Penentuan Struktur Kristal dan Komposisi Kimia Bahan Semikonduktor

Sn(S0,6Se0,4) Hasil Preparasi dengan Metode Bridgman

Determination Of Structure And Chemical Composition Semiconductor
Material Sn(S0,6Se0,4) Preparation With The Bridgman Method
1

Dwi Ratna Sari Dewi, 2Ariswan.

Mahasiswa Program Studi Fisika FMIPA Universitas Negeri Yogyakarta
2
Dosen Program Studi Fisika FMIPA Universitas Negeri Yogyakarta
08996664223, dwiratnasaridewi21@gmail.com

Abstrak

Telah dilakukan penelitian tentang penentuan struktur kristal, morfologi

permukaan dan komposisi kimia bahan semikonduktor Sn(S 0,6 Se0,4) hasil preparasi dengan
metode Bridgman. Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh temperatur terhadap
srtuktur kristal bahan semikonduktor Sn(S0,6 Se0,4).
Proses penumbuhan kristal menggunakan teknik Bridgman dilakukan dengan alur
pemanasan yang sama dengan temperatur maksimum pada tiga sampel, yaitu sampel pertama
dengan suhu maksimal 550 C, sampel kedua dengan suhu maksimal 600 C dan sampel
ketiga dengan suhu maksimal 500 C. Dalam penelitian ini, kristal hasil preparasi kemudian
struktur kristal ditentukan dengan menggunakan X-Ray Diffraction, morfologi permukaan
ditentukan dengan menggunakan Scanning Electron Microscopy, dan komposisi kimia bahan
ditentukan dengan menggunakan Energy Dispersive Analysis X-Ray.
Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa kristal bahan semikonduktor Sn(S 0,6
Se0,4) yang terbentuk mempunyai struktur kristal orthorhombik dengan nilai parameter kisi
untuk sampel pertama adalah a = 4,37957 , b = 11,20715 dan c = 4,03913 . Nilai
parameter kisi sampel kedua adalah a = 4,41112 , b = 11,43552 dan c = 4,02228 .
Sedangkan nilai parameter kisi sampel ketiga adalah a = 4,38875 , b = 11,32243 dan c =
4,02547 . Hasil karakterisasi SEM, memperlihatkan bahwa kristal bahan semikonduktor
Sn(S0,6 Se0,4) yang terbentuk homogen dan hasil karakterisasi EDAX diperoleh perbandingan
komposisi unsur Sn, S dan Se untuk sampel pertama adalah 1 : 0,2 : 0,7 dan sampel ketiga
adalah 1 : 0,3 : 0,2.
Kata kunci: Struktur Kristal, Alur Pemanasan, Sampel, Teknik Bridgman, Karakterisasi
(XRD, SEM, dan EDAX)
Abstract
Has done research on the determination of crystal structure, the surface and
the chemical composition of semiconductor material Sn(S0,6 Se0,4) the preparation with the
bridgman method. This study aims to determine the effect of temperature on the crystal
structure composition of semiconductor material Sn(S0,6 Se0,4).
The process of crystal growth using the Bridgman method performed with same
patterns of heat and with the different maximum temperatures in the three sample, they are
fisrt sample with the maximum temperature 550C, second sample with the maximum
temperature 600C and third sample with the maximum temperature 500C. In this study, the
crystals growth uses the Bridgman method then the crystal srtucture was determined by X-

Ray Diffraction, the surface morphology was determined by Scanning Electron Microscopy,
and the chemical composition was determined by Energy Dispersive Analysis X-Ray.
From the results of the XRD characterization showed that the material of
semiconductor Sn(S0,6 Se0,4) that is formed have an orthorhombik crystal structure with lattice
parameter values for the fisrt, second and third sample are (a = 4,37957 , b = 11,20715 , c
= 4,03913 ), (a = 4,41112 , b = 11,43552 , c = 4,02228 ) and (a = 4,38875 , b =
11,32243 , c = 4,02547 ) respectively. From the SEM characterization, we know that the
materials crystal of semiconductor Sn(S0,6 Se0,4) are homogenous and EDAX characterization
shows the element composition of Sn, S and Se for first and third sampel are 1 : 0,2 : 0,7 and
1 : 0,3: 0,2 respectively.
Key words: CrystalStructure, Heating Flow, Sample, BridgmanMethod,
Characterization(XRD, SEM and EDAX).

