Dependencia de la conductividad con la temperatura en semiconductores.

Introduccin.
Se ha visto que la conductividad de los semiconductores depende de la densidad
numrica (concentracin) y de la movilidad de los portadores de carga1 . Estas dos
magnitudes son resultados de procesos fsicos diferentes que dependen a su vez, de modos
muy distintos, de la temperatura. El resultado global en un semiconductor es que la
influencia de la temperatura no slo modifica los valores numricos de la densidad de
portadores y de la movilidad, sino que define las condiciones en las que tiene lugar la
conduccin. Diremos que, segn la temperatura a la que se encuentra, el semiconductor
presentar diferentes regmenes de conduccin. Analizaremos con un poco de detalle esta
afirmacin.
Conductividades de semiconductores intrnsecos y extrnsecos.
De acuerdo al mecanismo por el cual se generan los portadores de carga, los
semiconductores se clasifican en intrnsecos y extrnsecos 2. En los primeros, se supone que
todo el material es idealmente puro, y que por efecto de la temperatura los electrones de los
estados ms altos de la banda de valencia pasan a los estados ms bajos de la banda de
conduccin, superando la brecha o gap entre ellas, de valor EG (Fig. 1).

Banda de conduccin
Nivel de impureza donadora

EG
Nivel de Fermi
Nivel de impureza aceptadora

Banda de valencia

Figura 1. Niveles de energa en semiconductores. En estado puro, los electrones deben superar una barrera
de energa muy grande (EG) para pasar de la banda de valencia a la de conduccin. Pero el agregado de
impurezas permite que con muy poca energa los electrones de la banda de valencia puedan pasar a un nivel
aceptador, generando huecos, o que los electrones de un nivel donador pasen a la banda de conduccin.

De este modo en la generacin intrnseca por cada electrn que pasa a la banda de
conduccin, se generan dos portadores: el electrn propiamente dicho, y el estado
desocupado que ste deja en la banda de valencia, que se denomina hueco. Si indicamos
con n y con p las densidades numricas de electrones y huecos, respectivamente, y con

e y h las correspondientes movilidades, la conductividad de un semiconductor

intrnseco se puede expresar como:
= n e e + p h e

(1)

Donde e es el valor absoluto de la carga del electrn. Pero como se dijo

anteriormente, por cada electrn que conduce hay un hueco. Entonces debe verificarse que
n = p, y por lo tanto la conductividad se puede escribir:
= n e ( e + h )

(2)

Por otro lado, se vio que en un semiconductor extrnseco es el agregado o

contaminacin con impurezas lo que permite la generacin de portadores con energas
que permiten la conduccin (Fig. 1). Lo destacable de este caso es que los portadores no se
generan de a pares, como en el caso intrnseco. Las impurezas donadoras slo aportan
electrones a la banda de conduccin, y las impurezas aceptadoras solo generan huecos en la
banda de valencia. Si indicamos con n y p las conductividades de semiconductores tipo n
y tipo p, respectivamente, se podrn expresar como:
n = n e e

(a)

p = p h e

(b)

(3)

Al hacer la clasificacin en intrnsecos y extrnsecos, puede pensarse que a) los

semiconductores dopados slo tendrn conductividades debidas a los portadores
extrnsecos, y b) los no dopados o puros tendrn conductividad debida slo a los portadores
intrnsecos. La primera afirmacin no es cierta, puesto que en un semiconductor dopado
siempre es posible que por efecto de la temperatura algunos electrones (aunque sean muy
pocos), pasen a la banda de conduccin. Es decir que el mecanismo intrnseco de
conduccin siempre est presente. Por ello, las ecuaciones 3a) y 3b) se emplean en el caso
de temperaturas para las que la densidad de portadores generados intrnsecamente es mucho
menor que la densidad de portadores provenientes de las impurezas. La segunda afirmacin
es cierta slo en la medida en que la tecnologa de fabricacin lo permita: por cuidadosos
que sean los procesos utilizados, es imposible obtener materiales absolutamente puros. Los
semiconductores puros siempre contienen contaminacin involuntaria que causa algn
grado de conduccin extrnseca.
Pero claramente uno de los mecanismos dominar y, como anticipramos al
comienzo, es la temperatura la que define el rgimen de conduccin: cuando a una
temperatura dada la conductividad de un semiconductor est dominada por los portadores
intrnsecos, diremos que est en el rgimen intrnseco. Cuando est dominada por los
portadores extrnsecos, estar en el rgimen extrnseco.
Corresponde ahora analizar cmo dependen de la temperatura los factores que
intervienen en las ecuaciones (2) y (3), y cmo al variar la temperatura se puede variar el
rgimen de conduccin de un semiconductor.
La concentracin de portadores.
2

