au CIRCUITE a TICE ' PROBLEME oo Cae] b ie) 7 ey Lee ler ee ia heed el al alekl 1 ti ALLY 4 eee Ne Se ea NS See lop Ae neeCUPRI 1, Nofinné de fizicw seanivonduetoarelor . doncliuaea mn ss ga maui Be 3, Process fiziee in trangisteral bipolar... |. . Madele de curent continua si de seminal mare ale tran zisterunil hipolat , Modetarea Lunetio: wizislorulul bipelar in sen miei eCn ona a ‘Veansistoral eu efoel de eimp eu jone! aisiorul metal-astl-semicouductor (MC Alte dispozitive seaticanductoare cj Dispezitive optoeteetronice Amplilicutoare de seme mie. 2 2. are ew reaclie . e menofazate . eq dehemiune cower ee earmenice. 2 13, Medulatoare si deimadut ante Fe i 2 nefimne sal 182. piavUe 1982 Cott de tipar 35, 1 Poemut [6f70% 100. « 18, yOltenta” Craiova Str M, Viteaztel, nv. t Repithiies Novialisti Romdaia Plan SPBI/ 1919821. NOJIUN] DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR BREVIAR TEORETIC e@ Pentrn un material semiconductor intrinsee (pur), concentratia de goluri (p) este egali en concentratia de electront (0): veloarea lor commna se mumeste concentralie intrinseed (ag si este data de 10" em? Ko! pentru siliviud : nn (BZ TO EVI) 5 ny = ATS? exp [- rT unde : A este 0 constantii de matevial (5, kk constanta lui Bolt r temperatura absolut Eq — largimea benzii energetics interzise. © Pentru un semiconductor impr de goluri (pq) si de electrané (7%) si Heat, la echilibru lerinie, comeestra litte date de; — Diy He exp : } (ey ny =m exp| unde E, este nivelul energetic situal la mijlocul benaii interzise nivelul Fermi*. Electroni rip este dintr-un cristal semiconductor se supun statisticit Fermi-Dirae ; conform acestei stalistici, probabilitates de oeupare cu eb troni a unui nivel energetic B este dati de KE) =— . @ Conditia de militate a unui semiconducto chilibru tern impune relafia > Bo -b Ng oe hy 4 unde Nj Conecentr Nj reprezint& concent ia de joni donari, respectiv neeeptoti coplori se vur nola N,, cespeetiv Ny * Formule | Fermi se Jy semiconduetoare medever este In interiorn! henzii inLersive nite. pentru re 5@ Rezisti a0 miateriat semiconductor, a, este data de: ara Big Pat unde @ este sareina clomentart GG-10°™ ¢); np aeculraliile dy eloet ron hare (eekitibrt sau mevehilibrud ; Shy » electron ii sau goluri fn ocive regi de fun ecliv gilului dactonre sint dat nt in mate unde ? esi densitatea dolala de eureni: fmoia, file de curent de electroui, respectiv goluri; JaocTpe-— densitBtile de. curent, i siinp | nw a Suas Spa — file de -eureat de difuzie ; é - tates eImpului cloctric ; € = permitivilatea diclectrie’ ; Dy, Dy — covfivientit de difexie. Goeficiontii de difuzie sint legayi de mobiliti{i prin melafiile Ini Eins Dye tnd Dy att 9 ? @ Viteza de variagie in timp « este data de sistemul ecuatiilo: de con Siilor de partitori de sar te: unde @, repre La vilova de generare unor cauge externe, iac It, si Ry vit gi, ruspectiv, golusilor, Ta at lov camana se notes dos foeechifer eloctcui-gol aub acki He Weis dle recombinare ale electro pata {gnome de afipire Ry -= Ry, vale aU sieste dat& confaem modetning Shockley-Read. pe zal =n) Wide 259, tao Sint timpil de viati intimi ai golur iar ny, py iat coneentrakii fictive de purtiteri de sar ductor Ia eure nivelul Bermi respeeliv eleetron ma pemlcu un se ide ct nivelal (rapelor (EQ. al 6Pentra caleule simple, exprosiila Int Ry $i Ry se considers a fi : non ~ Te > Ra unde 7, $i 7 Sint Cimpii de viata ai golurilor, respectiv electrenilor, tm exces. PROBLEME REZOLVATE Taira semiconductor dapat ea imparitafe donoare se cunoagte concentratia Ny u utomilar deuosé iunizafi. Presupuntnd cat la orice tempereturt semiconduclorul este wedegeneral, se cere | a) sd se determine expresiite concentrafitiar de purtittori mobili de sareind (Pa si tty) ¢ b) sd se aralecum se pot aprozinte selafiite obfinute ta urmittearcie sitta{it + — tr domenixt temperaturiler normale, pentru care Nj > 1 — fn domeniul temperaturiior inalte, pentru care ny > Nj Rezolvare a) Din eondil neutralitate a semiconductorului reznlta ny — Pas Ni. Semicones tori Tiind nedegenerat, Poflo =, Reaulvind sistemul formut de cele dona couatii, se obfine + b) Pentru > My Pentiu diy regula mE Ms PoE My, 1.2.0 Un monocsistat de viticia w fost dopal ca Ny = i,1-10" can? gi Ny = 10% em, Sa se caleulete, pertirn T= 300K, urmidoarele mérimi : w) concentrafiile de guliuri sé de eleetroni ¢ Dp poritia sinclulet Berné : ©) resistivitaten materialudai. 14d 10 oni 8s pg 10" cm e por considera Spy= fed on 7Rezolvure a) Aeceptind ipeteza iwnizarii tolale = Ny), concentraliile de gol a impuritijilor (2 Nyt gide clectroné cezulta din sistemul Poo Np = Ta Patty = 8. Temulta : 10 emt; 24-10" cin ®, vo Be kT In 2 2 0348 eV + 1,50 om, WPaity A.B. stise catcsteze poritia nivetutui tersui pentru smonocristalele de sitiei x dopate in felul urmétor: | ay Ny = 168 en“? ; Ny = #8; by Ny = 1,07-10" ms Ny, = 16" @ Si se indice, pentru fiecare caz, dacd semicondwetorul este degenerat si pro~ cet aprocismativ at ionizdrii atoméor de impuritate. Se va considera T BOOK ny = 145-10" ems Bea 1dr eV; - =6,09 eV; By By = #4 eV. (Be si ey reprezintd limitele benzii interzise), Rezoly Pozilia nivelutui Fe rmiuste de fi de relafia : rn Be a Calewlul eoneesntr inpuritatilor Jici de goluri se va fave aecoplind ipoteza joniz a— Nps Jnlocuind datele numerice in relutiile de mai sus, se abline : a) py = 18 em; Bb, - b) pa = 10 om Tntrueit. in ambele eazuri conduepharele in diseutic mu sint Procentul aproximativ al ioni 0.555 eV, rezullé ef semi- i atomilor acceplori (p,) este dat de: Pa = TED)Ecartul energetic din relatia de mai sus se caleuleana eu relatia : = (Ea unde pozifia nivelului Fermi se ia din caleulele anterioare presupimind com pleta ionizare a impucitalilor. Efectuind caleulele, se obtine py =49,7"0 i in cazul (6). In mod similar, procentul ionizarii atomiler donori (p,) este Gal de: wcutl (a) $i pa 512% Po = 1 — (UE) = 1 unde : = (Be By) + 8 Se obtine py & {00% in ambele cazuri. Observajie. Caleuiele de mai sus se pet continue iteralix pentra wbjincres unet prectzii creseute. LAL s¢ determine cuncenira ile de ebectroni st de geiurt si pazitia nive- Tutui Fermi peniru a mosird din 0.300 K, dapat unéforn eu fosfor, entra concentrafié care mariazd de tu 108 em ta 40° am ®. Se eunose : Ee — Ey « = 0,044 eV ; 1082 eV EN, = 2,88: 10 em? ; N. 108+10" em Rezalvarc Pozitia un obtine din condi lului Feri ia de neutr ¢ determina prin rezolyarea cemabiel care se Concentratiile de atomi donari si acceptori ienizali, by vespectiv NY se obfin prin aplicarea statisticii FermisDirac + N3-——*2 tre (“S 2] Hee/ In cazul din probleina de fala Ny = + ltesp ( care este 0 ecuatic de gradul HI in exp (ByRezolvarea avestei evualii conduce la result lot aici se afl Inserise si conecntratiily OT CSP NZ Peeewm si gradul de ionizare a impuritatilor (Ny tele inserise in tubelut 1.4; ftoare de electroni si goluri, Np). TABELUL 1.4 fem] | 10H | roe | ge jo low inte I ‘| oa) oma aoe | mas | vane toe fo") 9,9 10" | 982-104 | 858100 | aos tam toe | 4 ALO aro | tote | aaa etos 10 | 1,000 4,08 0859 | a508 0,998, de observé ea In ipoteza od semiconductorul nu este degenerat, produstl pyng este constant si egal ea nf. De asemenca, reaalta cf ipoteza curemt ulilivatn 4 jonizdrii totadeoste valabitd numai pentru concentralii de impurilii sufieit 1 Np €N, = 10" cm- (300 K). Observajie: Pentru concentralit Np = Ll em-®-semiconduet \ indeplineste conditin Zp — Fy > KT) yi rezuitatele obliuute ele sint utite avind meritul de a ilustrao tendia{a de evolutic, este degonernt (mu contin crac mart; totugi 1.5. sase repete problema 1.4 presupuninda-se de accaste dati o impu- rifieare cw bor (Ey ~ By = 0,045 eV), Rezelva Se provedeazi la fel ca in problema 14, vewatia tind : Pen NG Lezullatele obtinute sint. prezentate in lobelul £.5. Observatiile Ja problema precedeuta sint valabite si ated, rem cute nd ca degeacrarea se insta feaza chiar gi pentru eoneentiatii de bor sab 10" em-#. TABELUL 1.5 x | we | eo lee J i | (ee lneg | onan |G Clan eee 2, [tes | -o2 | —os01 | —0,580 —o471 | —0,512 b Hema | iy 10" | 3.51.10", | tem 2108 _ 24-10" i] wit 0,72. oss p80 | i a eh IE Hy 1.6, Su se giseascd expresia variatici relative a conductivitafii unit stnicanductor intrinsec, tn raport eu variafia relatiod @ temperaluril, Pe bara crested relalii sd se caleulese procented de erestere a conductieitalii pentrie germania M pentru silicio lao erestere de PC a temperalurii (T = 300K). Lapis se ae neglija dependenja do teraperaturie a mabisiliftt.Rezolvare Cunosefad expresia conductivititii Mtrinseci (ay or = qttel joa “+ reaulta : de, dry a hy wns ae logaritmind relatia de mai sus si apoi diferenti an @ : ni 2 Pentru aplieatin mumeriea ceruts Aaa, =7,64% pentru silicin ¢ germanin (Ey = 0,67 eV). L, se obtin \3 Beis, Te (AT —¥ C3 T — 300 K), se abtine 111 eV) gi Age, = 4,81% pentru D7. Leo proba omogena realizala dintr-nn material semiconductor pur Sa mdsurat recisten{a In dowd condijit de temperatura; Ry — 435.2 ta 0 = 25s R, = 28 0 la 100°C. Si se indice din ce matertal este reali proba. Rezolvare Variatia puternicé a rezistente: in domeniul de se datoreste In principal dependentei exponentiale trafiei intrinsect (1,1 mperatura eonsiderat e lemperaturii a conean- Boe pice ser bay Tipul de mater (Ep). Seriind expre Tolosit se glisaste atenlul lrgiiii benzii interzise rezistentei pentru ecle dou’ temperaturi, se obtine ¢ bh fy Birger ein Ti-T, Re =O0,7 eV, Rezultaé c& material folosit este derma: 1. 1.B. Sa se cateuteze rezistivitutce unui monocristal de germanine intrinsee si a unui munoeristal de silictu intrinsee [aT OOK, Rezolvare Rezistivitalea unui semicon ctor intrinsee se ecalculeazi eu relelia t wae = te ot yesh Pentru germanin (ny = 24-10 cm; a, = 3900 em Vs; By =1900 cm/Vs) se obtine p, 45 Qem. Pentru siliciu (ny == 145-10" ¢ se obtine py = 235 500 Gem. Pe 480 om'; Ws) uv1.9. Suse indice, pentru fiecare dintre cele trei eazuri de mai fos, care diutre probe (a sau b), are resistivitatee mai mare + Caz 1: a) sificia: Ny = 10" omy Ny = 10" om b) sifieia: Ny = 10% em Np = 10"? em-. siliciu: Ny = 10 cm ; b) germanin: Ny = 10" cw Sy ay silictus Ny LAH em 8s Ny = 18" em b) silictus Ny = 10840" em“; Ny = 1 cm Rezolvare Coz 2: gy > poi neush Ineru se explied pleciud de la expresiile rexistivi- tailor 1 5 te Bad Desi ps = NG! — NP =n, deoarees tig = up (la ave Nip) — NG! ee este mai mare a de linpuritagi). decit go Caz 2: pg ~ pqt expresiile celor doud rexistivitati sint : sitet Hun, egies asthe “EN atta 0 0 aN kta, se cunougte inegalilates in, ga > pa. s Cae Ga! expresiile rezistivilatilor sint : i NE ae iar) Ck Pha Desi poser al nell de Sepiilt tambele eazun tata boy de impurititi AAO, Oprovadin germaninestedopatd cu atomi donori, Ny = 10" cm-®, sf atomi aceepfort, Ny = 7-10 cmm*, La iemperalura probei, rezistivitalea matertatulaé prr este p, = 69 Oem, Sd se cafculeze densitatea curentalui de condactie prin proba, daca intensitates etmputtaé electric aplical este & — 2 Vem. Se va considera Ly = 3 900 cmi|¥s gi ty om 1900 emi Vs. Rezolvare La temperatura probei, concentratia intrinsec’ are valoares ny =,——— = 18-4 Wake baad em. ¢ oluri si de electroni remulta din sistemul de ecuatii completa a impuritalilor) + Goncentraliile (ovesupanind ionizarca Poilg = 1 5 Ty = tg + Ng. 2Rezulta : ng 38-10" cm; Vi py = & 085-10" ow Me Alunei, densitatern eurentulud de conductie (j,) esle dati de: 0,0526 Avem*, de = fae TJpe = Hota > Poltp) & DA. Concentratia gofurilor intr-um semicondnctor este pretentata in figuea L1d, a. a) Sa se gaseasca expresia densita{ii curentuiui de goturi, de difucie, \paX)- by Sd se determine expresia cimpului electric intern yi sd se repreziiite qrafio aceasta, in ipoleza absentei carrentertuat fatal de goluri (jy == A). ©) Si se eatenteze diferenja de potenfial dintre puncicle x = 0 si x = W, daca pO}py = £08 (T = s00K). Rezolvare aj Curent de difuzie apare namai in porliunea x € (0, W), unde dpldaé O35 aici mul: Rm 1, w me) grafied, calitaliva, a distributici de cimp electric este ra 1.1, b. c} Calculul diferente: interne d= po- pfx) tenfial (Dyq) pleacd de ta expresia eim- ‘o} pului clectrie determinala Ja punctual (6): °° [ee w 2 Wm = — J Sa)de = a Ye \=. 2s AP ae @ pay de 4 bh 0,0259 In 109 = 0,179 VL Fig. 1.11 1B2.12, Provectind un fascicud tuminos asupra vnet bucafi masiu de tip ncu reristivitaten go = 0,95 Oem. Dupé un timp ty 5 us de Ja relragerea fascteulului, rezis- fivitatea buch{it de geemanin este p, = 8,98 Qem. St se catculeze timpul de viafa al efectronifor in (e,). Se va presupure ed toule feramenele fizice se des- fasoaré uniform in tot volumul semiconductorului. late de ger 1 Ocm, reristivilatea tui scade bruse la valoarea Gi probei in urma iuiminiri se datoreste generarii de pereehi eleetron-gol. Faptul efi registivitatea materialului se modified foarte putin ne permite si apreciem ed se lucreagi la nivel.mic de injeclie (a > p); atunci, se poate ian mp ates 1 =F = a ed , Falta Pky Mitts unde m, ry, mz sint concentrafiile de purtitori majoritari, corespunzitoare eelor tre: situal Variatia ta timp a conceutratic! de electroni (n) dup’ intreruperes ilu- minirii este deserisi de cous de continuitate corespunzatoare (+7, = 0) a in non at Se id acestei ecud cu conditia inifiali {0 — p,, Sulu tii diferentiale esta : nd) — ay (a, - m4) exp (— Punind conditia (¢,) fy, se obtine : S581 ps. (eo — PalFa VAB. te unut dinire eapetete une? bare seniconductoure de tip n, semiinfinile, aftate trtr-un circuit inchis, se injecteaza goteri astfel tnef! concen- tratia lor in seefiunea de injerfie se mentine constant, egaté cu pl0). Ce eondifie trebuie sd satisfucd cimpul electric din semiconductor, pealru ea componenta de ctmp a cureniutui de goluri sd fie neglijabild tn comparatie ew componenia de difuzie ? Rezolvare In regim stajionar, ceuatia de continuilate pentru golurile In exees este z ceva ce conduce [a solutia :Ti deducerea exprosi p(t = 9) = p(0) se numeste tung Gonditiz de neglijare a curentului de cimp fata de eel de difuzie duce la imegalitatea : a (inulseama de condifiile de limita : anotatLp=/D,7,. Marimea by el ahaa ae dx unde peste dat de relatia gasita. De aici rexulla oh. é@) < q dep 1.14. Sacr arate cd intrun semiconductor de lip n. offat ta nivel mie de injectiv s¢ eviud wn singur nivel energetic de recomlinate, sitval la mijlocut bensit interzise (Ey = B,), timput de viafa af geturitor in exces este egal cu timpul de viafé inlim al gotutui. Tezolvare Se ploaci de la expre Shockley-Read-Hall : ‘sia vitezci mete de recombinare dali de modelul pr nt ny + and? 4 pale Intrucil nivelul caergotic de recombinare tiat la mijloewl benzii Semiconducterul se afli Ia nivel imic de si P Ny (Pp $i My Sint coneeatraliile de goluri, ilibru tortie). Alunei, expresia rete dee recumn interzise, rezull binare se aproximeazdi : yale FMD + tele + Bd pelt + Tyal tht pra) Timpii intimi de viafa pentru gol si pentru electron nu intro ei, pentru situatiile uzuale ; ca urmare, se aproximeaza int anult diferiti in continuare U = Bde pd ally De aici, reaulta ci in condifiile precizate ty 2 tyy 1.15, 0) Stise deduct exprosia vitezed acte de recombinare éniro regiune @ unui semiconductor gotta de purtdtori (p <3 n <1 conniderind pq = hh) Pe hace relatiet precedente sa se caletteze timpul medin de cinisie al unui contra de yenerare (de czeare a unet perechi clectron-gol) considestnd ty — 1 ps, ny = 10" cn si o densitate de centri N, — 10 em-3, 18Rezolvare a) Se pleaci de la expresia gencrala a vitezci nete de recombinare pn — nf pn Uae ee Fy + tel ot Ped) Tal bo + my + py) In condiliile unei regiuni golite de purtitori se indeplineste incgaliiate pr @ nf. De usemenea, considerind un nivel energetic de generare/recombinar situat in vecindtatea mijlocnlui benzii interzise (Ey = EQ, se obtin Prem fade ptn 1 onela de reeombinare devine seman] minus indicind predominanta fenumenetor de generare. 