PENDAHULUAN
Permasalahan tentang energi akan selau

diandalkan. Letak Indonesia di daerah tropis

menjadi topik permasalahan yang menarik para

dan berada pada garis khatulistiwa sangat

peneliti untuk mengetahui bahan-bahan yang

berpotensi

sesuai dengan teknik yang menghasilkan

pemanfaatan teknologi ini.

dalam

pengembangan

dan

energi. Manusia memerlukan energi dalam

Pada dasarnya sel surya merupakan

setiap aktivitasnya. Pemanfaatan sumber energi

persambungan antara semikonduktor tipe-p dan

yang konvensional seperti batu bara, bahan

semikonduktor tipe-n. Sel surya yang saat ini

bakar minyak, gas alam dan lain-lain, pertama

sedang dikembangkan adalah sel surya lapisan

tanpa disadari lama kelamaan akan habis.

tipis

Selain itu, selalu menghasilkan polutan yang

semikonduktor dan paduannya. Sel surya jenis

mengganggu terhadap keseimbangan biosfer.

lapisan tipis (thin film) bertujuan untuk

Pemanfaatan energi konvensional secara besar-

mengurangi

besaran yang akan mengancam kelangsungan

Keunggulan lain sel surya jenis lapisan tipis

hidup manusia. Oleh karena itu, perlu adanya

adalah semikonduktor sebagai lapisan sel surya

energi alternatif untuk mengatasi kelangkaan

bisa dideposisi pada substrat yang lentur

energi tersebut salah satunya adalah energi

sehingga menghasilkan piranti sel surya yang

matahari.

fleksibel (Kukuh Aji Suryo, 2011: 3).

Teknologi
mengkonversi

energi

fotovoltaik

yang

matahari

langsung

menggunakan

Bahan

biaya

berbagai

pembuatan

semikonduktor

perhatian utama saat

sel

yang

bahan

surya.

menjadi

ini adalah Stanum

menjadi energi listrik dengan menggunakan

Seleneide (SnSe), Stanum Sulfide (SnS), dan

piranti semikonduktor yang disebut Sel Surya

Sn(SSe) yang merupakan gabungan antara SnSe

(Sollar Cell). Karena sifat keterbarukan energi

dan

sel surya dapat menjadi solusi yang dapat

membutuhkan ketebalan sekitar satu mikron

SnS.

Material

tersebut

hanya

untuk membentuk sel surya yang efisien. Ini

untuk mengetahui struktur kristal dan SEM

disebabkan karena daya serap cahayanya yang

digunakan untuk meneliti struktur morfologi

besar. Bahan dasar SnS dan SnSe memiliki

permukaan yaitu butiran kristalnya. EDAX

keunggulan sebagai bahan dasar aplikasi sel

dimanfaatkan untuk mengetahui komposisi

surya seperti memiliki energi gap masing-

kimia secara kuantitatif dengan memanfaatkan

masing 1 eV dan 1,3 eV - 1,8 eV sehingga

interaksi tumbukan elektron dengan material.

sesuai pada tetapan sel surya. Selain itu, bahan

KAJIAN PUSTAKA

dasar SnS dan SnSe dapat dilakukan preparasi

Bahan Semikonduktor Sn(SSe)

dengan berbagai teknik fabrikasi.

1. SnSe (Stannnum Sellenoide)

Pada

penelitian ini akan ditumbuhkan

Stannum

Sellenoida

adalah

material

kristal dari bahan semikonduktor ternary

semikonduktor

Sn(S0,6,Se0,4) menggunakan metode Bridgman.

kelompok crystalline solid (SnS, SnSe, ...).

