14.

Ders
Yariletkenler Yaplar

Ec

Ec
Ef
Ev

Ev

Bu blm bitirdiinizde,

P-n eklemlerinin yaps,

P-n eklemlerin V-I erileri,
Homo ve heteroyaplar,
Kuantum yaplar,
Optoelektronik malzemeler ve retim teknikleri

konularnda bilgi sahibi olacaksnz.

Ondrdnc Ders: erik

Yariletken Eklemler
Homo Eklemler
Hetero Eklemler
p-n Eklemlerin I-V Grafikleri
Kuantum Yaplar
Optoelektronik Malzemeler
Optoelektronik retim Teknolojisi

Yariletken Eklemler
Yariletkenlerden yararlanma bunlar farkl tipte katklayarak (n- veya p-tipte) bir araya
getirerek eklemler oluturmak ile gerekletirilir.
ki farkl eklemlerden bahsedebiliriz:
i) Ayn Tr Eklemler (Homojunction):
Ayn tr yariletkenden oluturulmu n- ve p-tipi yariletkeni birletirerek oluturulan
n
p
eklemler (rnein Si:Si, Ge:Ge)
Bu tr eklemlerin retimi kolay
ve maliyeti ucuzdur, fakat ok
verimli
devre
elemanlar
retilemez.

Si

Si

Ef

Ef
Ef

Eklemin enerji grafii

ii) Farkl Tr Eklemler (Heterojuction):
Farkl tr yariletkenleri birletirerek oluturulan eklemler (rnein Si:Ge, GaAs:GaAlAs)

Bu tr eklemlerin retimi zor ve

maliyetlidir, ancak ok verimli
ve
hzl
elektronik
ve
optoelektronik devre elemanlar
yapmak mmkndr.

Si

Ge

Ef

Ef

GaAs GaAlAs
n

Ef
4

Eklemin enerji grafii

Ayn Trden Eklemler (Homojunction)

i) Ayn Tr Eklemler (Homojunction):
Silikondan yaplm n-tipi ve p-tipi katklanm yariletken malzemeyi dnelim
Malzemeler ayn olduu iin n- ve p- tarafnn yasak bant aral ayndr. n tarafta, iletim
bandnda serbest hareket eden elektronlar, p tarafta da deerlik bandnda serbest hareket
eden elektronlar (deikler) bulunur. Her iki tarafta da net yk younluu sfrdr.
n- ve p- tipi yariletkenin birletirmeden nce
n-tipi
Elektron
Deik (hole)
Atom

p-tipi

E=0 Boluk
q

q
Ec
Ef
Ev

Ef

q (i fonksiyonu): Bir elektronu Fermi seviyesinden (Ef) bolua (E=0) gtrmek iin gereken enerji
5

q (elektron affinity): Bir elektronu iletim bandndan (Ec) bolua (E=0) gtrmek iin gereken enerji

Ayn Trden Eklemler-2

Birletirmeden sonra
d = d1 + d 2
Elektron
Deik (hole)
Atom

1/ 2

2Vo

ND
d1 =
(
)
q N A (N A + ND )
1/ 2
2 Vo

NA
d2 =
(
)
q
N
N
N
(
+
)

D
A
D

Vb

Vb : Yapsal (Built-in)
potansiyel
d : Tketim (depletion)
blgesi

Ec
Ev

1/ 2

2 Vo 1
1
d = d1 + d 2 =
(
+
)
q NA ND

p-n yariletkenler birletirildikten hemen sonra (eklemi oluunca), p ve n tarafndaki yk

younluklar farkl olduundan (Ef seviyesi farkl) yk dalm denge durumuna ulancaya
kadar (Fermi seviyesi eitleninceye kadar) n tarafndaki elektronlar p tarafna geerek
buradaki deiklerle birleir. n (p) tarafndan ayrlan elektronlar (deikler) arkalarnda pozitif
(negatif) hareketsiz iyonlar brakr. Hareketli yklerden arnan bu blgede (tketim blgesi)
oluan yapsal elektrik alan daha fazla elektronlarn n (p) tarafndan p (n) tarafna gemesini
engeller ve denge durumu oluur.
p-n eklemlerini, neredeyse btn elektronik ve optoelektronik
uygulamalarda kullanl klan eklem blgesinde oluan bu yapsal elektrik
alandr ve devre elemanlarnn almasn anlamada byk nem tar.

