tt Eecie chit es Electricite scisire pour (25 zones rurales et isolées ENERGIE SOLAIRE PHOTOVOLTAIQUE Volume 1 Physique et technologie de la Conversion photovoltatque 8c/91/ws/37B, EQUER, Directeur de Recherche au CNRS, ECOLE POLYTECHNIQUE pour: _‘I'Ecole d'Eté *Eleciricité solaire pour les zones rurales et isolées* Ce manuscrit est desting & tre utilisé lors de I'Ecole d'Eté “Electricité solaire pour les zones rurales et isolées* eth tre publié, Toute autré utilisation de ce document est strictement interdite. Les auteurs sont responsables du choir et de la présentation des textes contenus dans ce livre. Les opinions exprimées ne sont pas nécessairement celles de I" UNESCO ou de la rédaction. jon des Nations Unies pour l'éducation. 1 sciexee et la culture y. 75160 Paris, France fe) UNESCO 199;AVANT PROPOS Liéude @ long terme de l'évolution économique passe par la détermination des possibilités, pouvant stabiliser les besoins de 'humanité dans tous les domaines, et notamment celui de V'énergie. Elle est en effet l'un des principaux facteurs pouvant réguler te développement des nations et faire passer sans douleur celles d'entre elles. les plus pauvres. dans un monde de compétition ou souvent Véconomique et le social sont étroitement liés. Si aujourd'hui, Vabondance énergétique (pétrote, gaz naturel, uranium, etc.) nous place dans une situation confortable, Vexces de Voffre de ces matiéres premieres, lids au espectaculaires variations de prix, restreint notre vision optimiste quant aux perspectives de la fin du siecle. Mais au-dela de U'horizon de lan 2000, cette réalité se fragilise et les contraintes d'approvisionnement se ‘multiplierons. _Ainsi, ni les pays occidentaux qui sont de vieux habitués de Vimportation, ni les pays de Est et encore moins ceux du tiers monde, ne pourront échapper & une vulnérabilité de plus en plus préoccupante, Le défi auxquels doit faire face la communauté internationale, et en meme temps Voccasion qui s'offre a elle, est de mener méthodiquement et pacifiquement a bien dans le domaine de 'énergie une transition qui conduira de Véconomie internationale actuelle, essentiellement fondée sur les hydrocarbures. & une économie qui réposerait de plus en plus étroitement sur les sources d’énergie nouvelles et renouvelables, d'une manidre qui, tout en étant équitable sur le plan social, serait économiquement et techniquement viable et sir pour environnement. Ceute transition doit reposer sur des arrangements techniques, commerciaux, financiers et monétaires susceptibles d'aceélérer le développement des pays en développement et de promouvoir un développement mondial équilibré, Consciente du role important que peuvent jouer les énergies renouvelables, et notamment énergie solaire dans certaines régions du monde, 'UNESCO fut parmi les pionniers a lancer, des le début des années $0 la premiére action notable de coopération internationale dans ce domaine. II s‘agissait alors, dans le cadre dix programme international sur les zones arides qui concernait essentiellement la rehabilitation de régions semi-désertiques, de chercher comment pallier les carences énergétiques en se tournant vers les énergies éoliennes. géothermiques, solaires, etc.Conformément & son mandat constitutionnel, 'UNESCO, qui a ta charge de promouvoir et de développer les connaissances scientifiques et la formation au sein de la famille des Nations Unies a depuis lors fait une large place dans ses activités @ Vénergie. domaine clé pour te développement socio-économique de tous les pays du monde. Actuellement, 'UNESCO met accent sur les sources d’énergie renouvelables, solution stratégique et globale des problémes d'approvisionnement en énergie, et en particulier, sur la promotion de énergie solaire dans les zones rurales et isolées. La formation d'un personnel qualifié est considérée par "UNESCO comme une action déterminante pour 1a réussite de tout programme énergétique et primordial a tout processus de développement. B, Berkovski Directeur, Division des sciences de l'ingénieur et de Ia technologieINTRODUCTION Ce livre est issu d'un cours enseigné & 'UNESCO depuis 1989 sur "L’électricité solaire en zones rurales et isolées". La conversion photovoltaique de l'énergie solaire est une technique encore trés jeune. Son développement, trop lent au gré de tout ceux qui y_participent, repose d'abord sur [a maitrise scientifique et technotogique, comme pour beaucoup de techniques “avancées", Mais, son objectif essentiel, qui est de fournir 'énergie électrique requise pour les applications, la place au coeur des logiques de développement énergétique, différentes dans chaque région du monde. Ce livre refléte donc une double nécessité : celle de connaitre et de comprendre les bases scientifiques d'une technique en plein développement et celle de U'appliquer de fagon réaliste, au sein de Ia compétition qui existe naturellement entre les sources cnergétiques, dans des conditions variées de développement économique. Le premier volume de ce cours est entidrement consacré & la physique et & la technologie de la conversion photovoltatque. Le second volume rassemble les éléments économiques, financiers et sociologiques spécifiques des applications de I'électricité photovoltaique. Lilectricité solaire photovoltaique n'est pas une énergie systématiquement substituable & autres sources énergétiques plus traditionnelles ou mieux connues. Etant & Ja fois inépuisable, variable, et jusqu'ici malaisément siockable, elle obéit & une logique d'utilisation completement différente de ces autres sources. Dans les nations développées ob les besoins en Energie sont sift et od La rationaliation des choix énergetiques a étt agement éuudge dan le cas des combustibles fossils et nucléaes, cette forme d'énergie répond actuellement aux applications de petite ou de tres petite puisance. La somme cumulée des puissances installées ne contribue encore que tes peu au bilan Energétique et n’est pas un indicateur significatif, En tant que produit industriel, c'est & dire dans un secteur ot la mesure est plutdt le chiffre d'affaires, le photovoltaique n’occuppe également qu'un rang modeste, Une meilleure évaluation doit se faire en termes de service rendu. Mais ce sont surtout sa croissance et ses perspectives & long terme qui suscitent lntérét. Dans les zones & faible densité de population, zones "d'habitat rural et isolé”, l'approche est naturellement différente, Ii y a bien entendu des régions oi la logique d'électrification & partir des cenvres urbaing ou induswialisés tlle que Fa connue l'Europe, sapplique encore. Cependant, d'autres schémas sont concevables et c'est sur ces voies nouvelles que ce cours incite & se pencher. Dans cette optique, il est souhaitable de fournir tous les éléments d'une réflexion plutdt que des solutions toutes faites. Cest pourquoi, ce livre donne délibéremment un grand poids aux bases scientifiques, sans pour autantnéligr les moyens ¢ upplication actuels de la conversion photovoltaique, et insiste sur Vimportance d'une intégration dans le développement économique, Dans l'esprit du Comité scientifique qui en a dessiné les grandes lignes, ce cours s‘adresse & tout ceux qui auront & paniciper a la construction de politique de développement dans des contextes éconorniques et sociaux différents du contexte européen, contextes qu'ils sont les mieux placés pour connaftre et comprendre. C'est & eux quill incombera de former les spécialisies chargés des réalistions sur le terrain, Nous espérons que ce live leur sera utle pour cette tache essentielle et quil suscitera c'autses actions de formation. S'adressant & des lecteurs aussi variés, ce livre a également pour souci d'offrir une lecture & plusieurs niveaux. Le premier chapitre rassemble tous les éléments de base de la conversion photovoltaique, tandis que le second chapitre regroupe des données indispensables sur la "matidre premiére", c'est & dire Uensoleillement. Le chapitres 3 est un approfondissement de la physique des cellules solaires. 1! est d'un abord plus difficile, mais regroupe des calculsdétaillés qu'on ne trouve que dans des publications dispersées. Les chapitres 4 et 5 sont consacrés aux deux techniques dominantes en ce début des années 90 : respectivement le silicium cristallin et le silicium amorphe. Les trois chapitres suivants 6,7 et 8 sont tournés vers le futur, c'est a dire vers des filigres qui ne sont pas encore industrialisées. Enfin, le dernier chapitre aborde I'élecrotechnique des systmes photovoltaiques. Cest un domaine essentiel car Ia cellule photovoltaique est une source dont les propriétés spécifiques exigent de tepenser tous les éléments qui lui sont couplés. Ce livre a été écrit par des spécialistes de chacun des domaines abordés. Cette formule permet de présenter une vision complétement actualisée de chaque secteur. Elle met en relief les préoccupations majeures de chaque auteur et leur laisse la liberté d'appréciation de ce quills estiment essentiel dans les résultats récents et d'évaluer au mieux les progr’s futurs. Par ailleurs, il a paru préférable que chaque chapitre puisse se lire comme un tout. On a done préféré quelques redondances, qui jettent des éclairages différents sur un méme sujet, & une trop grande abondance de renvois. Remerciements : Ce livre est une oeuvre collective et je souhaite remercier tous les auteurs pour leur effort de cohésion . Tout comme le cours dont il émane, il résulte de l'existence et du dynamisme de la communauté photovoltaique francaise. Il doit dexc beaucoup & ceux qui ont contribué la création de cette communauté, et en particulier 4 M.lonel Solomon, ainsi qu'aux organismes ui ont soutenu son activité, notamment le CNRS/PIRSEM et 'AFME. Rappelons aussi que ce cours n’aurait pas vu le jour sans M.B.Berkovsky qui en a eu l'initiative et lui a donné la dimension internationale de ' UNESCO. Je tiens également & remercier Wolfgang Palz qui lui a apporté te soutien de la Commission de la Communauté Européenne. Enfin, je remercie, pour l'aide qu'elles ont apporté a la réalisation de ce livre Mesdames M.C.André, D.Conne, L.Jouhaud et M.J.Surmont . Bemard EQUER Directeur de Recherche au CNRS Ecole Polytechnique, Palaiseau le 27 Juin 1991TABLE DES MATIERES CHAPITRE 1 NOTIONS DE BASE SUR LES CONVERTISSEURS PHOTOVOLTAIQUES, par J.A.ROGER 1+ GENERALITES. 2-LA CELLULE PHOTOVOLTAIQU! 3-LES MODULES PHOTOVOLTAIQUES ET LES CHAMPS DE MODULES... 4 - LES SYSTEMES PHOTOVOLTAIQUES. CHAPITRE 2 L'ENERGIE SOLAIRE : ENSOLEILLEMENT ET METEOROLOGIE, par P. RIVET 1 - LE RAYONNEMENT SOLAIRE : GENERALITES . 2 - RAYONNEMENT RECU PAR UN ELEMENT DE SURFACE PLANE AU VOISINAGE DU SOL - ROLE DE L'ATMOSPHERE - DIFFERENTES COMPOSANTES DE CE RAYONNEMENT.. ee 3 - INTERACTION DU RAYONNEMENT SOLAIRE AVEC UN CORPS DENSE, SOLIDE OU LIQUIDE .. 4- EXTINCTION DU RAYONNEMENT DIRECT DANS LA TRAVERSEE DE L'ATMOSPHERE... 5- EXPLOITATION DES DONNEES SUR LE RAYONNEMENT SOLAIRE. 6 - MESURES DU RAYONNEMENT AU SOL. CHAPITRE 3 PHYSIQUE DES CONVERTISSEURS PHOTOVOLTAIQUES, par Y. MARFAING 1 - PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS A L'EQUILIBRE. .. 2- PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS HORS EQUILIBRE THERMODYNAMIQUE .... 3- PHYSIQUE DE LA JONCTION p-n A L'EQUILIBRE Ei SOUS ECLAIREMENT. 4~LA JONCTION p-n COMME GENERATEUR PHOTO- VOLTAIQUE.CHAPITRE 4 FILIERES ET MATERIAUX : LE SILICIUM CRISTALLIN, par MRODOT 1. Cx ?ACTERISTIQUES PHYSIQUES DES DIFFERENTES FILIERES 2- Li SILICIUM CRISTALLIN.... CHAPITRE 5 LA FILIERE SILICIUM AMORPHE, par G. de ROSNY 1 - INTRODUCTION 2. ORGANISATION ATOMIQUE DU SILICIUM AMORPHE.... 3 - CARACTERISTIQUES OPTOELECTRONIQUES DU SILI-CIUM AMORPHE HYDROGENE....... eae 4 - LES PHOTOPILES AU SILICIUM AMORPHE HYDRO-GENE..... 5- LES MANIERES DE REALISER LES PANNEAUX DE PHOTOPILES 6 - PERSPECTIVES D'EVOLUTION DE LA FILIERE.. 7 - APERCU SUR LES DOMAINES D'EMPLOI ...... CHAPITRE 6 LES CELLULES PHOTOVOLTAIQUES EN COUCHES MINCES, ALTERNATIVES A LA FILIERE SILICIUM , par Michel CADENE, 1+ INTRODUCTION... 2.- FACTEURS DE CHOIX DU MATERIAU COUCHE MINCE ET DE LA STRUCTURE... 3- ETAT ACTUEL ET PERSPECTIVES DE QUELQUES FILIERES ALTERNATIVES AVANCEES 4- PROSPECTIVES, 5+ CONCLUSION. CHAPITRE 7 CONVERSION PHOTOVOLTAIQUE SOUS CONCENTRATION, par J. P, DAVID 1 - INTRODUCTION 2- CELLULES SOLAIRES AU SILICIUM POUR CONCENTRATION.4. SYSTEMES PHOTOVOLTAIQUES SOUS CONCENTRATION, 5 - CONCLUSIONS ET PERSPECTIVES 3. CONCENTRATEURS....---.... 13 CHAPITRE 8 CONVERSION PHOTOVOLTAIQUE MULTISPECTRALE (ou la Cellule Solaire Arc- en-Ciel) par C.VERIE 1 - INTRODUCTION... 2.- PROBLEMATIQUE DU RENDEMENT DE CONVERSION, 3 - CALCUL DU RENDEMENT PV MULTISPECTRAL. 4+ SELECTION DES MATERIAUX.. 5- CONCLUSION.CHAPITRE 1 - NOTIONS DE BASE SUR LES CONVERTISSEURS PHOTOVOLTAIQUES JAROGER Professeur & l'Université Claude Berard, LYON I 1 - GENERALITES.. 2.- LA CELLULE PHOTOVOLTAIQUE....... 2.1 PARAMETRES DU RAYONNEMENT SOLAIRE REGISSANT LE FONCTIONNEMENT DES CELLULES 2.2 NOTIONS ELEMENTAIRES DE PHYSIQUE DES SOLIDE! 2:3 INTERACTION RAYONNEMENT MATIERE .. 2.4 ZONE "UTILE” DU SPECTRE SOLAIRE... 2.5 PENETRATION DU RAYONNEMENT DANS LE MATERIAU ABSORPTION DU RAYONNEMENT DANS LE MATERIAU..... .7 LA STRUCTURE DE COLLECTE DES PORTEUR: 2.8LA GENERATION DU PHOTOCOURANT .. 2.9 CARACTERISTIQUE I = F(V) D'UNE CELLI 2:10 SCHEMA EQUIVALENT DUNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE.. 2.11 INFLUENCE DES RESISTANCES SERIE ET SHUNT SU CARACTERISTIQUE I-V. 2.12 EXTRACTION DE LA PUISSAI 2:13 RESEAU DE CARACTERISTIQUES, INFLUENCE DE L’ 2.14 RESEAU DE CARACTERISTIQUES, INFLUENCE DEL. ‘TEMPERATURE .. oe 2.15 FABRICATION DES CELLULES MONO ET MULTI-CRISTALLINES.. 3 - LES MODULES PHOTOVOLTAIQUES ET LES CHAMPS DEL MODULES.. 3.1 LE MODULE ET LE GROUPEMENT DE CELLULES EN SERIE. 3.2 LE GROUPEMENT DE CELLULES OU MODULES EN PARALLELE.. 3.3 LENCAPSULATION DES MODULES. . 3.4 LE TEST DES MODULES..... 315 LE PANNEAU PHOTOVOLTAIQL 3.6 LES DESEQUILIBRES DANS LES GROUPEMENTS DE CELLULES 3.7 INSTALLATION SUR SITE DUN CHAMP DE MODULES: 3.8 TEST DUN CHAMP DE MODULES BERBBESS4. LES SYSTEMES PHOTOVOLTAIQUES, 4.1 LES SYSTEMES A COUPLAGE DIRECT... : 4.2 SYSTEMES “AU FIL DU SOLEIL" UTILISANT DES CONVERTISSEURS....34 4.3 SYSTEMES AVEC STOCKAGE : 35 4.4 SYSTEMES D’APPOINT. ean 35 4.5 LIAISON AU RESEAU DE DISTRIBUTION. 351 - GENERALITES. La conversion photovoltaique est la transformation directe d'une énergie électromagnétique (rayonnoment) en énergie électrique de type continu directement utilisable. Mis en évidence depuis le sicle dernier. V'effet photovoltaique a connu ses premiéres applications pour espace (alimentation des satellites) dans les années 1950 et ses premigres utilisations terrestres dans les année 1970. Vingt ans auront été nécessaires pour qu'une tentative de normalisation soit entreprise en liaison avec la Commission Electrotechnique Intemationale (C.E.I.). Nous tenterons dans la mesure du possible d'utiliser dans ce cours la terminologie retenue par cette Commission. Terminologie: L'€lément de base dans la conversion du rayonnement est la cellule photovoliaique. Plusieurs cellules sont associées dans un module qui est ainsi la plus petite surface de captation transportable, montable et démontable, sur un site. Ces modules sont groupés en panneaut eux mémes associés pour former le champ photovoltatque. Si, dans un champ photovoltaique, existent deux ou plusieurs sortes de modules, ils seront groupés par catégorie dans des sous - champs de modules . Le terme générateur photovoliaique est réservé & l'ensemble producteur d'énergie qui se situe en amont des charges. Le générateur comprend donc le champ photovoltaique, le stockage d'énergie, I'électronique de gestion et ia conversion en alternatif si es éléments existent. 2.- LA CELLULE PHOTOVOLTAIQUE Pour bien comprendre les proprigiés de ce convertisseur, il est nécessaire de rappeler certaines particularités du rayonnementsolaire, quelques notions de physique du solide ainsi que la base des processus d'interaction rayonnement - matiére. 2.1 PARAMETRES DU RAYONNEMENT SOLAIRE REGISSANT LE FONCTIONNEMENT DES CELLULES Le rayonnement solaire, ainsi que les appareils de mesure associés, étant présentés par ailleurs, nous ne traiterons ici que des caractéristiques essentielles de ce rayonnement concernant directement le fonctionnement des cellules photovoltaiques. Ces ccaractéristiques seront reprises en déual dans le chapitre 2. . La figure 1 présente la gamme de rayonnement électromagnétique entourant le spectre visible ainsi que les longueurs d'onde correspondantes. ‘A chaque longueur donde | peut étre associé un photon d'énergic Eph = hv, oith est la constante de Planck (h = 6,62 10-34 Js) et v la fréquence correspondant & la longueur d’onde A (Q=c/n,c étant la vitesse de propagation de la lumitre = 3 108 ms"),12. On rappelle la relation permettant de passer de la longueur d'onde 2 (en im) A l'énergie Eph du photon associé (en eV): 1,24, Eph (eV) = 4 (um) longueur d'onde (um) 0,8 141 ultra violet 3,1 1,55 1,12 énergie du photon (eV) Figure 1 Sur cette figure | est notée une valeur particuliére de 2 correspondant & 1,1 um soit une énergie de 1,12 eV. Nous reviendrons sur ces valeurs lorsque nous traiterons des cellules au silicium. Hors atmosphere, 'amplitude et la distribution spectale du rayonnement solaire sont parfaitement définies. II n'en est pas de méme au niveau du sol, oi en raison de multiples paramétres atmosphériques, cette amplitude et cette distribution spectrale peuvent varier dans de tres grandes proportions. Nous verrons ultérieurement que la cellule photovoltaique n'est sensible que dans un domaine bien précis de longueurs donde. ll est dor »écessaire de définir un spectre standard, appelé spectre de référence, qui puisse étre adopté ax. tiveau international pour que des mesures comparatives soient possibles. Le spectre présenté sur la figure 2. été retenu parlaC.E.L. Il donne en fonction de la longueur d’onde lirradiance spectrale, c'est & dire la puissance associée au rayonnement par tranche de longueur ’onde et par unité de surface. Cette grandeur est exprimée en Wm2um'!. Liintégration de cette irradiance spectrale sur toutes les longueurs d'onde donne irradiance de ce rayonnement de référence exprimée en Wm-2: La valeur qui a été choisie par la CELL, et qui correspond & la figure 2 est égale 1 kWn'2, Ce spectre de référence correspond & la traversée par le rayonnement solaire d'une couche atmosphérique de référence qui sera définie par ailleurs (spectre A.M. 1,5). Hest & noter que dans la pratique le spectre que Yon enregistre au sol varie sans cesse et peut s'écarter notablement de ce spectre de référence. On constate sur la figure 2 que le spectre solaire de référence s‘étale de 0,3 um a environ 2 pm, la plus grande partie de 'énergie se situant vers les faibles longueurs donde, Chaque fois que I'on désirera comparer les performances des convertisseurs photovoltaiques i sera nécessaire de se ramener & ce spectre de référenceInradiance spect wom? sum? t 1800 1600 1400 4200 1000 800 600 400 200 AM 15 Spectre solaire de référence 0 0.5 1 1,5 2 longueur d'onde um Figure 2 2.2 NOTIONS ELEMENTAIRES DE PHYSIQUE DES SOLIDES ; LES ELECTRONS DANS LA MATIERE Dans un atome isolé (atome dans un gaz par exemple) les électrons ne peuvent pas avoir n'importe quelle énergie autour du noyau et se distribuent sur des niveaux énergétiques parfaitement définis par les régles de la mécanique quantique (Principe d'exclusion de Pauli), lorsque ces atomes sont rassemblés pour former un solide, les niveaux discrets de chaque atome se différencient, et forment des bandes d'énergie. C'est ce que l'on appelle la structure de bande des solides (ces notions sont reprises en détail au Chapitre 3). La figure 3 présente cette structure électronique des solides pour les trois grandes familles de matériaux : les métaux, les isolants et les semiconducteurs. Nous nous intéressons aux électrons les plus externes pour ces atomes composant le solide, En vertical est portée énergie des électrons dans le solide, Vorigine étant prise de facon arbitraire au niveau Ey qui est le “niveau du vide" (lorsqu’un électron posséde cette énergie, il peut étre extrait du solide). Les valeurs les plus négatives de I'énergie correspondent aux élecirons les plus "liés", Mais, comme dans un atome isolé, les électrons du solide ne peuvent pas prendre n'importe quelle énergie et 'on observe sur la figure 3 une alternance de bandes d'énergies autorisées (bande permise B.P.) et de niveaux énergétiques interdits (bande interdite B.I.). Les “largeurs" énergétiques de ces bandes sont exprimées en eV et les bandes perrnises correspondent & un certain nombre de "places" possibles pour les électrons par cm? de1e4e matériau. Toutes les bandes permises ne on pas eat Eerie remplies d'électrons, et les zones hachurées correspondent aux niveaux énergétiques effectivement occupés par les électrons & basse température. Les propriétés électriques des matériaux sont directement liges & leur structure de bande, et la figure 3 va nous permettre d'expliquer pourquoi seul un semiconducteur peut permette la conversion photovoltaique du rayonnement solaire. faut noter que dans un métal la derniére bande permise (correspondant aux energies les plus élevées) est A moitié pleine (électrons de la liaison métallique) alors que dans un semiconducteur et un isolant la dernitre bande est vide, et l'avant derniére totalement occupée par les électrons (électrons des liaison chimiques). La température modifiera cette distribution des électrons dans les bandes d'énergie et ce point sera explicité dans le chapitre 3, 2,3 INTERACTION RAYONNEMENT MATIERE Lorsqu’un photon interagit avec un ¢lectron, il ransfére intégralement son énergie & ce demier, a la condition que le niveau énergétique final de I'électron soit autorisé et libre. Ainsi dans un métal tous les niveaux supérieurs & Hp (en dessous ou au dessus de Eo) étant autorisés, et la quasi totalité de ces niveaux étant inoccupés 4 température ambiante, toutes les longueurs d’onde pourront atre absorbées (transition 1, figure 3-a)- Malheureusement cet électron reviendra a son énergie initiale (transition th. sur la figure 3-a) en un temps tres bref (de 10-124 1013s), l'énergie reperdue par Iélectron étant immédiatement transformée en chaleur (augmentation de l'état vibrationnel des atomes du réseau). On dira que : métal isolant semiconducteur (sitlelum) Energie des électrons dans le solide niveau du vide Eo 7} niveau du vide Eo niveau du vide Eo bande de conduetion Y Bul. a b e 4 u Figure 3 énergie apportée par le rayonnement a été perdue sous forme de phonons, au travers d'un processus appelé thermalisation de I'électron. Un métal absorbera donc le rayonnement mais ilne sera pas possible d'utiliser Méne: thermique. Dans un isolant, le photon ne pourra interagir avec un électron que sil peut fournir & cet lectron une énergie supérieure A la largeur de la bande interdite Ey afin d'atteindre les premiers niveaux autorisés et libres. Il faudra donc Eph > 8 eV soit 4 < 0,15 yim (transition 2, figure 3- b). On constate donc que le rayonnement solaire, qui est tel que A >0,3 Hm, ne sera pas absorb par les isolants pour ce qui est de I'interaction