. Até hoje ainda nfo 6 muito bem compreendido © modo como a corrente elétrica distribue-se nesse tipo de dispositivos. Geralmente sio aceitos trés modelos: o primeiro admite que a corrente 6 confinada a érbitas fugitivas ao segundo indica que as drbitas estéo confinadas em longo da periferia do dispositive; 0 estreitos canais de estados de borda ao longo dos contornos do dispositive o terceiro modelo, assume que a corrente esti distribufda através do interior do dispositivo (33, 34). A figura 2.6 mostra o esquema de uma barra Hall, na qual é aplicada uma corrente (sp) nos extremos clo canal longitudinal, orientado ao longo da direcéo x. O campo magnético esta orientado na diregio negativa do eixo 2 apontando em diregio a0 interior da figura. Supondo que as cargas de condugio sio elétrons, a forga de Lorentz F, = ev x BCapitulo 2: Os fenémenos de transporte eletrénico em heteroestruturas eristalinas... 57 = WP © 1 uo Ss Figura 2.6: Distribuigdo de corrente em wma barra Hall; o campo magnético esta orientado apontando para o interior da figura. As linhas indicam o padrao de fluro dos elétrons para esta diregao do campo. desvia os elétrons para o extremo direito até ser compensada pela forca repulsiva de Coulomb Fe = ~eE. A re-distribuigéo de carga do gas eletronico resulta dese desvio. B, também, devido a acao dessas forcas que os elétrons penetram no canal através da fonte em y = —W/2e deixam o canal em y = W/2, de acordo com experimentos reportados na referéncia [35]. Outros experimentos citados na referéncia [36] mostraram que os elétrons sao distribuidos através do canal de condugao como esté demonstrado na figura 2.6. 2.8.1 Estados de borda no 2DEG potencial de confinamento em uma heteroestrura a qual contém 0 2DEG ocorre por efeito de estados eletrnicos superficiais nos extremos das amostras, e pela presenca de uma regio de deplecio de carga perto das bordas do dispositivo. Esse potencial ¢ nega- tivo, portanto, pode-se assumir um potencial de confinamento negativo Ve de extensio espacial finita \ em ambos os extremos das amostras. A figura 2.7(a) é um diagrama esquemitico das energias eletronicas representadas em fungao da coordenada y, através do dispositivo com largura w para um potencial de confinamento de extensio espacial 2. A corrente no interior do dispositivo ¢ zero por que o gradiente de potencial entre —\ ¢ €nulo, A figura 2.7(b) 6 similar & figura 2.7(a), mas, nesse caso, como hi dois niveis de Landau preenchidos, haveré dois valores de Ymax ¢ dois valores de Yimin = —Ymaz:Capitulo 2: Os fenémenos de transporte eletrénico em heteroestruturas cristalinas...__58 c eu a : | = ow 3 yt As nls Figura 2.7: (a) Representagéo esquematica das energias dos autoestados permitidos ao longo de um dispositive Hall de largura W ¢ para um potencial de confinamento linear de extensiio d sem a aplicagéo de corrente. Sito mosirados somente alguns autoestados. O cio x aponta na diregdo ao longo da linha coniral do dispositive. Os autoestados do mais bairo nfvel de Landau 1 estéo ocupados entre Yas = —Ymin- Os cérculos cinza representam estados ocupados 0s quais néo contribuem a condugée , os céreules pretos representam. estados ocupados que contribuem a conduedo e os cfreulos brancos representam estados varios, (6) Similar a figura (a), mas, desta vez com um pequeno walor da corrente aplicada Isp; 0 potencial quimico é diferente nos dois extremos do dispositive.Capftulo 2: Os fendmenos de transporte eletronico em heteroestruturas cristalinas.. 59 A figura 2.7(¢)mostra uma, situagao em que se aplica uma corrente Isp, da ordem de HA, considerando-se que toda a corrente esté dentro das regides do potencial de confina- mento entre Aa Yner € —A a Yerin- O valor de mae Atmenta com o incremento de Isp, fazendo com que sejam ocupados autoestados adicionais no extremo dircito do disposi- tivo. Alguns poucos autoestados ficam ocupados no extremo esquerdo ¢ |yynin| decresce. nico 6 diferente nos dois extremos do dispositivo e a Voltagem de Hall é O potencial qui Ralsn = (ue — te). expressa por: Vir 2.8.2 A férmula de Landauer-Biittiker A conduténcia de uma amostra macroseépica segue uma lei de escalamento Ohmico, G = oW/L. Quando as dimensées das amostras sio reduzidas, aparecem corregdes a esta ei. Primeiramente, existe uma resisténcia da interface independente do comprimento da amostra L. Em segundo lugar, a condutancia no decresce mais em forma linear com a largura W. Ao contrério, ela depende do niimero de modos transversais no condutor e, portanto, decresce em saltos discretos. A formula de Landauer descteve esse comporta- mento [87]. Para obter a formula de Landauer, considerou-se um condutor conectado a dois con- tatos macroseépicos através de dois condutores, como mostra a figura 2.8, Assumindo-se sio do tipo balistico, cada um com M modos transversais, o fator T que os condutor representa a probabilidade média de um elétron injetado em um dos extremos do condutor (1) s dem sair do condutor ¢ atravessar & regifio dos contatos sem sofrer reflexdes, seguidamente, 1 transmitido para 0 outro extremo (2). Assumindo-se também que os elétrons po- os estados +k, no condutor 1 sdio ocupados tinicamente por elétrons provenientes do con- tacto esquerdo e, portanto, esses estados deverao possuir um potencial eletroquimico j Em forma similar, pode-se dizer que os estados —kz no condutor 2 sio ocupados \inicamente por elétrons provenientes do contacto direito, ¢ esses estados deverdo ter um potencial eletroquimico jz. Assumindo temperatura zero, 0 fluxo de corrente acontece inicamente no intervalo em energia entre 11 € fz, O fluxo de elétrons proveniente do condutor 1 dado por 2e i Min = jn] (2.44)jnico em heteroestruturas cristalinas... 60 —1 +k —_— Ok Figura 2.8: Um condutor com probabilidade de transmisséo T € conectado com dois con- tactos macroscépicos através de dois canais condutores. Assume-se temperatura zero, de forma que a distribuicao de energia dos portadores incidentes nos dois canais tenha uma forma de fungao escada. fluxo de elétrons que a atravessa para o condutor 2 6 igual ao fluxo 1 multiplicado pela probabilidade de transmiséio Hf = EMT ~ wa) (2.45) O restante do fluxo é refletido na diregio do contacto 1 ir = Baa —Tpn ~ (246) A corrente total J que flue em qualquer parte do dispositive ¢ dada por: 2e faith =H) = uti - (ean Portanto, a condutancia é igual a 2 G J 2e' MT. (2.48) = mle heCapitulo 2:_ Os fendmenos de transporte eletrénico em hoteroestruturas cristalinas..__ 61 2.9 Manifestagdes de coeréncia da fungao de onda do elétron 2.9.1 Localizagao fraca © coneeito de localizagao de Anderson [38] esta relacionado com a auséncia de difusio em materiais que apresentam certo grau de desordem, como resultado da interferéncia de todas as ondas eletrdnicas espalhadas. De acordo com sAnderson, a fungiio de onda do elétron pode ser severamente alterada so 0 gran de desordem 6 suficientemente forte. A causa do fendmeno deve-se ao fato de que o espalhamento devido ao potencial aleatério faz com que 09 elétrons de Bloch percam a coerencia de fase em uma escala de compri- mento compardvel com 0 livre caminho médio dos elétrons. Porém, a fungio de onda permencce estendida através da amostra. Seo grau de desordem for muito forte, a fungao de onda torna-se localizada no sentido em que o envelope do pacote de onda decai expo- nencialmente a partir de um ponto no espago [39], de forma que (2.49) ento de localizagaio onde € é 0 comprini Um outro fendmeno estreitamente relacionado com a localizagiio de Anderson, emvol- vendo um incremento do retro-espalhamento coerente em um meio com wm forte grau de espalhamento aleatério, é a localizagao fraca de ondas eletronicas. Esse fendmeno foi tratado pela primeira vez por Abrahams e colaboradores [40], tendo sido observado pos- teriormente em diversos sistemas, com diferentes dimensionalidades e grou de desordem. Considerando alguns elétrons néo interagentes com ppl >> fi se locomovendo en- ire os pontos A e B, através de um meio que apresenta certo grau de espalhamento, a probabilidade de transigao de A para B 6 expressa por: a We lr Ad = SOIAP + 3D 445, 7 7 w onde Ai é a amplitude de propagagio ao longo do passo i. O primeiro termo é a proba- bilidade classica e 0 segundo é 0 termo de interferéncia. Para a maioria das trajetérias 0 ganho de fase, 1 pe Ag if, pal >>1, (251)menos de transporte eletrénico em heteroestruturas eristalinas... 62 Capitulo 2: Os fo @ 0 termo de interferéncia desaparecem. Mas, para o caso de trajetérias com auto cruza- mentos, trocando-se p -+ —p e dl + ~dl, 0 gamho de fase 6 0 mesmo e, portanto, |Ai + 4a? = |Ai? + [Ao + 24,43 = 4A? (2.52) As trajetérias com auto cruzamentos referem-se a trajetérias reverstveis no tempo. A invariéncia da simetria de reversio temporal garante Ay = A, = A, onde Ay e Ay descrevem as amplitudes nos sentidos hordrio e anti-hordrio da trajetéria fechada, como ntltado mostrado na equagio 2.52 indica que a proba- mostra a figura 2.9. Portanto, or bilidade de retroespalhamento coerente 6 o dobro do valor do seu anlogo clissico. Este 60 prinefpio fundamental do fendmeno da localizagio . Em temperaturas criogénicas, 0 transporte eletrénico pode tornar-se coorente e, por- tanto, a probabilidade de retrodifusio tende a aumenter incrementando-se o efeito de localizagao , 0 qual conduz a uma diminuigo da condutividade. Para um sistema estri- tamente bidimensional as corregées feitas & condutividade de Drude siko proporcionais & probabilidade de retrodifusio podendo ser expressas por: [41]: é %} ‘- orp = ~ eel + #), (2.53) onde r é 0 tempo de colisao, e rp é 0 tempo de coeréncia Agap = 0. 2.9.2 O efeito do campo magnético na localizagao de elétrons No caso dos metais e algumas heteroestruturas semicondutoras, a magnetoresisténcia apresenta, um comportamento crescente positivo ¢ quadratico com 0 campo magnético aplicado. Isso geralmente é produzido por ressondncias geométricas resultantes da comen- surabilidade entre o raio das érbitas ciclotrénicas e as dimensdes do espécime, 0 qual permite maior espalhamento incrementando a difusdo. Em sistemas eletrénicos que a- presentam um regime de espalhamento ineléstico, a condutividade incrementa-se com 0 campo magnético. Esse efeito ocorree devido & interferéncia construtiva entre trajetérias fechadas, horérias e anti-horérias, resultantes do retro espalhamento coerente dos elétrons com as impurezas do material, 0 qual produz o incremento da probabilidade de retorno cas A condutividade elétrica. através de difusio cléssica, ocasionando corregées quanti frac (da ordem de mili Teslas) Sob a influéneia da aplicagio de um eampo magnét em forma perpendicular A superficie das amostras, a coeréncia de fase clessas trajetériasFigura 2.9: (a) Representagiio de duas trajetdrias eletrénicas possiveis A, ¢ Ay entre os pontos Ae B. (b) Mecanismo de retroespalhamento coerente entre trajetorias hordrias e anti-horérias para um trajeto fechado do ponto A para se mesmo.Capitulo 2:_ Os fendmenos de transporte eletrénico em heteroestruturas cristalinas... 