4} Timpul mediu, 7, dintre doud procese de emisic se caleuleazt cu relatia pits Lest unde U, este vileza neth de recor combinare, adica : pinare asociali unui singur eentru de re«Dy SONCTIUNEA PN BREVIAR TEORETIC @ Modeinl cel nai simplu adoptat in studiul jonetiunii pr este cel al ii abrupte, in aproximasia de golire, lx nivel mie de injectie. Intr-o s Joncliune, la echilibru termic, se stabileste o regiune de sareina spa- in jurul jonejiunii metalurgice, Restul stra J regiunile neutre. Titre limitele regiunii arcing spatial& se stabileste diferenta inferad de potential (Bq) dati de: ay NaNo b6 a in RES: a) a unde cu Nasi Np sau nolat concentratiile de alomi aeceplori din regiunea p sis respectiv, doneri din regiuues n. Tn condibii de polarizare a joneliunii cu tensiunea V4 (cu sensul de re: rint& pozitiv de la regiunea p cltre reginnea n), diferenta de potential din re giunea de sarcina spatiala devine @p,— V4. Largimea reginnii de sarcind spajiatd (2) este data de Extinderil. acestei regiuni in fiecare dintre cele doud regiuni ale jonctiunii Up si ie) sint date de sistemul ; ta + lp Naly fa interiorul regiunii de sareind spatiatd, distribulia intensitafii clmpelui electric este dati de: Nola. Beis ale oe Oy A= i — fe 2F Onn Sh, ® 2 — Probleme de dispositive — cd. 191 7distribalia potenfialulat efecteic este: ule) Big — tatied a joneziunii exprimd dependenia eurentala® prin structurd (£4) de tensiumen aplicata (V4) si are expresin + esp (Te 1] foe] xp (23) i} fy =h unde Jy este curculul de saturatie co fv suttirafie corespun: de soretnd spafiala. Curental yy ave expresia : sspunziilor difuzici, iar dgg, este cusental itor fenomenclor de generare-tecombinare In sugiun ha Aye 22 us Pate), unde Ay este aria transvorsala a jouctiunii, pyo §i tipo Sint concentraliite de Purlator! minoritari, la echilibru tecmic, din cele dowd regiuni ale joacliunit, fir Ly siLqsint lungimile de difuzie ale golurilor, respectiv electronilor, date dec Lgeeal Doty; Ly aD Relajia de mai sus pentru ye este valabilé aumai pentru jenetiuni groase, Ie eare regiunile meutre au lungimi (W,», respectiv W,,) ce satisfac inegalitayile : We > La; We > Ly Pentru o joneliune subtire, una sau amindoud inegali atile de mai fapata sens invers ; dacd, de exemplu, regiunea na unei Jonctiuni este subbgi (Wea < L,), oxpresia Ini Ig ure aceensi forma ca In ji Liunea groa ch se inlocuivgte Ly cu Weye Curental Inge sire expresia t my 2t ? Fuge = Ay nde ent s-a notat valoarea comunii a timpilor de viatd im exc Aeccasta expres Tp Hl the @ fine seama doar de fenomenele de genecare-recombinare din Yoltinul semiconduetoralui : dac& se {ine seama gi de cfectul supratetei, rimea zy din relafia de mai sus se inloct vial efcetiv (ta) dat de: ‘Ste cu expresia unui timp de Td LAS unde sy este viteza efcetiva der fop ecombinare la suprafata. iar As este aria supra- semiconduetorulai cuprins de reginnea de sareinit spatiala. Pentra ealewle in scheme eloctrice, caracteristica slatted se aproximeazd cu wre mei simpia ; 1 Va us tas ha[exp (He) ar ‘| unde Coeficientul m ia valo cuprinse Intse 1 si 2. 18In pola strdpungere dela oanum (Va = —V¥q). jonetiunea pn prezint fenomenul de isha din eresterea puternich a curentului (I, = — I, ensiune, La tensiumea de stripungere (Vn = Vy,) curentul 1, tinde cftre in Din punet de vedere cantitativ, cresterea curcutului este Justa in cunsideralie prin imniutfirea valorii curentului invers iy (in abse. acestui fenamen) en un cocticient AL — de sultiplicarc in avalansa ; ipo= ty, eficiental A podte fi caleulat cu o relajie empir 1 ._{¥s yr ae unde 7 este un exponent cuprins Inbre © Reyinu! dinam circuife echivalente. La frecvente jaase, acest: Ry, dati de + Bayi 7 pn, in condifii de semnal mie, utili~ al jonctinn 2eu7, cuprinds nuimai registenta intern’ (diferentiala), mk Ws Ry = La freevente mai mari. in paralel cu rezistenta intern’ se conceteazt ¢ apa- cilatea jonetinnii, Cy. data de PROBLEME REZOLVATE 2A. @ jonctiune pa, dinsiliciu, are urmdloarele dale constructive: ee (OF om; Ny = 10" em * si profil abrapt al concentratizi de impuritafi. Sa se calcalere a) diferentta Gerna de potential (Wyo) 5 b) lérgimea reginnii de sarcind spafialé la cchifibree termic (I) 5 c) inlensifalea maxima a eimpulni electric la Vy = 0; 0,5 ¥ gi — IOV. Se va considera BOO Ks ng = 145-10! cm + permifinitatea rela tind Ky = 10,73 ey = 8.861078 Blom Rezolyare a) Diferenja interna de potential este dala ce: 107 10 yy MX? 0 (last0" aa =0,759 V.6) Largimea regiunii de sareina spatiala la echilibru termic (Va =0) este data de: do -/#= ¢ ¢) Totensitatea maxima a cimpului electric este data de valoarva ecim- pulai electric law =O; xl Wig = 0,33 fern. No p No Emar 252 fy sat Smes = e unde a sigdy reaulta din sistemul de eeuatii ; Nae = Nalp i Me t= fe ye ey) em — o Nos Cateulcle indica: Vas, 0: fy =0.33 py lye =0,30 um: Smor = 10° Vem: Va = 408 Vil =0.26 pm; f =0236 xm: dqae =3,6410! Viem ; Va = IO VG = 124 pm; fy 113 pms deer = L7410" Vien. 2.2. 8a se determine expresitte pentru cimpul electric, distribulia de potential, diferen{a de potential si idrgimen regiunit golile pentra oe joncliune gradaid fintar (Ny — Ng —a-X), ta echilibru. Aplicagio uumerted = catcetut tue Dey yf Lo pendrin a = Fee ene} fan) = 1S 16! ent: SIT: ey = 4.86610" Bom) Rezolvare Folosind aproximatia de golire, de din interiocul regivnii de surcing spal abe la es de sureing de voluu (2) Oyp= gan. Distributia de potential, u(x), reaultd din rezolvarsa ee uafiei fui Poisson : ate ate iar cimpul electric are intensitatea : (x) Conditiile fa limita impuse in rezolvarea e1 i Jui Poisson sint : ric a regiunii de sarcina spatiald in bo 4/2 {extinderea sime fe aun 2 dz |Tn urma rezoly oblin urmatoarele expresii pentru distributia de cimp electric gi de potential (vezi si figura 2. “(3) = Op; Wa se obfine 26h on ly a enfei interne de potential Calculul dife ea de la observatia : Fig. 22 aby, a Nal any exp (=) __ Se i [ 0 } : ae va — Nal am to i2 dv aici, se obline t 6, = BE we @ Marimile ® go 51 fy Pentru cxemplul nume wleuzi din sistemul de ee considerat, se obbine + alii (1) si Qh. Dy = O73 Vir dy = 0,58 zm. 2.3. Sti se catenieze intensilatea cimpului elceftic la extremitatea dinspre contact a regiunit na unei joncliand pn grouse, din silictu, prin care irece eurentul 1, = 100mA, Secunose Ay — 10-2 0m? ;Ny = 10 em) py = 1100 cmt ¥s Rezolvare Th regiunea aflata in diseubic, coneentraliile de goluri si de electron au valorile de la echilibrn termie si, ca urmare, conform modelului jonetiunii abruple sint constante in spain, De aceca, singura modalitate de transport al purlilorilor de sareina este eu ajutoral cimpului electric : Ty Auja = AsUipe + due? De aici, rezult marimea cero ae ES we GAs Toh a4 PA shtotta t Pod & qs unde § ¥fem. oly QA, Lao jonctiune, avind un curent de saturajic Ty independent de ten- siune, se fae‘urmii(oarele masurdsi : Vu In) = Po mAs Yu La nA; Ina = 3S nA 2Sti se determine tensiunea de strapungere & jon txpresia factorului de mubtipticare in avatansa. unii $1 exponeniul n din Rezelvare In conditii de polari inversa, curentul jouejinnii este dat de + In MI, unde coeficientul de miultiplicare MZ are expe Wena! ase ( x a Fan. °S” Formind sistemul de ccuatii: 48 2 4t4; 1 e338, in se obline = Vy, 220 V sine 3 2.5, Se se calculeze tensiunea de sirt alvupte, asimetrice, din siti = £518 Vien. Se va pres Rezolvare mgere anne jonefiani pin, iw, presupuntnd un clmp electric erilte &, MINE o foncfiure pland et Ny = 18° cn, p f I 0 Jonetinnes find « spajiala : metrica (Ny Nb, ave o 1h gime a regiunii — Va): a cimpului cleetric are expr ’ al Cuas > 3 . Joncliunea find polaris: renta interna de potential ( Emas ~ Gers 88 abline inves ungere, se poate neglija dife- on & yy). Tn aveasta situatie, punind Vue = SLS3 Vy Lan 2.6. S0 considert o jonefiune po @ cared tempereturit ete mentinutd la valoarea T — 300 K. La ce deasiune dircela (Vy Vy) aplicata acested jone- fluni curcntel este de 10 ori mai mare deett curentul residual ? Hezolvare Expresia caracturistieli statice este : hy foe (Es) pe | 10%. se obfine: unde m = “25 punind fy Va=mZin 11 = (0,062, ..a129 V. gq 22.7. Sc considerd o jonefinne pon, abruphi, asiniried, din silicte, p= 104 com uy, = 500 emeiV; ty = 1 ws. a) Sd se calendeze raportut divtre curental de difuzie (1 gencrare (Lge) pentra o tensiume de polarizare Vy — 20 ¥ gi'T w= F,45°10" om). b) Sse calenleze demperature lu care acest rapert ae ) si curentul de 300 K (ny, = ne paitar, Rexolvare a) Cele doud componente de cureat, In polarizare inversd, sint date dea pt = 3,0-10°* m. Se oblige Iggy! Fy b) Se considera ca singura m Puntud condifia din problema, rezulta are depinde de temperaturd este Me fe = ATM? exp | 2 cud = 5,65-10° em? K si Be = LiL eV, se obfine T = 438 K (165°C). BiB. sii so cateutere curentat residual (de seturatie), la T - 300 K ab naci jonctiuni p'n din germaniu, avind urmiitorit purametri: Ay mm®; gx — 5 Oem; 2, = 8900 cm/Vs; uy = 1900 cmitVs ; ty = 3 us, Bye = 16,35 my = 2218" em-, Se considertt Vy = 10 V, Thezalvare Expresia eurcitului de saluratie este t Ty = Tne Tage = ASDunde : ‘ft? = 3.210" em"; 5 Ig = 12 pA. p10" em; Ly Jy = 43,5 uA, Observate, Se abseryA preponderen|a eurentulul de difwsie la jonefiunile din go man's. 2.9. a) Sa se ententeze curental de saturejie al unei jonctiuni p'n din stlicitt, fa Vp = 10 V, avind parametrit: Ny = 10" cm? > Ay 25mm? ry = 5 uss ay — 408 cm Ves Kg = 11% 3 my 15-10 cme, Sd se compare cu rezullatele obfinude in probiema precedewtd. b) Sa se estimeze contribufia feuomenctor de gonerare a suprafald, presi puntad Ay =2 mun? si s% = 5 omis. Rezalvare a) Efectwind cale se oblime: Ly = 7,2 = 18,7 nA. Deci: le cu ajutorul relafiilor din problema preceden!a, OF ems bem 14-10% em: Ty = 26 pA; 1 her or A, jonctiunile din siliciu polarizate invers conteazi numai curentul de Curentii inversi la joncliunile din siliei sint moult mai mici decit curentii inversi la jonctiunile din germaniu (in conditii de arii egale) 5) Componenta curentului de generare la suprafatd (UIegr, .) are expres (Jorn at Asante Caleulind, se objine : Toor, = O12 nA. Obsorvatic, Pentry joncliunt prelucrate necorespuzilor, nuirimile s si A, pat creste foarte mult, asttel inett curentul de generare lu suprafota sA devind predominant. 2.10. Si se caicuteze cresterea de temperatura AT pentrn care cureninl invers al unei joncfiuni din siliciu se duble (T = 308K). Rezolvare Curentul invers al unci jonefiuni din silicin este dat practic numai de eomponenta de generaredependenta de lemperatura a regiuuit de saceina spat esl dati de concenteatia intrinseed 2, (largimea t depiade foarte slab de bemperatarad ; nh = AT exp/ Atine LAT) = consi. T J ¥i ansi(E > ATI? uxp[— - TAT AT) ~ consi(P + AP) ox | myn unde £2. AT) 21,7). Impartind cele doua relatii gi lowurilmind. se obtine : In 2 = Sinfi4 ar) i. AT 2 7 + AT Titrucit AT se poate aprovima In() 4 ATT) = ANT; reaulta: ar Ke A? In 2 eee Ey Oe r RET at 2 20026 QA; Se: sertenrnneeanructenieie BREE d1ytdVq pentru o plus apdicatic pentru jonetiunca din probtenie 2.9 jon Rezoivare Cureadul invers al unci jorctiuai este dat de Bytty ; J+ hgh da = Ted + Toe Ava Denarece mumai ev prin intermediu! datim ental de g perare depinde de lensiunea aplieatii, Ves egiunli ile, f se obfine : conductamla corut& wre expresia : ay AV, YF gb Dae Pentru jonclinnea procizatics Auge = 137 nA; Vp =10 Vi Om < Ve5 salculind, se obling ATi AV, = 6,685 nAf 25QA. Sa se esprime raportat dintre componenta de difusie (Iya) si ce 'P tp : de recombinare (Ip-) ale curentufut in funetic de eurenttl in potarizare directa (Ix), Ja 0 joncliune ptn, Rezol are nin Vy eB ALq, componenta de difuz eurentulud fave Dnt avy Jog OX, = Ayg — exp * os exp (Fre) = Arg PA oxy we iar componenta de recombinare 2 ae Fe Ivar exp (Er) cdg exp [ By Raportul cerut are expres ia toe ay Pentru a oxprima acest raport in functie de curcntut Ip, se line seama eh: Pe uy gry. {lr & toe exp (4) door oxp-(i0e considerind cA 4yg, Du depinde practic de tensiunea Vy, ee permite caleulul termenului expanenti Ve ere ie ) i{ia de mai sus upartal dintre componenta de difazie a curentului direet, in funefie de eurentul ¢ ie dia materiale dite ‘1 ny din epresia acelui # componenta de recombine’ tajeazi net jonetlunile fay mui apare eonecntratia intr siunea apticata, rect, ML mal depar= adevar, in expresia obtinuta nu ort, exprimat in funetie de ten- QAB. 84 se cateutere parametrul AV ja ipsgonsts: penirase Joneliune pon din siticin, lal 300K, Vy = 8,6 Ve Rezolvare Expresia caracteristicii statice in pola pin are e: are diveel’, pentim o jonetinne dexp [: nF] akPia domeniul tensiuailor mici, unde predomini eurearul de ae aT in domeniul de tansiuni mai mari, unde predomina curental de dif la jonetiuni subt Cuniseful dependenia de temperatura a concestratie’ intrinseci seombinate, §i: rie (sau si considerind marimite J 51D, independents de tevap logaritmarca si dif vf, se obtine (prin crgerea celur dou& expresii ale lui Ip): a -29¥e any } 8,019 mvc, respes Ry Fy } = — 1,96 mvc. Esty evident ea li Vp 41,6 al doilea rezutla! cste valabil QA4, sa v0 on fen! nematoarete a reduinina eurentul de difuziv si, ea urmare, revisterifa serie, Ry, a anei jonefiani ta care sate ida polarizare directa : In = 9.02 A Yr = 06 V: lye ek Ves = 068 V; ys oS v. Rezolvare unei jourliuni ia care nu se neglijeaz’ rezistenta serie enle dati de: Veco tw 2 Rykes Se poatu. deed, serie : Yes Tes dri, se obtine2AB. Rezistenfa termica a unei dinde rvatizate distro joncfiune pn este Raya — 200C/W. Temperatura mediulué ambient este Ty = 25°C. Curental de saturafic nu depinde de tensiunea inners aplicate si are valoarea I, (25°C) = 10 uA; dependenfa acestui curent de lemperaturd indict dublare a acestuia fa 10°C. Care este tensiunea inversd, Vj, ce se poate aplica pe diodd astfel tnctt lemperaiura jonetiunii (T 4). sd nu depascased 65°C ? Rezolvare In cenditii stationare, puterea disipata pe diod’ (P,) se po lia: = FATS), Rus Cu loarea : cptil de saturatie, coruspunditor temperaturii Ty = 65 T) A(T) = A(Paye2 =160 BA; ca urmare, tensiunea V_ maxim admisibili este Va= = 1260 V, Bengal Ts) ZAG. 6 dioda reatizald pe bata unei jonefiuni pu este curactesizate prin I, (20°C)= SnA;m~- 1s Ray B50°CHW gio dublare a curentutui hy, ta fiecare 10°C, Curentul direct prin dicdi este menfinat constant la valoarec Ty = 0,5 A, Sd se calcutese tensiuinea da bornele diedei (Wy) si temperatura jonc fiunié (VT) dact temperature meditlui cnbiand se menfine ta Baloarea'T 20°C Thezol Se considerd expresiile puterii disipate in regim stationar : Py =Vplp = wom Vals Hiya si expre ia ¢ terislicii statice : v Tp = (Ta) ae = ITs) 2 mk Ty Eliminina temperatura joactinnii intre cele dows relatii, se obtine : Keg Vel =2 exp Fd ta) Prin laguritmare, sc obtine ecuatia avy pea a Ved tn 8 Mts + Ra; ie Ve) care, dupa inlocuire en valorile nuinerive, devine + O183VE 71a 275V yp — O16d 0) 28Singura solutie acceptabilé este : Vp =042¥ iar temperatura jonetiunii: Ty = Tat Ra aVele = BEC. Ver = 0,35 V3 lp: = 100 nA; Vie = OD Ve Tag > DUA Vog = 0,52 Vi; Sa se gdseused expresia analiticd a caracteristicit statice in domeniul de ewrenft consider at Rezolvare Se observa o dependenta lini a tensiunii Vp in raport cu logaritmul eurentului, Ig Zp; atunc cteristicii statice este de forme : atie doudi punete de m&surere (7 gi 2), rezult& (in urma de mai sus}: m if ——2 —_ is pa exp ( a¥er ink Y 2.18, fo civcuitni din figuea 2.18, a, diode este realizatt pe bara unei Joncliuni pu eT, = Lua sim = 1. Sa se caleuleze punctul static de functionare at diodet. : Rezolvare Punctul state de functionare (14, Va) rezulla din rezolvarea sistemului de neuatii: [a Rly= Vi | Lam tol enn ¢)-!] Rezolvarea acestii sistem duce lao ceuatie tfanseendenta. De aceea, se va prefera o rezalyare iterativ’, bazati pe aproximatii succesive. Fig. 2.18, 0 27Se presupune initial V4 = 0; rerulta Ty =V/R= 10 mA. Cu-aceasti a curentutui se reewleuleazd teu- e dioda : Bap 1) dy i In (1a! -- 1) = ements et Noun valoare a curemsulmi este acum: ES Vi OF may z - iar Fig. 2.18, b iv e Z = V4 = 0,026 In 97001 = 0,239 V Aceste valori se retin ca flind sulutia problemei. Se temareii converge ats sishemalui raficy acest lucra este itnstrat b. Goordonatele punciului stalie de iuuetionare (My) se sta- tice cu dreapta de sareina: Va din aceeasi figurii arata ctapele caloulului QAQ. te cirewisul serie din fiywra 219, 4 cele dont inde aseuttd de legea exponcntiatd ideald (m =~ 2) gi att, respectio, Ty) —= ful si Aygo 9 wale Se cere sd se calewleze lenstunite fa harnele celor daud diad Rezolvare Diodele 5 arinare, acest de saturatie : polariaate invers, la aceiasi eurent: Ta, LL nu poute dep&gi waloarea eclii t r aie dintr ty iunea ty borncle diodei D, Vay inf ade " = — 0,003 V si poate Hi neglijata, Atunei: a tensiunii de afiment 210, 0: Fig, 2.19 30Observajie. Acest fenemen este suplitator, denarece diodele sint puse tn serle tacinal Pentru 2 suporta in polarizare inversé © tensiune tolali mal mare deelt poate suporta fiecare @iods tn parte. 