photon-électron. Dans un semiconducteur, la largeur de la bande interdite est plus faible que pour les isolants et varie, pour les matériaux qui nous intéressent, d’environ 0,6 eV & 2 ou 3 eV. Elle est de 1,12 eV pour le silicium cristallin & 300 K (cf valeurs indiquées sur la fig.1) et nous raisonnerons parla suite sur ce matériau, Les photons du spectre solaire pourront étre absorbés si énergie du photon Eph est supérieure a Eg (transition 3, figure 3-c). Pour le silicium tous les photons d'énergie Eph supérieure & 1,12 eV, soit de longueur d’onde A inférieure A 1,1 um pourront fournir de énergie a un électron de la bande permise (appelée bande de valence du silicium puisque correspondant aux lectrons de la liaison chimique). Aprés absorption de énergie du photon, cet électron “libéré” dans le matériau aura donc une énergie située dans la bande permise appelée bande de conduction. Si Vénergie Eph est supérieure a Eg, l'exces énergie Eph - Eg est immédiatement perdu par thermalisation (transition the, figure 9-c) et ransféré au eau Sous forme de chaleur. La transition électronique (3, figure 3-c) a généré deux types de porteurs de charge : = des électrons libres dans le réseau du silicium, électrons “arrachés" aux liaisons chimiques, + des lacunes dans les électrons de valence du silicium, lacunes appelées trous . On dit que l'on a créé une paire électron-trou, dont les deux composantes, I'électron et Je trou, peuvent se mouvoir dans la matériau. Un trou est en effet l'absence d'un électron d'une liaison Si-Si, et de proche en proche ce “défaut” peut se déplacer dans le matériau (saut d'un électron de liaison chimique en liaison chimique en sens inverse). Si la transition électronique concerne un électron de l'intérieur de la bande de valence, (wansition 4, figure 3-c) la thermalisation aura lieu pour les deux types de porteurs (the et th). En définitive ces effets sont tels que l'on ne dispose aprés thermalisation que d'une paire électron-trou d énergie Eph the-th = Eg, une certaine partie de I'énergie initiale transférée par le photon étant directement perdue sous forme de chaleur, Contrairement & ce qui se passe dans un métal, ces porteurs, électrons et trous, pourront étre utilisés pour générer un courant électrique avant de disparaitre par recombinaison (cette recombinaison correspondant a un électron libre réintégrant une liaison chimique et perdant son énergie sous forme de chaleur dans le matériau), Ceci est d0 au fait que, avant de se recombiner, ces porteurs ont une certaine durée de vie sur les niveaux énergétiques du bas de Ia bande de conduction pour les électrons et du haut de la bande de valence pour les trous, Il est alors possible de les séparer pour utiliser I'énergic restante, ce qui ne serait pas possible s'ls se recombinaient instantanément. On constate done que seul un matériau semiconducteur posséde la structure électronique permenant de générer, & partir du rayonneinent solaire, des paires électron-trou utilisables,1-6- 2.4 ZONE "UTILE" DU SPECTRE SOLAIRE L’analyse des transitions électroniques possibles dans le schéma de la figure 3-c montre que les photons du spectre solaire (figure 2) ne vont pas étre tous utilisables pour la génération de paires électron-trou. Si Eph < Eg le photon n'est pas absorbé par le semiconducteur qui est donc transparent pour cette longueur donde. Si Eph > Egle photon est absorbé mais une partie de I'énergie est perdue par thermalisation, La figure 4 résume ceci sur le spectre de référence en montrant, sous forme daires, les pourcentages correspondant aux photons non absorbs (b (environ 20%), eaux pers par thermalisation (I) (environ 32%). La zone “utile” du spectre pour le silicium est la zone (II) (environ 48 %) mais nous verrons ultérieurement gue lénergie correspondante ne poura pas éxe toialement transformée en énergie lectrique. Nous constatons également que a cellule photovoltaique ne “répond” done que dans un domaine Inradiance spectraie Wem? um 1900 1400 1000 A = 1,1um E = Eg=tizev 600 o2 04 806 08 4 ST Figure 4 limité de longueurs d’onde : de 0,4 jim & 1,1 um pour les cellules industrielles au silicium. Nous verrons ultérieurement pourquoi une partie des faibles longueurs d'onde (de 0,3 0,441m) n'est pas utilisée, 2.5 PENETRATION DU RAYONNEMENT DANS LE MATERIAU La cellule photovoltsique sera donc une plaquette de matériau semiconducteur sournise au rayonnement incident, I convient d'analyser comment ce faisceau incident péndtre dans le matériau et comment il est absorbé dans I’épaisseur de la plaquette en fonction des longueurs donde des photons composant ce rayonnement, Le premier point concerne les effets de réflectivité de la surface. Si l'on expose du Silicium poli A un rayonnement se situant dans la gamme des longueurs d’onde considéréesprécédemment, pour toutes ces longueurs donde. prés de 40 & du rayonnement incident sera réfléchi. Il va donc étre nécessaire de waiter la surface pour forcer le rayonnement & pénétrer dans le semiconducteur. On utilise couramment des couches anti-reflet (A.R.) obtenues par dépot d'une couche d'oxyde (en général TiO2) sur le silicium. L'effet d'interférences obtenu est identique a celui utilisé dans les objectifs photo pour augmenter la luminosité, La figure 5 présente le trajet des rayons incidents. somiconducteur Figure 5 Cet effet d'interférences étant sélectif en fonction de la longueur d'onde, l'effet anti- reflet s'est maximum que pout une zone limtée de longueurs donde en général chosie dans le domaine dimadiance maximate du spect slsire. Lépalseur e des couches doxyde est de quelques centaines dA. Tlexiste une autre préparation de la surface du silicium la texturisation. Cette opération consiste en une attaque chimique de la surface du silicium. Cette attaque est sélective en ce qui conceme les plans cristallographiques du matériau et conduit alors & la création de pyramides de quelques microns de hauteur (figure 6). Figure 6 Leffet de piégeage optique de la lumitre est illustré sur cette figure. Il est évident que ce traitement ne peut tre appliqué qu'A des substrats monocristallins. Si cette texturisation cst suivie du dép6t d'une couche A.R., le coefficient de réflectivité de la surface peut étre réduit 3.ou 4 % pour toutes les longueurs d'onde considérées. 2,6 ABSORPTION DU RAYONNEMENT DANS LE MATERIAU De manitre générale, si o est lirradiance du rayonnement incident (partie non réfléchie par la surface), lirradiance & une profondeur x dans le matériau est donnée par: D(x) = Oo. exp [- & (A).x)]oto (A) est le coefficient d'absorption du matériau; il est fonction de la longueur d’onde. longueura d'onde crolssantes profondeur dans le matérlau Figure 7 Ce coefficient d'absorption o& (A) diminue lorsque 4 augmente (il est nul si A> As As Giant ta longueur d'onde seuil correspondant & Eg, soit 1,1 jim pour le silicium). Ce probleme de l'absorption sera taité ultérieurement. Nous retiendrons seulement que que les faibles longueurs d'onde sont absorbées pres de la surface du matériau, créant donc des paires Alecron-rou prés dela surface, et que plus grandes eronte longueurs donde plus loin dela surface seront générées les paires électron-trou. La figure 7 résume trés symboliquement cette loi physique. En raison de trés nombreux défauts présents, la surface du silicium est une zone privilégiée pour la recombinaison et donc l'annihilation des paires électron-trou. On peut donc concevoir que ces paires générées pres de la surface par des photons de faible longueur donde ne seront pas utilisables ce qui limite la réponse de la cellule photovoltaique au domaine O.dym- 1,1 pm comme indiqué au § 2.4. 2.7 LA STRUCTURE DE COLLECTE DES PORTEURS Pout étre utilisables, les paires électron-trou doivent étre dissociées dans le volume du meiériau et il faut une structure de collecte qui puisse drainer les électrons vers une face de la piaquetie et les trous en sens inverse, La disymétrie des propriétés électriques de la plaquette semiconductrice est obtenue en téaisant une jonetion pn, le matériau de depart étant généalement de type p La cellule Bhotovoltigue est done une diode de grande surface dont les parambies ont été choisis en fonction des contraintes liées A la génération des porteurs, telles que discutées plus haut. La théorie de ces structures sera développéc dans le Chapitre 3. Il sufit de noter qu'une telle jonetion cxée enue zone net zone p, dune distance de is surface quia choise égale environ ,3 yim, une zone de champ électrique élevé résultant du seul contact entre les deux matériaux net p. Tout porteur, électron ou trou, ayant pu diffuser jusqu’a cette zone de champ sera drainé préférentiellement d'un c6té (électrons vers la zone n et trous vers la zone p) (figure 8). Si l'on compare la figure 7 et la figure 8, on observe que la position de la zone de champ dans la cellule (profondeur de la jonction) va jouer un réle sur la sensibilité spectrale de la cellule, car ce sont les paires électron-irou générées prés de la zone de champ qui auront la plus grande probabilité d'étre collectées. Ainsi si la jonction est prés de la surface la cellule sera efficace pour convertir les faibles longueurs d'onde. Pour l'espace ob il y a beaucoup d'ultra- violets, les cellules sont telles que les profondeurs de jonction sont faibles.Protendour_é¢_1a_jonction champ électrique x profondeur dans lo matérieu surtace tone de champ Figure 8 2.8 LA GENERATION DU PHOTOCOURANT Deux ¢lectrodes sont élaborées sur la plaquette de silicium, l'une qui recouvre la totalité de la face arridre pour assurer le contact avec la zone p, et l'autre en forme de grille sur la face avant, la géométrie de cette grille étant un compromis entre une faible occultation du Tayonnement et un bon contact électrique avec la zone n, Si ces deux électrodes sont court-circuitées & travers un amperemétre, les électrons drainés par le champ interne de la jonction vers la zone n rejoindront les trous de la zone p via la connexion extérieure & la cellule photovoltaique, donnant ainsi naissance au courant de court- Circuit Tce de cette structure sous éclairement qui correspondra au photocourant Inn généré par Je rayonnement, Ce photocourant est proportionnel au nombre de porteurs générés et drainés par unité de temps. f1 est done proportionnel, pour une distribution spectrale donnée, & Virradiance du rayonnement incident ® (en Wrn'2) et également & la surface de captation S (en m2) de la cellule photovoltaique, Ih =a). 0.8 a '(T) est un coefficient dépendant faiblement de la température T ; pour les cellules photovoltaiques sur silicium mono ou multicristallin, il est de V'ordre de 0,35 AW-1 pour le spectre de référence, ce qui correspond, pour une cellule de 100 mm de diamétre sous Virradiation de référence de 1 kWmr?, a un photocourant d'environ 2,8 A. Si la cellule photovoltalque est laissée en circuit ouvert sous illumination, les porteurs pnéxés parle rayonnement et spars parle champ interme de la joneon vont sccumuler dane fa zone n pour es électrons et dans Ja zone p pour les trous. Ceci va conduire & une auto- polarisation de Ia jonction, le (-) sur la zone n et le (+) sur la zone (p), ce qui correspond & une auto-polarisation dans le sens passant de la diode. La tension mesurée alors entre les électrodes serala tension de circuit ouvert Veo Cette tension est a tension quilfaudrait appliquer dans le gens pasant Bla dods non iluminés pour qu'elle passe un courant Ip égal a photocourant py En effet Iéquilibre de la cellule en circuit ouvert sous illumination est atteint lorsque les flux de porteurs générés par la lumidre et drains par le champ inteme sont égaux aux flux de porteurs1-10- en sens inverse induits par l'auto-polarisation. En résumé - si la cellule est en court-circuit, tout le photocourant Iph passe dans le circuit extérieur; on enregistre un courant de court-circuit Tce = lpn mais aucune puissance ne peut étre extraite puisque la tension est nulle. ~ sila cellule est en circuit ouvert, on mesure une tension de circuit ouvert Veo, Le photocourant Ipp nest pas extrait de la cellule et est compensé par le courant de diode 2 1a tension Veo: Ip(Veo). Aucune puissance ne peut étre extraite puisque le courant dans le circuit extérieur est nul. 2.9 CARACTERISTIQUE [=F(V) D'UNE CELLULE PHOTO- VOLTAIQUE Si une impédance de charge, non nulle et non infinie, est placée aux bores de Ia cellule, on se trouve dans un cas intermédiaire entre le court-circuit et le circuit ouvert. Le photocourant va se distribuer entre cette charge extérieure (courant [) et la diode (courant [p). Il en résultera une tension de travail (de polarisation) V inférieure & Veo. La caractéristique courant - tension de la cellule photovoltaique se met alors sous la forme : 1(V) = Iph- Ip (Y) (2) soit : I(V)= a (T).®.S - B’(T).S.[ exp fy ).V]-1] @) Le second terme dans ces expressions est I'équation classique du courant d'une diode de surface S polarisée A la tension V soit Ip (V), B’ (T) et y' (T) étant des coefficients caractéristiques de la jonction et fonction de la température, Sous une irradiance ® et une température T données, la caractéristique courant tension de la cellule photovoltaique est partaitement définie, La figure 9 donne cette caractéristique théorique pour une cellule en Si monocristallin de 100 mm de diamatre & 25 C et sous lirradiance de référence de | kWm?, courant | (A) ° Ot 02 03 04 0s 0,6 07 08 tension V (V) Figure 9(On remarque’que 1a caractéristique I-V correspond a la soustraction de deux courbes, courbe fa] (Iph) - courbe (b} (Ip(V)), ce qui traduit bien les équations (2) et (3). Le courant | extrait de la cellule photovoltaique est donc fonction de la tension de travail V de la cellule, cette tension étant elle-méme fixée par l'impédance sur laquelle est fermée cette cellule. 2.10 SCHEMA EQUIVALENT D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE La figure 10 présente le schéma équivalent d'une cellule photovoltaique sous éclairernent. Il correspond & un générateur de courant Iph en paralléle sur une diode. ,' Impédance de charge cellule photovoltaique charge Figure 10 Deux résistances parasites sont introduites dans ce schéma; elles vont influer sur la caractéristique I-V de la cellule : = Rg (résistance série) est lige & Vimpédance des électrodes et du matériau; il en résulte que la tension V aux bornes de la cellule est différente de la tension Vj aux bomes de la Jonction p-n, -Rgn (résistance shunt) correspond & une résistance de fuite entre les deux zones net p de la jonction; il en résulte qu'une partie du courant Ipp sera dérivée par cette résistance et ne pourra éire délivrée a la charge . L’équation complete de 1a cellule photovoltaique, compte teiu des résistances parasites Rs et Rohs Scrit done : V+R¢ I] Isa'(T)®S -B(T)S [xe as) 4] poets La tension sur la diode Vj est en effet égale AV + Rel. Si Rg = Oct si Rgh infinie, on retrouve Téquation (3); dans !'équation ci-dessus y (T) a été explicité et est égal & q/nkT (q charge de T'électron, k constante de Boltzmann et n facteur d'idéalité de la jonction). Ce terme sera précisé dans le cours sur les jonctions (chapitre 3, § 4).Lei2- 2,11 INFLUENCE DES RESISTANCES SERIE ET SHUNT SUR LA CARACTERISTIQUE I-V Les résistances parasites indiquées sur la figure 10 vont modifier la caractéristique I-V de la figure 9 . La figure 11 montre I'influence de la résistance série. La tension de circuit ouvert rest pas modifiée, mais la caractéristique se déforme trés rapidement. courant | (A) 3.8 cellule 9 100 mm a 25 _— Ry = 0,05 Ohm ee R20 = 0,025" Ohm 09 04 05 06 «0,7 08 tension V (V) Figure 11 courant | (A) 3.8 cellule @ 100 mm 3 Ay, Intinie Ry, = 4 Ohms 0 ‘or 02 03 04 08 06 07 08 tension V (V) Figure 12La figure 12 présente Vinsiuen diminuée et la zone basse tension présent ___ Il faut noter que ces résistances série et shunt sont liées & la technologie d'élaboration des jonctions at des électrodes. 1! faut_minimiser Rs et faire en sore que Reh ne soit pas trop faible. courant | (A) courde d'équlpulssance OO. Gm OO lansion V (V) Figure 13 2.12 EXTRACTION DE LA PUISSANCE Nous avons vu que sous une irradiance @ et une température T, une cellule photovoltaique est caractérisée non seulement par une tension Veo ou un courant Ige mais par une earactérstique couran-tension compet, le point de fonctonnemen sur eee courbe étant uniquement fixé par le courant demandé par la charge, c'est & dire limpédance de cette charge. Liextraction de puissance sera maximale lorsque l'impédance sera telle que le produit (IV) soit maximum, soit pour le point de fonctionnement A (Im, Vm) sur la figure 13. D@&initions : 5 On appelie facteur de forme (FF) (en anglais: Fill Factor le rapport de InVm valeur maximale de la puissance pouvant éire extraite, au produit IecVeo (Cf fig.1 Im Vm FF a (4) 'ee Veo = On appelle rendement de conversion de la cellule (défini sous le spectre de référenceet A une température de 25 C) le rapport de la puissance éléctrique maximale pouvant étre , Ala puissance du rayonnement incident sur la surface S de la cellule. 'm Vm -— (8) os Pour une cellule du commerce, le facteur de forme est de ordre de 70 % (ici 72 %) et le rendement de lordre de 12 & 14 % (pour une cellule non encapsulée) (ici 16,6 % car on n'a pas tenu compte des résistances série et shunt sur a figure 13). L'examen des courbes des figures 11 et 12 montre que ces résistances influent trés vite sur la puissance maximale disponible. = Le Watt-créte (We) est I'unité servant & définir la puissance disponible aux bornes d'une cellule ou d'un assemblage de cellules (module ou champ), sous l'irradiance de référence (1 kWrv?, AM 1,5) et T= 25 C. Le We an fait les dimensions d'une surface puisque étant Je rapport d'une puissance électrique en W a une irradiance en Wm’, La cellule photovoltaique, en Si monocristallin de diamétre 100 mm, et dont on a donné les caractéristiques ci-dessus, correspond & 1,31 We ( Im = 2,7 A , Vm = 0,485 V). Le client achetant des We achéte done tune surface de captation plus ou moins grande suivant le rendement des cellules considérées. Par exemple, pour des capteurs en silicium amorphe, le rendement étant environ trois fois plus faible qu’avec du silicium monocristallin, la surface de captation sera trois fois plus grande pour le méme nombre de We. 2.13. RESEAU DE CARACTERISTIQUES, INFLUENCE DE L'IRRADIANCE La caractéristique I-V donnée sur la figure 9 est obtenue pour l'irradiance de référence (1 kWe?, AM 1,5) et a une. température de 25 C. Irradiance et température de cellule vont modifier cette caractéristique, non dans sa forme générale, mais pour les valeurs Ice , Veo et le produit ImVm. La figure 14 présente le réseau de courbes I-V obtenues pour la cellule de la figure 9, pour diverses irradiances ©, la température étant maintenue,& 25 C. L’équation (1) précise que Ice (qui est pratiquement Ip}) décroft proportionnellement a ®, Le réseau de courbes de la figure 14 est obtenu & partir de I'équation (3) et de la construction de la figure 9, la courbe (a] se décalant vers les faibles valeurs du courant lorsque irradiance ® diminue. La courbe [b] n'est pas modifiée (courant d'obscurité de la jonction), I! en résulte une légere diminution de la tension de circuit ouvert Vcq lorsque ® diminue. Cette variation est logarithmique comme on peut le déduire de 'équation (3). En effet en circuit ouvert I= 0 et léquation (3) s'écrit: oF (T).®.$ =Iph= B(T).S.[ exp [7 .Veol - 1] @ 1 a’ (1) Vco= — Ln (——-@ 41} © ym em L’équation (6) rappelle également que la tension de circuit ouvert est indépendante de la surface $ de la cellule et n'est fonction que du matériau et du type de jonction considéré au travers des trois paramétres a’, 8" et’.___ Les courbes d'équipuissance (P=V I = Cre) sont représentées sur cette figure 14 et leur poini de tangence avec les caractéristiques I-V détermine le point de puissance maximale, tel A (Im. Vm) pour ® = 1 kWm-2. Pour ce point A I'impédance optimale sur laquelle doit étre fermée la cellule est Rop, telle que la pente de la droite OA soit I/Ropt- La figure 14 met en évidence un probléme de base concernant l'utilisation des cellules solaires : si irradiance © diminue, le point de puissance maximale se déplace sur la courbe AC (représentée en pointillés sur la figure 14). Si 'impédance n'est pas modifiée, pour une irradiance © de 200 W.m-?, le point de fonctionnement sera le point B (Ip, Vp). La puissance transférée & la charge Ip Vg sera en conséquence bien inférieure a celle disponible a cette irradiance (point C, puissance I' V). Pour extraire cette puissance I' V', 'impédance vue par la photopile doit étre supérieure & Ropt (droite OC). ° Vg Vv’ 05 vw Figure 141-16- 2.14 RESEAU DE CARACTERISTIQUES, INFLUENCE DE LA TEMPERATURE La température est un paramétre més important et souvent négligé dans le comportement des cellules photovoltaiques, Il faut garder & Vesprit que sur 100 % d'énergie incidente, une tres, faible proportion est réfléchie par la surface du capteur et environ 13 % est extraite sous forme d'énergie électrique. Fn conséquence c'est plus de 85 % de I'énergie incidente qui devra étre dissipée en chaleur. Ceci conduit sous rayonnement & une température de fonctionnement de la cellule qui peut étre relativement élevée si cette énergie non convertie en électricité n'est pas évacuée, En général elle est évacuée par convection naturelle de lair ambiant. Les propriétés électriques d'un semiconducteur sont trés sensibles & la température, et nous allons analyser comment cette température T de jonction intervient sur les caractéristiques Lv. La figure 15 montre I'influence de la température de jonction T sur la caractéristique d'une cellule photovoltaique de 100 mm de diamétre lorsque T varie de 0 85 C. ‘courant (A) 40 35 30 25 29 18 10 os 00 0.0 02 0.4 0.8 8 tension(V) Figure 15 On observe une augmentation du photocourant en raison principalement de la diminution de la largeur de la bande interdite Ez du matériau semiconducteur, ce qui permet d'utiliser un peu plus de photons de grande fongueur donde (cf fig. 3-c et fig.4). Cet augmentation du courant de court-circuit avec la température T est de l'ordre de 3.10°5 AK-! par cm? de cellule et sous les conditions de référence, soit une variation denviron 0,1 % par degré, En revanche, le courant de diode Ip (Vj) (courbe [b}, fig. 9) augmente trés rapidement avec la température, I! en résulte une diminution de la tension de circuit ouvert qui décale le point de puissance maximale vers les faibles tensions. Cette diminution est de ordre de 2 mV par degré. Ces deux processus conduisent aux courbes présentées sur la figure 15 : augmentation de la température de travail se traduit au total par une diminution de la puissancemaximale disponible, de l'ordre de 5.103 WK:! par cm? de cellule sous les conditions de référence, soit une variation d'environ 0,35 % par degré Ainsi une cellule pouvantdéivrer 1.3 W 20 C ne pouratfoumir que 0.9 W si ele éait amenée A travailler a 85 C, condition extréme de température pour encapsulation. Par ailleurs le déplacement du point de puissance maximale implique que limpédance de charge ait été modifige pour que Yon puisse extraire toute la puissance disponible. 