CIRCUITE INTEGRATE

ANALOGICE

U. P. B.
Anca Manuela Manolescu

2006-2007

cuprins
Cap.1. Introducere: istoric, dimensiune si complexitate, tehnologii ,
proiectare
Cap.2 .Circuite integrate analogice de uz general si aplicatii
Cap.3.Tehnologii de realizare a CI CMOS si bipolare
Cap.4.Modelarea dispozitivelor
Cap.5. Circuite elementare de baza: rezistoare active,surse de curent,
oglinzi de curent, referinte de tensiune si curent
Cap.6.Etaje de amplificare elementare: etaje corespunzand celor trei
configuratii de baza, comportarea in frecventa, etaje inversoare, etaje
cascod,etaje diferentiale
Cap.7. Etaje de iesire:etaje clasa A, B, A-B si etaje prefinale
Cap.8. Amplificatoare operationale
Cap.9. Raspunsul in frecventa si stabilitatea circuitelor cu
amplificatoare operationale
Cap.10. Circuite integrate neliniare
Anexa 1 Caracterisici Bode

Bibliografie
1. Gray,P.R., Meyer, R.G., Analysis and Design of Analog Integrated Circuits,
Wiley, 1993
2. Gray,P.R.,Meyer, R.G., Circuite integrate analogice. Analiza si proiectare,Ed.
Tehnica, 1997
3. Allen P.,Holberg D.,CMOS Analog Circuit Design, Oxford University
Press,2002
4. Manolescu A.M., Manolescu A., Popa C. , Circuite integrate analogice.
Culegere de probleme. Partea 1, Litografia UPB, 2006
5. Manolescu A.M.,Analog Integrated Circuits,Foton International, 1999
6. Manolescu A.M.s .a.,Circuite integrate liniare, Ed. Didactica si Pedagogica,
1983

1.INTRODUCERE
DE FINITIE ( IEEE)
Circuitele integrate-elemente de
circuit interconectate electric DAR
si inseparabil asociate pe ori in
interiorul aceluiasi substrat
continuu

Pentium IV

1.1 Scurt istoric

To remember us who our real heroes should be(The Wall Street Journal)
1930 LILIENFELD si HEIL pun bazele teoretice ale tranzistorului cu efect de
camp (FET) prematur din punct de vedere tehnologic
Echipamentele electronice realizate cu tuburi electronice-vid, filament incalzit
electric,electrozi suplimentari - amplificare si comutare
Dar voluminoase,scumpe, fragile, mari consumatoare de energie,putin fiabile
Primul calculator digital ENIAC (Universitatea Pennsylvania) ocupa camere
intregi, consuma putere echivalent unei locomotive

ENIAC

Tranzistorul bipolar cu jonctiuni (BJT)

Decembrie 1947, William Shockey,Walter Brattain, John Bardeen (Bell

Laboratories)- tranzistorul bipolar cu contacte punctiforme

Bazat pe fizica semiconductoarelor

Realizeaza aceleasi functii de circuit (amplificare si comutare)prin deplasarea

purtatorilor de sarcina in materialul semiconductor solid

AVANTAJE:
nu necesita tub de sticla, vid, filament incalzit , timp pentru
incalzire,elimina pericolul de intrerupere, nu mai consuma energie in exces

Descoperirea tranzistorului bipolar mai usor, mai mic, mai rapid, mai fiabil,cu
consum de putere mult mai mic, marcheaza inceputul Industriei de
MICROELECTONICA

Milestones

The invention of the bipolar transistor in 1947 by John Bardeen

(left), Walter Brattain (right) and William Shockley (seated) from the
Bell Telephone Laboratories was an important event, which was
rewarded 1956 with the Nobel Prize.

Primul tranzistor bipolar cu

contacte punctiforme 1947

 1956 Schockley, Bardeen , Brattain

Premiul Nobel pentru fizica
Subiect :Pentru studiile asupra
semiconductorilor si descoperirea efectului
tranzistor
La a 25-a aniversare a tranzistorului Brattain
The thing I deplore the most is the use of solid state
electronics by rock and roll musicians to raise the level of
sound to where it is both painful and injurious

In urmatorii 15 ani numar impresionant de variante de

tranzistoare bipolare si alte dispozitive semiconductoare
Inlocuiesc tuburile electronice in diverse echipamente
Tuburile cu vid devin piese de muzeu
Spre jumatatea anilor 50 vanzarile de dispozitive
semiconductoare-miliarde de dolari
Noua tehnologie- considerata un miracol de presa populara
iar electronistii adevarati magicieni
Dar tranzistorizarea se confrunta cu rezolvarea unei mari
probleme..