64 fechadas destruida. Esse efeito perturbativo suprime as corregées quanticas, produzindo um incremento da condutividade ou, alternativamente, uma magnetoresisténcia negativa anémala. Essa magnetoresisténcia negativa 6 um fendmeno muito difandido em sélidos com certo grau de desordem, particularmente em sistemas bidimensionais. O estudo deste fondmeno permite obter o comprimento de relaxagdo de fase Lip ¢ a sua mudanga com a temperatura, Uma expresso analitica para a magnetoresisténcia negativa foi obtida na referéncia [42], na aproximagao de difusio, sendo expressa por: rs a 17 1. Ao(B) = sale($+ 7) -»(5 +4) ~ tno], (2.54) 79, b= BL +7) By), By = h/(2el?) e v(x) & a fungdo digamma definida onde y por y(st) = d{LnI'(2)|/dz com P(2) sendo a fangéo Gamma. 2.9.3 O efeito Aharonov-Bohm O efeito Aharonov-Bohm (AB) em anéis metilicos esta relacionado ao trabalho inicial apresentado por Y. Aharonoy e D. Bohm (43). Bles previram que uma particula carregada se locomovendo ao longo de um cireuito fechado, 0 qual encerra um fluxo magnético no nulo, poderd experimentar uma mudanga de fase em sua fungio de onda. Eles sugeriram um experimento de interferéncia através do qual o efeito poderia ser medido. O efeito AB foi observado pela primeira ver em anéis metélicos por Sharvin e Sharvin {44] e, depois foi observado em aneis semicondutores por G. Timp et al (107). Os anéis de AB sio de importancia fundamental como ferramentas para provar a coeréncia de fase ais unidimensionais como eletrénica; ou como dispositivos de teste para o conceito de ¢: guias de ondas eletrénicas. Experimentalmente, foi observado que a condutancia de um anel oscila como fungao do fiuxo encerrado pelo anel: G = Go + Geos IPS +2), (2.55) onde S$ é a area encerrada pelo anel. O periodo AB das oscilagées ¢ obtido colocando-se a. diferenga de fase igual a 2r de forma que: lelABS h = ee 2.56) RF > ABS= (2.56)Capitulo 2: Os fendmenos de transporte eletronico em heteroestruturas cristalinas 65 r Figura 2.10: Nustragdo do efeito Aharonov-Bohm em uma geometria de anel. (a) Tra- Jet6rias responsdveis pela periodicidade h/e, (b) trajetérias pertencentes ao par de estados com simesria de reversdo temporal conduaindo 4 periodicidade h/2e Este fendmeno foi denominado o efeito h/e porque o periodo corresponde a uma mu- danga do fluxo limitado pelo anel. © termo oscilatério surge da interferéncia entre as ondas que atravessam os dois extremos do anel, como mosira a figura 2.10. As corregées na condutividade elétrica referentes aos efeitos de interferéncia, usualmente, nao possuem uma periodicidade com o campo magnético, porquanto, existe um intervalo continuo de valores de fluxo de campo magnético atravessando os diferentes passos de interferéncia, Ao contratio da situagao anterior, uma geometria de anel confina um fluxo continuo bem definido , impondo uma periodicidade fundamental. No caso de amostras cilfndricas, todas os passos possiveis deverdo confinar aproximada- mente a mesma area e, portanto, possuir 0 mesmo periodo. Desta forma a resisténcia da amostra deverd oscilar na forma: © rhdio do cilindro. O perfodo AB das oscilagées ¢ igual a metade de By onde r a 9 AB= Teme (2.58) Existe uma diferenga importante entre as oscilagies do tipo h/e ¢ h/2e, O primeira tipo de oscilagdes (//e), so dependentes das amostras ¢ possuem fases aleatérias. Entéo, sa amostra tém muitos an¢is em serfal ou paralelo, o efeito é geralmente suprimido.Capitulo 2: Os fenémenos de transporte eletrOnico em heteroestruturas cristalinas. 66 Contrdriamenie, o segundo tipo de oscilagdes (h/2e) origina-se de trajetérias com re- verso temporal. A. contribuigao propria conduz a condutincia minima em B = 0, de modo que as oscilagdes tém a mestna fase. Essa 6 a razdo por que as oscilagdes h/2e per- manecem em cilindros compridos. A sua origem é ressultante da modulacao periédica do efeito de localizagio fraca por causa do retro-espalhamento coerente. O aparecimento das oscilagées de Aharonov-Bohm om cilindros compridos foi prevista por Al’tshuler, Aronov © Spivak [46] ¢ observada experimentalmente por Sharvin ¢ colaboradores [47]. O efeito Altshuler Aronov Spivak (AAS) [46] foi observado em muitos sistemas que apresentam um alto grau de desordem tais como cilindros metalicos, super-redes de ané metélicos simples e mais recentemente, em super-redes de antipontos com metélicos, ani transporte balistico, A teoria AAS prevé o aparecimento de oscilages com perfodo $p/2, onde @ é 0 quanto de fluxo magnético, com base na teoria de perturbagées da localizagao fraca da magnetoconductividade do ensemble médio em metais, cilindros anéis com alto grau de desordem.Capitulo 3 Super-—redes de antipontos quanticos 3.1 Antipontos em sistemas bidimensionais de elétrons Em meados da década de 1950 se iniciou o interesse pelo estudo tedrico do movimento dos elétrons de condugio sob a infiuéncia combinada de um potencial periédico bidimensional um campo magnético perpendicular B. © que motivou o interesse deste estudo foi © surgimento de problemas de comensurabilidade, devido & presenga de duas grandezas que escalam 0 comprimento, 0 perfodo do potencial a ¢ 0 comprimento magnético 1 = (h/2reB)?, Esperava-se que, se le @ fossem aproximadamente da mesma ordem de grandeza, mudangas drésticas seriam produzidas nas quantidades mensurdveis das pro- priedades de magnetotransporte do g4s quase bidimensional de elétrons. Bssencialmente, os fendmenos de transporte dos elétrons ocorrem devido & energia de Fermi, portanto, o comprimento de onda de Fermi Ap = 2n/kp, o qual esta relacionado com a densidade Ng = bh /2n do gés bidimensional, torna-se importante como uma terceira unidade para escalar 0 comprimento, 0 que faz 0 problema ficar ainda mais complexo. Em 1976, foram publicados os resultados dos céleulos para o espectro de energia e de fungdes de onda dos elétrons de Bloch de um cristal submetido a um campo magnético uni- forme e muito intenso. Os edleulos realizados por Douglas R. Hofstadter (48] mostraram que os estados quanticos podem exibir wna estrutura de bandas fractal, dependendo da comensurabilidade entre o fluxo magnético por célula unitdria da rede (p) e 0 quanto de fluxo magnético (g). Se existem p/q quantos de fluxo magnético por célula unitéria, as sub-bandas de Landau dividem-se em p novas sub~bandas formando um espectro de 87Capftulo 3: Super-redes de antipontos quinticos 68 energia antosimilar. Percebeu-se ent&io a impossibilidade da realizagio de uma observagao experimental desses espectros de energia em sélidos convencionais principalmente devido A necessidade da aplicagao de campos magnéticos da ordem de grandeza de aproximadamente 10000 ‘Teslas, para se obter um quanto de fluxo magnético por célula unitéria da rede, Para superar essa dificuldade, Hofstadter [48], com base nas sugestdes de D. Lowndes (¢ outros), propés a possibilidade da fabricagio de supor-redes bidimensionais artificiais com periodos de rede consideravelmente maiores do que aqueles caractoristicos dos cristais reais, com 0 objetivo de se eviter a aplicagdo de campos magnéticos inacessiveis na pratica. O entao avango das modernas técnicas de crescimento epitaxial permitiu a fabricacio de diversos tipos de super-redes de superficie lateral, entre as quais sobressairam a3 he- teroestruturas baseadas nas jungies GaAs/AlGaAs, as quais contém o gés bidimensional de elétrons na interface se locomovendo & energia de Fermi, através do potencial eletros- tético modulado artificialmente pela periodieidade da rede. Inicialmente foram realizados estudos tedricos [49], © experimentais (50] [51] (52] em sistemas com modulagao unidimen- sional. As primeiras noticias da fabricagao e caraterizagio de super-redes de antipontos foram realizadas por M. L. Roukes e A. Scherer em 1989 [53] ¢ independentemente por K. Ensslin e P. M. Petroff em 1990 [54]. Paralelamente, outros grupos [55] [56] [57], também de modo independent, relataram o estudo experimental desses sistemas. Assim sendo, nos primeiros anos da década de 1990 iniciou-se a pesquisa experimen- tal dos sistemas de super-redes ce antipontos quanticos em heteroestruturas contendo © gés bidimensional de elétrons (2DEG). Os trabalhos iniciais buscavam na observagao experimental possiveis manifestagées de autosimilaridade na estrutura de bandas de nergia exibida pelos estados quinticos desses sistemas. © modelamento era baseado na dinémica de particulas carregadas, se locomovendo através de potenciais periédicos bidi- mensionais, gerados artificialmente na. pratica, na presenga de campos magnéticos muito intensos, aplicados de modo perpendicular ao plano do gas bidimensional. Os primeitos resultados no permitiram uma observagéo tangivel da autosimilaridade apresentada pela estrutura de bandas desses sistemas. No entanto, essas pesquisas iniciais propiciaram a ob- servagiio de outros fenémenos, ndo menos importantes, tais como um aumento aprecidvel nento de da resisténcia longitudinal na regio de campo magnético fraco (54), 0 apareciCapftulo 3:_Superredes de antipontos quanticos 69 , © surgimento de resisténcia longi- oscilagées ou picos nas medidas de magnetoresistén tudinal negativa para determinados valores do campo magnético aplicado e 0 abafamento ou “quenching” do efeito Hall (56). A observagao desses novos fendmenos tornou ainda mais propicio o desenvolvimento das pesquisas, Assim, em 1991 J. Wagenhuber e colaboradores [58] apresentaram um estudo complementar Aquele realizado por D. Hofstadter. De acordo com esse estudo nas super-redes de antipontos, o perfodo era muito maior do que 0 comprimento de onda de Fermi dos elétrons do gés 2D, portanto, a dindmica do pacote de onda aproximava-se do limite classico. Nessa situagéo, o sistema exibe um comportamento cabtico provocado pelo acoplamento nao integravel entre o campo magnético e os dois graus de liberdade. Os pesquisadores também sugerirem a relevancia