2.15 FABRICATION DES CELLULES MONO ET MULTI-CRISTALLINES Nous ne donnerons ici que des notions générales et succintes concernant la fabrication ges photoples industrielles (les dls serontfoumis dans le chap 4). Le matériau de base étant un semiconducteur, son elaboration requir des techniques lourdes, f dans une premitre période (avant 1980 environ) ce sont les techniques lies au silicium et &'Télectronique qui ont 4:6 utilisées. Les cellules photovoltaiques étaient donc réalisées sur des disques de 5 ou 10 cm de diame identiques A ceux uliés en électronigue et microlectonique pour llaboraion des composants. Depuis, de tres gros efforts ont été entrepris pour développer un matériau spécifique, nécessitant une purification et une mise en forme moins poussées, et donc moins onéreux. Ainsi la plaquette de silicium monocristalline issue des techniques électroniques a été petit petit abandonnée au profit de substrats multicristallins qui conduisent aujourd'hui & des Tendements de conversion presque équivalents, du moins en ee qui conceme les cellules industrielles. On appelle produit plat 1a plaquette de silicium de départ sur laquelle va étre élaborée la cellule photovoltaique. dépst découpe des lingots diffusion des électrodes Figure 16 Cette plaquette est obtenue par découpe de lingots de silicium en général de type p, monocristallins done cylindriques, ou multicristallins (figure 16). Les lingots monocristallins sont obtenus par tirage d'un germe qui affleure un bain de silicium fondu, ce tirage se foisant sous atmosphere inerte, Les lingots multicristallins sont obtenus par recristallisation lente d'un bain de silicium fondu dans un creuset en graphite. Cette recristallisation qui commence par le fond du creuset est de type colonnaire et la découpe seffectue perpendiculairement au plan de croissance (figure 17), Les cellules multicristallines présentent donc des grains monocristallins continus depuis1-18 - Tom ae grain Figure 17 la face avant jusqu’a la face arridre de la plaquette et séparés par des joints de grain, Aprés découpe on effectue un polissage mécanique et chimique. Dans le cas des cellules monocristallines une texturisation de la face avant est possible. Lopération suivante est la diffusion d'impuretés de type n sur la face avant pour réaliser la jonction p-n. Cette diffusion se fait dans un four & haute température en présence d'un gaz porteur de limpureté correspondante, Les électrodes sur les faces avant et arritre étaient précédemment obtenues par Evaporation sous vide, Cette technique onéreuse et fastidieuse a été avantageusement remplacée par la sérigraphie : pour réaliser la grille face avant et le contact continu face arriére, une pate sérigraphique conductrice est étalée & travers un masque puis recuite. Des bandes métalliques étamées sont ensuites soudées par thermo-compression sur les bandes conductrices sérigraphiées et sur la face arriére. La demitre étape est le dépdt de la couche anti-reflet, Les cellules sont ensuite testées individuellement sous simulateur puis triées.3 - LES MODULES PHOTOVOLTAIQUES ET LES CHAMPS DE MODULES La tension générée par une cellule photovoltaique au silicium mono ou multicristallin, fonctionnant au point de puissance maximale sous I’éclairement de référence de 1 kWm"2, est de Vordre de 0,55 V et le courant est fonction de la surface de la cellule. Il convient donc de gzouper en série et paralléle des cellules élémentaires pour adapter tension et courant en fonction des contraintes de la charge & alimenter. Il est important de noter dés & présent que Ia caractéristique courant tension d'un groupement de cellules photovoltaiques, quelles qu’elles soient, sera directement homothétique de la courbe I-V d'une cellule de base. Il en sera de méme pour tout le réseau de caractéristiques. En conséquence, tout ce qui a été dit pour une cellule individuelle restera valable pour un groupement. 3.1 LE MODULE ET LE GROUPEMENT DE CELLULES EN SERIE La tension générée par une cellule étant tes faible, il faudra dans la majorité des cas associer en série un certain nombre de cellules pour obtenit des tensions compatibles avec les charges A alimenter. C'est ce qui est réalisé dans un module photovoltaique , ol les cellules sont positionnées sous forme d'une guirlande dont les deux extrémités sont ramenées vers une boite de connexion, Les électrodes supérieures d'une cellule sont connectées & la face arrigre de la cellule suivante. La figure 18-a donne le schéma d'un module fermé sur sa résistance optimale R’. fa) (b) Figure 181-20- On constate immédiatement sur cette figure, correspondant & la mise en série de Ns ‘générateurs de courant, que le courant généré par les cellules est le méme dans toute la branche ainsi que dans la charge. Une premidre regle est donc quill ne faudra connecter en série que des cellules identiques. La figure 18-b présente la courbe de puissance (caractéristique courant- tension) du groupement ainsi réalisé. La courbe (1) est la caractéristique de lune des Ns cellules du groupement série. La caractéristique du groupement (G) est obtenue en multipliant point par point et pour un méme courant, la tension par Ng, Fermé sur l'impédance R’, le groupement série délivrera le courant I sous ‘la tension NsVi, chacune des Ng cellules générant ce courant I et la tension Vi. La construction graphique de la figure 18-b suppose que la connexion en série des cellules n'introduit pas de résistances parasites (série ou shunt) supplémentaires, L'impédance optimale pour le _groupement série est Ns fois plus grande que l'impédance optimale pour une cellule de base. 3.2 LE GROUPEMENT DE CELLULES OU MODULES EN PARALLELE Il est possible d'augmenter le courant fourni A une charge en plagant en paralléle plusieurs celles ou modules photovolaiques comme indiqué su la figure 19-2, Sur cete igure, les générateurs de courant représentent soit des cellules individuelles, soit des cellules en série (modules), soit des modules en série (branches). On constate dans ce cas que c'est la tension générée qui est la méme pour toutes les cellules (ou tous les modules ou toutes les branches). (a) (b) Figure 19 La deuxitme rdgle est donc qui ne faudra connecter en paralléle que des cellules (ou des modules, ou des branches) identiques. La figure 19-b présente la courbe de puissance résultante (G) pour le groupement paralléle considéré. Cette courbe est obtenue en multipliant point par pain par Np (nombre dleéments en parallele) et pour chaque valeur de la tension, le courant de la courbe (1) correspondant & une cellule élémentaire. Fermé sur une résistance R", le groupement paralléte délivrera le courant Npli sous la tension V, chacune des Np branches en paralléle générant le courant Ij. La onstruction graphique de la figure 19-b suppose que la connexion en paralléle n‘introduit pas de résistances parasites (série ou shunt) supplémentaires, L'impédance optimale pour le groupement paralléle est Np fois plus faible que limpédance optimale pour une branche.1-21 3.3 L'ENCAPSULATION DES MODULES Les cellules photovoltaiques sont généralement mises en série dans des modules dont les tailles peuvent étre ts variables. Ces modules sont les éléments de base du panneau photovoliague et pour les applications de puissance ces moxiules sont de quelques dizaines de . La taille d'un module a été en effet volontairement limitée car pour des raisons pratiques ce module doit pouvoir étre facilement manipulé par une seule personne sur le terrain, encapsulation des cellules & I'intérieur d'un module a deux réles principaux : protection des céllules contre la corrosion et leur maintien dans une structure le, = le contréle de la température des jonction via un équilibre thermique entre le matériau semiconducteur et lair ambiant au travers du matériau d'encapsulation, Plusieurs techniques d'encapsulation ont été utilisées durant la demnidre décennie : enrobage résine transparente, encapsulation bi-verre, encapsulation verre-matériau organique (Tedlar), verre-métal etc..., avec ou sans structure métallique auto portante. Il est facile de concevoir que la qualité de cette encapsulation déterminera directement la durée de vie des modules photovoltaiques. Dans l'espace, le vieillissement des panneaux solaires est essentiellement lié au rayonnement cosmique perturbant le matériau semiconducteur ou éventuellement aux fortes contraintes thermiques subies. i l'on excepte le cas des chocs, commun aux conditions spatiales et terrestres, les dégradations des cellules au sol sont plus directement une conséquence de la dégradation de Vencapsulation. On commence & avoir un recul suffisant pour porter un jugement sur les diverses techniques d'encapsulation mentionnées ci-dessus. Au travers d'une enquéte sous forme de questionnaire auprés des utilisateurs et des concepteurs (en particulier dans les projets pilotes européens), la Commission des Communautés Européennes est en train d'élaborer un Tapport sur ce sujet. Les conclusions générales sont les suivantes : = toutes les encapsulations dont la face avant est en matériau organique ont é1é abandonnées : délamination, modification chimique du matériau sous Ia chaleur et le Tayonnement conduisant 2 une coloration et opacification partielle, abrasion pat les vents de sable, détérioration par les micro-organismes etc... Ce type d'encapsulation n'est conservé que pour ies petites applications mobiles (légereté), - les encapsulation avec face avant en verre sont reconnues comme les plus sires. Il a 416 proposé des verres & surface texturée (Iéger granité en surface du verre pour augmenter la collecte du rayonnement diffus et la collecte aux grand angles d'incidence). L'inconvénient est cependant un piegeage important des pousires et une dificult & auto netoyage parla pluie. = les solutions retenues pour la face arriére sont le verre et le Tedlar avec une préférence pour le verre, bien que 'encapsulation bi-verre conduise & un module plus lourd, - le matériau intermédiaire dans lequel est noyée la guirlande de cellules est en général de VE, V. A, matériau organique transparent et relativement stable, ~ la structure métallique auto-portante permet un montage rapide des modules. Elle est en général en aluminium anodisé, les trous de fixation étant prévus en usine. Un joint latéral assure I'étanchéité et une protection mécanique (figure 20).1-22- san ou eat ‘structure en aluminium ancdiaé Figure 20 = les boitiers de connexion électrique sont en général fixés sous les modules au point de sonic des deux fils (+) et (-) de la série de cellules. La connexion vers d'autres modules se fait & Taide de cosses identiques & celles utilisées dans l'industrie automobile, et le cable de liaison sort du bottier par un presse-étoupe. Ces boitiers sont un point critique du module car un lieu de prédilection pour accumulation de poussidres, insectes et surtout humidité, Cette humidité peut remonter via le gainage des cables internes au module jusqu'd la cellule et entrainer la corrosion des contacts ou de encapsulant, L'expérience montre qu'une étanchéité complete de ces boitiers n'est pas souhaitable et qu'un orifice de "respiration" doit étre ménagé au bas de la botte. La regle de montage est done un enrobage par de la graisse silicone de tous les points sensibles & Vintérieur du boitier de connexion. 3.4 LE TEST DES MODULES Tous les modules sont testés en usine sous simulateur de rayonnement, et peuvent étre classés en familles, Le client peit demander & ce que les modules satisfassent & une limite en dispersion pour un certain nombre de parametres (Ice, Veo, Pmaxs €te.. Par ailleurs, 1a majeure partie des modules du marché ont subi un certain nombre de tests dendurance permettant de leur attribuer une norme de qualité. Les tests retenus par la Commission Electrotechnique Internationale (C.E.I.) sont effectués par des laboratoires indépendants sur des modules prélevés en production. Iis sont les suivants : - inspection visuelle. = vérification de T'solation électrique (entre les cellules et armature). = tracé de caractéristique du module sous simulateur dans les conditions de ré‘érence, - tracé de la caractéristique du module sous simulateur & la température de travail annoncée par le constructeur (en anglais NOCT : Normal Operating Cell Temrcrature). Cette température effective de fonctionnement est mesurée. pour une encapsulation donnée sous des conditions de rayonnement et de convection de lair définies dans les normes. = tracé de la caractéristique du module sous simulateur & faible irradiance. = test de la sensiblité du module & des occultations éventuelles (en anglais hot spor). Ces occultations accidentelles peuvent en effet induire des élévations locales de la température dangereuses pour les cellules et l'encapsulation, Ce point sera traité dans un paragraphe ultérieur, = mesure de la résistance mécanique des fils de connexion. mesure de la charge mécanique que peut supporter le centre du module, = évaluation de la tenue du module & une torsion de la structure métallique auto-portante. - étude de la tenue & impact (graviers, grélons, etc...).1.23 - - étude de la tenue & des cycles de température. + étude de la tenue A humidité et au givre, + analyse de la résistance 4 un stockage prolongé a haute température en atmosphére humide et sous ultra-violet. - étude de la corrosion en milieu agressif (brouillard salin). Une normalisation de tous ces tests est en cours; elle est effectuée par les groupes de travail de la C.E.I. Il est probable que suivant les applications souhaitées, tous les types de modules ne passeront pas la totalité de ces tests. La catégorie supérieure correspondra A des modules capables de supporter pendant plus de vingt ans des environnements extrémement séveres, 3.5 LE PANNEAU PHOTOVOLTAIQUE ET LE CHAMP DE MODULES La puissance des modules disponibles sur le marché s'échelonne de quelques We quelques dizaines de We. Pour obtenir des puissances supérieures, il est nécessaire d'associer en série et en paralldle plusieurs modules. Nous avons vu que la caractéristique I-V d'un module de base (association en série de cellules individuelles) est une courbe se déduisant théoriquement de la courbe d'une cellule élémentaire par simple changement d'échelle sur 'axe des abcisses (cf figure 18). Une association série-paralléle de modules photovoltaiques aura de méme une caractéristique I-V théorique semblable a la courbe du module de base, et obtenue en modifiant les échelles sur les deux axes. Il est évident que, de méme que pour les cellules, i! ne fauira associer gn serie paralele que des modules identiques , La figre 21 présente un tl ‘groupement de Nmg modules en série dans une branche, et Nbp branches en paralléle. Si Pr est la puissance créte disponible sur un module, la puissance. disponible aux bornes de ce panneau photovoltaique sera Nms Nop Pm dans le cas idéal oi tous les modules ont des caractéristiques électriques rigoureusement identiques. (+) bp Figure 21 Cette puissance pourra étre obtenue sous les conditions de référence (1 kWm? et 25C) sur la charge optimale du groupement Ropig tele que :1624- Roptg= (Nms/Nbp) - Roptm lt Ropum est la charge optimale du module de base dans les mémes conditions. Tout ce qui a été dit pour une cellule éémentaire, concernant son comportement avec irradiance et la température ou Iinfluence des résistances série et shunt, ou concernant son intéraction avec la charge, est directement transposable au cas du groupement. Le point de fonctionnement du panneau est déterminé par la valeur de l'impédance de la charge (au sens large du terme) qu'il alimente. Dans Ia pratique, les modules photovoltaiques d'un panneau ne sont jamais Tigoureusement identiques dune part, et Gauxe part des déséquilibres peuvent survenit, ‘générés par exemple par des occultations parasites de certaines cellules. Il en résulte une perte de puissance et des risques de dégradation pour les cellules. fl a été proposé des connexions supplémentaires (appelées “lignes d'équilibrage") correspondant & des liaisons telles que .X sur la figure 21, ainsi que l'introduction de diodes de protection. Nous présenterons les problémes associés et la validité de ces protections dans un prochain paragraphe. 3.6 LES DESEQUILIBRES DANS LES GROUPEMENTS DE CELLULES Dans les paragraphes précédents traitant des groupements, il a été supposé que les caractéristiques [-V des cellules, puis des modules étaient rigoureusement identiques vis a vis, de lirradiance © et de la température T. Ces conditions idéales ne sont jamais atteintes, et malgré un tri sévére i existe toujours une dispersion de ces caractéristiques. Il est alors nécessaire d'analyser l'incidence de cette dispersion sur les propriétés d'un module, ainsi que influence d'occultations parasites sur le fonctionnement d'un panneau. Les problémes rencontrés sont liés au fait qu'une cellule peut étre amenée & travailler en récepteur électrique au lieu de générer de Iénerge, Ele aura alors &dissiper cette énergie eectrique qui va sajouter& énergie du rayonnement solaire puisque cette cellule ne travaillera pas en convertisseur. Des risques d'échauffement puis de dégradation sont alors & redouter. Pour définir les protections que l'on peut introduire dans un champ de modules il convient de bien comprendre les phénoménes misen jeu. 3:6-Lla cellule photovoltaique récepteur électrique La figure 22 montre la caractéristique I-V d'une cellule sous illumination pour tous les domaines de tension et de courant. Cela revient a tracer la caractéristique I-V de la cellule illuminge et polarisée a 'aide d'un générateur de tension extérieur. Le quadrant 1 correspond au fonctionnement normal en générateur (1>0,V>0). Si la tension aux bores de la cellule est, en raison du circuit extérieur, amende & dépasser Veo (quadrant 2), la cellule travaillera en récepteur d énergie électrique en polarité directe (sens passant de la jonction p-n) (I<0, V>0). Si le point de fonctionnement sur la caractéristique se trouve dans le quadrant 4, la cellule va également travailler en récepteur (I>0,V<0) mais cette fois en polarité inverse pour la jonction p-n. Ilest & noter qu'en raison de la résistance série Rs, la jonction rest polarisée en inverse qu’a partir du point A pour lequel Vj =0 soit V = Rg I (cf schéma équivalent, fig.10). En polarité inverse, la caractéristique I-V de la cellule présente un coude correspondant & un effet davalanche (augmentation brutale du courant) vers des tensions voisines de,30 V pour le silicium monocristallin,1-25 - Courant tension Figure 22 En résumé si /a cellule est forcée a travailler dans les quadrants 2 ou 4 elle sera réceptrice et non génératrice d énergie électrique. Nous allons raisonner tout d'abord sur deux cellules en série, dont l'une est moins performante (ou moins illuminée) que l'autre. La figure 23 montre la courbe résultante du groupement formé par ces deux cellules en série, Figure 23 Les courbes ont été déformées pour plus de clarté. La courbe 1 correspond & la cellule la blus performante et a cellule 2a la cellule a pls fable, Le courant éuant J meme dans les deux cellules, il suffitd'additionner les tensions. Pour une charge dont limpédance correspond & la droite L, la cellule 2 n'intervient plus (elle n'est ni génératrice ni réceptrice). Pour une impédance de charge plus faible, la cellule 2 devient réceptrice en polarité inverse, et pour une charge nulle (court-circuit) les deux tensions aux bornes des cellules sont identiques mais de polarité opposée. La cellule 1 fournit de V'énergie & la cellule 2 (figure 24-2)1-26- Figure 24 Il est rds facile d'extrapoler ce qui vient d’étre dit A un nombre Ns de cellules en série. La figure 25 présente la construction correspondant au cas de N,-1 cellules identiques (1) en série avec une cellule moins performante (2). Pour une impédance inférieure a celle correspondant & la droite L, la cellule 2 passe en récepteur. Pour une charge nulle cette cellule supporte une tension e:t polarité inverse égale a (Ng-1) VI (figure 24-b) et passe pratiquement le courant de court-circuit du groupement (courbe R). On constate que dans ces conditions le courant de court-circuit de l'ensemble est inférieur au courant de court-circuit des cellules performantes. Ca Figure 25 En résumé, dans un groupement série, les déséquilibres sont d'autant plus critiques que ta charge prend des valeurs faibles, le cas le plus critique correspondant aux conditions de court circuit, Une cellule faible peut alors avoir & dissiper une puissance électrique telle que encapsulation ou la cellule subissent des dégradations. 3.6-3_protection par diodes dans un groupement série La tension supportée parla cellule travaillant en inverse peut étre trés élevée si plusieurs ‘modules sont connectés en série. Un solution est alors de la court-circuiter par une diode pour amener la tension & ses bomes & une valeur de quelques centaines de mV. Malheureusement, il serait trop onéreux de doubler toutes les cellules par une diode et la solution retenue est de protéger un certain nombre de cellules par une seule diode comme indiqué sur la figure 26. Dans lexemple de 1a figure 26, les diodes paralléles de protection ont été mises en paralléle sur chaque module dans la branche. Si une cellule est faible (ou occultée) dans un module (ici le module 2) ce module peut dans sa totalité se retrouver polarisé en inverse mais la tension totale aux bornes de ce module sera maintenue parla diode aux allentours de 0,6 V. A Tintérieur du module 2, la tension supportée par la cellule occultée sera limitée a la tension1.27- ‘maximale que pourront générer les aurescellules de ce module. Dans ces conditions, te courant I dans les modules non perturbés (1,3, etc...) sera égal A Id + Im, Iq étant le courant dans la diode et Im2 le courant dans le module déséquilibré. En général le courant total généré est inférieur & celui attendu, et il en est de méme pour la tension de la branche en question, ir _ => =} — module 4 module 2 module 3 © © ©+— OO © Figure 26 Ce probleme de la protection par diodes paralldles est tr8s complexe, et en Iétat actuel des choses le nombre de cellules & protéger par une seule diode n'est pas correctement défini. Les constructeurs estiment par précaution qu'il faut moins de 10 a 20 cellules par diode, et en conséquence des diodes sur des connexions intermédiaires sont prévues dans les boitiers des modules, Le dimensionnement de ces diodes est tel qu’elles doivent pouvoir dériver la totalité du courant de la branche en cas de nécessité. En fonctionnement normal, ces diodes de protection sont continuellement soumises une tension inverse égale & la tension de travail du module. Elles doivent étre choisies en cconséquence, et une baisse anormale de tension dans une branche peut étre le signe, soit d'un déséquilibre dans un module et de la mise en fonctionnement normal de ces diodes paralléles (appelées diodes “by-pass” en anglais), soit de la défaillance d'une de ces diodes qui stest mise en court-circuit De méme que pour les groupements série, nous allons‘raisonner tout d'abord sur deux cellules en paralléle, dont l'une est moins performante (ou moins illuminée) que l'autre. La figure 27 donne la courbe résultante du. groupement formé par ces deux cellules en paralléle. Les courbes ont ici encore &té déformées pour plus de clarté. Figure 271-28- est cette fois la tension qui est commune aux deux cellules, et il faut done additionner tes courans, Pour une charge dont Timpédance comespond la pente de a droite La cellule 2 ne produit aucun courant. Pour une impédance plus élevée, la cellule 2 passe en récepteur en polarité directe, et pour une charge infinie (circuit ouvert) la cellule 1 débite le courant Ij dans la cellule 2 (figure 28-a). Figure 28 De méme que dans le cas préeédent on peut extrapolerau cas de Np cellules (ou ‘modules ou branches) en paralléle. La figure 29 donne la construction corresponidant au cas de Np-I éléments identiques (1) connectés en paralléle sur un élément moins performant (2). Pour une impédance de charge supérieure a celle correspondaant d la pente de la droite L, la cellule (ou le module, ou la branche) 2 passe en récepteur. En condition de circuit ouvert 'élément 2 doit débiter un courant (Np-1). II &la tension Veo (figure 28-b). Dans ce cas c'est la tension de circuit ouvert de ensemble qui est inférieure & la tension de circuit ouvert des éléments performants. Figure 29 En réswné, dans un groupement paralléle, les déséquilibres sont d'autant plus critiques que la charge prend des valeurs élevées, le cas le plus critique correspondant aux conditions de1-29. circuit ouvert. Ici encore, une cellule (qui reste élément de base de la branche quelle que soit sa taille) peut avoir & dissiper une puissance électrique telle que encapsulation ou la cellule subissent des dégradations. 