Se ha encontrado que la concentracin de portadores en equilibrio trmico en un

semiconductor intrnseco depende de la temperatura de la siguiente manera3:

ni2 A0T 3 e EG 0 / kT

(4)

O bien, tomando raz cuadrada en ambos miembros:

ni A01 / 2T 3 / 2 e EG 0 / 2 kT

(5)

Donde EG0 es el valor de la brecha o gap de energa entre bandas, cuando el

material se encuentra a 0 K. El factor A0 es una constante independiente de la temperatura.
Esta ecuacin es igualmente vlida para los semiconductores extrnsecos, pues
como se dijo, aunque haya una cantidad mayoritaria de portadores agregados por las
impurezas, tambin existen portadores intrnsecos generados por la energa trmica.
Al agregar impurezas donadoras, algunos de ellos pueden combinarse con huecos
intrnsecos. Debido a ello, la concentracin de huecos intrnsecos se torna ligeramente
inferior a la del material puro a igual temperatura. Igualmente, al agregar impurezas
aceptadoras, la concentracin de electrones intrnsecos disminuye levemente respecto del
valor que tiene en el material puro a igual temperatura. Sin embargo, en equilibrio trmico,
con independencia de la cantidad de impurezas agregadas, se verifica que:
n p = ni 2
(6)
Que se conoce como ley de accin de masas.
Supongamos ahora que a un semiconductor intrnseco se le agrega una cantidad N D
de impurezas donadoras por metro cbico, y una cantidad NA de impurezas aceptadoras por
metro cbico. Puesto que cada tomo donador se convierte en un in positivo, y cada tomo
aceptador en un in negativo, se habrn inyectado ND cargas positivas y NA cargas
negativas por metro cbico en el material. Como adems existen en el semiconductor n
electrones y p huecos por metro cbico, la densidad total de carga negativa ser N A + n, y la
de carga positiva ser ND + p. Como el material debe ser elctricamente neutro, se debe
cumplir que:
NA + n = N D + p

(7)

Si se desea que el semiconductor sea de tipo n, se busca que NA = 0 y que contenga

muchos ms electrones que huecos (n >> p). Entonces la ecuacin (7) se reduce a:
n ND

(8)

Es decir que en un semiconductor tipo n, la densidad numrica (o concentracin) de

electrones es aproximadamente igual a la de impurezas donadoras. Como es posible tanto
que haya electrones en un semiconductor tipo p como huecos en un semiconductor tipo n,
adoptaremos una notacin con subndices para que resulte claro cada caso. Por ello,
rescribimos la ecuacin (8) de la siguiente forma

nn ND

(9)

Como adems la ecuacin (6) sigue siendo vlida, combinndola con la ecuacin (9)
se puede calcular la concentracin de huecos:
pn

ni2
ND

(10)

Si el semiconductor es de tipo p, se puede hacer un razonamiento completamente

anlogo, y obtenemos que
pp NA

(11)

ni2
NA

(12)

Y tambin
np

En un semiconductor tipo n, pn es muy pequea, segn la ecuacin (10), pues

deliberadamente se agrega una concentracin de impurezas ND que es una cantidad mucho
mayor que ni. Anlogamente, en un semiconductor tipo p se agrega una concentracin N A
mucho mayor que ni a fin de que np sea muy pequea, segn la ecuacin (12).
Las ecuaciones (8) y (9) sugieren que nn y np son constantes e independientes de la
temperatura. Sin embargo, se ha visto que para que las impurezas agreguen portadores de
carga, deben superarse las pequeas brechas de energa entre el nivel donador y la banda de
conduccin, o entre la banda de valencia y el nivel aceptador (Fig. 1). La energa que puede
haber disponible para que esto ocurra es tanto la de los campos aplicados, como la energa
trmica. Es decir que estas concentraciones tienen una dependencia con la temperatura,
aunque en las condiciones nominales de trabajo, esta dependencia es virtualmente
despreciable, como veremos ms adelante.
La movilidad.
Se ha definido la movilidad de un portador de carga q y masa m como4 :

q
m

(4)

Donde es el tiempo promedio entre interacciones con los centros de dispersin. En

un semiconductor con impurezas, los mecanismos de dispersin son fundamentalmente de
dos tipos: a) los iones de impureza; b) las oscilaciones de la red cristalina del
semiconductor. Estas oscilaciones cuando interactan con los portadores en movimiento
modifican el momento lineal de stos, en procesos que pueden compararse con colisiones
entre partculas. Por eso las oscilaciones de la red son consideradas cuasi partculas y se
4

denominan fonones4. Habr, por lo tanto, dos tiempos medios caractersticos en el

movimiento de los portadores: uno entre interacciones con iones y otro entre interacciones
con fonones. Entonces se pueden definir dos movilidades: una, i , asociada a los iones
fijos, y otra, L , asociada con los fonones. Estas movilidades se combinan para dar la
movilidad total de cada tipo de portador, segn la siguiente expresin:
1
1
1

i L

(5)