de aplicar a teoria de Kolmogorov-Amold- dos fenémenos observados. Desta forma as super-redes Moser (KAM), para a explicag’ de antipontos, com perfodos de rede muito maiores do que 0 comprimento de onda de Fermi dos elétrons, passaram a ser considerados como cristais bidimensionais artificiais com dindmica semi clissica, onde os elétrons so considerados como bilhares magnéticos com movimento clissico e cadtico. O comportamento dos elétrons neste tipo de super-redes de antipontos esté estreita- mente relacionado com o movimento de particulas em um sistema conhecido na literatura cientifica como o bilhar de Sinai (59). O dithar de Sinai é um modelo tedrico proposto por Ya. G. Sinai em 1987, para o estudo da dindmica cldssica cadtica e suas manifestagdes nos espectros quanticos. Os sistemas de super-redes de antipontos tém sido objeto de intensivos estudos nos “iltimos dez anos (60, 61, 62, 63, 64, 65, 66]. Bsses estucos tem propiciado a explicagio de muitos fenémenos observados na experiéncia, no entanto, alguns deles no foram to- mula talmente entendidos. Do ponto de vista tedrico, foram realizadas tanto com- putacionais para o caso semi clissico, incluindo o complexo movimento cadtico, ¢ como tedricas reproduzem as carac- célculos mecénico quanticos. Essas duas aproximagé teristicas bisicas observaclos nos resultados experimentais, no entanto, permanece a in- certeza sobre como as trajetdrias cléssicas, as quais servem de base A descrigao semi clissica, se encaixam na deserig&o quantica.Capitulo 3:_ Super-redes de antipontos quanticos 7 70 3.1.1 Descrigao do sistema As super-redes de antipontos sio encontradas na literatura cientffica com 0 nome de um arranjo periédico super-redes ou redes de “antidots”. Flas sio, essencialment: padronizado de buracos mecanicos com forma aproximadamente cilindrica e diametro mi- croscépico, realizados por processos combinados de litografia cletronica e ataque quimico (“etching”). O padréo de forma dos antipontos é transferido de modo transversal & superficie das heteroestruturas compostas de muiltiplas camadas de materiais semicondu- tores cristalinos, as quais contém o gas bidimensional de elétrons (2DEG) em uma de suas interfaces. O proceso de gravagio dos antipontos é realizado até uma profundidade determinada, a qual permita alcancar a interface, onde esta o 2DEG. A gravagéo dos buracos retira o material das diferentes camadas semicondutoras, gerando estados superficiais carregados negativamente. A presenga desses estaclos superticiais eleva o perfil da banda de condugio entorno de cada um dos antipontos, produzindo um potencial espalhador rodeado por uma regido de deplecao a qual pode ser reduzida por iluminacdo . Esse fato, além de motivar 0 nome de antipontos, produz também uma modulagao periédica do potencial eletroststico através do qual esto se locomovendo os elétrons da banda de condugéo & energin de Fermi. Dependendo da profundidade de gravagiio, a modulagio do potencial eletrostético pode ser fraca ou forte. A modulagio fraca acontece quando a profundidade de penetragéo do ataque quimico atinge levemente a camada do gis bidimensional de elétrons sem atravessé- Jo j4, no caso da modulacdo forte a profundidade de penetragio dos antidots ultrapassa r da amplamente a regiio do gis bidimensional de elétrons penetrando bem no inte: camada do GaAs, As redes periédicas de antipontos so a realizagdo experimental na Fisica do Estado Sélido, do modelo tedrico do bilhar de Sinai, o qual, possivelmente, ¢ 0 sistema, estri- ia Shmica finita ndo aula. Os elétrons tamente mecdnico, mais simples com resistén vio considerados como particulas mecanicas pontuais, que esto se deslocando em uma rede periédica de centros espalhadores com formas de discos estritamente bidimension- ais. As trajetérias de cada uma das particulas espalhadas assemelha-se (em um sentido estatistico) ao fendmeno do caminho aleatériCapitulo 3: Super-redes de antipontos quinticos a Figura 3.1: Diagrama esquemdtico de uma heteroestrutura de AlGaAs-GaAs mostrando 0 detalhe da profundidade de penetragéo dos antipontos quanticos através do 2DEG. Figura 3.2: Diagrama esquemidtico mostrando o efeito de modulagdo do potencial elet- rostdtico devido @ presenca dos antipontos quinticos.Capftulo 3: Super-redes de antipontos quanticos _72 Nas redes de antipontos a dindmica dos elétrons é bidimensional, independente e cldssica, quando a constante de rede (a), é maior do que o comprimento de onda de Fermi dos elétrons (Ap). A dinamica destes sistemas ¢ conservativa ou Hamiltoniana, com manifestages de alta sensibilidade 4s condigoes iniciais, podendo o sistema apresen- écnicas tar a coexisténcia de trajetérias regulares e casticas. A evolugdo das modernas t de crescimento epitaxial permitem que 0 transporte dos elétrons nestes sistemas seja es- tudado dentro do regimen do transporte balistico. Isso implica que o livre carninho médio dos elétrons (Xz) 6 muito maior (~ 2 — 20m) quando comparado com o perfodo entre antipontos (a). A estrutura de bandas destes sistemas esté diretamente relacionada com a dindmica das trajetérias cletronicas, podendo eventualmente apresentar auto similari- dade, Porém, para constantes de rede significativamente maiores do que 0 comprimento de onda de Fermi, a estrutura de bandas do sistema, que estd estreitamente ligada ao movimento dos elétrons no potencial periddico, nio pode sor resolvida na experiéncia [4] 3.2 Processo de fabricagao das super-redes de an- tipontos 2D © primeiro passo para a realizagdo de uma rede artificial de antipontos é 0 crescimento das amostras. Heteroestruturas semicondutoras cristalinas contendo 0 2DEG confinado em camadas de inverséo, pogos quadrados ou parabélicos, podem ser empregadas, O procedimento de fabricagdo das super-redes de antipontos pode ser descrito nas seguintes etapas: 3.2.1 Deposig&io da camada fotoresistiva ia a elaboragdo de uma barra Hall em cada Apés 0 crescimento das amostras, ¢ necess: uma de elas para optimizar as medidas de magnetotransporte. Para isso, é necessdria a deposigio de uma camada muito fina de uma resina fotoresistiva sobre a superficie das é realizada uma limpeza apropriada das amostras para amostras, Antes da deposi siduos de gordura e outras impurezas provenientes do meio externo. A retirar possfveis res limpeza é realizada colocando as amosiras em um vaso de precipitado contendo acetona sobre um aquecedor elétrico. Com o aquecimento lento a acetona comega a evaporar,Capftulo 3: Super-redes de antipontos quanticos __ 73 arrastando os residuos de gordura, Apés o proceso de aquecimento, as mostras siio colocadas em um outro vaso de pre- cipitado contendo alcool isopropilico e, finalmente, as amostras so retiradas ¢ secadas com um jato leve de gas nitrogénio. Apés 0 processo de limpeza, a amostra esté pronta para a gravacdo da barra Hall. A primeira parte desse proceso consiste na deposigao uniforme de uma camada de resina fotosensfvel (“Photoresist” AZ1350J-KODAK "diazo- quinone/phenol”) sobre a superficie da amostra. O “Photoresist” é uma resina que perde a sua resisténcia. ao ataque quimico (“etching”) quando é exposta & radiagao eletromagnética, de comprimento de onda curto UV (ultra violeta). Para a deposigio da camada de “Pho- toresist”, empregam-se um equipamento chamado de “spinner”, 0 qual é basicamente um suporte giratério (com velocidade de rotaco de até 6000 rpm) onde sao colocadas as amostras. Blas ficam presas na superficie do suporte, devido & sucgao provocada por uma bomba de vécuo através de um capilar, como esta mostrado na parte | e 2 da figura 3.3. Quando a amostra esta girando a resina fotosensivel é espalhada sobre a amostra com um conta gotas. O efeito de rotagdo répida realiza uma distribuigéo uniforme sobre ‘amadas da ordem de 100 jem de espessura, Como alternativa, 6 a superficie obtendo-s possfvel empregar 0 polimero polimetil-metacrilato (PMMA) como resina fotosenstvel. ‘Apés 0 processo de deposigao do “Photoresist”, a amostra é colocada em um forno elétrico por aproximadamente 15 minutos em temperatura de 80° C, para fixar a resina sobre a superficie da amostra (parte 3 da figura 3.3). Depois a amostra é retirada do forno ¢ colocada em um superte apropriado para 0 proceso de gravacéo da mascara. ‘A méscara 6 um filme opaco que contém na parte central o desenho transparente e em tamanho real do negativo do formato da barra Hall (o entorno do desenho é totalmente opaco A radiagio ). Esta mascara 6 colocada diretamente sobre a superficie da amostra e fixada cuidadosamente para evitar possiveis vibragdes . Logo apés a fixagéio da mascara sobre a amostra, é0 momento de incidir-the uma radiagao eletromagnética com freqiiéncia no ultrayioleta, com uma poténcia de aproximadamente 9.0 mW/em®. Desta forma a luz penetrard na mascara através do padrio transparente da barra de Hall ¢ atingiré ‘a camada fotosensivel, fazendo com que a parte irradiada perca a suas propriedades de realizado por 1 mimuto, e produz resisténcia 20 ataque quimico. O processo de exposigio a polimerizagao das regides expostasCapitulo 3:_Super-redes de antipontos quanticos 4 2 fotoresite i a ‘a vacuo forno elétrico Figura 3.3: Primeira parte do procedimento empregado para a gravacdo de barras de Hall nas amostras contendo 0 2DEG. As irés etapas compreendem a deposigdo da camada de “photoresist"e 0 “baking”ou processo de fixagéo da resina sobre a superficie.Capitulo 3: Super-redes de antipontos quanticos 7 _% amostra Figura 3.4: Processo de polimerizagdo da regio correspondente ao negativo do padrdo da barra HallCapitulo 3:_Super-redes de antipontos quanticos 76 3.2.2 Gravagdo do padrao da super-rede de antipontos Apés da gravagio do formato da barta Hall procede-se & gravagéo do padréio da super- rede de antipontos. O arranjo de antipontos pode ser retiingular ou quacrado e deveré estar localizado em um dos extremos do canal de corrente na barra Hall. Para a gravagao ‘vel comumente, do padrao da rede de antipontos, sobre a supericie da camada fotose emprega-se a litografia por foixe eletrénico. O processo consiste na aplicagio de um feixe de elétrons de alta resolugio 0 qual pode definir qualquer tipo de formato de antiponto sobre a superficie da camada fotosenstvel. A energia dos elétrons 6 aproximadamente da ordem de 50 keV concentrados em um feixe de aproximadamente 150 A de diametro, 0 que toma possivel a gravac&o de motivos com tamanhos da ordem de ~ 0.02,em [56]. Para este estudo foram empregaclos antipontos com