Eklemlerin I-V Erileri

Denge durumuna ulaldktan sonra yapsal elektrik alan daha fazla elektronlarn (deiklerin)
n(p) tarafndan p(n) tarafna gemesini engeller. D uyarnn olmad (karanlkta ve ular
arasnda bir gerilim olmad zaman V=0) denge durumunda bir p-n eklemi zerinden geen
net akm sfrdr; kuantum mekaniksel olarak potansiyel engelini geerek karya geen
yklerin oluturduu akm (Idif), tketim blgesinde oluan elektron ve deik iftlerinin
oluturuduu akm (Idrift) ile dengelenir.
Bir p-n ekleminin ularna uygulanan gerilim ile yapsal elektrik alann (ve tketim
blgesinin genilii) bykl deitirilerek eklem zerinden geen akm deitirilebilir.
I-V ifadesi:
Ik=Karanlk akm
I (V ) = I (e qV kT 1)
k

eklinde verilir. Bu ifadede V, p-n eklemi arasndaki gerilim, q elektron yk, k

I
Boltzmann sabiti, T ise scaklktr.
V
Ik
n

idrift
inet = idrift

idif
+ idif = 0

I (V ) = I k (e qV

kT

1)

p-n ekleminin ular arasna uygulanan pozitif gerilim ile (ileri besleme) eklem zerinden geen
7
akm stel olarak artar. Negatif gerilim altnda (ters besleme) ise akm nce gerilimden bamsz
kk bir deer alr (karanlk akm), daha byk gerilimlerde ise stel olarak artar.

I-V Erileri-1: leri Besleme

leri beslemede (n taraf negatif, p taraf pozitif d gerilim uygulandnda) p-n eklem ular
arasna uygulanan gerilimden kaynaklanan elektrik alan, yapsal alan ile zt ynde olduu
iin eklem blgesindeki elektrik alan azalr (tketim blgesi daralr). Bu durumda yklerin
potansiyel engelini yenerek kar tarafa gemeleri stel olarak artar ve devrede dolanan
akm stel olarak artar (idif).
-

I (V ) = I k (e qV

1)

p +

kT

ileri besleme
V= +V

Vb
Ec

Ev

idif

Ef

inet = idrift + idif = idif

I-V Erileri-2: Ters Besleme

Ters beslemede (n tarafna pozitif, p tarafna negatif d gerilim uygulandnda) p-n eklem
ular arasna uygulanan gerilimden kaynaklanan elektrik alan, yapsal alan ile ayn ynde
olduu iin eklem blgesindeki elektrik alan daha da byr (tketim blgesi (d) geniler).
Bu durumda yklerin kar tarafa gemeleri daha da zorlar (idif=0). Ancak tketim
blgesinde oluan elektron ve deik iftlerinden kaynaklanan (idrift) yapsal alandan dolay
yeniden birleemeden n ve p tarafna geerek karanlk akm (Ik) oluturur.
+ n

I (V ) = I k (e qV

p V

Ters besleme

Vb

idrift

V
Ters besleme
V= -V

Ik=karanlk akm

Ec
Ev

1)

Ik

kT

I k = qA(
Ef

inet = idrift + 0 = idrift ikaranlk

Dp
Lp

pn +

Dn
np )
Ln

A=eklem kesit alan

Dn, Dp=n(p) difzyon katsays

Ln, Lp=n(p) difzyon uzunluu
pn, np=p(n) younluu
9

I-V Erileri-3: Zener Blgesi

Bir p-n eklem ular arasna uygulanan ters gerilim krlma gerilimi olarak bilinen (Vb)
gerilimin stne ktnda eklem zerinden geen akmda stel bir art gzlenir. Bu art
n-tarafn iletim bandnn p-tarafndaki deerlik bandnn altna inmesinden
kaynaklanmaktadr.
+ n

p -

Ters besleme

I (V ) = I k (e qV

Vb

Ev

idrift

1) I k e qV
I

Vb

V
Ters besleme
V= -V

Ec

kT

Ef

inet = idrift + idif = idif

10

kT

Metal-Yariletken Eklemler
p-n eklemlerinin birok kullanl zellii sadece metal-yariletken eklem yaplarak da
oluturulabilir. Metal, ar katklanm n tipi malzeme olarak dnlebilir.
Metal
Elektron
Deik (hole)
Atom

p-veya n-tipi yariletken

metal-yariletken eklemde tketim blgesinin tm yariletken tarafnda bulunur.