Metode ini sering digunakan di laboratorium

SnSe merupakan bahan paduan dua unsur yaitu

untuk penumbuhan kristal, karena prosesnya

Stannum (Sn) dan Sellenium (Se) dengan

yang sederhana dan biayanya relatif murah.

presentase masing masing secara berturut turut

Penggunaan metode ini dipilih karena metode

39,95%

Bridgman

keuntungan

orthorhombik. Dengan lebar pita terlarang

dibandingkan dengan metode lainnya yaitu: (a)

(Band Gap) hanya sekitar 1 eV. SnSe berwarna

temperatur dapat dikontrol secara teliti, (b)

grey (hijau), dengan titik lebur 861 C dan

kecepatan pembekuan bahan dapat diatur, (c)

massa

kecepatan penurunan temperatur pada saat

(www.webelement.com-SnSe)

memiliki

beberapa

berubah dari keadaan cair dapat dikontrol

secara teliti, (d) tekanan mekanis di dalam
bahan juga dapat dikurangi untuk menghindari
terjadinya

keretakan,

dan

(e)

kenaikan

temperatur juga dapat diatur sedemikian rupa

sehingga dapat mengurangi timbulnya bahaya
ledakan yang diakibatkan oleh unsur tertentu
pada temperatur kritisnya (Fajar Marwanto,
2012: 4).
Untuk mengetahui bahan hasil preparasi
dilakukan karakterisasi menggunakan X-Ray
Difraction

(XRD),

Scanning

Electron

Microscopy (SEM), dan Energy Dispersive

Analysis X-Ray (EDAX). XRD digunakan

dan

IV-VI dan termasuk dalam

60,05%

jenis

berstruktur

6180

kg

kristal

m-3.

2. SnS (Stannum Sulfide)

Stannum Sulfide merupakan bahan paduan
antara dua unsur yaitu Stannum dan Sulfur.
Stanum merupakan logam putih keperakan
lunak (white), termasuk golongan IV pada tabel
berkala mempunyai nomor atom 50; massa
atom relatif (Ar) 118,71 gram/mol; titik lebur
505,05 K (231,9oC); titik didih 2543,15 K
(2270oC),

dan

struktur

kristalnya

adalah

tetragonal. Semikonduktor berbahan dasar Sn

sangat potensial untuk digunakan sebagai
pencegah korosi untuk pelindung logam lain
dan

membuat

kaca

(www.webelement.com-SnS)

jendela.

Aplikasi Semikonduktor SnSSe dalam Sel

1. Tahap Preparasi Bahan

Menyiapkan bahan yang akan diuji antara

Surya
Kualitas bahan dikaitkan dengan sel

lain, Stannum (Sn), Sulfur (S), dan Sellenium

surya ditentukan oleh kemampuan sel surya

(Se) dengan kemurnian 99,99%. Kemudian

tersebut mengkonversi energi surya langsung

proses penimbangan bahan dilakukan pada

menjadi

dengan

masing-masing unsur Sn, S, dan Se dengan

efisiensi konversi). Kemampuan ini sangat

menggunakan perbandingan mol yaitu 1 : 0,6 :

ditentukan oleh besarnya energi gap bahan

0,4. Langkah pertama tahap penimbangan

karena energi inilah langsung berkaitan dengan

bahan adalah menimbang unsur Se dengan

koefisien serapan bahan semikonduktor. A.

masssa x gram. Kemudian massa Sn dapat

Goetzberger

dihitung

energi

listrik

(2000)

(berkaitan

telah

menemukan

hubungan antara efisiensi konversi energi

matahari sebagai fungsi dari energi gap bahan
seperti ditunjukkan pada Gambar 1 sebagai
berikut:

dengan

persamaan

((

) gram. Sedangkan massa S

dapat dihitung dengan persamaan ((

(

) gram. Dimana massa atom

(BA) Se = 78,96 gram/mol, massa atom (BA)