1957problema interconexiunilor
sau
bariera numerelor(numbers barrier)
sau
tirania numerelor
Rezolvarea implica
1. Will to think
2. Will to spend
Diverse firme

1978 Firma Texas Instruments din Dallas angajeaza pe

Jack Kilby (34 ani) la programul de micromodule

-calm, domol, linistit,

modest,introvertit
-cea mai mare parte a
activitatii creative a realizat-o
singur
-a facut parte din grupul de
pionieri care in50 a trecut un
tranzistor din faza de prototip
in productie

Kilby a fost angajat pentru a fructifica in cadrul

programului de micromodule cheltuielile facute in
laboratorul de semiconductoare
IDEEA MONOLITICA-realizarea tuturor elementelor de
circuit direct in siliciu prin modul de aranjare a regiunilor
de tip N si de tip P, fabricate simultan. Nu mai e
necesara interconectarea lor, conexiunile fiind realizate
intern.
Nu mai trebuiesc fire de legatura, nici lipituri
Dispare bariera numerelor mari
Pentru verificarea ideii a realizat pe un chip un
oscilator cu defazaj RC lung de 1,2 cm si lat de 0,5 cm,
care a fost gata la 12 octombrie 1958
Firma TI aplica pentru a patenta primul circuit integrat
(Miniaturized Electronic Circuit), incluzand desenul
oscilatorului

The Integrated Circuit

1958: Jack Kilby, working at TI, dreams up the
idea of a monolithic integrated circuit
Components connected by hand-soldered wires and
isolated by shaping, PN-diodes used as resistors
(U.S. Patent 3,138,743)

Diagram from patent application

Ideea monolitica
Inseamna realizarea intregului circuit intr-un bloc
Include doua concepte noi:
-integrarea
-interconectarea

 In primul chip Kilby ;

-a integrat toate elementele de circuit pe chipul de siliciu
-interconectarea a facut-o manual cu fire subtiri de aur
Nemultumit in ultimul moment a adaugat in cererea de
patent ca in locul firelor de aur se pot pot folosi trasee de
aur peste un oxid.
TI a depus cererea de patent la Oficiul de patente pe
6.02.1959
Pe 25 aprilie 1961 s-a acordat patentul pentru primul
circuit integrat..

.. lui Robert Noyce de la compania Fairchild

Semiconductors in San Francisco Bay, cunoscuta azi ca Valea
Siliciului,fondata in1957

ROBERT NOYCE

doctor in fizica, genial, impulsiv, logoreic, lucra in grup,,remarcabil talent managerial

cofondator la 31 de ani al companiei care avea drept scop realizarea tranzistorului
NPN dublu difuzat
principala problema-contaminarea cu fire de praf, gaze, sarcina electrica
1958 Jean Hoerni -solutia teoretica de a sigila structura cu un strat de dioxid de
siliciu ca o operatie chirurgicala in jungla
proces planar-datorita suprafetei plane a oxidului depus peste siliciu
Noyce se gandeste la alte aplicatii ale procesului planar- conectarea mai multor
tranzistoare de pe aceeasi placheta de siliciu prin trasee metalice tiparite peste oxid,
operatie mult mai simpla decat atasarea firelor, deoarece se poate face simultan
pentru toate traseele
realizeaza ca astfel se poate rezolva tirania numerelor ceea ce va aduce un profit
extraordinar
propune o structura cu doua tranzistoare, un rezistor si un capacitor interconectate
prin trasee de cupru tiparite peste oxid
pe 30 iulie 1959 Fairchild Instruments depune cererea de patent pentru o structura
unitara de circuit in care interconexiunile se depun in acelasi timp si prin aceleasi
procedee ca si componentele circuitului

PRIMUL CIRCUIT INTEGRAT AL COMPANIEI FAIRCHILD

INSTRUMENTS

Kilby si Noyce
Pornind pe cai diferite Kilby si Noyce au ajuns
independent unul ce celalalt la ideea monolitica
Kilby a avut primul ideea construirii tuturor elementelor
de circuit in acelasi bloc de material semiconductor si
apoi ca aceste elemente pot fi interconectate prin trasee
pe suprafata semiconductorului
Noyce a avut primul ideea interconectarii prin trasee
metalice aderente pe stratul de oxid si de la acest nivel
a pornit spre a realiza toate elementele de circuit in
interiorul materialului semiconductor
Kilby a fost mai rapid, utilizarea procesului planar a facut
ca abordarea lui Noyce sa fie mai viabila