+

+
Vb

Ec
Ev

d = d2

11

Ik Altnda p-n Eklemi

p-n eklemi hv > Eg enerjili dzgn bir kla aydnlatlrsa (gop) tketim blgesinde elektron
I
ve deik iftleri oluur. Bu durumda p-n ekleminin I-V grafigi:
gop

I = I k (e qV / kT 1) I op

n
Lp

p
Ln

n
Lp

Vo
E
p
d

Ln

Ec
Ef
Ev

(foton/s)

idif

idrift
inet = idrift ( ) + idif

ik << iop ( )

gop= optik g (e-d ifti/cm3-s)

E = yapsal elektrik alan
Lp = deik difzyon uzunluu
Ln = elektron difzyon uzunluu
p-n eklemi zerine den hv>Eg enerjili
fotonlar tketim blgesinde ve ayrca n
ve p blgelerinde elektron-deik ifti
oluturur. Tketim blgsinde oluan e-d
iftleri yapsal alandan dolay yeniden
birlemeye frsat bulamadan n ve p
tarafna geerler ve akma katkda
bulunurlar. n ve p tarafnda, difzyon
uzunluu iinde oluan e ve dnin de
yeniden birlemeden tketim blgesine
kadar giderek akma katkda bulunma
anslar vardr.
Ancak difzyon
mesafesinin dnda yaratlan e-d ifti
tketim blgesine gidene kadar d-e ile
birleerek kaybolur ve akma katkda
bulunamaz. Dolays ile sadece tketim
blgesine ve difzyon uzunluu iinde
yaratlan fotonlar alglanr.

Ik altnda
gop=0

g1

g2
g3

g3 > g2 > g1 > gop=0

I = I k (e qV / kT 1) I op
I op = qAg op (d + Ln + Lp )
I
gop=0 karanlk

I = I th (e qV / kT 1)

12

Farkl Trden Eklemler-Hetero Yaplar

ii) Fark Tr Eklemler (Heterojunction):
Farkl yariletkenden yaplm n-tipi ve p-tipi katklanm yariletken malzemeyi dnelim
Malzemeler farkl olduu iin bant aralklar da farkl olacaktr.
Si: n-tip

Elektron
Deik (hole)
Atom

Ge: p-tip

q
Ec
Ef
Eg=1,87 eV
Ev

E=0 Boluk

E
Eg=1,43 eV
Ef

13

Hetero Yaplar-1

GaAlAs: n-tip
Elektron
Deik (hole)
Atom

GaAs: p-tip

birletirmeden
nce

E=0 Boluk

Ec
Ef
Eg=1,87 eV

E
Eg=1,43 eV
Ef

Ev

Ec
Ef

Ev

birletirmeden
sonra
Ec
Ef
Ev
14

gen Kuantum Kuyusu

Hetero Yaplar-2

Farkl yasak bant aralna sahip malzemelerin oluturduu arayzde, bant (iletim ve deerlik
band) kesiklilik gstereceinden kuantum etkilerin grlebilecei kuantum kuyular oluur.
GaAlAs

GaAs

Ec

Ec
Ef

n p

Ef
Ev

Ev

y
x=L
2 Boyutlu Elektron
gaz (2BEG)
vy= yksek
devingenlik
EF

n p

+ + + +
+ + + +

+ + + +
L

15

Hetero Yaplar-Uygulama Alanlar

Farkl trden yariletkenler ile yaplan eklemler sayesinde kuantum etkilerin grlebilecei
dk boyutlara inmek mmkn. Verimli ve hzl devre elemanlarnn yaplabildii
heteroyaplar elektronikte ve optoelektronikte olduka yaygn olarak kullanlmaktadr.

Elektronikte:
Hzl transistrlerin yapmnda
Modulation Doped Field Effect Transistor(MODFET veya HEMT)
Hetorojunction Bipolar Transistr (HBT)
Optoelektronikte:
Kuantum kuyulu lazerlerde
Verimli gne pillerinde
In modlasyonunda
Dalga klavuzlarnda
DBR ayna yapmnda