forte modulagio eletrostética, portanto, para a elaboragao de super-redes com essas caraterfsticas 6 necessério gravar 0 padrdo da rede através da camada fotosensivel, até o nivel do gés de elétrons. Pata este processo siio, empregados comumente dois métodos de gravagio : 0 “wet etching”e o “dy etching”. © “wet etching” ite na gravagdo das camadas de AlGaAs/GaAs Esta é uma técnica simples que coi através da camada fotosensivel por processo de ataque quimico, portanto, siio necessérios um contenedor para a solugio liquida e o material a ser disolvido. As solugdes empregadas lades de ataque ¢ dos materiais a sorem atacados. sio escolhidas de acordo com as velo Para 0 GaAs pode ser empregada a solugio de hidroxido de aménia em perdxido de hidrogénio e agua (NH,OH/H,O2/H,0) na proporgio 1:1:100, de acordo com a referéncia (67]. A técnica do “wet etching” tem algumas desvantagens em materiais que apresentam corta anistotropia ao ataque quimico, evitando um controle preciso do processo. O “dry etching” Com este tipo de processo é possivel obter tanto um baixo indice de corroséio nas amostras como um controle preciso da profundidade do ataque. Sao utilizadas as propriedades reativas de fases gasosas em plasmas para a realizagio da gravagao do padrao dos an- tipontos; normalmente esse plasma contém o tetracloreto de silicio SiC; como elementoCapitulo 3: Super-redes de antipontos quanticos 7 base. O ataque por plasma é alternativamente composto por um processo de “sputte- ring”, uma reagio quimica ou uma combinagio das duas. Q processo do “sputtering” é dominado pela aceleragio de idns energéticos formados no plasma contra a superficie das amostras. As energias tipicas dos idns so aproximadamente > 200eV. Parte do material 6 ejotado da superficie devido & transferéncia de energia e momento & superficie. 3.2.3 Gravagaéo da barra Hall ‘Apés 0 proceso de iluminagdo com luz ultravioleta, retira-se a méscara ¢ coloca-se a amostra em um vaso de precipitado (“becker”) com uma solugéo de monocloro-benzeno, material que realiza a fixagéo dos contornos do padrao gravado na resina fotosensfvel so, que leva aproximadamente 3 minutos, (definigdio das bordas). Logo apés esse proces retira-se a amostra ¢ secando~a com um jato leve de gas nitrogénio. Em seguida, a amostra é introduzida a amostra em um outro vaso com o liquido revelador. A amostra 6 pressa em uma pinga apropriada para ser deslocada suavemente dentro do vaso, até visualizar-se , com boa definigio , 0 padrao da barra de Hall. Finalmente, a amostra é colocada em um terceiro vaso contendo agua para neutralizagio da solugio reveladora, secando-a com gés nitrogénio. ‘A figura 3.5 mostra um esquema resumido em quatro passos do processo de gravagiio da barra Hall e da super-rede de antipontos em uma amostra semicondutora cristalina. Na parte (1) est a amostra coberta com uma fina camada de resina fotosensfvel. Na parte (2), a parte amarela representa o padrio da barra Hall na parte da amostra que ndo perden as propriedades de resisténcia ao ataque quimico. A parte (3) mostra 0 padrao da barra Hall transferido através das camadas da heteroestrutura pelo ataque quimico. Finalmente, na parte (4) mostra-se a super-rede de antipontos gravada por litografia de feixe eletrdnico, 3.3 Amostras empregadas no presente estudo Para este estudo da dindmica eletrénica em sistemas contendo super-redes de antipontos ndutoras contendo gases bidimensionais e foram fabricadas amostras cristalinas semi tridimensionais de elétrons, Todas as amostras empregadas neste presente trabalho foramCapitulo 3: Super-redes de antipontos quénticos 78 q) Figura 3.5: Diagrama eaquemético do processo de gravagio das super-redes de antipontos em amostras contendo uma barra de Hall, (1) amosira sem tratamento, (2) gravagio do formato da barra, (3) transferéncia do padrao da barra, obtida pelo ‘wet etching”, (4) gravagdo da super-rede de antipontos por litografia de feize eletronico e “dry etching”.Capitulo 3: Super-redes de antipontos quéinticos 79 crescidas nos laboratérios do Institute of Semiconductor Physies, Novosibirsk, Russia, através da colaboragio do Prof. A. L. Toropov. crescimento das amostras contendo 0 gés bidimensional de elétrons de alta mobi- lidade teve por objetivo a posterior fabricagio de super-redes de antipontos com padrao cireular, com diferentes periodos, para 0 estudo dos efeitos do campo magnético paralelo sobre as estruturas da magnetoresisténcia observadas nesses sistemas, na presenca de campo magnético perpendicular, Nesta proposta, o objetivo do crecimento das heteroestruturas semicodutoras con- tendo pogos quanticos parabélicos foi a posterior fabricacio de super-redes de antipontos eletronica tridimensionais, também com diferentes perfodos, para o estudo da dinami em nesses sistemas, Neste capitulo, apenas serd realizada a descrigio das heteroestruturas cristalinas semi- condutoras baseadas na jungio GaAs/Al,Gay_.As, a8 quais contém o gas bidimensional de clétrons. A descrigao dos pogos quanticos parabélicos sera feita no capitulo cinco. 3.3.1 Heteroestruturas contendo o gas bidimensional de elétrons redes de antipontos bidimensionais foram crescidas Para a posterior construgao das super quatro heteroestruturas cristalinas semicondutoras com a seguinte configuragio : sobre um substrato semi-isolante de GaAs foi depositada uma camada “buffer”de 1000 A de GaAs, soguida por uma super-rede com 20 perfodos de (ALAs)5(GaAs)10, onde 5 ¢ 10 indicam 0 niimero de mono camadas de cada semicondutor, logo, foi novamente creseida uma camada de 9000 A de GaAs seguida por 3 mono camadas de AlAs, e 800 A de Alo3Gao;As dopado com Si. Finalmente foi crescida uma camada de 100 A de GaAs dopada com Si. Em cada uma dessas quatro amostras foram gravadas batras de Hall com dez.contactos cada. A largura do canal de corrente 6 de 50 jum, 0 espagamento entre contatos de voltagem é de 100 wm, a superficie de cada amostra ocupa uma area de aproximadamente 9 msn?. Bm cada barra Hall foi gravada uma super-rede retingular de antipontos de 50 Ax 100 A com padrao circular. As periodicidades escolhidas para cada uma das 0: = 0.5 pm, 1.0 pm, 1.5 um © 2.0 pm. amostras deste estudoCapitulo 3: Super-redes de antipontos quinticos 80 GaAs semi isolante (100) Figura 3.6: Representagéto esquemdtica da estrutura de camadas de uma jungio AlGaAs/GaAs contendo o gés bidimensional de elétrons.Capitulo 3: Super-redes de antipontos quanticos 81 3.4 Caraterizagdéo das super—redes de antipontos 2D 3.4.1 Introducio Experimentalmente, o transporte nas super-redes de antipontos é caraterizado através das medidas de magnetoresistincia pes (resisténcia longitudinal) e resisténcia de Hall pry (resistencia transversal). As medidas de magnetotransporte em redes de antipontos en- volvem a presenga de um campo magnético uniforme perpendicular ao plano de movimento a natural ao modelo do dos elétrons, 0 que se apresenta como wna modificagio geomé “pilliard” de Sinai, Desta forma os elétrons, ao invés de se moverem em trajetérias retas entre duas colisées, vo se mover em circulos de raio R. = m*vp/eB, onde m* é a massa efetiva, ¢ a carga do elétron, vp a velocidade de Fermi destas partfculas ¢ B o médulo do campo magnético, ‘As medidas de magnetoresistncia, realizadas em temperaturas menores & do hélio liquido (4.2 K) nas super-redes de antipontos bidimensionais, com forma circular, apre- sentam um aumento considerivel da resistividade em rolagio & regiéo da amostra sem antipontos; além das oscilagées perfeitamente definidas da amplitude na regio de cam- pos baixos (B < 1 T). Estas estruturas séo conhecidas na literatura cientifica como oscilagdes de comensurabilidade e o seu surgimento 6 atribuido ao fato de que, em relagéo a determinados valores do campo magnético, os elétrons esto se locomovendo em érbitas clissicas comensurdveis circundando um miimero especifico de antipontos (érbitas locali- zadas), esperando-se um aumento da resistividade longitudinal em relacao a estes valores do campo magnético. Numa outra interpretagio, as oscilagdes de comensurabilidade so provocadas por tra- jetdrias fgitivas que pulam de antiponto em antiponto sob uma condigo de ressondne que acontece quando o didmetro do ciclotron 6 comensurdvel com o perfodo da super~ rede, produzindo um aumento da condutividade longitudinal e, portanto, da magnetore- sisténcia, pois ambas séo proporcionais. Fleischmann, Geisel, e Ketzmerick [68], através da realizagio de simulagdes computacionais, demonstraramn que as oscilagées dle comensu- rabilidade so principalmente produzidas pela fungao de correlagao de movimento castico no perturbado, 0 qual reflete a presenga de ressondncias nao lineares. De acordo com esta teoria, as trajetérias cadticas presas tempordriamente na vizinhanga das ilhas de es-Capftulo 3: Superredes de antipontos quénticos 82 tabilidade, em valores comensurdveis de B, sio as responséveis pela contribuico principal aos picos de comensurabilidade. Alémn das oscilagées de comensurabilidade nas medidas experimentais de magnetore- sisténcia longi- sisténcia, é também observada uma regiéo com uma forte diminuigio na r tudinal. Este fendmeno também conhecido como magnetoresisténcia negativa, ¢ causado pelo incremento do mimero de érbitas localizadas com o aumento da intensidade do campo magnético. O fendmeno de localizagao retira do transporte uma quantidade considerdvel de elétrons, provocando a diminuigéo na resitividade longitudinal, 3.4.2 Equipamento utilizado Facilidades do LNMS Para a realizagio das medidas de caracterizagio por magnetotransporte foram empre- gadas as facilidades presentes no LNMS. O equipamento principal consiste nos seguintes elementos: ‘¢ Um pre-amplificador da voltagem diferencial modelo EGG 5186 Princeton Applied Research. Este equipamento é utilizado para realizar 0 primeito estagio de ampli- ficagio dos sinais de tensio provenientes dos contatos de voltagem longitudinal V;= ¢ transversal Vay. * Um amplificador "lock-in”modelo EGG 5210 Princeton Applied Research. Este equipamento recebe o sinal do pre-amplificador ¢ continua © proceso de ampli- ficagio e rejecio de ruidos cletromagnéticos indesejados. Simultancamente também € utilizado para aplicar uma corrente Isp alternada da ordem de 1 V As amostras. ‘© Um multimetro programable modelo Hewlett Packard 344014, Emvia o sinal de voltagem amplificado a0 computador. ¢ Uma fonte de corrente programable modelo Keithley 224. Est conectada a um diodo emissor de luz