2.20. Sa se cateuteze tensiunite la bornete celor dou diode din figura 2.20, diodele avind aceleasi earacteristici ca tn problema 2.19, Rezolvare Neglijind, intro prim’ aproxi- matie, curentii prin diodele polarizate invers, se obtine + I Tn aveste conditii: 2.20 cul aproximatiy se poate afirma ea prin diede cire edgy $i sc poate face un calcul mai exact al pum ajutorul relatiiler + telor siatice de fr ‘ Via + View pies i x Se ezullatele : Vm = 108 Vi Vig = 96 Ve E Se observa ea acest circuil asigurd o hoparlire mai bund a tensiunii de alimentare intre cele Gong diode, Hevistentole £¢ se numesc resisterle de egattzore. B21. tn cirenitul din figura 2.21 caracteristicile diedelor D, si Ds se considerd ideale (mm = 1) ei Ty, = 2 pA si, respectiv, Tye — 8 pA. Sse calcuiece curenjit prin cele dana diode. Re vare Diodele D, si Dy sint poli } earacteristica statied a grupului de dows diode Jegate in par vi 1 Poy esp S43 I= In + Ihe Efeotuind up ealeu! iterativ (ew . in penbleina 218), se abkine ee $2994 mA; Vy 20,6 Curentul total Cf) se divide prim + fay fiecar de rate died’ proportional ew curent ed 199 NE dor i i 79.5 mA. 221 xubservayie. Imparfirea inegula a carenfilor prits cele dons diode este nefavorablla, deon- rece diodele sint puse in paralel pentru a su fi suprisalicitate it curenyl prea mari. 2.22, Circuitui din figura 2.22 lnseriazd cu fiecare diedd efte 0 rezisten{d micd, de 20:0; aceste rezisterte se numese resistente de egali- zare, St se arate ci, folosind aceleasi diode ca in problema procedenta, eurenfit prin diade au vatori apropiate. Rezolvare Se face wn calcul iterativ care pleack de la V4 Via O, Atunci curentul F are valoarea mA, : »=49,5 mA. Atin pe digde aw valorile : dar tensiunile Va ein le oo 0,6R2 V5 q dy Var = Din = 0,586 V. ah se recalcaleaz’ cu relas Cu aeesle valori ale tensiunilor pe diode, eurcat (ile : VR, +¥gaR = Vali +R: " Lgvee ae Ra ae des mag BYR Rn yk Val r Tago CHL Fak ‘50.1 mA. Rep RR RR Accste valori ale curentului mm duc fa modificdiri nota pe diode si se retin ca solutii: ie Lensit Se remareii posibilitates cirenitalni de a yegaliza” curestit prin cele don ramet 2.23, tn circuttul din figura 2.23, diada D,, realizald din silicit, are m, = 2st Igy = fn, iar dioda Dg, din qermaniu, are m, = 1 yi J Sd se calewleze punetele statice de funefionare aie cetor dou diode. Kezolvare Considerind peutru in ), curentul f este dat de q = 10 mA. Inirucit P= fy, hae i Ba baw i (datorita pregentei cemistentet It, in serie cu dioda 1}, has 32Atunei : “r : Vig = my Din — 0,838 ¥ 7 Ie eoalowleaza : Pa Way, ay Vay = 0,834 ¥, eaire Se retin ca solutii. Pentru dieda D, se observa ea : Var = Alas cb Vays apelind din nou, la inceput, Ia valoarea Vyg = 0, rezulla ; Fag 2 8 pA. Ry Atunei : =0,008 ¥ 776 eA Ry a pot fi considerate ca solufii ale punetului static de fune|ionare ciulat. 2.24, 0 diodi varicap, reatizatd eu o jonefiune abr upld, asimetrica, din siliciu, preatnté urmitoarete capacildfi, ta diferite tensiuini in potar C, = 10 pF; Ver = 15 Cy a3 pF; Ving <= 20 V. Sd se calcuteze: a) vatoerea caparildati fa fensiuned Wa = 0; b) concentralia de impuritafi Ny din regience n ajancfiunii, cunosctnd ura avesteia, Ay —= 10-8 ¢m?, re inversd ¢ Rezolvare in polarizare inversa, capacitatea joneliumii este data practic numai de cilatea de harie = unde 1a Simca regiunii golite are expresia + 1 J, — o.), aNs presia dependen|oi capacitale-teusiune se poate ser @ 8 — Disp: cute — ee 191unde : fy af ee Formind sistemul de ecuatii provenit din se 1 relatiei (£) pentru | doua tensiuni, rezulti: Cy = 14,6 pF, On =O.884 Y. 2.25. Sa se catculeze elementele circuitultd echinatent de sennal (By, Gy) pertea o jonefiane pty din siffetr (im = 2) auld + lucrearthla Tyce done (Tp Ty =} us si olvare istenta imternd se caleuloawi cu relatia: mk ar Capacitatea jouefiunii in pola eit&fii de difuzic : + 0.026 10 52 0. re direct este dala de waloarea ¢; 9.62 nF. gl m = 1,5. Generalorul de seranal (v,) are amplitudinea Vg ~ 0.5 ¥. Co satorti are o reaclan{a neglijabild la frecventa de dueru. Si se calculeze amplitudinea semnalului la borrele diodet (¥' 4) dinea curenindui prin diodd (1,). Se considera ed lo frecnenta sens neglifa efectele capacitive din diod@. Rezolvare Cireuitul de caleul penteu regimul dinamie este prezentat tn fig Pentru determinarea vatorii registentci interme (RQ leek determinat fental din punctul static de funetionare +atunei : Ry Marimile erute sint : 6,00 mA, Se obseredi e8 se reaper 1 de semmad sie (Vy ET Yg = 26 mv).unde = Dyy este coefici [Pon = : Day — covficicntul de difuzie a elcetronilor in regiunea emitorulai ey [Pe an | 7 difwzie a golurilor regiunea haze Win grosimea metalurgied a emitorulni ; fe — Mirgimea regiunii de sareina spatial a jonctinnii emitor-bazi: Lon — Iungimea de difuzie a golurilor in bazi (Lys — «Dye Marimea Wy se numeste grosime efectiva a hazei yi este data de: Wa = Woo — tan = Ines unde J, lineimea de pitrundere in regiunea bazei a regiunii golite pentru jonc}iunea emjlor-baza Gey & fy). iar dic este acceagi mirime pentra Joncliunea colector-bazii. Afectul de modificare a grosimii bazei zare este cunoseut sub denumirea de efect Early. © Stripungerea tranzistorului bipolar se poate face prin multiplicares in avalanga Ja joneliunea eolector-haza sau prin fenomenul de pilrunde In condiliile de matipticare a curentului, depende forma: wb actiunea lensiun jor de pole Te = Fy capita Fo = Marly > From) Venomenul de strdpungere prin pdtrandere ave loc atunei eind grosimen cfectiva a bazei devine nula (Wy — 0). PROBLEME REZOLVATE BA, Si se deseneze diagrama de densi energelice « anti transistor pnp funetionind tr regienee activa normald si in regiunea de suluratie, Rezolvare Diagramele cerut 3.4, @ pent i si in figura 3.1, 6 pentru reginnea de satura siniveltl Fermi pent CU Ley, CWASi ti H regan S-a notat cu mi pentru electra3.2. Un ire ‘ior pap are con= centenfiite de imparitafi: Ny w= 10" cm" Now Hem st Nao = 10" ent Grostmee metatargicd « bazel este Woy > Si se represiate concentrafia de geteei din reyitnee bared In dowd sitccafii de poturizare : a) regimen activ normalt + Van OG NEV ey = — OV b) regianea de xefurafies Yaw = SH UGVE Vey = Wad V, Se considerd ny == 10° em™, = 17 si'T — 00 K, Fig. 32 Rezolvare Representarile grafice ale cuncentralict de goluri S-au fieut in figura Sai propus 0 distribuyie liniard de goluri yi s-a nogiijat extinderea reginnit de golive a jonctiunii emitoruhii in regiuaea bazet y intr-adevar a ie (Poe Veo) ZO2 pg AT) NasNoe Prog oa In =O0,b98 WV. Grosimen electivii a bazei dste + a) Wa = Wan — tae = Wow — Wop — Me | 7 Vor) = 387 pm; Now b Nac by Wy = 4,80 wan, unde D se00: O778 Ve 7 u Concentratiile de yoiuri Ik extrem date de (vonditii Lip Shockley}: {ile regiunti efective ‘a baze a) pal) = Pav exo? 2 } Las-ia% em aT PAW a) = Baw cap { rt) = fh) pe(O) = 1,02 -E0-4 ean 5 Pal We) AB8-K)' emf unde : Pro 10" em.3.3. Pentru franzistorul din problema precedent si se caleuteze eurrntitl de colector, tn cele dowd situafit de polarizare ; se presupune uy = i; = Wem; Dyy = MW ems; T = 390 K, Asp. 1 Rezolvare Se considera ci mivimea curentului de eimitor este data practic numai de curentul de goluri (ye); atunci: Ao gD pn ZX PAMe Wa Caleulind, se obtine : a) Fo = 434 pA: b) Bo ARG WA B.4. 2) Sa se cateuleze eficienja emitorutui, factorul de transpart yi far torul de amptificare ta curent al unui tranzistor pnp din siliciu, avind paranetzii = Naz = 10" am“; Now = 10 om"; Nao = 10" cm 3; Way = 2 pm. In puncul slalic de functionare : Ven — 0.6 3 Von = — 5 V, neglijind curentil de recombinare in regiunea de sareind spaiiald ajonefiunit emiter-baza, b) Cit devin acesti factor’ daci se fine seama de recombinarew tn regiuneu de sarcind spatialft a joncfiunil emitor-bazé ? In acest cuz sit se calculesc curentit Lx Ie. In Bvt punetud static de funclionare consideral, dard Nan — 10°* em. Se cunases m= 10 ca ®; ayy — 400 cmti¥ey 16° emi¥s: % 0,5 pss K 11,7; T= 300 4. fox Revolvare a) Neglijind componenta de recomninare a curentulni de cmilor, eli- clenta cmitorului est We = Woo — lnc = Way — unde : we A ete Dag ay 26 om # te Valori numerice, eficionla emiboralui este ; Ys = 0.09993, 39unk are ar tu'Br ~ 09981 3) Daci se tine seaima de curentul de recom 1 jonelimnii ciitor-bazd, se modifick mumai ef relaliei = nare in regiun jenta emitori a de galire wi, conform oste - Vand — 0125 gm, unde = W p96 Oy Neen 0,938 ¥. Jolocund in formula iniliaki, se obline = yas OME TIA aibmaet ay =n Be = 0.9058. se vil Gi meglijare Hui de recombinare a ernitorufui duee tn reeultate nate (Lranzistocel este Lab in Yj adacdy se ealcel im conexiunea cuiilor comin | By erg — ap). me all rentului de recumbinare} fala de yaloures carecti: Be 7h factoral de amplificure in cuceat e By = O85 (in cam wexlijarii cus Gurentul de emiter se esteuleaza conform relat pin abrupt, subtire : lor pentru o joneiune Ty = Aaah) vit Bo exp (228) mA = 1.2635 mA: 78 mA BiB, Sa se eateuteze conductanja de ivgize dlefdVey | te = const. pemdrar ann francislor py" np! neghijind dependenta eficien|ei emitecului de tersitinea Von fy = LMA Vow av Ke] Wy Sb pans pee LOR MYT ae Ease ro du Ky, 1 ew? 40Rezolvare Gumoseind relatiile + n= yeBele 3 1 Wh 2. lanTo ~ die — dae (Dae Ven), he oq ml minus apare datorita faptului e& Vey ~ O; in modul, conduc. eruld are valoarea (yy = 13 Dye = O81 Vi lay & 2,23 um); die d¥ep 0.27 a MLD 3.6, Sa se catcuteze tensiunen de strépangese a unui transistor pmp avind emilaral scurtetrcuital a bazd (Viner). Se cumese : Nag — t 510 ems Nae a 10 Win <7 amy By mM em KR = 17 T 800K. Se pr esupen jene em?) Nop 1 Vict i plane. Rezolvare Strapungerea tranzistorult) in cone: multiplicarea in avatanga Ia jone|ium patrunderc. Tensiunea de strapungere care rezulki din fenamenul de multiplicare in avalangi (Veamese) este data de (vexi problema 2.5): unea preciz ti sc poate face prin 1 colveterulu au prin fenomenul de 2ch s 117 y, Nae Tensiunea de strapungere datari este tensiunea colector-bazi (Vex) Wa = Way Viaeno = fenomenulai de piirandere (Vingins) anuleazi grosimen efectiva a hazel: Bin tee = 0, undeVie Dye 20,742 Vi yy = O61 pms carculind, se obtine : Bios = Ine = 0,839 xm gi Visser = [Von] = 298 V. Tensiune: [de steSpungere ceruta este Viamoes = min[Vinmen ¢ Viner) = U7 in avalanga. si usle limitata de fenomemal de multipl 3A7, Censiunea de strépungere @ unui izanzistor en baza in gol Vonmice, mrisurald pe un lot de tranzistoure fabricate identic, aindicat urmitoarele valor, corelate eit factoral de ampiifieare tn curent (Bx): Vidhce = 80 Vig = 200; Wien = 78 V5 BY? = 350. se catcutere tensitnea de sirdpungere Veamexo (model plas}. Rezolvare uni de stripungere exist’ relatia : Intre cele dou EV ounion i ae cfectwtnd calculele, se objine = uade a esle un coeficiont empiric. , fto=4 o Vane = 30D V. Observagie. Be regula, relajia atilizata moi sus au este verifieath de experiment vaiv. Jo mAsurate pentrn Vgagiose Sint mai mari deeit cete calewlale. Acest [apt se explica prin age boc In partes eurbat a joncliunii, care se afl Uizeaza efectui tle Uranzistor ; va armas, curentul de nngerea jone{iun!l caleckn wel Iw care se. de re 1x1 yn mal este amplifical de tranzlstor 3.8. lonstumea de p. 10 em = Noy = 10 cm; Nac a tranzistor p*pp* este potarizat invers eu Vay = — 2V. Cit esti rundere Voxmer 2 Se presupne un transistor cu datele Naw 10 em? ; Wy = 2 ams my = Wom"; Ko 11,7; = 300 K. Rexolvare ‘Fensiunea dy patrundere este tensinaca Vee 6 face ca regiunea de sereina spatiala a eolectorufui sa fie: fhe = Woe bees | jouetiuni ole tranzistorula) sint asimetrice, ustfel Incit se poate serie ke Ste = Dpye ~ Ven): ¢ Ve nue ~ Vex) Be wae — ¥euhi Now 42unde = “ian ig Banos q my ‘ke Nao o, ® ge PE tn NeeNas ak Caleulind, se obfine : @yy¢=0.838 V5 Drag O95 V4 Ly 0,619 yowy Ino = L381 pm, jars = Bye = 13.9 V. BAG. sa se culcutece eurenlié fey si Tops ad witué iransistor p'up* din siticin, avind paramettii : Noy = 10" em? ; cy = 0,5 us Aye — 107 ome: ny == £0" em, fa tensiunea Vey = 20 Vy unde are ay = 0,98. Cit devin acesti curen{i daca se tine seama de mulliplicarca in regiunen de sarcinit spajiald « coleetorulué-? 'Se presupune c@ Vinmeye ~ 40 V sin G. Rezolvare a Curentul Ieuq este delerminat. in, major! in regiunea de sarcina spaliali a .eolectorulu! de fehomencle de generare Few = Agcg et te unde : ge , ne hee [2 Wvenls CVer & @ poe). Cateulind, se objine : fe = 1.64 gym si Lem 258 pA. Curentnl Toys este dat de: valunsi; faetorul de multipli Daca se fine scama de rmultipliearea: in care (M) este dal. de $e 0D, 1 ft¥eal_y, \ M Fisajops J Ie eclor doi ctiremlé (lems si doi.) sink: eeda Lit Bou — Miler > 202 pA Atunci, valor i , 1h Tig teal ates nA iim Me BAO. Paterca disipat marin admisitita pentew un truncisior pu te Ty = 25° 25 W, Pemperatura maxtmd a joncliunti este V pmas 150°C. Sit se determine curendul de eoteetor maxim ta ‘care poulo tucre ir xi dacd se polarizeasd ia Ven ~ 40 ¥ st tanperatura medidud ambiaut 50°C. 43Reval vare Puterea disipata maxima pentru o temperutura ambianti data este : Pp aus rezist unde Rigs loarea @i'& ala termici jonetiunc-ambiant ; in cazul de fata va- Hg x Eos = Sow. Pentru dy = 50°C, pul adinisibila rezult disipa 150 — 50 Py S20 WwW; intruelt = Py doVew + LeVne & LoVew yaloarea maxima a curestului este Pp = 0.5 AS BAL Uani tranzistor npn din sittcie é se impune o patoare constautd a curentuttd de colector Ig — 10 A. Presupunind cd are factorul de amplificare 100, independent de temperatura, sd se ealeuleze paloarea curerttulut de Ty da 2fC, 12°C si 120°C. Se etnoaste valoarew carenfetui residatel Tone= 10 A fa 2PC. Rezolvare Expresia eurcntului de baci rezalta prin rezolyarea sistemulud Se obtine : Tons Presupuniad rit div crestere a Lemp sratari eurenlulud fey se dubleaza pentru se obbinc : ” epey HH fo AS Ot wt Fp(24C) ig 10 pAZ OL oe 0 oft pA = 0,004 was T00 1,002) ~. Ot AS OT ALT | Un transistor pup fateral este modell aaidimensional, avind parameltié Nyy = 10 om 25 Now eSom Wy = fame Ag 10 em; Don = 10 cals 5 ty = 8. 8. Sa se detersaine ¢ ay vetoarea factoralui de amptficare in curent, Bei by raloarca freenentel de tdicre, Ly, in tpoleret meplijdrti capacitatilor cetor doud jonefiuni ; ©) valoarea curentului de colector fa care se instuleazd nivelel mare de in- acetic. 44Rezolvare a) Expresia factorului de amplificare in curent ap este : ap =yr'bh jar factorul de transport : . 1 és 8. ———, — = 0.883. L+ a 2Dyrty Se obfine + Be = — 247. 4) Intr-un model de prim ordin, Freeventa de tiiere este: ee fr Se 3,18 MHz. c) Se accept cA nivel! mare de injectie se instaleazi de Ta acea v loare a curentului de colector, Fc. pentru eare concentrafia de purtatori minoritari p,(0) injectalé in baza in imediata apropiere a jonefiunit emitor~ baz depigusle coneentralia de impuritati donore din haz’, Now PO) = Nine Observind c& densitatea de curent de goluri in bazd este data de = si aproximind : se obtine : Ase Don 4 Tp > (hnPesNon _ 99 yA. Wa = Transistorul pnp Interal ure jonetiunea emitar-hazi ,groasit” In reghunen emileratui ; ale aceea, In expresia effeientel emilarmiui s-a inlocuit Wy, en Ler4. MODELE DE CURENT CONTINUU $1 DE SEMNAL MARE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR BREVIAR TEORETIC staginnar), Eewaliile Bbers Moll sint AO, a sib ap, trolaly de enrentii la bor cliv npn. Sint reprezeniate eu simbolul jonetimuil pa ‘diode walter: TABELUL 4.1 Ecustile Ehers-Moll Model en ye curent ¢0l curenlii fa si og sin splities sens, invers} urii de am= lw curent in L bi respeclin ie and peuter: trnnstatar icp imate dene eee Taa! (4 ae Sioa ie} 3b I: Model cu geacraluare de eurent Cow ede euren{ii prin, diode cI Gow | 20) 1) — degfes 2 } | | 0] pein brangliber opal Gig, 44h d)1 (erfas = ayfos} es 46Freazisier nop 1p. i Dy ‘ ctl me | arg [=e ‘ el A eT he Franziston pop Fig. 4.0, b Prarzishon apr wazistor intera Fig. 40, 0 Fig, 4.0, f baz misurala de cotectorul tu gol si dioda eolestor-baz’ miisurala cu emi- toral in gol. Ace doud diode asculté de legea diodwi ideale, iar curentii lor de saturatie sint Lpag si respectiv Feu. ta Bgurile 4.0, ¢ gi d sint reprezentate cireuitele cu tent comandate de curentii pria di masurata cu jonetianea eolector-b: dioda colestor-bazi mfsurati cu jon (oxn =0 si ip = 0). Figura 4.0, ¢ arala addngarea rezistentei distribuite a bazei torw! intern, iar figura 4.0, f — un exempha de cirenit cehiv neratoare de cue witor-bazii =0 si ig =O), sew beiren tata ode. Sint reprezentate : dieda © scurtcirenitata (Mo unea emitor-bay la tranzis- wl coimplet. fa Labelul 4.2 se definese regimurile de funchionare ale iranzistorwlui. ia earacteristicilor tranzistorului cu temperatura. In regiunea activa permal: teanzislorul peate fi caracterizat prin paramcteii Var. Sp. Leg. Var xiunoa ba stara eu te tura esle indicala 1 14 Th enne- 4 fo ss tebe cb Tomy avTABELUL 4.2 Regimurile de lucru ale tranristorulul bipolar Fenveurile pe twarsistar Regi de tueru Cierra ii pap | np Z Activ normal Pee iO | to tele + Tem > Pen 0 | fem Bets > (Br -b IMogs % 0. pentra | teal | Meal BET Ye Saturatie ter 0 | te = Baty 0 | fo > 0 san ip <0) Aetly invers | rigs | bemeale Tyan Peet fo Bain — {Bat Ol say peatra'| Deh feel > ATW tiilere (bla 0 | tp Foo in = Oty —~ Fem pentra | Pel | ten | STM, By B Be TABELUL 4.3, Voriatic: parametrilor tranzistorului cu temperatura (date oviertattwr) Parnncteut Vareterfiee eu teanporatnire Tensivuea Izd-emitar [Viel oe Oo Voie sien [Vee ley B2 ¥ Fuetornt de amplifieare ia eurent a 4 (ernitar cetaun, repluies: aellvd Batt) = Bada [1 normal, 9, * ¢ = 1006 pentru 4 € SUT promtrn sidiv al de: enlactar, Toye Tonk?) Fonte espa? ty baie penben aia aw O12 Ko! penb germane iav in conexiwnea emilor conua te = Bela (Bo Intr-un vireuil electron tinuu de colector fo reste ene: si Tes. Daci baza ste polurias ari valourea lui fp, curentul con a temperaturii datorili cresterii lui Bp nlr-o rezistenfa serie de la a sursi de alimentare, Jy ereste dalurité scaducii lui Vay cu temperatura. Ca urmare Ig cresle cu creglerea temperalurii: Pemtr-un efect de reactie se poate asigura acliderea lui #, cu cregterea temporstir fe) tneit cresterca Ini Fe este mai, redusi..ot , : Fes tee Vor, ly ‘we ge ? Vy (tse * be,) Ben pe Fen ons Reh rsa Fig. 4,9 Fig. 40, h Observajie. Prntra funeflanarea fea scittsial mere in regiined actink normaté se ponte folost elreuitul echivalent bazi-emiter din figura 4.0, g, Nici te lea de intrare este modelnth prin Vu = Vaee cb Putas pentru fy > 0 say, mal bine, pentru fy Cupeins intra apumita plajii de curen|i. Pentre Vyes se poate pistea regula de scdere eu 2mV/°C. Schema este desenatt pentra un L Penitu tranzistornl rp se schimbt sensul curentilor si polaritatea tensiuntl V, @ Regimul termie al tranzisterului In regim termi sia{ionar naistur nipa. > Bi me Pa = Pec omy unde + Py este pulerca disipala in trangistor (efeel Joule) ; Py — puterea evacuali din tranzistor ; Ry rezistenta termied lotaia ; Tt; - temperatura joncliunii (eea mai fierbinte zoni a semieondue- torulai) ; fy -- temperatura mediulni ambiant, Cirenitul echivatent Cermie valabil in reyim stafienar apare in Figura 4.0, he Flusul de putere disipata Py curge prin reaistentele Lermice — Hy este Tezistenta termica jonefiume-eapsula (7, ese tempera= tura capsulei) ; — Ris one — rezistenta termica capsuli-radiator (heat-sink) ; 1 este, temperatura radiatorului; “ asa — fezistenfa tormica radiater-mediu ambiank asezate in serie. urmare Reg = Ben, oe + Pew, eons + Rin, tenes dcterminind diferente de lemperatura analoage efderilor de tensiune intr-un cirenit electric (F, este temperatura eapsulei, T,.