16

Dk Boyutlu Sistemlerin stnlkleri

Kuantum kuyusunun genilii elektronlarn de Broglie dalgaboyu mertebesinde olduu iin
kuantum etkileri grlr. Kuantum etkiler saysinde verim, bantgeniliinde iyilemele olur.
Tayclar (elektron ve deik) uzayn belli noktasnda hapsetmek tayclarn dalga
fonksiyonlarnn rtmesini arttrr. Bu rtme, e-d iftlerinin verimli bir ekilde
birlemesini baka bir ifade ile yaynlanan n kuantum verimliliinin artmasn
salar.
Durum younluunun kesikli olmas tayclarn bant iinde sl enerjilerinin
genilemesini engellediinden bant genilii azalr, tek renklilie daha ok yaklalr.
Kuantum kuyusunun genilii ayarlanarak (katk atom konsantrasyonu) enerji
seviyeleri, dolays ile yaynlanacak n frekans ayarlanabilir.
Farkl malzemeler kullanld iin (farkl krlma indisleri) fotonlar uzayn belli bir
blgesinde hapsedilir, optik verim artar.
Yukardaki durumlarn sonucu olarak, k retiminde kullanlan dk boyutlu sistemler eik
akmn dmesine ve yksek kuantum verimliliine yol aar. Ayrca bu yaplarn:
Kuantum kuyu iersindeki elektron younluu d elektrik alan ile deitirilebilir (yk
modlasyonu)
Elektronlar, (+) ykl iyonlardan ayrlarak devingenliklerinin daha byk olduu
blgede hareket ederler (hzl elektronik)
17

zelliklerinden dolay hzl elektronik uygulamalarnda kullanlr.

Yksek Devingenlik
Geni yasak bantl malzemedeki elektronlarn, iyonlardan ayrlarak kuantum
kuyusunda birikmesi (2 Boyutlu Elektron Gaz-2BEG) iyon etkilemesini
azaltacandan bu blgede dk scaklklarda yksek elektron
devingenliinin olumasna neden olur.

ar
(
sa
l
ma
)
ka
tk
a
to
ml
m

Devingenlik (cm2/V-s)

105

GaAs/GaAlAs

T (K)

101

102

101

imi)
l titre
(krista

y
on
la

Piezoelektrik (akustik fonon)

i
kileim

eimi

GaAs

et
Fonon

105

106

titr
ristal
imi (k

Devingenlik (cm2/V-s)

Piezoelektrik (akustik fonon)

etkile
Fonon

106

T (K)

102

18

Yk Modlasyonu-Ters Besleme
p-n eklemine uygulanan negatif gerilim ile (ters besleme) arayzdeki kuantum
enerji seviyelerini dolduran elektonlarn kesikli enerji seviyelerini boaltmas
salanabilir.
Ters besleme - V < 0

V
x

n p

EF

+ + + +
+ + + +

EF
y

19

Yk Modlasyonu-leri Besleme
p-n eklemine uygulanan pozitif gerilim ile (ileri besleme) n tarafndaki
elektronlarn potansiyel engeli aarak arayzde oluan kuantum kuyusundaki
kesikli enerji seviyelerini doldurmas salanabilir.
leri besleme - V > 0
V
x

n p
y

x
z

EF

+ + + +
+ + + +
-

EF

V> 0
20

Yk Modlasyonu-Hzl Elektronik
Yk modlasyonunun bir uygulamas hzl transistrlerdir. Farkl malzemeden yaplm bir
p-n yapya z dorultusunda uygulanan gerilim ile arayzdeki (2BEG) tayclarn younluu
deitirilebilir. Eer bu yapda y dorultusunda kontaklar yaplrsa 2BEG iindeki
devingenlikleri ok yksek elektronlar ile iletim salanr.
Vm

Vd
I

EF

Yksek devingenli
elektronlarn
hareketi

V
x

+ + + +
+ + + +

I
-

n p

EF

y
21

Kuantum Kuyusu-1
GaAs yariletkenine Al ekleyerek GaAlAs yariletkeni oluturulabilir.
GaAlAsnin yasak bant aral (Eg) iindeki Al atomlarnn yzdesine bal olarak
GaAsnin bant aral olan Eg=1,42 eV ile AlAsnin bant aral olan Eg=2,2 eV arasndaki
deerleri alabilir.
GaxAl(1-x)As
+ + + + + +
+ + + + + +
E

GaxAl(1-x)As

GaAs
- - - - - - - - - - -

+ + + + + +
+ + + + + +
E=0 Boluk

Ec
Ef
Ev

Ef
Ec

Kuantum
Kuyusu

Eg

Eg
Ev

GaAlAs GaAs GaAlAs

22

Kuantum Kuyusu-2
E

Elektron iin Schrdinger Denklemi

V=

d ( x) 2me
+ 2 [ E V ( x) ] ( x) = 0
dx 2
h
(x)= 0

(V= 0) 0 < x < L

2me E
k=
h

Dalga fonksiyonu
Enerji

n ( x) =

En =

2
n
sin( x)
L
L

2 h2
2

2me L

T=0 K

E3

n=3

E2

n=2

E1

n=1

(V= ) 0 < x < L

d 2 ( x ) 2m
+ 2 E ( x) = 0
dx 2
h

L e

n2

n=1, 2, 3....

x
L
L e

n=1, 2, 3....