Sn = 118,70 gram/mol dan massa atom (BA) S
= 32, 065 gram/mol.
Kemudian memasukkan bahan yang telah
ditimbang ke dalam tabung pyrex yang sudah
dibersihkan dengan alkohol. Setelah itu tabung
Gambar 1. Efisiensi Konversi Energi Surya
Sebagai Fungsi Dari Energi Gap.
(Goetzberger,2000)
Berdasarkan Gambar 1 di atas

pyrex yang berisi bahan paduan tersebut

menunjukkan nilai energi gap dari bahan-bahan

telah dilas tersebut berbentuk ingot atau kapsul.

semikonduktor. Dalam penelitian ini bahan

Ingot tersebut kemudian dipanaskan ke dalam

dasar yang digunakan adalah SnS dan SnSe

furnace dengan tiga pola alur pemanasan

yang memiliki energi gap masing-masing 1 eV

dengan

dan 1,3-1,83 eV. Energi gap pada rentang

temperatur maksimum 500 oC, 550oC dan

tersebut cocok untuk bahan dasar sel surya.

600oC.

METODE PENELITIAN

2. Tahap Karakterisasi Bahan

divakumkan mencapai tekanan 5x10-5 mbar dan

kemudian dilas. Sehingga tabung pyrex yang

masing-masing

menggunakan

Pada penelitian ini menggunakan dua teknik

a. Karakterisasi XRD (X-Ray Diffraction),

pengambilan data, yaitu tahap preparasi bahan

digunakan untuk mengetahui struktur

dan tahap karakterisasi bahan.

kristal dan parameter kisi kristal. Data

yang diperoleh dari karakterisasi XRD

kisi

berupa difraktogram. Difraktogram ini

pemanasan bahan paduan Sn(S0,6 Se0,4). Data

menunjukkan intensitas sebagai fungsi

yang dihasilkan berupa difraktogram, yaitu

sudut

grafik hubungan antara sudut hamburan (2)

difraksi

kemudian

(2).

Hasil

tersebut

dibandingkan dengan data

yang terbentuk pada

dan

Intensitas

(I)

ingot

puncak

hasil

spektrum.

JCPDS (Join Committee on Powder

Difraktogram menunjukkan puncak-puncak

Diffraction Standard), sehingga diperoleh

spektrum yang muncul pada sampel. Setelah

bidang-bidang hkl dari sampel. Harga

dilakukan analisis XRD dapat diketahui

konstanta kisi (a, b, c) dapat diperoleh

jarak antar bidang (dhkl).

dan

EDAX

(Energy

Dispersive Analysis X-Ray), digunakan

untuk mengetahui morfologi permukaan

111

6000

4000

2000

dan komposisi kimia bahan paduan

160

Microscopy)

Hasil XRD Sampel Pertama

Sn(S0,6 Se0,4)

8000

021
101

b. Karakterisasi SEM (Scanning Electron

Intensitas (cacah/sekon)

10000

200
210 141
002

dengan metode Coheen.

Sn(S0,6Se0,4). Pada karakterisasi SEM ini

111

250
200

sinar-X

tersebut

menunjukkan

komposisi

kimia

yang
yang

terkandung dalam kristal Sn(S0,6 Se0,4).

HASIL DAN PEMBAHASAN
1. Hasil Karakterisasi Struktur Kristal
Sn(S0,6 Se0,4)
a. Karakterisasi Struktur Kristal dengan
X-Ray Diffraction (XRD).
Penelitian menggunakan alat Analisis XRay Diffraction (XRD) digunakan untuk
mengetahui struktur kristal dan parameter

312

50

karakteristik

202

100

341

021
101

150

141
002
211

bahan sampel yang dikarakterisasi. Energi

100

Hasil XRD Sampel Kedua

Sn(S0,6 Se0,4)

300

120

spectrum energi sinar-x karakteristik dari

Intensitas (cacah/sekon)