— te mpcratura radiatorului). Puierea disipal® pe tranzistor este suma pulerilor disipate pe jonctiw In regiunea activi mormala se aproximeazi de mogul ew puterca disipata de cotvelor (Py = Pee). In eonexiunea emiter eonium (tranzistor npr) Pat loVen si curbele de putere disip: cilor de iesire. constamli sint hiperbole in planul caracte ani pouitive 93 eireuite — ed. 191 49Zona de Iueru este situat& sub hiperbola de putere « i maximé, pentru care Pe = Pa, mas Hin unde Ty, mez esl temperatura maxima admisd a jonclimnli (ou Py = 29°C si Ry [a valoarea preseris&) fa regim termie nestationar P,, ¢ Ps. Dac Pz crests (se inmagazineazd cldurl). Dac Py Pee, Lempera Puterea distpatd depinde de curental prin branzistor. [, iuelor ereste eu Lamperatura. Dacd Pp eregte cu cregtoren Ini Le. determina creslerea in centinuare a temperaturii, cuca ve delermi iviva dui Py elu. gi se poate ajunge Ia o cregkere a temporaturii care sé din fa temperaturi mai mari deeit Ty, mer si la distrugerea tranzislorulai (ambalare dermi Ambalarea fermicd os i temperaturi Ty, (i PAT p) = Pod Ep) seal bade ew peasta eres sigur dad, pentru orier 23, 3, 2...) pentru care R, im termic stapiowar, Pyotr ca acesl ree ea, exista posibilitatea unui mie sa fie stabil Wactorul dPyldie depinde de ciremit si de punclul de Sunctionare, Conditia este suficients pemtra asigurares stabilita |i. Pactorul digidT, depinde de cir- cust gi de tipul tranzistorului. La coneetaren tensiunii de alimantare temperatura joaetiua 7) eresbe de la ‘PF, la prima valoare Py, (ia ordiae crescaleare) care salisface exndifiile Pe =P, si dPafdT, < Ry. Este necesar ca aceasta val si fie mai mica decit Ty js @ Algerea punetulud static de functionar Limit&ri tn regim stationar. Tn regim de ainpli- fieure punetul static de fuclionar ebuie sa se afle in regiunes disipatic, la Lensiuni suficient de mici pentra 2 cvita cregterea curentului de colvetor datorité mul tiplicdrii in avalaas% dar suficient de mari pontru a nu se pilrunde in regiunea de saturaqie. Pentru cireuitul din figura 4,0, @ de pilda, punctnl static se va alla pe dreapta de saveiad stulied cu ee umtia Veo Veet (Re + Relo. Pentrn Vor < Vee! Fig. 2.0, 1 regimal terimin de funulienare este stabil. aclivi normala, sub hiperbola deBonar Goeractensstia dorama este loeul geometric punctelor inslantance de funetio- nate. Dac io =To + Aiet unde Ate, si Alp reprezinta variatiile fata de punctul de functionare static ca coordanatcle (Vox, fc}, atum pe ura AO, E e Vor + Aves, _Dreagta oe starciag sich d 4 cirewiLal Brog = — edie Koes Si caracterisliva dinamiei este linkardy formind ew verdicala un unghi exre depinde de Re. Dae& cor iL ulternaitiv, alunei proie {ia pe axe a caructeristicli dimamice este de dou ori amplitudinea Vy 0 semnalul: (lela de veloarca medie) seu plitwdinea virf la virf. Caracteristiea cit mica trebuic si ramind sub hiperbala de disipatie (fig. 4.0, j). Stabilitatea puncialni de junegionare, Punctul static de functionare wed pe dreapta de sareind statied edala ew cresterca ten turii (fe crestey. Stal rea punctului de functionare cste necesarh penteus — contrelul puteril disipate ; — cvilarea distorsionaril scmnalulul pein pitrunderen in taieve (1 le pularizare prea miei, figura 4G. fp sen in seturalie (la enrenti ¢ lurizave prea mari) ; - controlul parametrilor de semnal mic (a se capitelul 5), Proieclarca eircuitulud se face ostfel tneil sii asigure funetionarea 4 Lempera extreme (erora le corespurd poxilii extreme pe dres de sarin stulichy ® Modelnide control prin eurenti uMirinwa 8 B neWire. qy, qste marimea saved 240, j feati arcina (regim ty. In modelut de contrat fu functie de sarcina stocata in trang star cinii de purtitori minoritari in exe nil similare injectate tabclub al, qp es iin emiter tn ba TABELUL Ecuatiife metode! sareini (tranzistoare pnp, apn) Replat deters | Feat | Panamietatd Begin activ | Wve | we | ae 2 Dj: ae ee = nna Ohne — (Done — 0" abrupt tae = 02:2 Dhee — (Dino — test] le i rexlehp) | sredatBlocarea se detineste pentru iy =O (deci la fel ca be conexiunes BC), de unde (o)seere = tony = —CUa)oivcere (2 8 vedea problema 4.3). Observafie. Determinarca Ini By tm funclie de xp este imprecis, deenrece @ mic& ercare relativa In zp determina o ernare mult mal mare In fp. Inte-adevie, derivind fiawe|ta Bee Bette) gi treetad Jo variafii finite gasim ! day 1 ABe op Bett Be 4 apare multiplicalé en By + 1, deel eroarea 4.3. Se consider’ un tranzisfor npn care ure apticate pe jonefiani lenstini Pun % | Oem | & RTI, Pon <8 een] & Tq. Sa se deseneze cire echinalent al tranzisteretui si sé se determine curentii Ja borne, Neral Circuitul echivalont este eel dal de medelal Ebers-Moll in varianta din ara 4th. Tinlad sea is Fesy ix = Lee Gonetinni polerizate ew reginnes de tic a curentulni) circuitul se modified ca in figaea 15, @ si, folosimt vletia de leeaturi antes ayes obfinem varianta final cis figura d fp (Caylee —adltes Fig. 43 apilii a eapresic mai simpli ¢ ctl ap dpropiat de unitate. Ds Fong punew transistaral puternic asinecla ic attuned dg + 0, be + Fenn Si CG fnire coleetor gi emilor altered etd bara este Misatad in got? un se repactiseacd pe jancduntie jeanzstorated ienstunce eplirald Rezelvare Conside pentru care niotranaistarul pnp din figura tA, — VenExplicitind Wee si Veo din eeuatiile Ebers-Motl objinem ee 7 pas, Tops dp = inte to Tem Fem sels — Tot Ton Gombinind relagiile de mai sus gisiin . V 1 (1 — aliens Ko waxp te alot ae Be ae eas de unde bo Nie 6 RQ = ape > tem! — ap) si Via * In [ 3p i) -0, ou conditia K Be (e siguré usoc cu V suficiemk de mare fal ds KP Yq). Junetinnes emilor-bicd ests polarizata dircet cu o Leusiume miei, de eiteva ori KPq. Reslul lensinail apare pe jonegiumea colector-ba: 4B. te civcuitia din figura 4.5, a teanzistorct are] ay = 88. Se cere sé se calculeze lensinnea emitor-bazd vy porifié ate comateiorietui, Feezistenta distribuidd a baztl 5l¢ ron 5A, ap 0,99, pertrn cele dawa 308. TRezolvare Trasgistacalest uit cu eit ent Bhers- Well iv figar La curenti de ciuiiny suligienti de ul de baza este pozitiv aemare, en cainutalorul pe pox Pope = Fase bn gi_presupuneidvoarcee dinda de colector este polarizata invers. Ca urmare ty sty tanie = Ty — ante Ip— oplye = 10 = 0,99-5-10°% = 10 mA. Rezulta Bee! In 1) AD = b a 0.198 = 02 ¥ \ tes t Tres (ealeu! la 200 16), Pentru a determina Dey Oyneb Poveda e+ Ogun + Paudle — be) vom caleuls in 0 ata dimet, Calewlimn de colvetor este pola fe bye ont = Be DP aytad es devi a is tag ma ee mer TTT si ager nf | 0.026 wo ae 1) 0,238 = 0,24 Vv. 1 in 0,005 scmibor st desehide mai puternic prin intreruperea cir- comutalerulni din Signra 4.5, a). ‘Tenstunea absorva ci dinda d vilului de coleclar (desehide: euritor-bard este (ie = 0) al bean hy See Y are & valoure comparaliy mare, deowrece inlregul curent de emitor ty prin Faire ster a unui Lranxistor pale a aren culcetoritul 1a baa pete a Senpiedica bucttides esagerata a (etsiunit pe jone|u Observatie. Tn cireuilele integrate, junctiuwe A ea din, Lisle recamandabils rea curentabat pei Isten|a distribmits a barel 9 nea pokwiala direct ALG, Se da circvitad din figura 4.6, a in care transistarad pop este cd lorizal de parametrit ay — 8.99 jay = O55 len ~ EA. Se cere sd se determine carenfit prin (rancistor si tenstunife da bornede (rauzisforudd. fol tc Rt ‘Vrungistarul esto polarizal in regiun ven ~ 0, even ce rismine a fi verificat wlte fare vii norma or). Kolosim cit 4 (presmpunem uilul echivaicnl 56Vo ot U2 fa Fig. 4.6 din figura 4.0, ¢ unde é, Tes (dioda colvetor-hazii este blocata si oblinem schema din figura 4.6, b) Cu o buna aproximat incit tranzistorul este deseris pot face neglijarile indicale pe figura, astfel e ecualiile fe = Fey exp-"" (oaraeteristica de intrare) si ig arte (caractoristien de transfer), Calewlal eurentului de cmitor se face folesind ecuatia Vex = Ugy + Rein, Ja care se adanga cteristica de intrare a tranzistorului. Rezultatul se obline prin aprex Din cenatia “u View 20 gisim fy = Vp 3m. isticii de transfer rezulta 0,208 ¥, Pa of ‘ ~ In (W026 In(S-10% 8S 6 Ing ) © houk estimare a curentului ig ne di ee Few 0,208 Re ar tensiunca devine Veg =0,207 V. Diferenla fat de reaultatul anterier esle nosemnilieativa si retinem Vey 2 0.2L V, ty 2,9 mA. fn eirevitul de colector = 2,895 = 2.9 mi Voie Moar Ret tele & Ip =2,9 mA de unde Vex = 33 ¥. orul funetioneagi Inteadevir in regiumea activi normala. fe in Observatie. Deoareee printr-wn tris ditcet Wry > &, aceasta poate istor dat, eu jonctiunea emilor-bazd polarizataé y tensiumea fey — Tig Ine/Tes) depinde slab de curentul de emiter, usideratdl uproxinativ cunstanta, data (pentea o plaji de curenti de Tuctu), 4.7. in cirenitut din figura 41a Wwansistorul are ar = 8,99, Vig & #2 V si lin = 2a. rire ce limite putem gést punetet static de funciionare dacd rezistentete din circuit an loterante de — 5%, ? alvare Th relatia te = aple Lenn vo Tia ay = 1 $i form 0. Pentrn valorile nominale ale reaistenfelor se calculeazi Ie i Vou = —VorLimitele tntre care poate varia curentul prin trangistor sink leave Tyas ~ 2 SO sn TA Fa mis or) Veet @ 09 Fo min > Tx meg ESE = = 2,78 mA. . “oa Re mar ah Valorile extreine ale tensiunli de colector se caleule: (—Vea)mar = Vee — He male mig 12 — 1,9-2,78 = 6,70 V5 (—Ves)nm = Veo — Re merdo nae = 12 213,05 = 5,50 V. Locul geometric al punetelor statice de functionare esle reprezentat ie figura 4.7,b. Sint reprezentate dreptele statice de Tunehionare Ver = =--0¢en-} Reig pentru valorile oxtreme ale lui Re. 4.8, Sa se catenteze tensiunea Voy a transistoruha din figura 4.8, atu cind comualatoral K se afd respectin pe pozillile 1, 2st 3. 5 op = 899 ag = OF Revalvare ve cumosc Tye 1a Analiza regimalui electri din ectatiilor Ebers-Moll uit presupune rezolvarea simmulland a la care sc adaugd cenatiile Kirchhoff. Sc obtine un sistem care poate fi rezcivat iterativ, Rezolvarea este usurata de alegerea corecta a marimilor cleetrice pentru care se face estimarea initiala. tn cazul studiat aici, aceste marimi sint curenti: prin tranzistor. Cu comutaternt pe pozifia f presu- punem jonctiunea emitor-hazi blocali si eurentul de baz neglijabil, Se poate presupune curent de colector mie lsnsime Ucy sulicient de mare pentro a hloca si joneliunea cole or-ba 58Mergind in coutinuare pe ace lor prin trangistorul blovat : problema 4.3 ne da valoarea ige Tena uode fer = desl! — eran) = Ca urmare View = Veg — Maly = —Vaar + Raton = —d + 29-8,7-107 —3,74 ¥, O, Waet p22. Apoi 1 = Releim = 12 — 1:0,7-107 = 11,99 Vei2V. Lensiunea coleetor-haza vste Ven = Ver — Vax = 11,99 4+ 3,74 = 15,78 V, 0; | Kae! - Ca urmare, se verified ipoteza blacarii tranzis- toruini si valoride ic — den ig = —fens: Galeulul se poate opri aici. Intr- adevar, negdij facute in caleul sint ecle din problema 4.3. Efectul lor asupia calculului tensiunii de colector este nesemnificativ. Cu comutatorul pe pozifia 2 cireuitul de intrare este deschis gi ig =0. Se foloseste eeu ic = aplg — care se mad serie (ae = te + igh ic Bria — (Br + 1Mfeoa| exp peel 7 1. Alci ig = si #re se poate presupune suficieat de negativ pentru ca ic & (Br + Dem = 0,67 mA. ae Intr-udewdr (problema 4.4), atumei eind baza trangistorului este in gol gi se aplica o lensiune negativa futre ecaleclor gi emitor, accast& tensiune apare apraape in intregime pe jonctiunea colector-bazd, blocind jonctiunea colec- torulni. In acest al doilea caz v Vee — Refe = 12 -- 1-0,67 = 11,33 V, ula fai de Voo devine semnificativa. deci dif © eventuala creslere a temperaturt determing eresteren Ini Lope gi © scdidere aprecia- bid a Ind Ven, 59Cu comutatorul pe porifia 3 jonetiunea emitor-bazii va fi deschisi. Neglijind pentru moment Vax oblinem /y 2 0.3 mA. Daci am admite e& tranzistorul lucreaz In regiunea activa normala si Je = Belg, am objine Tp & 30 mA, coca ce este imposibil in circuitul din figurdi, Tranzistorul se va satura si prima estimare a curentului de colector ne da Foo Re ceastA disculie preliminaraé contureaz’ modul de calcul. Se vor calcula tensiunile pe transistor in functic de curentii $i fe (determinati cu aproxi- matie de circuit}. In ctapa urmatoare se vor recaleula curentii eu e uafiile de cireuit si se yor aduce eventuale corvetil tensiunilor ete. Rezolvind sistemul de ceuatii Ebers-Moll in raport eu tensiunile pe jonefinni, obtinem tap = In ( if este a Ty Veg =A In (! Se }: Fave = Ins(l — anatr)s Lee = Fell — aepttr)- unde De aici ae we fa + (l — teMle + Tene Ver ~*£1n a Met Inns 2 is alg (b= 29) + | Pentru T= 300 K se obline Vex = 01 Vo si Va 0,186 ¥ se Voc = Vaz — Vex = 0,086 ¥ > 0 — tranzistorul este satura). Cu valorile de mai sus recaleulim curentii Vom a Vee 0.303 mA; dty Tg = tite - 11,9 mA Re si tensinnile Vay = 0.186 Vii Vey —0,009 V (eek reobtinem practic va- lorie initiale). Observagie. Blocaren forma a trunzistormfal aceesitS negativarea Comanda. te snturalie se face et nn curent de baud apreriabil mai mare or sulurstiel inciplente ca 0 masurd dee precantie Legati de dispersia parame iistorutul. AQ. Fie Vyeu curentat de bord corespunzalor saturaticd tnedpicnte (no — ). Sd se determine oarialia tensiunii Von, sa. eu rapectut Fm 18 — factor de supracomandd ~ (. Se dat ay — 0,99 si an — 0,6 V. Rezolvare Din relatia (trangistor npr) et Vac =— 1 te In [14 cele 0 Jew 60ob{inem fo martes Tom Prins Beret. u un Ie = fe see determinat (aproximaltiv) de cireuit, avem Te wwe sed in vague ‘Baat 3, Vex = Ver Ue. Fy) a fost caleulat in problema preceden teziduali foro $i eeu, ebtinem Neglijind eurentii Ven sar =A In unde By ag(d ap) “Pensiunea normata q¥¢ de bazd normat Iyfly sat Variatia depinde de valorile concrete ale lui Bp $i Sp. Cu Ty > Fy cqily -» 06) 8c linde spre (Vex sedma ~ lim Voz {ew ay 40,6 din enunt si k7g = 0,026 ¥ 0013 Vp. Penten fy + Eh ean Veg + TERM Tui Voy sau facut neglijari, Obtinem Vor vr — 0128 ¥ pentru F 15. Vou en = 0110 V pentru F = 2, Vos cr = 0.076 V pentru F = 5, Venere = 0,058 ¥ pentru F = 10 etc obtinem valoarea minim de tat artificial, deaarece in expresia Observatie. Pentru tranzistoarele in construetie planar epitaxiala efectul tezisten|et serie a colectorulul, Hye este important. st (1 Be tases say nig OE | SR Pipe ayn ’ pauls ty x Reluind cateele! pentrr te age = SMA, Tg = 0.5 MA SE Rae = 100-0, qisim a Vow wy 9 Q058 4 O13 = 0,558 V 410. fi circnitul din figura 4.10 tranzistorul npn are paramelrit ty ~ 0,99,0, — 06, Ips = 2nd, Se cere st se determine punctut static de funcfionare (Ie. Ve): Ikezolvare in jpoteza functio normala (rangistorul fii Tm regiunea activa ste cleseris cu aproximalie de relatiile ie = evin + Tonos is & Eee exp Tom= (—aetadlce, les =erlesttn. Bow i circuitului se abtin aplieind teorema a Ta ali Fig. 4.10 61Kirchhoff cirevitului de baz (care euprinde jouctiunea bazi-emitor) gi respeetiv cireuitului de colector : Van = Rata + Von + Refs Veo = Rete + Ver + Rete, ja care se maj adaugi ig =fe + iy, Obfinem ostfel un sistem de cinci ecua th cu cine! necunoseute (a, dn, Les ¥ges Vex). Una dintre ecuatii este neliniara. Vom estima J, presupunind pentru ineeput Var = 0 si Jem =O; si apoi 0020-411 500 = 16 ¥ Accaslii valoare a dui Vig va Ti conside caleulul cucentilor (ceva ce se poate verifica aA mui neglija de aceasta data pe Leu (caleulal sau preeis), obtinem Brew — Vorb Fomilte + Rady — 1) Rab RySe + 1p | Tty + By(Be 1) & sitficiont de prec n inceredri suveusive pentru Fara f yi se calenleaz& Ig =1,03 mA. Aproximind Ip ~ Ip gasim Vor = Vee — Rele — Rely ® Vee — (Ro + Ridle si reazulta Vey 4,8 V, Deoarece Vex este pozitiv si sufieicat de mare, tranzistorul mu este saturat. Nott Datele mumetice de wai sus sint tezonabie peaten on Neglijarea efectului lal Fo. in formula cate determina pe Ty dace lao ernace de 6%, deci unt este recomandabild. Tranzistoarele ca silich au curenli cezidualé mult mai miei (eel payin ia temperaturl nu prea inalte). Efectitl lat Jq poate fi neglijat ta catculul tuk Fe. Cr tor ave valonrea Zy—= 1,038 mA 41 este suficient de apropiatii de xaloatea aproximativ’ folo~ sit anterior, astfel Iuett recaleularea Ini Vyg sd na mat tle necesart. De obicel ta calcule se ia o waloate aproximativa a lui Vgy. daté de la ticeput ca un parumetru al t= zistor ca. germanin, tul do ents sistorului AAD, Ire circuitud din figura 4.1200 teanzistorut are By cupric tnire 100 xi 200, Vng 2% 0.6 V $i leno % 0. Se vere st determine pozitia puncttstad stalie de funefionare tr plant earacteristicifor de iestre ip — ig(eg). Presupurind Re wariabil, sd se determine plaja de valori pe care m poate tea estfcl ca franzistorul sd furncfioneze tn regiuned activa normata. Rezolvare Gu o echivatare Thévenin la stinga borneler A, 1 se obtine cireuital alent din figura 4.11, 4, undeFig. 