3.6:5_protection par diodes dans un groupement paralléle Pour éviter qu'un ensemble de cellules connectées en série ne soit amené a recevoir de énergie électrique d'autres branches mises en paralléle, il faut installer dans chacune de ces branches des diodes série comme indiqué sur la figure 30. Les diodes paralléles étudiées précédemment sont également représentées. © diode série diode paraliaie © Figure 30 En fonctionnement normal, ces diodes série vont supporter le courant débité par la branche et vont induire une chute de tension de 0,6 3 07 V. Il est alors évident que cette chute de tension doit étre négligeable devant la tension générée par la branche. Dans le cas d'un branchement en paralléle de cellules élémentaires, T'introduction de ces diodes, dites diodes anti-retour, n’aurait aucun sens car la chute de tension des diodes de protection compenserait la tension générée par les cellules. Ta souvent été dit que le réle de ces diodes série était déviter une décharge des batteries dans le réseau de cellules durant la nuit En faltce courant de fuite est ts faible et la perte d'énergie correspondante est inférieure & la perte d'énergie durant le jour dans ces méme diodes, Toutefois il est impératif de conserver ces diodes car leur role esséntiel est la protection, contre les déséquilibres comme on vient de le voir. Le cablage de la figure 30 est le plus courant & 'heure actuelle, Dans certains montages plusieurs branches sont regroupées pour une seule diode série comme indiqué sur la figure 31 (ici 3 pour une diode).1-30- série * | «x module a Figure 31 diode parallale Figure 32 La diode série doit alors étre dimensionnée pour supporter la somme des courants de ces, 3 branches, mais on constate alors que les branches en question ne sont plus protégées contre les déséquilibres, deux branches pouvant débiter dans la troisidme. Si Yon considére les lignes dites "d'équilibrage” (A,B...X) mentionnées sur la figure 21, on constate quielles introduisent des groupements parailéles de modules sans protection par diodes (cf figure 32), Les quatre modules performants de la deuxidme rangée peuvent débiterale dans le cinquiéme module si ce dernier est moins performant. En conséquence, ces lignes dites "d’équilibrage”, qui conduisent essentiellement a une augmentation de la complexité du cablage, n'apportent aucune amélioration et peuvent méme induire de nouveaux déséquilibres. Elles sont déconseillées. Le soin apporté au cablage d'un réseau de modules photovoltaiques est primordial pour sa durée de vie, et nous allons préciser dans le paragraphe suivant les impératifs liés & Vinstallation sur site d'un champ de modules. 3.7 INSTALLATION SUR SITE D'UN CHAMP DE MODULES Lexpérience de ces dix derniéres années permet de défini élémentaires : = la structure porteuse métallique ne doit pas présenter de couple électrique avec le métal du module, + ne pas repercer cette structure, car lendommagement de la couche de protection serait tune voie ouverte & la corrosion, = tenir compte des dilatations induites par les fortes variations de température, = éviter toute occultation parasite d'une partie du champ de modules, - remplir les boites de connexion de graisse silicone protectrice, + attacher les cables électriques aux structures métalliques, + protéger le réseau photovoltaique des surtension induites pouvant étre occasionnées par des coups indirects de foudre, = protéger le champ des dégradations pouvant étre causées par les animaux. un certain nombre de regles 3.8 TEST D'UN CHAMP DE MODULES Le test d'un champ de modules est une opération délicate si on veut leffectuer avec précision, Des procédures de test ont été mises au point par la C.E.l. et nous résumons. ci- dessous les points critiques. Nous avons introduit au début de ce cours la notion de conditions de référence : (irradiance ® = 1 kWm’, distribution spectrale de référence (AM 1,5) et température de Jonction T = 25 C). Ces conditions ne sont jamais atteintes simultanément sur le site, ct il faudra donc extrapoler les mesures expérimentales aux conditions de référence si l'on veut faire des comparaisons valables. Ce sont ces procédures qui ont été normalisées. est recommandé d'opérer & un irradiance supérieure 4 700 Wn, le ciel étant dégagé pour que les conditions névoluent que trés lentement, La mesure de I'irradiance nécessite un pyranométre ou un module de référence préalablement étalonné, mais il faut savoir que ces deux ‘capteurs pourront donner des indications différentes si l'on s'éloigne par trop des conditions spectrales de référence. La température du champ de modules peut étre prises sur la face arridre des modules ‘mais il faut noter également que la température enregistrée est inférieure & celle des jonctions de 1A degrés, Par ailleurs une grande dispersion dans la Valeur de cette température peut exister sur les champs photovoltatques de grande surface. La caractéristique I-V est tracée 4 'aide d'une charge variable électronique, le syst#me le plus performant étant une charge de capacité ob l'on échantillonne courant et tension.1-32- 4-LES SYSTEMES PHOTOVOLTAIQUES Un systéme photovoltaique est constitué du générateur, tel que défini précédemment, et des charges & alimenter. Ces charges sont de type courant continu ou courant alternatf. Les diverses composantes d'un systéme photovoltaique sont représentées symboliquement sur la figure 33, et cette représentation synoptique recouvre & peu prés tous les cas de figure, mais il est bien certain qu'un systéme photovoltaique ne comporte en général qu'un certain nombre des éléments représentés ici. Dans la suite de cet exposé nous nommerons chaque configuration par une suite de chiffres (par exemple [1,2,3] si le syst&me comporte un champ de modules, un stockage et des charges de type continu). Figure 33 Les capteurs photovottalques [1] peuvent étre fixes ou orientables. Une orientation manuelle des panneaux plans n'est envisageable que si elle est uniquement saisonniére (3 ou 4 fois par an pour rattraper la hauteur du soleil au-dessus de I'horizon), et une telle opération ne se justifie que pour les régions septentrionales. Dans le cas des systtmes & concentration, le suivi du soleil est obligatoire. De tels systtmes nécessitent d'une part une composante faible de la composante diffuse du rayonnement, done ne sont pas utilisables dans certains pays oi le ciel est tres souvent fortement voilé en raison d'un tes fort taux d’hygrométrie, et nécessitent dautre part un mouvement mécanique commandé par électronique. L'environnement climatique devient alors tun facteur important pour le choix de la concentration, Les techniques et les problémes associés seront tratés dans le Chapitre 7. 4.1 LES SYSTEMES A COUPLAGE DIRECT Crest tres certainement la chaine 1a plus’simple et 1a plus fiable des systémes photovoitaiques (configuration (1,2). La charge continue est alimentée directement par le champ de modules “au fil du soleil”. Aucune batterie ne fixant la tension de travail c'est Vimpédance de la charge qui comme vu précédemment va fixer le point de travail. Il faut done effectuer adaptation de la. charge au groupement de modules considéré, Cette configuration est1.33 en général utilisée avec des moteurs & courant continu, et pour extraire au mieux, dans toutes les conditions dirradiance, I’énergie disponible aux bornes des modules, un certain nombre de jons doivent étre satisfaites par le groupe électromécanique pour que le point de fonctionnement reste, quelle que soit l'rradiance, sur la courbe des points de puissance maximale (cf courbe AC en pointillés sur la figure 14). La théorie correspondante est développée au Chapitre 9 et dans les ouvrages donnés en référence. ____ On démontre que parmi les'divers moteurs & courant continu, seuls les moteurs a aimants permanents et les moteurs série sont susceptibles de conduire & des performances ccorrectes de la chaine complete. Le moteur shunt ne peut étre retenu, En ce qui conceme les charges mécaniques, seules celles de type centrifuge peuvent étre alimentées en couplage direct: elles correspondent aux courbes 1 et 2 sur la figure 34 qui donne un exemple de couple T en fonction de la vitese de rotation N. Ceci exclut done toutes les applications od le couple résistant est pratiquement constant avec la vitesse de rotation (compresseurs, pompes & piston, etc....), (courbe 3, fig. 34). Figure 34 application 1a plus courante du couplage direct est le pompage de l'eau : moteurs série ‘ou A aimants permanents en surface, et pompe centrifuge immergée. La courbe de fonctionnement d'un tel groupe est donnée sur la figure 35. La caractéristique O-S-D-T-U-V de la figure 35 est une courbe courant-tension propre au fonctionnement de la partie moteur - groupe mécanique et est indépendante du groupement photovoltaique. Le point de fonctionnement de ensemble sous une irradiance ® est obtenu par Vintersection, dans le diagramme courant-tension, de la courbe I = f(V) de l'ensemble moteur ‘charge mécanique et de la courbe I = f(V) du groupement de modules & cette irradiance . Cette demiére courbe peut étre définie indépendamment du reste de la chaine, et le groupement série- saralléle choisi en conséquence pour une bonne adaptation. On constate sur la figure 35 que la la courbe de fonctionnement peut s‘adapter parfaitement aux points de puissance maximale du groupement lorsque l'ensemble a été correctement anslysé. Si I'srradiance varie, le point de fonctionnement se déplace sur la courbe T-U-V. 1 faut considérer toutefois le probleme du démarrage de tels systtmes autonomes, Sur générateur électrique & tension constante, tout type de moteur continu nécessite une procédure spécile de démarrage desing mir le courant dans ls bobinages, Dans leas du couplage direct, cette limitation est automatiquement réalisée car limpédance du moteur étant trés faible au démarrage, le groupement fonctionne en générateur de courant.1-34 0 ae 30 ao e588 vv) Figure 35 $i le moteur ne tourne pas (faible irradiance), il n'existe aucune f.c.e.m. et le panneau est fermé sur une impédance ts faible (droite O-S-W, fig. 35); le courant est limité pour chaque valeur de l'irradiance. Si cette irradiance est trop faible, le moteur ne tourne pas et le point de fonctionnement suit la droite O-S. Au point S, le courant produit par le panneau peut générer le couple de démarrage. Au-del’ du point S le moteur commence a tourner (D) et il apparait une f.c.e.m, proportionnelle & la vitesse de rotation. Le point T est rapidement ateint et le fonctionnement se fait le long de la courbe T-U-V, pour des irradiances variables, sans aucune inertie, Il apparait en général lors de Varrét un effet dhystérésis (A) comme le monte la figure 35. Dans ces systémes & couplage direct "au fil du soleil” aucune procédure spéciale de démarrage ou d'arrét n'est nécessaire, conférant ainsi une autonomie complate au systéme. Le terme couplage direct est réservé & la configuration [1,2] telle que décrite ci-dessus. Toutes les autres configuration font intervenir électronique et/ou stockage. Elles seront analysées dans d'autres parties du cours et nous nous bornerons & en faire ici une présentation & peu pres exhaustive, 4.2. SYSTEMES "AU FIL DU SOLEIL" UTILISANT DES CONVERTISSEURS Ils font intervenir des convertisseurs de type courant continu / courant continu (C.C/C.C.) ou courant continu / courant alternatif (C.C/C.A.); ces systémes correspondent Fespectivement aux configurations (1,4,2) et (1,5,6]. Les convertisseurs C.C/C.C. sont des circuits électroniques permettant de suivre le point de puissance maximale du groupement de modules photovoltaiques et donc dadapter & chaque instant limpédance vue par les modules. Ce sont des hacheurs et l'énergie est transmise ala charge sous forme découpée.1.35- Les convertisseurs C.C/C.A. utilisés “au fil du soleil” sont des circuits électroniques permettant également de suivre le point de puissance maximale et fonctionnant & fréquence variable. Ils sont principalement utilisés en pompage pour Ialimentation des moteurs immergés. 4.3 SYSTEMES AVEC STOCKAGE est la configuration la plus courante: [1,2,3] si les charges sont de type continu, ou [1,3,5,6] si les charges sont de type alternatif. Lorsque toutes les charges fonctionnent en alternatif le convertisseur C.C/C/A. est central et de type 220 V- 50 Hz. On peut cependant trouver des installations od ies charges sont en continu et seulement quelques applications en alternatif. Cest le cas de l'éclairage par tubes luminescents od chaque tube posséde sont petit convertisseur fonetionnant & quelques dizaines de kHz. Le fonctionnement sur batterie sera détaillé ultérieurement, mais on peut noter les deux points essentiels : le stockage définit la tension de travail qui évolue donc en fonction de l'état de charge de la batterie, et une bonne gestion de I'énergie implique l'utilisation d'un circuit Glectronique de régulation (cf figure 33). 4.4 SYSTEMES D'APPOINT Pour éviter de surdimensionner le convertisseur photovoltaique, ce qui est nécessaire si Ton veut satisfaitre avec la seule énergie solaire la demande énergétique pendant les périodes de plus faible irradiation, on introduit dans le systéme des générateurs auxiliaires qui niinterviennent qu‘en cas de besoin, Ces générateurs peuvent étre de type continu (cf fig.33), et lorsqu'ils sont activés par le systéme de gestion de l'énergie (régulateur) ils chargent alors sJirectement les batteries et, en parallale sur la source photovoltaique, alimentent les charges (configuration [1,2,3,7}). lls peuvent également prendre la reléve de l'alimentation du convertisseur C.C/C.A.. s'il existe et siles batteries déchargées ont été déconnectées par la régulation [1,2,3,5,6.7]. Ces générateurs auxiliaires peuvent étre également installés du cété alternatif od ils alimentent directement les charges en cas de nécessité. Si le convertisseur C.C/C.A. est réversible et peut fonctionner en redresseur il est possible également dans ce cas de recharger les batteries [1,3,5,6,8]. 4.5 LIAISON AU RESEAU DE DISTRIBUTION Pour les syst#mes suffisamment importants une connexion au réseau de distribution est envisageable (cf fig, 33). Elle conceme les installations avec convertisseur C.C/C.A. central ‘mono ou triphasé. Pendant les périodes de forte irradiation, le systéme photovoltaique injecte Ténergie produite excédentaire sur le réseau de distribution, et peut en extraire lorsqu'il est déficitaire. Un systeme de compteur double direction comptabilise les kWh extraits et fournis, Un certain nombre de contraintes technologiques sont associées & cette liaison, en particulier la qualité du signal électrique 220 V réinjecté sur le réseau. BIBLIOGRAPHIE Ouvrages en francais: a) A, LAUGIER et J.A. ROGER, "Les photopiles solaires” -Technique et documentation ,Ql QB) (4) (5) (6) (7) 1-36- 11 rue Lavoisier - Paris - (1981) Th FOGELMAN et R. MONTLOIN, “/nstllations photovltiques dans habitat isolé” - Edisuc R. BERNARD, M. MENGUY; M. SCHWARTZ ,"Le rayonnement solaire,Conver- sion et applications", Technique et documentation , 11 rue Lavoisier, Paris (1980) “Energie solaire, Conversion et applications” Cours de Cargese (Corse), Editions du CNRS (1978) Y. MARFAING, "Etude Physique des effets photovoltaiques dans les semiconducteurs” Cahiers de ! AFEDES n°2 M, RODOT et coll."Les matériawx pour photopiles solaires” , Revue de Physique Appliquée, 12- 1223 - (1977) "Des Warts pour la vie" Colloque Valbonne Sophia Anti la Maitrise de I'Energie, (1986) lis Agence Francaise pour En langue anglaise on pourra consulter les compte-rendus des Conférences Européennes _organisées par la CCE : "E.C, Photovoltaic Solar Energy Conférence" D. REIDEL Publ. Comp. - Dordrecht - Hollande, (Luxembourg 1977, Berlin 1979, Cannes 1980, Stresa 1982, Athénes 1983, Londres 1985, Séville 1986, Florence 1988, Freiburg 1989, Lisbonne 1991)CHAPITRE 2 - L'ENERGIE SOLAIRE : ENSOLEILLEMENT ET METEOROLOGIE Pierre RIVET PIRSEM-CNRS 1, - LE RAYONNEMENT SOLAIRE : GENERALITES. 1.1 - CONSTANTE SOLAIRE HORS ATMOSPHERE : 1,2 . REFERENTIELS UTILISES POUR DECRII APPARENT DU SOLEIL. 2. - RAYONNEMENT REC! PLANE AU VOISINAGE DU SOL . ROLE DE L'ATMOSPHERE - DIFFERENTES COMPOSANTES DE CE RAYONNEMENT 1_- RAYONNEMENT RECU AU SOL SUR UN PLAN HORIZONTAL (DONNEES ELEMENTAIRES SUR LES RESSOURCES DENERGIE SOLAIRE. DANS LE MONDE). 2.2_-DONNEES LATMOSPHERE ET LEURS INTERACTIONS AVEC LES. PHOTONS SOLAIRES... . 3. INTERAC’ SOLAIRE AVEC UN CORPS DENSE, SOLIDE OU LIQUIDE. 3.1 - RAYONNEMENT THERMODYNAMIQUE .. 3.2 - Y A T-IL UNE RELATION SIMPLE PHYSIQUE MACROSCOPIQUES D'UN CORPS ET LE RAYONNEMENT THERMODYNAMIQUE QUIL EMET ? eee CT DANS Ne 4 -EXTINCTION DU RAYONNE! TRAVERSEE DE L'ATMOSPHERE. SECTION EFFICACE - LOI DE BEER. 4.2. APPLICATION AUX INTERACTIONS PH 43 - DIFFUSION ET ABSORPTION PAR LES CONSTITUANTS A’ ‘SPHERIQUE: 5 - EXPLOITAT! SOLAIRE .. 5.1 « REPARTITION SPECTRALE AU NIVEAU DU SOL DES RAYON- NEMENTS DIRECT ET GLOBAL... 5.2 - ASPECTS ENERGETIQUES ‘AU NIVEAU DU SOL, DANS LE CAS DU CIEL CLAIR, SANS NUAGE! 6 - MESURES DU RAYONNEMENT AU SOL 6.1 - APPAREILS DE MESURE. 6.2 - UTILISATION DU SATELLI 6.3 - EXPLOITATION DES MESURES DU RAYO! DES PROCEDES DIRECTS OU INDIRECTS POUR LA MISE EN OEUVRE DE SYSTEMES SOLAIRE:2A 1, - LE RAYONNEMENT SOLAIRE : GENERALITES Le rayonnement électromagnétique émis par le soleil est la manifestation externe des interactions nucléaires qui se produisent au coeur du soleil et de l'ensemble des interactions secondaires qu'elles générent dans son envelope. Ce rayonnement constitue la quasi totalité de I'énergie expulsée par le soleil. Nous rappelons qu'un rayonnement électromagnétique a un double aspect ondulatoire et corpusculaire. Le corpuscule est le photon de masse nulle ; son énergie est relige & la fréquence ‘ow la longueur d'onde de Vonce associée par la formule : E = hv =he / Sa répartition spectrale (en longueurs d'onde) est assez simple puisqu’elle est a peu prés celle d'un corps noir 8 5 700 K. (voir.§3.2.) La figure 1 donne allure du spectre. (flux de puissance en fonction de la longueur d'onde en microns), Le tableau 1 donne la puissance du flux en watt m? um! pour les tongueurs d’onde allant de 0,2. 4 microns. (colonne P,) ainsi que l'intégrale de ce spectre, exprimée en % de la puissance totale, de 0 la longueur d'onde A (colonne D,,). -8 % de la puissance se situe dans Ultra Violet (0,2-0,4 um) -48 % de la puissance dans le spectre visible (0,4-0,8 um) 37 % de la puissance dans le proche Infra Rouge (0,8-2 um) 1.1 - CONSTANTE SOLAIRE HORS ATMOSPHERE : 1,360 kW/m? Le rayonnement solaire est émis de maniére isotrope. Lorsqu'll parvient au niveau de la terre apres avoir parcouru une distance de 150 106 km, il est constitué de photons aux trajectoires & peu pres paralléles. La puissance de son flux est d'environ 1,360 Kw/m2, Ce flux, dit constante solaire, varie cependant légerement au cours de l'année, suivant les variations de la distance terre-soleil (+ 3%). Cest la puissance qu’on recevrait sur un écran plan ene i normal 4 la direction des photons, placé hors de l'atmosphére, par exemple sur un satellite, 1.2_- REFERENTIELS UTILISES POUR DECRIRE LE MOUVEMENT APPARENT DU SOLEIL On a souvent besoin de connaitre les propriétés du flux solaire en un lieu donné M de la terre & un instant donné de l'année, ‘On souhaite alors repérer A cet instant la direction du soleil dans un systeme de coordonnées locales lié au point M (vertical et plan horizontal du lieu ; hauteur h et azimuth a du soleil). Pour définir la situation respective soleil-terre & l'instant tj, évalué dans une échelle & définir, il faut tenir compte de deux mouvements, mouvement de la terre autour du soleil et rotation propre de la terre, Pour le probléme qui nous concerne, le repere le plus commode pour décrire les deux mouvements est un tiddre tirectangle, lié& la terre, dont lorigine O est au centre de la terre et2-1bis~ SPECTRE SOLAIRE (Hors aTmospxere ) Tye % OELA PussaNce 200k A << id flaw 1A | fu LP Th | 9,01 0.43 | 1639 | 12.47 || 0.70 | 1369 | 46.88 | ' i | 9.08 |) 0.44 | 1810 | 13,73 )| O72 114 | 43.88 0.24; 63 | 0.16 |! 0,48 , 2066 16.68 |) 0.80) 1107 | $6.02 \ ozs | 700 os |] oar | 2022 | war || 0.90 889 | 2.06 o26| 120 | 0.27]] 0.48 ea j 80) 100) ras | coe ee | 24.01 1,60 | 244 | 88.61 0.31 | 689 165 || 0,53 i 1842 | 26.74 |] 2.00 | 108 | 93.49 0.32 | 830 2.22 || 0.84! 1783 i 28.08 |} 2.20 | 79 | 94.83 0.33%) 1089 | 299 || 0.88 | 1725 | ao.98 || 240} 64, | 95.00 0.34] 1074 | ar2 eel 1895 | 30.65 |} 2.60] 48 96.67 o.as | 1093 | 4,52 oer ina | 31.01 || 2.80} 99 97.31 o.a6 | 1068 | 5.32|/ 0.58; 1718 | 33.18 || 3.00 | 21 97.83 0.37 | 1181 6.18 0.89 | 1700 | 34.44] 3.20 | 23 98.22 o.38| 120 | 7,00 aso | 1666 | ase 3.40 | 17 98.51 039! 1098 7.82 || 0.62 1 3802 | gato || 3.60; 13 | sa72 0.40 1 1429 ! 8.73 0.64 : 1844 | 40.42 3.80 ! " | 98.91 O.41 [- 1751 ' 9.92 0.66 1486 : 42.66 4.00 : 9 ' 99.06 0.42 1747 © raz |] 068 1427 4aay TABLEAU 11 rT | I, | 20 ih, | m | | 7 s . a A gu . 