350

dengan energi yang menyatakan hasil

80

Gambar 2. Difraktogram hasil preparasi bahan

Sn(S0,6 Se0,4) dengan temperatur maksimum
550oC (Sampel Pertama).

yang terbentuk. Sedangkan hasil EDAX

berupa grafik hubungan antara intensitas

60

081
270

diketahui tingkat homogenitas kristal

40

2theta (derajat)

160

atau foto. Dari hasil foto ini dapat

20

041
200

diperoleh hasil data yang berupa gambar

0
0

20

40

60

80

100

2theta (derajat)

Gambar 3. Difraktogram hasil preparasi bahan

Sn(S0,6 Se0,4) dengan temperatur maksimum
600oC (Sampel Kedua).

hanya saja terlihat bahwa hasil difraktogram

800

Hasil XRD Sampel Ketiga

Sn(S0,6 Se0,4)

111

600

sampel pertama mempunyai nilai intensitas

yang lebih tinggi dibandingkan dengan sampel

500

kedua dan sampel ketiga.

400
300

tersebut kemudian

162

250

251

100

Data difraktogram hasil analisis XRD

151
160

210 200
141

200
021
101

Intensitas (cacah/sekon)

700

dibandingkan dengan

0
0

20

40

60

80

100

JCPDS sehingga dapat diketahui indeks miller

2theta (derajat)

Gambar 4. Difraktogram hasil preparasi bahan

Sn(S0,6 Se0,4) dengan temperatur maksimum
500oC (Sampel Ketiga).

dari setiap puncak yang sesuai. Dengan nilai

sudut 2 dan indeks miller (hkl) yang telah
diketahui, maka dapat dihitung nilai parameter

Pada Gambar 2, dapat dilihat

bahwa

Sampel Pertama kristal Sn(S0,6 Se0,4) dengan

alur pemanasan 1 mempunyai 19 puncakpuncak tertinggi. Gambar 3 terlihat

bahwa

Sampel Kedua kristal Sn(S0,6 Se0,4) dengan alur

pemanasan 2 mempunyai 52 puncak-puncak

kisi

kristal

perhitungan

Sn(S0,6
metode

Se0,4)

menggunakan

Coheen.

Dengan

perbandingan data XRD dengan JCPDS, maka

dapat diketahui bahwa kristal Sn(S0,6 Se0,4)
yang terbentuk mempunyai struktur kristal
orthorhombik. Sistem kristal orthorhombik

tertinggi. Berdasarkan Gambar 4, dapat dilihat

memiliki parameter kisi a b c; = = =

bahwa Sampel Ketiga kristal Sn(S0,6 Se0,4)

90. Nilai parameter kisi a, b dan c serta

dengan alur pemanasan 3 mempunyai 33

puncak-puncak tertinggi.

Tabel 1.

Intensitas (cacah/sekon)

10000
Hasil XRD Sampel Pertama Sn(S0,6 Se0,4)
Hasil XRD Sampel Kedua Sn(S0,6 Se0,4)
Hasil XRD Sampel Ketiga Sn(S0,6 Se0,4)

8000

6000

4000

2000

0
0

20

40

60

80

100

2theta (derajat)

Gambar 5. Difraktogram gabungan hasil

preparasi bahan Sn(S0,6 Se0,4) dengan metode
Bridgman (Sampel Pertama, Kedua dan Ketiga).
Gambar

merupakan

Tabel 1. Perbandingan parameter kisi kristal

Sn(S0,6 Se0,4) Sampel Pertama, Sampel Kedua
dan Sampel Ketiga dengan menggunakan
metode analitik.
Para
Sampel
Sampel Sampel JCPDS
meter
Pertama Kedua
Ketiga
SnS
Kisi
a ()
4,37957 4,41112 4,38875 4,3291
b ()
11,20715 11,4355 11,3224 11,192
2
3
3
c ()
4,03913 4,02228 4,02547 3,9838
Berdasarkan Tabel 1 tersebut dapat
diketahui bahwa nilai parameter kisi kristal
Sn(S0,6 Se0,4) sampel pertama, sampel kedua