para a iluminagao das amostras. ‘© Um sistema magnético supercondutor modelo Oxford com sistema V'TI(Variable ‘Temperatura Insert). Fornece campos magnéticos de até 17 J em temperaturas da ordem de 1.5 K.Capitulo 3:_Super-redes de antipontos quanticos 83 pre-amplificador (GPIB IEEE-488 suporte rotatério —py Amplificador lock-in voltimetro rocuperagiio Dbomba de vécuo idle apoeeae Figura 3.7: Representagdo esquemdtica do equipamento experimental empregado na ca- racterizagdo experimental por magnetotransporte. ‘© Uma fonte de corrente programable para a bobina supercondutora modelo Oxford. IPS120-10. ‘© Um controlador de temperatura programable para o sistema VTI modelo Oxford ITC-503. © Um controlador de nfvel de helio-4 e nitrogénio modelo Oxford ILM-211. © Um computador para control de procesos e aquisigio de dades. O sistema magnético supercondutor possibilita a obtengio de campos magnéticos da ordem de 17 Teslas em temperaturas da ordem de 1.5 K. A figura 3.7 mostra um esquema com a disposicéo dos principais instrumentos ¢ equipamentos empregados no processo de caracterizacio . proceso de controle automatico dos equipamentos e a aquisicéo numérica de dados cexperimentais foi realizado através de um programa computacional ¢ de um computa-Super-redes de antipontos quénticos 84 Capitulo dor. Para @ comunicagio digital entre os instrumentos ¢ equipamentos foi empregado 0 ” bus" GPIB-IEEE-488, Para a realizagio das medidas de magnetotransporte em campo magnético inclinado O aparelho deson- foi realizada a construgao de um porta amostras com suporte rotatéri hado para esta pesquisa foi fabricado com 0 apoio dos técnicos do LNMS. A construgiio permitin a realizagio de medidas com diferentes angulos de inclinago entre 0 campo magnético e @ normal & superficie das amostras. A figura 3.8 mostra na parte superior um diagrama esquemético do sistema de engrenagens acoplados & mesa giratéria sobre a qual séo colocadas as amosiras. Na parte inferior da figura 3.8 é mostrada uma fotografia do sistema incluindo uma amostra ¢ 0 diodo emisor de luz empregado para iluminar as amostras no interior do sistema magnético supercondutor. © suporte rotatdrio, é constituido basicamente de uma plataforma de teflon de 10 x 13 em de superficie. Esta plataforma serve de base para colocar as amostras ¢ esté atravessada por um eixo metdlico que contém uma engrenagen num dos extremos. Essa engrenagen est acoplada a um parafuiso sem fim, o qual vai permitir 0 controle remoto do Angulo de giro da plataforma de teflon. O controle remoto é importante porque o movimento da plataforma ser controlado mecanicamente, desde o exterior do sistema magnético supercondutor. O suporte rotatério esta conectado com o exterior do sistema magnético supercondutor através de um tubo de PVC (poli-cloreto de vinila) de 2.5 em de diémetro. No interior do tubo encontra-se um arame metélico nio magnético unido com o parafuso sem fim, o qual 6 controlado com um outro parafuso unido a uma escala graduada. O sistema de suporte para permite variar o Gngulo de inclinagdo das amostras com uma preciso de 2.0 graus, A fiagio elétrica permite também a iluminagio das amostras no hélio liquido através do diodo emissor de luz. Facilidades do GHMFL-CNRS 15 importante salientar que uma parte importante das medidas de magnetotransporte des- critas nesta tese foram realizadas através das facilidades fornecidas pelo High Magnetic Field Laboratory, Grenoble, Franca. No capitulo cinco seréo mostrados 0s resultados de medidas experimentais relacionadas com o estudo da influéncia do campo magnéticoCapitulo 3: Super-redes de antipontos quanticos 85 Figura 3.8: A fotografia mostra o extremo inferior do sistema de suporte rotatério para ‘as amostras. Observa-se em primeiro plano a mesa de teflon, sobre a qual encontra-se uma heteroestrutura cristalina; observa~se também o diodo emisor de luz empregado para iluminagdo , 03 contatos elétricos ¢ o sistema de engrenagens.Capitulo 3: Super-redes de antipontos quénticos 86 Figura 3.9: Detalhe da parte superior do sistema de suporte. Mostra-se a caina de contatos € 0 parafuso com escala graduada para o controle do dngulo de giro. paralelo, sob as oscilagdes de comensurabilidade em super-redes de antipontos bidimen- sionais. Para a realizagao , dessas medidas foi necessaria a aplicagao de campos magnéticos com intensidades de ate 30 'T. Esse tipo de experimento foi possivel através do emprego de magnetos resistivos. Esses ‘magnetos resistivos sfio fabricados com solenoides de cobre em diferentes formatos poli~ helicoidais. Para a realizagio das medidas de transporte com campo magnético da ordem de 30 T, em uma bobina da 12MW, ¢ fornecida uma tensao da ordem de 400 V, com co- rrentes da ordem de 30000 A. Esta corrente é fornecida As bobinas através de retificadores de poténcia com estabilidade da ordem de 10 ppm em um perfodo de tempo de aproxi- madamente 10 minutos. A refrigeracao dos magnetos é realizada através da cireulagio de Agua desionizada e desoxigenada com fluxos da ordem de 1000 m*/h em uma bobina de 20 MW. ‘Também foram realizadas algumas medidas com o sistema de reftigeracao por diluicao do GHMFL. O refrigerador por diluicio pode atingir temperaturas da ordem de alguns mK acima do zero da escala de temperatura absoluta. O principio desse sistema foiCapitulo 3:_Super-redes de antipontos quanticos 87 Temperatura (K ) Fragao molar de He-3 na mistura (" Figura 3.10: Diagrame de fase de uma mistura liquida de helio em baizas temperaturas. sugerido por F. London, em 1950, quando ficou evidente que a mistura liquida de dois isétopos de hélio 3He e 4He sofre uma transicao de fase em temperaturas menores de 1K. A figura 3.10 mostra o diagrama de fase de uma mistura de hélio Liquide. Demonstra~se que o esfriamento por diluigdo somente pode acontecer embaixo da mais alta temperatura da composigéo instével, 0 ponto tricritico. A mistura pode tornar-se, um liquid nor- mal, um liquido de Fermi, um superfluido ou uma combinagao dos dois, dependendo da concentragéo média ¢ da temperatura. 3.5 Medidas de magnetoresisténcia nas super—redes de antipontos 2D Como foi explicado no inicio deste capitulo, foram fabricadas amostras contendo super redes de antipontos bidimensionais com quatro periodicidades, a = 0.5, 1.0, L5pm, 2.0 jm. Agora, serio apresentados as medidas de magnetoresisténcia comparativa das quatro amosiras empregadas no estudo da influéncia do campo magnético paralelo sobre as super-redes de antipontos 2D,Capitulo 3:_Super-redes de antipontos quanticos 88 As figuras 3.11, 3.12, 3.13 e 3.14 mostram os resultados das medidas de magnetore- sisténcia pz., realizadas na configuragiio de campo magnético perpendicular, em tempe- raturas entre 1.4 ¢ 1.5 K, para as quatro amostras contendo super-redes de antipontos jo baseadas em bidimensionais com diferentes periodicidades. Todas as quatro amostra jungdes de AlGaAs/Gads. A figura 3.11 mostra duas medidas de magnetoresisténcia realizadas na mesma amostra em temperatura de 1.4K. A linha azul indica o resultado da resisitividade longitudinal pq realizada na regio da amostra sem antipontos. Na regio de campo baixo a curva apresenta um comportamento linear e logo em seguida aparecem a5 oscilagies de Shubnikov-de Haas designadas por SdH. A linha vermelha re- presenta a medida de magnetoresisténcia na regio da amostra que contém a super-rede de antipontos circulares com periodicidade a = 0.5 wm, de ambas as figuras observa-se 0 aumento considerdvel da resisténcia Da comparagi Iongitudinal na regifio da amostra com antipontos em relagéo & regio da amostra sem antipontos, Observa-se também o aparecimento de dois picos bastante proeminentes, sendo que 0 maior corresponde A condigéio de comensurabilidade Re = a/2 ¢ 0 outro & s do que 1.5 T, as oscilagies Re = 17a. Para valores do campo magnético B maior SdH apresentam uma coincidéncia de periodo ¢ amplitude, indicando que, para valores grandes do campo magnético, a mobilidade intrinseca da amostra é preservada na regio entre antipontos. O mesmo fendmeno pode ser observado em todas as amostras. As figuras 3.12, 3.13 ¢ 3.14 representam a mesma comparagéo de medidas descritas para a figura anterior mas, desta vez para as amostras com perfodos a = 1.0 jum, a 1.5 pm, ¢ @ = 2.0 pm, respectivamente. As amostras com perfodos a = 0.5 um e a = 1.0 im apresentam somente dois picos de comensurabilidade, no entanto, as amostras com perfodos maiores, a= 1.5 um ¢ a= 2.0 jm, apresentam até quatro picos cada uma. Esse fendmeno esté de acordo com 0 observado por outros pesquisadores [56] e deve~se ao fato de que, para maiores valores da razdio do difmetro dos antipontos & energia de Fermi, ein relagéo ao perfodo da super-rede d/a, o mimero de trajet6rias regulares e localizadas ¢ fortemente incrementado. No capftulo cinco, referente ao estudo da dindmica do elétrons neste tipo de super-redes ¢ sob a agio de campo magnético paralelo, sero apresentadas as posicdes dos picos e os parmetros de transporte obtidos das medidas experimentais.Capitulo 3: Super-redes de antipontos quanticos 89 —— regitio sem antipontos —— regio com antipontos T=14K a=0.5 um 1.0 Figura 3.11: A figura mostra os resultados de duas medidas de resisténcia longitudinal em campo magnético perpendicular realizadas em temperatura de 1.5 K, para uma amostra de antipontos bidimensionais de perfodo a = 0.5 jum.Capitulo 3: Super-redes de antipontos quénticos 90 3.5 regiaio com antipontos regidio sem antipontos 3.0 a=10pm,T=15K 25+ = oo : 2.0- = x 15 a 1.04 0.5 ; : ' 0.0 02 04 0.6 Campo magnético (T) Figura 3.12: A figura mostra os resultados de duas medidas de resisténcia longitudinal em campo magnético perpendicular realizadas em temperatura de 1.5 K, para uma amostra de antipontos bidimensionais de perfodo a = 1.0 ym.Capitulo 3: Super-redes de antipontos quanticos - 1 0.84 —— regiaio com antipontos —— regiao sem antipontos ,, (100 10) 0.2 0.4 0.6 0.8 a magnético (T) Figura 3.13: A figura mostra os resultados de duas medidas de resisténcia longitudinal em campo magnético perpendicular realizadas em temperatura de 1.5 K, para uma amostra de aniipontos bidimensionais de perfodo a = 1.5 wm.Capitulo 3:_Super-redes de antipontos quinticos 9 0.6 4 ——— regiaio com antipontos regiao sem antipontos a=2.0um, T=15K SdH p,, (#100 2/0) i 0.24 00 02 404 06° O08 Campo magnético (T) Figura 3.14: A figura mostra os resultados de duas medidas de resisténcia longitudinal em ‘campo magnético perpendicular