4.17 Se rezolva sistenmul de eeuatii b Vest Beles i. se presupune funetionare ion regiunea activa normala): + Ver + Stele eennascutele Tp, Lis fe, Veg. Din primele trei eeuafii rezult& expresia renbiulni de coleetes hy +(e + A) Ey care este independenta de Wy (atit Limp eft tranzistorul functiones uned aclivA normal}. Introduedid valerie numerice se obtine Ig = 2,59 mA pent 3p — 100 si fe = 261 mA pentru Bp = 200. Gurentul de colector depinde foxrte slab de facterul de amplifi curent Bp. Din y prin conditia in regi- ein eel de vedere wuilemetie, Fy independent de Bp se asigura (ae + DR > Re Aceasla cehivaleazi cm neglijayea caderit de tensiune pe Ry in cireuitul b: emitor. Ca urmare, patentialul bazei fata de punctul de referinta este aproxi- mativ constant si egel cu Vag. ivr Foanitpe Cu ajutorul divizoralui pe baz si al rezistenget din emitor, Lyangistorul este polivizat ta an ecurent constant, aproximativ independent de tranzistor Wweriatitie lui Vex cu Py nt oricuin neglijabile 9 Neglijind din nou eurentut “de bazd in raport cu cel de calector Ie = I), ablinem din tearema a W1-a a ni Kirchhoff pe circuitul de colector Vow S Ver & Ute bh Re)les dreptei de sarcind slulice reprezentate in figura 4.14, ¢, Poactul pare se Va giisi pe accusié dreapta de sarcin’, la curenti 9 si Vou — (Reb Ralg = 18 — 4-26 care usle evua staliv de funet cuprinst Tntre 63Limitele intre valoarea minima re poale Varia Ry se determing astte este Re 0; valoarea maxir se caleulcazd astfel incit te nsiunea Vox la Te — Temas caleulat anterior si nu seadd sub Vex, seri CU 9 reaervl comsi- decam in locul lui Vex ros tensiunen acoperitoare Vo = 0.5 Vi eo urmare Yeo 7 Va ~R 7 5 He, mar AAD. Tronzistoarcie din circvitele reprezentate in figurile 4.12. si 4.12, b ou paranetrti euprinsi in urmatoarete game de valori : Veg 0.15... 0.2 Vi Py = 50...100, Leg =F... 1 wa. Se cere sd se determine limitele infre care vartacd curentul de colector Le in cele don eircuite, 2 = 4,65 KO. Rezolvare fn cirenitul din figura 4.12, a 1, -~ se Be Bettn + Ebr + Whoo Wariatiile parametrilor @», Tous, Van Sint necorelate (independente) Curent! de colector maxim este objinut pentru By maxtn, Leg marin, Vex minim, Se giseste [¢ gaz -" 9,1 mA. Curentul de coleetor miniin este Le mia = 206 mA (pentru By minim, Femo minim, Van maxi) in cireuitul din ura 4.12. 0, Ig = Pega = Naw (te — NUR + Rie. Tt, + RelBp + 11 Ry + Kelby +1) cu Veg = eM Ral 5 ilies She: Tb nom (sea aplieat. Leorema Thévenin, la fel ew in Fgura 411) Be 29,5 mA (pentru By maxim, Teuy maxim, Vy amiuian) si 7 Wariatia relativa © cose de eel Tecwts = LS CM si O18 (18%) in cel de-al doilea, Observajie. In col de-al deilea circuit punctulud static de functienare Intre si tnatiile extreme este Inull inal redand deci in primul, Fxpilcalin este wimatnates pimetulut static de funelionare se datoreste in primal rind dispersi) Ins Bs in ala se asigurd stabilizarea impotriva varialiet fal By prin Letiy obtine fe, max = = 2421 i.) in primal Nea cireult, ntl a descrisi: in problen a Vee ese) 4 \ i Wee . . amel in figura 1.12, stint: din cmiter 5 wha de hn im variatiile 10 Vey (Vpn tai mic declt Vey im ccuatia dul Fe), de Imbunitilirea stabilitagii in rapnrl cu varialiile buh Sp stabilitates mai vedi eft eH Lotal mass fest 4AB. Si se determine Ry, By si Ry in cirenitul din figura 4.13, 0 astfod facil si asignre funclionaren irensisturelui in punetad static 1, — 3 mA, Vex = O'% a curentilat prin tre for ature’ etre =O. Se admile 0 varialic de - fomperaiuea varia tnfre T, PC funde By — 100 sf ¥ = 0,64 V) si T, = 95°C funde By — 150 s5t Vay — 0.5 VE. Rezolvare Se folosegle refafia (figura 4.13, ) ie z. = (Br + le serisi pentea f= Ty) (unde Fe = fe sue = 2,85 mA) si respeetiv pentru (unde J, Femur = 15 mA}, Intreadevir, Fe creste ew T datorita i lui 3, si setiderii lui Vyy. Considerind By > 1 obtinem dt f, at OR, - | He R lar doug Fe meals acl Bel Pe) de wide Hy = —18,7 — 40 ft, (in kQ). Avind in vedere ceuntia cirenitului de colector Veo & Vex + (Re Ralle: Hee iridv) Fig. 4.13 5 — Probleme de dispozltive — cd. 191 65=3 mA shavem Vow vom determina 1 kQ punind conditia Be aich By = 2b kb si Pag mde ww] \ ale Vail 0. Ta dt. ta rezistene de cmiter Re proiectarea este impasibila. Un progres important in interpretarea diagramei din figura 4.15, ¢ pote fi ficul observind ch Ry a fost obtinut punind condifia ca functianarca corecté si fie asigurala ta fimilé (a Lemperatura minima m tla fi mita de intrare in taiere, la temperatura maximi — exact la limita pe care am impus-o pentrn a evita saturatia). Putem alege pereehi de valori {Ry, Ry) (deci puncte in planul din fignra 4.15, ¢) pentru care se abline o stahilizare mai buna x punctului static de funefionare, astfel ineit limitele sé nu fie atinse la temperaturile extreme. Cu alte euvinte, locul geometric al solutiilor (Fy, Ry) este format din one din plan si nu din porjiuni de curba Zona permisa din plan se gaseste in cadranul I $i este delimitata de eurba, Rp = Ay,(2y) gi de axa Ry 0. Trebuie si ne plasim deasupra ii A a curbei 3i sub ramusa B. Ambele afirmatii pot fi verificale ugor. Amplasarea sub curba B poate fi acecplatt pe considerente intuilive (la un Jty dat rarea lui Ry asigura o slabilizare mai bund deoarece variatiile potentiaiului hazei fala de borna minus a sursei se reduc). Amplasarea deasupra ramurii Aa eurhei este ins surprinzaloare. Pentra Aputea accepla acest rezullal Lrebuie sd observim cf Rye = O25 kQeonstituis © delimilare a dou’ regiuni calilaliv diferite de lucru. Peutru Ry > Jy, lea rau 30> Jeane Hein Ing = Tee < Jems TBAT) Daci Iucram Ja limita (Tey = Fer ess Fel T) mis) atunei pentre Ry Ryo teebuie sa asiguram sedderea curentului de bard cw cregterea Lem peraturit. Accasti sefidere se asigura prin reaclia ne: ala de curentul Jp & Te cave curge prin registen|a dy. Pentru ca de s stabil MASUNA sUficienLa 1a Var cient de mica cle In situatia Ry < Reo deci se folereazd crestevea eurentuiui de bazdé cu cresterea femp: te motivul pentru care condiliile de proicetare se inverse ja Ry =O este necesar ca fy > 14 kO p etturit, Acesta nia. I pa miru a redwuee crestered eurentule 69dle bacd cue cregierva temperaturié, dataritd sedi HoVicge Aveasla observatie ne vonduee lao interpretare foarte inleresanti a rezullalului. Pentru ie = Povo Ry poate avon orive valaare deaaruce se asigur’ compensares int nvisy suficionla a cfeclelur a doudi cauge de variatic a punclalui stali temperatura: varialia lui Sy si respeetiv va tre bu emun Hy snficient de imie pentru a redue Dach Ry Kew trebuie si ludim un fi, suficient dex efectul variatiel Ini Ves. Vom exemplifica cu date pemerice, Luind Ry =O si It, = ka deducem din Tet Ps) Fe mine ¥ VW. Gacurmare iy) = 40 KOs Ry == 10,00 KO. Se pol gasi solatii mai avantajoase ev: duvi la un Ay mai mare (prin- cipalal argument este eviliren seurleivenilirii rezistentel de inteare avtajului). © varianti este Ry O si Fy + oo (deci Ry Ry Vag = Veck Co urmare, enrentul de eoleetor este dal de expresia eu fia lui Vee. Daed Ry Rees eetul vuriaficl Ini By. pentru a reduce Punind conditis felt, {oma objinem Ry — 284 ke LPs 7. mA si renulid Hay = 230 KQ, Ategem Mty Ry ~ 270 KO, cure salistuce ambele coniilii i este suficienl de mere Dac alegein dt, =O. kO, obinem Jt, = 254 kO din eurba Ry = 2G (Ry). Pulem proieeta la limila aga eum am procedat mai sus (penteu Kp = Usi Ry = 14 &Q). Avest caleut la limita nu este insa indicat deoarece, orieum, pentru Ry gi A, vom lua in ealculul electiv de preiectare valori sten- dardizute, iar valorile reale din cireuit vor fi diferite de ceie din ealen) in limi- tele Loteran{oloc. Funcfionarea Va fi satisMiedloare gi pentcu um Fy < 254 KCL. Alogem Rp == 150 kQ gi ai impunem o corditie suplimentara : BATH ew — Van? te) x Seton = Ve ity + BAT Re mA = Te wes oblinind Vy = 9.6 Vo Tu aeeste condiqii San Vai T) AE) =407 2 5 mA To itn a Ay bah View = OG Vo si Ry = 150 kO furnizeazd 750 KO. Se vor alege valori standardizate ca functionarca este eurect R, = 187.5 KO sh, 1K, in problema 4.13. plamal By — fly (figs Lata eb Lin circuit ‘Observatie, Fxpliesren delimilari regivnit peratise i Sea faut ba bi Alegerea Yonel perimise poate (0 ius justificata striet matematic, Pentru exenplificare sf considera expresia luifiaki a Lil Ry tn care cerem o slabilizare anai und a punetulul static de funefionare aslfel anelt MasUrA pe lied iLULIVG pentru a pune in eviden{a femonenes {Te Fe wan FAT > Fe mea 70In joe s& pune LP = Fe was 51 BolT) = Fee mane 56 C1 minal curba limild. Se observa vai prity aceasta mo Ble deel WW gona Hy > Heyy) $l Ry a ops (Re < fy) ee ce esp Hiewt aluned vind amd evtuned chad Ze gigi Bet Ph ated ena este value pozitia zanel perinise Inf add. c. jeare Fy 8 due yalibale AAG, Si se proicetore ciecuital din problema pre fiona cai tr semnad in cofecior ce aanylite J date de proicetare rdmin ideniice ' lenfit pontris a fer inca te 9 V vir} fuvief. Toate celelatie Revolvar Reealeulf 15 V} Fe min oe ik foam ASS (mA), My in KO: tee Reg Ig me feb Ue ane . Reprexen rea grafiea a Ini ty = F2,(dty) apare in figura 4.16, Curba taie axa Ry = in punetele Rey =0,099 BO, Rey = 0.314 kQ Zona permiad in plan este silmala tu eadia Kae Oy 1, intse eu AiulRy) gi De reenarcat (deci ceriste peniry My © yx este Umposibilel subishaceren cout tn din cmitor este strict necesarh pentru stabilizarea gunetu Dac Hy este prea mare (depiseste Fee) Wraieelures este larayl mpostbila (eadere continua pe peste prea iates, Condi lle de pruigetare sist tai deastiee deci tn prablema 1 deonreer anspliludis santa tulii ag ereseut de tal V kno Wed fl mai mare éde exemplu Vy = 8 Vy am constalal ef probtea tectenri nxn Ny de praicetare dle funclio: 1 inpyne o amplitucine & soluti qeurba pu filers Pulem preciza valorile It Rp din eonditia 1 Fy sf fe maxim (eu seopul wl de onrent enntinnu prin rezistentele divi= precuan si ine a sursei de somal, deourece Ry apace in paralel pe hornele de intrare), Maximal este destal de plat. Putem alege de pil Ry = 097 kG. De aivi Ry 1.99 kQ. Vom Ry TKO si vom alege un fe Py =. mv (pubin sab Le ons 25 mA). Din dea reduce pe cil posibit cot zorului su coo anumita rezer Vow — Vat fe Ie(Fy) == cn Ry =41kO si Ke = O17 =i VR, =3t kOOR, alege valori standardizate cle. 71in condijia V.€ Vey — Vw Oricum si v, trebuie s& fie sutiei de mici pentru ca trauzistoarele Tuer in regiunea liniari a caracteristicilor. Caracteristien “= &(V) este reprezen- % tata in figura 7.10, 6. Se ob: Wp) (¥y,) liniara a raportului deatenuare en tensiunea Fig. 7.10, b de comanda. Pentrn V = V>, tranzistorul 7 este blocat. Pentru V+ Vp, se blocheaz: Vico) ne o variatie TAM Si se determine limitete taive care poate varia tensiunet Vong ia cicouitud din figura asifel incit aecsta sd se comporte ca o recistentt tintard coulratatd In fensiune de Vou. Itezolvare Neglijind curentul care urge prin rezistenjele de valoare foarte imare, curentul care este absorbit de circuit este c ig. Folosim ia vg fo 28[(Ves - Va¥ ne = ra ded sii in problema 7.3. Tinind seama ci Ves oblinens Ty = 8(Voa — 2V2)V pee deci a = 8(Viem 2 Ve) eb, sulicd o conduetan{a (sau rezistenta) controlala in tensinne Doweniatl de vaRiditate a relatici liniare I, -— V55 deduse mai sus se stil. Peaten Vyas pozitiv impunem Vy. < Vos var = Veg Vr, s are expresin de mai sus gi obfinem Vp. ob! un €Vee— 2Vn > 0 (Vee = Vy Daca Vas este megativ si Ves Vy nu exist © res a ect racteristiel Ip —L(Vgs, Vp). SA observiim ins! Hinde 54 coboare potentialul porgii. Lmpunind is w¥ee ebtinem ] Vpe > Vea o 4 3 u Ca urmare, de valoripermise eee pentru Vas este cupripsa inte valorile "Be Vor = &(V¥oe = 24 -— se Observatien Gir iiriere a reaelied negative aplie 4 cule prity red catacteristlelNe Ty = 46Vpa) Fig. 7.11 apac Jiniavizate peo plat mult mai larga. 158TAZ. Considerdi elojul vineersor* or iranzisiur MOS din figura 212, a. Tranczistoruf eu canal no are Vy ay B= #01 mA/V*. Sé se determine reais- teafa Ry minima necesaré pentru a frutctionare corecta aetajului in cascadd cx alte ctaje identice, Hezolvare Funchionarea ctajului poate fi infeleasi eu veferire la dreapta de sa cind in planul caraeteristicilor de transfer (tig, 7.12, b). Munei cind vy = tes depaseste Va, punctul de funetiouare ured pe dreapta de sareind, i,, ereste si yy — my seade, Sedderea lui rm eu eresterea Tui py este destul de lenta dalorita Lormei specifice a caracteristiciler statics, O varialie mai abrupta se poate ebjine cu o resistenti de sarcina mai inare. ¢ i¢ile de transfer yy = ry(v;) sink sehitite ura 712.6. Limita (te: 4 [unclionarii in saturatic corespunde dreptei vy — 0+ Vr Wos act = Vex — Vedi cind punetul de funetionare a coborit sub aeeasli linic, dispozitivul a iesit din saturatic. 2lajul este .inversor® deoareee atunei cind intrarva este li potential rea cole Ia potential coborit si inv cuitul de atunci cind iesirea * tranaistorul este blocat sip, = Vpn. Aceasti tensiune comandd deschiderca tranzislorului dintr-un eta} similar eare are intrarea (pourta) leg: a iesirea (drena) tranzistorului din etajul studiat, Pentru aevasta Vip - Vor (condifie banal), Pe de alla parte, § celui de-al doilea trangistor trebuie sii se afle Ja um poten suficient de coborit pentru ca cel de-al tr ‘anaistor ageazat in cad, sli fie blocat. Aceasta a doua conditie necesita o caracteristica de transfer suficient de abrupti, deci o rezistenta Rp sutieient. de mare. ridie: & i i Vin caracteristiei de transfer este in prineipin (v= ves. &% = Ped * : Vn Yo iy ~ FAves Po) = hy (Up. 0) = Expresia analitied este difevita in funetic de modul de functionare ab tran zistorului. Prima zona este coa de taierc (bloeare) 2 Vp (ea in problema noastr’) ne gisim in cea de-a treia zona. Nolind © — Vz/ Vpn, coordonatcle punetului sint 1 —e $i y= ec. Incazul numeric din count AT2 13, Dia ecuatia caraeteristicilor dedyeein they deounde Ro = Rp, win = “ rem Gow mola 16,7 ko. Pentru funclionares earecti este Hecesar ¢ Ry = 20k Ry > Ro min de pile8. ALTE DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE CU JONCTIUNE BREVIAR TEORETIC @ Dioda pupn. Diods papm este dispozitivil cu rei jonetiuni din figura 8.0, a. Porma caracteristicii statice apare in figura 3.0, B. Vig este tensiunea de amorsare, Fy este curentul de meniinere, iar Vy tensiunea corespunzdtoare lui fy. Inaimte de amorsare eurentul eontinue prin dispo- ziliv este » en > tas) unde dog este ntul rezidual al jonctiunii centrale J,, iar ar; si ae, — factorii de amplifieare in eurent corespunzateri amplificarii dircele a tra toarelor p,feps. respectiv mapar Atunci cfnd tensiumea anodi vq variaza rapid, ang dis T= (er + aes) Tox + is unde €, este capaci tatea de bariera a jonctiunii J, (valoare inedie). “t Fig. 8.9, 0 8.0, b tive gi eieeutte — e819) 161Amorsarea are loc alumei cind (gp, -F ae.) ereste si Ui vooind #, + o¢ ferestere nelimilala a curentului), Cresterea facto amplificare ave loc datorita cresterii curemtulai 4 saw a lemperaturi tren curentulMi poate aves loc si datoriti fenomenufni de nmultiplic fu acest cax de la 1, pro- an de . Cre re in ; Mle be 1 Miges + at unde. neglijind ciderea de tensinne pe vost Jy deschise M este factorul de multiplicare in a este Lensium ¢ jonctiunis A, iar on — an expenent numeric. Atorsar Inc atunei sind ater bap yy fa Lensiunea Vig — Vag» indieald pe figura 8.0, a @ Tiristoral — Yiristorul conventional esic o structurd ppm care are un al treilea electrod, poarta (notat G pe figura 8.0,¢). [mainte de curentul anodic i, este controlal prin eurentul de poarla ic: DPlande thy 1 MG, ig are) deoarece ap, depind de curent (in plaja curentilor mi curentul). curentul i controleaz ¢ 4 Licistorul In aplicatiile practice tiristorul se utilizerzi ca un element redresor co- mandat, In moimentul are sc aplich un impuls de curent pe poarta, tiristorul se amorseazi yi Lreve in starea de rezisLen! (blocarea) ave | fiderea curentului prin dispozitiv sub o anumith valoare de me oral nk se amorseazi dae tensiunea apt pe poarti este mai mich decit 9, @ Triaen! este un dispoziliv eu cine’ straturi echivalent cu deuatiris- toare agezale in antiparaiel. cu un eleetrod poartd comun (stratul din wi joc). Caracteristiea curent-lensiune are in ambele sensuri forms rae leristicil direete a Wodei pnpn (tig. 8.0.) aT erese ctl Fig. 8.6, d 162Coman pe poarla se fave eu impulsuri de polari dintre ensarile curcntului princi Ali diferile pentra a Diaew! este un trine @ Tranzisiernl unijenetinne are structura din figura 8.0 poate fi modelat cu cireuitul eehivalent din figura 8.0, f. Jonefinnea pr se desehide atunei cind se utinge tensinnes de virl ¥ Vo Vine te leasiunea prag a jouctiunii pr, si q este feetarul de divizare fm + Tae = > Tn, seade foarte mull datorita Vemfip) cu rezistenta negativa lea figurile S12, si 8.13, Bp. jectici. Dispozitivul are la fel ca dioda prpn 5 Vem torul (a se PROBLEME REZOLVATE BA diode popn cu earacteristicn data in figura 8.1, 4 funclioneazd in cirenitul din figura 8.1, b. Sd se caleuteze si sd se repreziate v.