gambar

dan sampel ketiga dengan nilai JCPDS SnS

pertama,

hampir sama. Hal ini dikarenakan pergeseran

sampel kedua dan sampel ketiga. Dalam

sudut difraksi ketiga sampel yang cukup kecil,

gambar tersebut terlihat bahwa puncak-puncak

sehingga perbedaan parameter kisinya juga

difraksi yang muncul tidak terlalu berbeda,

kecil. Berdasarkan nilai parameter kisi kristal

difraktogram

perbandingan dengan JCPDS dapat dilihat pada

gabungan

sampel

dan

nilai

intensitas

kristal

yang

telah

didapatkan, maka sampel pertama lebih baik

dibandingkan sampel kedua dan sampel ketiga
karena nilai parameter kisinya lebih mendekati
dari

acuan

JCPDS

nilai

intensitas

maksimumnya pada hasil data karakterisasi

XRD. Sampel Pertama ini dipanaskan dengan
temperatur maksimum 550oC.
b. Karakterisasi Struktur Kristal dengan
Scanning Electron Microscopy (SEM).
Hasil dari SEM berupa foto permukaan
dari kristal yang terbentuk. Dari hasil foto ini
dapat diketahui tingkat homogenitas kristal
yang terbentuk. Berikut Gambar 6 yang
merupakan

gambar

hasil

(d)
(c)
Gambar 7. Foto morfologi permukaan kristal
sampel ketiga Sn(S0,6 Se0,4) hasil SEM dengan
(a) Perbesaran 600 X, (b) Perbesaran 4000X,
(c) Perbesaran 20000X, (d) perbesaran 40000X

Berdasarkan Gambar 6,
mofologi untuk

sampel

yaitu foto

pertama

tersebut

terlihat homogenitas dari kristal Sn(S0,6 Se0,4)

yang terbentuk. Pada Gambar 6 (a) telihat
bahwa butiran-butiran (grain)

yang telah

karakterisasi

terbentuk dan seragam yang tersebar dengan

permukaan ingot sampel pertama Sn(S0,6 Se0,4)

teratur. Gambar 6 (b) bahwa bentuk grain yang

dengan perbesaran 450X dan 7000X.

muncul

pada

permukaan

kristal

tersebut

bervariasi dan memiliki kisaran ukuran 3,89

m - 10,2 m. Sedangkan pada Gambar 7 (a)
juga sudah terlihat homogenitas dari kristal
Sn(S0,6 Se0,4) yang tersebar dan tersusun secara
teratur. Gambar 7 (b) butiran terlihat lebih jelas
(a)

dan terdapat rongga-rongga dalam susunan

(b)

Gambar 6. Foto morfologi permukaan kristal

sampel pertama Sn(S0,6 Se0,4) hasil SEM dengan (a)
Perbesaran 450 X, (b) Perbesaran 7000X
Gambar 7 merupakan gambar hasil
karakterisasi permukaan ingot sampel ketiga
Sn(S0,6 Se0,4) dengan perbesaran 600X, 4000X,
20000X dan 40000X.

butiran tersebut yang berukuran kisaran 0,5 m

- 1 m. Dari Gambar 7 (c) Merupakan
permukaan dari salah satu grain yang rata
namun masih trdapat bongkahan-bongkahan.
Sedangkan pada Gambar 7 (d) permukaan
tersebut dan bongkahan-bongkahannya terlihat
lebih jelas, dalam permukaan tersebut terlihat
seperti terdapat retakan-retakan.
c. Karakterisasi Struktur Kristal dengan
Energy
(EDAX).