T=0 K
E

23

Dk Boyutlu Sistemler
Yasak bant

Ec

GaAlAs

Eg(Al)=1.43-2.16 eV

Ev

Lx

Lx

Ly
Lz
3 Boyutlu yap (3B)
Ynsal (bulk) yaplar

Lz

Eg(Al)=1.43-2.16 eV
Ev

Lx

Enerji (Eg)

Ly

Ec

GaAlAs

Ec

Ev

Lx

Ec
E =1.43eV
Ev g

GaAs

Lx

Lz
2 Boyutlu yap (2B)
(kuantum kuyular)

Ly

Ly

Ly
Lz

Lz

1 Boyutlu yap (1B)

(kuantum teller)

0 Boyutlu yap (0B)

(kuantum noktalar)

Lx >> e

Lx e

Lx e

Lx e

Ly >> e

Ly >> e

Ly >> e

Ly e

Lz >> e

Lz e

Lz e

Lz >> e

24

Durum Younluu
Dk boyutlara inince durum younluu farkllk gsterir:
boyutta (3D) durum younluu (Ynsal)
1 2m

2 2 h 2
*

D3B ( E ) =

3(E)

3/ 2

3(E) E1/2

1/ 2

( E Eo )

E
Eo

ki boyutta (2D) durum younluu (Kuantum Kuyusu)

2(E)

m*
D (E) = 2
h
2B

( E E )
n

Bir boyutta (1D) durum younluu (Kuantum Teli)

1/ 2

1
m

h n 2( E En )
*

D1B ( E ) =

E1 E2 E3
1(E)
E
E1

Sfr boyutta (0D) durum younluu (Kuantum Noktas)

D 0 B ( E ) = 2( E En )

E2

0(E)

E
E1 E2

25

Ynsal (Bulk)-Kuantumlulua Kar

x

Lx

Eg(GaAlAs)

Enerji

GaAlAs

Lx e

x
Ec

E2e
E1e

Eg(GaAlAs)

Eg(GaAs)

Eg(GaAs)

GaAs
2

Eg(GaAlAs)

GaAs

x
Ec

Eg(GaAlAs)

GaAlAs

GaAlAs

Kuantum Kuyusu
Lx

GaAlAs

GaAs

GaAlAs

Ynsal (bulk) Yap Lx >> e

Lx

hk
Ee =
= EC
2me

GaAlAs
2

Ev
2

hk
Eh =
= EV
2mh

( E EV ) Eg
Frekans = C
=
h
h

E1h
E2h

GaAlAs

GaAs

h n
E =

2me Lx
2

Ev

e
n

Frekans =

GaAlAs
2

h 2 n
E =

n=1, 2, 3..
2mh Lx
h
n

( Eg + Ene + Enh )
h

26

Yariletken Eklemlerin Optoelektronik Uygulamalar-1

Yariletkenlerin optoelektronikte kullanlmas farkl katklanma ve eklemler yaplarak
mmkndr.
I
I. Blge (V>0, I >0 ): LED ve Lazerler
-

p +

V>0, I >0

gop = 0

A
+V

-V
gop 0

IV. Blge (V>0, I <0 ): Gne Pilleri

V<0, I <0

V>0, I <0
n
p

-I
III. Blge (V<0, I <0 ): Dedektrler
Akm gerilimden bamsz, optik iddet ile orantl

+
A

+
-V
-

n
p
A

27

Yariletken Eklemlerin Optoelektronik Uygulamalar-2

Yariletkenlerin optoelektronikte kullanlmas farkl katklanma ve eklemler yaplarak
mmkndr.
Eklemlerde kullanlan malzemenin bant yaps dorudan-dolayl (k alglayc-k yayc)
Malzemenin yasak bant aral (yaylan veya alglanan n frekans)
Katklama oran (tketim blgesinin genilii-d)
Boyut kuantalanmas (verimli optoelektronik devre elemanlar)
I
Direk bant aral
Ar katklama
V>0, I >0
n