 Pe 25 aprilie 1961 ROBERT NOYCE, prin U.S Patent No.2.981.877 ,

este declarat inventatorul circuitului integrat, desi cronologic a ajuns
dupa JACK KILBY la ideea monolitica
Urmeaza un lung proces juridic Kilby v. Noyce
Lui Kilby i se reproseaza firele de aur folosite pentru interconectare.
In final, pe 6 noiembrie 1969,Curtea Suprema a SUA il confirma oficial
pe ROBERT NOYCE drept inventator al circuitului integrat (microchip)
Amandurora li se acorda Medalia Nationala pentru Stiinta, avand
meritul de a fi rezolvat problema tiraniei numerelor, iar in lumea
electronistilor amandoi sunt recunoscuti drept co-inventatori ai
circuitelor integrate
Apoi, dupa decesul lui Noyce in 1990..

 In 1993 John Kilby primeste Premiul

Kyoto, varianta japoneza a Premiului
Nobel
In 2000 John Kilby primeste Premiul Nobel
in Fizica pentru Inventarea circuitului
integrat

 1962 se realizeaza primul tranzistor cu

efect de camp pe substrat de siliciu

 Lucrarile lui Noyce si Kilby marcheaza

inceputul erei circuitelor integrate-dezvoltare fara
precedent
Deceniul 7 introducerea pe scara larga in
industrie a circuitelor integrate bipolare
In deceniul al 8-lea are loc revolutia CMOS in
domeniul circuitelor integrate digitale iar spre
sfarsitul deceniului al noulea tehnologia CMOS
patrunde si in domeniul analogic

1.2 Dimensiunea si complexitatea circuitelor

integrate
Clasificare dupa numarul de dispozitive(FET,BJT)

Moores Law - CPU

Clasificare dupa dimensiunea minim realizabila

(lungimea L sau latimea w minim realizabile a unui FET)

Structura tridimensionala simplificata a unui MOSFET

 Dimensiune minima realizabila

1970-1980
1980-1990
1990-2000

m
tipic 2 m
0,75-0.35 m
0,1 m

tipic 5

dupa 2000
Dimensiunea verticala este si mai mica
ex. proces de 5 m
grosime oxid 1000A

Cateva consecinte ale reducerii dimensiunii minime

1.Cresterea numarului N de dispozitive pe placheta
N=Aria plachetei/Aria trazistor
Aria plachetei/Aria portii

Ex:la trecerea dela 5 m la unul de 0,5 m

pentru L=w , N creste de 100 de ori
Ce inseamna ? Aria chipului scade de acelasi numar de ori
2.Scade pretul de cost=cost de prelucare placheta/nr chipuri bune
deoarece:
A .costul de prelucrare a unei plachete este independent
de aria chipului
B .creste randamentul de fabricatie=nr.chipuri/nr.chipuri bune
-depinde de aria chipului
-pierderile de la periferia plachetei sunt cu atat maimici
cu cat aria chipului e mai mic

3.Creste viteza de lucru ca urmare a reducerii dimensiunilor

(aproximativ liniar)-chipuri mai ieftine si mai rapide
4.Creste marimea si complexitatea circuitelor ce pot fi integrate
care altminteri ar ocupa o arie prea mare

Limitari produse de reducerea dimensiunii

minime
Deteriorare a imperecherii caracteristicilor tranzistoarelor
Cresterea costului echipamentului de procesare a
plachetelor
Cerinte suplimentare pentru instrumentele software
utilizate in proiectare
Cresterea densitatii de putere disipate
Dar avantajele depasesc cu mult limitarile ceea
ce justifica efortul investit in reducerea
dimensiunii minime

1.3 Tehnologii utilizate in microelectronica

Tehnologia MOS se divide in 3 categorii

PMOS- tehnologia care foloseste doar MOS cu canal P
-putin folosita azi,tranzistoarele PMOS au
caracteristici putin atractive (mobilitate goluri)
NMOS- doar tranzistoare NMOS
-densitate de componenteexcelenta
-performante rezonabile
CMOS- simultan PMOS si CMOS
-flexibilitate marita in proiectare, circuite mai
complexe
-consum static de putere redus la valori extreme in
cazul circuitelor digitale
- pret de cost mai ridicat, arie ocupata mai mare .

Tehnologia bipolara
Cea mai populara in anii 60, 70
Ofera:
-premizele functionarii bune la inalta frecventa
-panta mare
-capabilitate mare in curent
AVANTAJE IMPORTANTE IN APLICATII ANALOGICE

THANK YOU !