(0) Rezolvare cind py cresle $i atinge “ade sub [yy 1 mA. Desea otha epyteae wal] . aay es” fearea conden: lorului are Foe prin r = 100 0 diodi cu constanta de timp ty 10 *s, Incdrearea condensatorului se face foarte lent, cu. constanta de timp t= CR rye ROH OAs (dioda este blocala). Se obline © formi de und’ yin dinte de ferastriu* pasti undid este formata din portiuni de cnrba exponential’. Desearcarea condensatorului de ta vp(0) = Vj, — 20 V editre tensiun 20 Vi are loc dupa | a Nef) = ay & t 0.) = aoc} + foray — (20) exp (— +): Procesul se intrerupe in monentul 7, i care iy seade sub Jy, = 1 mA, Curentul prin dispozitiv este hoa Folosind expresia de mai sus a tui oft) gasi ¥i Vo = ain r { ir “) R Tensiunea pe condensator in momentul blot i diodei este velT)) = Vn {tn ee ml =1,08 ~ 11 ¥, Incdrcarea condensalorului se face acum eiitre v = Vas = 200 V, dupa legea area Tinalit pgtach = He) = veles) + [aT — rt ec)] exp — Procesul se opreste atunei cind bal) =r brid) = eddy 2, atinge tensiumea Vgy = 20 ¥ ta momentul 7; vA, observie 1 vst & vl) cdecareen Ca urmare =a:ln : +O.1 sy = 1078s, Forma de unda este reprezentata in fignra S.1,¢ (lari a fi respoctaty8.2. Se considerd diode pupn cu curacte rislica de wnorsere até in figura 8.2 st avind capacituten de baricré a joneliunié centrate C,—25 pP. au) Se aplich acest diode o tensiune rampd cu pante x 5 Vius. Se cere sse afte timpul dupa care are foc amorsareu si lenstuneu de umorsare. Bh) Sd se repete punctal a penisn x= 20 Vins. ¢) Ce se inlimpia efi 9 este fourte mie? Rezalvare «) Tn polarizare diroeth pr siume se aplica jonctinnid centrale, Dinda poate fi modell prin capaeitates C, fi rezistenta R= 50 WOA mA = HOO kOe det A lied (fig. 8.2). Curent) prin divdii asculla de leg clic intreaga ten- Fig. 8.2 ott - det i) —--“4 +. C—O allel Gy a dinamice" este unde (9 ef Reuagia .caraeteristi ia = O12 + 0,002 0, (1) (deci linie deeopla, CD, fn planul ear Tnterseetind cu ativapta cleristicii, paralela eu Olt — fig “ OF ig 01 +A GOH 0, 2 portiunii AR a caracteristicii modelenai dependenta tensiumii de amorsave Ue curent, obfinem alscisa punctului de interscetie, D, si xnume e449 8, Lenshine Ja eare are Inc amorsaren (deschidereay diodvi. Se calculvazi apoi timpul de amersare aya — 8,78 us. b) Cua = 20 Ws dreapta CD are eonatia fall) = 0,9 ++ 0,002 agft) si amorsarea are loc la 25,5 V, dupa mumai 1,27 ; ©) Dak este foarte mig incarearea are loc dupii linia OB si amor are loe Ia tensiunea de 50 ¥ BiB. Se considerd stenctura unidimensionald de tiristor din figuta #3, cu fonetiuni abrupie asimettion (Nay — Nyy = 16 em~ Noe — Lda tem 4 Nos ME cm. Si se determine : ay largimen reginnii de irecere a jouefiwnii J, pentru Vy 1 000 ¥ 5 hh) Tensinnca maximd de Blocare tn pata rizare directa. considerind ed stvapungerea ae toc prin atingeree cimpaiui— erilic Eqy = 30 Vpn (sitécin) > ©) falimea reginnit de trecere a joneli- unit J, la strijpinigere : d) tensimnes magiad de blocure in po- larizare inversé si idrgimea ceyiundt de trevere @ jonctiunii de Mocare [a aceasta Lensiune. 165Rezolvare 2) Jonelinne aplicati. 4) ‘Tensina lensinmea de strapungere : re directa este eg \ enh a. 2010, MN re ey Folasind vel em @) Tensinnile de strapungere ale jonetiusilor J, si Fy sint dela panetul a (ew Vay im tocul Ini ¥4) ehh, ig N 2005 4 0.29 -V, nis deci teosiunea de locare in pedariaare inv si Mum, fivsle Vin = Veg, = 2010V B48. Se consitierd un tivistor cw fuctoril de emplificare in curent ai tran- ourelor ary OL, ayy — OS si curented resideaé al jouciiunti Jy, Ty = OofinA. Sd se determine + a) catrenital prin steucturd cu poarta in got ; b) acclesi curent atunci cind xe injecteazi ig — 10 mA ; cb ctuventud de poarl® care trebuie injectal pentru a ebfine ix stiimd cd tet acest carent oy, G15 $i ay, — 0,84. Kegolvare ay Pentru i, = 0 Tandy Ts (er beet 6) Pentru i, Wma dinate -t Ins (en + teed iy S1omA. 6) Se ealeuted Gal) = (win aed fof = 30 mA, 8.5. Consideriint un tirisor cu jonefiuni abrupte asimetrice ¢ Ny. CIP em (fig, 82). Pentru deschiderea iiristorului se aplicé o rampa de tensiune eu punta 9 100% \Vius, Valoarea finalé @ tensiunii apticate este Vu = 2 O00). Sd se estimeze densitatea carentului prin dispozitia, rolvareunde eapacilatea pe unitate de arie este si are Valoarea €, — 70,35 plifem? ta oy ea Cy iz cu Vy si luind o veloare ymed = = 2a, = 141 mAfem'. 8.6. Schone dia figura 8.6 este alimentatd cu o lensiune allernativa, ¥;. Sd se determine rezistentele Wy si ig sliind ed firistorul trebuée s@ se qmorseze cind vy 5 -V. Tiristorul are ty < 100 mA si vq — BY da curentul minim de amarsare ig 54 mA, iar dieda D are tn conductic vy, 0.7 V. Gere este patoarea curendutni ig dupa amorsare ? Care este rofut diode Bb? 1 Tu snomentul alvare BS ediearrenctba nl 9, <- Tite Fob Eth Fig. 8.6 dounde <= 260. Penta ca dupa amorsare tivis Ry wy dy de condactie Vy c= EV si enrentul Proteja jonetinnes de pos arul mina in conduetic. trebuie ea unea pe liristor seade la valoarea se intrerupe. Dioda 1 are rohul de a 4 im timpul alternantei negative. 0.0. Dupa amorsare ten 8. 7. Jnschenee din figura $7, a cirenitul de control CC comanda amer= sarea firistorutni eu 20° dupa inceputud fiecdred alternanfe pilin. Canoseind nalouren cficure a tensiunii allernative egadd eau 300 V yi negtijind eaterea de fensiurre pe fisistornd in conductic, se cere sit se determine ay curentel imedin prin sarciad : b) puterea disipatd in sarcind ; ¢) patvares eficare a curentuleé tH ed) randaienaul redresdri in sareind. arcind Revolyare a) Figura 8.7, b vepresinta tensiunea B, - Vg sin ol, Vy = 3002 ¥ Fig. 87 167din circuitul anodic si eurental de sare nemta comtin este SE sint ot dfat) = 450 W. te[tems eficace a eaventului prin sarei io Fava 2 i Ae sl 0,20 BOY Lar oslo relatis redusa. Puterea disipalit pe B.B. tn cireitut din figured §.8, 4 aprinderen tivéstoruiyi este comandatd cu o fensiane continadé reylabildd, Veg. Canusclnd v= Vy sin at cu Vyos TOO V si Ry = S04), sd se determines ay domenial de veriatie a unghiatui de conduetie al tiristorutui by domeniad de serictic postbil al componente’ continue a curentutné prin sareiad Reralvare t) Amorsarea aprindere Vins ete | cind eH) ajunge eal cu, tensiunea ste mecesar ca Vag > Vyol ¥ (fig. 8.7, 0). Domeniul posibil comluedio este8.9. fe redresorud comandat din figura §.9. format dintr-e retistenta R, tin condensatur © = 0,1 uh find Veg = 60 V si o dicd’d popn ct Vy = 32 ¥, V_ Peniru simplitate se idealizéazd camportarea fizisloruluie tonsivnile pe jonetiunite deschise stnt aute. Se cere sit se determine retistetiia FR astfel incit anghiul ce conductie sd fie 0 45° (Cu wl 2a 5H Hz). Se sa verifica ea dioda pupn ramine in conductie dupe amorsarca tiristerutui. vircuitnd de control este >» Strsa de lensiune con- LV, Jy = 100 wa Tezolvare a} Acinitem ei dioda este deschisi un an mit interval de timp si we - = ¥a,= const. in momentul in care tiristorul este polar rs. dioda prpn se hlocheaza si vg(!) ereste exponential (ew constania de timp = RE) de la Vy, catre V nmomentil tt eare seatinge insk tensiniea Vy dioda su desehide din nou (eu condijia ca tensiunea anodied a tirstnrulud si 1) devenil Sntre timp pozitiva) si tensiunea pe condensalor seade bree (fig. 8.9, 5) ty? Hog Timpul @e inedreare al condensaterutui se calenlearit eu formula OF RC, iar (fig. 8.8, 2) wT; a unde 6 este unghiul de conductic al tiristaruiui. Lntery liristorulai este cuprins intre monentul fi care (alin prpa furnizeaza impulsul ce deschid in care Lensiunea (A) devine, negativ se obline R= 30f ko. M Pentru ea procescie sa se destiisoare asa cum an ‘fost deserise mai sus, esle necesar ca dioda si ciming dosehisd pina Ia blocarca Liristoruhui. Cac rental eare curge prin diadi este inv-adevar ix ul de conduetie al Vous tar dioda Hristorul (ai — 8), si momental (wt = 5). Cu 8 = xf impus in enunt Oot 4 Iiy ot a's et ec x 8.10. Circuital din figura 8.10, a regiv ptiderca de curent alternatio In sareind cw ajutorul triaculut T. Valoarea efteace a tensiunii v, este te 308 ¥, Tensiunea de ainorsure a diacutui D din circuited de comand este ¥ 2.3 ¥ Se cere st se ‘determine + 8) taghiul de eondwefic af triacu Dy pulerea dotalit tn sarcini. Se neglijeazit tensiunite in conductie pre triae si diar. 169Fig. 8.10 Rezolvare a) Tensinnea pe condensator este (u, — V sin af, ¥ = 300 /2 Vy = 129 |= 72° si deci reit) 129 sin foot nc 2}. Unghiul de desehidere (de intirziere) rm p rerulla din condilia si atings [Vag]. Se objine g-- 73,2 516 2 jind caderea de tensiune pe triae (o, = ¥) avem (odd(oh — 612 EW, sidera wn (ranzistor tenijoncfiune (LUI) few 0 resistenda Via. dn-serte cet baza Be (fig. 8.04, ads a) Si se arate ct tensiunea de virf se poate seriv Vag ee wade von ® Wns § I) Sd se determine By. aslfet tneit lenstunea Vy sd fie prectte independent le twmperaturd. Coefieicntit de temperaturd at resistentel My este 0.008 al rezistente’ inter baud ry este 0,004,°C si al tensiunit prag Vz este 25m Covficientut 4 se presapune independent de temperaturd. ©) Se adauga si o resisten{d Ry, < tpn in serée cu baza By (fig. SHH, bi). Sa ve arate fn cc conditii se pastreazd peopréetatee de la punclet b. Se adiile cd Hy, si Ry, ae acelasi coeficient de temperatura, Vag leg fay Sh iB “a8 Fig. 6.11 170Rezoly, a) ‘Vensinne este (fig. 8.11, a) de virl ie care se deschide jonejiunca pm a dispozitivulyi pebmcues eat - u(t ah owt Re DL Rett si se obtine expresia din enung, b) Dacd se alvge Vyran Ry = Woo atunei Vy — Gyn. Conditin de mei sus ma poate 0 insa salisiacuta de Ja 6 anumite tempers Se poate insit verifies prin extent numeric rialia eu lemperatora Caleukim, fol tai Vy es. » foarte redisi Ve. = 0 Vy ay, av one : Siw AV ned: 0,004 00K a O00E V4 — O00 do fot ny. ce} Adiugind o rezistonta Ry. in basa B, (ig. 8.11. b), | Ving Liter ete 1 (Rm 1 Red tan a Hast ayy (a Vy + Van — View Ras 4 Rn") ji Shige Rye = 4 expresia lui V,, devine cu cea de Ta punetul e. Daed este indepli- nila condi Hy, = Enter, “Vine tensiunea pray este Vy = Van, imdependomtii de teuperaturd. WwWBAZ. Tranzistorul unijonetiuae din figura 8.12, 4 cre’ cardeteristictte de imfrare din figura 8:12, b ab Si se traseze caracleristica dinamicd de intrare pentru Veo Re ft kg b) Sd se determine conditia pe care trebuir sd o satisfacd Py asifel inetl cararteristice dinamica de infrare sa presiale a sand de recislen{a dinamied nega- tivd. ©) Sd se gdseased punctut de functionere in plunul caracteristicilor de intrare pene Vay = 20 V Vue = 17 V Ry 30 ¥, Kezotvare a) Carac racteristica de dinamied de intrare Veg = Vgp(ig) se obtine din ca- are pentru Wye = 80 Vo si dreapta de sarcing Ven Rate + Oem ct Re = 1 KO. Ba este reprezentata in figura 8.12, « 6) Prin derivarea oew: dreptei de sareinas i Ite 4. Mee des "die oblinem R, «| Aden a a, Valoarea maxin = Si se eslimeaza, # modululni derivate: apare i © AV on ds "3,5 kQ. wy a 1 ko. | BTL, b) rezulti Ty = 7 MA, Veg urmare Rg 2 Re mas ¢} Prin calcul grafic {fi8.13. fn circuitetl din figura 8.13, a transistoral unijonclinie are carae- teristicife deintrare din figura § 12,b si caracteristicite de iesire din figura 8.13, b. Cunosctnd Vyy +20 V,R, = 2kD, Ry = 10 kD, Ray = 2 kO, C= 0,01 si presupunind ed dioda DD este ideal, sd ve determine formele de undd volt)s Vani(l), ¥on(t)- Mezolvare Principalul fenomen din cireuit este Invirearea gi descdvearea alterna- livd a condensatorului C. Acesta se inearcé de Ja sursa Van (tranzistorul este blocat), cu constanta de Limp fh . ney bf) = 28,6 ps Feind eo — eye (livda D, ideal’, este deschisi) atinge Lensiunea de tranzistorului, Vp, acesta ge deschide, Leusiunea ey, seade bruse si condensatornl se desearea co ecomstanta de Limp t, — RC = 100 ps (dioda D blocata asigura izolarea ta restul circuitulud). Apel, atwy acade sub valoarea Ii apy dinda D se deschide si procesul se repet Formele de unda sint reprezentate in figura 8.15, ¢. Detaliile sint urméatoarcle. Gandensatorul ineepe s& se inearee de la valnarea Umm corespungiitoare tranzistorului desehis. Presmpunind pentru ducepul tie & ~ Va» =20 ¥ si tinind scama ca in cireuitul de emitor View = Vas st Re = Hy, din figura 8.12, b se determina Yen, —4 V site 4 mA, Din fig 8.13, b se piseste opp = 13 V, 9 revenind la caloulul grafic din figura 8.1 se obfine prin interpolace epi AL mA, Relinem agp, = 3 V¥ ea reaultat acceplabil al 2 aleu) iterativ. Teasiunea de vir a trunzis- torului se ealeul i ile de iegire (lig. 3.13, 6}. Determingm tan ~ 17 ¥ la intersectia dreptet de sareinit eu iy = 0 si prin interpolare dim figura 812. b revulti = WV. a ‘et tae , ae, te oy “| ri eind ee poriadic. Leulelor i din earicIn sfirgit, vom determina intervalele de ti np care curespund inedrearii, reapeeliv desediredrii condensatorului. Inearearea condensatorului ineepe Ja € = Den be = Mme 3 ¥. Tensiunea tinde spre vatoarea R,Vow/ (Ry | ify) 14.3 V. Tnearearea se opreste tnsti lad = Ty, atunei cind bg = iy, ¥, -10¥ Urinare, eu constania de timp t, = 28,6 us PT, 28.6 n= 3 . 97.6 we, Ha 1 Deseiir eu const lat 1 condensatorulii incepe lat =F, en a — 10 ¥ si mia de timp +, = 100 ps spre tensiuaea eo —-0, Procesul se apreste Ti Ty atunci eind oxy, —3 ¥. Ca urmare oto co 100 In fo0 In = 120 gs. Formele de unda sint reprezentate ia figura 8.13. 0. Pep(d) de forma unei unde dreptunghiulire si do amptit mica in comparatie cu tensiunea de atimentare Ve - BAL Gn tivistor on Vig — 1000 ¥ si 1, 108 mA este polarizat de lao sursd Vay — 500 ¥ steal Hy (fig. 818). Sd se afte valourea maximdé @ hei Ry pentru care tir in canductie dupé amorsare. © obline o tensiune dine 4 -V ( mY). oral mai rinine Tezalvar — Este neeesar ¢ aw if ay Mag vy Fig, 8.18 7 penta ca umura de sts ii (lig, 8.14). BAB. si se determine Ry, C, si Ry pentru schema din figura 8.15 care frebuie xf asigure comanda perindied a amorsdrii tiristuralui eu o frecren{a de 50 Leancistort are typ = 447 KO si = 0,63. Tiristorat trebuic sit fie comune dat ile inpadsust cua duratd minima t, - 10 us, iar tensiumea miniind pe paarid care asigurd blocarea esle Vey = 0.3 V. Re: nlvare ‘Traugistorul unijonetiune impreund eu grupul F.C, formeazi falor de relaxare eare di impulsuri de tensiume Ia borncls lui Ry, $i amor senza periodic tiristorul, Atit timp eit trauzistorul este Blacat, curentul prin Ry, este constant, Un salt de curent apare in mosnentul desehiderii tranzi torului (condensatorul C, se desearc’ prin tranzistor si Ra, provocind amorsarea). Determirim mai intii Rey din condiqia osei- RaVaa Ug = — Es pon = 0,3 V Fim + reat hie si obtinem Ry, -- 87 Q. Alegem Rp, 51 Q. 174Neglijind rezistenja jonetiunii desehise, constamta de timp de deseir- care a lui €, prin Ry; at’! > 10k; gi obtinem C, > 1.96 gl. Alegem ¢ Rezistonta A, se de pentru oseilaloral de ensitnea pe eondensator, te, eresie eXpo- nential cw de timp t= RyC, de date mn eorespunsator Lranzislo- vului deschis pind la te mer cores pHinai Low tensiunil de virt. Gandensatorul tinde sa se incaree fa tensiumea Vay. Ci mn Vw Ty = Inte Cu Vy 20,6 V remiss Vo, mie & 0.7 4 ra Rat obfinind astfel T, = 0,75, Neglijind timpul de desearcare al condensaturulii, vom obfine T= T+ 20 ms, de unde 13,3 kQ9 DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE BREVIAR TEORETIC ronice actuale se bazeazi, in majoritate, pe ab- sorbfia sau emisia radiafici luminoase in semiconductoare. ® Cel mai important fenomen utilizat la dispozitivele optoclectronies bazate pe absorbtie este efeetul ctri¢ intern ; acesla consli in generarea uned perechi clectron-gel sub aetiumea unei radiatii care satisface eanditia : Tew gE, unde y este freeventa radialici, h — constanta Ini Planck, iar Eq - largimea benzii interzise a semiconduetorului. u regitn de jluminare stnjionara, concentratiile de cleetroni gi de go- luri sink date de ty he tant P= pet tyG1, unde : ty $i pa sink concentratiile de purtiiteri de s Tar ty — impli de via{i ai purtitorilor tn execs ; Gy, —- vileza de generare, definita ca numarul percchilor electron-gol generate sula influenta luminii tn unitatca de volum gi in unilatea de timp (se presupune o generare uniforma im tol volumut materialutni © Considerind © fotorexisten{a, se defineste sensidiilalen spectrald ($4) 1 arcina ta echilibru termie ; G @ Sy unde este conductanta, far ® este fh luminas monocromatic (oxpri- mmabil in wali). Dae fluxul de hunind este policromatic, , (exprimabil in lumeni) se detinegte sensibifttutea integreta (SJ) conform relatie’ : G ®, Daca Mexul blumines interachioncaza eu o joncliune, caracteristicd statict devine : i, = tfexp(- 24) 1] 2 1] PE ae 1 iu 176unde Fy, este componcenla de curent generata de ae nine dat de = piunea Iuminii, Presupue lumina vsie absorbita uniform in tot materiahil jonetiunii, J, este Ty HG (Ly + Ey Ds @ Fotodioda este an dispozitiv oploelectronic bazat pe actiunea lamini asupre unei jouctiuni polarizate invers (V4 = — Vy) ; eurentul prin fotodiodtii (ln = aah este dat de Inmet ty eh, lated integral a Folodiade! (9: defineste sensi fi unde , este incidenta Tuminoasa {exprimabild in lucsi). @ Fatoclementul rare lucre Colaeh e realizal tut pe hava unei jonetioni ituminale, dar ea gencratur de putere cleebrica. Tensiunea clectramotoure 4 mentului este + se se taemtio- 2 in special wf pe recombinarea radialivd a purtitorilor de sare PROBLEME REZOLVATE PA radivdiilor necesure pentru crearca de perecki electron-gol in Ge, Si, Gas é se determine vatorile dinitt ate lungimilor de unda, Aps asociate Recotyare in prezenta ilumingrii, conditia limita neeesara pentru crearea de perechi electran-gol in semiconductoare este dati de relagia : fe Eas cunoseind ce Clays roamlta: he he iy em Caleutind, se obline = pentru germanin (Bq = 0,67 eV): — pentrn silicin €2 IL eV): he — pentrn galluarsen (Ey — £40 eV 85 pm; yim 5 89 ym. G20 probit de sitiein de tip 1 presintit la intunerie recistivitatea pe = 10 Dern, Sd se calouleze recislivitaten probei tn condifiiie ilumindrii, prestip nind 0 iter de generare @ percehtlar eleciran-gol Gy, — 10% ents? sé un tp 13 — Dispoztuve 9) eteruite — ca 161 Wwde viata at purtatoritor in exces t. =