3 H ACone, compose tse: igie tre ; compare att cil eae i Perit 5 et. Bo ie * O02 G4 08 08 0 W U6 18 20 22 24 26 28 G0 32. Longueur donde (ym) Figure 1 Plan méridien Z(zénith) —_ Plande I’horizon Figure 223 axe Oz coincide avec Taxe Sud-Nord: Le plan Ony este plan de Iéquateur. Le cho de axe (Ox équivaut & celui d'un méridien origine arbitraire. Ici, par exemple, le plan méridien du point M, repéré lui-méme par sa latitude 2 . Lieffet du premier mouvement est alors caractérisé & instant t par la déclinaison 5 du soleil, qui varie au cours de l'année de -23°27' & +23° 27". (Pour étre plus précis, il faudrait introduire un deuxigme paramere, la distance terre-soleil, peu variable). L'effet de la rotation propre de la terre est mesuré par l'angle diédre du plan méridien de M et du plan méridien contenant le soleil (angle AH). L’échelle des temps est alors fixée : Cest le temps solaire local. Des formules de tigonométrie sphérique permettent de passer de X, Set AH Ahet a. Nous ne donnons que la plus utile : sinh = sin A sin 8 + cos A cos 8 cos AH. 2_- RAYONNEMENT RECU PAR UN ELEMENT DE SURFACE PLANE AU VOISINAGE DU SOL - ROLE DE L'ATMOSPHERE - DIFFERENTES COMPOSANTES DE CE RAYONNEMENT Liatmosphére qui entoure la terre perturbe grandement et par des processus variés le flux de photons issu du soleil. Elle est faite de constituants aux propriétés physiques diverses et dont, pour certains, la tencur varie plus ou moins vite au cours du temps. Nous ne recenserons que les plus importants et les plus actifs vis a vis du rayonnement solaire. + Rayonnement direct Une partie des photons solaires interagissent avec les constituants de l'atmosphére et sont extraits du flux initial, Parvenu en un point M aprés un certain parcours, le flux résiduel des photons qui n'ont pas interagi et ont conservé une direction commune et leurs énergies propres, forme la composante directe du rayonnement, Si lest 'intensité de ce rayonnement direct, un élément de plan dS dont la normale n fait un angle @ avec la direction des photons recoit un flux direct cos @ comme le montre la figure 3. Figure 3Rayonnement diffus Parmi les photons qui ont interagi, certains ont &é absorbés d'autres ont subi un simple changement de direction (diffusion). Au point M I'élément de plan dS regoit donc un ensemble de photons provenant de toute les parties de l'atmosphére vues par cet élément qui constituent tune composante diffuse D dont il est plus difficile de calculer lintensité Il faut en outre tenir compte, le cas échéant, du rayonnement diffusé par le sol et par les corps situés au voisinage-de élément, L’évaluation de son intensité ne peut étre faite que dans chaque cas particulier. L'usage est de lincorporer inplicitement dans le terme D. = Rayonnement global Le rayonnement global est la somme de composante directe et diffuse G=lcos@ +D 2 2.1 - RAYONNEMENT RECU AU SOL SUR UN PLAN HORIZONTAL (Données élémentaires sur’ les ressources d'énergie solaire dans le monde) En étudiant le cas d'une surface horizontale, on s'affranchit de la diffusion par le sol. Seule intervient l'action de l'atmosphére, On peut donc comparer plus aisément des sites ‘géographiques sur toute la terre. Le rayonnement global s'écrt alors : Gelsinh+D @) Le rayonnement direct regu au sol sur une surface horizontale est doublement affecté par Vinclinaison des rayons du soleil sur 'horizon. - Un facteur de réduction purement géométrique en sin h. - La croissance en 1/sin h (approximation valable pour h >-12°) de l'épaisseur de l'atmosphére traversée qui réduit elle aussi énergie disponible au sol. Cela explique en grande partie les différences constatées, méme en cas de ciel clair, sans nuages, entre le rayonnement regu dans les latitudes élevées, calottes Nord et Sud de la terre, et les basses latitudes, zones équatoriales et tropicales. Cela explique également les variations saisonnidres de ce rayonnement. A midi (en temps solaire vrai), au passage du soleil au méridien du lieu d'observation, moment ot I'angle h atteint son maximum pour des latitudes supérieures & celle du tropique (23° 27°). La hauteur du soleil varie, pour un point de !'hémisphere Nord'de latitude £ : = de 90°. £ -23°27' au solstice dhiver (23 dée.), = 2 90° £423°27' au solstice dété (21 juin). ce qui entraine une variation d'un facteur 3 environ pour le flux direct, sur une surface horizontale entre ces deux journées extrémes. Par ciel couvert la présence de nuages qui renvoient vers espace une grande partie du Tayonnement incident réduit encore beaucoup énergie disponible au sol. Cela a pour effet d'accroftre encore I'écart entre les régions de faibles latitudes ol le soleil brille fréquemment et les régions tempérés oi le climat est plus variable et les nuages plus abondants.2-5- + Irradiation Plutét que de s‘exprimer en puissance, on préfére souvent raisonner en énergie regue pendant tn intervalle de temps, heure, la journée ; on emploie alors le terme d'irradiation, horaire, quotidienne... Nous verrons plus loin qu'on manque sérieusement de données sur 'atmosphére pour catculer avec précision le rayonnement en un lieu donné et ses fluctuations. D'autre part les réseaux de ‘mesure au sol sont encore insuffisamment développés pour fournir des valeurs expérimentales déuallées. ‘A Féchelle du monde on ne peut fournir que des informations sur la moyenne annuelle de Tirradiation globale quotidienne sur un plan horizontal ou, avec moins de fabilité, sur un mois donné, Les cartes de la Figure 4 indiquent les contours des régions oi irradiation globale quotidienne horizontale, moyennées respectivement sur un an, le mois de janvier, et le mois de juillet, est supérieure & n kWh (n variant de 1 8 8). On note les lieux privilégiés (sur le plan solaire !) de la cOte ouest des Etats-Unis, de l'Afrique du Sahel, de 'Arabie, pour I'hémisphére Nord ; de zones désertiques au Nord du Pérov, en Afrique du Sud et en Australie pour I'hémisphére Sud. La plus grande partie de l'Afrique regoit, plus de 5 kWh par jour ; mats dans dans une petite zone, dans Vouest, au volsinage de Péquateur fe bilan est un peu inférieur, entre 4 et 5 kWh par jour, On observe sur les figures 4.2 et 4.3 les fluctuations saisonnigres importantes aux grandes et moyennes latitudes. L'Afrique du Nord regoit en janvier de 3 & 4 kWh /par jour, en juillet entre 7 et 8 kWh par jour. Soy = QE a IRRADIATION GLOBALE QUOTIDIENNE” on KWh.m”™ MOYENNE ANNUELLE + Moyennes annuelles du rayonnement solaire global au sol (kWh.m"* par jour). (Météo~ ‘ologie Fransaise). Figure 4-1IRRADIATION GLOBALE QUOTIDIENNIE en kWh.m'™ MOYENNE JANVIER Moyennes quotidiennes du rayonnement solaire global au sol en jancier (kW hm” * par jour) (Météorologie Francaise). Figure 4-2 AW Boy i LEY GEE DLE I IRRADIATION GLOBALE QUOTIDIENNE en kWh.mi™ MOYENNE JUILLET Moyennes quotidiennes du rayonnement solaire global av sol en juillet (kWh.m~? par jour). (Météorologie Francaise). Figure 4-327 2.2 -DONNEES GENERALES SUR LES CONSTITUANTS DE LATMOSPHERE ET LEURS INTERACTIONS AVEC LES PHOTONS Il y a deux classes de constituants atmosphériques : les gaz moléculaires et les agrégats macroscopiques solides ou liquides. Les éléments présents dans l'atmosphére se répartissent en couches & peu prés concentriques & la terre ; plus précisément leurs densités varient peu lorqu’on se déplace parallélement au sol ‘mais varient significativement en fonction de Yaltitude. ‘Une manigre d'évaluer leur population est de mesurer pour chacun d’eux la masse contenue dans un cylindre vertical de section unité, allant du sol a la limite supérieure de atmosphere. Liunité usuelle est le g/cm? ; cette unité est aussi utilisée dans un grand nombre de formules pratiques oi le cylindre droit comportera des orientations et des tongueurs variées. 2.2.1 - Gaz moléculaires: Les deux composants fondamentaux de l'air, oxygéne et azote, sont les plus stables et leur densité décroit exponentiellement avec laltitude en relation avec la pression. Leurs masses par ‘cm? sont respectivement de 242 g/cm? et 775 g/cm? Liozone, 03 est aussi relativement stable. (0,6 8 | mg/cm). Il se trouve dans la haute atmosphére entre 10 et 30 km d'altitude. A plus basse altitude on trouve : . du gaz carbonique, CO, en quantité assez constante, . de la vapeur d'eau de proportion variable dans le temps. Elle est concentrée dans les basses couches de l'atmosphare (50 % entre 0 et 2500 m ; 95 % entre 0 et 5000 m). Liinteraction des photons avec les gaz moléculaires reléve des deux types de processus physiques déja évoqués : = la diffusion (quasi-¢lastique) se traduit par une simple déviation du photon qui conserve son énergie (donc sa longueur d'onde) mais quitte le faisceau initial, absorption par la molécute du photon dont énergie est transmise, & ures peu pres, A 'énergic interne de la molecule, Selon ta physique quantique, l'énergie inteme de la molécule peut prendre une suite discrete de valeurs correspondant a des états carsctéristiques, repérables par un petit nombre de paramétres quantifis. Ici il s'agit des états de vibration et de rotation. L'éat stable est tat fondamental de la moléule, celui de pls fulble énerge, Pour que le photon pulse fare paser la moléeule & un Gtat de plus forte énergie, état “excite”, il faut que son énergie, soit trés proche de la différence énergie entre état excité et état fondamental. Ainsi seuls les photons de longueurs d'onde adéquaies seront absorbés et cette absorption se traduira dans le spectre des photons par des coupes formant des raies, ou des bandes lorsque les niveaux trés serrés finissent par créer un continuum. Le retour de 1a molécule & 'état fondamental emprunte des chemins variés, passant presque srement par des interactions avec les molécules voisines. Au terme de ces divers processus,énergie apportée par le photon a contribué & Ia croissance de la température de l'ensemble des sarticules présentes. 22.2. Aeréeats Les agrégats les plus visibles sont les goutelettes d'eau des nuages ou des brumes voisines du sol remplacées & haute altitude, par de petits cristaux de glace. L'expérience courante montre que leur présence en un liew donné, leurs formes, leurs densités obéissent & des lois mal mattrisées, faute de disposer chaque instant de toute l'information nécessaire. Pour Vobservateur terrestre leur formation apparait comme un phénoméne aléatoire que, faute de mieux, on waite par des méthodes statistiques. Diautres agrégats solides, auxquels on donne le nom collectif d'aérosols, sont dorigine naturelle, poussitres soulevées par le vent, rejets de volcans, etc... ou proviennent de lactivité humaine, fumées industrielles par exemple. Leurs compositions et leurs densités varient avec le temps et le lieu mais assez lentement (sauf exception : une pluie abondante "nettoie" le ciel en projetant au sol les particules solides les plus grosses). Leurs dimensions vont de quelques milliémes & plusieurs dizaines de im, leur population varie de 200 & 200 000/em3 au voisinage du sol et diminue assez vite en altitude avec une loi similaire & celle de la vapeur d'eau. Les mémes phénoménes physiques, diffusion, absorption, se retrouvent dans les interactions rayonnement-agrégats mais des effets collectifs se substituent en grande partie aux ‘comportements individuels des molécules des gaz. Sauf dans des cas particuliers - les semi- conducteurs par exemple ! - on peut se contenter d'utiliser globalement l'analyse ondulatoire plutét que l'approche quantique. Les deux faits les plus remarquables, qui ont d'importantes conséquences pratiques, sont les suivants : - les amas de goutelettes d'eau, nuages ou brumes, sont d'excellents diffuseurs du rayonnement solaire dans toute la partie visible du spectre. Tis jouent done un réle majeur dans laffaiblissement du rayonnement direct. Un nuage de faible épaisseur suffit & éteindre complétement cette composante directe, L'observation courante le met bien en évidence, elle permet aussi de distinguer deux types de situation extrémes : - les cas oft les nuages s'étalent en larges couches horizontales et occultent donc le rayonnement direct sur de grandes surfaces de sol et pour une longue durée, plusieurs heures & plusieurs jours. - les cas ob les nuages s’organisent en amas isolés les uns des autres ; leurs mouvements provoquent alors des fluctuations plus ou moins rapides du rayonnement direct au sol. Quoique de moindre effet, 'absorption par les nuages n'est pas négligeable. Elle s'exerce dans les bandes d'absorption des molécules d'eau. - Le réle des aérosols est moins spectaculaire que celui des nuages, mais dans les périodes de ciel clair, sans nuages, ils peuvent intercepter jusqu’a 10 % du rayonnement direct. Leur mode d'action est d'abord la diffusion, complétée par une faible absorption.2.9. 3 - INTERACTION DU RAYONNEMENT SOLAIRE AVEC UN CORPS DENSE, SOLIDE OU LIQUIDE Nous avons déja rencontré ce probléme dans l'atmosphére avec les aérosols et les goutelettes d'eau des nuages, puis dans la diffusion et l'absorption du rayonnement solaire par le sol. Il intervient aussi évidemment dans la captation de 'énergie solaire, Les effets collectifs prennent alors une grande importance et masquent souvent les interactions individuelles. Trés souvent une approche en termes d'ondes électromagnétiques suffit a décrire correctement les phénoménes sans qu'il soit nécessaire de descendre au niveau du photon. - ‘comme on le sait, les semi-conducteurs forment une exception qui a de trés interessantes conséquences, 3.1 - RAYONNEMENT THERMODYNAMIQUE Dans un systéme constitué de particules nombreuses en interactions entre elles, il y a en permanence des interactions de faible ampleur correspondant & d'infimes transitions entre états d'énergie, interactions dites thermiques. Un cas relativement simple & traiter est celui des gaz; les corps denses sont plus complexes et plus divers, mais leur comportement relévent de la méme théorie générale, ia thermodynamique statistique. Nous en extrayons une suite d'énoncés connus qui ouvrent la voie A l'exploitation d'un grand nombre de cas déchanges d'énergie par rayonnement. E 1; Dans un sysiéme isolé constitué d'un trés grand nombre d’éléments en interactions thermiques entre eux et sans aucune interaction avec lextérieur, l’énergie interne de chacun de ses éléments, s'é1ablit autour d'une valeur moyenne et s‘en écarte relativement peu au cours dit temps. Cette énergie moyenne définit la température du systéme. Cette température thermodynamique est relige linéairement & la température repérée empiriquement dans le passé. E 2: Si plusieurs systemes, isolés du reste du monde, sont en interaction thermique, leurs températures s'égalisent, Au niveau de la physique atomique et moléculaire, les interactions en cause sont de nature électromagnétique. Tous les systémes matériels ont parmi leurs constituants des particules chargées, protons des noyaux ou électrons. Les transitions entre états d'énergie se font par Emissions ou absorption de photons (en langage classique les mouvements des particules chargées provoquent un rayonnement électromagnétique). Le rayonnement ainsi créé est le rayonnement thermodynamique. I! doit étre distingué du rayonnement produit par d'autres excitations mettent en jeu des proprictés spécifiques de certains comps ou systémes (conducteurs métalliques en radioélectricité, lasers, etc...) Cas d'un corps solide ou liquide Ala surface d'un corps solide ou liquide placé dans le vide ou en contact avec un milieu dilué ‘comme un gaz, une partie des ondes électromagnétiques produites au sein du corps s'échappent et se propagent dans le milieu dilué (comme on 'a vue dans atmosphere).Les photons n'interagissent pas entre eux, les ondes créée. peuvent étre considérées comme tune superposition d'onde planes monochromatiques élémentaires, ‘A I'échelle macroscopique, le comportement de la plupart des corps condensés, limités par une surface plane (c'est-d-dire dont les irrégularités éventuclles sont petites devant la. longueur donde du rayonnement incident) peut se caractériser par un petit nombre de paramétres, Lionde plane incidente est décrite par sa longueur d’onde Aj et son angle d'incidence @ Figure 5). = Une partie de cette onde est réfléchie ou diffusée, elle emporte la fraction p (Ai, 81) de la puissance initiale, = Une partie est absorbée : a (Ai + Une partie est transmise : t (Ai, 6)), etonaptattal. Dans le domaine des ondes optique de I'U.V. A I'LR. pour des longueurs d’onde grandes devant les distances interatomiques, les formules de Fresnel permettent de calculer les coefficients p, cet t. Figure $3.2.- Y A T-IL UNE RELATION SIMPLE ENTRE LES PROPRIETES PHYSIQUE MACROSCOPIQUES D'UN CORPS ET LE RAYONNEMENT THERMODYNAMIQUE QU'IL EMET ? est évident que la température joue un role majeur, mais elle ne suffit pas & tout caractériser. IL est assez logique de penser que la couche superficielle intervient également puisque le rayonniement transite par elle. La théorie montre qu'il en est bien ainsi. Comme la couche superficielle “médiatise” aussi le rayonnement extérieur tombant sur le corps, les caractéristiques de son rayonnement propre et celles de sa réaction & une onde extérieure ont des relations qui stexpriment en termes simples pour la plupart des corps. Luminance Le flux énergétique émis, au voisinage d'une longueur d'onde 4 par un élément de surface plane dS, d'un corps condensé, a la température T, par unité d'angle solide dQ autour d'une direction faisant l'angle @ avec la normale au plan, est proportionnel 4 dS. Par convention, on le caractérise par la luminance définie comme le flux énergie par unité de surface apparente dansladirection@, dS’ = dS cos @ (voir figure 6). La luminance peut dépendre de T, et le flux do sécrit done : do = Ly (T, A, 8) cos @ dS dQ dd (4) Figure 62.12. Les propriétés des corps en matiére de rayonnement thermodynamique, énoncées ci dessous, découlent d'une analyse fondée sur le 2me principe de la thermodynamique. La clé en est la notion de corps noir. Corps noir Le corps noir absorbe tout le rayonnement quit regoit quelque soit sa longueur d'onde et son angle diincidence E3 : Tous les corps noirs ont la méme luminance. E4 : Cente luminance est supérieure a celle des autres corps. I existe dans la nature des corps assez proches des corps noirs. Si on considre un four & température uniforme T, limité par une trés petite ouverture dS, cette ouverture constitue une trés bonne approximation du corps noir. Un photon entrant a de grandes chances d'étre absorbé au cours de ses interactions successives avec les parois du four avant de retrouver l'ouverture. Diautre part le rayonnement sortant coincide avec le rayonnement d'équilibre des photons & Vintérieur du four a la température T. La thermodynamique permet de calculer ce rayonnement. Il en ressort que la luminance du comps noir L est indépendante de @. Lorsqu‘on intégre le flux do sur langle solide 2n limité par la surface dS, on obtient par définition !mintance M0, du corps noir: MyiT,A} =m Ly (T.) ES: Loide Planck : Elle fixe la dépendance en 4 et T du flux émis par le corps noi LA (TA) = 1,38 10°23 7K ‘i, k est la constante de Boltzmann, k E6 - Loi de stefan : ell est obtenue en intégrant sur A : doo =o T* aS 6) avec, 6, constante de Stefan = 5,7 10-8 Watt m2 K-4 Corps autres que le corps noir Lémittance et le coefficient d'absorptio:. a d'un rayonnement quelconque s‘évaluent par comparaison avec ceux du corps noir a la méme température et la méme longueur d'onde :2-13 My, = @ M% ete, $1 (Loi E4) (6) eta, sl E7- Loi de Kirchoff : €, = 0,. Loi trés importante par ses conséquences pratiques. 4 -EXTINCTION DU RAYONNEMENT DIRECT DANS LA TRAVERSEE DE L'ATMOSPHERE. Le rayonnement direct est pratiquement la seule composante accessible -avec difficulté - 4 une Evaluation & priori & partir de la connaissance physique des constituants de I'atmosphére. Cette évaluation ne coricerne bien sr que les périodes de ciel clair puisque tous les nuages - ou presque - annulent le rayonnement direct. reste que le manque d'information sur la nature précise des aérosols, la variabilité de leur présence et de celle de la vapeur d'eau, limitent la portée de cet exercice. Plutot que de parvenir A une théorie explicite et précise, lobjectif est d'apporter une aide A des formulations semi- ‘empiriques, que des mesures au sol peuvent ensuite valider. 4.1 - SECTION EFFICACE - LOI DE BEER La méthode utilisée est de suivre I'extinction du flux de photons initial le long de son cheminement dans I'atmosphere ; & chaque étape on a ainsi le flux résiduel ou flux transmis. Llexpression habituelle de I'extinction d'un faisceau uniforme de particules par interaction dune nature donnée avec des éléments identiques présents dans un milieu quelconque passe par la notion de section efficace. On imagine un pet cylindre doit de section unite daxe parallel direction du fascenu, de longueur dx. L’hypothése de base est que les éléments actifs de milieu agissent de manidre indépendante et qu'on peut choisir dx suffisamment petit pour qu'il n'y ait pas d'effet de masque. La probabilité d'interaction d'un élément actif du volume avec une particule du faisceau peut- aire représentée par une surface & appelée section efficace, opérant un prélevement sur le flux uniforme de section unité. Sin est le nombre d’éléments actifs par unité de volume, N le nombre de particules incidentes par unité de surface, le nombre moyen d'interactions dans le volume du cylindre, c'est & dire le nombre de particules extraites du faisceau, est alors : dN=- ond N oy Le prélévement effectué sur le parcours x obéit alors a la loi (que les météorologistes appelent loi de Beer): N = No exp ( -onx) (8)214. 4.2 » APPLICATION AUX INTERACTIONS PHOTONS-ATMOSPHERE Les constituants de l'atmosphére sont bien indépendants leurs prélévements pourront done S‘ajouter, ce qui revient & additionner leurs sections efficaces, Si un constituant agit de plusieurs manitres différentes diffusion et absorption par exemple, on pourra aussi additionner les sections efficaces correspondantes. Le seul obstacle vient des photons eux-mémes qui n'ont pas la méme énergie, Comme les sections efficaces d'interaction dépendent de cette énergie, on ne peut appliquer la loi quiaux familles de méme énergie, ou méme longueur d'onde. Si Nj.dX est le nombre de photons de A compris entre A et A+dA et siles interactions de différents types sont indicées par j, dN, are Loja 95 bl dx 1) Hy -M,o of ois) (10) Cette formule met en évidence deux propriétés tres agréables : 1 - Factorisation - La transmittance, proportion des photons de longueur d’onde n'ayant pas interagi au bout du parcours x, est le produit des transmittances ja, relatives aus actions de chaque élément, 2- Pour chaque élément seule intervient sa population totale sur la chemin parcouru, quelque soit sa réparttion sur ce chemin. lest malcommode de travailler avec les nombres de photons et d'éléments acts, on préfere en ‘général passer aux énergies pour les photons, aux masses (ici gr/cm2) pour les éléments actifs en multipliant respectivement les Na, par he / A, les nj (x) par la masse m'j de I'élément j. (oa devient kia = ofAymj) dod lexpression pratique : 1 = Iyoexp (2kan) 4 qu) ‘od myest la masse de I'élément j présente dans le tube sur tout le parcours x (masse traversée) en gr/em?. (On peut aussi exploiter la propriété mentionnée plus haut relative & la disposition en couches sphériques des constituants atmosphériques.215. Prenant pour référence la masse traversée dans le trajet vertical, de longueur fo, correspondant au soleil au zénith, la masse mj traversée pour un parcours incliné, de longueur 4, est proportionnelle A £ / fo. Pour un soleil de hauteur h pas top petite (en pratique h > 12°) : (a) 3 (12) ‘On désigne par masse atmosphérique Ma le rapport £ / Lo, ‘On classe donc les situations rencontrées en : AMO hors atmosphere, AML une atmosphere traversée verticalement (soleil au zénith), Ma = 1 AM2 trajet équivalent & deux atmospheres superposées, Ma=2, etc... Pour passer du parcours vertical (soleil au zénith) au parcours incliné, le seul facteur Ma imtervient. En posant mj (fo) = myo : h Leese = Zikamid Ma - (3) Sommet de I ‘atmosphére Figure 82-16- 4.3 - DIFFUSION ET ABSORPTION PAR LES CONSTITUANTS ATMO- SPHERIQUES. 