+V

-V
Bant aral
Katklama

d
p

Geni eklem yzeyi

V<0, I <0

V>0, I <0

-I

28

Optoelektronik Malzemeler-1
Optoelektronik teknolojisinde kullanlacak malzemeler, elektronik teknolojisine zg
kriterleri salamalarn yansra baz optik kriterleri de salamalar gerekir. Ik
retiminde kullanlacan bir devre elemannn yapmnda kullanlacak bu kriterden biri
malzemenin dolayl bant aralna sahip olmasdr.
E(k)

Eg

Dorudan bant
aralkl malzeme

Dolayl bant aralkl malzemelerde iletim bandndaki elektronlar deerlik bandna

dorudan gei yapabildikleri iin (fononlara ihtiya duymadan) gei ve dolays ile
foton retimi ok verimli olur.
Bileik yariletkenler dorudan bant aralna sahip olduklar iin optoelektronik
teknolojisinde ok yaygn olarak kullanlr (GaAs, GaAlAs).
Verimli k aygtlarnn yaplabilmesi iin kristal kusurlarnn en az olmas gerekir.
Bant aralnn, istenilen dalgaboyunda k elde edecek (alglayacak) ekilde
29
ayarlanabilmesi arzulanr.

Optoelektronik Malzemeler-1
Bileik yariletkenlerin sahip olduu dorudan bant yapsnn yansra bileikteki atomlarn
konsantrasyonu deitirilerek bant aral (Eg) da istenilen ekilde deitirilebilir. Bu
sayede doada olmayan istenilen bant aralna sahip yariletken malzemeler elde
edilebilir ve dk boyutlu kuantum yaplar retilebilir.
Bileik yariletkenlerde krlma indisi de konsantrasyona bal olarak deiir (Selmineer
Denklemi). Bu sayede ok verimli optoelektronik devre elemanlar retilebilir.
Yasak bant enerjisi
EgAlAs=3,018 eV

3.5

EgAlAs=2,168 eV

2.5

EgGaAs=1,9 eV
2.0

dolayl
dorudan

1.5

=300

GaAs

50
Al yzdesi

h=1,38 eV

3.3
3.2
3.1
3.0

EgGaAs=1,424 eV
1.0

Krlma indis
AlxGa1-xAs

3.4
Krlma indisi

Bantaral (eV)

3.0

3.6

100
AlAs

2.9
0
GaAs

50
Al yzdesi

100
AlAs

30

Eg(GaAlAs)
Ec

Eg(GaAlAs)
Eg(GaAs)

Eg(GaAs)
Ev

GaAlAsnn yasak bant enerjisi

artan Al yzdesi ile artt iin
kuantum kuyusu oluturulabilir.
Kuantum
kuyusu
(GaAs)
elektronlar ve deikleri kuyuda
tuttuundan e-d birlemesi ok
verimli olur.

3.0

Bantaral (eV)

Farkl yasak bant aralna sahip yariletken malzemeler

kullanlarak oluturulan dk boyutlu kuantum yaplarda
verim, hem elektronlarn (bant aralnn farkl oluundan)
hem de fotonlar (farkl krlma indisinden) kuantum kuyusu
hapsedildiklerinden dolay artar.

EgGaAs=1,9 eV
2.0
1.5

1.0
3.60
3.5

dolayl
dorudan

=300

50

100

h=1,38 eV

n
n(GaAlAs)
n(GaAs)
x

GaAlAsnn krlma indisi artan Al

yzdesi ile azald iin oluturulan
kuantum kuyusu (GaAs) krlma
indisi kuantum engelinin (GaAlAs)
krlma indisinden daha byk
olduu iin (tam i yansma)
fotonlar
kuantum
kuyusu
hapsedildiinden foton alan artar
ve lazer olay iin gereken foton
alan oluturulur.

Krlma indisi

3.4

GaAlAs

GaAs

EgAlAs=2,168 eV

EgGaAs=1,424 eV

d (nm)
GaAlAs

2.5

EgAlAs=3,018 eV

3.3
3.2
3.1
3.0
2.9

0
GaAs

50
Al yzdesi

31 100

AlAs

Optoelektronik Malzemeler-3
Farkl trden bileik yariletkenleri bytmek iin uygun bir alttan bulunmas gerekmektedir.
b

Alttan ve zerinde bytlecek filmin kristal

rg sabitleri arasndaki fark ok kk olmaldr.

film (AlAs)

ba
< %1
a

Alta (GaAs)
a
0,62

Kristal rg sabiti (nm)

InAs
Al I
x n

0,60

InAs

1- x A

InP

a 1-xA
G
In x

rg sabitleri arasndaki fark ne

kadar byk olursa altta zerinde
bytlecek filmin kalnl da o
kadar ok azalr.