realizadas em temperatura de 1.5 K, para uma amostra de antipontos bidimensionais de perfodo a = 2.0 um.Capitulo 3: Super-redes de antipontos quanticos 93 3.6 Conclusdes Foi realizada uma descri¢&o das propriedades fisicas das super-reces de antipontos em sis- temas cristalinos semicondutores contendo o gis bidimensional de elétrons. Dentro desta descrigdo foi realizada uma revisio resumida sobre os fatos que marcaram a descoberta desses sistemas, e sobre o atual estdgio alcangado nas pesquisas Também realizou-se a descricg&o detalhada dos processos de construgao e caracterizagio das super-redes de nensionais utilizadas ueste estudo da dindmica eletrénica, quando sub- antipontos bidi metidas a agdo de campo magnético paralelo muito intenso. Os resultados desse estudo estiio detalhados no capftulo cinco.Capitulo 4 Introduc&o ao caos nos sistemas dinamicos 4,1 Sistemas dindmicos nao lineares ‘A proposta deste capitulo é apresentar uma deserigio resumida acerea do formalismo matematico aplicado no estudo dos sistemas dindmicos nao lineares, com o objetivo de fazer uma exposigdo sucinta da teoria classica de sistemas Hamiltonianos integraveis e nao integrdveis, onde existe coexisténcia de movimentos easticos e regulares os quais se mistu- ram de forma complexa e fascinante. O formalismo descrito neste capitulo é a base para melhor compreender 0s mecanismos de transporte que acontecem nas heteroestruturas semicondutoras contendo super-redes de antipontos quanticos. A ciéncia néo linear compreende o estudo de sistemas fisicos e matemBAticos que ap- resentam comportamento nao linear, Os sistemas fisicos lineares apresentam, de modo goral, movimentos com caréter regular na dimensio espago-tempo. Tais movimentos po- dem ser descritos totalmente através de fungdes bem comportadas, no entanto, os sisternas de movimentos muito fisicos nao lineares freqiientemente apresentam transigdes que regulares a comportamentos altamente complexos ou de cariter aleatério, Se um sistema ir néo linear 6 cadtico, entiio, pequenas mudangas nas condigées iniciais podem condw/ a severas alteragées do seu comportamento posterior. Os sistemas dinémicos em geral podem ser classificados através da consideragio da sua evolugio energética temporal, Quando a energia de um sistema fisico evolui no decorrer do tempo o sistema é denomi- 94Capitulo 4: _Introdugiio_ao caos nos sistemas dindinicos 95 nado dissipative, mas, se a energia do sistema permanece constante através do tempo, ma, conservative ou Hamiltoniano. Na andlise da dindmica do gis ele 6 denominado sist bidimensional de elétrons se locomovendo nas super-redes de antipontos, considera-se que no existe dissipagio de energia [69], portanto, o sistema ¢ tratado como conservativo. 4.1.1 Sistemas dindmicos casticos Do ponto de vista da matemética, 0 termo caos refere-se ao estudo qualitativo do com- portamento instdvel e aperiddico mostrado por diferentes tipos de sistemas dinamicos deterministicos nao Tineares. O caos 6 definido como qualitativo no sentido de que porque ele procura pelo cardter geral dos sistemas de comportamento a longo prazo, ao invé: de procurar por previsées numéricas sobre um estado futuro. Os sistemas cabticos sio instdveis a ponto que eles tendem a nao resistir a qualquer perturbagio externa, no en- istemas sio deter- tanto, eles reagem em modos muito significativos. Esses tipos de s ministicos porque estiio compostos de umas poucas equacées diferenciais e nao fazem referénoia a mecanismos implicitos de aleatoriedade Um sistema dinamico é aquele que possui uma evolugio deterministica, no sentido em que seu movimento futuro é determinado pelo seu estado atual ¢ a sua historia passada. Um sistema dindmico que exibe comportamento cadtico é caraterizado principalmente por uma alta sensibilidade a pequenas diferongas nas condigies iniciais. De modo con- ceitual, pode-se dizer que as manifestagées de caos nos sistemas fisicos compreendem a sobreposigao de um méimero muito grande (infinito) de movimentos periédicos. Isso quer ‘ema cadtico pode passar um periodo de tempo muito curto num movi- dizer que um sis mento quase periddico e logo pode evoluir a um outro movimento periédico com perfodo diferente do anterior, e assim por diante. Essa transigdo entre movimentos periédicos instdveis produ a sensagio de aleatoriedade total, porém, existe ordem, jé que 0 caos na natureza 6 deterministico ¢ nao aleatério. 4.1.2 Sistemas dindmicos conservativos ou Hamiltonianos A evolugao de tum sistema conservative, no decorrer do tempo, é completamente especifi- cada por uma simples funcao , o Hamiltoniano H(p, 4, t). O estado do sistema é especifi- cadlo pelo momento p e a posigao q. Os vetores p e q poster a mesma dimensionalidade,femas dindmicos Capitulo 4: _Introducao_a0 caos nos a qual sera denotada por n, ¢ indicard o ntimero de graus de liberdade do sistema. A partir do Hamiltoniano do sistema, o qual representa a energia, total, sdo obtidas 2n equagies Giferenciais que descrevem a evolugio temporal dessas varidveis: 205 gy = OH (PisPe- Pon fry fo) a OD: : oH Psy, = OH (PirPa Pas Qs Qandn) (4.2) 4 do sistema é obtida através da resolugio desse conjunto de equagées. No caso em que o Hamiltoniano no tem dependéncia temporal explicita H = H (p,q), as equagies de Hamilton implicam que a energia to- tal do sistema E = H(p,q) 6 uma grandeza conservada ¢, portanto, as drbitas de uma determinada energia B sao obrigadas a permanecer sobre uma superficie de ener- gia (20 ~ 1) dimensional # = H'(p,q). Para um sistema com Hamiltoniano H, uma funcdo f (p,q) € definida como uma constante de movimento se a medida que p(t) e ¢(t) evoluem no tempo de acordo com as equagdes de Hamilton, o valor da fungao f ndo muda (f (B,4) = ete), de modo geral a dependéneia temporal de f ¢ expressa por: dof, da af _ AMAT _ PHF _ iy (43) a Udp* bq Ip aq Hy Sp a expresso [f, H], denota 0 “bracket”de Poisson de f em H. A condigéo de que f seja uma constante de movimento para um Hamiltoniano independente do tempo é: (/, A] =0. (44) 4.1.3. Sistemas integrdveis Um sistema Hamiltoniano independente do tempo 6 integravel se ele possui n constantes de movimento globais independentes fi(p,4), ¢ = 1,2,...n {uma dessas constantes ¢ 0 mesmo Hamiltoniano, o qual foi selecionado como a constante com i = 1, de tal forma que fi(p, 9) = H(p,q)), além disso: (fi fl=9 (4.5) para todo ie j. De acordo com a equacdo 4.4, 0 “bracket”de Poisson de f com f, é zero para todo N, pois 08 f; so constantes de movimento. As constantes de movimento fi sfioCapitulo 4: _Introdugao_ao caos nos sistemas dinamicos 97 Figura 4.1: Diagrama esquemdtico que mostra a restrigdo na topologia da superficie para um sistema com dois graus de liberdade n= 2, a linka continua preta, indica a evolugdo de uma trajetéria sobre 0 toroide T?. independentes se nenhuma delas pode ser expressa em fungao das outras n—1 constantes, A condigao de integrabilidade implica que as trajetdrias do sistema no espago de fases estejam restritas ao deslocar sobre uma superficie toroidal n-dimensional: i (P, 4) = Fay (4.6) onde i = 1,2,...m, ¢ hy sion constantes. No caso particular de um sistema a dois graus de liberdade (n = 2), a topologia da superficie 6 um toroide do tipo mostrado na figura 4.1. Uma das proptiedades mais importantes dos sistemas integraveis é que nao apresentam a componente castica. © comportamento do sistema é perfeitamente previsivel ¢ regular 4.1.4 Sistemas nao integraveis Ao contrério dos sistemas integrdveis, nos sistemas Hamiltonianos nao integriveis 0 niimero de constantes de movimento é inferior ao mimero de graus de liberdade, por- tanto, eles podem apresentar, simultaneamente, as componentes regular e caética, sendo a proporgao de cada uma delas determinada pela dinamica do sistema. Neste caso asCapftulo 4; Introdueao_ao caos nos sistemas dindmicos, 98 trajetérias podem evoluir para o exterior das superficies que as restringem. A medida que 6 grau de nao integrabilidade aumenta os toros sao deformados podendo eventualmente ser destrusdos. 4.1.5 Os expoentes de Lyapunov Dentro dos sistemas dindmicos é possivel obter uma medida da sensitividade As condigdes iniciais através do célculo do expoente de Lyapunov Ay. O expoente fornece uma medida nvergéncia) de duas trajetérias vizinhas ou quantitativa da razdo de divergéncia (ou estados iniciais, x ¢ x-+e, apés um ntimeron de iteragbes . A divergéncia dessas trajetérias pode ser caraterizada aproximadamente por: én wee, (4.7) onde 0 expoente de Lyapunov fornece a taxa média de divergéncia (ou convergéneia) pro- mediada sobre um ntimero raaoavel de condigées iniciais espalhadas ao longo da trajetér Quando Ao é negativo, duas trajetdrias afastadas por un diferencial de deslocamento ten- derdo a convergir no decorrer da evolugiio do tempo ¢ o sistema é considerado nao caético. Se Ao 6 positivo, duas trajetérias muito préximas iro divergir apés um niimero de iteragdes ; @ essa evolugdo sensivel &s condigées iniciais é considerada castica. Considerando um sistema especifico dado por trai = f (tn), a diferenga entre dois estados iniciais muito proximos, apés 0 n-ésimo passo de iteragéo , ¢ escrito como: P'(ate) — f(a) ee", (4.8) ou pela expressio, (4.9) (4.10) Finalmente, através da aplicagio da regra da cadeia para a avaliacio da derivada da n-ésima iteragdo , e tomando o limite quando n tende ao infinito, obtém-se: do at lim 2S als (oh (4.11) = nateCapitulo 4: Introduedo ao caos nos sistemas dindmicos 99 portanto, 0 expoente de Lyapunov fornece a taxa de alargamento ou contragio , por iteragio , promedidada ao longo da trajetéria. Para mapas n-dimensionais existem n na ocorre em cada eixo, e, para sistemas expoentes de Lyapunov porque a evolugio do sist caéticos pelo menos um dos expoentes é positive. ‘vema no qual duas trajetérias, inicialmente muito Um exemplo particular de um préximas podem apresentar divergéncia exponencial no decorrer do tempo so as super s de duas particulas redles de antipontos bidimensionais, A figura 4.2 mostra as trajetdri partindo do ponto inicial (21,91) = (0.5,0.3) e (22, ye) = (0.5,0.301), apés 2000 passos de iteragio , quando foi aplicado um campo magnético que produz umn radio do ciclotron igual & metade do perfodo da rede Re = a/2 4.2 Bilhares 08 movimentos livres & © termo bilhar surgiu como um modelo no qual considerava-s cléssico de uma particula em um dominio planar, através de colisdes miltiplas com os contornos do meio. Esta é a definig&io mais simples do