43.1. Gaz moléculaires - Diffusion par 02, N2 . La loi générale qui gouverne ceite diffusion est la loi de Rayleigh (elle fournit de bons ordres de grandeur). La section efficace autour d'un angle de diffusion 6 sécrit : 4 ES = SE a(1 408% a aay ob ot est un coefficient caractéristique du gaz. Le fait le plus marquant conceme la dépendance en 2. La diffusion dans le bleu (0,4y1m) est 16 fois plus forte que dans le rouge (0,8m ). C'est explication connue de la couleur bleue du ciel. = Absorption par lozone, la vapexr d'eau et le gaz carbonique. Les extinctioris produites par la traversée verticale de l'atmosphere (soleil au zénith, AM1) peuvent s‘évaluer sur la figure 1. L’ozone est actif dans I'UV entre 0,2um et 0,3,m (forte absorption).Une bande dans le visible entre 0,45,1m et 0,74m joue un faible role, Les bandes les plus importantes de la vapeur d'eau se situent dans I'IR autour de 1,14m, T,4um, 1,9um ; et de 2,4 um & 2,9 ym. Deux bandes plus étroites sont & la limite du visible. Le CO}, peu abondant, & moins d’effet sur le rayonnement solaire : mais tout le monde connait maintenant son action sur le rayonnement thermodynamique terrestre dans I'IR. 43.2 Agrégats- Théorie de Mic La base du calcul est la théorie de Mie concernant I'interaction d'un rayonnement de longueur d'onde 4 avec une sphere d'indice de réfraction connu’(de valeur complexe n ¢ - Elle fournit & la fois la diffusion et l'absorption. La tendance globale est une dépendance faible en A dés que la dimension des agrégats dépasse quelques 1. En observant les nuages d'un avion qui les domine, on consiate bien qu'ils diffusent une lumigre blanche, et assez intense. Comme on I'a vu la section efficace est suffisamment forte pour conduire & une extinction rapide du rayonnement direct. La théorie de Mie s‘applique moins bien aux aérosols, trop divers dans leurs natures, leurs tailles et leurs formes. ‘Une formule empirique, due & Angstr8m donne : k = BA)3. (B est le trouble d'Angstrém)§ - EXPLOITATION DES DONNEES SUR LE RAYONNEMENT SOLAIRE Le § 3 donne un apergu de la démarche & suivre pour évaluer A priori le rayonnement regu au sol. Une modélisation fidele nécessite de recourir & des formulations beaucoup plus fines. (cf. Réf.l). Lianalyse s‘effectue bien sGr par tranches de longueurs d'onde. Des nouvelles difficultés se présentent lorsqu’on passe au rayonnement global regu sur un plan horizontal (diffus atmosphérique) ou incling (addition du rayonnement rediffusé par le sol) ; un nouvel Echelon est encore franchi lorsqu’on s'attaque au ciel couvert. Une telle modélisation passe par la construction de logiciels de grande taille destinés soit & représenter correctement la répartition spectrale soit & calculer avec précision tous les éléments intervenant dans le bilan des échanges d'énergie entre soleil, terre, atmosphere, et espace extérieur (Id il ne s'agit pas d’échanges mais de rayonnement de l'ensemble terre-atmosphére vers lespace). Des mesures au sol (cf. 6.0) sont nécessaires pour valider les expressions théoriques et surtout ajuster les données d'entrée 1 oi elles sont insuffisantes c'est-a-dire en de nombreux points . Nous ne ferons qu’évoquer deux applications pratiques. 5.1. REPARTITION SPECTRALE AU NIVEAU DU SOL DES RAYONNEMENTS DIRECT ET GLOBAL Nous savons pas fit inventire complet des nombreux travaux et algorithmes de ealeul qui ont été élaborés par plusieurs équipes dans le monde. D'autre part il ne semble pas qu'l y ait eu de mesures spectrométriques systématiques jusqu’a présent. Des mesures ponctuelles ont été faites en Amérique et en Europe. Un effort récent pour créér une base de données sur la répantition spectrale du rayonnement solaire dans Ouest des Etats-Unis, aecompagnant le projet de dévelenpement de Ténergie photovoltaique dans cette région, a été fait sous la direction du SERI (Solar Energy Research Institute). Les résultats présentés confirment en le précisant le spectre de la figure 1.1 pour AML et le renfort apporté par les diffus dans la zone 0,3-0,61m _(violet-vert). (Réf. 6) En passant de AM1 a AM3 le rayonnement direct subit, comme on s'y attend, un décalage vers le rouge. 5.2 - ASPECTS ENERGETIQUES DU RAYONNEMENT SOLAIRE DIRECT AU NIVEAU DU SOL, DANS LE CAS DU CIEL CLAIR, SANS En toute rigueur il faudrait 18 aussi travailler par bandes de longueurs d'onde, et effectuer des sommations au niveau du sol. Cependant la factorisation, distinguant clairement les contributions des différentes interactions est trop commode pour qu‘on ne cherche pas & Tétendre aux bilans d'energie intégrés sur tout le spectre,Cela oblige & introduire ici ou Ia de subtils termes correctifs empiriques dont la mise au point fait, semble-t-il, la joie des météorologistes. Le point de départ est donc une formulation analogue & (11) ob Test la puissance du direct au niveau du sol, Ip la constante solaire : T=Iy o( -Zeimom) = Inlay 7 as) Les kj caractérisent l'extinction due aux interactions j... ete... pour une traversée verticale de Fatmosphére. On regroupe : = les diffusions par les gaz de composition constante ou peu variable 02, No : kag. - L'absorption par l'ozone, composant peu variable : kag. Pour les constituants variables : - La diffusion par les aérosols kia (B), od le paramétre B du trouble d’Angstrdm est substitué & Ja masse mao plus difficile & estimer). = Labsorption par la vapeur d'eau kaw (mw) ou Kaw(e) en substituant & mw la tension de vapeur au niveau du sol, €, Ilexiste une bonne correlation.entre ces deux grandeurs : mw (gr/em?) = 1,17 € (1s) On parvient ainsi & la formule : Toexp (-(kag# kag + KealBl + Keel) M,) a La connaissance de la masse atmosphérique Mg, une mesure (ou une estimation) des paramétres B et € donnent le rayonnement direct au niveau du sol par ciel clair. Trouble de Linke Les météorologistes introduisent aussi le facteur de trouble de Linke, TL, défini ainsi : Nombre d'atmosphéres supposées pures et séches (sans vapeur d'eau ni aérosols) qu'il faudrait accumuler au-dessus du lieu envisagé pour obtenir, dans les mémes conditions géoastronomiques, une valeur du rayonnement direct identique a celle mesurée, Comme on le voit, l'idée sousjacente est de prendre comme référence une atmosphére standard, excluant les composants variables. L'expression (16) s'écrit alors de maniere équivalente : oexp (= (kag+ kag) TL) an Une formule empirique récente, due & Kasten évalue le terme kag + kag ! dg + kag = I/ (0,65 + 7,45 sin h 083) (18) La présence de sin h (équivalent a celle de Mg) peut surprendre, kg ¢t kag étant les coefficients extinction relatifs au trajet vertical, Il est probable qu'elle vient amortir les effets de la dépendance en 2.2-19- De la comparaison de (16) avec (17), et en utilisant (18) on parvient a : TL = Ma (1 + (0,65 +7,45 sin h 983) (kga(B) + Kaw(€)) co) avec Th T=Igexp 0,65 + 7,45 {sin h)>? 20) Nous n‘avons esquissé ici que le fil conducteur d'une démarche. Pour exploiter pratiquement ces calculs il serait nécessaire de consulter plusieurs auteurs. Un des protongements intéressants est l'extension au cas des ciels couverts qu'a tenté Perrin de Brichambaut (réf. 5). Son objectif est, partant de la durée quotidienne insolation de reconstruire une statistique de fractions d'irradiation horaires. 6 - MESURES DU RAYONNEMENT AU SOL Les modéles aussi perfectionnés quils soient ne permettent pas de calculer avec précision le rayonnement au sol, direct ou a fortiori global, méme en temps de ciel clair, et ses variations. Le manque de données sur les constituants de I'atmosphére et pour certains, comme les aérosols, sur leurs propriétés optiques est la cause de cet échec partiel, Les formules semi-empiriques développées par les météorologistes sont des outils commodes. Elles ont besoin d’étre validées et certains des paramdires qu'elles emploient calés, au moyen de mesures expérimentales, En cas de ciel nuageux les difficultés s'accrofssent encore. Les mesures du rayonnement au sol sont done indispensables. Le probléme se retourne alors : si l'on est capable de mesurer le rayonnement direct et le rayonnement global au sol, & quoi bon faire des modeles ! Les mesures devraient se suffire & elles-mémes. Ce n'est qu’en partie vrai; les mestires ont le gros inconvénient de ne fournir que des données locales valables dans un petit domaine autour du point ou elles s‘effectuent. Pour prévoir le comportement d'un systéme solaire, il faut disposer d'une information statistique s‘étalant sur une certaine durée. Il faut des mesures sur plusieurs années pour parcourr le champ des situations possibles, un enregisuement sur 10 ans es suian, 15 ou 10 ans donnent un plus grand confort, Plus on recherche des renseignements tres fins, de ‘moindre probabilité, plus le fichier statistique doit étre large. Des mesures aussi longues ne peuvent étre effectuées de maniére fiable que sur un réseau de stations bien équipées ou s'exerce une maintenance soigneuse. Il faut en outre alors quil soit suffisamment dense a la surface d'une région & explorer pour ‘permettre une interpolation des mesures en un lieu donné de la région, = Bien que des stations météorologiques existent depuis longtemps dans la plupart des pays, elles n'ont &é équipées d'appareil de mesure du rayonnement que récemment et partiellement. La mission de ces stations étaient de fournir des informations sur des conditions climatiques locales, pluies, vent, brouillard & l'usage notamment de la navigation aérienne. Une connaissance approximative du rayonnement solaire suffisat.2-20- 6.1» APPAREILS DE MESURE Le plus répandu est 'héliographe. I! mesure 1a durée d'insolation. Principe Une sphare de verre fait limage du soleil sur un carton mis en place pour la journée. La matitre du carton est choisie de maniére qu'il noircisse lorsque le rayonnement direct est supérieur & un certain seuil (autour de 120 Watt/m?). On obtient donc la durée d'insolation période de la journée pendant laquelle le direct & dépassé le seuil. On peut en tirer une mesure indirecte de lirradiation globale sur la journée (voir ci-dessous), Pyranometre - Mesure dis global Cet instrument est destiné & mesarer le rayonnement global recu par un plan, dans la bande 0,3pm a 3m, ‘On mesure a l'aide de thermocouples la différence de température entre un petit élém Tecouvert de noir et soumis au rayonnement et un élément maintenu & la température de lair ambiant, La différence de potentiel obtenue est proportionnelle au flux. Le pynunomate est en général associé un intgrateur de sorte quion mesure des iadiations globales & un pas de temps qu’on fixe souvent a | heure. Dans les réseaux de mesure, l'appareil est disposé horizontalement de maniére & fournir des irradiations globales horizontales horaires. Mesures du rayonnement diffus Le méme appareil permet la mesure du diffus. Il suffit d'occulter le rayonnement direct au ‘moyen d'un petit anneau cylindrique opaque, placé dans le plan de la trajectoire du soleil. Son inclinaison doit étre corrigée A intervalles réguliers pour tenir compte des variations saisonnitres de cette trajectoire, Rayonnement direct-pyrhéliomémre La mesure est plus délicate car il faut suivre le parcours du soleil. L'appareil (pyrhéliomérre) est en général fixé sur une monture equatoriale et son inclinaison sur I’équateur doit suivre la déclinaison solaire. Réseau de mesures en France La France se situe dans une zone de climat tempéré assez variable dans le temps et dans espace. Le seul réseau suffisamment dense pour permettre de bonnes cartographies est celui des héliographes, instruments les plus anciennement utilisés, Le réseau de pyranométres, mesure de l'irradiation globale horizontale horaire, comporte maintenant une trentaine de station dont 14 sont en services depuis 1976 (ce qui fournit des statistiques sur plus de 10 ans). Une douzaine de stations seulement mesurent simultanément le rayonnement diffus. Crest un grosse lacune. Les mesures du rayonnement direct ne se font qu’en trois stations mais trop fines et cofteuses, con ne peut guére envisager de les multiplier et cela n'est saris doute pas nécessaire.2.21. La situation ex: France est probablement représentative de celle de Europe. Il y a done un peu partout un manque de données. 6.2 - UTILISATION DU SATELLITE METEOSAT Les satellites dobservations de la terre peuvent étre équipés d'appareils mesurant le rayonnement diffusé par le complexe atmosphére - sol dans des bandes de longueurs d'onde choisies. Cest le cas de Météosat, satellite stationnaire, qui observe l'Europe et une grande pantie de FAfrique. Sa vocation est diobserver le mouvement des grosses masses nuageuses pour améliorer les prévisions météorologiques. ll connait dans ce role un plein succts, comme les téléspectateurs peuvent le constater. Tl est beaucoup moins aisé d'extraire de la mesure effectuée par météosat une information relative au rayonnement solaire parvenant au sol. TLy a deux grandes options pour exploiter le signal (ow les signaux) fourni(s). - La premitre est de séparer les observations en deux classes seulement en choisissant un seuil judicieux au-dessus duquel on affirme étre en présence de nuages, C'est adopter un fonctionnement un peu analogue a celui de U'héliographe et on ne s'étonnera pas si les chercheurs qui prennent cette voie aboutissent & définir au sol des durées d'insolation. - La deuxitme se propose d'utiliser au mieux la richesse d'information contenue dans le signal dont la dynamique s'étend sur 64 niveaux quil est un peu brutal de réduire au tout ou rien, 11 faut alors passer par une modélisation de 'atmosphére avec ou sans nuages en examinant toutes les composantes des rayonnements, diffusés vers l'oeil du satellite. Plusieurs modéles ont été proposés qui donuent des résultats prometteurs ; mais il reste encore beaucoup & faire dans des voies telles que le traitement d'images ; il faut tirer un meilleur parti du grand volume d'information dont on dispose dans espace et le temps. La difficulté ultime restera l'évaluation & partir du satellite du rayonnement diffus au sol au- dessous des nuages. 6.3 - EXPLOITATION DES MESURES DU RAYONNEMENT AU SOL PAR DES PROCEDES DIRECTS OU INDIRECTS POUR LA MISE EN OEUVRE DE SYSTEMES SOLAIRES Les objectifs peuvent étre de diverses natures : - Obtenir une statistique fiable de données sur les rayonnements direct et global, & un pas de temps qui pourrait étre : . La journée en cas de systtme & comportement a peu pres linéaire et instantang, vis a vis du rayonnement regu:2-22. . L'heure ou un intervalle plus faible encore si le systtme présente de l'inertie on s'écante beaucoup d'un comportement linéaire. - Dans ce cas on a besoin non seulement de données statistiques fiables mais encore des enchainements de situation av cours du temps"; A la limite c'est la fonction aléatoire rayonnement qu’on souhaite connaitre. Cette information est également utile mais & un rythme qui peut revenir a la journée (done enchainement de journées avec des irradiations de tel ou tel niveau) pour le dimiensionnement dun stockage. Bien que certains chercheurs se préoccupent aujourd'hui de ce deuxime probléme beaucoup plus difficile que le premier, il n'a pas encore regu de solution trés satisfaisante. ‘Nous ne traiterons ici que deux exemples relatifs au premier probléme : rassembler des données statistiques simples sur le rayonnement global et direct. $3.1 - Statistique en un lieu donné de Virradiation globale quotidienne sur un plan ‘honzontal, S'il n'y a pas & proximité de station de mesure du rayonnement global, on peut partir des mesures de durée d'insolation. Soient S la durée diinsolation d'une journée So. la durée de jour solaire entre le lever du soleil et son coucher. G irradiation globale hori-ontale de la méme journée Go _l'irradiation globale horizontale au sommet de l'atmosphére radiation globale horizontale (estimée) qu'on aurait obtenue par ciel clair. Plusieur auteurs ont montré qu'il existait une bonne corrélation entre S/So (fraction insolation) G/Ge ou. G/Go avec une allure linéaire au dessus dun certain seuil de G/Go_ par exemple 0,15. Au dessous la dispersion est grande, mais on entre dans une zone de faible irradiation, donc de peu dintérét énergétique. a Laloi:G/Ge =aS/So+ b (relation d'Angstrim) a des coefficients simples a = 0,25 et b=0,75 valables presque partout, mais il faut estimer correctement irradiation par ciel clair Ge, La loi du type G/Go =a'S/So + b' parait plus simple, encore faut-il trouver les coefficients a' et b' variables d'un liew & V'autre. 6.3.2 Evaluation du rayonnement direct On a vu quil est exceptionnel davoir de mesures du ryonnement direct, on dit alors paris de mesures du GH (Global Horizontal) & un pas de temps nettement inférieur la journée (1 h par exemple). Deux cas sont possibles : 1 - On dispose de mesure du diffus horizontal DH au méme pas de temps, il suffit alors ‘appliquer la relation :2.23- 1 = GH. DH one a1) 2-Omn'a pas de mesure de DH On fait appel a des corrélations entre DH et GH comme celle proposée par Orgill et Hollands. Elle fait intervenir le coefficient K, =GH/To sin et tis classes de situations : Ki < 0,35 DH/GH = 1-0,25 Ky 0,35 < Ki < 0,75 DH/GH = 1,557 - 1,84 Ky Kr< 0,75 DH/GH = 0,177 Dans le cadre limité de ce cours nous ne pouvons pas nous étendre davantage sur le traitement des données de rayonnement en vue de leur application a des systémes solaires. Nous renvoyons aux ouvrages cités en référence pour des problémes comme 'évaluation du rayonnement sur un plan orientation quelconque, le prise en compte de l'anistropie du diffus ete. BIBLIOGRAPHIE (1) Paltridge and Platt , Radiative Processes in Meteorology and Climatology, - Elsevier 1976 [2] Le rayonnement solaire au sol et ses mesures, Cahier Afedes no 1 (1974) 2&me édition - Editions EETI, 3 rue Henri Heine, Paris 75016 (31 W. Palz, L’lectricité solaire, - Dunod [4] C. Delorme, Le rayonnement solaire utilisable, Université d'Avignon - France (publication interme) [5] M. Perrin de Brichambaut, Ressources énergétiques solaires, Cahier Cofedes n° 2 - 1988 Cofedes - 3, rue Henri Heine,Paris 75016 [6] Spectral Solar data Base at SERI C. Riordan, D. Myers, M. Rymes, R. Hulstrom - SERI N. Marion - Florida SEC C. Jennings, C, Whitaker - PCGE Solar Energy Vol. 42 n° 1 1989CHAPITRE 3 - PHYSIQUE DES CONVERTISSEURS PHOTOVOLTAIQUES Yves MARFAING Directeur de Recherche au CNRS Laboratoire de Physique des Solides de Bellevue C.N.R.S. - 1, Place A. Briand - 92195 MEUDON-CEDEX 1 - PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS A L'EQUILIBRE.....1 1.1. STRUCTURE ELECTRONIQUE DUN SEMICONDUCTEUR..... 1.2, STATISTIQUE D'OCCUPATION DES ETATS D'ENERGIE PERMIS.... 1.3, MECANISMES DE CONDUCTION ELECTRIQUE. . 2-PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS HORS EQUILIBRE THERMODYNAMIQUE.. : 2.1 PROPRIETES OPTIQUES DES SEMICONDUCTEURS.. 2.2, GENERATION, RELAXATION ET RECOMBINAISON DES PORTEURS DE CHARGE EN EXCES.. 25 2.3, DISTRIBUTION SPATIALE DES PORTEURS DE CHARGE EN EXCES. 3- PHYSIQUE DE LA JONCTION p-n A L'EQUILIBRE ET SOUS ECLAIREMENT. 3.1 FORMATION DE LA JONCTION p-n. PROPRIETES A LEQUILIBRE. 3.2. CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION SOUS ECLAI-REMENT. 3.3 REDUCTION DE LA RECOMBINAISON EN FACE ARRIERE - DISPOSITION BSF.. 4» LA JONCTION p-n COMME GENERATEUR PHOTO- VOLTAIQUE...... 4.1 DESCRIPTION DU GENERATEUR PHOTOVOLTAIQUE... 4.2. GRANDEURS CARACTERISTIQUES DU GENERATEUR, 4.3, POINT DE FONTIONNEMENT OPTIMAL. FACTEUR DE REMPLISSAGE.. 4.4 RENDEMENT ENERGETIQUE.. 554.4 RENDEMENT ENERGETIQUE.....3-1 1 - PHYSIQUE DES SEMICONDUCTELRS A L'EQUILIBRE Liintérét des semiconducteurs pour la réalisation de composants électroniques actis - transistors, dispositifs MOS, photopiles - tient a la possibilité de moduler, dans le temps et spatialement - la concentration interne des porteurs de courant (ou de charge électrique). Cette faculté est elle-méme lige & la structure électronique fondamentale de ces solides qui les différencie nettement des métaux, et dans une moindre mesure, des isolants Liobjectif de la premiére partie de ce chapitre est de présenter, en termes simples, le modtle physigue des semiconducteus et de donner les formules de ase qui régissent la concentration des porteurs de charge et les mécanismes de conduction électrique. 1.1, STRUCTURE ELECTRONIQUE D'UN SEMICONDUCTEUR. On cherche & déterminer la distribution en énergie des électrons apportés par les atomes constituant le solide. LLL Approche atomique, Elle consiste observer l'interaction entre niveaux atomiques qui apparait lorsqu’on approche les atornes pour former le solide. Considérons 2 atomes de la colonne IV (Si, Ge). Ce sont les électrons de valence s2p? gui imeragissent le plus forement et forment lessentiel de la structure électronique utile. A faible distance de séparation le couplage entre niveaux conduit & la division et au recouvrement des orbitales s et p selon le schéma de la figure 1. Les nombres entre parenthéses indiquent la dégénérescence des niveaux. Le résultat de la mise en interaction est le remplissage complet des niveaux s et p inférieurs (dits liants) par les 8 électrons de valence disponibles alors que les niveaux s et p supérieurs (dits anti-liants) restent vides. La réunion de N atomes aboutit & un schéma similaize, chaque niveau étant élargi par l'apport dorbitales supplémentaires pour former des bandes d'états électroniques.On obtient ainsi le prototype de la structure de bande d'un semiconducteur : - il existe une bande saturée en électrons, dite bande de valence contenant ici 2N états quantiques, chaque état pouvant accueillir 2 électrons & cause de la dégénérescence de spin, le nombre total d'électrons est donc de 4N ~ une bande d'énergie interdite ou gap sépare le haut de la bande de valence de la bande vide immédiatement supérieure, appelée bande de conduction «= de manidre intuitive on peut d&duire que cette séparation entre bandes pleines et bandes vides correspondra A un état électrique isolant. La conduction apparaitra par perturbation de cette répartition des charges. Ce modéle simple montre aussi que le haut de la bande de valence est formé dorbitales pet que le bas de la bande de conduction est décrit par des orbitales s : c'est la situation de la ajorité des semiconducteurs usuels.32. ___ Cette description physique qui aboutit a 1a notion de bande interdite ne suppose pas Vexistence d'un réseau cristallin, Elle est fondée uniquement sur les interactions & courte distance entre atomes et s'applique donc aussi aux semiconducteurs amorphes. Remarquons que, dans la ligne de cette approche, un corps métallique correspondrait & un élargissoment des niveaux s et p sans recouvrement : la bande supérieure serait alors partiellement remplie d'électrons, ce qui permet la conduction & toute température. 