(a)

(b)

Dispersive

Analysis

X-Ray

Hasil EDAX berupa grafik hubungan

antara

intensitas

dengan

energi

yang

menyatakan hasil spektrum energi sinar-x

karakteristik

dari

bahan

sampel

yang

dikarakterisasi. Energi karakteristik sinar-X

tersebut yang menunjukkan komposisi kimia
yang terkandung dalam kristal Sn(S0,6 Se0,4).
Hasil

karakterisasi

menggunakan

EDAX

ditunjukkan pada Gambar 8 dan 9 berikut:

Tabel
2.
Perbandingan
persentase
komposisi kimia bahan dengan molaritas unsur
Sn, S dan Se pada kristal Sn(S0,6 Se0,4).
Sampel Pertama
Komposisi Kimia
Molaritas
Unsur (%)
Unsur
Sn
S
Se
Sn S Sn
53,7 10,9 35,5 1
0,2 0,7
Sampel Ketiga
Komposisi
Komposisi Kimia Kimia Unsur
Unsur (%)
(%)
Sn
Sn
Sn
Sn Sn Sn
62,0 62,0 62,0 62, 62, 62,
6
6
6
06 06 06
Berdasarkan Tabel 2, dapat diketahui
bahwa komposisi kimia unsur kristal Sn(S0,6

Gambar 8. Grafik hubungan antara intensitas

dengan energi hasil karakterisasi EDAX kristal
sampel pertama Sn(S0,6 Se0,4)

Se0,4) untuk sampel pertama, yaitu Sn = 53,7

%; S = 10,9 % dan Se = 35,5 % dan memiliki
perbandingan molaritas 1 : 0,2 : 0,7.

Pada

sampel ketiga, yaitu Sn = 62,06 %; S = 21,26 %

dan Se = 16,67 % dan memiliki perbandingan
molaritas 1 : 0,3 : 0,2. Sedangkan perbandingan
molaritas Sn : S : Se pada kristal Sn(S0,6 Se0,4)
secara teori adalah 1 : 0,6 : 0,4. Hasil
karakterisasi EDAX tersebut menunjukkan
Gambar 9. Grafik hubungan antara intensitas
dengan energi hasil karakterisasi EDAX kristal
sampel ketiga Sn(S0,6 Se0,4)
Berdasarkan hasil karakterisasi EDAX
preparasi

kristal

yang

ditunjukkan

pada

Gambar 8 dan Gambar 9, diperoleh komposisi

kimia

dari

ingot

kristal

Sn(S0,6

Se0,4)

mengandung unsur Stannum (Sn), Sulfur (S)

dan Sellenium (Se). Perbandingan persentase
komposisi kimia

bahan dasarnya

dengan

molaritas unsur kristal Sn(S0,6 Se0,4) dapat

dilihat pada Tabel 2 berikut:

bahwa terjadi perubahan komposisi atom S dan

Se. Hal ini disebabkan karena beberapa faktor,
diantaranya pada saat memasukkan bahanbahan sampel ke dalam tabung pyrex terdapat
bahan-yang menempel pada diniding tabung,
dan sehingga massanya tidak sama dengan
massa saat ditimbang. Faktor lainnya adalah
kurang vakumnya tabung pyrex yang berisi
bahan paduan tersebut pada saat proses
pemvakuman,

sehingga

masih

terdapat

beberapa unsur yang masuk dan kebolehjadian

partikel terhambur tidak sama antar material

satu dengan material yang lain yang bergantung

550

pada energi ikat maupun temperaturnya dan

11,20715 dan c = 4,03913 . Untuk

karena kurang meratanya peleburan paduan

kristal Sn(S0,6 Se0,4) Sampel Kedua yang

bahan dasar pada saat proses pemanasan.

dipanaskan dengan temperatur maksimum

Dalam penelitian ini terdapat beberapa

keterbatasan,

diantaranya

pada

600

saat

C adalah a = 4,37957 , b =

C adalah a = 4,41112 , b =

11,43552 dan c = 4,02228 . Sedangkan

memasukkan sampel ke dalam tabung pyrex

untuk

kurang lurus horizontal sehingga bahan-bahan

dipanaskan sampai temperatur maksimum

tersebut menempel pada dinding tabung. Selain

500

itu, saat proses pemecahan ingot kristal ada

11,32243 dan c = 4,02547 .