modelo do “problema da bola de bilhar” considerado por G. D. Birkhotf [1] no trabalho relacionado com a teoria dos sis- temas dindmicos. Um bilhar pode ser descrito por um mapa de deslocamentos (“bouncing map”), 0 qual especifica a evolugao da posigao ¢ da velocidade entre as sucessivas colisées. Dependendo das formas ¢ dos contornos do sistema, esse modelo simples pode exibir dife- rentes comportamentos. Por exemplo, quando os contornos de um bilhar possuem forma circular o sistema é integravel, porém, quando o bilhar tem a forma de um estadio, 0 sistema é ergédico. Portanto, 6 esperado, que para, uma categoria genérica de formato de contorno ocorra a coexisténcia de drbitas periddicas, quase-periddicas e cadticas. Sistemas compostos de bilhares tém desenvolvido um rol muito importante na teoria ergédica dos sistemas dindmicos. Por um lado, os bilhares correspondem aos primeiros modelos que inspiraram a criagio da teoria ergédica de Boltzmann ¢ Gibbs, por outro lado, 0s bilhares fornecem 0 modelo mais visivel de sistemas dindmicos néio uniforme- mente hiperbélicos. As propriedades cadticas de um sistema dindmico de origem fisico sio geradas pela hiperbolicidade. Algumas vezes a hiperbolicidade refere-se a uma sitiva dependéngia ds condigées iniciais. Isso implica que, duas trajetérias inicialmenteCapitulo 4: Introdugiio_ao caos nos sistemas dindmicos 100 Figura 4.2; Evolugdo de duas trajetérias, inicialmente separadas por um diferencial de ocamento dy = 0.02, em um sistema de bithares bidimensionais, INSTITUTO DE FISICA Servigo de Biblioteca ¢ Informagao Tombo; __< ( pb |Capitulo 4: Introdugio ao caos nos sistemas dinamicos 101 Figura 4.3: Curva de contorno r(y) de um bithar cireular. Mostra-se uma parte de uma trajetdria, juntamente com as coordenadas s(:g) (comprimento do arco), ¢ peos(a) (a é 0 ngulo entre a trajetéria e a tangente no ponto de inpacto com 0 contorno. muito préximas divergem exponencialmente no espaco de fases no decorrer do tempo, O exemplo mostrado na figura 4.3 descreve uma partfeula pontual se deslocando sem. atrito em um billar planar confinado por um contoro circular r(). Entre sucessivas colisdes com os contornos do meio, a particula se locomove ao longo de linhas retas, com velocidade constante. Em cada uma das colisées o Angulo de incidénci 6 sempre igual 0 Angulo de reflexdio. Nos sistemas de bilhares aplica-se a técnica de mapeamento de Poincaré para representar os pontos de cada colisfio entre a partfcula ¢ os contornos, através dos valores da projecio da trajetéria p = cas(a) sobre a tangente ao ponto de colisdo, e 0 comprimento de arco: sly) = zp vPorrwTaFee, (412) dividido pelo comprimento total L do curva do contorno. Desta forma a dinamica temporal, inicialmente continua, é substi uida por uma dindmica disereta. O mapeamento relaciona os dados da n-ésima colisiio Py SnyPn) com aqueles da proxima colisio Pay1 = (3n41,Pn+1) através da equagio : y=) (x9 preservando a area, quando so empregadas as varidveis (s,p). A forma do termo T’ podeCapitulo 4: _Introdugio_ao caos nos sistemas dinémicos 102 Figura 4.4: Geometria ¢ coordenadas para as drbitas de Larmor em um bilhar convero. variar em complexidade, em fungio da forma espectfica do bilhar. 4.3 Bilhares magnéticos troduzidos pelos matematicos como modelos ideais, os icos do Es- icialmente Os bithares foram i quais, posteriormente, ao serem realizados em forma experimental pelos Fé cidos como bilhares eletrénicos ou bilhares magnéticos. A tado Sélido, ficaram conh realizagio experimental dos bilhares em sistemas cristalinos semicondutores possibilita a icos, semi-classicos on quénticos da mecdnica, do sistema, consideracio dos aspectos cli © atual estado de aperfeigoamento aleangado nas técnicas de litografia eletronica tem permitido a redugio das dimensées dos bilhares eletronicos, possibilitando a observagio da evolugao da dindmica, desses sistemas em diferentes escalas de tamanho. Uma das categorias de bilhares, a qual tem propiciado 0 estudo e compreensio do emas a simplicidade na formulagao aos, sio os bilhares magnéticos, Neste tipo de ¢ modelamento da dindmica permite o estudo de bilhares com diferentes geometrias, podendo passar, gradualmente, do um sistema totalmente integrdvel para um sistema, completamente caético, e desta forma pode-se analisar 0 comportamento desses sistemas A medida que o grau de nao integrabilidade aumenta. Um bilhar magnético pode ser descrito como composto por uma partfcula clssicaCapftulo 4: _Introdugao 20 caos nos sistemas dinamicos_ (“bola de bilhar”) com massa me carge.q se locomovendo com velocidade v em uma regitio planar com contornos convexos, suaves perfeitamente refletores. Um campo magnético com intensidade B 6 aplicado de foma perpendicular & regio planar, fazendo com que as érbitas resultantes sejam formadas por arcos de circunferéncias com raio de Larmor R = mu/qB conectados por reflexdes especulares nos contornos do sistema. Esse tipo ema permite analisar a geometzia das érbitas e a dependéncia da regularidade ou de si caoticidade que elas apresentam, em funcio do raio R, para uma forma particular de contorno (70, 71) A figura 4.4 mostra a geometria e as coordenadas para as érbitas de Larmor em um bilhar com contornos convexos. As érbitas sio areos de cfreulos com raio R girando em sentido horério. A diregdo de emergéncia apés uma colisto é designada pelo Angulo © medido entre a tangente A drbita ¢ ao contorno, de forma que 0 < © < m. A caracteristica principal dos bilhares magnéticos ¢ que 0 padrao de movimento depende do valor do raio Rem relagio ao raio de curvatura do contorno, Para um R determinado, 0 espago de fases 6 dominado pelas érbitas fechadas mais curtas. Levando em consideragio , o regime limite de campo magnético forte R + 0, o movimento consiste de pequenos pulos o qual implica um espagamento muito curto entre reflexes sucessivas, fazendo o movimento se tornar quase integrével. 4.4 Mapas de Poincaré Uma ferramenta muito eficaz para examinar o movimento dos sistemas dindmicos sfio os mapas de Poincaré, também conhecidos na literatura como superficies de segio . Um mapa de Poincaré para um sistema dindmico composto por equacées diferenciais, é 0 mapea- mento determinado pela intersegdo de todas as possiveis trajetérias do sistema no espago de fases T com um outro sub espago de mais baixa dimenséo, onde os sucessivos pontos no mapeamento sio determinados pelas sucessivas intersegbes das trajetérias individuais. Considerando § como uma superficie n ~ 1-dimensional transversal as trajetdrias de um sistema dinamico, considerando também, um ponto zp, em S, em ¢ = 0, & medida que a trajetéria inicializada em zo evolue no tempo, eventualmente, ela retornaré a S, em 21, apés um certo perfodo. Considerando todos os pontos iniciais sobre S, pode-se definir 103Capitulo 4: Introducio_ao caos nos sistemas dinimicos 104 Figura 4.5: Diagrama esquemdtico da construgdo de um mapa de Poincaré para um sis- tema conservativo ou Hamiltoniano a dois graus de liberdade. um mapeamento P a partir de $ sobre si mesma de modo que: P(ao); (4.14) em modo geral, apds k + 1 iteragdes : Tee = Play), (4.15) onde P 6 chamado 0 mapa de retorno ou mapa de Poincaré do sistema dindmico. Como exemplo da aplicagio dos mapas, ha o caso dos bilhares eletrénicos bidimensio- nais. les sfo sistemas a dois graus de liberdade n = 2, onde quatro varidveis dinamicas, Gory, Pa Pyy Aescrevem 0 movimento do sistema no espaco de fases. Como este 6 um sis- tema sem dissipagao de energia o mtimero de varidveis pode ser reduzido a trés através da aplicagaio do principio de conservagao da energia, sendo, portanto, necessétia uma repre- sentacao tridimensional para analisar a evolugio de todas as trajetérias no espaco de fases T. Mas, se a técnica do mapeamento de Poincaré for utilizada, essa representacio tridi- mensional poder ser redurida a uma representagio num espaco bidimensional, facilitando a andlise e interpretacio das trajetérias,Capftulo 4: _Introdugdo a0 caos nos sistemas dindmicos 105 4.5 Modelamento da dinamica eletrénica classica nas super-redes de antipontos na presenga de campo magnético perpendicular 4.5.1 Antipontos em sistemas bidimensionais Para estudar o comportamento dos elétrons nas super-redes de antipontos e ma presenca, de um campo magnético aplicado em forma perpendicular & interface do gas bidimensional de elétrons, considerar-se que 0 comprimento de onda dos elétrons & energia de Fermi (Ar ) 6 muito mator quando comparado com o periodo (c) entre antipontos. Desta forma 0 elétrons sero tratados como particulas clissicas pontuais se locomovendo através do potencial eletrostitico modulado, a velocidade de Fermi. Neste tipo de sistema nao existe dissipacdo de enorgia, portant, trata-se essencialmenie de um sistema conservativo ou Hamiltoniano. A desericao da dinamica do sistema é feita através do modelo proposto por Fleischmann ¢ colaboradores [68], onde a energia total do sistema ¢ expressa através do Hamiltoniano de particula simples: eH oe H= steal +U ey), (4.16) onde p 6 0 momento da particula, ~e 6 a carga do elétron, U (x,y) ¢ 0 potencial eletros- tético ¢ 0 potencial vetor é expresso por: Be 2 A=| 2 (4.17) 0 Em termos do potencial vetor, a energia total do sistema é expressa por: eBy\* | 1 eBa\* H= = (r+ 8") +e (Pet +U (a,y) (4.18) onde a modulag&o do potencial eletrostético gerado pela rede de antidots é modelado U (ey) =U [os C2) cos (=) (4.19) através da expresso:Capitulo 4:_Introdugio_ao caos nos sistemas dinimicos trajetdria 2 trajetéria 1 potencial suave potencial duro Figura 4.6: (a) Potencial eletrostitico suave calewlado através da equagiio 4.19. (b) Po- tencial eletrostético de paredes inpenetrdveis (potencial duro). sendo Up 0 fator de amplitude do potencial eletrostatico, a @ 0 periodo entre antidots © 0 expoente # controla o grau de dureza do potencial. A figura 4.6 mostra a topolo- gia do potencial eletrostiitico calculado através do emprego da equagio 4.19 para dois valores diferentes da amplitude méxima do potencial ¢ do parametro 8; mostra somente © potencial até a energia de Fermi. A parte (a) da figura 4.6 mostra 0 potencial elet- rostético calculado para um valor de Uy = 1.8Ep e 6 = 6. Este tipo de potencial é stave ¢, portanto, os elétrons conseguem penetrar levemente na regidio dos antipontos. A parte (b) da figura 4.6 mostra o potencial eletrostético calculado para Up = 100.0By ¢ 8 =50. Este é um modelo de potencial duro, onde os elétrons realizam colisses totalmente clisticas sem penetrar na regidio dos antipontos. Ambos os potenciais foram calculados, aproximadamente, para uma mesma razio d/a & energia de Fermi. Para a realizagao das simulagdes computacionais foi conveniente trabalhar com 0 Hamiltoniano adimensional. Portanto, foram empregadas as seguintes sustituigoes: 2 EG, (4.20) 4, o periodo entre antipontos, é empregado para escalar as coordenadas de posigao, (4.21) 106Capitulo 4: _Introdugao_a0 caos nos sistemas dindmicos 107 a energia de Fermi 6 empregada como unidade natural de energia, t 7: (4.22) 6 tempo é escalado por 7», ae 6 0 tempo que um elétron gasta para percorrer 0 perfodo da rede a viajando & velocidade de Fermi (Er), = (Se : (4.23) o \2Ee para o campo magnético, realizamos a substituigao: B By (4.24) onde By 60 valor de campo magnético, para o qual o valor raio do ciclotron R, é a metade do valor do periodo da rede de antipontos (a/2). 