4LL2.Approche quantique, Afin d'obtenir des résultats plus détaillés nous considérons maintenant un réseau cristallin cubique de période atomique a. Nous cherchons & représenter les énergies possibles d'un électron en fonction de sa vitesse ou de son impulsion. 1.1.2.1, Origine de la structure de bande. Les fonctions d'onde associées aux états permis sont solution de l'équation de Schrodinger. : vo -s> VY +(V-E)Y=0 2m (v-E} O) ob mest la masse de I'électron, E son énergie et V le potentiel auquel il est soumis. Rappelons tout d'abord que pour un potentiel constant les solutions de (1) sont des ondes planes : y= Aewpliz?) avec: im ca (k =2n/A est le vecteur donde), La figure 2 représente la relation E(k) dans une direction de l'espace. Pour un potentiel périodique tel que v(F)= v(F+d) @ oil d est un vecteur de translation du réseau cristallin, la solution de 'équation de Schrédinger est une fonction de Bloch : Va lF) = ug(t) exp (iki @ ob u(r) est une fonction ayant la périodicité du réseau cristalin, La relation entre I'énergie et le vecteur d'onde est modifiée par rapport au cas du potentiel constant (Fig. 2): lorsque le vecteur d’onde k, dans une direction de symétrie du cube telle que x prend les valeurs ky = + w/a (relation analogue a la réflexion de Bragg), la fonction dionde représente un syst#me d’ondes stationnaires et deux énergies permises distinctes apparaissent séparées par un gap d'énergie d'interaction. Ces coupures dans laPotentiel constant Potentiel périodique} \w_— kx FIG.2propagation de onde de Bloch définissent les limites de la premigre, deuxitme,tro zone de Brillouin. me, et... La distribution des états énergétiques se structure done en bandes permises séparées par des bandes interdites. Une importante propriété de symétrie fait que tous les états permis peuvent étre ramenés dans la premiére zone de Brillouin. On peut en effet écrire, & une dimension par exemple : lx} = outs! ee(-2822) orf e222) ] @ soit, en posant : 2nn a (3) ky = kt Wels) = u'gl x] exp(ik'yx} Cette demidre fonction associée au vecteur d'onde k’x. a les propriétés d'une fonction de Bloch et est solution de I'équation de Schrédinger pour la méme valeur propre de I'énergie que la fonction ‘,. Ainsi l'énergie est une fonction périodique de k de période 2r /a. En découle la représentation réduite de la structure de bande obtenue en effectuant des translations sur les segments de la figure 2 (Fig. 3). Les fonctions E(k) sont aussi appelées courbes de dispersion par analogie avec la relation fréquence - vecteur donde : @ (k). (@= E/f). 1.1.2.2, Propriétés liées dla structure de bande. Vitesse de groupe. La vitesse moyenne de Iélectron dans un état quantique défini par le vecteur d’onde k est égale & la vitesse de groupe de onde représentant la panicule : une dimension, on a : do, 1 ae Ok, ~ Ok, © Cette formule se généralise pour donner a trois dimensions : ee ¥ = grad 7p SE o I en résulte que les tangentes aux courbes E(k) aux bords des zones de Brillouin (Fig. 2) sont horizontales, puisque onde de particule est alors stationnaire. Par voie de conséquence, on retrouve la méme propriété dans la représentation réduite, aux bords et au centre de la premiére zone de Brillouin (Fig. 3). Bandes de valence, de conduction. Bande interdite. Dans le cadre de note mode cubigue simple de semiconducteur, la bande de valence, gui est la bande la plus haute remplie d'électrons, a une courbure négative 4 k = 0 dans le jagramme E(k) et son sommet est nové Ey (Fig. 3). La bande de conduction, immédiatementFIG.3344 supérieure, a une courbure positive, et son minimum est Ec. La différence Ec - Ey = Eg est la bande interdite, ou gap. Masses effectives. Du fait que ia fonction E(k) est paire (en raison de la symétrie du potentiel) et que la premidre dérivée est nulle aux extremums Ec et Ey, on peut écrire au voisinage de ces points, par analogie avec I'électron libre : (8a) (8b) Cette écriture a pour effet de faire apparaitre des paramétres m*e, m*y qui ont les dimensions d'une masse et portent le nom de masse effective de conduction et masse effective de valence respectivement. Les masses effectives sont done liges A la courbure des bandes au voisinage des extremums et on a, de manidre plus générale : 4 . (2) mesh Fi ak?) vena a Lintérét de approximation de la masse effective est qu'elle conduit, au voisinage des extremums, & des relations formellement identiques & celles de I'électron libre. La vitesse moyenne s‘écrit en effet pour les états de conduction, d'aprés (7) : >. F 18 _,; v ERE oak me (10) On retrouve les relations classiques entre la vitesse, limpulsion, le vecteur donde et la masse. Notons cependant que dans le solide, seul le vecteur d’onde est une constante du mouvement, a énergie donnée, mais ni la vitesse, ni l'impulsion ne le sont. La quantité. Ak qui ales dimensions d'une impulsion est appelée moment cristallin (P.). Pour les états de valence, la masse effective donnée par (9) est négative : nous verrons au § 2.1 le sens quill faut accorder A cette quantité, en introduisant la notion de trou, particule de charge positive et de masse positive = | my” Dénombrement des états quantiques dans les bandes. Le nombre d'états disponibles dans les bandes dépend du nombre d'atomes composant le cristal. On peut tenir compte des dimensions finies d'un cristal Lx, Ly, Lz dans les trois directions de Vespace en écrivant des conditions aux limites périodiques du type +FIG.4 FiG.5wixth.) = yx) wly+Ly) = wly) w(z+k,) = wiz) ‘ce qui impose aux valeurs de k de satisfaire les relations 2n wee ay colt nx, ny, nz Sont des nombres entiers. len résulte qu'un état quantique occupe le volume (8x3 /V dans 'espace des k, oi! V est le volume du cristal. Densité a'états par unité de volume et d'énergie. La densité dats de veeteurs donde compris dans 'intervalle(k,k + dk) est daprés le résultat précédent : : N(k] dk = Yank? dk (2x) (2) En utilisant la relation de dispersion (8a) on cotient l'expression de la densité d'états quantiques dans espace des énergies et par unité de volume pour la bande de conduction (13), Compte tenu de la dégénérescence de spin cette expression est & multiplier par 2 pour obtenir la densité d'états électroniques. 41.3. Stmeture de bande des semiconducteurs usuels, Les semiconducteurs du type GaAs, CdTe, CulnSe2 posstdent une structure de bande a gap direct, cesar que les extremums Ee, Ev, se situent au méme point de Tespace des k (k= 0) (Fig. 4). Au premier ordre, la structure de bonde est isotrope, c'est-a-dire que la forme des bandes ne dépend pas de ia direction du vecteur k par rapport aux axes du cristal. Il y a deux bandes de valence supérieures dégénérées & k = 0, et caractérisées par deux masses effectives distinctes, dites des trous lourds (m*yy) et des trous Iégers (m*y)). Dans ce cas,pour le calcul de la densité d'états effective de la bande de valence, on introduit dans Vexpression (13) une masse de densité d'états égale a :3-6- my = [myn My 4) Les masses effectives de valence sont ici et par la suite,toujours prises en valeur absolue. Les semiconducteurs du type 0, sous leffet de l'agitation thermique, des liaisons de valence entre atomes se rompent, ce qui correspond 3 l'excitation d'électrons de valence vers les états permis les plus proches, ceux de la bande de conduction. Le processus est réversible et peut se représenter par tne réaction d'équilibre quasi-chimique : ey E> e+ h*( Ey) as) ¢° désigne un électron de la bande de conduction et h* représente l'état vacant laissé dans la bande de valence par l'excitation d'un électron. Cet état vacant est appelé trou. Il a les propriéiés d'une particule quasi-électronique suivantes : - charge positive égale & q, valeur absolue de la charge d'un électron + masse effective positive, égale a la valeur absolue de la masse définie en (9), proportionnelte & inverse de la courbure de la bande de valence. Ces deux propriétés résultent du fait qu'une bande pleine d'électrons ne peut conduire de courant cara chaque at de veeteur onde k covrespond un éiat de vecteur opposé- ky En présence d'un état vacant au vecteur donde kj , on peut écrire : 12 -$ D7 --$o sei ‘oii V est le volume du cristal, La somme sur tous les électrons stant égale & zéro, le courant est équivalent & celui d'une particule de charge positive q et de vitesse vi. Par ailleurs, 'énergie minimale d'un trou devient maintenant le sommet de la bande de valence de sorte que les Energies de trou croissent dans le sens opposé a I’énergie des électrons (Fig.6). Cest bien ce que représente la relation (8b) si m¥y est pris comme une quantité positive Appelons n et p les concentrations par unité de volume d'électrons et de trous dans les bandes de conduction et de valence respectivement. En régime intrinstque on a évidemment =p et on pose : ‘n= pen; as) L’application de la loi d'action de masse a Ia réaction (18) donne :I Energie des électrons E-E¢ kel 3 -1 -2 -3 Fig.738- n= K, evo 4} 7 (20) ‘oi kp est la constante de Boltzmann. Le calcul de Kj nécessite de faire appel & la fonction de distribution statistique des électrons et des trous, la fonction de Fermi-Dirac, 12.2, Fonction de Fermi-Dirac, Les électrons et les :rous sont des particules de spin 1/2 obéissant au principe dexclusion de Pauli (deux particules de spin opposé dans un méme état quantique). La probabilité d'occupation par un électron, d'un état d'énergie E a la température T est donnée par la fonction de distribution de Fermi-Dirac (Fig. 7). 1 f » [100| EE w| rN) ol Ep, énergie de Fermi, est une énergie de référence, déterminge par la conservation du nombre total de particules dans le systéme. Pour E - Ep >> kpT, f prend la forme approchée : f 22) c'est le facteur de Boltzmann de la statistique classique. Le nombre d'électrons dans la bande de conduction & une température T est alors donnée par intégrale : a f B(E} f(E, Be}dE a (23) La borne supérieure d'intégration est repoussée & I'infini pour faciliter le calcul, ce qui suppose que la bande considérée n'est que partiellement remplie, Be(E) est égal & 2Ne (E), donnée par (13), pour tenir compte de la dégénérescence de spin, L'expression précédente se met alors sous la forme : (24) Fyyzeest une fonction de Fermi définie par lintégrale :39. coord eyit) = | sods rash | Trexplx- 01 ° (25) Deux approximations conduisent & des expressions analytiques simples : a) Si Ey - Er > kpT, le gaz d'¢lecirons est dit non dégénéré et on peut remplacer f par le facteur de Boltzmann. On obtient alors Ec-E, EeENe oo ert) (26) avec : y 2 seat)" ue = 2 [28 7 . a 27) Ne est ainsi la densité effective d'états de la bande de conduction, condensés a l'énergie Ez, Eg - Be est le potentiel chimique du gaz d'électrons. b) Lorsque Eg > Ec, c'est-d-dire n > Ne, le gaz d'électrons est dit dégénéré, Aux basses températures, on peut considérer que tous les états entre E¢ et Ef sont remplis. On a alors : ne [sel E}de (28) ; a stew (SER)? 3vn | ket : n= SE [am(ep-6,” 3h (29) La figure 8 permet d'apprécier Ia validité des expressions approchées (26) et (29) par rapport a la loi exacte, Le nombre de trous dans la bande de valence est calculé de maniére tout & fait analogue en écrivant: p= [ eslEl (1-0(E, 8g]oe e 0) ob apparait la probabilité 1 - f de non occupation par des électrons, c'est-A-dire d'occupation par les trous : , Ep-E tar [1+ S68] GB)[ 4 5 rT Ef- Ec} r kpl 1 a ° 1 [ 2 2 mn 3 4 5 4 FIG.9 O1 2 3456 Of 2.9486 4 2 3456 10 2 3486 100 n No — FIG.8 | LC - lié-3-10- gy est donnée par une expression semblable & (13), ot m*e est remplacée par m*y. En dehors de cette substitution, le résultat de l'intégration redonne les formules précédentes, obtenues pour les électrons, et fait apparaiire le potentiel chimique des trous Ey - Ep, & la place de Er - Ee. Ainsi dans le cas du gaz de trous non dégénéré (Ef - Ey > kgT), on obtient : Ep-Ey eo ket | 32) avec: « 3 (see)" Ny = 2/-7See H @3) Ny est la densité effective de rous dans la bande de valence. Revenons maintenant & la situation du semiconducteur intrins¢que. En supposant les gaz de particules non dégénérés, l'égalité n = p permet dexprimer Ef sous la forme : E.tE, | kaT | [Ny by, = Eats «MT (Me) Cest le niveau de Fermi dit intrinséque, proche du milieu de la bande interdite. (34) Observons que pour ce cas important, car usuel, de non dégénérescence, le produit np ne dépend que cle la température. A E,(T) wp rad = Nervexp| BUT \ kT f 35) We Cette formule explicite le facteur Kj introduit par application de la loi d'action de masse (cf 20). Les valeurs des densités d'états effectives et de la concentration intrinseque pour Si et GaAs sont données dans la Table 2, 1.2.3, Dopage par impuretés, Des impuretés bien choisies permettent d'augmenter soit le nombre d'électrons, soit le nombre de trous par rapport aux valeurs intrinséques : c'est le dopage. 4) Dopage par donneurs. Une impureté donatrice substitutionnelle est un élément atomique dont le nombre d'électrons de valence est supérieur & celui de l'atome du réseau qu'elle remplace. Lrexemple classique est un élément du groupe V (P, As, Sb) en substitution dans le réseau du silicium, Ainsi, sur les cing électrons de valence de P, 4 servent & établir les liaisons chimiques avec les 4 atomes de silicium en plus proches voisins (doubles liaisons de covalence). Le ccinquitme électron n'est pas aussi fortement attaché au réseau. A basse température, cet électron est lié a l'impureté P dans le champ coulombien associé & la différence de la charge du noyau par rapport & celle des coeurs atomiques de Si (Fig. 9).si Gaas + 1 Ne (em73) 2,9.1019(7/300)3/2 4,5.1017(17/300)3/2 Ny (em73) 1,02.1019( 1/300) 3/2 7 « 1018(7/300)3/2 ny (300K) (cm73) 1,45,1010 1,8.106 —t TABLE 2& Ec Ep—— Eg Ea Ey FIG.10 Jb te td | “i =si Ts a-Si | | | | | trou lié pS | peer lees G [pees S|A haute température cet électron lié devient libre, c'est-A-dire qu'il est excité dans la bande de conduction. Le donneur est alors ionisé. Cette situation est analogue i celle d'un atome d'hydrogéne immergé dans un milieu de constante diélectrique égale a cetle du cristal et dont 'électron serait doté de la masse effective de conduction m*c. Les états d’énergie associés du type n$ sont done donnés par : figs Ba iG 32m h ejen® ca E,,(eV) = - 13:6 Be (37) Liorigine des énergies est prise au bas de la bande de conduction E, et n est ici le nombre quantique principal. De maniére similaire on évalue le rayon de Bohr effect Vimpureté en fonction du rayon de Bohr d'un atome d'hydrogéne dans le vide : ag(A) = 0,529 un 8) (On considére en général uniquement I'état fondamental 1S, noté Ep dans le diagramme d'énergie simplifié de la figure 10. Cet état d’énergie est donc occupé par un électron A basse température, situation qui correspond a l'état neutre du donneur. ) Dopage par acceptewrs. Une impureté acceptrice substituionnelle comporte un nombre d’électrons de valence inférieur A celui de "atome qu'elle remplace. Tel est le cas des impuretés du groupe III (B, Al, Ga) dans le silicium. Ainsi les trois électrons de valence de B participent aux liaisons établies avec les Si proches voisins, mais une liaison est manquante. Ce défaut d'électron de valence peut étre décrit comme un trou positif, On peut dans ce cas aussi construire un modéle hydrogénoide en considérant qu’ basse température, un trou est lié a B dans le champ coulombien associé & la différence de charge locale - q du coeur atomique (Fig, 11). Les formules précédentes s'appliquent donc, en premiére approximation, en remplagant mt, par m*y, L'énergie du trou lié est compiée a partir du maximum de la bande de valence Ey et croit dans le sens opposé & celui des énergies électroniques. L'état fondamental est noté Ea. IL est occupé par un trou A basse température, cest-A-dire non occupé par un électron. Laccepteur est alors neutre. A haute température, l'accepteur sionise en acceptant un électron de la bande de valence, d’oi son nom. Les formules précédentes donnant I'énergie de liaison électronique, ou dionisation des impuretés, et le rayon de Bohr effectif, ne s'appliquent rigoureusement que dans les cas simples de donneurs prés d'une bande de conduction isotrope (GaAs, CdTe, CulnSea). Des analyses plus détaillées doivent are utilisées dans le cas de bandes anisotropes (Si), et pour les accepteurs en raison de la structure multiple de la bande de valence, Par ailleurs il existe des différences d'énergie d'une impureté 4 Tautre dans une méme série, connues sous le nom dedéplacements Sie La Table 3 donne un certain nombre de valeurs expérimentales ainsi que les constantes diélectriques relatives de Si et GaAs. 24, Semiconducteurs exirinséques. Un semiconducteur devient extrinséque par suite de 'ionisation des impuretés quil contient, Comme pour I'activation intrinséque, ionisation des impuretés peut se décrire par des réactions quasi-chimiques : ep © ¢ + D* (Ep) (9) ha @ h* + A'(E,) (40) epetha désignent électron et le trou liés, & basse température, sur un donneur et un accepteur respectivement, La répartition des électrons entre les états d'nergie associés aux impuretés et les bandes peut étre obtenue en appliquant la loi d'action de masse aux relations précédentes. En général un semiconducteur contient a la fois des donneurs et des accepteurs mais une espéce domine l'autre. a) Pour étre spécifique nous considérons un semiconducteur contenant des donneurs en concentration majoritaire. On a donc Np > Na et le semiconducteur est dit de type n. A la température du zero absolu la bande de valence est pleine d'élections et une fraction des Glectrons liés aux donneurs vient occuper les états accepteurs disponibles (vides d'électrons) situés a une énergie inférieure. Sur le niveau donneur ne subsistent alors que Np - Na Glectrons : c'est la situation de compensation. Notons que le niveau de Fermi coincide & cette température avec Ep. Liexcitation des électrons restant liés aux donneurs est décrite par la loi d'action de masse : Kp oo (41) Par ailleurs la loi de conservation du nombre de particules, équivalente a la relation de neutralité électrique, s‘écrit (en négligeam les trous créés par activation intrinséque) : Np n+Nq = 04a @) doi la relation générale : Ep n(n+Na} _ Ep ket (3) pce = Ko a0 La valeur de Kp est obtenue en exprimant occupation des différents états & l'aide de la fonction de distribution de Fermi-Dirac. Ainsi occupation des donneurs est régie par : . 1 [eo] _ No-No _ [+4 o9( 5] Np = Np kg (44)Si Gans E 11,5 13,2 Pas Sb | Si Ge Sn Ec ~ Ep (mev) 44490 39 | 0,6 0,6 0,6 B AL Gal oc tn ca Eq ~ Ey (mev) 46 87° «65 27 3138 ‘TABLE 3Le facteur additionnel de 2 par rapport 4 (21) est appelé facteur de dégénérescence : il exprime le fait que Félectron lig au donneur peut posséder aussi bien un spin 1/2 que - 1/2 Pour un gaz d'électrons non dégénéré la relation (26) donnant n(Ef) est applicable. Linsertion de ces expressions dans la relation bilan (42) permet alors de résoudre le probléme. On trouve ainsi Kp = Ne/ 2. La formule (43) permet d’étudier le régime dionisation des donneurs, en faisant iverses approximations. A tres basse température n < Np - Na etn < Na, On obtient alors (45) La variation de n est thermiquement activée, avec I'énergie E, - Ep. A plus haute température apparait le régime d'exhaustion des impuretés oi l'on a (si ND = Na < No): n= Np-Ny Ce régime, qui est Ia situation normale d'utilisation des semiconducteurs, apparait & une température Te qui dépend des paramétres en jeu, Cette température est définie par : E,-Ep Te = N k, tn sf] BO ENE (46) oi Ng est égale & la plus grande des deux quamités : Na, Np -Na. En régime d'exhaustion, du fait que l'activation intrinséque est toujours superposée A activation extrinséque, la concentration de porteurs minoritaires est simplement donnée par : 2 ai rien oN at p= A plus haute température encore, l'activation intrinséque conduit & une concentration accrue de trous dans la bande de valence. La relation de neutralité électrique s‘écrit alors : n & Np-Natp an avec np =nj2 etona: No-N | 4a ne BS 2 fies 5 \ (No: Na} (48) expression qui inclut, comme une limite, le régime intrinstque. La figure 12 résume les variations de n et p en fonction de linverse de la température,Niveau de Fermi Eg Ec Ep i | | i | régimes Ec +Ev i ——— lonisation Intrinséque épuisement FIGA3Remarque. Dans les semiconducteurs tres peu compensés ot Np >> Na, onan > Na méme a basse température. Le régime d'activation intrinséque conduit alors a : 9) Leénergie d'activation vaut Ia moitié de celle caractérisant un semiconducteur compensé. Dans chaque domaine de température ol n est exprimé le niveau de Fermi peut étre déduit en utilisant la formule (26). Ses variations sont représentées schématiquement sur la figure 13 (cas du semiconducteur compensé). b) Le cas des accepteurs en concentration majoritaire (Na > Np, semiconducteur de type p seated manire analogue au cs précédent i! dfére seulement pa a probabil occupation par les trous du niveau accepteur Ea qui, dans les cas usuels, a la forme : “1 ha) Nas 1 Ep-E, =e [i exp Na ‘ Ret (50) Le facteur de dégénérescence 4, facteur supplémentaire par rapport & (31), est lié existence de deux bandes de valence dégénérées 4k = 0, En conséquence, dans la relation équivalente & (43) la constante d'action de masse K vaut Ny/4. 1,3, MECANISMES DE CONDUCTION ELECTRIQUE. Nous considérons ici un semiconducteur & l'équilibre thermique : le niveau de Fermi ne dépend que du dopage et de la température en accord avec les expressions du paragraphe précédent. Notre objectif est d'exprimer le courant dd aux particules chargées, électrons et trous, en présence d'un'champ électrique ou d'un gradient de concentration. 