75 wWiem’, a} Vumetul de funetionare (M4, shuire cu dreapta de sa rezulta dim interseetia caracleristict La earei ecuatic este: Vy RE; graficd este prozemtati in figura 9.4 gi a rezullat: Constrne Va 120 m¥ i: te = 84 mA. 4) Se plesca de la expresia. randa- s rs 120 mentulti de conversie @ energiei (ae ees PB, wea) notte Pe ea ande P, este puterca electrics, iar Py — pur = teren radiatici Iuminoase, Taliueit & aol 2, Vhs Pal a. to Py rezulhai 3 oRe 288 jan 400 S00 F0G Yaw) Fig. 94 We9.5. O diodé electratuminescentet (LED), cere emuite dumind ri ulilizedé ca sursd puneliformd eu inlenstfalea luminoasd ty — 20°* ed penten marearea inet posilit ta nivele mici de iluménare naturald pe vn ecran ptt, Sd se caleulese puderca eleciried necesard, cunuseind eftcicnfa energelict @ diode — 1a gi eficacitatea Iuminoasd L;, — 20 hnéW. Be asemenen, si se euleu- tece curentul de comandd necesar, dact lensiunea pe dind@ este V, — 2.5 V. Rezolvare Puterea clectrica (P,) revulta din expresia Py 4 , i? und: @, este fuxul tuminos (fm). Fluxul tumines se ealeuleaza cunoscind ci o sursi punctiformi de lumind, avind intensita tw = 1 ed, emile un Max @ = de im; Atunci ; livienjel energetic Py q Curentul de comand (14) nocesar este: lm = = 25 mA, 9.6. Pentre: mésurareu intensitafii (uminoase emise deo diodi edectra- escenld (LED), se foloseste montaful din figura 9.6, in care detecfict se rea 4 cu un fotoctement (IE) calibrat, Mérimile electrice din montaj sint s = 300 MA | Vien LOV si lan — 29 mA. Lungimea de undd aradialict Tian emise este & = 0,025 um. Foloelementul are un randament global de generare gern = 4%, definit ca raportel dinire mumédrul clectronitor generali in folocte- miei (Atyyay) $e Rumedreel fotonilar inciden{i (a) Sé se calculeze efictenfa cuenticd evlernd ¢ LED-ulat, qos cient efinitd ca saportut dintre numdred folonilor yenerali de LED (m,) si numaral de electrani care au traversal strucitird (otzxe), palerca Pypy obfinedd la iesiren ei si anda mentul acestela (tr 10) Kezolvare Conform definitiilor indicate in cnunf, eficienta cuanticy oxt LED-ului este dati de: ny Tertien) = etapa Ry tea te al: bam i, Fig. 9.6 180iin foloclemeut im Limpul ¢ este : umarnl de eleetrani gene i Melee) zs iar numarul de cleetroni care aw traversal, LED-ul timp este + acelasi interval Tages, iuocnind in formula deb: se obtine + i Test ion) = —2— = 0,119. frataee Puterea obfinuta la iesirea LED-wlui este data de: 5 rfes tis yales Pegs Popy oe, oe, deel ‘ neat Thee tudoseind relatia dimtre frecventa gi lungimea de undd z i sls rezul A: Iyghe Poy = 228 47,9 mW. Randamentul LE D-ului este : Woh nite) wide Pare) este puteren eleetried consumata de LED, Gunoseind Paneny arelien. se obline — = 9,98 40. ol nap de ch QT Cireuitul din figure 9.7 trebuiesd potarizere LED-ul in punetul stalic de funcdionare 1, = 200 mA; Vy = 1,5 V- Sa se dimensioneze in acest sens recistenda He si siise calenieze puterea disipald pe {runzister, Se pre- supune Vg = 0.6 ¥ Rezolvare Situares diode’ electroluminescente in cule! turul trangistorulai asigura o polarizare a aeesteia fa curcnt eonstont : — “se ty ml, de aici: R, = _ Puterea disipata pe transistor este Py = Voalo =Weo — Va — Rida) la = 820i mW. Fig. 9.710. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC BREVIAR TEORETIC @ Funegi nator rep de transfer ce se pot ent Pp din figura 10.0, a) auiplifirwcea Ie tensiane ¢ dripol sint urmatoarete aanplificwsru in cucent transtinpedanta Brearesaicdsstit cider ® Guadiipolii care realizeard o anumits fenelie de transfer gint definiti si prin impedangete de imteare gi aveepia gi respecdiv de + oe caraclerizeaai capae a genera sempal. Prim cdefinitie + — impcdanta de inirare este a de a int chive} 3 imtpeduata de iesire este: cind mit eoutine ele 1 cu Ty, nu eontiie elmente reacti na de tesire ve). nd 182Intre funeliile de transfer yi impedantele fa borncle cnadripolilor se pot stabili urmate rela(ii evidente + ft 1 Se eee gh ace Aidit mt ii, sf Fie a 1 RK Ay Asylihty de, aga ri @ Cuplarea intre un euadripol si generator sau dintre cuad comport, in eazul general, © euplaj datorata valorilor i dantelor (rezistan|clor) ce ca aceste componente, 8 im cuptajul tn Lens boruele de intrare dripol cu funetia de transfer Ay sau Ay. Vor serie in acest fig. 10.0, b): ale unui eua- az (conform a fe Reedy adsipolul amplific : Lie captajul ia curent (conform, fig sinul'anplificdtorde,cil al: sau,titindi Spada Lor. in 10.0, c) La va serie: wide raportal 4 Fig, 10.0, b Fig. 10.0, € 183@ Funetia de transfer a unui sir de cuadripoli euplati in cascada se poate serie ca fiind produsul funegiitor de transfer a] acestora multiplicat eu predusul atenuirilor de cuplaj ce apar. Putem exem- plifiea printr-e configuratie tata in figura 10.0, d, pentru care se poate serie: et to a ag Be a ¥, +R, to ay Rpt Ry unde ati fost luate in considerafie, In ordinea serierii : atenuarea de cuplaj in Lensiune intre generator si cusdripotul Aj ; funelia de transf scrisa pentru i Osi RY = 0, deci in cazul absuntei orfcarei atenuari la borne 3 — dennarea de cuplaj in eurent intre cei doi euadripoli, ce exprima masuta in care existd o adaptare in eucent — functia de transfer Az pentru eazul in eare Ri co si Ry, = oo, deci Tm cazul im care ma exist nici a atenuare de cuplaj, nici la intrare niet la iegire : afenuarea de cuptaj far lew de saveind Ry. Fig. 10. particular repreze une ttre euadripolul Ag gi rexistenta area amptificatoarelor tu fun aplicate la intrare este carselerizata prin: — freemenfa limita de jos, ta care ampliludinga semnalului cu 3 dB fata de cea masurata in domeniul freeventelor medi — frecventa fimité de sus, la care amplitudines semnalului seade cu Aide cea muisuraki in domeniul freeventelor am In figura 10.0, ¢ este reprezentata caraete a unui amplifiesdis, Pentru deterininarea freeventeler lim de freevenya semnateler re seade dB freewen|a uzuala nbilizearin relutia Val) 7 unde A, este amplificarea in banda, rl este o marime depend. 4 de frec~ Freeventa limitti de jos este determinati, de regula, de componentele pasive introduse in circuit (condensatoare de cuplay saw de decuplaj), iar tre nla limila de sus este data de eapacitiilile parazite ale Lranzistearclor Daca in cireuitul echivalent apare un singur eondensator ca avind efect la freevente joase sau frecvente tnalte, atunci se poate aplica un proceden simplu pentrw determimarca freeven|elor limita fy Wout cousidera s unde K, ¢ ig. 10.0, & nele te reaistanta echivalenti fa bor= cosidensatorului ew efect dominant. 184PROBLEME REZOLVATE 10.1. Pentre amplificctorul din figura 10.1, 4 sé cere s@ se delermine t a} amplificarea In tensiune, b) variatta asnplificdrii alimentare, Vico st Vygp err ©) wariafia aecleiasi mir. Oy 5 fier arp fica vast liniite. Prancistaarele din montaj stnl identiee si au urmdtorii parametri: hte = 100, O6V. By = 100; ceilalli paramedrt se pot negtifja i Mw modificarea parametruini By al Irauzistorului i cai modificarea tri Py = tee al tranzistorubui Ts dy par Rexzolva 4 in regitn dinasnic este reprezentata in figura 10.1, 5. i putem serie : a) Schema echiva Pentre caicutul amplit NE sg tT i Parametrii trangistoarelor depinzind puternic de Ig si foarte slab de Veg, pn considera ci sint identicl deoarece Te, = Fo, eu o foarte bumi aproxi- wie. [ aeeste conditii se poate serie: fgg hy, a EE eR mits We, Lea a inim punctele statice de functionare ale tranzistoarelor utilizind Th aeceste conditi ® 4) Amplificarea find direct va afeeta dircel eisligul cireui a cu Jy, modifiearea acestuia ( proccdeul anterior obtinem : AB Ws Pproportior Toi. Util Ay = —177, pentru Ve 300, pentru Vee =c) Efeetul e drei fp.. Rezul te similar deoarece se modified, pentra 7), constant, fe, st Ap = —1¥2, penten 6, — 80; Ay = —288. pentru 8. — 120, d) Varialia parametralui fy. cu 20% no afecleuzi sensibil uproni- matia fy, = ld funetioneard cigtigului in i nu influenteazi sens un repetar de eurent Lars domeninl freeventelor medi il anplifiearea. Tranzistorul Ty un rol important in determinarea 10.2. Franzistoarele din montapnt reprecental tn figura 10.2, a sind identice gi sittt caraclerizate prin hy — Sy 100 si V O6 V. Se vere sa se determine ¥ a) umplificarca in tensiune a montasulad b) transadnitert{a montajutei v) influenta variate eat 430°C, fala de 20° metritor anterior catcutati . d) freeven{a Timild de jos a montajaiui. ©) Din calcu! rezulité tnfleenfa nescunifictind a tranzistorutué Ty asnpra clstigutet montejulué in damental freeventelar medi, Care este atwact robed avestul transistor in aupiificalur > Da femperatarié usupra prarie Rezolvare Tntroducerea resistentelor Ry, As sia condemsatorului € permite 6 mai buna stabililate a Punelului static de funclionare, afeetind Pune tiemares montajului in domeniul freeventelor joase1,08 nA tou By 13,8. Aye 43,8 kQ-', vlecbeazd Lemsimmea Vie. va selidea cu va afeeta enrentul de eolector al eelor dond nH accasta panta, care este proporlionalii cu fe. Deei: ‘ 2 Vg aly lee f eae oe ig) io dos = (SET — Va) a unde Vg = Vow ATe210 — 0.6 — 40-0002 -- 0,5 ¥. Reaull Ty Wa mA. Temaredim o veriatic nesemnifieativa a eurentului d Acest luce se datoveste respec arte striete a inegalitatii : AVan < 2 mVi°G. Accast tranzistoare §i colector. care indi¢ faptnl ed varktlia potentialulud pe jone|iune mm ak alt iv polentialul pe R iimpus prin divizorul de lensiame It, Ra. Reealealind marimile de la priimele dowd punete si tinind con de variatia cu temperatura, objinem + semniti- 9 Ay ORG deci valoci pullin afectate de variatia Lomperaturii, d) Considering ca amplificalorul este ataeut cu un gene: tensimne, rezisten{a la borna coudensatorulai € poate fi echival: A, R, typ On Utilizind relatia oblinem : fy = 637 Hz, Luarea i mea fe cele mai defaverabil in montajul din 10. wzistorul Ty este inalurat $i tal dircet in colectorul tranzistorului 7, recullic un are in Lensiune sau Lransad milanti sint bil identice. sventelar medi acest Lrangistor nu afeeleaza funcliile uitulw Primm! etaj al amplificatorulni licrcazi in conexiunea eu emitorul comun, far eel de-al doilea Tn conexinnea ew baxzi comma. Dueck peimul etaj este alaeal cu un generator ideal de Lensiune, freeventa limit& de funetionare fey © ca efeet miri- ficult, deci, in cond vexistenle de generator f,. Calculut a Tost fra i, in domeniul fr de transfer ale poale Linde cilre fy (reeventa la care pamta, gq, seade cu 3 dB). Geb de-al doilva elaj, alavat in enrent, are oximatiy fy. Freeven|a fy 1 poate atinge {s datoritii cfeetwlai Miller acerotueazd roll Cyg in limitareafrecvenjei maxime de Cunefionare a armplilieatorului. In figura 10.2, ¢ a fost reprezentat primul elaj al amplificatorului. f, poute fi iy dacd cel ileal doilea etaj nu este intredus, sau poate fiimpuidanta de intrare in Ts, adica ity, In ambele situalii, prin aplicarea leoremei lui Miller i schema eehiva- lenta din figura 10.2, d, unde : Coe Ege Gyplt Efectul cel suai important sn montaj i are €°, si acest efvct este aproape Proportional cu Ry. Daca Ky = Mt, atunei rezulta Co = Cy, -L Cy. ld, jar dacd Ry = hey, obtinem Co = Cy, > Cy,t2. Deei contributia lui Cy,, prin elect Miller, la G’ esta de 22 de o 1 in cel desal doilea eas, In conseeint, rolul ,repetoruini de eurent format din Py este de a recep fiona variafia de curent de fa iesirea primutui etaj pe o sarcinii eit mai miei, Realizind o foarte bunt adaplare im curent, ambunatatests notabil eumpor- tarea la freeveufe inalte a montajntui. = Ohservaie, Acest tip de anipliticator gampliticatorul eascoda) este ulilb Portamentut foarte bun pe cares] are in doieuiiil treeventelar analte, Dezavantajul conexiunl In yatianta pregentati In problersd este diloral untel surse de atimontar continu mai mari sted 10.3, 52 se caleuleze cexisienita de intrare pentru cicuilud din figure 10.3, a. Tranzistarut T este caracterizat prin bys = Be 100, Vy, = O86 Vy iar dieda Zener are V, =: 8.2 ¥ 38 recisteate dinamicd weglifatia. Candensa, forul G este considerat seurteirend in domeniul [recuen{etor medil. Rezolvare Schema de curent alternativ este dala in figura 10.3, bounde: He — Ry] Hy jar Ry Ry || Rs. Eleetul rezistente: Rosle evaluat en teorena Miller, rezultind schema cchivalenta din figura 10.3, ¢, unde: Rr » Re amplificarea in ten b Fig. 10.3 188Pentru calendl ammerie trebuie delerminat Je. Pentru aceasta seriem } 1 amplifi M2 > 1 Vz + FauUlz + Ic) Ie Z| et Rates ced unde Fe si Psinkeurentii continui prin Dy si Rs si unde s-a eonsiderat fo S Ey Rezuta fo — 1 mA si Ay = 0,99, Tu aeeste condilii IP 000 EQ. Revistenta de intrare in montaj va fi Ry = R?|| Re Fr = By bh Ulye ha [RTD tee Pye VR, = 255 Tn consevin|a, diniud cont de valoarca obtinuta pentru. R’ Ro = Ba Ouservatie, Lotraduceres In manlay a dindet Zener sl a eondensatoruli G au avut arepe elect climinaren. apruape Letalds a cfectriul elreuitulul de polarizare asupra impedanyel de jnteare. Visivy acest tenomen poate fh explieat prin faptul ed Ia bornele rezistentoler 72, si Jt, semnaleie ai vaio foarte aproplate (4 = 090 = 1) sf sint In ford, fupt care Implied a varia Ue nesennatfic dinanvies a cia evrentuhul prin aceste revistente. Deci, ele nu contribute Ia, mesrearea’ heratormul de senmal. 10.4. Sa se determine recistentete de intrare si iesire proprii{'circnisulni din figure 10.4, a. Tranzistoarele T, si Ty leereazt tn regiuned de seturaiic a caracteristicilor si au acciasi parametrit Ips = & mAs Vp — — 4 Ver, 0 Condensatoral C poute ft considerat scurteircuit tn domeniut frecvenjelor de.tuerw. Reszolvare Cireuitul din figura 10.4.4 este un repetor pe sursi (7) cu un generator de curent constant (7,). Pentru a mari impedanta de intrare se utilizeazi metoda bootstrap. Schema pe curent alternativ a circuilului este data in figura Wal. beRezisten{a echivalenta din su De asemenea, eu teorema Inj Miller se poate cehivala efvetul iesire al registentei £. Mezulla o sehcia echivalenta de forma celei din G Wad. ¢, unde: RO" “Hw R? = afl fo ca trangistorulai se eabewlen: rg rl Kp Ho * (1 a - } 2 mal 4 4 2°V (acecasi pentru winbele tra schema de curent continuu a eircuitului., Dect: Ry RT — 10° kQ: Ry -= Ka kQ. an Uh Qa |. aR ‘Observatie. In cazul ucestul montaj, con tora efertul cireuitulal de palarizs Impedanja de inteare In dispo 10.5. 