2(amBn)t 7 By= (4.25) Em termos destas novas unidades o Hamiltoniano do sistema transforma-se da forma, seguinte: 8 2 Soe eee Ot ae om i= (« + a) + (m- zB) +0(@,i). (4.26) [A dependéncia temporal das varidveis pode ser deduzida das quatro equacées de Hamil- ton para um sistema com quatro grados de liberdade: up = 2 ( + =) ; (4.27) (4.28) (4.29) (4.30) 4.5.2 Superficies de Poincaré em sistemas de antipontos bidi- mensionais ‘Através do emprego do modelo explicado na segao anterior 4.5.1, foi realizado um pro- grama computacional para a integracio das equagées de movimento, utilizando o métodoCapitulo 4: Introdugo_ao caos nos sistemas diniimicos 108 de Runge Kutta-Verner de sexta ordem. A figura 4.7 mostra trés tipos de érbitas cu- jas caracterfsticas siio correspondentes & evolugao do gas bidimensional de elétrons em uma super-rede de antipontos, Na parte (a) da figura 4.7 6 mostrada uma trajetéria caética evoluindo no espago real 2 ~ y escalado em termos do perfodo da super-rede. Os efreulos escuros representam o didmetro dos antipontos & cnergia de Fermi. Na parte (b) da figura 4.7 mostra-se trés tipos de trajetérias fugitivas, conhecidas na literatura como ‘skipping-orbits” ou “run-away orbits”, Estas trajetérias eorrespondem a reflexdes periddicas, quando o didmetro do ciclotron & comensurdvel com o petiodo da super-rede. Na parte (¢) da figura 4.7 sio mostrados alguns tipos de érbitas localizadas (“rossete Tike"), as quais permanecem aprisionadas girando em torno de um ou vatios antipontos. |A obtengio das trajetsrias dos elétrons possibilita a anélise das trajetdrias no espago de fases T através dos mapas de Poincaré. As figuras 4.8 e 4.9 mostram cinco segdes de Poincaré calculadas em [y(modt) = 0] para diferentes valores do campo magnético normalizado B/By. Uma superficie de Poincaré em y = yo & a intersegio de uma su- perficie de energia com o plano y = yo. Cada uma desses mapas foi caleulado através de 40 condigoes iniciais, nas quais menteve-se fixo 0 valor da coordenada 2, sendo que a coordenada y foi variada, gradualmente, em passos de dr = 0.0125a, desde 0 até 0.5a. |A figura 4.8 mostra os trés primeiros mapas calculados para uma razio d/a = 0.25. Na parte (a) da figura 4.8 0 valor do campo magnético normalizado ¢ B/By = 0.8, em (b) B/By = 1.0 e na parte (c) da mesma figura B/By = 1.3, As regides ocupadas por ilhas de regulaxidade correspondem a trajetérias periédicas ¢ quase-periddicas, no entanto, as regides cadticas so representadas pela distribuigio , que nao estaé correlacionada de pon- tos, a qual envolve as ilhas de estabilidade. Na figura 4.9 mostra-se outras duas segbes de Poincaré correspondentes & os valores de (a) B/ By = 1.6, ¢ (b) B/Bo = 2.0. A seqiiéncia mostrada nas duas figuras 4.8 ¢ 4.9 ilustra a transigao de um regime quase-caético para ‘um outro totalmente regular através da variagio gradual do valor do campo normalizado B/Bp. Uma evolugio semelhante pode ser obtida através de uma vatiagao sistemética do diametro dos antipontos para algum valor fixo do campo magnético normalizado, ‘A ostrutura do espaco de fases P para um sistema de antipontos no gés bidimensional de elétrons, na presenga de campo magnético perpendicular ao plano do gés de eletrénico, foi estudada através da. andlise das superficies de Poincaré nas referéncias (68, 69, 89}Capitulo 4: Introdugio ao caos nos sistemas dindmicos (a) yla 109 Figura 4.7: (a) Orbitas caédticas ndo localizadas, (b) orbitas fugitivas, (c) érbitas localiza das.Capitulo 4: _Introducao_ao caos nos sistemas dindmicos 0 00 022~C«S C(t HC 10 Figura 4.8: Seedes de Poincaré calculudas yara d/a = 0.25, ¢ diferentes valores do campo magnético normalizado B/By. As érbitas periddicas ¢ quase-periddicas siio representadas por curvas continuas ¢ fechadas.Capitulo 4: _Introdugao_ao caos nos sistemas dindimicos aL 1.0: 05 0.0 05 02 04 0.6 08 1.0: Os 0.0. -1.0; 0.0 02 04 0.6 é calculadas para d/ Figura 4.9: Secdes de Poincar 08 25 ¢ B/By = 1.0 6, ¢ B/By = 1.6. ‘Aq dois mapas mostrados nesta figura continuam a segiiéneia mostrada na figura anterior, @ representam a enolugdo de wna dindmica cadtica para owira regular:Capitulo 4: _Introdugao a0 caos nos sistemas dindmicos EEE 12 Nesses trabalhos foi demonstrado que para valores de Ke < 1/2 d/2 a dindmica do bilhar 2D é completamente integravel e as érbitas podem ser cfreulos fechados girando em. torno de nada, cfrculos fechados girando em torno de um antiponto, ou também trajetérias em forma de rosas girando em torno de um dnico antiponto. Para valores do rédio do ciclotron suficientemente grandes o sistema 6 totalmente cadtico, no entanto, para valores intermediérios de R, a fragdo do espago de fases ocupada por trajetérias cadticas I, coexiste com a regidio ocupada pelas trajet6rias regulares I’, =T',. Bsses resultados estiio ‘em acordo com aqueles obtidos pelo programa especialmente criado para esta pesquisa. 4.6 Conclusdes Uma breve introdugio foi realizada sobre os conceitos da teoria relacionada com a dinémica classica caética, dos bilhares em sistemas estritamente bidimensionais, ¢ também das fe- rramentas empregadas na andlise desses sistemas. Também foi realizada a deserig&o do modelo teérico empregado na simulagio da dindmica eletrénica en super-redes de an- tipontos 2D, na presenga de campo magnético perpendicular. Os resultados dos eélculos de seges de Poincaré, foram obtidos através da simulagdo .Capitulo 5 Super-—redes de antipontos 2D em campo magnético paralelo 5.1 Introdugao O comportamento do gis quase-bidimensional de elétrons na presenga de campo magnéti- co, aplicado em forma paralela em relagdo ao plano do gas, tem sido estudado amplamente nos tiltimos anos devido ao aparecimento de fenémenos interessantes (72, 73, 74, 75]. da forma circular dos contornos de Fermi, Um dos efeitos esté relacionado ao des bidimensionais, devido & influéncia combinada do potencial de confinamento, de forma aproximadamente triangular, e do campo magnético paralelo. Esse fenémeno desenvolve uma fungdo muito importante tanto dentro do transporte eletronico nas camadas de in- verséio bidimensionais nas interfaces das heteroestruturas de GaAs/Al,Ga,-.As, como nas super-redes de antipontos gravadas nesses sistemas. A estrutura de nfveis de energia do sistema pode ser encontrada analiticamente para o caso particular de pogos quanticos parabélicos (76, 77]. Uma aproximagéo mais real para 6 caso geral de poges quinticos quadrados ¢ realizada através da teoria de perturbagées [78]. Zawadzki colaboradores (13] realizaram um estudo teGrico dos contornos de Fermi ‘em semicondutores do tipo JnSb, com base no modelo de potencial de confinamento Veony(2) triangular com paredes impenetraveis, obtendo os contornos de Fermi em forma de ovo, Jungwitth e Smzcka [79] foram além da aproximagio triangular ou perturbativa, através da realizagio de célenlos numéricos autoconsistentes para considerar os efeitos 113Capitulo 5:_Super-redes de antipontos 2D em campo magnético paralelo_ 4 da, penetragio dos elétrons na camada de Al,Ga;..A8 devido ao potencial de confina- mento suave resultante do estreito descasamento das bandas de condugio nas jungées do tipo GaAs/AlGa,-zAs. Os resultados, por eles obtidos, mostraram que os efeitos da deformagao do contorno de Fermi séo menores devido 4 maior massa efetiva. dos elétrons nesge tipo de materiais. Esses estudos demostraram que 0 contomo de Fermi, originalmente isotrépico em campo magnético perpendicular, pode ser severamente distorcido pelo campo magnético paralelo, consequentemente, a separagio das sub-bandas de energia, a densidade de esta- dos bidimensional ¢ a forma das érbitas sto severamente influenciados. Com base em resultados fornecidos pela teoria semiclissica, as trajetérias no espago k possuem formas idénticas as trajetérias no espago real, sendo que estéo tinicamente diferenciadas pelo fator de escala h/eB, ¢ uma rotagio de 1/2. Portanto, a anisotropia do contorno de Fermi, produzida pela agiio do campo magnético paralelo, faz com que as trajetdrias eletrénicas sejam desviadas de sua forma circular original. A distorgéo da superficie Fermi no gés bidimensional de elétrons tém sido estudada, de modo experimen- a ciclotrénica na regido do infravermelho do espectro éptico [80], tal, através da ressondn também através do abafamento das oscilages de Shubnikov-de Haas com a temperatura [81] ¢ finalmente através do efeito de focalizagéo magnética [82]. Esses estudos permitiram a possibilidade de demonstrar que a assimetria do potencial de confinamento do gas 2D, combinado com a agio do campo magnético inclinado con- duzem a um contorno de Fermi com forma oval devido ao incremento da massa efetiva, eletrOnica m*. Esses estudos tomaram possivel a utilizagéo de uma técnica empregando as super-redles de antipontos para a determinagao da anisotropia do contorno de Fermi do npo magnético paralelo. Espera~ gés bidimensional de elétrons submetido a ago de um se que na presenga do campo paralelo a dindmica eletrdnica seja severamente alterada. Trajetérias regulares transformar-se-iam em cadticas ou viceversa, consequentemente, influenciariam as estruturas anémalas na magnetoresisténcia na regitio de campo fraco. Neste capitulo estiio apresentados os resultados sobre o estudo da evolugéo da dinamica eletrénica em arranjos de antipontos em heteroestruras semicondutoras cristalinas con- tendo 0 gés bidimensional de elétrons, submetidos a ago de um campo magnético com componente paralela ao plano do gés. Primeiramente uma breve descrigéo da estrutura