1.3.L Dynamique du mouvement moyen des particules électroniques, En l'absence de champ et de force les électrons et les trous libres sont & température T>Oanimés de mouvements aléatoires dont la moyenne sur le temps est nulle, En effet les particules ne conservent une valeur donnée de k que pendant un temps court, tim appelé temps de relaxation, Ce temps est limité par la diffusion des particules sur les, imperfections du réseau : vibrations thermiques ou phonons, impuretés, défauts, La valeur de ‘tim est comprise entre 10°" et 10°8 seconde. La vitesse instantanée moyenne peut étre évaluée a partir de I'énergie cinétique moyenne, soit kpT/ 2 par degré de liberté, Dans l'approximation de la masse effective on peut écrire :fms FIG. 14 InT FIG. 15La vitesse quadratique moyenne vaut done 7 pay m (1) Les valeurs usuelles de v, 4 température ambiante sont comprises entre 106 et 108 cm/s, selon la valeur de la masse effective & considérer. On définit aussi le libre parcours moyen lm des particules, correspondant & une valeur définie du vecteur d'onde. In = % Um (52) qui peut varier entre 10 et 1000 A environ. En présence d'un champ électrique E, un mouvement net, selon la direction du champ, se superpose au mouvement aléatoire (Fig. 14 pour une particule de charge - q). Le déplacement net, ou dérive, peut étre évalué de Ia manidre suivante, pour un électron moyen. En présence d'une force, les particules changent d'état suivant la loi fondamentale. z dk Fan & o (53) Dans le cas d'un électron soumis au champ électrique , on écrira F = - gé . L’évolution de k sous 'effet du champ électrique est limitée par les interactions avec les imperfections. On peut done écrire : . e E R(t+ tig) = Rte) ame Dans l'approximation de la masse effective, par analogie avec (10), Ia vitesse de dérive de I'électron est prise proportionnelle & la variation du vecteur d'onde selon : ae ABR at my my (54) Vn = HE (55) en définissant la mobilité des électrons, ou vitesse de dérive par unité de champ électrique : ki mM (56) De manitre similaire, le mouvement de dérive des trous dans le champ est décrit par la vitesse vp et la mobilité :316+ GE Wm ™ (37) ci Hp ™ (58) Remarques. + Nous avons introduit les symboles nouveaux m#y et m4p pour représenter les masses effectives de conduction des électrons et des trous qui peuvent étre différentes des masses de densité d'états définies au § 1. * Pour une bande de conduction isotrope (GaAs) mt = m% * Pour une bande de condu ion anisotrope, commie celle de Si: I 2 + m3) my omy (59) * Pour les bandes de valence dégénérées 3 k = 0, en général : ™ = ™n (60) En supposant que l'ensemble des électrons en concentration n d'une part et l'ensemble des trous en concentration p d'autre part sont animés des mémes vitesses de dérive, on obtient la densité de courant transporté eeqnvseanee i= a(na + Hyp) E 1) i=(o,+0,)E On a ainsi défini les conductivités partielles, Gn, Sp et la conductivité totale © = On + Op. L'inverse de ces conductivités sont les résistivités partielles et totales + : PnPp U Pn = a ° Pat Pp (62) 1 3, | 13.2, Analyse microscopique du temps de relaxation et de la mobilité, Une analyse rigoureuse du mécanisme de conduction doit tenir compte de Pétalement en énergie de la distribution des pasticules libres dans les bandes.3-7- Ainsi le temps de relaxation dépend en général de énergie cinétique Fy, de la panicule. Le courant s‘obtient alors en sommant sur tous les états énergétiques, affectés de leur probabilité d'occupation et de leur vitesse propre. C'est la méthode de 'équation de Boltzmann dont nous donnerons seulement un résultat simple. Pour un gaz d'électrons dégénéré et une bande de conduction isotrope, on aboutit & une expression de la mobilité formellement analogue & (56) : he Cin) m, (63) ‘ob est maintenant une moyenne donnée par : : “eal Til Ex) Ex/2 exp| - =|, [ev Ba) EA evo| ty} aE (tm) 3 eho ° (64) On peut souvent mettre le temps de relaxation microscopique sous la forme : Til Ex) = AT? E) L'expression de la moyenne vaut alors at tke (5 +e] (tig Ex) = ——> ™ (3) (65) La valeur des exposants s et r dépend des mécanismes d'interaction entre particules et imperfections. Parmi celles-ci on distingue en particulier : - les vibrations (ou phonons) acoustiques : s 1/2, d’ou : “y wit TA 66) = les impuretés ionisées : at dod: Wrst eels aera LziN oy ot Ny est la concentration des impuretés ionisées portant la charge + q Z}. Lorsque plusieurs mécanismes d'interaction interviennent simultanément, la mobilité résultante est donnée par la somme des inverse:3-18- Mp (68) Les dépendances en température (66) et (67) conduisent a une forme générale de variation de la mobilité en fonction de la température du type de la figure 15. A haute température la mobilité ne dépend pas de la concentration en impurerés et est dite intrinséque. A titre d'exemple la figure 16 présente les valeurs de mobilité des deux types de porteurs dans Si et GaAs & température ambiante en fonction du dopage net. 1.3.3. Transport électrique dita la conduction et A la diffusion, Nous donnons ci-dessous une expression phénoménologique généralisée du transport électrique dans un semiconducteur quelconque, comportant un gradient de dopage et éventuellement un gradient des niveaux de conduction et de valence. Nous partons du diagramme d'énergie électronique de ta figure 17 en fonction de la coordonnée spatiale x. Liorigine des énergies est ici absolue : c'est le niveau du vide, soit énergie d'un électron au repos en dehors du cristal. Par rapport A cette origine le minimum de la bande de conduction se place, en surface, & une énergie négative - x ot yx est Vaffinité électronique du semiconducteur. Sq et Sp sont les potentiels chimiques des populations délectrons et de trous précédemment détinis (négatifs pour des populations non dégénérées).. La variation Gp(x) représente la variation du nombre d’électrons dans la bande de conduction due a la variation de dopage par les donneurs. D'aprés (26) : a(x) Sx) = pT 7 (69) A Véquitibre thermodynamique, le niveau de Fermi est, par définition horizontal. La variation de Fe est ainsi cumpensée’ par une jotentiel 0,3 (Figure 4), Du fait de la différence de vecteur d’onde existant entre les extremums de valence et de conduction, la conservation du moment impose I'intervention dune particule additionnelle : un phonon de vecteur d’onde kp, tel que : Rt = La loi de conservation de I'énergie inclut alors énergie du phonon mis en je tho, = E; Les signes + et - correspondent I'absorption ou a I'émission d'un phonon, respectivement. La transition optique est dite indirecte. Pras du seuil, le coefficient d'absorption varie avec énergie comme : a = 2 (nv-&, +/- ha,) hy 3) Dans le cas du silicium les valeurs des énergies de phonon mis en jeu sont comprises entre 18 et 60 meV. Lintervention d'une woisitme particule dans le processus d'absorption indirect conduit A une probabilité d'absorption réduite prés du seuil, donc 4 un "front d'absorption™ moins raide que celui caractérisant les transitions directes (Fig.3). 2.1.3.3. Semiconducteurs désordonnés et amorphes. Dans ces matériaux, la régle de sélection du vecteur d’onde est levée par l'absence de symétrie de translation, Seule la régle de conservation de V'énergie demeure et le coefficient absorption est proportionnel & une convolution des états des bandes de conduction et de valence. On a alors : as ace hv -E, wl “ es 2.1.4, Taux d'absorption des photons, Le flux de photons par section unité présents a la profondeur x d'un matériau semi-infini de coefficient dabsorption a et de coefficient de réflexion R est : I{x) = (1+ RYJo exp(-ax) as) ot Joest le flux de photons incidents. Pour un matériau mince, il faut tenir compte des réflexions multiples entre face avant et face arritre. En négligeant les effets dinterférence, on montre que :FIG.4(1 - R}Jo{ exp(-ax] + Rexp[-al2d - xj} Six} = 1 - RP exp(-2ad) (16) ot d est I’épaisseur de la lame absorbante. Le méme facteur de réflexion a été appliqué aux faces avant et arridre. Le taux d'absorption des photons par unité de temps et de volume est implement lié & la divergence du flux. Ainsi a partir de 'expression (15) on obtient : dix). t(x) = - el a(t - R)Joexp(-ax) an On peut évaluer de la méme manitre le taux d'absorption correspondant & (16) 2.2, GENERATION, RELAXATION ET RECOMBINAISON DES PORTEURS DECHARGE EN EXCES. 2.2.1, Taux de génération de paires ¢lectron-rou, On peut supposer et on vérifie expérimentalement que chaque photon absorbé dénergie hy > Eg conduit effectivement & la création simultanée d'un électron et d'un trou (rendement quantique élémentaire = 1). Les porteurs de charge en exces sont donc créés par paires, dites paires électron-trou. Le taux de génération de ces paires est donc identique au taux absorption des photons (17) : g(x) = a@Jo(1- R) exp(-ax) 8) Faisons_une application numérique en prenant_ a = $x 103em!,R=0, Jo=10!cm2s"! ; on obtient ala surface g(0) = 5 x 1020cm'3s"1, 2.2.2, Relaxation des porteurs en excts, L’absorption d'un photon produit initialement un électron et un trou chauds, puisque leur énergie cinétique totale (h v- Eg) peut étre ues supérieure & kpT. Cette énergie cinétique excédentaire est rapidement perdue par interaction avec les phonons du réseau : c'est le phénoméne de relaxation (Fig. 5), dont la durée est de Vordre de 10'12a 10-15 s, Pour le reste de leur durée de vie, les porteurs en exces peuvent étre considérés “thermalisés", c'est & dire indiscernables des porteurs présents a I’équilibre thermodynamique. Liénergic interne d'une paire électron-trou est donc ramenée a la valeur Eg, quelle que soit énergie du photon absorbé, Cette perte d’énergie cinétique est un des facteurs de limitation du rendement des photopiles.3-26- 2.2.3, Recombinaison des porteurs en excés, Excitation homogéne, Tout systéme dévié de l'état d'équilibre thermodynamique tend a y revenir par des mécanismes appelés, de manidre générale, de "relaxation". Dans le cas des paires électron-trou en exces, on préfere employer le terme de recombinaison, pour exprimer le phénomeéne annihilation de I'électron avec le trou. Comme les particules de chaque bande sont indiscernables, il faut raisonner sur Tensemble des populations. Les équations de base sont les équations dites d’évolution. an an te Uy. Uy a \ ® gee u-U, i oy Ce sont les équations d’évolution les plus générales dans lesquelles figurent les taux de génération (gi) et recombinaison (U,) caractéristiques de l'équilibre thermique, le taux de génération en excés g et les taux de recombinaison en exces Up et Up. Ainsi, méme 2 Téquilibre, se produisent des transitions excitation, dues & lagitation thermique, et de ison. Cependant, on a en moyenne g; = Ur et ces termes disparaissent alors des s (19). ‘On donne aux taux de recombinaison en exces Iécriture formelle suivante : (20) od An=n-no, Ap=p- po sont les concentrations en excés par rapport aux valeurs déquilibre no, po. Les relations (20) définissent les durées de vie (macroscopiques) tp et tp des populations d'électrons et de trous. Elles sont en général indépendantes de Anet Apen régime de faible excitation. ire, on déduit a partir de (19) g = U, En régime stationnaire, Up, d'od les relations exprimantTes concentrations de porteurs en excés et la photoconductivité Ang = Bt, Apa = Bt Boy = a8 [ Hat, + Hp tp) enOn a supposé que les mobilités gardaient leurs valeurs d'équilibre. La modulation de conductivité est done proportionnelle aux durées de vie. La modulation. relative a pour expression : 6, _ 8(Hnts + Byt % HM + Hy Po 2) Si nous considérons un semiconducteur de type n, on amp >po et en général pin > Hp de sorte que le rapport précédent se réduit & gt / no. En introduisant les valeurs numériques g = 3.1020 em-3s-l, tq = 10°6s et rng = 1016 ermr3, on obtient : Ag, Ang = 5.10'Sam'? ; # = 0,05 So Ainsi, dans les semiconducteurs dopés les modulations relatives de conductivité sont faibles. Iln'en est pas de méme dans les matériaux peu dopés ou compensés. Entégime transitoire, les concentrations An (t) et Ap(t) sont solutions des équations completes (19) et (20). Lorsque les durées de vie sont constantes, les variations temporelles des concentrations au moment de létablissement et de la coupure de Illumination sont représentées par des fonctions exponentielles ayant les durées de vie ty et tp comme constantes de temps. La recombinaison électron-trou implique une perte d'énergie : les différents processus de libération d’énergie au cours d'une transition électronique sont autant de mécanismes de recombinaison possibles, Leur étude permet de calculer les durées de vie. 2.2.4.1. Recombinaison bande a bande radiative. Crest le mécanisme inverse de l'absorption optique : l’énergie de la paire electron-trou est libérée sous forme de photons. Ce type de recombinaison est dominant dans les semiconducteurs purs, dotés d'une structure de bande & transitions directes. Comme 1a création et 1a recombinaison des porteurs s'effectue par paires, on a, en régime stationnaire : dn = dp ; U, = Up=U Il est clair que le taux global de recombinaison est proportionnel au produit des concentrations d’électrons et de trous : U,+U = ygnp d'ot, par soustraction du taux d'équilibre Uy, U = tal mp- nopo) = ¥g4(n9 + po + An} @)3-28- D'aprés la définition (20), la durée de vie a faible excitation (An < no + Po) @ pour expression : t= [tale + Pol (24) ov YR est le coefficient de recombinaison radiative qui est relié au taux de génération A Véquilibre go par : 80 Bo ye at = NoPo a? 25) Zo représente ici le taux d'absorption des photons du corps noir a la température du semiconducteur. II peut étre calculé a priori & partir de l'émission spectrale du corps noir et de la courbe d'absorption du semiconducteur. go croit lorsque la température augmente et, a T fixée, augmente quand la bande interdite diminue, Considérons, a titre d'exemple, GaAs & température ambiante. On calcule ‘YR = 6 10-10 cm 3s"! Pour un matériau de type n avec no = 10!7cm'3, on déduit tr = 17 ns. 2.2.4.2. Recombinaison sur centre localisé ou pidge (mécanisme Hall-Shockley-Read) Ce mécanisme introduit une étape dans la transition entre les bandes de conduction et de valence sous forme d'un état électronique (ou pidge) situé dans la bande interdite. La fonction donde associée est localisée dans l'espace réel (délocalisée dans l'espace des k). II s'agit donc d'un état quantique non propagatif. Le processus de recombinaison fait intervenir les transitions de capture d’électrons (Cn) et de trous (cp) sur le centre situé & I'énergie Er, ainsi que les transitions inverses d'émission d'électrons (€p) et de trous (ep) vers les bandes correspondantes (Fig. 6). Les taux nets de recombinaison s'écrivent : Un = Cn- Cn = @qn(Np- nj) - any n, Up = cp- ep = Gypny- Gypi(Nr- m4} (26) ny est la concentration d’électrons sur le centre localisé de concentration totale Nr. cn ct Gp sont les coefficients de capture d'électrons et de trous. On a: O, = 84% Op = OpMig en 0b Gp et Op sont les sections de capture, de dimensions quasi atomiques et vin, et Vip sont les vitesses thermiques moyennes des électrons et des trous (1-51), Gn m1 et ap pi sont les coefficients de probabilité d'émission thermique vers les bandes d'électrons ‘et de trous. L'effet d'activation thermique est représenté par les concentrations fictives de porteurs libres nj et py qui seraient obtenues pour Ep - Er :ny ny Ec E wv Pi FIG.73-29. E,- E, ay = Necvo( ar’) .Ey- Ey a Ne: GT (28) a) Pour les faibles concentrations de centres, ou faible pitgeage, on peut négliger les variations de population du centre de recombinaison, et alors An = Ap. L’évolution des concentrations d'électrons et de trous libres s‘effectue par paires et on a Un = Up = U. L’élimination de ny dans le systéme (26) conduit a : y = —tatpNa[np - soPo) a,(P + Pi} + @,(n + m1) (29) L'expression de la durée de viet = An/U prend alors la forme Po + py + An ng + ny + An Pot mo + An py + no + An (0) no, ( Tpo) représente le temps moyen de vie avant capture d'électrons (de trous) sur les centres totalement vides (pleins) d'électrons : l 1 Thy = i t= ho ‘Po = OyNr aNr BD Ces temps sont les durées de vie limites en égime de fable excitation pour un niveau Ex Eloigné des bords de bandes, dans les matériaux dopés de type p et n respectivement. En effet, on peut alors introduire dans (30) les approximations po > (Mo, Pl, M1, An), ou bien ng > (Po, n, pt, An). La durée de vie est alors commandée par la capture du porteur minoritaire. Lorsque le centre de recombinaison est situé prés d'une bande, la probabilité de rémission du porteur pidgé devient importante, ce que traduisent les termes n1 ou pi dans {a forsnule (30), et la durée de vie augmente par rapport Tpo 0 Tyo- En application numérique, considérons le cas du silicium de type n contenant des centres ‘Au en concentration 10!3cm’3, Le niveau actif de lor est situé a Ee - 0,56 eV, et est done ‘occupé par des électrons a I'équilibre, La durée de vie est limitée par la capture des trous. La section de capture vaut Op = 10-!5cm? et la vitesse thermique vip = 1,6 x 107cm sl, On déduit ¢ = tpo = 6.10 5, Cente valeur élevée caractérise un matériau pu et parfait, On voit que pour une concentration en Au de lordre de 1 ppm, soit 10!cmr3, la durée de vie est abaissée & la valeur trés faible de 6 ns d'oi le nom de centres tueurs donné a de tels centres de recombinaison, on peut négliger les b) Pour de fortes concentrations en centres localisés (fort piégea, fimite les durées de vie taux d'émission devant les taux de capture, Dans cette approximation deviennent :3:30- Om ra (32) ‘oi Nip est 1a concentration d'équilibre des électrons sur les centres. De maniére générale, les durées de vie des électrons et des trous sont alors différentes. 2.2.4.3. Recombinaison par effet Auger. ‘Ce mécanisme intervient & forte concentration de porteurs libres et fait intervenir trois particules. Considérons un échantillon de type n (Fig. 7). Dans leffet Auger, l'énergie de la recombinaison électron-trou (nj- pi) est cédée & un deuxiéme électron np qui est excité dans un Gtat d'énergie supérieur de la bande de conduction. Cette énergie cingtique en exces est ensuite dissipée par interaction avec les phonons du réseau, Le taux net de recombinaisons'crt: 2 Un = ba{?P - nn0po) (3) Comme les porteurs en excds s‘annihilent par paires, on a n= Ap. En posant n= no+ An, p=Po+ An, on obtien Uy = baf An (no +P0+4) (no + An)] a Pour un matériau de type n (no > po) et en régime de faible excitation (An < no) expression de la durée de vie est d'aprés (20): 1 3 bano (35) importance de ce mécanisme & fort dopage apparaitclairement. La figure 8 présente une évaluation de la durée de vie limitée par effet Auger dans le silicium. Ce mécanisme est & prendre en compte dés que la concentration de porteurs dépasse qq 10!8cm3, Remarque générale. ‘Quand plusieurs mécanismes de recombinaison interviennent simultanément, la durée de vie résultante tr est donnée par : 1 1 -—=y- qi creel3 3 3 3 Minority carrier Auger recombination lifetime (s) 3 Z 4 10" 10% 10” Majority or injected carrier density (cm) 10° FIG.83-31 2.3, DISTRIBUTION SPATIALE DES PORTEURS DE CHARGE EN EXCES. Le plus souvent, la distribution spatiale des porteurs de charge en excés n'est pas homogene, ne serait-ce qu'en raison d'un taux de génération non uniforme. Les gradients de concentration qui en résultent donnent lieu & des flux de diffusion. La distance sur laquelle les porteurs en excés peuvent diffuser est elle-méme limitée par la durée de vie, ce qui méne au concept de longueur de diffusion. Le mouvement des populations peut étre analysé & l'aide d'équations d’évolution plus complétes que les expressions (19) : les équations de continuité. Celles-ci sont du type hydrodynamique et font intervenir la divergence des flux partiels d'électrons et de trous :ir/-q et ita: dn 4n 1 - x= als) - e+ adi iy ap 4p _ 1 = g(x) - 2 - ~divi a ta? 66) Dans I'hypothése de porteurs en exces thermalisés, on peut définir les quasi-niveaux de Fermi Efa et Epp, reliés aux concentrations locales d'électrons et de trous par les expressions n(Ep), p(Ep) du régime thermique. Ainsi pour des populations non dégénérées : 7") (G7) (4 = N, exp|- Ny oo 7 1 On observe alors que le produit np devient : Era - Ey abe Eee) 2 (38) Les potentiels électrochimiques des électrons et des trous seront alors différents et définis par (Fig. 9) : One ae x4, SL -ao-x- Eb, 9) Les courants partiels d'électrons et de trous sont toujours proportionnels aux gradients des potentiels élecurochimiques : (40)332+ Pour des populations non dégénérées, ces densités de courant s'expriment en termes de composantes de conduction et de diffusion, ideatiquement 1.77 et 1.81. QhanE + qD,gadn qu,nE -qD,gradp @) i Pp 2.3.1. Longueur de diffusion, Vitesse de recombinaison en surface, Pour illustrer l'application des relations précédentes nous étudions la répanition des porteurs de charge dans un échantillon de semiconducteur semi-infini de type p éclairé sur Ia face d'abcisse x = 0 par un flux de photons monochromatiques Jo. Placons nous en régime stationnaire. Les équations de Maxwell imposent div (in + ip) = diy (i) = 0. On a done, d'apras (36) : An _ Ap % tp tion, le calcul de la ‘aires car, dans ce cas, res) le courant partiel Dans le cas d'un échantillon dopé, en régime de faible exci répartition des porteurs en exces se fait en considérant les porteurs minor compte tenu de leur faible concentration relative (par rapport aux majorit est dominé par le terme de diffusion, On écrit alors, & une dimension : An di, 0 = a(1 - R)Joexp(-ax) aaa dn pan qa aa dot Véquation différentielle : 2 0 = a(t -R)Joexp(-ax)- “2+ 0,4 eu Ty ax (3) dont la solution pour une durée de vie constante et un milieu semi infini est : a@t,(1 - R)Joexpl-ax antx) = aeo(-e] al t= RYoexp(-ax) abst (44) La variation spatiale de An est commandée par deux parambtres : le coefficient absorption cc et une longueur appelée longueur de diffusion : Lym Vat, (45)3:33) A la surface de l'échantillon on tient compte d'vn processus additionnel de recombinaison, caractérisé par une vitesse de recombinaison en surface Sp : tal 0} +S,An(0) = 0 (46) Cette équation exprime le fait que le flux d’électrons en surface est “consomme" par la recombinaison superficielle.L'introduction de cette condition aux limites conduit & la solution explicite : (47) On voit que Ia vitesse de recombinaison Sp est 8 comparer A une autre vitesse caractéristique, que l'on peut appeler vitesse moyenne de diffusion : Dagon v= pet "ta (48) Ainsi une faible influence de la recombinaison en surface requerra le conc vo, > Sn De maniere générale, l'effet de la recombinaison en surface donne un profil de porteurs en excés semblable & celui de la figure 10. La concentration en surface est : atl = Rio (aL, +1) Sako yy al, 5. La valeur maximale de An est atteinte a l'abcisse : An (0) = (49) Saba, 4 D, Xm = bn in a aL,-1 |S. 44 aD, et son expression est:FIG.10 Ln yoo = € Lp = = a 10 i! 14 1 18 20 10! 10° 10 10 [NaN (orm) = FIG.n/ (50) Le rapport An(xm)/ An(o) croit avec Sp. Test clair que, compte tenu du profil n(x), le courant partiel ig(x) n'est pas constant. Ten résulte que le courant de porteurs majoritaires ip(x) est précisément tel que, en tout point : iptx) + ig(x) = i = CM Cette constante peut étre évaluge en un point quelconque, Pour un échantillon électriquement isolé cette constante vaut simplement zéro, Le courant partiel ip(x) des porteurs majoritaires inclut un terme de diffusion et aussi un terme de conduction dans un champ électrique induit faible (voir ci-dessous), appliqués & la distribution de concentration po + Ap(x)=Po+ An(x) (tp/ ta). Le méme probléme de diffusion-recombinaison peut étre traité pour un semiconducteur de type n. La distribution spatiale des porteurs en excds est alors commandée par la longueur de diffusion des trous : bp = VP ety (51) Les longueurs de diffusion diminuent quand le dopage augmente, car celui-ci affecte dans le méme sens les coefficients de diffusion (proponionnels aux mobilités) et les durées de vie. A titre d'exemple la figure 11 présente les variations de Lp et Lp dans le silicium en fonction du dopage. ‘Au paragraphe précédent, nous avons analysé le phénomene de distribution spatiale des porteurs en excts, en réduisant le probléme a une diffusion des porteurs minoritaires. Pour mieux apprécier la validité de cette approximation nous reprenons ici analyse dans un cas plus général. Les équations (36) et (41) conduisent, en régime stationnaire et dans le cas unidimensionnel au systéme : 2 Ar 0 = glx) + ang(nge +e 2) + DAP '" (52) Dans un grand nombre de cas pratiques on peut poser An = Ap. En effet, sauf en présence d'un fort champ électrique comme dans les jonctions, la neutralité électrique tend toujours a étre préservée en raison des forces antagonistes qui suivent un déséquilibre,