0,58
Et

AlxGa1-xAs

0,60

GaAs

AlAs

Ec
Ed
Ev

GaxIn1-xP
GaP

0,64
0

0,2

0,4
x

0,6

0,8

1,0

32

Optoelektronik Malzemeler-4
Bileik yariletkenlerde rg sabiti ve yasak bant enerjisi

33

http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/semi_en/kap_5/backbone/r5_1_4.html

Optoelektronik Malzemeler-5
Yariletken malzemeler (tek atomlu ve bileik yariletkenler) yasak bant zelliklerine
gre optoelektronik teknolojisinda farkl devre elemanlarnn yapmnda kullanlr.
Tek Atomlu Yariletkenler
silikon (Si), germanyum (Ge)

+II

III-V
kili (Ternary)
=> GaAs, AlAs, InAs, InP
l (Quaternary) => GaxAl(1-x)As, InxAl(1-x)As
II-VI
kili (Ternary)
=> HgTe, CdTe
l (Quaternary) => CdxHg(1-x)Te
+II

Ik Kaynaklar

-V

Ik Alglayclar

Bileik Yariletkenler

+V

-I

Gne pilleri

Dolayl Bant yaps (Si)

Ik Kaynaklar
+V

-V

Ik Alglayclar

-I

Gne pilleri

Dorudan (direk) Bant yaps (GaAs)

34

Optoelektronik Malzemeler-GaAlAs
Bant enerjisi

Krlma indisi

AlxGa1-xAs iin bant aral (293 oK)

n 2 ( x) = A( x) +

Eg(x) = Eg(GaAs) + (1.429eV)x (0.14eV)x2

B
2

D
(
x
)

o
2o C ( x)

x > 0.44, iin AlGaAs indirek bant aralna sahiptir.

EgAlAs=3,018
EgAlAs=2,168

2.5

3.6

eV

3.5

eV

EgGaAs=1,9 eV
2.0

dolayl
dorudan

1.5

=300

GaAs

50
Al yzdesi

3.3
3.2
3.1
3.0

EgGaAs=1,424 eV
1.0

h=1,38 eV

3.4
Krlma indisi

Bantaral (eV)

3.0

100
AlAs

2.9
0
GaAs

50
Al yzdesi

http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/semi_en/kap_5/backbone/r5_1_4.html

100
AlAs

35

Optoelektronik Malzemeler-InGaAs
InxGa1-xAs iin bant aral (300oK)
Eg(x) = 1.425eV (1.501eV)x + (0.436eV)*x2
Btn x deerleri iin InGaAs direk bant aralna sahiptir.
0,62

Kristal rg sabiti (nm)

InAs
Al I
x n

0,60

InAs
s

As
x
a
1
In xG

0,4

0,6

1-x A

0,58

0,60
GaAs
0,64
0

0,2

0,8

1,0

x
36
http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/semi_en/kap_5/backbone/r5_1_4.html

Optoelektronik Yaplar
Bileik yariletken yaplar MBE, MOCVD gibi tekniklerle retilir.
Ec

Ec
Eg(InP)

Eg(In0,53Ga0,47As)

(GaAs)
Eg(GaAlAs) Eg

Eg(GaAlAs) Eg(GaAs)

Ev

Ev

GaAlAs
GaAs
GaAlAs

In0,53Ga0,47As
n-InP

GaAlAs
GaAs
GaAlAs

n+-InP

n+-GaAs

n+-GaAs

Kuantum Kuyular

oklu Kuantum Kuyular

Basit Heteroyaplar
Farkl bant aralkl
malzemeler (rnein
InP and InGaAs) bir
araya
getirilerek
kuantum yaplar elde
edilir.

Dk bant aralna sahip (rnein

GaAs), yksek bant aralna sahip
baka bir malzeme ile (rnein
GaAlAs) sandvi yapda bytld
takdirde dk bant aralna sahip
malzemenin iletim band elektronlar
iin, deerlik band ise deikler iin
kuantum kuyusu oluturur.