80 se determine recistenta de intrare pentew circuitul dia figura . a, eohipat cu tranzistoare identice care au liye By — 100, Nye = O46 ¥, italti parametti neglijabitt, Dinda Zener cre retisienta dinamied neglijabilé relul dea inkie a In condi{ii in care Lunes de tip boatstr cE mumai de a iniesora vlectul a His este te mare. BV. Considerdin condensalaarete din monty) ea find searicireni€. el t 4 1 [sea i. 5 | 4 ee Fig. 10.5 199Rezalvare iftear ci Ry Amy 1y find foarte apropiat& de unitate, la bornele de potential tinde si fie nula, determinind un consum rent neg din sursa de semnal, Deci impedanta de imtrare linde sa ndependent Ay, intreaga variatie a curentului din generator find Juata de tranzistorul 7). Aplicind teorema Miller se obline schema echivalenta din tigur bande, ealentind Ay cu relatia : rezisten| de regi dinainic Iypliy Bredly + Tage (2+ } Rall Re si punctele slatice de funelionare ew: I or Role: — Vag + Ratt + Te Ue R, Vy — 2Vaws Ty) + Ve — Yaw b Raker = Ver oblinem Ty HAs: tt 5.82 MQ ede intrare va fi: . RoR Rie nde : Rie they (hy = Vy + Wet Near > Bee jar Ry = Ry |) RP RY 2 NP Ry 1 kOe de intrare in Fy poate fi aproximaui prin: Inver Tipe t Hy % Byers = 360 KO. fia heaproximativs se obtine Ny, = 538 kO, deci . Pinind comt de valoarea rezistentei Ry, putem serie : Ro= Ry — FS KO, far daca se ealeubes aproximare A; 1035 KO. 10.6. Amptificatorul din figura 10.6, a este construil cu [ransistoare identice, cu urmétorit paramelri: Wye = Be = My Vay = 0,6 Vo Se cere sd se determine: a) amplificarea in tensiime a montajutnd : b) iupedanta de intrare side iegire a amplificateruted ¢) dransimpedenta eireuilulii ; (t) anplitudined maxinid a tensiucié te iesire. 191Fig. 10.6 fiezolvare Sehema echivaleula a amplifieatorului este preacata figura 10.6, b. Pentre evaluarea performantelor dinamiee vem determina puuetele statice de fanctionare cn relatiile : Toi = Wee = Vins fe [Veo ~ Yor toy Let YR 7 Fe = Ian |] Re = he y= 531 0. Ry = Ay Ry = 45138 ¢) Amplitudinea maxima a tensiunii rea amplificatorului este linnitata de neliniaritijile tranzistorulai Ty, care se poate satura san bloca daca semmalul depaseste o aaumiti micime. Doe [Mo man | = min (Vee: Var) Lords). declangeazi procesul de saturutie este data de potentialul are loc cind ample Limita la care pe F, cind acesla ajunge egal cu cel din bazii, iar blocare tudinca a devenit egali cu potentialul static po rezistenta Ry, Pentru datele problemei avem ; PM mas |= min [(Veo — Leaky — Vu) i feok min [34 V6 V] Limitarea, in aeest caz, apare prin saturarea tranzistoriui Ty. Observatio. Acest tip de amplificalor ofera un eigtig mare, dar este fonste Halia parametrilor tranzistoarelor. Cresleres iy ponte orietnd sé Intredacd in satu tranzistorul Ty, sau si modifice foarte mult ¥ Vor, = Vane este foarte mic, porameltit trangistonrelor, dere wi mari ictrun astfel de punct statle de [unclionare, Hezistenta de iegire, fgg. scade, fenumnen evidenjinl ee lor ie puternic urbares caracterl de iesirt , de asemenea Ay, $i By sead tn acensti zona, {apt t e ale tranzistorului. Un alt dezavanta] al schemet este Ry foarte n propieres sl modutui te Jor de iesi liner ied 19210.7. Se consider ua amplificelor de tipa cele din preblema ualerivard, costruit ca aceteast iran Rezistenlele Fy si Ty sint mecunoscute, fer fy EQ. Vee = 12 ¥. Se cere, tn aceste condifit, sd se defermine rezistert{ete necumoseule ditt montaj asifel tacil amplilidimen da iesire sd fie maxima, tar impedanja de incere— in fur de 10 bQ. exolvare Pentru ca amplitudinea la iesire sé fie maxima trebuie rare si de aparia ponte ¢ devi: 1 procesete de casi miarime a semnalabui pe Rs, Foalts Din aceasta condifiv rezulla Ie, = 2.85 mA. Pacem ipatera ci Rt; & lia. Tispuner deed fy. = ka. Denarcce fig, = Aye Gul verulla et ! Foy ae = 0.237) an. meesle dike puter uberda calewlid walarii A. utilighil relatia s 7 = ee tte ke, Fort dine aren #t, rexulth din: Mee 458 AO. Decl ipote, ach Re = hia este perfeel valabila. 10.8. Pondra wnplificaloral dia figura 16.8 sase caiculete amylificarea in fensiunc si impedantec de intrare e céreuitudai Care este raft re 1, din moataj ? Care este anandaj rit (rarizistenrelor conipicatertare * Paromefrii trancistonrelar sia: Wy = 10H. Bp = Hs [Vi] = wb ve Rezolyare Amplificarea in Lonsiune se poate calenki en relalia wruna ale serie prin inspectia eireuilului p p peel nnre, oF se Ay = the Fog =% = ih mA y hey fe flor t } Doma, sirezulia Ap — t 100 Inpedanta de dntrare este By tin | Ry = Brey = 1 KO, Fig. 10.6 19 —Diypecitiwe ge eoreaite — ed aM 193Anuplifica Ay poate fi serisé si sub forma ogy 2, Ay =—2 Var fipp— v carn daci fp, = +22. Din aceasta relatic result ci se abtine o ore maxima pentra Ay dacd #, oo. Gu toate avestea I, nu poate fi scos din montaj. raminisd ca fo, == fy, deoarece sefiderea curemtubti de colector determina, Micgusirea parametrului Ry, deci a marimii g,, cl eare amplificarea este direct proportionala. Este difieila o dimensionare a R, din aceasti perspectiva, datorila inexistente! une celatii analitiee generate eare sa exprime dependenta de Fu paraimetrului hy, Tn ucesb cir intajul ubilizdrii transistoarcloe couplementare apare daturila faptului Veal > [Wael spre deosebire de schema dim montajul probleme: anterioare. [a general, folosivea tranzistoarelor complementare permite o mi eficiewt& utilizave a sursei de alimentare deoarece suma tensi- Nnilar [Veg] pute Ti mai mare decit Veo 10.9, tn figure 10.9, este reprezental ain amplifieater de lenstane realizal cu tranzistoare complementare definite prin armatarti parametri: Bp hy = 1505) Van | = 0,6 V. Se core sd se delermine a) nalouree recistenfer Ry astfel incit amplitudinea tensiunié la fesire vat poatd fi maxima; b) amplificarea fr fensiune a montajutté : ©) impedanja de inirare Rezolvare a) Pentru ca amplitudiaea Ja iegire fionarea simetricd a punetul astfel incit fi fie maxim’, este ne A puti- Static de funefiomare al tranzislorelui 1. oF — Ver SEE me Ralls Vg Ay recultai din: marimea curentulut fg, din ; Utilizind ultimele trei lalij obtinem Ry = 1,24 kGb Fig. 10.9 194MW Ay Ayyt yy, unde ste amplifiearea sralizal en primal tranzistor (Hig. WM, Os iar amplifieares eels ew elay. Uiliztnd figura 10.9, b seriem : Apy => : Deets Ape Hille — |) [Ae Ae (tee Laeestid ampli tur a seitaul sewsibit fata de eek ot 1 faze, Lip ve este campensil de w ereslere apeecial Stabilitate a pumcluluf static de Fane} jelor anberi= 2) mpeduelel de iotvine sf de @ anal bam meee pentru primul elaj. Pealea dimensionare mak atenti muntajului se pol abline performante snp 10.10. sis protect 10.9, a impuntndu-se urmiloarete condijii: a) resisesita de intrare, By — 10 kQ> b) cinpiificaren tn tensiune, maxinet ©) vesislenta, de iegire, By = TO: d) surse de alimentare, Veg = 10 V; 0) dranzistoare 6H Nye min = 100, Bp min > 10087 | Voy) = 4, in amplificatar de tipal celek din figura Jtecolvare Conditia af se serie, fintad cont de rezistenga de intrare mare ce se poate obtine la jidrarea trangisterulni %y, 31 sub forma : Byte ‘7 Ry Din consitercats de polariaare seriem refagiat Fey Ry sie din cele oud colalii, ob|inem : Prima solic presapuim 20 Re = (hye PR, regimal static al Ty trebuie s& satistacd urmitoarea cutlilie : Vow fer te Lnae shea prablema determinarii roxistontetor iy. Ry, Jo rclatic, pe care o yur deduce diu couililia ca ampli= 195fiearea s& lie inaxima. Rezistenla P, va fi dimensional’ pentru satisfaceren condiliet impuse pentru Ry. Deci, amplifiearca poute fi maximizata mm Taaetit deo relafie inure My si Ry. Ry tind impus de o conditie implieatd de My, mas va Ay fie ulilizata pentra maximizavea amplifiexrii. Dack [Hy are o valoare mare, enplajul imtire cele doud etaje este foarte favorabil si ampt accresle, Dar penteu Ry foarte mare curentul de co- leetor al seade foarte mult, generind seaderea covespurzitonre = pantei Lrenzistorulul si deci a amplifiedrii., Exista deed o valoare optima pentru Ry pe care o vom putea caleuky cxprimind Ay functie de Hy si egalind prima derivald cu a Vom obtine pe 2, din ceuatia: an, Th eazul general objinen Rye RC TOV tT Da eh este Tudeplinita eandijia ca se poate utiliza relatia: Ry 2/40 Vielt ties Tn relatiile anterioare AO la ptemperatura eamerei“, a 3 Ubilizind relaliile anterioare oblinem valurile rezistent« lor din mental vor considera ci Me = Ry = 1 kG Din condijia de amplitudine n dac: tima ta iesire : = Rylés, objinem © Tes AT wA si ty. — 0,53 kO. Din voudijia impusd penta Hy obtine We Le Ro t eek 1001 th contionare exlenlim pe Ry: t= 20 + 0-000 5-05) TE ko ¥ Putem caleula in aeest moment curental Jey 3 Re In i putem transerie sub forma aprosi a penta caleulal anipbfienrii: BR Rs ay =— mt bene " Rr Ry xeursin semnalulai pe dreapla de sareind dinamies ( re este: (Ke ie fe fora | eisea pn Ryfc, = 6 ¥ pentru Fy L ++ Ry) citre zona de t Ryle, = 84 ¥ pentru 7, Fig. 10.17 WwWPatrundecea tranaistoarelor fa gana de saturatie (le limita Vow = Var 2 1.6) este determinata de seaderea semnalului in colector si de eresterea simultand a pote ty deoareee aeeste lensiuni variagi in {din colector) nu poate utiliza potentialul a, Ra +R, dinamice conectate in coleetor si respectiv in emitor, In eonsecinga, exeursia pe dreapta de sarciné dinamiea inspre zona de satuealic va fi limitald lat Vea — Vug déeit in proportie de unde Ke si Ry sint rezistemtele Mom — Vad pentru PY; i 3 pentrn 7), Vou pric se KR {Va wae (= eiive | Waters (Vee: — Vows min(OV16V) 31.60; ba (M6 may | nin [ston (Yen — Vow = min(SAVil3W) = 13, unde Vo age este amplitudines maxima la iesicea primulud elaj de ainpliti- care. Amplificarea celui de-al doilea elaj find egaliew 2, amplitudinen maxima wlinsa de V) cind Vy este maxima va fide 08 ¥ [¥ 5: ma Deci limitarea pare dutoria celui de-al doilea etaj de aimplifieare $i putem conta pe omar Lal Deed implitudines maxima a semaalubti le ure val dit \ Sone sU.183 Vy Ap Vemoe WM se upliek in intregime jonctinnii Lrangistorulni T,, Tensium eata jonclinnii teanzistoralui de intrave poate fi-caleulata pe a schema ee Malena de tipul cele: din figure 109, 6, vezullind : View 23 mv, deei este indeplivila si cundilia de semnal mie la int in montaj. Pulem conelaziana (1 c} Dac neglijarilor care cu dus ja dependents ampliticarit mural de valori de rezistente se menting. alunci Bp si fy, mu afeeteaza deceit neesengiil eislignl sehemei. Ohse Mentajul est foarle stabil la varialia pacameteiiar componentelar active t sl DIMI pentru ueest eighig este sevide: te de un ampliticator cu doud vistoare. Se poate compara cu remult: nt 106 ML obhinut ta pret 10.12, Se considert un amplificator de tape eetui din figuea 10.11 nnide Ry = 50 kQ, KR 14 KO. Ry tT kQ. Ry Thy 0.95 kO, trartistoarele stal aceleasi st Ve my, a) S@ se calealeze astfel Incit abaterca Leg, din considerente termice, sd fie minima, 198by S@ se repete punclut a in condifiile in care este admisd @ variafie cu 5% a Igy pentre o variafie cu - 50°C a temperatusii c) Sd xe culculeze amplificarea in tensiune pentru cele doud valor ale lui Ry determinate, Rezolvare a) Va datore diveet jalia polentialului continu pe KR, eu cresterea temperaturii se fied Ini Vygy 31 Vnes dup’ urmatoarea lege ce se poate serie AV en AV ney Et Vine. 4 trangistoarcle sint identice si functioncaz’ la aceeasi temperatura. se postle s Van AVae{! ~ A), deci, daa Ry = Ry AVes =O, deci variatia Alc, 0. In consecinta, Ry =1 kQ. b) Dacd urmirim ea : atunei putem: serie, = 0,05, de unde rezulla : Vee (1-2 ROR bh Ry 20/ AV oof ~ 1))- Pentru variatie de 50°C se obit ¢) Pentru caleuta! amplifies AVay | 0.1 V si obtinem : Ry = 7.6kQ. si oblinem Ay ntru Alea & Ay 7 pentru Alc, #0, dar nu foarte mare. He, Obtineres unel stabilitayi termice " foarte marl a patametrior static! se ponte reattea tn ya /,[] dawna elstigutui amplifieatorahi, metru ai mplificutorul din figura 10.13 it err (ronzistoare ¢a Dre — Py = 100 identiei si | Vix | = 0.6 V. Sdse calewh a) amplificaren ti lenstune : b) impedantu de intrare ; ©) tinpedunta de iegire ; d) creursia maxing asenucalutuida iegire. Fig. 10.13 199Rezoly ‘Tranaistorul 7, a fost utilizat pentru realizarea unui generator de eurent constanl ev permite ex variatia curentului in colectorul lui T, si. fie transterala, practic Th intregime, etajwui urmatur spre a fi amplifieaté ia continuare. yltezistemta" de colector a Py este practic iufinita in regim dinamic w) Pentru ealeulal amplifiearijy detecminam punetele statice de functio- nure astfel ; Tes =(¥e ° TT 1 on) 2 mA, 2. nd, dey = Bele — Fo = 10 mA si pulei sas UL CU band aproximalie : Wydte) = ey ity Ry = U5 kod ad ee Agee Vy wan min | Rie (Cowe a tea | mind V5 22 = Ry 2 ¥ Uisery He, Ulilizarea peneratorwl de curent permite eresteres aumplifledeil montajulitis enicyoriit olenuared I euplajud dintre cele douat claje. dar stabilidates Vere ce determin Vy mam precara depingind de Fee — fo) sie. Deci, dlaed Mt, = Ry gl Ky = He este implleata inegaliioten 1, =. 42, de care va depinde, peatru un Be dat, ¥ 10.14. Pentre civeuitut din figure 10,14, a sit se caleute 0) anipfificares in densiume, Ay 5 b) unpedanta de éesire sé impedan{a de intrarc ; c) curentut maxim prin rezistenta de sarcind Ty. Maramelit Iranzistoarelor sint identichs Wy, = Br 100, Von = 0,6 V, Fig. 10.14Teezolvare - @) Pentra caleulul amplificirii san Inat tn comsideralie amplificdrile velor doua etaje independent $i atennacea produsé la cuplarea lor, scriind + Apoms unde : Ry Yan Ary se va calcula eu schema echivalonté din figura (0.44, a: iar ay este: Hat day + (ty Determiniud : fey =1,8 mA si dos Baca se face aproxima na rezutlh Ay = —6, Dtilizind schema ec npedanka dé iegire ral din Figura 10.14, 6 oblinem ponten Ry Thlecuind objinem : Ry -- =43-kO € iyoRy = 30 KO: OF Wn mae | = min (Rides? Vor — Vee] — Vow ~ Vax =54 9, Deei: dae [Ty uec | < Tes. Rezulta ; Fy maz = 18 mA, valle, Tranzistorul T, (repelor pe einitor) reatizemut Sepirarea amplificatoruh de Ka, permijind obtineren unui cistig mal mare en 7 care wenercazi semnal pe Zt, & H, De asemenéa, repetorul pe emiter permite oblinerea unci Impedante de iesire mutt micyarate Im conul[iile unel ampliticari mari pe primut eta 10.15. a) impedanta de intrare ; bj amplificarea in leasinne ; 202Fig. 10.16 ©) dransedmitanter cine cituleth a) Cun afecteazt amplificarea fm tensivne si Ny gay dublorea vatorii Py? Rezolvare Montajul din in eascad conexiunca BC e torul Ty. un amplificater realizaL prin conectare Deu un eta BC, Deo impedanta de intrare in Tuarte mica, a Lost necesar repeLorul realizal ew tra nzis- a) By = Ry I Leer Oye ORG Fy Vy Jeuleazd eurentii de colveler : unde If, Se fey = By OSE = 1,8 mA, ~ dey = AS uA. Tn aceste condilii, inlocwind in prima relafic rezulta : Ba = Bie + fon 2 277 kD. b) Ay = Apy-a, Impedanta de iesive din primul eta}, dact este atacat cu un generator ideal de tensiune, este hj: iar impedanta de intrare in eel de-al du Keo» Deoarece Te, — Tegs yy =O. yy = 1 eu bunt aproximatic. calculul Ay, folosim schema echivalenti din figura 10.16, 6, unde dclerminam : Nive Deci =a) Dub curenfii de eolector determining seaderes proy ww fl Bale. wees ificindu-se vom obline © alla valoare marine. Pentrn Ry =4 OQ, Vy max = 3 Pour fy =8 kO. Vp maz = 18 OAT. Peaten cércuitul amptificutor din figure 10.17, a) dmpedaufa de intrare; ce calembezy y h) cmplifiearea in carent, 4 v1 aplificaren tn tenstune ; Al) tripedania de éegire Perumetsié tanzistoarelor sint: Vg Vo 3, =Npe = M0, By = ble Condensafoarele se considerd scurteircuil. Rezol Se deleriming curentii prin tranzistoare : fg, =0,16 mA, fe, =f mA. hdl, : ' : a} it, — Me _ yes unde hy, este impedanta de intrare in tranzis- Lorul ceiiy: at de Ty, T, yi My (fig, 10.17, b). Riee = Meg + (lye kt) ~ = 140,6 ko. Ry 1 by Ay pute mca oot sy, +h, sky definil dat pentru stractura din}figura 00.17, 6 ea Erin : at Cra Tao rape Fig. 10.17 204“Hone dey Lule Gaye este valent ew relatia cchivalemdi a stouctueii din figura 1,17, # si se poate ree = 36,2 kOe, ar ainplificarea dy By tty OB. S666 entens igure 10.18 amiplifiewres in tetiiune pentru cireuitul din ald. tee da saluratie si ares 1 WmAd, Vy ay far parametrti li Vsti Vie = OG. Sy 708. Condensatarnd © oaly fe coustderal scurteirenil. Revolva fa figui nearer Lr 1G.18. J se preginta schema pe curent allernativ a eteuite istoarele sai inforuil cu civeuitele lov conivalente de semoal mie BLP evaliares ad. tilizind. es View J in cat reaulla ? Vag 1.8 Vi to = 10 my Pe sehoma din ligara 10.18, 6 se poi erie suceesiv Vo = RGatVg Mel) ¢ Ve M yt Mealy: i= Gm¥os Fig. 10.18 205$i ohfinem pservijis. Comparind amplit ne a arent OU UB Lrangistor er efect de elinp ca a este: ni ru amplificares uns etaj 1s OU sarcing MstyIbuils (Ft si fi), eare se deduce © preven ja tr wistorului 7, eresle amplificarea tu tensime de (iiye % 1) oF Ira sclera disculnta eu uw amplificator cu un tranzister bipolar cu neckagh n colector, care any acd vem con = taelhy = — AK, de ciel « Dretul platit penten cregterea pute =1Ma, ieSril th teusiune. Acvast® diminuare constitiie pedantei de tutrare de 1x Ager = O25 KD ia Ly FONG. fn figura 10.19, 0 este reprczentat aun repelor pe emitor realis eu dowd [raicistoare comptementare eu hy By = 108 st | Vyn| = 0.8 Ve a) SH se culealece uniptifiecrea tn tenstune. b) Sl se caleuleze impedunfa de infrare si impedanta de tes Fig. 10,19 206