serpihan kaca dari ingot tersebut yang ikut

3.

kristal

Sampel

Ketiga

yang

C adalah a = 4,38875 , b =

Hasil karakterisasi SEM pada struktur

tercampur ke dalam padatan sampel yang telah

kristal Sn(S0,6 Se0,4)

dikeluarkan dari tabung, sehingga ikut tergerus

menunjukkan bahwa struktur morfologi

pada saat proses penggerusan.

permukaan kristal Sn(S0,6 Se0,4) sudah

KESIMPULAN

terbentuk

1.

Kristal Sn(S0,6 Se0,4)

homogen,

sudah

yang diperoleh

terlihat bentuk dari butiran (grain) pada

dengan metode Bridgman pada Sampel

permukaan yang seragam dan tersebar

Ketiga, yaitu dengan alur pemanasan

secara teratur yang kisaran berukuran

dengan

temperatur

maksimum

500oC

3,89 m 10,2 m

untuk sampel

mempunyai kualitas kristal yang lebih baik

pertama dan kisaran 0,5 m - 1 m untuk

dibandingkan dengan kristal Sn(S0,6 Se0,4)

sampel ketiga. Namun terdapat rongga-

Sampel Pertama dan Sampel Kedua yang

rongga dalam permukaan tersebut.

dipanaskan
maksimum

2.

dengan

yang terbentuk,

dengan

temperature

600oC dan 550oC. Hal ini

4.

Berdasarkan hasil karakterisasi EDAX,

pada struktur kristal Sn(S0,6 Se0,4) yang

berdasarkan kesesuaian data parameter kisi

terbentuk,

a, b dan c dengan data JCPDS dan nilai

presentase komposisi kimia komposisi

intensitas maksimumnya sebagai hasil dari

kimia unsur, yaitu unsur Sn = 53,7 %; S

karakterisasikristal menggunakan XRD.

= 10,9 % dan Se = 35,5 % dan memiliki

Berdasarkan hasil analisis karakterisasi

perbandingan molaritas Sn : S : Se = 1 :

XRD, struktur kristal Sn(S0,6 Se0,4) yang

0,2

terbentuk

Sedangkan

mempuyai

struktur

0,7

memiliki

untuk

perbandingan

sampel

perbandingan

pertama.
presentase

orthorhombik. Berdasarkan perhitungan

komposisi kimia komposisi kimia unsur

metode analitik, nilai parameter kisi untuk

Sn = 62,06 %; S = 21,26 % dan Se =

kristal Sn(S0,6 Se0,4) Sampel Pertama yang

16,67 %. dan memiliki perbandingan

dipanaskan dengan temperatur maksimum

molaritas Sn : S : Se = 1 : 0,3 : 0,2 untuk

sampel ketiga.
DAFTAR PUSTAKA
Fajar Marwanto. (2012). Pengaruh Perbedaan
Temperatur Kristalisasi Terhadap
Karakteristik Bahan Semikonduktor
Pb(Se0,2Te0,8) Hasil Preparasi dengan
Metode
Bridgman.
Yogyakarta:
Universitas Negeri Yogyakarta.
Goetzberger, A; Hebling, C. Solar Energy
Materials and Solar Cell, 62 (2000) p.l
Kukuh Aji Suryo. (2011). Pengaruh Jarak
Sumber Cadmium Sulfida (CdS)
dengan Substrat Pada Preparasi
Lapisan Tipis Cadmium Sulfida (CdS)
dengan Teknik Close Spaced Vapor
Transport
(CSVT).
Skripsi.
Yogyakarta:
Universitas
Negeri
Yogyakarta.
.
http://www.webelements.com/SnS/.
Diakses
pada tanggal 12 Februari 2013 pukul
11.49 WIB.
http://www.webelements.com/SnSe/. Diakses
pada tanggal 12 Februari 2013 pukul
11.48 WIB.