GaAs
GaAlAs
GaAs
GaAlAs

oklu kuantum kuyular st ste

bytlebilir. Kuantum kuyular
arasndaki mesafe yakn olduu
durumda (sper rg) kuantum
kuyular etkileerek tayclar
kuyular arasnda tnelleme ile
geebilmektedir.
37

Optoelektronik Malzeme retim Teknikleri

Optoelektronik malzemeler (heteroyaplar) ounlukla epitaksi kristal bytme teknikleri
ile retilirler
Epitaksi, kelime anlam ile alttan kristal yap ve dorultusunu koruyarak yaplan bytme
ilemine denir
(100)

Yaygn optoelektronik malzeme retim teknikleri:

Sv Faz Epitaksi (Liquid Phase Epitaxy, LPE)
Buhar Faz Epitaksi (Vapor Phase Epitaxy, VPE)
Organik Metal Kimyasal Faz Eptaksi (Metalorganic Chemical Vapor Deposition, MOVPE)
Organik Metal Kimyasal Buhar Epitaksi (Metalorganic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)
Molekler Demet Epitaksi (Molecular Beam Epitaxy, MBE)
38

Molekl Demeti Yntemi (MBE)

ok yksek vakum (< 10-10 mbar) altnda gerekletirilen epitaksiyel bytme yntemidir
Genellikle III-V bileik yariletken yaplar (GaAlAs, InAlAs vs) bytlmektedir.
shutter

elektron
tabancas

Al
bytme
odas

In

transfer
(tampon)
vakum
blgesi

rnek girii

As
altta

rnek hazrlama
odas

Si

rnek transfer
ubuu

yksek vakum
pompalar

Ga
kaynaklar

fosforlu
ekran

karakterizasyon
odas
yksek vakum
pompalar

stnlkleri:
Atomik mertebede kalnlk kontrol,
Saflk derecesi ok iyi olan malzemeler retilebilir,
Bytme srasnda ok iyi katklanma kontrol salanabilir,
Lazer, dedektr ve modlatr gibi heteroyaplar iin ideal.

Olumsuzluklar:
Kristal bytme hz yava < 1 m/sa
Seri retime uygun deil,
Olduka pahal (Million Buck Epitaxy),

39

Yariletken Teknolojisi-Diyot Fabrikasyonu

Al Metali
SiO2
n-Si

n-Si

9
n-Si

SiO2yi andracak
kimyasal ilem

Fotoresist (PR)

n-Si

Al

6
n-Si

10
n-Si

Maske
3
7
n-Si

n-Si
11

UV k
4

Boron Difzyonu

n-Si
8

n-Si

n-Si
40

p-Si

Yariletken Teknolojisi-Lazer Fabrikasyonu

Optoelektronik devre elemanlar daha ok birleik yariletkenlerden (hetoroyaplar)
yapld iin MBE, MOCVD gibi pahal teknikler kullanlr, bu retim teknikleri daha
karmak ve yksek maliyetlidir. Aada basit bir yariletken lazerin yapm aamalar
gsterilmektedir:

Altta

n+-GaAs

Epitaksiyel bytme
Oksit Tabaka

GaAlAs
GaAs
GaAlAs

GaAlAs
GaAs
GaAlAs
n+-GaAs

processing

n+-GaAs

41

zet
Yariletkenlerin kullanl farkl ekilde katklandrlp yaplar oluturmalar
ile salanr. Ayn yariletken farkl tayclarla katklanarak p-n yaplar
(homo) oluturulabilecei gibi farkl malzemeler de farkl trden katklanarak
elektronik ve optoelektronik yaplar (hetero) oluturulabilir.
Farkl yariletken malzemelerin bir araya getirilmesi ile oluturulan ve
kuantum etkilerin olduu yaplar gz ok verimli ve hzl elektronik ve
optoelektronik devrelerin yapmnda kullanlr.
Yariletken yaplarn I-V grafiinin bilinmesi uygulama asndan nemlidir.
Elektronik/optoelektronik devre elemanlarnn alma ilkesi yariletken
yaplardan elektron gei mekanizmasna dayanmaktadr.

42

UADMK - Ak Lisans Bilgisi

Bu ders malzemesi renme ve retme yapanlar tarafndan ak lisans
kapsamnda cretsiz olarak kullanlabilir. Ak lisans bilgisi blm yani bu
blmdeki, bilgilerde deitirme ve silme yaplmadan kullanm ve gelitirme
gerekletirilmelidir. erikte gelitirme deitirme yapld takdirde katklar
blmne sadece ekleme yaplabilir. Ak lisans kapsamndaki malzemeler
dorudan ya da trevleri kullanlarak gelir getirici faaliyetlerde bulunulamaz.
Belirtilen kapsam dndaki kullanm ak lisans tanmna aykr olduundan
kullanm yasad olarak kabul edilir, ilgili ak lisans sahiplerinin ve kamunun
tazminat hakk domas sz konusudur.

43