De la teora de la dispersin surge que las movilidades dependen con la temperatura

de la siguiente manera5:

L aT 3 / 2

(a)

i bT 3 / 2

(b)

(6)

Donde a y b son constantes propias de cada material. Si se reemplazan las

ecuaciones (6a) y (6b) en la (5), obtenemos la dependencia de la movilidad total de un
portador con la temperatura:

1
1 3 / 2 1 3 / 2
T
T
a
b

(7)

En la ecuacin (7) se puede ver que cuando T 0, T 3/2, es decir que el

mecanismo de dispersin dominante a bajas temperaturas es el de interacciones con los
iones de impurezas. Recprocamente, cuando T , T -3/2, lo que indica que a altas
temperaturas prevalece el mecanismo de dispersin por los fonones.
La dependencia Global con la temperatura.
Combinando las dependencias de la concentracin y de la movilidad con la
temperatura, se llega a una expresin global para la variacin de la conductividad elctrica
de los semiconductores con la temperatura. Como al variar sta desde las decenas de Kelvin
hasta ms de 1000 K la conductividad cambia en muchos rdenes de magnitud, la relacin
versus T se suele representar en grficos con escalas logartmicas. En la Fig. 2 se
representa la conductividad del Silicio, puro y dopado con Boro, en funcin de la
temperatura6.
Ntese que una concentracin de 0,0013 % at, ( 0,0052 %) at, significa que hay
trece ( cincuenta y dos) tomos de Boro por cada milln de tomos. Sin embargo, estas
concentraciones de impurezas aparentemente tan bajas, ocasionan, en la vecindad de los
300 K, un incremento de seis rdenes de magnitud en la conductividad del material.
Obsrvese tambin que las ramas correspondientes a las conductividades extrnsecas son
curvas cncavas hacia abajo, hasta la regin donde se intersectan con la rama intrnseca, y
que cada una presenta un mximo a una temperatura dada. Como puede verse, este mximo

est en un intervalo cercano a la temperatura ambiente ( 300 K), donde se espera que
funcionen los dispositivos.

Figura 2. Variacin de la resistividad del Si con la temperatura. Se muestran los casos

del Si puro y dopado con Boro, para dos concentraciones. Las escalas son logartmicas.
Recordar que el punto de fusin del Si es de 1687 K ( 1960 oC ).

En esta figura, los regmenes de conduccin quedan claramente definidos: para el

0,0013 % at, desde los 100 K hasta 700 K, prevalece el rgimen extrnseco. Para el
dopaje de 0,0052 % at, este rgimen se extiende desde 100 K hasta 800 K.
Tomando como referencia el mximo de una rama extrnseca, vemos que hacia las
bajas temperaturas, disminuye la conductividad. Cabe preguntarnos por qu, puesto que
sabemos que a menor temperatura hay una menor accin de los fonones y un
correspondiente incremento de la movilidad. Lo que ocurre es que, por otro lado, disminuye
la concentracin de portadores. Este efecto prevalece, y la conductividad disminuye.
Hacia las altas temperaturas ocurre lo contrario: la conductividad disminuye por el
predominio de la disminucin la movilidad debida a la mayor interaccin con los fonones,
por sobre el aumento de la concentracin de portadores. Este efecto se acenta para
mayores concentraciones de impureza, puesto que los propios iones de impurezas actan
como centros de dispersin, como ya se dijo.

En la vecindad del mximo, la dependencia con la temperatura es relativamente

pequea. Es cuando, por accin trmica, la densidad de portadores es igual a la densidad de
impurezas. Es la zona que se conoce como de saturacin.
Cuando las ramas extrnsecas se aproximan a la intrnseca, las concavidades
cambian y presentan un mnimo. Alrededor de estos mnimos tambin hay un pequeo
intervalo de relativa independencia con la temperatura. En esta regin hay un rgimen
mixto, pues ya empiezan a tener importancia los portadores intrnsecos. Hacia temperaturas
mayores, ya se pasa al rgimen puramente intrnseco.

Millman, J. y Halkies, C. Electrnica Integrada. Ed. Hispano-Europea, 1976.

Ibdem.
3
- Ibdem.
4
- Ibdem.
4
Kittell, C. Introduccin a la Fsica del Estado Slido. Segunda Edicin. Ed. Revert S.A., 1981.
5
Rose, R., Shepard, L., Wulff, J. Electronic Properties. John Wiley & Sons Inc. 1966.
6
Callister Jr., W. Introduccin a la Ciencia e Ingeniera de los Materiales. Tomo II. Ed. Revert S.A., 1996
2